TWI586786B - Adhesive tape manufacturing method - Google Patents

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TWI586786B
TWI586786B TW103100853A TW103100853A TWI586786B TW I586786 B TWI586786 B TW I586786B TW 103100853 A TW103100853 A TW 103100853A TW 103100853 A TW103100853 A TW 103100853A TW I586786 B TWI586786 B TW I586786B
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adhesive
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Takumi Yutou
Toshitaka Suzuki
Akinori Nishio
Takahiro Yatagai
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Nitto Denko Corp
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Description

黏著帶之製造方法
本發明係關於一種黏著帶。
於半導體之切割，藉由在切割帶(黏著帶)上進行半導體晶圓之切割，該半導體晶圓被小片化(晶片化)而成為晶片，自切割帶上拾取該晶片，繼續於後續步驟中使用(例如，參照專利文獻1)。作為自切割帶上拾取晶片之方法，係自切割帶之未搭載晶片之面側用被稱為銷或針等之棒狀物進行頂推(所謂之「銷頂起」)，然後，利用被稱為吸嘴之吸附治具自切割帶上將晶片吸附分離而拾取。
此處，剛切割後之晶片間之間隔為至多數百μm左右之極微小之間隔，因此，若要於剛切割後之狀態下自切割帶上拾取該晶片，則會碰到其他晶片(尤其是鄰接之晶片)等，而晶片破損。
因此，於半導體之切割，通常進行：於切割後自切割帶上拾取晶片之前，於切割帶上搭載有晶片之狀態下，將切割帶擴展(拉伸)而拓寬晶片間之間隔，然後自切割帶上拾取晶片。
但，即便利用此種方法，於拾取時有時仍會產生不便。因此，要求進行半導體切割時之進一步改良。
作為此種不便之代表性問題，可列舉於利用吸嘴自切割帶上吸附分離晶片時無法準確地進行吸附分離。
作為上述不便之原因，考慮切割帶與晶片之黏著力過強之可能性，但即便減弱切割帶與晶片之黏著力，亦未消除上述不便。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-019607號公報
本發明者對利用吸嘴自切割帶上吸附分離晶片時無法準確地進行吸附分離之原因進行了各種研究。並且，著眼於吸嘴之吸附面與晶片之位置偏移反覆研究。其結果，認為針對擴展或銷頂起之切割帶之應力於該帶面內均勻較重要。而且認為，為了使針對擴展或銷頂起之切割帶之應力於該帶面內均勻，而切割帶之厚度於面內並無不均較為重要，並想到將切割帶之厚度不均之標準偏差σ之級別嚴格調整成特定級別，從而完成本發明。
即，本發明之課題在於提供一種黏著帶，其係可用作切割帶者，且該黏著帶之厚度不均之標準偏差σ較小，針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內均勻。
本發明之黏著帶係於基材之至少一面上具備黏著劑層者，且該黏著帶之厚度不均之標準偏差σ為2.0μm以下。
於較佳之實施形態中，上述黏著帶之平均厚度為20μm~120μm。
於較佳之實施形態中，上述黏著帶之MD方向之100%拉伸時之模數與TD方向之100%拉伸時之模數之比(MD方向100%模數/TD方向100%模數)為0.5~1.9。
於較佳之實施形態中，上述基材之厚度不均之標準偏差σ為2.0μm以下。
於較佳之實施形態中，上述基材之平均厚度為20μm~120μm。
於較佳之實施形態中，上述基材之依據JIS-K-7127(1999年)測定之最大伸長率為100%以上。
於較佳之實施形態中，上述基材為塑膠膜。
於較佳之實施形態中，上述塑膠膜包含選自聚氯乙烯、聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之至少1種。
於較佳之實施形態中，於上述基材之單面具備上述黏著劑層，且於該基材之與該黏著劑層相反之面具備非黏著層。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層具有相分離結構。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層之厚度為0.01μm~10μm。
於較佳之實施形態中，上述黏著劑層包含至少1種(甲基)丙烯酸系聚合物。
於較佳之實施形態中，於上述黏著劑層之表面具備剝離襯墊。
於較佳之實施形態中，本發明之黏著帶係用於半導體加工。
於較佳之實施形態中，本發明之黏著帶係用於LED切割用途。
根據本發明，可提供一種黏著帶，其係可用作切割帶者，且該黏著帶之厚度不均之標準偏差σ較小，針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內均勻。
100‧‧‧晶片
200‧‧‧切割帶
圖1係表示在厚度精度良好之情況下擴展後之晶片之排列狀態的概略圖。
圖2係表示於厚度精度較差之情況下擴展後之晶片之排列狀態的概略圖。
圖3係表示本發明之黏著帶之非黏著層之表面側之狀態的SEM照片。
圖4係表示本發明之黏著帶之非黏著層之剖面側之狀態的SEM照片。
圖5係附帶說明地表示本發明之黏著帶之非黏著層之剖面側之狀態的SEM照片。
本發明之黏著帶係於基材之至少一面上具備黏著劑層。本發明之黏著帶可於基材之兩面具備黏著劑層，亦可於基材之單面具備黏著劑層。
本發明之黏著帶係厚度不均之標準偏差σ為2.0μm以下，較佳為1.9μm以下，更佳為1.7μm以下，進而較佳為1.5μm以下，尤佳為1.2μm以下。藉由將本發明之黏著帶之厚度不均之標準偏差σ調整至上述範圍內，本發明之黏著帶之針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內可變得均勻。關於本發明之黏著帶，其厚度不均較小、厚度精度良好，因此如圖1所示，將本發明之黏著帶用作切割帶時，於半導體之切割中，於切割後自切割帶上拾取晶片之前，於切割帶上搭載有晶片之狀態下，將切割帶200擴展(拉伸)而拓寬晶片100間之間隔時，可得到沒有出現晶片100之位置偏移而良好地排列之晶片。另一方面，若黏著帶之厚度不均較大，則厚度精度變差，因此如圖2所示，將本發明之黏著帶用作切割帶時，於半導體之切割中，於切割後自切割帶上拾取晶片之前，於切割帶上搭載有晶片之狀態下，將切割帶200擴展(拉伸)而拓寬晶片100間之間隔時，會出現晶片100之位置偏移，可產生例如拾取不良等。尤其，LED晶片較小，因此容易出現晶片之位置偏 移。再者，關於厚度不均之標準偏差σ之測定方法，隨後進行說明。
再者，作為測定厚度不均之方法，可採用對測定對象之面內之任意複數處之厚度進行測定並統計處理等任意適宜之方法。作為此種測定厚度之方法，例如可列舉：測微器、微型游標卡尺、針盤量規等伴有物理性接觸之方法；測定α射線、X射線、紅外線、電磁波等對於測定對象之透過率或反射率之非接觸方法；於任意測定部位將測定對象切斷並用光學顯微鏡或電子顯微鏡進行觀察之方法；等，亦可採用該等之組合。
