JP6542502B2 - 拡張性基材フィルム、ダイシングフィルム、半導体用表面保護フィルム、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、拡張性基材フィルム、ダイシングフィルム、半導体用表面保護フィルム、及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造方法として、基材フィルム及び粘着剤層を備えたダイシングフィルムを半導体基板（例えばシリコンウエハ）に貼着し、次いで上記半導体基板を、ダイシングブレード（ダイシングソー）、レーザー光、プラズマ等によってダイシングし、次いでダイシングフィルムを拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップ（チップ状の半導体装置）を得、次いで複数の半導体チップの少なくとも１つをピックアップする方法が知られている（例えば、特許文献１〜６参照）。
上記ダイシングフィルムの基材フィルムの材質としては、ポリ塩化ビニル（例えば、特許文献７参照）、エチレン・酢酸ビニル共重合体とポリオレフィン系樹脂との混合物（例えば、特許文献８参照）等が知られている。
上記ダイシングフィルムの基材フィルムの材質としては、ポリ塩化ビニル（例えば、特許文献７参照）、エチレン・酢酸ビニル共重合体とポリオレフィン系樹脂との混合物（例えば、特許文献８参照）等が知られている。
また、半導体装置の製造方法としては、回路が形成された半導体基板の回路形成面からその半導体基板の厚さ未満の切込み深さの溝を形成し、次いで、該回路形成面に、基材及び粘着剤層からなる表面保護シート（半導体用表面保護フィルム）を貼着し、その後、上記半導体基板の裏面（回路非形成面）を研削することで半導体基板の厚みを薄くするとともに、個々の半導体チップへの分割を行う方法も知られている（例えば、特許文献９参照）。
上述のとおり、ダイシングフィルムを用いた半導体装置の製造方法では、半導体基板のダイシング後にダイシングフィルムを拡張する。
また、ダイシングフィルムではなく半導体用表面保護フィルムを用いた半導体装置の製造方法においても、半導体基板の研削後において、半導体用表面保護フィルムを拡張することがある（例えば、特許文献９参照）。
ダイシングフィルム及び半導体用表面保護フィルム（以下、これらをまとめて「半導体用フィルム」と称することがある）を拡張する理由は、この拡張の際に生じる、半導体チップと半導体用フィルムとのずり応力により、半導体チップと半導体用フィルムとの粘着力を低下させ、これにより半導体用フィルムから半導体チップをピックアップし易くするためである。また、半導体用フィルムを拡張するもう一つの理由は、複数の半導体チップ間の間隔を拡げることにより、半導体用フィルムから半導体チップをピックアップし易くするためである。
また、ダイシングフィルムではなく半導体用表面保護フィルムを用いた半導体装置の製造方法においても、半導体基板の研削後において、半導体用表面保護フィルムを拡張することがある（例えば、特許文献９参照）。
ダイシングフィルム及び半導体用表面保護フィルム（以下、これらをまとめて「半導体用フィルム」と称することがある）を拡張する理由は、この拡張の際に生じる、半導体チップと半導体用フィルムとのずり応力により、半導体チップと半導体用フィルムとの粘着力を低下させ、これにより半導体用フィルムから半導体チップをピックアップし易くするためである。また、半導体用フィルムを拡張するもう一つの理由は、複数の半導体チップ間の間隔を拡げることにより、半導体用フィルムから半導体チップをピックアップし易くするためである。
このように、半導体用フィルムは、半導体基板の加工（ダイシング及び研削の少なくとも一方。以下同じ。）の後に拡張されるフィルムである。
そして半導体チップをピックアップする際の作業性を向上させるために、半導体用フィルムの基材フィルムには、全方向について均一に拡張する性質、即ち、等方的な拡張性（引張破断伸び）を有することが望まれ、更に、等方的な引裂強さを有することも望まれる。
言い換えれば、上記基材フィルムにおいては、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性を極力低減することが望まれる。
そして半導体チップをピックアップする際の作業性を向上させるために、半導体用フィルムの基材フィルムには、全方向について均一に拡張する性質、即ち、等方的な拡張性（引張破断伸び）を有することが望まれ、更に、等方的な引裂強さを有することも望まれる。
言い換えれば、上記基材フィルムにおいては、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性を極力低減することが望まれる。
また、半導体基板の加工時に、半導体基板の反り、ひび、割れ等（以下、「半導体基板の反り等」ともいう）が発生する場合がある。この傾向は、近年、半導体基板の厚さが薄くなってきたことにより、一層顕在化されている。
半導体基板の反り等を抑制するためには、半導体用フィルムの基材フィルムの応力緩和性を向上させることが有効である。
半導体基板の反り等を抑制するためには、半導体用フィルムの基材フィルムの応力緩和性を向上させることが有効である。
以上のように、半導体用フィルムの基材フィルムについては、応力緩和性の向上と、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性の低減と、を両立させることが望まれる。また、半導体用途以外に用いられる基材フィルム（例えば、各種の保護フィルム）についても、応力緩和性の向上と、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性の低減と、を両立させる必要がある場合がある。
本発明者等の検討により、基材フィルムに４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位を含む重合体（以下、「４ＭＰ１系重合体」ともいう）を含有させることにより、基材フィルムの応力緩和性を向上できることが判明した。
しかし、更なる検討の結果、４ＭＰ１系重合体を含有する基材フィルムでは、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が大きい場合があることが判明した。
具体的には、４ＭＰ１系重合体を含有する基材フィルムでは、ＭＤ方向の引張破断伸びとＴＤ方向の引張破断伸びとの差（絶対値）が大きい場合や、ＭＤ方向の引裂強さとＴＤ方向の引裂強さとの差（絶対値）が大きい場合があることが判明した。
ここで、「ＭＤ方向」（Machine Direction）とは、フィルムの流れ方向を指し、「ＴＤ方向」（Transverse Direction）とは、前記ＭＤ方向と直交しフィルムの主面と平行な方向を指す。
しかし、更なる検討の結果、４ＭＰ１系重合体を含有する基材フィルムでは、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が大きい場合があることが判明した。
具体的には、４ＭＰ１系重合体を含有する基材フィルムでは、ＭＤ方向の引張破断伸びとＴＤ方向の引張破断伸びとの差（絶対値）が大きい場合や、ＭＤ方向の引裂強さとＴＤ方向の引裂強さとの差（絶対値）が大きい場合があることが判明した。
ここで、「ＭＤ方向」（Machine Direction）とは、フィルムの流れ方向を指し、「ＴＤ方向」（Transverse Direction）とは、前記ＭＤ方向と直交しフィルムの主面と平行な方向を指す。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、応力緩和性に優れ、かつ、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が低減された拡張性基材フィルムを提供することを目的とする。
また、本発明は、上記拡張性基材フィルムを備えたダイシングフィルム及び半導体用表面保護フィルムを提供することを目的とする。
また、本発明は、半導体基板から得られた半導体チップをピックアップする際の作業性に優れた半導体装置の製造方法を提供することができる。
また、本発明は、上記拡張性基材フィルムを備えたダイシングフィルム及び半導体用表面保護フィルムを提供することを目的とする。
また、本発明は、半導体基板から得られた半導体チップをピックアップする際の作業性に優れた半導体装置の製造方法を提供することができる。
上記の課題を解決するための具体的な手段は、以下の通りである。
＜１＞ ４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位（Ｘ）を７０モル％〜９５モル％、及び４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位（Ｙ）を５モル％〜３０モル％含む重合体Ａと、前記構成単位（Ｙ）を主成分とする重合体Ｂと、を含有し、前記重合体Ａと前記重合体Ｂとの合計量を１００質量部としたときに、前記重合体Ａの含有量が２０質量部〜９０質量部であり、前記重合体Ｂの含有量が１０質量部〜８０質量部である、拡張性基材フィルム。
＜２＞ 前記重合体Ａが、前記構成単位（Ｘ）を７０モル％〜９０モル％含む、＜１＞に記載の拡張性基材フィルム。
＜３＞ 前記構成単位（Ｙ）が、プロピレンに由来する構成単位である、＜１＞又は＜２＞に記載の拡張性基材フィルム。
＜４＞ 前記重合体Ｂが、前記構成単位（Ｙ）を５０モル％〜１００モル％含む、＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の拡張性基材フィルム。
＜５＞ 下記式（１）及び下記式（２）を満たす、＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の拡張性基材フィルム。
０．５≦ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤ≦１．５ ・・・ 式（１）
〔式（１）中、ＥＬＭＤは、ＭＤ方向の引張破断伸びを示し、ＥＬＴＤは、ＴＤ方向の引張破断伸びを示す。〕
０．４≦ＳＭＤ／ＳＴＤ≦１．５ ・・・ 式（２）
〔式（２）中、ＳＭＤは、ＭＤ方向のエルメンドルフ引裂強さを示し、ＳＴＤは、ＴＤ方向のエルメンドルフ引裂強さを示す。〕
＜１＞ ４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位（Ｘ）を７０モル％〜９５モル％、及び４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位（Ｙ）を５モル％〜３０モル％含む重合体Ａと、前記構成単位（Ｙ）を主成分とする重合体Ｂと、を含有し、前記重合体Ａと前記重合体Ｂとの合計量を１００質量部としたときに、前記重合体Ａの含有量が２０質量部〜９０質量部であり、前記重合体Ｂの含有量が１０質量部〜８０質量部である、拡張性基材フィルム。
＜２＞ 前記重合体Ａが、前記構成単位（Ｘ）を７０モル％〜９０モル％含む、＜１＞に記載の拡張性基材フィルム。
＜３＞ 前記構成単位（Ｙ）が、プロピレンに由来する構成単位である、＜１＞又は＜２＞に記載の拡張性基材フィルム。
＜４＞ 前記重合体Ｂが、前記構成単位（Ｙ）を５０モル％〜１００モル％含む、＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の拡張性基材フィルム。
＜５＞ 下記式（１）及び下記式（２）を満たす、＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の拡張性基材フィルム。
０．５≦ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤ≦１．５ ・・・ 式（１）
〔式（１）中、ＥＬＭＤは、ＭＤ方向の引張破断伸びを示し、ＥＬＴＤは、ＴＤ方向の引張破断伸びを示す。〕
０．４≦ＳＭＤ／ＳＴＤ≦１．５ ・・・ 式（２）
〔式（２）中、ＳＭＤは、ＭＤ方向のエルメンドルフ引裂強さを示し、ＳＴＤは、ＴＤ方向のエルメンドルフ引裂強さを示す。〕
＜６＞ ＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の拡張性基材フィルムを含む基材層と、粘着剤層と、を備える、ダイシングフィルム。
＜７＞ 前記粘着剤層は、ＳＵＳ−３０４−ＢＡ板の表面に貼着されて６０分間放置した後、前記ＳＵＳ−３０４−ＢＡ板の表面から剥離されるときの、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定される粘着力が、０．１Ｎ／２５ｍｍ〜１０Ｎ／２５ｍｍである、＜６＞に記載のダイシングフィルム。
＜８＞ 更に、前記基材層と前記粘着剤層との間に配置された中間層であって、２５℃における引張弾性率Ｅ（２５）及び６０℃における引張弾性率Ｅ（６０）がＥ（６０）／Ｅ（２５）＜０．１の関係を満たし、かつ前記引張弾性率Ｅ（２５）が１ＭＰａ〜１０ＭＰａである中間層を備える、＜６＞又は＜７＞に記載のダイシングフィルム。
＜７＞ 前記粘着剤層は、ＳＵＳ−３０４−ＢＡ板の表面に貼着されて６０分間放置した後、前記ＳＵＳ−３０４−ＢＡ板の表面から剥離されるときの、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定される粘着力が、０．１Ｎ／２５ｍｍ〜１０Ｎ／２５ｍｍである、＜６＞に記載のダイシングフィルム。
＜８＞ 更に、前記基材層と前記粘着剤層との間に配置された中間層であって、２５℃における引張弾性率Ｅ（２５）及び６０℃における引張弾性率Ｅ（６０）がＥ（６０）／Ｅ（２５）＜０．１の関係を満たし、かつ前記引張弾性率Ｅ（２５）が１ＭＰａ〜１０ＭＰａである中間層を備える、＜６＞又は＜７＞に記載のダイシングフィルム。
＜９＞ ＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の拡張性基材フィルムを含む基材層と、粘着剤層と、を備え、半導体基板の研削時に半導体基板の非研削面を保護する、半導体用表面保護フィルム。
＜１０＞ 半導体基板に、＜６＞〜＜８＞のいずれか１項に記載のダイシングフィルムを、前記半導体基板と前記粘着剤層とが対向するように貼着する貼着工程と、前記ダイシングフィルムが貼着された半導体基板をダイシングするダイシング工程と、前記ダイシング工程後のダイシングフィルムを拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップを得る拡張工程と、前記複数の半導体チップのうちの少なくとも１つをピックアップするピックアップ工程と、を有する、半導体装置の製造方法。
＜１１＞ 前記貼着工程は、前記半導体基板に前記ダイシングフィルムを、４０℃〜８０℃の温度で、０．３ＭＰａ〜０．５ＭＰａの圧力で貼着する、＜１０＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１２＞ 前記貼着工程は、一方の面のみに回路が形成された半導体基板の回路形成面に、前記ダイシングフィルムを、前記回路形成面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する工程であり、更に、前記貼着工程後であって前記拡張工程前に、前記半導体基板の回路非形成面を研削する研削工程を有する、＜１０＞又は＜１１＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１３＞ 一方の面のみに回路が形成された半導体基板の回路形成面から該半導体基板の厚さ未満の切り込み深さの溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された前記半導体基板の回路形成面に、＜９＞に記載の半導体用表面保護フィルムを、前記回路形成面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する貼着工程と、前記半導体用表面保護フィルムが貼着された前記半導体基板の回路非形成面を研削する研削工程と、前記研削工程後のダイシングフィルムを拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップを得る拡張工程と、前記複数の半導体チップのうちの少なくとも１つをピックアップするピックアップ工程と、を有する、半導体装置の製造方法。
＜１１＞ 前記貼着工程は、前記半導体基板に前記ダイシングフィルムを、４０℃〜８０℃の温度で、０．３ＭＰａ〜０．５ＭＰａの圧力で貼着する、＜１０＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１２＞ 前記貼着工程は、一方の面のみに回路が形成された半導体基板の回路形成面に、前記ダイシングフィルムを、前記回路形成面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する工程であり、更に、前記貼着工程後であって前記拡張工程前に、前記半導体基板の回路非形成面を研削する研削工程を有する、＜１０＞又は＜１１＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１３＞ 一方の面のみに回路が形成された半導体基板の回路形成面から該半導体基板の厚さ未満の切り込み深さの溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された前記半導体基板の回路形成面に、＜９＞に記載の半導体用表面保護フィルムを、前記回路形成面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する貼着工程と、前記半導体用表面保護フィルムが貼着された前記半導体基板の回路非形成面を研削する研削工程と、前記研削工程後のダイシングフィルムを拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップを得る拡張工程と、前記複数の半導体チップのうちの少なくとも１つをピックアップするピックアップ工程と、を有する、半導体装置の製造方法。
本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において、組成物中の各成分の含有量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する複数の物質の合計量を意味する。
