JP2001152106A - ダイシング用粘着フィルム - Google Patents
ダイシング用粘着フィルムInfo
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- JP2001152106A JP2001152106A JP33221699A JP33221699A JP2001152106A JP 2001152106 A JP2001152106 A JP 2001152106A JP 33221699 A JP33221699 A JP 33221699A JP 33221699 A JP33221699 A JP 33221699A JP 2001152106 A JP2001152106 A JP 2001152106A
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- JP
- Japan
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- dicing
- film
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- adhesive film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ウエハをダイシングしたあとのダイボン
デイング工程において、均一なエキスパンドが可能であ
り、チップをピックアップする際の静電気によるチップ
破壊を防止し、使用後の焼却が可能なダイシング用粘着
フィルムを提供すること。 【解決手段】ステンレス板に対する静摩擦係数が０.３
以下であり、引張り弾性率が５０〜２００ＭＰａのフィ
ルム基材の背面に帯電防止層、粘着剤層をこの順に形成
してなるダイシング用粘着フィルムを用いる。
デイング工程において、均一なエキスパンドが可能であ
り、チップをピックアップする際の静電気によるチップ
破壊を防止し、使用後の焼却が可能なダイシング用粘着
フィルムを提供すること。 【解決手段】ステンレス板に対する静摩擦係数が０.３
以下であり、引張り弾性率が５０〜２００ＭＰａのフィ
ルム基材の背面に帯電防止層、粘着剤層をこの順に形成
してなるダイシング用粘着フィルムを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハ等
の薄板状材料を半導体チップに切断分離する際に、材料
を貼付け保持するためのダイシング用粘着フィルムに関
する。
の薄板状材料を半導体チップに切断分離する際に、材料
を貼付け保持するためのダイシング用粘着フィルムに関
する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン、ガリウム砒素等の半導体ウエ
ハは、微細回路を形成した後ＩＣチップ等の小片に切断
分離(ダイシング)され、次工程のダイボンド工程に移さ
れる。この際、半導体ウエハは予め粘着剤が塗布された
フィルム、シート、テープ等の粘着面に貼付けされた状
態でダイシング、エキスパンディング、ピックアップ、
ダイボンディングの各工程が加えられる。このダイシン
グ工程では、毎分数万回転の高速で回転する薄い砥石が
ウエハを切断しながら移動していく結果、ウエハおよび
切断されたチップには大きな剥離力が加わる。これに対
抗するために必要な粘着力を持つ粘着フイルム(用途に
よりフィルム、シート、テープ等の材料形態があるが、
以後フイルムで代表させて説明する)が使われている。
ハは、微細回路を形成した後ＩＣチップ等の小片に切断
分離(ダイシング)され、次工程のダイボンド工程に移さ
れる。この際、半導体ウエハは予め粘着剤が塗布された
フィルム、シート、テープ等の粘着面に貼付けされた状
態でダイシング、エキスパンディング、ピックアップ、
ダイボンディングの各工程が加えられる。このダイシン
グ工程では、毎分数万回転の高速で回転する薄い砥石が
ウエハを切断しながら移動していく結果、ウエハおよび
切断されたチップには大きな剥離力が加わる。これに対
抗するために必要な粘着力を持つ粘着フイルム(用途に
よりフィルム、シート、テープ等の材料形態があるが、
以後フイルムで代表させて説明する)が使われている。
【０００３】ダイシング後のダイボンディング工程で
は、通常粘着フィルムに貼られているチップをコレット
で真空吸引し、必要に応じて粘着フィルム裏面からニー
ドルによる突上げを併用してピックアップするので、そ
