JPH068403B2 - ウエハダイシング用接着シ−ト - Google Patents
ウエハダイシング用接着シ−トInfo
- Publication number
- JPH068403B2 JPH068403B2 JP25984985A JP25984985A JPH068403B2 JP H068403 B2 JPH068403 B2 JP H068403B2 JP 25984985 A JP25984985 A JP 25984985A JP 25984985 A JP25984985 A JP 25984985A JP H068403 B2 JPH068403 B2 JP H068403B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- butene
- wafer
- copolymer
- dicing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウエハダイシング用フイルムに関する。
半導体ペレツトを製造する方法として、多数の半導体素
子が形成された半導体ウエハダイシング（切断）して各
素子を含むペレツトとする方法が知られている。この場
合においては、特開昭58−147044号にも記載のようにダ
イヤモンドブレード等によりダイシング溝を設けた半導
体ウエハを適宜のフイルムに接着し、ローラによる押圧
等により前期ダイシング溝の切り残し部を切り離し、フ
イルムの下方から突き上げる等の機械的手段によつて前
後互いに切り離されたペレツトを個々に取り出すことが
行われている。
子が形成された半導体ウエハダイシング（切断）して各
素子を含むペレツトとする方法が知られている。この場
合においては、特開昭58−147044号にも記載のようにダ
イヤモンドブレード等によりダイシング溝を設けた半導
体ウエハを適宜のフイルムに接着し、ローラによる押圧
等により前期ダイシング溝の切り残し部を切り離し、フ
イルムの下方から突き上げる等の機械的手段によつて前
後互いに切り離されたペレツトを個々に取り出すことが
行われている。
このダイシングフイルムとして、前記特開昭58−147044
号には、塩化ビニル共重合体に可塑材が加えられてなる
接着性を有する軟質ビニルフイルムが提案されている。
このほかにも、ポリエチレンなどのポリオレフインのフ
イルム、ポリエステルのフイルム、ポリスチレンのフイ
ルムの表面に粘着剤層を形成させたものも使用されてい
る。
号には、塩化ビニル共重合体に可塑材が加えられてなる
接着性を有する軟質ビニルフイルムが提案されている。
このほかにも、ポリエチレンなどのポリオレフインのフ
イルム、ポリエステルのフイルム、ポリスチレンのフイ
ルムの表面に粘着剤層を形成させたものも使用されてい
る。
従来使用されている上記の自己粘着性を有する軟質塩化
ビニルフイルムにおいては、後述の延伸性には優れるも
ののその中に含まれる可塑剤がウエハに移行してこれを
汚染するという欠点があるほか、残留する塩化ビニルモ
ノマーも同様にウエハを汚染するという欠点がある。ま
た上記その他のフイルムにおいては、フイルムの延伸性
が劣るため、ウエハ切断後にフイルムの下方から突き上
げてペレツトを個々に取り出す工程等の作業性に劣る欠
点があつた。
ビニルフイルムにおいては、後述の延伸性には優れるも
ののその中に含まれる可塑剤がウエハに移行してこれを
汚染するという欠点があるほか、残留する塩化ビニルモ
ノマーも同様にウエハを汚染するという欠点がある。ま
た上記その他のフイルムにおいては、フイルムの延伸性
が劣るため、ウエハ切断後にフイルムの下方から突き上
げてペレツトを個々に取り出す工程等の作業性に劣る欠
点があつた。
本発明者らは、ダイシングに必要な強度を有し、かつ前
述のような欠点のないダイシング用フイルムについて検
討したところ、下記の如きフイルムが適することを見い
出し、本発明を完成した。
述のような欠点のないダイシング用フイルムについて検
討したところ、下記の如きフイルムが適することを見い
出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、 (A)１−ブテン単独重合体、 (B)エチレン含量１２モル％以下の１−ブテン／エチレ
ン共重合体、 (C)プロピレン含量３５モル％以下の１−ブテン／プロ
ピレン共重合体、 (D)炭素数５個以上のα−オレフィン含量３５モル％以
下の１−ブテン／炭素数５個以上のα−オレフィン共重
合体、 のいずれかから選ばれたブテン系重合体のフィルム上に
粘着材層を積層してなる半導体ウェハダイシング用フィ
ルムの発明である。
ン共重合体、 (C)プロピレン含量３５モル％以下の１−ブテン／プロ
