CN103980826B

CN103980826B - 粘合带

Info

Publication number: CN103980826B
Application number: CN201410045847.1A
Authority: CN
Inventors: 由藤拓三; 铃木俊隆; 矢田贝隆浩
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2013-02-08
Filing date: 2014-02-08
Publication date: 2018-10-19
Anticipated expiration: 2034-02-08
Also published as: JP6211771B2; TWI595069B; CN103980826A; KR20140101301A; CN109439217A; TW201435038A; JP2014152241A

Abstract

本发明提供一种粘合带，其为可以用作切割带的粘合带，并能够在纵向和横向上均匀地扩展。本发明的粘合带为在基材的一个面上具备粘合剂层的粘合带，从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面对SUS430BA板的动态摩擦力在温度23℃、湿度50%下低于10.0N。

Description

粘合带

技术领域

本发明涉及粘合带。

背景技术

对于半导体的切割，通过在切割带（粘合带）上进行半导体晶圆的切割，该半导体晶圆被小片化（芯片化）而成为芯片，从切割带上拾取该芯片，继续在后面的工序中使用（例如，参照专利文献1）。作为从切割带上拾取芯片的方法，从切割带的未搭载芯片的一面侧用被称为销、针等的棒进行顶推（所谓的“销顶起”），然后，利用被称为吸嘴（collet）的吸附治具从切割带上将芯片吸附分离而拾取。

此处，刚切割后的芯片间的间隔至多为数百μm左右这样的极其微小的间隔，因此，若要在刚切割后的状态下从切割带上拾取该芯片，则会碰到别的芯片（尤其是邻接的芯片）等，导致芯片破损。

因此，对于半导体的切割，通常进行的是：在切割后从切割带上拾取芯片之前，在切割带上搭载有芯片的状态下，将切割带扩展（拉伸）而拓宽芯片间的间隔，然后从切割带上拾取芯片。

但是，即使利用这种方法，在拾取时有时仍会产生不便。因此，要求进行半导体的切割时的进一步改良。

作为这种不便的代表性的问题，可列举出利用吸嘴从切割带上吸附分离芯片时，无法准确地进行吸附分离。

作为上述不便的原因，考虑过切割带与芯片间的粘合力过强的可能性，但即使减弱切割带与芯片间的粘合力，也仍未消除上述不便。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-019607号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明人对利用吸嘴从切割带上吸附分离芯片时无法准确地进行吸附分离的原因进行了各种研究。并且，着眼于吸嘴的吸附面与芯片的位置偏移反复进行了研究，了解到：在扩展时，若基材与扩展装置的底座整面地密合或者部分密合而卡住（粘连或者粘住），则扩展无法平稳地进行，会出现不良情况。根据该结果，认为切割带被充分扩展且在纵向和横向上被均匀地扩展是重要的。而且认为，为了能够充分扩展切割带且实现在纵向和横向上均匀的扩展，切割带的背面侧（从基材看与粘合剂层相反侧）的表面与底座的摩擦比规定量小是重要的，并想到了将从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面对SUS430BA板的动态摩擦力严格调节成规定的水平，从而完成了本发明。

即，本发明的课题在于提供一种粘合带，其为可以用作切割带的粘合带，并能够在纵向和横向上均匀地扩展。

用于解决问题的方案

本发明的粘合带为在基材的一个面上具备粘合剂层的粘合带，

从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面对SUS430BA板的动态摩擦力在温度23℃、湿度50%下低于10.0N。

在优选的实施方式中，上述粘合带的MD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下为10.0N/10mm～50.0N/10mm，上述粘合带的TD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下为10.0N/10mm～50.0N/10mm。

在优选的实施方式中，上述粘合带的MD方向的150%拉伸时的模量与TD方向的150%拉伸时的模量之比在温度23℃、湿度50%下为1.90以下。

在优选的实施方式中，上述粘合带的MD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下为25.0%以上，上述粘合带的TD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下为25.0%以上。

在优选的实施方式中，上述粘合带的TD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率与MD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率之比（TD方向应力松弛率/MD方向应力松弛率）在温度23℃、湿度50%下为0.70～1.30。

在优选的实施方式中，从上述基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面的算术平均表面粗糙度Ra为50nm以上。

在优选的实施方式中，上述基材的按照JIS-K-7127（1999年）测定的最大伸长率为100%以上。

在优选的实施方式中，上述基材为塑料薄膜。

在优选的实施方式中，上述塑料薄膜包含选自聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的至少1种。

在优选的实施方式中，在上述基材的与上述粘合剂层相反的面具备非粘合层。

在优选的实施方式中，上述非粘合层为聚硅氧烷和（甲基）丙烯酸类聚合物的混合层。

在优选的实施方式中，上述非粘合层中的聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合比以重量比计为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：50～50：1。

在优选的实施方式中，上述非粘合层具有相分离结构。

在优选的实施方式中，上述非粘合层的厚度为0.01μm～10μm。

在优选的实施方式中，上述粘合剂层包含至少1种（甲基）丙烯酸类聚合物。

在优选的实施方式中，在上述粘合剂层的表面具备剥离衬垫。

在优选的实施方式中，本发明的粘合带用于半导体加工。

在优选的实施方式中，本发明的粘合带用于LED切割用途。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种粘合带，其为可以用作切割带的粘合带，并能够在纵向和横向上均匀地扩展。

附图说明

图1是示出在纵向和横向上均匀地进行了扩展的情况下扩展后的芯片的排列状态的示意图。

图2是示出在纵向和横向上不均匀地进行了扩展的情况下扩展后的芯片的排列状态的示意图。

图3是用于动态摩擦力测定的滑动性测定治具的截面示意图。

图4是用于动态摩擦力测定的载重（weight）的截面示意图和仰视示意图。

图5是用于扩展性测定的粘合带（画有十字形基线）的俯视示意图。

图6是用于扩展性测定的扩展性评价用样品的平面示意图和截面示意图。

图7是示出扩展性测定的情况的截面示意图。

图8是示出本发明的粘合带的非粘合层的表面侧状态的SEM照片。

图9是示出本发明的粘合带的非粘合层的截面侧状态的SEM照片。

图10是带说明地示出本发明的粘合带的非粘合层的截面侧状态的SEM照片。

附图标记说明

10 金属面

20 卡扣部分

30 滑轮

40 环状夹具

50 圆柱

60 台

100 芯片

200 切割带

300 滑动性测定治具

400 载重

500 扩展性评价用样品

1000 粘合带

具体实施方式

本发明的粘合带在基材的一个面上具备粘合剂层。

本发明的粘合带从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面对SUS430BA板的动态摩擦力在温度23℃、湿度50%下低于10.0N，优选为8.0N以下，更优选为6.0N以下。上述动态摩擦力的下限值优选为1.0N以上。本发明的粘合带中，通过将上述动态摩擦力调节到上述范围内，如图1所示，将本发明的粘合带用作切割带时，在半导体的切割中，在切割后从切割带上拾取芯片之前，在切割带上搭载有芯片的状态下将切割带200扩展（拉伸）而拓宽芯片100之间的间隔时，能够在纵向和横向上均匀地扩展，可以得到没有出现芯片100的位置偏移而良好地排列的芯片。另一方面，未将上述动态摩擦力调节到上述范围内时，如图2所示，将本发明的粘合带用作切割带时，在半导体的切割中，在切割后从切割带上拾取芯片之前，在切割带上搭载有芯片的状态下将切割带200扩展（拉伸）而拓宽芯片100之间的间隔时，无法在纵向和横向上均匀地扩展，会出现芯片100的位置偏移，可能产生例如拾取不良等。尤其，由于LED芯片小，因此容易出现芯片的位置偏移。上述动态摩擦力为10.0N以上的情况下，用按压方式扩展粘合带时，按压治具与带背面的滑动性变差，会卡住，在按压治具接触部和非接触部无法均匀地扩展，最糟糕的情况下会有产生粘合带在非接触部破裂的不良情况的担心。其中，动态摩擦力的测定方法随后进行说明。

