KR20140101301A - 점착 테이프 - Google Patents
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Abstract
다이싱 테이프로서 사용할 수 있는 점착 테이프이며, 세로 방향 및 가로 방향으로 균일하게 익스팬드할 수 있는, 점착 테이프를 제공한다.
본 발명의 점착 테이프는, 기재의 한쪽 면에 점착제층을 구비하는 점착 테이프이며, 기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 SUS430BA판에 대한 동적 마찰력이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 10.0N 미만이다.
본 발명의 점착 테이프는, 기재의 한쪽 면에 점착제층을 구비하는 점착 테이프이며, 기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 SUS430BA판에 대한 동적 마찰력이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 10.0N 미만이다.
Description
본 발명은, 점착 테이프에 관한 것이다.
반도체의 다이싱에 있어서는, 다이싱 테이프(점착 테이프) 위에서 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행함으로써, 상기 반도체 웨이퍼는 소편화(칩화)되어 칩이 되고, 상기 칩을 다이싱 테이프 위로부터 채취하고, 계속해서 후속 공정에서 사용한다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 칩을 다이싱 테이프 위로부터 채취하는 방법으로서는, 다이싱 테이프의 칩이 탑재되어 있지 않은 면측으로부터 핀이나 니들 등으로 불리는 막대를 부딪히게 하고(소위, 「핀 밀어올림」), 그 후, 콜릿이라고 불리는 흡착 지그에 의해 다이싱 테이프 위로부터 칩을 흡착 분리하여 채취한다.
여기서, 다이싱 직후의 칩간의 간격은, 겨우 수백㎛ 정도의 매우 미소한 것이기 때문에, 이 상태에서 상기 칩을 다이싱 테이프 위로부터 채취하고자 하면, 다른 칩(특히 인접하는 칩)과 충돌하거나 하여, 칩이 파손되어 버린다.
따라서, 반도체의 다이싱에 있어서는, 다이싱 후에 칩을 다이싱 테이프 위로부터 채취하기 전에, 다이싱 테이프에 칩이 탑재된 상태에 있어서, 다이싱 테이프를 익스팬드(연신)하여 칩간의 간격을 넓히고 나서, 칩을 다이싱 테이프 위로부터 채취하는 일이 통상 행해지고 있다.
그러나, 이와 같은 방법에 의해서도, 채취 시에 문제가 발생하는 경우가 있다. 이로 인해, 반도체의 다이싱을 행할 때의 한층 더한 개량이 요구되고 있다.
이러한 문제의 대표적인 것으로서, 다이싱 테이프 위로부터 콜릿에 의해 칩을 흡착 분리할 때에, 정확하게 흡착 분리할 수 없는 것을 들 수 있다.
상기한 문제의 원인으로서, 다이싱 테이프와 칩의 점착력이 지나치게 강할 가능성을 생각할 수 있지만, 다이싱 테이프와 칩의 점착력을 약화시켜도, 상기한 문제는 해소되지 않는다.
본 발명자는, 다이싱 테이프 위로부터 콜릿에 의해 칩을 흡착 분리할 때에, 정확하게 흡착 분리할 수 없는 원인에 대하여 다양한 검토를 행했다. 그리고, 콜릿의 흡착면과 칩의 위치 어긋남에 주목하여, 검토를 거듭한 바, 익스팬드 시, 기재와 익스팬드 장치의 다이 시트가 전면적으로 밀착 혹은 부분적으로 밀착되어 걸리면(블로킹 혹은 스티킹), 익스팬드가 원활하게 행해지지 않아, 문제가 나타나는 것을 알게 되었다. 이 결과에 기초하여, 다이싱 테이프가 충분히 익스팬드되고, 또한, 세로 방향 및 가로 방향으로 균일하게 익스팬드되는 것이 중요하다고 생각했다. 그리고, 다이싱 테이프를 충분히 익스팬드할 수 있고, 또한 세로 방향 및 가로 방향으로 균일한 익스팬드가 실현되기 위해서는, 다이싱 테이프의 배면측(기재로부터 보아 점착제층과는 반대측)의 표면과 다이 시트의 마찰이 소정량보다도 작은 것이 중요하지 않을까 생각하고, 기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 SUS430BA판에 대한 동적 마찰력을 소정의 레벨로 엄밀하게 조정하는 것에 상도하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 과제는, 다이싱 테이프로서 사용할 수 있는 점착 테이프이며, 세로 방향 및 가로 방향으로 균일하게 익스팬드할 수 있는, 점착 테이프를 제공하는 데 있다.
본 발명의 점착 테이프는,
기재의 한쪽 면에 점착제층을 구비하는 점착 테이프이며,
기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 SUS430BA판에 대한 동적 마찰력이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 10.0N 미만이다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 점착 테이프의 MD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 10.0N/10㎜ 내지 50.0N/10㎜이며, 상기 점착 테이프의 TD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 10.0N/10㎜ 내지 50.0N/10㎜이다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 점착 테이프의 MD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스와 TD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스의 비가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 1.90 이하이다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 점착 테이프의 MD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 25.0％ 이상이며, 상기 점착 테이프의 TD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 25.0％ 이상이다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 점착 테이프의 TD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율과 MD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율의 비(TD 방향 응력 완화율/MD 방향 응력 완화율)가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 0.70 내지 1.30이다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 산술 평균 표면 거칠기 Ra가 50㎚ 이상이다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 기재의 JIS-K-7127(1999년)에 따라 측정되는 최대 신도가 100％ 이상이다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 기재가 플라스틱 필름이다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 플라스틱 필름이, 폴리염화비닐, 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체로부터 선택되는 적어도 1종을 포함한다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 기재의 상기 점착제층과 반대인 면에 비점착층을 구비한다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 비점착층이 실리콘과 (메트)아크릴계 중합체의 혼합층이다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 비점착층 중의 실리콘과 (메트)아크릴계 중합체의 혼합비가, 중량비로, 실리콘:(메트)아크릴계 중합체=1:50 내지 50:1이다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 비점착층이 상분리 구조를 갖는다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 비점착층의 두께가 0.01㎛ 내지 10㎛이다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층이 적어도 1종의 (메트)아크릴계 중합체를 포함한다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층의 표면에 박리 라이너를 구비한다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 본 발명의 점착 테이프는, 반도체 가공에 사용된다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, 본 발명의 점착 테이프는, LED 다이싱 용도로 사용된다.
본 발명에 따르면, 다이싱 테이프로서 사용할 수 있는 점착 테이프이며, 세로 방향 및 가로 방향으로 균일하게 익스팬드할 수 있는, 점착 테이프를 제공할 수 있다.
도 1은 세로 방향 및 가로 방향으로 균일하게 익스팬드된 경우의 익스팬드 후의 칩의 정렬 상태를 도시하는 개략도.
도 2는 세로 방향 및 가로 방향으로 불균일하게 익스팬드된 경우의 익스팬드 후의 칩의 정렬 상태를 도시하는 개략도.
도 3은 동적 마찰력 측정을 위하여 사용하는 미끄럼성 측정 지그의 개략 단면도.
도 4는 동적 마찰력 측정을 위하여 사용하는 가중의 개략 단면도 및 개략 저면도.
도 5는 익스팬드성 측정을 위하여 사용하는 점착 테이프(십자의 기준선을 그린 것)의 개략 평면도.
도 6은 익스팬드성 측정을 위하여 사용하는 익스팬드성 평가용 샘플의 개략 평면도 및 개략 단면도.
도 7은 익스팬드성 측정의 모습을 도시하는 개략 단면도.
도 8은 본 발명의 점착 테이프에 있어서의 비점착층의 표면측의 상태를 나타내는, SEM의 사진도.
도 9는 본 발명의 점착 테이프에 있어서의 비점착층의 단면측의 상태를 나타내는, SEM의 사진도.
도 10은 본 발명의 점착 테이프에 있어서의 비점착층의 단면측의 상태를 나타내는, SEM의 사진도.
도 2는 세로 방향 및 가로 방향으로 불균일하게 익스팬드된 경우의 익스팬드 후의 칩의 정렬 상태를 도시하는 개략도.
도 3은 동적 마찰력 측정을 위하여 사용하는 미끄럼성 측정 지그의 개략 단면도.
도 4는 동적 마찰력 측정을 위하여 사용하는 가중의 개략 단면도 및 개략 저면도.
도 5는 익스팬드성 측정을 위하여 사용하는 점착 테이프(십자의 기준선을 그린 것)의 개략 평면도.
도 6은 익스팬드성 측정을 위하여 사용하는 익스팬드성 평가용 샘플의 개략 평면도 및 개략 단면도.
도 7은 익스팬드성 측정의 모습을 도시하는 개략 단면도.
도 8은 본 발명의 점착 테이프에 있어서의 비점착층의 표면측의 상태를 나타내는, SEM의 사진도.
도 9는 본 발명의 점착 테이프에 있어서의 비점착층의 단면측의 상태를 나타내는, SEM의 사진도.
도 10은 본 발명의 점착 테이프에 있어서의 비점착층의 단면측의 상태를 나타내는, SEM의 사진도.
본 발명의 점착 테이프는, 기재의 한쪽 면에 점착제층을 구비한다.
본 발명의 점착 테이프는, 기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 SUS430BA판에 대한 동적 마찰력이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서, 10.0N 미만이고, 바람직하게는 8.0N 이하이고, 보다 바람직하게는 6.0N 이하이다. 상기 동적 마찰력의 하한값은, 바람직하게는 1.0N 이상이다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, 상기 동적 마찰력을 상기 범위 내로 조정함으로써, 도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 점착 테이프를 다이싱 테이프로서 사용한 경우, 반도체의 다이싱에 있어서, 다이싱 후에 칩을 다이싱 테이프 위로부터 채취하기 전에, 다이싱 테이프에 칩이 탑재된 상태에 있어서, 다이싱 테이프(200)를 익스팬드(연신)하여 칩(100) 사이의 간격을 넓힌 경우에, 세로 방향 및 가로 방향으로 균일하게 익스팬드할 수 있어, 칩(100)의 위치 어긋남이 일어나지 않고 양호하게 정렬된 칩을 얻을 수 있다. 한편, 상기 동적 마찰력을 상기 범위 내로 조정하지 않는 경우, 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 점착 테이프를 다이싱 테이프로서 사용한 경우, 반도체의 다이싱에 있어서, 다이싱 후에 칩을 다이싱 테이프 위로부터 채취하기 전에, 다이싱 테이프에 칩이 탑재된 상태에 있어서, 다이싱 테이프(200)를 익스팬드(연신)하여 칩(100) 사이의 간격을 넓힌 경우에, 세로 방향 및 가로 방향으로 균일하게 익스팬드할 수 없어, 칩(100)의 위치 어긋남이 일어나, 예를 들어 픽업 불량 등이 발생할 수 있다. 특히, LED 칩은 작기 때문에, 칩의 위치 어긋남이 일어나기 쉽다. 상기 동적 마찰력이 10.0N 이상인 경우, 점착 테이프를 압입 방식으로 익스팬드했을 때에, 압입 지그와 테이프 배면의 미끄럼성이 나빠져, 걸림이 발생하여, 압입 지그 접촉부와 비접촉부에 있어서 균일하게 익스팬드할 수 없어, 최악의 경우, 비접촉부에서 점착 테이프가 파단되는 문제가 발생해 버릴 우려가 있다. 또한, 동적 마찰력의 측정 방법은 후술한다.