本發明之黏著帶之平均厚度較佳為20μm~120μm，更佳為30μm~120μm，進而較佳為40μm~120μm。藉由將本發明之黏著帶之平均厚度調整至上述範圍內，本發明之黏著帶之針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內可變得更加均勻。又，若本發明之黏著帶之平均厚度過小，則有處理性變差之虞，尤其有貼合操作變難之虞。若本發明之黏著帶之平均厚度過大，則有對延伸等變形之追隨性變差之虞。
本發明之黏著帶係MD方向之100%拉伸時之模數與TD方向之100%拉伸時之模數之比(MD方向100%模數/TD方向100%模數)較佳為0.5~1.9，更佳為0.5~1.8，進而較佳為0.8~1.6，尤佳為1.0~1.5。藉由將上述比值(MD方向100%模數/TD方向100%模數)調整至上述範圍內，本發明之黏著帶之針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內可變得更加均勻。
<基材>
作為導致本發明之黏著帶之厚度不均之因素，認為有基材之厚度不均、黏著劑層之厚度不均、基材之與黏著劑層相反之面可具備之非黏著層之厚度不均等各種因素。
於上述因素中，對黏著帶之厚度不均造成最大影響之因素為基材之厚度不均。其原因在於：於黏著帶之構成要素中，對擴展或銷頂 起之應力施加負荷最強者為基材，因此若基材之厚度不均較大，則本發明之黏著帶之針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內變得不均之虞亦大。又，黏著劑層或非黏著層係於基材表面進行塗覆等而設置，若基材之厚度不均較大，則無論如何提高黏著劑層或非黏著層之塗覆精度等，亦會由於基材之厚度不均造成之影響而黏著劑層或非黏著層亦產生厚度不均。
基於如上所述之理由，基材之厚度不均之標準偏差σ較佳為2.0μm以下，更佳為1.8μm以下，進而較佳為1.6μm以下。藉由將基材之厚度不均之標準偏差σ調整至上述範圍內，本發明之黏著帶之針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內可變得更加均勻。關於厚度不均之標準偏差σ之測定方法，隨後進行說明。
基材之平均厚度較佳為20μm~120μm，更佳為30μm~120μm，進而較佳為40μm~120μm。藉由將本發明之基材之平均厚度調整至上述範圍內，本發明之黏著帶之針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內可變得更加均勻。又，若基材之平均厚度過小，則有處理性變差之虞，尤其於構成黏著帶時有貼合操作變困難之虞。若基材之平均厚度過大，則有對延伸等變形之追隨性變差之虞。
基材係依據JIS-K-7127(1999年)測定之最大伸長率較佳為100%以上，更佳為200%~1000%。藉由使用顯示上述最大伸長率之基材，本發明之黏著帶之針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內可變得更加均勻。又，藉由使用顯示上述最大伸長率之基材，可對本發明之黏著帶賦予適度之伸長性，例如可提高對被黏著體之追隨性。
作為基材，只要滿足上述特性，則於無損本發明之效果之範圍內可選擇任意適當之材料。作為上述基材，較佳為塑膠膜。
塑膠膜可包含任意適當之樹脂材料。作為如上所述之樹脂材料，較佳為可列舉例如聚氯乙烯、聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚 物、聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺等，更佳為可列舉聚氯乙烯、聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，進而較佳為可列舉聚氯乙烯。聚氯乙烯之應力緩和性優異，因此尤其可較佳地用於LED切割等半導體加工中使用之黏著帶。
作為塑膠膜中之上述樹脂材料之含有比率，根據目的、用途可設定任意適當之含有比率。作為此種含有比率，例如較佳為50重量%~100重量%，更佳為60重量%~100重量%，進而較佳為70重量%~100重量%。
塑膠膜中亦可包含塑化劑。塑膠膜中之塑化劑之含有比率係相對於該塑膠膜中之上述樹脂材料較佳為0.5重量%~50重量%，更佳為1.0重量%~40重量%。藉由使塑膠膜中以上述含有比率包含塑化劑，本發明之黏著帶之針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內可變得更加均勻。又，藉由使塑膠膜中以上述含有比率包含塑化劑，本發明之黏著帶對延伸等變形之追隨性變得更加良好。
作為上述塑化劑，例如可列舉：鄰苯二甲酸酯系、偏苯三酸酯系(DAINIPPON INK CORPORATION製、W-700、偏苯三酸三辛酯等)、己二酸酯系(J-PLUS Co.,Ltd製、D620、己二酸二辛酯、己二酸二異壬酯等)、磷酸酯系(磷酸三甲苯酯等)、己二酸系酯、檸檬酸酯(乙醯基檸檬酸三丁酯等)、癸二酸酯、壬二酸酯、馬來酸酯、苯甲酸酯、聚醚系聚酯、環氧系聚酯(環氧化大豆油、環氧化亞麻仁油等)、聚酯(由羧酸與二醇形成之低分子聚酯等)等。於本發明中，較佳為使用酯系塑化劑。塑化劑可為僅1種，亦可為2種以上。
塑膠膜中亦可於無損本發明之效果之範圍內包含任意適當之其他成分。
本發明者發現，厚度不均之標準偏差σ較小、厚度精度較高之基材可藉由周密設計其製造方法而得到。
基材於可顯現本發明之效果之範圍內可利用任意適當之製造方法來製造。作為此種製造方法，例如可列舉：射出成形、擠出成形、吹脹成形、壓延成形、吹塑成形等。該等之中，為了得到厚度不均之標準偏差σ較小、厚度精度較高之基材，較佳為壓延成形。
作為壓延成形，可根據壓延輥之數量或排列方式而採用任意適當之成形機。作為此種成形機，例如通常可列舉L型4根、倒L型4根、Z型4根、將該等變形而成之傾斜型、以及為了使其穩定而追加了輥之6根型等。
為了得到厚度不均之標準偏差σ特別小、厚度精度特別高之基材，嚴密地控制壓延成形之條件較為重要。
作為用於得到厚度不均之標準偏差σ特別小、厚度精度特別高之基材的一種較佳手段，可列舉於壓延成形中將最終積料之混合物溫度之不均控制於±5%以內。藉由在壓延成形中將最終積料之混合物溫度之不均控制於±5%以內，可得到厚度不均之標準偏差σ特別小、厚度精度特別高之基材，且本發明之黏著帶之針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內可變得更加均勻。
作為用於得到厚度不均之標準偏差σ特別小、厚度精度特別高之基材的另一種較佳手段，可列舉於壓延成形中將最後3根輥(包括最後之輥之後半部分之連續3根輥)之溫度差控制於±20%以內、較佳為±18%以內、更佳為±16%以內、尤佳為±15%以內。藉由在壓延成形中將最後3根輥(包括最後之輥之後半部分之連續3根輥)之溫度差控制於上述範圍以內，可得到厚度不均之標準偏差σ特別小、厚度精度特別高之基材，且本發明之黏著帶之針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內可變得更加均勻。