また、本明細書において、組成物中の各成分の含有量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する複数の物質の合計量を意味する。
本発明によれば、応力緩和性に優れ、かつ、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が低減された拡張性基材フィルムを提供することができる。
また、本発明によれば、上記拡張性基材フィルムを備えたダイシングフィルム及び半導体用表面保護フィルムを提供することができる。
また、本発明によれば、半導体基板から得られた半導体チップをピックアップする際の作業性に優れた半導体装置の製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、上記拡張性基材フィルムを備えたダイシングフィルム及び半導体用表面保護フィルムを提供することができる。
また、本発明によれば、半導体基板から得られた半導体チップをピックアップする際の作業性に優れた半導体装置の製造方法を提供することができる。
以下、本発明の具体的な実施形態について詳細に説明するが、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において、適宜変更を加えて実施することができる。
［拡張性基材フィルム］
本発明の拡張性基材フィルムは、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位（Ｘ）を７０モル％〜９５モル％、及び４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位（Ｙ）を５モル％〜３０モル％含む重合体Ａと、前記構成単位（Ｙ）を主成分とする重合体Ｂと、を含有し、前記重合体Ａと前記重合体Ｂとの合計量を１００質量部としたときに、前記重合体Ａの含有量が２０質量部〜９０質量部であり、前記重合体Ｂの含有量が１０質量部〜８０質量部である。本発明の拡張性基材フィルムは、必要に応じ、その他の成分を含有していてもよい。
本発明の拡張性基材フィルムは、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位（Ｘ）を７０モル％〜９５モル％、及び４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位（Ｙ）を５モル％〜３０モル％含む重合体Ａと、前記構成単位（Ｙ）を主成分とする重合体Ｂと、を含有し、前記重合体Ａと前記重合体Ｂとの合計量を１００質量部としたときに、前記重合体Ａの含有量が２０質量部〜９０質量部であり、前記重合体Ｂの含有量が１０質量部〜８０質量部である。本発明の拡張性基材フィルムは、必要に応じ、その他の成分を含有していてもよい。
本発明の拡張性基材フィルムによれば、応力緩和性の向上と、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性の低減と、が両立される。
かかる効果が得られる理由は、以下のように推測される。
即ち、本発明の拡張性基材フィルムが、４ＭＰ１系重合体（４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位を含む重合体）である重合体Ａを含有することにより、フィルムの応力緩和性が向上すると考えられる。
そして前述のとおり、４ＭＰ１系重合体を含有するフィルムでは、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が大きい場合がある。
これらの異方性に関し、本発明の拡張性基材フィルムでは、重合体Ａ及び重合体Ｂを所定の比率で含有し、かつ、重合体Ａと重合体Ｂとが、共通の構成単位である構成単位（Ｙ）を含むことにより、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が低減されると考えられる。
以上の理由により、本発明の拡張性基材フィルムによれば、応力緩和性が向上し、かつ、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が低減されると考えられる。
かかる効果が得られる理由は、以下のように推測される。
即ち、本発明の拡張性基材フィルムが、４ＭＰ１系重合体（４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位を含む重合体）である重合体Ａを含有することにより、フィルムの応力緩和性が向上すると考えられる。
そして前述のとおり、４ＭＰ１系重合体を含有するフィルムでは、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が大きい場合がある。
これらの異方性に関し、本発明の拡張性基材フィルムでは、重合体Ａ及び重合体Ｂを所定の比率で含有し、かつ、重合体Ａと重合体Ｂとが、共通の構成単位である構成単位（Ｙ）を含むことにより、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が低減されると考えられる。
以上の理由により、本発明の拡張性基材フィルムによれば、応力緩和性が向上し、かつ、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が低減されると考えられる。
本発明の拡張性基材フィルムは、半導体用フィルム（ダイシングフィルム又は半導体用表面保護フィルム）の基材フィルムとして好適である。但し、本発明の拡張性基材フィルムの用途は、半導体用フィルムの基材フィルムに限られず、応力緩和性の向上と、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性の低減と、の両立が求められる各種のフィルムの基材フィルムにも好適である。
重合体Ａに含まれる構成単位（Ｙ）は、４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位であり、一種のみであっても二種以上であってもよい。
但し、言うまでもないが、重合体Ｂは、重合体Ａに含まれる構成単位（Ｙ）と同一の構成単位を主成分とする。
但し、言うまでもないが、重合体Ｂは、重合体Ａに含まれる構成単位（Ｙ）と同一の構成単位を主成分とする。
本発明の拡張性基材フィルムでは、上述のとおり、重合体Ａと重合体Ｂとの合計量を１００質量部としたときに、重合体Ａの含有量が２０質量部〜９０質量部であり、重合体Ｂの含有量が１０質量部〜８０質量部である。
上記重合体Ａの含有量が２０質量部以上であることにより、応力緩和性が向上する。
上記重合体Ａの含有量が９０質量部以下であることにより、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性を低減することができる（例えば、ＭＤ方向の値とＴＤ方向の値との差（絶対値）が小さくなる）。
上記重合体Ａの含有量は、応力緩和性をより向上させる観点から、２５質量部以上が好ましく、３０質量部以上がより好ましく、４０質量部以上が更に好ましく、５０質量部以上が更に好ましく、６０質量部以上が特に好ましい。
また、上記重合体Ａの含有量は、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性をより低減する観点から、８０質量部以下が好ましく、７５質量部以下がより好ましい。
上記重合体Ａの含有量が２０質量部以上であることにより、応力緩和性が向上する。
上記重合体Ａの含有量が９０質量部以下であることにより、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性を低減することができる（例えば、ＭＤ方向の値とＴＤ方向の値との差（絶対値）が小さくなる）。
上記重合体Ａの含有量は、応力緩和性をより向上させる観点から、２５質量部以上が好ましく、３０質量部以上がより好ましく、４０質量部以上が更に好ましく、５０質量部以上が更に好ましく、６０質量部以上が特に好ましい。
また、上記重合体Ａの含有量は、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性をより低減する観点から、８０質量部以下が好ましく、７５質量部以下がより好ましい。
また、半導体用フィルム（ダイシングフィルム又は半導体用表面保護フィルム）を用いた半導体装置の製造方法において、半導体基板の反り等を抑制するためには、前述した、半導体用フィルムの基材フィルムの応力緩和性を向上させる方法以外にも、上記基材フィルムに柔軟成分（例えば、上記重合体Ｂ）を含有させる方法も考えられる。
しかし、上記基材フィルムにおける柔軟成分の含有量が多すぎると、フィルムの耐熱性が低下する傾向がある。
この点に関し、本発明の拡張性基材フィルムは、４ＭＰ１系重合体として、上述した２０質量部以上の重合体Ａを含有することで、耐熱性にも優れている。
このように、本発明の拡張性基材フィルムは、優れた耐熱性を維持ししつつ、半導体基板の反り等を抑制できるフィルムであるため、ダイシングフィルムの基材フィルムとしてだけでなく、一方の面のみに回路が形成された半導体基板の回路非形成面を研削する際に半導体基板の回路形成面を保護するための半導体用表面保護フィルムの基材フィルムとしても好適である。
更に、本発明の拡張性基材フィルムを用いることにより、半導体基板に一種のみのフィルム（本発明の拡張性基材フィルム）を貼着し、次いでダイシングと研削とを両方行う（いずれが先であってもよい）、という形態の半導体装置の製造方法も可能となる。かかる形態の製造方法では、本発明の拡張性基材フィルムが、ダイシングフィルムとしての役割と、研削時に半導体基板の回路形成面を保護する半導体用表面保護フィルムとしての役割と、を兼ね備えることとなる。
しかし、上記基材フィルムにおける柔軟成分の含有量が多すぎると、フィルムの耐熱性が低下する傾向がある。
この点に関し、本発明の拡張性基材フィルムは、４ＭＰ１系重合体として、上述した２０質量部以上の重合体Ａを含有することで、耐熱性にも優れている。
このように、本発明の拡張性基材フィルムは、優れた耐熱性を維持ししつつ、半導体基板の反り等を抑制できるフィルムであるため、ダイシングフィルムの基材フィルムとしてだけでなく、一方の面のみに回路が形成された半導体基板の回路非形成面を研削する際に半導体基板の回路形成面を保護するための半導体用表面保護フィルムの基材フィルムとしても好適である。
更に、本発明の拡張性基材フィルムを用いることにより、半導体基板に一種のみのフィルム（本発明の拡張性基材フィルム）を貼着し、次いでダイシングと研削とを両方行う（いずれが先であってもよい）、という形態の半導体装置の製造方法も可能となる。かかる形態の製造方法では、本発明の拡張性基材フィルムが、ダイシングフィルムとしての役割と、研削時に半導体基板の回路形成面を保護する半導体用表面保護フィルムとしての役割と、を兼ね備えることとなる。
また、本発明の拡張性基材フィルムは、重合体Ｂを含有することにより、耐衝撃性に優れる。
即ち、本発明の拡張性基材フィルムによれば、優れた応力緩和性と優れた耐衝撃性とが両立される。
即ち、本発明の拡張性基材フィルムによれば、優れた応力緩和性と優れた耐衝撃性とが両立される。
本発明の拡張性基材フィルムは、前述のとおり、引張破断伸びの異方性が低減されている。引張破断伸びの異方性に関し、本発明の拡張性基材フィルムは、下記式（１）を満たすことが好ましい。
０．５≦ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤ≦１．５ ・・・ 式（１）
〔式（１）中、ＥＬＭＤは、ＭＤ方向の引張破断伸びを示し、ＥＬＴＤは、ＴＤ方向の引張破断伸びを示す。〕
０．５≦ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤ≦１．５ ・・・ 式（１）
〔式（１）中、ＥＬＭＤは、ＭＤ方向の引張破断伸びを示し、ＥＬＴＤは、ＴＤ方向の引張破断伸びを示す。〕
本発明において、引張破断伸びは、測定温度２３℃の条件で、ＪＩＳ Ｋ７１２７（１９９９）に準拠して測定された値を指す。
ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤの下限は、０．５であることが好ましく、０．７であることがより好ましい。
ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤの上限は、１．４であることが好ましく、１．３であることがより好ましい。
ＥＬＭＤは、３００％〜８００％であることが好ましく、４００％〜７００％であることがより好ましい。
ＥＬＭＤが３００％以上であると、拡張性フィルムをより拡張し易い。
ＥＬＭＤが８００％以下であると、拡張性フィルムの取り扱い性により優れる。
ＥＬＴＤの好ましい範囲は、ＥＬＭＤの好ましい範囲と同様である。
ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤの上限は、１．４であることが好ましく、１．３であることがより好ましい。
ＥＬＭＤは、３００％〜８００％であることが好ましく、４００％〜７００％であることがより好ましい。
ＥＬＭＤが３００％以上であると、拡張性フィルムをより拡張し易い。
ＥＬＭＤが８００％以下であると、拡張性フィルムの取り扱い性により優れる。
ＥＬＴＤの好ましい範囲は、ＥＬＭＤの好ましい範囲と同様である。
また、本発明の拡張性基材フィルムは、前述のとおり、引裂強さの異方性が低減されている。引裂強さの異方性に関し、本発明の拡張性基材フィルムは、下記式（２）を満たすことが好ましい。
０．４≦ＳＭＤ／ＳＴＤ≦１．５ ・・・ 式（２）
〔式（２）中、ＳＭＤは、ＭＤ方向のエルメンドルフ引裂強さを示し、ＳＴＤは、ＴＤ方向のエルメンドルフ引裂強さを示す。〕
０．４≦ＳＭＤ／ＳＴＤ≦１．５ ・・・ 式（２）
〔式（２）中、ＳＭＤは、ＭＤ方向のエルメンドルフ引裂強さを示し、ＳＴＤは、ＴＤ方向のエルメンドルフ引裂強さを示す。〕
本発明において、エルメンドルフ引裂強さは、測定温度２３℃の条件で、ＪＩＳ Ｋ７１２８−２（１９９８）に準拠して測定された値を指す。
ＳＭＤ／ＳＴＤの下限は、０．４であることが好ましく、０．５であることがより好ましい。
ＳＭＤ／ＳＴＤの上限は、１．４であることが好ましく、１．３であることがより好ましい。
ＳＭＤは、５０Ｎ／ｃｍ〜１１００Ｎ／ｃｍであることが好ましく、１００Ｎ／ｃｍ〜１１００Ｎ／ｃｍであることがより好ましく、３００Ｎ／ｃｍ〜１１００Ｎ／ｃｍであることが特に好ましい。
ＳＭＤが５０Ｎ／ｃｍ以上であると、拡張性フィルムの強度がより向上する。
ＳＭＤが１１００Ｎ／ｃｍ以下であると、拡張性フィルムの取り扱い性により優れる。
ＳＴＤの好ましい範囲は、ＳＭＤの好ましい範囲と同様である。
ＳＭＤ／ＳＴＤの上限は、１．４であることが好ましく、１．３であることがより好ましい。
ＳＭＤは、５０Ｎ／ｃｍ〜１１００Ｎ／ｃｍであることが好ましく、１００Ｎ／ｃｍ〜１１００Ｎ／ｃｍであることがより好ましく、３００Ｎ／ｃｍ〜１１００Ｎ／ｃｍであることが特に好ましい。
ＳＭＤが５０Ｎ／ｃｍ以上であると、拡張性フィルムの強度がより向上する。
ＳＭＤが１１００Ｎ／ｃｍ以下であると、拡張性フィルムの取り扱い性により優れる。
ＳＴＤの好ましい範囲は、ＳＭＤの好ましい範囲と同様である。
本発明の拡張性基材フィルムは、上記式（１）及び上記式（２）の両方を満たすことが特に好ましい。
また、本発明の拡張性基材フィルムは、引張弾性率の異方性が低減されていることも好ましい。より好ましくは、下記式（３）を満たすことである。
０．５≦ＹＭＭＤ／ＹＭＴＤ≦１．５ ・・・ 式（３）
〔式（２）中、ＹＭＭＤは、ＭＤ方向の引張弾性率を示し、ＹＭＴＤは、ＴＤ方向の引張弾性率を示す。〕
０．５≦ＹＭＭＤ／ＹＭＴＤ≦１．５ ・・・ 式（３）
〔式（２）中、ＹＭＭＤは、ＭＤ方向の引張弾性率を示し、ＹＭＴＤは、ＴＤ方向の引張弾性率を示す。〕
本発明において、引張弾性率は、測定温度２３℃の条件で、ＪＩＳ Ｋ７１２７（１９９９）に準拠して測定された値を指す。
ＹＭＭＤ／ＹＭＴＤの下限は、０．７であることが好ましく、０．８であることがより好ましい。
ＹＭＭＤ／ＹＭＴＤの上限は、１．３であることが好ましく、１．２であることがより好ましい。
ＹＭＭＤは、３００ＭＰａ〜２０００ＭＰａであることが好ましく、５００ＭＰａ〜１５００ＭＰａであることがより好ましい。
ＹＭＭＤが３００ＭＰａ以上であると、拡張性フィルムの強度がより向上する。
ＹＭＭＤが２０００ＭＰａ以下であると、拡張性フィルムをより拡張し易い。
ＹＭＴＤの好ましい範囲は、ＹＭＭＤの好ましい範囲と同様である。
ＹＭＭＤ／ＹＭＴＤの上限は、１．３であることが好ましく、１．２であることがより好ましい。
ＹＭＭＤは、３００ＭＰａ〜２０００ＭＰａであることが好ましく、５００ＭＰａ〜１５００ＭＰａであることがより好ましい。
ＹＭＭＤが３００ＭＰａ以上であると、拡張性フィルムの強度がより向上する。
ＹＭＭＤが２０００ＭＰａ以下であると、拡張性フィルムをより拡張し易い。
ＹＭＴＤの好ましい範囲は、ＹＭＭＤの好ましい範囲と同様である。
以下、本発明の拡張性基材フィルムに含まれる各成分について説明する。
〔重合体Ａ〕
重合体Ａは、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位（Ｘ）を７０モル％〜９５モル％、及び４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位（Ｙ）を５モル％〜３０モル％含む。
重合体Ａは、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位（Ｘ）を７０モル％〜９５モル％、及び４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位（Ｙ）を５モル％〜３０モル％含む。
重合体Ａにおける構成単位（Ｘ）の含有率は、７０モル％〜９５モル％であり、７０モル％〜９０モル％が好ましく、７５モル％〜９０モル％がより好ましく、８０モル％〜９０モル％が特に好ましい。
重合体Ａにおける構成単位（Ｘ）の含有率が７０モル％以上であることにより、応力緩和性が向上する。
重合体Ａにおける構成単位（Ｘ）の含有率が９５モル％以下であることにより、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が小さくなる。
重合体Ａにおける構成単位（Ｘ）の含有率が７０モル％以上であることにより、応力緩和性が向上する。
