KR20170121065A - 다이싱 다이 본딩 필름, 다이싱 다이 본딩 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 어떤 형태는, 섬유상 칩을 다이싱의 냉각액으로 흘려보내는 것이 가능한 다이싱 다이 본딩 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 어떤 형태는 다이싱 다이 본딩 필름에 관한 것이다. 다이싱 다이 본딩 필름은 다이싱 지지층과 다이 본딩층을 포함한다. 다이싱 지지층의 융점은 60℃ 내지 100℃이다. 다이싱 지지층에 있어서의 실온의 인장 탄성률은 30N/㎡ 내지 100N/㎡이다.

Description

다이싱 다이 본딩 필름, 다이싱 다이 본딩 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법{DICING DIE-BONDING FILM, DICING DIE-BONDING TAPE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 다이싱 다이 본딩 필름, 다이싱 다이 본딩 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
기재층과, 기재층 상에 위치하는 점착제층과, 점착제층 상에 위치하는 접착제층을 갖는, 다이싱용이며 또한 다이 본딩용 필름이 있다. 기재층과 기재층 상에 위치하는 접착제층을 갖는, 다이싱용이며 또한 다이 본딩용 필름도 있다.
이들 필름의 기재층을 다이싱 블레이드로 절입하면, 섬유상 칩이 나온다.
일본 특허 공개 제2005-174963호 공보 일본 특허 공개 제2012-209363호 공보 일본 특허 공개 제2007-63340호 공보
본 발명의 어떤 형태는, 섬유상 칩을 다이싱의 냉각액으로 흘려보내는 것이 가능한 다이싱 다이 본딩 필름 및 다이싱 다이 본딩 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 어떤 형태는, 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 어떤 형태는, 다이싱 다이 본딩 필름에 관한 것이다. 다이싱 다이 본딩 필름은, 다이싱 지지층과 다이 본딩층을 포함한다. 다이싱 지지층의 융점은 60℃ 내지 100℃이다. 융점이 100℃ 이하이므로, 섬유상 칩을 냉각액으로 흘려보낼 수 있다. 다이싱 지지층과 다이싱 블레이드의 마찰로 다이싱 지지층을 녹이는 것이 가능하여, 다이싱 지지층으로부터 섬유상 칩을 이격시킬 수 있을 것이다. 다이싱 지지층에 있어서의 실온의 인장 탄성률은 30N/㎡ 내지 100N/㎡이다. 인장 탄성률이 100N/㎡ 이하이므로, 다이싱 링으로부터의 다이싱 다이 본딩 필름의 박리나, 다이싱 지지층의 균열이 발생하기 어려운 경향이 있다.
본 발명의 어떤 형태는, 다이싱 다이 본딩 테이프에 관한 것이다. 다이싱 다이 본딩 테이프는 세퍼레이터와, 세퍼레이터에 접한 다이싱 다이 본딩 필름을 포함한다.
본 발명의 어떤 형태는, 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 장치의 제조 방법은, 다이싱 다이 본딩 필름에 고정된 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정과, 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정에서 형성된 다이 본딩 전 칩을 피착체에 압착하는 공정을 포함할 수 있다.
도 1은 다이싱 다이 본딩 테이프의 개략 평면도이다.
도 2는 다이싱 다이 본딩 테이프 일부의 개략 단면도이다.
도 3은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 4는 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 5는 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 6은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 7은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 8은 변형예 1에 있어서의 다이싱 다이 본딩 테이프 일부의 개략 단면도이다.
도 9는 변형예 2에 있어서의 다이싱 다이 본딩 테이프 일부의 개략 단면도이다.
도 10은 변형예 3에 있어서의 다이싱 다이 본딩 테이프 일부의 개략 단면도이다.
도 11은 변형예 4에 있어서의 다이싱 다이 본딩 테이프 일부의 개략 단면도이다.
이하에 실시 형태를 예로 들어 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다.
