TWI708825B - 切割晶粒接合膜 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於切割晶粒接合膜，其包括：基材；形成於該基材上且包括脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂及傳導性填料之抗靜電層；形成於該抗靜電層上之黏結層；以及形成於該黏結層上之黏著層；以及使用該切割晶粒接合膜之半導體晶圓的切割方法。

Description

切割晶粒接合膜
相關申請案之相互引用
本申請案主張2017年12月14日於韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office)申請之韓國專利申請案10-2017-0172472以及2018年7月12日於韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案10-2018-0081251號的申請日之優先權及利益，該等申請案係以全文引用方式併入本文中。
本發明係關於切割晶粒接合膜，及更具體而言，關於能賦予抗靜電性能及減少半導體封裝程序期間所產生之靜電發生的切割晶粒接合膜，從而改善封裝之可靠度及防止對半導體裝置之損壞；以及使用該切割晶粒接合膜之半導體晶圓的切割方法。
通常，製造半導體晶片之程序包括於晶圓上形成細微圖案之程序及拋光該晶圓並封裝所拋光之晶圓以符合最終裝置標準的程序。
該封裝程序包括：晶圓檢查程序，其檢查半導體晶片之缺陷；切割程序，其切割晶圓以製造分離的個別晶片；晶粒接合程序，其將分離的晶片附著至電路膜之安裝板或引線框架；線接合程序，其經由導電體(諸如導線)連接提供於半導體晶片上之晶片焊接墊與該電路膜之電路圖案或引線框架；模製程序，其用封裝材料封閉外部部分以保護該半導體晶片之內部電路及其他組件；修整程序，其切割阻膠支撐條(dambar)連接引線；成形程序，其將引線彎曲以具有所希望形狀；成品檢查程序，其檢查成品封裝之缺陷；等。
經由切割製程，彼此分離之個別晶片係從其中形成複數個晶片之半導體晶圓製造。
廣義來說，切割程序為研磨該半導體晶圓之後表面並沿著晶片之間的切割線切割該半導體晶圓以製造複數個彼此分離的個別晶片。
然而，於切割晶粒接合膜中，由於全部組件係由絕緣體構成，於層合晶圓之前的程序、晶粒接合層及晶片之個別晶片製造程序、以及分離切割膜與晶粒接合層中產生相當大量靜電。因此，非常可能因靜電而發生各種不同問題，例如，於半導體晶圓上形成之電路會被破壞、或材料會吸附於電路上而使電路受到污染。
當該等問題發生時，存在最終產品之可靠度降低及產品產率下降的問題。
技術問題
本發明目的係提供能賦予抗靜電性能及減少半導體封裝程序期間所產生之靜電發生的切割晶粒接合膜，從而改善封裝之可靠度及防止對半導體裝置之損壞；以及使用該切割晶粒接合膜之半導體晶圓的切割方法。 技術解決方案
本發明提供切割晶粒接合膜，其包括：基材；形成於該基材上且包括脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂及傳導性填料之抗靜電層；形成於該抗靜電層上之黏結層；以及形成於該黏結層上之黏著層。
本發明亦提供使用切割晶粒接合膜的半導體晶圓之切割方法。
下文，茲更詳細描述根據本發明具體實例之切割晶粒接合膜及半導體晶圓的切割方法。
根據本發明一個實施態樣，可提供切割晶粒接合膜，其包括：基材；形成於該基材上且包括脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂及傳導性填料之抗靜電層；形成於該抗靜電層上之黏結層；以及形成於該黏結層上之黏著層。
本發明人對於改善拾取性質及防止損壞薄半導體晶片之方法進行研究，且經由實驗發現於將含有脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂及傳導性填料之抗靜電層形成於基材上時，不只不影響現有半導體製造程序，而且可靠度藉由賦予抗靜電性能而防止靜電所致之缺陷，從而完成本發明。