の際チップが容易且つ確実に粘着フィルムから剥がれる
程度のあまり強すぎない粘着力を持つフィルムが要求さ
れ、その目的に合う粘着フィルムが供給されていた。し
かし粘着フイルムは絶縁体であるため、貼付け時や剥離
時における静電気の発生やそれによる半導体ウエハの帯
電で回路が破壊されることが問題となっていた。またエ
キスパンディング工程で粘着フィルムをエキスパンドで
きるよう、従来から基材フィルムにはポリ塩化ビニルが
使用されており、廃棄処理が問題であった。
は、通常粘着フィルムに貼られているチップをコレット
で真空吸引し、必要に応じて粘着フィルム裏面からニー
ドルによる突上げを併用してピックアップするので、そ
の際チップが容易且つ確実に粘着フィルムから剥がれる
程度のあまり強すぎない粘着力を持つフィルムが要求さ
れ、その目的に合う粘着フィルムが供給されていた。し
かし粘着フイルムは絶縁体であるため、貼付け時や剥離
時における静電気の発生やそれによる半導体ウエハの帯
電で回路が破壊されることが問題となっていた。またエ
キスパンディング工程で粘着フィルムをエキスパンドで
きるよう、従来から基材フィルムにはポリ塩化ビニルが
使用されており、廃棄処理が問題であった。
【０００４】本発明者らは先に、特願平１１-２０５５
３６号として、樹脂層が３層以上であり最外層の上下２
層を結晶性ポリオレフィン、内側の１層以上を低結晶性
ポリオレフィンとした帯電防止性ダイシング用粘着フイ
ルムについて提案したが、この提案では粘着剤層を形成
した面との反対側のフィルム基材面におけるステンレス
板との静摩擦係数が高いために、ダイシング用粘着フィ
ルムとエキスパンド装置との間の滑り性に問題があり、
ダイシング用粘着フイノレムがエキスパンド装置に引っ
かかり均一にエキスパンドができずに、粘着力が十分に
低下しない部分が発生して剥離困難になる等の不具合が
起こる可能性がある。
３６号として、樹脂層が３層以上であり最外層の上下２
層を結晶性ポリオレフィン、内側の１層以上を低結晶性
ポリオレフィンとした帯電防止性ダイシング用粘着フイ
ルムについて提案したが、この提案では粘着剤層を形成
した面との反対側のフィルム基材面におけるステンレス
板との静摩擦係数が高いために、ダイシング用粘着フィ
ルムとエキスパンド装置との間の滑り性に問題があり、
ダイシング用粘着フイノレムがエキスパンド装置に引っ
かかり均一にエキスパンドができずに、粘着力が十分に
低下しない部分が発生して剥離困難になる等の不具合が
起こる可能性がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる状況に
鑑みなされたもので、半導体ウエハをダイシングしたあ
とのダイボンデイング工程において、均一なエキスパン
ドが可能であり、チップをピックアップする際の静電気
によるチップ破壊を防止し、使用後の焼却が可能なダイ
シング用粘着フィルムを提供することを目的とする。
鑑みなされたもので、半導体ウエハをダイシングしたあ
とのダイボンデイング工程において、均一なエキスパン
ドが可能であり、チップをピックアップする際の静電気
によるチップ破壊を防止し、使用後の焼却が可能なダイ
シング用粘着フィルムを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる目的は本発明によ
れば、ステンレス板に対する静摩擦係数が０.３以下で
あり、引張り弾性率が５０〜２００ＭＰａのフィルム基
材の背面に帯電防止層、粘着剤層をこの順に形成してな
るダイシング用粘着フィルムにより達成される。
れば、ステンレス板に対する静摩擦係数が０.３以下で
あり、引張り弾性率が５０〜２００ＭＰａのフィルム基
材の背面に帯電防止層、粘着剤層をこの順に形成してな
るダイシング用粘着フィルムにより達成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明のダイシング用粘着フイル
ムは、引張り弾性率が５０〜２００ＭＰａのフィルム基
材の片面に帯電防止層、粘着剤層をこの順に形成してな
り、粘着剤層を形成した面とは反対側のフィルム基材表
面のステンレス板に対する静摩擦係数が０.３以下であ
るものである。本発明で用いられるフィルム基材は、５
０〜２００ＭＰａの引張り弾性率を有し粘着剤層を設け
ていない側のステンレス板に対する静摩擦係数が０.３
以下のものであれば特に制約はないが、最外層を結晶性
ポリオレフィン、内側を低結晶性ポリオレフィンとした