於本發明中，為了得到厚度不均之標準偏差σ特別小、厚度精度特別高之基材，尤其可較佳地列舉出上述兩種手段。
為了得到厚度不均之標準偏差σ特別小、厚度精度特別高之基材，於壓延成形中，將混合物溫度控制於140°~220℃之範圍內亦有效。
為了得到厚度不均之標準偏差σ特別小、厚度精度特別高之基材，於壓延成形中，將各輥之轉速之不均控制於±5%以內亦有效。
<黏著劑層>
黏著劑層之厚度較佳為1.0μm~30μm，更佳為1.0μm~20μm，進而較佳為3.0μm~15μm。黏著劑層之厚度未達1.0μm時，有無法展現充分之黏著力之虞。黏著劑層之厚度大於30μm時，根據用途，有黏著力過大而剝離等時被黏著體破裂之虞。
作為上述黏著劑層之材料，於無損本發明之效果之範圍內可採用任意適當之黏著劑。
作為黏著劑層之材料，例如可列舉：(甲基)丙烯酸系聚合物；天然橡膠；接枝有甲基丙烯酸甲酯等單體之特殊天然橡膠；SBS、SBR、SEPS、SIS、SEBS、聚丁烯、聚異丁烯(polyisobutene)、聚異丁烯(polyisobutylene)、丁基橡膠等合成橡膠；等。該等之中，就剝離後對被黏著體之糊劑残留較少、具有高凝聚性、透明性優異方面而言，較佳為至少1種(甲基)丙烯酸系聚合物。
黏著劑層包含(甲基)丙烯酸系聚合物時，黏著劑層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之含有比率可根據目的而適當設定。
上述(甲基)丙烯酸系聚合物為由包含(甲基)丙烯酸系單體作為主單體之單體成分構成之樹脂。構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中，(甲基)丙烯酸系單體之含有比率較佳為50重量%以上，更佳為70重量%~100重量%，進而較佳為90重量%~100重量%，尤佳為95重量%~100重量%。上述單體成分中之單體可為僅1種，亦可為2種以上。
作為(甲基)丙烯酸系單體，較佳可列舉(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸。
作為(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：碳數為1~30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯、含羥基(甲基)丙烯酸酯等。(甲基)丙烯酸酯可為僅1種，亦可為2種以上。
作為碳數為1~30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯((meth)acrylic acid pentyl)、(甲基)丙烯酸戊酯((meth)acrylic acid amyl)、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等碳數為1~30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯等。該等(甲基)丙烯酸酯中，較佳為碳數為2~20之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為碳數為4~18之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯。
作為含羥基(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯等。
為了充分顯現作為黏著劑之效果，構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分較佳為包含選自含羥基單體、含羧基單體之至少1種。更佳為含羧基單體。又，為了充分顯現作為黏著劑之效果，構成上述 (甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分可含有丙烯腈。
作為含羥基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、烯丙醇等。含羥基單體可為僅1種，亦可為2種以上。
作為含羧基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、巴豆酸、馬來酸、富馬酸、衣康酸等。含羧基單體可為僅1種，亦可為2種以上。
構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分含有含羥基單體時，構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中，含羥基單體之含有比率較佳為0.1重量%~20重量%，更佳為0.1重量%~10重量%。構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分含有含羧基單體時，構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中，含羧基單體之含有比率較佳為0.1重量%~20重量%，更佳為0.1重量%~10重量%。如此，藉由構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分含有選自含羥基單體、含羧基單體之至少1種，而於使用交聯劑之情況下，可能有效地發生與該交聯劑之交聯反應，而可充分顯現作為黏著劑之效果。進而，藉由將構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含羥基單體之含有比率、或構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含羧基單體之含有比率調整為處於上述範圍內，可有效地防止剝離操作時被黏著體之破碎。構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含羥基單體之含有比率、構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含羧基單體之含有比率相比上述範圍而過多時，黏著力變得過大，有容易產生黏連之虞，又，有剝離操作時容易產生被黏著體之破碎之虞。
黏著劑層較佳為包含交聯劑。黏著劑層包含交聯劑時，黏著劑層中之交聯劑之含有比率可根據目的而適當設定，較佳為相對於主要樹脂成分(較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份為0.1重量份~20重 量份。藉由使黏著劑層中之交聯劑之含有比率處於上述範圍內，可產生適度之交聯反應，可有效地防止剝離操作時之被黏著體之破碎。
作為交聯劑，例如可列舉：環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、金屬醇鹽系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二亞胺系交聯劑、唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。該等交聯劑中，就可充分顯現本發明之效果方面而言，較佳為三聚氰胺系交聯劑、環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑。又，交聯劑可根據需要而適當選擇，可為僅1種，亦可為2種以上之混合系。
