TWI509042B - 擴張性膜、切晶膜以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Description

擴張性膜、切晶膜以及半導體裝置的製造方法
本發明是有關於一種擴張性膜及含有該擴張性膜的切晶膜。切晶膜作為於將半導體晶圓切斷．分割成元件小片(晶片)並以拾取方式自動回收元件的步驟中貼附於晶圓的表面或背面的固定支持用黏著片而有用。另外，本發明是有關於一種使用該切晶膜的半導體裝置的製造方法以及藉由該製造方法而獲得的半導體裝置。
於半導體裝置的製造步驟中，藉由旋轉的圓刀(刀片)將形成有預定的電路圖案的晶圓切斷分離成元件小片(切晶)。此時，通常採用將矽晶圓貼附於黏著膜並將矽晶圓切斷成小片狀，將黏著膜於縱橫兩方向上均加以延伸，擴大元件的間隔而進行拾取的方法(參照專利文獻1)。另外，近年來，相較於刀片切晶而熱損傷更少、可進行高精細的加工的利用雷射光的光吸收剝蝕的半導體基板的切晶方法(雷射剝蝕切晶)受到關注。該技術中，已提出了將被加工物支持固定於切晶片並藉由雷射光線對被加工物進行切晶等(參照專利文獻2)。
於以藍寶石、鎵、砷等作為材料的發光二極體(Light Emitting Diode，LED)的製造步驟中，由於分斷後的元件尺寸為數100微米左右，故要求藉由切晶用黏著膜的充分的擴張來擴大元件的間隔。另外，LED用基板由於脆性高於矽，故於先前的刀片切晶的情況下容易產生分斷時元件 缺損等問題。因此，需求適合於對基板損傷少的雷射剝蝕切晶的低污染且可獲得充分的擴張性的切晶用擴張性基材。
另外，對於切晶用擴張性基材，要求於延伸時不引起頸縮(necking)而整體均勻地延伸。其原因在於，若產生頸縮，則容易產生以下問題：僅膜的周邊部延伸，膜的中心部未充分延伸，中央部的元件無法分離。作為切晶用擴張性基材，通常使用不易產生頸縮的軟質氯乙烯(例如參照專利文獻3)。然而，對於該切晶用擴張性基材而言，軟質氯乙烯所含的塑化劑經由黏著劑層而轉印至晶圓上從而污染晶圓此一情況成問題(參照專利文獻4)。作為代替氯乙烯的擴張性基材，提出了不含塑化劑的包含熱塑性聚烯烴的擴張性基材。然而，該擴張性基材雖可減少對晶圓的污染，但擴張性低於氯乙烯，進而容易產生頸縮，故無法獲得充分的元件的間隔。
專利文獻1中揭示有一種包含將具有橡膠彈性的熱塑性樹脂與乙烯系樹脂積層而成的基材以及黏接層的切晶膜。該切晶膜雖可減少晶圓的污染，但可能引起頸縮。
於專利文獻5中，揭示有一種將以乙烯、丙烯酸及丙烯酸烷基酯作為構成成分的三元共聚物(離子聚合物樹脂)作為擴張性基材的切晶膜。
於專利文獻6中，作為可抑制切晶時容易產生的絲狀碎屑的基材，揭示有一種以含有高結晶性烯烴系樹脂與低結晶性烯烴系樹脂的半相溶系或非相溶系的聚合物摻合物 作為擴張性基材的切晶膜。低結晶性烯烴系樹脂可例示低密度聚乙烯、無規共聚合聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。
於專利文獻7~專利文獻9中，作為可抑制切晶時容易產生的絲狀碎屑的基材，揭示有一種以丙烯以及乙烯及/或碳數4~8的α-烯烴系熱塑性彈性體作為擴張性基材的切晶膜。α-烯烴系熱塑性彈性體可例示：可含有低密度聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚酯等作為添加成分。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平2-215528號公報
[專利文獻2]日本專利特開2002-343747號公報
[專利文獻3]日本專利特開2002-235055號公報
[專利文獻4]日本專利特開昭59-74178號公報
[專利文獻5]日本專利第3845129號公報
[專利文獻6]日本專利第3340979號公報
[專利文獻7]日本專利第3443110號公報
[專利文獻8]日本專利第3984075號公報
[專利文獻9]日本專利第3984076號公報
專利文獻5的切晶膜可獲得高的擴張性，從而可抑制頸縮，但可能來源於聚合法的異物殘存於切晶膜中。使用雷射的切晶的情況下，異物可能會導致雷射的散射。
專利文獻6的切晶膜的擴張性不充分，膜的延伸時容易斷裂，於擴張時可能會導致晶圓的破損。對於專利文獻 7~專利文獻9的切晶膜而言，熱塑性彈性體的含量的較佳範圍為80wt%以上，擴張性可能會不充分。
考慮到上述問題，本發明的目的在於獲得一種低污染的烯烴系擴張性基材(擴張性膜)及含有該基材的切晶膜，以及獲得一種對於先前的烯烴系擴張性基材而言不充分的具有高的擴張性且不易頸縮的烯烴系擴張性基材及含有該基材的切晶膜。
本發明者們為了獲得具有高的擴張性、低的頸縮性及低污染性的擴張性基材而進行了努力研究。結果發現，藉由滿足以下條件可達成上述目的，從而完成了本發明。
1)含有1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)，且其拉伸彈性模數為100MPa~500MPa；2)含有丙烯系彈性體組成物(B)，丙烯系彈性體組成物(B)包含丙烯-丁烯-α-烯烴共聚物(b1)及聚丙烯(b2)，且該組成物(B)的拉伸彈性模數為8MPa~500MPa；以及3)相對於(A)與(B)的合計100重量份，(B)的含量為30重量份~70重量份。
即發現，僅使用(A)成分則擴張性不足，容易產生頸縮。另一方面，僅使用(B)成分則擴張性不足，拉伸彈性模數低，故操作性差。即便於含有(A)成分與(B)成分兩者的情形時，若相對於(A)成分與(B)成分的合計100重量份而(A)成分超過70重量份，則容易產生頸 縮；若相對於(A)成分與(B)成分的合計100重量份而(B)成分超過70重量份，則擴張性下降，操作性容易下降。相對於此，藉由滿足上述1)~3)，可獲得具有高的擴張性、低的頸縮性及低污染性，操作性良好的擴張性基材。
本發明的第一發明是有關於一種擴張性膜。
[1]一種擴張性膜，此擴張性膜為含有以下物質的基材：1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)，其於23℃的拉伸彈性模數為100MPa~500MPa；以及丙烯系彈性體組成物(B)，包含丙烯-α-烯烴共聚物(b1)、且於23℃的拉伸彈性模數為8MPa~500MPa；並且相對於(A)與(B)的合計100重量份，上述(B)的含量為30重量份~70重量份。
[2]如[1]所記載之擴張性膜，其中上述丙烯系彈性體組成物(B)的於23℃的拉伸彈性模數為10MPa~50MPa。
[3]如[1]或[2]所記載之擴張性膜，其中相對於100重量份的上述丙烯系彈性體組成物(B)，上述丙烯系彈性體組成物(B)含有1重量份~70重量份的聚丙烯(b2)。
[4]如[3]所記載之擴張性膜，其中相對於100重量份的上述丙烯系彈性體組成物(B)，上述丙烯系彈性體組成物(B)含有5重量份~20重量份的聚丙烯(b2)。
本發明的第二發明是有關於一種含有擴張性膜的切晶膜以及半導體裝置的製造方法。
[5]一種切晶膜，具有含有如上述[1]至[4]中任一項所記載之擴張性膜的基材層、以及黏著劑層，並且上述黏著 劑層是設置於上述切晶膜的最表面，上述黏著劑層的貼附於SUS-304-BA板的表面並放置60分鐘後，自上述SUS-304-BA板的表面剝離時的依據JIS Z0237而測定的黏著力為0.1N/25mm~10N/25mm。
[6]如[5]所記載之切晶膜，其中依據ASTM D1238而測定的上述基材層的於230℃的MFR、及上述黏著劑層的於230℃的MFR均為1g/10min~20g/10min。
[7]一種切晶膜，具有含有如上述[1]至[4]中任一項所記載之擴張性膜的基材層、以及中間層，上述中間層的於25℃的拉伸彈性模數E(25)及於60℃的拉伸彈性模數E(60)滿足E(60)/E(25)<0.1的關係，且上述於25℃的拉伸彈性模數E(25)為1MPa~10MPa。
[8]如[5]所記載之切晶膜，其中於上述基材層與上述黏著劑層之間具有中間層，上述中間層的於25℃的拉伸彈性模數E(25)及於60℃的拉伸彈性模數E(60)滿足E(60)/E(25)<0.1的關係，且上述於25℃的拉伸彈性模數E(25)為1MPa~10MPa。
[9]如[7]或[8]所記載之切晶膜，其中上述中間層含有烯烴系共聚物。
[10]如[7]至[9]中任一項所記載之切晶膜，其中上述中間層的密度為800kg/m3 ~890kg/m3 。
[11]如[7]至[10]中任一項所記載之切晶膜，其中切晶膜是貼合於在至少一個面上具有階差的半導體晶圓的具有上述階差的面而使用，上述中間層的厚度大於上述半導體 晶圓的階差。
[12]一種半導體裝置的製造方法，包括以下步驟：將如[5]所記載之切晶膜經由上述切晶膜的黏著劑層而貼附於半導體晶圓；對上述半導體晶圓進行切晶而獲得半導體晶片；以及擴張上述切晶膜，拾取上述半導體晶片。
[13]一種半導體裝置的製造方法，包括以下步驟：將如[8]所記載之切晶膜以40℃~80℃的溫度、0.3MPa~0.5MPa的壓力經由上述切晶膜的黏著劑層而貼合於半導體晶圓；對上述半導體晶圓進行切晶而獲得半導體晶片；以及擴張上述切晶膜，拾取上述半導體晶片。
根據本發明，可獲得一種低污染、對於先前的烯烴系擴張性基材而言不充分的具有高的擴張性且不易頸縮的烯烴系擴張性基材(擴張性膜)以及含有該基材的切晶膜。
1.擴張性膜
本發明的擴張性膜含有1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)以及丙烯系彈性體組成物(B)。
關於1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)