３層以上とすることにより、塑性変形による歪みが少な
くなり全方向に均一に延展する基材を得ることができる
ので好ましい。すなわち、内側の低結晶性ポリオレフィ
ン層が塑性変形しても歪みが残らないため、同じ厚さの
結晶性ポリオレフィンのみからなる樹脂層と比較した場
合歪みが発生する部分が少なくなるため、伸びの差が少
ない基材が得られる。この場合、樹脂層の引張り弾性率
が５０〜２００ＭＰａであるため、良好なダイシング性
能を得ることができる。引張り弾性率が５０ＭＰａより
も小さい場合、チップの保持が不十分になりダイシング
の際にチッピングが発生したり、ウエハ重量でフイルム
がたわむことにより搬送が困難になるという問題が発生
する。引張り弾性率が２００ＭＰａより大きいと、エキ
スパンドやピックアップの際にフィルム変形が不十分と
なり剥離力が大きくなる問題が発生する。
ムは、引張り弾性率が５０〜２００ＭＰａのフィルム基
材の片面に帯電防止層、粘着剤層をこの順に形成してな
り、粘着剤層を形成した面とは反対側のフィルム基材表
面のステンレス板に対する静摩擦係数が０.３以下であ
るものである。本発明で用いられるフィルム基材は、５
０〜２００ＭＰａの引張り弾性率を有し粘着剤層を設け
ていない側のステンレス板に対する静摩擦係数が０.３
以下のものであれば特に制約はないが、最外層を結晶性
ポリオレフィン、内側を低結晶性ポリオレフィンとした
３層以上とすることにより、塑性変形による歪みが少な
くなり全方向に均一に延展する基材を得ることができる
ので好ましい。すなわち、内側の低結晶性ポリオレフィ
ン層が塑性変形しても歪みが残らないため、同じ厚さの
結晶性ポリオレフィンのみからなる樹脂層と比較した場
合歪みが発生する部分が少なくなるため、伸びの差が少
ない基材が得られる。この場合、樹脂層の引張り弾性率
が５０〜２００ＭＰａであるため、良好なダイシング性
能を得ることができる。引張り弾性率が５０ＭＰａより
も小さい場合、チップの保持が不十分になりダイシング
の際にチッピングが発生したり、ウエハ重量でフイルム
がたわむことにより搬送が困難になるという問題が発生
する。引張り弾性率が２００ＭＰａより大きいと、エキ
スパンドやピックアップの際にフィルム変形が不十分と
なり剥離力が大きくなる問題が発生する。
【０００８】このような３層以上の多層構造において
は、低結晶性のポリオレフィンの厚みを１０〜１８０μ
ｍとし、結晶性ポリオレフィンの厚みを１０〜３０μｍ
とするのが好ましい。更にフィルム基材全体の厚みとし
ては、３０〜２００μｍとするのが好ましく、６０〜１
５０μｍとするのが特に好ましい。結晶性ポリオレフィ
ンとしては、低密度ポリエチレン、線状低密度ポリエチ
レン、ポリプロピレンまたはこれらの混合物を用いるの
が好ましい。低結晶性ポリオレフィンとしては、無定型
ポリα一オレフィン(プロピレンとエチレンやブテンー
１等を共重合した分子量の比較的低い高分子)や結晶性
ポリプロピレンの製造時に副生するアタクチックポリプ
ロピレン等を用いるのが好ましく、Ｔダイやインフレー
ション用ダイをもつ押出機やカレンダー法により加工さ
れる。また各樹脂層には、必要に応じて一般に使用され
る酸化防止剤、老化防止剤、着色剤等の添加物を含んで
もよい。更に帯電防止層との密着力を得るために、コロ
ナ処理、プラズマ処理等の表面処理を行っても構わな
い。
は、低結晶性のポリオレフィンの厚みを１０〜１８０μ
ｍとし、結晶性ポリオレフィンの厚みを１０〜３０μｍ
とするのが好ましい。更にフィルム基材全体の厚みとし
ては、３０〜２００μｍとするのが好ましく、６０〜１
５０μｍとするのが特に好ましい。結晶性ポリオレフィ
ンとしては、低密度ポリエチレン、線状低密度ポリエチ
レン、ポリプロピレンまたはこれらの混合物を用いるの
が好ましい。低結晶性ポリオレフィンとしては、無定型
ポリα一オレフィン(プロピレンとエチレンやブテンー
１等を共重合した分子量の比較的低い高分子)や結晶性
ポリプロピレンの製造時に副生するアタクチックポリプ
ロピレン等を用いるのが好ましく、Ｔダイやインフレー
ション用ダイをもつ押出機やカレンダー法により加工さ
れる。また各樹脂層には、必要に応じて一般に使用され
る酸化防止剤、老化防止剤、着色剤等の添加物を含んで
もよい。更に帯電防止層との密着力を得るために、コロ
ナ処理、プラズマ処理等の表面処理を行っても構わな
い。
【０００９】また、粘着剤層を設けていないフィルム基
材表面のステンレス板との静摩擦係数は０．０１〜０.
