JP2010123763A - 半導体ウエハ加工用粘着フィルム - Google Patents

Abstract

【課題】厚み精度に優れ、ダイシング時の切り屑の発生が少ないポリオレフィン系半導体ウエハ加工用粘着フィルムを提供する。
【解決手段】ＭＦＲが５ｇ／１０分以上１５ｇ／１０分以下（測定方法：ＪＩＳ Ｋ７２１０：２３０℃／２．１６ｋｇｆ）であるプロピレン単独重合体（Ａ）とＭＦＲが０．３ｇ／１０分以上４ｇ／１０分以下（測定条件：ＪＩＳ Ｋ７２１０：２３０℃／２．１６ｋｇｆ）であるオレフィン系エラストマー（Ｂ）とを含むものである半導体ウエハ加工用粘着フィルム。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体ウエハ加工用粘着フィルム並びにそれを用いた半導体チップの製造方法およびダイシング機能付き半導体フィルムに関するものである。

半導体装置を製造する工程において、半導体ウエハやパッケージ等を切断する際に半導体ウエハ加工用の粘着フィルムが用いられている。この粘着フィルムは、半導体ウエハやパッケージ等を貼り付け、ダイシング（切断）し、さらに粘着フィルムをエキスパンティング等することにより、前記半導体ウエハ等をピックアップするために用いられる。

半導体ウエハ加工用粘着フィルムは、基材層と、基材層の少なくとも片面に設けられた粘着層とで構成されている。従来、基材層としてはポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂シートが多く用いられている。しかしながら、ＰＶＣ起因の可塑剤の付着によるウエハの汚染防止や、環境問題に対する意識の高まりから、最近ではオレフィン系シート、エチレンビニルアルコール系シートやエチレンメタクリル酸アクリレート系のシート等のポリオレフィン系材料を用いた基材フィルムが開発されている（例えば特許文献１参照）。

一般に半導体ウエハ加工用粘着フィルムは、その使用工程（半導体加工工程）の中でダイシング後の半導体ウエハ等をピックアップする際エキスパンドされるため、柔軟性が必要とされる。そのため柔軟性改善のためエラストマー成分を配合するという手段を用いる場合が多い。しかしながらエラストマー成分を配合すると、樹脂に起因する定期的な流れ方向の厚みバラツキが基材層に発生し、半導体ウエハ加工用粘着フィルム全体としての厚み精度が低下するという問題があった。

一方、近年では半導体素子（ウエハ）の小型化・薄型化が進んでいる。ウエハの小型化・薄型化が進むと、ウエハが割れやすくなることから、半導体ウエハ加工用粘着フィルム厚み精度が低ければ、ダイシング時におけるダイシングブレードの接触の仕方に差が生じウエハ割れが発生しやすくなるという問題を生じさせる。また、フィルム厚み精度が悪いとウエハのカット残りやダイシング時の切り屑や基材ヒゲ（基材シートのカットラインから伸びたヒゲ状の切り残査：基材ヒゲ）が発生しデバイスに付着するといった問題も発生する。これら問題を受けフィルム厚み精度の良い基材を有する半導体ウエハ加工用粘着フィルムが求められている。

特開２００３−２５７８９３

本発明の目的は、基材の厚み精度に優れ、ダイシング時の切り屑やひげの発生が少なく、ウエハカット残りを低減させることが可能な半導体ウエハ加工用粘着フィルムを提供することにある。

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルムは、基材層と粘着層とを有するものであって、前記基材層が、ＭＦＲが５ｇ／１０ｍｉｎ以上１５ｇ／１０ｍｉｎ以下（測定方法：ＪＩＳ Ｋ７２１０：２３０℃／２．１６ｋｇｆ）であるプロピレン単独重合体（Ａ）と、ＭＦＲが０．３ｇ／１０ｍｉｎ以上４ｇ／１０ｍｉｎ以下（測定条件：ＪＩＳ Ｋ７２１０：２３０℃／２．１６ｋｇｆ）であるオレフィン系エラストマー（Ｂ）とを含むものである。

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルムは、前記基材層中の前記プロピレン単独重合体（Ａ）と前記オレフィン系エラストマー（Ｂ）との割合（Ａ／Ｂ）が８５／１５（重量％）〜５５／４５（重量％）であるものとすることができる。