本发明的粘合带的MD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下优选为10.0N/10mm～50.0N/10mm，更优选为10.0N/10mm～30.0N/10mm，进一步优选为10.0N/10mm～20.0N/10mm。在本发明的粘合带中，通过将MD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下调节到上述范围内，在纵向上能够更均匀地扩展。在本发明的粘合带中，MD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下若过大，则在扩展粘合带时有粘合带过硬而产生无法扩展这样的不良情况的担心、对设备施加负荷而产生导致设备故障的不便的担心。另外，对于本发明的粘合带，MD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下若过小，则粘合带过软，在带的贴合操作等中带容易伸长，MD方向的机械物性发生变化，扩展工序中的MD方向的伸长变得过于不均匀，有在拾取工序中产生不便的担心。其中，模量的测定方法随后进行说明。

本发明的粘合带的TD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下优选为10.0N/10mm～50.0N/10mm，更优选为10.0N/10mm～30.0N/10mm，进一步优选为10.0N/10mm～20.0N/10mm。在本发明的粘合带中，通过将TD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下调节到上述范围内，在横向上能够更均匀地扩展。对于本发明的粘合带，TD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下若过大，则在扩展粘合带时有粘合带过硬而产生无法扩展这样的不良情况的担心、对设备施加负荷而产生导致设备故障的不便的担心。另外，对于本发明的粘合带，TD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下若过小，则粘合带过软，带的贴合操作等中带容易伸长，TD方向的机械物性发生变化，扩展工序中的TD方向的伸长变得过于不均匀，有在拾取工序中产生不便的担心。其中，模量的测定方法随后进行说明。

本发明的粘合带的MD方向的150%拉伸时的模量与TD方向的150%拉伸时的模量之比在温度23℃、湿度50%下优选为1.90以下，更优选为1.80以下，进一步优选为1.60以下，特别优选为1.40以下。上述比值的下限值优选为0.50以上。在本发明的粘合带中，通过将MD方向的150%拉伸时的模量与TD方向的150%拉伸时的模量之比在温度23℃、湿度50%下调节到上述范围内，在纵向和横向上能够更加均匀地扩展。对于本发明的粘合带，MD方向的150%拉伸时的模量与TD方向的150%拉伸时的模量之比在温度23℃、湿度50%下若过大，则在扩展粘合带时，粘合带的MD方向和TD方向无法均匀地伸长，芯片的排列混乱，在后续工序的拾取工序中有产生芯片的拾取的成品率下降的不便的担心。另外，对于本发明的粘合带，MD方向的150%拉伸时的模量与TD方向的150%拉伸时的模量之比在温度23℃、湿度50%下若过小，则粘合带的MD方向和TD方向无法均匀地伸长，芯片的排列混乱，在后续工序的拾取工序中有产生芯片的拾取的成品率下降的不便的担心。

本发明的粘合带的MD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下优选为25.0%以上，更优选为35.0%以上，进一步优选为40.0%以上，特别优选为50.0%以上。上述应力松弛率的上限值优选为80.0%以下。本发明的粘合带中，通过将MD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下调节到上述范围内，在纵向上能够更均匀地扩展。对于本发明的粘合带，MD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下若过小，则在扩展粘合带后从按压释放时，粘合带回到被扩展前的状态，有产生无法充分得到芯片间的距离的不便的担心。对于本发明的粘合带，MD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下若过大，则在贴合操作等中粘合带容易进行取向，MD方向的机械物性发生变化，扩展工序中的MD方向的伸长变得过于不均匀，有在拾取工序中产生不便的担心。其中，应力松弛率的测定方法随后进行说明。

本发明的粘合带的TD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下优选为25.0%以上，更优选为35.0%以上，进一步优选为40.0%以上，特别优选为50.0%以上。上述应力松弛率的上限值优选为80.0%以下。在本发明的粘合带中，通过将TD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下调节到上述范围内，在横向上能够更均匀地扩展。对于本发明的粘合带，TD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下若过小，则在扩展粘合带后从按压释放时，粘合带回到被扩展前的状态，有产生无法充分得到芯片间的距离的不便的担心。对于本发明的粘合带，TD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下若过大，则在贴合操作等中粘合带容易进行取向，TD方向的机械物性发生变化，扩展工序中的TD方向的伸长变得过于不均匀，有在拾取工序中产生不便的担心。其中，应力松弛率的测定方法随后进行说明。

本发明的粘合带的TD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率与MD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率之比（TD方向应力松弛率/MD方向应力松弛率）在温度23℃、湿度50%下优选为0.70～1.30，更优选为0.80～1.20，进一步优选为0.90～1.10。在本发明的粘合带中，通过将TD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率与MD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率之比（TD方向应力松弛率/MD方向应力松弛率）在温度23℃、湿度50%下调节到上述范围内，在纵向和横向上能够更加均匀地扩展。对于本发明的粘合带，TD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率与MD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率之比（TD方向应力松弛率/MD方向应力松弛率）在温度23℃、湿度50%下若过大或者过小，则在扩展粘合带时，粘合带的MD方向和TD方向无法均匀地扩展，芯片的排列混乱，在后续工序的拾取工序中有产生芯片的拾取的成品率下降的不便的担心。

本发明的粘合带的从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面的算术平均表面粗糙度Ra的上限值优选为5μm以下。在本发明的粘合带中，通过将从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面的算术平均表面粗糙度Ra调节到上述范围内，在纵向和横向上能够更加均匀地扩展。对于本发明的粘合带，从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面的算术平均表面粗糙度Ra若过小，则在用按压方式扩展粘合带时，按压治具与带背面密合而卡住，在按压治具接触部与非接触部无法均匀地扩展，最糟糕的情况下会有产生粘合带在非接触部破裂的不良情况的担心。另外，优选的与粘合剂层相反侧的最外层表面的Ra的下限值可以根据构成其的组成等改变，因此详细在随后进行说明。对于本发明的粘合带，从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面的算术平均表面粗糙度Ra若过大，则由于粘合带背面的凹凸过大，从而因空气从凹凸部流入而导致产生切割工序时的利用真空吸附的固定无法进行的不便的担心。其中，算术平均表面粗糙度Ra的测定方法随后进行说明。

本发明的粘合带的厚度优选为20μm～120μm，更优选为40μm～120μm，进一步优选为50μm～110μm，特别优选为60μm～110μm。通过将本发明的粘合带的厚度调节到上述范围内，本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。另外，若本发明的粘合带的厚度过小，则有处理性变差的担心，尤其有贴合操作变难的担心。若本发明的粘合带的厚度过大，则有对拉伸等变形的追随性变差的担心。

作为测定厚度的方法，例如可列举出：测微器、微型游标卡尺、直读式厚度计等伴随着物理接触的方法；测定α射线、X射线、红外线、电磁波等相对于测定对象的透过率、反射率的非接触方法；在任意测定部位将测定对象切断并用光学显微镜、电子显微镜观察的方法；等，也可以采用它们的组合。

<基材>

基材的厚度优选为10μm以上且低于120μm，更优选为30μm～120μm，进一步优选为40μm～100μm，特别优选为50μm～100μm。通过将本发明的基材的厚度调节到上述范围内，本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。另外，若基材的厚度过小，则有处理性变差的担心，尤其在构成粘合带时有贴合操作变困难的担心。若基材的厚度过大，则有对拉伸等变形的追随性变差的担心。

基材的按照JIS-K-7127（1999年）测定的最大伸长率优选为100%以上，更优选为200%～1000%。通过使用显示出这样的最大伸长率的基材，本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。另外，通过使用显示出这样的最大伸长率的基材，能够赋予本发明的粘合带以适度的伸长性，例如对被粘物的追随性可以提高。

作为基材，只要满足上述特性，则在不损害本发明的效果的范围内可选择任意适当的材料。作为这样的基材，优选为塑料薄膜。

塑料薄膜可以包含任意适当的树脂材料。作为这样的树脂材料，可优选列举出例如聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺等，可更优选列举出聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，可进一步优选列举出聚氯乙烯。聚氯乙烯的应力松弛性优异，因此能够特别适宜地用于在LED切割等半导体加工中使用的粘合带。

作为塑料薄膜中的上述树脂材料的含有比率，可根据目的/用途设定任意适当的含有比率。作为这种含有比率，例如优选为50重量%～100重量%，更优选为60重量%～100重量%，进一步优选为70重量%～100重量%。