擴張性膜所含的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)為含有1-丁烯作為主要的構成成分的聚合物。1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)中的α-烯烴可為1-丁烯以外的碳數2~10的α-烯烴。碳數2~10的α-烯烴的例子中包含乙烯、丙烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯等，較佳為乙烯、 丙烯。1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)所含的α-烯烴可為一種，亦可組合兩種以上。1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)所含的1-丁烯含量較佳為80mol%以上，更佳為90mol%以上。若小於80mol%則無法獲得充分的擴張性。
1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)的密度並無特別規定，890kg/m3 ~950kg/m3 為較佳形態之一。若密度過低，則有時拉伸彈性模數下降而無法獲得充分的擴張性。
包含1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)的膜的於23℃的拉伸彈性模數較佳為100MPa~500MPa，更佳為150MPa~450MPa。其原因在於，若拉伸彈性模數過高則過硬而難以擴張，若拉伸彈性模數過低則過於柔軟而操作性下降。
1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)的依據ASTM D1238以230℃、2.16kg的荷重而測定的熔融流動速率(Melt Flow Rate，MFR)只要為容易與丙烯系彈性體組成物(B)於擠出機內均勻混合的範圍，則並無特別規定，較佳為1g/10min~20g/10min，更佳為1g/10min~10g/10min。其原因在於，若MFR為上述範圍，則容易與丙烯系彈性體組成物(B)相對較均勻地擠出成形。
1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)可藉由先前公知的製造方法、例如於齊格勒-納他觸媒(Ziegler-Natta catalyst)或茂金屬系觸媒的存在下使1-丁烯與1-丁烯以外的α-烯烴進行共聚合而獲得。
關於丙烯系彈性體組成物(B)
擴張性膜所含的丙烯系彈性體組成物(B)包含丙烯-α- 烯烴共聚物(b1)作為主成分，較佳為更包含聚丙烯(b2)。
丙烯-α-烯烴共聚物(b1)為丙烯與丙烯以外的α-烯烴的共聚物。丙烯-α-烯烴共聚物(b1)中的α-烯烴較佳為碳數2~20的α-烯烴。碳數2~20的α-烯烴的例子中包括乙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯及1-癸烯等，較佳為乙烯、1-丁烯。丙烯-α-烯烴共聚物(b1)所含的α-烯烴可為一種，亦可組合兩種以上。丙烯-α-烯烴共聚物(b1)更佳為丙烯-1-丁烯-乙烯共聚物。
就獲得良好的橡膠彈性的觀點而言，丙烯-α-烯烴共聚物(b1)的來源於丙烯的結構單元的含量較佳為50mol%以上，更佳為60mol%以上。
丙烯-α-烯烴共聚物(b1)只要於擴張性膜的操作溫度下具有橡膠彈性即可，較佳為玻璃轉移溫度為25℃以下。於玻璃轉移溫度超過25℃時，有時成形後的膜的擴張性等物性容易因保管條件而發生變化。
聚丙烯(b2)實質上為丙烯的均聚物，亦可微量含有丙烯以外的α-烯烴等，所謂的均聚丙烯(hPP)、無規聚丙烯(rPP)及嵌段聚丙烯(bPP)均可。聚丙烯(b2)中的丙烯以外的α-烯烴的含量較佳為20mol%以下，更佳為10mol%以下。此種聚丙烯(b2)可期待抑制丙烯-α-烯烴共聚物(b1)的結塊(blocking)的效果或改善膜成形性等效果。
相對於合計100重量份的丙烯系彈性體組成物(B)，聚丙烯(b2)的含量較佳為1重量份~70重量份，更佳為 5重量份~70重量份，進而佳為5重量份~30重量份，特佳為5重量份~20重量份。若聚丙烯(b2)的含量小於1重量份，則有時丙烯-α-烯烴共聚物(b1)結塊而於膜成形時擠出狀態變得不穩定。若聚丙烯(b2)的含量超過30重量份，則有時擴張率變小。
包含丙烯系彈性體組成物(B)的膜的於23℃的拉伸彈性模數較佳為8MPa~500MPa，更佳為10MPa~500MPa，進而佳為10MPa~100MPa，特佳為10MPa~50MPa，進一步佳為10MPa~45MPa。
丙烯系彈性體組成物(B)的依據ASTM D1238以230℃、2.16kg的荷重測定的熔融流動速率(MFR)只要為容易與1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)於擠出機內均勻混合的範圍，則並無特別規定，較佳為1g/10min~20g/10min，更佳為1g/10min~10g/10min。若MFR為上述範圍，則容易以相對較均勻的膜厚進行擠出成形。
相對於(A)與(B)的合計100重量份，擴張性膜所含的丙烯系彈性體組成物(B)的含量較佳為30重量份~70重量份，更佳為40重量份~60重量份。
擴張性膜是將上述1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)與丙烯系彈性體組成物(B)乾式摻合或熔融摻合後進行擠出成形而獲得。如此而獲得的擴張性膜具有結晶性相對較高、拉伸彈性模數高的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)與結晶性相對較低、拉伸彈性模數低的丙烯系彈性體組成物(B)微分散而成的構造。
圖1A是擴張性膜的平行於機械方向(Machine Direction，MD)的剖面的穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy，TEM)圖像的一例，圖1B是擴張性膜的平行於垂直方向(Transverse Direction，TD)的剖面的TEM圖像的一例。如圖1A及圖1B所示，於MD方向、TD方向的膜剖面TEM像中，可見在與膜表面平行的方向上延伸的明部(1-丁烯-α-烯烴共聚物(A))。
此種相分離構造可藉由將擴張性膜的剖面製成薄切片並進行觀察的穿透式電子顯微鏡(TEM)圖像而以「明暗構造」的形式觀察到。可認為於圖1A及圖1B的TEM圖像中，例如「明部」為1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)，「暗部」為丙烯系彈性體組成物(B)。可認為，此種相分離構造於專利文獻5(專利第3340979號公報)所例示的高結晶性的烯烴系樹脂與低結晶性的烯烴系樹脂的情況下並未形成，故是藉由本發明的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)與丙烯系彈性體組成物(B)的組合來表現。
機制雖未必明確，但可作如下推測。即，若對具有如上所述的相分離構造的擴張性膜施加應力，則於1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)發生彈性變形而未頸縮的期間中，經由丙烯系彈性體組成物(B)而使對1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)施加的應力於膜的剖面方向上變均勻。因此可認為，擴張性膜整體中1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)的高次結構等向性地變形，不產生頸縮而可彈性變形的範圍變廣。
擴張性膜的TEM觀察可藉由以下方式來進行：將厚 度為100μm的試樣片於平行於MD方向的方向、與平行於TD方向的方向上切出；對所得的剖面分別使用穿透式電子顯微鏡(TEM，日立製作所製造H-7650)以5000倍~20000倍的倍率進行觀察。
擴張性膜的厚度並無特別限制。例如於將本發明的擴張性膜用作半導體用切晶膜的情形時，基材層的厚度較佳為50μm~200μm左右。
本發明的擴張性膜可藉由將各成分摻合後進行擠出成形而製造的方法(擠出成形法)而獲得。另外，於擴張性膜含有聚丙烯(b2)的情形時，較佳為將使丙烯-α-烯烴共聚物(b1)與聚丙烯(b2)預先摻合而成的混合物(丙烯系彈性體組成物(B))與1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)等摻合，並利用擠出成形法來製造擴張性膜。可認為，藉由如此般將聚丙烯(b2)與丙烯-α-烯烴共聚物(b1)預先摻合，1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)與丙烯系彈性體組成物(B)的混合物的相溶性得到調整，容易形成上述相分離構造。
本發明的擴張性膜的操作性佳且具有優異的擴張性。因此，本發明的擴張性膜可用作要求擴張性的各種用途、例如光學元件等的保護構件或半導體裝置的製造中所用的切晶膜，較佳為用作半導體用切晶膜。
2.關於切晶膜
本發明的切晶膜具有含有上述擴張性膜的基材層，視需要亦可更具有黏著劑層或中間層、低摩擦層等。
此處，要進行切晶的半導體晶圓中有以下的半導體晶 圓：於表面形成有聚醯亞胺膜、鋁電極或以切晶為目的之劃線(scribe line)等，該表面形狀具有起伏強烈的凹凸形狀。
另外，近年來，形成有與標準的LSI相比較而起伏更大的金凸塊、高頻用器件的安裝基板接合所用的焊錫等的凸塊的晶圓等亦多見。因此，切晶時防止該些具有凹凸的半導體晶圓的破損亦成為一大課題。
因此，作為此種具有階差大的凹凸的晶圓的切晶方法，就抑制切晶時的破損或晶片的缺損的觀點而言，有使切晶膜密接於晶圓的電路形成面側，利用旋轉的刀片自非電路形成面進行切斷的方法。然而，於使用並無凹凸追隨性的切晶膜的情形時，有時於黏著面與電路形成面之間產生空隙，由於切斷時所產生的碎屑而產生電路形成面的破損，難以充分抑制污染。
於將本發明的切晶膜用於此種用途的情形時，較佳為具有可吸收半導體晶圓的表面的凹凸的中間層。本發明的切晶膜藉由具有下文將述的中間層，可密接於半導體晶圓表面的凹凸，防止由切晶所致的電路形成面的污染或半導體晶圓的破損。