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルムは、前記基材層が引張試験（サンプル幅１０ｍｍ・標線間隔４０ｍｍ・引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎ）において、破断時の伸率が６００％以上以下１０００％以下であるとすることができる。

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルムは、前記オレフィン系エラストマーがエチレン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・α−オレフィン共重合体、ブテン・α−オレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・α−オレフィン共重合体、エチレン・ブテン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・ブテン−αオレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・ブテン−α・オレフィン共重合体、スチレン・イソプレン共重合体およびスチレン・エチレン・ブチレン共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１または２以上の樹脂を含むものとすることができる。

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルムは、粘着層がアクリル系粘着剤、ＵＶ硬化樹脂、光開始剤を含むＵＶ硬化型粘着剤組成物であるものとすることができる。

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルムは、前記アクリル系粘着剤がアミド基を有するアクリル系粘着剤であるものとすることができる。

本発明に係る半導体チップの製造方法は、半導体ウエハ加工用粘着フィルムの粘着層上にシリコンウェハーを密着させダイシングする半導体チップの製造方法であって、前記半導体ウエハ加工用粘着フィルムが前記半導体ウエハ加工用粘着フィルムである半導体チップの製造方法である。

本発明に係るダイシング機能付き半導体フィルムは、ダイシングフィルム（Ｓ１）と半導体素子用接着フィルム（Ｓ２）とが積層されてなるダイシング機能付き半導体フィルムであって、前記ダイシングフィルム（Ｓ１）が前記半導体ウエハ加工用粘着フィルムであるダイシング機能付き半導体フィルムである。

本発明によれば、基材の厚み精度に優れ、ダイシング時の切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、ウエハカット残りを低減させることが可能な半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することができる。

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルムは、主に半導体装置を製造する工程において、半導体ウエハやパッケージ等をダイシング（切断）する際に用いられるものである。例えば、半導体ウエハやパッケージ等に貼り付けられ、半導体ウエハ等をダイシングし、その後エキスパンティングすることによりウエハを切断して得られた半導体素子をピックアップするために用いられる。

本発明によるとエラストマーとポリプロピレン系樹脂それぞれのＭＦＲを調整することにより、樹脂に起因する半導体ウエハ加工用粘着フィルムの厚みバラツキを低減し、厚み精度を改善することが可能となる。また、半導体ウエハ加工用テープのエキスパンド性を重視しエチレンメタクリル酸アクリレート系樹脂等の柔軟性の高い樹脂を用いた場合は基材ヒゲが発生しやすくなるが、この点に関してはプロピレン単独重合体をオレフィン系エラストマーと併用することにより解決が可能となる。

即ち、本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルムは、基材層と粘着層とを有するものであって、前記基材層が、所定の溶融粘度を有するプロピレン単独重合体（Ａ）と、所定の溶融粘度を有するオレフィン系エラストマー（Ｂ）とを含むことを特徴とする。そしてこの特徴により前記発明の効果を奏するものとなる。以下本発明の構成要件について図面を用いて説明する。

（基材層）
本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルム１０は、図1に例示するように基材層１と粘着層２とを少なくとも有するものである。そして前記基材層１には、所定の溶融粘度を有するプロピレン単独重合体（Ａ）と所定の溶融粘度を有するオレフィン系エラストマー（Ｂ）とが含まれる。前記プロピレン単独重合体（Ａ）は、ＭＦＲが５ｇ／１０分以上１５ｇ／１０分以下であることが好ましい。前記範囲下限値以上であることにより基材層は流れ方向の厚み寸法の精度に優れ、前記範囲上限値以下であることにより基材層は幅寸法の安定性に優れたものとなる。また、プロピレン単独重合体を用いるによりウエハ加工時に発生する切り屑を低減することが可能となる。

前記オレフィン系エラストマー（Ｂ）としてはプロピレン単独重合体との相溶性の観点から、構造内にオレフィンブロックを含有するエラストマーが良く、その中でもエチレン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・α−オレフィン共重合体、ブテン・α−オレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・α−オレフィン共重合体、エチレン・ブテン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・ブテン−αオレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・ブテン−α・オレフィン共重合体、スチレン・イソプレン共重合体、スチレン・エチレン・ブチレン共重合体などが好ましい。更に前記オレフィン系エラストマーの２３０℃でのＭＦＲは、０．３ｇ／１０分以上４ｇ／１０分以下であることが好ましく、前記範囲下限値以上であることにより押出し加工性が好適なものとなり、前記範囲上限値以下とすることにより基材層の厚み寸法の精度が優れたものとなる。

