TWI740500B - 膜狀接著劑複合片及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之膜狀接著劑複合片具備有：支撐片，具有基材；以及硬化性之膜狀接著劑，設於前述支撐片上且厚度為1 μm至50 μm；前述支撐片與前述膜狀接著劑之界面之剝離力為0.02 N/25 mm至0.2 N/25 mm；前述膜狀接著劑具有以下特性：將硬化前之前述膜狀接著劑以合計厚度成為200 μm之方式積層而成之積層體的斷裂伸長率為450%以下。

Description

膜狀接著劑複合片及半導體裝置的製造方法
本發明係關於一種膜狀接著劑複合片及使用該膜狀接著劑複合片之半導體裝置的製造方法。 本案係基於2015年3月4日在日本申請之日本特願2015-042647號並主張優先權，且將其內容引用於本文。
作為半導體裝置之製造步驟中用以獲得為了用於晶粒接合(die bonding)之貼附有膜狀接著劑之半導體晶片的方法之一，存在具有如下步驟之方法：於利用切割(dicing)預先分割完成之複數個半導體晶片貼附膜狀接著劑之後，將該膜狀接著劑切斷。該方法係使用在支撐片上設有膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片，將該一片膜狀接著劑貼附於複數個半導體晶片。半導體晶片例如藉由如下方式製作：自半導體晶圓之表面形成槽，對背面側進行研削直至到達該槽為止。貼附有切斷後之膜狀接著劑之半導體晶片係與膜狀接著劑一起自支撐片拉離(拾取)，而用於晶粒接合。
上述方法中，作為將膜狀接著劑切斷之方法，已知有例如對膜狀接著劑照射雷射而進行切斷之方法、或藉由將支撐片延伸(expand)而進行切斷之方法。然而，照射雷射之方法存在需要雷射照射裝置且無法以短時間高效率地進行切斷之問題點。另外，進行延伸之方法存在需要延伸裝置且有切剖面粗糙之情況的問題點。此外，在延伸中由於力僅作用於與膜狀接著劑為同一面之方向，故有膜狀接著劑僅與支撐片一起伸長而未被切斷之可能性。因此，有將膜狀接著劑冷卻使其易於被切斷後進行延伸之情況，但此時需要冷卻步驟，從而生產性差。
作為可解決該等問題點之方法，揭示有使用特定之厚度及拉伸斷裂伸長率之膜狀接著劑，利用拾取半導體晶片時產生之剪力而將膜狀接著劑切斷的方法(參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2013-179317號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，專利文獻1中無例如關於支撐片與膜狀接著劑之界面之剝離力的記載，並不清楚所述方法能否將貼附有切斷後之膜狀接著劑之半導體晶片自支撐片確實地拾取。
本發明係鑒於上述情況而完成，其課題在於提供一種在支撐片上設有膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片及使用有該膜狀接著劑複合片之半導體裝置的製造方法，該膜狀接著劑複合片係在半導體裝置之製造時能以簡化之方法將貼附有膜狀接著劑之半導體晶片自支撐片拉離。 [用以解決課題的手段]
為了解決上述課題，本發明提供例如以下之(1)至(3)之膜狀接著劑複合片及(4)之半導體裝置的製造方法。 (1)本發明之第一態樣之膜狀接著劑複合片具備：支撐片，具有基材；以及硬化性之膜狀接著劑，設於前述支撐片上，厚度為1 μm至50 μm；前述支撐片與前述膜狀接著劑之界面之剝離力為0.02 N/25 mm至0.2 N/25 mm，且前述膜狀接著劑具有以下之特性：將硬化前之前述膜狀接著劑以合計厚度成為200 μm之方式積層而成之積層體的斷裂伸長率為450%以下。 (2)於上述(1)之膜狀接著劑複合片中，前述支撐片係由前述基材構成，前述膜狀接著劑可直接接觸地設於前述基材上。 (3)於上述(1)或(2)之膜狀接著劑複合片中，未對前述膜狀接著劑複合片照射能量線之狀態下的前述支撐片與前述膜狀接著劑之界面之剝離力可為0.02 N/25 mm至0.2 N/25 mm。 (4)本發明之第一態樣之半導體裝置的製造方法具有以下步驟：將上述(1)至(3)中之任一膜狀接著劑複合片經由膜狀接著劑貼附於分割完成之複數個半導體晶片的步驟；對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片之支撐片自設有膜狀接著劑之一側之相反側施加力，藉此隔著支撐片對膜狀接著劑施加力而將膜狀接著劑切斷的步驟；以及將前述半導體晶片與貼附於前述半導體晶片之切斷後之前述膜狀接著劑自前述支撐片拉離的步驟。 [發明功效]
根據本發明，可提供一種在支撐片上設有膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片及使用有該膜狀接著劑複合片之半導體裝置的製造方法，該膜狀接著劑複合片係於半導體裝置之製造時，能以簡化之方法將貼附有膜狀接著劑之半導體晶片自支撐片拉離。
＜＜膜狀接著劑複合片＞＞ 本發明之膜狀接著劑複合片係於具有基材之支撐片上設有厚度為1 μm至50 μm之硬化性之膜狀接著劑；前述支撐片與前述膜狀接著劑之界面之剝離力為0.02 N/25 mm至0.2 N/25 mm；前述膜狀接著劑具有以下之特性：將硬化前之前述膜狀接著劑以合計厚度成為200 μm之方式積層而成之積層體的斷裂伸長率為450%以下。
圖6係示意性地例示本發明之膜狀接著劑複合片之一實施形態的剖面圖。本發明之膜狀接著劑複合片1具備有：支撐片11，具有基材10；以及硬化性之膜狀接著劑12，設於支撐片11上，且厚度為1 μm至50 μm。圖6所示之膜狀接著劑複合片1之支撐片11是由基材10構成。 圖7係示意性地例示本發明之膜狀接著劑複合片之一實施形態的剖面圖。本發明之膜狀接著劑複合片2具備有：支撐片11，具有基材10；硬化性之膜狀接著劑12，設於支撐片11上，且厚度為1 μm至50 μm；以及黏著劑層13，設於基材10上；於黏著劑層13上設有膜狀接著劑12。圖7所示之膜狀接著劑複合片2之支撐片11具備基材10與黏著劑層13。
前述膜狀接著劑複合片係於半導體裝置之製造時，將膜狀接著劑貼附於半導體晶片之其中一面(主要是與電路面為相反側之面(背面))而使用。於後續步驟中，半導體晶片係於貼附有膜狀接著劑之狀態下自支撐片被拉離(拾取)。 此時，藉由使前述膜狀接著劑複合片之前述斷裂伸長率與膜狀接著劑之厚度為特定範圍內，即便不另外設置以切斷膜狀接著劑為主目的之步驟，藉由進行隔著支撐片對膜狀接著劑施加力之通常操作，亦可於常溫將膜狀接著劑在目標之部位確實地切斷。因此，可抑制伴隨膜狀接著劑未被切斷所產生之半導體晶片之拉離(上抬)不良。 而且，藉由使前述膜狀接著劑複合片之前述剝離力為特定範圍內，膜狀接著劑之與目標之半導體晶片對應之部位自支撐片確實地剝離，並且可抑制膜狀接著劑之與目標外之半導體晶片對應之部位自支撐片剝離的現象。因此，可抑制因膜狀接著劑之目標之部位未自支撐片剝離所產生之半導體晶片之拉離(上抬)不良、及不僅將目標之半導體晶片拉離亦同時將與該目標之半導體晶片相鄰之半導體晶片與膜狀接著劑一併自支撐片拉離的所謂雙晶粒(double die)之產生。
如此，前述膜狀接著劑複合片藉由規定前述斷裂伸長率、膜狀接著劑之厚度及前述剝離力，而抑制半導體晶片之拉離不良與雙晶粒之產生。而且，藉由使用前述膜狀接著劑複合片，可省略如上述之以切斷膜狀接著劑為主目的之步驟，例如可省略對膜狀接著劑照射雷射而進行切斷之步驟或藉由將膜狀接著劑延伸而進行切斷之步驟等，因此，可避免進行該等步驟所產生之問題點，並且可於常溫切斷膜狀接著劑，亦可削減步驟數，故能以簡化之方法製造半導體裝置。 另外，本說明書中所謂「膜狀接著劑之延伸」係指使膜狀接著劑於與該膜狀接著劑表面平行之方向擴張。
相對於此，上述「日本特開2013-179317號公報」(專利文獻1)中雖揭示有使用特定之厚度及拉伸斷裂伸長率之膜狀接著劑，但關於支撐片與膜狀接著劑之界面之剝離力無任何記載。於實施例中雖具體揭示有於一般之切割片(具有基材及黏著劑層之支撐片)設置膜狀接著劑而成之膜狀接著劑複合片，但未記載發揮上述本發明之功效。
＜支撐片＞ 前述支撐片具有基材，可由基材構成(僅具有基材)，亦可具有基材與基材以外者。作為具有基材以外者之支撐片，可例示於基材上具備黏著劑層者。 後述膜狀接著劑設於支撐片上，於例如使用在基材上具備黏著劑層之支撐片時，膜狀接著劑設於黏著劑層上。
[基材] 前述基材之材質較佳為各種樹脂，具體而言可例示：聚乙烯(低密度聚乙烯(LDPE，Low-Density Polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE，Linear Low-Density Polyethylene)、高密度聚乙烯(HDPE，High-Density Polyethylene)等)、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺甲酸乙酯、聚丙烯酸胺甲酸乙酯、聚醯亞胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟樹脂、該等任一樹脂之氫化物、改性物、交聯物或共聚物等。 另外，本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」係指包括「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」之兩者之概念。
基材可由一層(單層)所構成，亦可由兩層以上之複數層所構成，於由複數層所構成時，各層之材質可均相同，亦可均不同，亦可僅一部分相同。
基材之厚度可根據目的而適當選擇，較佳為50 μm至300 μm，更佳為60 μm至100 μm。於基材由複數層所構成時，所有層之合計厚度較佳為此種數值範圍。 此處所謂之「基材之厚度」係於任意之五個部位測定厚度並以平均表示之值。
於要在基材上設置黏著劑層時，基材亦可為表面經實施以下處理者：以提高與黏著劑層之接著性等為目的之利用噴砂處理、溶劑處理等進行的凹凸化處理、或電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧/紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等。而且，基材亦可為表面經實施底塗(primer)處理者。此外，基材於要重疊抗靜電塗層、膜狀接著劑複合片而保存時，亦可具有防止基材接著於其他片或基材接著於吸附台之層等。 該等中，就抑制切割時因刀片之摩擦而產生基材之斷片的方面而言，基材尤佳為表面經實施電子束照射處理者。
[黏著劑層] 前述黏著劑層可適當使用公知者。 黏著劑層可使用含有用於構成該黏著劑層之各種成分之黏著劑組成物而形成。黏著劑組成物中之非揮發性成分彼此之含量之比率於黏著劑層中亦相同。 於前述黏著劑層含有會藉由照射能量線而聚合之成分時，藉由照射能量線使其黏著性降低，而使半導體晶片之拾取變得可能。對黏著劑層照射能量線而使黏著性降低之處理可於將膜狀接著劑複合片貼附於被接著體之後進行，亦可於貼附至被接著體之前預先進行。 作為能量線，通常可使用紫外線、電子束等。能量線之照射量根據能量線之種類而不同，例如於紫外線之情況下以光量計較佳為50 mJ/cm2 至1000 mJ/cm2 ，更佳為100 mJ/cm2 至500 mJ/cm2 。此外，於電子束之情況下，較佳為10 krad至1000 krad左右。
作為前述黏著劑組成物，較佳為可例示含有丙烯酸系聚合物與能量線聚合性化合物者(黏著劑組成物(i))、含有具有羥基且於側鏈具有聚合性基之丙烯酸系聚合物(例如，具有羥基且經由胺甲酸乙酯鍵而於側鏈具有聚合性基者)與異氰酸酯系交聯劑者(黏著劑組成物(ii))，較佳為進一步含有溶媒者。
前述黏著劑組成物除含有上述成分以外，亦可進一步含有光聚合起始劑、染料、顏料、防劣化劑、抗靜電劑、阻燃劑、聚矽氧化合物、或鏈轉移劑等各種添加劑之任一種。
而且，前述黏著劑組成物亦可含有用於抑制保存中進行非目標之交聯反應之反應延遲劑。作為前述反應延遲劑，可例示妨礙成為使交聯反應進行之觸媒之成分的作用者，作為較佳者可例示藉由對前述觸媒螯合而形成螯合錯合物者。作為較佳之反應延遲劑，更具體而言可例示分子中具有兩個以上羰基(-C(=O)-)者，若為分子中具有兩個羰基者，則可例示二羧酸、酮酸、二酮等。
黏著劑層之厚度可根據目的而適當選擇，較佳為1 μm至100 μm，更佳為1 μm至60 μm，尤佳為1 μm至30 μm。 此處所謂之「黏著劑層之厚度」係於任意之五個部位測定厚度並以平均表示之值。
黏著劑組成物可藉由調配丙烯酸系聚合物等用於構成黏著劑層之各成分而獲得，例如除調配成分不同之方面以外，可利用與後述接著劑組成物之情況相同之方法獲得。
黏著劑層可藉由在前述基材之表面塗佈含有用於構成黏著劑層之各成分及溶媒之黏著劑組成物並使該黏著劑組成物乾燥讓溶媒揮發而形成。此時，亦可藉由視需要對所塗佈之黏著劑組成物加熱而進行交聯。關於加熱條件，例如可於100℃至130℃進行1分鐘至5分鐘，但並不限定於此。此外，將藉由在剝離材之剝離層表面塗佈黏著劑組成物並使該黏著劑組成物乾燥而形成之黏著劑層貼合於基材之表面，並去除前述剝離材，藉此亦可於基材上形成黏著劑層。
黏著劑組成物於基材之表面或剝離材之剝離層表面的塗佈利用公知之方法進行即可，可例示使用氣刀式塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀式塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、絲網塗佈機、線棒式塗佈機、接觸塗佈機等各種塗佈機之方法。
＜膜狀接著劑＞ 前述膜狀接著劑具有硬化性(加熱硬化性)，較佳為進一步具有感壓接著性。兼具感壓接著性及加熱硬化性之膜狀接著劑於未硬化狀態下可藉由輕壓於各種被接著體而貼附。而且，膜狀接著劑亦可藉由加熱使該膜狀接著劑軟化而貼附於各種被接著體。膜狀接著劑經過熱硬化而最終成為耐衝擊性高之硬化物，該硬化物之剪切強度亦優異，於嚴苛之高溫、高濕度條件下亦可保持充分之接著特性。
前述膜狀接著劑之厚度為1 μm至50 μm，較佳為3 μm至25 μm，更佳為5 μm至15 μm。藉由使膜狀接著劑之厚度為前述下限值以上，可獲得對被接著體(半導體晶片)之充分之接著力。而且，藉由使膜狀接著劑之厚度為前述上限值以下，可藉由進行製造半導體裝置時通常進行之隔著支撐片對膜狀接著劑施加力之操作，利用該操作中產生之剪力容易地切斷膜狀接著劑，而無需另外設置以切斷膜狀接著劑為主目的之步驟。 此處所謂之「膜狀接著劑之厚度」係於任意之五個部位測定厚度並以平均表示之值。
前述膜狀接著劑於製成厚度為200 μm之試驗片時，其硬化前之斷裂伸長率(拉伸斷裂伸長率)為450%以下，較佳為445%以下。藉由使前述斷裂伸長率為前述上限值以下，可如上述般藉由進行隔著支撐片對膜狀接著劑施加力之操作，於目標之部位容易且確實地切斷膜狀接著劑，而無需另外設置以切斷膜狀接著劑為主目的之步驟。 前述斷裂伸長率之下限值並無特別限定。但，就可更穩定地處理膜狀接著劑複合片之方面而言，前述斷裂伸長率較佳為50%以上，更佳為100%以上。 前述膜狀接著劑之厚度為200 μm之試驗片的硬化前之斷裂伸長率(拉伸斷裂伸長率)較佳為50%以上450%以下，更佳為100%以上445%以下。 另外，本說明書中，所謂「斷裂伸長率為X%(式中，X為正數)」是指於後述測定方法中，當拉伸積層體，積層體於該拉伸方提高伸長原長度(未拉伸時之長度)之X%之長度時，亦即積層體之拉伸方向提高之整體長度成為拉伸前之長度之[1＋X/100]倍時，積層體斷裂。
前述膜狀接著劑之斷裂伸長率可藉由調節該膜狀接著劑的含有成分之種類及量而適當進行調節。例如，藉由調節作為含有成分之後述聚合物成分(a)之分子量或含量、構成環氧系熱硬化性樹脂(b)之成分之結構或軟化點、含量、填充劑(c)之含量等，可對膜狀接著劑之斷裂伸長率進行調節，但此僅為一例。
滿足前述斷裂伸長率之條件之膜狀接著劑之試驗片只要厚度為200 μm即可，通常將厚度未達200 μm之硬化前之膜狀接著劑，較佳為用於構成本發明之膜狀接著劑複合片之厚度為1 μm至50 μm之硬化前之膜狀接著劑以合計厚度成為200 μm之方式積層兩片以上，將如此所得之積層體設為前述試驗片。
前述膜狀接著劑之厚度越厚，則斷裂伸長率越大，因此，若厚度未達200 μm之膜狀接著劑之試驗片之斷裂伸長率為450%以下，則相同組成下厚度為200 μm之膜狀接著劑之試驗片之斷裂伸長率亦當然為450%以下。
前述斷裂伸長率可藉由如下方式求出：將作為試驗片之寬度為15 mm、長度為100 mm、厚度為200 μm之膜狀接著劑之積層體以固定部位間之距離成為75 mm之方式於兩處固定，將拉伸速度設為200 mm/分鐘，於該固定部位間拉伸前述試驗片，測定試驗片斷裂時之試驗片之伸長率。
前述支撐片與前述膜狀接著劑之界面之剝離力為0.02 N/25 mm至0.2 N/25 mm，較佳為0.02 N/25 mm至0.15 N/25 mm，更佳為0.02 N/25 mm至0.1 N/25 mm。藉由使前述剝離力為前述下限值以上，於將半導體晶片與膜狀接著劑一起自支撐片拉離時，可抑制如下現象：不僅將與拉離對象之目標之半導體晶片對應之部位的膜狀接著劑自支撐片剝離，亦將與和該半導體晶片相鄰者等目標外之半導體晶片對應之部位的膜狀接著劑同時自支撐片剝離。而且，藉由使前述剝離力為前述上限值以下，於將半導體晶片與膜狀接著劑一起自支撐片拉離時，膜狀接著劑之與目標之半導體晶片對應之部位自支撐片確實地剝離。由於如上述般確實地剝離，故在如後述般隔著支撐片對膜狀接著劑施加力時，無需使其條件嚴苛(例如，加快施加力之治具移動之速度)等改變拉離半導體晶片時之條件，且可抑制進行此種改變時所見之半導體晶片破裂等之產生。
前述剝離力例如可藉由調節前述膜狀接著劑之含有成分之種類及量、構成前述支撐片之設置膜狀接著劑之面的材料、該面之狀態等而適當進行調節。 而且，膜狀接著劑有如下傾向：於前述斷裂伸長率大時，前述剝離力亦變大；於前述斷裂伸長率小時，前述剝離力亦變小。
前述剝離力可藉由如下方式求出：將寬度為25 mm、長度為任意之膜狀接著劑複合片設為利用其膜狀接著劑貼附於被接著體之狀態，自貼附於被接著體之膜狀接著劑使支撐片以300 mm/分鐘之剝離速度剝離時，測定以膜狀接著劑及支撐片之相互接觸之面彼此形成180°之角度的方式將支撐片向其長度方向(膜狀接著劑複合片之長度方向)剝離(進行180°剝離)時所施加的力(剝離力)。供於測定之膜狀接著劑複合片之長度只要為可穩定地檢測出要測定之力之範圍，則並無特別限定，較佳為200 mm至300 mm。前述剝離力可藉由在溫度25℃、相對濕度50%之條件下進行測定而求出。而且，測定時較佳為將膜狀接著劑複合片設為貼附於被接著體之狀態，且將其於溫度25℃、相對濕度50%之條件下靜置30分鐘，使膜狀接著劑複合片之貼附狀態穩定化。
於膜狀接著劑含有後述能量線硬化性樹脂(h)，或者支撐片具有黏著劑層，黏著劑層含有會藉由照射能量線而聚合之成分，且膜狀接著劑或支撐片為未照射能量線者時，在對膜狀接著劑照射能量線之前後，支撐片與膜狀接著劑之界面之剝離力會成為不同值，但本發明中，只要能量線照射前後之任一值包含於上述範圍即可。此時，可將膜狀接著劑複合片經由膜狀接著劑貼附於分割完成之複數個半導體晶片之後，對膜狀接著劑複合片照射能量線，而將支撐片與膜狀接著劑之界面之剝離力調節為上述範圍。因此，此時通常能量線照射後之值可處於上述範圍內。然而，於半導體裝置的製造方法中導入對膜狀接著劑複合片照射能量線之步驟會導致生產性降低。因此，較佳為不論膜狀接著劑是否含有能量線硬化性樹脂(h)且支撐片之黏著劑層是否含有會藉由照射能量線而聚合之成分，均使支撐片與膜狀接著劑之界面之剝離力於未對膜狀接著劑複合片照射能量線之狀態下處於上述範圍內。
