TWI595069B - Adhesive tape - Google Patents

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TWI595069B
TWI595069B TW103101308A TW103101308A TWI595069B TW I595069 B TWI595069 B TW I595069B TW 103101308 A TW103101308 A TW 103101308A TW 103101308 A TW103101308 A TW 103101308A TW I595069 B TWI595069 B TW I595069B
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TW103101308A
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Takumi Yutou
Toshitaka Suzuki
Takahiro Yatagai
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Nitto Denko Corp
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Description

黏著帶
本發明係關於一種黏著帶。
對於半導體之切晶，藉由於切晶帶(黏著帶)上進行半導體晶圓之切晶，該半導體晶圓被小片化(晶片化)而成為晶片，自切晶帶上採取該晶片，繼續於以後步驟中使用(例如參照專利文獻1)。作為自切晶帶上採取晶片之方法，係利用稱為銷、針等之棒，自切晶帶之未搭載晶片之面側進行頂推(所謂「銷頂起」)，其後利用稱為吸具(collet)之吸附治具將晶片自切晶帶上吸附分離而採取。
此處，剛切晶後之晶片間之間隔至多為數百μm左右之極其微小之間隔，因此若欲於剛切晶後之狀態下自切晶帶上採取該晶片，則會碰撞到別的晶片(尤其是鄰接之晶片)等，而導致晶片破損。
因此，對於半導體之切晶，通常進行如下操作：於切晶後自切晶帶上採取晶片之前，於切晶帶上搭載有晶片之狀態下，將切晶帶延伸(expand)而擴大晶片間之間隔，其後自切晶帶上採取晶片。
但是，即使藉由此種方法，於採取時仍有產生不良情況之情形。因此，要求進行半導體之切晶時之進一步改良。
作為此種不良情況之代表性者，可列舉利用吸具自切晶帶上吸附分離晶片時，無法準確地進行吸附分離。
作為上述不良情況之原因，曾考慮切晶帶與晶片間之黏著力過強之可能性，但即使減弱切晶帶與晶片間之黏著力，亦仍未消除上述 不良情況。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-019607號公報
本發明者針對利用吸具自切晶帶上吸附分離晶片時無法準確地進行吸附分離之原因進行了各種研究。並且，著眼於吸具之吸附面與晶片之位置偏移進行反覆研究，結果得知：於延伸時，若基材與延伸裝置之底座整面密接或者部分密接而卡住(黏連或者黏附)，則無法平穩地進行延伸，會出現不良情況。基於該結果，認為重要的是使切晶帶充分地延伸且於縱向及橫向上均勻地延伸。並且認為，為了可充分地延伸切晶帶且實現於縱向及橫向上之均勻延伸，重要的是切晶帶之背面側(從基材觀察與黏著劑層相反之側)之表面與底座之摩擦小於特定量，並想到將從基材觀察與黏著劑層相反之側之最外層表面對SUS430BA板之動態摩擦力嚴格調整為特定程度，從而完成本發明。
即，本發明之課題在於提供一種黏著帶，其係可用作切晶帶者，並且可於縱向及橫向上均勻地延伸。
本發明之黏著帶係於基材之一面上具備黏著劑層者，並且從基材觀察與黏著劑層相反之側之最外層表面對SUS430BA板之動態摩擦力於溫度23℃、濕度50%下未達10.0N。
於較佳之實施形態中，上述黏著帶於MD方向上拉伸150%時之模數於溫度23℃、濕度50%下為10.0N/10mm~50.0N/10mm，上述黏著帶於TD方向上拉伸150%時之模數於溫度23℃、濕度50%下為10.0N/10mm~50.0N/10mm。
於較佳之實施形態中，上述黏著帶於MD方向上拉伸150%時之模數與於TD方向上拉伸150%時之模數的比於溫度23℃、濕度50%下為1.90以下。
於較佳之實施形態中，上述黏著帶於MD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率於溫度23℃、濕度50%下為25.0%以上，上述黏著帶於TD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率於溫度23℃、濕度50%下為25.0%以上。
於較佳之實施形態中，上述黏著帶於TD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率與於MD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率的比(TD方向應力緩和率/MD方向應力緩和率)於溫度23℃、濕度50%下為0.70~1.30。
於較佳之實施形態中，從上述基材觀察與黏著劑層相反之側之最外層表面之算術平均表面粗糙度Ra為50nm以上。
於較佳之實施形態中，上述基材依據JIS-K-7127(1999年)所測得之最大伸長率為100%以上。
於較佳之實施形態中，上述基材為塑膠膜。
於較佳之實施形態中，上述塑膠膜包含選自聚氯乙烯、聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中之至少1種。
於較佳之實施形態中，於上述基材之與上述黏著劑層相反之面具備非黏著層。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層具有相分離構造。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層之厚度為0.01μm~10μm。
於較佳之實施形態中，上述黏著劑層包含至少1種(甲基)丙烯酸系聚合物。
於較佳之實施形態中，於上述黏著劑層之表面具備剝離襯墊。
於較佳之實施形態中，本發明之黏著帶係用於半導體加工。
於較佳之實施形態中，本發明之黏著帶係用於LED切晶用途。
根據本發明，可提供一種黏著帶，其係可用作切晶帶者，並且可於縱向及橫向上均勻地延伸。
10‧‧‧金屬面
20‧‧‧掛鉤部分
30‧‧‧滑輪
40‧‧‧環狀治具
50‧‧‧圓柱
60‧‧‧台
100‧‧‧晶片
200‧‧‧切晶帶
300‧‧‧滑動性測定治具
400‧‧‧負重
500‧‧‧延伸性評估用樣品
1000‧‧‧黏著帶
圖1係表示於縱向及橫向上均勻地進行延伸之情形時之延伸後之晶片之排列狀態的概略圖。
圖2係表示於縱向及橫向上不均勻地進行延伸之情形時之延伸後之晶片之排列狀態的概略圖。
圖3係用於動態摩擦力測定之滑動性測定治具之概略剖面圖。
圖4係用於動態摩擦力測定之負重之概略剖面圖及概略仰視圖。
圖5係用於延伸性測定之黏著帶(畫有十字基線)之概略俯視圖。
圖6係用於延伸性測定之延伸性評估用樣品之概略俯視圖及概略剖面圖。
圖7係表示延伸性測定之情況的概略剖面圖。
圖8係表示本發明之黏著帶之非黏著層之表面側狀態的SEM照片。
圖9係表示本發明之黏著帶之非黏著層之剖面側狀態的SEM照片。
圖10係附帶說明而表示本發明之黏著帶之非黏著層之剖面側狀態的SEM照片。
本發明之黏著帶於基材之一面上具備黏著劑層。
本發明之黏著帶從基材觀察與黏著劑層相反之側之最外層表面對SUS430BA板之動態摩擦力於溫度23℃、濕度50%下未達10.0N，較佳為8.0N以下，更佳為6.0N以下。上述動態摩擦力之下限值較佳為1.0N以上。於本發明之黏著帶中，藉由將上述動態摩擦力調整至上述範圍內，而如圖1所示將本發明之黏著帶用作切晶帶之情形時，於半導體之切晶中，於切晶後自切晶帶上採取晶片之前，於切晶帶上搭載有晶片之狀態下將切晶帶200延伸(expand)而擴大晶片100之間的間隔之情形時，可於縱向及橫向上均勻地延伸，可在未引起晶片100之位置偏移之情況下獲得良好地排列之晶片。另一方面，未將上述動態摩擦力調整至上述範圍內之情形時，如圖2所示，將本發明之黏著帶用作切晶帶之情形時，於半導體之切晶中，於切晶後自切晶帶上採取晶片之前，於切晶帶上搭載有晶片之狀態下將切晶帶200延伸(expand)而擴大晶片100之間的間隔時，無法於縱向及橫向上均勻地延伸，會引起晶片100之位置偏移，會產生例如拾取不良等情況。尤其是，由於LED晶片較小，故而容易引起晶片之位置偏移。上述動態摩擦力為10.0N以上之情形時，藉由壓入方式延伸黏著帶時，壓入治具與帶背面之滑動性變差，會卡住，於壓入治具接觸部與非接觸部無法均勻地延伸，最差情形時有產生黏著帶於非接觸部破裂之不良情況之虞。再者，動態摩擦力之測定方法於下文進行說明。