塑料薄膜中也可以包含增塑剂。塑料薄膜中的增塑剂的含有比率相对于该塑料薄膜中的上述树脂材料，优选为0.5重量%～50重量%，更优选为1.0重量%～40重量%。通过在塑料薄膜中以上述含有比率包含增塑剂，本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。另外，通过在塑料薄膜中以上述含有比率包含增塑剂，本发明的粘合带对拉伸等变形的追随性变得更加良好。

作为上述增塑剂，例如可列举出：邻苯二甲酸酯系、偏苯三酸酯系（Dainippon InkCorporation制、W-700、偏苯三酸三辛酯等）、己二酸酯系（J-PLUS Co.,Ltd制、D620、己二酸二辛酯、己二酸二异壬酯等）、磷酸酯系（磷酸三甲苯酯等）、己二酸系酯、柠檬酸酯（乙酰基柠檬酸三丁酯等）、癸二酸酯、壬二酸酯、马来酸酯、苯甲酸酯、聚醚系聚酯、环氧系聚酯（环氧化大豆油、环氧化亚麻籽油等）、聚酯（由羧酸和二醇形成的低分子聚酯等）等。在本发明中，优选使用酯系增塑剂。增塑剂可以为仅1种，也可以为2种以上。

在不损害本发明的效果的范围内，塑料薄膜中也可以包含任意适当的其他成分。

在能够显现本发明的效果的范围内，基材可利用任意适当的制造方法来制造。作为这种制造方法，例如可列举出：注塑成型、挤出成型、吹胀成型、压延成型、吹塑成型等。这些当中，从可以进一步显现本发明的效果的方面出发，优选压延成型。

<粘合剂层>

粘合剂层的厚度优选为1.0μm～30μm，更优选为1.0μm～20μm，进一步优选为3.0μm～15μm。粘合剂层的厚度小于1.0μm时，有无法显现充分的粘合力的担心。粘合剂层的厚度大于30μm时，根据用途，有粘合力过大而剥离等时被粘物破裂的担心。

作为上述粘合剂层的材料，在不损害本发明的效果的范围内可采用任意适当的粘合剂。

作为粘合剂层的材料，例如可列举出：（甲基）丙烯酸类聚合物；天然橡胶；接枝有甲基丙烯酸甲酯等单体的特殊天然橡胶；SBS、SBR、SEPS、SIS、SEBS、聚丁烯、聚异丁烯（polyisobutene）、聚异丁烯（polyisobutylene）、丁基橡胶等合成橡胶；等。这些当中，从剥离后对被粘物的残胶少、具有高内聚性、透明性优异的方面出发，优选至少1种（甲基）丙烯酸类聚合物。

粘合剂层包含（甲基）丙烯酸类聚合物时，粘合剂层中的（甲基）丙烯酸类聚合物的含有比率可根据目的来适当设定。

上述（甲基）丙烯酸类聚合物是由包含（甲基）丙烯酸类单体作为主要单体的单体成分构成的树脂。构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的（甲基）丙烯酸类单体的含有比率优选为50重量%以上，更优选为70重量%～100重量%，进一步优选为80重量%～100重量%，特别优选为95重量%～100重量%。上述单体成分中的单体可以为仅1种，也可以为2种以上。

作为（甲基）丙烯酸类单体，可优选列举出（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸。

作为（甲基）丙烯酸酯，例如可列举出：碳数为1～30的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯、含羟基（甲基）丙烯酸酯等。（甲基）丙烯酸酯可以为仅1种，也可以为2种以上。

作为碳数为1～30的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯，例如可列举出：（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸异丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸异丁酯、（甲基）丙烯酸仲丁酯、（甲基）丙烯酸叔丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯（（meth）acrylic acid pentyl）、（甲基）丙烯酸戊酯（（meth）acrylic acidamyl）、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸环己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸异辛酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸异壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸异癸酯、（甲基）丙烯酸十一烷基酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基）丙烯酸十三烷基酯、（甲基）丙烯酸十四烷基酯、（甲基）丙烯酸十五烷基酯、（甲基）丙烯酸十八烷基酯、（甲基）丙烯酸十九烷基酯、（甲基）丙烯酸二十烷基酯、（甲基）丙烯酸月桂酯等碳数为1～30的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯等。这些（甲基）丙烯酸酯当中，优选为碳数为2～20的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯，更优选为碳数为4～18的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯。

作为含羟基（甲基）丙烯酸酯，例如可列举出：（甲基）丙烯酸-2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羟基丙酯、（甲基）丙烯酸-4-羟基丁酯等。

为了充分显现作为粘合剂的效果，构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分优选包含选自含羟基单体、含羧基单体的至少1种。更优选为含羧基单体。另外，为了充分显现作为粘合剂的效果，构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分可以含有丙烯腈。

作为含羟基单体，例如可列举出：（甲基）丙烯酸-2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羟基丙酯、（甲基）丙烯酸-4-羟基丁酯、烯丙醇等。含羟基单体可以为仅1种，也可以为2种以上。

作为含羧基单体，例如可列举出：（甲基）丙烯酸、（甲基）丙烯酸羧乙酯、（甲基）丙烯酸羧戊酯、巴豆酸、马来酸、富马酸、衣康酸等。含羧基单体可以为仅1种，也可以为2种以上。

构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分含有含羟基单体时，构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羟基单体的含有比率优选为0.1重量%～20重量%，更优选为0.1重量%～10重量%。构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分含有含羧基单体时，构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羧基单体的含有比率优选为0.1重量%～20重量%，更优选为0.1重量%～10重量%。这样，通过使构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分含有选自含羟基单体、含羧基单体的至少1种，在使用交联剂的情况下，可以更有效地发生与该交联剂的交联反应，能够充分显现作为粘合剂的效果。进而，通过调节构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羟基单体的含有比率、构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羧基单体的含有比率而使其处于上述范围内，能够有效地防止剥离操作时被粘物的破裂。构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羟基单体的含有比率、构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羧基单体的含有比率相比上述范围过多时，粘合力变得过大，有容易产生粘连的担心，另外，剥离操作时有容易产生被粘物的破裂的担心。

粘合剂层优选包含交联剂。粘合剂层包含交联剂时，粘合剂层中的交联剂的含有比率可根据目的而适当设定，相对于主要树脂成分（优选为（甲基）丙烯酸类聚合物）100重量份，优选为0.1重量份～20重量份。通过使粘合剂层中的交联剂的含有比率处于上述范围内，能够产生适度的交联反应，能够有效地防止剥离操作时的被粘物的破裂。

作为交联剂，例如可列举出：环氧系交联剂、异氰酸酯系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂等。这些交联剂当中，从能够充分显现本发明的效果的方面出发，优选三聚氰胺系交联剂、环氧系交联剂、异氰酸酯系交联剂。另外，交联剂可根据需要而适当选择，可以为仅1种，也可以为2种以上的混合体系。

粘合剂层也可以包含增塑剂。粘合剂层包含增塑剂时，粘合剂层中的增塑剂的含有比率可根据目的而适当设定，相对于主要树脂成分（优选为（甲基）丙烯酸类聚合物）100重量份，优选为0.1重量份～70重量份。通过使粘合剂层中的增塑剂的含有比率处于上述范围内，可以更加有效地显现本发明的效果。相对于主要树脂成分（优选为（甲基）丙烯酸类聚合物）100重量份，粘合剂层中的增塑剂的含有比率若比70重量份大，则粘合剂层变得过于柔软，有容易产生残胶、被粘物污染的担心。

为了促进交联反应等，粘合剂层可以包含任意适当的催化剂。粘合剂层包含催化剂时，粘合剂层中的催化剂的含有比率可根据目的而适当设定，相对于主要树脂成分（优选为（甲基）丙烯酸类聚合物）100重量份，为0.01重量份～10重量份。通过使粘合剂层中的催化剂的含有比率处于上述范围内，可以更加有效地显现本发明的效果。

作为这种催化剂，例如可列举出：钛酸四异丙酯、钛酸四正丁酯、辛酸锡、辛酸铅、辛酸钴、辛酸锌、辛酸钙、环烷酸铅、环烷酸钴、二醋酸二丁基锡、二辛酸二丁基锡、二月桂酸二丁基锡、二月桂酸二辛基锡、马来酸二丁基锡等有机金属化合物；丁胺、二丁胺、己胺、叔丁胺、乙二胺、异佛尔酮二胺、咪唑、氢氧化锂、氢氧化钾、甲醇钠等碱性化合物；对甲苯磺酸、三氯醋酸、磷酸、单烷基磷酸、二烷基磷酸、丙烯酸-β-羟基乙酯的磷酸酯、单烷基亚磷酸、二烷基亚磷酸等酸性化合物；等。催化剂可以为仅1种，也可以为2种以上。

