CN103965797B

CN103965797B - 粘合带

Info

Publication number: CN103965797B
Application number: CN201410042416.XA
Authority: CN
Inventors: 由藤拓三; 铃木俊隆; 西尾昭德; 矢田贝隆浩
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2013-01-29
Filing date: 2014-01-28
Publication date: 2018-05-01
Anticipated expiration: 2034-01-28
Also published as: KR102205230B1; CN103965797A; TW201437315A; JP6021263B2; JP2014145019A; TWI586786B; KR20140097017A

Abstract

本发明提供一种粘合带，其为可用作切割带的粘合带，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ小，对抗扩展、销顶起的应力在该带面内是均匀的。本发明的粘合带在基材的至少一个面上具备粘合剂层，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。

Description

粘合带

技术领域

本发明涉及粘合带。

背景技术

对于半导体的切割，通过在切割带（粘合带）上进行半导体晶圆的切割，该半导体晶圆被小片化（芯片化）而成为芯片，从切割带上拾取该芯片，继续在后面的工序中使用（例如，参照专利文献1）。作为从切割带上拾取芯片的方法，从切割带的未搭载芯片的一面侧用被称为销、针等的棒进行顶推（所谓的“销顶起”），然后，利用被称为吸嘴（collet）的吸附治具从切割带上将芯片吸附分离而拾取。

此处，刚切割后的芯片间的间隔至多为数百μm左右这样的极其微小的间隔，因此，若要在刚切割后的状态下从切割带上拾取该芯片，则会碰到别的芯片（尤其是邻接的芯片）等，导致芯片破损。

因此，对于半导体的切割，通常进行的是：在切割后从切割带上拾取芯片之前，在切割带上搭载有芯片的状态下，将切割带扩展（拉伸）而拓宽芯片间的间隔，然后从切割带上拾取芯片。

但是，即使利用这种方法，在拾取时有时仍会产生不便。因此，要求进行半导体的切割时的进一步改良。

作为这种不便的代表性的问题，可列举出利用吸嘴从切割带上吸附分离芯片时，无法准确地进行吸附分离。

作为上述不便的原因，考虑过切割带与芯片间的粘合力过强的可能性，但即使减弱切割带与芯片间的粘合力，也仍未消除上述不便。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-019607号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明人对利用吸嘴从切割带上吸附分离芯片时无法准确地进行吸附分离的原因进行了各种研究。并且，着眼于吸嘴的吸附面与芯片的位置偏移反复进行了研究。其结果，认为重要的是对抗扩展、销顶起的切割带的应力在该带面内是均匀的。而且认为，为了使对抗扩展、销顶起的切割带的应力在该带面内均匀，重要的是切割带的厚度在面内没有不均匀，并想到了将切割带的厚度不均匀的标准偏差σ的水平严格调节成规定的水平，从而完成了本发明。

即，本发明的课题在于提供一种粘合带，其为可用作切割带的粘合带，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ小，对抗扩展、销顶起的应力在该带面内是均匀的。

用于解决问题的方案

本发明的粘合带为在基材的至少一个面上具备粘合剂层的粘合带，

该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。

在优选的实施方式中，上述粘合带的平均厚度为20μm～120μm。

在优选的实施方式中，上述粘合带的MD方向的100%拉伸时的模量与TD方向的100%拉伸时的模量之比、即MD方向100%模量/TD方向100%模量为0.5～1.9。

在优选的实施方式中，上述基材的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。

在优选的实施方式中，上述基材的平均厚度为20μm～120μm。

在优选的实施方式中，上述基材的按照JIS-K-7127（1999年）测定的最大伸长率为100%以上。

在优选的实施方式中，上述基材为塑料薄膜。

在优选的实施方式中，上述塑料薄膜包含选自聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的至少1种。

在优选的实施方式中，在上述基材的单面具备上述粘合剂层，在该基材的与该粘合剂层相反的面具备非粘合层。

在优选的实施方式中，上述非粘合层为聚硅氧烷和（甲基）丙烯酸类聚合物的混合层。

在优选的实施方式中，上述非粘合层中的聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合比以重量比计为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：50～50：1。

在优选的实施方式中，上述非粘合层具有相分离结构。

在优选的实施方式中，上述非粘合层的厚度为0.01μm～10μm。

在优选的实施方式中，上述粘合剂层包含至少1种（甲基）丙烯酸类聚合物。

在优选的实施方式中，在上述粘合剂层的表面具备剥离衬垫。

在优选的实施方式中，本发明的粘合带用于半导体加工。

在优选的实施方式中，本发明的粘合带用于LED切割用途。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种粘合带，其为可用作切割带的粘合带，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ小，对抗扩展、销顶起的应力在该带面内是均匀的。

附图说明

图1是示出在厚度精度良好的情况下扩展后的芯片的排列状态的示意图。

图2是示出在厚度精度差的情况下扩展后的芯片的排列状态的示意图。

图3是示出本发明的粘合带的非粘合层的表面侧状态的SEM照片。

图4是示出本发明的粘合带的非粘合层的截面侧状态的SEM照片。

图5是带说明地示出本发明的粘合带的非粘合层的截面侧状态的SEM照片。

附图标记说明

100 芯片

200 切割带

具体实施方式

本发明的粘合带在基材的至少一个面上具备粘合剂层。本发明的粘合带可以在基材的双面具备粘合剂层，也可以在基材的单面具备粘合剂层。

本发明的粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下，优选为1.9μm以下，更优选为1.7μm以下，进一步优选为1.5μm以下，特别优选为1.2μm以下。通过将本发明的粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ调节到上述范围内，本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得均匀。本发明的粘合带的厚度不均匀小、厚度精度良好，因此如图1所示，将本发明的粘合带用作切割带时，在半导体的切割中，在切割后从切割带上拾取芯片之前，在切割带上搭载有芯片的状态下将切割带200扩展（拉伸）而拓宽芯片100之间的间隔时，可得到没有出现芯片100的位置偏移而良好地排列的芯片。另一方面，若粘合带的厚度不均匀大，则厚度精度变差，因此如图2所示，将本发明的粘合带用作切割带时，在半导体的切割中，在切割后从切割带上拾取芯片之前，在切割带上搭载有芯片的状态下将切割带200扩展（拉伸）而拓宽芯片100之间的间隔时，会出现芯片100的位置偏移，可能产生例如拾取不良等。尤其，由于LED芯片小，因此容易出现芯片的位置偏移。其中，关于厚度不均匀的标准偏差σ的测定方法随后进行说明。

其中，作为测定厚度不均匀的方法，可采用对测定对象的面内的任意多个点的厚度进行测定并统计处理等任意的适宜的方法。作为这种测定厚度的方法，例如可列举出：测微器、微型游标卡尺、直读式厚度计等伴随着物理接触的方法；测定α射线、X射线、红外线、电磁波等相对于测定对象的透过率、反射率的非接触方法；在任意测定部位将测定对象切断并用光学显微镜、电子显微镜观察的方法；等，也可以采用它们的组合。