３であることが好ましく、０．０１〜０．２であること
が更に好ましい。静摩擦係数を０.３以下とすること
で、エキスパンド装置との滑り性がよくなるため均一に
エキスパンドすることが可能となる。フィルム基材表面
の静摩擦係数が０.３よりも大きい場合は、エキスパン
ド装置との滑り性が悪くなるためエキスパンドした際に
均一に伸びなくなり、粘着力が十分に低下せずピックア
ップできない、フィルム厚みにバラツキが生じてしまう
ためチップが傾きピックアップできない等の問題が発生
する。静摩擦係数を０.３以下にする方法としては、最
外層のフィルム基材表面ににシリコーン樹脂層等の背面
処理層を形成する方法、滑剤あるいは界面活性剤、可塑
剤等の低分子量物を樹脂に添加したり塗布する方法が用
いられるが、製造コストの面から滑剤や界面活性剤、可
塑剤等を樹脂に添加あるいは塗布する方法が好ましい。
またこれら材料の種類については特に限定しない。な
お、静摩擦係数の測定は、モータ駆動の傾斜板と傾斜角
指示目盛盤からなる摩擦角測定機を用い、傾斜板に測定
面が上になるようにフィルムを固定し、その上に重量１
ｋｇにしたステンレス板をのせ、傾斜板の角度を徐々に
あげていき、ステンレス板が１ｃｍ移動した時の傾斜角
を測定し、そのｔａｎをもって静摩擦係数とした。
材表面のステンレス板との静摩擦係数は０．０１〜０.
３であることが好ましく、０．０１〜０．２であること
が更に好ましい。静摩擦係数を０.３以下とすること
で、エキスパンド装置との滑り性がよくなるため均一に
エキスパンドすることが可能となる。フィルム基材表面
の静摩擦係数が０.３よりも大きい場合は、エキスパン
ド装置との滑り性が悪くなるためエキスパンドした際に
均一に伸びなくなり、粘着力が十分に低下せずピックア
ップできない、フィルム厚みにバラツキが生じてしまう
ためチップが傾きピックアップできない等の問題が発生
する。静摩擦係数を０.３以下にする方法としては、最
外層のフィルム基材表面ににシリコーン樹脂層等の背面
処理層を形成する方法、滑剤あるいは界面活性剤、可塑
剤等の低分子量物を樹脂に添加したり塗布する方法が用
いられるが、製造コストの面から滑剤や界面活性剤、可
塑剤等を樹脂に添加あるいは塗布する方法が好ましい。
またこれら材料の種類については特に限定しない。な
お、静摩擦係数の測定は、モータ駆動の傾斜板と傾斜角
指示目盛盤からなる摩擦角測定機を用い、傾斜板に測定
面が上になるようにフィルムを固定し、その上に重量１
ｋｇにしたステンレス板をのせ、傾斜板の角度を徐々に
あげていき、ステンレス板が１ｃｍ移動した時の傾斜角
を測定し、そのｔａｎをもって静摩擦係数とした。
【００１０】本発明に用いられる粘着剤としては、アク
リル系粘着剤、天然ゴム系粘着剤、合成ゴム系粘着剤、
シリコーンゴム系粘着剤等が用いられるが、半導体ウエ
ハ等の被着体を汚染することが少ないアクリル系粘着剤
が好ましい。粘着剤層の厚みとしては、０.１〜５０μ
ｍとするのが好ましく、１〜２５μｍがより好ましい。
０.１μｍより薄い場合は必要な初期粘着力が得られ
ず、５０μｍよりも厚い場合はピックアップ時における
剥離力が大きくなりすぎ剥離困難になる。また粘着剤に
は、各種添加剤、例えば粘着付与剤、酸化防止剤、架橋
剤、分離剤、界面活性剤、乳化剤等を添加してもよい。
上記粘着剤は、帯電防止処理したフィルム基材に塗布さ
れる。帯電防止層としては、カルボキシル基及び４級ア
ンモニウム塩基を有する架橋性共重合体高分子が好まし
く、厚みは０.０５〜１.０μｍとするのが好ましい。厚
みが０.０５μｍより薄い場合は、良好な帯電防止性能
が得られず、また１.０μｍより厚い場合は、コストが
高くなるので経済的でない。帯電防止層が界面活性剤の
ような低分子量物の場合には、凝集破壊による粘着剤層