如上述，抗靜電層可包括脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂及傳導性填料。此處，當抗靜電層包括脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂時，可防止該抗靜電層之光學性質惡化的現象，以及可牢固地接合基材及黏結層各者。
具體而言，脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂可包括脂族聚異氰酸酯與多元醇之間的反應物。
此外，脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂可含有多元醇(a)、脂族或脂環族聚異氰酸酯化合物(b)、及包括含有親水性官能基之二醇化合物或二胺化合物的鏈增長劑(c)之間的反應物。
脂族或脂環族聚異氰酸酯化合物係指具有複數個包括脂族或脂環族基之異氰酸酯基的化合物，以及可以式Q(NCO)n 表示。
該情況下，n為2至4之整數，及Q可為含有2至18個碳原子，較佳為6至10個碳原子之脂族或脂環族官能基。
此等以聚異氰酸酯為主之化合物的具體實例包括二異氰酸伸乙酯、1,4-四亞甲基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯(HDI)、1,12-十二烷二異氰酸酯、1-異氰酸基-3,3,5-三甲基-5-異氰酸基甲基-環己烷、異佛酮二異氰酸酯(IPDI)、及其二或更多種之混合物等。
各種不同種類之多元醇可用於合成聚胺甲酸酯樹脂。具體而言，多元醇可為含有介於具有2至10個碳原子之多羧酸與二醇化合物之間的反應物之聚酯多元醇。
可用於合成聚酯多元醇之二醇化合物可包括乙二醇、1,4-丁二醇、二乙二醇、或其二或更多種之混合物。
除了上述含有親水性官能基之二醇化合物或二胺化合物以外，鏈增長劑可另外包括至少一種選自由下列所組成之群組的二醇化合物：乙二醇及1,4-丁二醇。
脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂之具體物理性質並無限制，但例如該脂族或環脂族聚胺甲酸酯樹脂可具有50,000 g/mol至500,000 g/mol，及較佳為100,000 g/mol至400,000 g/mol之重量平均分子量。
此外，抗靜電層可具有90%或更大、90%至600%、或100%至500%之伸長率。
當於使用切割晶粒接合膜之程序期間及拉伸程序期間抗靜電層之伸長率低於100%時，該抗靜電層本身龜裂，此導致傳導性聚合物之間的傳導路徑喪失，因而該抗靜電層之功能會喪失或會發生因與基材分離而產生該抗靜電層消失的現象。
同時，傳導性填料可包括本技術中通常已知的有機傳導性填料或無機傳導性填料。更具體而言，傳導性填料可包括選自由下列所組成之群組中之至少一者：聚苯胺、聚乙炔、聚(對伸苯基)、聚噻吩、聚吡咯、聚伸二烯基、聚伸苯基伸乙烯基、聚伸苯硫醚、聚氮化硫、聚伸乙基3,4-二氧基噻吩-聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT-PSS)、及聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)。
抗靜電層可包括基於100重量份之脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂計，為5至100重量份之傳導性填料。
當傳導性填料之含量相較於脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂太小時，表面電阻因缺乏抗靜電層之傳導性材料而提高，因而會無法展現抗靜電性質。
