CN110785469B - 切割管芯接合膜 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及切割管芯接合膜和使用所述切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法，所述切割管芯接合膜包括：基底；形成在所述基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层；形成在所述抗静电层上的粘着层；以及形成在所述粘着层上的粘合层。

Description

切割管芯接合膜
技术领域
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0172472号和于2018年7月12日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0081251号的申请日权益，其全部内容通过引用并入本文。
本发明涉及切割管芯接合膜(dicing die-bonding film)，更具体地，涉及能够赋予抗静电性能并且减少在半导体封装过程期间产生的静电的发生，从而改善封装的可靠性并且防止半导体器件损坏的切割管芯接合膜，以及使用所述切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法。
背景技术
通常，用于制造半导体芯片的过程包括在晶片上形成精细图案的过程和对晶片进行抛光并封装经抛光的晶片以符合最终器件的标准的过程。封装过程包括：检查半导体芯片的缺陷的晶片检查过程；将晶片切割以制造分离的单个芯片的切割过程；将分离的芯片附接至电路膜或引线框的安装板的管芯接合过程；通过电连接器(例如，导线)将设置在半导体芯片上的芯片焊盘与电路膜或引线框的电路图案连接的导线接合过程；用封装剂包围外部以保护半导体芯片的内部电路和其他部件的模制过程；对连接引线的阻挡条进行切割的修剪过程；将引线弯曲成具有期望形状的成形过程；检查完成的封装的缺陷的成品检查过程；等等。
通过切割过程，由其中形成有复数个芯片的半导体晶片制造出彼此分离的单个芯片。从广义上说，切割过程是研磨半导体晶片的后表面并沿芯片之间的切割线切割半导体晶片以制造彼此分离的复数个单个芯片的过程。
然而，在切割管芯接合膜中，由于所有部件均由绝缘体构成，因此在层合晶片之前的过程中、管芯接合层和芯片的单个芯片制造过程中以及切割膜与管芯接合层的分离过程中产生大量的静电。因此，极有可能由于静电而出现各种问题，例如，形成在半导体晶片上的电路可能会被破坏，或者材料可能会吸附在电路上使得电路被污染。当出现这些问题时，存在最终产品的可靠性降低并且产品的良品率降低的问题。
发明内容
技术问题
本发明的目的是提供能够赋予抗静电性能并且减少在半导体封装过程期间产生的静电的发生，从而提高封装的可靠性并且防止半导体器件损坏的切割管芯接合膜，以及使用所述切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法。
技术方案
本发明提供了切割管芯接合膜，其包括：基底；形成在基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层；形成在抗静电层上的粘着层(cohesive layer)；以及形成在粘着层上的粘合层(adhesive layer)。
本发明还提供了使用切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法。
在下文中，将更详细地描述根据本发明的具体实施方案的切割管芯接合膜、和半导体晶片的切割方法。
根据本发明的一个实施方案，可以提供切割管芯接合膜，其包括：基底；形成在基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层；形成在抗静电层上的粘着层；以及形成在粘着层上的粘合层。
本发明人对改善拾取特性和防止薄半导体芯片损坏的方法进行了研究，并且通过实验发现，虽然在基底上形成了包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层，但是其不仅不影响现有的半导体制造工艺，而且通过赋予抗静电性能而不影响防止由于静电引起的缺陷的可靠性，从而完成了本发明。
如上所述，抗静电层可以包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料。在此，由于抗静电层包含脂族或脂环族聚氨酯树脂，所以可以防止抗静电层的光学特性劣化的现象，并且可以使基底和粘着层彼此牢固地接合。
