TWI568827B - Adhesive tape and adhesive tape - Google Patents

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Takumi Yutou
Toshitaka Suzuki
Masato Shirai
Masahiko Ando
Yuka Sekiguchi
Ryoko Asai
Asuka Endo
Rie Hayashiuchi
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Nitto Denko Corp
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Description

黏著帶用膜及黏著帶
本發明係關於一種黏著帶用膜及黏著帶。
半導體之切割所使用之黏著帶為了於切割時固定晶圓，而必須將與晶圓密接面相反之面固定於基座上。通常此種固定係藉由真空吸附等之負壓而進行。
於進行此種利用負壓之固定時，存在如下情況：因過度地施加負壓之狀態、或由切割時之發熱引起之黏著帶之熔融，而導致黏著帶與基座過度密接。若發生此種過度密接，則會產生如下問題：解除與基座之固定時之操作性變差，例如包括切割在內之半導體製造步驟無法順利地進行。
為了消除此種過度密接之問題，現報告有如下技術：於包含基材膜及黏著劑層之兩層之晶圓表面保護帶中，將基材膜之與黏著劑層相反之表面之中心線表面粗糙度Ra控制為特定大小(專利文獻1)。
但是，對於半導體之切割所使用之黏著帶之基材膜，要求半導體製造製程特有之延伸(expand)特性及階差追隨特性。即，半導體之切割所使用之黏著帶之基材膜必須於延伸步驟中可良好地延伸，又，必須良好地追隨半導體之階差。作為應對此種要求之基材膜，可選擇包含伸長係數較大之材料之基材膜。然而，關於此種基材膜，其表面狀態容易受溫度影響。因此，如專利文獻1中所報告般，存在如下問題：即便將基材膜之表面之中心線表面粗糙度Ra控制為特定大小，因氣溫或 製程裝置之溫度變化，而導致控制為特定大小之中心線表面粗糙度Ra較大地發生變化，而無法表現出專利文獻1中記載之發明之效果。
例如，於切割時，尤其是於雷射切割時，雷射加工之能量會使晶圓發熱。如此，若晶圓發熱，則如專利文獻1中所報告般，存在如下問題：即便將基材膜之表面之中心線表面粗糙度Ra控制為特定大小，亦無法消除如上所述之過度密接之問題，反而促進過度密接。
又，近年來，由於半導體之切割所使用之晶圓之尺寸大型化，因此切割之時間變長，結果晶圓之發熱增加，而上述問題變得更明顯。
於半導體之切割中，尤其是於LED切割中，所使用之半導體晶圓由氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆弱之材料構成，因此為了防止該半導體晶圓之破損，而對黏著帶之基材膜要求進一步之延伸(expand)特性及階差追隨特性。因此，對於LED切割所使用之黏著帶，上述問題變得更明顯。
另一方面，通常膜表面平滑，若將此種膜加工為輥狀，則會產生膜彼此接觸而密接之現象，即黏連。關於已產生黏連之輥，則有時會產生難以進行將膜回捲之作業等不良情況。尤其是於伸長係數較大之膜中通常添加有塑化劑。此種膜由於藉由於膜表面析出塑化劑，使膜間之微小空隙被填埋，故而由黏連引起之不良影響變得明顯。於在膜表面實施利用黏著劑之黏著加工之情形時，由於該黏著劑本身具有密接性，故而黏連之不良影響越發增大。
於將黏連之輥狀膜回捲時，需要用以解除膜彼此之密接之多餘之力。藉由施加此種多餘之力，會使膜延伸而變形，或者即便於膜不會變形之情形時，亦以應力應變之形式蓄積。若將因如上所述之原因而變形之膜應用於黏著帶，則難以追隨被黏著體而貼合。又，若將因如上所述之原因而蓄積有應力應變之膜應用於黏著帶，則存在如下擔憂：因貼合於被黏著體後產生該應力應變之自然解除，而導致被黏著 體破損。
於在半導體加工中使用黏著帶之情形時，由於作為被黏著體之半導體晶圓係由脆弱之材料構成，因此較脆弱或易缺損。因此，若將因如上所述之原因而變形之膜應用於黏著帶，則難以追隨半導體晶圓之微細精緻之電路圖案而貼合。又，若將因如上所述之原因而蓄積有應力應變之膜應用於黏著帶，則因於貼合於半導體晶圓後產生該應力應變之自然解除，而導致半導體晶圓容易破損。
尤其是LED所使用之晶圓係由氮化鎵、砷化鎵及碳化矽等非常脆弱之材料構成。因此，LED切割等所使用之黏著帶之抗黏連特別重要。
作為抗黏連之先前技術，大致可列舉兩項技術。
第一項先前技術可列舉對膜之背面實施壓花加工等物理處理(專利文獻2)。但是，於該技術中，由於形成於膜之背面之凹凸為應力集中結構，因此存在如下問題：於自輥狀之形態回捲時，因回捲之力而以該凹凸為起點，膜破裂或破損。
另一項先前技術可列舉於膜之背面塗佈聚矽氧脫模劑(專利文獻3)。但是，該技術存在如下問題：聚矽氧脫模劑因其表面張力而與膜背面之化學親合性較低，難以適應膜背面。又，於將在背面塗佈有聚矽氧脫模劑之膜應用於黏著帶之情形時，若進行延伸等黏著帶延伸，則會產生如下問題：存在利用聚矽氧脫模劑之處理層無法追隨延伸之情形，該處理層破碎而成為污染之原因。再者，為了提高聚矽氧脫模劑之與膜背面之化學親合性，亦有塗佈交聯型聚矽氧脫模劑之技術，但由於交聯型聚矽氧通常伸長係數非常小，因此於將於背面塗佈有交聯型聚矽氧脫模劑之膜應用於黏著帶之情形時，若進行延伸等黏著帶延伸，則存在如下問題：利用交聯型聚矽氧脫模劑之處理層無法追隨延伸，而無法維持抓固性。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-239124號公報
[專利文獻2]國際公開第2009/028069號說明書
[專利文獻3]日本專利特開2010-201836號公報
本發明之課題在於提供一種黏著帶用膜，其係於基材膜上設置有非黏著層者，並且於藉由負壓而吸附固定於固定用基座上並進行切割等之情形時，可有效地抑制因基座之發熱等而引起過度密接之情況，又，可藉由將非黏著層設置於基材膜上，而有效地抑制輥狀之形態下之黏連，於自輥狀之形態回捲時不會破裂或破損，該非黏著層與該基材膜之適應性良好，對於延伸等變形之追隨性良好。又，本發明提供一種包含此種黏著帶用膜之黏著帶。
本發明之黏著帶用膜係於塑膠膜之單面具備非黏著層者，並且藉由示差掃描熱量測定之該非黏著層之玻璃轉移溫度Tg為20℃以上。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層。
於較佳之實施形態中，上述(甲基)丙烯酸系聚合物之SP值為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層具有相分離結構。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層之非黏著試驗剝離力未達1.0 N/20 mm。
於較佳之實施形態中，上述非黏著層之厚度為0.01 μm~10 μm。
於較佳之實施形態中，上述塑膠膜之依據JIS-K-7127所測得之最大伸長率為100%以上。
於較佳之實施形態中，上述塑膠膜之厚度為20 μm~200 μm。
於較佳之實施形態中，上述塑膠膜包含聚氯乙烯。
於本發明之另一實施形態中係提供一種黏著帶。本發明之黏著帶於本發明之黏著帶用膜中之上述塑膠膜之與上述非黏著層相反的面具備黏著劑層。
於較佳之實施形態中，上述黏著劑層包含至少一種(甲基)丙烯酸系聚合物。
於較佳之實施形態中，上述黏著劑層之SP值為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5。
於較佳之實施形態中，於上述黏著劑層之表面具備剝離襯墊。
於較佳之實施形態中，本發明之黏著帶係用於半導體加工。
於較佳之實施形態中，本發明之黏著帶係用於LED切割用途。
根據本發明，可提供一種黏著帶用膜，其係於基材膜上設置有非黏著層者，並且於藉由負壓而吸附固定於固定用基座上並進行切割等之情形時，可有效地抑制因基座之發熱等而引起過度密接之情況，又，可藉由將非黏著層設置於基材膜上，而有效地抑制輥狀之形態下之黏連，於自輥狀之形態回捲時不會破裂或破損，該非黏著層與該基材膜之適應性良好，對於延伸等變形之追隨性良好。又，可提供一種包含此種黏著帶用膜之黏著帶。
圖1係表示本發明之黏著帶用膜中之非黏著層之表面側之狀態的SEM照片圖。
圖2係表示本發明之黏著帶用膜中之非黏著層之剖面側之狀態的SEM照片圖。
圖3係附說明地表示本發明之黏著帶用膜中之非黏著層之剖面側之狀態的SEM照片圖。
<<1.黏著帶用膜>>
本發明之黏著帶用膜係於塑膠膜之單面具備非黏著層。
<1-1.塑膠膜>
塑膠膜並無特別限定，可包含任意之適當之樹脂材料。作為此種樹脂材料，較佳為例如可列舉：聚氯乙烯、聚烯烴、聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺等，更佳為可列舉聚氯乙烯、聚烯烴，進而較佳為可列舉聚氯乙烯。聚氯乙烯由於應力緩和性優異，故而尤其可適宜地用於LED切割等半導體加工所使用之黏著帶中可使用之黏著帶用膜。
作為塑膠膜中之上述樹脂材料之含有比例，根據目的、用途，可設定任意之適當之含有比例。作為此種含有比例，例如較佳為50重量%~100重量%，更佳為60重量%~100重量%，進而較佳為70重量%~100重量%。
於塑膠膜中亦可包含塑化劑。塑膠膜中之塑化劑之含有比例相對於該塑膠膜中之上述樹脂材料，較佳為0.5重量%~50重量%，更佳為1.0重量%~40重量%。藉由於塑膠膜中以上述含有比例包含塑化劑，對於延伸等變形之追隨性變得更良好。
作為上述塑化劑，例如可列舉：鄰苯二甲酸酯系、偏苯三甲酸酯系(大日本油墨(股份有限公司)製造之W-700、偏苯三甲酸三辛酯等)、己二酸酯系(J-PLUS(股份有限公司)製造之D620、己二酸二辛酯、己二 酸二異壬酯等)、磷酸酯系(磷酸三甲苯酯等)、己二酸系酯、檸檬酸酯(乙醯檸檬酸三丁酯等)、癸二酸酯、壬二酸酯、順丁烯二酸酯、苯甲酸酯、聚醚系聚酯、環氧系聚酯(環氧化大豆油、環氧化亞麻仁油等)、聚酯(包含羧酸及二醇之低分子聚酯等)等。於本發明中，較佳為使用酯系塑化劑。塑化劑可僅為一種，亦可為兩種以上。
於塑膠膜中，於無損本發明之效果之範圍，亦可包含任意之適當之其他成分。
塑膠膜依據JIS-K-7127所測得之最大伸長率較佳為100%以上，更佳為200%~1000%。可藉由使用顯示此種最大伸長率之塑膠膜，而對本發明之黏著帶用膜賦予適度之伸長率性，例如於將本發明之黏著帶用膜用於黏著帶之情形時，可提高對被黏著體之追隨性。
塑膠膜之厚度較佳為20 μm~200 μm，更佳為40 μm~150 μm，進而較佳為50 μm~100 μm。於塑膠膜之厚度未達20 μm之情形時，有操作性變差之虞，尤其有於構成黏著帶時難以進行貼合作業之虞。若塑膠膜之厚度大於200 μm，則有對於延伸等變形之追隨性變差之虞。
<1-2.非黏著層>
非黏著層只要為藉由示差掃描熱量測定(DSC測定)而測得之玻璃轉移溫度Tg為45℃以上，則組成等並無特別限定，作為其一例，可列舉：聚矽氧層、(甲基)丙烯酸系聚合物層、聚矽氧層與(甲基)丙烯酸系聚合物層之混合層、(甲基)丙烯酸系聚合物接枝聚合而成之聚矽氧層等。於該等中，較佳為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層。可藉由使非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層，非黏著層與塑膠膜之適應性變得良好，從而本發明之黏著帶用膜及包含其之黏著帶成為對於延伸等變形之追隨性良好者。
非黏著層之表面較佳為具有凹凸結構。可藉由使非黏著層之表面具有凹凸結構，而有效地抑制對基座之過度密接。關於該凹凸結構， 具體而言，非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm以上，更佳為0.1 μm~3.0 μm，進而較佳為0.2 μm~2.0 μm，尤佳為0.3 μm~2.0 μm，最佳為0.5 μm~2.0 μm。可藉由使非黏著層之算術平均表面粗糙度Ra收斂於上述範圍內，而於藉由負壓進行吸附固定之情形時抑制發生過度密接之情況。
非黏著層藉由示差掃描熱量測定(DSC(differential scanning calorimetry)測定)而測得之玻璃轉移溫度Tg為20℃以上，更佳為30℃以上，進而較佳為50℃以上，尤佳為55℃以上。非黏著層之藉由示差掃描熱量測定之玻璃轉移溫度Tg之上限無特別限定，但就操作性等之觀點而言，較佳為200℃以下，更佳為170℃以下，進而較佳為150℃以下，尤佳為130℃以下，最佳為100℃以下。若非黏著層之藉由示差掃描熱量測定之玻璃轉移溫度Tg收斂於上述範圍內，非黏著層之表面之硬度即便於高溫下亦適度地變高，因此耐熱性變高，而於本發明之黏著帶用膜中，於藉由負壓而吸附固定於固定用基座上並進行切割等之情形時，可有效地抑制因基座之發熱等而引起過度密接之情況。再者，非黏著層之藉由示差掃描熱量測定(DSC測定)而測得之玻璃轉移溫度Tg之測定方法於下文說明。
於非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物之情形時，關於非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物，其SP值較佳為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5，更佳為9.5(cal/cm3)0.5~11.5(cal/cm3)0.5，進而較佳為9.5(cal/cm3)0.5~11.0(cal/cm3)0.5。SP值係藉由Small之式而算出之溶解度參數。SP值之計算可藉由公知之文獻(例如Journal of Applied Chemistry,3,71,1953.等)中記載之方法而進行。
非黏著層較佳為具有相分離結構。可藉由使非黏著層具有相分離結構，而於該非黏著層之表面高效率地形成微小之凹凸結構。推測很可能為：例如若以非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合 層之情形為例，則因相分離結構生成時之聚矽氧、(甲基)丙烯酸系聚合物之物質移動性之差異而生成凹凸。藉由該凹凸結構之形成，而於本發明之黏著帶用膜中，於藉由負壓進行吸附固定之情形時，可抑制發生過度密接之情況，並且可有效地抑制輥狀之形態下之黏連，於自輥狀之形態回捲時可抑制破裂或破損。
