KR20190060785A - 레이저 다이싱용 보조 시트 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저광의 조사에 의한 풀컷 다이싱 시의 칩 날림을 방지할 수 있는 레이저 다이싱용 보조 시트를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 레이저 다이싱용 보조 시트는 점착제 조성물에 의해 형성된 점착층을 갖고, 그 점착층은 그 구성재료(점착제 조성물)의 500℃에 있어서의 잔류중량(질소기류하(50 ㎖／분), 승온속도 10℃／분으로 측정)이 5.5% 이하가 되도록 조정되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

레이저 다이싱용 보조 시트{LASER DICING ASSISTANCE SHEET}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 가공(다이싱)하기 위한 도구로서 레이저광을 사용하는 경우에 사용되는 레이저 다이싱용 보조 시트에 관한 것이다.
열손상이 적고, 고정세의 가공이 가능한 레이저광을 사용한 반도체 웨이퍼의 절단방법이 알려져 있다. 이 기술은 예를 들면 기판에 다양한 회로형성 및 표면처리를 행한 피가공물을 다이싱용 보조 시트에 고정하고, 이것과는 상대적으로 소정 속도로 통과하는 레이저광에 의해 피가공물을 다이싱하여 소편(小片)으로 칩화하는 방법이다(특허문헌 1).
일본국 특허공개 2004-79746호 공보
그러나, 특허문헌 1에 의한 기술 등 지금까지 다이싱용 보조 시트를 사용하여 피가공물을 풀컷 다이싱한 경우, 다이싱 후 제멋대로 소편화된 칩이 다이싱용 보조 시트로부터 박리되어 버리는 현상(칩 날림)이 발생하여, 그 결과 그 후에 행하여야 하는 공정(픽업 공정 등)에 지장을 초래하여 수율 저하를 일으키는 경우가 있었다.
본 발명의 일측면에서는, 레이저광의 조사에 의한 풀컷 다이싱 시의 칩 날림을 방지할 수 있는 레이저 다이싱용 보조 시트를 제공한다.
본 발명자는 레이저광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 가공(다이싱)할 때, 피가공물의 레이저광 조사 부분에 발생하는 열(500~600℃ 정도) 등의 영향이 칩 날림에 관계하고 있는 것은 아닌가 하는 가설을 세우고 예의 검토하였다. 그 결과 피가공물에 대향하여 첩부(貼付)되는 점착층을 소정 물성이 발현되도록 조정함으로써, 레이저광 조사 시에 발생하는 열의 영향이 주위로 확장되는 것을 억제하고, 이로써 본래 칩을 유지해 두어야 하는 부분의 점착력 저하를 저감시킴으로써, 칩 날림 방지성능을 구비한 레이저 다이싱용 보조 시트를 얻을 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
본 발명의 레이저 다이싱용 보조 시트는 구성재료(점착제 조성물)의 500℃에 있어서의 잔류중량이 5.5% 이하로 조정된 점착층을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서 점착층은 구성재료의 250℃에 있어서의 잔류중량이 5.5% 이상으로 조정되어 있을 수 있다. 또한 점착층은 중량 감소 개시온도가 150℃ 이상 500℃ 미만으로 조정되어 있을 수 있다. 또한 점착층은 50% 중량 감소 온도가 300℃ 이상 500℃ 미만으로 조정되어 있을 수 있다.
본 발명의 레이저 다이싱용 보조 시트는 구성재료의 500℃에 있어서의 잔류중량이 5.5% 이하로 조정된 점착층을 갖기 때문에, 레이저광의 조사 부분에 대응하는 점착층의 구성재료는 실질적으로 모두 분해 또는 승화(소실)된다. 이 때문에, 레이저광의 조사 부분에 대응하는 점착층 구성재료의 일부가 잔존하고 있었던 경우에 발생하는 현상(잔존한 구성재료를 기점으로 하여, 레이저광 조사 부분의 주위(비조사 부분)에 레이저광의 조사에 의해 발생한 열 등의 영향이 확장되어, 그 확장된 부분의 점착력이 저하되는 현상)을 발생시키는 경우는 없다. 그 결과, 풀컷 다이싱 후에 개편화(個片化)된 각 칩은 대응하는 점착층으로부터 박리되지 않고 유지된다.
즉 본 발명의 레이저 다이싱용 보조 시트에 의하면, 레이저광의 조사에 의한 풀컷 다이싱 시의 개편화된 각 칩의 날림(칩 날림)을 효과적으로 방지할 수 있다. 이것에 의해, 그 후에 행하여야 하는 공정(픽업 공정 등)에 지장을 초래하는 경우가 없어, 수율 저하가 억제된다.
본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 아래에서는, 기재 필름의 한쪽 면(점착층이 적층되는 쪽 면)을 간단히 「표면」으로 약기하는 경우가 있고, 또한 기재 필름의 다른 쪽 면(점착층이 적층되는 쪽과는 반대 면)을 「이면」 또는 「배면」으로 약기하는 경우가 있다.
본 발명의 일실시형태의 레이저 다이싱용 보조 시트는 기재 필름과 기재 필름의 한쪽 면에 적층된 점착층을 구비하고 있다. 이하, 반도체 웨이퍼의 가공작업을 예로 들어 각 구성요소의 실시형태에 대해서 설명한다.
＜점착층＞
기재 필름의 표면에 적층되는 점착층은 그 구성재료(점착제 조성물)의 500℃에 있어서의 잔류중량이 5.5% 이하(바람직하게는 5% 이하, 보다 바람직하게는 3% 이하)로 조정되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명자는 이러한 특성 물성을 발현하는 점착층을 사용한 경우, 레이저광의 조사 부분(아래의 예에서는, 회로 간 스트리트에 상당하는 영역)에 존재하는 점착층의 구성재료를 실질적으로 모두 분해 또는 승화(즉 소실)시킬 수 있는 것을 발견하였다. 레이저광의 조사 부분에 대응하는 점착층의 구성재료를 실질적으로 모두 소실시킬 수 있기 때문에, 조사 부분 이외의 영역(컷 후의 칩에 접촉하고 있는 영역)에 잔존한 점착층의 구성재료가 레이저광 조사의 영향을 받는 경우는 없어, 그 영역의 점착력은 레이저광의 조사 전후에서 변화되지 않는다. 그 결과, 칩 날림의 발생이 효과적으로 방지된다.
