JP6174292B1 - 三次元集積積層回路製造用シートおよび三次元集積積層回路の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 143
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 39
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 207
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 145
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 61
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 53
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 45
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 45
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 26
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 22
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 21
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 21
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 20
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 13
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 claims description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 38
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 35
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 24
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 23
- -1 biphenol Chemical compound 0.000 description 21
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 19
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Chemical class C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Chemical class O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Chemical class OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 10
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 8
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 7
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- WVUYYXUATWMVIT-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-ethoxybenzene Chemical compound CCOC1=CC=C(Br)C=C1 WVUYYXUATWMVIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 4
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ILUJQPXNXACGAN-UHFFFAOYSA-N O-methylsalicylic acid Chemical compound COC1=CC=CC=C1C(O)=O ILUJQPXNXACGAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 3
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 229920005648 ethylene methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- HGBOYTHUEUWSSQ-UHFFFAOYSA-N pentanal Chemical compound CCCCC=O HGBOYTHUEUWSSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKUSYGZVIAWWPY-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxane;7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1COCOC1.C1CCCC2OC21 QKUSYGZVIAWWPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 2,2-Bis(hydroxymethyl)propionic acid Chemical compound OCC(C)(CO)C(O)=O PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRMKFAFIVOVETG-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(methoxymethyl)-4-methylphenol