非黏著層較佳為包含：與(甲基)丙烯酸系聚合物相比含有更多聚矽氧之聚矽氧富集相、及與聚矽氧相比含有更多(甲基)丙烯酸系聚合物之(甲基)丙烯酸系聚合物富集相。更具體而言，非黏著層較佳為以上述聚矽氧富集相及上述(甲基)丙烯酸系聚合物富集相相互獨立之相分離結構而包含，更佳為上述聚矽氧富集相存在於空氣界面側(塑膠膜之相反側)，上述(甲基)丙烯酸系聚合物富集相存在於塑膠膜側。藉由具有此種相分離結構，可藉由存在於空氣界面側之聚矽氧富集相而有效地抑制黏連，藉由存在於塑膠膜側之(甲基)丙烯酸系聚合物富集相而非黏著層與塑膠膜之適應性良好，而變形追隨性良好。可藉由如下所述地調整非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比，而形成此種相分離結構。
非黏著層具有相分離結構之情況、以及如上所述之包含與(甲基)丙烯酸系聚合物相比含有更多聚矽氧之聚矽氧富集相、及與聚矽氧相比含有更多(甲基)丙烯酸系聚合物之(甲基)丙烯酸系聚合物富集相之情況，可藉由任意之適當之方法而觀察。作為此種觀察方法，例如可列舉使用穿透式電子顯微鏡(TEM，transmission electron microscope)、掃描式電子顯微鏡(SEM，scanning electron microscope)、電解發射式掃描式電子顯微鏡(FE-SEM，field emission scanning electron microscope)等電子顯微鏡對非黏著層剖面進行形態觀察之方法。兩層分離結構可藉由形態觀察像之濃淡而判讀。又，亦可列舉如下方法：一面藉由利用全反射法之紅外線吸收光譜而自非黏著層空氣界面側向 內部改變探測光深度，一面觀測組成中所含之矽及碳等之含量之變化，藉此進行觀察。此外，亦可列舉藉由X射線顯微分析儀或X射線光電子光譜進行觀察之方法。又，亦可適當組合該等方法而進行觀察。
於非黏著層具有存在於空氣界面側(塑膠膜之相反側)之聚矽氧富集相與存在於塑膠膜側之(甲基)丙烯酸系聚合物富集相的相分離結構之情形時，於藉由負壓而將該非黏著層吸附固定於固定用基座上而進行切割等時，若該固定用基座發熱，則因由該發熱而引起之熱負荷，使該相分離結構之表面結構被破壞，尤其是大多接觸於發熱之該固定用基座之凸部分中之該相分離結構之表面結構被破壞，而引起於該凸部分中之空氣界面側的(甲基)丙烯酸系聚合物富集相露出。但是，本發明之黏著帶用膜由於非黏著層之藉由示差掃描熱量測定之玻璃轉移溫度Tg收斂於上述範圍內，因此受到熱負荷之凸部分之硬度適度地較高，因此耐熱性變高。因此，於本發明之黏著帶用膜利用負壓而吸附固定於固定用基座上並進行切割等之情形時，可有效地抑制因基座之發熱等而引起過度密接。
於非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層之情形時，非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計，較佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1，更佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：30~30：1，進而較佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：10~10：1，尤佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：5~5：1，最佳為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：3~5：1。若非黏著層中之聚矽氧之含有比例過大，則存在與塑膠膜背面之化學親合性降低，而難以適應於塑膠膜背面之虞。又，若非黏著層中之聚矽氧之含有比例過大，則於作為黏著帶用膜或包括其之黏著帶之情形時，存在對於延伸等變形之追隨性變差，而非黏著層破碎而成為污染之原因之虞。若非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之含有 比例過大，則存在非黏著層作為丙烯酸系黏著劑而發揮作用之虞，而存在易產生黏連之虞。
作為聚矽氧，可採用任意之適當之聚矽氧。作為此種聚矽氧，例如可列舉：加成型聚矽氧，其係將鉑系化合物作為觸媒，並藉由加成反應而使含有烯基之聚二烷基矽氧烷及聚二烷基氫聚矽氧烷硬化而形成剝離性皮膜而獲得；縮合型聚矽氧，其係使利用有錫系觸媒之含有羥甲基之聚二烷基矽氧烷與聚二烷基氫聚矽氧烷進行反應而獲得等。作為加成型聚矽氧之例，例如可列舉Shin-Etsu Silicones製造之「KS-776A」、「KS-839L」等。作為縮合型聚矽氧之例，例如可列舉Shin-Etsu Silicones製造之「KS723A/B」等。再者，於製造聚矽氧時，除鉑系觸媒或錫系觸媒以外，亦可適當使用其他交聯劑、交聯促進劑等。又，作為聚矽氧之性狀，可分類為：溶解於甲苯等有機溶劑之類型；將其等乳液化而成之乳液類型；僅包含聚矽氧之無溶劑類型等。又，除加成型聚矽氧及縮合型聚矽氧以外，可使用聚矽氧/丙烯酸接枝聚合物、聚矽氧/丙烯酸嵌段聚合物等。作為聚矽氧/丙烯酸接枝聚合物，例如可列舉：Symac GS-30、GS101、US-270、US-350、US-380(以上為東亞合成(股份有限公司)製造)等。作為聚矽氧/丙烯酸嵌段聚合物，例如可列舉：MODIPER FS700、FS710、FS720、FS730、FS770(以上為日油(股份有限公司)製造)等。
作為(甲基)丙烯酸系聚合物，可採用任意之適當之(甲基)丙烯酸系聚合物。於本發明中，(甲基)丙烯酸」係指「丙烯酸及/或甲基丙烯酸」。
(甲基)丙烯酸系聚合物係包含含有(甲基)丙烯酸系單體作為主單體之單體成分之聚合物。構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之(甲基)丙烯酸系單體之含有比例較佳為50重量%以上，更佳為70重量%~100重量%，進而較佳為90重量~100重量%，尤佳為95重量%~100重量%。上述單體成分中之單體可僅為一種，亦可為兩種以上。
作為(甲基)丙烯酸系單體，較佳為可列舉(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸。
作為(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉碳數為1~30之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯、含有羥基之(甲基)丙烯酸酯等。(甲基)丙烯酸酯可僅為一種，亦可為兩種以上。
作為碳數為1~30之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等碳數為1~30之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯等。於該等(甲基)丙烯酸酯中，較佳為碳數為2~20之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為碳數為4~18之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯。
作為含有羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。
構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分為了充分地呈現本發明之效果，亦可含有選自含有羥基之單體、含有羧基之單體之至少一種。
作為含有羥基之單體，例如可列舉烯丙醇等。含有羥基之單體可 僅為一種，亦可為兩種以上。
作為含有羧基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、丁烯酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、亞甲基丁二酸等。含有羧基之單體可僅為一種，亦可為兩種以上。
於非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物之情形時，非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物較佳為構成其之單體成分中之含有羥基之(甲基)丙烯酸酯的含有比例，相對於除該含有羥基之(甲基)丙烯酸酯以外之單體成分之總量，較佳為2重量%~30重量%，更佳為3重量%~25重量%，尤佳為5重量%~20重量%。於非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物之情形時，非黏著層中之構成(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含有羥基之(甲基)丙烯酸酯的含有比例，相對於除該含有羥基之(甲基)丙烯酸酯以外之單體成分之總量，只要收斂於上述範圍內，則可於非黏著層之表面進一步高效率地形成微小之凹凸結構，藉由該凹凸結構之形成，而於本發明之黏著帶用膜中，於藉由負壓進行吸附固定之情形時可進一步抑制發生過度密接之情況，並且可進一步有效地抑制輥狀之形態下之黏連，於自輥狀之形態回捲時可進一步抑制破裂或破損。
於非黏著層包含(甲基)丙烯酸系聚合物之情形時，非黏著層中之(甲基)丙烯酸系聚合物係較佳為於構成其之單體成分中之除含有羥基之(甲基)丙烯酸酯以外之單體成分中包含(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯。於該情形時，(甲基)丙烯酸與(甲基)丙烯酸酯之含有比例以重量比計，(甲基)丙烯酸：(甲基)丙烯酸酯較佳為0：100~20：80，更佳為0：100~10：90，進而較佳為0：100~5：95。
只要(甲基)丙烯酸與(甲基)丙烯酸酯之含有比例收斂於上述範圍內，則於非黏著層之表面進一步高效率地形成微小之凹凸結構，藉由該凹凸結構之形成，而於本發明之黏著帶用膜中，於藉由負壓進行吸 附固定之情形時可進一步抑制發生過度密接之情況，並且可進一步有效地抑制輥狀之形態下之黏連，於自輥狀之形態回捲時可進一步抑制破裂或破損。
(甲基)丙烯酸系聚合物可藉由任意之適當之聚合方法而製造。
於非黏著層中，於無損本發明之效果之範圍，亦可包含任意之適當之添加劑。作為此種添加劑，例如可列舉：觸媒、紫外線吸收劑、填充劑、抗老化劑、黏著賦予劑、顏料、染料、矽烷偶合劑等。
關於非黏著層，其非黏著試驗剝離力較佳為未達1.0 N/20 mm，更佳為未達0.5 N/20 mm，進而較佳為未達0.2 N/20 mm。可藉由非黏著層之非黏著試驗剝離力收斂於上述範圍內，而於藉由負壓進行吸附固定之情形時進一步抑制發生過度密接之情況。於本發明中，非黏著層之非黏著試驗剝離力係根據下述方法而測定。
非黏著層之厚度較佳為0.01 μm~10 μm，更佳為0.1 μm~5 μm，進而較佳為0.1 μm~2 μm。於非黏著層之厚度未達0.01 μm之情形時，易產生黏連。若非黏著層之厚度大於10 μm，則有對於延伸等變形之追隨性變差之虞。若非黏著層之厚度小於0.01 μm，則存在難以呈現本發明之效果之虞，或者存在難以製造之虞。
作為於塑膠膜之單面形成非黏著層之方法，例如可列舉如下方法：藉由於塑膠膜之單面塗佈非黏著層之材料並進行乾燥，而形成非黏著層。作為上述塗佈之方法，例如可列舉使用棒式塗佈機、凹版塗佈機、旋轉塗佈機、輥式塗佈機、刮刀塗佈機及敷料器等之方法。
<<2.黏著帶>>
本發明之黏著帶於本發明之黏著帶用膜中之上述塑膠膜之與上述非黏著層相反的面具備黏著劑層。
黏著劑層之厚度並無特別限定，較佳為1.0 μm~30 μm，更佳為1.0 μm~20 μm，進而較佳為3.0 μm~15 μm。於黏著劑層之厚度未達1.0 μm 之情形時，存在無法呈現充分之黏著力之虞。於黏著劑層之厚度大於30 μm之情形時，存在根據用途黏著力過度變大，而於剝離等時使被黏著體破碎之虞。
作為上述黏著劑層之材料，於無損本發明之效果之範圍，可採用任意之適當之黏著劑。
作為黏著劑層之材料，例如可列舉：(甲基)丙烯酸系聚合物；天然橡膠；使甲基丙烯酸甲酯等單體接枝而成之特殊天然橡膠；SBS、SBR、SEPS、SIS、SEBS、聚丁烯、聚異丁烯、聚異丁烯、丁基橡膠等合成橡膠等。於該等中，於對剝離後之被黏著體之糊劑殘餘較少，具有高黏聚性，透明性優異之方面，較佳為至少一種(甲基)丙烯酸系聚合物。
於黏著劑層包含(甲基)丙烯酸系聚合物之情形時，黏著劑層中之(甲基)丙烯酸系聚合物之含有比例可根據目的而適當設定。
上述(甲基)丙烯酸系聚合物係包含含有(甲基)丙烯酸系單體作為主單體之單體成分之樹脂。構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之(甲基)丙烯酸系單體之含有比例較佳為50重量%以上，更佳為70重量%~100重量%，進而較佳為90重量%~100重量%，尤佳為95重量%~100重量%。上述單體成分中之單體可僅為一種，亦可為兩種以上。
作為(甲基)丙烯酸系單體，較佳為可列舉(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸。
作為(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉碳數為1~30之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯、含有羥基之(甲基)丙烯酸酯等。(甲基)丙烯酸酯可僅為一種，亦可為兩種以上。
作為碳數為1~30之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、 (甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等碳數為1~30之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯等。於該等(甲基)丙烯酸酯中，較佳為碳數為2~20之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為碳數為4~18之烷基(亦包含環烷基)之(甲基)丙烯酸烷基酯。
作為含有羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。
構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分為了充分地呈現作為黏著劑之效果，較佳為包含選自含有羥基之單體及含有羧基之單體之至少一種。更佳為含有羧基之單體。又，構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分為了充分地呈現作為黏著劑之效果，可包含丙烯腈。