구성재료의 500℃에 있어서의 잔류중량이 5.5%를 초과하는 점착층을 사용한 경우, 레이저광의 조사 부분에 대응하는 점착층의 구성재료를 실질적으로 모두 소실시키는 것은 불가능하여, 그 결과 잔존한 구성재료를 기점으로 하여, 레이저광 조사 부분의 주위로 레이저광의 조사에 의해 발생한 열 등의 영향이 확장되고, 그 확장된 부분의 점착력이 저하되어 칩 날림이 발생하는 경우가 있다.
본 발명의 일실시형태의 점착층은 구성재료의 250℃에 있어서의 잔류중량이, 예를 들면 5.5% 이상(바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 90% 이상)으로 조정되어 있는 것이 바람직하다. 상기 특성(구성재료의 500℃에 있어서의 잔류중량이 5.5% 이하)에 더하여, 구성재료의 250℃에 있어서의 잔류중량이 5.5% 이상으로 조정된 점착층을 사용한 경우, 레이저광 조사 이외의 가열 공정 시 등에 의도치 않게 점착력이 저하되는 것을 방지할 수 있는 등의 메리트가 얻어지기 쉽다.
상기 점착층의 조성은 적어도 상기 특성(구성재료의 500℃에 있어서의 잔류중량이 5.5% 이하)을 발현 가능한 한 특별히 한정되지 않고, 상기 점착층은 예를 들면 아래에 나타내는 점착제 조성물에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일실시형태의 점착제 조성물로서, 예를 들면 중량 감소 개시온도가 150℃ 이상 500℃ 미만이 되는 것, 및／또는 50% 중량 감소 온도가 300℃ 이상 500℃ 미만이 되는 것 등을 들 수 있다. 사용하는 조성물의 중량 감소 개시온도 및／또는 50% 중량 감소 온도가 지나치게 높으면, 사용하는 조성물의 500℃에 있어서의 잔류중량이 5.5% 이하가 되기 어렵고, 또한 지나치게 낮으면 절단 부분 이외의 점착층이 열영향을 받기 쉽다.
사용하는 조성물의 중량 감소 개시온도로서는 바람직하게는 170℃ 이상, 보다 바람직하게는 200℃ 이상이고, 바람직하게는 450℃ 이하, 보다 바람직하게는 400℃ 이하가 바람직하다. 또한 조성물의 50% 중량 감소 온도로서는 바람직하게는 325℃ 이상, 보다 바람직하게는 350℃ 이상이고, 바람직하게는 480℃ 이하, 보다 바람직하게는 450℃ 이하가 바람직하다. 사용하는 조성물의 중량 감소 개시온도 및／또는 50% 중량 감소 온도가 이들 범위에 있을 때, 한층 더 사용하는 조성물의 500℃에 있어서의 잔류중량을 5.5% 이하로 하기 쉽다.
또한, 본 발명에 있어서 500℃ 또는 250℃에 있어서의 잔류중량(%), 중량 감소 개시온도(℃), 및 50% 중량 감소 온도(℃)는 모두 일반적인 TG-DTA(열중량-시차열분석) 측정장치, 예를 들면 TG／DTA6200(에스아이아이·나노테크놀로지사 제조)을 사용하여, 질소기류하(50 ㎖／분), 승온속도 10℃／분의 조건으로 30℃부터 600℃까지 승온하여 측정한 것이다. 측정시료로서는 점착층의 구성재료(점착제 조성물)를 사용하는데, 상온에서 프레스 후 핀셋을 사용하여 접어서, 가능한 한 기포를 포함하지 않는 형상으로서 측정하는 것이 측정 정밀도를 향상시키기 위해 바람직하다.
본 발명의 일실시형태의 점착제 조성물로서, 예를 들면 특히 활성 에너지선이 조사됨으로써 점착력이 저하되어, 용이하게 박리할 수 있는 성능을 발현하는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 활성 에너지선 경화형 점착제 조성물로 점착층을 구성함으로써, 특히 피가공물의 박리성 향상을 도모할 수 있다.
이러한 것으로서는, 점착 주제로서의 아크릴계 폴리머 외에, 예를 들면 활성 에너지선 중합성 화합물, 가교제 및 중합개시제 등을 포함하는 경우가 있다.
아크릴계 폴리머는 일례의 점착제 조성물의 베이스 폴리머를 구성하는 성분이다. 일반적으로 점착제 조성물용 베이스 폴리머로서는, 아크릴계, 에폭시계, 폴리에스테르계, 실리콘계 등 각종 폴리머가 공지인데, 이들 중에서도 아크릴계의 폴리머는 투명성, 내열성, 비용, 점착력 제어의 용이함 등의 측면에서 우수하다. 따라서, 본 발명의 일실시형태에서는 베이스 폴리머로서 아크릴계 폴리머를 채용할 수 있다.
아크릴계 폴리머로서는, 그 구성 단위로서 아크릴산에스테르에 유래하는 반복단위(U1)를 필수 성분으로서 포함하고, 다른 반복단위(U2)를 포함할 수 있는 공중합체를 사용할 수 있다.
반복단위(U1)를 생성 가능한 아크릴산에스테르로서는, 예를 들면 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 이소노닐아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, tert-부틸아미노에틸메타크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트계 모노머를 들 수 있다. 이들 중에서도, n-부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트는 투명성, 내열성, 점착력 등의 측면에서 바람직한 (메타)아크릴레이트계 모노머이다.
또한 「(메타)아크릴레이트」란, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미한다.
아크릴산에스테르로서는, 히드록실기를 갖는 히드록실기 함유 아크릴산에스테르로서, 예를 들면 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시부틸아크릴레이트, 3-클로로-2-히드록시프로필아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 프로필렌글리콜아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트계 모노머를 들 수 있다. 이들 중에서도, 특히 2-히드록시에틸아크릴레이트는 바람직한 히드록실기 함유 (메타)아크릴레이트계 모노머이다.
그 밖의 반복단위(U2)를 생성 가능하고 아크릴산에스테르 이외인 모노머로서는, 예를 들면 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 아크릴로니트릴, 스티렌, 초산비닐, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 아크릴로니트릴 등이 바람직하다. 아크릴로니트릴은 응집력을 높일 수 있다.
반복단위(U1, U2)를 생성 가능한 상기 모노머는 각각 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.