ピレン共重合体、 (D)炭素数５個以上のα−オレフィン含量３５モル％以
下の１−ブテン／炭素数５個以上のα−オレフィン共重
合体、 のいずれかから選ばれたブテン系重合体のフィルム上に
粘着材層を積層してなる半導体ウェハダイシング用フィ
ルムの発明である。
なお、特開昭59−177943号には、本発明の如きポリオレ
フインフイルムを用いることができる旨記載があるが、
その具体的実施例は全くなく、また、ブテン系重合体を
示唆するものはまつたく記載されていない。
フインフイルムを用いることができる旨記載があるが、
その具体的実施例は全くなく、また、ブテン系重合体を
示唆するものはまつたく記載されていない。
本発明のフィルムに用いられるブテン系重合体として
は、１−ブテンの単独重合体のほかに、１−ブテンとエ
チレン、プロピレン、Ｃ５以上のα−オレフィンの共重
合体を用いる。これらの１−ブテン以外のモノマーが二
重以上含まれる共重合体であってもかまわない。Ｃ５以
上のα−オレフィンとしては、１−ペンテン、１−ヘキ
サン、１−デセン、４−メチル−１−ペンテン、３−メ
チル−１−ペンテンなどを例示することができ、好まし
くは４−メチル−１−ペンテンである。
は、１−ブテンの単独重合体のほかに、１−ブテンとエ
チレン、プロピレン、Ｃ５以上のα−オレフィンの共重
合体を用いる。これらの１−ブテン以外のモノマーが二
重以上含まれる共重合体であってもかまわない。Ｃ５以
上のα−オレフィンとしては、１−ペンテン、１−ヘキ
サン、１−デセン、４−メチル−１−ペンテン、３−メ
チル−１−ペンテンなどを例示することができ、好まし
くは４−メチル−１−ペンテンである。
ここで、とくに１−ブテンとエチレンとの共重合体にお
いては、エチレン含量が１２モル％以下のものが用いら
れ、好ましくは３モル％以下のものである。また１−ブ
テンとプロピレンとの共重合体においては、プロピレン
含量が３５モル％以下ものが用いられ、好ましくは２０
モル％以下のものである。さらに１−ブテンとＣ５以上
のα−オレフィンとの共重合体においては、該α−オレ
フィンの含量が３５モル％以下のものであり、好ましく
は１５モル％以下のものである。上記の範囲を越える
と、フィルムのブロー成形性などの成形性に劣るように
なる。
いては、エチレン含量が１２モル％以下のものが用いら
れ、好ましくは３モル％以下のものである。また１−ブ
テンとプロピレンとの共重合体においては、プロピレン
含量が３５モル％以下ものが用いられ、好ましくは２０
モル％以下のものである。さらに１−ブテンとＣ５以上
のα−オレフィンとの共重合体においては、該α−オレ
フィンの含量が３５モル％以下のものであり、好ましく
は１５モル％以下のものである。上記の範囲を越える
と、フィルムのブロー成形性などの成形性に劣るように
なる。
本発明に用いるブテン系重合体には、該ブテン系重合体
のほかに他のオレフイン系重合体、例えば、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体、
エチレン・１−ブテン共重合体、プロピレン・１−ブテ
ン共重合体（これらの共重合体においては、１−ブテン
含量が50モル％以下である）などを剛性などのフイルム
の機械的性質を改良する目的で加えてもよい。この場合
においては、添加量は通常40wt％以下、好ましくは20wt
％以下である。
のほかに他のオレフイン系重合体、例えば、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体、
エチレン・１−ブテン共重合体、プロピレン・１−ブテ
ン共重合体（これらの共重合体においては、１−ブテン
含量が50モル％以下である）などを剛性などのフイルム
の機械的性質を改良する目的で加えてもよい。この場合
においては、添加量は通常40wt％以下、好ましくは20wt
％以下である。
本発明に用いるブテン共重合体の他の性状としては、Ｍ
ＦＲ（ASTM D1238E、190℃）が0.01〜30３好ましくは、
0.1〜10g／10minである。
ＦＲ（ASTM D1238E、190℃）が0.01〜30３好ましくは、
0.1〜10g／10minである。
本発明に用いるブテン系重合体フイルムは前記ブテン系
重合体を、インフレーシヨン成形法、ブロー成形法、Ｔ
−ダイ成形法などを通常フイルムの成形に用いられる成
形法により成形したものである。
重合体を、インフレーシヨン成形法、ブロー成形法、Ｔ
−ダイ成形法などを通常フイルムの成形に用いられる成
形法により成形したものである。
フイルムの好ましい性状としては、厚み30ないし200μ
ｍ、JISK6781による引張弾性率800ないし6000kg／cm2破