실시 형태 1
도 1에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 테이프(1)는, 세퍼레이터(11)와 다이싱 다이 본딩 필름(12a, 12b, 12c, ……, 12m)(이하, 「다이싱 다이 본딩 필름(12)」이라고 총칭함)을 포함한다. 다이싱 다이 본딩 테이프(1)는 롤 형상을 이룰 수 있다. 세퍼레이터(11)는 테이프 형상을 이룬다. 세퍼레이터(11)는 예를 들어 박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 등이다. 다이싱 다이 본딩 필름(12)은 세퍼레이터(11) 상에 위치하고 있다. 다이싱 다이 본딩 필름(12a)과 다이싱 다이 본딩 필름(12b) 간의 거리, 다이싱 다이 본딩 필름(12b)과 다이싱 다이 본딩 필름(12c) 간의 거리, …… 다이싱 다이 본딩 필름(12l)과 다이싱 다이 본딩 필름(12m) 간의 거리는 일정하다. 다이싱 다이 본딩 필름(12)은 원반 형상을 이룬다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(12)은 웨이퍼 고정부(12A)와 다이싱 링 고정부(12B)를 포함할 수 있다. 다이싱 링 고정부(12B)는, 웨이퍼 고정부(12A)의 주변에 위치한다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)은 다이싱 지지층(122)을 포함한다. 다이싱 지지층(122)은 원반 형상을 이룬다. 다이싱 지지층(122)의 두께는, 예를 들어 50㎛ 내지 150㎛이다. 다이싱 지지층(122)의 양면은, 다이 본딩층(121)과 접한 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 다이싱 지지층(122)의 제1 주면은, 하도제가 도포되어 있는 것이 가능하다.
다이싱 지지층(122)의 융점은 100℃ 이하, 바람직하게는 95℃ 이하이다. 융점이 100℃ 이하이므로, 다이싱으로 나온 섬유상 칩을 냉각액으로 흘려보낼 수 있다. 다이싱 지지층(122)과 다이싱 블레이드의 마찰로 다이싱 지지층(122)을 녹이는 것이 가능하여, 다이싱 지지층(122)으로부터 섬유상 칩을 이격시킬 수 있을 것이다. 다이싱 지지층(122)의 융점의 하한은, 예를 들어 60℃, 70℃, 80℃이다. 다이싱 지지층(122)의 융점은 다음에 설명하는 방법으로 측정할 수 있다. 다이싱 지지층(122)으로부터 10mmg의 시료를 잘라내고, 시차 주사 열량계(SII·나노테크놀로지사 제조의 DSC6220)를 사용하여, 시료 10mmg, 승온 속도 5℃/분, 30℃로부터 200℃까지 시차 주사 열량 측정(differential scanning calorimetry: DSC)을 행하고, DSC 커브에 있어서의 융해의 피크 온도를 판독한다. 복수의 피크가 존재하는 경우에는, 가장 먼저 출현하는 융해 피크의 피크 온도를 판독한다.
다이싱 지지층(122)에 있어서의 실온의 인장 탄성률은 100N/㎡ 이하, 바람직하게는 90N/㎡ 이하, 보다 바람직하게는 80N/㎡ 이하이다. 인장 탄성률이 100N/㎡ 이하이므로, 다이싱 링으로부터의 다이싱 다이 본딩 필름(12)의 박리나, 다이싱 지지층(122)의 균열이 발생하기 어려운 경향이 있다. 다이싱 지지층(122)에 있어서의 실온의 인장 탄성률의 하한은, 예를 들어 30N/㎡이다. 다이싱 지지층(122)의 인장 탄성률은 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.