具体地，脂族或脂环族聚氨酯树脂可以包括脂族多异氰酸酯与多元醇的反应产物。此外，脂族或脂环族聚氨酯树脂可以包括多元醇(a)、脂族或脂环族多异氰酸酯化合物(b)、以及包括含有亲水性官能团的二醇化合物或二胺化合物的扩链剂(c)的反应产物。
脂族或脂环族多异氰酸酯化合物是指包含脂族或脂环族基团的具有复数个异氰酸酯基的化合物，并且可以由式Q(NCO)n表示。在这种情况下，n为2至4的整数，并且Q可以为包含2至18个碳原子、优选6至10个碳原子的脂族或脂环族官能团。
这样的基于多异氰酸酯的化合物的具体实例包括亚乙基二异氰酸酯、1,4-四亚甲基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯(HDI)、1,12-十二烷二异氰酸酯、1-异氰酸基-3,3,5-三甲基-5-异氰酸基甲基-环己烷、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、其两者或更多者的混合物等。
可以使用各种类型的多元醇来合成聚氨酯树脂。具体地，多元醇可以是包括具有2至10个碳原子的多元羧酸与二醇化合物的反应产物的聚酯多元醇。可以在聚酯多元醇的合成中使用的二醇化合物可以包括乙二醇、1,4-丁二醇、二乙二醇、或者其两者或更多者的混合物。
除了上述含有亲水性官能团的二醇化合物或二胺化合物之外，扩链剂还可以包括选自乙二醇和1,4-丁二醇中的至少一种二醇化合物。
脂族或脂环族聚氨酯树脂的具体物理特性没有限制，但是例如，脂族或脂环族聚氨酯树脂的重均分子量可以为50,000g/mol至500,000g/mol，优选为100,000g/mol至400,000g/mol。
此外，抗静电层的伸长率为90％或更大、90％至600％或100％至500％。当在使用切割管芯接合膜的过程期间和在拉伸过程期间抗静电层的伸长率小于100％时，抗静电层自身破裂，这导致导电聚合物之间的导电路径的损失，从而可能使抗静电层的功能丧失，或者可能出现由于与基底分离而产生的抗静电层消失的现象。
同时，导电填料可以包括本领域公知的有机导电填料或无机导电填料。更具体地，导电填料可以包括选自以下中的至少一者：聚苯胺、聚乙炔、聚(对亚苯基)、聚噻吩、聚吡咯、聚亚二烯基、聚亚苯基亚乙烯、聚苯硫醚、聚氮化硫、聚亚乙基3,4-二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT-PSS)和聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)。
基于100重量份的脂族或脂环族聚氨酯树脂，抗静电层可以包含5重量份至100重量份的导电填料。
当导电填料的含量与脂族或脂环族聚氨酯树脂相比太小时，抗静电层由于缺乏导电材料而导致表面电阻增加，因此可能无法表现出抗静电特性。当导电填料的含量与脂族或脂环族聚氨酯树脂相比太高时，难以产生具有均匀厚度并且均匀地涂覆有填料的抗静电层，切割带的导电性可能由于导电填料而劣化，并且可能难以充分确保切割后的拾取特性。
抗静电层的厚度可以为0.05μm至5μm。当抗静电层的厚度太小时，如上所述，抗静电层中由于缺乏导电材料，表面电阻可能会增加，因此可能无法表现出抗静电特性。当抗静电层的厚度太大时，随着抗静电层的厚度变厚，会影响现有切割带的物理特性，并且可能导致现有可加工性和拉伸特性的劣化。
此外，抗静电层的表面电阻可以为1011Ω/平方或更小，优选108Ω/平方或更小。如果抗静电层的表面电阻超过1011Ω/平方，则可能降低被赋予切割管芯接合膜的抗静电性能。在本发明中，抗静电层的表面电阻的下限没有特别限制。
同时，基底的具体类型没有特别限制，只要其是通常使用的聚合物基底膜即可。例如，基底可以包含选自以下中的至少一种聚合物：聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚丁烯、聚丁二烯、氯乙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯共聚物和乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物。
基底膜的厚度可以为10μm至200μm。
粘着层的具体组成没有特别限制，例如，粘着层可以包含粘着树脂、光引发剂和交联剂。