断点応力150ないし700kg／cm2破断点伸び150ないし600
％、100％伸び応力50ないし300kg／cm2である。
ｍ、JISK6781による引張弾性率800ないし6000kg／cm2破
断点応力150ないし700kg／cm2破断点伸び150ないし600
％、100％伸び応力50ないし300kg／cm2である。
本発明のフイルムに積層される粘着剤料はウエハを固定
するに十分であり、かつウエハの切断後においては、前
述の半導体ペレツトの突き離し分離工程において、該ペ
レツトを汚染することなく分離できるものであれば、従
来からもちいられている感圧接着物質をそのまま用いる
ことができる。但し、塩化ビニル樹脂に加えられるよう
な可塑剤を含まないものが好ましい。このようなものの
一例としては、特開昭59−177943に記載のブロツク共重
合体と他のゴム成分および粘着性付与樹脂からなるもの
を挙げることができる。この場合、用いるプロツク共重
合体によつては他のゴム成分は必ずしも必要ではない。
本発明のフイルムとしては、特開昭59−177943に用いら
れるブロツク共重合体を主体とする粘着剤層を用いるこ
とが好ましい。
するに十分であり、かつウエハの切断後においては、前
述の半導体ペレツトの突き離し分離工程において、該ペ
レツトを汚染することなく分離できるものであれば、従
来からもちいられている感圧接着物質をそのまま用いる
ことができる。但し、塩化ビニル樹脂に加えられるよう
な可塑剤を含まないものが好ましい。このようなものの
一例としては、特開昭59−177943に記載のブロツク共重
合体と他のゴム成分および粘着性付与樹脂からなるもの
を挙げることができる。この場合、用いるプロツク共重
合体によつては他のゴム成分は必ずしも必要ではない。
本発明のフイルムとしては、特開昭59−177943に用いら
れるブロツク共重合体を主体とする粘着剤層を用いるこ
とが好ましい。
上記感圧接着物質からなる粘着剤層は前述のブテン系重
合体のフイムル上に通常用いられる方法により、厚さ10
ないし25μｍの範囲で均一に塗布ないし転写され、本発
明の半導体ウエハダイシング用フイルムが製造される。
合体のフイムル上に通常用いられる方法により、厚さ10
ないし25μｍの範囲で均一に塗布ないし転写され、本発
明の半導体ウエハダイシング用フイルムが製造される。
本発明のダイシング用フイルムを用いることにより、ウ
エハを汚染することなく、かつフイルムの延伸性に優れ
ることによりダイシング工程の作業性も向上する。
エハを汚染することなく、かつフイルムの延伸性に優れ
ることによりダイシング工程の作業性も向上する。
〔実施例〕 実 施 例 １ スチレン−イソプレン−スチレンブロツク共重合体ゴム
（スチレン／イソプレン＝46／86重量比、シエル化学製
「クレイトンＧ1657」）27重量部、石油系樹脂（三井石
油化学製「ハイレツツT-300X」）３重量部からなる感圧
接着性物質を、厚さ100μｍのポリブテンフイルムに厚
み１０μｍで塗布して、本発明のウエハダイシング用貼
着フイルムを得た。かかるウエハダイシング用貼着フイ
ルムの特性を評価するために、以下の試験を行つた。
（スチレン／イソプレン＝46／86重量比、シエル化学製
「クレイトンＧ1657」）27重量部、石油系樹脂（三井石
油化学製「ハイレツツT-300X」）３重量部からなる感圧
接着性物質を、厚さ100μｍのポリブテンフイルムに厚
み１０μｍで塗布して、本発明のウエハダイシング用貼
着フイルムを得た。かかるウエハダイシング用貼着フイ
ルムの特性を評価するために、以下の試験を行つた。
(1)ウエハダイシング用貼着フイルムの引張物性 JIS K6301-1975に記載の４号形ダンベル状試験片に相似
の試験片であつて、全長50mm、両端の幅10mm、チヤツク
間距離30mm、平行部分の長さが15mm、平行部分の巾が５
mm、平行部分の厚さが0.08mm、アール（Ｒ）が12mm、標
線距離が15mmの試験片により、試験温度23℃、試験スピ
ード50mm／minの条件でJIS K6781に準じ引張弾性率、破
断点応力、破断点伸び、100％伸び応力を求めた。
の試験片であつて、全長50mm、両端の幅10mm、チヤツク
間距離30mm、平行部分の長さが15mm、平行部分の巾が５
mm、平行部分の厚さが0.08mm、アール（Ｒ）が12mm、標
線距離が15mmの試験片により、試験温度23℃、試験スピ
ード50mm／minの条件でJIS K6781に準じ引張弾性率、破
断点応力、破断点伸び、100％伸び応力を求めた。
(2)対ウエハ粘着剤残存試験 ウエハダイシング用粘着フイルムをウエハに固定し、50
℃、30分間加熱後剥離し、ウエハに残存する粘着剤の有
無を50倍の顕微鏡により拡大して調べた。