重合体Ａにおける構成単位（Ｘ）の含有率が９５モル％以下であることにより、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が小さくなる。
重合体Ａにおける構成単位（Ｙ）の含有率（構成単位（Ｙ）が２種以上である場合は当該２種以上の合計の含有率）は、５モル％〜３０モル％であり、１０モル％〜３０モル％が好ましく、１０モル％〜２５モル％がより好ましく、１０モル％〜２０モル％が特に好ましい。
重合体Ａにおける構成単位（Ｙ）の含有率が５モル％以上であることにより、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が小さくなる。
重合体Ａにおける構成単位（Ｙ）の含有率が３０モル％以下であることにより、応力緩和性が向上する。
重合体Ａにおける構成単位（Ｙ）の含有率が５モル％以上であることにより、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が小さくなる。
重合体Ａにおける構成単位（Ｙ）の含有率が３０モル％以下であることにより、応力緩和性が向上する。
構成単位（Ｙ）を形成する、４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンとしては、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性をより低減する観点から、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセンが好ましく、プロピレン、１−オクテン、１−デセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセンがより好ましく、エチレン、プロピレン、ブテンが更に好ましく、プロピレンが特に好ましい。
また、上記α−オレフィンが上記好ましい範囲であると、拡張性基材フィルムの耐衝撃性も向上する。
また、上記α−オレフィンが上記好ましい範囲であると、拡張性基材フィルムの耐衝撃性も向上する。
重合体Ａは、本発明の効果を損なわない範囲で、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位及び４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位以外のその他の構成単位を含んでいてもよい。
上記その他の構成単位を形成するモノマーとしては、環状オレフィン、芳香族ビニル化合物、共役ジエン、非共役ポリエン、官能ビニル化合物、水酸基含有オレフィン、ハロゲン化オレフィン等が含まれる。
環状オレフィン、芳香族ビニル化合物、共役ジエン、非共役ポリエン、官能ビニル化合物、水酸基含有オレフィン、及びハロゲン化オレフィンとしては、例えば、特開２０１３−１６９６８５号公報の段落００３４〜００４１に記載の化合物を用いることができる。
上記その他の構成単位を形成するモノマーとしては、環状オレフィン、芳香族ビニル化合物、共役ジエン、非共役ポリエン、官能ビニル化合物、水酸基含有オレフィン、ハロゲン化オレフィン等が含まれる。
環状オレフィン、芳香族ビニル化合物、共役ジエン、非共役ポリエン、官能ビニル化合物、水酸基含有オレフィン、及びハロゲン化オレフィンとしては、例えば、特開２０１３−１６９６８５号公報の段落００３４〜００４１に記載の化合物を用いることができる。
上記その他の構成単位を形成するモノマーとしては、ビニルシクロヘキサン、スチレンが特に好ましい。
重合体Ａに、上記その他の構成単位が含まれる場合、上記その他の構成単位は、１種のみ含まれていてもよく、また、２種以上含まれていてもよい。
重合体Ａに、上記その他の構成単位が含まれる場合、上記その他の構成単位は、１種のみ含まれていてもよく、また、２種以上含まれていてもよい。
重合体Ａにおける各構成単位の含有率（モル％）は、下記の方法により測定することができる。
〜条件〜
測定装置：核磁気共鳴装置（ＥＣＰ５００型、日本電子（株）製）
観測核：１３Ｃ（１２５ＭＨｚ）
シーケンス：シングルパルスプロトンデカップリング
パルス幅：４．７μ秒（４５°パルス）
繰り返し時間：５．５秒
積算回数：１万回以上
溶媒：オルトジクロロベンゼン／重水素化ベンゼン（容量比：８０／２０）混合溶媒
試料濃度：５５ｍｇ／０．６ｍＬ
測定温度：１２０℃
ケミカルシフトの基準値：２７．５０ｐｐｍ
測定装置：核磁気共鳴装置（ＥＣＰ５００型、日本電子（株）製）
観測核：１３Ｃ（１２５ＭＨｚ）
シーケンス：シングルパルスプロトンデカップリング
パルス幅：４．７μ秒（４５°パルス）
繰り返し時間：５．５秒
積算回数：１万回以上
溶媒：オルトジクロロベンゼン／重水素化ベンゼン（容量比：８０／２０）混合溶媒
試料濃度：５５ｍｇ／０．６ｍＬ
測定温度：１２０℃
ケミカルシフトの基準値：２７．５０ｐｐｍ
重合体Ａは、デカリン溶媒中、１３５℃で測定される極限粘度［η］が、０．５ｄｌ／ｇ〜５．０ｄｌ／ｇであることが好ましく、０．５ｄｌ／ｇ〜４．０ｄｌ／ｇであることがより好ましい。重合体Ａの極限粘度［η］が上記範囲内であると、低分子量体が少ないためフィルムのべたつきが少なくなり、また、押出フィルム成形が可能となる。
重合体Ａの極限粘度［η］は、ウベローデ粘度計を用い、下記の方法により測定される値である。
約２０ｍｇの重合体Ａをデカリン２５ｍｌに溶解させた後、ウベローデ粘度計を用い、１３５℃のオイルバス中で比粘度ηｓｐを測定する。このデカリン溶液にデカリンを５ｍｌ加えて希釈した後、上記と同様にして比粘度ηｓｐを測定する。この希釈操作を更に２回繰り返し、濃度（Ｃ）を０に外挿した時のηｓｐ／Ｃの値を極限粘度［η］（単位：ｄｌ／ｇ）として求める（下記の式１参照）。
［η］＝ｌｉｍ（ηｓｐ／Ｃ） （Ｃ→０）・・・式１
重合体Ａの極限粘度［η］は、ウベローデ粘度計を用い、下記の方法により測定される値である。
約２０ｍｇの重合体Ａをデカリン２５ｍｌに溶解させた後、ウベローデ粘度計を用い、１３５℃のオイルバス中で比粘度ηｓｐを測定する。このデカリン溶液にデカリンを５ｍｌ加えて希釈した後、上記と同様にして比粘度ηｓｐを測定する。この希釈操作を更に２回繰り返し、濃度（Ｃ）を０に外挿した時のηｓｐ／Ｃの値を極限粘度［η］（単位：ｄｌ／ｇ）として求める（下記の式１参照）。
［η］＝ｌｉｍ（ηｓｐ／Ｃ） （Ｃ→０）・・・式１
重合体Ａの重量平均分子量（Ｍｗ）は、フィルム成形性の観点から、１×１０４〜２×１０６であることが好ましく、１×１０４〜１×１０６であるであることがより好ましい。
また、重合体Ａの分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、フィルムべたつき及び外観の観点から、１．０〜３．５であることが好ましく、１．１〜３．０であることがより好ましい。
また、重合体Ａの分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、フィルムべたつき及び外観の観点から、１．０〜３．５であることが好ましく、１．１〜３．０であることがより好ましい。
重合体Ａの重量平均分子量（Ｍｗ）、及び重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比で表される分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、下記のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いた標準ポリスチレン換算法により算出される値である。
〜条件〜
測定装置：ＧＰＣ（ＡＬＣ／ＧＰＣ １５０−Ｃ ｐｌｕｓ型、示唆屈折計検出器一体型、Ｗａｔｅｒｓ製）
カラム：ＧＭＨ６−ＨＴ（東ソー（株）製）２本、及びＧＭＨ６−ＨＴＬ（東ソー（株）製）２本を直列に接続
溶離液：ｏ−ジクロロベンゼン
カラム温度：１４０℃
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
測定装置：ＧＰＣ（ＡＬＣ／ＧＰＣ １５０−Ｃ ｐｌｕｓ型、示唆屈折計検出器一体型、Ｗａｔｅｒｓ製）
カラム：ＧＭＨ６−ＨＴ（東ソー（株）製）２本、及びＧＭＨ６−ＨＴＬ（東ソー（株）製）２本を直列に接続
溶離液：ｏ−ジクロロベンゼン
カラム温度：１４０℃
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
重合体Ａのメルトフローレート（ＭＦＲ：Ｍｅｌｔ Ｆｌｏｗ Ｒａｔｅ）は、成形時の流動性の観点から、０．１ｇ／１０ｍｉｎ〜１００ｇ／１０ｍｉｎであることが好ましく、０．５ｇ／１０ｍｉｎ〜５０ｇ／１０ｍｉｎであることがより好ましく、０．５ｇ／１０ｍｉｎ〜３０ｇ／１０ｍｉｎであることが更に好ましい。
重合体Ａのメルトフローレート（ＭＦＲ）は、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準拠し、２３０℃で２．１６ｋｇの荷重にて測定される値である。
重合体Ａのメルトフローレート（ＭＦＲ）は、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準拠し、２３０℃で２．１６ｋｇの荷重にて測定される値である。
重合体Ａの密度は、ハンドリング性の観点から、８２０ｋｇ／ｍ３〜８７０ｋｇ／ｍ３であることが好ましく、８３０ｋｇ／ｍ３〜８５０ｋｇ／ｍ３であることがより好ましい。
重合体Ａの密度は、ＪＩＳ Ｋ７１１２（密度勾配管法）に準拠して、測定される値である。
重合体Ａの密度は、ＪＩＳ Ｋ７１１２（密度勾配管法）に準拠して、測定される値である。
重合体Ａの融点（Ｔｍ）は、観察されないか、又は１００℃〜１８０℃であることが好ましく、観察されないか、又は１１０℃〜１６０℃であることがより好ましい。
重合体Ａの融点（Ｔｍ）は、示差走査熱量計（ＤＳＣ：Differential scanning calorimetry）を用い、下記の方法により測定される値である。
約５ｍｇの重合体Ａを、セイコーインスツル（株）製の示差走査熱量計（ＤＳＣ２２０Ｃ型）の測定用アルミニウムパン中に密封し、室温から１０℃／ｍｉｎで２００℃まで加熱する。重合体Ａを完全融解させるために、２００℃で５分間保持し、次いで、１０℃／ｍｉｎで−５０℃まで冷却する。−５０℃で５分間置いた後、１０℃／ｍｉｎで２００℃まで２度目の加熱を行ない、この２度目の加熱でのピーク温度（℃）を重合体の融点（Ｔｍ）とする。なお、複数のピークが検出される場合には、最も高温側で検出されるピークを採用する。
重合体Ａの融点（Ｔｍ）は、示差走査熱量計（ＤＳＣ：Differential scanning calorimetry）を用い、下記の方法により測定される値である。
約５ｍｇの重合体Ａを、セイコーインスツル（株）製の示差走査熱量計（ＤＳＣ２２０Ｃ型）の測定用アルミニウムパン中に密封し、室温から１０℃／ｍｉｎで２００℃まで加熱する。重合体Ａを完全融解させるために、２００℃で５分間保持し、次いで、１０℃／ｍｉｎで−５０℃まで冷却する。−５０℃で５分間置いた後、１０℃／ｍｉｎで２００℃まで２度目の加熱を行ない、この２度目の加熱でのピーク温度（℃）を重合体の融点（Ｔｍ）とする。なお、複数のピークが検出される場合には、最も高温側で検出されるピークを採用する。
重合体Ａは、厚さ５０μｍのフィルムを形成し、フィルム形成の３日後に測定した損失正接（ｔａｎδ）の最大値が、−５℃〜５０℃の温度範囲内にあり、好ましくは０℃〜４５℃、更に好ましくは０℃〜４０℃の温度範囲内にあり、かつ、損失正接（ｔａｎδ）の最大値が０．４以上であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましく、１．０以上であることが更に好ましく、１．２以上であることが特に好ましい。重合体Ａは、その損失正接（ｔａｎδ）の最大値が、上記温度範囲内にあり、かつ、最大値が０．４以上であると、応力緩和性により優れる。
重合体Ａの損失正接（ｔａｎδ）の最大値及びその最大値を示す際の温度は、５０μｍのフィルム状にしたものを、粘弾性測定装置（ＭＣＲ３０１、Ａｎｔｏｎ Ｐａａｒ社製）を用い、周波数１０ｒａｄ／ｓで、−７０℃〜１８０℃の温度範囲の動的粘弾性を測定することにより、得られる値である。
重合体Ａの損失正接（ｔａｎδ）の最大値及びその最大値を示す際の温度は、５０μｍのフィルム状にしたものを、粘弾性測定装置（ＭＣＲ３０１、Ａｎｔｏｎ Ｐａａｒ社製）を用い、周波数１０ｒａｄ／ｓで、−７０℃〜１８０℃の温度範囲の動的粘弾性を測定することにより、得られる値である。
重合体Ａは、従来知られているメタロセン触媒系により、例えば、国際公開第２００５／１２１１９２号パンフレット、国際公開第２０１１／０５５８０３号パンフレット等に記載された方法により合成することができる。
本発明の拡張性基材フィルムにおける重合体Ａの含有量については前述のとおりである。
〔重合体Ｂ〕
重合体Ｂは、前述の構成単位（Ｙ）を主成分とする。
即ち、重合体Ｂは、重合体Ａ中に含まれる構成単位（Ｙ）と同一の構成単位を主成分とする。
構成単位（Ｙ）を形成する、４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンの好ましい範囲については前述したとおりである。
重合体Ｂは、前述の構成単位（Ｙ）を主成分とする。
即ち、重合体Ｂは、重合体Ａ中に含まれる構成単位（Ｙ）と同一の構成単位を主成分とする。
構成単位（Ｙ）を形成する、４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンの好ましい範囲については前述したとおりである。
重合体Ｂ中における構成単位（Ｙ）の含有率は、５０モル％〜１００モル％が好ましく、７０モル％〜１００モル％がより好ましく、８０モル％〜１００モル％が更に好ましく、９０モル％〜１００モル％が特に好ましい。
重合体Ｂのメルトフローレート（ＭＦＲ）は、フィルム成形性及びフィルムの機械物性の観点から、０．１ｇ／１０ｍｉｎ〜１００ｇ／１０ｍｉｎであることが好ましく、０．５ｇ／１０ｍｉｎ〜５０ｇ／１０ｍｉｎであることがより好ましい。
上記重合体Ｂのメルトフローレート（ＭＦＲ）は、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準拠し、２３０℃で２．１６ｋｇの荷重にて測定される値を指す。
上記重合体Ｂのメルトフローレート（ＭＦＲ）は、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準拠し、２３０℃で２．１６ｋｇの荷重にて測定される値を指す。
重合体Ｂの密度は、軽量性、及び重合体Ａとの組成物としたときの分散性の観点から、８２０ｋｇ／ｍ３〜９６０ｋｇ／ｍ３であることが好ましく、８３０ｋｇ／ｍ３〜９４０ｋｇ／ｍ３であることがより好ましい。
重合体Ｂの密度は、ＪＩＳ Ｋ７１１２（密度勾配管法）に準拠して、測定される値である。
重合体Ｂの密度は、ＪＩＳ Ｋ７１１２（密度勾配管法）に準拠して、測定される値である。
本発明の拡張性基材フィルムにおける重合体Ｂの含有量については前述のとおりである。
〔その他の成分〕
本発明の拡張性基材フィルムは、必要に応じ、重合体Ａ及び重合体Ｂ以外のその他の成分を含有していてもよい。
但し、本発明の効果をより効果的に奏する点から、重合体Ａ及び重合体Ｂの合計量は、本発明の拡張性基材フィルム全量に対し、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、１００質量％（即ち、拡張性基材フィルムが重合体Ａと重合体Ｂとからなること）が最も好ましい。
本発明の拡張性基材フィルムは、必要に応じ、重合体Ａ及び重合体Ｂ以外のその他の成分を含有していてもよい。
但し、本発明の効果をより効果的に奏する点から、重合体Ａ及び重合体Ｂの合計量は、本発明の拡張性基材フィルム全量に対し、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、１００質量％（即ち、拡張性基材フィルムが重合体Ａと重合体Ｂとからなること）が最も好ましい。
〔拡張性基材フィルムの構造〕
本発明の拡張性基材フィルムは、比較的結晶性が高い重合体Ａと重合体Ｂとが相分離しそれぞれが分散している構造（相分散構造）をもつことが好ましい。具体的には本発明の拡張性基材フィルムは、海島構造を有することが好ましい。本発明で言う海島構造とは、重合体Ａと重合体Ｂとが相分離構造をとり、メジャー成分が海成分となり、マイナー成分が島成分となる構造を言うものである。
本発明の拡張性基材フィルムは、比較的結晶性が高い重合体Ａと重合体Ｂとが相分離しそれぞれが分散している構造（相分散構造）をもつことが好ましい。具体的には本発明の拡張性基材フィルムは、海島構造を有することが好ましい。本発明で言う海島構造とは、重合体Ａと重合体Ｂとが相分離構造をとり、メジャー成分が海成分となり、マイナー成分が島成分となる構造を言うものである。
本発明の拡張性基材フィルムが、海島構造を有していると、より優れた応力緩和性と耐衝撃性とを兼ね備えることができる。
なお、本発明の拡張性基材フィルムが、海島構造を有していることは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）により確認することができる。具体的には、拡張性基材フィルムを研削して超薄切片を作製し、いずれか一方の成分のみを四酸化ルテニウムや四酸化オスニウム等の重金属で選択的に染色した後、透過型電子顕微鏡を用いて観察する。
重合体Ａと、重合体Ｂから構成される海島構造を有する拡張性基材フィルムは、例えば、重合体Ａと重合体Ｂとをドライブレンドにより混合し、押出によりフィルム形成することで得られる。
〔拡張性基材フィルムの製造方法〕
本発明の拡張性基材フィルムの製造方法の一例を説明する。本発明の拡張性基材フィルムは、例えば、下記の方法により製造することができる。但し、本発明は、これに限定されるものではない。
重合体Ａと重合体Ｂとを混合（例えば、ドライブレンド）する。次いで、得られた混合物を、Ｔダイを設置した押出機のホッパーに投入し、シリンダー温度を１００℃〜２７０℃、ダイス温度を２００℃〜２７０℃に設定する。Ｔダイから溶融混練物を押し出し、キャスト成形して、拡張性基材フィルムを得る。
本発明の拡張性基材フィルムの製造方法の一例を説明する。本発明の拡張性基材フィルムは、例えば、下記の方法により製造することができる。但し、本発明は、これに限定されるものではない。