본 발명의 점착 테이프는, MD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서, 바람직하게는 10.0N/10㎜ 내지 50.0N/10㎜이며, 보다 바람직하게는 10.0N/10㎜ 내지 30.0N/10㎜이며, 더욱 바람직하게는 10.0N/10㎜ 내지 20.0N/10㎜이다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, MD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스를, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 상기 범위 내로 조정함으로써, 세로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드할 수 있다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, MD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 지나치게 크면, 점착 테이프를 익스팬드할 때에 점착 테이프가 지나치게 딱딱하여, 익스팬드할 수 없다는 문제가 발생할 우려나, 설비에 부하가 가해져 버려 설비의 고장을 초래한다는 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, 본 발명의 점착 테이프에 있어서, MD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 지나치게 작으면, 점착 테이프가 지나치게 부드러워져, 테이프의 접합 작업 등으로 용이하게 테이프가 신장되어 버려, MD 방향의 기계 물성이 변화되어 버리고, 익스팬드 공정에서의 MD 방향의 신장이 너무 불균일해져, 픽업 공정에서 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, 모듈러스의 측정 방법은 후술한다.
본 발명의 점착 테이프는, TD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서, 바람직하게는 10.0N/10㎜ 내지 50.0N/10㎜이며, 보다 바람직하게는 10.0N/10㎜ 내지 30.0N/10㎜이며, 더욱 바람직하게는 10.0N/10㎜ 내지 20.0N/10㎜이다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, TD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스를, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 상기 범위 내로 조정함으로써, 가로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드할 수 있다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, TD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 지나치게 크면, 점착 테이프를 익스팬드할 때에 점착 테이프가 지나치게 딱딱하여, 익스팬드할 수 없다는 문제가 발생할 우려나, 설비에 부하가 가해져 버려 설비의 고장을 초래한다는 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, 본 발명의 점착 테이프에 있어서, TD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 지나치게 작으면, 점착 테이프가 지나치게 부드러워져, 테이프의 접합 작업 등으로 용이하게 테이프가 신장되어 버려, TD 방향의 기계 물성이 변화되어 버리고, 익스팬드 공정에서의 TD 방향의 신장이 너무 불균일해져, 픽업 공정에서 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, 모듈러스의 측정 방법은 후술한다.
본 발명의 점착 테이프는, MD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스와 TD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스의 비가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서, 바람직하게는 1.90 이하이고, 보다 바람직하게는 1.80 이하이고, 더욱 바람직하게는 1.60 이하이고, 특히 바람직하게는 1.40 이하이다. 상기 비의 하한값은, 바람직하게는 0.50 이상이다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, MD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스와 TD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스의 비를, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서, 상기 범위 내로 조정함으로써, 세로 방향 및 가로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드할 수 있다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, MD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스와 TD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스의 비가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 지나치게 크면, 점착 테이프를 익스팬드했을 때에, 점착 테이프의 MD 방향과 TD 방향이 균일하게 신장되지 않아, 칩의 배열이 흐트러져 버려, 후속 공정인 픽업 공정에서 칩의 픽업의 수율이 저하되는 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, 본 발명의 점착 테이프에 있어서, MD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스와 TD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스의 비가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 지나치게 작으면, 점착 테이프의 MD 방향과 TD 방향이 균일하게 신장되지 않아, 칩의 배열이 흐트러져, 후속 공정인 픽업 공정에서 칩의 픽업의 수율이 저하되는 문제가 발생할 우려가 있다.
본 발명의 점착 테이프는, MD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서, 바람직하게는 25.0％ 이상이며, 보다 바람직하게는 35.0％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 40.0％ 이상이며, 특히 바람직하게는 50.0％ 이상이다. 상기 응력 완화율의 상한값은, 바람직하게는 80.0％ 이하이다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, MD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율을, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서, 상기 범위 내로 조정함으로써, 세로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드할 수 있다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, MD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 지나치게 작으면, 점착 테이프를 익스팬드한 후에 압입으로부터 해방되었을 때에, 점착 테이프가 익스팬드되기 전의 상태까지 복귀되어 버려, 칩간의 거리를 충분히 얻지 못하는 문제가 발생할 우려가 있다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, MD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 지나치게 크면, 접합 작업 등으로 용이하게 점착 테이프가 배향되어 버려, MD 방향의 기계 물성이 변화되어 버리고, 익스팬드 공정에서의 MD 방향의 신장이 너무 불균일해져, 픽업 공정에서 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, 응력 완화율의 측정 방법은 후술한다.
본 발명의 점착 테이프는, TD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서, 바람직하게는 25.0％ 이상이며, 보다 바람직하게는 35.0％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 40.0％ 이상이며, 특히 바람직하게는 50.0％ 이상이다. 상기 응력 완화율의 상한값은, 바람직하게는 80.0％ 이하이다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, TD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율을, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서, 상기 범위 내로 조정함으로써, 가로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드할 수 있다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, TD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 지나치게 작으면, 점착 테이프를 익스팬드한 후에 압입으로부터 해방되었을 때에, 점착 테이프가 익스팬드되기 전의 상태로까지 복귀되어 버려, 칩간의 거리를 충분히 얻지 못하는 문제가 발생할 우려가 있다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, TD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 지나치게 크면, 접합 작업 등으로 용이하게 점착 테이프가 배향되어 버려, TD 방향의 기계 물성이 변화되어 버리고, 익스팬드 공정에서의 TD 방향의 신장이 너무 불균일해져, 픽업 공정에서 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, 응력 완화율의 측정 방법은 후술한다.
본 발명의 점착 테이프는, TD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율과 MD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율의 비(TD 방향 응력 완화율/MD 방향 응력 완화율)가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서, 바람직하게는 0.70 내지 1.30이며, 보다 바람직하게는 0.80 내지 1.20이며, 더욱 바람직하게는 0.90 내지 1.10이다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, TD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율과 MD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율의 비(TD 방향 응력 완화율/MD 방향 응력 완화율)를, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서, 상기 범위 내로 조정함으로써, 세로 방향 및 가로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드할 수 있다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, TD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율과 MD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율의 비(TD 방향 응력 완화율/MD 방향 응력 완화율)가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 지나치게 크거나, 지나치게 작거나 하면, 점착 테이프를 익스팬드했을 때에, 점착 테이프의 MD 방향과 TD 방향이 균일하게 익스팬드되지 않아, 칩의 배열이 흐트러져, 후속 공정인 픽업 공정에서 칩의 픽업의 수율이 저하되는 문제가 발생할 우려가 있다.
본 발명의 점착 테이프는, 기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 산술 평균 표면 거칠기 Ra의 상한값은, 바람직하게는 5㎛ 이하이다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, 기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 산술 평균 표면 거칠기 Ra를 상기 범위 내로 조정함으로써, 세로 방향 및 가로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드할 수 있다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, 기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 산술 평균 표면 거칠기 Ra가 지나치게 작으면, 점착 테이프를 압입 방식으로 익스팬드했을 때에, 압입 지그와 테이프 배면이 밀착되어 버려, 걸림이 발생하여, 압입 지그 접촉부와 비접촉부에서 균일하게 익스팬드할 수 없어, 최악의 경우, 비접촉부에서 점착 테이프가 파단되는 문제가 발생할 우려가 있다. 한층 바람직한 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 Ra의 하한값은 이것을 구성하는 조성 등으로 바뀔 수 있으므로, 상세한 것은 후술한다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, 기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 산술 평균 표면 거칠기 Ra가 지나치게 크면, 점착 테이프 배면의 요철이 지나치게 크기 때문에, 요철부로부터의 공기 유입에 의해, 다이싱 공정 시의 진공 흡착에 의한 고정을 하지 못하는 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, 산술 평균 표면 거칠기 Ra의 측정 방법은 후술한다.
본 발명의 점착 테이프의 두께는, 바람직하게는 20㎛ 내지 120㎛이며, 보다 바람직하게는 40㎛ 내지 120㎛이며, 더욱 바람직하게는 50㎛ 내지 110㎛이며, 특히 바람직하게는 60㎛ 내지 110㎛이다. 본 발명의 점착 테이프의 두께를 상기 범위 내로 조정함으로써, 익스팬드나 핀 밀어올림에 대한 본 발명의 점착 테이프의 응력이 상기 테이프면 내에서 보다 균일해질 수 있다. 또한, 본 발명의 점착 테이프의 두께가 지나치게 작으면 취급성이 나빠질 우려가 있으며, 특히, 접합 작업이 어려워질 우려가 있다. 본 발명의 점착 테이프의 두께가 지나치게 크면, 연신 등의 변형에 대한 추종성이 나빠질 우려가 있다.
두께를 측정하는 방법으로서는, 예를 들어, 마이크로미터, 마이크로노기스, 다이얼 게이지 등의 물리적인 접촉을 수반하는 방법; 측정 대상에 대한 α선, X선, 적외선, 전자파 등의 투과율이나 반사율을 측정하는 비접촉적 방법; 측정 대상을 임의의 측정 개소에서 절단하여 광학 현미경이나 전자 현미경으로 관찰하는 방법; 등을 들 수 있고, 이들의 조합을 채용해도 좋다.
<기재>
기재의 두께는, 바람직하게는 10㎛ 이상 120㎛ 미만이고, 보다 바람직하게는 30㎛ 내지 120㎛이며, 더욱 바람직하게는 40㎛ 내지 100㎛이며, 특히 바람직하게는 50㎛ 내지 100㎛이다. 본 발명의 점착 테이프의 두께를 상기 범위 내로 조정함으로써, 익스팬드나 핀 밀어올림에 대한 본 발명의 점착 테이프의 응력이 상기 테이프면 내에서 보다 균일해질 수 있다. 또한, 기재의 두께가 지나치게 작으면, 취급성이 나빠질 우려가 있으며, 특히, 점착 테이프를 구성했을 때에 접합 작업이 어려워질 우려가 있다. 기재의 두께가 지나치게 크면, 연신 등의 변형에 대한 추종성이 나빠질 우려가 있다.
기재는, JIS-K-7127(1999년)에 따라 측정되는 최대 신도가, 바람직하게는 100％ 이상이며, 보다 바람직하게는 200％ 내지 1000％이다. 이러한 최대 신도를 나타내는 기재를 사용함으로써, 익스팬드나 핀 밀어올림에 대한 본 발명의 점착 테이프의 응력이 상기 테이프면 내에서 보다 균일해질 수 있다. 또한, 이러한 최대 신도를 나타내는 기재를 사용함으로써, 본 발명의 점착 테이프에 적당한 신장성을 부여할 수 있어, 예를 들어 피착체에 대한 추종성이 향상될 수 있다.
기재로서는, 상기한 특성을 만족하는 것이면, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 임의의 적절한 재료를 선택할 수 있다. 이러한 기재로서는, 바람직하게는 플라스틱 필름이다.
플라스틱 필름은, 임의의 적절한 수지 재료를 포함할 수 있다. 이러한 수지 재료로서는, 바람직하게는, 예를 들어 폴리염화비닐, 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아미드 등을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 폴리염화비닐, 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체를 들 수 있고, 더욱 바람직하게는 폴리염화비닐을 들 수 있다. 폴리염화비닐은 응력 완화성이 우수하기 때문에, 특히 LED 다이싱 등의 반도체 가공에 사용하는 점착 테이프에 적절하게 사용할 수 있다.