上記のように、所定のＭＦＲを有するプロピレン単独共重合体（Ａ）とオレフィン系エラストマー（Ｂ）
と、を使用することにより、基材層の寸法精度が優れ、半導体ウエハ加工工程において好適に用いられる粘着フィルムとなる。

更に前記プロピレン単独重合体（Ａ）とオレフィン系エラストマー（Ｂ）との割合（Ａ／Ｂ）は８５／１５（重量％）〜５５／４５（重量％）とすることが好ましく、オレフィン系エラストマー（Ｂ）配合比率が前記範囲下限値以上とすることにより、テープのエキスパンド性に優れ、前記上限値以下とすることにより、基材層の流れ方向の厚み精度が優れたものとなり、半導体ウエハ加工時に発生する切り屑や基材ヒゲ発生を低減することが可能となる。

また本発明に係る粘着フィルムの基材層には本発明の効果を損なわない範囲で、目的に合わせて、各種樹脂や添加剤等を添加することができる。例えば、帯電防止性を付与するために、ポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマーやポリエーテルエステルアミド等の高分子型帯電防止剤やカーボンブラック等が添加可能な材料として挙げられる。なお、帯電防止効果を付与する場合においては、オレフィン系樹脂との相溶性という観点からは、ポリエーテルポリオレフィン共重合体を用いたイオン伝導型帯電防止剤が好ましい。

基材層の厚みは、ウエハカット用では５０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましく、更に好
ましくは、７０μｍ以上１００μｍ以下である。また、パッケージ等の特殊部材カット用では、１００
μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは、１５０μｍ以上２００μｍ以下であ
る。前記範囲下限値以上とすることによりエキスパンド時の基材層が破損しにくいものとなり、前記範
囲上限値以下とすることによりダイシング時の基材ヒゲの発生を抑制することができる。

本発明に係る粘着フィルムのように半導体ウエハのダイシング工程に用いられる粘着フィルムは、
ウエハをダイシングした後、半導体チップを容易にピックアップできるように半導体チップを貼り付けた状態で粘着フィルムをエキスパンドする（引き伸ばす）ことにより半導体チップの間隔を広げる。好適なエキスパンド性を得るためには、粘着フィルムの引張試験（JISK７１６１：サンプル幅１０ｍｍ・標線間隔４０ｍｍ・引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎ）において、破断時の伸率が６００％以上１０００％以下であることが好ましい。上記下限値以上とすることによりエキスパンド時の破断や、エキスパンド後のフィルムの弛みを抑制することができる。また、上記上限値以下とすることにより好適なフィルムの厚み精度を得ることができる。破断時の伸率は基材層中のエラストマーの配合比率を変更することにより適宜調整可能となる。例えばエラストマーを過剰に配合することにより伸率を大きくすることができる。

(粘着層)
図１に例示するように本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルム１０の基材層１の少なくとも片面には、粘着層２が設けられる。粘着層２に用いられる樹脂組成物としては、アクリル系粘着剤、ＵＶ硬化性ウレタンアクリレート樹脂、イソシアネート系架橋剤等があげられる。これらの中でもウエハマント、チップ飛び及びチッピングを抑制するたためには極性基を含有したアクリル系粘着剤を用いることが好ましい。特に極性基としてアミド基を含有するアクリル系粘着剤を用いることが好ましい。

粘着層２の厚みは、ウエハカット用では３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、パッケージ等の特殊部材カット用としては１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。前記範囲下限値以上とすることにより被着体の保持力に優れ、前記範囲上限値以下とすることによりダイシング時の加工性に優れる。

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルム１０の粘着層２は基材層１、または基材層１を含む樹脂フィルムに対して粘着層２として用いられる樹脂を適宜溶剤に溶解または分散させて塗工液とし、ロールコーティングやグラビュアコーティングなどの公知のコーティング法により塗布し、乾燥することにより形成される。

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルムには、本発明の効果を損なわない範囲で目的に応じて他の樹脂層を設けることができる。