重合体Ａと重合体Ｂとを混合（例えば、ドライブレンド）する。次いで、得られた混合物を、Ｔダイを設置した押出機のホッパーに投入し、シリンダー温度を１００℃〜２７０℃、ダイス温度を２００℃〜２７０℃に設定する。Ｔダイから溶融混練物を押し出し、キャスト成形して、拡張性基材フィルムを得る。
本発明の拡張性基材フィルムの厚さは、２０μｍ〜３５０μｍであることが好ましく、３０μｍ〜３００μｍであることがより好ましく、５０μｍ〜２５０μｍであることが更に好ましい。本発明の拡張性基材フィルムの厚さが、上記範囲内であると、取り扱い性が容易である。
〔拡張性基材フィルムの用途〕
本発明の拡張性基材フィルムは、前述のとおり、半導体装置の製造方法において、半導体基板のダイシングの前に半導体基板に貼着されるダイシングフィルム用の基材フィルムとして好適である。
また、本発明の拡張性基材フィルムは、前述のとおり、半導体装置の製造方法において、半導体基板の研削の前に半導体基板に貼着される半導体用表面保護フィルム用の基材フィルムとしても好適である。
また、本発明の拡張性基材フィルムは、ダイシングフィルム及び半導体用表面保護フィルム以外のその他の保護フィルムとしても好適である。
その他の保護フィルムとしては、例えば、建材や光学部品等の各種樹脂製品、金属製品、ガラス製品等の輸送時、保管時、加工時等の傷付き防止や防塵を目的として、これらの表面に貼着される保護フィルムが挙げられる。
本発明の拡張性基材フィルムは、前述のとおり、半導体装置の製造方法において、半導体基板のダイシングの前に半導体基板に貼着されるダイシングフィルム用の基材フィルムとして好適である。
また、本発明の拡張性基材フィルムは、前述のとおり、半導体装置の製造方法において、半導体基板の研削の前に半導体基板に貼着される半導体用表面保護フィルム用の基材フィルムとしても好適である。
また、本発明の拡張性基材フィルムは、ダイシングフィルム及び半導体用表面保護フィルム以外のその他の保護フィルムとしても好適である。
その他の保護フィルムとしては、例えば、建材や光学部品等の各種樹脂製品、金属製品、ガラス製品等の輸送時、保管時、加工時等の傷付き防止や防塵を目的として、これらの表面に貼着される保護フィルムが挙げられる。
［ダイシングフィルム］
本発明のダイシングフィルムは、前述した本発明の拡張性基材フィルムを含む基材層と、粘着剤層と、を備える。
本発明のダイシングフィルムは、前述した本発明の拡張性基材フィルムを含む基材層と、粘着剤層と、を備える。
〔基材層〕
基材層は、本発明の拡張性基材フィルムのみからなるものであってもよいし、本発明の拡張性基材フィルムと他の基材フィルムとを備えた積層体であってもよい。
基材層が上記積層体である場合、他の基材フィルムとしては、重合体Ａ及び重合体Ｂとの親和性が良好なポリマーからなるフィルムであることが好ましく、例えば、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等からなるフィルムであることが好ましい。また、他の基材フィルムとしては、後述する中間層も好ましい。
また、基材層が上記積層体である場合、本発明の拡張性基材フィルムと他の基材フィルムとの間には、接着層が介在していてもよい。
基材層は、本発明の拡張性基材フィルムのみからなるものであってもよいし、本発明の拡張性基材フィルムと他の基材フィルムとを備えた積層体であってもよい。
基材層が上記積層体である場合、他の基材フィルムとしては、重合体Ａ及び重合体Ｂとの親和性が良好なポリマーからなるフィルムであることが好ましく、例えば、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等からなるフィルムであることが好ましい。また、他の基材フィルムとしては、後述する中間層も好ましい。
また、基材層が上記積層体である場合、本発明の拡張性基材フィルムと他の基材フィルムとの間には、接着層が介在していてもよい。
基材層の弾性率には特に制限はないが、基材層の周波数１．６Ｈｚにて測定される２５℃での貯蔵弾性率Ｇ’（２５）は、５×１０７Ｐａ以上であることが好ましく、１×１０８Ｐａ〜２×１０１０Ｐａであることがより好ましい。基材層の貯蔵弾性率Ｇ’（２５）が５×１０７Ｐａ以上であると、半導体基板のダイシング中又はダイシング後において、半導体基板の反り等をより効果的に抑制できる。
基材層の厚さは、２０μｍ〜５００μｍであることが好ましく、２０μｍ〜３５０μｍであることがより好ましく、５０μｍ〜３００μｍであることが特に好ましい。
基材層の厚さが、上記範囲内であると、半導体基板の反り等をより効果的に抑制でき、また、ダイシングフィルムの取り扱い性も良好である。
基材層の厚さが、上記範囲内であると、半導体基板の反り等をより効果的に抑制でき、また、ダイシングフィルムの取り扱い性も良好である。
また、基材層が上記積層体である場合、本発明の拡張性基材フィルムと他の基材フィルムとの厚さの比〔本発明の拡張性基材フィルムの厚さ／他の基材フィルムの厚さ〕には特に制限はないが、１００／５〜１００／１００が好ましく、１００／１０〜１００／８０がより好ましく、１００／１０〜１００／６０が更に好ましく、１００／１０〜１００／５０が特に好ましい。
〔粘着剤層〕
粘着剤層は、ダイシングフィルムを半導体基板に貼着するための層である。
粘着剤層は、ダイシングフィルムにおける最表面層であることが好ましい。但し、本発明のダイシングフィルムは、必要に応じ、粘着剤層の表面に、剥離フィルム（剥離ライナーやセパレータ等とも呼ばれることがある）を備えていてもよい。剥離フィルムを備えるダイシングフィルムを用いる場合、ダイシングフィルムの半導体基板への貼着前に剥離フィルムを除去し、露出した粘着剤層と半導体基板とが接するようにして、剥離フィルムが除去されたダイシングフィルムを半導体基板に貼着することが好ましい。
粘着剤層は、ダイシングフィルムを半導体基板に貼着するための層である。
粘着剤層は、ダイシングフィルムにおける最表面層であることが好ましい。但し、本発明のダイシングフィルムは、必要に応じ、粘着剤層の表面に、剥離フィルム（剥離ライナーやセパレータ等とも呼ばれることがある）を備えていてもよい。剥離フィルムを備えるダイシングフィルムを用いる場合、ダイシングフィルムの半導体基板への貼着前に剥離フィルムを除去し、露出した粘着剤層と半導体基板とが接するようにして、剥離フィルムが除去されたダイシングフィルムを半導体基板に貼着することが好ましい。
前記粘着剤層は、ＳＵＳ−３０４−ＢＡ板の表面に貼着されて６０分間放置した後、前記ＳＵＳ−３０４−ＢＡ板の表面から剥離されるときの、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定される粘着力が、０．１Ｎ／２５ｍｍ〜１０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。
上記粘着力が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上であると、ダイシングフィルムを半導体基板により効果的に貼着することができる。
上記粘着力が１０Ｎ／２５ｍｍ以下であると、半導体基板からダイシングフィルムを剥離する際、半導体基板の破損等をより抑制でき、かつ、半導体基板からダイシングフィルムを剥離した後、半導体基板への粘着剤層の残存をより抑制できる。
上記粘着力は、０．１Ｎ／２５ｍｍ〜５Ｎ／２５ｍｍであることが好ましく、０．１Ｎ／２５ｍｍ〜３Ｎ／２５ｍｍであることがより好ましい。
なお、粘着剤層に含有される粘着剤が、後述する、放射線硬化型、熱硬化型、加熱発泡型等の粘着力スイッチング機能を有する場合には、放射線照射等により粘着力をスイッチングさせて低下させた後の粘着力が、上記範囲内にあることが好ましい。
上記粘着力が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上であると、ダイシングフィルムを半導体基板により効果的に貼着することができる。
上記粘着力が１０Ｎ／２５ｍｍ以下であると、半導体基板からダイシングフィルムを剥離する際、半導体基板の破損等をより抑制でき、かつ、半導体基板からダイシングフィルムを剥離した後、半導体基板への粘着剤層の残存をより抑制できる。
上記粘着力は、０．１Ｎ／２５ｍｍ〜５Ｎ／２５ｍｍであることが好ましく、０．１Ｎ／２５ｍｍ〜３Ｎ／２５ｍｍであることがより好ましい。
なお、粘着剤層に含有される粘着剤が、後述する、放射線硬化型、熱硬化型、加熱発泡型等の粘着力スイッチング機能を有する場合には、放射線照射等により粘着力をスイッチングさせて低下させた後の粘着力が、上記範囲内にあることが好ましい。
粘着剤層に含有される粘着剤としては特に限定はないが、例えば、天然ゴム系；合成ゴム系；シリコーンゴム系；アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル等のアクリル系の粘着剤が挙げられる。これらの中でも、粘着性等の観点からアクリル系粘着剤が好ましい。
粘着剤層に含有される粘着剤は、放射線硬化型、熱硬化型、加熱発泡型等の一定条件により粘着力が低下する粘着力スイッチング機能を有する粘着剤、又は該スイッチング機能を有さない粘着剤のいずれであってもよい。
本発明のダイシングフィルムでは、半導体基板から容易に剥離することができ、半導体基板を損傷するおそれが少ないという観点から、粘着剤は、粘着力スイッチング機能を有するアクリル系の紫外線硬化型粘着剤が好ましい。
本発明のダイシングフィルムでは、半導体基板から容易に剥離することができ、半導体基板を損傷するおそれが少ないという観点から、粘着剤は、粘着力スイッチング機能を有するアクリル系の紫外線硬化型粘着剤が好ましい。
アクリル系の紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、分子中に光重合性炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル酸エステル系共重合体１００質量部と、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物０．１質量部〜２０質量部と、光開始剤５〜１５質量部と、を含む粘着剤等が挙げられる。
アクリル系の紫外線硬化型粘着剤に含まれる、アクリル酸エステル系共重合体としては、例えば、エチレン性二重結合を有するモノマー、及び反応性官能基を有する共重合性モノマーを共重合した共重合体と、上記反応性官能基と反応し得る基を有する光重合性炭素−炭素二重結合を含むモノマーと、を反応させた化合物等が挙げられる。
アクリル酸エステル系共重合体を得るための、共重合体に含まれるエチレン性二重結合を有するモノマーとしては、例えば、メタクリル酸メチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸ブチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルモノマー；酢酸ビニル等のビニルエステル；アクリロニトリル；アクリアミド；スチレン；等のエチレン性二重結合を有するモノマーなどが挙げられる。
また、アクリル酸エステル系共重合体を得るための、共重合体に含まれる反応性官能基を有する共重合性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。これらのうち１種のみを、上記エチレン性二重結合を有するモノマーと重合させてもよく、２種以上を重合させてもよい。
アクリル酸エステル系共重合体を得る場合における、エチレン性二重結合を有するモノマーと、反応性官能基を有する共重合性モノマーとの重合比は、７０質量％〜９９質量％：３０質量％〜１質量％であることが好ましく、８０質量％〜９５質量％：２０質量％〜５質量％であることがより好ましい。
また、アクリル酸エステル系共重合体を得るための、光重合性炭素−炭素二重結合を含むモノマーは、特に限定されるものではなく、共重合体に含まれる反応性官能基（例えば、カルボキシル基、ヒドロキシル基、グリシジル基等）と反応し得る基を有する光重合性炭素−炭素二重結合を含む光反応性モノマーであればよい。
共重合体に含まれる反応性官能基と、光反応性モノマーの反応性官能基と反応し得る基と、の組み合わせの例としては、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、水酸基とイソシアネート基等が挙げられる。このような組み合わせの中でも、容易に付加反応が起こる組み合わせが望ましい。また、光反応性モノマーの反応性官能基と反応し得る基は、共重合体の反応性官能基と付加反応する基に限定されず、共重合体の反応性官能基と縮合反応する基であってもよい。
アクリル系の紫外線硬化型粘着剤に含まれる、分子中に光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物としては、例えば、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。低分子量化合物は、アクリル系の紫外線硬化型粘着剤に、１種のみが含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。ここでいう「低分子量化合物」とは、分子量が１０，０００以下の化合物を指し、上記低分子量化合物の分子量は、より好ましくは５，０００以下である。
アクリル系の紫外線硬化型粘着剤に含まれる光開始剤としては、例えば、ベンゾイン、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、アセトフェノンジエチルケタール、ベンジルジメチルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン等が挙げられる。光開始剤は、紫外線硬化型粘着剤に、１種のみが含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。紫外線硬化型粘着剤中の光開始剤の含有量は、アクリル酸エステル系共重合体１００質量部に対して、５質量部〜１５質量部であることが好ましく、５質量部〜１０質量部であることがより好ましい。
アクリル系の紫外線硬化型粘着剤は、架橋剤を含んでいてもよい。架橋剤としては、例えば、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリーグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物；テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）等のアジリジン系化合物；テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物などが挙げられる。
アクリル系の紫外線硬化型粘着剤は、ロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等を含んでいてもよい。これらによれば、アクリル系の紫外線硬化型粘着剤の粘着特性を調整することができる。
粘着剤層の厚さは特に限定されるものではないが、３μｍ〜１００μｍであることが好ましく、１０〜１００μｍであることがより好ましい。粘着剤層の厚さが、上記範囲内であると、十分な粘着性を得ることができ、また、本発明の拡張性基材フィルムの効果が損なわれ難い。
〔中間層〕
本発明のダイシングフィルムは、基材層と粘着剤層との間に、中間層を備えていてもよい。
中間層としては、２５℃における引張弾性率Ｅ（２５）及び６０℃における引張弾性率Ｅ（６０）がＥ（６０）／Ｅ（２５）＜０．１の関係を満たし、かつ前記Ｅ（２５）が１ＭＰａ〜１０ＭＰａである中間層（以下、「特定中間層」ともいう）が好ましい。
本発明のダイシングフィルムが上記特定中間層を備えることにより、ダイシングフィルムが貼着される半導体基板の表面に凹凸（例えば、電極、バンプ、半田ボール等による凹凸等）が存在する場合であっても、上記特定中間層が上記凹凸に追従し、上記凹凸を吸収することができる。これにより、ダイシングフィルムと半導体基板の表面（凹凸面）との密着性をより向上させることができる。
本発明のダイシングフィルムは、基材層と粘着剤層との間に、中間層を備えていてもよい。
中間層としては、２５℃における引張弾性率Ｅ（２５）及び６０℃における引張弾性率Ｅ（６０）がＥ（６０）／Ｅ（２５）＜０．１の関係を満たし、かつ前記Ｅ（２５）が１ＭＰａ〜１０ＭＰａである中間層（以下、「特定中間層」ともいう）が好ましい。
本発明のダイシングフィルムが上記特定中間層を備えることにより、ダイシングフィルムが貼着される半導体基板の表面に凹凸（例えば、電極、バンプ、半田ボール等による凹凸等）が存在する場合であっても、上記特定中間層が上記凹凸に追従し、上記凹凸を吸収することができる。これにより、ダイシングフィルムと半導体基板の表面（凹凸面）との密着性をより向上させることができる。
前記Ｅ（２５）は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａが好ましく、２ＭＰａ〜９ＭＰａがより好ましい。Ｅ（２５）が上記範囲にあれば、シートを貼り付けた後の、常温下での形状を保持でき、加工中の密着性を維持できる。
前記Ｅ（６０）は、０．００５ＭＰａ〜１．０ＭＰａが好ましく、０．０１ＭＰａ〜０．５ＭＰａがより好ましい。Ｅ（６０）が上記範囲にあれば、シートを加温下で貼り付ける際に、流動性を示すため、凸凹に対する良好な追従性が得られる。
前記Ｅ（６０）は、０．００５ＭＰａ〜１．０ＭＰａが好ましく、０．０１ＭＰａ〜０．５ＭＰａがより好ましい。Ｅ（６０）が上記範囲にあれば、シートを加温下で貼り付ける際に、流動性を示すため、凸凹に対する良好な追従性が得られる。
特定中間層の引張弾性率は、以下のようにして測定できる。１）測定サンプルとして、例えば初期長さ１４０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み７５〜１００μｍのサンプルフィルムを準備する。２）そして、測定温度２５℃、チャック間距離１００ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎで引張試験を行い、サンプルの伸びの変化量（ｍｍ）を測定する。３）得られたＳ−Ｓ曲線（応力−ひずみ曲線）の初期の立ち上がりの部分に接線を引き、その接線の傾きをサンプルフィルムの断面積で割って得られる値を引張弾性率とする。