另外，於切晶所用的環架(ring frame)與切晶膜的密接性不足的情形時，有時於切晶中切晶膜自環架脫落。因此，本發明的切晶膜較佳為對環架的密接性良好。因此，本發明的切晶膜較佳為於貼合於環架的一側的最表面具有下文將述的黏著劑層。
(1)關於黏著劑層
黏著劑層只要利用公知的黏著劑來構成即可，並無特別限定，例如除了橡膠系、丙烯酸系及聚矽氧系等的黏著劑以外，亦可利用苯乙烯系彈性體或烯烴系彈性體等熱塑性彈性體來構成。進而，黏著劑層亦可利用藉由放射線而使黏著力降低的放射線硬化型黏著劑或藉由加熱而使黏著力降低的加熱硬化型黏著劑等來構成。放射線硬化型黏著劑的較佳例中包含紫外線硬化型黏著劑。
丙烯酸系黏著劑亦可為丙烯酸酯化合物的均聚物、或丙烯酸酯化合物與共單體的共聚物。丙烯酸酯化合物的例子中包含丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯及丙烯酸-2-乙基己酯等。構成丙烯酸系共聚物的共單體的例子中包括：乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸、丙烯酸、衣康酸、甲基丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸羥基丙酯、甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯、丙烯醯胺、羥甲基丙烯醯胺、甲基丙烯酸環氧丙酯及順丁烯二酸酐等。
橡膠系黏著劑的例子中包括：天然橡膠、合成異戊二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚物、丁基橡膠、聚異丁烯、聚丁二烯、聚乙烯醚、聚矽氧橡膠及氯丁二烯橡膠等。
橡膠系黏著劑中，為了提高黏著力，亦可更添加增黏樹脂。增黏樹脂的例子中包含松香系樹脂及萜烯系樹脂等，就與橡膠系黏著劑的相溶性良好的觀點而言，較佳為 萜烯系樹脂。松香系樹脂的例子中包含松香、聚合松香、氫化松香及松香酯等；萜烯系樹脂的例子中包含萜烯樹脂、萜烯酚樹脂、芳香族改質萜烯樹脂及松香酚樹脂等。增黏樹脂的含量較佳為相對於橡膠系黏著劑100重量份而為5重量份~100重量份。
熱塑性彈性體的例子中包含聚苯乙烯系彈性體、聚烯烴系彈性體、聚胺酯系彈性體及聚酯系彈性體等。其中，就容易調整黏著性或柔軟性的方面而言，較佳為聚苯乙烯系彈性體、聚烯烴系彈性體。
聚苯乙烯系彈性體中包含苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)、其他苯乙烯-二烯系嵌段共聚物及其氫化物(氫化苯乙烯-丁二烯橡膠(HSBR)等)等。
聚烯烴系彈性體中包含顯示結晶性的聚烯烴嵌段與顯示非晶性的單體共聚物嵌段的嵌段共聚物。其具體例中包含烯烴(結晶性)-乙烯-丁烯-烯烴(結晶性)嵌段共聚物、聚丙烯-聚環氧乙烷-聚丙烯嵌段共聚物、聚丙烯-聚烯烴-聚丙烯嵌段共聚物等。聚烯烴系彈性體較佳為聚乙烯系彈性體。
紫外線硬化型黏著劑及加熱硬化型黏著劑包含上述丙烯酸系黏著劑等黏著劑、硬化性化合物(具有碳-碳雙鍵的成分)以及光聚合起始劑或熱聚合起始劑。
硬化性化合物只要為分子中具有碳-碳雙鍵、可藉由自 由基聚合而硬化的單體、低聚物或聚合物即可。此種硬化性化合物的例子中可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇的酯；酯丙烯酸酯低聚物；三聚氰酸-2-丙烯基二-3-丁烯基酯、異三聚氰酸-2-羥基乙基雙(2-丙烯醯氧基乙基)酯、異三聚氰酸三(2-甲基丙烯醯氧基乙基)酯等異三聚氰酸酯或異三聚氰酸酯化合物等。再者，於黏著劑為於聚合物的側鏈上具有碳-碳雙鍵的紫外線硬化型聚合物的情形時，無需添加硬化性化合物。
相對於黏著劑100重量份，硬化性化合物的含量較佳為5重量份~900重量份，更佳為20重量份~200重量份。若硬化性化合物的含量過少，則硬化的部分過少而黏著力的調整變得不充分，若硬化性化合物的含量過多，則對熱或光的感度過高而保存穩定性下降。
光聚合起始劑只要是藉由照射紫外線而分解並生成自由基的化合物即可，例如可列舉：安息香甲醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚等的安息香烷基醚類；苯偶醯、安息香、二苯甲酮、α-羥基環己基苯基酮等芳香族酮類；苯偶醯二甲基縮酮等芳香族縮酮類；聚乙烯基二苯甲酮；氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮等噻噸酮(thioxanthone)類等。
熱聚合起始劑為有機過氧化物衍生物或偶氮系聚合起 始劑等，就加熱時不產生氮的方面而言，較佳為有機過氧化物衍生物。熱聚合起始劑的例子中包含：過氧化酮、過氧縮酮、氫過氧化物、過氧化二烷基、過氧化二醯基、過氧酯及過氧化二碳酸酯等。
黏著劑中亦可添加交聯劑。交聯劑可列舉：山梨糖醇聚環氧丙醚、聚甘油聚環氧丙醚、季戊四醇聚環氧丙醚、二甘油聚環氧丙醚等環氧系化合物；四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶甲醯胺)、N'-六亞甲基-1,6-雙(1-氮丙啶甲醯胺)等氮丙啶系化合物；四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、聚異氰酸酯等異氰酸酯系化合物等。
將黏著劑層貼附於SUS-304-BA板的表面上並放置60分鐘後，自SUS-304-BA板的表面剝離時的依據JIS Z0237而測定的黏著力較佳為0.1N/25mm~10N/25mm。若黏著力為上述範圍，則可確保與晶圓的良好的黏接性，並且抑制剝離晶片時的糨糊殘餘。黏著劑層的黏著力例如可藉由交聯劑的添加量來調整。具體而言，可藉由日本專利特開2004-115591號公報所記載的方法等來調整。
黏著劑層的厚度只要為不損及基材層的擴張性的範圍則並無特別限制，通常較佳為設定為1μm~50μm，更佳為1μm~25μm。
(2)關於中間層
中間層為具有半導體晶圓的凹凸吸收性的層。如下文 將述般，中間層例如可設定為設置於基材層與黏著劑層之間的層，另外亦可設定為兼具黏著劑層的功能的層。
中間層的於25℃的拉伸彈性模數E(25)及於60℃的拉伸彈性模數E(60)較佳為滿足E(60)/E(25)<0.1，特別更佳為滿足E(60)/E(25)<0.08，進而佳為滿足E(60)/E(25)<0.05。
藉由於25℃及於60℃的拉伸彈性模數的比滿足上述範圍，中間層可具有熱熔融性而進行塑性變形。具體而言，將片於加溫下貼附時，可追隨於半導體晶圓的電路形成面的凹凸而顯示高的密接性，於貼附片後的常溫下可保持(固定)密接於凹凸的形狀。
另外，中間層的於25℃的拉伸彈性模數E(25)是設定為1MPa~10MPa，較佳為滿足2MPa~9MPa。若拉伸彈性模數E(25)在上述範圍內，則可保持貼附片後的常溫下的形狀，可維持加工中的密接性。
中間層的於60℃的拉伸彈性模數E(60)較佳為0.005MPa~1.0MPa，更佳為0.01MPa~0.5MPa。若拉伸彈性模數E(60)在上述範圍內，則於將片於加溫下貼附時顯示流動性，故可獲得對凹凸的良好的追隨性。
樹脂的拉伸彈性模數可如以下般測定。1)作為測定樣品，例如準備初期長度為140mm、寬度為10mm、厚度為75μm~100μm的樣品膜。2)繼而，以測定溫度為25℃、夾具間距離為100mm、拉伸速度為50mm/min的條件進行拉伸試驗，測定樣品的伸長率的變化量(mm)。3)對 所得的S-S曲線(應力-應變曲線)的初期的上升部分作切線，將該切線的傾斜度除以樣品膜的剖面積所得的值作為拉伸彈性模數。
中間層的密度較佳為800kg/m3 ~890kg/m3 ，更佳為830kg/m3 ~890kg/m3 ，進而佳為850kg/m3 ~890kg/m3 。若中間層的密度小於800kg/m3 ，則彈性模數變得過低，故形狀固定力下降，若密度超過890kg/m3 ，則彈性模數變得過高，故對凹凸的追隨性下降。
構成中間層的樹脂只要滿足上述拉伸彈性模數則並無特別限定，較佳為烯烴系共聚物。烯烴系共聚物較佳為以碳原子數2~12的α-烯烴作為主要的結構單元的α-烯烴共聚物。
碳原子數2~12的α-烯烴的例子中包含：乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯等。
其中，就貼附時的凹凸追隨性優異的方面而言，較佳為乙烯-丙烯共聚物、乙烯-1-丁烯共聚物、及乙烯-丙烯-碳原子數4~12的α-烯烴的三元共聚物等乙烯-α-烯烴共聚物；及丙烯-1-丁烯共聚物-碳原子數5~12的α-烯烴的三元共聚物等，更佳為乙烯-丙烯共聚物。其原因在於，丙烯於烯烴系共聚物中亦熱熔融性高。市售的α-烯烴系共聚物中包含三井化學製造的TAFMER(註冊商標)等。
中間層的拉伸彈性模數是藉由構成烯烴系共聚物的單體的種類、共聚合比及改質的有無等來調整。例如，為了 降低烯烴系共聚物的於60℃的拉伸彈性模數，只要增加丙烯的共聚合比或利用羧酸等進行改質即可。
中間層中，亦可於不損及對半導體晶圓的易貼附性、易剝離性等的範圍內含有其他樹脂或其他添加劑。此種添加劑的例子中包含紫外線吸收劑、抗氧化劑、耐熱穩定劑、潤滑劑、柔軟劑、黏著性賦予劑等。
中間層的厚度較佳為大於設置於黏接切晶膜的晶圓的一個面上的階差，只要為可填埋該階差(例如包含半導體晶圓的電路形成面的凹凸(焊錫凸塊))的厚度，則並無特別限制。例如若凹凸的階差為100μm左右，則中間層的厚度可設定為100μm~300μm。即，相對於晶圓表面的階差，較佳為將中間層的厚度設定為1倍~3倍，更佳為設定為1倍~2倍。
(3)關於低摩擦層
本發明的切晶膜視需要亦可於與黏著劑層為相反側的表面上更具有低摩擦層。
