TW201506115A

TW201506115A - 半導體晶圓加工用黏著片

Info

Publication number: TW201506115A
Application number: TW103117505A
Authority: TW
Inventors: Satoshi Honda; Katsutoshi Kamei; Miki Morita; Tomokazu Takahashi
Original assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2013-05-23
Filing date: 2014-05-19
Publication date: 2015-02-16
Also published as: CN104178043A; JP2014229766A; JP6106526B2

Abstract

本發明提供一種半導體晶圓加工用黏著片，其於黏貼於半導體晶圓時，半導體晶圓加工時不會剝離，於加工後能夠良好地剝離。本發明之半導體晶圓加工用黏著片之對表面粗糙度Ra為0.1nm~1.0nm之半導體晶圓的黏著力為0.10N/20mm以上，對表面粗糙度Ra為13.0nm~16.0nm之半導體晶圓之黏著力為2.00N/20mm以下。

Description

半導體晶圓加工用黏著片

本發明係關於一種半導體晶圓加工用黏著片。

包含矽、鎵、砷等之半導體晶圓係以大直徑之狀態而製造，於表面形成圖案後研磨背面，通常使晶圓厚度減薄至100~600μm左右，進而切割分離(切割)為元件小片，進而轉移至安裝(mount)步驟。

於此種半導體晶圓之製造步驟中，為了保持(固定)或保護半導體晶圓而使用黏著片。要求黏著片於加工中不會剝離，於加工後能夠容易地剝離。例如，於研磨半導體晶圓之背面之步驟(背面研磨步驟)中，為了保護半導體晶圓之圖案面而使用黏著片，並於背面研磨步驟後剝離該黏著片。然而，根據半導體晶圓之表面狀態之不同，有時黏著片不能被良好地剝離。例如，有由於實施有電漿處理之半導體晶圓之有機膜表面粗糙，因此黏貼於該半導體晶圓之黏著片不能被良好剝離、剝離時損壞半導體晶圓之問題。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2003-243347號公報

本發明係為了解決上述先前之課題而進行，其目的在於提供一種半導體晶圓加工用黏著片，其於黏貼於半導體晶圓時，半導體晶圓加工時不會剝離，於加工後能夠良好地剝離。

本發明之半導體晶圓加工用黏著片之對表面粗糙度Ra為0.1nm~1.0nm之半導體晶圓的黏著力為0.10N/20mm以上，對表面粗糙度Ra為13.0nm~16.0nm之半導體晶圓的黏著力為2.00N/20mm以下。

於一個實施形態中，表面粗糙度Ra為0.1nm~1.0nm之半導體晶圓為鏡面晶圓或於表面形成有機膜之半導體晶圓。

於一個實施形態中，表面粗糙度Ra為13.0nm~16.0nm之半導體晶圓係對於表面形成有機膜之半導體晶圓的該表面進行電漿處理而獲得之半導體晶圓。

根據本發明，提供一種半導體晶圓加工用黏著片，其將具有特定之表面粗糙度之半導體晶圓表面的黏著力進行最佳化，藉此能夠對各種半導體晶圓兼具加工時之黏著性及加工後之剝離性。

10‧‧‧黏著劑層

20‧‧‧基材層

30‧‧‧中間層

100‧‧‧黏著片

圖1為本發明之一個實施形態之半導體晶圓加工用黏著片的概略剖面圖。

A.半導體晶圓加工用黏著片

本發明之半導體晶圓加工用黏著片(以下亦簡稱為黏著片)之對表面粗糙度Ra為0.1nm~1.0nm之半導體晶圓的黏著力為0.10N/20mm以上，較佳為0.12N/20mm以上，更佳為0.15N/20mm以上。顯示此種黏著力之本發明之黏著片作為半導體晶圓加工用黏著片會顯示適度之黏著性，能夠有助於加工性之提高。例如，將本發明之黏著片用作半導體晶圓之背面研磨步驟中的表面保護片之情形時，能夠防止背面研磨中之該黏著片之剝離、半導體晶圓之碎裂等。本發明之黏著片之對表面粗糙度Ra為0.1nm~1.0nm之半導體晶圓的黏著力之上限較佳為2.00/20mm，更佳為1.00N/20mm，進而較佳為0.80N/20mm。再者，於本發明中，對半導體晶圓之黏著力係指於常溫下，按照JIS Z 0237(2000)之方法(貼合條件：2kg輥1次往復、剝離速度：300mm/min、剝離角度180°)測定之黏著力。另外，表面粗糙度Ra為JIS B 0601(1994)規定之算術平均表面粗糙度Ra。

作為表面粗糙度Ra為0.1nm~1.0nm之半導體晶圓，例如可列舉鏡面晶圓、於表面形成有機膜之半導體晶圓等。作為該有機膜，例如可列舉由聚醯亞胺、聚苯并噁唑等聚合物形成之有機膜。

本發明之半導體晶圓加工用黏著片之對表面粗糙度Ra為13.0nm~16.0nm之半導體晶圓的黏著力為2.00N/20mm以下，較佳為1.80N/20mm以下，更佳為1.60N/20mm以下。顯示此種黏著力之本發明之黏著片於用作半導體晶圓加工用之黏著片之情形時，加工後之剝離性優異。例如，將本發明之黏著片用作半導體晶圓之背面研磨步驟中之表面保護片之情形時，該黏著片能夠於背面研磨後，不損壞半導體晶圓而剝離。另外，剝離性優異之本發明之黏著片由於剝離時之伸長較少，因此能夠防止於剝離裝置之可動範圍內未被完全剝離之故障。本發明之黏著片之對表面粗糙度Ra為13.0nm~16.0nm之半導體晶圓之黏著力的下限較佳為0.10N/20mm，更佳為0.15N/20mm。

作為表面粗糙度Ra為13.0nm~16.0nm之半導體晶圓，例如可列舉對於表面形成有機膜之半導體晶圓之該表面進行電漿處理而獲得的半導體晶圓。作為該有機膜，例如可列舉由聚醯亞胺、聚苯并噁唑等聚合物形成之有機膜。作為電漿處理，例如可列舉藉由氧、氬、CF₄等進行之電漿處理。本發明之黏著片可廣泛用於鏡面晶圓、於表面形成有機膜之半導體晶圓、進而對於表面形成有機膜之半導體晶圓之該表面進行電漿處理而獲得的半導體晶圓等半導體晶圓，對該等各種半導體晶圓能夠兼具加工時之黏著性及加工後之剝離性。

圖1為本發明之一個實施形態之黏著片的概略剖面圖。黏著片100可具備黏著劑層10及基材層20。另外，本發明之黏著片根據需要亦可具備中間層30。

本發明之黏著片之厚度較佳為5μm~1000μm，進而較佳為100μm~300μm，特別較佳為130μm~260μm。

雖未圖示，但本發明之黏著片根據需要亦可進而具備其他層。例如，本發明之黏著片亦可進而具備保護黏著劑層直至供於實際使用之保護層。本發明之黏著片可於被保護層保護之狀態下捲取成輥狀。作為保護層，例如可列舉被矽系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠(例如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯)膜、不織布或紙等。

本發明之黏著片亦可於例如未被保護層保護之情形時，於黏著劑層之相反側之最外層進行背面處理。背面處理例如可使用矽系剝離劑或長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行。本發明之黏著片可藉由進行背面處理而捲取成輥狀。

(黏著劑層)

於一個實施形態中，如上所述，本發明之黏著片具有黏著劑層。藉由調整該黏著劑層之組成、厚度等可獲得具有上述黏著力之黏著片。

較佳為上述黏著劑層包含黏著性樹脂及非黏著性樹脂。藉由含有黏著性樹脂及非黏著性樹脂並調整該等樹脂之種類及含有比例，可控制上述黏著片之黏著力。

作為上述黏著性樹脂，可使用任意適當之樹脂。作為上述黏著性樹脂，例如可列舉聚烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂等熱塑性樹脂。較佳使用聚烯烴系樹脂。作為聚烯烴系樹脂之具體例，可列舉低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、非晶質聚丙烯系樹脂(例如，非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物、非晶質丙烯-乙烯共聚物等)、離聚物樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-馬來酸酐共聚物、乙烯-甲基丙烯酸縮水甘油酯共聚物等乙烯共聚物或聚烯烴改性聚合物等。其中較佳為非晶質聚丙烯系樹脂。再者，本說明書中，「非晶質」係指不具有如結晶質般明確之熔點之性質。

上述黏著性樹脂之230℃、2.16kgf之熔體流動速率較佳為1g/10min~50g/10min，進而較佳為5g/10min~30g/10min，特別較佳為5g/10min~20g/10min。

上述非晶質聚丙烯系樹脂較佳可藉由使用茂金屬觸媒，將丙烯與丙烯以外之烯烴聚合而獲得。作為丙烯以外之烯烴，可較佳列舉1-丁烯、乙烯等。使用茂金屬觸媒聚合成之非晶質聚丙烯系樹脂顯示狹窄之分子量分佈。具體而言，上述非晶質聚丙烯系樹脂之分子量分佈(Mw/Mn)為2.5以下，較佳為1.0~2.3，進而較佳為1.0~2.1。分子量分佈狹窄之非晶質聚丙烯系樹脂之低分子量成分較少，因此若使用此種非晶質聚丙烯系樹脂，則可獲得能防止低分子量成分之滲出引起之被接著體之污染的黏著片。

上述非晶質聚丙烯系樹脂中，源自丙烯之結構單元之含有比率較佳為70莫耳%~99莫耳%，進而較佳為75莫耳%~99莫耳%，特別較佳為78莫耳%~99莫耳%。

上述非晶質聚丙烯系樹脂中，源自丙烯以外之烯烴之結構單元的含有比率較佳為1莫耳%~30莫耳%，進而較佳為1莫耳%~12莫耳%。若在此種範圍，則可獲得韌性與柔軟性之平衡優異的黏著片。

上述非晶質聚丙烯系樹脂可為嵌段共聚物，亦可為無規共聚物。

上述非晶質聚丙烯系樹脂之重量平均分子量(Mw)為100,000以上，較佳為100,000~500,000，進而較佳為100,000~300,000。若非晶質聚丙烯系樹脂之重量平均分子量(Mw)在此種範圍，則與一般之苯乙烯系熱塑性樹脂、丙烯酸系熱塑性樹脂(Mw為100,000以下)相比低分子量成分較少，可獲得能防止被接著體之污染之黏著片。

上述非晶質聚丙烯系樹脂於無損本發明之效果之範圍內亦可進而包含源自其他單體之結構單元。作為其他單體，例如可列舉1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等α-烯烴。

作為上述非黏著性樹脂，只要與上述黏著性樹脂之混合性好、且不顯示黏著性則可使用任意適當之樹脂。

作為上述非黏著性樹脂，例如可列舉乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸丁二酯等)、聚烯烴系樹脂(聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等)、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚醯胺、聚醯亞胺、纖維素類、氟系樹脂、聚醚、聚苯乙烯系樹脂(聚苯乙烯等)、聚碳酸酯、聚醚碸等。其中較佳為聚丙烯系樹脂，更佳為結晶性聚丙烯系樹脂。

上述非黏著性樹脂之230℃、2.16kgf之熔體流動速率較佳為1g/10min~50g/10min，進而較佳為5g/10min~30g/10min，特別較佳為5g/10min~20g/10min。

上述聚丙烯系樹脂可為均聚物，亦可為以源自丙烯之結構單元為主結構單元之共聚物。該共聚物包含源自例如乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、α-烯烴等可與丙烯共聚之單體之結構單元。上述聚丙烯系樹脂較佳為藉由與上述非晶質聚丙烯系樹脂同樣，使用茂金屬觸媒聚合而獲得。

關於上述黏著性樹脂與非黏著性樹脂之混合比率，根據所期望之黏著力，可為任意適當之混合比率。例如，非黏著性樹脂之含有比率相對於黏著性樹脂與非黏著性樹脂之合計重量，較佳為70重量%以下，更佳為50重量%以下，進而較佳為18重量%~30重量%。更具體而言，於組合使用非晶質聚丙烯系樹脂與結晶性聚丙烯系樹脂之情形時，結晶性聚丙烯系樹脂之含有比率，較佳為相對於上述非晶質聚丙烯系樹脂與該結晶性聚丙烯系樹脂之合計重量，較佳為50重量%以下，進而較佳為15重量%~40重量%，特別較佳為18重量%~30重量%以下。