の剥離や表面にブリードして被着体の汚染が発生する。
また、樹脂や粘着剤中に界面活性剤をブレンドした場合
も同様に、表面にブリードして被着体を汚染しやすくな
るので避けるべきである。前記カルボキシル基及び４級
アンモニウム塩基を有する架橋性共重合体高分子とは、
アクリル系重合体中にカルボキシル基及び４級アンモニ
ウム塩基を含有する単量体を共重合したもので、例え
ば、ボンディプＰＡ−１００（コニシ（株）製商品名）
等を用いることができる。
リル系粘着剤、天然ゴム系粘着剤、合成ゴム系粘着剤、
シリコーンゴム系粘着剤等が用いられるが、半導体ウエ
ハ等の被着体を汚染することが少ないアクリル系粘着剤
が好ましい。粘着剤層の厚みとしては、０.１〜５０μ
ｍとするのが好ましく、１〜２５μｍがより好ましい。
０.１μｍより薄い場合は必要な初期粘着力が得られ
ず、５０μｍよりも厚い場合はピックアップ時における
剥離力が大きくなりすぎ剥離困難になる。また粘着剤に
は、各種添加剤、例えば粘着付与剤、酸化防止剤、架橋
剤、分離剤、界面活性剤、乳化剤等を添加してもよい。
上記粘着剤は、帯電防止処理したフィルム基材に塗布さ
れる。帯電防止層としては、カルボキシル基及び４級ア
ンモニウム塩基を有する架橋性共重合体高分子が好まし
く、厚みは０.０５〜１.０μｍとするのが好ましい。厚
みが０.０５μｍより薄い場合は、良好な帯電防止性能
が得られず、また１.０μｍより厚い場合は、コストが
高くなるので経済的でない。帯電防止層が界面活性剤の
ような低分子量物の場合には、凝集破壊による粘着剤層
の剥離や表面にブリードして被着体の汚染が発生する。
また、樹脂や粘着剤中に界面活性剤をブレンドした場合
も同様に、表面にブリードして被着体を汚染しやすくな
るので避けるべきである。前記カルボキシル基及び４級
アンモニウム塩基を有する架橋性共重合体高分子とは、
アクリル系重合体中にカルボキシル基及び４級アンモニ
ウム塩基を含有する単量体を共重合したもので、例え
ば、ボンディプＰＡ−１００（コニシ（株）製商品名）
等を用いることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。
尚、本発明はこれら実施例によって何等限定されるもの
ではない。 実施例１ ・フィルム基材の作成 結晶性ポリオレフィンとしてポリプロピレン(ショウア
ロマーＦＡ４３２： 昭和電工（株）製商品名 ＭＦＲ
７.０ｇ／１０分 )を用い、低結晶性ポリオレフィンと
してポリα−オレフィン(ＣＡＰ３５０ 宇部興産（株）
製商品名 ＭＦＲ１４.０ｇ／１０分）を用い、低結晶性
ポリオレフィン層の両面に結晶性ポリオレフィンを積層
してなる３層構造の樹脂層を多層Ｔダイ法により、全体
厚さが１００μｍ(結晶性ポリオレフィン１０μｍ、低
結晶性ポリオレフィン８０μｍ)になるように作成し
た。 ・帯電防止層の作成 カルボキシル基及び４級アンモニウム塩基を有する架橋
性共重合体としてアクリル系共重合体(ボンデイツプＰ
Ａ−１００：コニシ（株）製商品名)を用い、アクリル
系共重合体１００重量部／硬化剤２５重量部を濃度２％
に混合した溶液を上記フィルム基材の一方の面に塗布
し、乾燥厚さが０.３μｍになるように作成した。 ・粘着層の作成 ブチルアクリレート８７重量部、アクリロニトリル１０
重量部、ヒドロキシエチルアクリレート３重量部からな
る共重合体１００重量部に、トリレンジイソシアネート
を３重量部添加してアクリル系粘着剤を得た。次に、該
粘着剤を上記で得られた帯電防止層の上に塗布し、乾燥
厚さが５μｍになるように形成した。 ・背面処理層（低摩擦層）の形成 シリコーン樹脂(ＹＳＲ３０２２：東芝シリコーン
（株）製商品名)、触媒(東芝シリコーン（株）製商品名
ＹＣ６８３１)を用い、シリコーン樹脂１００重量部／
触媒４重量部で混合して上記樹脂層の粘着剤層を形成し
た面とは反対面に塗布し、乾燥厚さが０.０１μｍにな
るように形成して本発明のダイシング用粘着フィルムを
得た。
尚、本発明はこれら実施例によって何等限定されるもの
ではない。 実施例１ ・フィルム基材の作成 結晶性ポリオレフィンとしてポリプロピレン(ショウア
ロマーＦＡ４３２： 昭和電工（株）製商品名 ＭＦＲ
７.０ｇ／１０分 )を用い、低結晶性ポリオレフィンと
してポリα−オレフィン(ＣＡＰ３５０ 宇部興産（株）
製商品名 ＭＦＲ１４.０ｇ／１０分）を用い、低結晶性
ポリオレフィン層の両面に結晶性ポリオレフィンを積層
してなる３層構造の樹脂層を多層Ｔダイ法により、全体
厚さが１００μｍ(結晶性ポリオレフィン１０μｍ、低
結晶性ポリオレフィン８０μｍ)になるように作成し
た。 ・帯電防止層の作成 カルボキシル基及び４級アンモニウム塩基を有する架橋
性共重合体としてアクリル系共重合体(ボンデイツプＰ
Ａ−１００：コニシ（株）製商品名)を用い、アクリル
系共重合体１００重量部／硬化剤２５重量部を濃度２％
に混合した溶液を上記フィルム基材の一方の面に塗布
し、乾燥厚さが０.３μｍになるように作成した。 ・粘着層の作成 ブチルアクリレート８７重量部、アクリロニトリル１０
重量部、ヒドロキシエチルアクリレート３重量部からな
る共重合体１００重量部に、トリレンジイソシアネート
を３重量部添加してアクリル系粘着剤を得た。次に、該
粘着剤を上記で得られた帯電防止層の上に塗布し、乾燥
厚さが５μｍになるように形成した。 ・背面処理層（低摩擦層）の形成 シリコーン樹脂(ＹＳＲ３０２２：東芝シリコーン
（株）製商品名)、触媒(東芝シリコーン（株）製商品名
ＹＣ６８３１)を用い、シリコーン樹脂１００重量部／
触媒４重量部で混合して上記樹脂層の粘着剤層を形成し
た面とは反対面に塗布し、乾燥厚さが０.０１μｍにな
るように形成して本発明のダイシング用粘着フィルムを
得た。
【００１２】実施例２ シリコーン樹脂層を形成する代わりに、結晶性ポリオレ
フィン層に樹脂１００重量部に対して滑剤(アルフロー
Ｐ-１０：日本油脂（株）製商品名)を０.５重量部添加
すること以外は、実施例１と同様にして本発明のダイシ
ング用粘着フィルムを得た。 実施例３ 結晶性ポリオレフィンとしてポリエチレン(ショウレッ
クスＦ１４１：昭和電工（株）製商品名：ＭＦＲ４.０
ｇ／１０分）を使用した以外は、実施例１と同様にして
本発明のダイシング用粘着フィルムを得た。 実施例４ インフレーション法により厚さ１００μｍに作成したポ
リエチレン(ショウレックスＦ１４１)とした以外は、実
施例１と同様にしてサンプルを作成した。
フィン層に樹脂１００重量部に対して滑剤(アルフロー
Ｐ-１０：日本油脂（株）製商品名)を０.５重量部添加
すること以外は、実施例１と同様にして本発明のダイシ
ング用粘着フィルムを得た。 実施例３ 結晶性ポリオレフィンとしてポリエチレン(ショウレッ
クスＦ１４１：昭和電工（株）製商品名：ＭＦＲ４.０
ｇ／１０分）を使用した以外は、実施例１と同様にして
本発明のダイシング用粘着フィルムを得た。 実施例４ インフレーション法により厚さ１００μｍに作成したポ
リエチレン(ショウレックスＦ１４１)とした以外は、実
施例１と同様にしてサンプルを作成した。
【００１３】比較例１ フィルム基材をＴダイ法により厚さ１００μｍに作成し
たポリプロピレン(ショウアロマ−ＦＡ４３２)とした以
外は、実施例１と同様にしてサンプルを作成した。 比較例２ 背面処理層を設けないこと以外は実施例１と同様にして
サンプルを作成した。 比較例３ 結晶性ポリオレフィン層に樹脂１００重量部に対して滑
剤(アルフローＰ-１０：日本油脂（株）製商品名)を０.