℃、30分間加熱後剥離し、ウエハに残存する粘着剤の有
無を50倍の顕微鏡により拡大して調べた。
(3)対ウエハ金属イオン（Ｃｌ−）残存試験 対ウエハ粘着剤残存試験後のウエハに残存するＣｌ
−を、島津製作所ESCA-750により、ＡｌＫα線励起（８
KV-30mA）の条件で分析を行つた。
−を、島津製作所ESCA-750により、ＡｌＫα線励起（８
KV-30mA）の条件で分析を行つた。
以上の結果を表１に記載する。
比 較 例 １ 可塑剤としてジオクチルフタレート（ＤＯＰ）を20％含
有するフイルム塩化ビニル（日本ゼオン社製「ゼオン10
3EP」フイルム（厚み100μｍ）をウエハダイシング用粘
着フイルムとして使用する以外は、実施例１に準じて試
験を行つた。結果を表１に記載する。
有するフイルム塩化ビニル（日本ゼオン社製「ゼオン10
3EP」フイルム（厚み100μｍ）をウエハダイシング用粘
着フイルムとして使用する以外は、実施例１に準じて試
験を行つた。結果を表１に記載する。
比 較 例 ２ ＰＥフイルム（厚み100μｍ）に実施例１に記載する粘
着剤を塗布（厚み１０μｍ）し、以下同様の試験を行つ
た、結果は表１に記載する。
着剤を塗布（厚み１０μｍ）し、以下同様の試験を行つ
た、結果は表１に記載する。
Claims (1)
- 【請求項１】(A)１−ブテン単独重合体、 (B)エチレン含量１２モル％以下の１−ブテン／エチレ
ン共重合体、 (C)プロピレン含量３５モル％以下の１−ブテン／プロ
ピレン共重合体、 (D)炭素数５個以上のα−オレフィン含量３５モル％以
下の１−ブテン／炭素数５個以上のα−オレフィン共重
合体、 のいずれから選ばれたブテン系重合体のフィルム上に粘
着材層を積層してなる半導体ウェハダイシング用フィル
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25984985A JPH068403B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | ウエハダイシング用接着シ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25984985A JPH068403B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | ウエハダイシング用接着シ−ト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62121781A JPS62121781A (ja) | 1987-06-03 |
| JPH068403B2 true JPH068403B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=17339830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25984985A Expired - Fee Related JPH068403B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | ウエハダイシング用接着シ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068403B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2728333B2 (ja) * | 1992-02-24 | 1998-03-18 | リンテック株式会社 | ウェハ貼着用粘着シートおよびチップのピックアップ方法 |
| TW311927B (ja) * | 1995-07-11 | 1997-08-01 | Minnesota Mining & Mfg | |
| US5648136A (en) * | 1995-07-11 | 1997-07-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Co. | Component carrier tape |
| US6235387B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
| JP4540150B2 (ja) * | 1998-09-30 | 2010-09-08 | 日東電工株式会社 | 熱剥離型粘着シート |
| JP4925173B2 (ja) * | 2006-06-02 | 2012-04-25 | 日東電工株式会社 | ダイシング用粘着シート、及びそれを用いた被切断体の加工方法 |
