CN102093827A

CN102093827A - 再剥离性粘合片

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Publication number: CN102093827A
Application number: CN2010105200311A
Authority: CN
Inventors: 土生刚志; 浅井文辉; 新谷寿朗; 佐佐木贵俊; 水野浩二
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2009-10-23
Filing date: 2010-10-22
Publication date: 2011-06-15
Anticipated expiration: 2030-10-22
Also published as: CN102093827B; US20110097576A1; TW201120181A; JP5313837B2; JP2011091220A; TWI491701B

Abstract

本发明的目的是提供一种再剥离性粘合片，其能够降低晶片的翘曲、破裂、边缘的缺口，并能够降低针对温度变化的粘合力的上升和/或再剥离时的被粘物的污染，可容易地剥离。该粘合片具备基材和层叠在该基材表面上的粘合剂层，是半导体晶片背面磨削用的再剥离性粘合片，该粘合片的弹性模量为10³MPa以上，在60℃下加热10分钟后的加热收缩率为1％以下，并且粘合剂层设定为一定的厚度，使得在前述粘合片的三点弯曲试验中，在自该粘合剂层侧的30μm压入量下，最大点应力为200g/cm以下。

Description

再剥离性粘合片

技术领域

本发明涉及再剥离性粘合片，更详细而言，涉及半导体制造工艺中使用的再剥离性粘合片。

背景技术

近年来，随着各种电子器件的小型化、IC卡的普及，半导体晶片例如需要形成约50μm以下的薄膜。另外，为了提高生产率而研究晶片的进一步大口径化。

通常，在半导体晶片的制造中，在晶片的表面上形成电路图案后，用研磨机等磨削晶片背面来调整至规定的厚度。此时，通常为了保护晶片表面而将粘合片贴附到晶片表面上，进行背面磨削。另外，晶片磨削之后，有时以晶片表面贴合有粘合片的状态运送到下一工序。

然而，磨削后的晶片容易产生翘曲。尤其，在常用的直径8英寸或12英寸的大型晶片、IC卡用的薄型晶片中，翘曲的问题严重。另外，产生了翘曲的晶片在运送中或者在粘合片剥离中容易破裂。

一般，在磨削刚结束后的贴合有粘合片的状态下，晶片的翘曲比剥离粘合片之后的晶片的翘曲大。即，据认为，将贴合有粘合片的晶片磨削至极薄时，粘合片的残留应力大于晶片的强度，由要抵消该残留应力的力引起晶片产生翘曲。

因此，提出了将构成粘合片的基材薄膜的拉伸模量设定为0.6GPa以上来降低该残留应力的方法(例如专利文献1)。

另外，提出了在拉伸试验中在伸长率10％下拉伸1分钟后的应力松弛率为40％以上的粘合片(例如专利文献2)。

然而，在将半导体晶片磨削至极薄时或者在磨削大口径晶片时，这些粘合片的各种特性对于抑制磨削后的晶片的翘曲来说未必是最适宜的。

另外，随着近年来的晶片的极薄化，容易产生由磨削时的应力引起的晶片破裂、晶片边缘部的缺口。

因此，提出了在磨削加工和切割后的拾取时具有不使半导体晶片破损的程度的低粘合力、可容易地剥离的粘合片(例如专利文献3)。

根据该粘合片，一方面具有可容易地剥离的粘合力，另一方面在磨削加工中没有磨削水浸入，确保了必要的粘合力，同时，在粘合片剥离后可抑制在晶片表面和背面上留有残胶。

此外，近年来，为了实现半导体封装的高密度化、小型化、高功能化而开发将芯片堆叠的技术，但极薄化的晶片的芯片间的厚度偏差被视为问题。这一芯片间的厚度偏差是由晶片磨削时保护图案的粘合片的厚度偏差在磨削后原样转印造成的，粘合片的厚度精度成为一大问题。

另外，装置制造商为了提高极薄晶片的处理性，逐步采用在线完成从晶片磨削工序至固定到切割胶带上的工序、此后将晶片面的粘合片剥离的技术，即，使用切割胶带与芯片贴装薄膜(Die Attach Film，DAF)一体化的2合1DAF方式的技术。在该方式中，在将晶片固定到2合1DAF上进行加工时，例如，由于有的会加热到接近100℃，因此希望加热后不产生粘合片收缩而晶片翘曲，考虑到此后的粘合片的剥离，希望加热后的粘合力不上升。