上述黏著劑層於無損本發明之效果之範圍內亦可進而包含其他成分。作為該其他成分，例如可列舉抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、耐熱穩定劑、抗靜電劑等。其他成分之種類以及使用量可根據目的適當選擇。

上述黏著劑層之厚度較佳為5μm~100μm，更佳為8μm~65μm，進而較佳為8μm~40μm，特別較佳為9μm~20μm。本發明之黏著片可藉由調整黏著劑層之厚度來控制黏著力，黏著劑層之厚度變薄則黏著力變弱，變厚則黏著力變強。例如，將非晶質聚丙烯系樹脂與結晶性聚丙烯系樹脂組合使用之情形時，黏著劑層之厚度較佳為40μm以下，更佳為30μm以下，進而較佳為9μm~20μm，特別較佳為9μm~14μm。

上述黏著劑層之儲存模數(G')較佳為0.5×10⁶Pa~1.0×10⁸Pa，進而較佳為0.8×10⁶Pa~3.0×10⁷Pa。若上述黏著劑層之儲存模數(G')在此種範圍，則可獲得能夠兼具對表面具有凹凸之被接著體之充分的黏著力及適度的剝離性的黏著片。另外，具備此種儲存模數(G')之上述黏著劑層的黏著片於用於半導體晶圓加工用之情形時，能夠有助於晶圓之背面研磨中達成優異的研磨精度。再者，本發明之儲存模數(G')可藉由動態黏彈性光譜測定來測定。

(基材層)

上述基材層可由任意適當之樹脂構成。作為構成基材層之樹脂，較佳使用可擠出成形之樹脂，更佳使用可與構成黏著劑層之樹脂及構成中間層之樹脂共擠出成形的樹脂。作為構成基材層之樹脂之具體例，可列舉乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸丁二酯等)、聚烯烴系樹脂(聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等)、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚醯胺、聚醯亞胺、纖維素類、氟系樹脂、聚醚、聚苯乙烯系樹脂(聚苯乙烯等)、聚碳酸酯、聚醚碸等。

上述基材層於無損本發明之效果之範圍內亦可進而包含其他成分。作為該其他成分，例如可使用與上述黏著劑層中可包含之其他成分同樣的成分。

上述基材層之230℃、2.16kgf之熔體流動速率較佳為1g/10min~50g/10min，進而較佳為5g/10min~30g/10min，特別較佳為5g/10min~25g/10min。

上述基材層之厚度較佳為10μm~200μm，更佳為20μm~150μm。本發明之黏著片亦可藉由調整基材層之厚度來控制黏著力，基材層之厚度變薄則黏著力變弱，變厚則黏著力變強。

(中間層)

上述中間層可由任意適當之樹脂構成。作為構成中間層之樹脂，較佳使用可擠出成形之樹脂，更佳使用可與構成黏著劑層之樹脂及構成基材層之樹脂共擠出成形的樹脂。作為構成中間層之樹脂之具體例，可列舉乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸丁二酯等)、聚烯烴系樹脂(聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等)、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚醯胺、聚醯亞胺、纖維素類、氟系樹脂、聚醚、聚苯乙烯系樹脂(聚苯乙烯等)、聚碳酸酯、聚醚碸等。本發明之黏著片可藉由適當地選擇構成中間層之材料來控制黏著力。

上述中間層於無損本發明之效果之範圍內可進而包含其他成分。作為該其他成分，例如可使用與上述黏著劑層中可包含之其他成分同樣的成分。

構成上述中間層之樹脂之190℃、2.16kgf的熔體流動速率較佳為2g/10min~20g/10min，進而較佳為5g/10min~15g/10min，特別較佳為7g/10min~12g/10min。若為此種範圍，則藉由共擠出成形可無加工不良地形成中間層。

中間層之厚度較佳為50μm~200μm，更佳為80μm~180μm。

C.黏著片之製造方法

本發明之黏著片較佳為將構成黏著片之各層(例如，黏著劑層、中間層、基材層)之形成材料共擠出成形而製造。藉由共擠出成形可以較少之步驟數、且不使用有機溶劑而製作層間之接著性良好之黏著片。

於上述共擠出成形中，構成黏著片之各層之形成材料可使用將各層之成分以任意適當之方法混合而成的材料。作為黏著劑層之形成材料，於使用兩種以上之樹脂之情形時，較佳為將該樹脂熔融並混合。作為構成黏著劑層之兩種以上之樹脂的混合方法，例如可列舉：使將樹脂顆粒彼此以顆粒狀態摻合而成之材料自單一料斗供給至擠出機並於熔融擠出成形時加以混合的方法；將樹脂顆粒自2個以上之料斗控制各自流量而供給至擠出機並於熔融擠出成形時加以混合的方法；製作事先將樹脂顆粒彼此用混練機等摻合而成之母料並自單一料斗供給至擠出機使其於熔融擠出成形時加以混合的方法等。

作為上述共擠出成形之具體之方法，例如可列舉向連接有鑄模之複數個擠出機分別供給構成黏著片之各層的形成材料，熔融後進行擠出，藉由接觸輥成形法收取，對積層體進行成形的方法。

上述共擠出成形之成形溫度較佳為160℃~220℃，進而較佳為170℃~200℃。若在此種範圍內，則成形穩定性優異。

上述共擠出成形之製膜速度較佳為3m/min~30m/min。

上述共擠出成形中之接觸輥之溫度較佳為15℃~80℃。

實施例

以下，藉由實施例對本發明進行具體說明，但本發明不受該等實施例之任何限定。再者，份表示重量份。

[實施例1]

作為黏著劑層形成材料，使用75份作為黏著性樹脂之藉由茂金屬觸媒聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造，商品名「Tafthren H5002」、源自丙烯之結構單元90莫耳%/源自1-丁烯之結構單元10莫耳%、Mw=230,000、Mw/Mn=1.8)與25份作為非黏著性樹脂之藉由茂金屬觸媒聚合而成之丙烯-乙烯共聚物(日本聚丙烯公司製造，商品名「WINTEC WFX4」，源自丙烯之結構單元96莫耳%/源自乙烯之結構單元4莫耳%，熔點：125℃，軟化點115℃)的混合物。非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物與丙烯-乙烯共聚物之混合係藉由將樹脂顆粒彼此以顆粒狀態摻合而成之材料自單一料斗供給至擠出機並於熔融擠出成形時加以混合的方法進行。

作為中間層形成材料，使用乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物 (EMMA)(住友化學公司製造，商品名「WK307」)。

作為基材層形成材料，使用藉由茂金屬觸媒聚合而成之聚丙烯-乙烯共聚物(日本聚丙烯公司製造，商品名「WINTEC WSX02」)。

將上述黏著劑形成材料、中間層形成材料及基材層形成材料進行T型模頭熔融共擠出(擠出溫度：180℃，製膜速度：5m/min)，將熔融狀態之樹脂與向接觸輥成形部(接觸輥溫度：50℃)通紙的Si塗佈之PET隔離膜(帝人杜邦公司製造，商品名「Tetoron film G2」)積層後，進行冷卻，獲得黏著片(基材層(厚度：30μm)/中間層(厚度：90μm)/黏著劑層(厚度：10μm)/保護層(厚度：50μm))。

[實施例2~4、比較例1~6]

將構成黏著劑層之樹脂、黏著劑層之厚度及構成中間層之樹脂如表1所示般設定，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得黏著片。

再者，表1中記載之樹脂之詳細情況如下所述。

(黏著性樹脂)

「H6822S」：包含丙烯-(1-丁烯)共聚物、苯乙烯系聚合物、乙烯系聚合物及丁二烯系聚合物之樹脂混合物(住友化學公司製造，商品名「Tafthren H6822S」)

(非黏著性樹脂)

「FLX80E4」：均聚丙烯(住友化學公司製造，商品名「FLX80E4」)

(構成中間層之樹脂)

「EVA(V523)」：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(三井杜邦公司製造，商品名「V523」，源自乙烯之結構單元：67重量%，源自乙酸乙烯酯之結構單元：33重量%)

「EVA(P1007)」：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(三井杜邦公司製造，商品名「P1007」，源自乙烯之結構單元：90重量%，源自乙酸乙烯酯之結構單元：10重量%)

[評價]

將實施例及比較例所獲得之黏著片供於以下之評價。結果示於表1。

(1)黏著力1

於表面粗糙度Ra為0.3nm之半導體晶圓(4英吋之矽鏡面晶圓)上黏貼黏著片，按照JIS Z 0237(2000)之方法(貼合條件：2kg輥1次往復，剝離速度：300mm/min，剝離角度180°，常溫)進行測定。

再者，半導體晶圓之表面粗糙度Ra係使用原子力顯微鏡(Veeco公司製造，NanoScope-3D)進行測定。作為原子力顯微鏡之懸臂，使用輕敲模式用之單晶矽製，懸臂長為160μm，接觸力為26N/m，共振頻率為200~400kHz之懸臂(Olympus公司製造，OMLC-AC160TS-C3)。測定係於室溫23℃下以輕敲模式進行。對5μm×5μm之範圍以256pixel×256Pixel進行掃描、掃描速度設定為0.5~1.0Hz。

(2)黏著力2

於表面粗糙度Ra為14.0nm之半導體晶圓(對KST World有限公司之6英吋晶圓(附非感光性聚醯亞胺膜10μm)將氧電漿以450W之強度照射30分鐘而成的晶圓)上黏貼黏著片，按照JIS Z0237(2000)之方法(貼合條件：2kg輥1次往復，剝離速度：300mm/min，剝離角度180°，常溫)進行測定。

半導體晶圓之表面粗糙度Ra以與上述(1)同樣之方式測定。

(3)黏著性

於12英吋之矽鏡面晶圓(表面粗糙度Ra：0.3nm)上黏貼黏著片。藉由將該晶圓收納於晶圓匣盒中進行輸送時有無剝離來評價黏著性。更具體而言，於收納．輸送時，晶圓之邊緣接觸該盒壁面時，將該接觸時之衝擊未導致晶圓之邊緣部分之黏著片剝離的情況設定為合格 (表1中之○)，將剝離之情況設定為不合格(表1中之×)。

(4)剝離性

於形成有電路之12英吋之半導體晶圓(表面粗糙度Ra：8nm)上黏貼黏著片，其後，於常溫下剝離黏著片。剝離時，將以目視未確認到黏著片之伸長之情況設定為合格(表1中之○)，將確認到伸長之情況設定為不合格(表1中之×)。

再者，於本評價中，確認到伸長之黏著片於實際之步驟中難以於剝離裝置之可動範圍內剝離，有成為故障原因之可能性。

由表1可知，藉由將對具有特定之表面粗糙度之半導體晶圓表面的黏著力最佳化，可獲得能夠兼具加工時之黏著性及加工後之剝離性的半導體晶圓加工用黏著片。

本發明之黏著片可較佳使用於例如半導體晶圓之臨時固定、保護等。

10‧‧‧黏著劑層

20‧‧‧基材層

30‧‧‧中間層

100‧‧‧黏著片

Claims

一種半導體晶圓加工用黏著片，其對表面粗糙度Ra為0.1nm~1.0nm之半導體晶圓之黏著力為0.10N/20mm以上，對表面粗糙度Ra為13.0nm~16.0nm之半導體晶圓之黏著力為2.00N/20mm以下。
如請求項1之半導體晶圓加工用黏著片，其中表面粗糙度Ra為0.1nm~1.0nm之半導體晶圓係鏡面晶圓或於表面形成有機膜之半導體晶圓。
如請求項1或2之半導體晶圓加工用黏著片，其中表面粗糙度Ra為13.0nm~16.0nm之半導體晶圓係對於表面形成有機膜之半導體晶圓之該表面進行電漿處理而獲得的半導體晶圓。