本發明之黏著帶於MD方向上拉伸150%時之模數於溫度23℃、濕度50%下較佳為10.0N/10mm~50.0N/10mm，更佳為10.0N/10mm~30.0N/10mm，進而較佳為10.0N/10mm~20.0N/10mm。於本發明之黏著帶中，藉由將於MD方向上拉伸150%時之模數於溫度23℃、濕度50%下調整至上述範圍內，於縱向上可更均勻地延伸。於本發明之黏著帶中，於MD方向上拉伸150%時之模數於溫度23℃、濕度50%下若過大，則有於延伸黏著帶時黏著帶過硬而產生無法延伸之不良情 況之虞，或有對設備施加負荷而產生導致設備故障之不良情況之虞。又，對於本發明之黏著帶，於MD方向上拉伸150%時之模數於溫度23℃、濕度50%下若過小，則黏著帶過軟，於帶之貼合作業等中帶容易伸長，MD方向之機械物性發生變化，延伸步驟中之MD方向之伸長變得過於不均勻，有於拾取步驟中產生不良情況之虞。再者，模數之測定方法於下文進行說明。
本發明之黏著帶於TD方向上拉伸150%時之模數於溫度23℃、濕度50%下較佳為10.0N/10mm~50.0N/10mm，更佳為10.0N/10mm~30.0N/10mm，進而較佳為10.0N/10mm~20.0N/10mm。於本發明之黏著帶中，藉由將於TD方向上拉伸150%時之模數於溫度23℃、濕度50%下調整至上述範圍內，可於橫向上更均勻地延伸。對於本發明之黏著帶，於TD方向上拉伸150%時之模數於溫度23℃、濕度50%下若過大，則有於延伸黏著帶時黏著帶過硬而產生無法延伸之不良情況之虞，或有對設備施加負荷而產生導致設備故障之不良情況之虞。又，對於本發明之黏著帶，於TD方向上拉伸150%時之模數於溫度23℃、濕度50%下若過小，則黏著帶過軟，於帶之貼合作業等中帶容易伸長，TD方向之機械物性發生變化，延伸步驟中之TD方向之伸長變得過於不均勻，有於拾取步驟中產生不良情況之虞。再者，模數之測定方法於下文進行說明。
本發明之黏著帶於MD方向上拉伸150%時之模數與於TD方向上拉伸150%時之模數的比於溫度23℃、濕度50%下較佳為1.90以下，更佳為1.80以下，進而較佳為1.60以下，尤佳為1.40以下。上述比值之下限值較佳為0.50以上。於本發明之黏著帶中，藉由將於MD方向上拉伸150%時之模數與於TD方向上拉伸150%時之模數的比於溫度23℃、濕度50%下調整至上述範圍內，可於縱向及橫向上更均勻地延伸。對於本發明之黏著帶，於MD方向上拉伸150%時之模數與於TD方 向上拉伸150%時之模數的比於溫度23℃、濕度50%下若過大，則於延伸黏著帶時，黏著帶之MD方向與TD方向無法均勻地伸長，晶片之排列混亂，有於以後步驟之拾取步驟中產生晶片之拾取之良率下降之不良情況之虞。又，對於本發明之黏著帶，於MD方向上拉伸150%時之模數與於TD方向上拉伸150%時之模數的比於溫度23℃、濕度50%下若過小，則黏著帶之MD方向與TD方向無法均勻地伸長，晶片之排列混亂，有於以後步驟之拾取步驟中產生晶片之拾取之良率下降之不良情況之虞。
本發明之黏著帶於MD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率於溫度23℃、濕度50%下較佳為25.0%以上，更佳為35.0%以上，進而較佳為40.0%以上，尤佳為50.0%以上。上述應力緩和率之上限值較佳為80.0%以下。於本發明之黏著帶中，藉由將於MD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率於溫度23℃、濕度50%下調整至上述範圍內，可於縱向上更均勻地延伸。對於本發明之黏著帶，於MD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率於溫度23℃、濕度50%下若過小，則於延伸黏著帶後自壓入釋放時，黏著帶恢復至延伸前之狀態，而有產生無法充分獲得晶片間之距離之不良情況之虞。對於本發明之黏著帶，於MD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率於溫度23℃、濕度50%下若過大，則於貼合作業等中黏著帶容易發生配向，MD方向之機械物性發生變化，延伸步驟中之MD方向之伸長變得過於不均勻，而有於拾取步驟中產生不良情況之虞。再者，應力緩和率之測定方法於下文進行說明。
本發明之黏著帶於TD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率於溫度23℃、濕度50%下較佳為25.0%以上，更佳為35.0%以上，進而較佳為40.0%以上，尤佳為50.0%以上。上述應力緩和率之上限值較佳為80.0%以下。於本發明之黏著帶中，藉由將於TD方向拉伸150%起2 秒後之應力緩和率於溫度23℃、濕度50%下調整至上述範圍內，可於橫向上更均勻地延伸。對於本發明之黏著帶，於TD方向拉伸150%起2秒後之應力緩和率於溫度23℃、濕度50%下若過小，則於延伸黏著帶後自壓入釋放時，黏著帶恢復至被延伸前之狀態，而有產生無法充分獲得晶片間之距離之不良情況之虞。對於本發明之黏著帶，於TD方向拉伸150%起2秒後之應力緩和率於溫度23℃、濕度50%下若過大，則於貼合作業等中黏著帶容易發生配向，TD方向之機械物性發生變化，延伸步驟中之TD方向之伸長變得過於不均勻，而有於拾取步驟中產生不良情況之虞。再者，應力緩和率之測定方法於下文進行說明。
本發明之黏著帶於TD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率與於MD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率的比(TD方向應力緩和率/MD方向應力緩和率)於溫度23℃、濕度50%下較佳為0.70~1.30，更佳為0.80~1.20，進而較佳為0.90~1.10。於本發明之黏著帶中，藉由將於TD方向拉伸150%起2秒後之應力緩和率與於MD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率的比(TD方向應力緩和率/MD方向應力緩和率)於溫度23℃、濕度50%下調整至上述範圍內，可於縱向及橫向上更均勻地延伸。對於本發明之黏著帶，於TD方向拉伸150%起2秒後之應力緩和率與於MD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率的比(TD方向應力緩和率/MD方向應力緩和率)於溫度23℃、濕度50%下若過大或者過小，則於延伸黏著帶時，黏著帶之MD方向與TD方向無法均勻地延伸，晶片之排列混亂，而有於後續步驟之拾取步驟中產生晶片之拾取之良率下降之不良情況之虞。
本發明之黏著帶從基材觀察與黏著劑層相反之側之最外層表面之算術平均表面粗糙度Ra之上限值較佳為5μm以下。於本發明之黏著帶中，藉由將從基材觀察與黏著劑層相反之側之最外層表面之算術平均表面粗糙度Ra調整至上述範圍內，可於縱向及橫向上更均勻地延 伸。對於本發明之黏著帶，若從基材觀察與黏著劑層相反之側之最外層表面之算術平均表面粗糙度Ra過小，則於藉由壓入方式延伸黏著帶時，壓入治具與帶背面密接而卡住，於壓入治具接觸部與非接觸部無法均勻地延伸，最差情形時有產生黏著帶在非接觸部破裂之不良情況之虞。又，較佳之與黏著劑層相反之側之最外層表面之Ra之下限值可根據構成其之組成等而改變，因此詳細內容於下文進行說明。對於本發明之黏著帶，若從基材觀察與黏著劑層相反之側之最外層表面之算術平均表面粗糙度Ra過大，則由於黏著帶背面之凹凸過大，故而空氣會自凹凸部流入，而有產生無法進行切晶步驟時之利用真空吸附之固定之不良情況之虞。再者，算術平均表面粗糙度Ra之測定方法於下文進行說明。
本發明之黏著帶之厚度較佳為20μm~120μm，更佳為40μm~120μm，進而較佳為50μm~110μm，尤佳為60μm~110μm。藉由將本發明之黏著帶之厚度調整至上述範圍內，可使本發明之黏著帶之對於延伸、銷頂起之應力於該帶面內變得更均勻。又，若本發明之黏著帶之厚度過小，則有處理性變差之虞，尤其有貼合作業變難之虞。若本發明之黏著帶之厚度過大，則有對延伸等變形之追隨性變差之虞。
作為測定厚度之方法，例如可列舉：測微計、微游標卡尺(micro vernier)、針盤量規(dial gauge)等伴有物理接觸之方法；測定α射線、X射線、紅外線、電磁波等對於測定對象之透過率、反射率之非接觸方法；於任意測定部位將測定對象切斷並利用光學顯微鏡或電子顯微鏡進行觀察之方法等，亦可採用該等方法之組合。
<基材>
基材之厚度較佳為10μm以上且未達120μm，更佳為30μm~120μm，進而較佳為40μm~100μm，尤佳為50μm~100μm。藉由將本發明之基材之厚度調整至上述範圍內，可使本發明之黏著帶對於延 伸、銷頂起之應力於該帶面內變得更均勻。又，若基材之厚度過小，則有處理性變差之虞，尤其於構成黏著帶時有貼合作業變困難之虞。若基材之厚度過大，則有對延伸等變形之追隨性變差之虞。
基材依據JIS-K-7127(1999年)所測得之最大伸長率較佳為100%以上，更佳為200%~1000%。藉由使用顯示出此種最大伸長率之基材，可使本發明之黏著帶對於延伸、銷頂起之應力於該帶面內變得更均勻。又，藉由使用顯示出此種最大伸長率之基材，可對本發明之黏著帶賦予適度之伸長性，例如可提高對被黏著體之追隨性。
作為基材，只要滿足上述特性，則於無損本發明之效果之範圍內可選擇任意適當之材料。作為此種基材，較佳為塑膠膜。
塑膠膜可包含任意適當之樹脂材料。作為此種樹脂材料，例如較佳可列舉聚氯乙烯、聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺等，更佳可列舉聚氯乙烯、聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，進而較佳可列舉聚氯乙烯。聚氯乙烯於應力緩和性方面優異，因此可尤其適宜地用於LED切晶等半導體加工中所使用之黏著帶。
作為塑膠膜中之上述樹脂材料之含有比率，可根據目的/用途而設定為任意適當之含有比率。作為此種含有比率，例如較佳為50重量%~100重量%，更佳為60重量%~100重量%，進而較佳為70重量%~100重量%。
塑膠膜中亦可包含塑化劑。塑膠膜中之塑化劑之含有比率相對於該塑膠膜中之上述樹脂材料，較佳為0.5重量%~50重量%，更佳為1.0重量%~40重量%。藉由於塑膠膜中以上述含有比率包含塑化劑，可使本發明之黏著帶對於延伸、銷頂起之應力於該帶面內變得更均勻。又，藉由於塑膠膜中以上述含有比率包含塑化劑，本發明之黏著帶對延伸等變形之追隨性變得更良好。
作為上述塑化劑，例如可列舉：鄰苯二甲酸酯系、偏苯三甲酸 酯系(大日本油墨(股份)製造、W-700、偏苯三甲酸三辛酯等)、己二酸酯系(J-PLUS(股份)製造、D620、己二酸二辛酯、己二酸二異壬酯等)、磷酸酯系(磷酸三甲苯酯等)、己二酸系酯、檸檬酸酯(乙醯檸檬酸三丁酯等)、癸二酸酯、壬二酸酯、順丁烯二酸酯、苯甲酸酯、聚醚系聚酯、環氧系聚酯(環氧化大豆油、環氧化亞麻籽油等)、聚酯(包含羧酸與二醇之低分子聚酯等)等。於本發明中，較佳為使用酯系塑化劑。塑化劑可僅為1種，亦可為2種以上。
於無損本發明之效果之範圍內，塑膠膜中亦可包含任意適當之其他成分。
於可表現出本發明之效果之範圍內，基材可藉由任意適當之製造方法而製造。作為此種製造方法，例如可列舉：射出成形、擠出成形、吹脹成形、壓延成形、吹塑成形等。該等中，就可進一步表現出本發明之效果之方面而言，較佳為壓延成形。
<黏著劑層>
黏著劑層之厚度較佳為1.0μm~30μm，更佳為1.0μm~20μm，進而較佳為3.0μm~15μm。黏著劑層之厚度未達1.0μm之情形時，有無法表現出充分之黏著力之虞。黏著劑層之厚度大於30μm之情形時，根據用途，有黏著力過大而於剝離等時被黏著體破裂之虞。
作為上述黏著劑層之材料，可於無損本發明之效果之範圍內採用任意適當之黏著劑。
作為黏著劑層之材料，例如可列舉：(甲基)丙烯酸系聚合物；天然橡膠；接枝有甲基丙烯酸甲酯等單體之特殊天然橡膠；SBS、SBR、SEPS、SIS、SEBS、聚丁烯、聚異丁烯(polyisobutene)、聚異丁烯(polyisobutylene)、丁基橡膠等合成橡膠等。該等中，就剝離後對被黏著體之糊劑殘留較少、具有高凝聚性、透明性優異之方面而言，較佳為至少1種(甲基)丙烯酸系聚合物。
於黏著劑層包含(甲基)丙烯酸系聚合物之情形時，黏著劑層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之含有比率可根據目的而適當設定。
上述(甲基)丙烯酸系聚合物係由包含(甲基)丙烯酸系單體作為主要單體之單體成分所構成之樹脂。構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之(甲基)丙烯酸系單體之含有比率較佳為50重量%以上，更佳為70重量%~100重量%，進而較佳為80重量%~100重量%，尤佳為95重量%~100重量%。上述單體成分中之單體可僅為1種，亦可為2種以上。
作為(甲基)丙烯酸系單體，較佳可列舉(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸。
作為(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：碳數為1~30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯、含羥基之(甲基)丙烯酸酯等。(甲基)丙烯酸酯可僅為1種，亦可為2種以上。
作為碳數為1~30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯(pentyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸戊酯(amyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等碳數為1~30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯等。該等 (甲基)丙烯酸酯中，較佳為碳數為2~20之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為碳數為4~18之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯。
作為含羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。
為了充分表現出作為黏著劑之效果，構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分較佳為包含選自含羥基單體、含羧基單體中之至少1種。更佳為含羧基單體。又，為了充分表現出作為黏著劑之效果，構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分可含有丙烯腈。
作為含羥基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、烯丙醇等。含羥基單體可僅為1種，亦可為2種以上。
作為含羧基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、巴豆酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、伊康酸等。含羧基單體可僅為1種，亦可為2種以上。
於構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分含有含羥基單體之情形時，構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含羥基單體之含有比率較佳為0.1重量%~20重量%，更佳為0.1重量%~10重量%。構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分含有含羧基單體之情形時，構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含羧基單體之含有比率較佳為0.1重量%~20重量%，更佳為0.1重量%~10重量%。如此，藉由使構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分含有選自含羥基單體、含羧基單體中之至少1種，於使用交聯劑之情形時，可更有效率地產生與該交聯劑之交聯反應，可充分表現出作為黏著劑之效果。進而，藉由調整構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含羥基單體之含有比率、構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分 中之含羧基單體之含有比率而使其處於上述範圍內，可有效地防止剝離操作時被黏著體之破裂。構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含羥基單體之含有比率、構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含羧基單體之含有比率與上述範圍相比過多之情形時，黏著力變得過大，有容易產生黏連之虞，又，有剝離操作時容易產生被黏著體之破裂之虞。
黏著劑層較佳為包含交聯劑。黏著劑層包含交聯劑之情形時，黏著劑層中之交聯劑之含有比率可根據目的而適當設定，相對於主要樹脂成分(較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份，較佳為0.1重量份~20重量份。藉由使黏著劑層中之交聯劑之含有比率處於上述範圍內，可產生適度之交聯反應，可有效地防止剝離操作時之被黏著體之破裂。
作為交聯劑，例如可列舉：環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、金屬醇鹽系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二亞胺系交聯劑、唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。該等交聯劑中，就可充分表現出本發明之效果之方面而言，較佳為三聚氰胺系交聯劑、環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑。又，交聯劑可根據需要而適當選擇，可僅為1種，亦可為2種以上之混合體系。
黏著劑層亦可包含塑化劑。於黏著劑層包含塑化劑之情形時，黏著劑層中之塑化劑之含有比率可根據目的而適當設定，相對於主要樹脂成分(較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份，較佳為0.1重量份~70重量份。藉由使黏著劑層中之塑化劑之含有比率處於上述範圍內，可更有效地表現出本發明之效果。相對於主要樹脂成分(較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份，若黏著劑層中之塑化劑之含有比率大於70重量份，則黏著劑層變得過於柔軟，有容易產生糊劑殘留或 污染被黏著體之虞。
作為上述塑化劑，例如可列舉：鄰苯二甲酸酯系、偏苯三甲酸酯系(大日本油墨(股份)製造、W-700、偏苯三甲酸三辛酯等)、己二酸酯系(J-PLUS(股份)製造、D620、己二酸二辛酯、己二酸二異壬酯等)、磷酸酯系(磷酸三甲苯酯等)、己二酸系酯、檸檬酸酯(乙醯檸檬酸三丁酯等)、癸二酸酯、壬二酸酯、順丁烯二酸酯、苯甲酸酯、聚醚系聚酯、環氧系聚酯(環氧化大豆油、環氧化亞麻籽油等)、聚酯(包含羧酸與二醇之低分子聚酯等)等。於本發明中，較佳為使用酯系塑化劑。塑化劑可僅為1種，亦可為2種以上。
為了促進交聯反應等，黏著劑層亦可包含任意適當之觸媒。於黏著劑層包含觸媒之情形時，黏著劑層中之觸媒之含有比率可根據目的而適當設定，相對於主要樹脂成分(較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份，為0.01重量份~10重量份。藉由使黏著劑層中之觸媒之含有比率處於上述範圍內，可更有效地表現出本發明之效果。
作為此種觸媒，例如可列舉：鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、辛酸錫、辛酸鉛、辛酸鈷、辛酸鋅、辛酸鈣、環烷酸鉛、環烷酸鈷、二乙酸二丁基錫、二辛酸二丁基錫、二月桂酸二丁基錫、二月桂酸二辛基錫、順丁烯二酸二丁基錫等有機金屬化合物；丁胺、二丁胺、己胺、第三丁胺、乙二胺、異佛酮二胺、咪唑、氫氧化鋰、氫氧化鉀、甲醇鈉等鹼性化合物；對甲苯磺酸、三氯乙酸、磷酸、單烷基磷酸、二烷基磷酸、丙烯酸β-羥基乙酯之磷酸酯、亞磷酸單烷基酯、亞磷酸二烷基酯等酸性化合物等。觸媒可僅為1種，亦可為2種以上。
為了更進一步表現出本發明之效果，黏著劑層之SP值較佳為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5，更佳為9.5(cal/cm3)0.5~11.0(cal/cm3)0.5。SP值係根據Small之式而算出之溶解度參數。SP值之計算可藉由公知文獻(例如Journal of Applied Chemistry，3，71， 1953.等)所記載之方法而進行。
於無損本發明之效果之範圍內，黏著劑層可包含任意適當之添加劑。作為此種添加劑，例如可列舉：紫外線吸收劑、填充劑、抗老化劑、增黏劑、顏料、染料、矽烷偶合劑等。
本發明之黏著帶亦可於黏著劑層之表面具備剝離襯墊。
作為剝離襯墊，可採用任意適當之分隔件。作為此種剝離襯墊，例如可列舉：具有利用聚矽氧系、長鏈烷基系、氟系、硫化鉬等剝離劑進行過表面處理之塑膠膜或紙等剝離層的基材；包含聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟化乙烯、聚偏氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯-偏氟乙烯共聚物等氟系聚合物的低接著性基材；包含烯烴系樹脂(例如聚乙烯、聚丙烯等)等無極性聚合物之低接著性基材等。
作為於基材上設置黏著劑層之方法，可於無損本發明之效果之範圍內採用任意適當之手段。作為此種方法，較佳為藉由將形成黏著劑層之塗覆液塗覆至基材上而設置黏著劑層之方法。
作為塗覆方式，可於無損本發明之效果之範圍內採用任意適當之塗覆方式。作為此種塗覆方式，例如可列舉：反向方式、直接方式、組合有計量輥(metering roll)之各種方式等。為了充分表現出本發明之效果，較佳為將包含溶劑之濕潤狀態下之塗覆層之厚度偏差於寬度方向上調整至±20%以內。
<非黏著層>
本發明之黏著帶較佳為於基材之單面具備黏著劑層，於該基材之與該黏著劑層相反之面具備使動態摩擦力降低之功能層。作為使動態摩擦力降低之功能層，亦可僅於基材上形成凸凹。關於凸凹，除了使用壓紋輥而加工基材之方法以外，亦可採用藉由雷射或噴砂等切削基材表面而形成凸凹等方法。此處，基材表面之算術平均表面粗糙度 Ra較佳為400nm以上，更佳為700nm以上。若基材表面之算術平均表面粗糙度Ra小於該值，則會產生延伸裝置之載置台與基材密接或者黏附等不良情況。又，功能層可由粉體、微粒或者奈米顆粒之類的材料所構成，該等作為滾子而發揮作用，或者於基材表面形成凸凹，而防止延伸裝置之載置台與基材發生密接或者黏附，從而降低摩擦力。此處，顆粒以平均粒徑計較佳為10nm以上，更佳為50nm以上，進而較佳為100nm以上。又，亦可為機油、聚矽氧油等蠟/油類。於該情形時，不僅有由分子級之滾子或表面凸凹所產生之效果，而且藉由韌性，會因延伸時之剪切應力而發生變形，而防止基材密接或者黏附於載置台上，從而使摩擦力降低。該等使動態摩擦力降低之功能層可於製造基材時或者製造黏著劑時進行塗佈、塗覆、噴霧等而設置，或者與成為基材之原料之樹脂粒料等一同混合而製成基材或者黏著劑。進而，作為具有半導體加工中所要求之黏著帶特性(黏著帶之潔淨性或厚度等形狀均勻性等)且可於工業上量產的有用之使動態摩擦力降低之功能層，以下對包含非黏著性素材之功能層(以下有時稱為非黏著層)進行說明。
此種非黏著層之組成等並無特別限定，作為其一例，可列舉：聚矽氧層、(甲基)丙烯酸系聚合物層、聚矽氧層與(甲基)丙烯酸系聚合物層之混合層、接枝聚合有(甲基)丙烯酸系聚合物之聚矽氧層等。該等中，較佳為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層。藉由將非黏著層設為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層，非黏著層與基材(尤其是塑膠膜)之適應性變得良好，且係使動態摩擦力降低之素材，因此本發明之黏著帶可於縱向及橫向上更均勻地延伸，對延伸等變形之追隨性良好。
包含此種素材之非黏著層之表面亦可具有凹凸構造。其原因在於，藉由使非黏著層之表面具有凹凸構造，變得容易於縱向及橫向上 更均勻地延伸。又，因將黏著帶以捲筒狀之形式製造保管而會產生之黏連現象亦可藉由凸凹而防止。對於該凹凸構造，更具體而言，非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra較佳為50nm以上，更佳為100nm以上，進而較佳為200nm以上。上述算術平均表面粗糙度Ra之上限值較佳為5μm以下。於本發明之黏著帶中，藉由將非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra調整至上述範圍內，可於縱向及橫向上更均勻地延伸。對於本發明之黏著帶，若非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra過小，則於藉由壓入方式延伸黏著帶時，壓入治具與帶背面會密接而卡住，於壓入治具接觸部與非接觸部無法均勻地延伸，最差情形時會有產生黏著帶於非接觸部破裂之不良情況之虞。對於本發明之黏著帶，若非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra過大，則由於黏著帶背面之凹凸過大，故而空氣會自凹凸部流入，而有產生無法進行切晶步驟時之利用真空吸附之固定之不良情況之虞。再者，算術平均表面粗糙度Ra之測定方法於下文進行說明。
非黏著層藉由示差掃描熱量測定(DSC測定)而獲得之玻璃轉移溫度Tg較佳為20℃以上，更佳為30℃以上，進而較佳為50℃以上，尤佳為55℃以上。非黏著層藉由示差掃描熱量測定而獲得之玻璃轉移溫度Tg之上限並無特別限定，就處理性等之觀點而言，較佳為200℃以下，更佳為170℃以下，進而較佳為150℃以下，尤佳為130℃以下，最較佳為100℃以下。若非黏著層藉由示差掃描熱量測定而獲得之玻璃轉移溫度Tg處於上述範圍內，則非黏著層之表面之硬度即使於高溫下亦會適度變高，因此耐熱性變高，於藉由負壓將本發明之黏著帶吸附固定於固定用底座上進行切晶等之情形時，可有效地抑制引起由底座之發熱等所致之過度密接。再者，非黏著層藉由示差掃描熱量測定(DSC測定)而獲得之玻璃轉移溫度Tg之測定方法於下文進行說明。
於非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物之情形時，非黏著層中之 (甲基)丙烯酸系聚合物之計算Tg較佳為10℃以上，更佳為20℃以上，進而較佳為30℃以上，尤佳為45℃以上。非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之計算Tg之上限並無特別限定，較佳為200℃以下，更佳為150℃以下，進而較佳為100℃以下。藉由使非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之計算Tg處於上述範圍內，非黏著層之表面之微小凹凸構造之耐熱性變高，於藉由負壓將本發明之黏著帶吸附固定於固定用底座上進行切晶等之情形時，可有效地抑制引起由底座之發熱等所致之過度密接。
於本發明中，共聚物(上述非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物等)之所謂「計算Tg」係指針對源自構成共聚物之單體之結構單元之Tg，根據Fox計算式而求出之計算玻璃轉移溫度。Fox式係如下所示之共聚物之玻璃轉移溫度Tg(℃)與將構成共聚物之單體分別均聚合而成之均聚物之玻璃轉移溫度Tgi(℃)之間的關係式。再者，於以下之Fox式中，Tg(℃)表示共聚物之玻璃轉移溫度，Wi表示單體i之重量分率，Tgi(℃)表示單體i之均聚物之玻璃轉移溫度。
1/(273+Tg)=Σ(Wi/(273+Tgi))
再者，作為均聚物之玻璃轉移溫度Tgi(℃)，具體而言，可使用「Polymer Handbook 3rd Edition」(A WILEY-INTERSCIENCE PUBLICATION、1989年)中記載之值。
於非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物之情形時，非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之SP值較佳為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5，更佳為9.5(cal/cm3)0.5~11.5(cal/cm3)0.5，進而較佳為9.5(cal/cm3)0.5~11.0(cal/cm3)0.5。SP值係根據Small之式算出之溶解度參數。SP值之計算可藉由公知文獻(例如Journal of Applied Chemistry，3，71，1953.等)所記載之方法而進行。
非黏著層較佳為具有相分離構造。藉由使非黏著層具有相分離 構造，可於該非黏著層之表面有效率地形成微小之凹凸構造。推測其原因大概為：例如以非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層之情況為例，因產生相分離構造時之聚矽氧、(甲基)丙烯酸系聚合物之物質移動性之差異，而產生凹凸。藉由形成該凹凸構造，於本發明之黏著帶中，可於縱向及橫向上更均勻地延伸，可抑制於進行利用負壓之吸附固定時引起過度密接，並且可有效地抑制捲筒狀之形態下之黏連，可抑制自捲筒狀之形態進行退捲時發生斷裂或破損。
非黏著層較佳為含有較(甲基)丙烯酸系聚合物更多含有聚矽氧之富聚矽氧相與較聚矽氧更多含有(甲基)丙烯酸系聚合物之富(甲基)丙烯酸系聚合物相。非黏著層更具體而言，較佳為以互相獨立之相分離構造而包含上述富聚矽氧相與上述富(甲基)丙烯酸系聚合物相，更較佳為上述富聚矽氧相存在於空氣界面側(基材(尤其是塑膠膜)之相反側)，上述富(甲基)丙烯酸系聚合物相存在於基材(尤其是塑膠膜)側。藉由具有此種相分離構造，利用存在於空氣界面側之富聚矽氧相而有效地抑制黏連，利用存在於基材(尤其是塑膠膜)側之富(甲基)丙烯酸系聚合物相，非黏著層與基材(尤其是塑膠膜)之適應性變良好，變形追隨性變得良好。藉由將非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比調整為上述，可形成此種相分離構造。
非黏著層具有相分離構造之情況、含有如上所述之較(甲基)丙烯酸系聚合物更多含有聚矽氧之富聚矽氧相與較聚矽氧更多含有(甲基)丙烯酸系聚合物之富(甲基)丙烯酸系聚合物相之情況可藉由任意適當之方法進行觀察。作為此種觀察方法，例如可列舉：使用穿透型電子顯微鏡(TEM)、掃描型電子顯微鏡(SEM)、場發射型掃描型電子顯微鏡(FE-SEM)等電子顯微鏡對非黏著層剖面進行形態觀察之方法。2層分離構造可藉由形態觀察圖像之顏色深淺而辨識。又，亦可列舉如下方法：藉由利用全反射法之紅外吸收分光，一邊自非黏著層空氣界面 側至內部而改變偵測光深度，一邊觀測組成中所含之矽、碳等之含量變化，藉此進行觀察。又，亦可列舉利用X射線微量分析儀、X射線光電子光譜進行觀察之方法。又，亦可適當地組合該等方法而進行觀察。
非黏著層具有存在於空氣界面側(基材(尤其是塑膠膜)之相反側)之富聚矽氧相與存在於基材(尤其是塑膠膜)側之富(甲基)丙烯酸系聚合物相之相分離構造之情形時，於藉由負壓將該非黏著層吸附固定於固定用底座上進行切晶等時，若該固定用底座發熱，則會因由該發熱引起之熱負荷，使該相分離構造之表面構造被破壞，尤其是與發熱之該固定用底座有較多接觸之凸部分之該相分離構造之表面構造被破壞，會引起於該凸部分富(甲基)丙烯酸系聚合物相露出至空氣界面側之情況。但是，本發明之黏著帶之非黏著層藉由示差掃描熱量測定而獲得之玻璃轉移溫度Tg較佳為處於上述範圍內，因此受到熱負荷之凸部分之硬度適度地變高，從而耐熱性變高。因此，於藉由負壓將本發明之黏著帶吸附固定於固定用底座上進行切晶等時，可有效地抑制引起由底座之發熱等所致之過度密接。
於非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層之情形時，非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計，較佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1，更佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：30~30：1，進而較佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：10~10：1，尤佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：5~5：1，最較佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：3~5：1。若非黏著層中之聚矽氧之含有比例過大，則與基材(尤其是塑膠膜)背面之化學親和性變低，有難以適應基材(尤其是塑膠膜)背面之虞。又，若非黏著層中之聚矽氧之含有比率過大，則於製成黏著帶之情形時，對延伸等變形之追隨性變差，有非黏著層破裂 而成為污染原因之虞。若非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之含有比率過大，則有非黏著層作為丙烯酸系黏著劑而發揮作用之虞，有容易產生黏連之虞。
作為聚矽氧，可採用任意適當之聚矽氧。作為此種聚矽氧，例如可列舉：將鉑系化合物作為觸媒，使含烯基之聚二烷基矽氧烷與聚二烷基氫化聚矽氧烷藉由加成反應硬化形成剝離性皮膜而獲得之加成型聚矽氧；使用錫系觸媒之使含羥甲基之聚二烷基矽氧烷與聚二烷基氫化聚矽氧烷進行反應而獲得之縮合型聚矽氧等。作為加成型聚矽氧之例，例如可列舉：信越有機矽製造之「KS-776A」、「KS-839L」等。作為縮合型聚矽氧之例，例如可列舉：信越有機矽製造之「KS723A/B」。再者，於製造聚矽氧時，除了鉑系觸媒或錫系觸媒以外，亦可適當使用其他交聯劑、交聯促進劑等。又，作為聚矽氧之性狀，可分為：溶解於甲苯等有機溶劑之類型、將該等乳液化而成之乳液型、僅包含聚矽氧之無溶劑型等。又，除了加成型聚矽氧、縮合型聚矽氧以外，亦可使用聚矽氧/丙烯酸系接枝聚合物、聚矽氧/丙烯酸系嵌段聚合物等。作為聚矽氧/丙烯酸系接枝聚合物，例如可列舉：SYMAC GS-30、GS101、US-270、US-350、US-380(以上為東亞合成股份有限公司製造)等。作為聚矽氧/丙烯酸系嵌段聚合物，例如可列舉：MODIPER FS700、FS710、FS720、FS730、FS770(以上為日油股份有限公司製造)等。
作為(甲基)丙烯酸系聚合物，可採用任意適當之(甲基)丙烯酸系聚合物。於本發明中，「(甲基)丙烯酸」係指「丙烯酸及/或甲基丙烯酸」。
(甲基)丙烯酸系聚合物係包含含有(甲基)丙烯酸系單體作為主要單體之單體成分的聚合物。構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之(甲基)丙烯酸系單體之含有比率較佳為50重量%以上，更佳為 70重量%~100重量%，進而較佳為90重量~100重量%，尤佳為95重量%~100重量%。上述單體成分中之單體可僅為1種，亦可為2種以上。
作為(甲基)丙烯酸系單體，較佳可列舉(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸。
作為(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：碳數為1~30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯、含羥基之(甲基)丙烯酸酯等。(甲基)丙烯酸酯可僅為1種，亦可為2種以上。
作為碳數為1~30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯(pentyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸戊酯(amyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等碳數為1~30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯等。該等(甲基)丙烯酸酯中，較佳為碳數為2~20之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為碳數為4~18之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯。
作為含羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。
為了充分表現出本發明之效果，構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分可含有選自含羥基單體、含羧基單體中之至少1種。
作為含羥基單體，例如可列舉：烯丙醇等。含羥基單體可僅為1種，亦可為2種以上。
作為含羧基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、巴豆酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、伊康酸等。含羧基單體可僅為1種，亦可為2種以上。
於非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物之情形時，關於非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物，較佳為構成其之單體成分中之含羥基之(甲基)丙烯酸酯之含有比率相對於該含羥基之(甲基)丙烯酸酯以外之單體成分之總量，較佳為2重量%~30重量%，更佳為3重量%~25重量%，尤佳為5重量%~20重量%。於非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物之情形時，相對於該含羥基之(甲基)丙烯酸酯以外之單體成分之總量，構成非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含羥基之(甲基)丙烯酸酯之含有比率若處於上述範圍內，則於非黏著層之表面更有效率地形成凹凸構造，藉由該凹凸構造之形成，於本發明之黏著帶中，可於縱向及橫向上更均勻地延伸，可進一步抑制於進行藉由負壓之吸附固定時引起過度密接，並且可更有效地抑制捲筒狀之形態下之黏連，可進一步抑制自捲筒狀之形態進行退捲時發生斷裂或破損。
於非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物之情形時，關於非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物，較佳為於構成其之單體成分中之含羥基之(甲基)丙烯酸酯以外之單體成分中可包含(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯。於該情形時，(甲基)丙烯酸與(甲基)丙烯酸酯之含有比例以重量比計，(甲基)丙烯酸：(甲基)丙烯酸酯較佳為0：100~20：80，更佳為0：100~10：90，進而較佳為0：100~5：95。
(甲基)丙烯酸與(甲基)丙烯酸酯之含有比例若處於上述範圍內，則於非黏著層之表面更有效率地形成凹凸構造，藉由該凹凸構造之形成，於本發明之黏著帶中，可於縱向及橫向上更均勻地延伸，可進一步抑制進行藉由負壓之吸附固定時引起過度密接，並且可更有效地抑制捲筒狀之形態下之黏連，可進一步抑制自捲筒狀之形態進行退捲時發生斷裂或破損。
(甲基)丙烯酸系聚合物可藉由任意適當之聚合方法而製造。
於無損本發明之效果之範圍內，非黏著層可包含任意適當之添加劑。作為此種添加劑，例如可列舉：觸媒、紫外線吸收劑、填充劑、抗老化劑、增黏劑、顏料、染料、矽烷偶合劑等。
非黏著層之厚度較佳為0.01μm~10μm，更佳為0.1μm~5μm，進而較佳為0.1μm~2μm。於非黏著層之厚度未達0.01μm之情形時，變得容易產生黏連。若非黏著層之厚度大於10μm，則有對延伸等變形之追隨性變差之虞。若非黏著層之厚度未達0.01μm，則有變得難以表現出本發明之效果之虞，或有製造變困難之虞。
作為於基材(尤其是塑膠膜)之單面形成非黏著層之方法，例如可列舉：藉由於基材(尤其是塑膠膜)之單面塗佈非黏著層之材料並進行乾燥而形成非黏著層之方法。作為上述塗佈方法，例如可列舉：使用棒塗機、凹版塗佈機、旋塗機、輥塗機、刮刀塗佈機、塗料器等之方法。
本發明之黏著帶可用於任意適當之用途。本發明之黏著帶藉由將從基材觀察與黏著劑層相反之側之最外層表面對SUS430BA板之動態摩擦力嚴格地調整為特定程度，而可於縱向及橫向上均勻地延伸，因此例如於利用吸具自切晶帶上吸附分離晶片時，可準確地進行吸附分離。因此，可適宜地用於以由脆性材料構成並且可具有微細精緻之電路圖案的半導體晶圓作為被黏著體之半導體加工。若將本發明之黏 著帶用於半導體加工，則可均勻地延伸，不會產生應力應變之累積，因此可準確地追隨半導體晶圓之微細精緻之電路圖案而進行貼合，又，不會引起貼合於半導體晶圓後之應力應變之自然釋放，因此可有效地防止半導體晶圓破裂。尤其是，由於LED所使用之晶圓包含氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆之材料，因此本發明之黏著帶非常適合於LED所使用之晶圓之切晶(LED切晶)等。
[實施例]
以下，藉由實施例具體說明本發明，但本發明不受該等實施例之任何限定。份係指重量份。又，以溶液形式供給之試劑之量係以使溶液揮發而殘留之固形物成分之量(固形物成分換算量)表示。
<動態摩擦力>
將黏著帶切割成寬度100mm×長度200mm，以不混入氣泡之方式貼合於圖3所示之滑動性測定治具300之金屬面10上。
於貼合後之黏著帶背面載置圖4所示之負重400(重量2.0kg、底面為52mm×63mm、底面之材質為SUS430BA板)，於掛鉤部分20繫上線繩並穿過滑動性測定治具300之滑輪30，於1分鐘以內以拉伸速度0.3m/min沿著與金屬面10垂直之方向拉伸100mm，測定此時之摩擦力。動態摩擦力設為拉伸距離為30mm以後之摩擦力之平均值。再者，測定係利用島津製造之「AUTOGRAPH AG-IS」而進行。
<模數>
關於模數，依據JIS-K-7127(1999年)，將黏著帶切割成寬度10mm×長度150mm，於溫度23℃、濕度50%之環境下，以夾頭間距50mm、拉伸速度1.0m/min之速度進行拉伸，測定黏著帶伸長150%時之力。測定係利用島津製造之「AUTOGRAPH AG-IS」而進行。
再者，於試驗中，製作以黏著帶試驗片之長度方向為MD或者TD之試樣，並測定MD與TD上之差異。
又，由上述測定而求出模數比。再者，於MD與TD上之值不同之情形時，將更小之值作為分母而進行計算。具體而言，若模數之值為TD>MD或者TD=MD，則模數比為TD/MD，若為TD<MD，則模數比為MD/TD。
<應力緩和率>
將黏著帶切割成寬度10mm×長度150mm，於溫度23℃、濕度50%之環境下，以夾頭間距50mm、拉伸速度1.0m/min之速度進行拉伸，黏著帶伸長150%時停止拉伸並於此狀態下保持2秒鐘，分別測定剛伸長150%後之應力(P1)與保持2秒後之應力(P2)，根據下式求出應力緩和率(L)。測定係利用島津製造之「AUTOGRAPH AG-IS」而進行。
L=[(P1-P2)/P1]×100(%)
再者，於試驗中，製作將黏著帶試驗片之長度方向作為MD或者TD之試樣，並測定MD與TD上之差異。並且，將(TD方向應力緩和率/MD方向應力緩和率)作為應力緩和率比。
<最大伸長率>
關於最大伸長率，依據JIS-K-7127(1999年)，利用Instron型拉伸試驗機(島津製作所製造、Autograph)進行測定。具體而言，以夾頭間距離50mm設置寬度20mm×長度100mm之樣品後，以0.3m/min之拉伸速度進行拉伸，測定斷裂時之值。
<彈性模數>
關於彈性模數，依據JIS-K-7127(1999年)，利用INSTRON型拉伸試驗機(島津製作所製造、AUTOGRAPH)進行測定。具體而言，以夾頭間距離50mm設置寬度20mm×長度100mm之樣品後，以0.3m/min之拉伸速度進行拉伸，求出初始彈性模數。初始彈性模數係設為畫出斷裂伸長率0~2%之區域之切線並以直線將切線延長至100%伸長率之 值而獲得之值，藉由樣品之剖面積換算進行修正。
<算術平均表面粗糙度Ra>
使用OLYMPUS製造之共焦雷射顯微鏡「LEXT4000」，以20倍物鏡於3D模式下進行測定。3D模式之觀察範圍之確定係藉由如下方式進行：將使透鏡上下移動時CF圖像(共焦圖像)變為全黑之位置分別設定為觀察範圍之Top(頂部)與Bottom(底部)。
3D模式下之圖像獲取方法係以Step方式以0.2μm之間距進行圖像獲取。