（ダイシング機能付き半導体フィルム）
本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルムを、半導体素子用接着フィルム３０と積層することにより、
ダイシング機能付き半導体フィルム（以下ＤＤＦという）とすることができる。このように半導体ウエハ加工用粘着フィルムと半導体素子用接着フィルムを一体化することにより、半導体ウエハ加工工程の短縮化が可能となる。図２はダイシング機能付き半導体フィルムの概略断面図である。ＤＤＦの具体的な使用方法の例は次の通りである。ＤＤＦの半導体素子用接着フィルム２０面の側に半導体ウエハの裏面を貼り付けた後、ＤＤＦに貼り付けられた状態でウエハをダイシングソーにより所定のサイズにダイシングする。そして次にダイシングフィルムの粘着層と半導体素子用接着フィルムの間で剥離し、半導体接着フィルムが接合した半導体素子を基板に圧着し、更にダイボンディングした後硬化させ、樹脂で封止することにより半導体装置を得る。

本発明を実施例により更に詳細に説明するが、これは単なる例示であり、本発明はこれにより限定されるものではない。
＜基材シートの作製＞
下記原料を表１及び２に示す比率でドライブレンドにより混合した後、５０ｍｍのフルフライト押出機（L／Ｄ＝２５ 圧縮比＝２．９ 有効長＝１２４５ｍｍ）、８５０ｍｍ幅のコートハンガーダイ（リップ間隙＝１ｍｍ）、エアギャップ＝７ｃｍ、吐出＝３０ｋｇ／時、押出温度（スクリュー根元：１８０℃ 〜スクリュー先端・ダイ：２１０℃）の条件でシーティングし、得られたシートの中央部の厚みを流れ方向に１０ｃｍ間隔で１０点測定し、その平均厚みが８０μｍとなるシートを得た。
オレフィン系エラストマー１（エチレン・α−オレフィン共重合体 ＭＦＲ：０．９ｇ／１０分 タフマーＡ−０５５０Ｓ 三井化学株式会社製）
オレフィン系エラストマー２（スチレン・イソプレン共重合体 ＭＦＲ：４．０ｇ／１０分 ハイブラー７１２５ 株式会社クラレ製）
オレフィン系エラストマー３（エチレン・α−オレフィン共重合体 ＭＦＲ：６．７ｇ／１０分 タフマーＡ−４０７０ 三井化学株式会社製）
ポリプロピレン単独重合体１（ＭＦＲ：３ｇ／１０分 ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２ 住友化学株式会社製）
ポリプロピレン単独重合体２（ＭＦＲ：５ｇ／１０分 ノバテックＳＡ４Ｌ 日本ポリプロ株式会社製）
ポリプロピレン単独重合体３（ＭＦＲ：７ｇ／１０分 プライムポリプロＦ７０４ＮＰ プライムポリマー株式会社製）
ポリプロピレン単独重合体４（ＭＦＲ：２０ｇ／１０分 サンアロマーＰＭ８０２Ａ サンアロマー株式会社製）
ポリプロピレンランダム共重合体（ＭＦＲ：７ｇ／１０分 プライムポリプロＦ３２７ プライムポリマー株式会社製）
ポリプロピレンブロック共重合体（ＭＦＲ：９ｇ／１０分 プライムポリプロＪ７１５Ｍ プライムポリマー株式会社製）
低密度ポリエチレン（ＭＦＲ：７ｇ／１０分 スミカセンＬ７０５ 住友化学株式会社製）

＜粘着層の作製＞
２−エチルヘキシルアクリレート３０重量％、酢酸ビニル７０重量％および２−ヒドロキシエチルメタクリレート１重量％をトルエン溶媒中にて溶液重合させ重量平均分子量１５０，０００のベース樹脂を得た。このベース樹脂１００重量部に対して、エネルギー線硬化型樹脂として２官能ウレタンアクリレート１００重量部（三菱レイヨン社製、重量平均分子量が１１，０００）と、架橋剤としてトリレンジイソシアネートの多価アルコール付加体（コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）１５重量部と、エネルギー線重合開始剤として２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部とを酢酸エチルに溶解した後、剥離処理したポリエステルフィルム（厚さ３８μｍ）に乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥して粘着層を得た。