交联剂可以包括选自以下中的至少一种化合物：基于异氰酸酯的化合物、基于氮丙啶的化合物、基于环氧的化合物和基于金属螯合物的化合物。基于100重量份的粘合树脂，粘着层可以包含0.1重量份至40重量份的交联剂。如果交联剂的含量太小，则粘着层的粘着力可能不足，而如果交联剂的含量太高，则粘着层在光固化之前无法充分确保粘着力，并且可能会发生芯片散落现象等。
光引发剂的具体实例没有限制，可以使用常规已知的光引发剂。此外，基于100重量份的粘着树脂，粘着层可以包含0.1重量份至20重量份的光引发剂。
具体地，粘着树脂可以包括基于(甲基)丙烯酸酯的树脂。在本发明中，(甲基)丙烯酸酯以包括丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯二者的含义使用。
基于(甲基)丙烯酸酯的树脂可以为例如基于(甲基)丙烯酸酯的单体与含可交联官能团的单体的共聚物。在这种情况下，基于(甲基)丙烯酸酯的单体的实例可以包括(甲基)丙烯酸烷基酯。更具体地，作为具有有1至12个碳原子的烷基的单体，(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯或(甲基)丙烯酸癸基酯它们可以单独使用或者以两者或更多者的组合使用。
含可交联官能团的单体的实例可以包括以下中的任一者：含羟基的单体、含羧基的单体、含氮的单体，以及其两者或更多者的混合物。
含羟基的单体的实例可以包括：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙二醇酯、和(甲基)丙烯酸2-羟基丙二醇酯。
含羧基的单体的实例可以包括：(甲基)丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙酸、3-(甲基)丙烯酰氧基丙酸、4-(甲基)丙烯酰氧基丁酸、丙烯酸二聚体、衣康酸、马来酸、马来酸酐等。
含氮的单体的实例可以包括(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺等。
从改善其他功能例如相容性的角度出发，基于(甲基)丙烯酸酯的树脂还可以包含乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。
粘着层还可以包含可紫外固化化合物。
可紫外固化化合物的类型没有特别限制，例如可以使用重均分子量为约500至300,000的多官能化合物(例如多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯、多官能丙烯酸酯单体或低聚物等)。本领域普通技术人员可以根据预期用途容易地选择合适的化合物。基于100重量份的上述粘着树脂，可紫外固化的化合物的含量可以为1重量份至400重量份，优选5重量份至200重量份。如果可紫外固化化合物的含量小于1重量份，则固化后的粘着力劣化可能不充分并且拾取特性降低。如果超过400重量份，则紫外照射前的粘着剂的粘着力可能不足，或者离型膜等的剥离可能无法容易地进行。
可紫外固化粘着剂可以是碳-碳双键结合至丙烯酸共聚物的支链或主链的末端上的化合物以及添加剂紫外固化化合物。即，(甲基)丙烯酸共聚物还可以包含与包含基于(甲基)丙烯酸酯的单体和含可交联官能团的单体的主链的侧链键合的可紫外固化化合物。
可紫外固化化合物的类型每分子包含1至5个、优选1或2个可光固化官能团(例如，可紫外聚合的碳-碳双键)，并且没有特别限制，只要其具有能够与主链中包含的可交联官能团反应的官能团即可。在这种情况下，能够与主链的可交联官能团反应的官能团的实例包括异氰酸酯基和环氧基，但不限于此。
包含能够与主链中包含的羟基反应的官能团的可紫外固化化合物的具体实例可以包括：(甲基)丙烯酰氧基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰氧基甲基异氰酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基异氰酸酯、4-(甲基)丙烯酰氧基丁基异氰酸酯、间丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯或烯丙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸2-羟乙基的反应获得的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物的反应获得的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；多元醇化合物和(甲基)丙烯酸2-羟乙基；或者包含能够与主链中包含的羧基反应的官能团的可紫外固化化合物的具体实例可以包括(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚等中的一种或更多种，但是本发明不限于此。
