KR102132592B1

KR102132592B1 - 점착 시트

Info

Publication number: KR102132592B1
Application number: KR1020157011087A
Authority: KR
Inventors: 히로노부 후지모토
Original assignee: 린텍 가부시키가이샤
Priority date: 2012-11-05
Filing date: 2013-11-01
Publication date: 2020-07-10
Also published as: PH12015500991B1; KR20150083847A; TWI580569B; JPWO2014069638A1; PH12015500991A1; MY169040A; TW201437015A; US20150303093A1; JP5514376B1; CN104755576B; CN104755576A; WO2014069638A1

Abstract

[과제] 대전 방지 성능을 갖고, 또한 대전 방지제의 블리드 아웃에 의한 시트 표면의 정마찰 계수가 낮고, 반도체 가공 적성이 높은 점착 시트를 제공하는 것.
[해결수단] 본 발명에 관련된 점착 시트는 기재 필름과, 상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층을 갖고, 상기 기재 필름이, 에너지선 경화성 수지와 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체를 함유하는, 에너지선 경화성 조성물을 막 제조, 경화시켜 이루어지는 것을 특징으로 하고 있다.

Description

점착 시트{ADHESIVE SHEET}

본 발명은 점착 시트에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 웨이퍼 등의 피가공물의 일시적인 표면 보호, 연마, 다이싱 등의 가공을 실시할 때에, 당해 피가공물이 고정, 유지될 때에 바람직하게 사용되는 점착 시트에 관한 것이다.

최근 반도체 디바이스의 소형화나 고기능화에 따라 로직 디바이스의 배선 피치는 수십 ㎚ 까지 협선화되어 있기 때문에 배선 간의 절연막이 얇아져 리크 전류에 의해 디바이스가 파괴될 리스크가 높아지고 있다. 그래서, 점착 시트에도 대전 방지 성능이 요구되고 있다.

종래부터 일반적으로 점착 시트에 대전 방지 성능을 부여하는 방법으로는, 대전 방지제를 내부 첨가하여 이루어지는 플라스틱 기재 필름의 편면에 점착제층을 형성하거나, 대전 방지제를 첨가한 점착제층을 형성하거나, 혹은 대전 방지층을 형성하는 방법이 검토되고 있다.

이와 같은 대전 방지 성능을 부여한 점착 시트로는, 특허문헌 1 에는, 점착제층에 대전 방지제를 첨가하고, 또한, 기재 필름과 점착제층 사이에 대전 방지층을 형성함으로써, 대전 방지 성능을 부여한 반도체 웨이퍼 고정용 점착 시트가 개시되어 있다. 또, 특허문헌 2 에는, 우레탄계 올리고머와 에너지선 중합성 모노머와 리튬 (Li) 염계 등의 금속염 대전 방지제를 함유시킨 기재 필름 상에 점착제층이 형성된 점착 시트가, 특허문헌 3 에는, 전자 부재 반송용 커버 시트로서 이온 액체를 함유한 수지 시트가 개시되어 있다.

그러나, 특허문헌 1 ∼ 3 에 기재된 점착 시트나 수지 시트는, 대전 방지제를 점착제층 또는 기재 필름에 첨가하고 있기 때문에, 점착 시트가 대량의 물에 노출되거나 가열되거나 하는 반도체 가공용의 용도에서는, 가공시에 대전 방지제가 용출되어, 소정의 대전 방지 성능이 얻어지지 않거나, 용출물이 반도체 디바이스에 부착됨으로써, 디바이스의 성능이 저하된다는 우려가 있다.

또, 일반적으로 점착 시트는, 테이프 라미네이터, 마운터 등의 반도체 가공 장치 내에서 금속의 가이드 롤이나 반도체 가공용 장치의 테이블에 접하면서 반송된다. 그러나, 특허문헌 3 에 기재된 수지 시트는, 이온 액체가 시트 표면에 편석되거나 블리드 아웃됨으로써, 수지 시트 표면의 정마찰 계수가 높아지고, 당해 수지 시트를 반도체 가공용 점착 시트로서 사용하면 수지 시트가 반도체 가공 장치 내에서 스테인리스제 롤이나 반도체 가공용 장치의 테이블에 밀착되어, 시트가 롤에 감겨 버리거나, 테이블에 밀착되어 장치로부터 꺼낼 수 없게 되거나, 반도체 가공 공정에서 불량이 발생하는 문제가 있었다.

일본 공개특허공보 2009-260332호 일본 공개특허공보 2010-177542호 일본 공개특허공보 2006-299120호

본 발명은 상기와 같은 실상을 감안하여 이루어진 것으로, 대전 방지 성능을 갖고, 또한 대전 방지제의 블리드 아웃에 의한 시트 표면의 정마찰 계수가 낮고, 반도체 가공 적성이 높은 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

본 발명은 이하의 요지를 포함한다.

[1] 기재 필름과, 상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층을 갖고,

상기 기재 필름이 에너지선 경화성 수지와 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체를 함유하는, 에너지선 경화성 조성물을 막 제조, 경화시켜 이루어지는 점착 시트.

[2] 상기 에너지선 경화성 수지가 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 폴리머 또는 올리고머를 함유하는 [1] 에 기재된 점착 시트.

[3] 상기 에너지선 경화성 수지가 에너지선 중합성 모노머를 함유하는 [1] 또는 [2] 에 기재된 점착 시트.

[4] 상기 이온 액체가 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 화합물인 [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[5] 상기 점착제층이 에너지선 경화형 점착제인 [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[6] 상기 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 폴리머 또는 올리고머가, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 우레탄계 폴리머 또는 올리고머인 [2] 에 기재된 점착 시트.

[7] 상기 기재 필름의 점착제층이 형성된 면과는 반대측인 면은, 스테인리스 판에 대한 정마찰 계수가 1.0 이하인 [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[8] 상기 기재 필름의 인장 탄성률이 50 ∼ 800 MPa 인 [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[9] 상기 기재 필름의 파단 신도가 80 ％ 이상인 [1] ∼ [8] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[10] 반도체 웨이퍼 이면의 연삭 공정에 있어서, 상기 점착제층이 그 반도체 웨이퍼의 회로면을 보호하기 위하여 그 회로면에 첩부되는 [1] ∼ [9] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

[11] 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정에 있어서, 상기 점착제층이 그 반도체 웨이퍼에 첩부되는 [1] ∼ [9] 중 어느 하나에 기재된 점착 시트.

본 발명에 의하면, 소정의 대전 방지 성능을 안정적으로 얻을 수 있어, 디바이스의 성능이 저하되는 일이 없다. 또, 기재 필름 표면에 대전 방지제가 편석되거나 블리드 아웃 등이 발생하지 않기 때문에, 기재 필름 표면의 정마찰 계수가 낮아, 반도체 가공 공정에 있어서의 가공 적성이 높은 점착 시트를 얻을 수 있다.

도 1 은 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 점착 시트의 단면도이다.

이하, 본 발명에 관련된 점착 시트의 실시 형태에 대해 첨부 도면에 의거하여 설명한다.

본 발명에 관련된 점착 시트 (1) 는, 기재 필름 (2) 과, 상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층 (3) 을 갖는 점착 시트로서, 상기 기재 필름이 에너지선 경화성 수지와 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체를 함유하는, 에너지선 경화성 조성물을 막 제조, 경화시켜 이루어지는 것을 특징으로 하고 있다.

［기재 필름］

기재 필름은 에너지선 경화성 수지와 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체를 함유하는, 에너지선 경화성 조성물을 막 제조, 경화시켜 이루어진다.

(에너지선 경화성 수지)

에너지선 경화성 수지는 에너지선 조사를 받으면 경화되는 성질을 갖는다. 그래서, 적당한 점도의 에너지선 경화성 수지를 막 제조 후, 에너지선 조사를 실시하면 경화되고 피막을 형성함으로써 기재 필름이 얻어진다.

에너지선 경화성 수지는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 폴리머 또는 올리고머를 함유하는 것이 바람직하고, 또한 에너지선 중합성 모노머를 함유하는 것이 바람직하다.

에너지선 경화성 수지로는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 폴리머 또는 올리고머와 에너지선 중합성 모노머의 혼합물 등이 보다 바람직하게 사용되고, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 폴리머 또는 올리고머로는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 우레탄계 폴리머 또는 올리고머가 바람직하다.

또, 에너지선 경화성 수지로는, 예를 들어 우레탄계 올리고머, 실리콘계 올리고머 및 이들의 혼합물 등이 사용되고, 그 중에서도 우레탄계 올리고머가 바람직하고, 점도나 반응성의 제어가 용이하고, 얻어지는 기재 필름의 응력 완화성이나 익스팬드성이 높은, 우레탄아크릴레이트계 올리고머가 특히 바람직하게 사용된다.

우레탄아크릴레이트계 올리고머는, 예를 들어 폴리에테르형 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 폴리에스테르형 우레탄아크릴레이트계 올리고머 또는 폴리카보네이트형 우레탄아크릴레이트계 올리고머 중 어느 것이어도 되지만, 반도체 가공 공정에 적합한 기재 필름의 강도, 신도, 내마모성이 용이하게 얻어진다는 점에서 폴리카보네이트형 우레탄아크릴레이트계 올리고머가 바람직하다.

이들 우레탄아크릴레이트계 올리고머는, 예를 들어 폴리에테르형, 폴리에스테르형 또는 폴리카보네이트형 등의 폴리올 화합물과 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄프레폴리머에, 하이드록실기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 얻어진다. 또, (메트)아크릴레이트는 아크릴레이트와 메타크릴레이트의 양자를 함유하는 의미로 사용한다.

폴리에테르형 폴리올 화합물로는, 예를 들어 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리부틸렌글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜 등의 알킬렌옥시기를 함유하는 폴리올 화합물을 들 수 있고, 또한 특히 바람직한 폴리에테르형 폴리올 화합물로는, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜을 들 수 있다.

폴리에스테르형 폴리올 화합물 디올은, 다염기산과 글리콜류의 축합 반응에 의해 얻어지는 것을 말한다.

다염기산으로는, 프탈산, 아디프산, 무수프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 테트라하이드로 무수프탈산, 메틸시클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물 디메틸테레프탈산, 시스-1,2-디카르복실산 무수물, 디메틸테레프탈산, 모노클로르프탈산, 디클로르프탈산, 트리클로르프탈산, 테트라브롬프탈산 등의 일반적으로 공지된 다염기산이 사용된다.

글리콜류로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 네오펜틸글리콜, 1,6-헥산디올 등을 들 수 있다.

그 이외에 폴리에스테르형 폴리올 화합물로는, 전술한 글리콜류와 ε-카프로락톤의 개환 중합에 의해 얻어지는 폴리카프로락톤디올 등을 들 수 있다.

카보네이트형 폴리올 화합물로는, 예를 들어 1,4-테트라메틸렌카보네이트디올, 1,5-펜타메틸렌카보네이트디올, 1,6-헥사메틸렌카보네이트디올, 1,2-프로필렌카보네이트디올, 1,3-프로필렌카보네이트디올, 2,2-디메틸프로필렌카보네이트디올, 1,7-헵타메틸렌카보네이트디올, 1,8-옥타메틸렌카보네이트디올, 1,9-노난메틸렌카보네이트디올, 1,4-시클로헥산카보네이트디올 등을 들 수 있다.

상기 폴리올 화합물은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 또한 2 종 이상을 병용해도 된다. 상기 폴리올 화합물은, 다가 이소시아네이트 화합물과의 반응에 의해 말단 이소시아네이트우레탄프레폴리머를 생성한다.

다가 이소시아네이트 화합물로는, 예를 들어 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-자일릴렌디이소시아네이트, 1,4-자일릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄4,4'-디이소시아네이트 등이 사용되고, 특히 바람직하게는 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트 등이 사용된다.

이어서, 상기 폴리올 화합물과 상기 다가 이소시아네이트 화합물의 반응에 의해 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄프레폴리머와 하이드록실기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜, 우레탄아크릴레이트계 올리고머가 얻어진다. 하이드록실기를 갖는 (메트)아크릴레이트로서는, 1 분자 내에 하이드록실기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시시클로헥실(메트)아크릴레이트, 5-하이드록시시클로옥틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페닐옥시프로필(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트 등의 하이드록실알킬(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트 등등이 사용된다.

얻어지는 우레탄아크릴레이트계 올리고머는, 분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 갖고, 에너지선 조사에 의해 중합 경화시켜 피막을 형성하는 성질을 갖는다.

본 발명에서 바람직하게 사용되는 우레탄아크릴레이트계 올리고머의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 1000 ∼ 50000, 보다 바람직하게는 2000 ∼ 40000 의 범위에 있다. 상기 우레탄아크릴레이트계 올리고머는 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

상기와 같은 우레탄아크릴레이트계 올리고머만으로는, 막 제조가 곤란한 경우가 많기 때문에, 본 발명에서는 에너지선 경화성 수지가 우레탄계 올리고머와 에너지선 중합성 모노머의 혼합물인 것이 바람직하다. 에너지선 중합성 모노머가 함유됨으로써, 점도를 조정할 수 있고, 막 제조가 용이해지기 때문에 바람직하다. 에너지선 중합성 모노머는, 분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 갖고, 특히 본 발명에서는 비교적 부피가 큰 기를 갖는 아크릴에스테르계 화합물이 바람직하게 사용된다.

에너지선 중합성 모노머의 구체예로서는, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 아다만탄(메트)아크릴레이트, 트리시클로데칸아크릴레이트 등의 지환식 화합물, 페닐하이드록시프로필 아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 페놀에틸렌옥사이드 변성 아크릴레이트 등의 방향족 화합물, 혹은 테트라하이드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 모르폴린아크릴레이트, N-비닐피롤리돈 또는 N-비닐카프로락탐 등의 복소 고리형 화합물을 들 수 있다. 또한 필요에 따라 다관능 (메트)아크릴레이트를 사용해도 된다. 이와 같은 에너지선 중합성 모노머는 단독으로, 혹은 복수를 조합해서 사용해도 된다.

상기 에너지선 중합성 모노머는, 우레탄아크릴레이트계 올리고머 100 질량부에 대해 바람직하게는 5 ∼ 900 질량부, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 500 질량부, 특히 바람직하게는 30 ∼ 200 질량부의 비율로 사용된다. 에너지선 경화성 수지는, 바람직하게는 우레탄아크릴레이트계 올리고머와 에너지선 중합성 모노머를 함유한다.

또, 에너지선 중합성 모노머는, 상기 이외에도 에폭시 변성 (메트)아크릴레이트를 사용할 수도 있다.

에폭시 변성 (메트)아크릴레이트로서는, 비스페놀 A 변성 에폭시(메트)아크릴레이트, 글리콜 변성 에폭시(메트)아크릴레이트, 프로필렌 변성 에폭시(메트)아크릴레이트, 프탈산 변성 에폭시(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

에너지선 경화성 수지는, 에너지선 조사에 의해 중합, 경화시키고 피막을 형성함으로써 기재 필름을 생성한다. 에너지선이 자외선인 경우에는, 광중합 개시제를 배합함으로써, 에너지선 조사에 의한 중합 경화 시간 및 자외선 조사량을 줄일 수 있다.

이와 같은 광중합 개시제로서는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스피녹사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광 개시제, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 구체적으로는 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로르안트라퀴논 등을 들 수 있다.

광중합 개시제의 사용량은, 에너지선 경화성 수지 100 질량부에 대해 바람직하게는 0.05 ∼ 15 질량부, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 특히 바람직하게는 0.3 ∼ 5 질량부이다.

(에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체)

「이온 액체」는 상온 용융 염이라고도 불리고, 실온 (예를 들어 25 ℃) 에서 액상을 띠는 용융 염이다. 이온 액체는, 실온에서 액상이기 때문에, 고체의 염과 비교하여, 에너지선 경화성 수지와의 상용성이 우수하기 때문에, 첨가 및 분산 또는 용해가 용이하고, 안정적인 대전 방지 성능을 갖는 기재 필름을 얻을 수 있다.

본 발명에 사용하는 이온 액체는, 카티온과 아니온으로 이루어지는 염이고, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 관능기를 분자 내에 1 개 이상 갖는 것이면 특별히 제한은 없다.

에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 관능기로는, 예를 들어 비닐기 등의 탄소수 2 ∼ 10 의 말단 이중 결합을 갖는 알케닐기, (메트)아크릴로일기 등을 들 수 있다. 이와 같은 관능기는 카티온 및/또는 아니온의 어느 것으로 치환되어 있어도 된다.

에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 관능기가 카티온으로 치환되는 경우, 카티온으로는, 통상적으로 이온 액체의 카티온종으로서 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 암모늄 카티온, 아미디늄 카티온, 이미다졸륨 카티온, 피리디늄 카티온 등의 함질소 오늄 카티온, 술포늄 카티온 등의 함황 오늄 카티온, 포스포늄 카티온 등의 함인 오늄 카티온 등이 사용된다.

카운터 아니온으로는, 통상적으로 이온 액체의 아니온종으로서 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 Cl^-, Br^-, I^-, AlCl₄ ^-, Al₂C_l7 ^-, BF₄ ^-, PF₆ ^-, ClO₄ ^-, NO₃ ^-, CH₃COO^-, CF₃COO^-, CH₃SO₃ ^-, CF₃SO₃ ^-, (FSO₂)₂N^-, (CF₃SO₂)₂N^-, (CF₃SO₂)₃C^-, AsF₆ ^-, SbF₆ ^-, NbF₆ ^-, TaF₆ ^-, F(HF)_n ^-, (CN)₂N^-, C₄F₉SO₃ ^-, (C₂F₅SO₂)₂N^-, C₃F₇COO^-, (CF₃SO₂)(CF₃CO)N^- 등이 사용된다. 상기와 같은 이온 액체는, 공지 또는 시판되는 것을 사용할 수 있고, 시판품으로는, 예를 들어 암모늄염형 이온 액체로서 (주) 코오진 제조의 Quatermer 시리즈 (QA-HA05, QA-KA05, QA-JA05) 등을 들 수 있고, 구체적으로는 하기 일반식 (1) ∼ (4) 에 나타내는 바와 같은 화합물을 들 수 있다.

[화학식 1]

[화학식 2]

[화학식 3]

식 (1) ∼ (3) 에 있어서, R¹, R², R³ 및 R⁵ 는 각각 독립적으로 수소 원자 ; 수산기 ; 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아르알킬기, 헤테로아르알킬기 등의 치환 또는 무치환의 탄화수소기 ; 를 나타내고, 서로 동일하거나 상이하여도 되며, 또한 하나가 되어 고리를 형성하여도 된다. R⁴ 는 말단 이중 결합을 갖는 알케닐기, p 는 1 ∼ 6 의 정수를 나타낸다.

이들 중에서도, 에너지선 경화성 수지와의 상용성이 우수하다는 점에서, R¹, R², R³ 및 R⁵ 는 바람직하게는 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기이고, 보다 바람직하게는 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기이고, 더욱 바람직하게는 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기이다.

또, R⁴ 는 에너지선 경화성 수지와의 상용성이 우수하다는 점에서, 탄소수 2 ∼ 10 의 말단 이중 결합을 갖는 알케닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 5 의 말단 이중 결합을 갖는 알케닐기인 것이 보다 바람직하고, 비닐기인 것이 더욱 바람직하다.

또한, 식 (1) ∼ (3) 에 있어서, 카운터 아니온으로는 상기 서술한 것을 사용할 수 있다.

에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 관능기가 아니온으로 치환되는 경우, 아니온으로는, 통상적으로 이온 액체의 아니온종으로서 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 황산 이온, 카르복실산 이온 등이 사용된다. 카운터 카티온으로는, 통상적으로 이온 액체의 카티온종으로서 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 암모늄 카티온, 아미디늄 카티온, 이미다졸륨 카티온, 피리디늄 카티온 등의 함질소 오늄 카티온, 술포늄 카티온 등의 함황 오늄 카티온, 포스포늄 카티온 등의 함인 오늄 카티온 등이 사용된다. 이와 같은 이온 액체는, 공지 또는 시판되는 것을 사용할 수 있고, 시판품으로는, 예를 들어 카오 (주) 제조의 라템르 PD-105 등을 들 수 있고, 구체적으로는 하기 일반식 (4) 에 나타내는 바와 같은 화합물을 들 수 있다.

[화학식 4]

식 (4) 에 있어서, R⁶ 은 말단 이중 결합을 갖는 알케닐기, BO 는 부틸렌옥사이드, EO 는 에틸렌옥사이드이고, m, n 은 1 ∼ 12 의 정수를 나타낸다. 카운터 카티온으로는 상기 서술한 것을 사용할 수 있다.

이와 같은 말단에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체는, 에너지선 경화성 수지와 중합할 수 있기 때문에, 기재 필름 중에 이온 액체를 고정화시킬 수 있다. 이로써, 소정의 대전 방지 성능을 안정적으로 얻을 수 있고, 디바이스의 성능이 저하되는 일이 없다. 또, 이와 같은 이온 액체를 사용함으로써, 기재 필름 표면에 이온 액체가 편석되거나 블리드 아웃되는 일이 없기 때문에, 기재 필름 표면의 정마찰 계수가 높아지는 것을 방지할 수 있어, 반도체 가공 공정에 있어서의 가공 적성이 높은 점착 시트를 얻을 수 있다.

본 발명에 사용하는 이온 액체는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖고, 분자 내에 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 화합물인 것이 더욱 바람직하다. 이온 액체가, 분자 내에 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 화합물이면, 우레탄올리고머 등의 극성이 높은 에너지선 경화성 수지와의 상용성이 높기 때문에, 기재 필름 중에 균일하게 분산되기 쉽다. 이로써, 기재 필름 표면의 정마찰 계수가 낮고, 또한 안정된 대전 방지 성능을 갖는 필름을 얻을 수 있다.

이와 같은 분자 내에 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 화합물로는, 이온 액체가 되는 것을 만족시키는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 폴리옥시에틸렌황산암모늄염, 폴리옥시에틸렌인산에스테르 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 상기 일반식 (4), 하기 일반식 (5) 나 하기 일반식 (6) 에 나타내는 바와 같은 화합물이 바람직하게 사용된다. 상기 일반식 (4), 하기 일반식 (5) 나 하기 일반식 (6) 에 나타내는 이온 액체이면, 아니온으로서 할로겐계 아니온을 함유하지 않기 때문에, 반도체의 부식을 방지할 수 있다는 점에서도 보다 바람직하다.

[화학식 5]

식 (5) 에 있어서, R 은 탄소수 8 ∼ 15 의 알킬기이고, n 은 2 ∼ 20 의 정수이다. 상기 일반식 (5) 에 나타내는 바와 같은 화합물의 시판품으로는, ADEKA 제조의 아데카 리아소프 SR-10 (n = 10) 이나 아데카 리아소프 SR-20 (n = 20) 등을 들 수 있다.

[화학식 6]

식 (6) 에 있어서, n 은 1 ∼ 15 의 정수이다. 상기 일반식 (6) 에 나타내는 바와 같은 화합물의 시판품으로는, 다이이치 공업 제약 제조의 아쿠아론 KH-05 (R = C10, n = 5 인 화합물과 R = C12, n = 5 인 화합물의 혼합물) 나, 아쿠아론 KH-10 (R = C10, n = 10 인 화합물과 R = C12, n = 10 인 화합물의 혼합물) 등을 들 수 있다.

이온 액체의 첨가량은, 에너지선 경화성 수지와 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체의 합계 100 질량％ 에 대해, 바람직하게는 1 ∼ 50 질량％, 보다 바람직하게는 3 ∼ 20 질량％, 더욱 바람직하게는 3 ∼ 10 질량％ 이다. 이온 액체의 배합량을 상기 범위로 함으로써 반도체 가공 공정에 적합한 대전 방지 성능과 취급성을 얻을 수 있다.

요컨대, 이온 액체의 배합량이 상기와 같은 범위에 있으면, 기재 필름에 더 높은 대전 방지 성능을 부여할 수 있다. 또, 기재 필름의 파단 신도가 적절한 범위가 되는 경향이 있어, 점착 시트가 파단되기 쉬워지는 것, 예를 들어 기재 필름을 반도체 가공용 다이싱 시트의 기재로서 사용한 경우, 다이싱을 실시한 후에 다이싱 시트를 잡아 늘렸을 때에, 다이싱 시트가 파단되기 쉬워지는 것이 억제된다. 또, 이온 액체와 에너지선 경화성 수지의 상용성도 유지되고, 기재 필름의 투명성이 향상되는 경향이 있다. 기재 필름의 투명성의 향상은 기재 필름의 헤이즈가 저하됨으로써 확인할 수 있다.

(에너지선 경화성 조성물)

에너지선 경화성 조성물은, 상기한 에너지선 경화성 수지와 이온 액체와 필요에 따라 광중합 개시제를 함유한다.

에너지선 경화성 조성물은, 25 ℃ 에 있어서의 점도가 바람직하게는 100 ∼ 5,000,000 mPaㆍs, 보다 바람직하게는 300 ∼ 2,000,000 mPaㆍs, 더욱 바람직하게는 500 ∼ 1,000,000 mPaㆍs 의 범위가 되도록 성분비가 조정되어 이루어진다. 또한, 60 ℃ 에 있어서의 점도가 바람직하게는 100 ∼ 200,000 mPaㆍs, 더욱 바람직하게는 300 ∼ 100,000 mPaㆍs의 범위가 되도록 성분비가 조정되어 이루어진다. 에너지선 경화성 조성물의 점도는, 저분자량 화합물이 많을수록 저하되고, 고분자량체가 많을수록 증가되는 경향이 있어, 각 성분의 배합비에 따라 점도를 제어할 수 있다. 점도가 지나치게 낮은 경우에는, 후막의 도포가 곤란해져, 원하는 두께의 기재 필름이 얻어지지 않는 경우가 있다. 또, 점도가 지나치게 높은 경우에는, 도포 자체가 곤란해지는 경우가 있다.

에너지선 경화성 조성물은, 용매 등을 함유할 필요는 없지만, 점도를 조정하기 위해서 소량의 용매가 함유되어 있어도 된다. 에너지선 경화성 조성물이 용매를 함유하는 경우에는, 에너지선 경화성 조성물의 도포 후에, 용매를 제거하기 위한 공정이 필요해지는 경우가 있다. 따라서, 점도 조정에 사용되는 용매는 소량이고, 에너지선 경화성 조성물 100 질량부에 대해 70 질량부 미만의 비율로 함유되어 있어도 된다.

또, 에너지선 경화성 조성물에는, 성능을 저해하지 않는 범위에서 무기 필러, 금속 필러, 산화 방지제, 유기 활제, 착색제 등이 첨가되어 있어도 된다.

(기재 필름의 제조 방법)

막 제조 방법으로는, 유연 막 제조 (캐스트 막 제조) 로 불리는 수법을 바람직하게 채용할 수 있다. 구체적으로는, 상기 에너지선 경화성 수지와 상기 이온 액체를 함유하는, 에너지선 경화성 조성물을, 예를 들어 공정 시트 상에 박막 상으로 캐스트한 후에, 도포막에 자외선, 전자선 등의 에너지선을 조사하여 중합 경화시켜 필름화시킴으로써 본 발명에서 사용하는 기재 필름을 제조할 수 있다. 또, 에너지선을 조사하여 도포막을 반경화 후, 반경화된 도포막 상에 추가로 박리 필름을 중첩시키고, 또한 에너지선을 조사하고 경화시켜 필름화시킴으로써 기재 필름을 제조해도 된다.

이와 같은 제법에 따르면, 막 제조시에 수지에 가해지는 응력이 적어 등방성 필름을 얻기 쉽고, 액체 재료를 필터 여과할 수 있으므로 이물질ㆍ결점으로 인한 피시 아이의 형성이 적다. 또, 막두께의 균일성도 높고, 두께 정밀도는 통상적으로 3 ％ 이내가 된다. 이와 같이 제조된 기재 필름은 파단 신도는 커진다. 또, 다른 막 제조 방법으로서 T 다이나 인플레이션법에 의한 압출 성형이나 캘린더법에 의해 제조해도 된다.

에너지선으로는, 통상적으로 자외선, 전자선 등이 사용된다. 에너지선의 조사량은 에너지선의 종류에 따라 상이한데, 예를 들어 자외선의 경우에는, 광량으로 10 ∼ 2000 mJ/㎠ 정도가 바람직하고, 전자선의 경우에는, 10 ∼ 1000 krad 정도가 바람직하다. 자외선 조사는 고압 수은 램프, 퓨전 H 램프, 크세논 램프 등에 의해 실시할 수 있다.

또, 기재 필름의 점착제층이 형성된 면과는 반대측인 면의 정마찰 계수는, 스테인리스판에 대해 1.0 이하인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 1.0 인 것이 더욱 바람직하다. 정마찰 계수가 상기 서술한 범위의 기재 필름은, 막 제조시의 금속 롤과의 밀착, 점착 시트를 롤 형상으로 권취했을 때의 블로킹 억제, 테이프 라미네이터, 마운터 등의 장치에 부속되는 금속 가이드 롤과의 밀착 억제, 반도체 가공 테이블에 대한 밀착 등으로 인한 가공 공정 불량이 잘 발생하지 않아 제조ㆍ가공 프로세스 적성을 얻을 수 있기 때문에 바람직하다.

또한, 기재 필름에 10 kV 의 전압을 인가시키고, 인가 60 초 후의 기재 필름면의 대전압은 2.0 kV 이하인 것이 바람직하고, 1.0 kV 이하인 것이 보다 바람직하다. 기재 필름면의 대전압이 2.0 kV 이하이면, 점착 시트로부터 박리 필름을 박리시킬 때나, 점착 시트를 반도체 웨이퍼 등의 피착체로부터 박리시킬 때에 발생되는 박리 대전을 억제시켜, 리크 전류에 의해 디바이스가 파괴되는 것을 방지할 수 있다.

또, 기재 필름의 인장 탄성률은, 바람직하게는 1 ∼ 1000 MPa, 보다 바람직하게는 50 ∼ 800 MPa, 더욱 바람직하게는 100 ∼ 500 MPa 이다. 인장 탄성률이 상기 범위의 기재 필름은, 블레이드나 레이저 광에 의한 다이싱 공정에서 사용되는 점착 시트의 기재에 사용한 경우에, 피가공물 표면의 요철에 추종하여 요철 차를 흡수할 수 있기 때문에, 피가공물 표면의 요철에 영향받지 않고 피가공물을 유지할 수 있으므로, 피가공물을 절단하여 형성한 칩의 결손이나 균열을 억제할 수 있다.

기재 필름의 파단 신도는 80 ％ 이상인 것이 바람직하고, 90 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 100 ％ 이상인 것이 특히 바람직하다. 파단 신도가 80 ％ 이상인 기재 필름은, 반도체 가공용 다이싱 시트의 기재로서 사용한 경우, 다이싱을 실시한 후에 다이싱 시트를 잡아 늘렸을 때에 잘 파단되지 않아, 피가공물을 절단하여 형성한 칩을 이간시키고 픽업의 조작성이 향상되기 때문에 바람직하다.

기재 필름의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 작업성 등의 면에서 통상적으로는 10 ∼ 1000 ㎛, 바람직하게는 30 ∼ 500 ㎛, 더욱 바람직하게는 50 ∼ 300 ㎛ 이다.

［점착 시트］

본 발명에 관련된 점착 시트는, 상기와 같은 기재 필름의 적어도 편면에 점착제층을 적층시킴으로써 제조된다.

또한, 점착제층을 자외선 경화형 점착제로 형성하고, 점착제를 경화시키기 위해 조사하는 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 자외선에 대해 투명한 기재 필름이 바람직하다. 단, 에너지선으로서 전자선을 사용하는 경우에는 투명할 필요는 없다. 상기 기재 필름 이외에, 이들을 착색한 투명 필름, 불투명 필름 등을 사용할 수 있다.

또, 점착제층이 형성되는 기재 필름 표면에는, 점착제층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 코로나 처리를 실시하거나 프라이머층을 형성하여도 된다. 또, 점착제층과는 반대인 시트면에 각종 도포막을 도포하여도 된다. 또한, 기재 필름 표면에는 점착 시트 전체의 대전 방지 성능을 더 높이기 위해서, 이온성 물질, 도전성 고분자, 금속 화합물 입자, 탄소 동소체 등을 배합한 층을 형성하여도 된다.

(점착제층)

점착제층은 특별히 한정되지 않고, 종래부터 공지된 각종 점착제에 의해 형성될 수 있다. 이와 같은 점착제로서는, 전혀 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐에테르 등의 점착제가 사용된다. 또, 점착 시트를 반도체 웨이퍼의 가공에 사용하는 경우에는, 에너지선의 조사에 의해 경화시켜 재박리성이 되는 에너지선 경화형 점착제나, 가열 발포형, 물 팽윤형 점착제도 사용할 수 있고, 바람직하게 에너지선 경화형 점착제이다. 이들 점착제는 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

에너지선 경화형 점착제로서는, 종래부터 공지된 감마선, 전자선, 자외선, 가시광 등의 에너지선의 조사에 의해 경화시키는 각종 에너지선 경화형 점착제에 의해 형성될 수 있지만, 특히 자외선 경화형 점착제를 사용하는 것이 바람직하다.

이와 같은 에너지선 경화형 점착제의 구체예는, 예를 들어 일본 공개특허공보 소60-196956호 및 일본 공개특허공보 소60-223139호에 기재되어 있지만, 보다 구체적으로는, 예를 들어 아크릴계 점착제에, 다관능 에너지선 경화 수지를 혼합 한 점착제를 들 수 있다. 다관능 에너지선 경화 수지로는, 에너지선 중합성의 관능기를 복수 갖는 저분자 화합물, 우레탄아크릴레이트 올리고머 등을 들 수 있다. 또, 측사슬에 에너지선 중합성의 관능기를 갖는 아크릴계 공중합체를 함유하는 점착제도 사용할 수 있다. 이와 같은 에너지선 중합성 관능기로서는 (메트)아크릴로일기가 바람직하다.

점착제층의 유리 전이 온도 (Tg) 는 －50 ∼ 30 ℃ 가 바람직하고, －25 ∼ 30 ℃ 인 것이 바람직하다. 여기서, 점착제층의 Tg 란, 점착제층을 적층시킨 시료의 주파수 1 Hz 에서의 동적 점탄성 측정에 있어서, －50 ∼ 50 ℃ 의 영역에서 손실 정접 (tanδ) 이 최대값을 나타내는 온도를 가리킨다. 또한, 점착제층이 에너지선 경화형 점착제인 경우에는, 에너지선 조사에 의해 점착제층을 경화시키기 전의 유리 전이 온도를 가리킨다.

점착제층에는, 가소제, 점착 부여 수지 등을 배합해도 되고, 또한 이온성 물질, 도전성 고분자, 금속 화합물 입자, 탄소 동소체 등을 배합함으로써, 대전 방지 성능을 부여하고, 점착 시트 전체의 대전 방지 성능을 더 높여도 된다.

점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 ∼ 100 ㎛, 더욱 바람직하게는 3 ∼ 80 ㎛, 특히 바람직하게는 5 ∼ 50 ㎛ 이다.

또, 점착제층에는, 그 사용 전에 점착제층을 보호하기 위하여 박리 시트가 적층되어 있어도 된다. 박리 시트는 특별히 한정되는 것이 아니고, 박리 시트용 기재에 박리제로 처리한 것을 사용할 수 있다. 박리 시트용 기재로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 수지로 이루어지는 필름 또는 그들의 발포 필름이나, 글라신지, 코트지, 라미네이트지 등의 종이를 들 수 있다. 박리제로서는, 실리콘계, 불소계, 장사슬 알킬기 함유 카르바메이트 등의 박리제를 들 수 있다.

기재 필름 표면에 점착제층을 형성하는 방법은, 박리 시트 상에 소정의 막두께가 되도록 도포하여 형성한 점착제층을 기재 필름 표면에 전사해도 되고, 기재 필름 표면에 직접 도포하여 점착제층을 형성하여도 된다.

(점착 시트의 제조)

본 발명의 점착 시트는, 기재 필름 상에 점착제층을 형성하는 점착제를 공지된 도포 장치에 의해 적절한 두께로 도포, 건조시키고, 80 ∼ 150 ℃ 정도의 온도에서 가열함으로써 각 성분의 반응성 관능기 및 가교성기를 가교함으로써 제조할 수 있다. 도포 장치로서는, 롤 코터, 나이프 코터, 롤 나이프 코터, 파운틴 다이 코터, 슬롯 다이 코터, 리버스 코터 등을 들 수 있다. 점착제층 상에는 점착제면을 보호하기 위하여 박리 시트를 첩합 (貼合) 시키는 것이 바람직하다. 또 점착제층을 박리 시트 상에 형성하고, 또한 기재 필름에 전사함으로써 제조해도 된다.

본 발명에 관련된 점착 시트는, 테이프상, 라벨상 등 모든 형상을 취할 수 있다. 또, 피착체의 형상으로 미리 탈형 (脫型) 된 점착 시트가 박리 시트 상에 유지된 형상 (프리컷 형상) 이어도 된다. 프리컷 형상의 점착 시트는, 박리 시트가 적층된 점착 시트를, 점착 시트만을 피착체 형상으로 완전히 타발하고, 박리 시트는 완전하게는 절단되지 않는 방법, 이른바 하프컷법에 의해 얻어진다. 이 때, 점착 시트를 완전히 절단하기 위해, 박리 시트에도 약간 절단해 놓는 것이 바람직하다. 그러나, 박리 시트를 과도하게 절입하면, 강도가 저하되고, 조작성이 저해되기 때문에, 박리 시트로의 절입 깊이는 박리 시트의 전체 두께의 30 ％ 이하, 더욱 바람직하게는 20 ％ 이하로 한다.

［반도체 웨이퍼의 가공 방법］

본 발명의 점착 시트는, 하기에 나타내는 바와 같이 반도체 웨이퍼의 가공에 사용할 수 있다.

(반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법)

본 발명의 점착 시트는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시에 회로면을 보호하는 표면 보호 시트로서 사용할 수 있다. 표면 보호 시트로서 사용할 때에는, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭에 있어서, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 회로면에 점착 시트를 첩부하여 회로면을 보호하면서 웨이퍼의 이면을 연삭하고 소정 두께의 웨이퍼로 한다.

반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼여도 되고, 또한 갈륨ㆍ비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼이어도 된다. 웨이퍼 표면으로의 회로 형성은 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래부터 범용되어 온 방법을 포함하는 여러 방법에 의해 실시할 수 있다. 반도체 웨이퍼의 회로 형성 공정에 있어서 소정의 회로가 형성된다. 이와 같은 웨이퍼의 연삭 전의 두께는 특별히 한정되지는 않지만, 통상적으로는 500 ∼ 1000 ㎛ 정도이다. 또, 반도체 웨이퍼의 표면 형상은 특별히 한정되지는 않지만, 본 발명의 점착 시트는, 특히 회로 표면에 범프가 형성된 웨이퍼의 표면 보호에 바람직하게 사용된다.

이면 연삭은 점착 시트가 첩부된 상태로 그라인더 및 웨이퍼 고정을 위한 흡착 테이블 등을 사용한 공지된 수법에 의해 실시된다. 이면 연삭 공정 후, 연삭에 의해 생성된 파쇄층을 제거하는 처리가 실시되어도 된다. 이면 연삭 후의 반도체 웨이퍼의 두께는 특별히 한정되지는 않지만, 바람직하게는 10 ∼ 300 ㎛, 특히 바람직하게는 25 ∼ 200 ㎛ 정도이다.

이면 연삭 공정 후, 회로면으로부터 점착 시트를 박리시킨다. 본 발명의 점착 시트에 의하면, 상기 에너지선 경화성 수지와 상기 이온 액체를 함유하는, 에너지선 경화성 조성물을 막 제조, 경화시켜 이루어지는 기재 필름을 사용하고 있기 때문에, 점착 시트가 잘 대전되지 않아, 회로면으로부터 점착 시트를 박리시킬 때에 발생되는 정전기에 의해 점착 시트가 대전됨으로써 발생되는 리크 전류에 의해 디바이스의 회로가 파괴되는 등의 리스크를 저감시킬 수 있다. 또한 웨이퍼의 이면 연삭시에는 웨이퍼를 확실히 유지하고, 또 절삭 물의 회로면으로의 침입을 방지할 수 있다.

(반도체 웨이퍼의 다이싱 방법)

본 발명의 점착 시트는 다이싱 시트로서 사용할 수도 있다.

다이싱 시트로서 사용할 때에는, 웨이퍼에 본 발명의 점착 시트를 첩부하고 웨이퍼를 절단한다. 특히, 웨이퍼의 회로면에 본 발명의 점착 시트를 첩부하고, 회로면을 점착 시트로 보호하면서 웨이퍼를 절단하는 경우에 바람직하다. 다이싱 시트의 첩부는, 마운터라고 불리는 장치에 의해 실시되는 것이 일반적이지만 특별히 한정되지는 않는다.

반도체 웨이퍼의 절단 수단은 특별히 한정되지는 않는다. 일례로서 웨이퍼의 절단시에는 다이싱 테이프의 주변부를 링 프레임에 의해 고정시킨 후, 다이서 등의 회전 둥근 날을 사용하는 등의 공지된 수법에 의해 웨이퍼의 칩화를 실시하는 방법 등을 들 수 있다. 또한 레이저 광을 사용한 다이싱법이어도 된다.

본 발명의 점착 시트를 사용함으로써, 피가공물을 절단하여 형성한 칩을 이간시키고 칩을 픽업할 때에 발생하는 정전기에 의해 디바이스의 회로가 파괴되는 등의 리스크를 저감시킬 수 있다.

(반도체 웨이퍼의 프리다이싱법)

또한, 본 발명의 점착 시트는, 이른바 프리다이싱법에 의한 고범프가 부착된 웨이퍼의 칩화에 있어서 바람직하게 사용되고, 구체적으로는, 범프를 갖는 회로가 표면에 형성된 반도체 웨이퍼 표면으로부터 그 웨이퍼 두께보다 얕은 절입 깊이의 홈을 형성하고, 그 회로 형성면에, 상기 점착 시트를 표면 보호 시트로 하여 첩부하고, 그 후 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 함으로써 웨이퍼의 두께를 얇게 함과 함께, 최종적으로는 개개의 칩으로의 분할을 실시하는 반도체 칩의 제조 방법에 바람직하게 사용된다.

본 발명의 점착 시트를 사용함으로써, 칩을 이간시키고 칩을 픽업할 때에 발생하는 정전기에 의해 디바이스의 회로가 파괴되는 등의 리스크를 저감시킬 수 있다.

그 후, 소정의 방법으로 칩의 픽업을 실시한다. 또, 칩의 픽업에 앞서, 웨이퍼 형상으로 정렬된 상태의 칩을, 다른 점착 시트에 전사하고, 그 후, 칩의 픽업을 실시해도 된다.

점착 시트가, 다이싱ㆍ다이 본드 겸용 시트인 경우, 점착제층 상에 다이를 접착하기 위해 접착제층을 형성해도 되고, 점착제층이 다이 접착 기능을 겸비하는 것이어도 된다. 이하에서는, 접착제층 및 다이 접착 기능을 갖는 점착제층을, 간단히 「접착성 수지층」이라고 부르는 경우가 있다.

본 발명의 점착 시트를 다이싱ㆍ다이 본드 겸용 시트로서 사용할 때에는, 접착성 수지층은, 다이싱 공정에 있어서 반도체 웨이퍼를 유지하고, 다이싱시에는 웨이퍼와 함께 절단되고, 절단된 칩에는 동 형상의 접착성 수지층이 형성된다. 그리고, 다이싱 종료후, 칩의 픽업을 실시하면, 접착성 수지층은 칩과 함께 점착 시트로부터 박리하고, 접착성 수지층을 수반한 칩을 기판에 재치 (搭置) 하고, 가열 등을 실시하여, 칩과 기판이나 다른 칩 등의 피착체를 접착성 수지층을 개재하여 접착시킨다.

접착성 수지층은, 예를 들어 상기한 아크릴계 점착제와 에폭시 접착제 등의 열경화성 수지, 또한 필요에 따라 에너지선 경화형 화합물 및 경화 보조제 등을 함유한다.

점착 시트가 보호막 형성용의 시트인 경우, 점착제층 상에 보호막을 형성하기 위한 접착성의 수지층 (보호막 형성층) 을 형성해도 되고, 점착제층이 보호막 기능을 겸비하는 것이어도 된다. 이하에서는, 보호막 형성층 및 보호막 기능을 갖는 점착제층을, 간단히 「보호막 형성층」이라고 부르는 경우가 있다.

보호막 형성용 시트로서 사용할 때에는, 보호막 형성층에 반도체 웨이퍼를 첩부하고, 보호막 형성층을 경화시켜 보호막으로 하고, 그 후, 반도체 웨이퍼와 보호막을 다이싱하여 보호막을 갖는 칩을 얻는다. 보호막 형성층은, 예를 들어 상기한 아크릴계 점착제와 에폭시 접착제 등의 열경화성 수지, 또한 필요에 따라 에너지선 경화형 화합물 및 경화 보조제 등을 함유하고, 또한 필요에 따라 필러 등이 함유되어 있어도 된다.

실시예

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시예 및 비교예에 있어서 각종 물성의 평가는 다음과 같이 실시하였다.

＜파단 신도 및 인장 탄성률＞

JIS K7161 : 1994 및 JIS K7127 : 1999 에 준거하여, 시험편이 항복점을 갖지 않는 경우에는 인장 파괴 변형을, 항복점을 갖는 경우에는 인장 파괴 공칭 변형을 파단 신도로 하여, 파단 신도를 측정하였다. 이 때, 실시예 및 비교예에서 사용한 기재 필름을 폭 15 mm, 길이 140 mm 로 커트하고, 양 단 20 mm 부분에 시험편 인장용의 겹댐판 (라벨) 을 첩부하여 측정용 샘플을 제조하였다. 이 측정용 샘플을 사용하며, 만능 시험기 ((주) 시마즈 제작소 제조 : 오토 그래프 AG-IS 500N) 로 인장 속도 200 mm/분으로 인장 탄성률을 측정하였다.

＜정마찰 계수＞

기재 필름 제조시에 공정 시트에 접하고 있던 측의 기재 필름면에 대해, 하기 조건에서 정마찰 계수를 측정하였다.

JIS K7125 : 1999 에 준거하여, SUS＃600 을 피착체로 하고, 하중 200 g, 접촉 시간 1 초에 측정 장치 만능 시험기 ((주) 시마즈 제작소 제조 : 오토 그래프 AG-IS 500N) 를 사용하여 정마찰 계수를 측정하였다.

＜대전압＞

기재 필름 제조시에 공정 시트에 접하고 있던 측의 기재 필름면에 대해, 하기 조건에서 대전압을 측정하였다.

23 ℃, 50 ％ RH 의 환경하, 40 mm × 40 mm 사이즈의 점착 시트를, 전하 감쇠 측정 장치 ((주) 시시도 상회 제조, 상품명 「STATIC HONES TMER」) 상에 기재 필름면을 상방향으로 설치하고, 1300 rpm 로 회전시키고, 기재 필름면에 10 kV 의 전압을 인가시켜, 인가 60 초 후의 기재 필름면의 대전압을 측정하고, 대전압으로 하였다.

＜헤이즈＞

닛폰 덴쇼쿠 공업 주식회사 제조 헤이즈 미터 NDH 5000 을 사용하여 기재 필름의 탁도 (헤이즈) 를 측정하였다.

또, 에너지선 경화성 수지, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체 및 접착성 수지층 (점착제층) 을 구성하는 점착제 조성물로는 하기를 사용하였다.

(에너지선 경화성 수지)

A : 폴리카보네이트형 우레탄계 올리고머, 에너지선 중합성 모노머 및 광중합 개시제를 함유하는 에너지선 경화성 수지 (아라카와 화학 제조 빔 세트 541, 점도 6,000 mPaㆍs (25 ℃))

B : 폴리카보네이트형 우레탄계 올리고머, 에너지선 중합성 모노머 및 광중합 개시제를 함유하는 에너지선 경화성 수지 (아라카와 화학 제조 빔 세트 542, 점도 5,300 mPaㆍs (25 ℃))

C : 폴리카보네이트형 우레탄계 올리고머, 에너지선 중합성 모노머 및 광중합 개시제를 함유하는 에너지선 경화성 수지 (아라카와 화학 제조 빔 세트 543, 점도 5,100 mPaㆍs (25 ℃))

(이온 액체)

a : QM-HA05 (주식회사 코오진 제조, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 암모늄염형 이온 액체)

b : QM-JA05 (주식회사 코오진 제조, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 암모늄염형 이온 액체)

c : QM-KA05 (주식회사 코오진 제조, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 암모늄염형 이온 액체)

d : 라템르 PD-105 (카오 주식회사 제조, 에틸렌성 불포화 결합을 갖고, 분자 내에 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 이온 액체)

e : 아데카 리아소프 SR-10 (ADEKA 제조, 에틸렌성 불포화 결합을 갖고, 분자 내에 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 이온 액체)

f : 아데카 리아소프 SR-20 (ADEKA 제조, 에틸렌성 불포화 결합을 갖고, 분자 내에 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 이온 액체)

g : 아쿠아론 KH-05 (다이이치 공업 제약 제조, 에틸렌성 불포화 결합을 갖고, 분자 내에 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 이온 액체)

h : 아쿠아론 KH-10 (다이이치 공업 제약 제조, 에틸렌성 불포화 결합을 갖고, 분자 내에 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 이온 액체)

i : IL-P14 (히로에 화학 공업 (주) 제조, 피리미듐계의 이온 액체)

(점착제 조성물)

부틸아크릴레이트 84 질량부, 메틸메타크릴레이트 10 질량부, 아크릴산 1 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 5 질량부로 이루어지는 공중합체 (중량 평균 분자량 Mw : 700,000) 의 톨루엔 30 질량％ 용액에 대해, 다가 이소시아네이트 화합물 (콜로네이트 L (닛폰 폴리우레탄사 제조) 3 질량부를 혼합한 점착제 조성물

(실시예 1)

(에너지선 경화성 조성물)

표 1 에 기재된 에너지선 경화성 수지 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체를 소정 비율로 혼합하여 에너지선 경화성 조성물을 얻었다. 표 중의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체의 첨가량은, 에너지선 경화성 수지와 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체의 합계 100 질량％ 에 대한 비율을 나타낸다.

(기재 필름의 제조)

얻어진 에너지선 경화성 조성물을 25 ℃ 에서 파운틴 다이 방식으로 공정 시트인 PET 필름 (토오레 제조 루미라 T60 PET 50T-60 50 ㎛ 제품) 상에 두께가 100 ㎛ 가 되도록 도포하여 도포막을 형성하였다.

자외선 조사 장치로서 아이그래픽스사 제조 벨트 컨베이어식 자외선 조사 장치 (제품명 : ECS-401GX) 를 사용하며, 고압 수은 램프 (아이그래픽스사 제조 고압 수은 램프 제품명 : H04-L41) 로 자외선 램프 높이 150 mm, 자외선 램프 출력 3 kw (환산 출력 120 mW/cm), 광선 파장 365 ㎚ 의 조도가 271 mW/㎠, 광량이 177 mJ/㎠ (자외선 광량계 : 주식회사 오크 제작소사 제조 UV-351) 가 되는 장치 조건에서 자외선 조사를 실시하였다.

자외선 조사 직후에, 도포막 상에 박리 필름 (린테크사 제조 SP-PET3801) 을 라미네이트하였다. 또, 라미네이트는, 박리 필름의 박리 처리면이 에너지선 경화성 조성물의 도포막과 접하도록 하였다.

이어서, 동일 자외선 조사 장치를 사용하며, 자외선 램프 높이 150 mm, 광선 파장 365 ㎚ 의 조도가 271 mW/㎠, 광량이 600 mJ/㎠ (자외선 광량계 : 주식회사 오크 제작소사 제조 UV-351) 의 조건에서 라미네이트된 박리 필름측에서부터 2 회의 자외선 조사를 실시하고, 도포막에 부여한 자외선의 총 광량을 1377 mJ/㎠ 로 하고 도포막을 가교ㆍ경화시켰다.

이어서, 경화시킨 막으로부터 공정 시트와 박리 필름을 박리시켜 두께 100 ㎛ 의 기재 필름을 얻었다.

(점착 시트의 제조)

그 후, 얻어진 기재 필름의 박리 필름을 박리시킨 면에, 점착제 조성물을 도포하고 건조시켜 두께 10 ㎛ 의 점착제층을 형성하였다. 이와 같이 하여 기재 필름 상에 점착제층이 형성된 점착 시트를 얻었다.

얻어진 기재 필름에 대해 파단 신도, 인장 탄성률 및 헤이즈, 또한 기재 필름의 제조시에 공정 시트에 접하고 있던 측의 기재 필름면에 대해 정마찰 계수, 대전압을 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 「헤이즈」와 표 1 에서의 「Haze」는 동일한 의미이다.

(실시예 2 ∼ 26 및 비교예 1 ∼ 4)

표 1 에 기재된 에너지선 경화성 수지 및 이온 액체를 소정 비율로 혼합하여 얻은 에너지선 경화성 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하였다. 또한, 비교예 1, 3 및 4 에서는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체를 사용하지 않고, 에너지선 경화성 수지 A ∼ C 를 막 제조, 경화시켜 기재 필름을 얻었다. 또, 비교예 2 에서는, 표 1 에 기재된 에너지선 경화성 수지 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖지 않는 이온 액체로서 피리미듐계의 이온 액체를 소정 비율로 혼합하여 얻은 에너지선 경화성 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

표 1 로부터, 실시예 1 ∼ 26 의 기재 필름은, 각 평가 항목의 밸런스가 우수하고, 특히 정마찰 계수가 1.0 이하로 낮고, 대전압도 낮은 것이 확인되고, 대전 방지 성능 및 반도체 가공 공정에 있어서의 가공 적성이 높은 점착 시트가 얻어졌다.

한편, 이온 액체를 함유하지 않은 비교예 1, 3 및 4 의 기재 필름은, 특히 대전압도 높고 대전 방지 성능이 나빴다. 또한, 에틸렌성 불포화 결합을 갖지 않는 이온 액체를 사용한 비교예 2 의 기재 필름은, 대전 방지 성능은 있지만, 정마찰 계수가 1.0 보다 높아져 있어, 반도체 가공 공정에 있어서의 가공 적성이 나빠진다는 우려가 있다.

1 : 점착 시트
2 : 기재 필름
3 : 점착제층

Claims

기재 필름과, 상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층을 갖고,
상기 기재 필름이 에너지선 경화성 수지와 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 이온 액체를 함유하는, 에너지선 경화성 조성물을 막 제조, 경화시켜 이루어지고,
상기 이온 액체가 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 화합물인 점착 시트.
제 1 항에 있어서,
상기 에너지선 경화성 수지가 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 폴리머 또는 올리고머를 함유하는 점착 시트.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 에너지선 경화성 수지가 에너지선 중합성 모노머를 함유하는 점착 시트.
삭제
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 점착제층이 에너지선 경화형 점착제인 점착 시트.
제 2 항에 있어서,
상기 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 폴리머 또는 올리고머가, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 우레탄계 폴리머 또는 올리고머인 점착 시트.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기재 필름의 점착제층이 형성된 면과는 반대측인 면은, 스테인리스 판에 대한 정마찰 계수가 1.0 이하인 점착 시트.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기재 필름의 인장 탄성률이 50 ∼ 800 MPa 인 점착 시트.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기재 필름의 파단 신도가 80 ％ 이상인 점착 시트.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
반도체 웨이퍼 이면의 연삭 공정에 있어서, 상기 점착제층이 그 반도체 웨이퍼의 회로면을 보호하기 위하여 그 회로면에 첩부되는 점착 시트.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
반도체 웨이퍼의 다이싱 공정에 있어서, 상기 점착제층이 그 반도체 웨이퍼에 첩부되는 점착시트.