JP2007063340A - フィルム基材および半導体ウエハ加工用粘着テープ - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明の目的は、エキスパンド性に優れ、かつエキスパンド後の半導体ウエハ加工用粘着テープの復元率が高い等の半導体ウエハ加工用粘着テープに要求される性能に優れたフィルム基材およびそれを用いた半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することにある。
【解決手段】 本発明のフィルム基材は、半導体ウエハ加工用粘着テープに用いるフィルム基材であって、該フィルム基材は、主としてプロピレン系共重合体を含む樹脂組成物で構成され、該フィルム基材の引張弾性率が５０〜２５０ＭＰａであることを特徴とする。また、本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープは、上記に記載のフィルム基材と、該フィルム基材の一方の面側に設けられた粘着層とで構成されていることを特徴とする。
【選択図】 図１
【解決手段】 本発明のフィルム基材は、半導体ウエハ加工用粘着テープに用いるフィルム基材であって、該フィルム基材は、主としてプロピレン系共重合体を含む樹脂組成物で構成され、該フィルム基材の引張弾性率が５０〜２５０ＭＰａであることを特徴とする。また、本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープは、上記に記載のフィルム基材と、該フィルム基材の一方の面側に設けられた粘着層とで構成されていることを特徴とする。
【選択図】 図１
Description
本発明は、フィルム基材および半導体ウエハ加工用粘着テープに関する。
半導体装置を製造する工程において、半導体ウエハを切断する際に半導体ウエハ加工用の粘着テープが用いられている。この粘着テープは、半導体ウエハに貼り付け、ダイシング、エキスパンド等を行い、半導体ウエハを切断して得られた半導体素子をピックアップ（実装）するために用いられる。
このようなテープは、基材フィルムと、基材フィルムの一方の面に設けられた粘着層とで構成されている。
基材フィルムとしては、主にポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂フィルムが用いられていた。しかし、ポリ塩化ビニル樹脂の使用に対する環境問題、ポリ塩化ビニル樹脂に用いる可塑剤等の添加剤のブリードによる半導体素子の汚染の可能性等を理由として、最近はポリプロピレン系フィルム、エチレンビニルアルコール系フィルムやエチレンメタクリル酸アクリレート系のフィルム等のポリオレフィン系材料を用いた基材フィルムが開発されている（例えば特許文献１参照）。
基材フィルムとしては、主にポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂フィルムが用いられていた。しかし、ポリ塩化ビニル樹脂の使用に対する環境問題、ポリ塩化ビニル樹脂に用いる可塑剤等の添加剤のブリードによる半導体素子の汚染の可能性等を理由として、最近はポリプロピレン系フィルム、エチレンビニルアルコール系フィルムやエチレンメタクリル酸アクリレート系のフィルム等のポリオレフィン系材料を用いた基材フィルムが開発されている（例えば特許文献１参照）。
近年、半導体素子は小型化・薄型化が進み、これまでは問題になっていなかったエキスパンド性、半導体素子の欠け、切り屑の発生等の問題が顕在化してきている。例えばポリプロピレン系フィルムは、エキスパンド後にフィルムの復元率が劣るためカセットラックに収納する際に、弛んだフィルムが下段のウエハ表面と接触し半導体素子を破壊する恐れがある。また、エチレンビニルアルコール系フィルムやエチレンメタクリル酸アクリレート系のフィルムでは、ダイシング時に切り屑が発生しやすく、かつエキスパンド時に裂けやすいという問題がある。そのため、半導体ウエハ加工用粘着テープにおける基材フィルムの性能向上が強く求められている。
本発明の目的は、エキスパンド性に優れ、かつエキスパンド後の半導体ウエハ加工用粘着テープの復元率が高い等の半導体ウエハ加工用粘着テープに要求される性能に優れたフィルム基材およびそれを用いた半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することにある。
このような目的は、下記（１）〜（７）に記載の本発明により達成される。
（１）半導体ウエハ加工用粘着テープに用いるフィルム基材であって、該フィルム基材は、主としてプロピレン系共重合体を含む樹脂組成物で構成され、該フィルム基材の引張弾性率が５０〜２５０ＭＰａであることを特徴とするフィルム基材。
（２）前記樹脂組成物は、さらに熱可塑性エラストマーを含むものである上記（１）に記載のフィルム基材。
（３）前記プロピレン系共重合体の含有量は、前記樹脂組成物全体の５０〜７５重量％である上記（１）または（２）に記載のフィルム基材。
（４）前記プロピレン系共重合体の引張弾性率が６００ＭＰａ以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載のフィルム基材。
（５）前記熱可塑性エラストマーを１００％伸張した後の復元率が９８％以上である上記（２）ないし（４）のいずれかに記載のフィルム基材。
（６）前記フィルム基材のＭＤ方向の１００％モジュラスをＡ［ｇ／ｍｍ２］とし、ＴＤ方向の１００％モジュラスをＢ［ｇ／ｍｍ２］としたとき、その比（Ａ／Ｂ）が１．２以下である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載のフィルム基材。
（７）上記（１）ないし（６）のいずれかに記載のフィルム基材と、該フィルム基材の一方の面側に設けられた粘着層とで構成されていることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（１）半導体ウエハ加工用粘着テープに用いるフィルム基材であって、該フィルム基材は、主としてプロピレン系共重合体を含む樹脂組成物で構成され、該フィルム基材の引張弾性率が５０〜２５０ＭＰａであることを特徴とするフィルム基材。
（２）前記樹脂組成物は、さらに熱可塑性エラストマーを含むものである上記（１）に記載のフィルム基材。
（３）前記プロピレン系共重合体の含有量は、前記樹脂組成物全体の５０〜７５重量％である上記（１）または（２）に記載のフィルム基材。
（４）前記プロピレン系共重合体の引張弾性率が６００ＭＰａ以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載のフィルム基材。
（５）前記熱可塑性エラストマーを１００％伸張した後の復元率が９８％以上である上記（２）ないし（４）のいずれかに記載のフィルム基材。
（６）前記フィルム基材のＭＤ方向の１００％モジュラスをＡ［ｇ／ｍｍ２］とし、ＴＤ方向の１００％モジュラスをＢ［ｇ／ｍｍ２］としたとき、その比（Ａ／Ｂ）が１．２以下である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載のフィルム基材。