黏著劑層亦可包含塑化劑。黏著劑層包含塑化劑時，黏著劑層中之塑化劑之含有比率可根據目的而適當設定，相對於主要樹脂成分(較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份，為0.1重量份~70重量份。藉由使黏著劑層中之塑化劑之含有比率處於上述範圍內，可更加有效地顯現本發明之效果。相對於主要樹脂成分(較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份，黏著劑層中之塑化劑之含有比率若大於70重量份，則黏著劑層變得過於柔軟，有容易產生糊劑残留或被黏著體污染之虞。
作為上述塑化劑，例如可列舉：鄰苯二甲酸酯系、偏苯三酸酯系(DAINIPPON INK CORPORATION製、W-700、偏苯三酸三辛酯等)、己二酸酯系(J-PLUS Co.,Ltd製、D620、己二酸二辛酯、己二酸二異壬酯等)、磷酸酯系(磷酸三甲苯酯等)、己二酸系酯、檸檬酸酯(乙醯基檸檬酸三丁酯等)、癸二酸酯、壬二酸酯、馬來酸酯、苯甲酸酯、聚醚系聚酯、環氧系聚酯(環氧化大豆油、環氧化亞麻仁油等)、聚酯(由羧酸與二醇形成之低分子聚酯等)等。於本發明中，較佳為使用酯系塑化劑。塑化劑可為僅1種，亦可為2種以上。
為了促進交聯反應等，黏著劑層可包含任意適當之觸媒。黏著 劑層包含觸媒時，黏著劑層中之觸媒之含有比率可根據目的而適當設定，相對於主要樹脂成分(較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物)100重量份，為0.01重量份~10重量份。藉由使黏著劑層中之觸媒之含有比率處於上述範圍內，可更加有效地顯現本發明之效果。
作為上述觸媒，例如可列舉：鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、辛酸錫、辛酸鉛、辛酸鈷、辛酸鋅、辛酸鈣、環烷酸鉛、環烷酸鈷、二乙酸二丁基錫、二辛酸二丁基錫、二月桂酸二丁基錫、二月桂酸二辛基錫、馬來酸二丁基錫等有機金屬化合物；丁胺、二丁胺、己胺、第三丁胺、乙二胺、異佛爾酮二胺、咪唑、氫氧化鋰、氫氧化鉀、甲醇鈉等鹼性化合物；對甲苯磺酸、三氯乙酸、磷酸、磷酸單烷基酯、磷酸二烷基酯、丙烯酸-β-羥基乙酯之磷酸酯、亞磷酸單烷基酯、亞磷酸二烷基酯等酸性化合物；等。觸媒可為僅1種，亦可為2種以上。
為了更加顯現本發明之效果，黏著劑層之SP值較佳為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5，更佳為9.5(cal/cm3)0.5~11.0(cal/cm3)0.5。SP值為根據Small式算出之溶解度參數。SP值之計算可利用公知之文獻(例如，Journal of Applied Chemistry,3,71,1953.等)所記載之方法進行。
於無損本發明之效果之範圍內，黏著劑層可包含任意適當之添加劑。作為如上所述之添加劑，例如可列舉：紫外線吸收劑、填充劑、抗老化劑、黏著賦予劑、顏料、染料、矽烷偶合劑等。
本發明之黏著帶亦可於黏著劑層之表面具備剝離襯墊。
作為剝離襯墊，可採用任意適當之分隔件。作為此種剝離襯墊，例如可列舉：具有利用聚矽氧系、長鏈烷基系、氟系、硫化鉬等剝離劑進行過表面處理之塑膠膜或紙等剝離層之基材；由聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟化乙烯、聚偏氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯-偏氟乙烯共聚物等氟系聚合物形成之低接著性基 材；由烯烴系樹脂(例如，聚乙烯、聚丙烯等)等無極性聚合物形成之低接著性基材；等。
作為於基材上設置黏著劑層之方法，於無損本發明之效果之範圍內可採用任意適當之手段。作為如上所述之手段，較佳為藉由將形成黏著劑層之塗覆液塗覆到基材上而設置黏著劑層之方法。
於如上所述之利用塗覆之黏著劑層之形成中，塗覆時之塗佈不均等可對黏著帶之厚度不均造成影響。作為用於減輕此種影響之手段之一，將塗覆後所得之黏著帶之捲取張力較佳為設為200N/m以下，更佳為設為30N/m~180N/m，進而較佳為設為30N/m~160N/m，尤佳為設為30N/m~150N/m。所謂捲取張力，係指將黏著帶捲繞成卷狀時之張力。藉由將上述抽取張力調整至上述範圍內，可減輕塗覆時之塗佈不均等對黏著帶之厚度不均造成之影響，且本發明之黏著帶之針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內可變得更加均勻。
作為用於減輕塗覆時之塗佈不均等對黏著帶之厚度不均造成之影響的又一手段，將塗覆後所得之黏著帶於乾燥時之乾燥溫度較佳為設為200℃以下，更佳為設為180℃以下，進而較佳為設為160℃以下。藉由將上述乾燥溫度調整至上述範圍內，可減輕塗覆時之塗佈不均等對黏著帶之厚度不均造成之影響，且本發明之黏著帶之針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內可變得更加均勻。
作為塗覆方式，於無損本發明之效果之範圍內可採用任意適當之塗覆方式。作為如上所述之塗覆方式，例如可列舉：逆向方式、直接方式、組合有計量輥之各種方式等。為了充分顯現本發明之效果，較佳為將包含溶劑之濕潤狀態下之塗覆層之厚度不均於寬度方向上調整至±20%以內。
<非黏著層>
本發明之黏著帶較佳為於基材之單面具備黏著劑層，且於該基 材之與該黏著劑層相反之面具備非黏著層。
對如上所述之非黏著層之組成等並無特別限定，作為其一例，可列舉：聚矽氧層、(甲基)丙烯酸系聚合物層、聚矽氧層與(甲基)丙烯酸系聚合物層之混合層、接枝聚合有(甲基)丙烯酸系聚合物之聚矽氧層等。該等之中，較佳為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層。藉由使非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層，而非黏著層與基材(尤其是塑膠膜)之適應性變得良好，且本發明之黏著帶對延伸等變形之追隨性良好。
非黏著層之表面較佳為具有凹凸結構。藉由使非黏著層之表面具有凹凸結構，可有效地抑制對底座之過度密接。關於該凹凸結構，具體而言，非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1μm以上，更佳為0.1μm~3.0μm，進而較佳為0.2μm~2.0μm，尤佳為0.3μm~2.0μm，最佳為0.5μm~2.0μm。藉由使非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra處於上述範圍內，可抑制於進行利用負壓之吸附固定時出現過度密接。再者，非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra之測定方法隨後進行說明。
非黏著層之利用示差掃描熱量測定(DSC測定)獲得之玻璃轉移溫度Tg較佳為20℃以上，更佳為30℃以上，進而較佳為50℃以上，尤佳為55℃以上。非黏著層之利用示差掃描熱量測定之玻璃轉移溫度Tg之上限並無特別限定，就處理性等觀點而言，較佳為200℃以下，更佳為170℃以下，進而較佳為150℃以下，尤佳為130℃以下，最佳為100℃以下。非黏著層之利用示差掃描熱量測定獲得之玻璃轉移溫度Tg若處於上述範圍內，則非黏著層之表面之硬度即便於高溫下亦適度變高，因此耐熱性變高，於利用負壓將本發明之黏著帶吸附固定於固定用底座上並進行切割等之情況下，可有效地抑制出現因底座之發熱等引起之過度密接。再者，非黏著層之利用示差掃描熱量測定(DSC 測定)獲得之玻璃轉移溫度Tg之測定方法隨後進行說明。