다이싱 지지층(122)은 예를 들어 플라스틱 필름이며, 바람직하게는 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(이하, 「EVA」라고 함) 필름이다. 일반적으로, EVA 필름의 융점은, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름 등의 융점과 비교하여 낮다. 즉, 다이싱 지지층(122)은 EVA를 포함하는 것이 바람직하다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)은 다이 본딩층(121)을 포함한다. 다이 본딩층(121)은 세퍼레이터(11)와 다이싱 지지층(122)의 사이에 위치한다. 다이 본딩층(121)은 원반 형상을 이룬다. 다이 본딩층(121)의 두께는, 예를 들어 2㎛ 이상, 바람직하게는 10㎛ 이상이다. 다이 본딩층(121)의 두께는, 예를 들어 200㎛ 이하, 바람직하게는 150㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하이다. 다이 본딩층(121)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 다이 본딩층(121)의 제1 주면은 세퍼레이터(11)와 접하고 있다. 다이 본딩층(121)의 제2 주면은 다이싱 지지층(122)과 접하고 있다.
다이 본딩층(121)은 수지 성분을 포함한다. 수지 성분으로서는, 열가소성 수지, 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어 아크릴 수지를 들 수 있다.
아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
또한, 중합체(아크릴 공중합체)를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.
아크릴 수지 중에서도 중량 평균 분자량이 10만 이상인 것이 바람직하고, 30만 내지 300만인 것이 보다 바람직하고, 50만 내지 200만인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 수치 범위 내이면, 접착성 및 내열성이 우수하기 때문이다. 또한, 중량 평균 분자량은 GPC(겔·투과·크로마토그래피)에 의해 측정하고, 폴리스티렌 환산에 의해 산출된 값이다.
아크릴 수지는 관능기를 포함하는 것이 바람직하다. 관능기는, 예를 들어 히드록실기, 카르복시기, 니트릴기 등이다. 히드록실기, 카르복시기가 바람직하다.
수지 성분 100중량％ 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상이다. 10중량％ 이상이면 가요성이 양호하다. 수지 성분 100중량％ 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 80중량％ 이하, 보다 바람직하게는 70중량％ 이하이다.
열경화성 수지로서는 에폭시 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다.
에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하여, 내열성 등이 우수하기 때문이다.
에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 100g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 120g/eq. 이상이다. 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 1000g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 500g/eq. 이하이다.
또한, 에폭시 수지의 에폭시 당량은, JIS K 7236-2009에 규정된 방법으로 측정할 수 있다.
페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 150g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 200g/eq. 이상이다. 페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 500g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 300g/eq. 이하이다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은, 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 이러한 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.
수지 성분 100중량％ 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 20중량％ 이상, 보다 바람직하게는 30중량％ 이상이다. 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 90중량％ 이하, 보다 바람직하게는 80중량％ 이하이다.
다이 본딩층(121)은 무기 충전제를 포함할 수 있다. 무기 충전제로서는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 알루미나, 산화베릴륨, 탄화 규소, 질화규소, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납, 카본 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 실리카, 알루미나, 은 등이 바람직하고, 실리카가 보다 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은, 바람직하게는 0.001㎛ 내지 1㎛이다. 필러의 평균 입경은 다음 방법으로 측정할 수 있다. 다이 본딩층(121)을 도가니에 넣고, 대기 분위기 하에서, 700℃에서 2시간 강열하여 회화시켜, 얻어진 회분을 순수 중에 분산시켜서 10분간 초음파 처리하고, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치(베크만 콜터사 제조, 「LS 13 320」; 습식법)를 사용하여 평균 입경을 구한다.
다이 본딩층(121) 중의 무기 충전제의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 30중량％ 이상이다. 다이 본딩층(121) 중의 무기 충전제의 함유량은, 바람직하게는 70중량％ 이하, 보다 바람직하게는 60중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 50중량％ 이하이다.
다이 본딩층(121)은 상기 성분 이외에도, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예를 들어 실란 커플링제, 경화촉진제, 가교제 등을 적절히 함유해도 된다.
다이싱 다이 본딩 테이프(1)는, 반도체 장치를 제조하기 위해 사용할 수 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 테이프(1)로부터 세퍼레이터(11)를 제거하고, 다이싱 링(91)과 가열 테이블(92)에 의해 데워진 반도체 웨이퍼(4)를 롤(93)로 다이싱 다이 본딩 필름(12)에 고정한다. 예를 들어 40℃ 이상, 바람직하게는 45℃ 이상, 보다 바람직하게는 50℃ 이상, 더욱 바람직하게는 55℃ 이상에서 반도체 웨이퍼(4)를 고정한다. 예를 들어 80℃ 이하, 바람직하게는 70℃ 이하에서 반도체 웨이퍼(4)를 고정한다. 압력은, 예를 들어 1×105㎩ 내지 1×107㎩이다. 롤 속도는, 예를 들어 10㎜/sec이다. 반도체 웨이퍼(4)로서는, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 웨이퍼로서는, 질화갈륨 웨이퍼 등을 들 수 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 적층체(2)는 다이싱 다이 본딩 필름(12)과, 웨이퍼 고정부(12A)에 고정된 반도체 웨이퍼(4)와, 다이싱 링 고정부(12B)에 고정된 다이싱 링(91)을 포함한다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)에 냉각액을 뿜으면서 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱 블레이드로 절단한다. 다이싱 블레이드는 기재층(122)에 도달한다. 다이 본딩 전 칩(5)은 반도체 칩(41)과, 반도체 칩(41) 상에 위치하는 다이싱 후 다이 본딩층(121)을 포함한다. 반도체 칩(41)은 전극 패드를 갖는다.
다이 본딩 전 칩(5)을 니들로 밀어올리고, 다이 본딩 전 칩(5)을 픽업한다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 다이 본딩 전 칩(5)을 피착체(6)에 압착한다. 예를 들어 80℃ 이상, 바람직하게는 90℃ 이상에서 압착을 행한다. 예를 들어 150℃ 이하, 바람직하게는 130℃ 이하에서 압착을 행한다. 피착체(6)는, 예를 들어 리드 프레임, 인터포저, TAB 필름, 반도체 칩 등이다. 피착체(6)는 단자부를 갖는다.
반도체 칩(41)이 구비되며, 또한 다이싱 후 다이 본딩층(121)이 구비된 피착체(6)를 가압 분위기 하에서 가열함으로써 다이싱 후 다이 본딩층(121)을 경화시킨다. 가압 분위기는, 예를 들어 0.5㎏/㎠(4.9×10-2㎫) 이상, 바람직하게는 1㎏/㎠(9.8×10-2㎫) 이상, 보다 바람직하게는 5㎏/㎠(4.9×10-1㎫) 이상이다. 예를 들어 120℃ 이상, 바람직하게는 150℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상에서 가열을 행한다. 상한은, 예를 들어 260℃, 200℃, 180℃ 등이다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 반도체 칩(41)의 전극 패드와 피착체(6)의 단자 부를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하고, 밀봉 수지(8)로 반도체 칩(41)을 밀봉한다.
이상의 방법에 의해 얻어진 반도체 장치는, 반도체 칩(41)과 피착체(6)와 다이싱 후 다이 본딩층(121)을 포함한다. 다이싱 후 다이 본딩층(121)은 반도체 칩(41)과 피착체(6)를 접속하고 있다. 반도체 장치는, 반도체 칩(41)을 덮는 밀봉 수지(8)를 더 포함한다.
이상과 같이, 반도체 장치의 제조 방법은, 다이싱 다이 본딩 테이프(1)로부터 세퍼레이터(11)를 제거하는 공정을 포함할 수 있다. 제조 방법은, 다이싱 링(91)과 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱 다이 본딩 필름(12)에 고정하는 공정을 포함할 수 있다. 제조 방법은, 다이싱 다이 본딩 필름(12)에 고정된 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱하는 공정을 포함할 수 있다. 제조 방법은, 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱하는 공정에서 형성된 다이 본딩 전 칩(5)을 피착체(6)에 압착하는 공정을 포함할 수 있다.
변형예 1
도 8에 도시하는 바와 같이, 다이 본딩층(121)은 제1층(1211)과 제2층(1212)을 포함한다. 제1층(1211)은 원반 형상을 이룬다. 제1층(1211)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 제1층(1211)의 제1 주면은 세퍼레이터(11)와 접하고 있다. 제1층(1211)의 제2 주면은 제2층(1212)과 접하고 있다. 제2층(1212)은 원반 형상을 이룬다. 제2층(1212)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 제2층(1212)의 제1 주면은 제1층(1211)과 접하고 있다. 제2층(1212)의 제2 주면은 기재층(122)과 접하고 있다.
제1층(1211)은 점착성을 갖는 것이 바람직하다. 제2층(1212)을 구성하는 점착제에는, 예를 들어 아크릴계, 고무계, 비닐알킬에테르계, 실리콘계, 폴리에스테르계, 폴리아미드계, 우레탄계, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 등의 공지된 점착제를 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 아크릴계 점착제가 바람직하다. 제2층(1212)의 조성·물성은, 제1층(1211)의 조성·물성과 상이할 수 있다. 제2층(1212)의 조성·물성의 적합한 예는, 실시예 1의 다이 본딩층(121)의 예를 준용한다.
변형예 2
도 9에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(12)은 다이싱 링 고정 점착제부(123)를 포함한다. 다이싱 링 고정 점착제부(123)는 다이 본딩층(121)의 주변에 위치한다. 다이싱 링 고정 점착제부(123)는 다이 본딩층(121)과 접하고 있지 않다. 다이싱 링 고정 점착제부(123)는, 예를 들어 도넛판 형상을 이룬다. 다이싱 링 고정 점착제부(123)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 다이싱 링 고정 점착제부(123)의 제1 주면은 세퍼레이터(11)와 접하고 있다. 다이싱 링 고정 점착제부(123)의 제2 주면은, 다이싱 지지층(122)과 접하고 있다.
다이싱 링 고정 점착제부(123)를 구성하는 점착제에는, 예를 들어 아크릴계, 고무계, 비닐알킬에테르계, 실리콘계, 폴리에스테르계, 폴리아미드계, 우레탄계, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 등의 공지된 점착제를 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 아크릴계 점착제가 바람직하다.
변형예 3
도 10에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(12)은 다이싱 링 고정 점착제부(124)를 포함한다. 다이싱 링 고정 점착제부(124)는 세퍼레이터(11)와 다이 본딩층(121)의 사이에 위치한다. 다이싱 링 고정 점착제부(124)는, 예를 들어 도넛판 형상을 이룬다. 다이싱 링 고정 점착제부(124)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 다이싱 링 고정 점착제부(124)의 제1 주면은 세퍼레이터(11)와 접하고 있다. 다이싱 링 고정 점착제부(124)의 제2 주면은, 다이 본딩층(121)과 접하고 있다.
다이싱 링 고정 점착제부(124)를 구성하는 점착제에는, 예를 들어 아크릴계, 고무계, 비닐알킬에테르계, 실리콘계, 폴리에스테르계, 폴리아미드계, 우레탄계, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 등의 공지된 점착제를 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 아크릴계 점착제가 바람직하다.
변형예 4
도 11에 도시하는 바와 같이, 다이싱 지지층(122)은 기재층(1221)과 점착제층(1222)을 포함한다. 기재층(1221)은 원반 형상을 이룬다. 기재층(1221)의 양면은, 점착제층(1222)과 접한 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 점착제층(1222)은 원반 형상을 이룬다. 점착제층(1222)의 양면은, 다이 본딩층(121)과 접한 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 점착제층(1222)의 제2 주면은 기재층(1221)과 접하고 있다.
기재층(1221)은, 예를 들어 플라스틱 필름이며, 바람직하게는 EVA 필름이다. 즉, 기재층(1221)은 EVA를 포함하는 것이 바람직하다.
점착제층(1222)을 구성하는 점착제에는, 예를 들어 아크릴계, 고무계, 비닐알킬에테르계, 실리콘계, 폴리에스테르계, 폴리아미드계, 우레탄계, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 등의 공지된 점착제를 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 아크릴계 점착제가 바람직하다.
[실시예]
이하, 본 발명에 관해 실시예를 사용하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
접착제층의 제작
아크릴 중합체 48중량부(나가세 켐텍스사 제조의 SG-70L)와, 에폭시 수지 6중량부(도토 가세이사 제조의 KI-3000)와, 페놀 수지 6중량부(메이와 가세이사 제조의 MEH7851-SS)와, 실리카 필러 40중량부(애드마텍스사 제조의 SE-2050-MCV(평균 1차 입경 0.5㎛))를 메틸에틸케톤에 용해함으로써, 고형분 20wt％의 바니시를 제작하였다. 바니시를 세퍼레이터(실리콘 처리된 PET 필름)에 도포하고, 130℃에서 2분간 건조하여, 두께 20㎛의 접착제층을 얻었다.
점착제층의 제작
아크릴 중합체(나가세 켐텍스사 제조의 SG-708-6)를 메틸에틸케톤에 용해함으로써, 고형분 20wt％의 바니시를 제작하였다. 바니시를 세퍼레이터(실리콘 처리된 PET 필름)에 도포하고, 130℃에서 2분간 건조하여, 두께 30㎛의 점착제층을 얻었다.
실시예 1에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
60℃, 10㎜/sec로 EVA 필름 1(두께 100㎛)에 접착제층을 적층함으로써, 실시예 1의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다. 실시예 1의 다이싱 다이 본딩 필름은, EVA 필름 1과 EVA 필름 1 상에 위치하는 접착제층을 갖는다.
실시예 2에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
EVA 필름 1 대신에 EVA 필름 2(두께 100㎛)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 2의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다.
실시예 3에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
EVA 필름 1 대신에 EVA 필름 3(두께 100㎛)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 3의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다.
실시예 4에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
60℃, 10㎜/sec로 접착제층에 점착제층을 적층하고, 60℃, 10㎜/sec로 점착제층에 EVA 필름 3을 적층함으로써, 실시예 4의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다. 실시예 4의 다이싱 다이 본딩 필름은, EVA 필름 3과 점착제층으로 구성되는 점착 필름을 갖는다. 실시예 4의 다이싱 다이 본딩 필름은 접착제층을 더 갖는다. 접착제층과 EVA 필름 3의 사이에 점착제층이 위치한다.
비교예 1에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
EVA 필름 1 대신에 아이오노머 필름(두께 100㎛)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 1의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다.
비교예 2에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
EVA 필름 1 대신에 폴리프로필렌계 필름 1(두께 100㎛)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 2의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다.
비교예 3에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
EVA 필름 1 대신에 폴리프로필렌계 필름 2(두께 100㎛)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 3의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다.
비교예 4에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
EVA 필름 1 대신에 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 100㎛)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 4의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다.
비교예 5에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
EVA 필름 1 대신에 폴리에틸렌 필름(두께 100㎛)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 5의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다.
정의
EVA 필름 1 내지 3, 아이오노머 필름, 폴리프로필렌계 필름 1 내지 2, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름을 「기재 필름」이라고 총칭한다.