（７）上記（１）ないし（６）のいずれかに記載のフィルム基材と、該フィルム基材の一方の面側に設けられた粘着層とで構成されていることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ。
本発明によれば、エキスパンド性に優れ、かつエキスパンド後の半導体ウエハ加工用粘着テープの復元率が高い等の半導体ウエハ加工用粘着テープに要求される性能に優れたフィルム基材およびそれを用いた半導体ウエハ加工用粘着テープを得ることができる。
また、フィルム基材を構成する樹脂組成物に、熱可塑性エラストマーを含む場合、特にフィルム基材の復元性を向上することができる。
また、前記熱可塑性エラストマーとして、特定の復元率を有するものを用いた場合、半導体ウエハ加工用粘着テープの加工後の弛みを特に防止することができる。
また、フィルム基材を構成する樹脂組成物に、熱可塑性エラストマーを含む場合、特にフィルム基材の復元性を向上することができる。
また、前記熱可塑性エラストマーとして、特定の復元率を有するものを用いた場合、半導体ウエハ加工用粘着テープの加工後の弛みを特に防止することができる。
以下、本発明のフィルム基材および半導体ウエハ加工用粘着テープについて詳細に説明する。
図１は、半導体ウエハ加工用粘着テープを模式的に示す断面図である。
図１にあるように、半導体ウエハ加工用粘着テープ１０は、フィルム基材１と、フィルム基材１の一方の面側（図１中上側）に設けられる粘着層２とで構成されている。
図１は、半導体ウエハ加工用粘着テープを模式的に示す断面図である。
図１にあるように、半導体ウエハ加工用粘着テープ１０は、フィルム基材１と、フィルム基材１の一方の面側（図１中上側）に設けられる粘着層２とで構成されている。
まず、フィルム基材１について説明する。
フィルム基材１は、主としてプロピレン系共重合体を含む樹脂組成物で構成されている。これにより、エキスパンドした時に半導体素子間の距離を大きく広げることができるのでピックアップ性が向上すると共に切り屑の発生を抑制することができる。
フィルム基材１は、主としてプロピレン系共重合体を含む樹脂組成物で構成されている。これにより、エキスパンドした時に半導体素子間の距離を大きく広げることができるのでピックアップ性が向上すると共に切り屑の発生を抑制することができる。
前記プロピレン系共重合体としては、例えばプロピレンと他成分とのランダム共重合体、プロピレンと他成分とのブロック共重合体、プロピレンと他成分の交互共重合体等が挙げられる。これらの中でもプロピレンと他成分とのランダム共重合体またはプロピレンと他成分とのブロック共重合体が好ましい。これにより、半導体ウエハを切断する際に発生する切り屑を抑制することができる。このようなプロピレン系共重合体を重合する方法としては、例えば溶媒重合法、バルク重合法、気相重合法等が挙げられる。このような重合には、例えば三塩化チタン型触媒、塩化マグネシウム型担持触媒、メタロセン系触媒等を用いることができる。
具体的に前記プロピレン系共重合体の他成分としては、エチレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン等のα−オレフィン、少なくとも２種以上のα−オレフィンからなる共重合体、スチレン−ジエン系共重合体等が挙げられる。これらの中でもエチレンまたはエチレン−プロピレン共重合体（ＥＰＲ）が好ましい。これにより、半導体ウエハを切断する際に発生する切り屑を特に抑制することができる。
前記樹脂組成物は、上述のようなプロピレン系共重合体を主として含むが、その含有量は、前記樹脂組成物全体の５０重量％以上であれば特に限定されないが、５０〜７５重量％以上が好ましく、特に６０〜７０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると、切り屑が発生を抑制する効果が低下するに加えて、フィルム基材１の密着性が高くなること（ブロッキング現象）により生産性の低下を招く場合がある。また、前記上限値を超えるとＭＤ、ＴＤ方向の拡張率が不均一になり、切り分けた半導体素子が斜めになったり隣接する半導体素子同士で接触したりしてしまう場合があり、その結果、半導体素子の画像認識ができなくなったり、半導体素子が欠けてしまったりする場合がある。
前記プロピレン系共重合体の引張弾性率は、特に限定されないが、６００ＭＰａ以下が好ましく、特に３００〜５５０ＭＰａが好ましい。引張弾性率が前記上限値を超えるとフィルム基材１を拡張するのに大きな張力が必要となる為、エキスパンドした時に半導体素子間の距離が小さくなりピックアップ性を向上する効果が低下する場合がある。一方、前記下限値未満であると切り屑が発生を抑制する効果が低下するに加えてフィルム基材１の剛性が低下することにより、拡張した際に裂ける場合がある。また、前記引張弾性率は、例えば前記プロピレン系共重合体単独で１００μｍのフィルムを作成し、ＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定する１号型引張試験片を作製した。得られた１号型引張試験片を用いて、Ａ＆Ｄ社製のテンシロン万能試験機で応力−ひずみ曲線を作成し、応力−ひずみ曲線の初期の傾斜から引張弾性率Ｅ（下記式）を求めた。
式）引張弾性率Ｅ＝δσ（応力）／δε（ひずみ）
式）引張弾性率Ｅ＝δσ（応力）／δε（ひずみ）
前記樹脂組成物は、さらに熱可塑性エラストマーを含むことが好ましい。これにより、半導体ウエハ加工用粘着テープを裂けることなく均一にエキスパンドすることができ、かつフィルム基材１の復元性をより向上することができる。
前記熱可塑性エラストマーとしては、室温において弾性を示す天然および合成の重合体であれば特に限定されず、例えば天然ゴム、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリクロロブタジエン、エチレン−プロピレンゴム、エチレン−ブテンゴム等のオレフィン系熱可塑性エラストマー、スチレン−ブタジエン共重合体（ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体等）、スチレン−イソプレン共重合体（ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体等）等のスチレン系熱可塑性エラストマー、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、イソプレン−イソブチレン共重合体、イソブチレン−ブタジエン共重合体、エチレン−プロピレン−ジエン三元共重合体、エチレン−プロピレン−ブテン三元共重合体、チオロールゴム、多加硫ゴム、ポリウレタンゴム、ポリエーテルゴム、エピクロルヒドリンゴム等およびこれらの熱可塑性エラストマーに水添加した重合体、例えば水添スチレン−ブタジエン共重合体、水添スチレン−イソプレン共重合体等が挙げられる。これら中でもスチレン系熱可塑性エラストマーが特に好ましい。これにより、復元性が向上するとともに半導体ウエハを加工する際にフィルム基材１が裂けることを抑制することができる。