膜狀接著劑只要滿足上述條件，則並無特別限定。 作為較佳之膜狀接著劑，可例示含有聚合物成分(a)者、含有熱硬化性樹脂(b)者。 作為熱硬化性樹脂(b)，可列舉環氧系熱硬化性樹脂、熱硬化性聚醯亞胺、聚胺甲酸乙酯、不飽和聚酯、聚矽氧樹脂等，較佳為環氧系熱硬化性樹脂。 膜狀接著劑例如可藉由如下方式製造：將含有用於構成該膜狀接著劑之成分及溶媒之接著劑組成物塗佈於剝離膜之表面，且使該接著劑組成物乾燥讓溶媒揮發而製成膜狀。接著劑組成物中之非揮發性成分彼此之含量之比率於膜狀接著劑中亦相同。
[接著劑組成物] 作為較佳之接著劑組成物，可例示含有聚合物成分(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)者。以下，對各成分進行說明。
(聚合物成分(a)) 聚合物成分(a)係視為聚合性化合物進行聚合反應而形成之成分，且係用於對膜狀接著劑賦予成膜性及可撓性等，並且使對半導體晶片等接著對象之接著性(貼附性)提高的聚合物化合物。而且，聚合物成分(a)亦為不相當於後述環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)之成分。 聚合物成分(a)可單獨使用一種，亦可並用兩種以上。
作為聚合物成分(a)，可使用丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、丙烯酸胺甲酸乙酯樹脂、聚矽氧樹脂、橡膠系聚合物、苯氧基樹脂等，較佳為丙烯酸系樹脂。
作為前述丙烯酸系樹脂，可使用公知之丙烯酸系聚合物。 丙烯酸系樹脂之重量平均分子量(Mw)較佳為1萬至200萬，更佳為10萬至150萬。若丙烯酸系樹脂之重量平均分子量處於此種範圍，則容易將支撐片與膜狀接著劑之界面之剝離力調節為上述範圍。而且，若丙烯酸系樹脂之重量平均分子量過大，則有膜狀接著劑無法追隨於被接著體之凹凸面之情況，從而有成為空隙(void)等之產生因素之情況。 另外，本說明書中，所謂「重量平均分子量」，只要無特別事先說明，則係利用凝膠滲透層析(GPC，gel permeation chromatography)法測定之聚苯乙烯換算值。
丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-60℃至70℃，更佳為-30℃至50℃。若丙烯酸系樹脂之Tg過低，則有膜狀接著劑與支撐片之剝離力變大，產生半導體晶片自支撐片之拉離不良的情況。而且，若丙烯酸系樹脂之Tg過高，則有用於固定半導體晶片之接著力變得不充分之虞。
作為構成丙烯酸系樹脂之單體，可例示：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等烷基為鏈狀且碳數為1至18之(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、醯亞胺(甲基)丙烯酸酯等具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羥甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯等含羥基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯。 亦即，前述丙烯酸系樹脂係包含源自前述單體之構成單元之樹脂。此處所謂之「源自」係指接受前述單體進行聚合所需之結構之變化。 而且，丙烯酸系樹脂亦可為丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯、N-羥甲基丙烯醯胺等單體共聚而成者。 另外，本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸酯」係指包括「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」之兩者之概念。
構成丙烯酸系樹脂之單體可僅為一種，亦可為兩種以上。
丙烯酸系樹脂亦可具有乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等可與其他化合物鍵結之官能基。與其他化合物之鍵結可經由後述交聯劑(f)進行，亦可不經由交聯劑(f)而使前述官能基與其他化合物直接鍵結。藉由使丙烯酸系樹脂利用該等官能基與其他化合物鍵結，有半導體封裝之可靠性提高之傾向。
丙烯酸系樹脂之含量相對於前述接著劑組成物之固體成分之總含量的比率(前述膜狀接著劑之丙烯酸系樹脂之含量)較佳為5質量%至40質量%，更佳為7質量%至25質量%。
本發明中，為了使膜狀接著劑自支撐片之剝離性提高，具備膜狀接著劑之半導體晶片自支撐片之拉離變得良好，且藉由使膜狀接著劑追隨於被接著體之凹凸面而抑制空隙等之產生，作為聚合物成分(a)，可單獨使用丙烯酸系樹脂以外之熱塑性樹脂(以下，有時簡稱為「熱塑性樹脂」)，亦可與丙烯酸系樹脂並用。
前述熱塑性樹脂之重量平均分子量較佳為1000至10萬，更佳為3000至8萬。 前述熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-30℃至150℃，更佳為-20℃至120℃。 作為前述熱塑性樹脂，可例示：聚酯、胺甲酸乙酯樹脂、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。 前述熱塑性樹脂可單獨使用一種，亦可並用兩種以上。
藉由使用前述熱塑性樹脂，一方面可獲得如上述之功效，另一方面有如下擔憂：硬化前之膜狀接著劑暴露於高溫時之硬度降低，未硬化或半硬化之狀態下之膜狀接著劑之打線接合(wire bonding)適應性降低。因此，接著劑組成物之丙烯酸系樹脂之含量較佳為於考慮此種影響之基礎上進行設定。
聚合物成分(a)之含量相對於前述接著劑組成物之固體成分之總含量的比率(前述膜狀接著劑之丙烯酸系樹脂之含量)不論聚合物成分(a)之種類，均較佳為5質量%至85質量%，更佳為7質量%至80質量%。
(熱硬化性樹脂(b)) 作為熱硬化性樹脂(b)，可列舉環氧系熱硬化性樹脂、熱硬化性聚醯亞胺、聚胺甲酸乙酯、不飽和聚酯、聚矽氧樹脂等，較佳為環氧系熱硬化性樹脂。 環氧系熱硬化性樹脂(b)包含環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)。 環氧系熱硬化性樹脂(b)可單獨使用一種，亦可並用兩種以上。
・環氧樹脂(b1) 作為環氧樹脂(b1)，可列舉公知者，具體而言可例示：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等二官能以上之環氧化合物等。
而且，作為環氧樹脂(b1)，亦可使用具有不飽和烴基之環氧樹脂。作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，可例示將多官能系環氧樹脂的環氧樹脂之一部分變換為含有不飽和烴基之基而成的化合物。此種化合物例如可藉由使丙烯酸對環氧基進行加成反應而製造。
就容易將支撐片與膜狀接著劑之界面之剝離力調整為上述範圍的觀點而言，環氧樹脂(b1)較佳為包含選自液狀環氧樹脂、半固形環氧樹脂及軟化點為80℃以下之固形環氧樹脂所組成之群中之一種或兩種以上的組合。就此種觀點而言，前述液狀環氧樹脂、半固形環氧樹脂及軟化點為80℃以下之固形環氧樹脂之總含量(質量)於膜狀接著劑中所含之環氧樹脂(b1)之總量(質量)中所佔的比率較佳為45質量%至100質量%，更佳為80質量%至100質量%。尤其於支撐片由基材構成，膜狀接著劑直接接觸地設於該基材上時，藉由使膜狀接著劑包含選自液狀環氧樹脂、半固形環氧樹脂及軟化點為80℃以下之固形環氧樹脂所組成之群中之一種或兩種以上的組合，容易使支撐片與膜狀接著劑之界面之剝離力為上述範圍之下限以上。
環氧樹脂(b1)之數量平均分子量並無特別限定，就前述膜狀接著劑之硬化性、硬化後之強度及耐熱性之觀點而言，較佳為300至15000，更佳為400至3000，尤佳為500至1200。 環氧樹脂(b1)之環氧當量較佳為100 g/eq至1000 g/eq，更佳為300 g/eq至800 g/eq。
環氧樹脂(b1)可單獨使用一種，亦可並用兩種以上。
・熱硬化劑(b2) 熱硬化劑(b2)作為針對環氧樹脂(b1)之硬化劑發揮功能。 作為熱硬化劑(b2)，可例示一分子中具有兩個以上可與環氧基反應之官能基之化合物。作為前述官能基，可例示酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化而成之基等，較佳為酚性羥基、胺基、酸基經酐化而成之基，更佳為酚性羥基、胺基，尤佳為酚性羥基。
熱硬化劑(b2)中，作為酚系硬化劑(具有酚性羥基之硬化劑)，可例示：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯系酚樹脂、芳烷基酚樹脂等。 熱硬化劑(b2)中，作為胺系硬化劑(具有胺基之硬化劑)，可例示DICY(dicyandiamide，二氰二胺)等。
熱硬化劑(b2)亦可具有不飽和烴基。 作為具有不飽和烴基之熱硬化劑(b2)，可例示利用含有不飽和烴基之基取代酚樹脂之羥基之一部分而成的化合物、含有不飽和烴基之基直接鍵結於酚樹脂之芳香環的化合物等。熱硬化劑中之不飽和烴基與上述具有不飽和烴基之環氧樹脂中之不飽和烴基相同。
於使用酚系硬化劑作為熱硬化劑(b2)時，就容易將支撐片與膜狀接著劑之界面之剝離力調整為上述範圍的方面而言，較佳為軟化點或玻璃轉移溫度高者。