另外，目前最受关注的粘合片是放射线固化型粘合片，利用放射线照射将粘合剂层固化时，产生强烈的臭气，有时对作业者的健康卫生方面产生不良影响。另外，虽然剥离后的晶片的非污染性比较良好，但随着半导体封装的进一步小型化等，需要极力抑制由粘合剂层的残胶导致的微米级或亚微米级的污染、确保半导体集成电路的长期的可靠性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-212524号公报

专利文献2：日本专利第3383227号

专利文献3：日本专利第3862489号

发明内容

发明要解决的问题

本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的是提供一种再剥离性粘合片，其能够降低晶片的翘曲、破裂、边缘的缺口，且能够降低针对温度变化的粘合力上升和/或再剥离时的被粘物的污染，可容易地剥离。

用于解决问题的方案

本发明的再剥离性粘合片，其特征在于，其具备基材和层叠在该基材表面上的粘合剂层，是半导体晶片背面磨削用的再剥离性粘合片，

该再剥离性粘合片的弹性模量为10³MPa以上，在60℃下加热10分钟后的加热收缩率为1％以下，并且

粘合剂层设定为一定的厚度，使得在前述再剥离性粘合片的三点弯曲试验中，在自该粘合剂层侧的30μm压入量下，最大点应力为200g/cm以下。

在这种再剥离性粘合片中，优选的是，粘合剂层包含重均分子量10⁵以下的分子量成分的含量为10重量％以下的丙烯酸系聚合物，

将前述再剥离性粘合片贴合到铝蒸镀晶片上并在40℃下放置1天后剥离时，在该晶片上，再剥离性粘合片的有机物转印量为14.05atomic％以下。

另外，优选的是，粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，

相对于Si晶片或PI涂层晶片，再剥离性粘合片的粘合力在40℃下为1.0N/20mm以下。

优选的是，粘合剂层包含使90重量％以上比例的丙烯酸丁酯和5重量％以下比例的丙烯酸单体共聚而获得的丙烯酸系聚合物。

粘合剂层优选具有40μm以上的厚度。

发明的效果

根据本发明，可以提供一种再剥离性粘合片，其能够有效地降低晶片的翘曲、破裂、边缘的缺口，且能够有效降低针对温度变化的粘合力上升和/或再剥离时被粘物的污染，可容易地剥离。

具体实施方式

本发明的再剥离性粘合片(以下有时简记为“粘合片”)主要包括基材和粘接剂层来构成。

本发明的再剥离性粘合片在半导体器件制造中使用，是可再剥离的，例如，可以作为半导体晶片等的固定用粘合片、半导体等的保护/掩蔽用粘合片使用。具体而言，可以用作硅半导体背面磨削用粘合片、化合物半导体背面磨削用粘合片、硅半导体切割用粘合片、化合物半导体切割用粘合片、半导体封装切割用粘合片、玻璃切割用粘合片、陶瓷切割用粘合片、半导体电路的保护用途等，尤其可以有效地在磨削半导体晶片背面时，例如将半导体晶片磨削至极薄时和/或磨削大口径晶片时利用。这样，在粘合片的使用时或使用结束时，可以广泛应用于伴有粘合片剥离的各种物品、部件的制造和加工，各种制造装置中的异物等的除去，免受由切割时的切削液导致的腐蚀(锈)、切削屑等的表面保护、掩蔽等。

通过如此使用本发明的再剥离性粘合片，即使在将半导体晶片磨削至极薄和/或磨削大孔径晶片时，通过构成粘合片的基材的刚性，也不会发生半导体晶片的翘曲，可以使磨削时的应力分散性变得优异。另外，可以有效地抑制晶片的破裂、晶片边缘的缺口等。此外，可以改善磨削后的厚度精度。而且，即使在2合1DAF方式中，也可以抑制加热固化工序中粘合剂的粘合力上升。另外，加工后的再剥离时，可以在不污染被粘物的情况下而容易地剥离。

作为基材，只要具有所谓的刚性即可。作为刚性的一个指标，例如可举出弹性模量。

对于本发明的再剥离性粘合片，就粘合片自身而言，弹性模量为10³MPa以上，更优选为2000MPa以上，进一步优选为3000MPa以上且10000MPa以下，且将粘合片在60℃下加热10分钟之后，加热收缩率为1％以下，更优选为0.5％以下，进一步优选为0.2％以下。这是由于，通过具有这种特性，可以有利地发挥上述效果。