本发明的粘合带的平均厚度优选为20μm～120μm，更优选为30μm～120μm，进一步优选为40μm～120μm。通过将本发明的粘合带的平均厚度调节到上述范围内，本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。另外，若本发明的粘合带的平均厚度过小，则有处理性变差的担心，尤其有贴合操作变难的担心。若本发明的粘合带的平均厚度过大，则有对拉伸等变形的追随性变差的担心。

本发明的粘合带的MD方向的100%拉伸时的模量与TD方向的100%拉伸时的模量之比（MD方向100%模量/TD方向100%模量）优选为0.5～1.9，更优选为0.5～1.8，进一步优选为0.8～1.6，特别优选为1.0～1.5。通过将上述比值（MD方向100%模量/TD方向100%模量）调节到上述范围内，本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。

<基材>

作为导致本发明的粘合带的厚度不均匀的因素，认为有基材的厚度不均匀、粘合剂层的厚度不均匀、可在基材的与粘合剂层相反的面具备的非粘合层的厚度不均匀等各种因素。

在上述因素当中，对粘合带的厚度不均匀造成最大影响的因素是基材的厚度不均匀。这是因为，在粘合带的构成要素中，对于扩展、销顶起的应力，施加负荷最强的是基材，因此若基材的厚度不均匀大，则本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内变得不均匀的担心也大。另外，粘合剂层、非粘合层是在基材表面进行涂覆等而被设置，若基材的厚度不均匀大，则无论如何提高粘合剂层、非粘合层的涂覆精度等，由于因基材的厚度不均匀造成的影响，粘合剂层、非粘合层也会产生厚度不均匀。

基于如上所述的理由，基材的厚度不均匀的标准偏差σ优选为2.0μm以下，更优选为1.8μm以下，进一步优选为1.6μm以下。通过将基材的厚度不均匀的标准偏差σ调节到上述范围内，本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。关于厚度不均匀的标准偏差σ的测定方法随后进行说明。

基材的平均厚度优选为20μm～120μm，更优选为30μm～120μm，进一步优选为40μm～120μm。通过将本发明的基材的平均厚度调节到上述范围内，本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。另外，若基材的平均厚度过小，则有处理性变差的担心，尤其在构成粘合带时有贴合操作变困难的担心。若基材的平均厚度过大，则有对拉伸等变形的追随性变差的担心。

基材的按照JIS-K-7127（1999年）测定的最大伸长率优选为100%以上，更优选为200%～1000%。通过使用显示出这样的最大伸长率的基材，本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。另外，通过使用显示出这样的最大伸长率的基材，能够赋予本发明的粘合带以适度的伸长性，例如对被粘物的追随性可以提高。

作为基材，只要满足上述特性，则在不损害本发明的效果的范围内可选择任意适当的材料。作为这样的基材，优选为塑料薄膜。

塑料薄膜可以包含任意适当的树脂材料。作为这样的树脂材料，可优选列举出例如聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺等，可更优选列举出聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，可进一步优选列举出聚氯乙烯。聚氯乙烯的应力松弛性优异，因此能够特别适宜地用于在LED切割等半导体加工中使用的粘合带。

作为塑料薄膜中的上述树脂材料的含有比率，可根据目的/用途设定任意适当的含有比率。作为这种含有比率，例如优选为50重量%～100重量%，更优选为60重量%～100重量%，进一步优选为70重量%～100重量%。

塑料薄膜中也可以包含增塑剂。塑料薄膜中的增塑剂的含有比率相对于该塑料薄膜中的上述树脂材料，优选为0.5重量%～50重量%，更优选为1.0重量%～40重量%。通过在塑料薄膜中以上述含有比率包含增塑剂，本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。另外，通过在塑料薄膜中以上述含有比率包含增塑剂，本发明的粘合带对拉伸等变形的追随性变得更加良好。

作为上述增塑剂，例如可列举出：邻苯二甲酸酯系、偏苯三酸酯系（DAINIPPON INKCORPORATION制、W-700、偏苯三酸三辛酯等）、己二酸酯系（J-PLUS Co.,Ltd制、D620、己二酸二辛酯、己二酸二异壬酯等）、磷酸酯系（磷酸三甲苯酯等）、己二酸系酯、柠檬酸酯（乙酰基柠檬酸三丁酯等）、癸二酸酯、壬二酸酯、马来酸酯、苯甲酸酯、聚醚系聚酯、环氧系聚酯（环氧化大豆油、环氧化亚麻籽油等）、聚酯（由羧酸和二醇形成的低分子聚酯等）等。在本发明中，优选使用酯系增塑剂。增塑剂可以为仅1种，也可以为2种以上。

在不损害本发明的效果的范围内塑料薄膜中也可以包含任意适当的其他成分。

本发明人发现，厚度不均匀的标准偏差σ小、厚度精度高的基材能够通过对其制造方法进行严格的设计而得到。

在能够显现本发明的效果的范围内，基材可利用任意适当的制造方法来制造。作为这种制造方法，例如可列举出：注塑成型、挤出成型、吹胀成型、压延成型、吹塑成型等。这些当中，为了得到厚度不均匀的标准偏差σ小、厚度精度高的基材，优选压延成型。

作为压延成型，可根据压延辊的数量、排列方式而采用任意适当的成型机。作为这种成型机，例如通常可列举出L型4根、倒L型4根、Z型4根、将这些变形而成的倾斜型、进而为了使其稳定而追加了辊的6根型等。

为了得到厚度不均匀的标准偏差σ特别小、厚度精度特别高的基材，严格地控制压延成型的条件是重要的。

作为用于得到厚度不均匀的标准偏差σ特别小、厚度精度特别高的基材的一种优选的手段，可列举出在压延成型中将最终料垄（bank）的混合物温度的不均匀控制在±5%以内。通过在压延成型中将最终料垄的混合物温度的不均匀控制在±5%以内，能够得到厚度不均匀的标准偏差σ特别小、厚度精度特别高的基材，且本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。

作为用于得到厚度不均匀的标准偏差σ特别小、厚度精度特别高的基材的另一种优选的手段，可列举出在压延成型中将最后3根辊（包括最后的辊在内的、后半部分的连续3根辊）的温度差控制在±20%以内，优选为±18%以内，更优选为±16%以内，特别优选为±15%以内。通过在压延成型中将最后3根辊（包括最后的辊在内的、后半部分的连续3根辊）的温度差控制在上述范围以内，能够得到厚度不均匀的标准偏差σ特别小、厚度精度特别高的基材，且本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。