플라스틱 필름 중의 상기 수지 재료의 함유 비율로서는, 목적·용도에 따라 임의의 적절한 함유 비율을 설정할 수 있다. 이러한 함유 비율로서는, 예를 들어 바람직하게는 50중량％ 내지 100중량％이며, 보다 바람직하게는 60중량％ 내지 100중량％이며, 더욱 바람직하게는 70중량％ 내지 100중량％이다.
플라스틱 필름 중에는 가소제가 포함되어 있어도 좋다. 플라스틱 필름 중의 가소제의 함유 비율은, 상기 플라스틱 필름 중의 상기 수지 재료에 대하여, 바람직하게는 0.5중량％ 내지 50중량％이며, 보다 바람직하게는 1.0중량％ 내지 40중량％이다. 플라스틱 필름 중에 상기 함유 비율로 가소제를 포함시킴으로써, 익스팬드나 핀 밀어올림에 대한 본 발명의 점착 테이프의 응력이 상기 테이프면 내에서 보다 균일해질 수 있다. 또한, 플라스틱 필름 중에 상기 함유 비율로 가소제를 포함시킴으로써, 연신 등의 변형에 대한 본 발명의 점착 테이프의 추종성이 한층 양호한 것이 된다.
상기 가소제로서는, 예를 들어 프탈산에스테르계, 트리멜리트산에스테르계(다이닛본 잉크(주)제, W-700, 트리멜리트산트리옥틸 등), 아디프산에스테르계((주) 제이플러스제, D620, 아디프산디옥틸, 아디프산디이소노닐 등), 인산에스테르계(인산트리크레실 등), 아디프산계 에스테르, 시트르산에스테르(아세틸시트르산 트리부틸 등), 세박산에스테르, 아젤라인산에스테르, 말레산에스테르, 벤조산에스테르, 폴리에테르계 폴리에스테르, 에폭시계 폴리에스테르(에폭시화 대두유, 에폭시화 아마인유 등), 폴리에스테르(카르복실산과 글리콜을 포함하는 저분자 폴리에스테르 등) 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 에스테르계 가소제를 사용하는 것이 바람직하다. 가소제는, 1종뿐이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋다.
플라스틱 필름 중에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 임의의 적절한 그 밖의 성분을 포함하고 있어도 좋다.
기재는, 본 발명의 효과를 발현할 수 있는 범위 내에서, 임의의 적절한 제조 방법에 의해 제조할 수 있다. 이러한 제조 방법으로서는, 예를 들어 사출 성형, 압출 성형, 인플레이션 성형, 캘린더 성형, 블로우 성형 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 발명의 효과를 보다 발현시킬 수 있는 점에서, 캘린더 성형이 바람직하다.
<점착제층>
점착제층의 두께는, 바람직하게는 1.0㎛ 내지 30㎛이며, 보다 바람직하게는 1.0㎛ 내지 20㎛이며, 더욱 바람직하게는 3.0㎛ 내지 15㎛이다. 점착제층의 두께가 1.0㎛ 미만인 경우, 충분한 점착력을 발현하지 못할 우려가 있다. 점착제층의 두께가 30㎛보다 큰 경우, 용도에 따라서는 점착력이 지나치게 커져, 박리 등일 때에 피착체를 파쇄시킬 우려가 있다.
상기 점착제층의 재료로서는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 임의의 적절한 점착제를 채용할 수 있다.
점착제층의 재료로서는, 예를 들어 (메트)아크릴계 중합체; 천연 고무; 메타크릴산메틸 등의 단량체를 그라프트한 특수 천연 고무; SBS, SBR, SEPS, SIS, SEBS, 폴리부텐, 폴리이소부텐, 폴리이소부틸렌, 부틸 고무 등의 합성 고무; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 박리 후의 피착체에 대한 점착제 잔류가 적고, 고응집성을 갖고, 투명성이 우수한 점에서, 적어도 1종의 (메트)아크릴계 중합체가 바람직하다.
점착제층이 (메트)아크릴계 중합체를 포함하는 경우, 점착제층 중의 (메트)아크릴계 중합체의 함유 비율은, 목적에 따라 적절히 설정할 수 있다.
상기 (메트)아크릴계 중합체는, (메트)아크릴계 단량체를 주 단량체로서 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 수지이다. 상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분 중의 (메트)아크릴계 단량체의 함유 비율은, 바람직하게는 50중량％ 이상, 보다 바람직하게는 70중량％ 내지 100중량％, 더욱 바람직하게는 80중량％ 내지 100중량％, 특히 바람직하게는 95중량％ 내지 100중량％이다. 상기 단량체 성분 중의 단량체는, 1종뿐이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋다.
(메트)아크릴계 단량체로서는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르, (메트)아크릴산을 들 수 있다.
(메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 탄소수가 1 내지 30인 알킬기(시클로알킬기도 포함한다)의 (메트)아크릴산알킬에스테르, 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르는, 1종뿐이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋다.
탄소수가 1 내지 30인 알킬기(시클로알킬기도 포함한다)의 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산sec-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산아밀, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산시클로헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산옥타데실, (메트)아크릴산노나데실, (메트)아크릴산에이코실, (메트)아크릴산라우릴 등의, 탄소수가 1 내지 30인 알킬기(시클로알킬기도 포함한다)의 (메트)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들 (메트)아크릴산에스테르 중에서도, 바람직하게는 탄소수가 2 내지 20인 알킬기(시클로알킬기도 포함한다)의 (메트)아크릴산알킬에스테르이며, 보다 바람직하게는 탄소수가 4 내지 18인 알킬기(시클로알킬기도 포함한다)의 (메트)아크릴산알킬에스테르이다.
수산기 함유(메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분은, 점착제로서의 효과를 충분히 발현시키기 위해, 바람직하게는 수산기 함유 단량체, 카르복실기 함유 단량체로부터 선택되는 적어도 1종을 포함한다. 보다 바람직하게는, 카르복실기 함유 단량체이다. 또한, 상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분은, 점착제로서의 효과를 충분히 발현시키기 위하여, 아크릴로니트릴을 함유할 수 있다.
수산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 알릴알코올 등을 들 수 있다. 수산기 함유 단량체는, 1종뿐이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋다.
카르복실기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 크로톤산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등을 들 수 있다. 카르복실기 함유 단량체는, 1종뿐이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋다.
상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분이 수산기 함유 단량체를 포함하는 경우, 상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분 중의 수산기 함유 단량체의 함유 비율은, 바람직하게는 0.1중량％ 내지 20중량％이며, 보다 바람직하게는 0.1중량％ 내지 10중량％이다. 상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분이 카르복실기 함유 단량체를 포함하는 경우, 상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분 중의 카르복실기 함유 단량체의 함유 비율은, 바람직하게는 0.1중량％ 내지 20중량％이며, 보다 바람직하게는 0.1중량％ 내지 10중량％이다. 이와 같이, 상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분이, 수산기 함유 단량체, 카르복실기 함유 단량체로부터 선택되는 적어도 1종을 포함함으로써, 가교제를 사용한 경우에, 상기 가교제와의 가교 반응을 효율적으로 발생시키는 것이 가능하게 되어, 점착제로서의 효과를 충분히 발현시킬 수 있다. 또한, 상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분 중의 수산기 함유 단량체의 함유 비율이나, 상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분 중의 카르복실기 함유 단량체의 함유 비율을, 상기한 범위 내로 수용되도록 조정함으로써, 박리 조작 시의 피착체의 파쇄를 효과적으로 방지할 수 있다. 상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분 중의 수산기 함유 단량체의 함유 비율이나, 상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분 중의 카르복실기 함유 단량체의 함유 비율이, 상기한 범위보다도 지나치게 많은 경우에는, 점착력이 지나치게 커져 버려, 블로킹이 발생하기 쉬워질 우려가 있으며, 또한, 박리 조작 시에 피착체의 파쇄가 발생하기 쉬워질 우려가 있다.
점착제층은, 바람직하게는 가교제를 포함한다. 점착제층이 가교제를 포함하는 경우, 점착제층 중의 가교제의 함유 비율은, 목적에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 바람직하게는 주된 수지 성분(바람직하게는, (메트)아크릴계 중합체) 100중량부에 대하여, 0.1중량부 내지 20중량부이다. 점착제층 중의 가교제의 함유 비율을 상기 범위 내로 수용함으로써, 적당한 가교 반응을 발생시킬 수 있어, 박리 조작 시의 피착체의 파쇄를 효과적으로 방지할 수 있다.
가교제로서는, 예를 들어 에폭시계 가교제, 이소시아네이트계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다. 이들 가교제 중에서도, 본 발명의 효과를 충분히 발현할 수 있는 점에서, 멜라민계 가교제, 에폭시계 가교제, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다. 또한, 가교제는 필요에 따라 적절히 선택할 수 있고, 1종뿐이어도 좋고, 2종 이상의 혼합계이어도 좋다.
점착제층은, 가소제를 포함하고 있어도 좋다. 점착제층이 가소제를 포함하는 경우, 점착제층 중의 가소제의 함유 비율은, 목적에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 바람직하게는 주된 수지 성분(바람직하게는, (메트)아크릴계 중합체) 100중량부에 대하여, 0.1중량부 내지 70중량부이다. 점착제층 중의 가소제의 함유 비율을 상기 범위 내로 수용함으로써, 본 발명의 효과를 보다 한층 효과적으로 발현하는 것이 가능하게 된다. 점착제층 중의 가소제의 함유 비율이 주된 수지 성분(바람직하게는, (메트)아크릴계 중합체) 100중량부에 대하여, 70중량부보다 크면, 점착제층이 지나치게 유연해져 버려, 점착제 잔류나 피착체 오염이 발생하기 쉬워질 우려가 있다.
상기 가소제로서는, 예를 들어 프탈산에스테르계, 트리멜리트산에스테르계(다이닛본 잉크(주)제, W-700, 트리멜리트산트리옥틸 등), 아디프산에스테르계((주) 제이플러스제, D620, 아디프산디옥틸, 아디프산디이소노닐 등), 인산에스테르계(인산트리크레실 등), 아디프산계 에스테르, 시트르산에스테르(아세틸시트르산 트리부틸 등), 세박산에스테르, 아젤라인산에스테르, 말레산에스테르, 벤조산에스테르, 폴리에테르계 폴리에스테르, 에폭시계 폴리에스테르(에폭시화 대두유, 에폭시화 아마인유 등), 폴리에스테르(카르복실산과 글리콜을 포함하는 저분자 폴리에스테르 등) 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 에스테르계 가소제를 사용하는 것이 바람직하다. 가소제는, 1종뿐이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋다.
점착제층은, 가교 반응 등을 촉진시키기 위하여, 임의의 적절한 촉매를 포함하고 있어도 좋다. 점착제층이 촉매를 포함하는 경우, 점착제층 중의 촉매의 함유 비율은, 목적에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 주된 수지 성분(바람직하게는, (메트)아크릴계 중합체) 100중량부에 대하여, 0.01중량부 내지 10중량부이다. 점착제층 중의 촉매의 함유 비율을 상기 범위 내로 수용함으로써 본 발명의 효과를 보다 한층 효과적으로 발현하는 것이 가능하게 된다.