熱硬化劑(b2)之數量平均分子量較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。
熱硬化劑(b2)可單獨使用一種，亦可並用兩種以上。
前述接著劑組成物(前述膜狀接著劑)中之熱硬化劑(b2)之含量之比率相對於環氧樹脂(b1)之含量100質量份，較佳為0.1質量份至500質量份，更佳為1質量份至200質量份。若熱硬化劑(b2)之含量過少，則有硬化不足，無法獲得接著性之情況；若熱硬化劑(b2)之含量過多，則有膜狀接著劑之吸濕率升高，半導體封裝之可靠性降低之情況。
接著劑組成物(前述膜狀接著劑)中之環氧系熱硬化性樹脂(b)之含量之比率相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，較佳為50質量份至1000質量份，更佳為100質量份至900質量份，進一步較佳為150質量份至800質量份，尤佳為500質量份至800質量份。藉由使環氧系熱硬化性樹脂(b)之含量為此種範圍，容易將支撐片與膜狀接著劑之界面之剝離力調整為上述範圍。
為了改良膜狀接著劑的各種物性，前述膜狀接著劑除了聚合物成分(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)以外，亦可進一步視需要含有不相當於該等之其他成分。 作為前述膜狀接著劑所含有之其他成分中較佳者，可例示：硬化促進劑(c)、填充材(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、不相當於環氧樹脂之其他熱硬化性樹脂(g)、能量線硬化性樹脂(h)、光聚合起始劑(i)、通用添加劑(j)等。 亦即，本發明之一實施形態之膜狀接著劑包含聚合物成分(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)、以及根據需要之選自硬化促進劑(c)、填充材(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、不相當於環氧樹脂之其他熱硬化性樹脂(g)、能量線硬化性樹脂(h)、光聚合起始劑(i)及通用添加劑(j)所組成之群中之至少一種成分。 前述膜狀接著劑例如以含量(質量%)之合計不超過100質量%之方式含有上述一種以上之成分。
(硬化促進劑(c)) 硬化促進劑(c)用於調整接著劑組成物之硬化速度。 作為較佳之硬化促進劑(c)，可例示：三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)苯酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類(一個以上之氫原子被氫原子以外之基取代而成之咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(一個以上之氫原子被有機基取代而成之膦)；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基膦四苯基硼酸鹽等四苯基硼鹽等。 硬化促進劑(c)可單獨使用一種，亦可並用兩種以上。
於使用硬化促進劑(c)時，接著劑組成物(前述膜狀接著劑)中之硬化促進劑(c)之含量之比率相對於環氧系熱硬化性樹脂(b)之含量100質量份，較佳為0.01質量份至10質量份，更佳為0.1質量份至5質量份。藉由使硬化促進劑(c)之含量為此種範圍，前述膜狀接著劑於高溫、高濕度條件下亦具有優異之接著特性，於暴露在嚴苛之回焊(reflow)條件下時，半導體封裝亦可達成高可靠性。若硬化促進劑(c)之含量過少，則無法充分獲得使用硬化促進劑(c)所產生之功效；若硬化促進劑(c)之含量過多，則高極性之硬化促進劑(c)於高溫、高濕度條件下在膜狀接著劑中會向與被接著體之接著界面側移動而偏析，由此半導體封裝之可靠性會降低。
(填充材(d)) 前述膜狀接著劑藉由進一步含有填充材(d)，其熱膨脹係數之調整變得容易，藉由相對於半導體晶片、金屬或有機基板，使硬化後之膜狀接著劑之熱膨脹係數最適化，可提高半導體封裝之可靠性。 而且，前述接著劑組成物藉由進一步含有填充材(d)，亦可降低硬化後之膜狀接著劑之吸濕率。
填充材(d)較佳為無機填充材，作為較佳之無機填充材，可例示：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹(colcothar)、碳化矽、氮化硼等之粉末；使上述二氧化矽等球形化而成之珠；上述二氧化矽等之單晶纖維；玻璃纖維等。 該等中，填充材(d)較佳為球狀二氧化矽、二氧化矽填料或氧化鋁填料。 填充材(d)可單獨使用一種，亦可並用兩種以上。
於使用填充材(d)時，填充材(d)之含量相對於接著劑組成物之固體成分之總含量的比率(前述膜狀接著劑之填充材(d)之含量)較佳為5質量%至80質量%，更佳為7質量%至60質量%，進一步較佳為7質量%至40質量%，尤佳為8質量%至20質量%。藉由使填充材(d)之含量為此種範圍，更容易獲得上述熱膨脹係數之調整之功效。
(偶合劑(e)) 作為偶合劑(e)，藉由使用具有會與無機化合物反應之官能基及會與有機官能基反應之官能基者，可提高膜狀接著劑對被接著體之接著性及密接性。而且，藉由使用偶合劑(e)，關於使膜狀接著劑硬化所得之硬化物，不會損害其耐熱性，且可提高耐水性。
偶合劑(e)較佳為具有會與聚合物成分(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)等所具有之官能基反應之官能基的化合物，理想的是矽烷偶合劑。 作為較佳之前述矽烷偶合劑，可例示：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽基丙基)四硫烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。 偶合劑(e)可單獨使用一種，亦可並用兩種以上。
於膜狀接著劑含有聚合物成分(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)及偶合劑(e)時，接著劑組成物(前述膜狀接著劑)中之偶合劑(e)之含量之比率相對於聚合物成分(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)之總含量100質量份，較佳為0.03質量份至20質量份，更佳為0.05質量份至10質量份，尤佳為0.1質量份至5質量份。若偶合劑(e)之含量過少，則有無法獲得使用偶合劑(e)所產生之上述功效之情況；若偶合劑(e)之含量過多，則有產生排氣之可能性。
(交聯劑(f)) 於使用具有異氰酸酯基等可與其他化合物鍵結之官能基者作為聚合物成分(a)時，為了使該官能基與其他化合物鍵結而交聯，可使用交聯劑(f)。藉由使用交聯劑(f)進行交聯，可調節膜狀接著劑之初始接著力及凝聚力。 作為交聯劑(f)，可例示有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物等。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，可例示：芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物、脂環族多元異氰酸酯化合物以及該等化合物之三聚物、異氰尿酸酯體及加合物(與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷或蓖麻油等含活性氫之低分子化合物的反應物，例如，三羥甲基丙烷加合二甲苯二異氰酸酯等)、或使有機多元異氰酸酯化合物與多元醇化合物反應而獲得之末端異氰酸酯基之胺甲酸乙酯預聚物等。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，更具體而言，可例示：2,4-甲苯二異氰酸酯；2,6-甲苯二異氰酸酯；1,3-二甲苯二異氰酸酯；1,4-二甲苯二異氰酸酯；二苯甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二苯甲烷-2,4'-二異氰酸酯；3-甲基二苯甲烷二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；於三羥甲基丙烷等多元醇之所有羥基或一部分羥基加成甲苯二異氰酸酯及六亞甲基二異氰酸酯之任一者或兩者而成的化合物；離胺酸二異氰酸酯等。
作為前述有機多元亞胺化合物，可例示：N,N'-二苯甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。
於使用異氰酸酯系交聯劑作為交聯劑(f)時，聚合物成分(a)較佳為使用含羥基之聚合物。於交聯劑(f)具有異氰酸酯基且聚合物成分(a)具有羥基時，藉由交聯劑(f)與聚合物成分(a)之反應，可於前述膜狀接著劑簡便地導入交聯結構。
於使用交聯劑(f)時，接著劑組成物(前述膜狀接著劑)中之交聯劑(f)之含量之比率相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至10質量份，尤佳為0.5質量份至5質量份。
(其他熱硬化性樹脂(g)) 其他熱硬化性樹脂(g)只要為不相當於環氧樹脂者即可，可例示：熱硬化性聚醯亞胺樹脂、聚胺甲酸乙酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚矽氧樹脂等。
(能量線硬化性樹脂(h)) 為了藉由照射能量線使膜狀接著劑之特性變化，亦可使用能量線硬化性樹脂(h)。能量線硬化性樹脂含有能量線聚合性基，受到紫外線、電子束等能量線之照射時會聚合硬化。作為此種能量線聚合性化合物，具體而言，可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯或1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、低聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺甲酸乙酯系低聚物、環氧基改性(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯及伊康酸低聚物等(甲基)丙烯酸酯系化合物。此種化合物於分子內具有至少一個聚合性雙鍵，其重量平均分子量較佳為100至30000，更佳為300至10000左右。 能量線硬化性樹脂(h)可單獨使用一種，亦可並用兩種以上。
(光聚合起始劑(i)) 為了使能量線硬化性樹脂(h)之聚合反應高效率地進行，可使用光聚合起始劑(i)。作為此種光聚合起始劑(i)，具體而言可列舉：二苯甲酮、苯乙酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮、2,4-二乙基噻噸酮(2,4-diethylthioxanthen)、α-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、苯偶醯、二苯偶醯、二乙醯、1,2-二苯甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦及β-氯蒽醌等。 光聚合起始劑(i)可單獨使用一種，亦可並用兩種以上。
(通用添加劑(j)) 作為通用添加劑(j)，可例示公知之塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、顏料、染料、吸氣(gettering)劑等。
(溶媒) 接著劑組成物藉由進一步含有溶媒，利用稀釋使其處理性變得良好。 接著劑組成物所含有之溶媒並無特別限定，作為較佳者，可例示：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 接著劑組成物所含有之溶媒可僅為一種，亦可為兩種以上。 就將接著劑組成物中所用之各成分均勻混合之方面而言，接著劑組成物所含有之溶媒較佳為甲基乙基酮等。
接著劑組成物可藉由調配聚合物成分(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)等用於構成前述膜狀接著劑之上述各成分而獲得。 調配各成分時之添加順序並無特別限定，亦可同時添加兩種以上之成分。 於使用溶媒時，可藉由將溶媒與溶媒以外之任一調配成分混合以預先稀釋該調配成分而使用，亦可不預先稀釋溶媒以外之任一調配成分，藉由將溶媒與該等調配成分混合而使用。
調配時混合各成分之方法並無特別限定，自使攪拌子或攪拌葉等旋轉而混合之方法、使用混合機混合之方法、施加超音波而混合之方法等公知方法中適當選擇即可。 關於各成分之添加及混合時之溫度以及時間，只要不會使各調配成分劣化則並無特別限定，適當調節即可，但溫度較佳為15℃至30℃。
本發明之一實施形態之膜狀接著劑中的聚合物成分(a)、環氧樹脂(b1)、熱硬化劑(b2)、硬化促進劑(c)、填充材(d)、及偶合劑(e)之較佳組合較佳為如下組合：聚合物成分(a)為丙烯酸系樹脂，環氧樹脂(b1)為雙酚A型環氧樹脂及多官能芳香族環氧樹脂，熱硬化劑(b2)為聯苯芳烷基型酚樹脂，硬化促進劑(c)為咪唑類，填充材(d)為二氧化矽之粉末，偶合劑(e)為矽烷偶合劑。
前述膜狀接著劑複合片較佳為支撐片由基材構成，膜狀接著劑直接接觸地設於該基材上。於如上述般支撐片不具有黏著劑層且膜狀接著劑直接設於基材上時，可抑制膜狀接著劑中之成分向黏著劑層移行，或與之相反地黏著劑層中之成分向膜狀接著劑移行等構成成分之層間移動，從而可高度抑制半導體裝置製造時產生步驟異常及半導體封裝之可靠性降低。 通常，於使用不具有黏著劑層者作為膜狀接著劑複合片時，當將半導體晶片在貼附有膜狀接著劑之狀態下自支撐片拉離時，易產生雙晶粒。然而，若使用本發明之膜狀接著劑複合片，則於該複合片不具有黏著劑層時亦可抑制產生雙晶粒。
＜膜狀接著劑複合片之製造方法＞ 前述膜狀接著劑複合片可藉由在前述支撐片上形成膜狀接著劑而製造。 於支撐片為前述基材時，膜狀接著劑除了使用前述接著劑組成物代替黏著劑組成物之方面以外，可利用與如上述般於基材上形成黏著劑層之情況同樣之方法形成於基材上。 於支撐片為在基材上具備黏著劑層者時，通常難以於黏著劑層上直接塗佈接著劑組成物。因此，此時較佳為利用另外形成膜狀接著劑且將該膜狀接著劑貼合於黏著劑層之表面之方法將膜狀接著劑形成於基材上，例如藉由在剝離材之剝離層表面塗佈接著劑組成物並使該接著劑組成物乾燥而形成膜狀接著劑，將該膜狀接著劑之未設置有剝離材之一側的露出面貼合於黏著劑層之表面，並去除前述剝離材等。
而且，具備黏著劑層之膜狀接著劑複合片除了上述方法以外，例如亦可藉由如下方式製造：使用黏著劑組成物形成黏著劑層，且使用接著劑組成物形成膜狀接著劑之後，將上述黏著劑層及膜狀接著劑貼合而製成積層體，且於該積層體之前述黏著劑層之表面貼合基材。 此時之黏著劑層及膜狀接著劑之形成條件與上述方法相同。
＜＜半導體裝置的製造方法＞＞ 本發明之半導體裝置的製造方法使用有前述膜狀接著劑複合片，且具有以下步驟：將前述膜狀接著劑複合片經由膜狀接著劑貼附於分割完成之複數個半導體晶片的步驟(以下，有時簡稱為「貼附步驟」)；對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片之支撐片，自設有膜狀接著劑之一側之相反側施加力，藉此隔著支撐片對膜狀接著劑施加力而將膜狀接著劑切斷的步驟(以下，有時簡稱為「切斷步驟」)；以及將前述半導體晶片與貼附於前述半導體晶片之切斷後之前述膜狀接著劑自前述支撐片拉離的步驟(以下，有時簡稱為「拉離步驟」)。
前述製造方法為所謂先切割法，具有於利用切割預先分割完成之複數個半導體晶片貼附膜狀接著劑之後將該膜狀接著劑切斷的步驟。根據前述製造方法，藉由使用前述膜狀接著劑複合片，於半導體裝置製造時可利用經簡化之方法將貼附有膜狀接著劑之半導體晶片自支撐片確實地拉離而不伴隨步驟異常。
＜貼附步驟＞ 前述貼附步驟中，將前述膜狀接著劑複合片經由膜狀接著劑貼附於分割完成之複數個半導體晶片。本步驟中，將一片膜狀接著劑複合片之膜狀接著劑貼附於複數個半導體晶片之背面。 分割完成之複數個半導體晶片例如可藉由如下方式製作：自半導體晶圓之與前述膜狀接著劑複合片之貼附面(背面)為相反側之表面形成槽，且對前述背面進行研削直至到達該槽為止。而且，分割完成之複數個半導體晶片亦可藉由如下方式製作：於半導體晶圓之前述表面或其附近，藉由雷射照射而設置改質區域，且對前述背面進行研削，利用該研削時之衝擊使晶圓於前述改質區域斷裂。
＜切斷步驟＞ 前述切斷步驟中，於前述貼附步驟後，對貼附於前述半導體晶片之膜狀接著劑複合片之支撐片，自設有膜狀接著劑之一側之相反側施加力，藉此隔著支撐片對膜狀接著劑施加力而將膜狀接著劑切斷。以下，一面參照圖式一面對本發明之製造方法進行說明。圖1係示意性地例示本發明之製造方法中的自膜狀接著劑之切斷至半導體晶片自支撐片之拉離為止之一實施形態的剖面圖。圖1中僅剖面表示與膜狀接著劑複合片相關之構成。
如圖1(a)所示，藉由前述貼附步驟，膜狀接著劑複合片1之膜狀接著劑12貼附於複數個半導體晶片9之背面9b。而且，本步驟中，於膜狀接著劑複合片1中之支撐片11之與設有膜狀接著劑12之面(表面)11a為相反側之面(背面)11b，抵接有半導體裝置之製造裝置(省略整體圖之圖示)中之頂起半導體晶片之頂起部81。
本步驟中，接著，如圖1(b)所示，對膜狀接著劑複合片1之支撐片11，自該支撐片11的背面11b於支撐片之厚度方向上施加力，藉此隔著支撐片11對膜狀接著劑12施加力。此處，表示有如下例子：藉由使突起(銷)811自頂起部81突出，使突起811之前端部將支撐片11自該支撐片11的背面11b頂起，而隔著支撐片11對膜狀接著劑12於突起811之突出方向上施加力。此時，可適當調節突起811之突出量(頂起量)、突出速度(頂起速度)、突出狀態之保持時間(上抬持續時間)等頂起條件。前述頂起量可為1 μm至1000 μm，亦可為10 μm至100 μm，亦可為30 μm至70 μm。前述頂起速度可為0.1 mm/秒至50 mm/秒，亦可為0.5 mm/秒至20 mm/秒。前述上抬持續時間可為1毫秒至1000毫秒，亦可為10毫秒至100毫秒，亦可為20毫秒至50毫秒。 此處，表示有頂起支撐片11之突起811之數為一個的情況，但亦可為兩個以上，突起811之數適當選擇即可。另外，作為隔著支撐片11對膜狀接著劑12施加力之方法，亦可適當應用例如藉由滑塊進行上推而施加力之方法等其他公知方法。
若如上述般對膜狀接著劑12施加力，則藉由使用有膜狀接著劑複合片1，利用伴隨突起811之頂起而產生之剪力，於目標之部位(僅包圍作為半導體晶片9之成為自支撐片11拉離之對象者的部位)切斷膜狀接著劑12。
＜拉離步驟＞ 前述拉離步驟中，於前述切斷步驟後，如圖1(c)所示，將半導體晶片9與貼附於該半導體晶片9之切斷後之膜狀接著劑12自支撐片11拉離(拾取)。本步驟(拉離步驟)通常於前述切斷步驟後立即連續地進行。此處，表示有如下例子：藉由利用半導體裝置之製造裝置之上拉部82將半導體晶片9上拉，而使貼附於該半導體晶片9之切斷後之膜狀接著劑12自支撐片11剝離。如上述般將半導體晶片9上拉之方法可為公知方法，更具體而言，可例示利用真空筒夾吸附半導體晶片9之表面並進行上拉之方法等。
若如上述般將半導體晶片9上拉，則藉由使用有膜狀接著劑複合片1，膜狀接著劑12確實地自支撐片11剝離。而且，由於膜狀接著劑12在特定部位被切斷，故所上拉之半導體晶片9與膜狀接著劑12一起自支撐片11被拉離。