１重量部添加すること以外は、実施例１と同様にしてサ
ンプルを作成した。 比較例４ 帯電防止層を設けないこと以外は実施例１と同様にして
サンプルを作成した。 比較例５ 帯電防止層をカチオン系界面活性剤(エレガン２６４Ｗ
ＡＸ:日本油脂（株）製商品名)とした以外は、実施例１
と同様にしてサンプルを作成した。
たポリプロピレン(ショウアロマ−ＦＡ４３２)とした以
外は、実施例１と同様にしてサンプルを作成した。 比較例２ 背面処理層を設けないこと以外は実施例１と同様にして
サンプルを作成した。 比較例３ 結晶性ポリオレフィン層に樹脂１００重量部に対して滑
剤(アルフローＰ-１０：日本油脂（株）製商品名)を０.
１重量部添加すること以外は、実施例１と同様にしてサ
ンプルを作成した。 比較例４ 帯電防止層を設けないこと以外は実施例１と同様にして
サンプルを作成した。 比較例５ 帯電防止層をカチオン系界面活性剤(エレガン２６４Ｗ
ＡＸ:日本油脂（株）製商品名)とした以外は、実施例１
と同様にしてサンプルを作成した。
【００１４】測定方法 ・引張り弾性率の測定 測定方法はＪＩＳＫ７１１３(プラスチックの引張り試
験方法)に準じ、テープ状の試験片(幅１０ｍｍ)をつか
み治具間距離５０ｍｍ、速度５００ｍｍ／分で延伸して
測定した。 ・エキスパンド性の評価 作成したダイシング用粘着フイルムサンプルに半導体ウ
エハを貼付け、ダイシングを行った。その後エキスパン
ディング工程においてエキスパンドし、均一にエキスパ
ンドできるか評価した。均一にエキスパンドできたもの
を○、不均一になったものを×とした. ・チップ帯電量、チップ破壊の評側 ダイシング後の半導体チップをピックアップし、剥離直
後のチップ帯電量を測定した。また、チップ帯電量測定
後、チップの静電破壊状況を評価した。破壊されていな
い場合を○、破壊された場合を×とした。 ・チップ汚染の評価 作成したダイシング用粘着フイルムを半導体ウエハに貼
り付け、８０℃で１時間処理を行った。その後粘着フイ
ルムを剥離し、半導体ウエハの表面状態を観察した。表
面が汚染されていないものを○、タモリ等で汚染された
ものを×とした。実施例及び比較例で得たダイシング用
粘着フイルムの評価結果を表１に示した。
験方法)に準じ、テープ状の試験片(幅１０ｍｍ)をつか
み治具間距離５０ｍｍ、速度５００ｍｍ／分で延伸して
測定した。 ・エキスパンド性の評価 作成したダイシング用粘着フイルムサンプルに半導体ウ
エハを貼付け、ダイシングを行った。その後エキスパン
ディング工程においてエキスパンドし、均一にエキスパ
ンドできるか評価した。均一にエキスパンドできたもの
を○、不均一になったものを×とした. ・チップ帯電量、チップ破壊の評側 ダイシング後の半導体チップをピックアップし、剥離直
後のチップ帯電量を測定した。また、チップ帯電量測定
後、チップの静電破壊状況を評価した。破壊されていな
い場合を○、破壊された場合を×とした。 ・チップ汚染の評価 作成したダイシング用粘着フイルムを半導体ウエハに貼
り付け、８０℃で１時間処理を行った。その後粘着フイ
ルムを剥離し、半導体ウエハの表面状態を観察した。表
面が汚染されていないものを○、タモリ等で汚染された
ものを×とした。実施例及び比較例で得たダイシング用
粘着フイルムの評価結果を表１に示した。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】本発明のダイシング用粘着フイルムは、
特定のフィルム基材の上に帯電防止層及び粘着剤層を形
成しているため、貼付け時や剥離時における静電気の発
生により半導体チップが帯電して回路が破壊されるのを
防止することができる。また、フィルム基材背面の静摩
擦係数を小さくすることで引っかかりなくエキスパンド
が均一で良好な特性が得られる。更にフィルム基材とし
て最外層に結晶性ポリオレフィンを、内側に低結晶性ポ
リオレフィンを使用した３層以上の積層体とすれば、エ
キスパンドしたときの塑性変形による歪みが少なく、更
に、材質がポリオレフィンであるため焼却処理が可能で
あり、従来の塩ビ系ダイシング用粘着フィルムと比較し
て廃棄処理が容易になる。
特定のフィルム基材の上に帯電防止層及び粘着剤層を形
成しているため、貼付け時や剥離時における静電気の発
生により半導体チップが帯電して回路が破壊されるのを
防止することができる。また、フィルム基材背面の静摩
擦係数を小さくすることで引っかかりなくエキスパンド
が均一で良好な特性が得られる。更にフィルム基材とし
て最外層に結晶性ポリオレフィンを、内側に低結晶性ポ
リオレフィンを使用した３層以上の積層体とすれば、エ
キスパンドしたときの塑性変形による歪みが少なく、更
に、材質がポリオレフィンであるため焼却処理が可能で
あり、従来の塩ビ系ダイシング用粘着フィルムと比較し
て廃棄処理が容易になる。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AH02B AH03B AK03A AK03D AK03E AK07 AK25 AK25G AK25J AK25K AK27G AK52 AL01 AL01B AL01G AR00B AR00C AT00A BA03 BA05 BA07 BA10C BA10D BA10E CB05 CB05C GB41 JA11A JA11D JA11E JB20B JG03B JK02A JK07A JK16A JL01 JL05 JL11 JL13C YY00A 4J004 AA10 AA11 AB01 CA04 CB03 CC02 CC03 FA05 FA08
Claims (3)