이러한 촉매로서는, 예를 들어 테트라이소프로필티타네이트, 테트라-n-부틸 티타네이트, 옥틸산주석, 옥틸산납, 옥틸산코발트, 옥틸산아연, 옥틸산칼슘, 나프텐산납, 나프텐산코발트, 디부틸주석디아세테이트, 디부틸주석디옥테이트, 디부틸주석디라우레이트, 디옥틸주석디라우레이트, 디부틸주석말레이트 등의 유기 금속 화합물; 부틸아민, 디부틸아민, 헥실아민, t-부틸아민, 에틸렌디아민, 이소포론디아민, 이미다졸, 수산화리튬, 수산화칼륨, 나트륨메틸레이트 등의 염기성 화합물; p-톨루엔술폰산, 트리크롤아세트산, 인산, 모노알킬인산, 디알킬인산, β-히드록시에틸아크릴레이트의 인산에스테르, 모노알킬아인산, 디알킬아인산 등의 산성 화합물; 등을 들 수 있다. 촉매는, 1종뿐이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋다.
점착제층은, 본 발명의 효과를 보다 한층 발현시키기 위해서는, 그의 SP값이, 바람직하게는 9.0(cal/㎤)0.5 내지 12.0(cal/㎤)0.5이며, 보다 바람직하게는 9.5(cal/㎤)0.5 내지 11.0(cal/㎤)0.5이다. SP값은, Small의 식에 의해 산출되는 용해도 파라미터이다. SP값의 계산은, 공지의 문헌(예를 들어, Journal of Applied Chemistry, 3,71,1953. 등)에 기재된 방법으로 행할 수 있다.
점착제층에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 임의의 적절한 첨가제가 포함되어 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들어 자외선 흡수제, 충전제, 노화 방지제, 점착 부여제, 안료, 염료, 실란 커플링제 등을 들 수 있다.
본 발명의 점착 테이프는, 점착제층의 표면에 박리 라이너를 구비하고 있어도 좋다.
박리 라이너로서는, 임의의 적절한 세퍼레이터를 채용할 수 있다. 이러한 박리 라이너로서는, 예를 들어 실리콘계, 장쇄 알킬계, 불소계, 황화몰리브덴 등의 박리제에 의해 표면 처리된 플라스틱 필름이나 종이 등의 박리층을 갖는 기재; 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리불화비닐, 폴리불화비닐리덴, 테트라플루오로에틸렌·헥사플루오로프로필렌 공중합체, 클로로플루오로에틸렌·불화비닐리덴 공중합체 등의 불소계 중합체를 포함하는 저접착성 기재; 올레핀계 수지(예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등) 등의 무극성 중합체를 포함하는 저접착성 기재; 등을 들 수 있다.
점착제층을 기재 위에 형성하는 방법으로서는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 임의의 적절한 수단을 채용할 수 있다. 이러한 수단으로서, 바람직하게는 점착제층을 형성하는 도포 시공액을 기재 위에 도포 시공함으로써 점착제층을 형성하는 방법이다.
도포 시공 방식으로서는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서, 임의의 적절한 도포 시공 방식을 채용할 수 있다. 이러한 도포 시공 방식으로서는, 예를 들어 리버스 방식, 다이렉트 방식, 미터링 롤을 조합한 각종 방식 등을 들 수 있다. 본 발명의 효과를 충분히 발현시키기 위해서는, 용매를 포함한 웨트 상태에서의 도포 시공층의 두께 편차를 폭 방향에 있어서 ±20％ 이내로 조정하는 것이 바람직하다.
<비점착층>
본 발명의 점착 테이프는, 바람직하게는 기재의 한쪽 면에 점착제층을 구비하고, 상기 기재의 상기 점착제층과 반대인 면에 동적 마찰력을 저하시키는 기능층을 구비한다. 동적 마찰력을 저하시키는 기능층으로서는, 기재에 요철을 형성하기만 하면 된다. 요철은 엠보싱 롤을 사용하여 기재를 가공하는 방법 이외에, 레이저나 샌드 블라스터 등에 의해 기재 표면을 깎아 요철을 형성하는 등의 방법이면 된다. 여기서 기재 표면의 산술 평균 표면 거칠기 Ra는, 바람직하게는 400㎚ 이상이며, 보다 바람직하게는 700㎚ 이상이다. 기재 표면의 산술 평균 표면 거칠기 Ra가 이 값보다 작으면, 익스팬드 장치의 스테이지와 기재가 밀착 혹은 스티킹되는 등의 문제를 발생시킬 수 있다. 또한, 기능층은, 분체, 미립자 혹은 나노 입자와 같은 것으로 구성되어 있어도 좋고, 이들이 롤러로서 작용하거나, 혹은 기재 표면에 요철이 생겨, 익스팬드 장치의 스테이지와 기재가 밀착 혹은 스티킹되는 것을 방지함으로써 마찰력이 저감된다. 여기서, 입자는 평균 입경으로, 바람직하게는 10㎚ 이상, 보다 바람직하게는 50㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 100㎚ 이상이다. 또한, 기계유나 실리콘 오일 등의 왁스·유류이어도 좋다. 이 경우에는, 분자 레벨에서의 롤러나 표면 요철에 의한 효과뿐만 아니라, 점도에 따라, 익스팬드 시의 전단 응력으로 변형되어, 기재가 스테이지에 밀착 혹은 스티킹되는 것을 방지하여 마찰력을 저감시킨다. 이들 동적 마찰력을 저하시키는 기능층은, 기재 제조 시 혹은 점착제 제조 시에 도포, 도포 시공, 분무하거나 하여 형성하거나, 또한, 기재의 원료가 되는 수지 펠릿 등과 함께 혼입하여, 기재 혹은 점착제로 하거나 해도 좋다. 또한, 반도체 가공에 요구되는 점착 테이프 특성(점착 테이프의 청정성이나 두께 등 형상 균일성 등)을 갖고, 또한, 공업적으로 양산 가능하여 유용한 동적 마찰력을 저하시키는 기능층으로서, 하기에 비점착성 소재를 포함하는 기능층(이하, 비점착층이라고 칭하는 경우가 있다)에 대하여 설명한다.
이러한 비점착층의 조성 등은 특별히 한정되는 것은 아니며, 그 일례로서는, 실리콘층, (메트)아크릴계 중합체층, 실리콘층과 (메트)아크릴계 중합체층의 혼합층, (메트)아크릴계 중합체가 그라프트 중합된 실리콘층 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실리콘과 (메트)아크릴계 중합체의 혼합층이 바람직하다. 비점착층을 실리콘과 (메트)아크릴계 중합체의 혼합층으로 함으로써, 비점착층과 기재(특히, 플라스틱 필름)의 친화가 좋아지고, 또한 동적 마찰력을 저감시키는 소재이기도 하므로, 본 발명의 점착 테이프는, 세로 방향 및 가로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드할 수 있어, 연신 등의 변형에 대한 추종성이 양호한 것이 된다.
이러한 소재를 포함하는 비점착층의 표면은 요철 구조를 가져도 좋다. 비점착층의 표면이 요철 구조를 가짐으로써, 세로 방향 및 가로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드하기 쉬워지기 때문이다. 또한, 점착 테이프를 롤 형상으로 하여 제조 보관함으로써 발생할 수 있는 블로킹 현상도 요철에 의해 방지하는 것이 가능하다. 이 요철 구조는, 구체적으로는, 비점착층의 산술 평균 표면 거칠기 Ra가, 바람직하게는 50㎚ 이상이며, 보다 바람직하게는 100㎚ 이상이며, 더욱 바람직하게는 200㎚ 이상이다. 상기 산술 평균 표면 거칠기 Ra의 상한값은, 바람직하게는 5㎛ 이하이다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, 비점착층의 산술 평균 표면 거칠기 Ra를 상기 범위 내로 조정함으로써, 세로 방향 및 가로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드할 수 있다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, 비점착층의 산술 평균 표면 거칠기 Ra가 지나치게 작으면, 점착 테이프를 압입 방식으로 익스팬드했을 때에, 압입 지그와 테이프 배면이 밀착되어 버려, 걸림이 발생하여, 압입 지그 접촉부와 비접촉부에서 균일하게 익스팬드할 수 없어, 최악의 경우, 비접촉부에서 점착 테이프가 파단되는 문제가 발생할 우려가 있다. 본 발명의 점착 테이프에 있어서, 비점착층의 산술 평균 표면 거칠기 Ra가 지나치게 크면, 점착 테이프 배면의 요철이 지나치게 크기 때문에, 요철부에서의 공기 유입에 의해, 다이싱 공정 시의 진공 흡착에 의한 고정을 할 수 없는 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, 산술 평균 표면 거칠기 Ra의 측정 방법은 후술한다.
비점착층은, 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)에 의한 유리 전이 온도 Tg가, 바람직하게는 20℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 30℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 50℃ 이상이고, 특히 바람직하게는 55℃ 이상이다. 비점착층의 시차 주사 열량 측정에 의한 유리 전이 온도 Tg의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 취급성 등의 관점에서, 바람직하게는 200℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 170℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하이고, 특히 바람직하게는 130℃ 이하이고, 가장 바람직하게는 100℃ 이하이다. 비점착층의 시차 주사 열량 측정에 의한 유리 전이 온도 Tg가 상기 범위 내로 수용되면, 비점착층의 표면의 경도가 고온 하에 있어서도 적절히 높아지고, 따라서 내열성이 높아지고, 본 발명의 점착 테이프를 부압에 의해 고정용 다이 시트에 흡착 고정을 행하여 다이싱 등을 행하는 경우에, 다이 시트의 발열 등에 의한 과밀착이 일어나는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 비점착층의 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)에 의한 유리 전이 온도 Tg의 측정 방법은 후술한다.
비점착층이 (메트)아크릴계 중합체를 포함하는 경우, 비점착층 중의 (메트)아크릴계 중합체는, 그 계산 Tg가, 바람직하게는 10℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 20℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 30℃ 이상이고, 특히 바람직하게는 45℃ 이상이다. 비점착층 중의 (메트)아크릴계 중합체의 계산 Tg의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 200℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 150℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 100℃ 이하이다. 비점착층 중의 (메트)아크릴계 중합체의 계산 Tg가 상기 범위 내로 수용됨으로써, 비점착층의 표면의 미소한 요철 구조에 있어서의 내열성이 높아져, 본 발명의 점착 테이프를 부압에 의해 고정용 다이 시트에 흡착 고정을 행하여 다이싱 등을 행하는 경우에, 다이 시트의 발열 등에 의한 과밀착이 일어나는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명에 있어서 공중합체(상기 비점착층 중의 (메트)아크릴계 중합체 등)의 「계산 Tg」란, 공중합체를 구성하는 단량체 유래의 구조 단위의 Tg에 대하여, Fox의 계산식에 의해 구해지는 계산 유리 전이 온도이다. Fox의 식이란, 이하에 나타낸 바와 같은, 공중합체의 유리 전이 온도 Tg(℃)와, 공중합체를 구성하는 단량체 각각을 단독 중합한 단독 중합체의 유리 전이 온도 Tgi(℃)의 관계식이다. 또한, 이하의 Fox의 식에 있어서, Tg(℃)는 공중합체의 유리 전이 온도, Wi는 단량체 i의 중량 분율, Tgi(℃)는 단량체 i의 단독 중합체의 유리 전이 온도를 나타낸다.
또한, 단독 중합체의 유리 전이 온도 Tgi(℃)로서는, 구체적으로는, 「Poly mer Handbook 3rd Edition」(A WILEY-INTERSCIENCE PUBLICATION, 1989년)에 기재된 값을 사용할 수 있다.