作為含有羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、烯丙醇等。含有羥基之單體亦可僅為一種，亦可為兩種以上。
作為含有羧基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、丁烯酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、亞甲基丁二酸等。含有羧基之單體可僅為一種，亦可為兩種以上。
於構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分包含含有羥基之單體之情形時，構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含有羥 基之單體之含有比例較佳為0.1重量%~20重量%，更佳為0.1重量%~10重量%。於構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分包含含有羧基之單體之情形時，構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含有羧基之單體之含有比例較佳為0.1重量%~20重量%，更佳為0.1重量%~10重量%。如此，可藉由構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分包含選自含有羥基之單體及含有羧基之單體之至少一種，而於使用交聯劑之情形時，高效率地產生與該交聯劑之交聯反應，而充分地呈現作為黏著劑之效果。進而，以收斂於上述範圍內之方式，調整構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含有羥基之單體的含有比例、及構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含有羧基之單體的含有比例，藉此可有效地防止剝離操作時之被黏著體之破碎。於構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含有羥基之單體的含有比例、及構成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中之含有羧基之單體的含有比例較上述範圍過多之情形時，存在黏著力過度變大，而易產生黏連之虞，又，存在於剝離操作時易產生被黏著體之破碎之虞。
黏著劑層較佳為包含交聯劑。於黏著劑層包含交聯劑之情形時，黏著劑層中之交聯劑之含有比例可根據目的而適當設定，但較佳為相對於主要之樹脂成分(較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物)，為0.1重量%~20重量%。可藉由將黏著劑層中之交聯劑之含有比例收斂於上述範圍內，而產生適度之交聯反應，從而可有效地防止剝離操作時之被黏著體之破碎。
作為交聯劑，例如可列舉：環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。於該等交聯劑中，於充分 地呈現本發明之效果之方面，較佳為三聚氰胺系交聯劑、環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑。又，交聯劑視需要可適當選擇，可僅為一種，亦可為兩種以上之混合系。
黏著劑層亦可包含塑化劑。於黏著劑層包含塑化劑之情形時，黏著劑層中之塑化劑之含有比例可根據目的而適當設定，但較佳為0.1重量%~50重量%。可藉由將黏著劑層中之塑化劑之含有比例收斂於上述範圍內，而更進一步有效地呈現本發明之效果。若黏著劑層中之塑化劑之含有比例大於50重量%，則存在黏著劑層過度地變柔軟，而易產生糊劑殘餘或被黏著體污染之虞。
作為上述塑化劑，例如可列舉：鄰苯二甲酸酯系、偏苯三甲酸酯系(大日本油墨(股份有限公司)製造之W-700、偏苯三甲酸三辛酯等)、己二酸酯系(J-PLUS(股份有限公司)製造之D620、己二酸二辛酯、己二酸二異壬酯等)、磷酸酯系(磷酸三甲苯酯等)、己二酸系酯、檸檬酸酯(乙醯檸檬酸三丁酯等)、癸二酸酯、壬二酸酯、順丁烯二酸酯、苯甲酸酯、聚醚系聚酯、環氧系聚酯(環氧化大豆油、環氧化亞麻仁油等)、聚酯(包含羧酸及二醇之低分子聚酯等)等。於本發明中，較佳為使用酯系塑化劑。塑化劑可僅為一種，亦可為兩種以上。
黏著劑層為了促進交聯反應等，亦可包含任意之適當之觸媒。於黏著劑層包含觸媒之情形時，黏著劑層中之觸媒之含有比例可根據目的而適當設定，但較佳為0.01重量%~10重量%。可藉由將黏著劑層中之觸媒之含有比例收斂於上述範圍內，而更進一步有效地呈現本發明之效果。
作為此種觸媒，例如可列舉：鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、辛酸亞錫、辛酸鉛、辛酸鈷、辛酸鋅、辛酸鈣、環烷酸鉛、環烷酸鈷、二乙酸二丁基錫、二辛酸二丁基錫、二月桂酸二丁基錫、二月桂酸二辛基錫、順丁烯二酸二丁基錫等有機金屬化合物；丁基胺、二丁基胺、 己基胺、第三丁基胺、乙二胺、異佛酮二胺、咪唑、氫氧化鋰、氫氧化鉀、甲醇鈉等鹼性化合物；對甲苯磺酸、三氯乙酸、磷酸、磷酸單烷基酯、磷酸二烷基酯、丙烯酸β-羥基乙酯之磷酸酯、亞磷酸單烷基酯、亞磷酸二烷基酯等酸性化合物等。觸媒可僅為一種，亦可為兩種以上。
黏著劑層為了更進一步呈現本發明之效果，其SP值較佳為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5，更佳為9.5(cal/cm3)0.5~11.0(cal/cm3)0.5。SP值係藉由Small之式而算出之溶解度參數。SP值之計算可藉由公知之文獻(例如Journal of Applied Chemistry,3,71,1953.等)中記載之方法而進行。
於黏著劑層中，於無損本發明之效果之範圍內，亦可含有任意之適當添加劑。作為此種添加劑，例如可列舉：紫外線吸收劑、填充劑、抗老化劑、黏著賦予劑、顏料、染料、矽烷偶合劑等。
本發明之黏著帶亦可於黏著劑層之表面具備剝離襯墊。
作為剝離襯墊，可採用任意之適當之隔片。作為此種剝離襯墊，例如可列舉：具有藉由聚矽氧系、長鏈烷基系、氟系及硫化鉬等剝離劑進行表面處理之塑膠膜及紙等剝離層之基材；包含聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯-偏二氟乙烯共聚物等氟系聚合物之低接著性基材；包含烯烴系樹脂(例如聚乙烯、聚丙烯等)等無極性聚合物之低接著性基材等。
本發明之黏著帶可用於任意之適當用途。本發明之黏著帶由於具有本發明之黏著帶用膜，故而如上所述，於藉由負壓而吸附固定於固定用基座上並進行切割等之情形時，可有效地抑制因基座之發熱等而引起過度密接，又，可有效地抑制輥狀之形態下之黏連，於自輥狀之形態回捲時不會破裂或破損，從而該非黏著層與該塑膠膜之適應性良好，從而對於延伸等變形之追隨性良好。因此，可適宜地用於將由脆 弱之材料構成且具有微細精緻之電路圖案之半導體晶圓作為被黏著體之半導體加工。若將本發明之黏著帶用於半導體加工，則於藉由負壓而吸附固定於固定用基座上並進行切割等之情形時，可有效地抑制因基座之發熱等而引起過度密接，因此，可順利地進行包括切割在內之半導體製造步驟。又，若將本發明之黏著帶用於半導體加工，則不會產生以往因黏連而產生之膜變形或應力應變之蓄積，因此可準確地追隨半導體晶圓之微細精緻之電路圖案而貼合，又，不會引起貼合於半導體晶圓後之應力應變之自然解除，因此可有效地防止半導體晶圓破碎。尤其是LED所使用之晶圓係由氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆弱之材料構成，因此本發明之黏著帶非常適合於LED切割等。
[實施例]
以下，根據實施例而具體地對本發明進行說明，但本發明並不限定於該等實施例。份係指重量份。又，溶液中供給之試劑之量係由使溶液揮發而殘留之固形物成分之量(固形物成分換算量)表示。
<最大伸長率>
最大伸長率係依據JIS-K-7127並藉由英斯特朗拉力試驗機(島津製作所製造，自動立體測圖儀)而測定。具體而言，以夾盤間距離50 mm設置寬度20 mm×長度100 mm之樣本之後，以0.3 m/分鐘之拉伸速度進行拉伸，而測定斷裂時之值。
<彈性模數>
彈性模數係依據JIS-K-7127而測定。
<非黏著層之觀察> (利用SEM之觀察)
以可觀察非黏著層剖面之方式進行加工之後，藉由穿透式電子顯微鏡(SEM)而進行形態觀察。
(利用全反射法之赤外分光測定(ATR-IR)之觀察)
使用紅外線分光光譜儀(Perkinermer製造，Spectrum One)，並選擇全反射測定法，為了改變探測光之分析深度，而使用兩種全反射測定用稜鏡(ZnSe 45°、Ge 45°)，而進行非黏著層之ATR-IR測定。
<算術平均表面粗糙度Ra>
使用OLYMPUS製造之共軛焦雷射顕微鏡「LEXT3000」，並以物鏡20倍於3D模式下測定。3D模式之觀察範圍之決定係藉由如下方式而進行：於使透鏡上下動時將CF圖像(共軛焦圖像)變黑暗之位置及觀察範圍之Top分別設定於Bottom。
3D模式下之取得圖像之方法係以Step方式以0.2 μm間距取得圖像。
算術平均表面粗糙度Ra之測量係藉由解析模式之粗糙度解析而測量任意之位置之Ra。再者，值係藉由n=5之平均值而求出。
<非黏著層之藉由示差掃描熱量測定(DSC測定)而測得之玻璃轉移溫度Tg之測定>
如比較例1般於不具備非黏著層之黏著帶中，對除黏著劑層以外之層(於比較例1中為軟質聚氯乙烯膜)進行測定。
利用羽狀刀使非黏著層集合，並於DSC之固體測定用底座封入3 mg左右。將底座投入至TA Instruments公司之高感度示差掃描熱量計Q2000中，以升溫速度2℃/min升溫至0℃~200℃。又，於相同條件下進行冷卻，進而進行升溫。求出連接第二次運行之轉移區域以下之直線部分之外插與轉移區域以上之直線部分之外插的中點之直線與測定曲線之交點，而將其作為玻璃轉移溫度。
<高溫狀態下之吸附試驗>
於20 mm(縱)×50 mm(橫)之載玻片上，以背面(於實施例、比較例中，於黏著帶用膜之情形時為非黏著層側之面，於黏著帶之情形時為黏著劑層之相反側之面)成為正面之方式，貼附黏著帶用膜或黏著帶。 繼而，於80℃環境下，使上述膠帶貼附載玻片與作為被黏著體之載玻片(青板緣磨品，尺寸：65 mm×165 mm×1.35 mmt)接觸，使上述膠帶貼附載玻片之背面側與上述載玻片之非錫面側接觸，並放置15分鐘後，藉由2 kg輥而使其進行一個往返，而使載玻片與上述膠帶貼附載玻片之背面貼合，並於80℃環境下放置30分鐘。放置後，於常溫下進行冷卻後，藉由英斯特朗拉力試驗機(島津製作所製造，自動立體測圖儀)於拉伸速度0.3m/分鐘下，進行0°剝離。測定此時之剝離力(最大值)，並根據下述基準而進行評價。
○：剝離力未達5.0 N。
△：剝離力5.0 N以上且未達15.0 N。
×：剝離力15.0 N以上。
<非黏著試驗剝離力>
參照JIS-Z-0237，於23℃保存下，將被黏著體及包括非黏著層之黏著帶用膜或黏著帶保持1小時以上，其後以線壓8 kg/m、壓接速度0.3 m/分鐘將非黏著面壓接於SUS430BA上，並以0.3 m/分鐘之拉伸速度、180°剝離對30分鐘後之剝離力進行測定。
◎：未達0.5 N/20 mm。
○：0.5 N/20 mm以上且未達1.0 N/20 mm。
×：1.0 N/20 mm以上。
<黏連試驗>
以線壓8 Kg/m、壓接速度0.3 m/分鐘，將黏著帶之黏著劑層面壓接於與相同之黏著帶之黏著劑層相反側之最外面(背面層)，壓接後以50℃×48 hr進行保存。保存後，以拉伸速度0.3 m/分鐘藉由180°剝離之剝離試驗而進行剝離(依據JIS-Z-0237)，而測定黏著劑層面與背面層之黏連(剝離力)。
評價係確認剝離力之測定及剝離時之背面層之脫落、黏著劑層之 破壞(因黏聚破壞、抓固破壞而引起之糊劑殘餘)等，而作為綜合評價。
評價係依據下述基準。
○：剝離力未達3.0 N/20 mm，不存在目視下之脫落、黏著劑層之破壞。
×：剝離力為3.0 N/20 mm以上或者存在目視下之脫落、黏著劑層之破壞。
<抓固性確認試驗> (抓固性確認試驗A)
藉由拉伸速度0.3 m/分鐘~3 m/分鐘而將黏著帶用膜或黏著帶延伸至200%，藉由目視而對延伸時及延伸後之與黏著帶用膜或黏著帶之黏著劑層相反側之最外面(背面層)之脫落性進行評價。
(抓固性確認試驗B)
進行與抓固性確認試驗A相同之延伸後，將日東電工(股份有限公司)製造之「NO.31B」作為背面處理層，藉由2 Kg輥(寬度為25 mm)以0.3 m/分鐘之壓接速度而使其進行一個往返，其後以23℃×50%RH保管1分鐘，並於0.3 m/分鐘~3 m/分鐘之剝離速度下，進行90°剝離，並藉由目視而對背面之脫落性進行評價。
(評價)
綜合性地判斷以上評價，並依據下述基準，而對抓固性進行評價。
◎：抓固性確認試驗A及抓固性確認試驗B均無可藉由目視而確認之背面之脫落。
○：可藉由目視而確認之背面之脫落於抓固性確認試驗A中不存在，於抓固性確認試驗B中被略微確認(點狀地確認)。
×：於抓固性確認試驗A中確認有背面之脫落，或者於抓固性確認試驗B中確認有背面之脫落。
[製造例1]：塑膠膜之製造
藉由壓延法而製造相對於聚合度P=1050之聚氯乙烯100重量份，含有DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯，J-PLUS製造)27重量份之軟質聚氯乙烯膜。該軟質聚氯乙烯膜之厚度為70 μm，依據JIS-K-7127所測得之彈性模數(MD)為250 MPa，依據JIS-K-7127所測得之最大伸長率(MD)為400%。又，製造後之表面粗糙度(算術平均表面粗糙度Ra)為0.1 μm。
[實施例1]
於溶液狀態下混合如下物質而獲得混合溶液(1)：聚矽氧樹脂(KS-723A，信越化學工業製造)60重量份、聚矽氧樹脂(KS-723B，信越化學工業製造)40重量份、丙烯酸共聚聚合物(甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=90/10/10)50重量份、及錫系觸媒(Cat-PS3，信越化學工業製造)10重量份。混合溶液(1)中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計，為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=2：1。又，丙烯酸共聚聚合物之計算Tg為67.8℃，SP值為10.7(cal/cm3)0.5。