＜粘着フィルムの作製＞
上述の粘着層を３０℃でラミネートロールを用いて、表１の配合比で得られた平均厚み８０μｍのシートにラミネートして半導体ウエハ加工用粘着フィルムを得た。

得られた半導体ウエハ加工用粘着フィルムを以下の項目で評価を実施した
・ 引張伸率（破断時）
JISK７１６１：サンプル幅１０ｍｍ・標線間隔４０ｍｍ・引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎ

＜２＞厚み
厚み８０μｍの各基材において、基材中央部の厚みを基材フィルム押出し流れ方向に５ｍ測定し、最大値と最小値の差が５μｍ以下ものを◎、５μｍより大きく１０μｍ以下のものを○、１０μｍより大きいものを×とした。

＜３＞ウエハカット残り
下記条件にてダイシングした際に、ウエハが問題なく５ｍｍ×５ｍｍ角のサンプルサイズにカット（分割）されるものを○、ウエハか完全に５ｍｍ×５ｍｍ角のサンプルサイズにカット（分割）されず一部カット残りがあるものを×とした。

＜４＞基材ヒゲの発生
シリコンミラーウエハを貼り付けた（ミラー面貼付け）半導体ウエハ加工用粘着ウエハを、ウエハ貼付け後２０分間放置し、下記条件１及び２でダイシングを実施した。ダイシング後のフィルムをＵＶ照射し、ウエハを剥離後、カットラインを顕微鏡で観察した。任意の隣接する１０チップ（５×２）のダイシングラインの各辺の切り屑（基材ヒゲ）を観察した。基材ヒゲの最大長さが２０μｍ以下のものは◎、２０μｍ〜５０μｍのものは○、５０μｍより長いものは×とした。

＜５＞エキスパンド性
下記条件にてダイシングした後、シリコンミラーウエハが貼り付いた状態の半導体ウエハ加工用粘着フィルムを、高圧水銀ランプ（照射条件：８０ｍＷ／ｃｍ^２・２００ｍＪ／ｃｍ^２）でＵＶ照射後、下記のエキスパンダーを用いてエキスパンド性を評価した。図３はエキスパンド時の状態を示す概略断面図である。図３に示すように固定用リング４０により固定された半導体ウエハ加工用粘着フィルム１０を、円筒状のエキスパンダー５０により１０ｍｍ突き上げることによりエキスパンド性を評価した（突き上げる量は図３突き上げ量６０に示す）。エキスパンド時にフィルムが裂けず、かつエキスパンダー５０からはずした後のシートの弛みが５ｍｍ未満のものを○、テープは裂けないがエキスパンダー５０からはずした後のシートの弛み量が５ｍｍ以上１０ｍｍ未満のものを△、エキスパンド時にフィルムが裂けるもの、またはフィルムは裂けないが 前記弛みが１０ｍｍ以上のものを×とした。シートの弛み量とは、図４に示すように水平にリング部のみを固定し、リングに貼り付いたシート下面からもっともシートが弛んだ場所との高さの差、即ち図４中のシートの弛み量７０の絶対値となる。
エキスパンダー： ヒューグルエレクトロニクス（株）製 ＨＳ−１０１０／１９０
６インチリング用

図５は、ダイシング時の状態を示す図である。図５中のブレードハイト１００の量をそれぞれ所定のものとしダイシング条件１及び２とした。

ダイシング条件１
ダイシングブレード：ＮＢＣ−ＺＨ２０５０−ＳＥ ２７ＨＥＤＤ（株式会社ディスコ製）、
ブレード回転数：３００００ｒｐｍ
カット速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
サンプルカットサイズ：５ｍｍ×５ｍｍ角
ブレードハイト：７５μｍ
６インチリング／ウエハ（厚み：４００μ）使用

ダイシング条件２
ダイシングブレード：ＮＢＣ−ＺＨ２０５０−ＳＥ ２７ＨＥＤＤ（株式会社ディスコ製）、
ブレード回転数：３００００ｒｐｍ
カット速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
サンプルカットサイズ：５ｍｍ×５ｍｍ角
ブレードハイト：５０μｍ
６インチリング／ウエハ（厚み：４００μ）使用

上記実施例及び比較例の評価結果を表１及び２に示す。実施例１〜５は総て基材フィルムの厚み振れが８μｍ以下と良好なものであった。また、ダイシング条件１、２のいずれでダイシングを行っても基材ヒゲの発生及びウエハカット残りはなかった。一方、比較例１〜３は基材フィルムの厚み振れが８μｍより大きくなりダイシング条件１でウエハカット残りが発生した。また、比較例４〜６については、ダイシング条件２で基材ヒゲが発生した。比較例７については、いずれのダイシング条件でも基材ヒゲが発生し、またエキスパンド時にフィルムが裂けるという結果であった。

本発明のポリオレフィン系シートを基材として用いることにより、厚み精度に優れ、ダイシング時の切り屑の発生が少ない、半導体ウエハ加工用粘着フィルムを提供することができる

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着フィルムの一例を示す概略断面図である。 本発明に係るダイシング機能付き半導体フィルムの一例を示す概略断面図である。 半導体ウエハ加工用粘着フィルムをエキスパンドした状態の一例を示す概略図である。 エキスパンド後の半導体ウエハ加工用粘着フィルム弛み量を示す概略図である。 ダイシング時の状態の一例を示す概略図である。

符号の説明

１・・・基材層
２・・・粘着層
１０・・・半導体ウエハ加工用粘着フィルム
２０・・・半導体素子用接着フィルム
３０・・・ダイシング機能付き半導体フィルム
４０・・・固定用リング
５０・・・エキスパンダー
６０・・・エキスパンダーによる半導体ウエハ加工用粘着フィルム突き上げ量
７０・・・エキスパンド後の半導体ウエハ加工用粘着フィルム弛み量
８０・・・半導体ウエハ
９０・・・ダイシングブレード
１００・・ブレードハイト

Claims (8)

1. 基材層と粘着層とを有する半導体ウエハ加工用粘着フィルムであって、
   前記基材層が、
   ＭＦＲが５ｇ／１０分以上１５ｇ／１０分以下（測定方法：ＪＩＳ Ｋ７２１０：２３０℃／２．
   １６ｋｇｆ）であるプロピレン単独重合体（Ａ）と、
   ＭＦＲが０．３ｇ／１０分以上４ｇ／１０分以下（測定条件：ＪＩＳ Ｋ７２１０：２３０℃／２
   １６ｋｇｆ）であるオレフィン系エラストマー（Ｂ）と、
   を含む半導体ウエハ加工用粘着フィルム。
2. 前記基材層中の前記プロピレン単独重合体（Ａ）と前記オレフィン系エラストマー（Ｂ）との割合（Ａ／Ｂ）が８５／１５（重量％）〜５５／４５（重量％）である請求項１記載の半導体ウエハ加工用粘着フィルム。
3. 前記オレフィン系エラストマー（Ｂ）がエチレン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・α−オレフィン共重合体、ブテン・α−オレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・α−オレフィン共重合体、エチレン・ブテン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・ブテン−αオレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・ブテン−α・オレフィン共重合体、スチレン・イソプレン共重合体およびスチレン・エチレン・ブチレン共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１または２以上の樹脂を含む請求項1または２記載の半導体ウエハ加工用粘着フィルム。
4. 引張試験（JISK７１６１：サンプル幅１０ｍｍ・標線間隔４０ｍｍ・引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎ）において、破断時の伸率が６００％以上１０００％以下である請求項１乃至３いずれか１項に記載の半導体ウエハ加工用粘着フィルム。
5. 前記粘着層がアクリル系粘着剤、ＵＶ硬化樹脂および光開始剤を含むＵＶ硬化型粘着剤組成物である請求項１記載の半導体ウエハ加工用粘着フィルム。
6. 前記アクリル系粘着剤がアミド基を有するものである請求項５記載の半導体ウエハ加工用粘着フィルム。
7. 半導体ウエハ加工用粘着フィルムの粘着層上にシリコンウェハーを密着させダイシングする半導体チップの製造方法であって、前記半導体ウエハ加工用粘着フィルムが請求項１乃至４のいずれか１項に記載された半導体ウエハ加工用粘着フィルムである半導体チップの製造方法。
8. ダイシングフィルム（Ｓ１）と半導体素子用接着フィルム（Ｓ２）とが積層されてなるダイシング機能付き半導体フィルムであって、前記ダイシングフィルム（Ｓ１）が請求項１乃至６いずれか１項に記載された半導体ウエハ加工用粘着フィルムであるダイシング機能付き半導体フィルム。

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