在本发明中，为了得到厚度不均匀的标准偏差σ特别小、厚度精度特别高的基材，可特别优选列举出上述两种手段。

为了得到厚度不均匀的标准偏差σ特别小、厚度精度特别高的基材，在压延成型中，将混合物温度控制在140°～220℃的范围内也是有效的。

为了得到厚度不均匀的标准偏差σ特别小、厚度精度特别高的基材，在压延成型中，将各辊的转速的不均匀控制在±5%以内也是有效的。

<粘合剂层>

粘合剂层的厚度优选为1.0μm～30μm，更优选为1.0μm～20μm，进一步优选为3.0μm～15μm。粘合剂层的厚度小于1.0μm时，有无法显现充分的粘合力的担心。粘合剂层的厚度大于30μm时，根据用途，有粘合力过大而剥离等时被粘物破裂的担心。

作为上述粘合剂层的材料，在不损害本发明的效果的范围内可采用任意适当的粘合剂。

作为粘合剂层的材料，例如可列举出：（甲基）丙烯酸类聚合物；天然橡胶；接枝有甲基丙烯酸甲酯等单体的特殊天然橡胶；SBS、SBR、SEPS、SIS、SEBS、聚丁烯、聚异丁烯（polyisobutene）、聚异丁烯（polyisobutylene）、丁基橡胶等合成橡胶；等。这些当中，从剥离后对被粘物的残胶少、具有高内聚性、透明性优异的方面出发，优选至少1种（甲基）丙烯酸类聚合物。

粘合剂层包含（甲基）丙烯酸类聚合物时，粘合剂层中的（甲基）丙烯酸类聚合物的含有比率可根据目的来适当设定。

上述（甲基）丙烯酸类聚合物是由包含（甲基）丙烯酸类单体作为主要单体的单体成分构成的树脂。构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的（甲基）丙烯酸类单体的含有比率优选为50重量%以上，更优选为70重量%～100重量%，进一步优选为90重量%～100重量%，特别优选为95重量%～100重量%。上述单体成分中的单体可以为仅1种，也可以为2种以上。

作为（甲基）丙烯酸类单体，可优选列举出（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸。

作为（甲基）丙烯酸酯，例如可列举出：碳数为1～30的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯、含羟基（甲基）丙烯酸酯等。（甲基）丙烯酸酯可以为仅1种，也可以为2种以上。

作为碳数为1～30的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯，例如可列举出：（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸异丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸异丁酯、（甲基）丙烯酸仲丁酯、（甲基）丙烯酸叔丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯（（meth）acrylic acid pentyl）、（甲基）丙烯酸戊酯（（meth）acrylic acidamyl）、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸环己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸异辛酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸异壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸异癸酯、（甲基）丙烯酸十一烷基酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基）丙烯酸十三烷基酯、（甲基）丙烯酸十四烷基酯、（甲基）丙烯酸十五烷基酯、（甲基）丙烯酸十八烷基酯、（甲基）丙烯酸十九烷基酯、（甲基）丙烯酸二十烷基酯、（甲基）丙烯酸月桂酯等碳数为1～30的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯等。这些（甲基）丙烯酸酯当中，优选为碳数为2～20的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯，更优选为碳数为4～18的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯。

作为含羟基（甲基）丙烯酸酯，例如可列举出：（甲基）丙烯酸-2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羟基丙酯、（甲基）丙烯酸-4-羟基丁酯等。

为了充分显现作为粘合剂的效果，构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分优选包含选自含羟基单体、含羧基单体的至少1种。更优选为含羧基单体。另外，为了充分显现作为粘合剂的效果，构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分可以含有丙烯腈。

作为含羟基单体，例如可列举出：（甲基）丙烯酸-2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羟基丙酯、（甲基）丙烯酸-4-羟基丁酯、烯丙醇等。含羟基单体可以为仅1种，也可以为2种以上。

作为含羧基单体，例如可列举出：（甲基）丙烯酸、（甲基）丙烯酸羧乙酯、（甲基）丙烯酸羧戊酯、巴豆酸、马来酸、富马酸、衣康酸等。含羧基单体可以为仅1种，也可以为2种以上。

构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分含有含羟基单体时，构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羟基单体的含有比率优选为0.1重量%～20重量%，更优选为0.1重量%～10重量%。构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分含有含羧基单体时，构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羧基单体的含有比率优选为0.1重量%～20重量%，更优选为0.1重量%～10重量%。这样，通过使构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分含有选自含羟基单体、含羧基单体的至少1种，在使用交联剂的情况下，可以更有效地发生与该交联剂的交联反应，能够充分显现作为粘合剂的效果。进而，通过调节构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羟基单体的含有比率、构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羧基单体的含有比率而使其处于上述范围内，能够有效地防止剥离操作时被粘物的破裂。构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羟基单体的含有比率、构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羧基单体的含有比率相比上述范围过多时，粘合力变得过大，有容易产生粘连的担心，另外，剥离操作时有容易产生被粘物的破裂的担心。

粘合剂层优选包含交联剂。粘合剂层包含交联剂时，粘合剂层中的交联剂的含有比率可根据目的而适当设定，相对于主要树脂成分（优选为（甲基）丙烯酸类聚合物）100重量份，优选为0.1重量份～20重量份。通过使粘合剂层中的交联剂的含有比率处于上述范围内，能够产生适度的交联反应，能够有效地防止剥离操作时的被粘物的破裂。

作为交联剂，例如可列举出：环氧系交联剂、异氰酸酯系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂等。这些交联剂当中，从能够充分显现本发明的效果的方面出发，优选三聚氰胺系交联剂、环氧系交联剂、异氰酸酯系交联剂。另外，交联剂可根据需要而适当选择，可以为仅1种，也可以为2种以上的混合体系。

粘合剂层也可以包含增塑剂。粘合剂层包含增塑剂时，粘合剂层中的增塑剂的含有比率可根据目的而适当设定，相对于主要树脂成分（优选为（甲基）丙烯酸类聚合物）100重量份，为0.1重量份～70重量份。通过使粘合剂层中的增塑剂的含有比率处于上述范围内，可以更加有效地显现本发明的效果。相对于主要树脂成分（优选为（甲基）丙烯酸类聚合物）100重量份，粘合剂层中的增塑剂的含有比率若比70重量份大，则粘合剂层变得过于柔软，有容易产生残胶、被粘物污染的担心。

为了促进交联反应等，粘合剂层可以包含任意适当的催化剂。粘合剂层包含催化剂时，粘合剂层中的催化剂的含有比率可根据目的而适当设定，相对于主要树脂成分（优选为（甲基）丙烯酸类聚合物）100重量份，为0.01重量份～10重量份。通过使粘合剂层中的催化剂的含有比率处于上述范围内，可以更加有效地显现本发明的效果。

作为这种催化剂，例如可列举出：钛酸四异丙酯、钛酸四正丁酯、辛酸锡、辛酸铅、辛酸钴、辛酸锌、辛酸钙、环烷酸铅、环烷酸钴、二醋酸二丁基锡、二辛酸二丁基锡、二月桂酸二丁基锡、二月桂酸二辛基锡、马来酸二丁基锡等有机金属化合物；丁胺、二丁胺、己胺、叔丁胺、乙二胺、异佛尔酮二胺、咪唑、氢氧化锂、氢氧化钾、甲醇钠等碱性化合物；对甲苯磺酸、三氯醋酸、磷酸、单烷基磷酸、二烷基磷酸、丙烯酸-β-羟基乙酯的磷酸酯、单烷基亚磷酸、二烷基亚磷酸等酸性化合物；等。催化剂可以为仅1种，也可以为2种以上。