Chemical compound COCC1=CC(C)=CC(COC)=C1O VRMKFAFIVOVETG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNUYOWCKBJFOGS-UHFFFAOYSA-N 2-[[10-(2,2-dicarboxyethyl)anthracen-9-yl]methyl]propanedioic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CC(C(=O)O)C(O)=O)=C(C=CC=C3)C3=C(CC(C(O)=O)C(O)=O)C2=C1 DNUYOWCKBJFOGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJBWJFWNFUKAGS-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1O LJBWJFWNFUKAGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FESDHLLVLYZNFY-UHFFFAOYSA-N 2-benzylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1 FESDHLLVLYZNFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSXYESVZDBAKKT-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1O XSXYESVZDBAKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZMACLAARXHRRZ-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropane-1,2,3-tricarbohydrazide Chemical compound NNC(=O)CC(O)(C(=O)NN)CC(=O)NN TZMACLAARXHRRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical class [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEWFQHAOPHWBPR-UHFFFAOYSA-N 2-methylidenebutanedihydrazide Chemical compound NNC(=O)CC(=C)C(=O)NN NEWFQHAOPHWBPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical compound C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODJUOZPKKHIEOZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)propan-2-yl]-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(C(C)(C)C=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)=C1 ODJUOZPKKHIEOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOCGGVRGNIEDSZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxy-3-prop-2-enylphenyl)propan-2-yl]-2-prop-2-enylphenol Chemical compound C=1C=C(O)C(CC=C)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C(CC=C)=C1 WOCGGVRGNIEDSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-FOQJRBATSA-N 59096-14-9 Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1[14C](O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-FOQJRBATSA-N 0.000 description 1
- ALEBYBVYXQTORU-UHFFFAOYSA-N 6-hydrazinyl-6-oxohexanoic acid Chemical class NNC(=O)CCCCC(O)=O ALEBYBVYXQTORU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKOUCJUTMGHNOR-UHFFFAOYSA-N Diphenolic acid Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(CCC(O)=O)(C)C1=CC=C(O)C=C1 VKOUCJUTMGHNOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJTFFORYSFGNCT-UHFFFAOYSA-N Thiocarbohydrazide Chemical compound NNC(=S)NN LJTFFORYSFGNCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006359 acetalization reaction Methods 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- QYCSNMDOZNUZIT-UHFFFAOYSA-N benzhydrylidenehydrazine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=NN)C1=CC=CC=C1 QYCSNMDOZNUZIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKXSKSHDVLQNKG-UHFFFAOYSA-N benzilic acid Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(=O)O)C1=CC=CC=C1 UKXSKSHDVLQNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WARCRYXKINZHGQ-UHFFFAOYSA-N benzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1 WARCRYXKINZHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- LTMGJWZFKVPEBX-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;prop-2-enenitrile;prop-2-enoic acid Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.OC(=O)C=C LTMGJWZFKVPEBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N butane-1,1-diol Chemical compound CCCC(O)O CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCOMFAYPHBFMKU-UHFFFAOYSA-N butanedihydrazide Chemical compound NNC(=O)CCC(=O)NN HCOMFAYPHBFMKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- XEVRDFDBXJMZFG-UHFFFAOYSA-N carbonyl dihydrazine Chemical compound NNC(=O)NN XEVRDFDBXJMZFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- IFDVQVHZEKPUSC-UHFFFAOYSA-N cyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC=CC1C(O)=O IFDVQVHZEKPUSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001938 differential scanning calorimetry curve Methods 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclohexane Chemical compound C=CC1CCCCC1 LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- JARKCYVAAOWBJS-UHFFFAOYSA-N hexanal Chemical compound CCCCCC=O JARKCYVAAOWBJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJFXRHURBJZNAO-UHFFFAOYSA-N meta--hydroxybenzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1 IJFXRHURBJZNAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGYJSPMYALQHBL-UHFFFAOYSA-N pentanedihydrazide Chemical compound NNC(=O)CCCC(=O)NN LGYJSPMYALQHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- PSIKPHJLTVSQFO-UHFFFAOYSA-N propanedihydrazide Chemical compound NNC(=O)CC(=O)NN PSIKPHJLTVSQFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910021647 smectite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFDHBDMSHIXOKF-UHFFFAOYSA-N tetrahydrophthalic acid Natural products OC(=O)C1=C(C(O)=O)CCCC1 UFDHBDMSHIXOKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
〔三次元集積積層回路製造用シート〕
図1には、第1の実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1の断面図が示される。図1に示すように、本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1(以下「製造用シート1」という場合がある。)は、接着剤層13と、当該接着剤層13の少なくとも一方の面に積層された剥離シート14とを備える。なお、剥離シート14は省略されてもよい。
(1)物性
本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1,2において、接着剤層13は、硬化性を有する。ここで、硬化性を有するとは、接着剤層13が加熱等によって硬化し得ることをいう。すなわち、接着剤層13は、製造用シート1,2を構成している状態では未硬化である。接着剤層13は、熱硬化性であってもよく、または、エネルギー線硬化性であってもよい。しかしながら、製造用シート1,2を積層回路の製造方法に用いる場合に硬化を良好に行うことができるという観点から、接着剤層13は、熱硬化性であることが好ましい。具体的には、製造用シート1,2を積層回路の製造方法に用いる際、後述するように、接着剤層13は、半導体ウエハに貼付された状態で個片化される。これにより、半導体チップと個片化された接着剤層13との積層体が得られる。当該積層体は、その接着剤層13側の面が半導体チップの積層体上に貼付され、その状態で、接着剤層13の硬化が行われる。一般的に、半導体チップはエネルギー線に対する透過性を有しないか、当該透過性が非常に低い場合が多く、そのような場合であっても、接着剤層13が熱硬化性を有するものであれば、接着剤層13を速やかに硬化させることが可能となる。