| KR20230066116A (ko) * | 2016-06-30 | 2023-05-12 | 린텍 가부시키가이샤 | 반도체 가공용 시트 |
| JP6088701B1 (ja) * | 2016-10-06 | 2017-03-01 | 株式会社きもと | レーザーダイシング用補助シート |
| JP6913427B2 (ja) * | 2016-10-06 | 2021-08-04 | 株式会社きもと | レーザーダイシング用補助シート |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52100536A (en) * | 1976-02-19 | 1977-08-23 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | Adhesive tape |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP25984985A patent/JPH068403B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52100536A (en) * | 1976-02-19 | 1977-08-23 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | Adhesive tape |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62121781A (ja) | 1987-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002309012A (ja) | ヒートシールフィルムおよび製造方法 | |
| JPH068403B2 (ja) | ウエハダイシング用接着シ−ト | |
| EP3125276A1 (en) | Base film for dicing sheet, dicing sheet including said base film, and process for producing said base film | |
| JP2009267389A (ja) | ダイシングフィルム | |
| TWI654234B (zh) | Adhesive sheet for semiconductor processing | |
| US5432009A (en) | Film for first-aid sticking plaster | |
| JP2009242586A (ja) | 粘着テープ基材及び粘着シート | |
| EP3073516A1 (en) | Dicing-sheet base film, dicing sheet containing said base film, and method for manufacturing said base film | |
| JP5113991B2 (ja) | 表面保護フィルム | |
| US10438831B2 (en) | Base film for dicing sheets and dicing sheet | |
| JP6198948B2 (ja) | ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート | |
| CN102031072A (zh) | 保持元件用压敏粘合片和生产元件的方法 | |
| JPH1143658A (ja) | 表面保護フィルム | |
| JP2832579B2 (ja) | 塗膜保護用シート | |
| JP5158301B2 (ja) | 剥離ライナー | |
| JPH06220412A (ja) | 表面保護粘着シート | |
| JP2005297247A (ja) | 粘着テープ用基材及び粘着シート | |
| JP2000173951A (ja) | ダイシング用基材フィルム | |
| JP2005297336A (ja) | ダイシングシ−ト用基体フイルム | |
| JPH11297646A (ja) | 半導体チップ支持用フィルム | |
| JP6359243B2 (ja) | 表面保護フィルム | |
| JP2001011207A (ja) | ポリオレフィン系フィルム | |
| JP2023135427A (ja) | 工程用フィルムのリサイクル方法 | |
| JP4118412B2 (ja) | 射出成形体の製造方法 | |
| JP2001303005A (ja) | ポリカーボネート樹脂板用表面保護フィルム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |