JP2016201533A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの第一の面に第一のサポートテープを貼りつける工程と、前記半導体ウェハを複数の半導体チップに個片化する工程と、前記複数の半導体チップの第二の面に第二のサポートテープを第一方向に貼り付ける工程と、前記複数の半導体チップから前記第一のサポートテープを剥離する工程と、前記第二のサポートテープを延伸させることで、前記半導体チップの間の距離を広げる工程と、を備える半導体装置の製造方法であって、前記第二の半導体サポートテープは、第一方向の伸びに対して生ずる公称応力と第二方向の伸びに対して生ずる公称応力の比が、0.7〜1.4である。
【選択図】図23
Description
図1〜図14は、第一の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図である。
図15(A)及び図15(B)を用いて、第二のサポートテープ100についてさらに詳細を説明する。図15(A)及び図15(B)は、それぞれ、エキスパンド前及びエキスパンドした後の第二のサポートテープ100及び半導体チップ80を示した模式的な断面図である。
図24〜図28を用いて、第二実施形態を説明する。なお、第一実施形態と略同一の要素については同じ符号を付し、適宜説明を省略する。
上記の説明では、半導体ウェハ10は、レーザーによるダイシング後に研削砥石を用いて研削される。この研削はレーザーダイシング前に行ってもよい。例えば、半導体ウェハ10は、予め研削により薄膜化される。その後、半導体ウェハ10は、レーザーによるダイシングを用いて、半導体ウェハ10の第一の面10a及び第二の面10bに達するクラック330が形成される。
第一実施形態及び第二実施形態では、第二のサポートテープ100を貼り付ける方向が、半導体ウェハ10のダイシング方向と略平行又は略直交していたが、これに限られない。
図29を用いて、第四実施形態について説明する。図29(a)及び(b)は、テープ510の引張試験の方法を示している。図29(a)は引張前の状態、図29(b)は引張後の状態を示している。
10a…第一の面
10b…第二の面
20…ダイシングブレード
30…ブレード溝
40…ローラー
50…第一のサポートテープ
60…研削砥石
80…半導体チップ
80a…第一の面
80b…第二の面
85…チップ
90…率
100…第二のサポートテープ
110…サポートリング
115…ローラー
117…モーター
120…治具
140…吸着コレット
150…ピックアップ機構
200…DAF
210…粘着剤層
220…基材層
310…レーザー
320…改質領域
330…クラック
500…ホルダー
510…テープ
S3…領域
Claims (7)
- 半導体ウェハの第一の面に第一のサポートテープを貼り付ける工程と、
前記半導体ウェハを複数の半導体チップに個片化する工程と、
前記複数の半導体チップの第二の面に第二のサポートテープを第一方向に貼り付ける工程と、
前記複数の半導体チップから前記第一のサポートテープを剥離する工程と、
前記第二のサポートテープを延伸させることで、前記半導体チップの間の距離を広げる工程と、
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記第二のサポートテープは、前記第一方向の伸びに対して生ずる公称応力と前記第一方向に交差する第二方向の伸びに対して生ずる公称応力の比が、0.7〜1.4である
半導体装置の製造方法。 - 前記第二のサポートテープは、降伏時伸び率が90%以上である、
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第二のサポートテープは、真応力を用いた際の破断時又は降伏時の伸び率が72%以上である、
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第二のサポートテープは、幅20mmの前記第二のサポートテープを2%伸ばすために必要な力が、24度において2.8[N]より大きく、70度において、1.6[N]より大きい、請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第二のサポートテープは、貼付け後に常温において、前記第一方向への公称ひずみが1.9%以下である、請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第一のサポートテープを貼り付ける工程の前に、前記半導体ウェハにブレードを用いて、ブレード溝を形成する工程と、をさらに備え、
前記個片化する工程は、前記半導体ウェハの前記第一の面に反対の第二の面を研削し、前記ブレード溝を前記第二の面に到達させることで行う
請求項1〜5何れか一項記載の半導体装置の製造方法。 - 前記個片化する工程は、前記半導体ウェハにレーザーをあて、へき開面を形成することにより行う請求項1〜5何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
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