JP6953063B2 - ダイシングダイボンディングフィルム - Google Patents
ダイシングダイボンディングフィルム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6953063B2 JP6953063B2 JP2019568099A JP2019568099A JP6953063B2 JP 6953063 B2 JP6953063 B2 JP 6953063B2 JP 2019568099 A JP2019568099 A JP 2019568099A JP 2019568099 A JP2019568099 A JP 2019568099A JP 6953063 B2 JP6953063 B2 JP 6953063B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die bonding
- bonding film
- dicing die
- dicing
- adhesive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/29—Laminated material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
- B32B27/20—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using fillers, pigments, thixotroping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/40—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyurethanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
- H01B1/124—Intrinsically conductive polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
- C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Dicing (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
本出願は、2017年12月14日付の韓国特許出願第10−2017−0172472号および2018年7月12日付の韓国特許出願第10−2018−0081251号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として含まれる。
本発明は、ダイシングダイボンディングフィルムに関し、より詳しくは、帯電防止性能が与えられ、半導体パッケージング工程中に発生する静電気の発生を減少させてパッケージの信頼性を向上させ、半導体装置の損傷を防止することのできるダイシングダイボンディングフィルムと前記ダイシングダイボンディングフィルムを用いた半導体ウエハのダイシング方法に関する。
前記基材フィルムは、10μm〜200μmの厚さを有することができる。
前記ヒドロキシル基含有化合物の例としては、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、6−ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリレート、8−ヒドロキシオクチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、または2−ヒドロキシプロピレングリコール(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
前記カルボキシル基含有化合物の例としては、(メタ)アクリル酸、2−(メタ)アクリロイルオキシ酢酸、3−(メタ)アクリロイルオキシプロピル酸、4−(メタ)アクリロイルオキシ酪酸、アクリル酸二量体、イタコン酸、マレイン酸、またはマレイン酸無水物などが挙げられる。
前記粘着層は、紫外線硬化型化合物をさらに含んでもよい。
一方、前記接着層は、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、および硬化剤を含むことができる。
前記エポキシ樹脂には、この分野で公知の一般的な接着剤用エポキシ樹脂が含まれ、例えば、分子内に2個以上のエポキシ基を含有し、重量平均分子量が100〜2,000のエポキシ樹脂を使用することができる。
前記接着層は、1μm〜300μmの厚さを有することができる。
製造例1:(メタ)アクリレート系樹脂の製造
窒素ガスが還流し温度調節が容易となるように冷却装置を設けた反応器に、下記表1に示す組成のとおり、2−エチルヘキシルアクリレート(2−EHA)68.5重量部、メチルアクリレート(MA)8.5重量部とヒドロキシエチルアクリレート(HEA)23重量部から構成される単量体の混合物を投入した。
次に、前記単量体混合物100重量部を基準として、鎖移動剤(CTA:chain transfer agent)のn−DDM400pmと、溶剤としてエチルアセテート(EAc)100重量部を投入し、前記反応器内に酸素を除去するために窒素を注入しながら30℃で30分以上十分に混合した。この後、温度は62℃に上昇維持し、反応開始剤のV−60(Azobisisobutylonitrile)300ppmの濃度を投入し、反応を開始させた後、6時間重合して1次反応物を製造した。
前記1次反応物に2−メタクロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)24.6重量部(1次反応物内のHEAに対して80モル%)およびMOIに対する比で1重量%の触媒(DBTDL:dibutyl tin dilaurate)を配合し、40℃で24時間反応させて1次反応物内の重合体側鎖に紫外線硬化基を導入して、(メタ)アクリレート系高分子樹脂を製造した。
アジピン酸、エチレングリコール、および1,4−ブタンジオールを1:0.5:0.5のモル比で、200℃の温度、500〜760mmHgの減圧条件および真空大気条件で反応させてポリエステルポリオールを合成した。
そして、ジブチルチンジラウレートの存在下、前記合成されたポリエステルポリオール、鎖延長剤[2,2’−(ethylenedioxy)bis(ethylamine)]およびNMPを反応器に入れて、60℃まで昇温した。
前記ポリエステルポリオールおよび鎖延長剤に含まれている水酸化基のモル数の合計と1,4シクロヘキサンジイソシアネート(1,4cyclohexylmathane diisocyante、CHDI)のイソシアネート基(Isocyanate)のモル数の比が1:1となるように前記反応器にシクロヘキサンジイソシアネートを添加し、80℃まで昇温した後、微量のシクロヘキサンジイソシアネートを追加的に添加して重合を進行させた。
そして、目標の粘度および分子量のポリウレタンが重合される時点でメタノールを添加してイソシアネート基と反応させることによって、ポリウレタン樹脂を合成した。
1,4−シクロヘキサンジイソシアネート(1,4−cyclohexylmathane diisocyante、CHDI)物質をヘキサメチレンジイソシアネート(hexamethylene diisocyanate、HDI)に異ならせた点を除き、製造例2と同様の方法でポリウレタン樹脂を合成した。
1,4−シクロヘキサンジイソシアネート(1,4−cyclohexylmathane diisocyante、CHDI)を2,4−トルエンジイソシアネート(toluene diisocyanate、TDI)に異ならせた点を除き、製造例2と同様の方法でポリウレタン樹脂を合成した。
実施例1
(1)ダイボンディングフィルムの製造
高分子量アクリル樹脂(Tg20℃、重量平均分子量85万)90gとエポキシ樹脂(ノボラック型エポキシ樹脂、軟化点94℃)30g、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノール樹脂(フェノールノボラック樹脂、軟化点94℃)20g、中温開始硬化促進剤(2−メチルイミダゾール)0.1g、高温開始硬化促進剤(2−フェニル−4−メチル−イミダゾール)0.5g、充填剤としてシリカ(平均粒径75nm)20gからなる組成物とメチルエチルケトンを撹拌混合した。
これを離型力を有する基材上に塗布し、110℃で3分間乾燥して、塗膜厚さ20umのダイボンディングフィルムを製造した。
前記製造例2で製造されたポリウレタン樹脂とポリ3,4−エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホネート(前記ポリウレタン樹脂100重量部に対する比で20重量部の含有量)を、エチルアルコール、蒸留水、メチルピロリドンの混合物に溶解させてコーティング液(固形分含有量3重量%)を製造した。
前記コーティング液を100μmのポリオレフィン基材に一面または両面塗布し、50℃で3分間乾燥して、帯電防止ポリオレフィン基材を製造した。
また、厚さ38umのPET上に塗布して、5μmの厚さの帯電防止層を形成した。前記帯電防止層の伸び率を万能材料試験機(UTM)で測定して確認した。
前記製造例1の(メタ)アクリレート系高分子樹脂100gに、TDI系イソシアネート硬化剤7g、および光開始剤(Irgacure184)3gを混合して粘着剤組成物を製造した。
前記粘着剤組成物を離型処理された厚さ38umのPETに塗布し、110℃で3分間乾燥して、厚さ10umの粘着剤層を形成した。形成された粘着剤層を前記(2)過程で製造した帯電防止液コーティングされたポリオレフィン基材に貼り合わせた後、エージングを経てダイシングフィルムを製造した。
前記製造されたダイシングフィルムに、円形に切断されたダイボンディングフィルムを5kgf/cm2の条件で貼り合わせにより転写した後、ダイシングダイボンディングフィルムを製造した。
前記製造例3で製造されたポリウレタン樹脂を用いた点を除き、実施例1と同様の方法でダイシングダイボンディングフィルムを製造した。
前記実施例および比較例のダイシングダイボンディングフィルムに対して、下記の方法で物性を評価し、その結果を表3に示した。
1.帯電防止剤の伸び率の測定
厚さが5μmの前記帯電防止層を横/縦=15mm/50mmの大きさに引張試験片を作製した後、万能材料試験機のジグに上部および下部を固定して、100mm/secの速度で引張試験を実施した。この時、試験片が切断される地点を測定した後、伸び率を次のように計算した。
伸び率(%)=[伸張後の長さ/初期長さ]x100
前記製造された帯電防止ポリオレフィン基材を横/縦=15mm/50mmの大きさに引張試験片を作製後、引張試験機のジグに上部および下部を固定して、初期サンプルの大きさに対する比で、縦方向にサンプルを100%変形させた後、帯電防止コーティング表面を観察した時、帯電防止層の表面の割れを確認した。
良好:帯電防止層の表面に割れ発生なし
不良:帯電防止層の表面に割れ発生
前記製造された帯電防止ポリオレフィン基材を横/縦=100mm/50mmの大きさに引張試験片を作製後、引張試験機のジグに上部と下部を固定して、初期サンプルの大きさに対する比で、縦方向にサンプルを100%変形させた後、帯電防止コーティング膜に1mmの間隔で切断線を縦横それぞれ11枚入れて1mm2の目の数を100個作り、その上にセロハンテープを貼っては急激に剥がす作業を3回繰り返し実施した。その結果は次のように分類して表示した。
良好:帯電防止層の剥離全くなし
不十分:剥離された帯電防止層の目の数が10〜50の場合
不良:剥離された被膜の目の数が50〜100の場合
前記製造された帯電防止ポリオレフィン基材を横/縦=100mm/50mmの大きさに準備して、引張試験機のjigに上部と下部を固定して、初期サンプルの大きさに対する比で、縦方向にサンプルを100%変形させた後、Mitsubish chemical社の表面抵抗測定器(Hiresta、MCP−HT800)を用いて100ボルト(Volt)の電圧を10秒間印加後の表面抵抗値を測定した。
Claims (10)
- 基材;前記基材上に形成され、脂肪族または脂環族ポリウレタン樹脂および導電性フィラーを含む帯電防止層;前記帯電防止層上に形成される粘着層;および前記粘着層上に形成された接着層;を含み、
前記帯電防止層は、100%〜500%の伸び率を有し、
前記脂肪族または脂環族ポリウレタン樹脂は、脂肪族または脂環族ポリイソシアネートとポリオールとの間の反応物を含む、ダイシングダイボンディングフィルム。 - 前記帯電防止層は、1011Ω/sq以下の表面抵抗を有する、請求項1に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
- 前記帯電防止層は、0.05μm〜5μmの厚さを有する、請求項1または2に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
- 前記帯電防止層は、前記脂肪族または脂環族ポリウレタン樹脂100重量部に対する比で前記導電性フィラー5〜100重量部を含む、請求項1から3のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
- 前記導電性フィラーは、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン(polyparaphenylene)、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリジエニレン(polydienylene)、ポリフェニレンビニレン(polyphenylene vinylene)、ポリフェニレンサルファイド(poylphenylene sulfide)、ポリ窒化硫黄(polysulfurnitride)、ポリ3,4−エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホネート(polyethylene3,4−dioxythiophene−polystylenesulfonate、PEDOT−PSS)、およびポリ3,4−エチレンジオキシチオフェン(polyethlylene3,4−dioxythiophene)からなる群より選択された1種以上を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
- 前記基材は、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリブテン、ポリブタジエン、塩化ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、およびエチレン−アルキルアクリレート共重合体からなる群より選択された1以上の高分子を含む、請求項1から5のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
- 前記粘着層は、粘着樹脂、光開始剤、および架橋剤を含み、
前記接着層は、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、および硬化剤を含む、請求項1から6のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングフィルム。 - 前記基材は、10μm〜200μmの厚さを有し、
前記粘着層は、5μm〜100μmの厚さを有し、
前記接着層は、1μm〜300μmの厚さを有する、請求項1から7のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングフィルム。 - 請求項1に記載のダイシングダイボンディングフィルムを用いた半導体ウエハのダイシング方法。
- 前記半導体ウエハのダイシング方法は、前記ダイシングダイボンディングフィルム;および前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハ;を含む半導体ウエハを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階;および
前記前処理した半導体ウエハの基材に紫外線を照射し、前記半導体ウエハの分断によって分離された個別チップをピックアップする段階を含む、請求項9に記載の半導体ウエハのダイシング方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20170172472 | 2017-12-14 | ||
KR10-2017-0172472 | 2017-12-14 | ||
KR1020180081251A KR102175717B1 (ko) | 2017-12-14 | 2018-07-12 | 다이싱 다이 본딩 필름 |
KR10-2018-0081251 | 2018-07-12 | ||
PCT/KR2018/010079 WO2019117428A1 (ko) | 2017-12-14 | 2018-08-30 | 다이싱 다이 본딩 필름 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020522898A JP2020522898A (ja) | 2020-07-30 |
JP6953063B2 true JP6953063B2 (ja) | 2021-10-27 |
Family
ID=67056177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019568099A Active JP6953063B2 (ja) | 2017-12-14 | 2018-08-30 | ダイシングダイボンディングフィルム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11404301B2 (ja) |
JP (1) | JP6953063B2 (ja) |
KR (1) | KR102175717B1 (ja) |
CN (1) | CN110785469B (ja) |
TW (1) | TWI708825B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113831853A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-12-24 | 上海自图新材料科技有限公司 | 一种雷达罩tpu保护膜 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10183090A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-07 | Mitsui Chem Inc | ポリウレタンバインダー及びそれを用いた施工方法 |
JP2001152106A (ja) | 1999-11-24 | 2001-06-05 | Hitachi Chem Co Ltd | ダイシング用粘着フィルム |
KR100686553B1 (ko) | 2005-01-21 | 2007-02-23 | 장관식 | 대전방지재의 제조방법과 이를 사용한 전자부품 운반용트레이 |
JP5159045B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2013-03-06 | グンゼ株式会社 | ダイシング用基体フイルム |
JP4866027B2 (ja) | 2005-07-04 | 2012-02-01 | 大日精化工業株式会社 | 光学用保護フィルム |
JP4925173B2 (ja) * | 2006-06-02 | 2012-04-25 | 日東電工株式会社 | ダイシング用粘着シート、及びそれを用いた被切断体の加工方法 |
KR100807910B1 (ko) * | 2006-06-14 | 2008-02-27 | 광 석 서 | 반도체 웨이퍼용 대전방지 다이싱 테이프 |
JP4430085B2 (ja) | 2007-03-01 | 2010-03-10 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
KR20070119584A (ko) | 2007-08-27 | 2007-12-20 | 광 석 서 | 반도체 웨이퍼용 대전방지 다이싱 테이프 |
US20110014443A1 (en) | 2008-03-10 | 2011-01-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Adhesive tape for electronic component fabrication |
KR101002033B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2010-12-17 | 에스에스씨피 주식회사 | 광학용 보호필름 |
JP5607401B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-10-15 | 古河電気工業株式会社 | 帯電防止型半導体加工用粘着テープ |
JP5534896B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-07-02 | 古河電気工業株式会社 | 帯電防止性半導体加工用粘着テープ |
JP5016703B2 (ja) * | 2010-04-26 | 2012-09-05 | 電気化学工業株式会社 | 粘着シート及び電子部品の製造方法 |
JP2012079936A (ja) | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 |
TWM423986U (en) | 2011-10-20 | 2012-03-01 | Zhi-Quan Lu | Protective film structure having scrape-resisting property |
KR101392441B1 (ko) | 2012-09-21 | 2014-05-07 | 도레이첨단소재 주식회사 | 몰드 언더필 공정의 마스킹 테이프용 점착제 조성물 및 그를 이용한 마스킹 테이프 |
JP5514376B1 (ja) | 2012-11-05 | 2014-06-04 | リンテック株式会社 | 粘着シート |
TWI615453B (zh) | 2012-12-10 | 2018-02-21 | Nitto Denko Corp | 切晶帶一體型接著片材、使用切晶帶一體型接著片材之半導體裝置之製造方法、及半導體裝置 |
KR102108102B1 (ko) * | 2012-12-10 | 2020-05-11 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 |
JP6129629B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2017-05-17 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ一体型接着シート、及び、ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2014216488A (ja) | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 日東電工株式会社 | 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
KR101635265B1 (ko) | 2013-06-19 | 2016-07-01 | 주식회사 엘지화학 | 점착 필름 |
CN103865146B (zh) * | 2014-02-12 | 2016-03-30 | 安徽合聚阻燃新材料股份有限公司 | 一种过氧化物预交联低烟无卤阻燃辐照交联聚烯烃复合材料及其制备方法 |
DE112015001143T5 (de) | 2014-03-07 | 2016-11-17 | Asahi Glass Company, Limited | Formwerkzeugtrennfilm, Verfahren zu dessen Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses |
CN106794684B (zh) | 2014-10-20 | 2020-09-01 | 琳得科株式会社 | 表面保护片用基材及表面保护片 |
KR102407903B1 (ko) | 2014-10-23 | 2022-06-10 | 린텍 가부시키가이샤 | 표면 보호용 시트 |
CN107112219A (zh) * | 2014-10-29 | 2017-08-29 | 琳得科株式会社 | 保护膜形成膜及保护膜形成用复合片 |
KR101733081B1 (ko) | 2015-03-19 | 2017-05-08 | 한국화학연구원 | 폴리우레탄용 대전방지제 및 이를 이용하여 제조되는 대전방지 기능이 부여된 폴리우레탄 폼 성형체 |
JP6549902B2 (ja) | 2015-05-27 | 2019-07-24 | 日東電工株式会社 | ダイシングダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
CN109075050B (zh) | 2016-03-31 | 2023-06-16 | 三井化学东赛璐株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
-
2018
- 2018-07-12 KR KR1020180081251A patent/KR102175717B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-30 CN CN201880040426.6A patent/CN110785469B/zh active Active
- 2018-08-30 JP JP2019568099A patent/JP6953063B2/ja active Active
- 2018-08-30 US US16/626,102 patent/US11404301B2/en active Active
- 2018-09-19 TW TW107132971A patent/TWI708825B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200211889A1 (en) | 2020-07-02 |
TWI708825B (zh) | 2020-11-01 |
JP2020522898A (ja) | 2020-07-30 |
US11404301B2 (en) | 2022-08-02 |
KR102175717B1 (ko) | 2020-11-06 |
CN110785469A (zh) | 2020-02-11 |
TW201927958A (zh) | 2019-07-16 |
CN110785469B (zh) | 2022-04-08 |
KR20190071567A (ko) | 2019-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9761476B2 (en) | Dicing film and dicing die-bonding film | |
US9793103B2 (en) | Epoxy-based composition, adhesive film, dicing die-bonding film and semiconductor device | |
KR101330128B1 (ko) | 점착제 조성물, 반도체 웨이퍼용 다이싱 테이프 및 그 제조방법 및 장치 | |
TWI740500B (zh) | 膜狀接著劑複合片及半導體裝置的製造方法 | |
TWI758445B (zh) | 膜狀接著劑複合片以及半導體裝置的製造方法 | |
TWI732895B (zh) | 半導體加工用黏著薄片 | |
KR100945638B1 (ko) | 광경화성 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 다이본딩필름 | |
TWI566282B (zh) | Cut the adhesive sheet | |
JP6953063B2 (ja) | ダイシングダイボンディングフィルム | |
CN113396057B (zh) | 保护膜形成用片及基板装置的制造方法 | |
US20130273355A1 (en) | Dicing die bonding film | |
TWI688633B (zh) | 具有樹脂層的工件固定片 | |
WO2019117428A1 (ko) | 다이싱 다이 본딩 필름 | |
CN113214756B (zh) | 紫外线固化型粘合片 | |
US11424153B2 (en) | Back grinding tape | |
WO2015102342A1 (ko) | 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름 | |
CN117715995A (zh) | 脱模膜和半导体封装体的制造方法 | |
KR20170110748A (ko) | 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210830 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210924 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6953063 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |