TWI582209B - Adhesive tape - Google Patents

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Toshitaka Suzuki
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Description

黏著帶
本發明係關於一種黏著帶。
於半導體製造之步驟中，例如進行使在切割用黏著帶上得以切割之半導體晶片進而向另一黏著帶上移動而傳送至下一步驟的黏著帶間之半導體之傳送作業(例如參照專利文獻1)。
於使用同種類之黏著帶進行此種黏著帶間之半導體之傳送作業之情形時，必須使用機械臂等機械設備將經切割之半導體晶片自切割用黏著帶分離，其後貼合於另一黏著帶。其原因在於：於對在切割用黏著帶上得以切割之半導體晶片直接貼合另一同種類之黏著帶而欲進行轉印之情形時，由於該等2個黏著帶之黏著力實質上相同，故而無法順利地進行半導體晶片自該切割用黏著帶上向該同種類之黏著帶之轉印。
尤其是近年來，半導體之切割所使用之晶圓之尺寸正大型化，因此，於對在切割用黏著帶上得以切割之半導體晶片直接貼合另一同種類之黏著帶而欲進行轉印之情形時，如上述般無法順利地進行轉印之問題變得更加顯著。
於半導體之切割中，尤其是於LED切割中，所使用之半導體晶圓係由氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆弱之材料構成。因此，於對在切割用黏著帶上得以切割之LED晶片直接貼合另一同種類之黏著帶而欲進行轉印之情形時，產生LED晶片破損之問題。
因此，為了不使用機械臂等價格昂貴且複雜之機械設備而進行黏著帶間之半導體之傳送作業，必須使用複數種黏著力不同之黏著帶。
然而，於半導體製造之步驟中，使用複數種黏著力不同之黏著帶會導致製造成本上升，製造管理亦變得複雜。
根據上述內容，於半導體製造步驟中之黏著帶間之半導體之傳送作業中，若可於不使用機械臂等價格昂貴且複雜之機械設備之情況下使用1種黏著帶而順利地進行該傳送作業，則可實現製造成本之抑制或製造管理之簡化。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2009-164501號公報
本發明之課題在於提供一種如下般之黏著帶：於半導體製造步驟中之黏著帶間之半導體傳送作業中，可於不使用機械臂等價格昂貴且複雜之機械設備之情況下使用1種黏著帶而順利地進行該傳送作業。
為了解決上述課題，本發明者進行了研究，結果發現，若可控制黏著帶所具備之黏著劑之凝聚性，抑制該黏著帶貼合於半導體等被黏著體後之黏著力經時變化，並且僅於視需要進行相對簡單之處理之情形時改變黏著劑之特性而使黏著力上升，提高對被黏著體之密接性，則於半導體製造步驟中之黏著帶間之半導體傳送作業中，可於不使用機械臂等價格昂貴且複雜之機械設備之情況下使用1種黏著帶而順利地進行該傳送作業，從而完成本發明。
本發明之黏著帶如下所述：其係於塑膠膜之單面具備黏著劑層者，且將於溫度23℃、濕度50%之環境下貼合在SUS 430BA板上並靜置30分鐘時之黏著力設為P1，將於溫度50℃、濕度50%之環境下貼合在SUS 430BA板上並靜置10分鐘，其後於溫度23℃、濕度50%之環境下靜置30分鐘時之黏著力設為P2，此時，P2/P1為1.2以上。
於較佳之實施形態中，上述黏著劑層含有(甲基)丙烯酸系聚合物。
於較佳之實施形態中，上述(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體含有製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體。
於較佳之實施形態中，上述製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體為選自丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯、丙烯醯胺、苯乙烯中之至少1種。
於較佳之實施形態中，上述(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體中之上述製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體之含有比率為1重量%~30重量%。
於較佳之實施形態中，上述(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體含有選自含羥基單體、含羧基單體中之至少1種。
於較佳之實施形態中，上述(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量為300000以上。
於較佳之實施形態中，上述黏著劑層之厚度為1μm~50μm。
於較佳之實施形態中，上述塑膠膜之依據JIS-K-7127(1999年)所測得之最大伸長率為100%以上。
於較佳之實施形態中，上述塑膠膜之厚度為20μm~200μm。
於較佳之實施形態中，上述塑膠膜至少含有聚氯乙烯。
於較佳之實施形態中，於上述塑膠膜之與上述黏著劑層相反之面具備非黏著層，該非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層，且該(甲基)丙烯酸系聚合物之計算Tg為10℃以上。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra為0.1μm以上。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之SP(solubility parameter，溶解度參數)值為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層具有相分離構造。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層之厚度為0.01μm~10μm。
於較佳之實施形態中，於上述黏著劑層之表面具備剝離襯墊。
於較佳之實施形態中，本發明之黏著帶用於半導體加工。
於較佳之實施形態中，本發明之黏著帶用於LED切割用途。
根據本發明，可提供一種如下般之黏著帶：於半導體製造步驟中之黏著帶間之半導體傳送作業中，可於不使用機械臂等價格昂貴且複雜之機械設備之情況下使用1種黏著帶而順利地進行該傳送作業。
圖1係表示本發明之黏著帶用膜之非黏著層之表面側之狀態的SEM照片圖。
圖2係表示本發明之黏著帶用膜之非黏著層之剖面側之狀態的SEM照片圖。
圖3係附說明地表示本發明之黏著帶用膜之非黏著層之剖面側之狀態的SEM照片圖。
本發明之黏著帶係於塑膠膜之單面具備黏著劑層。本發明之黏著帶只要於塑膠膜之單面具備黏著劑層，則在無損本發明效果之範圍內可含有任意適當之其他層。本發明之黏著帶可藉由塗佈或共擠出等用以構築積層構造之方法等任意適當之方法而製造。
關於本發明之黏著帶，將於溫度23℃、濕度50%之環境下貼合在SUS 430BA板上並靜置30分鐘時之黏著力設為P1，將於溫度50℃、濕度50%之環境下貼合在SUS 430BA板上並靜置10分鐘，其後於溫度23℃、濕度50%之環境下靜置30分鐘時之黏著力設為P2，此時，P2/P1為1.2以上，較佳為1.3以上，更佳為1.5以上，尤佳為2.0以上。P2/P1之上限值較佳為2.5以下。藉由使P2/P1收斂於上述範圍內，本發明之黏著帶在必要時藉由進行相對簡單之加熱處理而使其黏著力上升，提高對被黏著體之密接性。再者，於後文中對上述黏著力P1與P2之測定方法進行說明。
關於本發明之黏著帶，將於溫度23℃、濕度50%之環境下貼合在SUS 430BA板上並靜置30分鐘時之黏著力設為P1，將於溫度23℃、濕度50%之環境下貼合在SUS 430BA板上並靜置30分鐘，其後於溫度23℃、濕度50%之環境下進而靜置72小時之時之黏著力設為P3，此時，P3/P1較佳為2.0以下，更佳為1.5以下，尤佳為1.3以下。P3/P1之下限值較佳為1.0。藉由使P3/P1收斂於上述範圍內，本發明之黏著帶於溫度23℃、濕度50%之環境下可有效地抑制黏著力經時變化。再者，於後文中對上述黏著力P3之測定方法進行說明。
本發明之黏著帶藉由如上述般使P2/P1收斂於上述範圍內，又，較佳為使P3/P1收斂於上述範圍內，從而可有效地抑制於將該黏著帶 貼合於半導體等被黏著體後之黏著力經時變化，並且在必要時藉由進行相對簡單之加熱處理而使其黏著力上升，提高對被黏著體之密接性，因此，於半導體製造步驟中之黏著帶間之半導體傳送作業中，可於不使用機械臂等價格昂貴且複雜之機械設備之情況下使用1種黏著帶而順利地進行該傳送作業。
<1.塑膠膜>
作為塑膠膜，在無損本發明效果之範圍內可含有任意適當之樹脂材料。作為此種樹脂材料，可較佳地列舉例如聚氯乙烯、聚烯烴、聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺等，可更佳地列舉聚氯乙烯、聚烯烴，可進而較佳地列舉聚氯乙烯。作為聚氯乙烯，例如可列舉軟質聚氯乙烯等。尤其是若採用聚氯乙烯作為塑膠膜之樹脂材料，則由於聚氯乙烯之應力緩和性優異，故而可較佳地用於例如LED切割等半導體加工中使用之黏著帶。另一方面，若採用聚乙烯或聚丙烯等聚烯烴作為塑膠膜之樹脂材料，則例如有如下擔憂：於切割時使用雷射之情形時由該雷射產生之加工熱等而會導致該塑膠膜膨張/收縮；黏著帶會自半導體晶圓剝離；與採用聚氯乙烯作為塑膠膜之樹脂材料之情形相比，無法進行精確之切割。
作為塑膠膜中之上述樹脂材料之含有比率，可根據目的、用途而設定任意適當之含有比率。作為此種含有比率，例如較佳為50重量%~100重量%，更佳為60重量%~100重量%，進而較佳為70重量%~100重量%。
於塑膠膜中亦可含有塑化劑。塑膠膜中之塑化劑之含有比率相對於該塑膠膜中之上述樹脂材料，較佳為0.5重量%~50重量%，更佳為1.0重量%~40重量%。藉由於塑膠膜中以上述含有比率含有塑化劑，而對延伸等變形之追隨性變得更好。
作為上述塑化劑，例如可列舉：鄰苯二甲酸酯系、偏苯三甲酸 酯系(Dainippon Ink股份公司製造，W-700，偏苯三甲酸三辛酯等)、己二酸酯系(J-Plus Co.,Ltd製造，D620，己二酸二辛酯、己二酸二異壬酯等)、磷酸酯系(磷酸三甲苯酯等)、己二酸系酯、檸檬酸酯(乙醯檸檬酸三丁酯等)、癸二酸酯、壬二酸酯、順丁烯二酸酯、苯甲酸酯、聚醚系聚酯、環氧系聚酯(環氧化大豆油、環氧化亞麻籽油等)、聚酯(包含羧酸與二醇之低分子聚酯等)等。於本發明中，較佳為使用酯系塑化劑。塑化劑可僅為1種，或亦可為2種以上。
若採用聚氯乙烯作為塑膠膜之樹脂材料，則尤其是即便於該塑膠膜中含有塑化劑，亦可抑制該塑化劑滲出至該塑膠膜表面。
於塑膠膜中，亦可在無損本發明效果之範圍內含有任意適當之其他成分。
塑膠膜之依據JIS-K-7127(1999年)所測得之最大伸長率(MD)較佳為100%以上，更佳為200~1000%。藉由使用顯示出此種最大伸長率之塑膠膜，可對本發明之黏著帶賦予適度之伸長性，例如可提高對被黏著體之追隨性。又，塑膠膜之依據JIS-K-7127(1999年)所測得之彈性模數(MD)較佳為100MPa~1GPa。於塑膠膜之彈性模數(MD)未達100MPa之情形時，有該塑膠膜變得過軟導致處理性變差之擔憂。於塑膠膜之彈性模數(MD)超過1GPa之情形時，有延伸性變差之擔憂。
塑膠膜之厚度較佳為20μm~200μm，更佳為40μm~150μm，進而較佳為50μm~100μm。於塑膠膜之厚度未達20μm之情形時，有操作性變差之擔憂，尤其是於構成黏著帶時有貼合作業變難之擔憂。若塑膠膜之厚度大於200μm，則有對延伸等變形之追隨性變差之擔憂。
<2.黏著劑層>
黏著劑層之厚度在無損本發明效果之範圍內可採用任意適當之厚度。作為此種厚度，較佳為1μm~50μm，更佳為1μm~30μm， 進而較佳為1μm~20μm，尤佳為3μm~15μm。於黏著劑層之厚度未達1μm之情形時，有無法表現出充分之黏著力之擔憂。於黏著劑層之厚度大於50μm之情形時，有除成本增大以外，根據用途而黏著力變得過大，導致剝離等時使被黏著體破碎之擔憂。
作為黏著劑層之材料，在無損本發明之效果之範圍內可採用任意適當之黏著劑。黏著劑層可使用此種黏著劑，藉由任意適當之方法而製造。
作為黏著劑層之材料，例如可列舉：(甲基)丙烯酸系聚合物；天然橡膠；接枝有甲基丙烯酸甲酯等單體之特殊天然橡膠；SBS(Styrene-Butadiene-Styrene，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯)、SBR(Styrene-Butadiene Rubber，苯乙烯-丁二烯橡膠)、SEPS(Styrene-Ethylene-Propylene-Styrene，苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯)、SIS(Styrene-Isoprene-Styrene，苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯)、SEBS(Styrene-Ethylene-Butylene-Styrene，苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯)、聚丁烯、聚異丁烯(polyisobutene)、聚異丁烯(polyisobutylene)、丁基橡膠等合成橡膠等。該等之中，可有效地抑制於將本發明之黏著帶貼合於半導體等被黏著體後之黏著力經時變化，並且在必要時藉由進行相對簡單之加熱處理而使其黏著力上升，提高本發明之黏著帶對被黏著體之密接性，另外，剝離後於被黏著體上之糊劑殘留較少，具有高凝聚性且透明性優異，就該等方面而言，較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物。再者，於本說明書中，於記載有「(甲基)丙烯酸」之情形時意指丙烯酸及/或甲基丙烯酸，於記載有「(甲基)丙烯酸酯」之情形時意指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。
(甲基)丙烯酸系聚合物可藉由任意適當之聚合方法而製造。(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量較佳為300000以上，更佳為500000以上，進而較佳為550000以上，尤佳為600000以上，最佳為 650000以上。(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量之上限值較佳為1000000以下。藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量收斂於上述範圍內，例如即便於黏著劑層中加入塑化劑，而亦不會降低(甲基)丙烯酸系聚合物之凝聚力，不易產生糊劑殘留。
於黏著劑層含有(甲基)丙烯酸系聚合物之情形時，其含有比率較佳為30重量%~100重量%，更佳為50重量%~100重量%，進而較佳為70重量%~100重量%，尤佳為90重量%~100重量%。藉由使黏著劑層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之含有比率收斂於上述範圍內，可更有效地抑制於將本發明之黏著帶貼合於半導體等被黏著體後之黏著力經時變化，並且在必要時藉由進行相對簡單之加熱處理而使其黏著力進一步上升，進一步提高本發明之黏著帶對被黏著體之密接性，另外，剝離後於被黏著體上之糊劑殘留更少，具有更高之凝聚性且透明性更優異。
(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體含有(甲基)丙烯酸系單體作為主單體。(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體中之(甲基)丙烯酸系單體之含有比率較佳為50重量%~100重量%，更佳為70重量%~100重量%，進而較佳為90重量~100重量%，尤佳為95重量%~100重量%。原料單體可僅為1種單體，或亦可為2種以上之單體。
(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體較佳為含有製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體。藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體含有製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體，而提高(甲基)丙烯酸系聚合物之凝聚力，可更有效地抑制於將本發明之黏著帶貼合於半導體等被黏著體後之黏著力經時變化，並且在必要時藉由進行相對簡單之加熱處理而使其黏著力進一步上升，進一步提高本發明之黏著帶對被黏著體之密接性，另外，剝離後於被黏著體上之糊劑殘留更少，具有更高之凝聚性且透明性更優異。(甲基)丙烯酸系聚合 物之原料單體所可含有之製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體可僅為1種，或亦可為2種以上。
作為製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體，較佳為選自丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯、丙烯醯胺、苯乙烯中之至少1種，更佳為選自丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯中之至少1種。℃若採用該等單體作為製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體，則(甲基)丙烯酸系聚合物之凝聚力提高，可更有效地抑制於將本發明之黏著帶貼合於半導體等被黏著體後之黏著力經時變化，並且在必要時藉由進行相對簡單之加熱處理而使其黏著力進一步上升，進一步提高本發明之黏著帶對被黏著體之密接性，另外，剝離後於被黏著體上之糊劑殘留更少，具有更高之凝聚性且透明性更優異。
(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體中之製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體之含有比率較佳為1重量%~30重量%，更佳為2重量%~28重量%，進而較佳為3重量%~25重量%，尤佳為3重量%~23重量%，最佳為3重量%~20重量%。若使(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體中之製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體之含有比率收斂於上述範圍內，則(甲基)丙烯酸系聚合物之凝聚力提高，可更有效地抑制於將本發明之黏著帶貼合於半導體等被黏著體後之黏著力經時變化，並且在必要時藉由進行相對簡單之加熱處理而使其黏著力進一步上升，進一步提高本發明之黏著帶對被黏著體之密接性，另外，剝離後於被黏著體上之糊劑殘留更少，具有更高之凝聚性且透明性更優異。於(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體中之製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體之含有比率未達1重量%之情形時，有無法提高(甲基)丙烯酸系聚合物之凝聚力之擔憂，有於將本發明之黏著帶貼合於半導體等被黏著體後之黏著力會經時上升之擔憂。於(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體中之製成均聚物時之玻璃轉移溫 度為80℃以上之單體之含有比率超過30重量%之情形時，有如下擔憂：(甲基)丙烯酸系聚合物變硬；無法表現出充分之初始黏著力，並且為了在必要時使黏著力上升而必須以嚴格之條件進行加熱處理；對被黏著體之損傷增大。
(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體在無損本發明效果之範圍內可含有任意適當之其他單體。此種其他單體可僅為1種，或亦可為2種以上。作為此種其他單體，較佳為選自含羥基單體、含羧基單體中之至少1種，更佳為含羧基單體。藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體含有含羥基單體、含羧基單體，而形成與被黏著體之氫鍵等二次鍵，因此，(甲基)丙烯酸系聚合物之凝聚力提高，可更有效地抑制於將本發明之黏著帶貼合於半導體等被黏著體後之黏著力經時變化，並且在必要時藉由進行相對簡單之加熱處理而使其黏著力進一步上升，進一步提高本發明之黏著帶對被黏著體之密接性，另外，剝離後於被黏著體上之糊劑殘留更少，具有更高之凝聚性且透明性更優異。
藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體含有含羥基單體、含羧基單體，而於使用交聯劑之情形時，可有效率地產生與該交聯劑之交聯反應，可充分地表現出作為黏著劑之效果，另外，可有效地防止剝離操作時之被黏著體之破碎。
作為含羥基單體，例如可列舉具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，具體而言，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。含羥基單體可僅為1種，或亦可為2種以上。
作為含羧基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、丁烯酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、伊康酸等。含羧基單體可僅為1種，或亦可為2種以上。
於(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體含有含羥基單體之情形時， 該原料單體中之含羥基單體之含有比率較佳為0.1重量%~20重量%，更佳為0.5重量%~10重量%。若使原料單體中之含羥基單體之含有比率收斂於上述範圍內，則由於形成與被黏著體之氫鍵等二次鍵，故而(甲基)丙烯酸系聚合物之凝聚力提高，可更有效地抑制於將本發明之黏著帶貼合於半導體等被黏著體後之黏著力經時變化，並且在必要時藉由進行相對簡單之加熱處理而使其黏著力進一步上升，進一步提高本發明之黏著帶對被黏著體之密接性，另外，剝離後於被黏著體上之糊劑殘留更少，具有更高之凝聚性且透明性更優異。於原料單體中之含羥基單體之含有比率過多之情形時，有本發明之黏著帶之黏著力會變得過大，而容易產生黏連之擔憂，另外，有剝離操作時容易產生被黏著體破碎之擔憂。
於(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體含有含羧基單體之情形時，該原料單體中之含羧基單體之含有比率較佳為0.01重量%~20重量%，更佳為0.1重量%~10重量%。若使原料單體中之含羧基單體之含有比率收斂於上述範圍內，則由於形成與被黏著體之氫鍵等二次鍵，故而(甲基)丙烯酸系聚合物之凝聚力提高，可更有效地抑制於將本發明之黏著帶貼合於半導體等被黏著體後之黏著力經時變化，並且在必要時藉由進行相對簡單之加熱處理而使其黏著力進一步上升，進一步提高本發明之黏著帶對被黏著體之密接性，另外，剝離後於黏著體上之糊劑殘留更少，具有更高之凝聚性且透明性更優異。於原料單體中之含羧基單體之含有比率過多之情形時，有本發明之黏著帶之黏著力變得過大，而容易產生黏連之擔憂，另外，有剝離操作時容易產生被黏著體破碎之擔憂。
(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體較佳為含有除含羥基單體與含羧基單體以外之(甲基)丙烯酸酯作為主成分。(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體中之此種(甲基)丙烯酸酯之含有比率較佳為50重量%~99 重量%，更佳為60重量%~97重量%，進而較佳為70重量%~95重量%，尤佳為80重量%~93重量%。
作為(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉碳數為1~30之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯等。(甲基)丙烯酸酯可僅為1種，或亦可為2種以上。
作為碳數為1~30之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯(pentyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸戊酯(amyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等碳數為1~30之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯等。該等(甲基)丙烯酸酯中，較佳為碳數為2~20之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為碳數為4~18之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯。
黏著劑層較佳為含有交聯劑。於黏著劑層含有交聯劑之情形時，黏著劑層中之交聯劑之含有比率可根據目的而適當設定，較佳為相對於主要樹脂成分(較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份為0.1重量份~20重量份。藉由使黏著劑層中之交聯劑之含有比率收斂於上述範圍內，可產生適度之交聯反應，可有效地防止剝離操作時之被黏 著體之破碎。
作為交聯劑，例如可列舉：環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二亞胺系交聯劑、唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。該等交聯劑中，就可充分表現出本發明效果之方面而言，較佳為三聚氰胺系交聯劑、環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑。又，交聯劑可視需要進行適當選擇，可僅為1種，或亦可為2種以上之混合系。
黏著劑層亦可含有塑化劑。於黏著劑層含有塑化劑之情形時，黏著劑層中之塑化劑之含有比率可根據目的而適當設定，較佳為相對於主要樹脂成分(較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份為0.1重量份~70重量份。藉由使黏著劑層中之塑化劑之含有比率收斂於上述範圍內，可更有效地表現出本發明之效果。若黏著劑層中之塑化劑之含有比率大於50重量%，則有黏著劑層會變得過於柔軟，容易產生糊劑殘留或被黏著體污染之擔憂。
作為上述塑化劑，例如可列舉：鄰苯二甲酸酯系、偏苯三甲酸酯系(Dainippon Ink股份公司製造，W-700，偏苯三甲酸三辛酯等)、己二酸酯系(J-Plus Co.,Ltd製造，D620，己二酸二辛酯、己二酸二異壬酯等)、磷酸酯系(磷酸三甲苯酯等)、己二酸系酯、檸檬酸酯(乙醯檸檬酸三丁酯等)、癸二酸酯、壬二酸酯、順丁烯二酸酯、苯甲酸酯、聚醚系聚酯、環氧系聚酯(環氧化大豆油、環氧化亞麻籽油等)、聚酯(包含羧酸與二醇之低分子聚酯等)等。於本發明中，較佳為使用酯系塑化劑。塑化劑可僅為1種，或亦可為2種以上。
為了促進交聯反應等，黏著劑層亦可含有任意適當之觸媒。於黏著劑層含有觸媒之情形時，黏著劑層中之觸媒之含有比率可根據目的而適當設定，較佳為相對於主要樹脂成分(較佳為(甲基)丙烯酸系聚 合物)100重量份為0.01重量份~10重量份。藉由使黏著劑層中之觸媒之含有比率收斂於上述範圍內，可更有效地表現出本發明之效果。
作為此種觸媒，例如可列舉：鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、辛酸錫、辛酸鉛、辛酸鈷、辛酸鋅、辛酸鈣、環烷酸鉛、環烷酸鈷、二乙酸二丁基錫、二辛酸二丁基錫、二月桂酸二丁基錫、二月桂酸二辛基錫、順丁烯二酸二丁基錫等有機金屬化合物；丁胺、二丁胺、己胺、第三丁胺、乙二胺、異佛爾酮二胺、咪唑、氫氧化鋰、氫氧化鉀、甲醇鈉等鹼性化合物；對甲苯磺酸、三氯乙酸、磷酸、單烷基磷酸、二烷基磷酸、丙烯酸β-羥基乙酯之磷酸酯、單烷基亞磷酸、二烷基亞磷酸等酸性化合物等。觸媒可僅為1種，或亦可為2種以上。
於黏著劑層中，亦可在無損本發明之效果之範圍內含有任意適當之添加劑。作為此種添加劑，例如可列舉：紫外線吸收劑、填充劑、防老化劑、黏著賦予劑、顏料、染料、矽烷偶合劑等。
<3.非黏著層>
本發明之黏著帶亦可於塑膠膜之與黏著劑層相反之面具備非黏著層。
非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層。藉由將非黏著層設為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層，而使非黏著層與塑膠膜之適應性變得良好，本發明之黏著帶對延伸等變形之追隨性良好。
非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之計算Tg為10℃以上，較佳為20℃以上，更佳為30℃以上，進而較佳為45℃以上。非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之計算Tg之上限並無特別限定，較佳為200℃以下，更佳為150℃以下，進而較佳為100℃以下。藉由使非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之計算Tg收斂於上述範圍內，提高非黏著層表面之微小凹凸構造之耐熱性，於藉由負壓將本發明之黏著帶吸附固 定於固定用基座上從而進行切割等之情形時，可有效地抑制產生因基座之發熱等引起之過度密接。
於本發明中，所謂共聚物(上述非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物等)之「計算Tg」，係指對源自構成共聚物之單體之結構單元之Tg藉由Fox計算式所求出之計算玻璃轉移溫度。
所謂Fox式，係指如下所示之共聚物之玻璃轉移溫度Tg(℃)與使構成共聚物之各單體進行均聚合而成之均聚物之玻璃轉移溫度Tgi(℃)之間之關係式。再者，於以下之Fox式中，Tg(℃)表示共聚物之玻璃轉移溫度、Wi表示單體i之重量分率，Tgi(℃)表示單體i之均聚物之玻璃轉移溫度。
1/(273+Tg)=Σ(Wi/(273+Tgi))
再者，作為均聚物之玻璃轉移溫度Tgi(℃)，具體而言，可使用「聚合物手冊 第3版(Polymer Handbook 3rd Edition)」(A WILEY-INTERSCIENCE PUBLICATION,1989年)中記載之值。
非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1μm以上，更佳為0.1μm~3.0μm，進而較佳為0.2μm~2.0μm，尤佳為0.3μm~2.0μm，最佳為0.5μm~2.0μm。藉由使非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra收斂於上述範圍內，可於進行藉由負壓之吸附固定時抑制產生過度密接。
非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之SP值較佳為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5，更佳為9.5(cal/cm3)0.5~11.5(cal/cm3)0.5，進而較佳為9.5(cal/cm3)0.5~11.0(cal/cm3)0.5。SP值是根據Small式算出之溶解度參數。SP值之計算可藉由公知之文獻(例如應用化學雜誌(Journal of Applied Chemistry),3,71,1953.等)中記載之方法而進行。
非黏著層較佳為具有相分離構造。藉由使非黏著層具有相分離構造，可於該非黏著層之表面有效地形成微小之凹凸構造。推測其原 因或許在於：因相分離構造產生時之聚矽氧、(甲基)丙烯酸系聚合物之物質移動性之差異而產生凸凹。藉由形成該凹凸構造，於本發明之黏著帶中，可於進行藉由負壓之吸附固定時抑制產生過度密接，並且可有效地抑制輥狀之形態下之黏連，於自輥狀之形態回捲時可抑制破裂或破損。
非黏著層較佳為包含含有聚矽氧多於(甲基)丙烯酸系聚合物之富聚矽氧相、及含有(甲基)丙烯酸系聚合物多於聚矽氧之富(甲基)丙烯酸系聚合物相。更具體而言，非黏著層較佳為以相互獨立之相分離構造而含有上述富聚矽氧相與上述富(甲基)丙烯酸系聚合物相，更佳為上述富聚矽氧相存在於空氣界面側(塑膠膜之相反側)、上述富(甲基)丙烯酸系聚合物相存在於塑膠膜側。藉由具有此種相分離構造，由存在於空氣界面側之富聚矽氧相而有效地抑制黏連，由存在於塑膠膜側之富(甲基)丙烯酸系聚合物相而使非黏著層與塑膠膜之適應性變得良好，變形追隨性良好。藉由以下述方式調整非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比，可形成此種相分離構造。
關於非黏著層具有相分離構造、或如上述之包含含有聚矽氧多於(甲基)丙烯酸系聚合物之富聚矽氧相、及含有(甲基)丙烯酸系聚合物多於聚矽氧之富(甲基)丙烯酸系聚合物相，可藉由任意適當之方法進行觀察。作為此種觀察方法，例如可列舉使用穿透式電子顯微鏡(TEM)、掃描式電子顯微鏡(SEM)、場發射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)等電子顯微鏡對非黏著層剖面進行形態觀察之方法。2層分離構造可藉由形態觀察圖像之深淺來進行辨識。又，亦可列舉如下方法：藉由基於全反射法之紅外線吸收分光，一面使探針光深度自非黏著層空氣界面側向內部不斷改變，一面觀察組成中所含之矽、碳等之含量變化，藉此進行觀察。此外，亦可列舉藉由X射線顯微分析儀或X射線光電子光譜進行觀察之方法。又，亦可適當地組合該等方法而進行 觀察。
非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計，較佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1，更佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：30~30：1，進而較佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：10~10：1，尤佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：5~5：1，最佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：3~5：1。若非黏著層中之聚矽氧之含有比率過大，則有與塑膠膜背面之化學親和性降低，而難以適應塑膠膜背面之擔憂。又，若非黏著層中之聚矽氧之含有比率過大，則有於製成黏著帶之情形時，對延伸等變形之追隨性變差，非黏著層破碎而成為污染之原因之擔憂。若非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之含有比率過大，則有非黏著層會作為丙烯酸系黏著劑而發揮作用之擔憂，有容易產生黏連之擔憂。
作為聚矽氧，可採用任意適當之聚矽氧。作為此種聚矽氧，例如可列舉：將鉑系化合物作為觸媒，使含烯基聚二烷基矽氧烷與聚二烷基氫聚矽氧烷藉由加成反應而硬化，形成剝離性皮膜，從而獲得的加成型聚矽氧；使用錫系觸媒之使含羥甲基之聚二烷基矽氧烷與聚二烷基氫聚矽氧烷反應而獲得的縮合型聚矽氧等。作為加成型聚矽氧之例，例如可列舉：Shin-Etsu Silicone Co.,Ltd製造之「KS-776A」、「KS-839L」等。作為縮合型聚矽氧之例，例如可列舉：Shin-Etsu Silicone Co.,Ltd製造之「KS723A/B」等。再者，於製造聚矽氧時，除鉑系觸媒、錫系觸媒以外亦可適當地使用其他交聯劑、交聯促進劑等。又，作為聚矽氧之性狀，分為溶解於甲苯等有機溶劑中之類型、將該等乳化而成之乳液型、僅包含聚矽氧之無溶劑型等。又，除加成型聚矽氧、縮合型聚矽氧以外亦可使用聚矽氧/丙烯酸系接枝聚合物、聚矽氧/丙烯酸系嵌段聚合物等。作為聚矽氧/丙烯酸系接枝聚合 物，例如可列舉：SYMAC GS-30、SYMAC GS101、SYMAC US-270、SYMAC US-350、SYMAC US-380(以上為東亞合成股份公司製造)等。作為聚矽氧/丙烯酸系嵌段聚合物，例如可列舉：MODIPER FS700、MODIPER FS710、MODIPER FS720、MODIPER FS730、MODIPER FS770(以上為日油股份公司製造)等。
作為(甲基)丙烯酸系聚合物，只要計算Tg為10℃以上，則可採用任意適當之(甲基)丙烯酸系聚合物。
(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體含有(甲基)丙烯酸系單體作為主單體。(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體中之(甲基)丙烯酸系單體之含有比率較佳為50重量%~100重量%，更佳為70重量%~100重量%，進而較佳為90重量~100重量%，尤佳為95重量%~100重量%。原料單體可僅為1種單體，或亦可為2種以上之單體。
作為(甲基)丙烯酸系單體，可較佳地列舉(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸。
作為(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：碳數為1~30之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯、含羥基(甲基)丙烯酸酯等。(甲基)丙烯酸酯可僅為1種，或亦可為2種以上。
作為碳數為1~30之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯(pentyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸戊酯(amyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯 酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等碳數為1~30之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯等。該等(甲基)丙烯酸酯中，較佳為碳數為2~20之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為碳數為4~18之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯。
作為含羥基(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。
為了充分表現出本發明之效果，(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體亦可含有選自含羥基單體、含羧基單體中之至少1種。
作為含羥基單體，例如可列舉烯丙醇等。含羥基單體可僅為1種，或亦可為2種以上。
作為含羧基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、丁烯酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、伊康酸等。含羧基單體可僅為1種，或亦可為2種以上。
於非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體含有含羥基(甲基)丙烯酸酯之情形時，該原料單體中之含羥基(甲基)丙烯酸酯之含有比率相對於該含羥基(甲基)丙烯酸酯以外之原料單體之總量，較佳為2重量%~30重量%，更佳為3重量%~25重量%，尤佳為5重量%~20重量%。若使原料單體中之含羥基(甲基)丙烯酸酯之含有比率收斂於上述範圍內，則可於非黏著層之表面更有效率地形成微小之凹凸構造，藉由形成該凹凸構造，本發明之黏著帶於進行藉由負壓之吸附固定之情形時可進一步抑制產生過度密接，並且可更有效地抑制輥狀之形態下之黏連，於自輥狀之形態回捲時可進一步抑制破裂或破損。
非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物較佳為於含羥基(甲基)丙烯 酸酯以外之原料單體中可含有(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯。於該情形時，(甲基)丙烯酸與(甲基)丙烯酸酯之含有比率以重量比計，(甲基)丙烯酸：(甲基)丙烯酸酯較佳為0：100~20：80，更佳為0：100~10：90，進而較佳為0：100~5：95。
若使(甲基)丙烯酸與(甲基)丙烯酸酯之含有比率收斂於上述範圍內，則可於非黏著層之表面更有效地形成微小之凹凸構造，藉由形成該凹凸構造，本發明之黏著帶於進行藉由負壓之吸附固定時可進一步抑制產生過度密接，並且可更有效地抑制輥狀之形態下之黏連，自輥狀之形態回捲時可進一步抑制破裂或破損。
非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物可藉由任意適當之聚合方法而製造。
於非黏著層中，亦可在無損本發明效果之範圍內含有任意適當之添加劑。作為此種添加劑，例如可列舉：觸媒、紫外線吸收劑、填充劑、防老劑、黏著賦予劑、顏料、染料、矽烷偶合劑等。
非黏著層之非黏著試驗剝離力較佳為未達1.0N/20mm，更佳為未達0.5N/20mm，進而較佳為未達0.2N/20mm。藉由使非黏著層之非黏著試驗剝離力收斂於上述範圍內，可於進行藉由負壓之吸附固定時進一步抑制產生過度密接。於本發明中，非黏著層之非黏著試驗剝離力係基於下述方法測定。
非黏著層之厚度較佳為0.01μm~10μm，更佳為0.1μm~5μm，進而較佳為0.1μm~2μm。於非黏著層之厚度未達0.01μm之情形時，變得容易產生黏連。若非黏著層之厚度大於10μm，則有對延伸等變形之追隨性變差之擔憂。若非黏著層之厚度小於0.01μm，則有難以表現出本發明效果之擔憂或製造變難之擔憂。
作為於塑膠膜之單面形成非黏著層之方法，例如可列舉：藉由於塑膠膜之單面塗佈非黏著層之材料並進行乾燥而形成非黏著層之方 法。作為上述塗佈之方法，例如可列舉使用棒式塗佈機、凹版塗佈機、旋轉塗佈機、輥式塗佈機、刮刀塗佈機、敷料器等之方法。
<4.剝離襯墊>
本發明之黏著帶亦可於黏著劑層之表面具備剝離襯墊。
作為剝離襯墊，可採用任意適當之隔片。作為此種剝離襯墊，例如可列舉：藉由聚矽氧系、長鏈烷基系、氟系、硫化鉬等剝離劑進行表面處理之塑膠膜或紙等具有剝離層之基材；包含聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯-偏二氟乙烯共聚物等氟系聚合物之低接著性基材；包含烯烴系樹脂(例如聚乙烯、聚丙烯等)等非極性聚合物之低接著性基材等。
<5.用途>
本發明之黏著帶可用於任意適當之用途。由於本發明之黏著帶可有效地抑制於將該黏著帶貼合於半導體等被黏著體後之黏著力經時變化，並且在必要時藉由相對簡單之加熱處理而使其黏著力上升，提高對被黏著體之密接性，故而於半導體製造步驟中之黏著帶間之半導體傳送作業中，可於不使用機械臂等價格昂貴且複雜之機械設備之情況下使用1種黏著帶而順利地進行該傳送作業。又，若使用本發明之黏著帶，則於對在該黏著帶上得以切割之半導體晶片直接貼合另一之本發明之黏著帶而欲進行轉印之情形時，可如上述般順利地進行轉印，因此，於用於大尺寸之半導體晶圓之切割之情形時亦可順利地進行轉印，另外，於用於由氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆弱之材料構成之半導體晶圓之切割之情形時，可避免半導體晶片破損之問題。由於用於LED之晶圓係由氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆弱之材料構成，故而本發明之黏著帶非常適宜於用於LED之晶圓切割(LED切割)等。
又，若設置如上述般之非黏著層，則於藉由負壓而吸附固定於固定用基座上從而進行切割等之情形時，可有效地抑制產生因基座之發熱等引起之過度密接，另外，可有效地抑制輥狀之形態下之黏連，於自輥狀之形態回捲時不會破裂或破損，該非黏著層與該塑膠膜之適應性良好，對延伸等變形之追隨性良好。因此，可較佳地用於將由脆弱材料所構成且可具有微細精密之電路圖案的半導體晶圓作為被黏著體之半導體加工。若將本發明之黏著帶用於半導體加工，則於藉由負壓而吸附固定於固定用基座上從而進行切割等之情形時，可有效地抑制產生因基座之發熱等引起之過度密接，因此，可順利地進行包括切割在內之半導體製造步驟。又，若將本發明之黏著帶用於半導體加工，則不會產生先前因黏連引起之膜變形或應力應變之累積，因此，可準確地追隨半導體晶圓之微細精密之電路圖案而進行貼合，另外，貼合於半導體晶圓之後不會產生應力應變之自然釋放，因此，可有效地防止半導體晶圓破碎。尤其是用於LED之晶圓係由氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆弱之材料構成，因此，本發明之黏著帶非常適宜於LED切割等。
[實施例]
以下，藉由實施例具體說明本發明，但本發明不受該等實施例之任何限定。份意指重量份，%意指重量%。又，以溶液之形式所供給之試劑之量係由使溶液揮發而殘留之固形物成分之量(固形物成分換算量)表示。
<黏著力之測定> (黏著力P1)
將測定對象之黏著帶切割成20mm寬度×100mm，於溫度23℃、濕度50%之環境下以線壓78.5N/cm、貼附速度0.3m/min壓接至經浸漬於甲苯並經超音波清洗之SUS 430BA板上，其後於溫度23℃、濕度 50%之環境下靜置30分鐘，測定黏著力。將此時之黏著力設為P1。
(黏著力P2)
將測定對象之黏著帶切割成20mm寬度×100mm，於溫度23℃、濕度50%之環境下以線壓78.5N/cm、貼附速度0.3m/min壓接至經浸漬於甲苯並經超音波清洗之SUS 430BA板上，其後於溫度50℃、濕度50%之環境下靜置10分鐘後，於溫度23℃、濕度50%之環境下靜置30分鐘，測定黏著力。將此時之黏著力設為P2。
(黏著力P3)
將測定對象之黏著帶切割成20mm寬度×100mm，於溫度23℃、濕度50%之環境下以線壓78.5N/cm、貼附速度0.3m/min壓接至經浸漬於甲苯並經超音波清洗之SUS 430BA板上，其後於溫度23℃、濕度50%之環境下靜置30分鐘後，於溫度23℃、濕度50%之環境下進而靜置72小時，測定黏著力。將此時之黏著力設為P3。
(黏著力之測定方法)
上述黏著力(P1、P2、P3)係以拉伸速度0.3m/min、剝離角度180°，並使用SHIMAZU製造之AUTOGRAPH(AG-IS)而進行。
<轉印性試驗>
對4吋Si晶圓進行背面研磨以使其成為厚度0.1mm。藉由手壓輥往返1次而將測定對象之黏著帶貼附於研磨面之整個面後，於溫度23℃、濕度50%之環境下靜置30分鐘，其後，將與貼附於研磨面上者相同之黏著帶藉由手壓輥往返1次而貼附於同一試樣之鏡面之整個面，於溫度23℃、濕度50%之環境下靜置30分鐘。靜置後，使鏡面側之黏著帶與溫度50℃之加熱板接觸，靜置10分鐘而加溫。將加溫後之試樣於溫度23℃、濕度50%之環境下靜置30分鐘，其後自Si晶圓剝離研磨面側之黏著帶。將由剝離操作而整個晶圓被破壞之情況評價為×，將晶圓產生龜裂或晶圓局部缺損之情況評價為△，將可不損傷晶 圓而剝離之情況評價為○。
<重量平均分子量>
將試樣乾燥後，製備成THF(tetrahydrofuran，四氫呋喃)溶液並靜置一晚，利用0.45μm薄膜過濾器過濾該溶液，並對濾液進行GPC(gel-permeation chromatography，凝膠滲透層析法)測定。
以下記載GPC測定條件。
使用裝置：TOSOH製造之HLC-8120GPC
使用管柱：TSKgel SuperHZM-H/HZ4000/HZ3000/HZ2000
管柱尺寸：6.0mmI.D.×150mm
溶離液：THF
流量：0.6ml/min
檢測器：RI
管柱溫度：40℃
注入量：40℃
試樣濃度：1.0g/l
<最大伸長率>
最大伸長率係依據JIS-K-7127(1999年)，利用INSTRON型拉伸試驗機(島津製作所製造，AUTOGRAPH)進行測定。具體而言，以夾頭間距50mm設置寬度20mm×長度100mm之試樣後，以0.3m/分鐘之拉伸速度進行拉伸，測定斷裂時之值。
<彈性模數>
彈性模數係依據JIS-K-7127(1999年)進行測定。
<非黏著層之觀察> (利用SEM之觀察)
以可觀察非黏著層剖面之方式進行加工後，利用穿透式電子顯微鏡(SEM)進行形態觀察。
(利用基於全反射法之紅外線分光測定(ATR-IR)之觀察)
使用紅外線分光光譜儀(Perkinermer製造，Spectrum One)，選擇全反射測定法，為了改變探針光之分析深度，使用2種全反射測定用稜鏡(ZnSe45°，Ge45°)，從而進行非黏著層之ATR-IR測定。
<算術平均表面粗糙度Ra>
使用OLYMPUS製造之共軛焦雷射顯微鏡「LEXT3000」，以20倍物鏡利用3D模式進行測定。3D模式觀察範圍之決定係藉由於使透鏡上下移動時，將CF圖像(共軛焦圖像)變為漆黑之位置分別設定為觀察範圍之頂部(Top)與底部(Bottom)而進行。
3D模式下之圖像取入方法係藉由步進(Step)方式以0.2μm之間距進行圖像取入。
算術平均表面粗糙度Ra之測定係藉由分析模式之粗糙度分析而測定任意位置之Ra。再者，值係藉由n=5之平均值求出。
<高溫狀態下之吸附試驗>
將黏著帶以背面(黏著劑層之相反側之面)成為表面之方式貼附於20mm(縱)×50mm(橫)之載玻片上。繼而，於80℃環境下，針對於上述貼附有帶之載玻片與成為被黏著體之載玻片(青板磨邊玻璃，尺寸：65mm×165mm×1.35mmt)，使上述貼附有帶之載玻片之背面側與上述載玻片之非錫面側接觸並放置15分鐘，其後利用2kg輥進行往返而將載玻片與上述貼附有帶之載玻片之背面貼合，於80℃環境下放置30分鐘。放置後，冷卻至常溫，其後利用INSTRON型拉伸試驗機(島津製作所製造，AUTOGRAPH)，以拉伸速度0.3m/分鐘進行0°剝離。測定此時之剝離力(最大值)，根據下述基準進行評價。
○：剝離力未達5.0N。
△：剝離力為5.0N以上且未達15.0N。
×：剝離力為15.0N以上。
<非黏著試驗剝離力>
參照JIS-Z-0237，於23℃保存下，將被黏著體及包含非黏著層之黏著帶保持1小時以上，其後，以線壓8kg/m、壓接速度0.3m/分鐘將非黏著面壓接至SUS 430BA上，以0.3m/分鐘之拉伸速度、180°剝離，測定30分鐘後之剝離力。
◎：未達0.5N/20mm。
○：0.5N/20mm以上且未達1.0N/20mm。
×：1.0N/20mm以上。
<黏連試驗>
將黏著帶之黏著劑層面以線壓8Kg/m、壓接速度0.3m/分鐘壓接至相同黏著帶之與黏著劑層為相反側之最外面(背面層)，壓接後，於50℃下保存48小時。保存後，以拉伸速度0.3m/分鐘，藉由180°剝離之剝離試驗進行剝離(依據JIS-Z-0237)，測定黏著劑層面與背面層之黏連(剝離力)。
評價係於測定剝離力之同時確認剝離時之背面層之脫落、黏著劑層之破壞(因凝聚破壞、抓固破壞導致糊劑殘留)等，設為綜合評價。
評價係根據下述基準。
○：剝離力未達3.0N/20mm，目視下無脫落、黏著劑層未被破壞。
×：剝離力為3.0N/20mm以上，或者目視下有脫落、黏著劑層被破壞。
<抓固性確認試驗> (抓固性確認試驗A)
以拉伸速度0.3m/分鐘~3m/分鐘將黏著帶延伸至200%，以目視評價延伸時及延伸後之黏著帶之與黏著劑層為相反側之最外面(背面 層)之脫落性。
(抓固性確認試驗B)
進行與抓固性確認試驗A相同之延伸後，將日東電工股份公司製造之「NO.31B」作為背面處理層，利用2Kg輥(寬度25mm)以0.3m/分鐘之壓接速度進行往返，其後於23℃×50%RH下保管1分鐘，於0.3m/分鐘~3m/分鐘之剝離速度下進行90°剝離，以目視評價背面之脫落性。
(評價)
對以上評價進行綜合判斷，依據下述基準評價抓固性。
◎：於抓固性確認試驗A與抓固性確認試驗B中均未出現可以目視確認之背面之脫落。
○：於抓固性確認試驗A中未出現可以目視確認之背面之脫落，而於抓固性確認試驗B中確認出少量脫落(確認為點狀)。
×：於抓固性確認試驗A中確認出背面之脫落，或於抓固性確認試驗B中確認出背面之脫落。
[製造例1]：塑膠膜(1)之製造
藉由壓延法製造相對於聚合度P=1050之聚氯乙烯100重量份含有DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯，J-PLUS Co.,Ltd製造)27重量份之軟質聚氯乙烯膜。該軟質聚氯乙烯膜之厚度為70μm，依據JIS-K-7127所測得之彈性模數(MD)為250MPa，依據JIS-K-7127所測得之最大伸長率(MD)為400%。又，剛製造後之表面粗糙度(算術平均表面粗糙度Ra)為0.1μm。
[製造例2]：塑膠膜(2)之製造
將包含低密度聚乙烯系樹脂之樹脂組合物混練熔融，並使用多層吹脹法而製造。該聚乙烯膜之厚度為60μm，依據JIS-K-7127所測得之彈性模數(MD)為200MPa，依據JIS-K-7127所測得之最大伸長率 (MD)為400%。又，剛製造後之表面粗糙度(算術平均表面粗糙度Ra)為0.1μm。
[製造例3]：塑膠膜(3)之製造
將包含低密度聚乙烯系樹脂30重量份、無規聚丙烯樹脂40重量份、乙烯-丙烯橡膠30重量份之樹脂組合物混練熔融，並使用T模法而製造。該聚烯烴膜之厚度為40μm，依據JIS-K-7127所測得之彈性模數(MD)為500MPa，依據JIS-K-7127所測得之最大伸長率(MD)為400%。又，剛製造後之表面粗糙度(算術平均表面粗糙度Ra)為0.2μm。
[實施例1]
製備如下黏著劑之甲苯溶液，該黏著劑包含：由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量=800000)100重量份、三聚氰胺系交聯劑(丁醇改性三聚氰胺甲醛樹脂，「Super Beckamine J-820-60N」，Nippon Polyurethane製造)10重量份、DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯，J-PLUS Co.,Ltd製造)60重量份。
將該黏著劑溶液塗佈於製造例1所得之塑膠膜(1)之一表面上，其後於130℃下乾燥90秒，從而形成厚度10μm之黏著劑層。
如此獲得黏著帶(1)。
將各種評價結果示於表1。
[實施例2]
使用由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=92/5/2/0.3(重量比)所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量=900000)100重量份代替由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)所構成之丙烯酸系共聚物100重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶(2)。
將各種評價結果示於表1。
[比較例1]
使用由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)/丙烯酸乙酯(EA)/甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=30/70/5/4(重量比)所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量=480000)100重量份代替由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)所構成之丙烯酸系共聚物100重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶(C1)。
將各種評價結果示於表1。
[比較例2]
使用使天然橡膠(天然產品製造，天然橡膠，INT No.3 RSS-SMALLBALE)與甲基丙烯酸甲酯(MMA)75重量份接枝聚合而成的天然橡膠-g-MMA聚合物(重量平均分子量=420000)100重量份代替由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)所構成之丙烯酸系共聚物100重量份，製備包含YS RESIN PX1150(YASUHARA CHEMICAL公司製造)70重量份、SONGNOX 1010(堺化學工業公司製造)3重量份之黏著劑之甲苯溶液，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶(C2)。
將各種評價結果示於表1。
[比較例3]
使用由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)/丙烯酸乙酯(EA)/甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=50/50/5/4(重量比)所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量=450000)100重量份代替由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)所構成之丙烯酸系共聚物100重量份，使用製造例2獲得之塑膠膜(2)代替製造例1獲得之塑膠膜(1)，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著 帶(C3)。
將各種評價結果示於表1。
[比較例4]
使用由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)/乙酸乙烯酯(VAc)/丙烯酸(AA)=100/80/5(重量比)所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量=450000)100重量份代替由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)所構成之丙烯酸系共聚物100重量份，使用製造例2獲得之塑膠膜(2)代替製造例1獲得之塑膠膜(1)，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶(C4)。
將各種評價結果示於表1。
[比較例5]
使用由丙烯酸丁酯(BA)/甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=64/33/3(重量比)所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量=500000)100重量份代替由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)所構成之丙烯酸系共聚物100重量份，使用製造例3獲得之塑膠膜(3)代替製造例1獲得之塑膠膜(1)，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶(C4)。
將各種評價結果示於表1。
[實施例3]
將聚矽氧樹脂(KS-723A，信越化學工業製造)60重量份、聚矽氧樹脂(KS-723B，信越化學工業製造)40重量份、丙烯酸系共聚物(甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=90/10/10)50重量份、錫系觸媒(Cat-PS3，信越化學工業製造)10重量份以溶液狀態進行混合，獲得混合溶液(3)。混合溶液(3)中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=2：1。又，丙烯酸系共聚物之計算Tg為67.8℃，SP值為10.7(cal/cm3)0.5。
於製造例1製造之塑膠膜(1)之單面上塗佈上述混合溶液(3)，從而形成厚度1.0μm、算術平均表面粗糙度Ra=0.5μm之非黏著層。
如此獲得黏著帶用膜(3)。
將各種評價結果示於表2。
又，若藉由SEM觀察非黏著層，則如圖1、圖2、圖3所示，根據形態觀察圖像之深淺，可確認出於空氣界面側與塑膠膜側之組成不同，觀察到包含含有聚矽氧多於(甲基)丙烯酸系聚合物之富聚矽氧相、及含有(甲基)丙烯酸系聚合物多於聚矽氧之富(甲基)丙烯酸系聚合物相，形成富聚矽氧相與富(甲基)丙烯酸系聚合物相相互獨立之相分離構造，且富聚矽氧相存在於空氣界面側(塑膠膜之相反側)，富(甲基)丙烯酸系聚合物相存在於塑膠膜側。
進而，於對非黏著層進行基於全反射法之紅外線分光測定(ATR-IR)時，測定(甲基)丙烯酸系聚合物相中之源自Si-CH3之800cm-1附近之波峰之吸光度相對於源自羰基之1725cm-1附近之波峰之吸光度的比，結果得知，與ZnSe45°相比，使用Ge45°之稜鏡之情形時800cm-1附近之峰值變大。因此，得知與基材側相比，於空氣界面側矽之含有率更高。
又，於非黏著層中富聚矽氧相存在於空氣界面側(塑膠膜之相反側)亦可以FT-IR確認。基於FT-IR之測定係使用Perkinermer製造之「Spectrum One」，利用分析深度方向不同之2種稜鏡(ZnSe45°、Ge45°)藉用ATR法測定空氣界面側。對所獲得之圖表進行確認，結果可確認出於使用分析深度方向較淺之Ge45°之稜鏡之情形時，源自Si-CH3之800cm-1附近之波峰之吸光度相對於非黏著層之歸屬於源自(甲基)丙烯酸系聚合物之C=O之1720cm-1~1730cm-1之波峰之吸光度的比增大。根據上述內容，可證明聚矽氧之濃度於空氣界面側變得更高。
考慮到該等觀察結果、以及表面自由能最小化之原理，得知於非黏著層中形成有在空氣界面側具有富聚矽氧相之2層構造。
繼而，將實施例1獲得之黏著劑溶液塗佈於黏著帶用膜(3)之與非黏著層為相反側之面，其後於130℃下乾燥90秒，從而於塑膠膜(1)之與非黏著層為相反側之面形成厚度10μm之黏著劑層。
如此獲得黏著帶(3)。
將各種評價結果示於表2。
[實施例4]
作為非黏著層形成用之丙烯酸系共聚物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸乙酯(EA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=90/10/10之丙烯酸系共聚物50重量份，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(4)。使用該黏著帶用膜(4)代替黏著帶用膜(3)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(4)。
丙烯酸系共聚物之計算Tg為74.3℃，SP值為10.3(cal/cm3)0.5。
非黏著層之厚度為1.0μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.5μm。
將各種評價結果示於表2。
[實施例5]
作為非黏著層形成用之丙烯酸系共聚物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸環己酯(CHA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=90/10/10之丙烯酸系共聚物50重量份，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(5)。使用該黏著帶用膜(5)代替黏著帶用膜(3)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(5)。
丙烯酸系共聚物之計算Tg為80.0℃，SP值為10.4(cal/cm3)0.5。
非黏著層之厚度為1.0μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.5μm。
將各種評價結果示於表2。
[實施例6]
作為非黏著層形成用之丙烯酸系共聚物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=95/5/15之丙烯酸系 共聚物50重量份，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(6)。使用該黏著帶用膜(6)代替黏著帶用膜(3)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(6)。
丙烯酸系共聚物之計算Tg為73.0℃，SP值為10.5(cal/cm3)0.5。
非黏著層之厚度為1.0μm，算術平均表面粗糙度Ra=1.0μm。
將各種評價結果示於表2。
[實施例7]
作為非黏著層形成用之丙烯酸系共聚物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=80/20/10之丙烯酸系共聚物50重量份，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(7)。使用該黏著帶用膜(7)代替黏著帶用膜(3)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(7)。