- 【請求項１】ステンレス板に対する静摩擦係数が０.３
以下であり、引張り弾性率が５０〜２００ＭＰａのフィ
ルム基材の背面に帯電防止層、粘着剤層をこの順に形成
してなるダイシング用粘着フィルム。 - 【請求項２】フィルム基材が少なくとも３層で構成さ
れ、最外層の上下２層が結晶性ポリオレフィンであり、
内側が１層以上の低結晶性ポリオレフィンである請求項
１に記載のダイシング用粘着フィルム。 - 【請求項３】帯電防止層がカルボキシル基及び４級アン
モニウム塩基を有する架橋性共重合体である請求項１又
は２に記載のダイシング用粘着フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33221699A JP2001152106A (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | ダイシング用粘着フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33221699A JP2001152106A (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | ダイシング用粘着フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001152106A true JP2001152106A (ja) | 2001-06-05 |
Family
ID=18252480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33221699A Pending JP2001152106A (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | ダイシング用粘着フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001152106A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002069395A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Fujimori Kogyo Co Ltd | 半導体製造用粘着テープ |
| JP2007063340A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フィルム基材および半導体ウエハ加工用粘着テープ |
| JP2011119549A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Lintec Corp | ステルスダイシング用粘着シート及び半導体装置の製造方法 |
| US8236416B2 (en) | 2005-12-07 | 2012-08-07 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Adhesive sheet and process for producing electric components using the sheet |
| JP2014120718A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Lintec Corp | 半導体ウエハ加工用シートおよび半導体装置の製造方法 |
| CN110785469A (zh) * | 2017-12-14 | 2020-02-11 | 株式会社Lg化学 | 切割管芯接合膜 |
-
1999
- 1999-11-24 JP JP33221699A patent/JP2001152106A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2007063340A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フィルム基材および半導体ウエハ加工用粘着テープ |
| US8236416B2 (en) | 2005-12-07 | 2012-08-07 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Adhesive sheet and process for producing electric components using the sheet |
| JP2011119549A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Lintec Corp | ステルスダイシング用粘着シート及び半導体装置の製造方法 |
| JP2014120718A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Lintec Corp | 半導体ウエハ加工用シートおよび半導体装置の製造方法 |
| CN110785469A (zh) * | 2017-12-14 | 2020-02-11 | 株式会社Lg化学 | 切割管芯接合膜 |
| CN110785469B (zh) * | 2017-12-14 | 2022-04-08 | 株式会社Lg化学 | 切割管芯接合膜 |
| US11404301B2 (en) | 2017-12-14 | 2022-08-02 | Lg Chem, Ltd. | Dicing die-bonding film |
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