本發明之製造方法中，使用與膜狀接著劑一起被拉離之(被拾取之)半導體晶片，以後利用與以往方法同樣之方法製造半導體裝置。例如，將前述半導體晶片利用膜狀接著劑晶粒接合於基板之電路面，且視需要於該半導體晶片進一步積層一個以上之半導體晶片，並進行打線接合之後，利用樹脂將整體密封，藉此製成半導體封裝。而且，將該半導體封裝配置於基板，而製作目標之半導體裝置即可。
於不使用本發明之膜狀接著劑複合片時，在製造半導體裝置時有產生如以下所示之步驟異常之可能性。
圖2係示意性地例示使用以往之膜狀接著劑複合片時的半導體裝置之製造過程中之膜狀接著劑複合片及半導體晶片之一態樣的剖面圖。 關於此處所示之膜狀接著劑複合片7，硬化前之膜狀接著劑72之斷裂伸長率較本發明之情況更大，且支撐片71與膜狀接著劑72之界面之剝離力較本發明之情況更大。於使用此種膜狀接著劑複合片7時，典型而言，如圖2(a)所示，即便對膜狀接著劑72施加力，膜狀接著劑72仍未被切斷，且即便欲將半導體晶片9上拉，膜狀接著劑72亦不會自支撐片71剝離。其結果為，如圖2(b)所示，產生半導體晶片9之上抬不良。
圖3係示意性地例示使用以往之膜狀接著劑複合片時的半導體裝置之製造過程中之膜狀接著劑複合片及半導體晶片之另一態樣的剖面圖。 關於此處所示之膜狀接著劑複合片7，硬化前之膜狀接著劑72之斷裂伸長率與本發明之情況相同，且支撐片71與膜狀接著劑72之界面之剝離力較本發明之情況更大。於使用此種膜狀接著劑複合片7時，即便對膜狀接著劑72施加力，膜狀接著劑72仍未必確實地被切斷，且例如圖3(a)所示，有僅於膜狀接著劑72之一部分形成缺口之情況。而且，即便膜狀接著劑72被切斷，亦有不會以與半導體晶片9成為相同形狀之方式於目標之位置被切斷之可能性。此外，與膜狀接著劑72有無切斷無關，即便欲將半導體晶片9上拉，膜狀接著劑72亦不會自支撐片71剝離。 其結果為，例如圖3(b)所示，產生半導體晶片9之上抬不良。圖3(b)中，表示有僅於膜狀接著劑72之一部分形成有缺口之情況。
圖4係示意性地例示使用以往之膜狀接著劑複合片時的半導體裝置之製造過程中之膜狀接著劑複合片及半導體晶片之又一態樣的剖面圖。 關於此處所示之膜狀接著劑複合片7，硬化前之膜狀接著劑72之斷裂伸長率較本發明之情況更大，且支撐片71與膜狀接著劑72之界面之剝離力與本發明之情況相同或較本發明之情況更小。於使用此種膜狀接著劑複合片7時，典型而言，即便對膜狀接著劑72施加力，膜狀接著劑72仍未被切斷。而且，藉由將半導體晶片9上拉，如圖4(a)所示，膜狀接著劑72不僅與正上拉之半導體晶片9對應之部位剝離，且與和其相鄰之半導體晶片9對應之部位亦自支撐片71剝離。其結果為，無法將目標之半導體晶片9上拉，如圖4(b)所示，產生半導體晶片9之上抬不良。
圖5係示意性地例示使用以往之膜狀接著劑複合片時的半導體裝置之製造過程中之膜狀接著劑複合片及半導體晶片之再一態樣的剖面圖。 關於此處所示之膜狀接著劑複合片7，硬化前之膜狀接著劑72之斷裂伸長率與本發明之情況相同，且支撐片71與膜狀接著劑72之界面之剝離力與本發明之情況相同或較本發明之情況更小。於使用此種膜狀接著劑複合片7時，典型而言，如圖5(a)所示，藉由對膜狀接著劑72施加力，膜狀接著劑72以目標之半導體晶片9與和其相鄰之半導體晶片9成為一體之方式被切斷，藉由將半導體晶片9上拉，該等半導體晶片9與膜狀接著劑72一起自支撐片11剝離而被拉離。其結果為，如圖5(b)所示，產生雙晶粒。 另外，此處為了方便起見表示有自支撐片71被拉離之半導體晶片9為三個之情況，但亦有自支撐片71被拉離之半導體晶片9為四個以上等其他數量之情況。
另外，參照圖2至圖5所說明之步驟異常為典型者，亦有根據情況而產生其他步驟異常之情況。 相對於此，於使用本發明之膜狀接著劑複合片時，可抑制此種步驟異常之產生，其結果為可利用較以往更簡化之方法廉價地製造半導體裝置。 [實施例]
以下，利用具體實施例對本發明進行更詳細之說明。但，本發明並不受以下所示之實施例任何限定。
＜支撐片之製造＞ [製造例1] (丙烯酸系聚合物之製造) 藉由將丙烯酸月桂酯(以下，簡稱為「LA」)80質量份、丙烯酸-2-羥基乙酯(以下，簡稱為「HEA」)(20質量份)作為原料單體並進行聚合反應，而獲得丙烯酸系聚合物(A)。 藉由向該丙烯酸系聚合物(A)中加入異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(以下，簡稱為「MOI」)(22質量份，相對於HEA為約80莫耳%)、月桂酸二丁基錫(以下，簡稱為「DBTL」)(0.13質量份)並進行加成反應，而獲得目標之丙烯酸系聚合物。 將各成分之調配比示於表1。另外，表1中「-」表示未調配該成分。
(黏著劑組成物之製造) 對上述中所得之丙烯酸系聚合物(100質量份)，加入光聚合起始劑(汽巴精化(Ciba Specialty Chemicals)公司製造之「Irgacure 651」、苯偶醯二甲基縮酮)(3質量份)、作為反應延遲劑之乙醯丙酮(1質量份)，且利用甲基乙基酮進行稀釋之後，充分攪拌，進一步向其中加入作為異氰酸酯系交聯劑之三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(日本聚氨酯(Nippon Polyurethane)公司製造之「Coronate L」)(7.5質量份，相對於丙烯酸系聚合物中之殘存羥基1莫耳，所具有之異氰酸酯基成為1莫耳的量)且於23℃進行攪拌，藉此獲得固體成分濃度為25質量%之黏著劑組成物。 將各成分之調配比示於表1。
(支撐片之製造) 使用由單層之包含乙烯-甲基丙烯酸共聚物之層所構成者(阿基里斯(Achilles)公司製造之「EANU80-AL-ND」，厚度為80 μm)作為基材，且對該基材進行電暈照射處理。然後，於剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之SP-PET381031)塗佈上述中所得之黏著劑組成物，且於120℃加熱乾燥1分鐘，藉此形成厚度為10 μm之黏著劑層。將該黏著劑層貼合於上述基材之電暈照射處理面，而獲得於基材上具備黏著劑層及剝離膜之支撐片。
＜支撐片之製造＞ [製造例2] (丙烯酸系聚合物之製造) 藉由將丙烯酸-2-乙基己酯(以下，簡稱為「2EHA」)(60質量份)、甲基丙烯酸甲酯(以下，簡稱為「MMA」)(30質量份)、HEA(10質量份)作為原料單體並進行聚合反應，而獲得丙烯酸系聚合物。 將各成分之調配比示於表1。
(黏著劑組成物之製造) 對該丙烯酸系聚合物(84質量份)加入異氰酸酯系交聯劑(東洋科美(Toyochem)公司製造之「BHS8515」，三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯加成物)(16質量份)，且利用甲基乙基酮進行稀釋之後充分攪拌，藉此獲得黏著劑組成物。 將各成分之調配比示於表1。
(支撐片之製造) 使用由單層之包含乙烯-甲基丙烯酸共聚物之層所構成者(阿基里斯(Achilles)公司製造之「EANU80-AL-ND」，厚度為80 μm)作為基材，且對該基材進行電暈放電處理。然後，於剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之SP-PET381031)塗佈上述中所得之黏著劑組成物，且於120℃加熱乾燥1分鐘，藉此形成厚度為10 μm之黏著劑層。將該黏著劑層貼合於上述基材之電暈照射處理面，而獲得於基材上具備黏著劑層及剝離膜之支撐片。
[表1]
  製造例1 製造例2
丙烯酸系聚合物之調配成分 (甲基)丙烯酸酯 (質量份) LA 80 -
2EHA - 60
MMA - 30
含羥基之單體 (質量份) HEA 20 10
異氰酸酯化合物 (相對於含羥基之單體之莫耳%) MOI 80 -
觸媒 (質量份) DBTL 0.13 -
黏著劑組成物之調配成分 丙烯酸系聚合物 (質量份) 100 84
異氰酸酯系交聯劑 (質量份) 7.5 -
光聚合起始劑 (質量份) 3 16
反應延遲劑 (質量份) 1 -
＜膜狀接著劑複合片之製造＞ [實施例1至4、比較例1至4] (接著劑組成物之製造) 以表2及表3所示之量調配各成分，進一步以固體成分濃度成為50質量%之方式利用甲基乙基酮進行稀釋，而獲得接著劑組成物。 另外，表2及表3中之各成分之略記分別具有以下之含義。而且，「-」表示未調配該成分。
・聚合物成分(a) (a)-1：丙烯酸系樹脂(日本合成化學工業公司製造之「Coponyl N-2359-6」)。 (a)-2：熱塑性樹脂，聚酯(東洋紡公司製造之「Vylon 220」)。 ・環氧樹脂(b1) (b1)-1：雙酚A型環氧樹脂(日本環氧樹脂(Japan Epoxy Resin)公司製造之「Epikote 834」，分子量為470，半固形環氧樹脂)。 (b1)-2：多官能芳香族環氧樹脂(日本化藥公司製造之「EPPN-502H」，軟化點為60℃至72℃之固形環氧樹脂) (b1)-3：均勻分散有丙烯酸橡膠微粒子之雙酚A型環氧樹脂(日本觸媒公司製造之「BPA328」，環氧當量為230 g/eq±10 g/eq，丙烯酸橡膠含量為20 phr±1 phr，液狀環氧樹脂)。 (b1)-4：導入有柔軟性骨架之環氧樹脂(DIC公司製造之「EXA4850-150」，分子量為900，液狀環氧樹脂)。 (b1)-5：雙酚A型環氧樹脂(日本環氧樹脂(Japan Epoxy Resin)公司製造之「Epikote 1055」，分子量為1600，軟化點為93℃之固形環氧樹脂)。 ・熱硬化劑(b2) (b2)-1：聯苯芳烷基型酚樹脂(明和化成公司製造之「MEH-7851-SS」，軟化點為67℃)。 (b2)-2：酚醛清漆型酚樹脂(昭和電工公司製造之「BRG-556」，軟化點為80℃)。 (b2)-3：聯苯芳烷基型酚樹脂(明和化成公司製造之「MEH-7851-H」，軟化點為83℃)。 ・硬化促進劑(c) (c)-1：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國化成工業公司製造之「Curezol 2PHZ」)。 ・填充材(d) (d)-1：球狀二氧化矽(雅都瑪(Admatechs)公司製造之「SC2050」)。 (d)-2：球狀二氧化矽(雅都瑪(Admatechs)公司製造之「SC2050MA」)。 ・偶合劑(e) (e)-1：矽烷偶合劑，3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(信越矽利光(Shin-Etsu Silicones)公司製造之「KBM-403」)。 (e)-2：矽烷偶合劑，3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷(信越矽利光(Shin-Etsu Silicones)公司製造之「KBE-403」)。 (e)-3：矽烷偶合劑，含有環氧基、甲基及甲氧基之聚矽氧低聚物(信越矽利光(Shin-Etsu Silicones)公司製造之「X-41-1056」，環氧當量為280 g/mol)。 (e)-4：矽烷偶合劑(三菱化學製「MKC Silicate MSEP2」)。 (e)-5：矽烷偶合劑，3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷(道康寧特雷矽力康(Dow Corning Toray Silicone)公司製造之「SZ-6083」)。 ・其他成分(z) (h)-1：紫外線硬化性樹脂，三環癸烷二羥甲基二丙烯酸酯(日本化藥公司製造之「KAYARAD R-684」)。 (i)-1：光聚合起始劑，1-羥基環己基苯基酮(汽巴精化(Ciba Specialty Chemicals)公司製造之「Irgacure 184」)。
(膜狀接著劑複合片之製造) 於聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面經剝離處理之剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-P502010」，厚度為50 μm)之前述剝離處理面塗佈上述中所得之接著劑組成物，且使用烘箱於100℃乾燥3分鐘，藉此形成厚度為7 μm之膜狀接著劑。
另一方面，準備如下基材作為支撐片，亦即，將包含低密度聚乙烯之層(日本聚乙烯公司製造之「Novatec LC520」，密度為0.923 g/cm3 ，MFR(Melt Flow Rate，熔體流動速率)為3.6 g/10 min，厚度為8 μm)、包含聚丙烯之層(包含均聚聚丙烯樹脂(普瑞曼聚合物(Prime Polymer)公司製造之「Prime Polypro F-300SP」，密度為0.90 g/cm3 ，MFR為3.0 g/10 min)及苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(JSR公司製造之「Dynaron 8601P」，密度為0.89 g/cm3 ，MFR為3.5 g/10 min)之混合物之層，厚度為60 μm)、及包含低密度聚乙烯之層(除了厚度不為8 μm而為12 μm之方面以外，與上述相同)依序積層而成的基材(以下，有時將該基材簡稱為「積層基材(1)」)。另外，上述MFR(熔體流動速率)係依照JISK7210=1999，將測定溫度於低密度聚乙烯之情況下設為190℃、於均聚聚丙烯樹脂之情況下設為230℃、於苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物之情況下設為230℃，且將負荷設為21.18 N而測定之值。
繼而，將上述中所得之膜狀接著劑貼合於上述支撐片之厚度為8 μm之包含低密度聚乙烯之層，並去除剝離膜，藉此獲得於由基材構成之支撐片上設有膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片(實施例1至2、比較例1至2)。
另外，使用將包含聚丙烯之層與包含乙烯-甲基丙烯酸共聚物之層依序積層而成之基材(阿基里斯(Achilles)公司製造之「HUSL1302」，以下有時將該基材簡稱為「積層基材(2)」)作為支撐片，將上述中所得之膜狀接著劑貼合於上述支撐片之包含聚丙烯之層，並去除剝離膜，藉此獲得於由基材構成之支撐片上設有膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片(比較例3)。另外，比較例3中使用與比較例1相同之接著劑組成物。
另外，使用自製造例2中所得者去除剝離膜而成者作為支撐片，將上述中所得之膜狀接著劑貼合於上述支撐片之黏著劑層，並去除剝離膜，藉此獲得基材、黏著劑層及膜狀接著劑依序積層而成之膜狀接著劑複合片(實施例3)。另外，實施例3中使用與實施例1相同之接著劑組成物。
另外，使用自製造例1中所得者去除剝離膜而成者作為支撐片，將上述中所得之膜狀接著劑貼合於上述支撐片之黏著劑層，並去除剝離膜，藉此獲得基材、黏著劑層及膜狀接著劑依序積層而成之膜狀接著劑複合片(實施例4及比較例4)。另外，實施例4及比較例4中使用與實施例1相同之接著劑組成物。如後述般關於實施例4，於「支撐片與膜狀接著劑之界面之剝離力之測定」及「拾取適應性之評價」中，在測定、評價前對試樣照射紫外線。
＜環骨架(ring frame)用兩面黏著構件之製造＞ [製造例3] 準備與上述用於膜狀接著劑複合片之製造之積層基材(1)相同者作為芯材。 於輕剝離型之剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET3801」，厚度為38 μm)之剝離處理面，塗佈強黏著型之丙烯酸系黏著劑(琳得科(Lintec)公司製造之「PA-T1」)並使其乾燥，將所形成之厚度為5 μm之黏著劑層與上述芯材貼合，而獲得單面黏著帶。 將丙烯酸系黏著劑(使丙烯酸正丁酯及丙烯酸共聚而成之共聚物(丙烯酸正丁酯/丙烯酸＝90/10(質量比)，重量平均分子量為600,000，玻璃轉移溫度為-44℃))100質量份、分子量為7000之丙烯酸胺甲酸乙酯低聚物200質量份、異氰酸酯系交聯劑10質量份、及二苯甲酮系能量線硬化反應起始劑10質量份混合，而獲得能量線硬化型黏著劑組成物。 將所得之能量線硬化型黏著劑組成物塗佈於重剝離型之剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET3811」，厚度為38 μm)之剝離處理面，且於90℃乾燥1分鐘，而形成厚度為5 μm之能量線硬化型黏著劑層。然後，將該能量線硬化型黏著劑層與上述單面黏著帶之芯材貼合，而製作出作為厚度為90 μm之兩面黏著帶之環骨架用兩面黏著構件。
＜膜狀接著劑複合片之評價＞ (評價用試樣之製作) 對於上述中所得之環骨架用兩面黏著構件，以僅保留重剝離型之剝離膜之方式將自輕剝離型之剝離膜至能量線硬化型黏著劑層為止之層沖裁成直徑為220 mm之圓形，並去除該圓形部分。然後，使圓形部分之外周之輕剝離型之剝離膜剝離，將露出之強黏著型之丙烯酸系黏著劑面貼合於上述中所得之膜狀接著劑複合片之膜狀接著劑。 然後，以與之前沖裁出之圓形部分成為同心圓狀之方式且以僅保留重剝離型之剝離膜之方式，將自膜狀接著劑複合片之基材至前述能量線硬化型黏著劑層為止之層沖裁成直徑為270 mm之圓形，並去除其外周部分。 藉由以上，製作於膜狀接著劑複合片之外周部設有寬度為25 mm之環骨架用兩面黏著構件的評價用試樣。
(支撐片與膜狀接著劑之界面之剝離力之測定) 使用在包含聚苯乙烯板之硬質支撐體之表面貼附有雙面膠帶者，於該雙面膠帶重疊上述各實施例及比較例中所得之25 mm×250 mm之膜狀接著劑複合片之膜狀接著劑，於23℃、相對濕度50%之環境下使2 kg之橡膠輥於該重疊而成者上往返一次，藉此經由雙面膠帶將膜狀接著劑複合片貼附於硬質支撐體。之後，對於實施例2之膜狀接著劑複合片，使用紫外線照射裝置(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill RAD2000/m12」)，於照度：220 mW/cm2 、光量：160 mJ/cm2 之條件下照射紫外線，對於實施例4之膜狀接著劑複合片，使用與上述相同之紫外線照射裝置，於照度：200 mW/cm2 、光量：160 mJ/cm2 之條件下照射紫外線。 然後，將該貼附而成者於23℃、相對濕度50%之相同環境下放置30分鐘之後，使用自動立體測圖儀作為測定裝置，測定使膜狀接著劑複合片之基材自膜狀接著劑以300 mm/分鐘之速度且以180℃之角度剝離時之剝離力(N/25 mm)。將結果示於表2及表3中之「剝離力」之欄。
(包含硬化前之膜狀接著劑之積層體之斷裂伸長率的測定) 使用貼合機，將兩片上述各實施例及比較例中所得之膜狀接著劑貼合，進一步貼合相同之膜狀接著劑，重複該貼合而製作以合計厚度成為203 μm之方式積層膜狀接著劑而成之積層體。 然後，使用加熱至80℃之熱板，將所得之積層體加熱30秒。之後，僅對於實施例2之膜狀接著劑複合片，使用紫外線照射裝置(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill RAD2000/m12」)，於照度：220 mW/cm2 、光量：160 mJ/cm2 之條件下照射紫外線。繼而，使用超音波切割機(Super Cutter)(荻野精機製作所製「PH1-600」)，將該加熱完成之積層體於30秒以內裁斷，而製作寬度15 mm、長度100 mm、厚度203 μm之試驗片。於裁斷中時間超過30秒時，暫時中止裁斷，使用加熱至80℃之熱板將裁斷中之前述積層體再次加熱後，於30秒以內裁斷而製作試驗片。如上述般將前述積層體於加熱後裁斷係為了不於試驗片之端部產生成為斷裂原因之缺損部。 然後，使用萬能試驗機(島津製作所製「Autograph AG-IS 500N」)，利用其固定夾持器具將前述試驗片於兩處固定。此時，將固定夾持器具之前端部間之距離(試驗片之露出部位之長度，固定部位間之距離)設為75 mm。而且，將拉伸速度設為200 mm/分鐘，而於該固定部位間拉伸試驗片，並測定試驗片之斷裂伸長率(%)。將結果示於表2及表3中之「硬化前斷裂伸長率」之欄。