當傳導性填料之含量相較於脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂太高時，難以製造具有均勻厚度及均勻塗佈有填料之抗靜電層，切割膠帶之傳導率會因該傳導性填料而惡化，以及會難以充分確保切割之後的拾取性質。
抗靜電層可具有0.05 μm至5 μm之厚度。
當抗靜電層之厚度太小時，表面電阻會如上述因抗靜電層中缺乏傳導性材料而提高，因而會無法展現抗靜電性質。
當抗靜電層之厚度太大時，因抗靜電層之厚度變厚而影響現有切割膠帶之物理性質，及會造成現有加工性及拉伸特性惡化。
此外，抗靜電層可具有1011 Ω/sq或更低、較佳為108 Ω/sq或更低之表面電阻。
若黏結劑之表面電阻超過1011 Ω/sq，賦予至切割晶粒接合膜之抗靜電性能會降低。
本發明中，黏結劑之表面電阻的下限無特別限制。
同時，基材之具體種類無特別限制，只要其為常用聚合物基材膜即可。例如，基材可包括至少一種選自由下列所組成之群組的聚合物：聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚丁烯、聚丁二烯、氯乙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、及乙烯-丙烯酸烷酯共聚物。
基材膜可具有10 μm至200 μm之厚度。
黏結層之具體組成無特別限制，及例如，黏結層可包括黏結樹脂、光引發劑、及交聯劑。
交聯劑可包括至少一種選自由下列所組成之群組的化合物：以異氰酸酯為主之化合物、以氮
Figure 107132971-A0304-12-01
為主之化合物、以環氧樹脂為主之化合物、及以金屬螯合劑為主之化合物。
黏結層可包括基於100重量份之黏著樹脂計，為0.1至40重量份之交聯劑。
若交聯劑之含量太小，黏結層之黏結力會不足，而若交聯劑之含量太高，黏結層無法充分確保於光固化之前的黏結力，以及會發生晶片散布現象等。
光引發劑之具體實例無特別限制，及可使用慣常已知之光引發劑。
此外，黏結層可包括基於100重量份之黏結樹脂計，為0.1至20重量份之光引發劑。
具體而言，黏結樹脂可包括以(甲基)丙烯酸酯為主之樹脂。
本發明中，使用具有包括丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯二者意義之(甲基)丙烯酸酯。
以(甲基)丙烯酸酯為主之樹脂可為例如以(甲基)丙烯酸酯為主之單體及含可交聯官能基之單體的共聚物。
在該情況下，以(甲基)丙烯酸酯為主之單體的實例可包括(甲基)丙烯酸烷酯。更具體而言，作為具有具1至12個碳原子之烷基的單體者為(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二酯、或(甲基)丙烯酸癸酯，彼等可單獨使用或以二或更者組合使用。
含可交聯官能基之單體的實例可包括含羥基單體、含羧基單體、含氮單體中之任一者、及其二或更多者之混合物。
含羥基單體之實例可包括(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、2-羥基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、及2-羥基丙二醇(甲基)丙烯酸酯。
含羧基化合物之實例可包括(甲基)丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙酸、3-(甲基)丙烯醯氧基丙酸、4-(甲基)丙烯醯氧基丁酸、丙烯酸二聚物、伊康酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐等。
含氮單體之實例可包括(甲基)丙烯腈、N-乙烯吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等。