本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1,2において、接着剤層13を構成する材料は、硬化前における90℃での溶融粘度(以下、「90℃溶融粘度」ということがある。)が、上限値として5.0×105Pa・s以下であり、好ましくは1.0×105Pa・s以下であり、特に好ましくは5.0×104Pa・s以下である。90℃溶融粘度が上記上限値以下であると、接着剤層13を電極間に介在させたときに、半導体チップの表面における貫通電極またはバンプに起因する凹凸に良好に追従し、半導体チップと接着剤層13との界面にボイドが発生するのを防止することができる。また、90℃溶融粘度は、下限値として1.0×100Pa・s以上であり、好ましくは1.0×101Pa・s以上であり、特に好ましくは1.0×102Pa・s以上である。90℃溶融粘度が上記下限値以上であると、接着剤層13を構成する材料がフローし過ぎることがなく、接着剤層13貼付時や半導体チップの積層時において装置の汚染を防止することができる。そのため、本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1,2は、構成する材料の90℃溶融粘度が上記範囲にあることで、高い信頼性を有するものとなる。
本実施形態において、接着剤層13を構成する材料は、硬化物の0〜130℃における平均線膨張係数(以下、単に「平均線膨張係数」ということがある。)が、上限値として45ppm以下であり、好ましくは35ppm以下であり、特に好ましくは25ppm以下である。平均線膨張係数が上記上限値以下であると、硬化物からなる接着剤層13と半導体チップとの線膨張係数の差が小さくなり、かかる差に基づき接着剤層13と半導体チップとの間で発生し得る応力を低減することができる。これにより、本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1,2は、半導体チップ同士の接続信頼性を高いものとすることができ、特に実施例で示す温度サイクル試験において高い接続信頼性を示すものとなる。
本実施形態において、接着剤層13を構成する材料は、硬化物のガラス転移温度(Tg)が、下限値として150℃以上であることが好ましく、200℃以上であることがさらに好ましく、240℃以上であることが特に好ましい。硬化物のガラス転移温度が上記下限値以上であると、温度サイクル試験時に硬化物が変形せず、応力が発生しづらくなるため、好ましい。一方、硬化物のガラス転移温度の上限値は特に制限されないが、硬化物の脆化を抑制する観点から、350℃以下であることが好ましく、300℃以下であることがより好ましい。
本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1,2において、接着剤層13を構成する材料の硬化物は、熱重量測定による5%質量減少温度が、350℃以上であることが好ましく、特に360℃以上であることが好ましい。当該5%質量減少温度が350℃以上であることで、接着剤層13の硬化物が高温に対する耐性に優れたものとなる。そのため、積層回路の製造等において、当該硬化物が高温に曝された場合であっても、当該硬化物の含有成分の分解に伴う揮発成分の発生等が抑制され、積層回路の性能が良好に維持される。なお、当該5%質量減少温度の上限としては特に限定されないものの、当該5%質量減少温度は、通常500℃以下であることが好ましい。当該5%質量減少温度の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。
本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1,2において、接着剤層13の硬化後の23℃における貯蔵弾性率は、1.0×102MPa以上であることが好ましく、特に1.0×103MPa以上であることが好ましい。また、当該貯蔵弾性率は、1.0×105MPa以下であることが好ましく、特に1.0×104MPa以下であることが好ましい。当該貯蔵弾性率が上記範囲であることで、積層回路を製造する場合に、半導体チップと個片化された接着剤層13とが交互に積層されてなる積層体が良好な強度を有するものとなる。その結果、さらに半導体チップを積層する場合や当該積層体を取り扱う際であっても、積層体した状態が良好に維持され、優れた品質を有する積層回路を製造することができる。なお、当該貯蔵弾性率の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。
本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1,2において、硬化前における接着剤層13は、示差走査熱量分析(DSC)法により昇温速度10℃/分で測定される発熱開始温度(TS)が、70℃〜150℃の範囲内であることが好ましく、特に100℃〜150℃の範囲内であることが好ましく、さらには120℃〜150℃の範囲内であることが好ましい。当該発熱開始温度(TS)が上記範囲であることで、例えば、ダイシングブレードにより半導体ウエハをダイシングする際に生じる熱を受けた場合のような、意図しない段階において接着剤層13が硬化することが抑制されるとともに、製造用シート1,2の保存安定性にも優れる。特に、積層回路を作製するため、半導体チップを複数積層した後に、半導体チップ間に存在する複数の接着剤層13を一括で硬化させる場合には、半導体チップの積層が完了する前といった意図しない段階において接着剤層13が硬化することを抑制することができる。
本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1,2において、接着剤層13の厚さ(T2)は、2μm以上であることが好ましく、特に5μm以上であることが好ましく、さらには10μm以上であることが好ましい。また、当該厚さ(T2)は、500μm以下であることが好ましく、特に300μm以下であることが好ましく、さらには100μm以下であることが好ましい。接着剤層13の厚さ(T2)が2μm以上であることで、半導体チップに存在する貫通電極またはバンプを、接着剤層13に良好に埋め込むことが可能となる。また、接着剤層13の厚さ(T2)が500μm以下であることで、貫通電極を有する半導体チップを、接着剤層13を介して接着する際に、接着剤層13が側面に染み出しすぎることがなく、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。なお、接着剤層13の厚さ(T2)は、製造用シート1において、50mm間隔で合計100点を測定した際の平均値とする。
本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1,2において、接着剤層13は、前述した90℃溶融粘度および平均線膨張係数を満たす材料によって構成される。
接着剤層13を構成する材料は、熱硬化性成分を含有することが好ましい。熱硬化性成分としては、半導体チップの接続用に通常用いられる接着剤成分であれば特に限定されない。具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、フェノキシ樹脂などが挙げられ、これらは1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、接着性等の観点から、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂が好ましく、エポキシ樹脂が特に好ましい。
接着剤層13を構成する材料が前述した熱硬化性成分を含有する場合、当該材料はさらに硬化剤および硬化触媒を含有することが好ましい。
上記接着剤層13を構成する材料は、前述した熱硬化性成分以外の高分子量成分を含有することが好ましい。当該高分子量成分を含有することで、当該材料の90℃溶融粘度と、平均線膨張係数とが、前述した数値範囲を満たしやすくなる。
接着剤層13を構成する材料は、無機フィラーを含有することが好ましい。接着剤層13を構成する材料は、無機フィラーを含有することで、平均線膨張係数が低い値となるため、本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1,2を用いたときに、半導体チップ同士の接続信頼性を高いものとすることができる。
本実施形態において、半導体チップの貫通電極またはバンプが半田で接合される場合、接着剤層13を構成する材料は、フラックス機能を有する成分(以下「フラックス成分」ということがある。)を含有することが好ましい。フラックス成分は、電極表面に形成された金属酸化膜を除去する作用を有するものであり、半田による電極間の電気的接続をより確実なものとし、半田接合部における接続信頼性を高めることができる。
接着剤層13は、当該接着剤層13を構成する材料として、さらに、可塑剤、安定剤、粘着付与材、着色剤、カップリング剤、帯電防止剤、酸化防止剤、導電性粒子等を含有してもよい。
(1)材料
粘着剤層12を備える第2の実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート2において、粘着剤層12は、非硬化性粘着剤から構成されてもよく、または硬化性粘着剤から構成されてもよい。後述する通り、本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート2を積層回路の製造方法に使用する場合、接着剤層13が、基材11と粘着剤層12との積層体から剥離される。そのため、当該剥離を容易に行う観点から、粘着剤層12は、硬化性粘着剤から構成され、硬化により粘着力が低下するものであることが好ましい。
本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート2において、粘着剤層12の23℃における貯蔵弾性率は、1×103Pa以上であることが好ましく、特に1×104Pa以上であることが好ましい。また、当該貯蔵弾性率は、1×109Pa以下であることが好ましく、特に1×108Pa以下であることが好ましい。なお、当該貯蔵弾性率は、粘着剤層12が硬化性粘着剤から構成される場合には硬化前の貯蔵弾性率をいうものとする。粘着剤層12の23℃における貯蔵弾性率が上記範囲であることで、半導体ウエハに製造用シート2を貼付する際に、半導体ウエハに存在する貫通電極またはバンプを、接着剤層13に良好に埋め込むことが可能となる。また、製造用シート1,2を使用して、半導体ウエハのバンプが形成されていない面をバックグラインドする場合には、半導体ウエハの反りやディンプルの発生を抑制することができる。なお、粘着剤層12の23℃における貯蔵弾性率の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。
(1)材料
基材11を備える第2の実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート2において、基材11を構成する材料としては、特に限定されない。しかしながら、製造用シート2を、ダイシングシート一体型接着シートとする場合、基材11を構成する材料は、ダイシングシートを構成する基材に一般的に使用される材料であることが好ましい。例えば、このような基材11の材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上の混合物を用いることができる。
本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート2において、基材11の23℃における引張弾性率は、100MPa以上であることが好ましく、特に200MPa以上であることが好ましく、さらには300MPa以上であることが好ましい。また、当該引張弾性率は、5000MPa以下であることが好ましく、特に1000MPa以下であることが好ましく、さらには400MPa以下であることが好ましい。基材11の23℃における引張弾性率が上記範囲内であることで、半導体ウエハに製造用シート2を貼付する際に、半導体ウエハに存在する貫通電極またはバンプを、接着剤層13に良好に埋め込むことが可能となる。また、製造用シート2を、ダイシングシート一体型接着シートとする場合、基材11の23℃における引張弾性率が上記範囲内であることで、製造用シート2をエキスパンドして半導体チップ同士の間隔を拡げる際に、基材11が破断しにくくなるため好ましい。なお、基材11の23℃における引張弾性率の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。
剥離シート14の構成は任意であり、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィンフィルムなどのプラスチックフィルムが挙げられる。これらの剥離面(接着剤層13と接する面)には、剥離処理が施されていることが好ましい。剥離処理に使用される剥離剤としては、例えば、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系等の剥離剤が挙げられる。
第1の実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1は、従来の三次元集積積層回路製造用シートと同様に製造することができる。例えば、剥離シート14を備える三次元集積積層回路製造用シート1を製造する場合、接着剤層13を構成する材料、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製し、剥離シート14の剥離面上に、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、ナイフコーター等によりその塗工液を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより製造用シート2を製造することができる。塗工液は、塗布を行うことが可能であればその性状は特に限定されず、接着剤層13を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、分散質として含有する場合もある。剥離シート14は工程材料として剥離してもよいし、半導体ウエハに貼付するまでの間、接着剤層13を保護していてもよい。
本実施形態に係る三次元集積積層回路製造用シート1,2を使用して、三次元集積積層回路を製造することができる。以下に、その製造方法の例を説明する。
表1に示す構成成分を含有する組成物を、メチルエチルケトンにて固形分濃度が40質量%となるように希釈し、塗工液を得た。当該塗工液の25℃における粘度を、B型粘度計を用いて測定したところ、50mPa・sであった。当該塗工液を、シリコーン処理された剥離フィルム(リンテック社製,SP−PET381031)上に塗布し、得られた塗膜をオーブンにて100℃で1分間乾燥することで、厚さ45μmの接着剤層と剥離フィルムとからなる第1の積層体を得た。
表1に示す構成成分を含有する組成物を使用して第1の積層体を作製し、基材としてポリエチレンテレフタレート(厚さ:100μm)を使用する以外、実施例1と同様に三次元集積積層回路製造用シートを製造した。
表1に示す構成成分を含有する組成物を、メチルエチルケトンにて固形分濃度が40質量%となるように希釈し、塗工液を得た。当該塗工液の25℃における粘度を、B型粘度計を用いて測定したところ、150mPa・sであった。当該塗工液を使用して接着剤層を形成し、基材の厚さを表2に記載されるように変更する以外は、実施例1と同様にして三次元集積積層回路製造用シートを得た。
表1に示す構成成分を含有する組成物を、メチルエチルケトンにて固形分濃度が55質量%となるように希釈し、塗工液を得た。当該塗工液の25℃における粘度を、B型粘度計を用いて測定したところ、150mPa・sであった。当該塗工液を使用して接着剤層を形成した以外は、実施例1と同様にして三次元集積積層回路製造用シートを得た。
表1に示す構成成分を含有する組成物を、メチルエチルケトンにて固形分濃度が55質量%となるように希釈し、塗工液を得た。当該塗工液の25℃における粘度を、B型粘度計を用いて測定したところ、150mPa・sであった。当該塗工液を使用して接着剤層を形成し、基材の厚さを表2に記載されるように変更する以外は、実施例1と同様にして三次元集積積層回路製造用シートを得た。
高分子量成分
・ポリビニルアセタール樹脂:ガラス転移温度86℃,重量平均分子量13万
・ポリビニルブチラール樹脂:ガラス転移温度71℃,重量平均分子量11万
・ポリエステル樹脂:ガラス転移温度83℃,重量平均分子量4万
・ビスフェノールA(BisA)型フェノキシ樹脂:ガラス転移温度84℃,重量平均分子量6万
・ビスフェノールA(BPA)/ビスフェノールF(BPF)共重合型フェノキシ樹脂:東都化成社製,製品名「ZX−1356−2」,ガラス転移温度71℃,重量平均分子量6万
・ポリアクリル酸エステル:ガラス転移温度−28℃,重量平均分子量80万
熱硬化性成分
・ビスフェノールA(BisA)型エポキシ樹脂:エポキシ当量180−190g/eq
・エポキシ樹脂1:トリス(ヒドロキシフェニル)メタン型固形エポキシ樹脂,ジャパンエポキシレジン社製,製品名「E1032H60」,5%重量減少温度350℃,固形,融点60℃
・エポキシ樹脂2:Bis−F型液状エポキシ樹脂,ジャパンエポキシレジン社製,製品名「YL−983U」,エポキシ当量184
・エポキシ樹脂3:長鎖Bis−F変性型エポキシ樹脂,ジャパンエポキシレジン社製,製品名「YL−7175」
・トリフェニルメタン型エポキシ樹脂:トリフェニルメタン型エポキシ樹脂,日本化薬社製,製品名「EPPN−502H」,エポキシ当量168
硬化触媒
・2PHZ−PW:2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール,四国化成工業社製,製品名「2PHZ−PW」,融点230℃
・2MZA−PW:2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン,四国化成工業社製,製品名「2MZA−PW」,融点250℃
フラックス成分
・2−メチルグルタル酸:和光純薬工業社製,融点80〜82℃
・アジピン酸:和光純薬工業社製,融点152℃
・ロジン誘導体:荒川化学工業製,軟化点124〜134℃
無機フィラー
・表面修飾シリカフィラー:アドマテックス社製,製品名「アドマナノ」,平均粒径100nm,最大粒子径450nm
・カラム :「TSK guard column HXL−L」、「TSK gel G2500HXL」、「TSK gel G2000HXL」、「TSK gel G1000HXL」(いずれも東ソー社製)を順次連結したもの
・カラム温度:40℃
・展開溶媒 :テトラヒドロフラン
・流速 :1.0mL/min
・検出器 :示差屈折計
・標準試料 :ポリスチレン
実施例および比較例で作製した第1の積層体を使用して、接着剤層を複数積層することにより、厚さ15mmの測定用サンプルを作製した。得られた測定用サンプルについて、フローテスター(島津製作所社製,CFT−100D)を用い、荷重50kgf、温度範囲50〜120℃、昇温速度10℃/minの条件で溶融粘度を測定した。90℃における溶融粘度の値を表2に示す。
実施例および比較例で作製した第1の積層体を、15×4.5mmに切断し、測定用サンプルとした。得られたサンプルを160℃で1時間処理することにより接着剤層を硬化させた。得られた硬化物について、熱機械分析装置(ブルカー・エイエックス社製,TMA4030SA)を用い、荷重2g、温度範囲0〜300℃、昇温速度5℃/minの条件にて線膨張係数を測定した。得られた結果より、0〜130℃での平均線膨張係数を算出した。結果を表2に示す。
実施例および比較例で作製した第1の積層体を、5×20mmに切断し、測定用サンプルとした。得られたサンプルを160℃で1時間処理することにより接着剤層を硬化させた。得られた硬化物について、動的粘弾性測定機器(ティー・エイ・インスツルメント社製,DMA Q800)を使用し、周波数11Hz、振幅10μm、昇温速度3℃/分で、0℃から300℃まで昇温させたときの引張モードによる粘弾性を測定し、この測定で得られたtanδ(損失弾性率/貯蔵弾性率)の最大点の温度をガラス転移温度(Tg)とした。測定結果を表2に示す。
実施例および比較例で作製した第1の積層体を、15×4.5mmに切断し、測定用サンプルとした。得られたサンプルを160℃で1時間処理することにより接着剤層を硬化させた。得られた硬化物について、JIS K7120:1987に準拠して、示差熱・熱重量同時測定装置(島津製作所社製,DTG−60)を用い、流入ガスを窒素として、ガス流入速度100ml/min、昇温速度20℃/minで、40℃から550℃まで昇温させて熱重量測定を行った。得られた熱重量曲線に基づいて、温度100℃での質量に対して質量が5%減少する温度(5%質量減少温度)を求めた。結果を表2に示す。
実施例および比較例で作製した第1の積層体について、接着剤層の厚さ(T2)を、50mm間隔で合計100点測定した。この測定結果に基づいて、厚さ(T2)の平均値(μm)および厚さ(T2)の標準偏差(μm)を算出した。結果を表2に示す。
試験例3における、硬化後の接着剤層の粘弾性の測定結果から、接着剤層の硬化後の23℃における貯蔵弾性率(MPa)を読み取った。結果を表2に示す。
実施例および比較例で調製した粘着剤組成物を、シリコーン処理された剥離シートフィルム(リンテック社製,SP−PET381031)上に塗布し、得られた塗膜を乾燥することで、粘着剤層を形成した。その後、形成した粘着剤層を複数積層することにより、厚さ800μmの粘着剤層の積層体を得た。この粘着剤層の積層体を直径10mmの円形に打ち抜き、これを測定用試料とした。
実施例および比較例で用いた基材を15mm×140mmの試験片に裁断し、JIS K7127:1999に準拠して、23℃における引張弾性率を測定した。具体的には、上記試験片を、引張試験機(島津製作所社製,オートグラフAG−IS 500N)にて、チャック間距離100mmに設定した後、200mm/minの速度で引張試験を行い、引張弾性率(MPa)を測定した。結果を表2に示す。
実施例および比較例で作製した第1の積層体を使用して、接着剤層を複数積層することにより、厚さ15mmの測定用サンプルを作製した。得られた測定用サンプルを、示差走査熱量計(TAインスツルメント社製,Q2000)を用いて、昇温速度10℃/分で常温から300℃まで加熱した。これにより得られるDSC曲線から、発熱が開始する温度(発熱開始温度)(TS)、および発熱ピーク温度(TP)を求めた。結果を表2に示す。
一方の面にバンプが形成され、他方の面にパッドが形成されている評価用ウエハを用意し、フルオートマルチウエハマウンタ(リンテック社製,RAD−2700F/12)を用いて、当該評価用ウエハのバンプが形成されている側の面に、実施例および比較例で製造した三次元集積積層回路製造用シートを貼付し、さらにリングフレームに固定した。
○:接続抵抗値の変化率が20%以下である。
×:接続抵抗値の変化率が20%超である。
試験例10に記載される方法により半導体装置を複数製造した。これらの半導体装置から無作為に選択した5個の半導体装置の4側面をデジタル顕微鏡で観察し、バンプにおけるクラックの発生の有無、および接着剤層へのバンプの埋め込みの状態を確認するとともに、それぞれの面における積層方向の厚さを測定した。これらの結果に基づいて、以下の評価基準に従って、実施例および比較例で得た三次元集積積層回路製造用シートにおけるバンプの埋込性を評価した。結果を表2に示す。
○:5個の半導体装置全てにおいて、バンプにクラックが発生しておらず、バンプが接着剤層に良好に埋め込まれており、積層方向の厚さが4側面間で同一である。
×:5個の半導体装置のうち、バンプにクラックが発生しているか、接着剤層へのバンプの埋め込みが不十分であるか、または積層方向の厚さが4側面間で同一でないものがある。
11…基材
12…粘着剤層
13…接着剤層
14…剥離シート
Claims (15)
- 貫通電極を有する複数の半導体チップの間に介在され、前記複数の半導体チップを相互に接着し、三次元集積積層回路とするために用いられる三次元集積積層回路製造用シートであって、
前記三次元集積積層回路製造用シートは、少なくとも硬化性の接着剤層を備え、
前記接着剤層を構成する材料は、硬化前における90℃での溶融粘度が1.0×100〜5.0×105Pa・sであり、硬化物の0〜130℃における平均線膨張係数が45ppm以下である
ことを特徴とする三次元集積積層回路製造用シート。 - 前記接着剤層を構成する材料の硬化物は、ガラス転移温度が150℃以上、350℃以下であることを特徴とする請求項1に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 前記接着剤層を構成する材料の硬化物は、熱重量測定による5%質量減少温度が350℃以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 前記接着剤層の厚さ(T2)の標準偏差は、2.0μm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 前記接着剤層の硬化後の23℃における貯蔵弾性率は、1.0×102MPa以上、1.0×105MPa以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 前記接着剤層は、示差走査熱量分析法により昇温速度10℃/分で測定される発熱開始温度(TS)が、70℃〜150℃の範囲内であり、発熱ピーク温度(TP)が、TS+5〜60℃であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 前記接着剤層を構成する材料は、熱硬化性成分、高分子量成分、硬化剤および硬化触媒を含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 前記接着剤層を構成する材料は、フラックス成分を含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 前記接着剤層を構成する材料は、無機フィラーを含有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 前記三次元集積積層回路製造用シートは、前記接着剤層の片面側に積層された粘着剤層と、前記粘着剤層における前記接着剤層とは反対の面側に積層された基材とをさらに備えることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 前記基材の厚さ(T1)に対する前記接着剤層の厚さ(T2)の比(T2/T1)は、0.01以上、1.5以下であることを特徴とする請求項10に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 前記粘着剤層の23℃における貯蔵弾性率は、1×103Pa以上、1×109Pa以下であることを特徴とする請求項10または11に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 前記基材の23℃における引張弾性率は、100MPa以上、5000MPa以下であることを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 前記粘着剤層と前記基材とからなる積層体は、ダイシングシートであることを特徴とする請求項10〜13のいずれか一項に記載の三次元集積積層回路製造用シート。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の三次元集積積層回路製造用シートの前記接着剤層の片面または請求項10〜14のいずれか一項に記載の三次元集積積層回路製造用シートの前記接着剤層における前記粘着剤層とは反対の面と、貫通電極を備えた半導体ウエハの少なくとも一方の面とを貼合する工程、
前記半導体ウエハを、前記三次元集積積層回路製造用シートの前記接着剤層とともにダイシングし、接着剤層付き半導体チップに個片化する工程、
個片化された複数の前記接着剤層付き半導体チップを、前記貫通電極同士が電気的に接続され且つ前記接着剤層と前記半導体チップとが交互に配置されるように複数積層して、半導体チップ積層体を得る工程、および
前記半導体チップ積層体における前記接着剤層を硬化して、前記半導体チップ積層体を構成する前記半導体チップ同士を接着する工程
を含むことを特徴とする三次元集積積層回路の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016076187 | 2016-04-05 | ||
JP2016076187 | 2016-04-05 | ||
PCT/JP2017/005141 WO2017175480A1 (ja) | 2016-04-05 | 2017-02-13 | 三次元集積積層回路製造用シートおよび三次元集積積層回路の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6174292B1 true JP6174292B1 (ja) | 2017-08-02 |
JPWO2017175480A1 JPWO2017175480A1 (ja) | 2018-04-12 |
Family
ID=59505159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017528241A Active JP6174292B1 (ja) | 2016-04-05 | 2017-02-13 | 三次元集積積層回路製造用シートおよび三次元集積積層回路の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6174292B1 (ja) |
CN (1) | CN108475670B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2017
- 2017-02-13 JP JP2017528241A patent/JP6174292B1/ja active Active
- 2017-02-13 CN CN201780004485.3A patent/CN108475670B/zh active Active
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---|---|
CN108475670B (zh) | 2022-05-03 |
CN108475670A (zh) | 2018-08-31 |
JPWO2017175480A1 (ja) | 2018-04-12 |
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