即，於如下文將述般將切晶膜用作半導體用切晶膜的情形時，作為擴張切晶膜的方法，有預先利用環架固定切晶膜的周緣部，自切晶膜的中央部下側將擴張機的平台(stage)上壓的方法(參照下文將述的圖6)。此時，若切晶膜的與平台接觸的一側的面的摩擦大，則於平台上膜難以滑動，無法擴張與平台接觸的膜部分。因此，藉由使切晶膜中與平台接觸的一側的表面的摩擦小，即藉由配置低摩擦層，可容易地滑動擴張機的平台，更均勻地擴張切晶 膜的整個面。
此種低摩擦層是利用聚乙烯、乙烯系離子聚合物樹脂等樹脂構成。另外，於低摩擦層的表面上，視需要為了進一步提高潤滑性而亦可塗佈或含有潤滑劑。此種潤滑劑的例子中包含芥醯胺或油醯胺、矽油等潤滑劑及該些物質的母膠(潤滑劑母膠)。
(4)關於切晶膜的層構成
本發明的切晶膜的層構成並無特別限制，只要為包含基材層及黏著劑層、或基材層及中間層的至少兩層的膜即可，亦可為包含依序積層有基材層、中間層及黏著劑層的三層的膜。另外，亦可為除了黏著劑層或中間層以外具有低摩擦層等其他層的四層以上的積層膜。於本發明的切晶膜為上述積層膜且具有黏著劑層及低摩擦層的情形時，較佳為將黏著劑層配置於基材層的一個面側，將低摩擦層配置於基材層的另一面側。亦可於不損及本發明的效果的範圍內，於基材層與黏著劑層之間、基材層與中間層之間、中間層與黏著劑層之間、基材層與低摩擦層之間等積層上述以外的層。另外，基材層、中間層及黏著劑層亦可分別為多層。另外，於具有多個基材層的情形時，亦可於基材層與基材層之間配置任意的層。
圖2是示意性地表示本發明的切晶膜的一實施形態的剖面圖。如圖2所示，具有擴張性的基材層12具有配置於其一個面上且與晶圓黏接的黏著劑層14、及配置於基材層12的與黏著劑層14為相反側的面上的低摩擦層16。具有 此種構成的切晶膜10由於具有基材層12，故具有高的擴張性。
另外，圖3是示意性地表示本發明的切晶膜的其他實施形態的剖面圖。如圖3所示，具有擴張性的基材層12具有配置於其一個面上且吸收晶圓的凹凸的中間層13、與晶圓黏接的黏著劑層14、及配置於基材層12的與黏著劑層14為相反側的面上的低摩擦層16。具有此種構成的切晶膜10由於具有基材層12，故具有高的擴張性。另外，由於具有中間層13，故即便於與具有大的凹凸的半導體晶圓貼合的情形時，中間層13亦可密接於凹凸，可防止晶圓表面的污染，且防止切晶時的半導體晶片的破損。
對於不具有中間層的本發明的切晶膜而言，總厚度較佳為50μm~200μm，更佳為70μm~150μm。
另外，對於在基材層與黏著劑層之間形成有中間層的本發明的切晶膜而言，總厚度較佳為60μm~700μm，更佳為80μm~500μm。
本發明的切晶膜的於23℃的拉伸彈性模數較佳為70MPa以上。其原因在於抑制以下情況：於為70MPa以下時，將切晶膜貼附於晶圓時切晶膜產生皺褶等而操作性下降。
於本發明的切晶膜的黏著劑層的表面上，為了保護黏著劑層表面，視需要亦可更設置隔離層。隔離層的材質可為紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等合成樹脂膜等。隔離層的厚度通常為10μm~200μm左右，較佳為 25μm~100μm左右。
本發明的切晶膜不含聚氯乙烯(PVC)等，故亦不產生氯離子，可減輕環境負荷。另外，本發明的切晶膜不含塑化劑，故可減少晶圓的污染。進而，本發明的切晶膜具有充分的擴張性，不易產生頸縮。
3.切晶膜的製造方法
本發明的切晶膜可利用任意的方法來製造。於本發明的切晶膜為除了基材層以外還含有黏著劑層或低摩擦層等的積層膜的情形時，亦可藉由以下方法來製造：1)將構成各層的熔融樹脂共擠出而進行積層的方法(共擠出法)；2)於基材層上積層構成其他層的熔融樹脂的方法(擠出層壓法)；3)將構成各層的膜經由熱壓接或黏接劑等而積層的方法(層壓法)；以及4)於基材層上或將基材層及中間層積層而成的樹脂積層體上，塗佈構成黏著劑層的樹脂組成物而積層的方法(塗佈法)等。
於擠出成形或共擠出前將兩種以上的不同樹脂摻合的方法並無特別限制，可為藉由亨舍爾混合機(Henschel mixer)或滾動混合機(tumbler mixer)等各種混合機進行乾式混合的方法(乾式摻合法)，藉由單軸擠出機或雙軸擠出機等進行熔融混練的方法(熔融摻合法)等，較佳為藉由雙軸擠出機進行熔融混練的方法。
熔融混練溫度只要為適合於構成各層的樹脂熔融並混練的溫度即可，構成基材層的樹脂的熔融溫度例如可設定為180℃~260℃。擠出方法並無特別限制，可為充氣擠出 法、T模擠出法等。
藉由將構成基材層的樹脂組成物與構成黏著劑層的樹脂組成物共擠出，或於基材層上將構成黏著劑的樹脂組成物擠出層壓而獲得切晶膜的情形時，依據ASTM D1238而測定的上述基材層的於230℃的MFR、及上述黏著劑層的於230℃的MFR較佳為均為1g/10min~20g/10min。藉由具有此種MFR，能夠以穩定的膜厚來成形各層。
同樣地，於將構成基材層的樹脂組成物與構成中間層的樹脂組成物共擠出，或於基材層上將構成中間層的樹脂組成物擠出層壓而獲得切晶膜的情形時，依據ASTM D1238而測定的上述基材層的於230℃的MFR、及上述中間層的於230℃的MFR較佳為均為1g/10min~20g/10min。藉由具有此種MFR，能以穩定的膜厚來成形各層。
另外，於藉由將構成基材層的樹脂組成物、構成中間層的樹脂組成物、及構成黏著劑層的樹脂組成物共擠出，或於上述基材層上將構成上述中間層的樹脂組成物及構成上述黏著劑的樹脂組成物擠出層壓而獲得切晶膜的情形時，基材層、中間層及黏著劑層的依據ASTM D1238而測定的上述基材層的於230℃的MFR較佳為均為1g/10min~20g/10min。藉由具有此種MFR，能以穩定的膜厚來成形各層。
再者，於形成黏著劑層的黏著劑為放射線硬化性的黏著劑的情形時，較佳為於基材層上直接或於基材層與中間 層的樹脂積層體上塗佈後進行乾燥的方法(上述塗佈法)。基材層與中間層的樹脂積層體可將構成基材層的樹脂組成物與構成中間層的樹脂組成物共擠出，或於基材層上將構成中間層的樹脂組成物擠出層壓而獲得。
4.半導體裝置的製造方法
使用本發明的切晶膜的半導體裝置的製造方法是經過以下步驟而製造：1)將本發明的切晶膜經由黏著劑層而貼附於半導體晶圓的背面；2)對半導體晶圓進行切晶；3)擴展(擴張)切晶膜，拾取經切晶的半導體晶圓(半導體晶片)；以及4)使半導體晶片黏接於半導體裝置的晶片墊(die pad，未圖示)等並進行封裝(mount)。本發明的切晶膜可使用上述切晶膜。
圖4A~圖4E是表示使用於基材層32的一個面上具有黏著劑層34、於另一面上具有低摩擦層36的切晶膜30的半導體裝置的製造方法的一例的圖。如圖4A所示，準備晶圓22。然後，如圖4B所示，將晶圓22貼附於本發明的切晶膜30(上述1)的步驟)。切晶膜30較晶圓22而尺寸更大，具有可利用環架26固定其周緣部的程度的大小。繼而，利用環架26固定切晶膜30的周緣部。
接著，如圖4C所示，對晶圓22進行切晶(切斷)而獲得半導體晶片22A(上述2)的步驟)。切斷深度亦可設定為到達切晶膜30的基材層32與黏著劑層34的界面的程度。切斷機構並無特別限制，亦可為切晶鋸或雷射等。
繼而，如圖4D所示，擴張(擴展)切晶膜30(上述 3)的步驟)。擴展(擴張)切晶膜30的方法包含使切晶膜30的下側的擴張機的平台上升而擴張與平台接觸的切晶膜30的方法，或於與膜面平行的方向上拉伸(擴張)的方法等。
藉此，如圖4E所示，可擴大切晶而獲得的半導體晶片22A彼此的間隔。另外，藉由擴張(擴展)切晶膜30，而於切晶膜30的黏著劑層34與晶圓22之間產生剪應力，晶圓22與黏著劑層34的黏接力減小，故可容易地拾取半導體晶片22A。如此，若進行半導體晶片22A的拾取，則可將半導體晶片22A自切晶膜30的黏著劑層34剝離。
另外，圖5A~5E是表示使用於基材層52的一個面上依序具有中間層53及黏著劑層54、於另一面上具有低摩擦層56的切晶膜50的半導體裝置的製造方法的一例的圖。
如圖5A所示，準備於表面具有電路等凹凸的晶圓42及上述切晶膜50。於形成有電路的晶圓42中，亦可設有保護電路的電路保護層。電路保護層只要為絕緣樹脂即可，例如可為聚醯亞胺、聚苯并噁唑等。
如圖5B所示，將晶圓42的凹凸面於加溫下貼附於本發明的切晶膜50(上述1)的步驟)。貼附可於40℃~80℃的溫度、0.3MPa~0.5MPa的壓力下進行。若貼附時的溫度小於40℃，則中間層53的彈性模數變低，故中間層53對凹凸的追隨性變低。另外，若貼附時的溫度超過80℃，則作為製程溫度而欠佳。切晶膜50的貼附可藉由公知的帶式貼附機來進行。
貼附晶圓42後亦可冷卻切晶膜50。藉由將切晶膜50自貼附時的溫度加以冷卻，中間層53的彈性模數變高，可保持中間層53與晶圓42的凹凸良好地密接的狀態。
切晶膜50較晶圓42而尺寸更大，具有可利用環架46固定其周緣部的程度的大小。繼而，利用環架46來固定切晶膜50的周緣部。
然後，如圖5C所示，對晶圓42進行切晶(切斷)而獲得半導體晶片42A(上述2)的步驟)。切斷深度亦可設定為到達切晶膜50的基材層52與中間層53的界面的程度。切斷機構並無特別限制，亦可為切晶鋸或雷射等。
接著，如圖5D所示，擴張(擴展)切晶膜50(上述3)的步驟)。擴展(擴張)切晶膜50的方法包括使切晶膜50的下側的擴張機的平台上升而擴張與平台接觸的切晶膜50的方法，或於與膜面平行的方向上拉伸(擴張)的方法等。
藉此，如圖5E所示，可擴大切晶而獲得的半導體晶片42A彼此的間隔。另外，藉由擴張(擴展)切晶膜50，而於切晶膜50的黏著劑層54與晶圓42之間產生剪應力，晶圓42與黏著劑層54的黏接力減小，故可容易地拾取半導體晶片42A。如此，若進行半導體晶片42A的拾取，則可將半導體晶片42A自切晶膜50的黏著劑層54剝離。
[實例]
(1)1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)
作為基材層所含的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)，使用表 1所示的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)(商品名：TAFMER BL4000，三井化學(股)製造)、1-丁烯-α-烯烴共聚物(A2)(商品名：TAFMER BL3450，三井化學(股)製造)及1-丁烯-α-烯烴共聚物(A3)(商品名：TAFMER BL2481，三井化學(股)製造)。
進而，以如下方式來測定1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)~1-丁烯-α-烯烴共聚物(A3)的密度、拉伸彈性模數及MFR。將其結果示於表1中。
1)密度的測定
使用日本專利特開2001-33372所揭示的密度梯度管法來測定密度。具體而言，藉由熔融指數儀(melt indexer)將所得的1-丁烯-α-烯烴共聚物試樣熔融，獲得股線(strand)。對該股線實施退火後，切斷成適當的大小並投入至密度梯度管中。
密度梯度管是使用在玻璃製圓筒管內填充有具有連續的密度梯度的液體的物品。繼而，自所投入的1-丁烯-α-烯烴共聚物的固體試樣於液體中靜止的平衡位置來讀取該試樣的密度。玻璃製圓筒管中填充的液體是使用JISK7112的表2所規定的乙醇-水系的混合液體。
2)拉伸彈性模數的測定
製作包含1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)的膜。利用依據ASTM D638的方法來測定該膜的拉伸彈性模數。即，
i)切割厚度為100μm的膜，準備寬度(TD方向)為10mm、長度(MD方向)為100mm的短條狀的試樣片。
ii)繼而，依據JIS K7161，藉由拉伸試驗機以夾具間距離為50mm、拉伸速度為300mm/min的條件來測定試樣片的拉伸彈性模數。拉伸彈性模數的測定是於溫度23℃、相對濕度55%的條件下實施。
3)MFR的測定
依據ASTM D1238，以溫度為190℃~230℃、荷重為2.16kg的條件來測定1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)的MFR。
(2)丙烯系彈性體組成物(B)
丙烯-α-烯烴共聚物(b1)的合成
(合成例1)
於充分經氮氣置換的2000ml的聚合裝置中，於常溫下添加833ml的乾燥己烷、100g的1-丁烯及1.0mmol的三異丁基鋁後，將聚合裝置內的溫度升溫至40℃，以使體系內的壓力成為0.76MPa的方式，利用丙烯進行加壓。繼而，利用乙烯將聚合裝置內的壓力調整為0.8MPa。繼而，將使0.001mmol的二甲基亞甲基(3-第三丁基-5-甲基環戊二烯基)茀基二氯化鋯與以鋁換算為0.3mmol的甲基鋁氧烷(Tosoh-finechem公司製造)接觸的甲苯溶液添加至聚 合裝置內，於內溫40℃一面利用乙烯將體系內壓力保持於0.8MPa一面聚合20分鐘後，添加20ml的甲醇而使聚合反應停止。脫壓後，於2L的甲醇中使聚合物自聚合溶液中析出，於真空下於130℃乾燥12小時，獲得36.4g的丙烯-α-烯烴共聚物(b1-1)。
(合成例2~合成例4)
除了如表2所示般來變更丙烯、乙烯及1-丁烯的共聚合比以外，與合成例1同樣地獲得丙烯-α-烯烴共聚物(b1-2)~丙烯-α-烯烴共聚物(b1-4)。
將合成例1~合成例4中所得的丙烯-α-烯烴共聚物(b1-1)~丙烯-α-烯烴共聚物(b1-4)的組成匯總於表2中。將其結果示於表2中。
丙烯系彈性體組成物(B)的製備
(合成例5)
於200℃利用雙軸擠出機將合成例2中所得的80重量份的丙烯-α-烯烴共聚物(b1-2)與20重量份的均聚丙烯(b2)混練，獲得丙烯系彈性體組成物(B1)。
(合成例6)
除了將合成例3中所得的85重量份的丙烯-α-烯烴共 聚物(b1-3)與15重量份的聚丙烯(b2)混練以外，與合成例5同樣地獲得丙烯系彈性體組成物(B2)。
(合成例7)
除了將合成例4中所得的90重量份的丙烯-α-烯烴共聚物(b1-4)與10重量份的聚丙烯(b2)混練以外，與合成例5同樣地獲得丙烯系彈性體組成物(B3)。
(合成例8)
除了將合成例1中所得的80重量份的丙烯-α-烯烴共聚物(b1-1)與20重量份的聚丙烯(b2)混練以外，與合成例5同樣地獲得丙烯系彈性體組成物(B4)。
(合成例9)
於200℃利用雙軸擠出機將合成例2中所得的70重量份的丙烯-α-烯烴共聚物(b1-2)與30重量份的均聚丙烯(b2)混練，獲得丙烯系彈性體組成物(B5)。
(合成例10)
於200℃利用雙軸擠出機將合成例2中所得的60重量份的丙烯-α-烯烴共聚物(b1-2)與40重量份的均聚丙烯(b2)混練，獲得丙烯系彈性體組成物(B6)。
(合成例11)
於200℃利用雙軸擠出機將合成例2中所得的50重量份的丙烯-α-烯烴共聚物(b1-2)與50重量份的均聚丙烯(b2)混練，獲得丙烯系彈性體組成物(B7)。
(合成例12)
於200℃利用雙軸擠出機將合成例2中所得的30重量 份的丙烯-α-烯烴共聚物(b1-2)與70重量份的均聚丙烯(b2)混練，獲得丙烯系彈性體組成物(B8)。
(合成例13)
於200℃利用雙軸擠出機將合成例2中所得的20重量份的丙烯-α-烯烴共聚物(b1-2)與80重量份的均聚丙烯(b2)混練，獲得丙烯系彈性體組成物(B9)。
與上述同樣地測定所得的丙烯系彈性體組成物(B1)~丙烯系彈性體組成物(B9)的密度、拉伸彈性模數及MFR。將其結果示於表3中。
(實例1)
膜的成形
作為基材層的原料，準備將上述1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)與丙烯系彈性體組成物(B1)以重量比60/40混合而成的混合物。作為低摩擦層的原料，準備商品名Evolue SP2040(Prime Polymer(股)製造，直鏈狀低密度聚乙烯，維氏軟化溫度為101℃)。作為黏著劑層的原料，準備商品名NOTIO PN3560(三井化學(股)製造，MFR為4g/10min(依據ASTM D1238，測定溫度為230℃)。
積層膜的成形方法
繼而，將基材層、低摩擦層及黏著劑層的各原料投入至具備全螺紋型螺桿的各擠出機中，進行熔融混練。將基材層、低摩擦層及黏著劑層的擠出溫度設定為230℃，使三層的熔融樹脂於多層模具內積層並進行共擠出而成形，獲得如上述圖2所示般的依序積層有低摩擦層、基材層及黏著劑層的三層構造的積層膜。於所得的積層膜的黏著劑層上進一步積層隔離層(Tohcello(股)製造，商品名SP-PET)後，以預定的寬度切開並進行捲取。
(實例2~實例3)
除了如表4所示般來變更基材層中的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)與丙烯系彈性體組成物(B1)的混合比率以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(實例4)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為 丙烯系彈性體組成物(B2)以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(實例5~實例6)
除了如表4所示般來變更基材層中的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)與丙烯系彈性體組成物(B2)的混合比率以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(實例7)
除了如表5所示般來變更基材層中的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)與表2所記載的丙烯-α-烯烴共聚物(b1-4)的混合比率以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(實例8)
除了代替作為黏著劑層的原料的NOTIO PN3560而使用商品名Evolue SP2040(Prime Polymer(股)製造，直鏈狀低密度聚乙烯)以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(實例9)
除了代替作為黏著劑層的原料的NOTIO PN3560而使用商品名Evolue SP2040(Prime Polymer(股)製造，直鏈狀低密度聚乙烯)以外，與實例4同樣地獲得積層膜。
(實例10)
除了代替作為低摩擦層的原料的Evolue SP2040(Prime Polymer(股)製造，直鏈狀低密度聚乙烯)而使用與基材層的原料相同的原料以外，與實例1同樣地獲得基材層與黏著劑層的二層構造的積層膜。
(實例11)
除了代替作為黏著劑層的原料的NOTIO PN3560而使用NOTIO PN2060(三井化學(股)製造，註冊商標，MFR為7g/10min(依據ASTM D1238，230℃))以外，與實例10同樣地獲得二層構造的積層膜。
(實例12)
除了代替作為黏著劑層的原料的NOTIO PN3560而使用Dynaron DR1322P(註冊商標)(JSR(股)製造，HSBR，氫化苯乙烯-丁二烯橡膠)以外，與實例10同樣地獲得二層構造的積層膜。
(實例13)
構成UV硬化型黏著劑層的UV硬化型黏著劑塗佈液的製備
將丙烯酸乙酯48重量份、丙烯酸-2-乙基己酯27重量份、丙烯酸甲酯20重量份、甲基丙烯酸環氧丙酯5重量份及作為聚合起始劑的過氧化苯甲醯0.5重量份混合。於加入有甲苯65重量份、乙酸乙酯50重量份的氮氣置換燒瓶中，一面攪拌一面於80℃用5小時滴加上述混合物，進而攪拌5小時進行反應。反應結束後，將該溶液冷卻，於其中添加二甲苯25重量份、丙烯酸2.5重量份及氯化十四烷基苄基銨1.5重量份，一面吹入空氣一面於80℃反應10小時，獲得導入有光聚合性碳-碳雙鍵的丙烯酸酯共聚物溶液。
於該溶液中，相對於共聚物(固體成分)100重量份而添加作為光起始劑的安息香7重量份、異氰酸酯系交聯 劑(三井化學(股)製造，商品名：Olester P49-75S)2重量份、作為於一分子內具有2個以上的光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物的二季戊四醇六丙烯酸酯(東亞合成(股)製造，商品名：Aronix M-400)15重量份，獲得UV硬化型黏著劑塗佈液。
UV黏著劑層的積層
於對片表面實施了聚矽氧處理(脫模處理)的厚度為38μm的PET膜(剝離膜，Tohcello(股)製造，商品名SP-PET)的實施了脫模處理的一側的面上，藉由刮刀式塗佈機而塗佈上述UV硬化型黏著劑塗佈液，於120℃乾燥4分鐘，獲得厚度為30μm的UV硬化型黏著劑層。另一方面，準備對與上述實例10相同的基材膜的單面實施了電暈處理的物品。繼而，藉由乾式層壓機將形成於上述PET膜上的UV硬化型黏著劑層與上述基材膜的實施了電暈處理的一側的面貼合併擠壓，將UV硬化型黏著劑層轉印至基材膜的實施了電暈處理的一側的面上，獲得積層膜。
(實例14)
除了將作為低摩擦層的原料的Evolue SP2040(Prime Polymer(股)製造，直鏈狀低密度聚乙烯)變更為商品名Nucrel AN4213C(Du Pont-Mitsui Polychemicals(股)製造，乙烯-甲基丙烯酸共聚物，MFR為10g/10min(依據JIS K7210 1999，190℃))以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(實例15)
除了將作為低摩擦層的原料的Evolue SP2040(Prime Polymer(股)製造，直鏈狀低密度聚乙烯)變更為商品名Nucrel N1108C(Du Pont-Mitsui Polychemicals(股)製造，乙烯-甲基丙烯酸共聚物，MFR為8g/10min(依據JIS K7210 1999，190℃))以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(實例16)
除了將作為低摩擦層的原料的Evolue SP2040(Prime Polymer(股)製造，直鏈狀低密度聚乙烯)、與作為黏著劑層的原料的NOTIO PN3560分別變更為商品名Nucrel AN4213C(Du Pont-Mitsui Polychemicals(股)製造，乙烯-甲基丙烯酸共聚物，MFR為10g/10min(依據JIS K7210 1999，190℃))以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(實例17)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為丙烯系彈性體組成物(B3)以外，與實例10同樣地獲得積層膜。
(實例18)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為丙烯系彈性體組成物(B4)以外，與實例10同樣地獲得積層膜。
(比較例1)
除了僅使用1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)作為基材層的原料以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(比較例2)
除了僅使用1-丁烯-α-烯烴共聚物(A2)作為基材層的 原料以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(比較例3)
除了僅使用1-丁烯-α-烯烴共聚物(A3)作為基材層的原料以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(比較例4)
除了將基材層中的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)與丙烯系彈性體組成物(B1)的混合比率變更為80/20以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(比較例5)
除了將基材層中的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)與丙烯系彈性體組成物(B2)的混合比率變更為80/20以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(比較例6)
除了將基材層中的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)與丙烯系彈性體組成物(B2)的混合比率變更為20/80以外，與實例1同樣地獲得積層膜。
(比較例7)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為TAFMER P0275(三井化學(股)製造，乙烯-α-烯烴共聚物)以外，與實例2同樣地獲得積層膜。
(比較例8)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為商品名Dynaron DR8601P(JSR(股)製造，SEBS)以外，與實例2同樣地獲得積層膜。
(比較例9)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為商品名Dynaron DR1322P(JSR(股)製造，HSBR，氫化苯乙烯-丁二烯橡膠)以外，與實例2同樣地獲得積層膜。
(比較例10)
將以重量比30/70混合均聚丙烯h-PP(Prime Polymer(股)製造，商品名：F107PV)與低密度聚乙烯LDPE(Prime Polymer(股)製造，商品名：Mirason 11P)而成的混合物投入至具備螺紋型螺桿的擠出機中，以擠出溫度230℃進行擠出，獲得單層膜。
(比較例11)
將以重量比30/10/60混合高密度聚乙烯HDPE(Prime Polymer(股)製造，商品名：Hi-zex 2100J)、乙烯丙烯橡膠EPR(三井化學(股)製造，商品名：P0275)及無規聚丙烯r-PP(Prime Polymer(股)製造，商品名：F327)而成的混合物投入至具備螺紋型螺桿的擠出機中，以擠出溫度230℃進行擠出，獲得單層膜。
(比較例12)
將以重量比20/10/70混合均聚丙烯h-PP(Prime Polymer(股)製造，商品名：F107PV)、乙烯丙烯橡膠EPR(三井化學(股)製造，商品名：P0275)及乙烯-甲基丙烯酸共聚物EMAA(Du Pont-Mitsui Polychemicals(股)製造，商品名：N1108C)而成的混合物投入至具備螺紋型螺桿的擠出機中，以擠出溫度230℃進行擠出，獲得單層 膜。
以如下方式來評價實例及比較例中所得的膜的1)擴張性、2)頸縮的容易程度及3)操作性。另外，以如下方式來評價各膜的4)黏著劑層的黏著力。進而，對一部分實例的膜進行5)TEM觀察。
1)膜擴張性
自所得的膜將隔離層剝離後，利用橡膠輥使膜的黏著劑層密接於8吋尺寸的環架。對於無黏著性的膜(實例8、實例9、比較例10、比較例11、比較例12)，利用雙面膠帶(Nichiban，Nicetack)將膜固定於環架。
繼而，於用以提高膜的潤滑性的低摩擦層的表面利用油性鋼筆畫入2cm見方的格子。此時的格子的MD方向長度與TD方向長度分別為12cm。繼而，如圖6A所示，以膜40的基材層表面與擴張機的平台43接觸的方式將環架44固定於擴張機。擴張機是使用Hugle Electronics製造的HS-1800。
繼而，如圖6B所示，使擴張機的平台43上升65mm，對擴張膜40時的格子的TD方向的長度及MD方向的長度進行測定。將所得的測定值代入至下述式中，求出擴張率及擴張率的異向性。
擴張率(MD方向、TD方向)(%)=100×擴張後的格子的長度/擴張前的格子的長度
擴張率的異向性=(MD方向的擴張率-TD方向的擴張率)的絕對值
因此，上述擴張率表示上述平台上的擴張性黏著膜的擴張率。對於所有的膜而言，如上所述般使平台上升65mm，因此上述擴張率低的膜意味著平台上的膜並未大幅度地擴張，而平台外的膜、即平台的端部與環架之間的膜擴張。因此，上述擴張性與拾取對應於上述格子的半導體晶片的半導體等的切晶步驟中所必需的擴張性相對應。
2)頸縮容易程度
擴張時的膜的頸縮容易程度是於與平台接觸的膜部分、及與平台端部接觸的膜部分中分別觀察是否產生了白化，並以如下方式進行評價。
○：未產生頸縮
×：產生了頸縮
3)操作性
膜的操作性是藉由膜的拉伸彈性模數來評價。即，切割所得的膜，獲得寬度(TD方向)為10mm、長度(MD方向)為100mm的短條狀的試樣片。繼而，依據JIS K7161，使用拉伸試驗機以夾具間距離為50mm、拉伸速度為300mm/min的條件來測定試樣片的拉伸彈性模數。對5個試樣片同樣地測定拉伸彈性模數，將該些的平均值作為拉伸彈性模數。拉伸彈性模數的測定是於溫度為23℃、濕度為55%的條件下實施。
膜整體的拉伸彈性模數小於70MPa或為170MPa以上：×
膜整體的拉伸彈性模數為70MPa以上、小於170MPa：○
4)黏著力
依據JIS Z0237所記載的黏著片試驗方法，於溫度為23℃、相對濕度為50%的環境下對所得的膜(附有共擠出黏著劑的膜、附有UV硬化型黏著劑層的膜)的黏著力進行測定。對所得的膜一面利用約2kg橡膠輥施加壓力一面貼附於SUS-BA板，於溫度為23℃、相對濕度為50%的固定環境下放置30分鐘。繼而，對將膜於180°方向上以剝離速度300mm/min自SUS-BA板剝離時的黏著力進行測定。進行該黏著力的測定2次。將使用寬度為25mm的試驗片進行測定時的黏著力的平均值作為「黏著力」(N/25mm)。
並且，對於各實例及比較例中所用的低摩擦層、基材層及黏著劑層，分別與上述同樣地，以與上述相同的方式來測定拉伸彈性模數及MFR。再者，表中的拉伸彈性模數(A/B)的記載表示基材層的拉伸彈性模數。
將實例1~實例6的結果示於表4中，實例7~實例12的結果示於表5中，實例13~實例18的結果示於表6中。進而，將比較例1~比較例6的結果示於表7中，比較例7~比較例9的結果示於表8中，比較例10~比較例12的結果示於表9中。
可知，具有將特定的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)與特定的丙烯系彈性體組成物(B)以預定比率混合所得的基材層的實例1~實例18的膜的擴張率高至120%以上，亦不產生頸縮。另一方面可知，不含特定的丙烯系彈性體組成物(B)的比較例1~比較例3的膜、及1-丁烯-α-烯烴 共聚物(A)與丙烯系彈性體組成物(B)的混合比率為本案發明的範圍外的比較例4~比較例6的膜的擴張率低，操作性低，或容易產生頸縮。另外可知，代替丙烯系彈性體組成物(B)而使用其他彈性體的比較例7~比較例9的膜雖然擴張性佳，但容易產生頸縮，或操作性低。可知，比較例10~比較例12的膜於擴張性試驗的中途斷裂，擴張性極低。
(實例19)
各層的原料的準備
作為基材層的原料，準備將上述1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)與丙烯系彈性體組成物(B1)以重量比60/40混合而成的混合物。
作為中間層的原料，準備三井化學(股)製造的TAFMER P0275(註冊商標)。
作為黏著劑層的原料，準備上述UV硬化型黏著劑塗佈液。
作為低摩擦層的原料，準備與基材層相同的混合物。
切晶膜的形成
繼而，將基材層、中間層及低摩擦層的各原料投入至具備全螺紋型螺桿的各擠出機中，進行熔融混練。將基材層、中間層及低摩擦層的擠出溫度設定為230℃，使三層的熔融樹脂於多層模具內積層並進行共擠出而成形。
其後，與實例13的UV黏著劑層的積層方法同樣地於中間層上積層黏著劑層，獲得如圖3所示的依序積層有低 摩擦層、基材層、中間層及黏著劑層的四層構造的積層膜(切晶膜)。關於切晶膜的各層的厚度，低摩擦層/基材層/中間層/黏著劑層的厚度為10μm/60μm/350μm/5μm。
(實例20及實例21)
除了如表10所示般來變更基材層中的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)與丙烯系彈性體組成物(B1)的混合比率以外，與實例19同樣地獲得切晶膜。
(實例22)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為丙烯系彈性體組成物(B2)以外，與實例19同樣地獲得切晶膜。
(實例23)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為丙烯系彈性體組成物(B3)以外，與實例19同樣地獲得切晶膜。
(實例24)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為丙烯系彈性體組成物(B4)以外，與實例19同樣地獲得切晶膜。
(實例25)
將低摩擦層的原料變更為商品名Evolue SP2040(Prime Polymer(股)製造，直鏈狀低密度聚乙烯，維氏軟化溫度為101℃)，將基材層、中間層、黏著劑層及低摩擦層的擠出溫度設定為230℃，使四層的熔融樹脂於多層 模具內積層並進行共擠出而成形，除此以外，與實例19同樣地獲得切晶膜。關於切晶膜的各層的厚度，低摩擦層/基材層/中間層/黏著劑層的厚度為10μm/60μm/350μm/5μm。
(實例26)
除了將低摩擦層的原料變更為於聚矽氧樹脂(東麗道康寧聚矽氧公司製造，商品名：BY27-002)中混合有5wt%的低密度聚乙烯(Du Pont-Mitsui Polychemicals(股)製造：商品名：Mirason 11P)的混合物以外，與實例25同樣地獲得切晶膜。
(實例27)
除了將中間層的原料變更為三井化學(股)製造的TAFMER P0280(註冊商標)以外，與實例25同樣地獲得切晶膜。
(實例28)
除了將黏著劑層的原料變更為商品名NOTIO PN3560(三井化學(股)製造，MFR為4g/10min(依據ASTM D1238，測定溫度為230℃)以外，與實例25同樣地獲得切晶膜。
(實例29)
除了使用NOTIO PN2060(三井化學(股)製造，註冊商標，MFR為7g/10min(依據ASTM D1238，230℃))作為黏著劑層的原料以外，與實例25同樣地獲得切晶膜。
(實例30)
除了使用Dynaron DR1322P(註冊商標)(JSR(股)製造，HSBR，氫化苯乙烯-丁二烯橡膠)作為黏著劑層的原料以外，與實例25同樣地獲得切晶膜。
(比較例13)
除了僅使用1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)作為基材層的原料以外，與實例25同樣地獲得切晶膜。
(比較例14)
除了將基材層中的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)與丙烯系彈性體組成物(B1)的混合比率變更為80/20以外，與實例25同樣地獲得切晶膜。
(比較例15)
除了將基材層中的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A1)與丙烯系彈性體組成物(B1)的混合比率變更為20/80以外，與實例25同樣地獲得切晶膜。
(比較例16)
除了使用厚度為75μm的聚對苯二甲酸乙二酯層作為基材層且不積層低摩擦層以外，與實例19同樣地獲得切晶膜。
(比較例17)
除了使用厚度為60μm的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)層作為基材層以外，與實例25同樣地獲得切晶膜。
(實例31)
除了使用厚度為350μm的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)層作為中間層以外，與實例25同樣地獲得切晶膜。
(實例32)
除了不積層黏著劑層以外，與實例25同樣地獲得切晶膜。
(實例33)
除了將基材層的厚度設定為60μm以外，與實例10同樣地獲得切晶膜。
(實例34)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為丙烯系彈性體組成物(B5)以外，與實例33同樣地獲得切晶膜。
(實例35)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為丙烯系彈性體組成物(B6)以外，與實例33同樣地獲得切晶膜。
(實例36)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為丙烯系彈性體組成物(B7)以外，與實例33同樣地獲得切晶膜。
(實例37)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為丙烯系彈性體組成物(B8)以外，與實例33同樣地獲得切晶膜。
(比較例18)
除了將基材層中的丙烯系彈性體組成物(B1)變更為 丙烯系彈性體組成物(B9)以外，與實例33同樣地獲得切晶膜。
(參考例1)
對於實例25的切晶膜，以台溫度為25℃、輥溫度為25℃、壓力為0.5MPa的條件來進行下文將述的凹凸填埋性評價。
(參考例2)
對於實例25的切晶膜，以台溫度為60℃、輥溫度為60℃、壓力為0.2MPa的條件來進行下文將述的凹凸填埋性評價。
(參考例3)
除了將實例25的切晶膜的中間層的膜厚設定為180μm以外，與實例25同樣地進行。
切晶膜的評價
對於下述的實例19~實例31、比較例13~比較例17及參考例1~參考例3，藉由下述方法來測定環架密接性、凹凸填埋性、擴張性。
再者，關於各層或構成該層的材料的拉伸彈性模數、MFR、密度及黏著力，與上述的實例1~實例18同樣地測定。再者，對中間層測定於25℃的拉伸彈性模數E(25)及於60℃的拉伸彈性模數(E)，進而計算出於60℃的拉伸彈性模數E(60)相對於於25℃的拉伸彈性模數E(25)之比(E(60)/E(25))。
另外，與實例1~實例18同樣地測定實例33~實例 37及比較例18中所得的膜的1)擴張性、2)頸縮的容易程度及3)操作性、4)黏著劑層的黏著力。
1)環架密接性
測定與Disco(公司名)製造的環架的密接性。具體而言，依據JIS Z0237所記載的黏著片試驗方法，於溫度為23℃、相對濕度為50%的環境下對所得的切晶膜對上述環架的黏著力進行測定。將所得的切晶膜以黏著劑層位於環架側的方式配置，一面利用約2kg的橡膠輥施加壓力一面貼附於上述環架，於溫度為23℃、相對濕度為50%的固定環境下放置30分鐘。繼而，對將切晶膜於180°方向上以剝離速度300mm/min自環架剝離時的黏著力進行測定。進行2次該黏著力的測定。將此時的黏著力的平均值作為「與環架的密接性」(N)。
與環架的密接性為0.1N以上時評價為○，小於0.1N時評價為×。
2)凹凸填埋性
準備於電路形成面上設有直徑為200μm的焊錫的晶圓(Well公司製造，JCHIP10)。
使用貼附機(Technovision公司製造，FMP-1143)，以台溫度為60℃、輥溫度為25℃、壓力為0.5MPa、層壓速度為2mm/s的條件，將切晶膜加熱壓接於Disco製造的環架及上述晶圓。使用顯微鏡(基恩斯(Keyence)公司製造)對貼附有切晶膜的晶圓的電路形成面以50倍~200倍進行觀察，與電路形成面的凹凸之間有空隙時評價為×，無空 隙時評價為○。
3)擴張性
利用橡膠輥使切晶膜的黏著劑層密接於環架。對於無黏著性的切晶膜(比較例19)，利用雙面膠帶(Nichiban，Nicetack)將膜固定於環架。
繼而，於切晶膜的黏著劑層表面利用油性鋼筆畫入2cm見方的格子。然後，如圖6A所示，以切晶膜40的基材層表面與擴張機的平台43接觸的方式，將環架44固定於擴張機。擴張機是使用Hugle Electronics製造的HS-1800。
繼而，如圖6B所示，使擴張機的平台43上升65mm，對擴張切晶膜40時的格子的長度進行測定。將所得的測定值代入至下述式中，求出擴張率及擴張率的異向性。
擴張率(%)=100×擴張後的格子的長度/擴張前的格子的長度
擴張率為120%以上時評價為○，小於120%時評價為×。
將實例19~實例24的結果示於表10中，實例25~實例30的結果示於表11中，比較例13~比較例17的結果示於表12中，實例31、實例32及參考例1~參考例3的結果示於表13中，實例33~實例37及比較例18的結果示於表14中。
可知，具有將特定的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)與特定的丙烯系彈性體組成物(B)以預定比率混合所得的基材層的實例19~實例32的膜的擴張率高至120%以上。另一方面，基材層中不含特定的丙烯系彈性體組成物(B)的比較例13的膜、及1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)與丙烯系彈性體組成物(B)的混合比率為本案發明的範圍外的比較例14及比較例15的膜的擴張率低。進而，於使用不含特定的1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)、及特定的丙烯系彈性體組成物(B)的比較例16及比較例17的情形時，亦是擴張率低。
另外可知，藉由在基材層與黏著劑層之間具有於25℃的拉伸彈性模數E(25)及於60℃的拉伸彈性模數E(60)滿足E(60)/E(25)<0.1的關係、且於25℃的拉伸彈性模數E(25)為1MPa~10MPa的中間層，凹凸填埋性變良好(實例19~實例30及實例32)。
另一方面可知，於不滿足E(60)/E(25)<0.1的關係的實例31中，凹凸填埋性變低。
另外可知，藉由設置具有預定的黏著力的黏著劑層，與環架的密接性變良好(實例19~實例30)。另一方面，於未設置黏著劑層的情形(實例32)時，與環架的密接性變低。
再者，參考例1表示將實例25的切晶膜於本發明的半導體裝置的製造方法中特別規定的溫度以下貼附於晶圓的情形，可知中間層的熔融性變得充分，凹凸填埋性變得不 充分。
另外，參考例2表示將實例25的切晶膜於本發明的半導體裝置的製造方法中特別規定的壓力以下貼附於晶圓的情形，可知該情形時，中間層及黏著劑層未充分追隨凹凸，凹凸填埋性變得不充分。
參考例3表示實例25的切晶膜的中間層的厚度小於晶圓的凹凸高度的情形，可知中間層及黏著劑層未充分進入至凹凸中，凹凸填埋性變得不充分。
相對於丙烯系彈性體組成物(B)100重量份而含有70重量份以下的聚丙烯(b2)的實例33~實例37中，可獲得頸縮性或操作性亦優異的切晶膜。然而可知，隨著聚丙烯(b2)的量增加，擴張率於MD方向及TD方向上均下降。另外，擴張率的異向性亦提高。進而，丙烯系彈性體組成物(B)的拉伸彈性模數超過500MPa的比較例18中，切晶膜的擴張性變得不充分，切晶膜斷裂。
[產業上之可利用性]
根據本發明，可獲得一種低污染、對於先前的烯烴系擴張性基材而言不充分的具有高的擴張性且不易頸縮的烯烴系擴張性基材及切晶膜。
10、30、40、50‧‧‧切晶膜
12、32、52‧‧‧基材層
13、53‧‧‧中間層
14、34、54‧‧‧黏著劑層
16、36、56‧‧‧低摩擦層
22、42‧‧‧晶圓
22A、42A‧‧‧半導體晶片
26、44、46‧‧‧環架
43‧‧‧平台
圖1A是本發明的一實施形態的擴張性膜的基材層的平行於MD方向的剖面TEM照片。
圖1B是本發明的一實施形態的擴張性膜的基材層的平行於TD方向的剖面TEM照片。
圖2是示意性地表示本發明的切晶膜的一實施形態的剖面圖。
圖3是示意性地表示本發明的切晶膜的其他實施形態的剖面圖。
圖4A是對使用本發明的一實施形態的切晶膜的半導體裝置的製造方法的一部分進行說明的圖。
圖4B是對使用本發明的一實施形態的切晶膜的半導體裝置的製造方法的一部分進行說明的圖。
圖4C是對使用本發明的一實施形態的切晶膜的半導體裝置的製造方法的一部分進行說明的圖。
圖4D是對使用本發明的一實施形態的切晶膜的半導體裝置的製造方法的一部分進行說明的圖。
圖4E是對使用本發明的一實施形態的切晶膜的半導體裝置的製造方法的一部分進行說明的圖。
圖5A是對使用本發明的其他實施形態的切晶膜的半導體裝置的製造方法的一部分進行說明的圖。
圖5B是對使用本發明的其他實施形態的切晶膜的半導體裝置的製造方法的一部分進行說明的圖。
圖5C是對使用本發明的其他實施形態的切晶膜的半導體裝置的製造方法的一部分進行說明的圖。
圖5D是對使用本發明的其他實施形態的切晶膜的半導體裝置的製造方法的一部分進行說明的圖。
圖5E是對使用本發明的其他實施形態的切晶膜的半導體裝置的製造方法的一部分進行說明的圖。
圖6A是對本例中的積層膜的擴張試驗方法進行說明的俯視圖及側視圖。
圖6B是對本例中的積層膜的擴張試驗方法進行說明的側視圖。
10‧‧‧切晶膜
12‧‧‧基材層
14‧‧‧黏著劑層
16‧‧‧低摩擦層

Claims (13)

  1. 一種擴張性膜，其為含有以下物質的基材：1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)，其於23℃的拉伸彈性模數為100MPa~450MPa；以及丙烯系彈性體組成物(B)，其包含丙烯-α-烯烴共聚物(b1)，且於23℃的拉伸彈性模數為8MPa~500MPa，上述1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)的來源於1-丁烯的構成成分含量為80mol%以上，相對於(A)與(B)的合計100重量份，上述丙烯系彈性體組成物(B)的含量為30重量份~70重量份。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之擴張性膜，其中上述丙烯系彈性體組成物(B)的於23℃的拉伸彈性模數為10MPa~50MPa。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之擴張性膜，其中相對於100重量份的上述丙烯系彈性體組成物(B)，上述丙烯系彈性體組成物(B)含有1重量份~70重量份的聚丙烯(b2)。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之擴張性膜，其中相對於100重量份的上述丙烯系彈性體組成物(B)，上述丙烯系彈性體組成物(B)含有5重量份~20重量份的聚丙烯(b2)。
  5. 一種切晶膜，具有基材層以及黏著劑層，上述基材層含有擴張性膜，上述擴張性膜含有：1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)，其於23℃的拉伸彈性模數 為100MPa~500MPa；以及丙烯系彈性體組成物(B)，其包含丙烯-α-烯烴共聚物(b1)，且於23℃的拉伸彈性模數為8MPa~500MPa，相對於(A)與(B)的合計100重量份，上述丙烯系彈性體組成物(B)的含量為30重量份~70重量份，上述黏著劑層是設置於上述切晶膜的最表面，上述黏著劑層的貼附於SUS-304-BA板的表面並放置60分鐘後，自上述SUS-304-BA板的表面剝離時的依據JIS Z0237而測定的黏著力為0.1N/25mm~10N/25mm。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之切晶膜，其中依據ASTM D1238而測定的上述基材層的於230℃的MFR以及上述黏著劑層的於230℃的MFR均為1g/10min~20g/10min。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之切晶膜，其中於上述基材層與上述黏著劑層之間具有中間層，上述中間層的於25℃的拉伸彈性模數E(25)及於60℃的拉伸彈性模數E(60)滿足E(60)/E(25)<0.1的關係，且上述於25℃的拉伸彈性模數E(25)為1MPa~10MPa。
  8. 一種切晶膜，具有基材層以及中間層，上述基材層含有擴張性膜，上述擴張性膜含有：1-丁烯-α-烯烴共聚物(A)，其於23℃的拉伸彈性模數為100MPa~500MPa；以及丙烯系彈性體組成物(B)，其包含丙烯-α-烯烴共聚物 (b1)，且於23℃的拉伸彈性模數為8MPa~500MPa，相對於(A)與(B)的合計100重量份，上述丙烯系彈性體組成物(B)的含量為30重量份~70重量份，上述中間層的於25℃的拉伸彈性模數E(25)及於60℃的拉伸彈性模數E(60)滿足E(60)/E(25)<0.1的關係，且上述於25℃的拉伸彈性模數E(25)為1MPa~10MPa。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之切晶膜，其中上述中間層含有烯烴系共聚物。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之切晶膜，其中上述中間層的密度為800kg/m3 ~890kg/m3 。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之切晶膜，其中切晶膜是貼合於在至少一個面上具有階差的半導體晶圓的具有上述階差的面而使用，上述中間層的厚度大於上述半導體晶圓的階差。
  12. 一種半導體裝置的製造方法，包括以下步驟：將如申請專利範圍第5項所述之切晶膜經由上述切晶膜的黏著劑層而貼附於半導體晶圓；對上述半導體晶圓進行切晶而獲得半導體晶片；以及擴張上述切晶膜，拾取上述半導體晶片。
  13. 一種半導體裝置的製造方法，包括以下步驟：將如申請專利範圍第7項所述之切晶膜以40℃~80℃的溫度、0.3MPa~0.5MPa的壓力經由上述切晶膜的黏著劑層而貼合於半導體晶圓； 對上述半導體晶圓進行切晶而獲得半導體晶片；以及擴張上述切晶膜，拾取上述半導體晶片。
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