비점착층이 (메트)아크릴계 중합체를 포함하는 경우, 비점착층 중의 (메트)아크릴계 중합체는, 그 SP값이, 바람직하게는 9.0(cal/㎤)0.5 내지 12.0(cal/㎤)0.5이며, 보다 바람직하게는 9.5(cal/㎤)0.5 내지 11.5(cal/㎤)0.5이며, 더욱 바람직하게는 9.5(cal/㎤)0.5 내지 11.0(cal/㎤)0.5이다. SP값은, Small의 식에 의해 산출되는 용해도 파라미터이다. SP값의 계산은, 공지의 문헌(예를 들어, Journal of Applied Chemistry, 3,71,1953. 등)에 기재된 방법으로 행할 수 있다.
비점착층은, 바람직하게는 상분리 구조를 갖는다. 비점착층이 상분리 구조를 가짐으로써, 상기 비점착층의 표면에 미소한 요철 구조가 효율적으로 형성될 수 있다. 이것은, 아마도, 예를 들어 비점착층이 실리콘과 (메트)아크릴계 중합체의 혼합층인 경우를 예로 들면, 상분리 구조 생성 시의 실리콘, (메트)아크릴계 중합체의 물질 이동성의 차이에 의해 요철이 생성되는 것으로 추측된다. 이 요철 구조의 형성에 의해, 본 발명의 점착 테이프에 있어서, 세로 방향 및 가로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드할 수 있어, 부압에 의한 흡착 고정을 행하는 경우에 과밀착이 일어나는 것을 억제할 수 있음과 함께, 롤 형상의 형태에 있어서의 블로킹을 효과적으로 억제할 수 있어, 롤 형상의 형태로부터 되감을 때에 터지거나 찢어지거나 하는 것을 억제할 수 있다.
비점착층은, 바람직하게는 실리콘이 (메트)아크릴계 중합체보다도 많이 포함되는 실리콘 리치상과 (메트)아크릴계 중합체가 실리콘보다도 많이 포함되는 (메트)아크릴계 중합체 리치상을 포함한다. 비점착층은, 보다 구체적으로는, 바람직하게는 상기 실리콘 리치상과 상기 (메트)아크릴계 중합체 리치상이 서로 독립된 상분리 구조로 포함하고, 보다 바람직하게는, 상기 실리콘 리치상이 공기 계면측(기재(특히, 플라스틱 필름)의 반대측)에 존재하고, 상기 (메트)아크릴계 중합체 리치상이 기재(특히, 플라스틱 필름)측에 존재한다. 이러한 상분리 구조를 가짐으로써, 공기 계면측에 존재하는 실리콘 리치상에 의해 블로킹이 효과적으로 억제되어, 기재(특히, 플라스틱 필름)측에 존재하는 (메트)아크릴계 중합체 리치상에 의해 비점착층과 기재(특히, 플라스틱 필름)의 친화가 좋아져 변형 추종성이 양호해진다. 비점착층 중의 실리콘과 (메트)아크릴계 중합체의 혼합비를 하기와 같이 조정함으로써, 이러한 상분리 구조를 형성할 수 있다.
비점착층이, 상분리 구조를 갖는 것과, 상기와 같은, 실리콘이 (메트)아크릴계 중합체보다도 많이 포함되는 실리콘 리치상과 (메트)아크릴계 중합체가 실리콘보다도 많이 포함되는 (메트)아크릴계 중합체 리치상을 포함하는 것은, 임의의 적절한 방법에 의해 관찰할 수 있다. 이러한 관찰 방법으로서는, 예를 들어 투과형 전자 현미경(TEM), 주사형 전자 현미경(SEM), 전해 방출형 주사형 전자 현미경(FE-SEM) 등의 전자 현미경을 사용하여 비점착층 단면을 형태 관찰하는 방법을 들 수 있다. 2층 분리 구조는, 형태 관찰상의 농담에 따라 판독하는 것이 가능하다. 또한, 전반사법에 의한 적외 흡수 분광에 의해, 비점착층 공기 계면측으로부터 내부로 프로브 광 심도를 바꾸면서, 조성 중에 포함되는 규소나 탄소 등의 함유량의 변화를 관측함으로써 관찰하는 방법도 들 수 있다. 이밖에, X선 마이크로애널라이저나 X선 광전자 분광에 의해 관찰하는 방법도 들 수 있다. 또한, 적절히 이들 방법을 조합하여 관찰해도 좋다.
비점착층이 공기 계면측(기재(특히, 플라스틱 필름)의 반대측)에 존재하는 실리콘 리치상과 기재(특히, 플라스틱 필름)측에 존재하는 (메트)아크릴계 중합체 리치상의 상분리 구조를 갖는 경우, 상기 비점착층을 부압에 의해 고정용 다이 시트에 흡착 고정하여 다이싱 등을 행할 때에 상기 고정용 다이 시트가 발열하면, 상기 발열에 의한 열부하에 의해 상기 상분리 구조의 표면 구조가 파괴되어, 특히 발열된 상기 고정용 다이 시트에 많이 접하는 볼록 부분에 있어서의 상기 상분리 구조의 표면 구조가 파괴되어, 상기 볼록 부분에 있어서 공기 계면측에 (메트)아크릴계 중합체 리치상이 노출되는 일이 일어날 수 있다. 그러나, 본 발명의 점착 테이프는, 비점착층의 시차 주사 열량 측정에 의한 유리 전이 온도 Tg가 바람직하게는 상기한 범위 내에 수용되어 있기 때문에, 열부하를 받은 볼록 부분의 경도가 적절하게 높고, 따라서 내열성이 높아진다. 이로 인해, 본 발명의 점착 테이프를 부압에 의해 고정용 다이 시트에 흡착 고정을 행하여 다이싱 등을 행하는 경우에, 다이 시트의 발열 등에 의한 과밀착이 일어나는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
비점착층이 실리콘과 (메트)아크릴계 중합체의 혼합층인 경우, 비점착층 중의 실리콘과 (메트)아크릴계 중합체의 혼합비는, 중량비로, 바람직하게는 실리콘:(메트)아크릴계 중합체=1:50 내지 50:1이며, 보다 바람직하게는, 실리콘:(메트)아크릴계 중합체=1:30 내지 30:1이며, 더욱 바람직하게는, 실리콘:(메트)아크릴계 중합체=1:10 내지 10:1이며, 특히 바람직하게는, 실리콘:(메트)아크릴계 중합체=1:5 내지 5:1이며, 가장 바람직하게는, 실리콘:(메트)아크릴계 중합체=1:3 내지 5:1이다. 비점착층 중의 실리콘의 함유 비율이 지나치게 크면, 기재(특히, 플라스틱 필름) 배면과의 화학적 친화성이 낮아져, 기재(특히, 플라스틱 필름) 배면에 친화되기 어려워질 우려가 있다. 또한, 비점착층 중의 실리콘의 함유 비율이 지나치게 크면, 점착 테이프로 한 경우, 연신 등의 변형에 대한 추종성이 나빠져, 비점착층이 파쇄되어 오염의 원인이 될 우려가 있다. 비점착층 중의 (메트)아크릴계 중합체의 함유 비율이 지나치게 크면, 비점착층이 아크릴계 점착제로서 작용해 버릴 우려가 있어, 블로킹이 발생하기 쉬워질 우려가 있다.
실리콘으로서는, 임의의 적절한 실리콘을 채용할 수 있다. 이러한 실리콘으로서는, 예를 들어 백금계 화합물을 촉매로서 알케닐기 함유 폴리디알킬실록산과 폴리디알킬히드로겐폴리실록산을 부가 반응에 의해 경화시켜 박리성 피막을 형성하여 얻어지는 부가형 실리콘, 주석계 촉매를 사용한 메틸올기 함유 폴리디알킬실록산과 폴리디알킬히드로겐폴리실록산을 반응시켜 얻어지는 축합형 실리콘 등을 들 수 있다. 부가형 실리콘의 예로서는, 예를 들어 신에쯔 실리콘제의 「KS-776A」, 「KS-839L」 등을 들 수 있다. 축합형 실리콘의 예로서는, 예를 들어 신에쯔 실리콘제의 「KS723A/B」 등을 들 수 있다. 또한, 실리콘을 제조할 때에는, 백금계 촉매나 주석계 촉매 이외에, 적절히, 그 밖의 가교제, 가교 촉진제 등을 사용해도 좋다. 또한, 실리콘의 성상으로서는, 톨루엔 등의 유기 용제에 용해한 타입, 이들을 에멀전화한 에멀전 타입, 실리콘만을 포함하는 무용제 타입 등으로 분류된다. 또한, 부가형 실리콘이나 축합형 실리콘 이외에, 실리콘/아크릴 그라프트 중합체, 실리콘/아크릴 블록 중합체 등을 사용할 수 있다. 실리콘/아크릴 그라프트 중합체로서는, 예를 들어 사이맥 GS-30, GS101, US-270, US-350, US-380(이상, 도아 고세(주)제) 등을 들 수 있다. 실리콘/아크릴 블록 중합체로서는, 예를 들어 모디퍼 FS700, FS710, FS720, FS730, FS770(이상, 니찌유(주)제) 등을 들 수 있다.
(메트)아크릴계 중합체로서는, 임의의 적절한 (메트)아크릴계 중합체를 채용할 수 있다. 본 발명에 있어서, 「(메트)아크릴」이란, 「아크릴 및/또는 메타크릴」을 의미한다.
(메트)아크릴계 중합체는, (메트)아크릴계 단량체를 주 단량체로서 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체이다. 상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분 중의 (메트)아크릴계 단량체의 함유 비율은, 바람직하게는 50중량％ 이상, 보다 바람직하게는 70중량％ 내지 100중량％, 더욱 바람직하게는 90 중량 내지 100중량％, 특히 바람직하게는 95중량％ 내지 100중량％이다. 상기 단량체 성분 중의 단량체는, 1종뿐이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋다.
(메트)아크릴계 단량체로서는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르, (메트)아크릴산을 들 수 있다.
(메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 탄소수가 1 내지 30인 알킬기(시클로알킬기도 포함한다)의 (메트)아크릴산알킬에스테르, 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르는, 1종뿐이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋다.
탄소수가 1 내지 30인 알킬기(시클로알킬기도 포함한다)의 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산sec-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산아밀, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산시클로헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산옥타데실, (메트)아크릴산노나데실, (메트)아크릴산에이코실, (메트)아크릴산라우릴 등의, 탄소수가 1 내지 30인 알킬기(시클로알킬기도 포함한다)의 (메트)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들 (메트)아크릴산에스테르 중에서도, 바람직하게는 탄소수가 2 내지 20인 알킬기(시클로알킬기도 포함한다)의 (메트)아크릴산알킬에스테르이며, 보다 바람직하게는 탄소수가 4 내지 18인 알킬기(시클로알킬기도 포함한다)의 (메트)아크릴산알킬에스테르이다.
수산기 함유(메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분은, 본 발명의 효과를 충분히 발현시키기 위하여, 수산기 함유 단량체, 카르복실기 함유 단량체로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하고 있어도 좋다.
수산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 알릴알코올 등을 들 수 있다. 수산기 함유 단량체는, 1종뿐이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋다.
카르복실기 함유 단량체로서는, 예를 들어 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 크로톤산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등을 들 수 있다. 카르복실기 함유 단량체는, 1종뿐이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋다.