因此，为了确保这种粘合片自身的上述特性，作为基材，优选具有以下弹性模量和加热收缩率。

弹性模量例如适宜为1000MPa以上，更优选为2000MPa以上，进一步优选为3000MPa以上且10000MPa以下。通过设定为该范围，可以抑制翘曲，且可稳定地剥离。

弹性模量通常可表示为通过在实施例中所述的求出初始弹性模量的方法来测定的值。

另外，考虑到磨削后对DAF的加热工序，适宜为加热收缩率小，即非收缩性的物质。具体而言，将基材在60℃下加热10分钟之后，加热收缩率适宜为1％以下，更优选为0.5％以下，进一步优选为0.2％以下。通过设定为该范围，即使在DAF贴附时的加热工序之后也能抑制晶片的翘曲，可不对晶片施加应力地剥离粘合片。加热收缩率通常可以表示为通过实施例中所述的方法来测定的值。

基材例如可列举出由选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯系树脂，聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃系树脂，聚酰亚胺系树脂，聚酰胺系树脂，聚氨酯系树脂，聚苯乙烯等苯乙烯系树脂，聚偏二氯乙烯，聚氯乙烯等中的一种或两种以上的树脂形成的薄膜或薄片。其中，从粘接剂和/或下述粘合剂的涂布操作性等优异的观点来看，由聚酯系树脂、聚酰亚胺系树脂等形成的薄膜或薄片是优选的。构成基材的材料可以单独使用或者将两种以上组合使用。

在如下所述使用能量射线固化型粘合剂作为本发明的粘合片的粘合剂层时，由于从基材侧照射能量射线，因此基材适宜由能透过规定量以上的能量射线的材料(例如具有透明性的树脂等)构成。

基材可以是对其单面或两面进行了电晕处理等表面处理的物质。

基材的膜厚可以在不损害处理性的范围内适宜调整。例如，适宜为50～300μm左右，优选为70～200μm左右。通过设定为该范围，可以适度地调整基材的刚性，与下述粘合剂层的特性互相结合，可以在磨削时发挥适当的应力分散性。

本发明的粘合片中的粘合剂层适宜为再剥离性的粘合剂层，其具有可贴合到被粘物上的粘合性，在其完成规定的作用之后，能够用某种方法(例如减粘处理)使粘合性降低或消失。

这种再剥离性的粘合剂层可以利用与公知的再剥离性粘合片的粘合剂层相同的粘合剂层。

例如，包含丙烯酸系聚合物的粘合剂层是适宜的。这里所述的“包含”是指作为粘合剂的基础聚合物包含粘合剂总重量的50重量％以上，优选为60重量％以上，进一步优选为70重量％以上。

作为丙烯酸系聚合物的原料使用的单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯等(甲基)丙烯酸C₁～C₁₈烷基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯等。

丙烯酸系聚合物可列举出这些单体的均聚物或共聚物，这些单体、例如(甲基)丙烯酸烷基酯与其他共聚性单体的共聚物等。

另外，这些单体可以单独使用或者将两种以上组合使用。

作为其他共聚性单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸、巴豆酸、衣康酸、富马酸、马来酸、马来酸酐等含羧基或酸酐基的单体，(甲基)丙烯酸2-羟乙酯等含羟基的单体，(甲基)丙烯酸吗啉等含氨基的单体，(甲基)丙烯酰胺等含酰胺基的单体等。

其中，(甲基)丙烯酸是优选的，丙烯酸是更优选的。这种单体对于在聚合物中产生交联键是有效的。

另外，作为其他共聚性单体，可以使用醋酸乙烯酯等乙烯基酯类，苯乙烯等苯乙烯系单体，丙烯腈等含氰基的单体，环状或非环状的(甲基)丙烯酰胺类等作为丙烯酸系压敏性粘接剂的改性用单体而已知的各种单体。

相对于包含丙烯酸系单体的单体的总重量，其他共聚性单体优选为50重量％以下。

尤其，作为丙烯酸系聚合物，优选为使90重量％以上比例的丙烯酸丁酯和5重量％以下比例的丙烯酸单体共聚而获得的丙烯酸系聚合物。

用于获得丙烯酸系聚合物的聚合反应可以使用分解生成自由基的引发剂来进行，可以利用用于自由基聚合的引发剂。

作为这种引发剂，尤其在40～100℃左右进行聚合时，可以利用过氧化二苯甲酰、二叔丁基过氧化物、氢过氧化枯烯、月桂基过氧化物等有机过氧化物，2，2’-偶氮二异丁腈、偶氮双异戊腈等偶氮系化合物等。