中間層の密度は、８００ｋｇ／ｍ３〜８９０ｋｇ／ｍ３が好ましく、８３０ｋｇ／ｍ３〜８９０ｋｇ／ｍ３がより好ましく、８５０ｋｇ／ｍ３〜８９０ｋｇ／ｍ３がさらに好ましい。中間層の密度が８００ｋｇ／ｍ３以上であると、弾性率をより向上でき、形状固定力をより向上できる。密度が８９０ｋｇ／ｍ３以下であると、弾性率が高くなり過ぎるのを抑制できるため、凸凹に対する追従性がより向上する。
中間層は、重合体を含むことが好ましい。
中間層に含まれ得る重合体として、好ましくはオレフィン系共重合体である。オレフィン系共重合体は、炭素原子数２〜１２のα−オレフィンを主な構成単位とするα−オレフィン共重合体であることが好ましい。
中間層に含まれ得る重合体として、好ましくはオレフィン系共重合体である。オレフィン系共重合体は、炭素原子数２〜１２のα−オレフィンを主な構成単位とするα−オレフィン共重合体であることが好ましい。
炭素原子数２〜１２のα−オレフィンの例には、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン等が含まれる。
なかでも、貼り付け時の凹凸追従性に優れる点で、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・１−ブテン共重合体、およびエチレン・プロピレン・炭素原子数４〜１２のα−オレフィンの三元共重合体等のエチレン・α−オレフィン共重合体；およびプロピレン・１−ブテン共重合体・炭素原子数５〜１２のα−オレフィンの三元共重合体などが好ましく、エチレン・プロピレン共重合体がより好ましい。プロピレンは、オレフィン系共重合体の中でも熱溶融性が高いためである。市販のα−オレフィン系共重合体には、三井化学製ＴＡＦＭＥＲ（登録商標）、ＮＯＴＩＯ（登録商標）等が含まれる。
中間層の引張弾性率は、オレフィン系共重合体を構成するモノマーの種類、共重合比および変性の有無などによって調整される。例えば、オレフィン系共重合体の６０℃における引張弾性率を低くするためには、プロピレンの共重合比を多くしたり、カルボン酸等で変性したりすればよい。
中間層には、半導体ウエハに対する易貼り付け性、易剥離性などを損なわない範囲で他の重合体または他の添加剤が含まれてもよい。そのような添加剤の例には、紫外線吸収剤、酸化防止剤、耐熱安定剤、滑剤、柔軟剤、粘着性付与剤等が含まれる。
中間層の厚みは、ダイシングフィルムを接着する半導体基板の一方の面に設けられた段差より大きいことが好ましく、この段差（例えば、半導体基板の回路形成面の凸凹（半田バンプを含む））を埋め込むことができる厚みであれば、特に制限されない。例えば、凸凹の段差が１００μｍ程度であれば、中間層の厚みは１００〜３００μｍとすることができる。すなわち、半導体基板の段差に対して、中間層の厚みを１倍〜３倍とすることが好ましく、１倍〜２倍とすることがより好ましい。
ダイシングフィルムは、上記以外のその他の層を備えていてもよい。
その他の層としては、例えば、特許第４９４５０１４号公報等に記載の公知の層を用いることができる。
その他の層として、例えば、基材層からみて粘着剤層が存在する側とは反対側に設けられる低摩擦層（例えば、特許第４９４５０１４号公報の段落００７５〜００７６参照）等が挙げられる。
その他の層としては、例えば、特許第４９４５０１４号公報等に記載の公知の層を用いることができる。
その他の層として、例えば、基材層からみて粘着剤層が存在する側とは反対側に設けられる低摩擦層（例えば、特許第４９４５０１４号公報の段落００７５〜００７６参照）等が挙げられる。
〔ダイシングフィルムの製造方法〕
本発明のダイシングフィルムの製造方法には特に限定はなく、公知の方法を用いることができる。
本発明のダイシングフィルムの製造方法には特に限定はなく、公知の方法を用いることができる。
本発明のダイシングフィルムの製造方法としては、例えば、基材層上に、上述の粘着剤を含む粘着剤塗布液（粘着剤の溶液、エマルション液等）を塗布し、乾燥させて粘着剤層を形成する方法が挙げられる。
上記塗布は、ロールコーター、コンマコーター、ダイコーター、メイヤーバーコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター等の公知の装置を用いて行うことができる。
また、粘着剤塗布液を乾燥させる際の乾燥条件は、特に限定されるものではなく、一般的には、８０℃〜３００℃の温度範囲において、１０秒間〜１０分間乾燥することが好ましく、８０℃〜２００℃の温度範囲において、１５秒間〜５分間乾燥することがより好ましい。また、粘着剤塗布液の乾燥終了後、ダイシングフィルムを４０℃〜８０℃で５時間〜３００時間程度加熱してもよい。
また、粘着剤層形成後に、粘着剤層表面に剥離フィルムを貼着することも好ましい。
上記塗布は、ロールコーター、コンマコーター、ダイコーター、メイヤーバーコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター等の公知の装置を用いて行うことができる。
また、粘着剤塗布液を乾燥させる際の乾燥条件は、特に限定されるものではなく、一般的には、８０℃〜３００℃の温度範囲において、１０秒間〜１０分間乾燥することが好ましく、８０℃〜２００℃の温度範囲において、１５秒間〜５分間乾燥することがより好ましい。また、粘着剤塗布液の乾燥終了後、ダイシングフィルムを４０℃〜８０℃で５時間〜３００時間程度加熱してもよい。
また、粘着剤層形成後に、粘着剤層表面に剥離フィルムを貼着することも好ましい。
本発明のダイシングフィルムの製造方法としては、例えば、剥離フィルムの一方の面に、上述の方法で粘着剤塗布液を塗布し、乾燥させて粘着剤層を形成した後、粘着剤層が形成された剥離フィルムと基材層とを、粘着剤層と基材層とが対向するようにしてドライラミネート法等によって積層させる方法も挙げられる。この方法において、積層後、剥離フィルムをそのまま残してもよいし、除去してもよい。
また、本発明のダイシングフィルムにおける基材層が、本発明の拡張性基材フィルムと他の基材フィルムとの積層体である場合、積層体である基材層を形成する方法にも特に限定はない。
積層体である基材層を形成する方法としては、例えば、本発明の拡張性基材フィルムを形成するポリマーと他の基材フィルムを形成するポリマーとを多層製膜機等を用いて共押出して積層体を形成する方法；本発明の拡張性基材フィルムと他の基材フィルムとを、それぞれカレンダー法、Ｔダイ押出法、インフレーション法、キャスト法等の公知の方法により形成した後、これらをドライラミネート等により積層させることにより積層体を形成する方法；本発明の拡張性基材フィルム及び他の基材フィルムのいずれか一方を、それぞれカレンダー法、Ｔダイ押出法、インフレーション法、キャスト法等の公知の方法により成膜した後、成膜された前記一方の上に他方を、押出コーティングによって形成することにより積層体を形成する方法；等が挙げられる。
上記ドライラミネート等による方法では、本発明の拡張性基材フィルムと他の基材フィルムとの間に接着層を介在させてもよく、また、本発明の拡張性基材フィルム及び他の基材フィルムのそれぞれに、コロナ放電処理等の易接着処理を施してもよい。
積層体である基材層を形成する方法としては、例えば、本発明の拡張性基材フィルムを形成するポリマーと他の基材フィルムを形成するポリマーとを多層製膜機等を用いて共押出して積層体を形成する方法；本発明の拡張性基材フィルムと他の基材フィルムとを、それぞれカレンダー法、Ｔダイ押出法、インフレーション法、キャスト法等の公知の方法により形成した後、これらをドライラミネート等により積層させることにより積層体を形成する方法；本発明の拡張性基材フィルム及び他の基材フィルムのいずれか一方を、それぞれカレンダー法、Ｔダイ押出法、インフレーション法、キャスト法等の公知の方法により成膜した後、成膜された前記一方の上に他方を、押出コーティングによって形成することにより積層体を形成する方法；等が挙げられる。
上記ドライラミネート等による方法では、本発明の拡張性基材フィルムと他の基材フィルムとの間に接着層を介在させてもよく、また、本発明の拡張性基材フィルム及び他の基材フィルムのそれぞれに、コロナ放電処理等の易接着処理を施してもよい。
本発明のダイシングフィルムの製造方法においては、半導体基板の汚染防止の観点から、基材層、粘着剤層等の全ての製膜環境、及びこれらの原料資材の製造環境が、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持されていることが好ましい。
［半導体用表面保護フィルム］
本発明の半導体用表面保護フィルムは、前述した本発明の拡張性基材フィルムを含む基材層と、粘着剤層と、を備え、半導体基板の研削時に半導体基板の非研削面を保護するフィルムである。
本発明の半導体用表面保護フィルムの好ましい形態や好ましい製造方法は、上述した本発明のダイシングフィルムの好ましい形態や好ましい製造方法と同様である。
なお、上述したとおり、本発明のダイシングフィルムは、半導体基板の研削時に半導体基板の非研削面を保護する、本発明の半導体用表面保護フィルムの機能を兼ね備えることがある。
本発明の半導体用表面保護フィルムは、前述した本発明の拡張性基材フィルムを含む基材層と、粘着剤層と、を備え、半導体基板の研削時に半導体基板の非研削面を保護するフィルムである。
本発明の半導体用表面保護フィルムの好ましい形態や好ましい製造方法は、上述した本発明のダイシングフィルムの好ましい形態や好ましい製造方法と同様である。
なお、上述したとおり、本発明のダイシングフィルムは、半導体基板の研削時に半導体基板の非研削面を保護する、本発明の半導体用表面保護フィルムの機能を兼ね備えることがある。
［半導体装置の製造方法］
〔第１実施形態〕
本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態（以下、「第１の製造方法」ともいう）は、半導体基板に、前述した本発明のダイシングフィルムを、前記半導体基板の表面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する貼着工程と、前記ダイシングフィルムが貼着された半導体基板をダイシングするダイシング工程と、前記ダイシング工程後のダイシングフィルムを拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップを得る拡張工程と、前記複数の半導体チップの少なくとも１つをピックアップするピックアップ工程と、を有する。第１の製造方法は、その他の工程を有していてもよい。
〔第１実施形態〕
本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態（以下、「第１の製造方法」ともいう）は、半導体基板に、前述した本発明のダイシングフィルムを、前記半導体基板の表面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する貼着工程と、前記ダイシングフィルムが貼着された半導体基板をダイシングするダイシング工程と、前記ダイシング工程後のダイシングフィルムを拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップを得る拡張工程と、前記複数の半導体チップの少なくとも１つをピックアップするピックアップ工程と、を有する。第１の製造方法は、その他の工程を有していてもよい。
第１の製造方法では、応力緩和性に優れる本発明の拡張性基材フィルムを備えた本発明のダイシングフィルムが用いられる。このため、貼着工程以降における半導体基板の反り等が抑制される。
また、第１の製造方法では、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が低減された本発明のダイシングフィルムが用いられる。このため、拡張工程においてダイシングフィルムを拡張する際、ダイシングフィルムの破断や裂けを抑制しながら、ダイシングフィルムを等方的に拡張することができる。これにより、前記拡張によってダイシングフィルムと半導体チップとの密着力を低下させた時に、複数の半導体チップ間での密着力のバラつきを低減することができるので、半導体チップをピックアップしてダイシングフィルムから剥離する際の作業性が向上する。
また、ダイシングフィルムを等方的に拡張することができることにより、複数の半導体チップ間の間隔を均等に拡げ易くすることができるので、半導体チップをピックアップする際の作業性が向上する。
また、第１の製造方法では、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が低減された本発明のダイシングフィルムが用いられる。このため、拡張工程においてダイシングフィルムを拡張する際、ダイシングフィルムの破断や裂けを抑制しながら、ダイシングフィルムを等方的に拡張することができる。これにより、前記拡張によってダイシングフィルムと半導体チップとの密着力を低下させた時に、複数の半導体チップ間での密着力のバラつきを低減することができるので、半導体チップをピックアップしてダイシングフィルムから剥離する際の作業性が向上する。
また、ダイシングフィルムを等方的に拡張することができることにより、複数の半導体チップ間の間隔を均等に拡げ易くすることができるので、半導体チップをピックアップする際の作業性が向上する。
以下、第１の製造方法の各工程について説明する。
＜貼着工程＞
貼着工程は、半導体基板に、前述した本発明のダイシングフィルムを、前記半導体基板の表面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する工程である。
半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム等の基板（例えば、ウェハ）が挙げられる。
また、半導体基板としては、表面に回路が形成された半導体基板を用いることが好ましい。この場合、回路が形成された回路形成面と粘着剤層とが対向するようにして、半導体基板にダイシングフィルムを貼着することが好ましい。
貼着工程は、半導体基板に、前述した本発明のダイシングフィルムを、前記半導体基板の表面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する工程である。
半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム等の基板（例えば、ウェハ）が挙げられる。
また、半導体基板としては、表面に回路が形成された半導体基板を用いることが好ましい。この場合、回路が形成された回路形成面と粘着剤層とが対向するようにして、半導体基板にダイシングフィルムを貼着することが好ましい。
貼着は、人の手で行なってもよいが、通常、ロール状の表面保護フィルムを取り付けた自動貼り機によって行なう。自動貼り機としては、例えば、タカトリ（株）製、型式：ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、同ＴＥＡＭ−１００、帝国精機（株）製、型式：ＳＴＬシリーズ、日東精機（株）製、型式：ＤＲ−８５００ＩＩ、同ＤＲ−３０００ＩＩ等が挙げられる。
貼着時のダイシングフィルム及び半導体基板の温度には特に制限なないが、４０℃〜８０℃が好ましい。
上記温度が４０℃以上であると、半導体基板とダイシングフィルムとの密着力がより向上する。また、本発明のダイシングフィルムは、耐熱性に優れた本発明の拡張性基材フィルムを備えるため、ダイシングフィルムの温度が４０℃以上である場合でも、拡張性基材フィルムの劣化が抑制される。
また、上記温度が８０℃以下であると、拡張性基材フィルムの劣化がより抑制される。
上記温度が４０℃以上であると、半導体基板とダイシングフィルムとの密着力がより向上する。また、本発明のダイシングフィルムは、耐熱性に優れた本発明の拡張性基材フィルムを備えるため、ダイシングフィルムの温度が４０℃以上である場合でも、拡張性基材フィルムの劣化が抑制される。
また、上記温度が８０℃以下であると、拡張性基材フィルムの劣化がより抑制される。
また、貼着時のダイシングフィルムと半導体基板との圧力については特に制限はないが、０．３ＭＰａ〜０．５ＭＰａが好ましい。
上記圧力が０．３ＭＰａ以上であると、半導体基板とダイシングフィルムとの密着力がより向上する。また、本発明のダイシングフィルムは、応力緩和性に優れた本発明の拡張性基材フィルムを備えるため、上記圧力が０．３ＭＰａ以上である場合でも、半導体基板の反り等が抑制される。
上記圧力が０．５ＭＰａ以下であると、半導体基板の反り等がより抑制される。
上記圧力が０．３ＭＰａ以上であると、半導体基板とダイシングフィルムとの密着力がより向上する。また、本発明のダイシングフィルムは、応力緩和性に優れた本発明の拡張性基材フィルムを備えるため、上記圧力が０．３ＭＰａ以上である場合でも、半導体基板の反り等が抑制される。
上記圧力が０．５ＭＰａ以下であると、半導体基板の反り等がより抑制される。
＜ダイシング工程＞
ダイシング工程は、前記ダイシングフィルムが貼着された半導体基板をダイシングする工程である。
ここでいう「ダイシング」には、
（ａ）半導体基板に対してこの半導体基板の厚さと同じ深さの切れ込みを設けることによって半導体基板を分断し、複数の半導体チップを得る操作（以下、「フルカットダイシング」ともいう）、
（ｂ）半導体基板に対してこの半導体基板の厚さ未満の深さの切れ込みを設ける操作（以下、「ハーフカットダイシング」ともいう）、及び、
（ｃ）レーザー光やプラズマを照射することにより、半導体基板に対し、半導体基板の切断までには至らない変質領域を設ける操作（以下、「ステルスダイシング」ともいう）が含まれる。
上記ダイシングは、ダイシングブレード（ダイシングソー）、レーザー光、プラズマ等を用いて行うことができる。
上記フルカットダイシングによる半導体装置の製造方法については、例えば、特開２０１２−１８８５９７号公報（特に、段落００７２〜００７６及び図３Ａ〜図３Ｅ）や、特許第４９４５０１４号公報（特に、段落００９１〜０１０３、図４Ａ〜図４Ｅ、図５Ａ〜図５Ｅ）を適宜参照することができる。
ダイシング工程は、前記ダイシングフィルムが貼着された半導体基板をダイシングする工程である。
ここでいう「ダイシング」には、
（ａ）半導体基板に対してこの半導体基板の厚さと同じ深さの切れ込みを設けることによって半導体基板を分断し、複数の半導体チップを得る操作（以下、「フルカットダイシング」ともいう）、
（ｂ）半導体基板に対してこの半導体基板の厚さ未満の深さの切れ込みを設ける操作（以下、「ハーフカットダイシング」ともいう）、及び、
（ｃ）レーザー光やプラズマを照射することにより、半導体基板に対し、半導体基板の切断までには至らない変質領域を設ける操作（以下、「ステルスダイシング」ともいう）が含まれる。
上記ダイシングは、ダイシングブレード（ダイシングソー）、レーザー光、プラズマ等を用いて行うことができる。
上記フルカットダイシングによる半導体装置の製造方法については、例えば、特開２０１２−１８８５９７号公報（特に、段落００７２〜００７６及び図３Ａ〜図３Ｅ）や、特許第４９４５０１４号公報（特に、段落００９１〜０１０３、図４Ａ〜図４Ｅ、図５Ａ〜図５Ｅ）を適宜参照することができる。
ダイシングがフルカットダイシングである場合には、ダイシングによって半導体基板が複数の半導体チップに分断される。この場合、上記拡張工程では、複数の半導体チップ間の間隔の拡張（即ち、複数の半導体チップの離隔）が行われることとなる。
一方、ダイシングがハーフカットダイシング及びステルスダイシングである場合には、ダイシングのみによっては半導体基板が複数の半導体チップに分断されるまでには至らず、ダイシング後のダイシングフィルムの拡張によって半導体基板が分断されて複数の半導体チップが得られる。この場合、上記拡張工程では、半導体基板の複数の半導体チップへの分断と、複数の半導体チップ間の間隔の拡張（即ち、複数の半導体チップの離隔）と、の両方が行われることとなる。
ダイシングが、フルカットダイシング、ハーフカットダイシング、及びステルスダイシングのいずれである場合においても、ダイシング後にダイシングフィルムが拡張されることには変わりはない。このため、いずれの場合においても、上述した第１の製造方法の効果が奏されることとなる。
＜拡張工程＞
拡張工程は、前記ダイシング工程後のダイシングフィルムを拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップを得る工程である。
本工程により、複数の半導体チップ間の間隔を拡げることができる。また、本工程により、ダイシングフィルムの粘着剤層と半導体チップとの間にずり応力が生じ、このずり応力によって半導体チップとダイシングフィルムとの密着力が低下する。
本工程では、これらの理由により、後のピックアップ工程で半導体チップをピックアップし易くすることができる。
拡張工程は、前記ダイシング工程後のダイシングフィルムを拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップを得る工程である。
本工程により、複数の半導体チップ間の間隔を拡げることができる。また、本工程により、ダイシングフィルムの粘着剤層と半導体チップとの間にずり応力が生じ、このずり応力によって半導体チップとダイシングフィルムとの密着力が低下する。
本工程では、これらの理由により、後のピックアップ工程で半導体チップをピックアップし易くすることができる。
ダイシングフィルムを拡張する方法としては、少なくとも拡張工程の操作を、ダイシングフィルムが貼着された半導体基板を載置するためのステージを備えた拡張機の上で行い、ダイシングフィルムの下側の拡張機のステージを上昇させることにより拡張する方法が挙げられる。
また、ダイシングフィルムを拡張する方法としては、フィルム面と平行な方向に引っ張る（拡張する）方法も挙げられる。
また、ダイシングフィルムを拡張する方法としては、フィルム面と平行な方向に引っ張る（拡張する）方法も挙げられる。
＜ピックアップ工程＞
ピックアップ工程は、前記複数の半導体チップの少なくとも１つをピックアップする工程である。
このピックアップにより、ダイシングフィルムから複数の半導体チップの少なくとも１つを剥離することができる。
ピックアップは、公知の方法で行うことができる。
ピックアップ工程は、前記複数の半導体チップの少なくとも１つをピックアップする工程である。
このピックアップにより、ダイシングフィルムから複数の半導体チップの少なくとも１つを剥離することができる。
ピックアップは、公知の方法で行うことができる。
＜研削工程＞
第１の製造方法は、更に、前記貼着工程後であって前記拡張工程前に、前記半導体基板を研削する研削工程を有していてもよい。
第１の製造方法が研削工程を有する場合、前記貼着工程は、一方の面のみに回路が形成された半導体基板の回路形成面に、前記ダイシングフィルムを、前記回路形成面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する工程であり、前記研削工程は、前記半導体基板の回路非形成面を研削する工程であることが好ましい。この場合、ダイシングフィルムが、半導体用表面保護フィルムとしての機能を兼ね備えることとなる。
研削工程は、ダイシング工程の前及び後のいずれに設けられていてもよい。
第１の製造方法は、更に、前記貼着工程後であって前記拡張工程前に、前記半導体基板を研削する研削工程を有していてもよい。
第１の製造方法が研削工程を有する場合、前記貼着工程は、一方の面のみに回路が形成された半導体基板の回路形成面に、前記ダイシングフィルムを、前記回路形成面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する工程であり、前記研削工程は、前記半導体基板の回路非形成面を研削する工程であることが好ましい。この場合、ダイシングフィルムが、半導体用表面保護フィルムとしての機能を兼ね備えることとなる。
研削工程は、ダイシング工程の前及び後のいずれに設けられていてもよい。
研削は、例えば、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の方法により行なうことができる。いずれの方法においても、砥石で半導体基板を研削する。
研削工程開始時の半導体基板の温度は、通常、１８℃〜２８℃程度であり、好ましくは２０℃〜２５℃である。また、研削工程中の半導体基板の温度は、研削する基板の材質に依存するが、通常、２０℃〜１２０℃であり、３０℃〜８０℃であることが好ましく、
４０℃〜７０℃であることがより好ましい。
４０℃〜７０℃であることがより好ましい。
＜その他の工程＞
第１の製造方法は、上記以外のその他の工程を有していてもよい。
その他の工程としては、半導体装置の製造方法において公知の工程を用いることができる。
その他の工程として、例えば、貼着工程後であってダイシング工程前に、半導体基板の回路形成面に、通常用いられる方法で電極形成（ボンディング）及び樹脂封止（ベーキング）を行う工程が挙げられる。この電極形成及び樹脂封止を行う工程が設けられた製造方法は、ＷＬＰ（Wafer Level Package）とも呼ばれている。本発明の拡張性基材フィルムは、前述のとおり耐熱性に優れているため、ＷＬＰ（Wafer Level Package）にも好適に用いることができる。ＷＬＰ（Wafer Level Package）については、例えば、特開２００８−１６５３９号公報や特開２０１２−１８８５９７号公報の記載を適宜参照することができる。
第１の製造方法は、上記以外のその他の工程を有していてもよい。
その他の工程としては、半導体装置の製造方法において公知の工程を用いることができる。
その他の工程として、例えば、貼着工程後であってダイシング工程前に、半導体基板の回路形成面に、通常用いられる方法で電極形成（ボンディング）及び樹脂封止（ベーキング）を行う工程が挙げられる。この電極形成及び樹脂封止を行う工程が設けられた製造方法は、ＷＬＰ（Wafer Level Package）とも呼ばれている。本発明の拡張性基材フィルムは、前述のとおり耐熱性に優れているため、ＷＬＰ（Wafer Level Package）にも好適に用いることができる。ＷＬＰ（Wafer Level Package）については、例えば、特開２００８−１６５３９号公報や特開２０１２−１８８５９７号公報の記載を適宜参照することができる。
〔第２実施形態〕
本発明の半導体装置の製造方法の第２実施形態（以下、「第２の製造方法」ともいう）は、一方の面のみに回路が形成された半導体基板の回路形成面から該半導体基板の厚さ未満の切り込み深さの溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された前記半導体基板の回路形成面に、前述の本発明の半導体用表面保護フィルムを、前記回路形成面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する貼着工程と、前記半導体用表面保護フィルムが貼着された前記半導体基板の回路非形成面を研削する研削工程と、前記研削工程後の半導体用表面保護フィルムを拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップを得る拡張工程と、前記複数の半導体チップの少なくとも１つをピックアップするピックアップ工程と、を有する。第２の製造方法は、その他の工程を有していてもよい。
本発明の半導体装置の製造方法の第２実施形態（以下、「第２の製造方法」ともいう）は、一方の面のみに回路が形成された半導体基板の回路形成面から該半導体基板の厚さ未満の切り込み深さの溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された前記半導体基板の回路形成面に、前述の本発明の半導体用表面保護フィルムを、前記回路形成面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する貼着工程と、前記半導体用表面保護フィルムが貼着された前記半導体基板の回路非形成面を研削する研削工程と、前記研削工程後の半導体用表面保護フィルムを拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップを得る拡張工程と、前記複数の半導体チップの少なくとも１つをピックアップするピックアップ工程と、を有する。第２の製造方法は、その他の工程を有していてもよい。
第２の製造方法における溝形成工程は、第１の製造方法におけるダイシング工程に対応する。
但し、第２の製造方法における溝形成工程は、貼着工程よりも前に設けられている点、半導体基板の回路形成面から溝を形成することに限定されている点、及び、形成する溝の切り込み深さが半導体基板の厚さ未満に限定されている点（即ち、ダイシングが前述のハーフカットダイシングに限定されている点）で、第１の製造方法におけるダイシング工程と異なる。
第２の製造方法における溝形成工程は、上記以外の点においては第１の製造方法におけるダイシング工程と同様であり、好ましい形態も同様である。
但し、第２の製造方法における溝形成工程は、貼着工程よりも前に設けられている点、半導体基板の回路形成面から溝を形成することに限定されている点、及び、形成する溝の切り込み深さが半導体基板の厚さ未満に限定されている点（即ち、ダイシングが前述のハーフカットダイシングに限定されている点）で、第１の製造方法におけるダイシング工程と異なる。
第２の製造方法における溝形成工程は、上記以外の点においては第１の製造方法におけるダイシング工程と同様であり、好ましい形態も同様である。
また、第２の製造方法における貼着工程は、第１の製造方法における貼着工程に対応する。
但し、第２の製造方法における貼着工程は、溝形成工程よりも後に設けられている点、及び、ダイシングフィルムが半導体用表面保護フィルムに変更されている点で、第１の製造方法における貼着工程と異なる。
第２の製造方法における貼着工程は、上記以外の点においては第１の製造方法における貼着工程と同様であり、好ましい形態も同様である。
但し、第２の製造方法における貼着工程は、溝形成工程よりも後に設けられている点、及び、ダイシングフィルムが半導体用表面保護フィルムに変更されている点で、第１の製造方法における貼着工程と異なる。
第２の製造方法における貼着工程は、上記以外の点においては第１の製造方法における貼着工程と同様であり、好ましい形態も同様である。
また、第２の製造方法は、研削工程が必須である点で、第１の製造方法と異なる。
第２の製造方法における研削工程では、好ましくは、溝形成工程で形成された溝の底に達するまで半導体基板を研削する。これにより、半導体基板が分断され、半導体チップが得られる。
第２の製造方法における研削工程の好ましい範囲については、第１の製造方法に設けられることがある研削工程の好ましい範囲と同様である。
第２の製造方法における研削工程では、好ましくは、溝形成工程で形成された溝の底に達するまで半導体基板を研削する。これにより、半導体基板が分断され、半導体チップが得られる。
第２の製造方法における研削工程の好ましい範囲については、第１の製造方法に設けられることがある研削工程の好ましい範囲と同様である。
第２の製造方法における拡張工程及びピックアップ工程については、それぞれ、第１の製造方法における拡張工程及びピックアップ工程と同様であり、好ましい形態も同様である。
また、第２の製造方法において、設けられていてもよいその他の工程も、第１の製造方法におけるその他の工程と同様である。
また、第２の製造方法において、設けられていてもよいその他の工程も、第１の製造方法におけるその他の工程と同様である。
第２の製造方法は、半導体用フィルム（第２の製造方法では半導体用表面保護フィルム）を拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップを得る点で、第１の製造方法と共通している。
そして、半導体用表面保護フィルムは、ダイシングフィルムと同様に、本発明の拡張性基材フィルムを備えている。
このため、第２の製造方法によっても、第１の製造方法と同様の効果が得られる。
そして、半導体用表面保護フィルムは、ダイシングフィルムと同様に、本発明の拡張性基材フィルムを備えている。
このため、第２の製造方法によっても、第１の製造方法と同様の効果が得られる。
第２の製造方法については、表面保護シートとして、本発明の半導体用表面保護フィルムが用いられること以外は、特許第３４１０３７１号公報の段落００３０〜００３２及び図１〜図４の記載を適宜参照することができる。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその主旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
［合成例１］重合体Ａ−１（重合体Ａ）の合成
充分に窒素置換した容量１．５Ｌの攪拌翼付のＳＵＳ製オートクレーブに、３００ｍｌのｎ−ヘキサン（乾燥窒素雰囲気下、活性アルミナ上で乾燥したもの）、及び４５０ｍｌの４−メチル−１−ペンテンを２３℃で装入した後、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡＬ）の１．０ｍｍｏｌ／ｍｌトルエン溶液を０．７５ｍｌ装入し、攪拌機を回した。
次に、オートクレーブを内温が６０℃になるまで加熱し、全圧（ゲージ圧）が０．１９ＭＰａとなるようにプロピレンで加圧した。
続いて、予め調製しておいた、Ａｌ換算で１ｍｍｏｌのメチルアルミノキサン、及び０．０１ｍｍｏｌのジフェニルメチレン（１−エチル−３−ｔ−ブチル−シクロペンタジエニル）（２，７−ジ−ｔ−ブチル−フルオレニル）ジルコニウムジクロリドを含むトルエン溶液０．３４ｍｌをオートクレーブに窒素で圧入し、重合反応を開始させた。重合反応中は、オートクレーブの内温が６０℃になるように温度調整した。
重合開始から６０分後、オートクレーブにメタノール５ｍｌを窒素で圧入し、重合反応を停止させた後、オートクレーブ内を大気圧まで脱圧した。脱圧後、反応溶液に、該反応溶液を攪拌しながらアセトンを添加し、溶媒を含む重合反応生成物を得た。次いで、得られた溶媒を含む重合反応生成物を減圧下、１３０℃で１２時間乾燥させて、重合体Ａとして、４４．０ｇの粉末状の重合体Ａ−１を得た。
充分に窒素置換した容量１．５Ｌの攪拌翼付のＳＵＳ製オートクレーブに、３００ｍｌのｎ−ヘキサン（乾燥窒素雰囲気下、活性アルミナ上で乾燥したもの）、及び４５０ｍｌの４−メチル−１−ペンテンを２３℃で装入した後、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡＬ）の１．０ｍｍｏｌ／ｍｌトルエン溶液を０．７５ｍｌ装入し、攪拌機を回した。
次に、オートクレーブを内温が６０℃になるまで加熱し、全圧（ゲージ圧）が０．１９ＭＰａとなるようにプロピレンで加圧した。
続いて、予め調製しておいた、Ａｌ換算で１ｍｍｏｌのメチルアルミノキサン、及び０．０１ｍｍｏｌのジフェニルメチレン（１−エチル−３−ｔ−ブチル−シクロペンタジエニル）（２，７−ジ−ｔ−ブチル−フルオレニル）ジルコニウムジクロリドを含むトルエン溶液０．３４ｍｌをオートクレーブに窒素で圧入し、重合反応を開始させた。重合反応中は、オートクレーブの内温が６０℃になるように温度調整した。
重合開始から６０分後、オートクレーブにメタノール５ｍｌを窒素で圧入し、重合反応を停止させた後、オートクレーブ内を大気圧まで脱圧した。脱圧後、反応溶液に、該反応溶液を攪拌しながらアセトンを添加し、溶媒を含む重合反応生成物を得た。次いで、得られた溶媒を含む重合反応生成物を減圧下、１３０℃で１２時間乾燥させて、重合体Ａとして、４４．０ｇの粉末状の重合体Ａ−１を得た。
得られた重合体Ａ−１の各種物性の測定結果を表１に示す。
重合体Ａ−１中の４−メチル−１−ペンテンの含有率は８４．１ｍｏｌ％であり、プロピレンの含有率は１５．９ｍｏｌ％であった。また、重合体Ａ−１の密度は８３８ｋｇ／ｍ３であった。重合体Ａ−１の極限粘度［η］は１．５ｄｌ／ｇであり、重量平均分子量（Ｍｗ）は３４０，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１であった。重合体Ａ−１の融点（Ｔｍ）は１３２℃であり、ｔａｎδの最大値は１．６（最大値を示す際の温度：３９℃）であった。
重合体Ａ−１中の４−メチル−１−ペンテンの含有率は８４．１ｍｏｌ％であり、プロピレンの含有率は１５．９ｍｏｌ％であった。また、重合体Ａ−１の密度は８３８ｋｇ／ｍ３であった。重合体Ａ−１の極限粘度［η］は１．５ｄｌ／ｇであり、重量平均分子量（Ｍｗ）は３４０，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１であった。重合体Ａ−１の融点（Ｔｍ）は１３２℃であり、ｔａｎδの最大値は１．６（最大値を示す際の温度：３９℃）であった。
［合成例２］重合体Ａ−２（重合体Ａ）の合成
充分に窒素置換した容量１．５Ｌの攪拌翼付のＳＵＳ製オートクレーブに、３００ｍｌのｎ−ヘキサン（乾燥窒素雰囲気下、活性アルミナ上で乾燥したもの）、及び４５０ｍｌの４−メチル−１−ペンテンを２３℃で装入した後、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡＬ）の１．０ｍｍｏｌ／ｍｌトルエン溶液を０．７５ｍｌ装入し、攪拌機を回した。
次に、オートクレーブを内温が６０℃になるまで加熱し、全圧（ゲージ圧）が０．４０ＭＰａとなるようにプロピレンで加圧した。
続いて、予め調製しておいた、Ａｌ換算で１ｍｍｏｌのメチルアルミノキサン、及び０．０１ｍｍｏｌのジフェニルメチレン（１−エチル−３−ｔ−ブチル−シクロペンタジエニル）（２，７−ジ−ｔ−ブチル−フルオレニル）ジルコニウムジクロリドを含むトルエン溶液０．３４ｍｌをオートクレーブに窒素で圧入し、重合反応を開始させた。重合反応中は、オートクレーブの内温が６０℃になるように温度調整した。
重合開始から６０分後、オートクレーブにメタノール５ｍｌを窒素で圧入し、重合反応を停止させた後、オートクレーブ内を大気圧まで脱圧した。脱圧後、反応溶液に、該反応溶液を攪拌しながらアセトンを添加し、溶媒を含む重合反応生成物を得た。次いで、得られた溶媒を含む重合反応生成物を減圧下、１３０℃で１２時間乾燥させて、重合体Ａとして、３６．９ｇの粉末状の重合体Ａ−２を得た。
充分に窒素置換した容量１．５Ｌの攪拌翼付のＳＵＳ製オートクレーブに、３００ｍｌのｎ−ヘキサン（乾燥窒素雰囲気下、活性アルミナ上で乾燥したもの）、及び４５０ｍｌの４−メチル−１−ペンテンを２３℃で装入した後、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡＬ）の１．０ｍｍｏｌ／ｍｌトルエン溶液を０．７５ｍｌ装入し、攪拌機を回した。
次に、オートクレーブを内温が６０℃になるまで加熱し、全圧（ゲージ圧）が０．４０ＭＰａとなるようにプロピレンで加圧した。
続いて、予め調製しておいた、Ａｌ換算で１ｍｍｏｌのメチルアルミノキサン、及び０．０１ｍｍｏｌのジフェニルメチレン（１−エチル−３−ｔ−ブチル−シクロペンタジエニル）（２，７−ジ−ｔ−ブチル−フルオレニル）ジルコニウムジクロリドを含むトルエン溶液０．３４ｍｌをオートクレーブに窒素で圧入し、重合反応を開始させた。重合反応中は、オートクレーブの内温が６０℃になるように温度調整した。
重合開始から６０分後、オートクレーブにメタノール５ｍｌを窒素で圧入し、重合反応を停止させた後、オートクレーブ内を大気圧まで脱圧した。脱圧後、反応溶液に、該反応溶液を攪拌しながらアセトンを添加し、溶媒を含む重合反応生成物を得た。次いで、得られた溶媒を含む重合反応生成物を減圧下、１３０℃で１２時間乾燥させて、重合体Ａとして、３６．９ｇの粉末状の重合体Ａ−２を得た。
得られた重合体Ａ−２の各種物性の測定結果を表１に示す。
重合体Ａ−２中の４−メチル−１−ペンテンの含有率は７２．５ｍｏｌ％であり、プロピレンの含有率は２７．５ｍｏｌ％であった。また、重合体Ａ−２の密度は８３９ｋｇ／ｍ３であった。重合体Ａ−２の極限粘度［η］は１．５ｄｌ／ｇであり、重量平均分子量（Ｍｗ）は３３７，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１であった。重合体Ａ−２の融点（Ｔｍ）は観察されず、ｔａｎδの最大値は２．８（最大値を示す際の温度：３１℃）であった。
重合体Ａ−２中の４−メチル−１−ペンテンの含有率は７２．５ｍｏｌ％であり、プロピレンの含有率は２７．５ｍｏｌ％であった。また、重合体Ａ−２の密度は８３９ｋｇ／ｍ３であった。重合体Ａ−２の極限粘度［η］は１．５ｄｌ／ｇであり、重量平均分子量（Ｍｗ）は３３７，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１であった。重合体Ａ−２の融点（Ｔｍ）は観察されず、ｔａｎδの最大値は２．８（最大値を示す際の温度：３１℃）であった。
［合成例３］重合体Ａ−３（重合体Ａ）の合成
充分に窒素置換した容量１．５Ｌの攪拌翼付のＳＵＳ製オートクレーブに、７５０ｍｌの４−メチル−１−ペンテンを２３℃で装入した後、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡＬ）の１．０ｍｍｏｌ／ｍｌトルエン溶液を０．７５ｍｌ装入し、攪拌機を回した。
次に、オートクレーブを内温が６０℃になるまで加熱し、全圧（ゲージ圧）が０．１５ＭＰａとなるようにプロピレンで加圧した。
続いて、予め調製しておいた、Ａｌ換算で１ｍｍｏｌのメチルアルミノキサン、及び０．００５ｍｍｏｌのジフェニルメチレン（１−エチル−３−ｔ−ブチル−シクロペンタジエニル）（２，７−ジ−ｔ−ブチル−フルオレニル）ジルコニウムジクロリドを含むトルエン溶液０．３４ｍｌをオートクレーブに窒素で圧入し、重合反応を開始させた。重合反応中は、オートクレーブの内温が６０℃になるように温度調整した。
重合開始から６０分後、オートクレーブにメタノール５ｍｌを窒素で圧入し、重合反応を停止させた後、オートクレーブ内を大気圧まで脱圧した。脱圧後、反応溶液に、該反応溶液を攪拌しながらアセトンを添加し、溶媒を含む重合反応生成物を得た。次いで、得られた溶媒を含む重合反応生成物を減圧下、１３０℃で１２時間乾燥させて、重合体Ａとして、４５．９ｇの粉末状の重合体Ａ−３を得た。
充分に窒素置換した容量１．５Ｌの攪拌翼付のＳＵＳ製オートクレーブに、７５０ｍｌの４−メチル−１−ペンテンを２３℃で装入した後、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡＬ）の１．０ｍｍｏｌ／ｍｌトルエン溶液を０．７５ｍｌ装入し、攪拌機を回した。
次に、オートクレーブを内温が６０℃になるまで加熱し、全圧（ゲージ圧）が０．１５ＭＰａとなるようにプロピレンで加圧した。
続いて、予め調製しておいた、Ａｌ換算で１ｍｍｏｌのメチルアルミノキサン、及び０．００５ｍｍｏｌのジフェニルメチレン（１−エチル−３−ｔ−ブチル−シクロペンタジエニル）（２，７−ジ−ｔ−ブチル−フルオレニル）ジルコニウムジクロリドを含むトルエン溶液０．３４ｍｌをオートクレーブに窒素で圧入し、重合反応を開始させた。重合反応中は、オートクレーブの内温が６０℃になるように温度調整した。
重合開始から６０分後、オートクレーブにメタノール５ｍｌを窒素で圧入し、重合反応を停止させた後、オートクレーブ内を大気圧まで脱圧した。脱圧後、反応溶液に、該反応溶液を攪拌しながらアセトンを添加し、溶媒を含む重合反応生成物を得た。次いで、得られた溶媒を含む重合反応生成物を減圧下、１３０℃で１２時間乾燥させて、重合体Ａとして、４５．９ｇの粉末状の重合体Ａ−３を得た。
得られた重合体Ａ−３の各種物性の測定結果を表１に示す。
重合体Ａ−３中の４−メチル−１−ペンテンの含有率は９２．３ｍｏｌ％であり、プロピレンの含有率は７．７ｍｏｌ％であった。また、重合体Ａ−３の密度は８３２ｋｇ／ｍ３であった。重合体Ａ−３の極限粘度［η］は１．６ｄｌ／ｇであり、重量平均分子量（Ｍｗ）は３７０，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１であった。重合体Ａ−３の融点（Ｔｍ）は１７８℃であり、ｔａｎδの最大値は０．４（最大値を示す際の温度：４０℃）であった。
重合体Ａ−３中の４−メチル−１−ペンテンの含有率は９２．３ｍｏｌ％であり、プロピレンの含有率は７．７ｍｏｌ％であった。また、重合体Ａ−３の密度は８３２ｋｇ／ｍ３であった。重合体Ａ−３の極限粘度［η］は１．６ｄｌ／ｇであり、重量平均分子量（Ｍｗ）は３７０，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１であった。重合体Ａ−３の融点（Ｔｍ）は１７８℃であり、ｔａｎδの最大値は０．４（最大値を示す際の温度：４０℃）であった。
重合体の各種物性の測定方法を以下に示す。
測定結果を下記表１に示す。
測定結果を下記表１に示す。
〔組成〕
重合体Ａ中の、構成単位（Ｘ）（４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位）及び構成単位（Ｙ）（プロピレンに由来する構成単位；下記表１中では、単に「プロピレン」と表記する）の含有率（モル％）は、１３Ｃ−ＮＭＲにより測定した。測定条件は、下記のとおりである。
重合体Ａ中の、構成単位（Ｘ）（４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位）及び構成単位（Ｙ）（プロピレンに由来する構成単位；下記表１中では、単に「プロピレン」と表記する）の含有率（モル％）は、１３Ｃ−ＮＭＲにより測定した。測定条件は、下記のとおりである。
〜条件〜
測定装置：核磁気共鳴装置（ＥＣＰ５００型、日本電子（株）製）
観測核：１３Ｃ（１２５ＭＨｚ）
シーケンス：シングルパルスプロトンデカップリング
パルス幅：４．７μ秒（４５°パルス）
繰り返し時間：５．５秒
積算回数：１万回以上
溶媒：オルトジクロロベンゼン／重水素化ベンゼン（容量比：８０／２０）混合溶媒
試料濃度：５５ｍｇ／０．６ｍＬ
測定温度：１２０℃
ケミカルシフトの基準値：２７．５０ｐｐｍ
測定装置：核磁気共鳴装置（ＥＣＰ５００型、日本電子（株）製）
観測核：１３Ｃ（１２５ＭＨｚ）
シーケンス：シングルパルスプロトンデカップリング
パルス幅：４．７μ秒（４５°パルス）
繰り返し時間：５．５秒
積算回数：１万回以上
溶媒：オルトジクロロベンゼン／重水素化ベンゼン（容量比：８０／２０）混合溶媒
試料濃度：５５ｍｇ／０．６ｍＬ
測定温度：１２０℃
ケミカルシフトの基準値：２７．５０ｐｐｍ
〔極限粘度［η］〕
重合体Ａの極限粘度［η］は、測定装置としてウベローデ粘度計を用い、デカリン溶媒中、１３５℃で測定した。
具体的には、約２０ｍｇの粉末状の重合体Ａをデカリン２５ｍｌに溶解させた後、ウベローデ粘度計を用い、１３５℃のオイルバス中で比粘度ηｓｐを測定した。このデカリン溶液にデカリンを５ｍｌ加えて希釈した後、上記と同様にして比粘度ηｓｐを測定した。この希釈操作を更に２回繰り返し、濃度（Ｃ）を０に外挿した時のηｓｐ／Ｃの値を極限粘度［η］（単位：ｄｌ／ｇ）として求めた（下記の式１参照）。
［η］＝ｌｉｍ（ηｓｐ／Ｃ） （Ｃ→０）・・・式１
重合体Ａの極限粘度［η］は、測定装置としてウベローデ粘度計を用い、デカリン溶媒中、１３５℃で測定した。
具体的には、約２０ｍｇの粉末状の重合体Ａをデカリン２５ｍｌに溶解させた後、ウベローデ粘度計を用い、１３５℃のオイルバス中で比粘度ηｓｐを測定した。このデカリン溶液にデカリンを５ｍｌ加えて希釈した後、上記と同様にして比粘度ηｓｐを測定した。この希釈操作を更に２回繰り返し、濃度（Ｃ）を０に外挿した時のηｓｐ／Ｃの値を極限粘度［η］（単位：ｄｌ／ｇ）として求めた（下記の式１参照）。
［η］＝ｌｉｍ（ηｓｐ／Ｃ） （Ｃ→０）・・・式１
〔重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）〕
重合体Ａの重量平均分子量（Ｍｗ）、及び重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比で表される分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ：Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）を用いた標準ポリスチレン換算法により算出した。測定条件は、下記のとおりである。
重合体Ａの重量平均分子量（Ｍｗ）、及び重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比で表される分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ：Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）を用いた標準ポリスチレン換算法により算出した。測定条件は、下記のとおりである。
〜条件〜
測定装置：ＧＰＣ（ＡＬＣ／ＧＰＣ １５０−Ｃ ｐｌｕｓ型、示唆屈折計検出器一体型、Ｗａｔｅｒｓ製）
カラム：ＧＭＨ６−ＨＴ（東ソー（株）製）２本、及びＧＭＨ６−ＨＴＬ（東ソー（株）製）２本を直列に接続
溶離液：ｏ−ジクロロベンゼン
カラム温度：１４０℃
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
測定装置：ＧＰＣ（ＡＬＣ／ＧＰＣ １５０−Ｃ ｐｌｕｓ型、示唆屈折計検出器一体型、Ｗａｔｅｒｓ製）
カラム：ＧＭＨ６−ＨＴ（東ソー（株）製）２本、及びＧＭＨ６−ＨＴＬ（東ソー（株）製）２本を直列に接続
溶離液：ｏ−ジクロロベンゼン
カラム温度：１４０℃
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
〔メルトフローレート（ＭＦＲ）〕
重合体Ａのメルトフローレート（ＭＦＲ：Ｍｅｌｔ Ｆｌｏｗ Ｒａｔｅ）は、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準拠し、２３０℃で２．１６ｋｇの荷重にて測定した。単位は、ｇ／１０ｍｉｎ）である。
重合体Ａのメルトフローレート（ＭＦＲ：Ｍｅｌｔ Ｆｌｏｗ Ｒａｔｅ）は、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準拠し、２３０℃で２．１６ｋｇの荷重にて測定した。単位は、ｇ／１０ｍｉｎ）である。
〔密度〕
重合体Ａの密度（ｋｇ／ｍ３）は、ＪＩＳ Ｋ７１１２（密度勾配管法）に準拠して、測定した。この密度（ｋｇ／ｍ３）を軽量性の指標とした。
重合体Ａの密度（ｋｇ／ｍ３）は、ＪＩＳ Ｋ７１１２（密度勾配管法）に準拠して、測定した。この密度（ｋｇ／ｍ３）を軽量性の指標とした。
〔融点（Ｔｍ）〕
重合体Ａの融点（Ｔｍ）は、測定装置として示差走査熱量計（ＤＳＣ２２０Ｃ型、セイコーインスツル（株）製）を用いて測定した。
約５ｍｇの重合体Ａを測定用アルミニウムパン中に密封し、室温から１０℃／ｍｉｎで２００℃まで加熱した。重合体Ａを完全融解させるために、２００℃で５分間保持し、次いで、１０℃／ｍｉｎで−５０℃まで冷却した。−５０℃で５分間置いた後、１０℃／ｍｉｎで２００℃まで２度目の加熱を行なった。この２度目の加熱でのピーク温度（℃）を重合体Ａの融点（Ｔｍ）とした。この重合体Ａの融点（Ｔｍ）を耐熱性の指標とした。
重合体Ａの融点（Ｔｍ）は、測定装置として示差走査熱量計（ＤＳＣ２２０Ｃ型、セイコーインスツル（株）製）を用いて測定した。
約５ｍｇの重合体Ａを測定用アルミニウムパン中に密封し、室温から１０℃／ｍｉｎで２００℃まで加熱した。重合体Ａを完全融解させるために、２００℃で５分間保持し、次いで、１０℃／ｍｉｎで−５０℃まで冷却した。−５０℃で５分間置いた後、１０℃／ｍｉｎで２００℃まで２度目の加熱を行なった。この２度目の加熱でのピーク温度（℃）を重合体Ａの融点（Ｔｍ）とした。この重合体Ａの融点（Ｔｍ）を耐熱性の指標とした。
〔応力緩和性〕
上記にて得られた粉末状の重合体Ａを、リップ幅２４０ｍｍのＴダイを設置した２０ｍｍφの単軸押出機（単軸シート形成機、（株）田中鉄工所製）のホッパーに投入した。そして、シリンダー温度を１００℃〜２５０℃、ダイス温度を２５０℃に設定し、Ｔダイから溶融混練物を押し出した。この押し出した溶融混練物を、チルロール温度２０℃、引取速度１０ｍ／ｍｉｎで引き取ることにより、厚さ５０μｍのキャストフィルムを得た。このキャストフィルムを４５ｍｍ×１０ｍｍに切り出し、試験片とした。
この試験片について、粘弾性測定装置（ＭＣＲ３０１、Ａｎｔｏｎ Ｐａａｒ社製）を用いて、周波数１０ｒａｄ／ｓで、−７０℃〜１８０℃の温度範囲の動的粘弾性を測定し、ガラス転移温度に起因する損失正接（ｔａｎδ）の最大値（ピーク値）と、その最大値を示す際の温度（ピーク時の温度）とを測定した。この測定は、キャストフィルムの形成から３日後に行った。
前述のとおり、ｔａｎδのピーク値が０．４以上であり、かつ、ピーク時の温度が−５℃〜５０℃の温度範囲内にあると、応力緩和性に優れている。
上記にて得られた粉末状の重合体Ａを、リップ幅２４０ｍｍのＴダイを設置した２０ｍｍφの単軸押出機（単軸シート形成機、（株）田中鉄工所製）のホッパーに投入した。そして、シリンダー温度を１００℃〜２５０℃、ダイス温度を２５０℃に設定し、Ｔダイから溶融混練物を押し出した。この押し出した溶融混練物を、チルロール温度２０℃、引取速度１０ｍ／ｍｉｎで引き取ることにより、厚さ５０μｍのキャストフィルムを得た。このキャストフィルムを４５ｍｍ×１０ｍｍに切り出し、試験片とした。
この試験片について、粘弾性測定装置（ＭＣＲ３０１、Ａｎｔｏｎ Ｐａａｒ社製）を用いて、周波数１０ｒａｄ／ｓで、−７０℃〜１８０℃の温度範囲の動的粘弾性を測定し、ガラス転移温度に起因する損失正接（ｔａｎδ）の最大値（ピーク値）と、その最大値を示す際の温度（ピーク時の温度）とを測定した。この測定は、キャストフィルムの形成から３日後に行った。
前述のとおり、ｔａｎδのピーク値が０．４以上であり、かつ、ピーク時の温度が−５℃〜５０℃の温度範囲内にあると、応力緩和性に優れている。
＜実施例１＞
〔拡張性基材フィルムの作製〕
重合体Ａとしての上記重合体Ａ−１ ７５質量部と、重合体Ｂとしての下記重合体Ｂ−１ ２５質量部と、を混合（ドライブレンド）した。次いで、得られた混合物を、リップ幅２４０ｍｍのＴダイを設置した２０ｍｍφの単軸押出機（単軸シート形成機、（株）田中鉄工所製）のホッパーに投入した。そして、シリンダー温度を２３０℃、ダイス温度を２５０℃に設定し、Ｔダイから溶融混練物を押し出し、キャスト成形することにより、拡張性基材フィルム（以下、単に「フィルム」ともいう）を得た。
なお、フィルムは、厚みが５０μｍのものと、厚みが２００μｍのものと、を形成した。
〔拡張性基材フィルムの作製〕
重合体Ａとしての上記重合体Ａ−１ ７５質量部と、重合体Ｂとしての下記重合体Ｂ−１ ２５質量部と、を混合（ドライブレンド）した。次いで、得られた混合物を、リップ幅２４０ｍｍのＴダイを設置した２０ｍｍφの単軸押出機（単軸シート形成機、（株）田中鉄工所製）のホッパーに投入した。そして、シリンダー温度を２３０℃、ダイス温度を２５０℃に設定し、Ｔダイから溶融混練物を押し出し、キャスト成形することにより、拡張性基材フィルム（以下、単に「フィルム」ともいう）を得た。
なお、フィルムは、厚みが５０μｍのものと、厚みが２００μｍのものと、を形成した。
重合体Ｂ−１としては、（株）プライムポリマー製のプライムポリプロ（登録商標）Ｆ３２７（プロピレン・エチレン・ブテンランダム共重合体、密度：９０７ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ（２３０℃）：７ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
〔評価〕
上記重合体Ｂ及び上記拡張性基材フィルムについて、以下の評価（測定）を行った。
上記重合体Ｂ及び上記拡張性基材フィルムについて、以下の評価（測定）を行った。
１．重合体Ｂの主成分である構成単位の種類及びその含有率（モル％）の測定
重合体Ｂについて、１３Ｃ−ＮＭＲにより、主成分である構成単位の種類及び含有率（モル％）を測定した。１３Ｃ−ＮＭＲの測定条件の詳細は、重合体Ａの組成の測定における１３Ｃ−ＮＭＲの測定条件と同様である。
結果を下記表２に示す。
重合体Ｂについて、１３Ｃ−ＮＭＲにより、主成分である構成単位の種類及び含有率（モル％）を測定した。１３Ｃ−ＮＭＲの測定条件の詳細は、重合体Ａの組成の測定における１３Ｃ−ＮＭＲの測定条件と同様である。
結果を下記表２に示す。
２．フィルムの引張弾性率（ＹＭ）及び引張破断伸び（ＥＬ）の測定
厚みが２００μｍのフィルムをＪＩＳ Ｋ７１２７（１９９９）に準拠する「試験片タイプ５」のダンベル形状に切断したものを試験片として用いた。
ＪＩＳ Ｋ７１２７（１９９９）に準拠し、引張試験機（万能引張試験機３３８０、インストロン製）を用いて、チャック間距離５０ｍｍ、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎ、及び温度２３℃の条件で、上記試験片の引張弾性率（ＹＭ）（単位：ＭＰａ）及び引張破断伸び（ＥＬ）（単位：％）を測定した。
これらの測定は、フィルムのＭＤ方向及びＴＤ方向のそれぞれについて行った。
次に、ＭＤ方向の引張破断伸びをＥＬＭＤとし、ＴＤ方向の引張破断伸びをＥＬＴＤとして、比率〔ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤ〕を算出した。
以上の結果を下記表２に示す。
厚みが２００μｍのフィルムをＪＩＳ Ｋ７１２７（１９９９）に準拠する「試験片タイプ５」のダンベル形状に切断したものを試験片として用いた。
ＪＩＳ Ｋ７１２７（１９９９）に準拠し、引張試験機（万能引張試験機３３８０、インストロン製）を用いて、チャック間距離５０ｍｍ、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎ、及び温度２３℃の条件で、上記試験片の引張弾性率（ＹＭ）（単位：ＭＰａ）及び引張破断伸び（ＥＬ）（単位：％）を測定した。
これらの測定は、フィルムのＭＤ方向及びＴＤ方向のそれぞれについて行った。
次に、ＭＤ方向の引張破断伸びをＥＬＭＤとし、ＴＤ方向の引張破断伸びをＥＬＴＤとして、比率〔ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤ〕を算出した。
以上の結果を下記表２に示す。
３．フィルムのエルメンドルフ引裂強さの測定
厚みが５０μｍのフィルムを、７５ｍｍ×６３ｍｍの長方形状に切断したものを試験片として用いた。
ＪＩＳ Ｋ７１２８−２（１９９８）に準拠し、（株）東洋精機製作所ＳＡ−ＷＰを用い、測定温度２３℃の条件で、試験片のエルメンドルフ引裂強さ（単位：Ｎ／ｃｍ）を測定した。
この測定は、フィルムのＭＤ方向及びＴＤ方向のそれぞれについて行った。
次に、ＭＤ方向のエルメンドルフ引裂強さをＳＭＤとし、ＴＤ方向のエルメンドルフ引裂強さをＳＴＤとして、比率〔ＳＭＤ／ＳＴＤ〕を算出した。
以上の結果を下記表２に示す。
厚みが５０μｍのフィルムを、７５ｍｍ×６３ｍｍの長方形状に切断したものを試験片として用いた。
ＪＩＳ Ｋ７１２８−２（１９９８）に準拠し、（株）東洋精機製作所ＳＡ−ＷＰを用い、測定温度２３℃の条件で、試験片のエルメンドルフ引裂強さ（単位：Ｎ／ｃｍ）を測定した。
この測定は、フィルムのＭＤ方向及びＴＤ方向のそれぞれについて行った。
次に、ＭＤ方向のエルメンドルフ引裂強さをＳＭＤとし、ＴＤ方向のエルメンドルフ引裂強さをＳＴＤとして、比率〔ＳＭＤ／ＳＴＤ〕を算出した。
以上の結果を下記表２に示す。
４．フィルムの応力緩和率の測定
厚みが５０μｍのフィルムから幅１０ｍｍ×長さ１００ｍｍのシートを打ち抜いたものを試験片として用いた。
引張試験機（万能引張試験機３３８０、インストロン製）を用いて、チャック間距離７５ｍｍ、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎ、及び温度２３℃の条件で、試験片を１０％伸長させた。そして、１０％伸長させた際の応力（初期応力）を計測し、そのまま試験片の伸長を１２０秒間保持させ、その間の応力の変化についても計測した。そして、上記初期応力と、伸長から６０秒後の応力と、の差から応力緩和率（％）を算出した。
以上の結果を下記表２に示す。
なお、応力緩和率が高い程、応力緩和性に優れている。
厚みが５０μｍのフィルムから幅１０ｍｍ×長さ１００ｍｍのシートを打ち抜いたものを試験片として用いた。
引張試験機（万能引張試験機３３８０、インストロン製）を用いて、チャック間距離７５ｍｍ、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎ、及び温度２３℃の条件で、試験片を１０％伸長させた。そして、１０％伸長させた際の応力（初期応力）を計測し、そのまま試験片の伸長を１２０秒間保持させ、その間の応力の変化についても計測した。そして、上記初期応力と、伸長から６０秒後の応力と、の差から応力緩和率（％）を算出した。
以上の結果を下記表２に示す。
なお、応力緩和率が高い程、応力緩和性に優れている。
＜実施例２〜１０及び比較例１〜４＞
実施例１において、重合体Ａの種類、重合体Ｂの種類、及び含有質量比〔重合体Ａ／重合体Ｂ〕（表２中では、「含有質量比〔Ａ／Ｂ〕」と表記する）の組み合わせを、下記表２に示す組み合わせに変更したこと以外は実施例１と同様にして拡張性基材フィルムを作製し、実施例１と同様の評価を行った。
結果を表２に示す。
実施例１において、重合体Ａの種類、重合体Ｂの種類、及び含有質量比〔重合体Ａ／重合体Ｂ〕（表２中では、「含有質量比〔Ａ／Ｂ〕」と表記する）の組み合わせを、下記表２に示す組み合わせに変更したこと以外は実施例１と同様にして拡張性基材フィルムを作製し、実施例１と同様の評価を行った。
結果を表２に示す。
−表２の説明−
・重合体Ｂ−１ ・・・ （株）プライムポリマー製のプライムポリプロ（登録商標）Ｆ３２７（プロピレン・エチレン・ブテンランダム共重合体、密度：９０７ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ（２３０℃）：７ｇ／１０ｍｉｎ）
・重合体Ｂ−２ ・・・ （株）プライムポリマー製のプライムポリプロ（登録商標）Ｆ１０７（ホモポリプロピレン、密度：９１０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ（２３０℃）：７ｇ／１０ｍｉｎ）
・重合体Ｂ−３ ・・・ （株）プライムポリマー製のエボリュー（登録商標）ＳＰ２５４０（直鎖状低密度ポリエチレン、密度：９２４ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ（１９０℃）：３．８ｇ／１０ｍｉｎ）
・重合体Ｂ−４ ・・・ （株）プライムポリマー製のエボリュー（登録商標）ＳＰ０５４０（直鎖状低密度ポリエチレン、密度：９０３ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ（１９０℃）：３．８ｇ／１０ｍｉｎ）
・重合体Ｂ−５ ・・・ 三井化学（株）製のタフマー（登録商標）Ａ０５５０Ｓ（エチレン・ブテン共重合体、密度８６０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ（１９０℃）＝０．５ｇ／１０分）
・重合体Ｂ−１ ・・・ （株）プライムポリマー製のプライムポリプロ（登録商標）Ｆ３２７（プロピレン・エチレン・ブテンランダム共重合体、密度：９０７ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ（２３０℃）：７ｇ／１０ｍｉｎ）
・重合体Ｂ−２ ・・・ （株）プライムポリマー製のプライムポリプロ（登録商標）Ｆ１０７（ホモポリプロピレン、密度：９１０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ（２３０℃）：７ｇ／１０ｍｉｎ）
・重合体Ｂ−３ ・・・ （株）プライムポリマー製のエボリュー（登録商標）ＳＰ２５４０（直鎖状低密度ポリエチレン、密度：９２４ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ（１９０℃）：３．８ｇ／１０ｍｉｎ）
・重合体Ｂ−４ ・・・ （株）プライムポリマー製のエボリュー（登録商標）ＳＰ０５４０（直鎖状低密度ポリエチレン、密度：９０３ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ（１９０℃）：３．８ｇ／１０ｍｉｎ）
・重合体Ｂ−５ ・・・ 三井化学（株）製のタフマー（登録商標）Ａ０５５０Ｓ（エチレン・ブテン共重合体、密度８６０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ（１９０℃）＝０．５ｇ／１０分）
表２に示すように、実施例１〜１０では、高い応力緩和率が維持され、ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤ及びＳＭＤ／ＳＴＤが共に１．０に近い値となっていた。これにより、実施例１〜１０では、応力緩和性に優れ、かつ、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が低減されていることがわかった。
一方、重合体Ｂの主成分である構成単位が、重合体Ａ中の構成単位（Ｙ）（ここでは、プロピレンに由来する構成単位）以外の構成単位である比較例１〜４では、ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤ及びＳＭＤ／ＳＴＤが１．０から離れた値となっていた。これにより、比較例１〜４では、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が大きいことがわかった。
一方、重合体Ｂの主成分である構成単位が、重合体Ａ中の構成単位（Ｙ）（ここでは、プロピレンに由来する構成単位）以外の構成単位である比較例１〜４では、ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤ及びＳＭＤ／ＳＴＤが１．０から離れた値となっていた。これにより、比較例１〜４では、引張破断伸びの異方性及び引裂強さの異方性が大きいことがわかった。
〔透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によるフィルムの観察〕
また、実施例１〜１０及び比較例１〜４のフィルムを、断面方向にマイクロトームにて研削しフィルム断面の超薄切片をトリミングした後、四酸化ルテニウムの蒸気に一定時間晒して一方を選択的に染色させた。作製したサンプルを日立ハイテク(株)製の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope、型式：Ｈ−７６５０）を用いて観察したところ、実施例１〜１０及び比較例１〜４のフィルムが、海島構造を有していることが確認された。
また、実施例１〜１０及び比較例１〜４のフィルムを、断面方向にマイクロトームにて研削しフィルム断面の超薄切片をトリミングした後、四酸化ルテニウムの蒸気に一定時間晒して一方を選択的に染色させた。作製したサンプルを日立ハイテク(株)製の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope、型式：Ｈ−７６５０）を用いて観察したところ、実施例１〜１０及び比較例１〜４のフィルムが、海島構造を有していることが確認された。
Claims (11)
- ４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位（Ｘ）を７０モル％〜９５モル％、及び４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位（Ｙ）を５モル％〜３０モル％含む重合体Ａと、前記構成単位（Ｙ）を主成分とする重合体Ｂと、を含有し、前記重合体Ａと前記重合体Ｂとの合計量を１００質量部としたときに、前記重合体Ａの含有量が２０質量部〜９０質量部であり、前記重合体Ｂの含有量が１０質量部〜８０質量部である拡張性基材フィルムを含む基材層と、
アクリル系粘着剤を含み、ダイシングフィルムとしてＳＵＳ−３０４−ＢＡ板の表面に貼着されて６０分間放置した後、前記ＳＵＳ−３０４−ＢＡ板の表面から前記ダイシングフィルムを剥離するときの、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定される粘着力が、０．１Ｎ／２５ｍｍ〜１０Ｎ／２５ｍｍである粘着剤層と、
を備える、ダイシングフィルム。 - 前記基材層と前記粘着剤層との間に配置された中間層であって、２５℃における引張弾性率Ｅ（２５）及び６０℃における引張弾性率Ｅ（６０）がＥ（６０）／Ｅ（２５）＜０．１の関係を満たし、かつ前記引張弾性率Ｅ（２５）が１ＭＰａ〜１０ＭＰａである中間層を更に備える、請求項１に記載のダイシングフィルム。
- 前記重合体Ａが、前記構成単位（Ｘ）を７０モル％〜９０モル％含む、請求項１又は請求項２に記載のダイシングフィルム。
- 前記構成単位（Ｙ）が、プロピレンに由来する構成単位である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のダイシングフィルム。
- 前記重合体Ｂが、前記構成単位（Ｙ）を５０モル％〜１００モル％含む、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のダイシングフィルム。
- 下記式（１）及び下記式（２）を満たす、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のダイシングフィルム。
０．５≦ＥＬＭＤ／ＥＬＴＤ≦１．５ ・・・ 式（１）
〔式（１）中、ＥＬＭＤは、ＭＤ方向の引張破断伸びを示し、ＥＬＴＤは、ＴＤ方向の引張破断伸びを示す。〕
０．４≦ＳＭＤ／ＳＴＤ≦１．５ ・・・ 式（２）
〔式（２）中、ＳＭＤは、ＭＤ方向のエルメンドルフ引裂強さを示し、ＳＴＤは、ＴＤ方向のエルメンドルフ引裂強さを示す。〕 - ４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位（Ｘ）を７０モル％〜９５モル％、及び４−メチル−１−ペンテン以外の炭素数２〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位（Ｙ）を５モル％〜３０モル％含む重合体Ａと、前記構成単位（Ｙ）を主成分とする重合体Ｂと、を含有し、前記重合体Ａと前記重合体Ｂとの合計量を１００質量部としたときに、前記重合体Ａの含有量が２０質量部〜９０質量部であり、前記重合体Ｂの含有量が１０質量部〜８０質量部である拡張性基材フィルムを含む基材層と、
アクリル系粘着剤を含み、半導体用表面保護フィルムとしてＳＵＳ−３０４−ＢＡ板の表面に貼着されて６０分間放置した後、前記ＳＵＳ−３０４−ＢＡ板の表面から前記半導体用表面保護フィルムを剥離するときの、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定される粘着力が、０．１Ｎ／２５ｍｍ〜１０Ｎ／２５ｍｍである粘着剤層と、
を備え、半導体基板の研削時に半導体基板の非研削面を保護する、半導体用表面保護フィルム。 - 半導体基板に、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のダイシングフィルムを、前記半導体基板と前記粘着剤層とが対向するように貼着する貼着工程と、
前記ダイシングフィルムが貼着された半導体基板をダイシングするダイシング工程と、
前記ダイシング工程後のダイシングフィルムを拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップを得る拡張工程と、
前記複数の半導体チップの少なくとも１つをピックアップするピックアップ工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。 - 前記貼着工程は、前記半導体基板に前記ダイシングフィルムを、４０℃〜８０℃の温度で、０．３ＭＰａ〜０．５ＭＰａの圧力で貼着する、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記貼着工程は、一方の面のみに回路が形成された半導体基板の回路形成面に、前記ダイシングフィルムを、前記回路形成面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する工程であり、
更に、前記貼着工程後であって前記拡張工程前に、前記半導体基板の回路非形成面を研削する研削工程を有する、請求項８又は請求項９に記載の半導体装置の製造方法。 - 一方の面のみに回路が形成された半導体基板の回路形成面から該半導体基板の厚さ未満の切り込み深さの溝を形成する溝形成工程と、
前記溝が形成された前記半導体基板の回路形成面に、請求項７に記載の半導体用表面保護フィルムを、前記回路形成面と前記粘着剤層とが対向するように貼着する貼着工程と、
前記半導体用表面保護フィルムが貼着された前記半導体基板の回路非形成面を研削する研削工程と、
前記研削工程後の半導体用表面保護フィルムを拡張することにより、各々が離隔された複数の半導体チップを得る拡張工程と、
前記複数の半導体チップの少なくとも１つをピックアップするピックアップ工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。
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