비점착층이 (메트)아크릴계 중합체를 포함하는 경우, 비점착층 중의 (메트)아크릴계 중합체는, 바람직하게는 그것을 구성하는 단량체 성분 중의 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르의 함유 비율이, 상기 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르 이외의 단량체 성분의 총량에 대하여, 바람직하게는 2중량％ 내지 30중량％이며, 보다 바람직하게는 3중량％ 내지 25중량％이며, 특히 바람직하게는 5중량％ 내지 20중량％이다. 비점착층이 (메트)아크릴계 중합체를 포함하는 경우, 비점착층 중의 (메트)아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분 중의 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르의 함유 비율이, 상기 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르 이외의 단량체 성분의 총량에 대하여, 상기 범위 내로 수용되면, 비점착층의 표면에 요철 구조가 한층 효율적으로 형성되고, 이 요철 구조의 형성에 의해, 본 발명의 점착 테이프에 있어서, 세로 방향 및 가로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드할 수 있어, 부압에 의한 흡착 고정을 행하는 경우에 과밀착이 일어나는 것을 한층 억제할 수 있음과 함께, 롤 형상의 형태에 있어서의 블로킹을 한층 효과적으로 억제할 수 있어, 롤 형상의 형태로부터 되감을 때에 터지거나 찢어지거나 하는 것을 한층 억제할 수 있다.
비점착층이 (메트)아크릴계 중합체를 포함하는 경우, 비점착층 중의 (메트)아크릴계 중합체는, 바람직하게는 그것을 구성하는 단량체 성분에 있어서의 수산기 함유(메트)아크릴산에스테르 이외의 단량체 성분 중에, (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산에스테르를 포함할 수 있다. 이 경우, (메트)아크릴산과 (메트)아크릴산에스테르의 함유 비율은, 중량비로, (메트)아크릴산:(메트)아크릴산에스테르가, 바람직하게는 0:100 내지 20:80이며, 보다 바람직하게는 0:100 내지 10:90이며, 더욱 바람직하게는 0:100 내지 5:95이다.
(메트)아크릴산과 (메트)아크릴산에스테르의 함유 비율이 상기 범위 내에 수용되면, 비점착층의 표면에 요철 구조가 한층 효율적으로 형성되고, 이 요철 구조의 형성에 의해, 본 발명의 점착 테이프에 있어서, 세로 방향 및 가로 방향으로 보다 균일하게 익스팬드할 수 있어, 부압에 의한 흡착 고정을 행하는 경우에 과밀착이 일어나는 것을 한층 억제할 수 있음과 함께, 롤 형상의 형태에 있어서의 블로킹을 한층 효과적으로 억제할 수 있어, 롤 형상의 형태로부터 되감을 때에 터지거나 찢어지거나 하는 것을 한층 억제할 수 있다.
(메트)아크릴계 중합체는, 임의의 적절한 중합 방법에 의해 제조할 수 있다.
비점착층에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 임의의 적절한 첨가제가 포함되어 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들어 촉매, 자외선 흡수제, 충전제, 노화 방지제, 점착 부여제, 안료, 염료, 실란 커플링제 등을 들 수 있다.
비점착층의 두께는, 바람직하게는 0.01㎛ 내지 10㎛이며, 보다 바람직하게는 0.1㎛ 내지 5㎛이며, 더욱 바람직하게는 0.1㎛ 내지 2㎛이다. 비점착층의 두께가 0.01㎛ 미만인 경우, 블로킹이 발생되기 쉬워진다. 비점착층의 두께가 10㎛보다 크면, 연신 등의 변형에 대한 추종성이 나빠질 우려가 있다. 비점착층의 두께가 0.01㎛보다 작으면, 본 발명의 효과가 발현되기 어려워질 우려나, 제조되기 어려워질 우려가 있다.
기재(특히, 플라스틱 필름)의 한쪽 면에 비점착층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 기재(특히, 플라스틱 필름)의 한쪽 면에 비점착층의 재료를 도포하여 건조시킴으로써 비점착층을 형성하는 방법을 들 수 있다. 상기 도포의 방법으로서는, 예를 들어 바 코터, 그라비아 코터, 스핀 코터, 롤 코터, 나이프 코터, 어플리케이터 등을 사용하는 방법을 들 수 있다.
본 발명의 점착 테이프는, 임의의 적절한 용도에 사용할 수 있다. 본 발명의 점착 테이프는, 기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 SUS430BA판에 대한 동적 마찰력을 소정의 레벨로 엄밀하게 조정함으로써, 세로 방향 및 가로 방향으로 균일하게 익스팬드할 수 있으므로, 예를 들어 다이싱 테이프 위로부터 콜릿에 의해 칩을 흡착 분리할 때 정확하게 흡착 분리할 수 있다. 따라서, 취약한 재료로 구성되고 미세 정교하고 치밀한 회로 패턴을 가질 수 있는 반도체 웨이퍼를 피착체로 하는 반도체 가공에 적절하게 사용할 수 있다. 본 발명의 점착 테이프를 반도체 가공에 사용하면, 균일한 익스팬드가 가능하게 되어, 응력 왜곡의 축적이 발생하지 않으므로, 반도체 웨이퍼의 미세 정교하고 치밀한 회로 패턴에 적확하게 추종하여 접합하는 것이 가능하게 되고, 또한, 반도체 웨이퍼에 접합한 후의 응력 왜곡의 자연 해방이 일어나지 않기 때문에, 반도체 웨이퍼가 파쇄되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 특히, LED에 사용되는 웨이퍼는, 질화갈륨, 갈륨비소, 탄화규소 등의 매우 취약한 재료로 구성되어 있기 때문에, 본 발명의 점착 테이프는, LED에 사용되는 웨이퍼의 다이싱(LED 다이싱) 등에 매우 적합하다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 하등 한정되는 것은 아니다. 부는 중량부를 의미한다. 또한, 용액으로 공급되고 있는 시약의 양은, 용액을 휘발시키고 남는 고형분의 양(고형분 환산량)에 의해 표현된다.
<동적 마찰력>
점착 테이프를 폭 100㎜×길이 200㎜로 절단하고, 도 3에 도시한 바와 같은 미끄럼성 측정 지그(300)의 금속면(10)에 기포가 들어가지 않도록 접합했다.
접합한 점착 테이프 배면에, 도 4에 도시한 바와 같은 가중 400(중량 2.0kg, 저면이 52㎜×63㎜, 저면의 재질이 SUS430BA판)을 싣고, 걸기 부분(20)에 끈을 붙여 미끄럼성 측정 지그(300)의 도르래(30)를 통하여, 1분 이내로 인장 속도 0.3m/min으로 금속면(10)에 대하여 수직 방향으로 100㎜ 인장하고, 그때의 마찰력을 측정했다. 동적 마찰력은 인장 거리 30㎜ 이후의 마찰력의 평균값으로 했다. 또한, 측정은, 시마즈(SHIMADZU)제의 「오토그래프(AUTOGRAPH) AG-IS」에 의해 행했다.
<모듈러스>
모듈러스는, JIS-K-7127(1999년)에 따라, 점착 테이프를 폭 10㎜×길이 150㎜로 절단하고, 온도 23℃, 습도 50％의 분위기화에 있어서, 척간 50㎜이고 인장 속도 1.0m/min의 속도로 인장하여, 점착 테이프가 150％ 연신되었을 때의 힘을 측정했다. 측정은, 시마즈제의 「오토그래프 AG-IS」에 의해 행했다.
또한 시험은, 점착 테이프 시험편의 길이 방향을 MD 혹은 TD로 한 시료를 제작하고, MD와 TD에서의 차이도 측정했다.
또한, 상기 측정으로부터 모듈러스비를 구했다. 또한, MD와 TD에서 값이 상이한 경우, 보다 작은 값을 분모로 하여 계산을 행하기로 했다. 구체적으로는 모듈러스의 값이 TD>MD 혹은 TD=MD이었다로 하면 모듈러스비는 TD/MD이며, TD<MD이면 MD/TD가 모듈러스비이다.
<응력 완화율>
점착 테이프를 폭 10㎜×길이 150㎜로 절단하고, 온도 23℃, 습도 50％의 분위기화에 있어서, 척간 50㎜으로 인장 속도 1.0m/min의 속도로 인장하고, 점착 테이프가 150％ 연신된 지점에서 인장을 멈추고, 그 상태에서 2초간 유지하여, 150％ 신장 직후의 응력(P1)과 2초 유지 후의 응력(P2)을 각각 측정하고, 하기의 식에 의해 응력 완화율(L)을 구했다. 측정은, 시마즈제의 「오토그래프 AG-IS」에 의해 행했다.
또한 시험은, 점착 테이프 시험편의 길이 방향을 MD 혹은 TD로 한 시료를 제작하고, MD와 TD에서의 차이도 측정했다. 그리고, (TD 방향 응력 완화율/MD 방향 응력 완화율)을 응력 완화율비로 했다.
<최대 신도>
최대 신도는, JIS-K-7127(1999년)에 따라, 인스트론형 인장 시험기(시마즈 세이사꾸쇼제, 오토그래프)에 의해 측정했다. 구체적으로는, 폭 20㎜×길이 100㎜의 샘플을 척간 거리 50㎜로 설치한 후, 0.3m/분의 인장 속도로 인장을 행하여, 파단했을 때의 값을 측정했다.
<탄성률>
탄성률은, JIS-K-7127(1999년)에 따라, 인스트론형 인장 시험기(시마즈 세이사꾸쇼제, 오토그래프)에 의해 측정했다. 구체적으로는, 폭 20㎜×길이 100㎜의 샘플을 척간 거리 50㎜으로 설치한 후, 0.3m/분의 인장 속도로 인장을 행하고, 초기 탄성률을 구했다. 초기 탄성률은, 파단 신장 0 내지 2％의 영역에서의 접선을 긋고, 접선을 100％ 신장의 값까지 직선으로 늘린 값으로 하여, 샘플의 단면적 환산으로 보정했다.
<산술 평균 표면 거칠기 Ra>
올림푸스(OLYMPUS)제의 공초점 레이저 현미경 「LEXT4000」을 사용하여, 대물 렌즈 20배로 3D 모드에서 측정했다. 3D 모드의 관찰 범위의 결정은, 렌즈를 상하 이동시켰을 때에 CF 화상(공초점 화상)이 컴컴해지는 위치를 각각 관찰 범위의 Top과 Bottom으로 설정함으로써 행했다.
3D 모드에서의 화상 읽어들이기 방법은, Step 방식으로 0.2㎛ 피치로 화상 읽어들이기를 행했다.
산술 평균 표면 거칠기 Ra의 계측은, 해석 모드의 거칠기 해석에 의해 임의의 장소의 Ra를 계측했다. 또한, 값은 n=5의 평균값으로 구했다.
<비점착층의 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)에 의한 유리 전이 온도 Tg의 측정>
비점착층을 페더 날로 끌어 모아, DSC의 고체 측정용 팬에 3㎎ 정도 봉입했다.
팬을 TA 인스트루먼트사의 고감도 시차 주사 열량계 Q2000에 투입하고, 0℃부터 200℃까지 승온 속도 2℃/min으로 승온했다.
또한 동일한 조건에서 냉각하고, 재차 승온했다. 세컨드 런의 전이 영역 이하의 직선 부분의 외부 삽입과 전이 영역 이상의 직선 부분의 외부 삽입의 중점을 연결한 직선과 측정 곡선의 교점을 구하여, 이것을 유리 전이 온도 Tg로 했다.
<비점착층의 관찰>
(SEM에 의한 관찰)
비점착층 단면을 관찰할 수 있도록 가공한 후, 투과형 전자 현미경(SEM)에 의해 형태 관찰을 행했다.