從改善其他功能性(諸如相容性)之觀點來看，以(甲基)丙烯酸酯為主之樹脂可另外包括乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。
黏結層可另外包括紫外線可固化化合物。
紫外線可固化化合物之類型無特別限制，及例如可使用具有約500至300,000之重量平均分子量的多官能化合物(例如，多官能胺甲酸酯丙烯酸酯、多官能丙烯酸酯單體或寡聚物等)。熟習本領域之普通人士可容易根據目的用途而選擇適當化合物。
紫外線可固化化合物之含量基於100重量份之上述黏結樹脂計，可為1至400重量份、較佳為5至200重量份。
若紫外線可固化化合物之含量少於1重量份，則可能於固化後之黏結力退化不充足，及拾取性質下降。若其超過400重量份，則可能於紫外線照射之前的黏結劑之黏結力不足，或脫離膜等之剝離會不容易進行。
紫外線可固化黏結劑可為其中碳-碳雙鍵係結合至丙烯酸系共聚物之支鏈末端或主鏈的化合物以及添加劑紫外線固化化合物。
即，(甲基)丙烯酸共聚物可進一步包括鍵結至含有以(甲基)丙烯酸酯為主之單體及含可交聯官能基之單體的主鏈之側鏈的紫外線可固化化合物。
該類型紫外線可固化化合物每個分子包括1至5、較佳為1或2個光可固化官能基(例如，紫外線可聚合碳-碳雙鍵)，且無特別限制，只要其具有能與主鏈中所含之可交聯官能基反應的官能基即可。在該情況下，能與主鏈之可交聯官能基反應的官能基之實例包括異氰酸酯基及環氧基，但不局限於此。
包括能與主鏈中所包括之羥基反應的官能基之紫外線可固化化合物的具體實例可包括異氰酸(甲基)丙烯醯氧酯、異氰酸(甲基)丙烯醯氧基甲酯、異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、異氰酸3-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、異氰酸4-(甲基)丙烯醯氧基丁酯、異氰酸間丙烯基-α,α-二甲基苯甲酯、異氰酸甲基丙烯醯酯、或異氰酸烯丙酯；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸2-羥乙基((meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl)之反應所獲得的單異氰酸丙烯醯酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物之反應所獲得的單異氰酸丙烯醯酯化合物；多元醇化合物及(甲基)丙烯酸2-羥乙基；或包括能與主鏈中所包括之羧基反應的官能基之紫外線可固化化合物的具體實例可包括(甲基)丙烯酸環氧丙酯、烯丙基環氧丙基醚等之一或多者，但本發明不局限於此。
紫外線可固化化合物可藉由取代5莫耳%至90莫耳%之主鏈中所含的可交聯官能基而包括於基底樹脂之主鏈中。
若取代量少於5莫耳%，則可能因紫外線照射造成之剝離力降低會不充足，以及若其超過90莫耳%，則紫外線照射前之黏結劑的黏結力會降低。
黏結層可適當地包括膠黏劑，諸如松脂樹脂、萜樹脂、酚樹脂、苯乙烯樹脂、脂族石油樹脂、芳族石油樹脂、脂族芳族共聚物石油樹脂等。
於基材膜上形成黏結層之方法無特別限制，及例如可使用將本發明之黏結劑組成物直接施加至基材膜上以形成黏結層的方法、將黏結劑組成物施加至脫層基材上以製造黏結層然後使用該脫層基材將該黏結層轉移至該基材膜上之方法等。
施加及乾燥黏結劑組成物之方法無特別限制，及例如可使用藉由已知方法(諸如缺角輪塗佈器(comma coater)、凹版塗佈器、模嘴塗佈器、反轉式塗佈器等)施加包括各組分本身之組成物或施加包括於適當有機溶劑中稀釋之各組分的組成物，然後於60℃至200℃之溫度下乾燥該溶劑10秒至30分鐘之方法。
此外，於上述方法中，可進一步進行老化程序以供充分進行黏結劑之交聯反應。
黏結層可具有5 μm至100 μm之厚度。
同時，黏著層可包括熱塑性樹脂、環氧樹脂、及固化劑。
熱塑性樹脂可為至少一種選自由下列所組成之群組的聚合物樹脂：聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚醯胺、聚醚碸、聚醚酮、聚烯烴、聚氯乙烯、苯氧基、反應性丁二烯丙烯腈共聚物橡膠、及以(甲基)丙烯酸酯為主之樹脂。
環氧樹脂可包括用於本技術中已知之一般黏著劑的環氧樹脂，及例如可使用分子中含有二或更多個環氧基且具有100至2000之重量平均分子量的環氧樹脂。
環氧樹脂通過固化程序而形成硬交聯結構，及可展現優異黏著性、耐熱性、及機械強度。
更具體而言，較佳係使用具有100至1000之平均環氧化物當量的環氧樹脂作為環氧樹脂。
若環氧樹脂之環氧化物當量少於100，則交聯密度變得過高，以及可能黏著膜會展現整體剛性性質。若其超過1000，則可能耐熱性下降。
環氧樹脂之實例可包括二官能環氧樹脂，諸如雙酚A環氧樹脂或雙酚F環氧樹脂；具有至少三個官能基之多官能環氧樹脂，諸如甲酚酚醛清漆環氧樹脂、酚系酚醛清漆環氧樹脂、四官能環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、烷基經改質之三酚甲烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、二環戊二烯經改質之酚型環氧樹脂等，彼等可單獨使用或以二或更多者之組合使用，但本發明不局限於此。
此外，作為環氧樹脂，較佳係使用二官能環氧樹脂及多官能環氧樹脂之混合樹脂。
如本文所使用之用語「多官能環氧樹脂」意指具有三或更多個官能基之環氧樹脂。
即，通常，二官能環氧樹脂之可撓性及於高溫下的流動性優異，但其耐熱性及固化速度惡化，然而，具有三或更多個官能基之多官能環氧樹脂因高固化速度及高交聯密度而展現優異耐熱性，但可撓性及流動性下降。
因此，藉由適當混合及使用兩種樹脂，可能抑制切割步驟中之晶片散布及毛邊產生，同時控制黏著層之彈性模數及膠黏特性。
黏著層中所含之固化劑無特別限制，只要其可與環氧樹脂及/或熱塑性樹脂反應以形成交聯結構即可。例如，固化劑可包括至少一種選自由下列所組成之群組之化合物：酚樹脂、胺固化劑、及酸酐固化劑。
黏著層可包括基於100重量份之環氧樹脂計，為10至1000重量份之熱塑性樹脂及10至700重量份之固化劑。
固化觸媒用以加速固化劑之作用或供半導體黏著用之樹脂組成物的固化，以及可使用已知用於製造半導體黏著膜之固化觸媒等而無特別限制。
例如，作為固化觸媒，可使用選自由下列所組成之群組之至少一者：以磷為主之化合物、以硼為主之化合物、以磷-硼為主之化合物、及以咪唑為主之化合物。待使用之固化觸媒的量可考慮最終製造之黏著膜的物理性質等而適當地選擇，及例如固化觸媒之用量基於100重量份之環氧樹脂、以(甲基)丙烯酸酯樹脂、及酚樹脂的總量計，可為0.5至10重量份。
黏著層可具有1 μm至300 μm之厚度。
切割晶粒接合膜可另外包括形成於黏著層上之脫離膜。
脫離膜之實例可包括聚對酞酸伸乙酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚醯亞胺膜等。彼等可單獨使用或以二或更多者組合使用。
可用一或多種處理(包括以醇酸為主、以聚矽氧為主、以氟為主、以不飽和酯為主、以聚烯烴為主、以蠟為主之處理等)對如上述之脫離膜的表面進行脫離處理。其中，以賦予耐熱性之包括以醇酸為主、以聚矽氧為主、以氟為主等的處理特佳。
脫離膜通常可形成具有約5至500 μm、較佳為約10至200 μm之厚度，但不局限於此。
如上述用於製造切割晶粒接合膜之方法無特別限制，及例如可使用於基材上依序形成黏結部分、黏著部分、及脫離膜之方法，或分別製備切割膜(基材+黏結部分)及晶粒接合膜或形成有黏著部分之脫離膜然後將彼等層合的方法等。
在該情況下，基材可呈具有90%或更高之伸長率的抗靜電層係形成於其至少一表面上的狀態使用。
層合方法無特別限制，以及可使用熱輥層合或層合壓製法。其中，熱輥層合法在連續加工性及效率二者方面較佳。
熱輥層合法可於10℃至100℃之溫度在0.1 Kgf/cm2 至10 1 Kgf/cm2 之壓力下進行，但不局限於此。
根據本發明之另外的實施態樣，可提供使用切割晶粒接合膜之半導體晶圓的切割方法。
更具體而言，本發明之另外的實施態樣可提供半導體晶圓之切割方法，其包括：部分預處理包括如上述之切割晶粒接合膜以及堆疊於該切割晶粒接合膜之至少一表面上的晶圓之半導體晶圓，以使該半導體晶圓完全分割或可分割；以及將紫外線照射於該經預處理之半導體晶圓的基材膜上，以及拾取藉由該半導體晶圓之分割作用所分離的個別晶片。
切割晶粒接合膜之內容物包括上述全部內容物。
除上述切割方法之製程細節以外，可使用本技術中通常已知的半導體晶圓之切割方法中所使用的設備、方法等而無特別限制。
當使用切割晶粒接合膜時，不只不影響現有半導體製造程序以及因靜電所造成的可靠度缺陷可經由提供抗靜電性能而解決，而且最終產品的產率可獲得改善，從而解決半導體封裝程序中會發生之靜電所致的缺陷問題。 有利效果
根據本發明，可提供能不影響現有半導體製造程序及經由提供抗靜電性能防止靜電所致之缺陷的可靠度之切割晶粒接合膜，以及使用該切割晶粒接合膜之半導體晶圓的切割方法。
根據半導體晶圓之薄化，存在於切割程序或封裝製造程序期間產生靜電的問題，因而半導體裝置之可靠度下降。然而，根據上述切割晶粒接合膜及切割程序方法，可抑制半導體裝置之靜電產生以及可改善半導體裝置之可靠度，從而防止最終產品中出現缺陷。
將以下列實施例更詳細說明本發明之具體實施態樣。然而，以下實例僅提出以說明本發明之實施態樣，且本發明之範圍不局限於以下實例。 製備實例 製備實例1：製備以(甲基)丙烯酸酯為主之樹脂
根據下表1所示之組成，將由68.5重量份之丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、8.5重量份之丙烯酸甲酯(MA)、及23重量份之丙烯酸羥基乙酯(HEA)所組成的單體混合物置入配備有冷卻系統之反應器，以獲致氮氣回流及溫度控制容易度。
然後，將作為鏈轉移劑(CTA)之400 ppm的n-DDM及作為溶劑之基於100重量份之單體混合物計為100重量份的乙酸乙酯(EAc)添加於其中，以及於30℃下彼此充分混合30分鐘或更久，同時注入氮以從該反應器移除氧。
然後，將溫度提高至並維持於62℃，以及將作為反應引發劑之300 ppm的V-60 (偶氮雙異丁腈)添加於其中從而引發反應，然後藉由聚合6小時，以製備初步反應材料。
將24.6重量份之異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI) (基於初步反應材料中之HEA計為80莫耳%)及基於MOI計為1重量%之觸媒(二月桂酸二丁基錫：DBTDL)混入該初步反應材料，然後藉由在40℃下反應24小時，以製備其中紫外線固化基團係引入該初步反應材料中之聚合物的支鏈之以(甲基)丙烯酸酯為主之聚合物樹脂。 製備實例2：製備聚胺甲酸酯樹脂
己二酸、乙二醇、及1,4-丁二醇係以1：0.5：0.5之莫耳比，在200℃之溫度、500至760 mmHg之減壓、及真空氣氛的條件下反應，以合成聚酯多元醇。
然後，將合成的聚酯多元醇、鏈增長劑[2,2’-(伸乙基二氧基)雙(乙基胺)]、及NMP置入存在二月桂酸二丁基錫之反應器中，並將溫度升高至60℃。
將1,4-環己烷二異氰酸酯添加至該反應器以使聚酯多元醇及鏈增長劑中所含之羥基的莫耳數的總和與1,4-環己基甲烷二異氰酸酯(CHDI)之異氰酸酯的莫耳數之間的比率為1：1。將溫度升高至80℃之後，另外於其中添加少量環己烷二異氰酸酯，以及進行聚合作用。