(拾取適應性之評價) 將8吋之矽晶圓單片化成2 mm×2 mm、厚度50 μm之晶片，於該等之乾式拋光面使用貼合機於60℃貼附使用上述膜狀接著劑複合片所得之評價用試樣之膜狀接著劑。之後，對於實施例2之膜狀接著劑複合片，使用紫外線照射裝置(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill RAD2000/m12」)，於照度：220 mW/cm2 、光量：160 mJ/cm2 之條件下照射紫外線，對於實施例4之膜狀接著劑複合片，使用紫外線照射裝置(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill RAD2000/m12」)，於照度：200 mW/cm2 、光量：160 mJ/cm2 之條件下照射紫外線。 對於以此方式將一片膜狀接著劑複合片之膜狀接著劑貼附於複數個晶片而成的片，使用拾取裝置(佳能機械(Canon Machinery)公司製造之「BESTEM-D02」)，於頂起量150 μm、頂起速度20 mm/分鐘、上抬持續時間1秒之條件下以一個銷頂起方式進行54次附有膜狀接著劑之晶片之拾取。而且，於拾取成功54次時，判定為拾取適應性良好(○)，於拾取有1次以上未成功時，判定為拾取適應性不良(×)，於不良之情況下，將成為其原因之異常之內容分類為雙晶粒之產生及上抬不良，對該等異常之產生次數進行計數，算出其產生率(%)。將結果示於表2及表3。
[表2]
  實施例1 實施例2 實施例3 實施例4
接著劑組成物之調配成分(質量份) (a)-1 10.32 11.00 10.32 10.32
(a)-2 - 16.00 - -
(b1)-1 26.53 - 26.53 26.53
(b1)-2 16.50 19.00 16.50 16.50
(b1)-3 - 17.00 - -
(b1)-4 - - - -
(b1)-5 - - - -
(b2)-1 36.31 - 36.31 36.31
(b2)-2 - 17.50 - -
(b2)-3 - - - -
(c)-1 0.22 0.24 0.22 0.22
(d)-1 9.39 - 9.39 9.39
(d)-2 - 11.00 - -
(e)-1 0.21 - 0.21 0.21
(e)-2 0.24 - 0.24 0.24
(e)-3 0.29 - 0.29 0.29
(e)-4 - 0.49 - -
(e)-5 - 0.16 - -
(h)-1 - 6.40 - -
(i)-1 - 0.19 - -
支撐片 基材 (積層基材(1)) 基材 (積層基材(1)) 基材＋黏著劑層 (製造例2) 基材＋黏著劑層 (製造例1，UV)
評價結果 剝離力 (N/25 mm) 0.026 0.036 0.066 0.050
硬化前斷裂伸長率(%) 302 440 302 302
拾取適應性 雙晶粒 產生率(%) 0 0 0 0
上抬不良 產生率(%) 0 0 0 0
判定 ○ ○ ○ ○
[表3]
  比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
接著劑組成物之調配成分(質量份) (a)-1 10.32 9.05 10.32 10.32
(a)-2 - 12.34 - -
(b1)-1 - - - 26.53
(b1)-2 16.50 15.06 16.50 16.50
(b1)-3 - - - -
(b1)-4 - 25.95 - -
(b1)-5 36.90 - 36.90 -
(b2)-1 25.94 - 25.94 36.31
(b2)-2 - - - -
(b2)-3 - 28.53 - -
(c)-1 0.22 0.19 0.22 0.22
(d)-1 9.39 8.23 9.39 9.39
(d)-2 - - - -
(e)-1 0.21 0.18 0.21 0.21
(e)-2 0.24 0.21 0.24 0.24
(e)-3 0.29 0.25 0.29 0.29
(e)-4 - - - -
(e)-5 - - - -
(h)-1 - - - -
(i)-1 - - - -
支撐片 基材 (積層基材(1)) 基材 (積層基材(1)) 基材 (積層基材(2)) 基材＋黏著劑層 (製造例1)
評價結果 剝離力 (N/25 mm) 0.018 0.030 0.25 0.58
硬化前斷裂伸長率 (%) 3 750 3 302
拾取適應性 雙晶粒 產生率(%) 56 0 0 0
上抬不良 產生率(%) 0 50 100 100
判定 × × × ×
根據上述結果可知，實施例1至4之膜狀接著劑複合片藉由使膜狀接著劑之厚度、以及前述剝離力及斷裂伸長率均在特定範圍內，於拾取貼附有膜狀接著劑之晶片時，即便不另外設置以切斷膜狀接著劑為主目的之步驟，亦可將膜狀接著劑切斷，且可將貼附有膜狀接著劑之晶片自支撐片確實地拾取而不伴隨步驟異常。
相對於此，比較例1之膜狀接著劑複合片因前述剝離力過小，而產生雙晶粒，拾取適應性不良。 另外，比較例2之膜狀接著劑複合片因前述斷裂伸長率過大，而無法將膜狀接著劑切斷，產生上抬不良，從而拾取適應性不良。 另外，比較例3及4之膜狀接著劑複合片因前述剝離力過大，而無法使膜狀接著劑自基材(支撐片)剝離，產生上抬不良，從而拾取適應性不良。
各實施形態中之各構成及該等之組合等為一例，可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行構成之附加、省略、替換及其他變更。而且，本發明並不受各實施形態限定，而僅受請求項(claim)之範圍限定。 [產業上之可利用性]
本發明可用於半導體裝置之製造。
1,2,7:膜狀接著劑複合片 9:半導體晶片 9b:半導體晶片之背面 10:基材 11,71:支撐片 11a:支撐片之表面 11b:支撐片之背面 12,72:膜狀接著劑 13:黏著劑層 81:頂起部 82:上拉部 811:突起
圖1係示意性地例示本發明之製造方法中的自膜狀接著劑之切斷至半導體晶片自支撐片之拉離為止之一實施形態的剖面圖。 圖2係示意性地例示使用以往之膜狀接著劑複合片時的半導體裝置之製造過程中之膜狀接著劑複合片及半導體晶片之一態樣的剖面圖。 圖3係示意性地例示使用以往之膜狀接著劑複合片時的半導體裝置之製造過程中之膜狀接著劑複合片及半導體晶片之另一態樣的剖面圖。 圖4係示意性地例示使用以往之膜狀接著劑複合片時的半導體裝置之製造過程中之膜狀接著劑複合片及半導體晶片之又一態樣的剖面圖。 圖5係示意性地例示使用以往之膜狀接著劑複合片時的半導體裝置之製造過程中之膜狀接著劑複合片及半導體晶片之再一態樣的剖面圖。 圖6係示意性地例示本發明之膜狀接著劑複合片之一實施形態的剖面圖。 圖7係示意性地例示本發明之膜狀接著劑複合片之一實施形態的剖面圖。
1:膜狀接著劑複合片
10:基材
11:支撐片
12:膜狀接著劑

Claims (6)

  1. 一種膜狀接著劑複合片，具備： 支撐片，具有基材；以及 硬化性之膜狀接著劑，設於前述支撐片上，厚度為1 μm至50 μm； 前述膜狀接著劑係含有聚合物成分(a)、熱硬化性樹脂(b)與硬化促進劑(c)，且相對於前述聚合物成分(a)之含量100質量份，前述熱硬化性樹脂(b)的含量為50質量份至1000質量份； 前述聚合物成分(a)為丙烯酸系樹脂； 前述熱硬化性樹脂(b)含有環氧樹脂(b1)與熱硬化劑(b2)； 前述環氧樹脂(b1)為雙酚A型環氧樹脂及多官能芳香族環氧樹脂； 前述熱硬化劑(b2)為聯苯芳烷基型酚樹脂； 前述硬化促進劑(c)為咪唑類； 前述支撐片與前述膜狀接著劑之界面之剝離力為0.02 N/25 mm至0.2 N/25 mm； 前述膜狀接著劑具有以下之特性：將硬化前之前述膜狀接著劑以合計厚度成為200 μm之方式積層而成之積層體的斷裂伸長率為450%以下。
  2. 如請求項1所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述支撐片係由前述基材構成，前述膜狀接著劑直接接觸地設於前述基材上。
  3. 如請求項1或2所記載之膜狀接著劑複合片，其中未對前述膜狀接著劑複合片照射能量線之狀態下的前述支撐片與前述膜狀接著劑之界面之剝離力為0.02 N/25 mm至0.2 N/25 mm。
  4. 如請求項1或2所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述膜狀接著劑之厚度為5 μm至15 μm。
  5. 如請求項1或2所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述斷裂伸長率為100%以上。
  6. 一種半導體裝置的製造方法，具有以下步驟： 將如請求項1至5中任一項所記載之膜狀接著劑複合片經由膜狀接著劑貼附於分割完成之複數個半導體晶片的步驟； 對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片之支撐片，自設有膜狀接著劑之一側之相反側施加力，藉此隔著支撐片對膜狀接著劑施加力而將膜狀接著劑切斷的步驟；以及 將前述半導體晶片與貼附於前述半導體晶片之切斷後之前述膜狀接著劑自前述支撐片拉離的步驟。
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