JP3755617B2 - ダイシング用ウエハ保持フィルム - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、粘着フィルムに関し、さらに詳しくは半導体ウエハを小片に切断分離する際に用いられる、ウエハを貼付けておくための粘着フィルムに関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコン、ガリウム砒素等の半導体ウエハは、歩留り向上のため大口径のものが生産され、一般的にこのウエハはICチップ等の小片に切断分離(ダイシング)された後に、次工程のマウント工程に移されている。この際、半導体ウエハは予め粘着剤を塗布したフィルム、シート、テープ等の粘着材料に貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップ、マウンティングの各工程が加えられている。
このダイシング工程においては、毎分数万回転の高速で回転する薄い砥石が、ウエハを切断しながら移動することと、切削粉を洗い流す水を激しく吹きつけることで、ウエハに振動が生ずるとともに切断されたチップには大きな剥離力が加わる。そこで、これに対抗するために必要な粘着力をもつ粘着フィルム(用途によりフィルム、シート、テープ等の材料形態が有るが、以後フィルム形状で代表させて説明する)が使われている。
ダイシング後のマウント工程では、通常粘着フィルムの裏面から針で突き上げるとともに、コレットによりチップ表面を真空吸着してチップを一つずつピックアップするので、その際チップが容易かつ確実に粘着フィルムから離れる程度の適度な粘着力をもつフィルムが要求され、その目的に合う粘着フィルムが供給されていた。
ところで、この適切な粘着力を有する粘着フィルムを用いても、高速で回転する薄い砥石でウエハを切断した後から切断分離されたチップを観察すると、図1に示したように、切断されたチップ4の表裏端部には、いわゆるチッピングと称される欠損部分5、6が発生していることが多く見られる。そして、この欠損部分が大きくなると半導体用チップの絶縁膜破損による電気的接続信頼性や抗折強度等の物理的強度信頼性が著しく低下するため使用できず、良品チップの生産歩留りを不安定にしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ダイシング工程で半導体チップに生じていたチッピングを少なくすることにあり、かつその主な原因の一つとされる切削中のふらつきを防止するために、切削装置そのものを変更するのでのはなく、如何に適切な粘着フィルムを提供するかということにより、解決しようとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は切削時の各部分の挙動を分析した結果、図2に示したように矢印方向に移動しながら高速回転して、ウエハ10を所定の切断場所を回転砥石7により切断する際、現実には被切削体であるウエハは、上下左右方向に微妙にビビリながら切断が進行し、切断線8のように大小様々なひび割れを発生し、かつ加工されたチップには図1に示したようなチッピング5、6が発生していることが分かった。もちろん、切削装置の回転砥石のブレやテーブル上での図2の矢印方向への直線移動させるための装置システム側の精度の問題も考慮に入れなければならないが、そのビビリ現象への寄与度合いを比較してみた結果、ウエハ10を支える粘着フィルム1の柔らかさ、別な言葉で言うならばその剛性、弾性が小さい場合にチッピング5、6が多く発生することが分かった。そこで、発明者らは鋭意検討結果、チッピングを工業生産的に見て、適切に減少させる際の評価の目安として図3に示したようなチッピングのサイズを各長さlの和と、各深さwの内の最大値Wとの積(但しl、Wはμm単位)で表し、その積をチップの単位長さ100μmで除した値、即ち便宜的目安のチッピング率C=(l1 +l2 +l3 +・・+ln )×w/100を求めて比較してみた。剛性と粘弾性率の異なるベースフィルムと粘着剤を組み合わせ、チッピング率Cが小さい値を示す粘着フィルムそれぞれを探索した。
その結果実施例の項で示すように、ウエハ加工の各工程で要求される諸条件の内でも特にマウンティング工程での適度の粘着力を満足させながら、しかもビビリ振動を減少させる適度の剛性範囲の粘着フィルムが好結果のチッピング率(即ち、従来の粘着フィルムでのC=15〜20がC=10以下になる)を得られることが分かった。
【0005】
すなわち、ベースフィルムの硬さは、引張弾性率で19.0MPa以上で、厚さは50μm以上350μm以下でかつ該ベースフィルムの片面に塗布される粘着剤の23℃における動的粘弾性率が8×104 Pa以上、10×105 Pa以下である粘着剤を厚さが、0.2μm乃至25μmであるウエハダイシング用保持フィルムが好適である。
ベースフィルムの引張弾性率が19.0MPa未満では、上記ビビリ現像のためチッピング率Cが10を越えてしまう。また、引張弾性率が19.0MPa以上でも、ベースフィルムの厚さが350μmを越えるとダイシング装置のウエハ固定ステージとウエハとの距離が大きくなり、チッピング率Cが10を越えてしまう。
ベースフィルム用材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、二軸延伸ポリプロピレン(OPP)、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド(PI)等が好ましい。さらに、粘着剤の23℃における動的粘弾性率が8×104 Pa未満では、硬質のベースフィルムを用いても粘着剤の軟らかさのため、ビビリ現象が発生しチッピング率Cが10を越えてしまう。また、ウエハへの粘着剤の転着が発生し易い。粘着剤の動的粘弾性率が10×105 Paを越える場合、シリコンウエハに対する十分な粘着特性が得られない。粘着剤の厚さは0.2μm未満では、シリコンウエハに対する十分な粘着特性が得られず、25μmを越えると動的粘弾性率が8×104 Pa以上、10×105 Pa以下であってもベースフィルムに比べ軟らかい粘着剤層の影響が強く現れ、ビビリ現象が発生しチッピング率Cが10を越えてしまう。本発明に用いられる粘着剤は上記主成分の他に、着色剤等の一般的に配合される配合剤を添加してよいことをは勿論である。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明に供される粘着フィルムは、選定された樹脂をT型ダイやインフレーション用ダイをもつ押出機やカレンダー法により、所定の厚さをもつベースフィルムに加工しておき、他方、アクリル系粘着剤と各種の添加剤例えば粘着付与剤、酸化防止剤、架橋剤等をトルエンやアセトン等の単独又は混合溶剤に溶解した粘着剤配合物を粘着層として、所定の粘度を持つよう配合して準備し、溶剤乾燥、架橋処理の出来るようなフィルムへの粘着剤塗工装置で粘着フィルムを巻物(ロール)状に製造し、必要に応じてセパレータ12を粘着剤2の表面にラミネートした上で、所定のフィルム幅にスリットして、半導体ウエハ加工工程に供給し、常法によりシリコン等のウエハの裏面相当に貼付け、最初に述べたダイシング工程へ供される。なお、粘着フィルムを製造する際、必要に応じて、ベースフィルム3と粘着剤2間の接合力を高めるために、予めベースフィルム3にプライマ11を塗布しておいて粘着剤2を塗布する。
【0007】
【実施例】
以下、実施例によって具体的に説明する。但し、本発明はこの実施例のみに限定されるものではない。図4は、本発明の1実施例を示すウエハダイシング用保持フィルムの構成を示す断面図である。プライマー11及びセパレータ12は、必要に応じて構成されることがあるが、必須の構成部分ではない。なお、以下に述べる実施例と比較例の各々の材料構成、評価結果は表1にまとめて示した。
【0008】
実施例1
ベースフィルムとして厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート(以下PETと称する)フィルム(ダイヤホイル製SE−100)を用い、これにアクリル系粘着剤(帝国化学産業製WS−023を主剤とする配合物)(動的粘弾性率G’=8×104 Pa)を厚さ10μmになるように塗布した。シリコンウエハにこの粘着フィルムを気泡が混入しないように貼付け、ウエハをダイシングして5mm角のチップを製作した。得られたシリコンチップの表裏チッピングを顕微鏡観察により欠けた部分の長さlの和と幅の最大値Wを計測して、チップ長さ100μm当たりのチッピング率及びその主要性能評価(糊残り性を含む)結果を表1にまとめて示した。
【0009】
実施例2
ベースフィルムとして厚さ300μmのポリカーボネート(以下PCと称する)フィルム(帝人化成製PC−2151)を用い、これにアクリル系粘着剤(帝国化学産業製SG−70Lを主剤とする配合物)(動的粘弾性率G’=20×104 Pa)を厚さ10μmになるように塗布した。この粘着フィルムについて実施例1と同様の評価試験を実施し、その結果を表1に示した。
【0010】
実施例3
ベースフィルムとして厚さ75μmのポリイミド(以下PIと称する)フィルム(宇部興産製ユーピレックス75R)を用い、これにアクリル系粘着剤(帝国化学産業製SG−80を主剤とする配合物)(動的粘弾性率G’=50×104 Pa)を厚さ5μmとなるように塗布した。この粘着フィルムについて実施例1と同様の評価試験を実施し、その結果を表1に示した。
【0011】
実施例4
ベースフィルムとして厚さ60μmの2軸延伸ポリプロピレン(以下OPPと称する)フィルム(東レ製トレファン2530#60)を用い、これにアクリル系粘着剤(帝国化学産業製SG−70Lを主剤とする配合物)(動的粘弾性率G’=20×104 Pa)を厚さ5μmとなるように塗布した。この粘着フィルムについて実施例1と同様の評価試験を実施し、その結果を表1に示した。
【0012】
比較例1
ベースフィルムとして厚さ400μmのポリカーボネートフィルム(帝人化成製PC−2151)を用い、これにアクリル系粘着剤(帝国化学産業製WS−023を主剤とする配合物、動的粘弾性率G’=8×104 Pa)を厚さ10μmになるように塗布した。この粘着フィルムについて実施例1と同様の評価試験を実施し、その結果を表1に示した。
【0013】
比較例2
ベースフィルムとして低密度ポリエチレン樹脂(以下LDPEと称する)(住友化学製スミカセンF200)をTダイ法で押出し厚さ80μmのフィルムを製造し、これにアクリルゴム系粘着剤(日本カーバイド製、ニッセツKP−1405を主剤とする配合物、動的粘弾性率G’=20×104 Pa)を厚さ5μmとなるように塗布した。この粘着フィルムについて実施例1と同様の評価試験を実施し、その結果を表1に示した。
【0014】
比較例3
市販のダイシングフィルム(引張り弾性率が17.5MPa、厚み80μmの軟質ポリ塩化ビニルフィルムに動的粘弾性率G’が20×104 Paであるアクリル系粘着剤を厚さ20μmに塗布されたもの)について実施例1と同様の評価試験を実施し、その結果を表1に示した。
【0015】
比較例4
ベースフィルムとして厚さ100μmのPETフィルム(ダイアホイル製SE−100)を用い、これにアクリルゴム系粘着剤(帝国化学産業製HTR−280を主剤とする配合物、動的粘弾性率G’=1×104 Pa)を厚さ30μmとなるように塗布した。この粘着フィルムについて実施例1と同様の評価試験を実施し、その結果を表1に示した。
【0016】
比較例5
ベースフィルムとして厚さ100μmのPETフィルム(ダイアホイル製SE−100)を用い、これにアクリルゴム系粘着剤(帝国化学産業製SG−70Lを主剤とする配合物、動的粘弾性率G’=20×104 Pa)を厚さ30μmとなるように塗布した。この粘着フィルムについて実施例1と同様の評価試験を実施し、その結果を表1に示した。
【0017】
比較例6
ベースフィルムとして厚さ100μmのPETフィルム(ダイアホイル製SE−100)を用い、これにアクリルゴム系粘着剤(日本カーバイド製、ニッセツKP−1405を主剤とする配合物、動的粘弾性率G’=20×104 Pa)を厚さ0.15μmとなるように塗布した。この粘着フィルムについて実施例1と同様の評価試験を実施し、その結果を表1に示した。
【0018】
【表1】
実施例及び比較例一覧表
* 供試フィルムをシリコンウエハのミラー面に2kgJISロールで貼り付け、30分後に、剥離角度90°、剥離速度0.2m/2分で剥離したときの粘着力を幅25mm当たりに換算した値。
**5インチウエハを5mm□サイズのチップにダイシングしたときにフィルムから剥離して散逸したチップに対する比率。
【0019】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体ウエハをダイシング加工処理する一連の工程で装置や処理方式を変更せず本発明による粘着フィルムを従来品に代替して適用するだけで、チッピングの少ないチップが得られ、良品チップの生産工程における歩留りが向上し、経済的損失防止が計れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】切断分離された半導体チップへのチッピング発生例
【図2】ダイシング時の切断動作を上方より見た図
【図3】チッピングを生じたチップの側面図
【図4】 本発明による粘着フィルムの構成を示す断面図
【符号の説明】
1 粘着フィルム 2 粘着剤
3 ベースフィルム 4 半導体チップ
5 表側に生じたチッピング 6 裏側に生じたチッピング
7 ウエハ切断用回転砥石 8 切断線
9 直線 10 シリコン等のウエハ
11 プライマ(必要に応じて構成) 12 セパレータ(必要に応じて構成)
Claims (2)
- 引張弾性率が19.0MPa以上、厚さが50μm以上で350μm以下であるフィルム基材に、23℃における動的粘弾性率が8×104 Pa以上で10×105 Pa以下である粘着剤を、厚さが0.2μm〜25μm塗布してなるダイシング用ウエハ保持フィルム。
- 粘着剤がアクリル系ゴムである請求項1に記載のダイシング用ウエハ保持フィルム。
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