然後，於當具有目標黏度及分子量之聚胺甲酸酯聚合時，添加甲醇以與異氰酸酯基反應，從而合成聚胺甲酸酯樹脂。 製備實例3：製備聚胺甲酸酯樹脂
以與製備實例2相同方式合成聚胺甲酸酯樹脂，惟將1,4-環己基甲烷二異氰酸酯(CHDI)材料改成六亞甲基二異氰酸酯(HDI)。 製備實例4：製備聚胺甲酸酯樹脂
以與製備實例2相同方式合成聚胺甲酸酯樹脂，惟將1,4-環己基甲烷二異氰酸酯(CHDI)材料改成2,4-甲苯二異氰酸酯(TDI)。 實施例及比較例：製造切割膜、晶粒接合膜、及切割晶粒接合膜 實施例1 (1)製造晶粒接合膜
將由90 g之高分子量丙烯酸系樹脂(Tg 20℃，重量平均分子量為850,000)、30 g之環氧樹脂(酚醛清漆環氧樹脂，軟化點為94℃)、作為環氧樹脂(酚系酚醛清漆樹脂，軟化點為94℃)之固化劑的20 g之酚樹脂、0.1 g之中溫引發固化加速劑(2-甲基-咪唑)、0.5 g之高溫引發固化加速劑(2-苯基-4-甲基咪唑)、作為填料之20 g之矽石(平均粒徑為75 mm)及甲基乙基酮所組成的組成物攪拌及彼此混合。
將混合的組成物施加至具有脫離力之基材，以及於110℃下乾燥3分鐘以製造塗佈膜厚度為20 μm之晶粒接合膜。 (2)製造抗靜電基材
將製備實例2中所製備的聚胺甲酸酯樹脂及聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸酯) (基於100重量份之聚胺甲酸酯樹脂計為20重量份)溶解於乙基醇、蒸餾水、及甲基吡咯啶酮之混合物中，以製備塗佈溶液(固體含量：3重量%)。
將該塗佈溶液施加至100 μm之聚烯烴基材的一面或雙面上，以及於50℃下乾燥3分鐘，以製備抗靜電聚烯烴基材。
此外，將其施加至具有38 μm厚度之PET上以形成具有5 μm厚度之抗靜電層。
該抗靜電層之伸長率係藉由通用試驗機(UTM)測量。 (3)製造切割膜
將7 g之以TDI為主之異氰酸酯固化劑及3 g之光引發劑(Irgacure 184)與100 g之製備實例1的以(甲基)丙烯酸酯為主之聚合物樹脂混合以製備黏結劑組成物。
將該黏結劑組成物施加至經脫離處理之具有38 μm厚度之PET，以及於110℃下乾燥3分鐘，以形成具有10 μm厚度之黏結劑層。
將所形成之黏結劑層層合於經上述(2)中製備的抗靜電溶液塗佈之聚烯烴基材膜上，然後老化，以製造切割膜。 (4)製造切割晶粒接合膜
藉由在5 kgf/cm2 之條件下層合而將切成圓形之晶粒接合膜轉移於所製造的切割膜上，以製造切割晶粒接合膜。 實施例2
切割晶粒接合膜係以與實施例1相同方式製造，惟使用製備實例3中所製備的胺甲酸酯樹脂。 實驗實例
實施例及比較例之切割晶粒接合膜的物理性質係藉由如下述方法評估，且其結果係示於下表3。 1. 抗靜電劑之伸長率測量
將具有5 μm厚度之抗靜電層製備成寬度/長度尺寸為15 mm/50 mm的拉力試驗試樣，然後將上半部分及下半部分固定至通用試驗機之機架。拉力試驗係以100 mm/s之速率進行。
在該情況下，於測量試驗試樣斷開的點之後，如下計算伸長率。 伸長率(%) = [拉伸後之長度/初始長度] x 100 2. 拉伸後之外觀
將如此製備之抗靜電聚烯烴基材製備成寬度/長度尺寸為15 mm/50 mm的拉力試驗試樣，然後將上半部分及下半部分固定至拉力試驗機之機架。樣本在縱向相對於初始樣本尺寸變形100%。於觀察抗靜電塗層之表面時，確認抗靜電層之表面龜裂。 良好：抗靜電層表面上未發生龜裂 不良：抗靜電層表面上發生龜裂 3. 拉伸後對於基材膜之黏著
將如此製備之抗靜電聚烯烴基材製備成寬度/長度尺寸為100 mm/50 mm的拉力試驗試樣，然後將上半部分及下半部分固定至拉力試驗機之機架。樣本在縱向相對於初始樣本尺寸變形100%。以1 mm之間距於抗靜電塗佈膜水平及橫向形成11道切割線，以產生100個1 mm2 之分割部分。將玻璃紙膠帶附著至其上及剝離該膠帶的操作係重複三次。