아크릴계 폴리머는 카르복실기를 갖지 않는 것이 바람직하다. 카르복실기를 갖는 것을 사용한 경우, 활성 에너지선 조사 후에 있어서 피가공물의 박리성이 저하되는 경우가 있기 때문이다. 아크릴계 폴리머에 카르복실기를 갖지 않도록 하기 위해서는, 아크릴계 폴리머의 반복단위를 생성하는 모노머로서 카르복실기 함유 모노머를 사용하지 않도록 하면 된다. 카르복실기 함유 모노머는, 예를 들면 상기한 모노머 중 초산비닐, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산 등이다.
아크릴계 폴리머는 히드록실기를 갖는 것이 바람직하다. 히드록실기를 갖는 것을 사용한 경우, 점착 유지에 유효하기 때문이다. 아크릴계 폴리머에 히드록실기를 갖도록 하는 데는, 아크릴계 폴리머의 반복단위를 생성하는 모노머로서 히드록실기 함유 모노머를 사용하도록 하면 된다. 히드록실기 함유 모노머는, 예를 들면 상기한 모노머 중 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 (메타)아크릴레이트 모노머로서의 히드록실기 함유 아크릴산에스테르이다.
아크릴계 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)은, 예를 들면 바람직하게는 1만~100만이고, 보다 바람직하게는 20만~80만이다. 중량 평균 분자량이 상기 범위에서 벗어나면, 점착력의 저하나 열분해하기 어려워지는 등의 문제를 발생시키는 경우도 있을 수 있다. 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC) 측정에 의한 폴리스티렌 환산값이다.
활성 에너지선 중합성 화합물로서는, 활성 에너지선의 조사에 의해 중합 가능한 화합물 A 또는 화합물 B를 들 수 있다.
화합물 A로서는 활성 에너지선의 조사에 의해 중합 가능한 것이라면 특별히 제한은 없고, 라디칼 중합성, 양이온 중합성, 음이온 중합성 등의 각 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들면 라디칼 중합성 화합물을 예로 들면, 폴리우레탄(메타)아크릴레이트, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 에폭시(메타)아크릴레이트, 폴리올(메타)아크릴레이트, 폴리에테르(메타)아크릴레이트, 멜라민(메타)아크릴레이트, 실리콘계 (메타)아크릴레이트, 기타 다관능 (메타)아크릴레이트(예를 들면 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트 등) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 폴리우레탄(메타)아크릴레이트가 상용성, 점착력 등의 측면에서 바람직하다. 화합물 A는 각각 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.
화합물 A의 중량 평균 분자량(Mw)은, 예를 들면 300 이상이면 되고, 바람직하게는 350 이상이며, 예를 들면 1만 이하, 바람직하게는 900 이하이다. 중량 평균 분자량이 상기 범위에서 벗어나면, 점착력의 저하나 풀 남음이 발생하기 쉬워지는 등의 문제를 발생시키는 경우도 있을 수 있다. 중량 평균 분자량은 아크릴계 폴리머의 경우와 마찬가지로 GPC 측정에 의한 폴리스티렌 환산값이다.
화합물 A의 시판품으로서는, 예를 들면 NK 올리고(신나카무라 화학공업 주식회사 제조), 시코(등록상표, 닛폰 합성 화학공업 주식회사 제조), 아로닉스(도아 고세이 주식회사 제조) 등을 들 수 있다.
화합물 A의 함유량은 아크릴계 폴리머 100 중량부에 대해 통상 10~200 중량부, 바람직하게는 20~120 중량부이다. 상기 함유량이 상기 범위에서 벗어나면, 점착력을 저하시키는 것이 어려워지거나, 풀 남음이 발생하기 쉬워지는 등의 문제를 발생시키는 경우도 있을 수 있다.
일례로서의 점착제 조성물에는 활성 에너지선 중합성 화합물로서, 전술한 화합물 A 이외에 활성 에너지선의 조사에 의해 중합할 수 있는 Mw가 300 미만인 화합물 B를 함유시키는 것도 가능하다. 화합물 B에는 예를 들면 라디칼 중합성, 양이온 중합성, 음이온 중합성 등의 각 화합물이 있다. 화합물 B에 속하는 구체적인 예를 라디칼 중합성 화합물로 나타내면, 1분자 중에 (메타)아크릴로일기를 3개 이상 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트계 모노머를 들 수 있다. 다관능 (메타)아크릴레이트계 모노머로서는, 예를 들면 트리메틸올메탄트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올에탄트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 이들의 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드 부가물 등이 바람직하다.
이러한 다관능 (메타)아크릴레이트계 모노머에 의해 활성 에너지선의 조사에 의해 점착력을 저하시키는 동시에, 풀 남음을 적게 할 수 있는 등의 메리트도 공유할 수 있다.
일례로서의 점착제 조성물 중에 상기 화합물 B를 함유시키는 경우에는, 당해 화합물 B와 상기 화합물 A의 합계 함유량으로 아크릴계 폴리머 100 중량부에 대해 바람직하게는 10~200 중량부이고, 보다 바람직하게는 20~120 중량부이다. 합계 함유량을 조정함으로써, 활성 에너지선 조사 후 점착력의 제어가 용이하다. 상기 범위 내이면, 활성 에너지선 조사 후의 가교밀도가 충분한 것으로 되기 때문에 피가공물의 적정한 박리성을 실현할 수 있다.
가교제로서는 점착층 중에 가교구조를 생성 가능한 화합물이라면 특별히 제한은 없다. 예를 들면 아크릴계 폴리머가 갖는 관능기와 반응하여 아크릴계 폴리머를 가교할 수 있는 화합물을 들 수 있다. 이 화합물은 특히 가교에 의해 응집력을 높여 풀 남음을 개선하는 효과가 얻어지는 점에서 바람직하다.
가교제는 아크릴계 폴리머가 갖는 관능기가 히드록실기일 때는, 이 히드록실기와 반응하여 가교구조를 생성할 수 있는 가교제로서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다. 가교제에 의해 점착층의 응집력을 높여 풀 남음을 개선할 수 있기 때문이다.
이소시아네이트계 가교제로서는, 예를 들면 폴리이소시아네이트, 폴리이소시아네이트의 3량체, 폴리이소시아네이트와 폴리올을 반응시켜서 얻어지는 이소시아네이트기를 말단에 갖는 우레탄 프리폴리머, 그 우레탄 프리폴리머의 3량체 등의 1분자 중에 이소시아네이트기를 2 이상 갖는 폴리이소시아네이트계 화합물 등을 들 수 있다.
폴리이소시아네이트로서는, 예를 들면 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,5-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, 리신이소시아네이트 등을 들 수 있다.
가교제는 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.
이소시아네이트계 가교제의 시판품으로서는, 예를 들면 코로네이트(등록상표) L(닛폰 폴리우레탄 공업주식회사 제조), L-45(소켄 화학 주식회사 제조), TD-75(소켄 화학 주식회사 제조), BXX5627(도요 잉크 주식회사 제조), X-301-422SK(사이덴 화학 주식회사 제조) 등을 들 수 있다.
가교제의 함유량은 이소시아네이트계 가교제의 경우로 말하자면, 아크릴계 폴리머 및 활성 에너지선 중합성 화합물의 합계 100 중량부에 대해, 통상 0.01~8 중량부, 바람직하게는 0.1~4 중량부이다. 상기 함유량이 상기 범위 미만이면 충분한 점착력이 얻어지기 어렵고, 또한 상기 함유량이 상기 범위를 초과하면, 미반응의 이소시아네이트가 잔존하는 것에 따른 풀 남음이 발생하기 쉬운 등의 문제를 발생시키는 경우가 있기 때문이다.
중합개시제로서는 특별히 한정은 없고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 아세토페논류, 벤조인, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인류, 벤조페논, 히드록시벤조페논 등의 벤조페논류, 티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤 등의 티옥산톤류 등이다.
중합개시제의 시판품으로서는, 예를 들면 BASF 재팬 주식회사 제조의 이르가큐어(등록상표) 184(1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤), 이르가큐어(등록상표) 754(옥시페닐초산, 2-［2-옥소-2-페닐아세톡시에톡시］에틸에스테르와 옥시페닐초산, 2-(2-히드록시에톡시)에틸에스테르의 혼합물), 이르가큐어(등록상표) 2959(1-［4-(히드록시에톡시)-페닐］-2-히드록시-2 메틸-1-프로판-1-온), 닛폰 가야쿠 주식회사의 가야큐어 DETX-S(2,4-디에틸티옥산톤) 등을 사용할 수 있다.
중합개시제의 함유량은 아크릴계 폴리머 및 활성 에너지선 중합성 화합물의 합계 100 중량부에 대해, 통상 0.05~6 중량부, 바람직하게는 0.2~4 중량부이다. 상기 함유량이 상기 범위 미만이면, 활성 에너지선의 조사에 의해 점착력의 저하를 일으키기 어려운 등의 문제를 발생시키는 경우가 있기 때문이다.
활성 에너지선으로서는, 예를 들면 자외선, 가시광선, 전자선, X선, γ선 등을 들 수 있고, 이중에서도 조사장치의 비용 등의 측면에서 자외선이 대표적이다.
일례로서의 점착제 조성물은 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위 내에서, 필요에 따라 용제 외에, 실란 커플링제, 금속 킬레이트제, 계면활성제, 산화방지제, 자외선 흡수제, 착색제, 대전방지제, 방부제, 소포제, 습윤성 조정제 등의 각종 첨가제를 포함할 수 있다.
일례의 점착제 조성물은, 예를 들면 아크릴계 폴리머, 활성 에너지선 중합성 화합물, 가교제, 중합개시제, 및 추가로 필요에 따라 첨가되는 각종 첨가제를, 유기 용제에 용해 또는 분산시킴으로써 제조할 수 있다. 유기 용제로서는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 톨루엔, 메틸에틸케톤, 초산에틸, 디메틸아세트아미드, 이들 2종 이상의 혼합용제 등을 사용할 수 있다.
점착층의 두께는 레이저광의 조사 전후에 충분한 점착력을 발현시키는 동시에, 반도체 웨이퍼 등으로부터 본 발명의 레이저 다이싱용 보조 시트를 제거한 후에, 거기에 바람직하지 않은 점착제 잔사를 잔존시키지 않는(풀 남음이 생기지 않게 하는) 것을 고려하여 적당히 결정되며, 예를 들면 5~50 ㎛, 바람직하게는 10~40 ㎛가 된다. 특히 취급성 관점에서 보다 바람직하게는 15~35 ㎛이다.
점착층의 형성은 조제한 점착제 조성물을 기재 필름의 표면에 도포하여 건조함으로써 행할 수 있다. 점착제 조성물의 도포방법으로서는, 바 코터 도공, 에어나이프 도공, 그라비아 도공, 그라비아 리버스 도공, 리버스 롤 도공, 립 도공, 다이 도공, 딥 도공, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 스크린 인쇄 등 각종 방법을 채용할 수 있다. 또한, 별도로 박리 라이너에 점착층을 형성한 후, 이를 기재 필름에 첩합(貼合)하는 방법 등을 채용해도 된다.
기재 필름의 표면에 점착층을 적층한 후 사용될 때까지는 점착층의 표면(기재 필름과는 반대 면)에 세퍼레이터로서의 이형 필름을 첩합해 두는 것도 가능하다.
＜기재 필름＞
기재 필름은 자기 지지성인 공지의 필름으로부터 선택할 수 있다. 기재 필름은 균일한 두께를 갖는 시트인 것이 바람직하나, 메시 형상 등의 형태여도 된다. 또한, 기재 필름은 단일 층이어도 되고, 2층 이상의 다층 구조여도 된다.
기재 필름의 재료로서는, 예를 들면 아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리노르보르넨계 수지, 폴리알킬렌글리콜계 수지, 폴리올레핀계 수지(폴리스티렌계 수지, 폴리에틸렌계 수지 등), 폴리이미드계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 실리콘계 수지, 불소계 수지, 아이오노머 수지 등으로 이루어지는 고분자 필름름；구리, 알루미늄, 스테인리스 등의 금속 시트；PP, PVC, PE, PU, PS, PO 또는 PET 등의 폴리머 섬유, 레이온 또는 초산셀룰로오스 등의 합성섬유, 면, 견 또는 양모 등의 천연섬유 및 유리섬유 또는 탄소섬유 등의 무기 섬유로 이루어지는 부직포；이들 재료의 연신 가공, 함침 가공 등에 의해 물리적 또는 광학적인 기능이 부여된 시트；디엔계(스티렌-부타디엔 공중합체, 부타디엔 등), 비디엔계(이소부틸렌-이소프렌, 염소화 폴리에틸렌, 우레탄계 등), 열가소성계(열가소성 엘라스토머 등) 등의 고무 성분을 포함하는 시트；또는 이들 1종 이상을 조합시킨 것 등을 들 수 있다.
이중에서도, 폴리올레핀계 수지, 구체적으로는 폴리에틸렌(예를 들면 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌 등), 폴리프로필렌(예를 들면 연신 폴리프로필렌, 비연신 폴리프로필렌 등), 에틸렌 공중합체, 프로필렌 공중합체, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등이 바람직하다. 기재 필름이 다층 구조인 경우에는, 적어도 1층이 폴리올레핀계 수지로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
특히, 이들 기재 필름 재료는 아래에 설명하는 바와 같이, 광투과율, 적층 상태, 파단신도, 흡광계수, 융점, 두께, 파단강도, 비열, 에칭 레이트, Tg, 열변형온도 및 비중 등의 적어도 1종의 특성, 2종 이상의 특성, 바람직하게는 모든 특성을 고려하여, 피가공물을 절단하는 레이저광에 의해 절단되기 어려운 것을 선택하는 것이 바람직하다.
기재 필름은 50 ㎛ 이상의 두께를 갖는 것이 바람직하고, 100 ㎛ 이상, 150 ㎛ 이상이 보다 바람직하며, 더욱이 50~500 ㎛ 정도가 바람직하다. 이로써, 예를 들면 반도체 웨이퍼로의 첩합, 반도체 웨이퍼의 절단 및 반도체 칩으로부터의 박리 등의 각 공정에 있어서의 조작성과 작업성을 확보할 수 있다.
기재 필름은 적용 범위 내의 막두께에 있어서, 레이저광의 투과율, 특히 파장 355 ㎚ 부근에서 600 ㎚ 부근의 레이저광의 투과율이 50% 이상, 바람직하게는 55% 이상, 보다 바람직하게는 60% 이상, 더욱 바람직하게는 65% 이상인 것이 바람직하다. 광투과율은 예를 들면 자외 가시 분광광도계를 사용하여 측정할 수 있다. 이로써, 기재 필름 자체의 레이저광에 의한 열화를 방지할 수 있다.
기재 필름은 재료가 상이한 2층 이상의 적층 구조를 갖는 것이 바람직하다. 여기서 재료가 상이하다는 것은, 그 조성이 상이한 것뿐 아니라, 조성은 동일하나 분자구조, 분자량 등의 차이에 의해 특성이 상이한 것이 포함된다. 예를 들면 전술한 흡광계수, 융점, 파단강도, 파단신도, 광투과율, 비열, 에칭 레이트, 열전도율, Tg, 열변형온도, 열분해온도, 선팽창계수 및 비중 등의 적어도 1종의 특성이 상이한 것을 적층한 것이 적당하다.
이중에서도, 2층 이상의 적층 구조 중 적어도 1층이 벤젠 고리를 함유하지 않는 수지, 사슬 형상의 포화 탄화수소계 수지, 예를 들면 폴리올레핀계 수지인 것이 바람직하다.
폴리올레핀계 수지로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌 공중합체, 프로필렌 공중합체, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부타디엔, 폴리비닐알코올, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 폴리초산비닐 등의 1종 이상을 사용할 수 있다. 이중에서도, 에틸렌 및 프로필렌계 (공)중합체, 추가로, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌 공중합체, 프로필렌 공중합체, 에틸렌-프로필렌 공중합체의 적어도 1종인 것이 바람직하다. 이들 재료를 선택함으로써, 적당한 신장성과 레이저 가공에 대한 적당한 강도의 밸런스를 도모할 수 있다.
기재 필름이 적층 구조인 경우는, 폴리에틸렌 수지층과 폴리프로필렌 수지층 양쪽을 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 이들 층을 포함하는 2층 또는 3층 구조인 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 폴리프로필렌 수지층이 점착층에 먼 위치에 배치되어 있는 것이 보다 바람직하다. 예를 들면 2층 구조인 경우에는 기재 필름의 배면 측에 폴리프로필렌 수지층, 점착층 측에 폴리에틸렌 수지층이 배치되고, 3층 구조인 경우에는 기재 필름의 배면 측 또는 그보다 1층 점착층 측에 폴리프로필렌 수지층이 배치되며, 점착층 측에 폴리에틸렌 수지층이 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 배치에 의해, 레이저 가공 시에 기재 필름의 일부가 손상되더라도, 가장 배면 측에 존재하는 비교적 연질의 수지인 폴리프로필렌 수지층에 의해 기재 필름에 적당한 신장성을 확보할 수 있기 때문이다.
기재 필름은 적어도 파단신도가 상이한 2층 이상의 층을 포함하는 것이 바람직하다. 파단신도는 예를 들면 만능 인장시험기에 의해 인장속도 200 ㎜／분으로 JIS K-7127에 기초하여 측정할 수 있다. 파단신도의 차이는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 100% 정도 이상, 바람직하게는 300% 정도 이상이다. 이 경우, 파단신도가 큰 층이 점착층에 먼 위치에 배치되어 있는 것이 보다 바람직하다. 즉, 기재 필름의 이면(배면), 즉 레이저광에 의해 절단되기 어려운 쪽에 있어서 신장성이 양호한 층을 배치하는 것이 바람직하다.
특히, 기재 필름은 100% 이상의 파단신도를 가지고 있는 것이 바람직하다. 기재 필름이 적층 구조인 경우는, 반드시 모든 층이 100% 이상의 파단신도를 가지고 있지 않아도 되나, 적어도 기재 필름의 가장 배면 측에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 특히, 파단신도가 100% 이상이고, 또한 파단강도가 전술한 범위의 기재 필름은 레이저 다이싱을 행한 후에 다이싱 시트를 잡아 늘여서 피가공물을 절단하여 형성한 칩의 간격을 떨어뜨리기 쉬워져 바람직하다.
기재 필름은 적어도 파단강도가 상이한 2층 이상의 층을 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 파단강도는 만능 인장시험기에 의해 인장속도 200 ㎜／분으로, JIS K-7127에 기초하여 측정할 수 있다. 파단강도의 차이는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 20 ㎫ 정도 이상, 바람직하게는 50 ㎫ 정도 이상인 것이 적합하다. 이 경우, 파단강도가 큰 층이 점착층에 먼 위치에 배치되어 있는 것이 보다 바람직하다. 즉, 기재 필름의 배면에 있어서 레이저광에 의해 절단되기 어려운 강도를 갖는 층을 배치하는 것이 바람직하다.