可紫外固化化合物可以通过取代5mol％至90mol％的包含在主链中的可交联官能团而包含在基础树脂的主链中。如果取代量小于5mol％，则紫外照射引起的剥离力的降低可能不足，而如果其超过90mol％，则紫外照射前的粘着剂的粘着力可能降低。
粘着层可以适当地包含增粘剂，例如松香树脂、萜烯树脂、酚树脂、苯乙烯树脂、脂族石油树脂、芳族石油树脂、脂族芳族共聚物石油树脂等。
在基底膜上形成粘着层的方法没有特别限制，例如，可以使用将本发明的粘着剂组合物直接施加在基底膜上以形成粘着层的方法，将粘着剂组合物施加至分层基底以制造粘着层然后利用分层基底将粘着层转移到基底膜上的方法等。
粘着剂组合物的施加和干燥的方法没有特别限制，例如，可以使用以下方法：通过诸如逗号涂覆机、凹版涂覆机、模涂机、反向涂覆机等的已知方法施加包含各组分自身的组合物，或者施加包含以适当的有机溶剂稀释的各组分的组合物，然后使溶剂在60℃至200℃的温度下干燥10秒至30分钟。此外，在上述过程中，还可以进行用于充分进行粘着剂的交联反应的老化过程。
粘着层的厚度可以为5μm至100μm。
同时，粘合层可以包含热塑性树脂、环氧树脂和固化剂。
热塑性树脂可以为选自以下中的至少一种聚合物树脂：聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酯酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚醚酮、聚烯烃、聚氯乙烯、苯氧基、反应性丁二烯丙烯腈共聚物橡胶和基于(甲基)丙烯酸酯的树脂。
环氧树脂可以包括本领域中已知的用于一般粘合剂的环氧树脂，例如，可以使用分子中包含两个或更多个环氧基并且重均分子量为100至2000的环氧树脂。
环氧树脂通过固化过程形成硬的交联结构，并且可以表现出优异的粘合性、耐热性和机械强度。更具体地，优选使用平均环氧当量为100至1000的环氧树脂作为环氧树脂。如果环氧树脂的环氧当量小于100，则交联密度变得过高，并且粘合膜可能表现出整体刚性特性。如果其超过1000，则耐热性可能降低。
环氧树脂的实例可以包括双官能环氧树脂，例如双酚A环氧树脂或双酚F环氧树脂；具有至少三个官能团的多官能环氧树脂，例如甲酚酚醛清漆环氧树脂、苯酚酚醛清漆环氧树脂、四官能环氧树脂、联苯型环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、烷基改性的三酚甲烷型环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、二环戊二烯改性的酚型环氧树脂等，它们可以单独使用或者以两者或更多者的组合使用，但是本发明不限于此。
此外，作为环氧树脂，优选使用双官能环氧树脂和多官能环氧树脂的混合树脂。如本文所使用的，术语“多官能环氧树脂”意指具有三个或更多个官能团的环氧树脂。即，通常，双官能环氧树脂在高温下柔性和流动性优异，但是其耐热性和固化速度劣化，而具有三个或更多个官能团的多官能环氧树脂由于高固化速率和高交联密度而表现出优异的耐热性，但柔性和流动性降低。因此，通过适当地混合并使用两种树脂可以在控制粘合层的弹性模量和粘性的同时抑制切割步骤中芯片的散落和毛刺的产生。
粘合层中包含的固化剂没有特别限制，只要其可以与环氧树脂和/或热塑性树脂反应而形成交联结构即可。例如，固化剂可以包括选自酚醛树脂、胺固化剂和酸酐固化剂中的至少一种化合物。
基于100重量份的环氧树脂，粘合层可以包含10重量份至1000重量份的热塑性树脂和10重量份至700重量份的固化剂。
固化催化剂用于加速固化剂的作用或者使用于半导体粘合的树脂组合物固化，并且可以使用已知用于生产半导体粘合膜等的固化催化剂而没有特别限制。例如，作为固化催化剂，可以使用选自以下中的至少一者：基于磷的化合物、基于硼的化合物、基于磷-硼的化合物和基于咪唑的化合物。考虑到最终生产的粘合膜的物理特性等，可以适当地选择待使用的固化催化剂的量，并且例如，基于总量为100重量份的环氧树脂、基于(甲基)丙烯酸酯的树脂和酚树脂，固化催化剂可以以0.5重量份至10重量份的量使用。