为了更加显现本发明的效果，粘合剂层的SP值优选为9.0（cal/cm³）^0.5～12.0（cal/cm³）^0.5，更优选为9.5（cal/cm³）^0.5～11.0（cal/cm³）^0.5。SP值是根据Small公式算出的溶解度参数。SP值的计算可以利用公知的文献（例如，Journal of Applied Chemistry，3，71，1953.等）所记载的方法进行。

在不损害本发明的效果的范围内，粘合剂层可以包含任意适当的添加剂。作为这样的添加剂，例如可列举出：紫外线吸收剂、填充剂、防老剂、增粘剂、颜料、染料、硅烷偶联剂等。

本发明的粘合带也可以在粘合剂层的表面具备剥离衬垫。

作为剥离衬垫，可以采用任意适当的隔离体。作为这种剥离衬垫，例如可列举出：具有利用聚硅氧烷系、长链烷基系、氟系、硫化钼等剥离剂进行过表面处理的塑料薄膜、纸等剥离层的基材；由聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟化乙烯、聚偏氟乙烯、四氟乙烯·六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯·偏氟乙烯共聚物等氟系聚合物形成的低粘接性基材；由烯烃系树脂（例如，聚乙烯、聚丙烯等）等无极性聚合物形成的低粘接性基材；等。

作为在基材上设置粘合剂层的方法，在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的手段。作为这样的手段，优选为通过将形成粘合剂层的涂覆液涂覆到基材上来设置粘合剂层的方法。

在如上所述的利用涂覆的粘合剂层的形成中，涂覆时的涂布不均匀等可能对粘合带的厚度不均匀造成影响。作为用于减轻这种影响的手段之一，将涂覆后所得的粘合带的卷取张力优选设为200N/m以下，更优选设为30N/m～180N/m，进一步优选设为30N/m～160N/m，特别优选设为30N/m～150N/m。卷取张力是指将粘合带卷成卷状时的张力。通过将上述牵引张力调节到上述范围内，能够减轻涂覆时的涂布不均匀等对粘合带的厚度不均匀造成的影响，且本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。

作为用于减轻涂覆时的涂布不均匀等对粘合带的厚度不均匀造成的影响的其他手段之一，将涂覆后所得的粘合带的干燥时的干燥温度优选设为200℃以下，更优选设为180℃以下，进一步优选设为160℃以下。通过将上述干燥温度调节到上述范围内，能够减轻涂覆时的涂布不均匀等对粘合带的厚度不均匀造成的影响，且本发明的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。

作为涂覆方式，在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的涂覆方式。作为这样的涂覆方式，例如可列举出：逆转方式、直接方式、组合有计量辊（metering roll）的各种方式等。为了充分显现本发明的效果，优选的是，在包含溶剂的湿润状态下的涂覆层的厚度不均匀在宽度方向上调节到±20%以内。

<非粘合层>

本发明的粘合带优选在基材的单面具备粘合剂层，在该基材的与该粘合剂层相反的面具备非粘合层。

对这样的非粘合层的组成等没有特别限定，作为其一例，可列举出：聚硅氧烷层、（甲基）丙烯酸类聚合物层、聚硅氧烷层与（甲基）丙烯酸类聚合物层的混合层、接枝聚合有（甲基）丙烯酸类聚合物的聚硅氧烷层等。这些当中，优选聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合层。通过使非粘合层为聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合层，非粘合层与基材（尤其是塑料薄膜）的适应性变得良好，且本发明的粘合带对拉伸等变形的追随性良好。

非粘合层的表面优选具有凹凸结构。通过使非粘合层的表面具有凹凸结构，能够有效地抑制对底座的过度密合。关于该凹凸结构，具体而言，非粘合层的算术平均表面粗糙度Ra优选为0.1μm以上，更优选为0.1μm～3.0μm，进一步优选为0.2μm～2.0μm，特别优选为0.3μm～2.0μm，最优选为0.5μm～2.0μm。通过使非粘合层的算术平均表面粗糙度Ra处于上述范围内，能够抑制在进行利用负压的吸附固定时出现过度密合。其中，非粘合层的算术平均表面粗糙度Ra的测定方法随后进行说明。

非粘合层的利用差示扫描热量测定（DSC测定）的玻璃化转变温度Tg优选为20℃以上，更优选为30℃以上，进一步优选为50℃以上，特别优选为55℃以上。对非粘合层的利用差示扫描热量测定的玻璃化转变温度Tg的上限没有特别限定，从处理性等的观点出发，优选为200℃以下，更优选为170℃以下，进一步优选为150℃以下，特别优选为130℃以下，最优选为100℃以下。非粘合层的利用差示扫描热量测定的玻璃化转变温度Tg若处于上述范围内，则非粘合层的表面的硬度即使在高温下也会适度变高，因此耐热性变高，在利用负压将本发明的粘合带吸附固定在固定用底座上进行切割等的情况下，能够有效地抑制出现因底座的发热等引起的过度密合。其中，非粘合层的利用差示扫描热量测定（DSC测定）的玻璃化转变温度Tg的测定方法随后进行说明。

非粘合层包含（甲基）丙烯酸类聚合物时，非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物的SP值优选为9.0（cal/cm³）^0.5～12.0（cal/cm³）^0.5，更优选为9.5（cal/cm³）^0.5～11.5（cal/cm³）^0.5，进一步优选为9.5（cal/cm³）^0.5～11.0（cal/cm³）^0.5。SP值是根据Small公式算出的溶解度参数。SP值的计算可以利用公知的文献（例如，Journal of Applied Chemistry，3，71，1953.等）所记载的方法来进行。

非粘合层优选具有相分离结构。通过使非粘合层具有相分离结构，可在该非粘合层的表面有效地形成微小的凹凸结构。这大概可推测为：例如以非粘合层为聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合层的情况为例，由于相分离结构生成时的聚硅氧烷、（甲基）丙烯酸类聚合物的物质移动性的差异而生成凹凸。由于该凹凸结构的形成，在本发明的粘合带中，可抑制在进行利用负压的吸附固定时出现过度密合，并且能够有效地抑制卷状的形态中的粘连，在从卷状的形态进行退卷时可抑制断裂或者破损。