非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物時，非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之SP值較佳為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5，更佳為9.5(cal/cm3)0.5~11.5(cal/cm3)0.5，進而較佳為9.5(cal/cm3)0.5~11.0(cal/cm3)0.5。SP值係根據Small式算出之溶解度參數。SP值之計算可利用公知之文獻(例如，Journal of Applied Chemistry,3,71,1953.等)所記載之方法來進行。
非黏著層較佳為具有相分離結構。藉由非黏著層具有相分離結構，可於該非黏著層之表面有效地形成微小之凹凸結構。此若例如以非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層之情況為例，或許可推測為由於相分離結構生成時之聚矽氧、(甲基)丙烯酸系聚合物之物質移動性之差異而生成凹凸。由於該凹凸結構之形成，於本發明之黏著帶中，可抑制於利用負壓進行吸附固定時出現過度密接，並且可有效地抑制卷狀之形態中之黏連，可抑制自卷狀之形態進行退捲時發生斷裂或破損。
非黏著層較佳為包括含聚矽氧多於(甲基)丙烯酸系聚合物之富聚矽氧相與含(甲基)丙烯酸系聚合物多於聚矽氧之富(甲基)丙烯酸系聚合物相。非黏著層更具體而言，較佳為以互相獨立之相分離結構包含上述富聚矽氧相與上述富(甲基)丙烯酸系聚合物相，更佳為上述富聚矽氧相存在於空氣界面側(基材(尤其是塑膠膜)之相反側)，上述富(甲基)丙烯酸系聚合物相存在於基材(尤其是塑膠膜)側。藉由具有如上所述之相分離結構，而黏連被存在於空氣界面側之富聚矽氧相有效地抑制，非黏著層與基材(尤其是塑膠膜)之適應性因存在於基材(尤其是塑膠膜)側之富(甲基)丙烯酸系聚合物相而變良好，變形追隨性變得良好。藉由將非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比如下所述地進行調整，可形成如上所述之相分離結構。
非黏著層具有相分離結構之情況、或含有如上所述之包含聚矽氧多於(甲基)丙烯酸系聚合物之富聚矽氧相與包含(甲基)丙烯酸系聚合物多於聚矽氧之富(甲基)丙烯酸系聚合物相之情況，可藉由任意適當之方法進行觀察。作為如上所述之觀察方法，例如可列舉：使用透射型電子顯微鏡(TEM)、掃描型電子顯微鏡(SEM)、場發射型掃描型電子顯微鏡(FE-SEM)等電子顯微鏡對非黏著層剖面進行形態觀察之方法。2層分離結構可藉由形態觀察圖像之深淺來辨識。又，亦可列舉如下方法：利用基於全反射法之紅外吸收分光，一面自非黏著層空氣界面側向內部改變探測光深度，一面觀測組成中所含之矽或碳等之含量之變化，藉此進行觀察。此外，亦可列舉利用X射線顯微分析儀或X射線光電子分光進行觀察之方法。又，亦可適當地組合該等方法而進行觀察。
非黏著層具有存在於空氣界面側(基材(尤其是塑膠膜)之相反側)之富聚矽氧相與存在於基材(尤其是塑膠膜)側之富(甲基)丙烯酸系聚合物相之相分離結構之情況下，於利用負壓將該非黏著層吸附固定於固定用底座上進行切割等時，若該固定用底座發熱，則因該發熱引起之熱負荷而該相分離結構之表面結構被破壞，尤其是與發熱之該固定用底座多有接觸之凸部分之該相分離結構之表面結構被破壞，於該凸部分可出現富(甲基)丙烯酸系聚合物相於空氣界面側露出。但，本發明之黏著帶中，非黏著層之利用示差掃描熱量測定獲得之玻璃轉移溫度Tg較佳為處於上述範圍內，因此受到熱負荷之凸部分之硬度適度變高，由此耐熱性變高。因此，於利用負壓將本發明之黏著帶吸附固定於固定用底座上進行切割等時，可有效地抑制出現因底座之發熱等引起之過度密接。
非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層時，非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計，較佳為 聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1，更佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：30~30：1，進而較佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：10~10：1，尤佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：5~5：1，最佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：3~5：1。若非黏著層中之聚矽氧之含有比例過大，則與基材(尤其是塑膠膜)背面之化學親和性變低，有難以適應基材(尤其是塑膠膜)背面之虞。又，若非黏著層中之聚矽氧之含有比率過大，則於製成黏著帶時，對延伸等變形之追隨性變差，有非黏著層破碎而成為污染原因之虞。若非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之含有比率過大，則有非黏著層作為丙烯酸系黏著劑發揮作用之虞，有容易產生黏連之虞。
作為聚矽氧，可採用任意適當之聚矽氧。作為如上所述之聚矽氧，例如可列舉：將鉑系化合物作為觸媒，藉由加成反應使含烯基聚二烷基矽氧烷與聚二烷基氫聚矽氧烷固化而形成剝離性皮膜而得到之加成型聚矽氧；使用錫系觸媒，使含羥甲基聚二烷基矽氧烷與聚二烷基氫聚矽氧烷反應而得到之縮合型聚矽氧等。作為加成型聚矽氧之例子，例如可列舉Shin-Etsu Silicone製造之「KS-776A」、「KS-839L」等。作為縮合型聚矽氧之例子，例如可列舉Shin-Etsu Silicone製造之「KS723A/B」等。再者，於製造聚矽氧時，除了鉑系觸媒或錫系觸媒以外，亦可適當地使用其他交聯劑、交聯促進劑等。又，聚矽氧之性狀被分類成：溶解於甲苯等有機溶劑中之類型、使其等乳液化而成之乳液型、由聚矽氧構成之無溶劑型等。又，除了加成型聚矽氧或縮合型聚矽氧以外，可使用聚矽氧/丙烯酸系接枝聚合物、聚矽氧/丙烯酸系嵌段聚合物等。作為聚矽氧/丙烯酸系接枝聚合物，例如可列舉：SYMAC GS-30、GS101、US-270、US-350、US-380(以上為東亞合成股份有限公司製造)等。作為聚矽氧/丙烯酸系嵌段聚合物，例如可列舉：MODIPER FS700、FS710、FS720、FS730、FS770(以上為日 油股份有限公司製造)等。
作為(甲基)丙烯酸系聚合物，可採用任意適當之(甲基)丙烯酸系聚合物。本發明中，「(甲基)丙烯酸」是指「丙烯酸及/或甲基丙烯酸」。
(甲基)丙烯酸系聚合物為由包含(甲基)丙烯酸系單體作為主單體之單體成分構成之聚合物。構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中，(甲基)丙烯酸系單體之含有比率較佳為50重量%以上，更佳為70重量%~100重量%，進而較佳為90重量~100重量%，尤佳為95重量%~100重量%。上述單體成分中之單體可為僅1種，亦可為2種以上。
作為(甲基)丙烯酸系單體，較佳可列舉(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸。
作為(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：碳數為1~30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯、含羥基(甲基)丙烯酸酯等。(甲基)丙烯酸酯可為僅1種，亦可為2種以上。
作為碳數為1~30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯((meth)acrylic acid pentyl)、(甲基)丙烯酸戊酯((meth)acrylic acid amyl)、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等碳數 為1~30之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯等。該等(甲基)丙烯酸酯中，較佳為碳數為2~20之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為碳數為4~18之烷基(亦包括環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯。
作為含羥基(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯等。
為了充分展現本發明之效果，構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分可含有選自含羥基單體、含羧基單體之至少1種。
作為含羥基單體，例如可列舉烯丙醇等。含羥基單體可為僅1種，亦可為2種以上。
作為含羧基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、巴豆酸、馬來酸、富馬酸、衣康酸等。含羧基單體可為僅1種，亦可為2種以上。
非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物時，非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物較佳為，構成其之單體成分中含羥基(甲基)丙烯酸酯之含有比率為相對於該含羥基(甲基)丙烯酸酯以外之單體成分之總量較佳為2重量%~30重量%，更佳為3重量%~25重量%，尤佳為5重量%~20重量%。非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物時，相對於該含羥基(甲基)丙烯酸酯以外之單體成分之總量，構成非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含羥基(甲基)丙烯酸酯之含有比率若處於上述範圍內，則於非黏著層之表面更有效地形成微小之凹凸結構，藉由該凹凸結構之形成，於本發明之黏著帶中，進行利用負壓之吸附固定時可進一步抑制出現過度密接，並且可更有效地抑制卷狀之形態中之黏連，可進一步抑制自卷狀之形態進行退捲時發生斷裂或破損。
非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物時，非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物較佳為，於構成其之單體成分中之含羥基(甲基)丙烯酸 酯以外之單體成分中可包含(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯。此時，(甲基)丙烯酸與(甲基)丙烯酸酯之含有比例以重量比計，(甲基)丙烯酸：(甲基)丙烯酸酯較佳為0：100~20：80，更佳為0：100~10：90，進而較佳為0：100~5：95。
(甲基)丙烯酸與(甲基)丙烯酸酯之含有比例若處於上述範圍內，則於非黏著層之表面更有效地形成微小之凹凸結構，藉由該凹凸結構之形成，於本發明之黏著帶中，進行利用負壓之吸附固定時可進一步抑制出現過度密接，並且可更有效地抑制卷狀之形態中之黏連，可進一步抑制自卷狀之形態進行退捲時發生斷裂或者破損。
(甲基)丙烯酸系聚合物可藉由任意適當之聚合方法而製造。
於無損本發明之效果之範圍內，非黏著層可包含任意適當之添加劑。作為如上所述之添加劑，例如可列舉：觸媒、紫外線吸收劑、填充劑、抗老化劑、黏著賦予劑、顏料、染料、矽烷偶合劑等。
非黏著層之厚度較佳為0.01μm~10μm，更佳為0.1μm~5μm，進而較佳為0.1μm~2μm。非黏著層之厚度未達0.01μm時，變得容易產生黏連。非黏著層之厚度若大於10μm，則有對延伸等變形之追隨性變差之虞。非黏著層之厚度若小於0.01μm，則有本發明之效果難以顯現之虞，或有製造變困難之虞。
作為於基材(尤其是塑膠膜)之單面形成非黏著層之方法，例如可列舉：藉由在基材(尤其是塑膠膜)之單面塗佈非黏著層之材料並進行乾燥而形成非黏著層之方法。作為上述塗佈之方法，例如可列舉使用棒塗機、凹版塗佈機、旋塗機、輥塗機、刮刀塗佈機、敷料器等之方法。
本發明之黏著帶可用於任意適當之用途。本發明之黏著帶如上所述，於利用負壓吸附固定於固定用底座上進行切割等時，可有效地抑制出現因底座之發熱等造成之過度密接，又，可有效地抑制卷狀之 形態中之黏連，自卷狀之形態進行退捲時不會斷裂或者破損，該非黏著層與該塑膠膜之適應性良好，對延伸等變形之追隨性良好。因此，可適宜地用於以由脆性材料構成並可具有微細精緻之電路圖案之半導體晶圓作為被黏著體之半導體加工。若將本發明之黏著帶用於半導體加工，則於利用負壓吸附固定於固定用底座上進行切割等時，可有效地抑制出現因底座之發熱等造成之過度密接，因此，可使包括切割之半導體製造步驟順利地進行。又，若將本發明之黏著帶用於半導體加工，則不會產生以往由於黏連而產生之膜變形或應力應變之蓄積，因此可準確地追隨半導體晶圓之微細精緻之電路圖案而進行貼合，又，不會出現貼合於半導體晶圓後之應力應變之自然釋放，因此可有效地防止半導體晶圓破碎。尤其，用於LED之晶圓為由氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆之材料構成，因此本發明之黏著帶對於用於LED之晶圓之切割(LED切割)等而言特別適宜。
[實施例]
以下，藉由實施例而具體說明本發明，但本發明不受該等實施例任何限定。份係指重量份。又，以溶液之形式被供給之試劑之量係以使溶液揮發而殘留之固形物成分之量(固形物成分換算量)來表示。
<平均厚度>
利用1/1000針盤量規，以50mm間隔於MD方向測定55處、於TD方向測定55處之厚度。關於TD方向之測定，若長度不足，則於MD方向上將位置移動50mm後繼續測定並算出值。然後，自共計110處之測定值之最大值中除去5處、自最小值中除去5處，得到100處。然後使用EXCEL之AVERAGE函數算出平均值。
<厚度不均之標準偏差σ>
利用1/1000針盤量規，以50mm間隔於MD方向測定55處、於TD方向測定55處之厚度。關於TD方向之測定，若長度不足，則於MD方 向上將位置移動50mm後繼續測定並算出值。然後，自共計110處之測定值之最大值中除去5處、自最小值中除去5處，得到100處。然後使用EXCEL之STDEV函數算出厚度不均之標準偏差σ。
<MD方向之100%延伸時之模數與TD方向之100%延伸時之模數>
依據JIS-K-7127(1999年)，利用INSTRON型拉伸試驗機(島津製作所製造、AUTOGRAPH)進行測定。具體而言，以夾盤間距離50mm設置寬度20mm×長度100mm之樣品後，以0.3m/分鐘之拉伸速度進行拉伸。然後，讀取圖表，將100%延伸時(50mm延伸時)之荷重作為模數。
<切割條件>
裝置：商品名「DFD-651」(DISCO公司製造)
刀片：商品名「27HECC」(DISCO公司製造)
刀片轉速：40000rpm
切割速度：120mm/sec
切割深度：25μm
切斷模式：下切
切割尺寸：3.0mm×3.0mm
擴展量：10mm
<擴展性>
於23℃、50%RH之氣氛下，利用壓輥往復2次，將實施例、比較例中所得之黏著帶貼合於實施過研磨之6英吋半導體晶圓(厚度=30μm)之磨削面。繼而，利用上述切割條件將晶圓切割，然後進行擴展。
測定擴展後之連續相連之20個晶片之偏移，以下述基準進行評價。再者，將偏離之基準設為20個晶片之中心線。
○：於20個中，1mm以上之偏移為1.0個以下。
×：於20個中，1mm以上之偏移超過1.0個。
<最大伸長率>
關於最大伸長率，依據JIS-K-7127(1999年)，利用INSTRON型拉伸試驗機(島津製作所製造、AUTOGRAPH)進行測定。具體而言，以夾盤間距離50mm設置寬度20mm×長度100mm之樣品後，以0.3m/分鐘之拉伸速度進行拉伸，並且測定斷裂時之值。
<彈性模數>
依據JIS-K-7127(1999年)，利用INSTRON型拉伸試驗機(島津製作所製造、AUTOGRAPH)進行測定。具體而言，以夾盤間距離50mm設置寬度20mm×長度100mm之樣品後，以0.3m/分鐘之拉伸速度進行拉伸，求出初始彈性模數。初始彈性模數設為作出斷裂伸長率0~2%之區域中之切線並以直線將切線延伸至100%伸長率之值而得到之值，且以樣品之剖面積換算進行修正。
<非黏著層之觀察> (利用SEM之觀察)
加工成非黏著層剖面可觀察之後，以透射型電子顯微鏡(SEM)進行形態觀察。
(利用基於全反射法之紅外分光測定(ATR-IR)之觀察)
使用紅外分光光譜儀(Perkinermer製造、Spectrum One)，選擇全反射測定法，為了改變探測光之分析深度而使用2種全反射測定用稜鏡(ZnSe45°、Ge45°)，進行非黏著層之ATR-IR測定。
<算術平均表面粗糙度Ra>
使用OLYMPUS製造之共焦雷射顯微鏡「LEXT3000」，以20倍物鏡以3D模式進行測定。3D模式之觀察範圍之確定係藉由如下方式進行：將使透鏡上下移動時CF圖像(共焦圖像)變為全黑之位置分別設定為觀察範圍之Top與Bottom。
3D模式下之圖像獲取方法係藉由Step方式以0.2μm之間距進行圖像獲取。
算術平均表面粗糙度Ra之測量係藉由解析模式之粗糙度解析而測量任意位置之Ra。再者，值係藉由n=5之平均值求出。
<非黏著層之利用示差掃描熱量測定(DSC測定)之玻璃轉移溫度Tg之測定>
用Feather刀片收集非黏著層，並將3mg左右封入至DSC之固體測定用之盤中。
將盤投入至TA INSTRUMENT公司之高感度示差掃描熱量計Q2000，以升溫速度2℃/min自0℃升溫至200℃。
又，於同樣條件下進行冷卻，並且進一步進行升溫。求出第二輪之連結轉移區域以下之直線部分之外插與轉移區域以上之直線部分之外插之中點所得之直線與測定曲線之交點，將其作為玻璃轉移溫度Tg。
[實施例1] (基材)
利用壓延法製造相對於聚合度P=1050之聚氯乙烯100重量份包含DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)、J-PLUS製)27重量份之軟質聚氯乙烯膜。具體而言，使製膜時之最終積料之混合物溫度之不均為±3%，將最後3根輥之溫度差設定為±10%以內，利用倒L型之軋光機進行製膜。所得之軟質聚氯乙烯膜(1A)之厚度為70μm，依據JIS-K-7127(1999年)測定之彈性模數(MD)為485MPa，依據JIS-K-7127(1999年)測定之最大伸長率(MD)為300%。
(非黏著層)
將聚矽氧樹脂(KS-723A、信越化學工業製造)60重量份、聚矽氧樹脂(KS-723B、信越化學工業製)40重量份、丙烯酸系共聚物(甲基丙 烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=60/30/10)50重量份、錫系觸媒(Cat-PS3、信越化學工業製造)10重量份以溶液狀態進行混合，得到混合溶液。混合溶液(1B)中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=2：1。
於軟質聚氯乙烯膜(1A)之單面塗佈上述混合溶液，以將乾燥溫度保持於160℃以下之狀態進行乾燥，形成厚度1.0μm之非黏著層(1B)。
又，利用SEM觀察非黏著層(1B)時，如圖3、圖4、圖5所示，根據形態觀察圖像之深淺，可確認空氣界面側與塑膠膜側組成不同，形成含有包含聚矽氧多於(甲基)丙烯酸系聚合物之富聚矽氧相與包含(甲基)丙烯酸系聚合物多於聚矽氧之富(甲基)丙烯酸系聚合物相、且富聚矽氧相與富(甲基)丙烯酸系聚合物相互相獨立之相分離結構，觀察到富聚矽氧相存在於空氣界面側(塑膠膜之相反側)，富(甲基)丙烯酸系聚合物相存在於塑膠膜側。
進而，對非黏著層(1B)進行基於全反射法之紅外分光測定(ATR-IR)時，測定來自Si-CH3之800cm-1附近之波峰相對於來自(甲基)丙烯酸系聚合物相中之羰基之1725cm-1附近之波峰的吸光度比，結果，可知與ZnSe45°相比，使用Ge45°之稜鏡時，800cm-1附近之波峰變大。因此，可知與基材側相比，矽之含有率於空氣界面側較高。
又，於非黏著層(1B)中富聚矽氧相存在於空氣界面側(塑膠膜之相反側)亦可於FT-IR中確認。基於FT-IR之測定使用Perkinermer製造之「Spectrum One」，利用分析深度方向不同之2種稜鏡(ZnSe45°、Ge45°)以ATR法測定空氣界面側。確認所得之圖表時，可確認：非黏著層之來自Si-CH3之800cm-1附近之波峰相對於歸屬於來自(甲基)丙烯酸系聚合物之C=O之1720cm-1~1730cm-1之波峰的吸光度比於使用 分析深度方向較淺之Ge45°之稜鏡時變大。由此，可證明於空氣界面側聚矽氧之濃度變得更高。
將該等觀察結果、以及表面自由能最小化之原理考慮於內，可知非黏著層中形成有於空氣界面側具有富聚矽氧相之2層結構。
(黏著劑層)
製備包含由丙烯酸丁酯(BA)/丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)構成之丙烯酸系共聚物100重量份、三聚氰胺系交聯劑(丁醇改性三聚氰胺甲醛樹脂、「Super Beckamine J-820-60N」、Nippon Polyurethane製造)10重量份、DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)、J-PLUS製)60重量份之黏著劑的甲苯溶液。
將該黏著劑溶液塗佈於軟質聚氯乙烯膜(1A)之與非黏著層(1B)相反側之面，然後以將乾燥溫度保持於160℃以下之狀態進行乾燥，於軟質聚氯乙烯膜(1A)之與非黏著層(1B)相反側之面形成厚度10μm之黏著劑層(1C)。
(黏著帶)
如上所述地進行操作，構成非黏著層(1B)/軟質聚氯乙烯膜(1A)/黏著劑層(1C)之積層結構，以拉伸張力100N/m進行捲取，製造黏著帶(1)。
將結果匯總於表1。
[實施例2]
除了以拉伸張力150N/m進行捲取以外，與實施例1同樣地進行，製造黏著帶(2)。
將結果匯總於表1。
[實施例3] (基材)
利用壓延法製造相對於聚合度P=1050之聚氯乙烯100重量份包含 DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)、J-PLUS製)27重量份之軟質聚氯乙烯膜。具體而言，使製膜時之最終積料之混合物溫度之不均為±4.5%，將最後3根輥之溫度差設定為±15%以內，利用倒L型之軋光機進行製膜。所得之軟質聚氯乙烯膜(3A)之厚度為70μm，依據JIS-K-7127(1999年)測定之彈性模數(MD)為501MPa，依據JIS-K-7127(1999年)測定之最大伸長率(MD)為480%。
(非黏著層)
與實施例1同樣地進行，於軟質聚氯乙烯膜(3A)之單面形成厚度1.0μm之非黏著層(3B)。
(黏著劑層)
與實施例1同樣地進行，於軟質聚氯乙烯膜(3A)之與非黏著層(3B)相反側之面形成厚度10μm之黏著劑層(3C)。
(黏著帶)
如上所述地進行操作，構成非黏著層(3B)/軟質聚氯乙烯膜(3A)/黏著劑層(3C)之積層結構，以拉伸張力150N/m進行捲取，製造黏著帶(3)。
將結果匯總於表1。
[比較例1] (基材)
利用壓延法製造相對於聚合度P=1050之聚氯乙烯100重量份包含DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)、J-PLUS製)27重量份之軟質聚氯乙烯膜。具體而言，使製膜時之最終積料之混合物溫度之不均為±10%，將最後3根輥之溫度差設定為±20%以內，利用倒L型之軋光機進行製膜。所得之軟質聚氯乙烯膜(C1A)之厚度為80μm，依據JIS-K-7127(1999年)測定之彈性模數(MD)為450MPa，依據JIS-K-7127(1999年)測定之最大伸長率(MD)為530%。
(非黏著層)
與實施例1同樣地進行，於軟質聚氯乙烯膜(C1A)之單面形成厚度1.0μm之非黏著層(C1B)。形成時之乾燥溫度保持為170℃以下。
(黏著劑層)
與實施例1同樣地進行，於軟質聚氯乙烯膜(C1A)之與非黏著層(C1B)相反側之面形成厚度10μm之黏著劑層(C1C)。形成時之乾燥溫度保持為170℃以下。
(黏著帶)
如上所述地進行操作，構成非黏著層(C1B)/軟質聚氯乙烯膜(C1A)/黏著劑層(C1C)之積層結構，以拉伸張力250N/m進行捲取，製造黏著帶(C1)。
將結果匯總於表1。
[比較例2] (基材)
利用壓延法製造相對於聚合度P=1050之聚氯乙烯100重量份包含DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)、J-PLUS製)27重量份之軟質聚氯乙烯膜。具體而言，使製膜時之最終積料之混合物溫度之不均為±10%，將最後3根輥之溫度差設定為±10%以內，利用倒L型之軋光機進行製膜。所得之軟質聚氯乙烯膜(C2A)之厚度為77μm，依據JIS-K-7127(1999年)測定之彈性模數(MD)為450MPa，依據JIS-K-7127(1999年)測定之最大伸長率(MD)為520%。
(非黏著層)
與實施例1同樣地進行，於軟質聚氯乙烯膜(C2A)之單面形成厚度1.0μm之非黏著層(C2B)。形成時之乾燥溫度保持為170℃以下。
(黏著劑層)
與實施例1同樣地進行，於軟質聚氯乙烯膜(C2A)之與非黏著層 (C2B)相反側之面形成厚度10μm之黏著劑層(C2C)。形成時之乾燥溫度保持為170℃以下。
(黏著帶)
如上所述地進行操作，構成非黏著層(C2B)/軟質聚氯乙烯膜(C2A)/黏著劑層(C2C)之積層結構，以拉伸張力150N/m進行捲取，製造黏著帶(C2)。
將結果匯總於表1。
[產業上之可利用性]
本發明之黏著帶係厚度不均之標準偏差σ較小，針對擴展或銷頂起之應力於該帶面內均勻。因此，可準確地追隨並貼合於半導體晶圓之微細精緻之電路圖案，又，不會出現貼合於半導體晶圓後之應力應變之自然釋放，因此可有效地防止半導體晶圓破碎。尤其，用於LED之晶圓為由氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆之材料構成，因此本發明之黏著帶特別適合於LED切割等。
100‧‧‧晶片
200‧‧‧切割帶

Claims (17)

  1. 一種黏著帶之製造方法，其係於基材之至少一面上具備黏著劑層者，該基材係藉由壓延成形所製造，在該壓延成形中將最終積料之混合物溫度之不均控制於±5%以內，且該黏著帶之厚度不均之標準偏差σ為2.0μm以下。
  2. 如請求項1之黏著帶之製造方法，其中上述黏著帶之平均厚度為20μm~120μm。
  3. 如請求項1或2之黏著帶之製造方法，其中上述黏著帶之MD方向之100%拉伸時之模數與TD方向之100%拉伸時之模數之比(MD方向100%模數/TD方向100%模數)為0.5~1.9。
  4. 如請求項1或2之黏著帶之製造方法，其中上述基材之厚度不均之標準偏差σ為2.0μm以下。
  5. 如請求項1或2之黏著帶之製造方法，其中上述基材之平均厚度為20μm~120μm。
  6. 如請求項1或2之黏著帶之製造方法，其中上述基材之依據JIS-K-7127(1999年)測定之最大伸長率為100%以上。
  7. 如請求項1或2之黏著帶之製造方法，其中上述基材為塑膠膜。
  8. 如請求項7之黏著帶之製造方法，其中上述塑膠膜包含選自聚氯乙烯、聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之至少1種。
  9. 如請求項1或2之黏著帶之製造方法，其於上述基材之單面具備上述黏著劑層，於該基材之與該黏著劑層相反之面具備非黏著層。
  10. 如請求項9之黏著帶之製造方法，其中上述非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層。
  11. 如請求項10之黏著帶之製造方法，其中上述非黏著層中之聚矽 氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1。
  12. 如請求項9之黏著帶之製造方法，其中上述非黏著層具有相分離結構。
  13. 如請求項9之黏著帶之製造方法，其中上述非黏著層之厚度為0.01μm~10μm。
  14. 如請求項1或2之黏著帶之製造方法，其中上述黏著劑層包含至少1種(甲基)丙烯酸系聚合物。
  15. 如請求項1或2之黏著帶之製造方法，其於上述黏著劑層之表面具備剝離襯墊。
  16. 如請求項1或2之黏著帶之製造方法，其係用於半導體加工。
  17. 如請求項1或2之黏著帶之製造方法，其係用於LED切割用途。
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