기재 필름에 있어서의 융점의 측정 실시예 1 내지 3· 비교예 1 내지 5
기재 필름으로부터 10mmg의 시료를 잘라냈다. 시차 주사 열량계(SII·나노테크놀로지사 제조의 DSC6220)를 사용하여, 시료 10mmg, 승온 속도 5℃/분, 30℃로부터 200℃까지 시차 주사 열량 측정을 행하였다. DSC 커브에 있어서의 융해의 피크 온도를 판독하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
점착 필름에 있어서의 융점의 측정 실시예 4
점착 필름으로부터 10mmg의 시료를 잘라냈다. 시차 주사 열량계(SII·나노테크놀로지사 제조의 DSC6220)를 사용하여, 시료 10mmg, 승온 속도 5℃/분, 30℃로부터 200℃까지 시차 주사 열량 측정을 행하였다. DSC 커브에는 복수의 피크가 존재했기 때문에, 가장 먼저 출현한 융해 피크의 피크 온도를 판독하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
기재 필름의 인장 시험 실시예 1 내지 3· 비교예 1 내지 5
기재 필름으로부터, 폭 25㎜, 길이 150㎜의 시료를 잘라냈다. 인장 시험기(시마즈 세이사꾸쇼사 제조의 오토그래프)를 사용하여, 실온 23℃, 폭 25㎜, 길이 150㎜, 척간 거리 100㎜, 인장 속도 300㎜/min으로 인장 시험을 행하였다. 응력-변형 곡선에 있어서의 인장 하중 1N 시의 점과 2N 시의 점을 연결하는 직선의 기울기를 인장 탄성률로 하였다. 인장 탄성률을 표 1에 나타낸다. 파단 시의 신장률도 표 1에 나타낸다.
점착 필름의 인장 시험 실시예 4
점착 필름으로부터, 폭 25㎜, 길이 150㎜의 시료를 잘라냈다. 인장 시험기(시마즈 세이사꾸쇼사 제조의 오토그래프)를 사용하여, 실온 23℃, 폭 25㎜, 길이 150㎜, 척간 거리 100㎜, 인장 속도 300㎜/min으로 인장 시험을 행하였다. 응력-변형 곡선에 있어서의 인장 하중 1N 시의 점과 2N 시의 점을 연결하는 직선의 기울기를 인장 탄성률로 하였다. 인장 탄성률을 표 1에 나타낸다. 파단 시의 신장률도 표 1에 나타낸다.
섬유상 칩의 평가 실시예 1 내지 4· 비교예 1 내지 5
다이싱 다이 본딩 필름에, 다이싱 링과 60℃의 미러 웨이퍼(두께 100㎛)를 고정하였다. 다이싱 장치(디스코사 제조의 DFD6361)를 사용하여, 싱글 컷 모드, 블레이드 타입 Z1: NBC-ZH 203O-SE 27HCDD, 스핀들 50Krpm, 블레이드 높이 70㎛(기재 필름을 깊이 30㎛ 절입하는 설정), 다이싱 속도 30㎜/sec, 수량 1L/min으로, 10㎜×10㎜의 칩을 형성하였다. 칩을 밀어올려, 10개의 칩을 제거하고, 기재 필름의 다이싱 라인을 관찰하였다. 길이 2㎜ 이상의 섬유상 칩이 있었을 때에는 ×라 판정하였다. 길이 2㎜ 이상의 섬유상 칩이 없었을 때에는 ○라 판정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
익스팬드의 평가 실시예 1 내지 4· 비교예 1 내지 5
다이싱 다이 본딩 필름에, 다이싱 링과 60℃의 미러 웨이퍼(두께 100㎛)를 고정하였다. 다이싱 장치(디스코사 제조의 DFD6361)를 사용하여, 싱글 컷 모드, 블레이드 타입 Z1: NBC-ZH 203O-SE 27HCDD, 스핀들 50Krpm, 블레이드 높이 70㎛, 다이싱 속도 30㎜/sec, 수량 1L/min으로, 10㎜×10㎜의 칩을 형성하였다. 다이 본드 장치(신카와사 제조의 SPA-300)를 사용하여, 10㎜ 익스팬드로 10분간 유지하였다. 익스팬드 종료 후, 다이싱 링으로부터의 다이싱 다이 본딩 필름의 박리, 기재 필름 균열 중 어느 쪽이 발생했을 때, 또는 강도가 너무 높아서 익스팬드 불가였을 때에는 ×라 판정하였다. × 이외일 때에는, ○라 판정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001

Claims (4)

  1. 다이싱 지지층과,
    다이 본딩층을 포함하고,
    상기 다이싱 지지층의 융점이 60℃ 내지 100℃이고,
    상기 다이싱 지지층에 있어서의 실온의 인장 탄성률이 30N/㎡ 내지 100N/㎡인,
    다이싱 다이 본딩 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다이싱 지지층은 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체를 포함하는, 다이싱 다이 본딩 필름.
  3. 세퍼레이터와,
    상기 세퍼레이터에 접한, 제1항에 또는 제2항에 기재된 다이싱 다이 본딩 필름
    을 포함하는, 다이싱 다이 본딩 테이프.
  4. 제1항 또는 제2항에 기재된 다이싱 다이 본딩 필름에 고정된 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정에서 형성된 다이 본딩 전 칩을 피착체에 압착하는 공정
    을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005174963A (ja) 2003-12-05 2005-06-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ダイシング用粘接着テープ
JP2007063340A (ja) 2005-08-30 2007-03-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd フィルム基材および半導体ウエハ加工用粘着テープ
KR20100065401A (ko) * 2008-09-01 2010-06-16 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법
KR20110089815A (ko) * 2010-02-01 2011-08-09 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 장치 제조용 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2012209363A (ja) 2011-03-29 2012-10-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングフィルム
KR20140104346A (ko) * 2013-02-20 2014-08-28 닛토덴코 가부시키가이샤 필름형 접착제, 필름형 접착제를 지닌 다이싱 테이프, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
WO2016052444A1 (ja) * 2014-09-29 2016-04-07 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用シート用基材、半導体ウエハ加工用シート、および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000038556A (ja) * 1998-07-22 2000-02-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシート及びその貼り付け方法
JP4993662B2 (ja) * 2005-05-12 2012-08-08 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート、及びそれを用いたダイシング方法
JP2007027474A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Denki Kagaku Kogyo Kk ウエハフルカット用ダイシングテープの基材フィルム及びそれを有するウエハフルカット用ダイシングテープ
JP2007031535A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Denki Kagaku Kogyo Kk 粘着シートおよびそれを用いた電子部品の製造方法。
CN101772831B (zh) * 2007-07-19 2011-12-21 积水化学工业株式会社 切割和芯片接合用带以及半导体芯片的制造方法
JP4717051B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
CN102421865B (zh) * 2009-05-12 2013-11-13 电气化学工业株式会社 粘合剂、粘合片及电子元件的制造方法
JP4976532B2 (ja) * 2010-09-06 2012-07-18 日東電工株式会社 半導体装置用フィルム
CN103013365A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
JP6104170B2 (ja) * 2011-11-10 2017-03-29 カモ井加工紙株式会社 粘着テープ及びマスカー
JP2017108090A (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 リンテック株式会社 ダイシングシートおよびダイシングシートの製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005174963A (ja) 2003-12-05 2005-06-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ダイシング用粘接着テープ
JP2007063340A (ja) 2005-08-30 2007-03-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd フィルム基材および半導体ウエハ加工用粘着テープ
KR20100065401A (ko) * 2008-09-01 2010-06-16 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법
KR20110089815A (ko) * 2010-02-01 2011-08-09 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 장치 제조용 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2012209363A (ja) 2011-03-29 2012-10-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングフィルム
KR20140104346A (ko) * 2013-02-20 2014-08-28 닛토덴코 가부시키가이샤 필름형 접착제, 필름형 접착제를 지닌 다이싱 테이프, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
WO2016052444A1 (ja) * 2014-09-29 2016-04-07 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用シート用基材、半導体ウエハ加工用シート、および半導体装置の製造方法

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