非粘合层优选含有包含聚硅氧烷多于（甲基）丙烯酸类聚合物的富聚硅氧烷相和包含（甲基）丙烯酸类聚合物多于聚硅氧烷的富（甲基）丙烯酸类聚合物相。非粘合层更具体而言，优选以互相独立的相分离结构来包含上述富聚硅氧烷相与上述富（甲基）丙烯酸类聚合物相，更优选的是上述富聚硅氧烷相存在于空气界面侧（基材（尤其是塑料薄膜）的相反侧），上述富（甲基）丙烯酸类聚合物相存在于基材（尤其是塑料薄膜）侧。通过具有这样的相分离结构，由于存在于空气界面侧的富聚硅氧烷相，粘连有效地得到抑制，通过存在于基材（尤其是塑料薄膜）侧的富（甲基）丙烯酸类聚合物相，非粘合层与基材（尤其是塑料薄膜）的适应性变良好，变形追随性变得良好。通过将非粘合层中的聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合比如下所述地进行调节，可以形成这样的相分离结构。

非粘合层具有相分离结构的情况、含有如上所述的包含聚硅氧烷多于（甲基）丙烯酸类聚合物的富聚硅氧烷相和包含（甲基）丙烯酸类聚合物多于聚硅氧烷的富（甲基）丙烯酸类聚合物相的情况可以通过任意适当的方法进行观察。作为这样的观察方法，例如可列举出：使用透射型电子显微镜（TEM）、扫描型电子显微镜（SEM）、场发射型扫描型电子显微镜（FE-SEM）等电子显微镜对非粘合层截面进行形态观察的方法。2层分离结构能够通过形态观察图像的深浅来辨识。另外，也可列举出如下方法：利用基于全反射法的红外吸收分光，从非粘合层空气界面侧到内部，一边改变探针光深度，一边观测组成中所含的硅、碳等的含量变化，由此进行观察。另外，还可列举出利用X射线显微分析仪、X射线光电子能谱进行观察的方法。另外，也可以适当地组合这些方法来进行观察。

非粘合层具有存在于空气界面侧（基材（尤其是塑料薄膜）的相反侧）的富聚硅氧烷相和存在于基材（尤其是塑料薄膜）侧的富（甲基）丙烯酸类聚合物相的相分离结构的情况下，在利用负压将该非粘合层吸附固定在固定用底座上进行切割等时，若该固定用底座发热，则由于因该发热引起的热负荷，该相分离结构的表面结构被破坏，尤其是与发热的该固定用底座多有接触的凸部分中的该相分离结构的表面结构被破坏，在该凸部分可能会出现富（甲基）丙烯酸类聚合物相在空气界面侧露出。但是，本发明的粘合带的非粘合层的利用差示扫描热量测定的玻璃化转变温度Tg优选处于上述范围内，因此受到热负荷的凸部分的硬度适度地变高，从而耐热性变高。因此，在利用负压将本发明的粘合带吸附固定在固定用底座上进行切割等时，能够有效地抑制出现因底座的发热等引起的过度密合。

非粘合层为聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合层时，非粘合层中的聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合比以重量比计，优选为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：50～50：1，更优选为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：30～30：1，进一步优选为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：10～10：1，特别优选为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：5～5：1，最优选为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：3～5：1。若非粘合层中的聚硅氧烷的含有比例过大，则与基材（尤其是塑料薄膜）背面的化学亲和性变低，有难以适应基材（尤其是塑料薄膜）背面的担心。另外，若非粘合层中的聚硅氧烷的含有比率过大，则在制成粘合带时，对拉伸等变形的追随性变差，有非粘合层破裂而成为污染的原因的担心。若非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物的含有比率过大，则有非粘合层作为丙烯酸类粘合剂发挥作用的担心，有容易产生粘连的担心。

作为聚硅氧烷，可以采用任意适当的聚硅氧烷。作为这样的聚硅氧烷，例如可列举出：将铂系化合物作为催化剂，使含烯基聚二烷基硅氧烷与聚二烷基氢聚硅氧烷通过加成反应固化形成剥离性皮膜而得到的加成型聚硅氧烷；使用锡系催化剂的、使含羟甲基聚二烷基硅氧烷与聚二烷基氢聚硅氧烷反应而得到的缩合型聚硅氧烷等。作为加成型聚硅氧烷的例子，例如可列举出：Shin-Etsu Silicone Co.,Ltd制造的“KS-776A”、“KS-839L”等。作为缩合型聚硅氧烷的例子，例如可列举出：Shin-Etsu Silicone Co.,Ltd制造的“KS723A/B”。此外，在制造聚硅氧烷时，除了铂系催化剂、锡系催化剂以外，还可以适当地使用其他交联剂、交联促进剂等。另外，作为聚硅氧烷的性状，可分类成：溶解在甲苯等有机溶剂中的类型、将它们乳液化而成的乳液型、仅包含聚硅氧烷的无溶剂型等。另外，除了加成型聚硅氧烷、缩合型聚硅氧烷以外，能够使用聚硅氧烷/丙烯酸接枝聚合物、聚硅氧烷/丙烯酸嵌段聚合物等。作为聚硅氧烷/丙烯酸接枝聚合物，例如可列举出：SYMAC GS-30、GS101、US-270、US-350、US-380（以上为东亚合成株式会社制造）等。作为聚硅氧烷/丙烯酸嵌段聚合物，例如可列举出：MODIPER FS700、FS710、FS720、FS730、FS770（以上为日油株式会社制造）等。

作为（甲基）丙烯酸类聚合物，可以采用任意适当的（甲基）丙烯酸类聚合物。本发明中，“（甲基）丙烯酸”是指“丙烯酸和/或甲基丙烯酸”。

（甲基）丙烯酸类聚合物是由包含（甲基）丙烯酸类单体作为主要单体的单体成分构成的聚合物。构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的（甲基）丙烯酸类单体的含有比率优选为50重量%以上，更优选为70重量%～100重量%，进一步优选为90重量～100重量%，特别优选为95重量%～100重量%。上述单体成分中的单体可以为仅1种，也可以为2种以上。

作为碳数为1～30的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯，例如可列举出：（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸异丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸异丁酯、（甲基）丙烯酸仲丁酯、（甲基）丙烯酸叔丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯（（meth）acrylic acid pentyl）、（甲基）丙烯酸戊酯（（meth）acrylic acidamyl）、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸环己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸异辛酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸异壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸异癸酯、（甲基）丙烯酸十一烷基酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基）丙烯酸十三烷基酯、（甲基）丙烯酸十四烷基酯、（甲基）丙烯酸十五烷基酯、（甲基）丙烯酸十八烷基酯、（甲基）丙烯酸十九烷基酯、（甲基）丙烯酸二十烷基酯、（甲基）丙烯酸月桂酯等碳数为1～30的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯等。这些（甲基）丙烯酸酯当中，优选碳数为2～20的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯，更优选碳数为4～18的烷基（也包括环烷基）的（甲基）丙烯酸烷基酯。

为了充分显现本发明的效果，构成上述（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分可以含有选自含羟基单体、含羧基单体的至少1种。