結果係如下分級及表示。 良好：抗靜電層無剝離 不足：剝離之抗靜電層的分割部分數為10至50時 不良：剝離之膜的分割部分數為50至100時 4. 拉伸後之表面電阻
將如此製備之抗靜電聚烯烴基材製備成寬度/長度尺寸為100 mm/50 mm的拉力試驗試樣，然後將上半部分及下半部分固定至拉力試驗機之機架。樣本在縱向相對於初始樣本尺寸變形100%。施加100伏之電壓10秒後的表面電阻值係使用由Mitsubishi Chemical製造之表面電阻計(Hiresta, MCP-HT800)測量。
Figure 02_image001
從表1看出，確認實施例1及2之晶粒接合膜在拉伸後之外觀無問題，以及拉伸後對於基材膜之黏著良好。
另一方面，確認在比較例1之切割晶粒接合膜的情況下，拉伸後之外觀不良及透射率均勻度降低，以及抗靜電層與切割晶粒接合膜分離，此造成抗靜電性質降低的問題。

Claims (9)

  1. 一種切割晶粒接合膜，其包含：基材；形成於該基材上且包括脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂及傳導性填料之抗靜電層；形成於該抗靜電層上之黏結層；以及形成於該黏結層上之黏著層，其中，該抗靜電層具有90%至600%之伸長率及0.05μm至5μm之厚度，以及該抗靜電層包括基於100重量份之該脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂計，5至100重量份之該傳導性填料。
  2. 如申請專利範圍第1項之切割晶粒接合膜，其中該抗靜電層具有1011Ω/sq或更低之表面電阻。
  3. 如申請專利範圍第1項之切割晶粒接合膜，其中該脂族或脂環族聚胺甲酸酯樹脂包括介於脂族聚異氰酸酯及多元醇之間的反應物。
  4. 如申請專利範圍第1項之切割晶粒接合膜，其中該傳導性填料包括選自由下列所組成之群組中之至少一者：聚苯胺、聚乙炔、聚(對伸苯基)(poly(para-phenylene))、聚噻吩、聚吡咯、聚伸二烯基(polydienylene)、聚伸苯基伸乙烯基、聚伸苯硫醚、聚氮化硫(polysulfur nitride)、聚伸乙基3,4-二氧基噻吩-聚苯乙烯磺酸酯(polyethylene 3,4- dioxythiophene-polystylenesulfonate(PEDOT-PSS))、及聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)。
  5. 如申請專利範圍第1項之切割晶粒接合膜，其中該基材包括至少一種選自由下列所組成之群組的聚合物：聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚丁烯、聚丁二烯、氯乙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、及乙烯-丙烯酸烷酯共聚物。
  6. 如申請專利範圍第1項之切割晶粒接合膜，其中該黏結層包括黏結樹脂、光引發劑、及交聯劑，以及該黏著層包括熱塑性樹脂、環氧樹脂、及固化劑。
  7. 如申請專利範圍第1項之切割晶粒接合膜，其中該基材膜具有10μm至200μm之厚度，該黏結層具有5μm至100μm之厚度，以及該黏著層具有1μm至300μm之厚度。
  8. 一種半導體晶圓之切割方法，其使用如申請專利範圍第1項之切割晶粒接合膜。
  9. 如申請專利範圍第8項之半導體晶圓之切割方法，其中該半導體晶圓之切割方法包括：部分預處理包括如上 述之該切割晶粒接合膜及堆疊於該切割晶粒接合膜之至少一表面上的晶圓之該半導體晶圓，以使該半導體晶圓完全分割或可分割；以及將紫外線照射於該經預處理之半導體晶圓的基材膜上，以及拾取藉由該半導體晶圓之分割作用所分離的個別晶片。
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