前記熱可塑性エラストマーとしては、室温において弾性を示す天然および合成の重合体であれば特に限定されず、例えば天然ゴム、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリクロロブタジエン、エチレン−プロピレンゴム、エチレン−ブテンゴム等のオレフィン系熱可塑性エラストマー、スチレン−ブタジエン共重合体（ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体等）、スチレン−イソプレン共重合体（ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体等）等のスチレン系熱可塑性エラストマー、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、イソプレン−イソブチレン共重合体、イソブチレン−ブタジエン共重合体、エチレン−プロピレン−ジエン三元共重合体、エチレン−プロピレン−ブテン三元共重合体、チオロールゴム、多加硫ゴム、ポリウレタンゴム、ポリエーテルゴム、エピクロルヒドリンゴム等およびこれらの熱可塑性エラストマーに水添加した重合体、例えば水添スチレン−ブタジエン共重合体、水添スチレン−イソプレン共重合体等が挙げられる。これら中でもスチレン系熱可塑性エラストマーが特に好ましい。これにより、復元性が向上するとともに半導体ウエハを加工する際にフィルム基材１が裂けることを抑制することができる。
前記熱可塑性エラストマーを１００％伸張した後の復元率は、特に限定されないが、９８％以上が好ましく、特に９９％以上が好ましい。復元率が前記範囲内であると、特に加工後のフィルム基材１の弛みを抑制することができる。前記復元率は、例えば半導体ウエハ加工用粘着テープのフィルム基材１から、ＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定する１号型引張試験片を作製した。得られた１号型引張試験片に４０ｍｍ長の標線を引き、チャック間を４０ｍｍに設定したテンシロン万能試験機（Ａ＆Ｄ社製）に標線を合わせてセットし、２００ｍｍ/ｍｉｎの速度で１００％伸張（４０ｍｍ伸張）した後、２分間保持してからチャックを開放し、チャック開放から５分後に１号型引張試験片の標線間距離を測定して復元率（下記式）を算出した。
式）復元率（％） ＝ （８０−チャック開放後の標線間距離）／４０Ｘ１００
式）復元率（％） ＝ （８０−チャック開放後の標線間距離）／４０Ｘ１００
このような熱可塑性エラストマーの含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の２５〜５０重量％が好ましく、特に３０〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると復元性を向上する効果が低下し、加工後のフィルム基材１の弛みによりカセットに収納できないなどの不具合を引き起こす場合があり、前記上限値を超えると切り屑の発生を防止する効果が低下する場合がある。
前記樹脂組成物には、上述したプロピレン系共重合体、熱可塑性エラストマー以外に本発明の目的を損なわない範囲で結晶核剤、アニオン性、カチオン性、非イオン性または両イオン性の一般に公知である帯電防止剤、紫外線吸収剤、滑剤、酸化防止剤、光安定剤、アンチブロッキング剤、界面活性剤、染料、顔料、難燃剤、充填剤、石油樹脂等の添加剤を添加しても良い。
前記帯電防止剤の種類としては、特に限定されないが表面にブリードしにくい高分子型の帯電防止剤が好ましい。
前記帯電防止剤の含有量も、特に限定されないが、前記プロピレン系共重合体（熱可塑性エラストマーを含む場合は、前記プロピレン系共重合体と前記熱可塑性エラストマーの合計）１００重量部に対して５〜５０重量部が好ましく、特に１０〜３０重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に基材の機械的特性と帯電防止性能とのバランスに優れる。これにより、エキスパンド時あるいはピックアップ時に発生する静電気を抑制できるため、半導体素子の破壊を抑えることができ歩留まりが向上する。
前記帯電防止剤の含有量も、特に限定されないが、前記プロピレン系共重合体（熱可塑性エラストマーを含む場合は、前記プロピレン系共重合体と前記熱可塑性エラストマーの合計）１００重量部に対して５〜５０重量部が好ましく、特に１０〜３０重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に基材の機械的特性と帯電防止性能とのバランスに優れる。これにより、エキスパンド時あるいはピックアップ時に発生する静電気を抑制できるため、半導体素子の破壊を抑えることができ歩留まりが向上する。
このような前記樹脂組成物をフィルム基材１にする方法としては、例えば前記樹脂組成物を構成する原料を混合（混練）した後、押出機等でフィルムに製膜する方法が挙げられる。
前記原料の混合（混練）は、特に限定されず、ドライブレンドする方法でも良いが、バンバリーミキサー、ニーダー、ロールなどのバッチ式混練、単軸押出機、２軸押出機、カレンダーロールなどの連続式混練機を使用することが好ましい。
このように混合した原料をフィルムに製膜する方法としては、Ｔ−ダイ押出、カレンダー法等が挙げられる。
前記原料の混合（混練）は、特に限定されず、ドライブレンドする方法でも良いが、バンバリーミキサー、ニーダー、ロールなどのバッチ式混練、単軸押出機、２軸押出機、カレンダーロールなどの連続式混練機を使用することが好ましい。
このように混合した原料をフィルムに製膜する方法としては、Ｔ−ダイ押出、カレンダー法等が挙げられる。
このようにして得られるフィルム基材１の厚さは、特に限定されないが、０．０５〜０．５ｍｍが好ましく、特に０．０８〜０．３ｍｍが好ましい。
また、フィルム基材１の一方の面または両面にエンボスロール等を用いて適当な凹凸形状を形成しても良い。さらに、この後塗工する粘着剤層との密着力を上げるために、これらのフィルム基材１の表面にコロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ−オゾン処理等の前処理を行っても良い。
また、フィルム基材１の一方の面または両面にエンボスロール等を用いて適当な凹凸形状を形成しても良い。さらに、この後塗工する粘着剤層との密着力を上げるために、これらのフィルム基材１の表面にコロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ−オゾン処理等の前処理を行っても良い。
本発明では、このようにして得られるフィルム基材１の引張弾性率は５０〜２５０ＭＰａであることを特徴とする。