(전반사법에 의한 적외 분광 측정(ATR-IR)에 의한 관찰)
적외 분광 스펙트럼 미터(퍼킨엘머(Perkin Elmer)제, 스펙트럼 원(Spectrum One))를 사용하여, 전반사 측정법을 선택하고, 프로브 광의 분석 깊이를 바꾸기 위하여, 2종류의 전반사 측정용 프리즘(ZnSe45°, Ge45°)을 사용하여, 비점착층의 ATR-IR 측정을 행했다.
<익스팬드성>
점착 테이프를 폭 100㎜×길이 100㎜로 절단하고, 그 점착 테이프의 접착제면의 중앙에 MD 방향, TD 방향 각각의 흐름과 일치하는 길이 30㎜의 십자의 기준선을 그렸다(도 5). 그 점착 테이프(1000)를, 십자의 기준선이 중심으로 되도록, 내경 76㎜, 외경 88㎜의 링 형상 지그(40)에 고정하고, 익스팬드성 평가용 샘플(500)을 제작했다(도 6). 도 7에 도시한 바와 같이, 익스팬드성 평가용 샘플(500)의 테이프 배면측으로부터, 직경 58㎜×높이 110㎜의 원기둥(50)을 속도 0.6m/min으로 50㎜ 압입하고, 점착 테이프(1000)를 연신했다. 이때, 압입 거리를 일정하게 하기 위하여, 원기둥(50) 주위에 높이 60㎜의 다이(60)를 설치했다. 연신 후, 점착 테이프를 주름 없이 펼친 상태에서, 접착제면에 그린 십자의 기준선의 MD 방향, TD 방향 각각의 길이를 노기스에 의해 측정했다. 또한, MD 방향/TD 방향의 익스팬드비도 산출했다. 또한, 측정은 시마즈제의 「오토그래프 AG-IS」에 의해 행했다.
익스팬드 공정에 있어서 익스팬드되어야 할 필름의 부위는 도 7의 원기둥(50)과 점착 테이프(1000)가 접하는 장소이다. 즉 점착 테이프(1000)의 원기둥(50)의 상면에 있어서의 부위이다. 왜냐하면, 그 부위에 있어서 칩이 설치되어 있고, 그 간격을 벌리기 위해 익스팬드되어야 하기 때문이다. 동마찰 계수가 큰 경우에는 도 7의 원기둥(50)의 상면에 접하지 않는 점착 테이프(1000)의 부위만이 익스팬드된다는 사태도 발생할 수 있다.
또한, 익스팬드되어야 할 부위에 있어서의 필름은 면 균일하게 신장될 필요가 있고, 국소적으로 익스팬드되는(혹은 익스팬드되지 않는) 상태는 과제 해결의 장해가 될 수 있다. 구체적으로는, 필름이 익스팬드되어야 할 부위에 임의의 길이의 직선(기준선)의 2개를 직교시킨 도형을 기재해 두고, 이것을 익스팬드했을 때, 2개의 직선 각각의 익스팬드 전후에서의 신장률(익스팬드 후 기준선 신장(％)=(익스팬드 후 기준선 길이/익스팬드 전 기준선 길이)×100)이, 2개의 직선 각각에서 120％ 이상으로 되도록 연장되어 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 130％ 이상이다. 이 값 이하이면, 칩간의 간격이 충분하지 않아, 그 후의 칩 취출이 곤란해진다.
또한 기준선 각각에서 성장이 아주 상이하면, 칩간 간격이 확대되어도, 칩의 위치 편차가 발생하여 칩 취출이 역시 곤란해질 우려가 있다.
구체적으로는, 익스팬드 후, 2개의 직선 각각의 길이를 L1, L2로 둔 경우, L1>L2 혹은 L1=L2이면, 2개의 길이의 비(익스팬드 후 기준선 신장비)인 L1/L2는 바람직하게는 1.00 내지 1.30인 것이 칩 취출 작업을 양호하게 행하기 위하여 필요해지고 있다.
따라서, 「점착 테이프가 충분히 익스팬드되고, 또한, 세로 방향 및 가로 방향으로 균일하게 익스팬드된다」란 필름이 익스팬드되어야 할 부위에서 상기한 바와 같이 점착 테이프가 변형되는 것이라고 할 수 있다.
<GPC 측정 조건>
사용 기기: TOSOH제 HLC-8120GPC
사용 칼럼: TSKgel SuperHZM-H/HZ4000/HZ3000/HZ2000
칼럼 크기: 6.0㎜I.D.×150㎜
용리액: THF
유량: 0.6ml/min
검출기: RI
칼럼 온도: 40℃
주입량: 40℃
샘플 농도: 1.0g/l
시료를 건조시킨 후, THF 용액으로 조정하여 밤새 정치하고, 이 용액을 0.45㎛ 멤브레인 필터로 여과하고, 여과액에 대하여 GPC 측정을 행했다.
〔제조예 1〕: 기재의 제조
중합도 P=1050의 폴리염화비닐 100중량부에 대하여 DOP 가소제(프탈산비스(2-에틸헥실), 제이플러스제) 27중량부를 포함한 연질 폴리염화비닐 필름을 캘린더법에 의해 제막했다. 얻어진 연질 폴리염화비닐 필름의 두께는 70㎛이며, JIS-K-7127(1999년)에 따라 측정되는 탄성률(MD)이 250MPa, JIS-K-7127(1999년)에 따라 측정되는 최대 신도(MD)가 400％이었다. 또한, 제조 직후의 표면 거칠기(산술 평균 표면 거칠기 Ra)는 460㎚이었다.
〔제조예 2〕: 기재의 제조
중합도 P=1050의 폴리염화비닐 100중량부에 대하여 DOP 가소제(프탈산비스(2-에틸헥실), 제이플러스제) 27중량부를 포함한 연질 폴리염화비닐 필름을 캘린더법에 의해 제막했다. 또한 제막 시, 테이크 오프 롤 직후에 60매트(산술 평균 표면 거칠기 Ra: 6.05㎛, 10점 평균 표면 거칠기 Rz: 33.74)의 엠보싱 롤을 사용하여, 편측에 엠보싱면(4B)을 형성했다. 얻어진 연질 폴리염화비닐 필름의 두께는 70㎛이며, JIS-K-7127(1999년)에 따라 측정되는 탄성률(MD)이 250MPa, JIS-K-7127(1999년)에 따라 측정되는 최대 신도(MD)가 400％이었다. 또한, 제조 직후의 엠보싱면(4B)의 표면 거칠기(산술 평균 표면 거칠기 Ra)는 700㎚이었다.
〔실시예 1〕
(비점착층)
실리콘 수지(KS-723A, 신에쯔 가가꾸 고교제) 60중량부, 실리콘 수지(KS-723B, 신에쯔 가가꾸 고교제) 40중량부, 아크릴 공중합 중합체(메틸메타크릴레이트(MMA)/부틸아크릴레이트(BA)/히드록시에틸아크릴레이트(HEA)=70/30/10) 50중량부, 주석계 촉매(Cat-PS3, 신에쯔 가가꾸 고교제) 10중량부를, 용액 상태에서 혼합하여, 혼합 용액(1A)을 얻었다. 혼합 용액(1A) 중의 실리콘과 (메트)아크릴계 중합체의 혼합비는, 중량비로, 실리콘:(메트)아크릴계 중합체=2:1이었다.
제조예 1에 의해 얻어진 연질 폴리염화비닐 필름의 한쪽 면에, 상기 혼합 용액(1A)을 도포하고 건조하여, 두께 1.0㎛, 산술 평균 표면 거칠기 Ra=0.5㎛의 비점착층(1B)을 형성시켰다.
또한, 비점착층(1B)을 SEM에 의해 관찰하면, 도 8, 도 9, 도 10에 도시한 바와 같이 형태 관찰상의 농담에 따라, 공기 계면측과 플라스틱 필름측에서 조성이 상이한 것을 확인할 수 있고, 실리콘이 (메트)아크릴계 중합체보다도 많이 포함되는 실리콘 리치상과 (메트)아크릴계 중합체가 실리콘보다도 많이 포함되는 (메트)아크릴계 중합체 리치상을 포함하고 있고, 실리콘 리치상과 (메트)아크릴계 중합체 리치상이 서로 독립된 상분리 구조를 이루고 있으며, 실리콘 리치상이 공기 계면측(플라스틱 필름의 반대측)에 존재하고 있고, (메트)아크릴계 중합체 리치상이 플라스틱 필름측에 존재하고 있는 것이 관찰되었다.
또한, 비점착층(1B)에 대하여 전반사법에 의한 적외 분광 측정(ATR-IR)을 행한 바, (메트)아크릴계 중합체상 중의 카르보닐기 유래의 1725㎝-1 부근의 피크에 대한 Si-CH3 유래의 800㎝-1 부근의 피크의 흡광도비를 측정한 결과, ZnSe45°에 비하여 Ge45°의 프리즘을 사용한 경우에 800㎝-1 부근의 피크가 커지는 것을 알 수 있다. 따라서, 기재측에 비하여 공기 계면측에서 규소의 함유율이 향상되는 것을 알게 되었다.
또한, 비점착층(1B)에 있어서 실리콘 리치상이 공기 계면측(플라스틱 필름의 반대측)에 존재하고 있는 것은, FT-IR에 있어서도 확인할 수 있었다. FT-IR에 의한 측정은, 퍼킨엘머제의 「스펙트럼 원」을 사용하여, 분석 깊이 방향이 상이한 2종류의 프리즘(ZnSe45°, Ge45°)에 의해 공기 계면측을 ATR법으로 측정했다. 얻어진 차트를 확인한 바, 비점착층의 (메트)아크릴 중합체 유래의 C=O로 귀속하는 1720㎝-1-1730㎝-1의 피크에 대한, Si-CH3 유래의 800㎝-1 부근의 피크의 흡광도비가, 분석 깊이 방향이 얕은 Ge45°의 프리즘을 사용한 경우에 크게 되어 있는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 점에서, 공기 계면측에는 실리콘의 농도가 보다 높게 되어 있는 것을 증명할 수 있었다.
이들 관찰 결과 및 표면 자유 에너지 최소화의 원리를 고려하면, 공기 계면측에 실리콘 리치상을 갖는 2층 구조가 비점착층으로 형성된 것을 알 수 있다.
(점착제층)
부틸아크릴레이트(BA)/아크릴로니트릴(AN)/아크릴산(AA)=85/15/2.5(중량비)로 구성되는 아크릴 공중합 중합체(중량 평균 분자량=800000) 100중량부, 멜라민계 가교제(부탄올 변성 멜라민 포름알데히드 수지, 「수퍼 벡카민 J-820-60N」, 닛본 폴리우레탄제) 10중량부, DOP 가소제(프탈산비스(2-에틸헥실), 제이플러스제) 60중량부를 포함하는 점착제의 톨루엔 용액을 제조했다.
이 점착제 용액을, 제조예 1에 의해 얻어진 연질 폴리염화비닐 필름의 비점착층(1B)과 반대측의 면에 도포한 후, 130℃×90초로 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층(1C)을 연질 폴리염화비닐 필름의 비점착층(1B)과 반대측의 면에 형성했다.
(점착 테이프)
이상과 같이 하여, 비점착층(1B)/연질 폴리염화비닐 필름/점착제층(1C)의 적층 구조를 구축하여, 점착 테이프(1)를 제조했다.
결과를 표 1에 정리했다.
〔실시예 2〕
(비점착층)
실리콘 수지(KS-723A, 신에쯔 가가꾸 고교제) 60중량부, 실리콘 수지(KS-723B, 신에쯔 가가꾸 고교제) 40중량부, 주석계 촉매(Cat-PS3, 신에쯔 가가꾸 고교제) 10중량부를, 용액 상태에서 혼합하여, 혼합 용액(2A)을 얻었다.
제조예 1에 의해 얻어진 연질 폴리염화비닐 필름의 한쪽 면에, 상기 혼합 용액(2A)을 도포하고 건조하여, 두께 1.0㎛, 산술 평균 표면 거칠기 Ra=0.5㎛의 비점착층(2B)을 형성시켰다.
(점착제층)
부틸아크릴레이트(BA)/아크릴로니트릴(AN)/아크릴산(AA)=85/15/2.5(중량비)로 구성되는 아크릴 공중합 중합체(중량 평균 분자량=800000) 100중량부, 멜라민계 가교제(부탄올 변성 멜라민 포름알데히드 수지, 「수퍼 벡카민 J-820-60N」, 닛본 폴리우레탄제) 10중량부, DOP 가소제(프탈산비스(2-에틸헥실), 제이플러스제) 60중량부를 포함하는 점착제의 톨루엔 용액을 제조했다.
이 점착제 용액을, 제조예 1에 의해 얻어진 연질 폴리염화비닐 필름의 비점착층(2B)과 반대측의 면에 도포한 후, 130℃×90초로 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층(2C)을 연질 폴리염화비닐 필름의 비점착층(2B)과 반대측의 면에 형성했다.
(점착 테이프)
이상과 같이 하여, 비점착층(2B)/연질 폴리염화비닐 필름/점착제층(2C)의 적층 구조를 구축하여, 점착 테이프(2)를 제조했다.
결과를 표 1에 정리했다.
〔실시예 3〕
(비점착층)
아세트산비닐-에틸렌 공중합물(에바플렉스 EV-450, 미쯔이 듀퐁 폴리케미컬제) 100중량부, 장쇄 알킬계 수지(피로일 1010, 잇포샤 유지 고교제) 50중량부를 용액 상태에서 혼합하여, 혼합 용액(3A)을 얻었다.
제조예 1에 의해 얻어진 연질 폴리염화비닐 필름의 한쪽 면에, 상기 혼합 용액(3A)을 도포하고 건조하여, 두께 1.0㎛, 산술 평균 표면 거칠기 Ra=0.5㎛의 비점착층(3B)을 형성시켰다.
(점착제층)
부틸아크릴레이트(BA)/아크릴로니트릴(AN)/아크릴산(AA)=85/15/2.5(중량비)로 구성되는 아크릴 공중합 중합체(중량 평균 분자량=800000) 100중량부, 멜라민계 가교제(부탄올 변성 멜라민 포름알데히드 수지, 「수퍼 벡카민 J-820-60N」, 닛본 폴리우레탄제) 10중량부, DOP 가소제(프탈산비스(2-에틸헥실), 제이플러스제) 60중량부를 포함하는 점착제의 톨루엔 용액을 제조했다.
이 점착제 용액을, 제조예 1에 의해 얻어진 연질 폴리염화비닐 필름의 비점착층(3B)과 반대측의 면에 도포한 후, 130℃×90초로 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층(3C)을 연질 폴리염화비닐 필름의 비점착층(3B)과 반대측의 면에 형성했다.
(점착 테이프)
이상과 같이 하여, 비점착층(3B)/연질 폴리염화비닐 필름/점착제층(3C)의 적층 구조를 구축하여, 점착 테이프(3)를 제조했다.
결과를 표 1에 정리했다.
〔실시예 4〕
(점착제층)
부틸아크릴레이트(BA)/아크릴로니트릴(AN)/아크릴산(AA)=85/15/2.5(중량비)로 구성되는 아크릴 공중합 중합체(중량 평균 분자량=800000) 100중량부, 멜라민계 가교제(부탄올 변성 멜라민 포름알데히드 수지, 「수퍼 벡카민 J-820-60N」, 닛본 폴리우레탄제) 10중량부, DOP 가소제(프탈산비스(2-에틸헥실), 제이플러스제) 60중량부를 포함하는 점착제의 톨루엔 용액을 제조했다.
이 점착제 용액을, 제조예 2에 의해 얻어진 연질 폴리염화비닐 필름의 엠보싱면(4B)과 반대측의 면에 도포한 후, 130℃×90초로 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층(4C)을 연질 폴리염화비닐 필름의 엠보싱면(4B)과 반대측의 면에 형성했다.
(점착 테이프)
비점착층은 형성하지 않고, 점착제층측에, 박리 라이너로서, Si 처리를 실시한 두께 38㎛의 PET 라이너를 부착하고, 연질 폴리염화비닐 필름/점착제층(4C)/PET 라이너의 적층 구조를 구축하여, 점착 테이프(4)를 제조했다. 비점착층의 산술 평균 표면 거칠기 Ra는 700㎚이었다.
결과를 표 1에 정리했다.
〔비교예 1〕
(점착제층)
부틸아크릴레이트(BA)/아크릴로니트릴(AN)/아크릴산(AA)=85/15/2.5(중량비)로 구성되는 아크릴 공중합 중합체(중량 평균 분자량=800000) 100중량부, 멜라민계 가교제(부탄올 변성 멜라민 포름알데히드 수지, 「수퍼 벡카민 J-820-60N」, 닛본 폴리우레탄제) 10중량부, DOP 가소제(프탈산비스(2-에틸헥실), 제이플러스제) 60중량부를 포함하는 점착제의 톨루엔 용액을 제조했다.
이 점착제 용액을, 제조예 1에 의해 얻어진 연질 폴리염화비닐 필름의 한쪽 면에 도포한 후, 130℃×90초로 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층(5C)을 형성했다.
(점착 테이프)
비점착층은 형성하지 않고, 점착제층측에, 박리 라이너로서, Si 처리를 실시한 두께 38㎛의 PET 라이너를 부착하고, 연질 폴리염화비닐 필름/점착제층(5C)/PET 라이너의 적층 구조를 구축하여, 점착 테이프(5)를 제조했다. 점착제층과 반대측의 층의 산술 평균 표면 거칠기 Ra는 460㎚이었다.
결과를 표 1에 정리했다.
실시예 1 내지 4에서는 모두 익스팬드 후 기준선 신장(％)이 130 이상이고, 또한, 익스팬드 후 기준선 신장비가 1.30 미만인 점에서, 익스팬드성은 양호하다고 판단했다. 한편, 비교예 1에서는 익스팬드 후 기준선 신장비가 1.30 미만이면서도 익스팬드 후 기준선 신장(％)이 125 이하이었다. 즉, 익스팬드되어야 할 점착 테이프 부위가 충분히 익스팬드되어 있지 않은 점에서, 익스팬드성은 불량하다고 판단했다. 이것은, 비교예 1의 점착 테이프 배면의 동적 마찰력이 커서, 도 7의 원기둥(50)의 상면과 점착 테이프에서 걸림이 발생한 것이 원인이다.
<산업상 이용가능성>
본 발명의 점착 테이프는, 기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 SUS430BA판에 대한 동적 마찰력을 소정의 레벨로 엄밀하게 조정함으로써, 세로 방향 및 가로 방향으로 균일하게 익스팬드할 수 있으므로, 예를 들어 다이싱 테이프 위로부터 콜릿에 의해 칩을 흡착 분리할 때에, 정확하게 흡착 분리할 수 있다. 따라서, 취약한 재료로 구성되고 미세 정교하고 치밀한 회로 패턴을 가질 수 있는 반도체 웨이퍼를 피착체로 하는 반도체 가공에 적절하게 사용할 수 있다. 본 발명의 점착 테이프를 반도체 가공에 사용하면, 균일한 익스팬드가 가능하게 되어, 응력 왜곡의 축적이 발생하지 않으므로, 반도체 웨이퍼의 미세 정교하고 치밀한 회로 패턴에 적확하게 추종하여 접합하는 것이 가능하게 되고, 또한, 반도체 웨이퍼에 접합한 후의 응력 왜곡의 자연 해방이 일어나지 않기 때문에, 반도체 웨이퍼가 파쇄되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 특히, LED에 사용되는 웨이퍼는, 질화갈륨, 갈륨비소, 탄화규소 등의 매우 취약한 재료로 구성되어 있기 때문에, 본 발명의 점착 테이프는, LED 다이싱 등에 매우 적합하다.
10 금속면
20 걸기 부분
30 도르래
40 링 형상 지그
50 원기둥
60 다이
100 칩
200 다이싱 테이프
300 미끄럼성 측정 지그
400 가중
500 익스팬드성 평가용 샘플
1000 점착 테이프
20 걸기 부분
30 도르래
40 링 형상 지그
50 원기둥
60 다이
100 칩
200 다이싱 테이프
300 미끄럼성 측정 지그
400 가중
500 익스팬드성 평가용 샘플
1000 점착 테이프
Claims (18)
- 기재의 한쪽 면에 점착제층을 구비하는 점착 테이프이며,
기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 SUS430BA판에 대한 동적 마찰력이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 10.0N 미만인 점착 테이프. - 제1항에 있어서, 상기 점착 테이프의 MD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 10.0N/10㎜ 내지 50.0N/10㎜이며, 상기 점착 테이프의 TD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 10.0N/10㎜ 내지 50.0N/10㎜인 점착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 점착 테이프의 MD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스와 TD 방향의 150％ 인장 시의 모듈러스의 비가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 1.90 이하인 점착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 점착 테이프의 MD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 25.0％ 이상이며, 상기 점착 테이프의 TD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율이, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 25.0％ 이상인 점착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 점착 테이프의 TD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율과 MD 방향의 150％ 인장으로부터 2초 후의 응력 완화율의 비(TD 방향 응력 완화율/MD 방향 응력 완화율)가, 온도 23℃, 습도 50％에 있어서 0.70 내지 1.30인 점착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 기재로부터 보아 점착제층과는 반대측의 최외층 표면의 산술 평균 표면 거칠기 Ra가 50㎚ 이상인 점착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 기재의 JIS-K-7127(1999년)에 따라 측정되는 최대 신도가 100％ 이상인 점착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 기재가 플라스틱 필름인 점착 테이프.
- 제8항에 있어서, 상기 플라스틱 필름이 폴리염화비닐, 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 점착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 기재의 상기 점착제층과 반대인 면에 비점착층을 구비하는 점착 테이프.
- 제10항에 있어서, 상기 비점착층이 실리콘과 (메트)아크릴계 중합체의 혼합층인 점착 테이프.
- 제11항에 있어서, 상기 비점착층 중의 실리콘과 (메트)아크릴계 중합체의 혼합비가, 중량비로, 실리콘:(메트)아크릴계 중합체=1:50 내지 50:1인 점착 테이프.
- 제10항에 있어서, 상기 비점착층이 상분리 구조를 갖는 점착 테이프.
- 제10항에 있어서, 상기 비점착층의 두께가 0.01㎛ 내지 10㎛인 점착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 점착제층이 적어도 1종의 (메트)아크릴계 중합체를 포함하는 점착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 점착제층의 표면에 박리 라이너를 구비하는 점착 테이프.
- 제1항에 있어서, 반도체 가공에 사용되는 점착 테이프.
- 제1항에 있어서, LED 다이싱 용도로 사용되는 점착 테이프.
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