作为含羟基单体，例如可列举出：烯丙醇等。含羟基单体可以为仅1种，也可以为2种以上。

作为含羧基单体，例如可列举出：（甲基）丙烯酸羧乙酯、（甲基）丙烯酸羧戊酯、巴豆酸、马来酸、富马酸、衣康酸等。含羧基单体可以为仅1种，也可以为2种以上。

非粘合层包含（甲基）丙烯酸类聚合物时，非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物优选的是，构成其的单体成分中的含羟基（甲基）丙烯酸酯的含有比率相对于该含羟基（甲基）丙烯酸酯以外的单体成分的总量，优选为2重量%～30重量%，更优选为3重量%～25重量%，特别优选为5重量%～20重量%。非粘合层包含（甲基）丙烯酸类聚合物时，相对于该含羟基（甲基）丙烯酸酯以外的单体成分的总量，构成非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物的单体成分中的含羟基（甲基）丙烯酸酯的含有比率若处于上述范围内，则在非粘合层的表面更有效地形成微小的凹凸结构，通过该凹凸结构的形成，在本发明的粘合带中，进行利用负压的吸附固定时可以进一步抑制出现过度密合，并且能够更有效地抑制卷状的形态中的粘连，从卷状的形态进行退卷时可以进一步抑制断裂或者破损。

非粘合层包含（甲基）丙烯酸类聚合物时，非粘合层中的（甲基）丙烯酸类聚合物优选的是，在构成其的单体成分中的含羟基（甲基）丙烯酸酯以外的单体成分中能够包含（甲基）丙烯酸和/或（甲基）丙烯酸酯。此时，（甲基）丙烯酸与（甲基）丙烯酸酯的含有比例以重量比计，（甲基）丙烯酸：（甲基）丙烯酸酯优选为0：100～20：80，更优选为0：100～10：90，进一步优选为0：100～5：95。

（甲基）丙烯酸与（甲基）丙烯酸酯的含有比例若处于上述范围内，则在非粘合层的表面更有效地形成微小的凹凸结构，通过该凹凸结构的形成，在本发明的粘合带中，进行利用负压的吸附固定时可以进一步抑制出现过度密合，并且能够更有效地抑制卷状的形态中的粘连，从卷状的形态进行退卷时可以进一步抑制断裂或者破损。

（甲基）丙烯酸类聚合物可以通过任意适当的聚合方法来制造。

在不损害本发明的效果的范围内，非粘合层可以包含任意适当的添加剂。作为这样的添加剂，例如可列举出：催化剂、紫外线吸收剂、填充剂、防老剂、增粘剂、颜料、染料、硅烷偶联剂等。

非粘合层的厚度优选为0.01μm～10μm、更优选为0.1μm～5μm、进一步优选为0.1μm～2μm。非粘合层的厚度低于0.01μm时，变得容易产生粘连。非粘合层的厚度若大于10μm，则有对拉伸等变形的追随性变差的担心。非粘合层的厚度若小于0.01μm，则有本发明的效果难以显现的担心、制造变困难的担心。

作为在基材（尤其是塑料薄膜）的单面形成非粘合层的方法，例如可列举出：通过在基材（尤其是塑料薄膜）的单面涂布非粘合层的材料并进行干燥来形成非粘合层的方法。作为上述涂布的方法，例如可列举出：使用棒涂机、凹版涂布机、旋涂机、辊涂机、刮刀涂布机、涂抹器等的方法。

本发明的粘合带可以用于任意适当的用途。本发明的粘合带如上所述，在利用负压吸附固定在固定用底座上进行切割等时，能够有效地抑制出现因底座的发热等造成的过度密合，另外，可有效地抑制卷状的形态中的粘连，从卷状的形态进行退卷时不会断裂或者破损，该非粘合层与该塑料薄膜的适应性良好，对拉伸等变形的追随性良好。因此，可以适宜地用于以由脆性的材料构成并可具有微细精致的电路图案的半导体晶圆作为被粘物的半导体加工。若将本发明的粘合带用于半导体加工，则在利用负压吸附固定在固定用底座上进行切割等时，能够有效地抑制出现因底座的发热等造成的过度密合，因此，能够使包括切割的半导体制造工序平稳地进行。另外，若将本发明的粘合带用于半导体加工，则不会产生以往由于粘连而产生的薄膜变形、应力应变的蓄积，因此能够准确地追随半导体晶圆的微细精致的电路图案地进行贴合，另外，不会出现贴合于半导体晶圆之后的应力应变的自然释放，因此能够有效地防止半导体晶圆破裂。尤其，由于用于LED的晶圆是由氮化镓、砷化镓、碳化硅等非常脆的材料构成的，因此本发明的粘合带对于用于LED的晶圆的切割（LED切割）等而言是特别适宜的。

实施例

以下，通过实施例来具体说明本发明，但本发明不受这些实施例的任何限定。份是指重量份。另外，以溶液的形式供给的试剂的量用使溶液挥发而残留的固体成分的量（固体成分换算量）来表示。

<平均厚度>

利用1/1000直读式厚度计，以50mm间隔在MD方向测定55点、在TD方向上测定55点的厚度。TD方向的测定如果长度不够，则在MD方向上将位置移动50mm后继续测定并算出值。然后，从共计110点的测定值的最大值中除去5点、从最小值中除去5点，得到100点。然后使用EXCEL的AVERAGE函数算出平均值。

<厚度不均匀的标准偏差σ>

利用1/1000直读式厚度计，以50mm间隔在MD方向测定55点、在TD方向上测定55点的厚度。TD方向的测定如果长度不够，则在MD方向上将位置移动50mm后继续测定并算出值。然后，从共计110点的测定值的最大值中除去5点、从最小值中除去5点，得到100点。然后使用EXCEL的STDEV函数算出厚度不均匀的标准偏差σ。

<MD方向的100%拉伸时的模量与TD方向的100%拉伸时的模量>

按照JIS-K-7127（1999年），利用INSTRON型拉伸试验机（岛津制作所制造、AUTOGRAPH）进行测定。具体而言，以卡盘间距离50mm设置宽度20mm×长度100mm的样品后，以0.3m/分钟的拉伸速度进行拉伸。然后，读取图表，将100%拉伸时（50mm拉伸时）的荷重作为模量。

<切割条件>

装置：商品名“DFD-651”（DISCO公司制造）

刀片：商品名“27HECC”（DISCO公司制造）

刀片转速：40000rpm

切割速度：120mm/sec

切割深度：25μm

切断模式：downcut

切割尺寸：3.0mm×3.0mm

扩展量：10mm

<扩展性>

在23℃、50%RH的气氛下，利用压辊往复2次，将实施例/比较例所得的粘合带贴合到实施了研磨的6英寸半导体晶圆（厚度=30μm）的磨削面上。接着，利用上述切割条件将晶圆切割，然后进行扩展。

测定扩展后的连续相连的20个芯片的偏移，以下述基准进行评价。需要说明的是，将偏离的基准设为20个芯片的中心线。

○：在20个中，1mm以上的偏移为1.0个以下。

×：在20个中，1mm以上的偏移超过1.0个。

<最大伸长率>

对于最大伸长率，按照JIS-K-7127（1999年），利用INSTRON型拉伸试验机（岛津制作所制造、AUTOGRAPH）进行测定。具体而言，以卡盘间距离50mm设置宽度20mm×长度100mm的样品后，以0.3m/分钟的拉伸速度进行拉伸，测定断裂时的值。

<弹性模量>

按照JIS-K-7127（1999年），利用INSTRON型拉伸试验机（岛津制作所制造、AUTOGRAPH）进行测定。具体而言，以卡盘间距离50mm设置宽度20mm×长度100mm的样品后，以0.3m/分钟的拉伸速度进行拉伸，求出初始弹性模量。初始弹性模量设为如下的值：作出断裂伸长率0～2%的区域中的切线，以直线将切线延伸至100%伸长率的值而得到的值，并通过样品的截面积换算进行修正。

<非粘合层的观察>

（利用SEM的观察）

加工成非粘合层截面能够进行观察之后，用透射型电子显微镜（SEM）进行形态观察。

（利用基于全反射法的红外分光测定（ATR-IR）的观察）

使用红外分光光谱仪（Perkinermer制造、Spectrum One），选择全反射测定法，为了改变探针光的分析深度，使用2种全反射测定用棱镜（ZnSe45°、Ge45°），进行非粘合层的ATR-IR测定。

<算术平均表面粗糙度Ra>

使用OLYMPUS制造的共焦激光显微镜“LEXT3000”，用20倍物镜以3D模式进行测定。3D模式的观察范围的确定如下进行：将使透镜上下移动时CF图像（共焦图像）变为全黑的位置分别设定为观察范围的Top和Bottom。

3D模式下的图像获取方法通过Step方式以0.2μm的间距进行图像获取。

算术平均表面粗糙度Ra的测量通过分析模式的粗糙度分析来测量任意位置的Ra。其中，值通过n=5的平均值求出。

<非粘合层的利用差示扫描热量测定（DSC测定）的玻璃化转变温度Tg的测定>

用Feather刀片收集非粘合层，在DSC的固体测定用的盘中封入3mg左右。

将盘投入TA INSTRUMENT制造的高灵敏度差示扫描热量计Q2000，以升温速度2℃/min从0℃升温至200℃。

另外在同样条件下冷却，进一步进行升温。求出连结第二次运行的转变区域以下的直线部分的外插与转变区域以上的直线部分的外插的中点所得的直线与测定曲线的交点，将其作为玻璃化转变温度Tg。

〔实施例1〕

（基材）

利用压延法制造相对于聚合度P=1050的聚氯乙烯100重量份包含DOP增塑剂（邻苯二甲酸双（2-乙基己酯）、J-PLUS Co.,Ltd制）27重量份的软质聚氯乙烯薄膜。具体而言，使制膜时的最终料垄的混合物温度的不均匀为±3%，将最后3根辊的温度差设定为±10%以内，利用倒L型的压延进行制膜。所得的软质聚氯乙烯薄膜（1A）的厚度为70μm，按照JIS-K-7127（1999年）测定的弹性模量（MD）为485MPa、按照JIS-K-7127（1999年）测定的最大伸长率（MD）为300%。

（非粘合层）

将聚硅氧烷树脂（KS-723A、信越化学工业制造）60重量份、聚硅氧烷树脂（KS-723B、信越化学工业制）40重量份、丙烯酸类共聚物（甲基丙烯酸甲酯（MMA）/丙烯酸丁酯（BA）/丙烯酸羟基乙酯（HEA）=60/30/10）50重量份、锡系催化剂（Cat-PS3、信越化学工业制造）10重量份以溶液状态进行混合，得到混合溶液。混合溶液（1B）中的聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合比以重量比计为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=2：1。

在软质聚氯乙烯薄膜（1A）的单面涂布上述混合溶液，以将干燥温度保持在160℃以下的状态进行干燥，形成厚度1.0μm的非粘合层（1B）。

另外，利用SEM观察非粘合层（1B）时，如图3、图4、图5所示，根据形态观察图像的深浅，能够确认在空气界面侧与塑料薄膜侧的组成不同，形成了含有包含聚硅氧烷多于（甲基）丙烯酸类聚合物的富聚硅氧烷相和包含（甲基）丙烯酸类聚合物多于聚硅氧烷的富（甲基）丙烯酸类聚合物相、且富聚硅氧烷相与富（甲基）丙烯酸类聚合物相互相独立的相分离结构，观察到富聚硅氧烷相存在于空气界面侧（塑料薄膜的相反侧），富（甲基）丙烯酸类聚合物相存在于塑料薄膜侧。

进而，对非粘合层（1B）进行基于全反射法的红外分光测定（ATR-IR）时，测定来自Si-CH₃的800cm^-1附近的峰相对于（甲基）丙烯酸类聚合物相中的羰基来源的1725cm^-1附近的峰的吸光度比，结果，可知与ZnSe45°相比，使用Ge45°的棱镜时，800cm^-1附近的峰变大。因此，可知与基材侧相比，硅的含有率在空气界面侧更高。

另外，在非粘合层（1B）中富聚硅氧烷相存在于空气界面侧（塑料薄膜的相反侧）也能在FT-IR中确认。基于FT-IR的测定使用Perkinermer制造的“Spectrum One”，通过分析深度方向不同的2种棱镜（ZnSe45°、Ge45°）用ATR法测定空气界面侧。确认所得的图表时，能够确认到：在使用分析深度方向浅的Ge45°的棱镜时，相对于归属于来自非粘合层的（甲基）丙烯酸类聚合物的C=O的1720cm^-1～1730cm^-1的峰的、来自Si-CH₃的800cm^-1附近的峰的吸光度比变大。由此，可证明聚硅氧烷的浓度在空气界面侧变得更高。

将这些观察结果、以及表面自由能最小化的原理考虑在内，可知在非粘合层中形成了在空气界面侧具有富聚硅氧烷相的2层结构。

（粘合剂层）

制备包含由丙烯酸丁酯（BA）/丙烯腈（AN）/丙烯酸（AA）=85/15/2.5（重量比）构成的丙烯酸类共聚物100重量份、三聚氰胺系交联剂（丁醇改性三聚氰胺甲醛树脂、“SuperBeckamine J-820-60N”、日本聚氨酯制造）10重量份、DOP增塑剂（邻苯二甲酸双（2-乙基己酯）、J-PLUS Co.,Ltd制）60重量份的粘合剂的甲苯溶液。

将该粘合剂溶液涂布在软质聚氯乙烯薄膜（1A）的与非粘合层（1B）相反侧的面，然后以将干燥温度保持在160℃以下的状态进行干燥，在软质聚氯乙烯薄膜（1A）的与非粘合层（1B）相反侧的面形成厚度10μm的粘合剂层（1C）。

（粘合带）

如上所述地操作，构成非粘合层（1B）/软质聚氯乙烯薄膜（1A）/粘合剂层（1C）的层叠结构，以牵引张力100N/m进行卷取，制造粘合带（1）。

结果一并示于表1。

〔实施例2〕

除了以牵引张力150N/m进行卷取以外，与实施例1同样地进行，制造粘合带（2）。

结果一并示于表1。

〔实施例3〕

（基材）

利用压延法制造相对于聚合度P=1050的聚氯乙烯100重量份包含DOP增塑剂（邻苯二甲酸双（2-乙基己酯）、J-PLUS Co.,Ltd制）27重量份的软质聚氯乙烯薄膜。具体而言，使制膜时的最终料垄的混合物温度的不均匀为±4.5%，将最后3根辊的温度差设定为±15%以内，利用倒L型的压延进行制膜。所得的软质聚氯乙烯薄膜（3A）的厚度为70μm，按照JIS-K-7127（1999年）测定的弹性模量（MD）为501MPa、按照JIS-K-7127（1999年）测定的最大伸长率（MD）为480%。

（非粘合层）

与实施例1同样地进行，在软质聚氯乙烯薄膜（3A）的单面形成厚度1.0μm的非粘合层（3B）。

（粘合剂层）

与实施例1同样地进行，在软质聚氯乙烯薄膜（3A）的与非粘合层（3B）相反侧的面形成厚度10μm的粘合剂层（3C）。

（粘合带）

如上所述地操作，构成非粘合层（3B）/软质聚氯乙烯薄膜（3A）/粘合剂层（3C）的层叠结构，以牵引张力150N/m进行卷取，制造粘合带（3）。

结果一并示于表1。

〔比较例1〕

（基材）

利用压延法制造相对于聚合度P=1050的聚氯乙烯100重量份包含DOP增塑剂（邻苯二甲酸双（2-乙基己酯）、J-PLUS Co.,Ltd制）27重量份的软质聚氯乙烯薄膜。具体而言，使制膜时的最终料垄的混合物温度的不均匀为±10%，将最后3根辊的温度差设定为±20%以内，利用倒L型的压延进行制膜。所得的软质聚氯乙烯薄膜（C1A）的厚度为80μm，按照JIS-K-7127（1999年）测定的弹性模量（MD）为450MPa、按照JIS-K-7127（1999年）测定的最大伸长率（MD）为530%。

（非粘合层）

与实施例1同样地进行，在软质聚氯乙烯薄膜（C1A）的单面形成厚度1.0μm的非粘合层（C1B）。形成时的干燥温度保持为170℃以下。

（粘合剂层）

与实施例1同样地进行，在软质聚氯乙烯薄膜（C1A）的与非粘合层（C1B）相反侧的面形成厚度10μm的粘合剂层（C1C）。形成时的干燥温度保持为170℃以下。

（粘合带）

如上所述地操作，构成非粘合层（C1B）/软质聚氯乙烯薄膜（C1A）/粘合剂层（C1C）的层叠结构，以牵引张力250N/m进行卷取，制造粘合带（C1）。

结果一并示于表1。

〔比较例2〕

（基材）

利用压延法制造相对于聚合度P=1050的聚氯乙烯100重量份包含DOP增塑剂（邻苯二甲酸双（2-乙基己酯）、J-PLUS Co.,Ltd制）27重量份的软质聚氯乙烯薄膜。具体而言，使制膜时的最终料垄的混合物温度的不均匀为±10%，将最后3根辊的温度差设定为±10%以内，利用倒L型的压延进行制膜。所得的软质聚氯乙烯薄膜（C2A）的厚度为77μm，按照JIS-K-7127（1999年）测定的弹性模量（MD）为450MPa、按照JIS-K-7127（1999年）测定的最大伸长率（MD）为520%。

（非粘合层）

与实施例1同样地进行，在软质聚氯乙烯薄膜（C2A）的单面形成厚度1.0μm的粘合剂层（C2B）。形成时的干燥温度保持为170℃以下。

（粘合剂层）

与实施例1同样地进行，在软质聚氯乙烯薄膜（C2A）的与非粘合层（C2B）相反侧的面形成厚度10μm的粘合剂层（C2C）。形成时的干燥温度保持为170℃以下。

（粘合带）

如上所述地操作，构成非粘合层（C2B）/软质聚氯乙烯薄膜（C2A）/粘合剂层（C2C）的层叠结构，以牵引张力150N/m进行卷取，制造粘合带（C2）。

结果一并示于表1。

[表1]

产业上的可利用性

本发明的粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ小，对抗扩展、销顶起的应力在该带面内为均匀。因此，能够准确地追随并贴合于半导体晶圆的微细精致的电路图案，另外，不会出现贴合于半导体晶圆之后的应力应变的自然释放，因此能够有效地防止半导体晶圆破裂。尤其，由于用于LED的晶圆是由氮化镓、砷化镓、碳化硅等非常脆的材料构成的，因此本发明的粘合带特别适合于LED切割等。

Claims

1.一种粘合带的制造方法，

所述粘合带为在基材的至少一个面上具备粘合剂层的粘合带，

该基材通过压延成型制造，

在该压延成型中，最终料垄的混合物温度的不均匀控制在±5％以内，

该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。

2.根据权利要求1所述的粘合带的制造方法，其中，所述粘合带的平均厚度为20μm～120μm。

3.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，所述粘合带的MD方向的100％拉伸时的模量与TD方向的100％拉伸时的模量之比、即MD方向100％模量/TD方向100％模量为0.5～1.9。

4.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，所述基材的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。

5.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，所述基材的平均厚度为20μm～120μm。

6.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，所述基材的按照JIS-K-7127(1999年)测定的最大伸长率为100％以上。

7.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，所述基材为塑料薄膜。

8.根据权利要求7所述的粘合带的制造方法，其中，所述塑料薄膜包含选自聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的至少1种。

9.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，在所述基材的单面具备所述粘合剂层，在该基材的与该粘合剂层相反的面具备非粘合层。

10.根据权利要求9所述的粘合带的制造方法，其中，所述非粘合层为聚硅氧烷和(甲基)丙烯酸类聚合物的混合层。

11.根据权利要求10所述的粘合带的制造方法，其中，所述非粘合层中的聚硅氧烷与(甲基)丙烯酸类聚合物的混合比以重量比计为聚硅氧烷：(甲基)丙烯酸类聚合物＝1：50～50：1。

12.根据权利要求9所述的粘合带的制造方法，其中，所述非粘合层具有相分离结构。

13.根据权利要求9所述的粘合带的制造方法，其中，所述非粘合层的厚度为0.01μm～10μm。

14.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，所述粘合剂层包含至少1种(甲基)丙烯酸类聚合物。

15.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，在所述粘合剂层的表面具备剥离衬垫。

16.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其是用于半导体加工的粘合带的制造方法。

17.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其是用于LED切割用途的粘合带的制造方法。