於藉由製造例1而製造之軟質聚氯乙烯膜之單面塗佈上述混合溶液(1)，而形成厚度為1.0 μm、算術平均表面粗糙度Ra=0.5 μm之非黏著層。
如此，獲得黏著帶用膜(1)。
將各種評價結果示於表1。
又，若藉由SEM而觀察非黏著層，則如圖1、圖2、圖3所示，根據形態觀察像之濃淡，可確認於空氣界面側及塑膠膜側組成不同；觀察到：包含與(甲基)丙烯酸系聚合物相比含有更多聚矽氧之聚矽氧富集相及與聚矽氧相比含有更多(甲基)丙烯酸系聚合物之(甲基)丙烯酸系聚合物富集相，聚矽氧富集相及(甲基)丙烯酸系聚合物富集相具有相互獨立之相分離結構，聚矽氧富集相存在於空氣界面側(塑膠膜之相反 側)，(甲基)丙烯酸系聚合物富集相存在於塑膠膜側。
進而，關於非黏著層，進行利用全反射法之赤外分光測定(ATR-IR)，結果可知：對(甲基)丙烯酸系聚合物相中之源自Si-CH3之800 cm-1附近的峰值之相對於源自羰基之1725 cm-1附近之峰值的吸光度比進行測定，結果與ZnSe 45°相比，於使用Ge 45°之稜鏡之情形時800 cm-1附近之峰值變大。因此，可知：與基材側相比，於空氣界面側矽之含有率提高。
又，於非黏著層中聚矽氧富集相存在於空氣界面側(塑膠膜之相反側)之情況於FT-IR中亦可確認。利用FT-IR之測定係使用Perkinermer製造之「Spectrum One」，並利用分析深度方向不同之兩種稜鏡(ZnSe 45°、Ge 45°)藉由ATR法(減弱全反射法，attenuated total reflectance method)而對空氣界面側進行測定。確認所獲得之圖表，結果可確認：於使用分析深度方向較淺之Ge 45°之稜鏡之情形時，非黏著層之源自(甲基)丙烯酸聚合物之歸屬於C=O之源自Si-CH3之800 cm-1附近的峰值之相對於1720 cm-1-1730 cm-1之峰值的吸光度比變大。藉此，可證明於空氣界面側聚矽氧之濃度變得更高。
可知：若考慮該等之觀察結果及表面自由能量最小化之原理，則於空氣界面側具有聚矽氧富集相之兩層結構形成於非黏著層。
[實施例2]
於實施例1中，於藉由製造例1而製造之軟質聚氯乙烯膜之單面塗佈混合溶液(1)，以與實施例1相同之方式進行，而形成厚度為0.7 μm、算術平均表面粗糙度Ra=0.1 μm之非黏著層。
如此，獲得黏著帶用膜(2)。
將各種評價結果示於表1。
[實施例3]
調製包含如下物質之黏著劑之甲苯溶液：包含丙烯酸丁酯(BA)/ 丙烯腈(AN)/丙烯酸(AA)=85/15/2.5(重量比)之丙烯酸共聚聚合物100重量份、三聚氰胺系交聯劑(丁醇改性三聚氰胺甲醛樹脂，「Super Beckamine J-820-60N」，日本聚胺酯製造)10重量份、及DOP塑化劑(鄰苯二甲酸雙(2-乙基己基)酯，J-PLUS製造)60重量份。
將該黏著劑溶液塗佈於與藉由實施例1而獲得之黏著帶用膜(1)之非黏著層相反側之面之後，以130℃×90秒進行乾燥，從而於與軟質聚氯乙烯膜之非黏著層相反側之面形成厚度為10 μm之黏著劑層。所形成之黏著劑層之SP值為10.5。
如此，獲得黏著帶(3)。
將各種評價結果示於表1。
[實施例4]
作為非黏著層形成用之丙烯酸共聚聚合物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸乙酯(EA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=90/10/10之丙烯酸共聚聚合物50重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(4)。使用該黏著帶用膜(4)代替黏著帶用膜(1)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(4)。
丙烯酸共聚聚合物之計算Tg為74.3℃，SP值為10.3(cal/cm3)0.5。
關於非黏著層，其厚度為1.0 μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.5 μm。
將各種評價結果示於表1。
[實施例5]
作為非黏著層形成用之丙烯酸共聚聚合物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸環己酯(CHA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=90/10/10之丙烯酸共聚聚合物50重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(5)。使用該黏著帶用膜(5)代替黏著帶用膜(1)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(5)。
丙烯酸共聚聚合物之計算Tg為80.0℃，SP值為10.4(cal/cm3)0.5。
關於非黏著層，其厚度為1.0 μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.5 μm。
將各種評價結果示於表1。
[實施例6]
作為非黏著層形成用之丙烯酸共聚聚合物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=95/5/15之丙烯酸共聚聚合物50重量份，除此以外以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(6)。使用該黏著帶用膜(6)代替黏著帶用膜(1)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(6)。
丙烯酸共聚聚合物之計算Tg為73.0℃，SP值為10.5(cal/cm3)0.5。
關於非黏著層，其厚度為1.0 μm，算術平均表面粗糙度Ra=1.0 μm。
將各種評價結果示於表1。
[實施例7]
作為非黏著層形成用之丙烯酸共聚聚合物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=80/20/10之丙烯酸共聚聚合物50重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(7)。使用該黏著帶用膜(7)代替黏著帶用膜(1)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(7)。
丙烯酸共聚聚合物之計算Tg為48.5℃，SP值為10.1(cal/cm3)0.5。
關於非黏著層，其厚度為1.0 μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.2 μm。
將各種評價結果示於表1。
[實施例8]
作為非黏著層形成用之丙烯酸共聚聚合物，使用甲基丙烯酸甲酯 (MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=99/1/5之丙烯酸共聚聚合物50重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(8)。使用該黏著帶用膜(8)代替黏著帶用膜(1)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(8)。
丙烯酸共聚聚合物之計算Tg為94.3℃，SP值為10.1(cal/cm3)0.5。
關於非黏著層，其厚度為1.0 μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.5 μm。
將各種評價結果示於表1。
[實施例9]
於藉由實施例5而獲得之黏著帶(5)之黏著劑層側貼附已實施Si處理之厚度為38 μm之PET襯墊作為剝離襯墊，從而獲得黏著帶(9)。
關於非黏著層，其厚度為1.0 μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.5 μm。
將各種評價結果示於表1。
[實施例10]
作為非黏著層形成用之丙烯酸共聚聚合物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=95/5/10之丙烯酸共聚聚合物50重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(10)。使用該黏著帶用膜(10)代替黏著帶用膜(1)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(10)。
丙烯酸共聚聚合物之計算Tg為77.2℃，SP值為10.3(cal/cm3)0.5。
關於非黏著層，其厚度為1.0 μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.7 μm。
將各種評價結果示於表1。
[實施例11]
作為非黏著層形成用之丙烯酸共聚聚合物，使用甲基丙烯酸甲酯 (MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=70/30/10之丙烯酸共聚聚合物50重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(11)。使用該黏著帶用膜(11)代替黏著帶用膜(1)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(11)。
丙烯酸共聚聚合物之計算Tg為31.2℃，SP值為10.4(cal/cm3)0.5。
關於非黏著層，其厚度為1.0 μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.3 μm。
將各種評價結果示於表1。
[比較例1]
於實施例3中，未形成非黏著層，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(C1)。
將各種評價結果示於表1。
[比較例2]
作為非黏著層形成用之丙烯酸共聚聚合物，使用甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸丁酯(BA)/丙烯酸羥基乙酯(HEA)=55/45/10之丙烯酸共聚聚合物50重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，從而獲得黏著帶用膜(C2)。使用該黏著帶用膜(C2)代替黏著帶用膜(1)，除此以外，以與實施例3相同之方式進行，從而獲得黏著帶(C2)。
丙烯酸共聚聚合物之計算Tg為8.6℃，SP值為10.4(cal/cm3)0.5。
關於非黏著層，其厚度為1.0 μm，算術平均表面粗糙度Ra=0.08 μm。
將各種評價結果示於表1。
[產業上之可利用性]
本發明之黏著帶由於具有本發明之黏著帶用膜，故而如上所述，於藉由負壓而吸附固定於固定用基座上並進行切割等之情形時，可有效地抑制因基座之發熱等而引起過度密接之情況，又，可有效地抑制輥狀之形態下之黏連，於自輥狀之形態回捲時不會破裂或破損，該非黏著層與該塑膠膜之適應性良好，對於延伸等變形之追隨性良好。因此，可適宜地用於將由脆弱之材料構成且具有微細精緻之電路圖案之半導體晶圓作為被黏著體之半導體加工。若將本發明之黏著帶用於半導體加工，則於藉由負壓進行吸附固定之情形時，可抑制發生過度密接之情況，因此，可順利地進行包括切割在內之半導體製造步驟。又，若將本發明之黏著帶用於半導體加工，則不會產生先前因黏連而產生之膜變形或應力應變之蓄積，因此可準確地追隨半導體晶圓之微細精緻之電路圖案而貼合，又，不會引起貼合於半導體晶圓後之應力應變之自然解除，因此可有效地防止半導體晶圓破碎。尤其是LED所使用之晶圓係由氮化鎵、砷化鎵、碳化矽等非常脆弱之材料構成，因此本發明之黏著帶非常適合於LED切割等。

Claims (17)

  1. 一種黏著帶用膜，其係於塑膠膜之單面具備非黏著層者，並且藉由示差掃描熱量測定之該非黏著層之玻璃轉移溫度Tg為20℃以上，上述非黏著層為聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合層。
  2. 如請求項1之黏著帶用膜，其中上述(甲基)丙烯酸系聚合物之SP值為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5。
  3. 如請求項1之黏著帶用膜，其中上述非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1。
  4. 如請求項2之黏著帶用膜，其中上述非黏著層中之聚矽氧與(甲基)丙烯酸系聚合物之混合比以重量比計為聚矽氧：(甲基)丙烯酸系聚合物=1：50~50：1。
  5. 如請求項1至4中任一項之黏著帶用膜，其中上述非黏著層具有相分離結構。
  6. 如請求項1至4中任一項之黏著帶用膜，其中上述非黏著層之非黏著試驗剝離力未達1.0N/20mm。
  7. 如請求項1至4中任一項之黏著帶用膜，其中上述非黏著層之厚度為0.01μm~10μm。
  8. 如請求項1至4中任一項之黏著帶用膜，其中上述塑膠膜之依據JIS-K-7127所測得之最大伸長率為100%以上。
  9. 如請求項1至4中任一項之黏著帶用膜，其中上述塑膠膜之厚度為20μm~200μm。
  10. 如請求項1至4中任一項之黏著帶用膜，其中上述塑膠膜包含聚氯乙烯。
  11. 一種黏著帶，其於如請求項1至10中任一項之黏著帶用膜中之上述塑膠膜之與上述非黏著層相反的面具備黏著劑層。
  12. 如請求項11之黏著帶，其中上述黏著劑層包含至少一種(甲基)丙烯酸系聚合物。
  13. 如請求項11之黏著帶，其中上述黏著劑層之SP值為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5。
  14. 如請求項12之黏著帶，其中上述黏著劑層之SP值為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5。
  15. 如請求項11至14中任一項之黏著帶，其中於上述黏著劑層之表面具備剝離襯墊。
  16. 如請求項11至14中任一項之黏著帶，其係用於半導體加工。
  17. 如請求項11至14中任一項之黏著帶，其係用於LED切割用途。
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