粘合层的厚度可以为1μm至300μm。
切割管芯接合膜还可以包括形成在粘合层上的离型膜。离型膜的实例可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚酰亚胺膜等。它们可以单独使用或者以两者或更多者的组合使用。
如上所述的离型膜的表面可以用一种或更多种处理进行离型处理，所述处理包括基于醇酸树脂、基于有机硅、基于氟、基于不饱和酯、基于聚烯烃、基于蜡等。其中，特别优选包括赋予耐热性的基于醇酸树脂、基于有机硅、基于氟等的处理。
离型膜可以通常形成为具有约5μm至500μm、优选约10μm至200μm的厚度，但不限于此。
用于制造如上所述的切割管芯接合膜的方法没有特别限制，例如，可以使用在基底上依次形成粘着部、粘合部和离型膜的方法，或者单独地制备切割膜(基底+粘着部)和形成有粘合部的离型膜或管芯接合膜然后将它们层合的方法等。在这种情况下，基底可以在其至少一个表面上形成有具有90％或更大的伸长率的抗静电层的状态下使用。
层合方法没有特别限制，可以使用热轧层合或层合压制法。其中，就可连续处理性和效率二者而言，热轧层合法是优选的。热轧层合方法可以在10℃至100℃的温度在0.1Kgf/cm2至10Kgf/cm2的压力下进行，但不限于此。
根据本发明的另一个实施方案，可以提供使用切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法。
更具体地，本发明的另一个实施方案可以提供半导体晶片的切割方法，其包括：对半导体晶片进行部分预处理使得半导体晶片被完全分割或能够分割，所述半导体晶片包括如上所述的切割管芯接合膜和堆叠在切割管芯接合膜的至少一个表面上的晶片；以及在经预处理的半导体晶片的基底膜上照射紫外线，并且拾取通过半导体晶片的分割而分离的单个芯片。
切割管芯接合膜的内容包括如上所述的所有内容。
除了上述切割方法的步骤的细节之外，可以没有特别限制地使用在本领域中常规已知的在半导体晶片的切割方法中使用的装置、方法等。
使用切割管芯接合膜时，不仅不影响现有的半导体制造过程，并且通过提供抗静电性能可以解决由静电引起的可靠性缺陷，而且可以改善最终产品的良品率，从而解决由于在半导体封装过程中可能出现的静电造成的缺陷的问题。
有益效果
根据本发明，可以提供能够不影响现有的半导体制造工艺并且通过提供抗静电性能而不影响防止由于静电引起的缺陷的可靠性的切割管芯接合膜，以及使用该切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法。
根据半导体晶片变薄，存在的问题是在切割过程或封装的制造过程期间产生静电，并因此降低半导体器件的可靠性。然而，根据上述切割管芯接合膜和切割工艺方法，可以抑制半导体器件中静电的产生，并且可以改善半导体器件的可靠性，从而防止最终产品中出现缺陷。
具体实施方式
将在以下实施例中更详细地描述本发明的具体实施方案。然而，提供以下实施例仅用于说明本发明的实施方案，并且本发明的范围不限于以下实施例。
[制备例]
制备例1：基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的制备
根据下表1所示的组成，将由68.5重量份的丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、8.5重量份的丙烯酸甲酯(MA)和23重量份的丙烯酸羟乙酯(HEA)构成的单体混合物放入配备有用以实现氮气的回流并且易于控制温度的冷却系统的反应器中。
然后，基于100重量份的单体混合物，向其中添加400ppm作为链转移剂(CTA)的n-DDM和100重量份的作为溶剂的乙酸乙酯(EAc)，并在注入氮气以从反应器中除去氧气的同时在30℃下彼此充分混合30分钟或更长时间。然后，使温度升高并保持在62℃，并向其中添加300ppm的作为反应引发剂的V-60(偶氮二异丁腈)从而引发反应，随后聚合6小时，以制备第一反应物质。
将24.6重量份的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)(基于第一反应物质中的HEA为80mol％)和基于MOI的1重量％的催化剂(二月桂酸二丁基锡：DBTDL)混合在第一反应物质中，随后在40℃下反应24小时，以制备在第一反应物质中的聚合物的支链中引入有紫外固化基团的基于(甲基)丙烯酸酯的聚合物树脂。
制备例2：聚氨酯树脂的制备