従来のフィルム基材は、エチレン共重合体単独、エチレン共重合体／熱可塑性エラストマー系、ポリプロピレン系／熱可塑性エラストマー系等があった。ここで、エチレン共重合体単独、エチレン共重合体／熱可塑性エラストマー系の弾性率は３０〜５０ＭＰａ程度、ポリプロピレン系／熱可塑性エラストマー系の弾性率は３００〜８００ＭＰａ程度であった。これらのエチレン共重合体単独、エチレン共重合体／熱可塑性エラストマー系のフィルム基材であると、フィルムの耐引き裂き性、半導体ウエハを切断する際に発生する切り屑の発生の抑制に関しては依然不十分であった。
一方、ポリプロピレン系／熱可塑性エラストマー系のフィルム基材１であると、半導体ウエハを切断する際に発生する切り屑の発生の抑制に関しては優れるが、フィルム基材１の拡張性や復元性が依然不十分であった。
これに対して、本発明ではプロピレン系共重合体を主として含む樹脂組成物で構成されるフィルム基材１の弾性率を前記５０〜２５０ＭＰａとすることにより、エキスパンドした時の半導体素子間の距離が開きやすくなり、かつ半導体ウエハを切断する際に発生する切り屑の抑制に優れることができる。
具体的にフィルム基材１の引張弾性率は、６０〜２４０ＭＰａであることが好ましく、特に７５〜２００ＭＰａであることが好ましい。引張弾性率が前記範囲内であると、さらに復元性にも優れる。
従来のフィルム基材は、エチレン共重合体単独、エチレン共重合体／熱可塑性エラストマー系、ポリプロピレン系／熱可塑性エラストマー系等があった。ここで、エチレン共重合体単独、エチレン共重合体／熱可塑性エラストマー系の弾性率は３０〜５０ＭＰａ程度、ポリプロピレン系／熱可塑性エラストマー系の弾性率は３００〜８００ＭＰａ程度であった。これらのエチレン共重合体単独、エチレン共重合体／熱可塑性エラストマー系のフィルム基材であると、フィルムの耐引き裂き性、半導体ウエハを切断する際に発生する切り屑の発生の抑制に関しては依然不十分であった。
一方、ポリプロピレン系／熱可塑性エラストマー系のフィルム基材１であると、半導体ウエハを切断する際に発生する切り屑の発生の抑制に関しては優れるが、フィルム基材１の拡張性や復元性が依然不十分であった。
これに対して、本発明ではプロピレン系共重合体を主として含む樹脂組成物で構成されるフィルム基材１の弾性率を前記５０〜２５０ＭＰａとすることにより、エキスパンドした時の半導体素子間の距離が開きやすくなり、かつ半導体ウエハを切断する際に発生する切り屑の抑制に優れることができる。
具体的にフィルム基材１の引張弾性率は、６０〜２４０ＭＰａであることが好ましく、特に７５〜２００ＭＰａであることが好ましい。引張弾性率が前記範囲内であると、さらに復元性にも優れる。
また、フィルム基材１を１００％伸張した後の復元率は、特に限定されないが、ＭＤ方向、ＴＤ方向ともに８０％以上であることが好ましく、特に９０％以上であることが好ましい。復元率が前記範囲内であると、特にエキスパンド時のフィルム裂けや加工後のフィルム基材１の弛み抑制に優れる。
また、フィルム基材１のＭＤ方向の１００％モジュラスＡ［ｇ／ｍｍ２］と、ＴＤ方向の１００％モジュラスＢ［ｇ／ｍｍ２］との比（Ａ／Ｂ）は、特に限定されないが、１．２以下であることが好ましく、特に１．０〜１．１が好ましい。比が前記範囲内であると、エキスパンド時の半導体素子間の距離を均一に開かせることが可能となり画像認識性が向上する。
次に、粘着層２について説明する。
粘着層２は、一般的にベース樹脂となる粘着付与成分以外に、エネルギー線硬化型樹脂、エネルギー線性重合開始剤、架橋剤からなる樹脂組成物で構成されている。
前記ベース樹脂としては、従来公知のものが広く用いられうるがアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステルを主たる構成単位とする単独重合体もしくはその他の共重合性コモノマーとの共重合体及びこれらの混合物から成るアクリル系粘着剤が好ましい。
主たる構成単位となるアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステルとしては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸グリシジル等が挙げられる。これらの中でもアクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸オクチルの中から選ばれた１種以上が好ましい。これにより、良好な粘着性に加えて、低汚染性とすることができる。ここで、低汚染性とは、半導体ウエハを個片化した後のピックアップ工程において粘着層２が半導体ウエハ５に残り難いことを意味する。
また、前記共重合性コモノマーとしては、例えばメタクリル酸、アクリル酸、イタコン酸、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリルアミド、メチロールアクリルアミド、無水マレイン酸、スチレン、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル等が挙げられる。
粘着層２は、一般的にベース樹脂となる粘着付与成分以外に、エネルギー線硬化型樹脂、エネルギー線性重合開始剤、架橋剤からなる樹脂組成物で構成されている。
前記ベース樹脂としては、従来公知のものが広く用いられうるがアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステルを主たる構成単位とする単独重合体もしくはその他の共重合性コモノマーとの共重合体及びこれらの混合物から成るアクリル系粘着剤が好ましい。
主たる構成単位となるアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステルとしては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸グリシジル等が挙げられる。これらの中でもアクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸オクチルの中から選ばれた１種以上が好ましい。これにより、良好な粘着性に加えて、低汚染性とすることができる。ここで、低汚染性とは、半導体ウエハを個片化した後のピックアップ工程において粘着層２が半導体ウエハ５に残り難いことを意味する。
また、前記共重合性コモノマーとしては、例えばメタクリル酸、アクリル酸、イタコン酸、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリルアミド、メチロールアクリルアミド、無水マレイン酸、スチレン、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル等が挙げられる。
前記ベース樹脂は、特に限定されないが、後述する架橋剤と反応しうる官能基を含有した共重合性コモノマーの重合体を含んでいても良いが、その含有量は特に限定されず、前記ベース樹脂全体の２０％以下が好ましく、特に１０％未満が好ましい。含有量が前記範囲内にあると、架橋剤との反応により粘着力を適度にコントロールすることが可能になる。
前記ベース樹脂は、特に限定されないが、酢酸ビニルモノマーの重合体を含んでいても良いが、その含有量は限定されず、前期ベース樹脂全体の５０重量％以上が好ましく、特に６０〜８５重量％が好ましい。含有量が前記範囲内にあると、安価に凝集力を高めることができ、これによりダイシング時のチップ欠けの抑制、半導体素子のピックアップ性の向上を図ることができる。
前記エネルギー線硬化型樹脂としては、例えば紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって、三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が広く用いられる。そのようなエネルギー線硬化型樹脂として、具体的にはトリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート等や、ポリオール、芳香族イソシアネート及びＯＨ基を有するアクリレートモノマーから合成されたウレタンアクリレートオリゴマー（ＵＡＯ）、ポリエステルポリオール、脂肪族イソシアネート及びＯＨ基を有するアクリレートモノマーから合成したポリエステルＵＡＯ等のウレタンアクリレート（オリゴマー）を挙げることができる。これらの中でもウレタンアクリレート（オリゴマー）が好ましい。これによりフィルム基材１との密着性を向上することができる。
前記エネルギー線硬化型樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記ベース樹脂１００重量部に対して６０〜１３０重量部が好ましく、特に８０〜１２０重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特にエネルギー線照射後の粘着力が適度に低下するため、半導体素子のピックアップ性が向上する。
前記エネルギー線硬化型樹脂の重合開始を容易とするために、前記樹脂組成物にはエネルギー線性重合開始剤を含んでいても良い。
前記エネルギー線性重合開始剤としては、例えば２−２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン等が挙げられる。
前記エネルギー線性重合開始剤としては、例えば２−２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン等が挙げられる。
前記エネルギー線性重合開始剤の含有量は、特に限定されないが、前記ベース樹脂１００重量部に対して１〜１５重量部が好ましく、特に３〜１０重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特にエネルギー線照射（特に紫外線照射）に対する反応効率が向上する。
前記架橋剤としては、例えばエポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。これにより、特に半導体ウエハへの粘着層２の親和性とピックアップ性とのバランスを向上することができる。
イソシアネート系架橋剤の具体例としては、例えば２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２−４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ジシキウロヘキシルメタン−２−４’−ジイソシアネート等が挙げられる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートの中から選ばれる１種以上が好ましい。これにより、特にイソシアネート自体の凝集と架橋のバランスを向上することができる。
さらに、前記主として酢酸ビニルモノマーおよび架橋剤と反応しうる官能基を含有するモノマーの重合体を含んでいるベース樹脂を用いる場合、前述の架橋剤を該ベース樹脂１００重量部に対して８重量部以上含有することが好ましく、特に９〜２５重量部含有することが好ましい。
このように、ベース樹脂として前記酢酸ビニルモノマーの重合体を主として含んでいる場合、前記架橋剤をベース樹脂に対して８重量部以上含有しても初期の剛性が十分維持されているものである。さらに、通常よりも多い架橋剤を含有しているため、エネルギー線照射後に、長尺や薄型の半導体素子等に対してもピックアップすることが容易な粘着力とすることができる。
このように、ベース樹脂として前記酢酸ビニルモノマーの重合体を主として含んでいる場合、前記架橋剤をベース樹脂に対して８重量部以上含有しても初期の剛性が十分維持されているものである。さらに、通常よりも多い架橋剤を含有しているため、エネルギー線照射後に、長尺や薄型の半導体素子等に対してもピックアップすることが容易な粘着力とすることができる。
前記粘着剤樹脂組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で結晶核剤、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等の粘着付与剤、アニオン性、カチオン性、非イオン性または両イオン性の一般に公知の界面活性剤等の帯電防止剤、紫外線吸収剤、滑剤、酸化防止剤、光安定剤、アンチブロッキング剤、界面活性剤、染料、顔料、難燃剤、充填剤等の添加剤を添加しても良い。
前記粘着付与剤の含有量は、特に限定されないが、前記ベース樹脂１００重量部に対して５〜３０重量部が好ましく、特に１０〜２０重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特にピックアップ性に悪影響を及ぼすことなく粘着力を向上させることができる。
前記樹脂組成物で構成される粘着層２を、フィルム基材１に形成して本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープ１０を得ることができる。
フィルム基材１に粘着層２を形成する方法としては、例えば前記樹脂組成物を溶剤に溶解して、コンマコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーター、マイクログラビアコーター等の公知の方法で塗布する方法が挙げられる。
具体的には上述の方法でフィルム基材１に前記樹脂組成物を塗布して、６０〜１００℃×３０秒間〜１０分間程度、乾燥させることにより粘着層２を形成することができる。
フィルム基材１に粘着層２を形成する方法としては、例えば前記樹脂組成物を溶剤に溶解して、コンマコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーター、マイクログラビアコーター等の公知の方法で塗布する方法が挙げられる。
具体的には上述の方法でフィルム基材１に前記樹脂組成物を塗布して、６０〜１００℃×３０秒間〜１０分間程度、乾燥させることにより粘着層２を形成することができる。
このような粘着層２の厚さは、特に限定されないが、５〜３０μｍが好ましく、特に１０〜２０μｍが好ましい。厚さが前記下限値未満であると、粘着力が充分でなくダイシング時に半導体素子が飛散する場合があり、前記上限値を超えると半導体素子のピックアップが困難になる場合がある。
次に、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでは無い。
（実施例１）
１．フィルム基材の製造
プロピレン系共重合体としてＭＦＲ０．７、密度０．９ｇ／ｃｍ３、引張弾性率５４０ＭＰａのプロピレンとエチレンのブロック共重合体（サンアロマー社製）６０重量％と、スチレン含有量２０％、密度０．９ｇ／ｃｍ３、復元率９９％のスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体４０重量％（クラレ社製）とを含む樹脂組成物をドライブレンドした後、Ｔ型ダイスの押出成形機で押し出して引張弾性率１１０ＭＰａのフィルム基材（厚さ１００μｍ）を得た。
（実施例１）
１．フィルム基材の製造
プロピレン系共重合体としてＭＦＲ０．７、密度０．９ｇ／ｃｍ３、引張弾性率５４０ＭＰａのプロピレンとエチレンのブロック共重合体（サンアロマー社製）６０重量％と、スチレン含有量２０％、密度０．９ｇ／ｃｍ３、復元率９９％のスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体４０重量％（クラレ社製）とを含む樹脂組成物をドライブレンドした後、Ｔ型ダイスの押出成形機で押し出して引張弾性率１１０ＭＰａのフィルム基材（厚さ１００μｍ）を得た。
２．半導体ウエハ加工用粘着テープの製造
２−エチルヘキシルアクリレート２９．７重量％、酢酸ビニル６９．３重量％および２−ヒドロキシエチルメタクリレート１重量％を常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させ重量平均分子量１５０，０００のベース樹脂Ａを得た。
このベース樹脂１００重量部に対して、エネルギー線硬化型樹脂として２官能ウレタンアクリレート１００重量部（三菱レイヨン社製、重量平均分子量が１１，０００）と、架橋剤としてポリイソシアネート化合物（コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）１５重量部と、エネルギー線重合開始剤として２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部とを酢酸エチルに溶解した後、前述したフィルム基材に乾燥後の粘着層厚みが１０μｍになるよう塗布し、８０℃で５分間乾燥させることにより半導体ウエハ加工用粘着テープを得た。
２−エチルヘキシルアクリレート２９．７重量％、酢酸ビニル６９．３重量％および２−ヒドロキシエチルメタクリレート１重量％を常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させ重量平均分子量１５０，０００のベース樹脂Ａを得た。
このベース樹脂１００重量部に対して、エネルギー線硬化型樹脂として２官能ウレタンアクリレート１００重量部（三菱レイヨン社製、重量平均分子量が１１，０００）と、架橋剤としてポリイソシアネート化合物（コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）１５重量部と、エネルギー線重合開始剤として２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部とを酢酸エチルに溶解した後、前述したフィルム基材に乾燥後の粘着層厚みが１０μｍになるよう塗布し、８０℃で５分間乾燥させることにより半導体ウエハ加工用粘着テープを得た。
（実施例２）
スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の配合量を５０重量％にした以外は、実施例１と同様にした。得られたフィルム基材の引張弾性率は、５０ＭＰａであった。
スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の配合量を５０重量％にした以外は、実施例１と同様にした。得られたフィルム基材の引張弾性率は、５０ＭＰａであった。
（実施例３）
スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の配合量を２５重量％にした以外は、実施例１と同様にした。得られたフィルム基材の引張弾性率は、２１０ＭＰａであった。
スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の配合量を２５重量％にした以外は、実施例１と同様にした。得られたフィルム基材の引張弾性率は、２１０ＭＰａであった。
（実施例４）
プロピレン系共重合体としてＭＦＲ２．３、密度０．９ｇ／ｃｍ３、引張弾性率６２０ＭＰａであるプロピレンとエチレンとのブロック共重合体（サンアロマー社製）を用いた以外は実施例１と同様にした。得られたフィルム基材の引張弾性率は、１５０ＭＰａであった。
プロピレン系共重合体としてＭＦＲ２．３、密度０．９ｇ／ｃｍ３、引張弾性率６２０ＭＰａであるプロピレンとエチレンとのブロック共重合体（サンアロマー社製）を用いた以外は実施例１と同様にした。得られたフィルム基材の引張弾性率は、１５０ＭＰａであった。
（比較例１）
スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の配合量を６０重量％にした以外は、実施例１と同じにした。得られたフィルム基材の引張弾性率は２０ＭＰａであった。
スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の配合量を６０重量％にした以外は、実施例１と同じにした。得られたフィルム基材の引張弾性率は２０ＭＰａであった。
（比較例２）
スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の配合量を１５重量％にした以外は、実施例１と同様にした。得られたフィルム基材の引張弾性率は、３４０ＭＰａであった。
スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の配合量を１５重量％にした以外は、実施例１と同様にした。得られたフィルム基材の引張弾性率は、３４０ＭＰａであった。
（比較例３）
プロピレン系共重合体の代わりに、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＶＡ：１０％、住友化学社製）を用い、熱可塑性エラストマーを用いなかった以外は、実施例１と同様にした。得られたフィルム基材の引張弾性率は、５０ＭＰａであった。
プロピレン系共重合体の代わりに、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＶＡ：１０％、住友化学社製）を用い、熱可塑性エラストマーを用いなかった以外は、実施例１と同様にした。得られたフィルム基材の引張弾性率は、５０ＭＰａであった。
各実施例および各比較例で得られた半導体加工用粘着テープについて、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．半導体加工用粘着テープにおけるフィルム基材のモジュラス
半導体ウエハ加工用粘着テープのＭＤ方向およびＴＤ方向の１号型引張試験片（ＪＩＳＫ ６３０１に規定）を作製し、テンシロン万能試験機（Ａ＆Ｄ社製）にてＳ−Ｓカーブを測定した。得られたＳ−Ｓカーブより１００％モジュラスを読み取り数値化した。得られたＭＤ、ＴＤの１００％モジュラスからＭＤ／ＴＤの比を求めた。
１．半導体加工用粘着テープにおけるフィルム基材のモジュラス
半導体ウエハ加工用粘着テープのＭＤ方向およびＴＤ方向の１号型引張試験片（ＪＩＳＫ ６３０１に規定）を作製し、テンシロン万能試験機（Ａ＆Ｄ社製）にてＳ−Ｓカーブを測定した。得られたＳ−Ｓカーブより１００％モジュラスを読み取り数値化した。得られたＭＤ、ＴＤの１００％モジュラスからＭＤ／ＴＤの比を求めた。
２．フィルム基材の引張弾性率
実施例および比較例の配合処方にて１００μｍのフィルムを作成し１号型引張試験片（ＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定）を作製した。得られた１号型引張試験片を用いて、テンシロン万能試験機（Ａ＆Ｄ社製）で応力−ひずみ曲線を作成し、応力−ひずみ曲線の初期の傾斜から引張弾性率Ｅ（下記式）を求めた。
式）引張弾性率Ｅ＝δσ（応力）／δε（ひずみ）
実施例および比較例の配合処方にて１００μｍのフィルムを作成し１号型引張試験片（ＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定）を作製した。得られた１号型引張試験片を用いて、テンシロン万能試験機（Ａ＆Ｄ社製）で応力−ひずみ曲線を作成し、応力−ひずみ曲線の初期の傾斜から引張弾性率Ｅ（下記式）を求めた。
式）引張弾性率Ｅ＝δσ（応力）／δε（ひずみ）
３．熱可塑性エラストマーおよびフィルム基材の復元率
復元率は、熱可塑性エラストマー単体、各実施例および各比較例で得られたフィルム基材の１号型引張試験片（ＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定）を作製した。得られた１号型引張試験片に４０ｍｍ長の標線を引き、チャック間を４０ｍｍに設定したテンシロン万能試験機（Ａ＆Ｄ社製）に標線を合わせてセットし、２００ｍｍ/ｍｉｎの速度で１００％伸張（４０ｍｍ伸張）した後、２分間保持してからチャックを開放し、チャック開放から５分後に１号型引張試験片の標線間距離を測定して復元率（下記式）を求めた。
式）復元率（％） ＝ （８０−チャック開放後の標線間距離）／４０Ｘ１００
復元率は、熱可塑性エラストマー単体、各実施例および各比較例で得られたフィルム基材の１号型引張試験片（ＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定）を作製した。得られた１号型引張試験片に４０ｍｍ長の標線を引き、チャック間を４０ｍｍに設定したテンシロン万能試験機（Ａ＆Ｄ社製）に標線を合わせてセットし、２００ｍｍ/ｍｉｎの速度で１００％伸張（４０ｍｍ伸張）した後、２分間保持してからチャックを開放し、チャック開放から５分後に１号型引張試験片の標線間距離を測定して復元率（下記式）を求めた。
式）復元率（％） ＝ （８０−チャック開放後の標線間距離）／４０Ｘ１００
表１から明らかなように、実施例１〜４のフィルム基材の引張弾性率は、５０〜２５０ＭＰａの範囲内であった。
また、実施例１、２および４は、フィルム基材の復元率に特に優れていた。
また、実施例１〜４のフィルム基材のＭＤ方向のモジュラスＡ［ｇ／ｍｍ２］と、ＴＤ方向のモジュラスＢ［ｇ／ｍｍ２］との比（Ａ／Ｂ）は、１．２以下であった。
また、実施例１、２および４は、フィルム基材の復元率に特に優れていた。
また、実施例１〜４のフィルム基材のＭＤ方向のモジュラスＡ［ｇ／ｍｍ２］と、ＴＤ方向のモジュラスＢ［ｇ／ｍｍ２］との比（Ａ／Ｂ）は、１．２以下であった。
半導体ウエハの加工性の評価
（実施例１Ａ〜４Ａおよび比較例１Ａ〜３Ａ）
次に、各実施例および各比較例で得られた半導体加工用粘着テープを用いて半導体ウエハを下記の条件で加工する際の加工性を評価した。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表２に示す。
半導体ウエハの加工（個片化）条件（ダイシング条件）
設備 ： ＤＩＳＣＯ製 ＤＡＤ−３３５０
ブレード ： ＤＩＳＣＯ製 ＮＢＣ−２０５０−ＳＥ ２７ＨＥＤＤ
ブレード回転数 ： ３００００ｒｐｍ
送り速度 ： １００ｍｍ／ｓｅｃ
フィルム切込量 ： ３０μｍ
（実施例１Ａ〜４Ａおよび比較例１Ａ〜３Ａ）
次に、各実施例および各比較例で得られた半導体加工用粘着テープを用いて半導体ウエハを下記の条件で加工する際の加工性を評価した。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表２に示す。
半導体ウエハの加工（個片化）条件（ダイシング条件）
設備 ： ＤＩＳＣＯ製 ＤＡＤ−３３５０
ブレード ： ＤＩＳＣＯ製 ＮＢＣ−２０５０−ＳＥ ２７ＨＥＤＤ
ブレード回転数 ： ３００００ｒｐｍ
送り速度 ： １００ｍｍ／ｓｅｃ
フィルム切込量 ： ３０μｍ
１．半導体素子への切り屑の付着率
６インチのリングに半導体加工用粘着テープを貼り付け、６インチの半導体ウエハ（厚さ３００μｍ）をマウントした。半導体ウエハをマウントした後に、ダイシング装置にセットして５ｍｍｘ５ｍｍのサイズに個片化した。個片化した後、光学顕微鏡（倍率２００倍）で半導体素子の表面を観察し切り屑の付着している割合を求めた。
◎：半導体素子への付着率が０．１％未満。
○：半導体素子への付着率が０．１％以上で、０．３％未満。
△：半導体素子への付着率が０．３％以上で、０．５％未満。
×：半導体素子への付着率が０．５％以上。
６インチのリングに半導体加工用粘着テープを貼り付け、６インチの半導体ウエハ（厚さ３００μｍ）をマウントした。半導体ウエハをマウントした後に、ダイシング装置にセットして５ｍｍｘ５ｍｍのサイズに個片化した。個片化した後、光学顕微鏡（倍率２００倍）で半導体素子の表面を観察し切り屑の付着している割合を求めた。
◎：半導体素子への付着率が０．１％未満。
○：半導体素子への付着率が０．１％以上で、０．３％未満。
△：半導体素子への付着率が０．３％以上で、０．５％未満。
×：半導体素子への付着率が０．５％以上。
２．エキスパンド時の裂け
６インチのリングに半導体加工用粘着テープを貼り付け、６インチの半導体ウエハ（厚さ６２５μｍ）をマウントした。半導体ウエハをマウントした後に、ダイシング装置にセットして５ｍｍｘ５ｍｍのサイズに個片化した。個片化した後、ウエハ拡張装置にセットして半導体加工用粘着テープの引き落とし量を変えながらエキスパンド時の半導体ウエハ加工用粘着テープの裂けを評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：引き落とし量が２０ｍｍを超えても半導体ウエハ加工用粘着テープが裂けなかった。
○：引き落とし量が１５ｍｍを超えて、２０ｍｍ以下なら半導体ウエハ加工用粘着テープが裂けなかった。
△：引き落とし量が１２ｍｍを超えて、１５ｍｍ以下なら半導体ウエハ加工用粘着テープが裂けなかった。
×：引き落とし量が１２ｍｍ以下で半導体ウエハ加工用粘着テープが裂けてしまった。
６インチのリングに半導体加工用粘着テープを貼り付け、６インチの半導体ウエハ（厚さ６２５μｍ）をマウントした。半導体ウエハをマウントした後に、ダイシング装置にセットして５ｍｍｘ５ｍｍのサイズに個片化した。個片化した後、ウエハ拡張装置にセットして半導体加工用粘着テープの引き落とし量を変えながらエキスパンド時の半導体ウエハ加工用粘着テープの裂けを評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：引き落とし量が２０ｍｍを超えても半導体ウエハ加工用粘着テープが裂けなかった。
○：引き落とし量が１５ｍｍを超えて、２０ｍｍ以下なら半導体ウエハ加工用粘着テープが裂けなかった。
△：引き落とし量が１２ｍｍを超えて、１５ｍｍ以下なら半導体ウエハ加工用粘着テープが裂けなかった。
×：引き落とし量が１２ｍｍ以下で半導体ウエハ加工用粘着テープが裂けてしまった。
３．半導体素子間の拡張性
６インチのリングに半導体加工用粘着テープを貼り付け、６インチの半導体ウエハ（厚さ６２５μｍ）をマウントした。半導体ウエハをマウントした後に、ダイシング装置にセットして５ｍｍｘ５ｍｍのサイズに個片化した。個片化した後、ウエハ拡張装置にセットして引き落とし量１５ｍｍでエキスパンド作業を行い、半導体素子間の距離を評価した。各符号は、以下の通りである。なお、評価はＮ＝１００で行った。
◎：半導体素子間の距離が１５０μｍ以上。
○：半導体素子間の距離が１００μｍ以上で、１５０μｍ未満。
△：半導体素子間の距離が８０μｍ以上で、１００μｍ未満。
×：半導体素子間の距離が８０μｍ未満。
６インチのリングに半導体加工用粘着テープを貼り付け、６インチの半導体ウエハ（厚さ６２５μｍ）をマウントした。半導体ウエハをマウントした後に、ダイシング装置にセットして５ｍｍｘ５ｍｍのサイズに個片化した。個片化した後、ウエハ拡張装置にセットして引き落とし量１５ｍｍでエキスパンド作業を行い、半導体素子間の距離を評価した。各符号は、以下の通りである。なお、評価はＮ＝１００で行った。
◎：半導体素子間の距離が１５０μｍ以上。
○：半導体素子間の距離が１００μｍ以上で、１５０μｍ未満。
△：半導体素子間の距離が８０μｍ以上で、１００μｍ未満。
×：半導体素子間の距離が８０μｍ未満。
４．ピックアップ性
４インチの半導体ウエハ（厚さ１００μｍ）に、半導体加工用粘着テープを貼り付けて、１０×１０ｍｍのサイズに個片化した。（フィルム切込量は３０μｍとした）個片化した後、紫外線を照射してからウエハ拡張装置にセットして引き落とし量１０ｍｍでエキスパンド作業を行い、ニードルの突き上げ量を変えて半導体素子のピックアップ性を評価した。ピックアップ評価は、ヒューグルエレクトロニクス製（ＤＥ−３５i−８）で実施した。（突き上げピンは４本でピン間隔は８ｍｍのものを使用）なお、評価はＮ＝１００で行なった。各符号は、以下の通りである。
◎：全ての半導体素子が、１ｍｍ未満の突き上げ量でピックアップ可能であった。
○：全ての半導体素子が、１ｍｍ以上で、２ｍｍ未満の突き上げ量でピックアップ可能であった。
△：５個未満の半導体素子が、２ｍｍ未満の突き上げ量でピックアップ不可であった。
×：５個以上の半導体素子が、２ｍｍ未満の突き上げ量でピックアップ不可であった。
なお、ここで説明する「ピックアップ不可」は、「チップの割れ」も含む。
４インチの半導体ウエハ（厚さ１００μｍ）に、半導体加工用粘着テープを貼り付けて、１０×１０ｍｍのサイズに個片化した。（フィルム切込量は３０μｍとした）個片化した後、紫外線を照射してからウエハ拡張装置にセットして引き落とし量１０ｍｍでエキスパンド作業を行い、ニードルの突き上げ量を変えて半導体素子のピックアップ性を評価した。ピックアップ評価は、ヒューグルエレクトロニクス製（ＤＥ−３５i−８）で実施した。（突き上げピンは４本でピン間隔は８ｍｍのものを使用）なお、評価はＮ＝１００で行なった。各符号は、以下の通りである。
◎：全ての半導体素子が、１ｍｍ未満の突き上げ量でピックアップ可能であった。
○：全ての半導体素子が、１ｍｍ以上で、２ｍｍ未満の突き上げ量でピックアップ可能であった。
△：５個未満の半導体素子が、２ｍｍ未満の突き上げ量でピックアップ不可であった。
×：５個以上の半導体素子が、２ｍｍ未満の突き上げ量でピックアップ不可であった。
なお、ここで説明する「ピックアップ不可」は、「チップの割れ」も含む。
表２から明らかなように、実施例１Ａ〜４Ａは、ダイシング時の切り屑の付着率が低かった。特に実施例１Ａ、３Ａおよび４Ａは、付着率が低かった。
また、特に実施例１Ａ、２Ａおよび４Ａは、エキスパンド時の裂けが無く、エキスパンド性に優れることが示された。
また、実施例１Ａ〜４Ａは、半導体素子間の拡張性および半導体素子のピックアップ性にも優れていた。
また、特に実施例１Ａ、２Ａおよび４Ａは、エキスパンド時の裂けが無く、エキスパンド性に優れることが示された。
また、実施例１Ａ〜４Ａは、半導体素子間の拡張性および半導体素子のピックアップ性にも優れていた。
本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープは、半導体ウエハを切断する際に用いるダイシングテープ、半導体ウエハを研磨する際に用いる保護テープ等に好適に用いることができる。
１ フィルム基材
２ 粘着層
１０ 半導体ウエハ加工用粘着テープ
２ 粘着層
１０ 半導体ウエハ加工用粘着テープ
Claims (7)
- 半導体ウエハ加工用粘着テープに用いるフィルム基材であって、
該フィルム基材は、主としてプロピレン系共重合体を含む樹脂組成物で構成され、
該フィルム基材の引張弾性率が５０〜２５０ＭＰａであることを特徴とするフィルム基材。 - 前記樹脂組成物は、さらに熱可塑性エラストマーを含むものである請求項１に記載のフィルム基材。
- 前記プロピレン系共重合体の含有量は、前記樹脂組成物全体の５０〜７５重量％である請求項１または２に記載のフィルム基材。
- 前記プロピレン系共重合体の引張弾性率が６００ＭＰａ以下である請求項１ないし３のいずれかに記載のフィルム基材。
- 前記熱可塑性エラストマーを１００％伸張した後の復元率が９８％以上である請求項２ないし４のいずれかに記載のフィルム基材。
- 前記フィルム基材のＭＤ方向の１００％モジュラスをＡ［ｇ／ｍｍ２］とし、ＴＤ方向の１００％モジュラスをＢ［ｇ／ｍｍ２］としたとき、その比（Ａ／Ｂ）が１．２以下である請求項１ないし５のいずれかに記載のフィルム基材。
- 請求項１ないし６のいずれかに記載のフィルム基材と、該フィルム基材の一方の面側に設けられた粘着層とで構成されていることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ。
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