为了更加显现本发明的效果，粘合剂层的SP值优选为9.0（cal/cm³）^0.5～12.0（cal/cm³）^0.5，更优选为9.5（cal/cm³）^0.5～11.0（cal/cm³）^0.5。SP值是根据Small公式算出的溶解度参数。SP值的计算可以利用公知的文献（例如，Journal of Applied Chemistry，3，71，1953.等）所记载的方法进行。

在不损害本发明的效果的范围内，粘合剂层可以包含任意适当的添加剂。作为这样的添加剂，例如可列举出：紫外线吸收剂、填充剂、防老剂、增粘剂、颜料、染料、硅烷偶联剂等。

本发明的粘合带也可以在粘合剂层的表面具备剥离衬垫。

作为剥离衬垫，可以采用任意适当的隔离体。作为这种剥离衬垫，例如可列举出：具有利用聚硅氧烷系、长链烷基系、氟系、硫化钼等剥离剂进行过表面处理的塑料薄膜、纸等剥离层的基材；由聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟化乙烯、聚偏氟乙烯、四氟乙烯·六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯·偏氟乙烯共聚物等氟系聚合物形成的低粘接性基材；由烯烃系树脂（例如，聚乙烯、聚丙烯等）等无极性聚合物形成的低粘接性基材；等。

作为在基材上设置粘合剂层的方法，在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的手段。作为这样的手段，优选为通过将形成粘合剂层的涂覆液涂覆到基材上来设置粘合剂层的方法。

作为涂覆方式，在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的涂覆方式。作为这样的涂覆方式，例如可列举出：逆转方式、直接方式、组合有计量辊（metering roll）的各种方式等。为了充分显现本发明的效果，优选的是，在包含溶剂的湿润状态下的涂覆层的厚度不均匀在宽度方向上调节到±20%以内。

<非粘合层>

本发明的粘合带优选的是，在基材的单面具备粘合剂层，在该基材的与该粘合剂层相反的面具备使动态摩擦力降低的功能层。作为使动态摩擦力降低的功能层，也可以仅在基材上形成凸凹。凸凹除了使用轧纹辊加工基材的方法之外，也可以是利用激光、喷砂等切削基材表面而形成凸凹等方法。此处，基材表面的算术平均表面粗糙度Ra优选为400nm以上，更优选为700nm以上。基材表面的算术平均表面粗糙度Ra若小于该值，则可能产生扩展装置的载物台与基材密合或者粘住等不便。另外，功能层可以由粉体、微粒或者纳米颗粒这样的材料构成，它们作为滚珠而发挥作用，或者在基材表面形成凸凹，防止扩展装置的载物台与基材密合或者粘住，从而降低摩擦力。此处，颗粒以平均粒径计优选为10nm以上，更优选为50nm以上，进一步优选为100nm以上。另外，也可以是机械油、硅油等蜡/油类。这种情况下，不仅是基于分子水平的滚珠、表面凸凹的效果，而且由于粘性，在扩展时的剪切应力的作用下发生变形从而防止了基材在载物台上密合或者粘住，使摩擦力降低。这些使动态摩擦力降低的功能层可以在基材制造时或者粘合剂制造时进行涂布、涂覆、喷雾等而设置，或者与成为基材的原料的树脂粒料等一同混合而制成基材或者粘合剂。进而，作为具有半导体加工中要求的粘合带特性（粘合带的洁净性、厚度等形状均匀性等）且可在工业上量产的有用的、使动态摩擦力降低的功能层，以下对由非粘合性原材料形成的功能层（以下有时称为非粘合层）进行说明。

对这样的非粘合层的组成等没有特别限定，作为其一例，可列举出：聚硅氧烷层、（甲基）丙烯酸类聚合物层、聚硅氧烷层与（甲基）丙烯酸类聚合物层的混合层、接枝聚合有（甲基）丙烯酸类聚合物的聚硅氧烷层等。这些当中，优选聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合层。通过使非粘合层为聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合层，非粘合层与基材（尤其是塑料薄膜）的适应性变得良好，且为使动态摩擦力降低的原材料，因此本发明的粘合带在纵向和横向上能够更加均匀地扩展，对拉伸等变形的追随性良好。

由这些原材料形成的非粘合层的表面可以具有凹凸结构。这是因为通过使非粘合层的表面具有凹凸结构，变得容易在纵向和横向上更加均匀地扩展。另外，因将粘合带制成卷状来制造保管而可能产生的粘连现象也能通过凸凹来防止。对于该凹凸结构，更具体而言，非粘合层的算术平均表面粗糙度Ra优选为50nm以上，更优选为100nm以上，进一步优选为200nm以上。上述算术平均表面粗糙度Ra的上限值优选为5μm以下。在本发明的粘合带中，通过将非粘合层的算术平均表面粗糙度Ra调节到上述范围内，在纵向和横向上能够更加均匀地扩展。对于本发明的粘合带，非粘合层的算术平均表面粗糙度Ra若过小，则在用按压方式扩展粘合带时，按压治具与带背面密合而卡住，在按压治具接触部与非接触部无法均匀地扩展，最糟糕的情况下会有产生粘合带在非接触部破裂的不良情况的担心。对于本发明的粘合带，非粘合层的算术平均表面粗糙度Ra若过大，则由于粘合带背面的凹凸过大，从而因空气从凹凸部流入而导致产生切割工序时的利用真空吸附的固定无法进行的不便的担心。其中，算术平均表面粗糙度Ra的测定方法随后进行说明。

非粘合层的利用差示扫描热量测定（DSC测定）的玻璃化转变温度Tg优选为20℃以上，更优选为30℃以上，进一步优选为50℃以上，特别优选为55℃以上。对非粘合层的利用差示扫描热量测定的玻璃化转变温度Tg的上限没有特别限定，从处理性等的观点出发，优选为200℃以下，更优选为170℃以下，进一步优选为150℃以下，特别优选为130℃以下，最优选为100℃以下。非粘合层的利用差示扫描热量测定的玻璃化转变温度Tg若处于上述范围内，则非粘合层的表面的硬度即使在高温下也会适度变高，因此耐热性变高，在利用负压将本发明的粘合带吸附固定在固定用底座上进行切割等的情况下，能够有效地抑制出现因底座的发热等引起的过度密合。其中，非粘合层的利用差示扫描热量测定（DSC测定）的玻璃化转变温度Tg的测定方法随后进行说明。

非粘合层包含（甲基）丙烯酸类聚合物时，非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物的计算Tg优选为10℃以上，更优选为20℃以上，进一步优选为30℃以上，特别优选为45℃以上。对非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物的计算Tg的上限没有特别限定，优选为200℃以下，更优选为150℃以下，进一步优选为100℃以下。通过使非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物的计算Tg处于上述范围内，非粘合层的表面的微小凹凸结构中的耐热性变高，在利用负压将本发明的粘合带吸附固定在固定用底座上进行切割等的情况下，能够有效地抑制出现因底座的发热等引起的过度密合。

在本发明中，共聚物（上述非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物等）的“计算Tg”是指对来自构成共聚物的单体的结构单元的Tg利用Fox计算式求出的计算玻璃化转变温度。Fox式是如下所示的、共聚物的玻璃化转变温度Tg（℃）与构成共聚物的单体各自均聚而成的均聚物的玻璃化转变温度Tg_i（℃）之间的关系式。需要说明的是，在以下的Fox式中，Tg（℃）表示共聚物的玻璃化转变温度、W_i表示单体i的重量分率、Tg_i（℃）表示单体i的均聚物的玻璃化转变温度。

1/（273+Tg）=Σ（W_i/（273+Tg_i））

其中，作为均聚物的玻璃化转变温度Tg_i（℃），具体而言，可以使用“PolymerHandbook3rd Edition”（A WILEY-INTERSCIENCEPUBLICATION、1989年）中记载的值。

非粘合层包含（甲基）丙烯酸类聚合物时，非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物的SP值优选为9.0（cal/cm³）^0.5～12.0（cal/cm³）^0.5，更优选为9.5（cal/cm³）^0.5～11.5（cal/cm³）^0.5，进一步优选为9.5（cal/cm³）^0.5～11.0（cal/cm³）^0.5。SP值是根据Small公式算出的溶解度参数。SP值的计算可以利用公知的文献（例如，Journal of Applied Chemistry，3，71，1953.等）所记载的方法来进行。

非粘合层优选具有相分离结构。通过使非粘合层具有相分离结构，可在该非粘合层的表面有效地形成微小的凹凸结构。这大概可推测为：例如以非粘合层为聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合层的情况为例，由于相分离结构生成时的聚硅氧烷、（甲基）丙烯酸类聚合物的物质移动性的差异而生成凹凸。由于该凹凸结构的形成，在本发明的粘合带中，在纵向和横向上能够更加均匀地扩展，可抑制在进行利用负压的吸附固定时出现过度密合，并且能够有效地抑制卷状的形态中的粘连，在从卷状的形态进行退卷时可抑制断裂或者破损。

非粘合层优选含有包含聚硅氧烷多于（甲基）丙烯酸类聚合物的富聚硅氧烷相和包含（甲基）丙烯酸类聚合物多于聚硅氧烷的富（甲基）丙烯酸类聚合物相。非粘合层更具体而言，优选以互相独立的相分离结构来包含上述富聚硅氧烷相与上述富（甲基）丙烯酸类聚合物相，更优选的是上述富聚硅氧烷相存在于空气界面侧（基材（尤其是塑料薄膜）的相反侧），上述富（甲基）丙烯酸类聚合物相存在于基材（尤其是塑料薄膜）侧。通过具有这样的相分离结构，由于存在于空气界面侧的富聚硅氧烷相，粘连有效地得到抑制，通过存在于基材（尤其是塑料薄膜）侧的富（甲基）丙烯酸类聚合物相，非粘合层与基材（尤其是塑料薄膜）的适应性变良好，变形追随性变得良好。通过将非粘合层中的聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合比如下所述地进行调节，可以形成这样的相分离结构。

非粘合层具有相分离结构的情况、含有如上所述的包含聚硅氧烷多于（甲基）丙烯酸类聚合物的富聚硅氧烷相和包含（甲基）丙烯酸类聚合物多于聚硅氧烷的富（甲基）丙烯酸类聚合物相的情况可以通过任意适当的方法进行观察。作为这样的观察方法，例如可列举出：使用透射型电子显微镜（TEM）、扫描型电子显微镜（SEM）、场发射型扫描型电子显微镜（FE-SEM）等电子显微镜对非粘合层截面进行形态观察的方法。2层分离结构能够通过形态观察图像的深浅来辨识。另外，也可列举出如下方法：利用基于全反射法的红外吸收分光，从非粘合层空气界面侧到内部，一边改变探针光深度，一边观测组成中所含的硅、碳等的含量变化，由此进行观察。另外，还可列举出利用X射线显微分析仪、X射线光电子能谱进行观察的方法。另外，也可以适当地组合这些方法来进行观察。

非粘合层具有存在于空气界面侧（基材（尤其是塑料薄膜）的相反侧）的富聚硅氧烷相和存在于基材（尤其是塑料薄膜）侧的富（甲基）丙烯酸类聚合物相的相分离结构的情况下，在利用负压将该非粘合层吸附固定在固定用底座上进行切割等时，若该固定用底座发热，则由于因该发热引起的热负荷，该相分离结构的表面结构被破坏，尤其是与发热的该固定用底座多有接触的凸部分中的该相分离结构的表面结构被破坏，在该凸部分可能会出现富（甲基）丙烯酸类聚合物相在空气界面侧露出。但是，本发明的粘合带的非粘合层的利用差示扫描热量测定的玻璃化转变温度Tg优选处于上述范围内，因此受到热负荷的凸部分的硬度适度地变高，从而耐热性变高。因此，在利用负压将本发明的粘合带吸附固定在固定用底座上进行切割等时，能够有效地抑制出现因底座的发热等引起的过度密合。

非粘合层为聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合层时，非粘合层中的聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合比以重量比计，优选为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：50～50：1，更优选为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：30～30：1，进一步优选为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：10～10：1，特别优选为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：5～5：1，最优选为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：3～5：1。若非粘合层中的聚硅氧烷的含有比例过大，则与基材（尤其是塑料薄膜）背面的化学亲和性变低，有难以适应基材（尤其是塑料薄膜）背面的担心。另外，若非粘合层中的聚硅氧烷的含有比率过大，则在制成粘合带时，对拉伸等变形的追随性变差，有非粘合层破裂而成为污染的原因的担心。若非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物的含有比率过大，则有非粘合层作为丙烯酸类粘合剂发挥作用的担心，有容易产生粘连的担心。

作为聚硅氧烷，可以采用任意适当的聚硅氧烷。作为这样的聚硅氧烷，例如可列举出：将铂系化合物作为催化剂，使含烯基聚二烷基硅氧烷与聚二烷基氢聚硅氧烷通过加成反应固化形成剥离性皮膜而得到的加成型聚硅氧烷；使用锡系催化剂的、使含羟甲基聚二烷基硅氧烷与聚二烷基氢聚硅氧烷反应而得到的缩合型聚硅氧烷等。作为加成型聚硅氧烷的例子，例如可列举出：SHIN-ETSU SILICONE Co.,Ltd制造的“KS-776A”、“KS-839L”等。作为缩合型聚硅氧烷的例子，例如可列举出：SHIN-ETSU SILICONE Co.,Ltd制造的“KS723A/B”。此外，在制造聚硅氧烷时，除了铂系催化剂、锡系催化剂以外，还可以适当地使用其他交联剂、交联促进剂等。另外，作为聚硅氧烷的性状，可分类成：溶解在甲苯等有机溶剂中的类型、将它们乳液化而成的乳液型、仅包含聚硅氧烷的无溶剂型等。另外，除了加成型聚硅氧烷、缩合型聚硅氧烷以外，能够使用聚硅氧烷/丙烯酸接枝聚合物、聚硅氧烷/丙烯酸嵌段聚合物等。作为聚硅氧烷/丙烯酸接枝聚合物，例如可列举出：SYMACGS-30、GS101、US-270、US-350、US-380（以上为东亚合成株式会社制造）等。作为聚硅氧烷/丙烯酸嵌段聚合物，例如可列举出：MODIPER FS700、FS710、FS720、FS730、FS770（以上为日油株式会社制造）等。

作为（甲基）丙烯酸类聚合物，可以采用任意适当的（甲基）丙烯酸类聚合物。本发明中，“（甲基）丙烯酸”是指“丙烯酸和/或甲基丙烯酸”。

（甲基）丙烯酸类聚合物是由包含（甲基）丙烯酸类单体作为主要单体的单体成分构成的聚合物。构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的（甲基）丙烯酸类单体的含有比率优选为50重量%以上，更优选为70重量%～100重量%，进一步优选为90重量～100重量%，特别优选为95重量%～100重量%。上述单体成分中的单体可以为仅1种，也可以为2种以上。

作为碳数为1～30的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯，例如可列举出：（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸异丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸异丁酯、（甲基）丙烯酸仲丁酯、（甲基）丙烯酸叔丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯（（meth）acrylic acid pentyl）、（甲基）丙烯酸戊酯（（meth）acrylic acidamyl）、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸环己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸异辛酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸异壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸异癸酯、（甲基）丙烯酸十一烷基酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基）丙烯酸十三烷基酯、（甲基）丙烯酸十四烷基酯、（甲基）丙烯酸十五烷基酯、（甲基）丙烯酸十八烷基酯、（甲基）丙烯酸十九烷基酯、（甲基）丙烯酸二十烷基酯、（甲基）丙烯酸月桂酯等碳数为1～30的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯等。这些（甲基）丙烯酸酯当中，优选碳数为2～20的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯，更优选碳数为4～18的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯。

为了充分显现本发明的效果，构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分可以含有选自含羟基单体、含羧基单体的至少1种。

作为含羟基单体，例如可列举出：烯丙醇等。含羟基单体可以为仅1种，也可以为2种以上。

作为含羧基单体，例如可列举出：（甲基）丙烯酸羧乙酯、（甲基）丙烯酸羧戊酯、巴豆酸、马来酸、富马酸、衣康酸等。含羧基单体可以为仅1种，也可以为2种以上。

非粘合层包含（甲基）丙烯酸类聚合物时，非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物优选的是，构成其的单体成分中的含羟基（甲基）丙烯酸酯的含有比率相对于该含羟基（甲基）丙烯酸酯以外的单体成分的总量，优选为2重量%～30重量%，更优选为3重量%～25重量%，特别优选为5重量%～20重量%。非粘合层包含（甲基）丙烯酸类聚合物时，相对于该含羟基（甲基）丙烯酸酯以外的单体成分的总量，构成非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羟基（甲基）丙烯酸酯的含有比率若处于上述范围内，则在非粘合层的表面更有效地形成凹凸结构，通过该凹凸结构的形成，在本发明的粘合带中，在纵向和横向上能够更加均匀地扩展，进行利用负压的吸附固定时可以进一步抑制出现过度密合，并且能够更有效地抑制卷状的形态中的粘连，从卷状的形态进行退卷时可以进一步抑制断裂或者破损。

非粘合层包含（甲基）丙烯酸类聚合物时，非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物优选的是，在构成其的单体成分中的含羟基（甲基）丙烯酸酯以外的单体成分中能够包含（甲基）丙烯酸和/或（甲基）丙烯酸酯。此时，（甲基）丙烯酸与（甲基）丙烯酸酯的含有比例以重量比计，（甲基）丙烯酸：（甲基）丙烯酸酯优选为0：100～20：80，更优选为0：100～10：90，进一步优选为0：100～5：95。

（甲基）丙烯酸与（甲基）丙烯酸酯的含有比例若处于上述范围内，则在非粘合层的表面更有效地形成凹凸结构，通过该凹凸结构的形成，在本发明的粘合带中，在纵向和横向上能够更加均匀地扩展，进行利用负压的吸附固定时可以进一步抑制出现过度密合，并且能够更有效地抑制卷状的形态中的粘连，从卷状的形态进行退卷时可以进一步抑制断裂或者破损。

（甲基）丙烯酸类聚合物可以通过任意适当的聚合方法来制造。

在不损害本发明的效果的范围内，非粘合层可以包含任意适当的添加剂。作为这样的添加剂，例如可列举出：催化剂、紫外线吸收剂、填充剂、防老剂、增粘剂、颜料、染料、硅烷偶联剂等。

非粘合层的厚度优选为0.01μm～10μm、更优选为0.1μm～5μm、进一步优选为0.1μm～2μm。非粘合层的厚度低于0.01μm时，变得容易产生粘连。非粘合层的厚度若大于10μm，则有对拉伸等变形的追随性变差的担心。非粘合层的厚度若小于0.01μm，则有本发明的效果难以显现的担心、制造变困难的担心。

作为在基材（尤其是塑料薄膜）的单面形成非粘合层的方法，例如可列举出：通过在基材（尤其是塑料薄膜）的单面涂布非粘合层的材料并进行干燥来形成非粘合层的方法。作为上述涂布的方法，例如可列举出：使用棒涂机、凹版涂布机、旋涂机、辊涂机、刮刀涂布机、涂抹器等的方法。

本发明的粘合带可以用于任意适当的用途。本发明的粘合带通过将从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面的对SUS430BA板的动态摩擦力严格地调节为规定的水平，在纵向和横向上能够均匀地扩展，因此例如在利用吸嘴从切割带上吸附分离芯片时，能够准确地进行吸附分离。因此，可以适宜地用于以由脆性的材料构成并可具有微细精致的电路图案的半导体晶圆作为被粘物的半导体加工。若将本发明的粘合带用于半导体加工，则能均匀地扩展，不会产生应力应变的蓄积，因此能够准确地追随半导体晶圆的微细精致的电路图案地进行贴合，另外，不会出现贴合于半导体晶圆之后的应力应变的自然释放，因此能够有效地防止半导体晶圆破裂。尤其，由于用于LED的晶圆是由氮化镓、砷化镓、碳化硅等非常脆的材料构成的，因此本发明的粘合带对于用于LED的晶圆的切割（LED切割）等而言是特别适宜的。

实施例

以下，通过实施例来具体说明本发明，但本发明不受这些实施例的任何限定。份是指重量份。另外，以溶液的形式供给的试剂的量用使溶液挥发而残留的固体成分的量（固体成分换算量）来表示。

<动态摩擦力>

将粘合带切割成宽度100mm×长度200mm，以不混入气泡的方式贴合在图3所示的滑动性测定治具300的金属面10上。

在贴合后的粘合带背面载置图4所示的载重400（重量2.0kg、底面为52mm×63mm、底面的材质为SUS430BA板），在卡扣部分20系上线绳并穿过滑动性测定治具300的滑轮30，在1分钟以内以拉伸速度0.3m/min沿与金属面10垂直的方向上拉伸100mm，测定此时的摩擦力。动态摩擦力设为拉伸距离30mm以后的摩擦力的平均值。其中，测定利用SHIMADZU制造的“AUTOGRAPH AG-IS”来进行。

<模量>

对于模量，按照JIS-K-7127（1999年），将粘合带切割成宽度10mm×长度150mm，在温度23℃、湿度50%的气氛下，以卡盘间50mm且拉伸速度1.0m/min的速度进行拉伸，测定粘合带伸长150%时的力。测定利用SHIMADZU制造的“AUTOGRAPH AG-IS”来进行。

需要说明的是，试验中，制作以粘合带试验片的长度方向为MD或者TD的试样，并测定MD与TD上的差异。

另外，由上述测定求出模量比。需要说明的是，MD与TD上的值不同的情况下，将更小的值作为分母来进行计算。具体而言，若模量的值为TD>MD或者TD=MD，则模量比为TD/MD，若为TD<MD，则MD/TD为模量比。

<应力松弛率>

将粘合带切割成宽度10mm×长度150mm，在温度23℃、湿度50%的气氛下，以卡盘间50mm且拉伸速度1.0m/min的速度进行拉伸，粘合带伸长150%时停止拉伸并在该状态下保持2秒钟，分别测定刚伸长150%后的应力（P1）和保持2秒后的应力（P2），利用下式求出应力松弛率（L）。测定利用SHIMADZU制造的“AUTOGRAPH AG-IS”来进行。

L=［（P1-P2）/P1］×100（%）

需要说明的是，试验中，制作将粘合带试验片的长度方向作为MD或者TD的试样，并测定MD与TD上的差异。然后，将（TD方向应力松弛率/MD方向应力松弛率）作为应力松弛率比。

<最大伸长率>

对于最大伸长率，按照JIS-K-7127（1999年），利用Instron型拉伸试验机（岛津制作所制造、Autograph）进行测定。具体而言，以卡盘间距离50mm设置宽度20mm×长度100mm的样品后，以0.3m/分钟的拉伸速度进行拉伸，测定断裂时的值。

<弹性模量>

对于弹性模量，按照JIS-K-7127（1999年），利用INSTRON型拉伸试验机（岛津制作所制造、AUTOGRAPH）进行测定。具体而言，以卡盘间距离50mm设置宽度20mm×长度100mm的样品后，以0.3m/分钟的拉伸速度进行拉伸，求出初始弹性模量。初始弹性模量设为如下的值：作出断裂伸长率0～2%的区域中的切线，以直线将切线延伸至100%伸长率的值而得到的值，并通过样品的截面积换算进行修正。

<算术平均表面粗糙度Ra>

使用OLYMPUS制造的共焦激光显微镜“LEXT4000”，用20倍物镜以3D模式进行测定。3D模式的观察范围的确定如下进行：将使透镜上下移动时CF图像（共焦图像）变为全黑的位置分别设定为观察范围的Top和Bottom。

3D模式下的图像获取方法通过Step方式以0.2μm的间距进行图像获取。

算术平均表面粗糙度Ra的测量通过分析模式的粗糙度分析来测量任意位置的Ra。其中，值通过n=5的平均值求出。

<非粘合层的利用差示扫描热量测定（DSC测定）的玻璃化转变温度Tg的测定>

用Feather刀片收集非粘合层，在DSC的固体测定用的盘中封入3mg左右。

将盘投入TA INSTRUMENT制造的高灵敏度差示扫描热量计Q2000，以升温速度2℃/min从0℃升温至200℃。

另外在同样条件下冷却，进一步进行升温。求出连结第二次运行的转变区域以下的直线部分的外插与转变区域以上的直线部分的外插的中点所得的直线与测定曲线的交点，将其作为玻璃化转变温度Tg。

<非粘合层的观察>

（利用SEM的观察）

加工成非粘合层截面能够进行观察之后，用透射型电子显微镜（SEM）进行形态观察。

（利用基于全反射法的红外分光测定（ATR-IR）的观察）

使用红外分光光谱仪（Perkinermer制造、Spectrum One），选择全反射测定法，为了改变探针光的分析深度，使用2种全反射测定用棱镜（ZnSe45°、Ge45°），进行非粘合层的ATR-IR测定。

<扩展性>

将粘合带切割成宽度100mm×长度100mm，在该粘合带的胶面的中央画出与MD方向、TD方向各自的移动一致的、长度30mm的十字形基线（图5）。以十字形基线为中心，将该粘合带1000固定于内径76mm、外径88mm的环状夹具40，制作扩展性评价用样品500（图6）。如图7所示，从扩展性评价用样品500的带背面侧，以速度0.6m/min将直径58mm×高度110mm的圆柱50按压50mm，拉伸粘合带1000。此时，为了使按压距离恒定，在圆柱50的周围设置有高度60mm的台60。拉伸后，在将粘合带无褶皱地展开后的状态下，用游标卡尺测定画在胶面上的十字形基线的MD方向、TD方向各自的长度。另外，还算出MD方向/TD方向的扩展比。其中，测定利用SHIMADZU制造的“AUTOGRAPH AG-IS”来进行。

在扩展工序中，应当被扩展的薄膜的部位是图7的圆柱50与粘合带1000相接触的部位。即粘合带1000的位于圆柱50的上表面处的部位。这是因为，芯片设置在该部位，为了拉开其间隔而必须进行扩展。动摩擦系数大的情况下，也可能产生仅不与图7的圆柱50的上表面相接触的粘合带1000的部位被扩展的情况。

另外，应当被扩展的部位处的薄膜需要面均匀地伸长，局部被扩展（或者不被扩展）的状态可能成为解决技术问题的障碍。具体而言，预先在薄膜应当被扩展的部位标记使两根任意长度的直线（基线）正交而成的图形，将其扩展时，优选以两根直线各自的扩展前后的伸长率（扩展后基线伸长率（%）=（扩展后基线长度/扩展前基线长度）×100）为两根直线各自为120%以上的方式进行延伸，更优选为130%以上。若为该值以下，则芯片间的间隔不充分，其后的芯片取出变困难。

另外，基线各自的延伸若过于不同，则即使芯片间间隔拓宽，也会有产生芯片的位置不均匀从而芯片取出仍然变困难的担心。

具体而言，为了良好地进行芯片取出操作，将扩展后的两根直线各自的长度设为L1、L2时，若L1>L2或者L1=L2，则两根的长度之比（扩展后基线伸长率比）即L1/L2优选为1.00～1.30是必要的。

因此，“粘合带被充分扩展，且在纵向和横向上均匀地扩展”可以是指在薄膜应当被扩展的部位，粘合带如上所述地发生变形。

<GPC测定条件>

使用装置：TOSOH制HLC-8120GPC

使用柱：TSKgel SuperHZM-H/HZ4000/HZ3000/HZ2000

柱尺寸：6.0mmI.D.×150mm

洗脱液：THF

流量：0.6ml/min

检测器：RI

柱温：40℃

注入量：40μL

样品浓度：1.0g/l

将试料干燥后，调制成THF溶液并静置一晩，用0.45μm膜滤器过滤该溶液，对滤液进行GPC测定。

〔制造例1〕：基材的制造

利用压延法制造相对于聚合度P=1050的聚氯乙烯100重量份包含DOP增塑剂（邻苯二甲酸双（2-乙基己酯）、J-PLUS Co.,Ltd制）27重量份的软质聚氯乙烯薄膜。所得的软质聚氯乙烯薄膜的厚度为70μm，按照JIS-K-7127（1999年）测定的弹性模量（MD）为250MPa，按照JIS-K-7127（1999年）测定的最大伸长率（MD）为400%。另外，刚制造后的表面粗糙度（算术平均表面粗糙度Ra）为460nm。

〔制造例2〕：基材的制造

利用压延法制造相对于聚合度P=1050的聚氯乙烯100重量份包含DOP增塑剂（邻苯二甲酸双（2-乙基己酯）、J-PLUS Co.,Ltd制）27重量份的软质聚氯乙烯薄膜。另外，制膜时，在紧接着牵引辊（take-off roll）之后使用经粗糙处理（算术平均表面粗糙度Ra：6.05μm、十点平均表面粗糙度Rz：33.74）的轧纹辊（mat embossed roll），在单侧形成压花面（4B）。所得的软质聚氯乙烯薄膜的厚度为70μm，按照JIS-K-7127（1999年）测定的弹性模量（MD）为250MPa，按照JIS-K-7127（1999年）测定的最大伸长率（MD）为400%。其中，刚制造后的压花面（4B）的表面粗糙度（算术平均表面粗糙度Ra）为700nm。

〔实施例1〕

（非粘合层）

将聚硅氧烷树脂（KS-723A、信越化学工业制造）60重量份、聚硅氧烷树脂（KS-723B、信越化学工业制造）40重量份、丙烯酸类共聚物（甲基丙烯酸甲酯（MMA）/丙烯酸丁酯（BA）/丙烯酸羟基乙酯（HEA）=70/30/10）50重量份、锡系催化剂（Cat-PS3、信越化学工业制造）10重量份以溶液状态进行混合，得到混合溶液（1A）。混合溶液（1A）中的聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合比以重量比计为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=2：1。

在制造例1所得的软质聚氯乙烯薄膜的单面涂布上述混合溶液（1A）并干燥，形成厚度1.0μm、算术平均表面粗糙度Ra=0.5μm的非粘合层（1B）。

另外，利用SEM观察非粘合层（1B）时，如图8、图9、图10所示，根据形态观察图像的深浅，能够确认在空气界面侧与塑料薄膜侧的组成不同，形成了含有包含聚硅氧烷多于（甲基）丙烯酸类聚合物的富聚硅氧烷相和包含（甲基）丙烯酸类聚合物多于聚硅氧烷的富（甲基）丙烯酸类聚合物相、且富聚硅氧烷相与富（甲基）丙烯酸类聚合物相互相独立的相分离结构，观察到富聚硅氧烷相存在于空气界面侧（塑料薄膜的相反侧），富（甲基）丙烯酸类聚合物相存在于塑料薄膜侧。

进而，对非粘合层（1B）进行基于全反射法的红外分光测定（ATR-IR）时，测定来自Si-CH₃的800cm^-1附近的峰相对于（甲基）丙烯酸类聚合物相中的羰基来源的1725cm^-1附近的峰的吸光度比，结果，可知与ZnSe45°相比，使用Ge45°的棱镜时，800cm^-1附近的峰变大。因此，可知与基材侧相比，硅的含有率在空气界面侧更高。

另外，在非粘合层（1B）中富聚硅氧烷相存在于空气界面侧（塑料薄膜的相反侧）也能在FT-IR中确认。基于FT-IR的测定使用Perkinermer制造的“Spectrum One”，通过分析深度方向不同的2种棱镜（ZnSe45°、Ge45°）用ATR法测定空气界面侧。确认所得的图表时，能够确认到：在使用分析深度方向浅的Ge45°的棱镜时，相对归属于来自非粘合层的（甲基）丙烯酸类聚合物的C=O的1720cm^-1～1730cm^-1的峰的、来自Si-CH₃的800cm^-1附近的峰的吸光度比变大。由此，可证明聚硅氧烷的浓度在空气界面侧变得更高。

将这些观察结果、以及表面自由能最小化的原理考虑在内，可知在非粘合层中形成了在空气界面侧具有富聚硅氧烷相的2层结构。

（粘合剂层）

制备包含由丙烯酸丁酯（BA）/丙烯腈（AN）/丙烯酸（AA）=85/15/2.5（重量比）构成的丙烯酸类共聚物（重均分子量=800000）100重量份、三聚氰胺系交联剂（丁醇改性三聚氰胺甲醛树脂、“SUPER BECKAMINEJ-820-60N”、日本聚氨酯制造）10重量份、DOP增塑剂（邻苯二甲酸双（2-乙基己酯）、J-PLUS Co.,Ltd制）60重量份的粘合剂的甲苯溶液。

将该粘合剂溶液涂布在制造例1所得的软质聚氯乙烯薄膜的与非粘合层（1B）相反侧的面，然后以130℃×90秒进行干燥，在软质聚氯乙烯薄膜的与非粘合层（1B）相反侧的面形成厚度10μm的粘合剂层（1C）。

（粘合带）

如上所述地操作，构成非粘合层（1B）/软质聚氯乙烯薄膜/粘合剂层（1C）的层叠结构，制造粘合带（1）。

结果一并示于表1。

〔实施例2〕

（非粘合层）

将聚硅氧烷树脂（KS-723A、信越化学工业制造）60重量份、聚硅氧烷树脂（KS-723B、信越化学工业制）40重量份、锡系催化剂（Cat-PS3、信越化学工业制）10重量份以溶液状态进行混合，得到混合溶液（2A）。

在制造例1所得的软质聚氯乙烯薄膜的单面涂布上述混合溶液（2A）并干燥，形成厚度1.0μm、算术平均表面粗糙度Ra=0.5μm的非粘合层（2B）。

（粘合剂层）

制备包含由丙烯酸丁酯（BA）/丙烯腈（AN）/丙烯酸（AA）=85/15/2.5（重量比）构成的丙烯酸类共聚物（重均分子量=800000）100重量份、三聚氰胺系交联剂（丁醇改性三聚氰胺甲醛树脂、“SUPER BECKAMINEJ-820-60N”、日本聚氨酯制造）10重量份、DOP增塑剂（邻苯二甲酸双（2-乙基己酯）、J-PLUS Co.,Ltd制造）60重量份的粘合剂的甲苯溶液。

将该粘合剂溶液涂布在制造例1所得的软质聚氯乙烯薄膜的与非粘合层（2B）相反侧的面，然后以130℃×90秒进行干燥，在软质聚氯乙烯薄膜的与非粘合层（2B）相反侧的面形成厚度10μm的粘合剂层（2C）。

（粘合带）

如上所述地操作，构成非粘合层（2B）/软质聚氯乙烯薄膜/粘合剂层（2C）的层叠结构，制造粘合带（2）。

结果一并示于表1。

〔实施例3〕

（非粘合层）

将乙酸乙烯酯-乙烯共聚物（EVAFLEX EV-450、DUPONT-MITSUIPOLYCHEMICALS制造）100重量份、长链烷基系树脂（PEELOIL1010、一方社油脂工业制造）50重量份以溶液状态进行混合，得到混合溶液（3A）。

在制造例1所得的软质聚氯乙烯薄膜的单面涂布上述混合溶液（3A）并干燥，形成厚度1.0μm、算术平均表面粗糙度Ra=0.5μm的非粘合层（3B）。

（粘合剂层）

将该粘合剂溶液涂布在制造例1所得的软质聚氯乙烯薄膜的与非粘合层（3B）相反侧的面，然后以130℃×90秒进行干燥，在软质聚氯乙烯薄膜的与非粘合层（3B）相反侧的面形成厚度10μm的粘合剂层（3C）。

（粘合带）

如上所述地操作，构成非粘合层（3B）/软质聚氯乙烯薄膜/粘合剂层（3C）的层叠结构，制造粘合带（3）。

结果一并示于表1。

〔实施例4〕

（粘合剂层）

将该粘合剂溶液涂布在制造例2所得的软质聚氯乙烯薄膜的与压花面（4B）相反侧的面，然后以130℃×90秒进行干燥，在软质聚氯乙烯薄膜的与压花面（4B）相反侧的面形成厚度10μm的粘合剂层（4C）。

（粘合带）

不设置非粘合层，在粘合剂层侧贴附实施了Si处理的厚度38μm的PET衬垫作为剥离衬垫，构成软质聚氯乙烯薄膜/粘合剂层（4C）/PET衬垫的层叠结构，制造粘合带（4）。软质聚氯乙烯薄膜的表面的算术平均表面粗糙度Ra为700nm。

结果一并示于表1。

〔比较例1〕

（粘合剂层）

将该粘合剂溶液涂布在制造例1所得的软质聚氯乙烯薄膜的单面，然后以130℃×90秒进行干燥，形成厚度10μm的粘合剂层（5C）。

（粘合带）

不设置非粘合层，在粘合剂层侧贴附实施了Si处理的厚度38μm的PET衬垫作为剥离衬垫，构成软质聚氯乙烯薄膜/粘合剂层（5C）/PET衬垫的层叠结构，制造粘合带（5）。与粘合剂层相反侧的层的算术平均表面粗糙度Ra为460nm。

结果一并示于表1。

[表1]

实施例1～4中，扩展后基线伸长率（%）均为130以上，且扩展后基线伸长率比均低于1.30，由此判断扩展性良好。另一方面，比较例1中，扩展后基线伸长率比低于1.30，且扩展后基线伸长率（%）为125以下。即，应当被扩展的粘合带部位没有被充分扩展，由此判断扩展性不良。其原因是：比较例1的粘合带背面的动态摩擦力大，在图7的圆柱50的上表面与粘合带处卡住。

产业上的可利用性

本发明的粘合带通过将从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面的对SUS430BA板的动态摩擦力严格地调节为规定的水平，在纵向和横向上能够均匀地扩展，因此例如在利用吸嘴从切割带上吸附分离芯片时，能够准确地进行吸附分离。因此，可以适宜地用于以由脆性的材料构成并可具有微细精致的电路图案的半导体晶圆作为被粘物的半导体加工。若将本发明的粘合带用于半导体加工，则能均匀地扩展，不会产生应力应变的蓄积，因此能够准确地追随半导体晶圆的微细精致的电路图案地进行贴合，另外，不会出现贴合于半导体晶圆之后的应力应变的自然释放，因此能够有效地防止半导体晶圆破裂。尤其，由于用于LED的晶圆是由氮化镓、砷化镓、碳化硅等非常脆的材料构成的，因此本发明的粘合带特别适合于LED切割等。

Claims

1.一种粘合带，其为在基材的一个面上具备粘合剂层的粘合带，

从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面对SUS430BA板的动态摩擦力在温度23℃、湿度50％下低于10.0N，

从所述基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面的算术平均表面粗糙度Ra为500nm以上且5μm以下，

在所述基材的与所述粘合剂层相反的面具备非粘合层，

所述非粘合层为聚硅氧烷和(甲基)丙烯酸类聚合物的混合层，

所述非粘合层具有相分离结构。

2.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合带的MD方向的150％拉伸时的模量在温度23℃、湿度50％下为10.0N/10mm～50.0N/10mm，所述粘合带的TD方向的150％拉伸时的模量在温度23℃、湿度50％下为10.0N/10mm～50.0N/10mm。

3.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合带的MD方向的150％拉伸时的模量与TD方向的150％拉伸时的模量之比在温度23℃、湿度50％下为1.90以下。

4.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合带的MD方向的从150％拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50％下为25.0％以上，所述粘合带的TD方向的从150％拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50％下为25.0％以上。

5.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合带的TD方向的从150％拉伸起2秒后的应力松弛率与MD方向的从150％拉伸起2秒后的应力松弛率之比(TD方向应力松弛率/MD方向应力松弛率)在温度23℃、湿度50％下为0.70～1.30。

6.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述基材的按照1999年的JIS-K-7127测定的最大伸长率为100％以上。

7.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述基材为塑料薄膜。

8.根据权利要求7所述的粘合带，其中，所述塑料薄膜包含选自聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的至少1种。

9.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述非粘合层中的聚硅氧烷与(甲基)丙烯酸类聚合物的混合比以重量比计为聚硅氧烷：(甲基)丙烯酸类聚合物＝1：50～50：1。

10.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述非粘合层的厚度为0.01μm～10μm。

11.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合剂层包含至少1种(甲基)丙烯酸类聚合物。

12.根据权利要求1所述的粘合带，其中，在所述粘合剂层的表面具备剥离衬垫。

13.根据权利要求1所述的粘合带，其用于半导体加工。

14.根据权利要求1所述的粘合带，其用于LED切割用途。