另外，在20～40℃左右进行聚合时，也可以使用过氧化二苯甲酰、二甲基苯胺等二元引发剂(氧化还原引发剂)等。

引发剂的用量为通常用于使丙烯酸系单体聚合的量即可。例如，相对于100重量份单体，引发剂的用量适宜为0.005～10重量份左右，优选为0.1～5重量份左右。

在构成本发明的粘合片的粘合剂层中，相对于构成粘合剂的全部基础聚合物，重均分子量10⁵以下的分子量成分(低分子量成分)的含量适宜为10重量％以下。尤其，相对于粘合剂中的基础聚合物的丙烯酸系聚合物，该低分子量成分的含量适宜为10重量％以下。这样，在粘合剂的基础聚合物中，通过减少低分子量成分，可以提高内聚力和粘接力，尤其，可以显著减低对被粘物的污染性。另外，聚合物的重均分子量和聚合物中的10⁵以下的分子量成分的含有率可以通过凝胶渗透色谱法(GPC法)来求出。

换言之，通过使用上述低分子量成分的含量为10重量％以下的丙烯酸系聚合物，可以减少由此获得的粘合片在再剥离时的污染物，即有机物转印量。例如，将粘合片贴合到铝蒸镀晶片上并在40℃下放置一天后剥离时，在该晶片上，可以将有机物转印量控制在约14.05atomic％以下，更优选为约13atomic％以下、约12.8atomic％以下。

另外，从其他观点来看，不论是否是上述这种低分子量含量被规定的丙烯酸系聚合物(优选为低分子量的含量为10重量％以下的丙烯酸系聚合物)，相对于Si(硅)晶片或PI(聚酰亚胺)涂层晶片，所得粘合片的粘合力适宜在40℃下为约1.0N/20mm以下，优选为约0.8N/20mm以下、约0.6N/mm以下。形成有图案的晶片大多在表层上涂布PI作为绝缘膜来进行保护，在这种情况下，也需要可以稳定地剥离。通过设定为这种范围的粘合力，在制造工序中，即使是磨削至极薄的晶片，也可以稳定地剥离。

这种聚合物例如可以通过使用液态二氧化碳或超临界状态的二氧化碳作为稀释剂，在该稀释剂中使单体聚合来获得。

相对于100重量份全部单体成分，作为稀释剂使用的二氧化碳的用量例如适宜为5～2000重量份，优选为20～900重量份。

聚合可以在例如调整至5.73～40MPa左右的压力的二氧化碳中，在例如20～100℃左右的温度下，通常进行1～30小时左右，优选为10小时左右。聚合的温度和压力可以根据需要按多阶段来变更。

在使用二氧化碳作为稀释剂时，通过其稀释效果，即使在聚合中，该体系也能始终保持低粘度，搅拌效率良好。此外，由于不引起自由基链转移，与现有的在有机溶剂中合成的聚合物相比，可以获得低分子量成分少的、高分子量的聚合物。

稀释剂通常仅为二氧化碳即足够，根据需要，可以为了改善混合性等而含有少量的有机溶剂。

上述低分子量成分的含量为10重量％以下的聚合物也可以如下获得：根据单体的种类，适宜设定引发剂的种类、量、聚合温度、聚合时间等聚合条件，从而例如以甲苯、醋酸乙酯等有机溶剂为稀释剂，在该稀释剂中使单体溶液聚合。该溶液聚合例如可以在设有冷却管、氮气导入管、温度计、搅拌装置等的反应容器中进行。相对于100重量份全部单体成分，有机溶剂的用量例如适宜为5～2000重量份左右，优选为20～900重量份左右。

另外，低分子量成分的含量为10重量％以下的聚合物可以通过在水分散体系中对单体进行乳液聚合来获得。对乳液聚合的方法没有特别限定，可以采用将在水中乳化分散的单体混合物一起添加来进行聚合的方法、滴加法等，根据目的或用途，可以使用任意方法。