기재 필름은 융점이 90℃ 이상인 층을 포함하는 것이 바람직하다. 이로써, 레이저광의 조사에 의한 기재 필름의 용융을 유효하게 방지할 수 있다. 융점은 바람직하게는 95℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상, 더욱 바람직하게는 110℃ 이상인 것이 바람직하다. 기재 필름이 단층 구조인 경우는, 그를 구성하는 층 자체의 융점이 90℃ 이상인 것이 필요하나, 기재 필름이 적층 구조인 경우는, 반드시 모든 층의 융점이 90℃ 이상이 아니어도 되고, 적어도 1층이 90℃ 이상의 융점을 갖는 층인 것이 바람직하다. 이 경우, 그 1층은 레이저 가공 시에 배면이 되는 쪽(예를 들면 척 테이블에 접촉하는 쪽)에 배치되는 것이 보다 바람직하다.
기재 필름은 비열이 큰 것이 바람직하다. 비열은 예를 들면 0.5 J／g·K 정도 이상, 바람직하게는 0.7 J／g·K 정도 이상, 보다 바람직하게는 0.8 J／g·K 정도 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 J／g·K 정도 이상, 더욱 보다 바람직하게는 1.1 J／g·K 정도 이상, 가장 바람직하게는 1.2 J／g·K 정도 이상인 것이 바람직하다. 비열이 비교적 큰 것으로 인해, 기재 필름 자체가 레이저광에 의해 발생하는 열에 의해 데워지기 어려워, 그 열의 일부를 기재 필름 밖으로 놓치기 쉽다. 그 결과, 기재 필름이 가공되기 어려워져 기재 필름의 절단을 최소한으로 억제하고, 또한 배면 가공용 테이블로의 국소적인 부착을 방지할 수 있다. 비열은 JIS K7123에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 시차 주사 열량계(DSC)로 시료편을 10℃／㎟로 승온시키기 위해 필요한 열량을 측정하여 구할 수 있다.
기재 필름은 에칭 레이트가 낮은 것이 바람직하다. 예를 들면 에칭 레이트는 1~5 J／㎠ 정도의 레이저광 강도에서 0.3~1.5 ㎛／펄스인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.3~1.2 ㎛／펄스, 더욱 바람직하게는 0.3~1.1 ㎛／펄스 정도인 것이 바람직하다. 특히, 1~2 J／㎠ 정도의 레이저광 강도에서 0.9 ㎛／펄스 이하, 바람직하게는 0.8 ㎛／펄스 이하, 보다 바람직하게는 0.7 ㎛／펄스 이하인 것이 바람직하다. 에칭 레이트가 낮은 것으로 인해 기재 필름 자체의 절단을 방지할 수 있다.
기재 필름은 유리전이점(Tg)이 50℃ 정도 이하, 바람직하게는 30℃ 정도 이하, 보다 바람직하게는 20℃ 정도 이하 또는 0℃ 정도 이하이거나, 열변형온도가 200℃ 정도 이하, 바람직하게는 190℃ 정도 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 정도 이하, 더욱 바람직하게는 170℃ 정도 이하이거나, 비중이 1.4 g／㎤ 정도 이하, 바람직하게는 1.3 g／㎤ 정도 이하, 보다 바람직하게는 1.2 g／㎤ 정도 이하, 더욱 바람직하게는 1.0 g／㎤ 정도 이하인 것이 바람직하다. 이들 특성을 가짐으로써, 기재 필름의 절단을 최소한으로 억제하고, 또한 배면 가공용 테이블로의 국소적인 부착을 방지함에 있어서 유리하다.
Tg 및 열변형온도는 예를 들면 JIS K7121의 일반적인 플라스틱 전이온도의 측정방법(구체적으로는, 시차열분석(DTA), 시차 주사 열량분석(DSC) 등)을 이용하여 측정할 수 있다. 또한, 비중은 예를 들면 JIS K7112의 일반적으로 알려져 있는 플라스틱의 밀도(비중) 측정방법(구체적으로는, 수중 치환법, 피크노미터법, 부침법(浮沈法), 밀도 구배법 등)을 이용하여 측정할 수 있다.
또한, 기재 필름의 표면은 가공장치에 있어서의 테이블 등, 인접하는 재료와의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해, 예를 들면 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로 및 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 또는 하도제(예를 들면 후술하는 점착물질)에 의한 코팅 처리 등의 공지의 표면 처리가 행하여져 있어도 된다.
본 발명의 일례로서, 기재 필름의 다른 쪽 면에 각종 기능을 발현시키기 위한 기능층을 적층하는 것도 가능하다. 기능층으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 일본국 특허공개 제2016-119432에 나타내어지는 바와 같은 기능층, 즉 레이저광의 조사에 의해 용융되지 않거나 또는 용융되기 어려운 층으로서, 레이저광의 에너지가 집중되는 부위에 있어서 기재 필름의 용융 등에 의해 기재 필름이 가공용 테이블 등에 부착되지 않도록, 기재 필름의 이면 측을 보호하기 위한 층 등으로 구성하면 된다.
＜레이저 다이싱용 보조 시트의 사용방법＞
본 발명의 일실시형태의 레이저 다이싱용 보조 시트는 레이저광을 사용한 각종 가공, 예를 들면 아래와 같은 반도체 칩의 제조공정 등에 적합하게 사용할 수 있다. 아래에 반도체 칩의 제조공정을 예로 들어 설명한다.
반도체 웨이퍼의 회로가 형성된 면과는 반대 면에 본 발명의 일실시형태의 레이저 다이싱용 보조 시트의 점착층을 대향시켜서 첩부하고, 반도체 웨이퍼의 회로가 형성된 면으로부터 레이저광을 조사하여, 당해 반도체 웨이퍼를 회로별로 개편화하여 반도체 칩을 제조하는 공정 등에 사용할 수 있다.
당해 웨이퍼 표면으로의 회로의 형성은 에칭성, 리프트오프법 등의 종래 공지의 방법으로 행하여진다. 회로는 당해 웨이퍼의 내주부 표면에 격자상으로 형성되어, 외주단으로부터 수 ㎜의 범위에는 회로가 존재하지 않는 잉여 부분이 잔존한다. 당해 웨이퍼의 연삭 전 두께는 특별히 한정은 되지 않으나, 통상은 500~1,000 ㎛ 정도이다.
반도체 웨이퍼의 이면을 연삭 가공할 때는 표면의 회로를 보호하기 위해 회로면 측에 표면 보호 시트를 첩부해도 된다. 이면 연삭 가공은 당해 웨이퍼의 회로면 측을 척 테이블 등에 의해 고정하고, 회로가 형성되어 있지 않은 이면 측을 그라인더에 의해 연삭한다. 이면 연삭 공정 후 연삭에 의해 생성된 파쇄층을 제거하는 처리가 행하여져도 된다.
이면 연삭 공정에 계속해서 필요에 따라 이면에 에칭 처리 등의 발열을 수반하는 가공 처리나, 이면으로의 금속막의 증착, 유기막의 소부(baking)와 같이 고온에서 행하여지는 처리를 실시해도 된다. 또한, 고온에서의 처리를 행하는 경우에는 표면 보호 시트를 박리한 후에 이면으로의 처리를 행한다.
이면 연삭 공정 후, 당해 웨이퍼의 회로면과는 반대 면에 본 발명의 일실시형태의 레이저 다이싱용 보조 시트의 점착층을 대향시켜서 첩부한다. 레이저 다이싱용 보조 시트의 당해 웨이퍼로의 첩부는 마운터라 불리는 장치에 의해 행하여지는 것이 일반적인데, 특별히 이것에 한정되지는 않는다.
이어서, 다이싱장치의 가공용 테이블(척 테이블) 상에 레이저 다이싱용 보조 시트의 이면(점착층이 적층되어 있지 않은 면)을 아래로 하여, 그 레이저 다이싱용 보조 시트를 첩부한 당해 웨이퍼를 배치한 후, 당해 웨이퍼 측으로부터 레이저광을 조사하여 당해 웨이퍼를 다이싱한다.
본 발명에 있어서 반도체 웨이퍼가 고경도인 경우, 이를 풀컷하기 위해 에너지 밀도가 높은 단파장의 레이저광을 사용하는 경우도 있다. 이러한 단파장 레이저로서는, 예를 들면 400 ㎚ 이하의 발진파장을 갖는 레이저, 구체적으로는 발진파장 248 ㎚의 KrF 엑시머 레이저, 308 ㎚의 XeCI 엑시머 레이저, Nd-YAG 레이저의 제3 고주파(355 ㎚), 제4 고주파(266 ㎚) 등을 들 수 있다. 다만, 400 ㎚ 이상의 발진파장을 갖는 레이저(예를 들면 파장 750~800 ㎚ 부근의 티탄 사파이어 레이저 등, 펄스 폭이 1 나노초(1×10-9초) 이하)를 사용해도 된다.
레이저광의 강도, 조도는 절단하는 당해 웨이퍼의 두께에 의존하는데, 당해 웨이퍼를 풀컷할 수 있을 정도면 된다.
레이저광은 회로 간 스트리트에 조사되어, 당해 웨이퍼를 회로별로 칩화한다. 하나의 스트리트를 레이저광이 주사되는 횟수는 1회여도 되고 복수 회여도 된다. 바람직하게는 레이저광의 조사 위치와 회로 간 스트리트의 위치를 모니터링하여, 레이저광의 위치 맞춤을 행하면서 레이저광의 조사를 행한다. 레이저광의 스캔속도(가공 송출속도)는 생산성을 고려할 때, 80 ㎜／초 이상, 바람직하게는 100 ㎜／초 이상, 보다 바람직하게는 130 ㎜／초 이상인 것이 바람직하다.
다이싱 종료 후, 레이저 다이싱용 보조 시트로부터 반도체 칩을 픽업한다. 픽업방법으로서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 종래 공지의 각종 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면 개개의 반도체 칩을 레이저 다이싱용 보조 시트 측으로부터 니들에 의해 들어 올리고, 들어 올려진 반도체 칩을 픽업장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 레이저 다이싱용 보조 시트의 점착층을 활성 에너지선 경화형 점착제 조성물로 형성한 경우에는, 픽업에 앞서 당해 점착층에 활성 에너지선(자외선 등)을 조사하여 점착층의 점착력을 저하시킨 후에 칩의 픽업을 행한다.
픽업된 반도체 칩은 그 후 통상의 방법으로 다이본딩, 수지 봉지(封止)되어 반도체장치가 제조된다.
본 발명의 일실시형태의 레이저 다이싱용 보조 시트는 기재 필름의 표면에 구성재료의 500℃에 있어서의 잔류중량이 5.5% 이하로 조정된 점착층이 적층되어 있다. 이 때문에 레이저광의 조사 부분(본 예에서는 회로 간 스트리트)에 대응하는 점착층의 구성재료(점착제 조성물)를 실질적으로 모두 분해 또는 승화(소실)시킬 수 있다. 조사 부분에 대응하는 점착층의 구성재료가 실질적으로 모두 소실됨으로써, 조사 부분 이외의 영역(컷 후의 칩에 접촉하고 있는 영역)에 잔존한 점착층의 구성재료가 레이저광 조사의 영향을 받는 일은 없다. 그 결과, 개편화된 각 칩의 날림(칩 날림)의 발생이 효과적으로 방지되어, 작업성 좋게 반도체 칩을 제조할 수 있다.
이상, 피가공물로서 반도체 웨이퍼를 사용한 경우를 예로서 설명하였으나, 본 발명의 다이싱용 보조 시트는 이것에 한정되지 않고, 반도체 팩키지, 사파이어 기판이나 구리에 은 증착한 기판 등을 사용한 광 디바이스 웨이퍼, 유리기판, 세라믹기판, FPC 등의 유기재료 기판, 정밀부품 등의 금속재료 등의 다이싱용으로도 사용할 수 있다.
실시예
아래에 본 발명의 실시형태를 보다 구체화한 실시예를 들어 더욱 상세하게 설명한다. 본 실시예에 있어서 「부」, 「%」는 특별히 나타내지 않는 한 중량 기준이다.
또한, 본 예에 있어서 점착 주제 1 및 2, 자외선 중합성 화합물(화합물 A·화합물 B) 1 및 2, 가교제 1 및 2는 다음의 것을 사용하였다.
［점착 주제 1］아크릴계 폴리머(오리바인 BPS5296, 고형분 37%, 도요켐사)
［점착 주제 2］아크릴계 폴리머(테이산레진 SG-600TEA, 고형분 15%, 나가세 켐텍스사)
［자외선 중합성 화합물 1］시코 7600B(고형분 80%, 닛폰 합성 화학공업사)
［자외선 중합성 화합물 2］아로닉스 M400(고형분 100%, 도아 고세이사)
［가교제1］오리바인 BXX4773(도요켐사)
［가교제2］코로네이트 L45E(이소시아네이트계, 닛폰 폴리우레탄 공업사)
［실험예 1~5］
1. 레이저 다이싱용 보조 시트의 제조
기재로서 두께 100 ㎛의 폴리에틸렌 필름의 한쪽 면에, 아래 조성의 점착층용 도포액을 건조 후의 두께가 25 ㎛가 되도록 바 코팅법으로 도포, 건조하여 점착층 a~e를 형성하여, 각 실험예에서의 레이저 다이싱용 보조 시트를 제작하였다.
＜점착층용 도포액의 조성＞
·점착 주제 표 1에 기재된 종류와 배합량
·자외선 중합성 화합물 표 1에 기재된 종류와 배합량
·가교제 표 1에 기재된 종류와 배합량
·중합개시제 표 1에 기재된 배합량
(이르가큐어 184：BASF사)
Figure pct00001
2. 점착층 물성의 측정
제작한 각 레이저 다이싱용 보조 시트(이하, 간단히 「보조 시트」라 약기한다.)에 대해, 열중량 측정장치(TG／DTA　6200형, 에스아이아이·나노테크놀로지사 제조)를 사용하여, 아래의 절차로 각 점착층의 물성을 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
먼저, 제작한 각 보조 시트의 점착층을 박리한 후, 3.5±0.5 ㎎ 채취하여 상온에서 프레스 후 핀셋을 사용하여 접어서, 가능한 한 기포를 포함하지 않는 형상으로 하였다(측정시료). 다음으로, 측정시료를 알루미늄제 셀에 넣고, 질소기류하(50 ㎖／분), 승온속도 10℃／분의 조건으로 30℃부터 600℃까지 승온시켜 가열에 의한 중량 감소의 측정을 행하였다.
2-1. 점착층의 500℃에 있어서의 잔류중량(%)
측정시료의 중량을 100%로 하여 세로축에 취하고, 온도를 가로축에 취했을 때의 열중량 감소 곡선에 있어서 500℃에 있어서의 중량을 구하여, 그 값을 500℃에 있어서의 잔류중량(%)으로 하였다.
2-2. 점착층의 250℃에 있어서의 잔류중량(%)
상기 2-1.의 열중량 감소 곡선에 있어서 250℃에 있어서의 중량을 구하여, 그 값을 250℃에 있어서의 잔류중량(%)으로 하였다.
2-3. 점착층의 중량 감소 개시온도(℃)
상기 2-1.의 열중량 감소 곡선에 있어서 중량 감소 개시 전의 접선과 가장 기울기가 큰 부분의 접선의 교점의 온도를 구하여, 그 값을 중량 감소 개시온도로 하였다.
2-4. 점착층의 50% 중량 감소 온도(℃)
상기 2-1.의 열중량 감소 곡선에 있어서 중량이 50% 감량된 시점에서의 온도를 구하여, 그 값을 50% 중량 감소 온도로 하였다.
Figure pct00002
3. 평가
제작한 각 보조 시트의 아래의 특성을 평가하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
3-1. 내 칩 날림 특성
실리콘 웨이퍼(8인치) 위를 1회 왕복시키는 조건으로, 제작한 각 보조 시트의 점착층 면을 당해 웨이퍼 상에 압착하였다(공정 1). 다음으로, 석영 유리제 흡착판을 갖는 다이싱장치의 척 테이블 상에 각 보조 시트의 이면(점착층이 적층되어 있지 않은 면)을 아래로 하여, 보조 시트에 첩부한 실리콘 웨이퍼를 배치하였다(공정 2). 다음으로, 하기의 레이저 조사 조건을 토대로 Nd-YAG 레이저를 사용하여 레이저광선을 웨이퍼 측으로부터 조사하여, 웨이퍼를 절단 가공(풀컷의 절단)하고 세로 5 ㎝×가로 5 ㎝의 영역에, 세로 250개×가로 250개(칩 사이즈(1개)：세로 0.2 ㎜×가로 0.2 ㎜)의 복수의 개편화된 칩을 얻었다(공정 3). 그 후, 육안 관찰에 의해 칩 유지율(%)을 구하고, 아래의 기준으로 내 칩 날림 특성을 평가하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
◎：칩 유지율이 99.5% 이상(매우 우수).
○：칩 유지율이 99% 이상 99.5% 미만(우수).
×：칩 유지율이 90% 미만(불량).
＜레이저 조사 조건＞
파장：355 ㎚
반복 주파수：100 ㎑
평균 출력：7 w
조사횟수：6회／1라인
펄스 폭：50 ns
집광 스폿：타원형(장축 100 ㎛, 단축 10 ㎛)
가공 송출속도：100 ㎜／초
Figure pct00003
4. 고찰
표 1 및 표 2에 나타내는 바와 같이, 500℃에 있어서의 잔류중량이 5.5% 이하인 것(점착층 a~c를 갖는 실험예 1~3)은 250℃에 있어서의 잔류중량이 5.5% 이상이더라도, 500℃에 있어서의 잔류중량이 5.5%를 초과하는 것(점착층 d, e를 갖는 실험예 4, 5)과 비교하여, 현격히 칩 유지율이 높은 것이 확인되었다.

Claims (5)

  1. 구성재료의 500℃에 있어서의 잔류중량(질소기류하(50 ㎖／분), 승온속도 10℃／분으로 측정)이 5.5% 이하로 조정된 점착층을 갖는 레이저 다이싱용 보조 시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 점착층은 구성재료의 250℃에 있어서의 잔류중량(질소기류하(50 ㎖／분), 승온속도 10℃／분으로 측정)이 5.5% 이상으로 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 보조 시트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 점착층은 중량 감소 개시온도(질소기류하(50 ㎖／분), 승온속도 10℃／분으로 측정)가 150℃ 이상 500℃ 미만으로 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 보조 시트.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착층은 50% 중량 감소 온도(질소기류하(50 ㎖／분), 승온속도 10℃／분으로 측정)가 300℃ 이상 500℃ 미만으로 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 보조 시트.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착층은 두께가 15 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하로 조정되어 있는 레이저 다이싱용 보조 시트.
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