算術平均表面粗糙度Ra之計測係藉由分析模式之粗糙度分析而計測任意位置之Ra。再者，值係求出n=5之平均值。
<非黏著層之藉由示差掃描熱量測定(DSC測定)所進行之玻璃轉移溫度Tg之測定>
利用Feather刀片收集非黏著層，於DSC之固體測定用之盤中封入3mg左右。
將盤投入TA INSTRUMENT製造之高靈敏度示差掃描熱量計Q2000，以升溫速度2℃/min自0℃升溫至200℃。
又，於同樣條件下冷卻，進而進行升溫。求出將第二次掃描之轉移區域以下之直線部分之外插與轉移區域以上之直線部分之外插之中點連接而獲得之直線與測定曲線之交點，將其設為玻璃轉移溫度Tg。
<非黏著層之觀察> (利用SEM之觀察)
將非黏著層剖面加工成可進行觀察後，利用穿透型電子顯微鏡(SEM)進行形態觀察。
(藉由基於全反射法之紅外分光測定(ATR-IR)所進行之觀察)
使用紅外分光光譜儀(Perkinermer製造、Spectrum One)，選擇全 反射測定法，為了改變偵測光之分析深度，使用2種全反射測定用稜鏡(ZnSe45°、Ge45°)，進行非黏著層之ATR-IR測定。
<延伸性>
將黏著帶切割成寬度100mm×長度100mm，於該黏著帶之糊面之中央畫出與MD方向、TD方向各自之移動一致的長度30mm之十字形基線(圖5)。以十字形基線為中心，將該黏著帶1000固定於內徑76mm、外徑88mm之環狀治具40，而製作延伸性評估用樣品500(圖6)。如圖7所示，自延伸性評估用樣品500之帶背面側，以速度0.6m/min將直徑58mm×高度110mm之圓柱50壓入50mm，而延伸黏著帶1000。此時，為了使壓入距離成為固定，而於圓柱50之周圍設置有高度60mm之台60。延伸後，於將黏著帶無褶皺地展開之狀態下，利用游標卡尺測定畫在糊面上之十字形基線之MD方向、TD方向各自之長度。又，亦算出MD方向/TD方向之延伸比。再者，測定係利用島津製造之「AUTOGRAPH AG-IS」而進行。
於延伸步驟中應當被延伸之膜之部位為圖7之圓柱50與黏著帶1000相接觸之部位。即，黏著帶1000之位於圓柱50之上表面的部位。其原因在於，此部位設置有晶片，為了空出其間隔而必須進行延伸。於動摩擦係數較大之情形時，亦會產生僅不與圖7之圓柱50之上表面接觸之黏著帶1000之部位被延伸之情況。
又，應當被延伸之部位之膜需面均勻地伸長，局部被延伸(或者未被延伸)之狀態會成為解決技術問題之障礙。具體而言，預先於膜應當被延伸之部位標記由兩條任意長度之直線(基線)正交而成之圖形，將其延伸時，較佳為以兩條直線各自之延伸前後之伸長率(延伸後基線伸長率(%)=(延伸後基線長度/延伸前基線長度)×100)分別為120%以上之方式進行延伸，更佳為130%以上。若為該值以下，則晶片間之間隔不充分，其後之晶片取出變困難。
又，若於基線各自上之延伸差異過大，則即使晶片間之間隔擴大，亦有產生晶片之位置偏差而導致晶片取出變困難之虞。
具體而言，為了良好地進行晶片取出操作，必要的是於將延伸後之兩條直線各自之長度設為L1、L2時，若L1>L2或者L1=L2，則兩條之長度的比(延伸後基線伸長率比)即L1/L2較佳為1.00~1.30。
因此，所謂「黏著帶被充分延伸且於縱向及橫向上均勻地延伸」係指於膜應當被延伸之部位，黏著帶如上述般發生變形。
<GPC測定條件>
使用裝置：TOSOH製造之HLC-8120GPC
使用管柱：TSKgel SuperHZM-H/HZ4000/HZ3000/HZ2000
管柱尺寸：6.0mm I.D.×150mm
溶離液：THF
流量：0.6ml/min
檢測器：RI
管柱溫度：40℃
注入量：40μL
樣品濃度：1.0g/l
使試料乾燥後，製備成THF溶液並靜置一晚，利用0.45μm過濾膜過濾該溶液，並對濾液進行GPC測定。
[製造例1]：基材之製造
藉由壓延法製造相對於聚合度P=1050之聚氯乙烯100重量份包含DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)、J-PLUS製造)27重量份之軟質聚氯乙烯膜。所獲得之軟質聚氯乙烯膜之厚度為70μm，依據JIS-K-7127(1999年)所測得之彈性模數(MD)為250MPa，依據JIS-K-7127(1999年)所測得之最大伸長率(MD)為400%。又，剛製造後之表面粗糙度(算術平均表面粗糙度Ra)為460nm。
[製造例2]：基材之製造
藉由壓延法製造相對於聚合度P=1050之聚氯乙烯100重量份包含DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)、J-PLUS製造)27重量份之軟質聚氯乙烯膜。又，製膜時，緊接牽引輥(take-off roll)之後使用#60糙面(算術平均表面粗糙度Ra：6.05μm、十點平均表面粗糙度Rz：33.74)之壓紋輥(embossed roll)，於單側形成壓紋面(4B)。所獲得之軟質聚氯乙烯膜之厚度為70μm，依據JIS-K-7127(1999年)所測得之彈性模數(MD)為250MPa，依據JIS-K-7127(1999年)所測得之最大伸長率(MD)為400%。再者，剛製造後之壓紋面(4B)之表面粗糙度(算術平均表面粗糙度Ra)為700nm。
[實施例1] (非黏著層)
將聚矽氧樹脂(KS-723A、信越化學工業製造)60重量份、聚矽氧樹脂(KS-723B、信越化學工業製造)40重量份、丙烯酸系共聚物(甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=70/30/10)50重量份、錫系觸媒(Cat-PS3、信越化學工業製造)10重量份以溶液狀態進行混合，而獲得混合溶液(1A)。混合溶液(1A)中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=2：1。
於製造例1所獲得之軟質聚氯乙烯膜之單面上塗佈上述混合溶液(1A)並乾燥，而形成厚度1.0μm、算術平均表面粗糙度Ra=0.5μm之非黏著層(1B)。
又，利用SEM觀察非黏著層(1B)時，如圖8、圖9、圖10所示，根據形態觀察圖像之顏色深淺，可確認空氣界面側與塑膠膜側之組成不同，形成了含有較(甲基)丙烯酸系聚合物更多含有聚矽氧之富聚矽氧相與較聚矽氧更多含有(甲基)丙烯酸系聚合物之富(甲基)丙烯酸系聚 合物相，且富聚矽氧相與富(甲基)丙烯酸系聚合物相互獨立之相分離構造，觀察到富聚矽氧相存在於空氣界面側(塑膠膜之相反側)，富(甲基)丙烯酸系聚合物相存在於塑膠膜側。
進而，對非黏著層(1B)進行基於全反射法之紅外分光測定(ATR-IR)時，測定(甲基)丙烯酸系聚合物相中源自Si-CH3之800cm-1附近之波峰相對於源自羰基之1725cm-1附近之波峰的吸光度比，結果得知與ZnSe45°相比，使用Ge45°之稜鏡之情形時，800cm-1附近之波峰增大。因此，得知與基材側相比，矽之含有率於空氣界面側更高。
又，於非黏著層(1B)中富聚矽氧相存在於空氣界面側(塑膠膜之相反側)之情況亦可於FT-IR中確認。基於FT-IR之測定係使用Perkinermer製造之「Spectrum One」，利用分析深度方向不同之2種稜鏡(ZnSe45°、Ge45°)並藉由ATR法測定空氣界面側。確認所獲得之圖表，結果可確認：於使用分析深度方向較淺之Ge45°之稜鏡之情形時，非黏著層中源自Si-CH3之800cm-1附近之波峰相對於源自(甲基)丙烯酸系聚合物之屬於C=O之1720cm-1~1730cm-1之波峰的吸光度比增大。由此，可證明聚矽氧之濃度於空氣界面側變得更高。
將該等觀察結果、以及表面自由能最小化之原理考慮在內，可知在非黏著層中形成了在空氣界面側具有富聚矽氧相之2層構造。
(黏著劑層)
製備包含由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)構成之丙烯酸系共聚物(重均分子量=800000)100重量份、三聚氰胺系交聯劑(丁醇改性三聚氰胺甲醛樹脂、「SUPER BECKAMINE J-820-60N」、日本聚氨酯製造)10重量份、DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)、J-PLUS製造)60重量份的黏著劑之甲苯溶液。
將該黏著劑溶液塗佈於製造例1所獲得之軟質聚氯乙烯膜之與非 黏著層(1B)相反之側之面上，其後以130℃×90秒進行乾燥，而於軟質聚氯乙烯膜之與非黏著層(1B)相反之側之面上形成厚度10μm之黏著劑層(1C)。
(黏著帶)
以上述方式構建非黏著層(1B)/軟質聚氯乙烯膜/黏著劑層(1C)之積層構造，而製造黏著帶(1)。
將結果彙總於表1。
[實施例2] (非黏著層)
將聚矽氧樹脂(KS-723A、信越化學工業製造)60重量份、聚矽氧樹脂(KS-723B、信越化學工業製)40重量份、錫系觸媒(Cat-PS3、信越化學工業製)10重量份以溶液狀態進行混合，而獲得混合溶液(2A)。
於製造例1所獲得之軟質聚氯乙烯膜之單面上塗佈上述混合溶液(2A)並乾燥，而形成厚度1.0μm、算術平均表面粗糙度Ra=0.5μm之非黏著層(2B)。
(黏著劑層)
製備包含由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)構成之丙烯酸系共聚物(重均分子量=800000)100重量份、三聚氰胺系交聯劑(丁醇改性三聚氰胺甲醛樹脂、「SUPER BECKAMINE J-820-60N」、日本聚氨酯製造)10重量份、DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)、J-PLUS製造)60重量份的黏著劑之甲苯溶液。
將該黏著劑溶液塗佈於製造例1所獲得之軟質聚氯乙烯膜之與非黏著層(2B)相反之側之面上，其後以130℃×90秒進行乾燥，而於軟質聚氯乙烯膜之與非黏著層(2B)相反之側之面上形成厚度10μm之黏著 劑層(2C)。
(黏著帶)
以上述方式構建非黏著層(2B)/軟質聚氯乙烯膜/黏著劑層(2C)之積層構造，而製造黏著帶(2)。
將結果彙總於表1。
[實施例3] (非黏著層)
將乙酸乙烯酯-乙烯共聚物(EVAFLEX EV-450、杜邦-三井聚合化學製造)100重量份、長鏈烷基系樹脂(PEELOIL 1010、一方社油脂工業製造)50重量份以溶液狀態進行混合，而獲得混合溶液(3A)。
於製造例1所獲得之軟質聚氯乙烯膜之單面上塗佈上述混合溶液(3A)並乾燥，而形成厚度1.0μm、算術平均表面粗糙度Ra=0.5μm之非黏著層(3B)。
(黏著劑層)
製備包含由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)構成之丙烯酸系共聚物(重均分子量=800000)100重量份、三聚氰胺系交聯劑(丁醇改性三聚氰胺甲醛樹脂、「SUPER BECKAMINE J-820-60N」、日本聚氨酯製造)10重量份、DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)、J-PLUS製造)60重量份的黏著劑之甲苯溶液。
將該黏著劑溶液塗佈於製造例1所獲得之軟質聚氯乙烯膜之與非黏著層(3B)相反之側之面上，其後以130℃×90秒進行乾燥，而於軟質聚氯乙烯膜之與非黏著層(3B)相反之側之面上形成厚度10μm之黏著劑層(3C)。
(黏著帶)
以上述方式構建非黏著層(3B)/軟質聚氯乙烯膜/黏著劑層(3C)之 積層構造，而製造黏著帶(3)。
將結果彙總於表1。
[實施例4] (黏著劑層)
製備包含由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)構成之丙烯酸系共聚物(重均分子量=800000)100重量份、三聚氰胺系交聯劑(丁醇改性三聚氰胺甲醛樹脂、「SUPER BECKAMINE J-820-60N」、日本聚氨酯製造)10重量份、DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)、J-PLUS製造)60重量份的黏著劑之甲苯溶液。
將該黏著劑溶液塗佈於製造例2所獲得之軟質聚氯乙烯膜之與壓紋面(4B)相反之側之面上，其後以130℃×90秒進行乾燥，而於軟質聚氯乙烯膜之與壓紋面(4B)相反之側之面上形成厚度10μm之黏著劑層(4C)。
(黏著帶)
不設置非黏著層，於黏著劑層側貼附實施過Si處理之厚度38μm之PET襯墊作為剝離襯墊，構建軟質聚氯乙烯膜/黏著劑層(4C)/PET襯墊之積層構造，而製造黏著帶(4)。非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra為700nm。
將結果彙總於表1。
[比較例1] (黏著劑層)
製備包含由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)構成之丙烯酸系共聚物(重均分子量=800000)100重量份、三聚氰胺系交聯劑(丁醇改性三聚氰胺甲醛樹脂、「SUPER BECKAMINE J-820-60N」、日本聚氨酯製造)10重量份、DOP塑化劑 (鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)、J-PLUS製造)60重量份的黏著劑之甲苯溶液。
將該黏著劑溶液塗佈於製造例1所獲得之軟質聚氯乙烯膜之單面上，其後以130℃×90秒進行乾燥，而形成厚度10μm之黏著劑層(5C)。
(黏著帶)
不設置非黏著層，於黏著劑層側貼附實施過Si處理之厚度38μm之PET襯墊作為剝離襯墊，構建軟質聚氯乙烯膜/黏著劑層(5C)/PET襯墊之積層構造，而製造黏著帶(5)。與黏著劑層相反之側之層之算術平均表面粗糙度Ra為460nm。
將結果彙總於表1。
於實施例1~4中，延伸後基線伸長率(%)均為130以上，且延伸後基線伸長率比均未達1.30，因此判斷為延伸性良好。另一方面，於比較例1中，延伸後基線伸長率比未達1.30，且延伸後基線伸長率(%)為125以下。即，應當被延伸之黏著帶部位未被充分延伸，因此判斷為延伸性不良。其原因在於，比較例1之黏著帶背面之動態摩擦力較大，於黏著帶處與圖7之圓柱50之上表面卡住。
[產業上之可利用性]
本發明之黏著帶藉由將從基材觀察與黏著劑層相反之側之最外層表面對SUS430BA板之動態摩擦力嚴格地調整為特定程度，而可於縱向及橫向上均勻地延伸，因此例如於利用吸具自切晶帶上吸附分離晶片時，可準確地進行吸附分離。因此，可適宜地用於以包含脆性材料且可具有微細精緻之電路圖案之半導體晶圓作為被黏著體的半導體加工。若將本發明之黏著帶用於半導體加工，則可均勻地延伸，不會產生應力應變之蓄積，因此可準確地追隨半導體晶圓之微細精緻之電路圖案而進行貼合，又，不會引起貼合於半導體晶圓上之後之應力應變之自然釋放，因此可有效地防止半導體晶圓破裂。尤其是，由於用於LED之晶圓包含氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆之材料，故而本發明之黏著帶特別適合於LED切晶等。
50‧‧‧圓柱
60‧‧‧台
500‧‧‧延伸性評估用樣品
1000‧‧‧黏著帶

Claims (18)

  1. 一種黏著帶，其係於基材之一面上具備黏著劑層者，並且從基材觀察與黏著劑層相反之側之最外層表面對SUS430BA板之動態摩擦力於溫度23℃、濕度50%下為1.0N以上且未達10.0N。
  2. 如請求項1之黏著帶，其中上述黏著帶於MD方向上拉伸150%時之模數於溫度23℃、濕度50%下為10.0N/10mm~50.0N/10mm，上述黏著帶於TD方向上拉伸150%時之模數於溫度23℃、濕度50%下為10.0N/10mm~50.0N/10mm。
  3. 如請求項1之黏著帶，其中上述黏著帶於MD方向上拉伸150%時之模數與於TD方向上拉伸150%時之模數的比於溫度23℃、濕度50%下為1.90以下。
  4. 如請求項1之黏著帶，其中上述黏著帶於MD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率於溫度23℃、濕度50%下為25.0%以上，上述黏著帶於TD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率於溫度23℃、濕度50%下為25.0%以上。
  5. 如請求項1之黏著帶，其中上述黏著帶於TD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率與於MD方向上拉伸150%起2秒後之應力緩和率的比(TD方向應力緩和率/MD方向應力緩和率)於溫度23℃、濕度50%下為0.70~1.30。
  6. 如請求項1之黏著帶，其中從上述基材觀察與黏著劑層相反之側之最外層表面之算術平均表面粗糙度Ra為50nm以上。
  7. 如請求項1之黏著帶，其中上述基材依據JIS-K-7127(1999年)所測得之最大伸長率為100%以上。
  8. 如請求項1之黏著帶，其中上述基材為塑膠膜。
  9. 如請求項8之黏著帶，其中上述塑膠膜包含選自聚氯乙烯、聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中之至少1種。
  10. 如請求項1之黏著帶，其於上述基材之與上述黏著劑層相反之面具備非黏著層。
  11. 如請求項10之黏著帶，其中上述非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層。
  12. 如請求項11之黏著帶，其中上述非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1。
  13. 如請求項10之黏著帶，其中上述非黏著層具有相分離構造。
  14. 如請求項10之黏著帶，其中上述非黏著層之厚度為0.01μm~10μm。
  15. 如請求項1之黏著帶，其中上述黏著劑層包含至少1種(甲基)丙烯酸系聚合物。
  16. 如請求項1之黏著帶，其於上述黏著劑層之表面具備剝離襯墊。
  17. 如請求項1之黏著帶，其係用於半導體加工。
  18. 如請求項1之黏著帶，其係用於LED切晶用途。
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