丙烯酸系共聚物之計算Tg為48.5℃，SP值為10.1(cal/cm3)0.5。
非黏著層之厚度為1.0μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.2μm。
將各種評價結果示於表2。
[實施例8]
作為非黏著層形成用之丙烯酸系共聚物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=99/1/5之丙烯酸系共聚物50重量份，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(8)。使用該黏著帶用膜(8)代替黏著帶用膜(3)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(8)。
丙烯酸系共聚物之計算Tg為94.3℃，SP值為10.1(cal/cm3)0.5。
非黏著層之厚度為1.0μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.5μm。
將各種評價結果示於表2。
[實施例9]
於實施例5獲得之黏著帶(5)之黏著劑層側貼附經Si處理之厚度38 μm之PET襯墊作為剝離襯墊，從而獲得黏著帶(9)。
非黏著層之厚度為1.0μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.5μm。
將各種評價結果示於表2。
[實施例10]
作為非黏著層形成用之丙烯酸系共聚物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=95/5/10之丙烯酸系共聚物50重量份，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(10)。使用該黏著帶用膜(10)代替黏著帶用膜(3)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(10)。
丙烯酸系共聚物之計算Tg為77.2℃，SP值為10.3(cal/cm3)0.5。
非黏著層之厚度為1.0μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.7μm。
將各種評價結果示於表2。
[實施例11]
作為非黏著層形成用之丙烯酸系共聚物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=70/30/10之丙烯酸系共聚物50重量份，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(11)。使用該黏著帶用膜(11)代替黏著帶用膜(3)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(11)。
丙烯酸系共聚物之計算Tg為31.2℃，SP值為10.4(cal/cm3)0.5。
非黏著層之厚度為1.0μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.3μm。
將各種評價結果示於表2。
[產業上之可利用性]
本發明之黏著帶可用於任意適當之用途。本發明之黏著帶可有效地抑制於將該黏著帶貼合於半導體等被黏著體後之黏著力經時變化，並且在必要時藉由相對簡單之加熱處理而使其黏著力上升，提高對被黏著體之密接性，因此，於半導體製造步驟中之黏著帶間之半導體傳送作業中，可於不使用機械臂等價格昂貴且複雜之機械設備之情況下使用1種黏著帶而順利地進行該傳送作業。又，若使用本發明之黏著帶，則於對在該黏著帶上得以切割之半導體晶片直接貼合另一本發明之黏著帶而欲進行轉印時，可如上述般順利地進行轉印，因此，於用於尺寸大之半導體晶圓之切割之情形時亦可順利地進行轉印，另外，於用於由氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆弱之材料構成之半導體晶圓之切割之情形時，可避免半導體晶片破損之問題。由於用於LED之晶圓係由氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆弱之材料構成，故而本發明之黏著帶非常適宜於LED切割等。
又，若設置如上述般之非黏著層，則於藉由負壓而吸附固定於固定用基座上從而進行切割等之情形時，可有效地抑制產生因基座之發熱等引起之過度密接，另外，可有效地抑制輥狀之形態下之黏連，於自輥狀之形態回捲時不會破裂或破損，該非黏著層與該塑膠膜之適 應性良好，對延伸等變形之追隨性良好。因此，可較佳地用於將由脆弱之材料所構成且可具有微細精密之電路圖案的半導體晶圓作為被黏著體之半導體加工。若將本發明之黏著帶用於半導體加工，則於藉由負壓而吸附固定於固定用基座上從而進行切割等之情形時，可有效地抑制產生因基座之發熱等引起之過度密接，因此，可順利地進行包括切割在內之半導體製造步驟。又，若將本發明之黏著帶用於半導體加工，則不會產生先前因黏連引起之膜變形或應力應變之累積，因此，可準確地追隨半導體晶圓之微細精密之電路圖案而進行貼合，另外，貼合於半導體晶圓之後不會產生應力應變之自然釋放，因此，可有效地防止半導體晶圓破碎。尤其是用於LED之晶圓係由氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆弱之材料構成，因此，本發明之黏著帶非常適宜於LED切割等。

Claims (20)

  1. 一種黏著帶，其係於塑膠膜之單面具備黏著劑層者，且將於溫度23℃、濕度50%之環境下貼合在SUS 430BA板上並靜置30分鐘時之黏著力設為P1，將於溫度50℃、濕度50%之環境下貼合在SUS 430BA板上並靜置10分鐘，其後於溫度23℃、濕度50%之環境下靜置30分鐘時之黏著力設為P2，此時，P2/P1為1.2以上。
  2. 如請求項1之黏著帶，其中上述黏著劑層含有(甲基)丙烯酸系聚合物。
  3. 如請求項2之黏著帶，其中上述(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體含有製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體。
  4. 如請求項3之黏著帶，其中上述製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體為選自丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯、丙烯醯胺、苯乙烯中之至少1種。
  5. 如請求項3之黏著帶，其中上述(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體中之上述製成均聚物時之玻璃轉移溫度為80℃以上之單體之含有比率為1重量%~30重量%。
  6. 如請求項3之黏著帶，其中上述(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體含有選自含羥基單體、含羧基單體中之至少1種。
  7. 如請求項2之黏著帶，其中上述(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量為300000以上。
  8. 如請求項1之黏著帶，其中上述黏著劑層之厚度為1μm~50μm。
  9. 如請求項1之黏著帶，其中上述塑膠膜之依據JIS-K-7127(1999年) 所測得之最大伸長率為100%以上。
  10. 如請求項1之黏著帶，其中上述塑膠膜之厚度為20μm~200μm。
  11. 如請求項1之黏著帶，其中上述塑膠膜至少含有聚氯乙烯。
  12. 如請求項1之黏著帶，其中於上述塑膠膜之與上述黏著劑層相反之面具備非黏著層，該非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層，且該(甲基)丙烯酸系聚合物之計算Tg為10℃以上。
  13. 如請求項12之黏著帶，其中上述非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra為0.1μm以上。
  14. 如請求項12之黏著帶，其中上述非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之SP值為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5。
  15. 如請求項12之黏著帶，其中上述非黏著層具有相分離構造。
  16. 如請求項12之黏著帶，其中上述非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1。
  17. 如請求項12之黏著帶，其中上述非黏著層之厚度為0.01μm~10μm。
  18. 如請求項1之黏著帶，其中於上述黏著劑層之表面具備剝離襯墊。
  19. 如請求項1之黏著帶，其用於半導體加工。
  20. 如請求項1之黏著帶，其用於LED切割用途。
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