对用于乳液聚合的乳化剂没有特别限定，例如，可列举出非离子系表面活性剂和/或阴离子系表面活性剂。乳化剂可以单独使用或者将两种以上组合使用。

作为非离子表面活性剂，可列举出聚氧亚乙基烷基醚、聚氧亚乙基烷基苯基醚、聚氧亚乙基-聚氧亚丙基嵌段共聚物、脱水山梨醇脂肪酸酯、聚氧亚乙基脂肪酸酯等。

作为阴离子表面活性剂，可列举出烷基硫酸酯、烷基苯磺酸盐、烷基磺基琥珀酸盐、聚氧亚乙基烷基硫酸盐、聚氧亚乙基烷基磷酸酯等。

乳化剂的用量可以根据要求的粒子体系等进行适宜调整。例如，在单独使用非离子系表面活性剂或阴离子系表面活性剂时，一般，相对于100重量份全部单体成分，乳化剂的用量适宜为0.3～30重量份左右。在组合使用非离子系表面活性剂和阴离子系表面活性剂时，一般，相对于100重量份全部单体成分，非离子系表面活性剂为0.2～20重量份左右，阴离子系表面活性剂为0.1～10重量份左右。

通过上述方法合成的聚合物可以直接作为粘合剂的基础聚合物使用，而通常，为了提高粘合剂的内聚力，适宜配合交联剂。

丙烯酸系粘合剂的交联结构化可以如下实现：在合成丙烯酸系聚合物时添加作为内部交联剂的多官能(甲基)丙烯酸酯等，或者在合成丙烯酸系聚合物之后添加作为外部交联剂的多官能的环氧系化合物、异氰酸酯系化合物等。另外，可以实施利用放射线照射的交联处理。其中，作为形成交联结构的方法，优选配合多官能环氧系化合物、多官能异氰酸酯系化合物作为外部交联剂。在这里，多官能是指2官能以上。

多官能环氧化合物包括在分子中具有2个以上环氧基的各种化合物。例如可列举出山梨醇四缩水甘油醚、三羟甲基丙烷缩水甘油醚、四缩水甘油基-1，3-双氨基甲基环己烷、四缩水甘油基-间苯二甲胺、三缩水甘油基-对氨基苯酚等。

作为多官能异氰酸酯化合物，例如可列举出二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等。

这些交联剂可以单独使用或者将两种以上组合使用。用量可以根据丙烯酸系聚合物的组成、分子量等进行适宜调整。此时，为了促进反应，可以使用通常用于粘合剂的月桂酸二丁基锡等交联催化剂。

粘合剂层的厚度可以根据所使用的粘合剂的种类进行适宜调整，适宜设定为一定的厚度，使得在基材上形成有粘合剂层的粘合片的三点弯曲试验中，在自粘合剂层侧的30μm压入量下，最大点应力为约200g/cm以下。优选为约180g/cm以下，更优选为约160g/cm以下。

具体而言，在使用上述基材时，可举出约40μm以上，更优选为约40～60μm。

本发明的粘合片可以在基材的一面至少具有1层上述粘合剂层，也可以在基材的两面具有上述粘合剂层。另外，粘合剂层可以是单层或层叠结构的任何一种。为了保护粘合剂层，优选在使用时之前在粘合剂层上层叠剥离薄膜。另外，对粘合片的形态没有限定，可以是薄片状、带状等的任何一种形态。

制造本发明的粘合片时，粘合剂层例如可以由含有二氧化碳的高压状态通过塑模等的口放出至大气压下进行薄膜化来形成。另外，也可以将回到大气压下之后采集的聚合物根据需要再溶解在甲苯、醋酸乙酯等有机溶剂中，通过辊涂机等公知的涂布法直接涂布到基材上，形成薄膜。另外，还可以利用涂布于适当的剥离衬垫(分隔件)上来形成粘合剂层，将该粘合剂层转印(转移)到基材上的方法等。通过转印来形成粘合剂层时，在转印到基材上之后，通过用高压釜处理等实施加热加压处理，可以扩散和消除在基材与粘合剂层的界面上产生的空隙(void)。

另外，通过溶液聚合、乳液聚合等制造聚合物时，可以用公知的方法将所得聚合物溶液或聚合物的水分散液涂布到基材或分隔件等上，从而形成粘合剂层。

这样形成的粘合剂层可以根据需要通过干燥工序、该工序后的光照射、电子射线照射工序等来进行交联处理。

本发明的粘合片通过适宜组合上述基材和粘合剂层等，例如可以将半导体晶片磨削后的晶片翘曲量控制在最小限度。例如，取决于其大小，如果是直径8英寸或12英寸左右的晶片，则可以将翘曲量减小至约10mm以下，进一步为约8mm以下。

另外，可以将半导体晶片的面内厚度的上下限值之差TTV控制在最小限度。例如，取决于其大小，如果是直径8英寸或12英寸左右的晶片，则可以将TTV降低至约6.0、5.8、5.5、5.4、5.2μm以下，进一步为约5μm以下。

以下基于实施例来详细说明本发明的再剥离性粘合片。

在实施例和比较例中，如果没有特别规定，份和％为重量基准。

实施例1

将100份丙烯酸正丁酯、3份丙烯酸、0.1份2，2’-偶氮二异丁腈在25℃的状态下以整体为200g的方式配合、投入到内容量500ml的烧瓶内。持续约1小时一边将氮气引入到烧瓶中，一边进行搅拌，用氮气置换内部的空气。此后，将容器加热，使内部温度上升至60℃，在该状态下保持约6小时进行聚合，获得聚合物溶液。

在100g所得聚合物溶液中添加2g多异氰酸酯化合物(日本聚氨酯工业公司制造：CORONATE L)、0.5g多官能环氧化合物(三菱瓦斯化学制造：TETRAD C)，用醋酸乙酯稀释，搅拌至均匀，获得粘合剂溶液。

将所得粘合剂溶液涂布到作为基材的聚酯薄膜(PET，50μm厚)上，用干燥烘箱分别在70℃和130℃下干燥3分钟，形成厚度为50μm的粘合剂层，制得再剥离性的粘合片。

实施例2

除了使用聚酰亚胺薄膜(PI，50μm厚)代替聚酯薄膜作为基材以外，与实施例1同样地制得粘合片。

实施例3

除了使用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN，50μm厚)代替聚酯薄膜作为基材以外，与实施例1同样地制得粘合片。

比较例1

除了将粘合剂层厚度从50μm变更为20μm以外，与实施例1同样地制得粘合片。

比较例2

用乙烯-醋酸乙烯酯共聚物薄膜(EVA，115μm厚)代替聚酯薄膜作为基材，且将粘合剂层厚度从50μm变更为40μm，除此以外，与实施例1同样地制得粘合片。

比较例3

将77份丙烯酸2-乙基己酯、20份N-丙烯酰基吗啉、3份丙烯酸、0.2份2，2’-偶氮二异丁腈在25℃的状态下以整体为200g的方式配合、投入到内容量500ml的烧瓶内。一边用搅拌叶片进行搅拌，一边缓慢地流入高纯度二氧化碳，暂时保持2MPa的压力。数秒钟之后，从排出口排出二氧化碳，用二氧化碳置换高压罐中残留的空气。在该操作之后，同样地，在25℃的状态下投入高纯度二氧化碳，暂时保持7MPa的压力。此后，将容器加热，使内部温度上升至60℃。在温度到达60℃时，再一次投入高纯度二氧化碳，将内部压力调节至20MPa。在该状态下保持约12小时进行聚合，回到大气压下，获得聚合物溶液。

在100g所得聚合物溶液中添加1.5g多异氰酸酯化合物(日本聚氨酯工业公司制造：CORONATE L)、2g多官能环氧化合物(三菱瓦斯化学制造：TETRAD C)，用醋酸乙酯稀释，搅拌至均匀，获得粘合剂溶液。

将所得粘合剂溶液涂布到作为基材的聚酯薄膜(PET，50μm厚)上，用干燥烘箱分别在70℃和130℃下干燥3分钟，形成厚度35μm的粘合剂层，制得再剥离性的粘合片。

评价试验

对实施例和比较例中获得的各粘合片通过以下方法进行试验、评价。其结果示于表1。

初始弹性模量

在23℃下以50mm的夹盘间距、30mm/分钟的速度拉伸宽度5mm的长条形状的粘合片，获得应力-应变(S-S)曲线。初始弹性模量为由该S-S曲线求出的值。作为拉伸试验机，使用三连式拉伸试验机AG-IS(岛津制作所制造)。

加热收缩率

将粘合片切割成10cm×10cm，通过PROFILE PROJECTORPJ-H3000F(Mitsutoyo制造)测定加热前与在60℃下加热10分钟后的尺寸变化，算出收缩率。

粘合力

用2kg的辊往复一次来将粘合片的带状片压合到Si晶片的表面上，放置30分钟。此后，测定常态下对Si晶片的180°剥离粘合力(N/20mm)。剥离速度为(300mm/分钟)。

对Si晶片和PI涂层晶片的40℃温敏粘合力

用2kg的辊往复一次来将粘合片的带状片压合到Si晶片和PI涂层晶片的表面上，在40℃的气氛下放置30分钟，测定在40℃温敏下对Si晶片和PI涂层晶片的180°剥离粘合力(N/20mm)。剥离速度为(300mm/分钟)。

磨削后的晶片翘曲

用Disco公司制造的背面磨削机(back grinder)DFG-8560，将Si晶片的厚度磨削至50μm，将磨削1分钟后的Si晶片以贴合于粘合片的状态放置在平坦处，测定晶片的端部与底面的距离(mm)。

磨削后的晶片TTV

用Disco公司制造的背面研磨机DFG-8560，将Si晶片的厚度磨削至50μm，在Si晶片贴合于粘合片的状态下，使用HAMAMATSU MAPPING STAGE C8126(Hamamatsu PhotonicsK.K.制造)测定Si晶片的面内厚度的上下限值之差TTV(μm)。

三点弯曲压入应力的测定

使用TA Instruments公司制造的RSA III，以基材为下表面的方式将粘合片贴合到钢板上，测定压入30μm时的应力(g/cm)。

磨削应力分散性评价

将15μm厚、2mm×2mm晶片放置在磨削的晶片表面上，从其上方贴合胶带之后，评价磨削晶片的背面时的微凹(dimple)的深度和晶片破裂。

磨削后的晶片的缺口和破裂

确认在10片磨削至厚度为50μm的、带有粘合片的Si晶片中没有产生晶片缺口或破裂的片数。

粘合片的剥离性

将磨削至厚度为50μm的、带有粘合片的S i晶片在100℃下加热1分钟之后，使用日东精机制造的HR-8500II，在40℃下剥离粘合片。确认在10片带有粘合片的Si晶片中可剥离的片数。

对晶片的有机物污染性

将粘合片的带状片贴附到铝蒸镀晶片上，在40℃下放置1天，然后剥离粘合片的带状片，使用ES CA(商品名“model5400”：ULVAC-PHI，Incorporated制造)测定转印到晶片上的有机物的量。对完全没有贴附粘合片的晶片也同样地进行分析，通过检测到的碳原子的增加量来评价有机物的转印量(atomic％)。

表1

从表1可以看出，在实施例1～3的粘合片中，由于通过三点弯曲测定的压入30μm时的最大点应力较小，即使夹持晶片，微凹的深度也为10μm以下，兼具曾为刚性基材的短处的应力分散性，可不产生边缘缺口地进行磨削。另外，通过使用厚度精度良好的刚性基材，基材厚度偏差小，磨削后的晶片TTV非常小，为4μm以下。另外可以看出，即使在100℃加热后，基材也不熔融，也没有发现粘合力上升，可稳定地剥离，此外，对晶片的有机物污染少。

产业上的可利用性

本发明的粘合片不仅在例如半导体晶片等磨削时，而且在晶片的各种加工工序中作为晶片等的临时固定用、固定用、保护用、掩蔽用等的需要再剥离的粘合片等是有用的。

Claims

1.一种再剥离性粘合片，其特征在于，其具备基材和层叠在该基材表面上的粘合剂层，是半导体晶片背面磨削用的再剥离性粘合片，

粘合剂层设定为一定的厚度，使得在所述再剥离性粘合片的三点弯曲试验中，在自该粘合剂层侧的30μm压入量下，最大点应力为200g/cm以下。

2.根据权利要求1所述的再剥离性粘合片，其特征在于，粘合剂层包含重均分子量10⁵以下的分子量成分为10重量％以下的丙烯酸系聚合物，

将所述再剥离性粘合片贴合到铝蒸镀晶片上并在40℃下放置1天后剥离时，在该晶片上，再剥离性粘合片的有机物转印量为14.05atomic％以下。

3.根据权利要求1或2所述的再剥离性粘合片，其特征在于，粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，

4.根据权利要求1～3的任一项所述的再剥离性粘合片，其特征在于，粘合剂层包含使90重量％以上比例的丙烯酸丁酯和5重量％以下比例的丙烯酸单体共聚而获得的丙烯酸系聚合物。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的再剥离性粘合片，其特征在于，粘合剂层具有40μm以上的厚度。