在200℃的温度、500mmHg至760mmHg的减压和真空气氛的条件下，使己二酸、乙二醇和1,4-丁二醇以1:0.5:0.5的摩尔比反应以合成聚酯多元醇。
然后，在二月桂酸二丁基锡存在下，将合成的聚酯多元醇、扩链剂[2,2’-(亚乙二氧基)双(乙胺)]和NMP放入反应器中，并将温度升高至60℃。
将1,4-环己烷二异氰酸酯添加至反应器以使聚酯多元醇和扩链剂中所含羟基的摩尔数之和与1,4-环己基甲烷二异氰酸酯(CHDI)的异氰酸酯的摩尔数之比为1:1。在将温度升至80℃之后，向其中进一步添加少量环己烷二异氰酸酯并进行聚合。
然后，在使具有目标粘度和分子量的聚氨酯聚合时，添加甲醇以与异氰酸酯基反应，从而合成聚氨酯树脂。
制备例3：聚氨酯树脂的制备
以与制备例2中相同的方式合成聚氨酯树脂，不同之处在于将1,4-环己基甲烷二异氰酸酯(CHDI)材料改变为六亚甲基二异氰酸酯(HDI)。
制备例4：聚氨酯树脂的制备
以与制备例2中相同的方式合成聚氨酯树脂，不同之处在于将1,4-环己基甲烷二异氰酸酯(CHDI)材料改变为2,4-甲苯二异氰酸酯(TDI)。
[实施例和比较例：切割膜、管芯接合膜和切割管芯接合膜的制造]
实施例1
(1)管芯接合膜的制造
将由90g高分子量丙烯酸树脂(Tg 20℃，重均分子量850,000)、30g环氧树脂(酚醛清漆环氧树脂，软化点94℃)、20g作为环氧树脂用固化剂的酚树脂(酚醛清漆树脂，软化点94℃)、0.1g中温引发固化促进剂(2-甲基咪唑)、0.5g高温引发固化促进剂(2-苯基-4-甲基咪唑)、20g作为填料的二氧化硅(平均粒径75nm)、和甲基乙基酮搅拌并彼此混合。
将混合的组合物施加至具有剥离力的基底并在110℃下干燥3分钟以制造涂覆膜厚度为20μm的管芯接合膜。
(2)抗静电基底的制造
将制备例2中制备的聚氨酯树脂和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸酯)(含量相对于100重量份聚氨酯树脂为20重量份)溶解在乙醇、蒸馏水和甲基吡咯烷酮的混合物中以制备涂覆溶液(固体含量：3重量％)。
将该涂覆溶液施加至100μm聚烯烃基底的一侧或两侧上并在50℃下干燥3分钟以制备抗静电聚烯烃基底。
此外，将其施加至厚度为38μm的PET上以形成厚度为5μm的抗静电层。抗静电层的伸长率通过万能测试机(UTM)测量。
(3)切割膜的制造
将7g基于TDI的异氰酸酯固化剂和3g光引发剂(Irgacure 184)与100g制备例1的基于(甲基)丙烯酸酯的聚合物树脂混合以制备粘着剂组合物。
将粘着剂组合物施加至厚度为38μm的经离型处理的PET并在110℃下干燥3分钟以形成厚度为10μm的粘着剂层。将形成的粘着剂层层合在涂覆有以上(2)中制备的抗静电溶液的聚烯烃基底膜上，然后进行老化，从而制造切割膜。
(4)切割管芯接合膜的制造
通过在5kgf/cm2的条件下进行层合来将切成圆形的管芯接合膜转移到所制造的切割膜上，以制造切割管芯接合膜。
实施例2
以与实施例1中相同的方式制造切割管芯接合膜，不同之处在于使用制备例3中制备的氨基甲酸酯树脂。
[实验例]
通过以下描述的方法评估实施例和比较例的切割管芯接合膜的物理特性，其结果示于下表1中。
1.抗静电剂的伸长率的测量
将厚度为5μm的抗静电层制备成宽度/长度为15mm/50mm的尺寸的拉伸测试样品，然后将上部和下部固定至万能测试机的夹具。拉伸测试以100mm/秒的速率进行。在这种情况下，在测量试样被切割的点之后，如下计算伸长率。
伸长率(％)＝[拉伸后的长度/初始长度]×100
2.拉伸之后的外观
将由此制备的抗静电聚烯烃基底制备成宽度/长度为15mm/50mm的尺寸的拉伸测试样品，然后将上部和下部固定至拉伸测试机的夹具。相对于初始样品尺寸，样品在长度方向上变形100％。当观察抗静电涂层的表面时，确认抗静电层的表面破裂。
良好：抗静电层表面上未出现裂纹
差：抗静电层表面上出现裂纹
3.拉伸之后与基底膜的粘合性
将由此制备的抗静电聚烯烃基底制备成宽度/长度为100mm/50mm的尺寸的拉伸测试样品，然后将上部和下部固定至拉伸测试机的夹具。相对于初始样品尺寸，样品在纵向方向上变形100％。在抗静电涂覆膜中以1mm的间隔水平且横向地形成11条切割线以制作100个1mm2的分割。在其上粘贴玻璃纸带和剥离带的操作重复三次。结果分类并表示如下。
良好：抗静电层无剥离
不足：当剥离的抗静电层的分割数为10至50时
差：当剥离膜的分割数为50至100时
4.拉伸之后的表面电阻
将由此制备的抗静电聚烯烃基底制备成宽度/长度为100mm/50mm的尺寸的拉伸测试样品，然后将上部和下部固定至拉伸测试机的夹具。相对于初始样品尺寸，样品在纵向方向上变形100％。使用由MitsubishiChemical制造的表面电阻计(Hiresta，MCP-HT800)在施加100伏特电压10秒之后，测量表面电阻值。
[表1]
实施例1 实施例2 比较例1
抗静电层的伸长率(％) 100 400 80
拉伸之后的外观 良好 良好 差
拉伸之后与基底膜的粘合性 良好 良好 不足
表面电阻(Ω/平方) 2.0×10<sup>8</sup> 4.0×10<sup>7</sup> 1.0×10<sup>13</sup>
从表1可以看出，证实实施例1和2的管芯接合膜在拉伸之后的外观上没有问题，并且拉伸之后与基底膜的粘合性良好。
另一方面，证实在比较例1的切割管芯接合膜的情况下，拉伸之后的外观差并且透射均匀性降低，并且抗静电层从切割管芯接合膜分离，这引起抗静电特性降低的问题。

Claims (11)

1.一种切割管芯接合膜，包括：基底；形成在所述基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层；形成在所述抗静电层上的粘着层；以及形成在所述粘着层上的粘合层，
其中所述抗静电层的伸长率为100％至500％，所述脂族或脂环族聚氨酯树脂包含脂族或脂环族多异氰酸酯与多元醇的反应产物。
2.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
所述抗静电层的表面电阻为1011Ω/平方或更小。
3.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
所述抗静电层的厚度为0.05μm至5μm。
4.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
基于100重量份的所述脂族或脂环族聚氨酯树脂，所述抗静电层包含5重量份至100重量份的所述导电填料。
5.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
所述导电填料包括选自以下中的至少一者：聚苯胺、聚乙炔、聚(对亚苯基)、聚噻吩、聚吡咯、聚亚二烯基、聚亚苯基亚乙烯基、聚苯硫醚、聚氮化硫、聚亚乙基3,4-二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸酯和聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)。
6.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
所述基底包含选自以下中的至少一种聚合物：聚酯、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚丁烯、聚丁二烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯共聚物和乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物。
7.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
所述基底包含聚烯烃。
8.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
所述粘着层包含粘着树脂、光引发剂和交联剂，以及
所述粘合层包含热塑性树脂、环氧树脂和固化剂。
9.根据权利要求1所述的切割管芯接合膜，其中
基底膜的厚度为10μm至200μm，
所述粘着层的厚度为5μm至100μm，以及
所述粘合层的厚度为1μm至300μm。
10.一种使用根据权利要求1所述的切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法。
11.根据权利要求10所述的半导体晶片的切割方法，其中
所述半导体晶片的切割方法包括：对所述半导体晶片进行部分预处理使得所述半导体晶片被完全分割或能够分割，所述半导体晶片包括所述切割管芯接合膜和堆叠在所述切割管芯接合膜的至少一个表面上的晶片；以及
在经预处理的所述半导体晶片的基底膜上照射紫外线，并且拾取通过所述半导体晶片的分割而分离的单个芯片。
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