WO2014133073A1

WO2014133073A1 - ダイシングフィルム、半導体ウエハ用ダイシングフィルム、ダイシング用基体フィルム、及び半導体チップの製造方法

Info

Publication number: WO2014133073A1
Application number: PCT/JP2014/054853
Authority: WO
Inventors: 佳典長尾; 織田　直哉
Original assignee: 住友ベークライト株式会社
Priority date: 2013-02-28
Filing date: 2014-02-27
Publication date: 2014-09-04
Also published as: TW201443190A; TWI661023B

Abstract

　本発明に係るダイシングフィルムは、基材と、前記基材上に形成される粘着剤層とを有し、前記基材の２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上である。　また、本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルムは、基材と、前記基材の一方の面側に形成された粘着剤層とを有し、前記基材における前記粘着剤層側の面と、前記粘着剤層における前記基材とは反対側の面との距離（Ｌ）が２０μｍ以上、７５μｍ以下である。　更に、本発明に係るダイシング用基体フィルムは、基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含み、前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、を含有し、前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超える。

Description

ダイシングフィルム、半導体ウエハ用ダイシングフィルム、ダイシング用基体フィルム、及び半導体チップの製造方法

　本発明は、ダイシングフィルム、半導体ウエハ用ダイシングフィルム、ダイシング用基体フィルム、及び半導体チップの製造方法に関する。
　本願は、２０１３年２月２８日に、日本に出願された特願２０１３－０３８３０１号、２０１３年４月１５日に、日本に出願された特願２０１３－０８４６５６号、及び２０１３年１０月３１日に、日本に出願された特願２０１３－２２７０５４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

半導体装置を製造する工程において、半導体ウエハ等やパッケージ等の半導体部材を予め大面積で製造した後、切断する際にダイシングフィルムが用いられている。ダイシングフィルムは、半導体部材を貼り付け、チップ状にダイシング（切断、個片化）し、さらに前記ダイシングフィルムのエキスパンド（拡張）等を行うことでチップ同士が分離され、次いで切断又は個片化された前記半導体部材をピックアップするために用いられる。

一般にダイシングフィルムは、ダイシングブレードによって切り込まれるダイシング用基材フィルムと、半導体ウエハ等を固定するための粘着剤層とで構成されている。従来、基材フィルムとしてはポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂フィルムが多く用いられていた。しかしながら、ＰＶＣ樹脂フィルムに含有される可塑剤の付着による半導体部材の汚染防止や、環境問題に対する意識の高まりから、最近ではオレフィン系樹脂並びに、エチレンビニルアルコール系樹脂およびエチレンメタクリル酸アクリレート系樹脂等の非ＰＶＣ樹脂系材料を用いた基材フィルムが開発されている（例えば特許文献１参照）。

近年に見られる半導体部材の小型化・薄型化の動向により、半導体部材の汚染性に関してますます厳しいレベルが要求されている。
半導体ウエハ等を切断する際には、回転刃であるダイシングブレードが、目的のライン上を切断する方式がとられているが、半導体ウエハ等を完全に切断するためにダイシングフィルムの一部まで切り込みが発生することになる。このため、ダイシングフィルムの厚み精度にバラつきがある場合、ダイシング工程において、ダイシングブレードの接触の仕方に差が生じ半導体ウエハ等に割れが発生しやすくなるという問題を生じさせる。また、フィルム厚み精度にバラつきがあるとダイシング工程で半導体ウエハ等のカット残りや切削屑が発生する。ダイシングフィルム由来の切削屑（基材屑）は、半導体ウエハ等を汚染し、半導体チップの歩留まりを低下させるため、切削屑の発生を極力低減する必要がある。それ以外にもダイシングフィルムの基材フィルム層が基材ヒゲ（基材フィルムのカットラインから伸びたヒゲ状の切り残査）となって半導体ウエハ等の表面に付着することが半導体ウエハ等の汚染の原因となっている。特にウエハのチップ欠けを改良するために、ダイシングブレードの回転速度を上げると、基材ヒゲ発生の問題が顕著に現れる。

また、半導体チップのピッキングの精度を高め、さらに生産性を向上させるため、ダイシングフィルムには、裂けたり切断したりすることなく、均一により広く円滑に拡張できるという特性（以下、エキスパンド性という。）も要求される。半導体部材を貼り付けてダイシングした後、半導体部材の間隔を広げるために、ダイシングフィルムのエキスパンドを行うが、基材に十分な靭性および柔軟性がない場合、エキスパンド時にダイシングフィルムが破断してしまう不具合が生じることがある。そのため、ダイシング時に基材ヒゲを抑制することができ、かつ、エキスパンド時に基材が破断しないダイシングフィルムが求められている。

更に、半導体チップ等の製造工程において、ダイシングテープが帯電すると、製品破壊または作業上の不具合が発生するという問題がある。例えば、セパレータをダイシングテープから剥離するときや、ダイシング時のブレードとダイシングテープとが接触したときにダイシングテープが帯電しやすい。また、ダイシング後にダイシングテープを吸着テーブルから取り外すときや、チップまたはパッケージをピックアップするときにダイシングテープが帯電することもある。

　そこで、例えば、特許文献２にはポリエーテルを含む帯電防止樹脂を１０～４５質量部含有する樹脂組成物からなる帯電防止層と、分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合を有するベースポリマーを含有する粘着剤層とを含む、帯電防止型半導体加工用粘着テープが開示されている。このダイシングテープは、帯電防止層によって帯電を抑制することができる。
　しかし、帯電防止剤層にブレードが入ると、ブレードを高速回転した時に基材ヒゲが発生する問題があった。

　また、ダイシングフィルムは、通常ロール状に巻いて製造、保管、運搬等されるが、フィルム同士のブロッキングが生じると品質の低下につながるため、耐ブロッキング性も要求される。

　以上のような要求に対して、様々なダイシングフィルムが提案されている。例えば、特許文献３では、ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物：６０～９０重量％、及びポリスチレン系樹脂：１０～４０重量％を含む樹脂成分から形成される表面層を有するダイシング用基体フィルムを備えたダイシングフィルムが提案されている。

特開２００３－２５７８９３号公報特開２０１０―０７７８６２号公報特開２０１３－５５１１２号公報

　しかしながら、従来のダイシングフィルムは、切削屑の発生の抑制効果は十分ではなく、未だ改善の余地がある。

　更に、エキスパンド後のダイシングフィルムは、リングカセット内に収納されることになるが、フィルムの収納性を考慮して、リングカセット内に容易に収納できるサイズにまで復元できる特性（以下、復元性という。）を有するダイシングフィルムが望まれている。しかし、従来のダイシングフィルムでは、十分な復元性は得られていない。

　そこで、本開示は、一又は複数の実施形態において、半導体製造時のダイシング工程において帯電防止効果を有しながら、切削屑や基材ヒゲの発生が少なく、またエキスパンド性及び復元性に優れたダイシングフィルム、半導体ウエハ用ダイシングフィルム、ダイシング用基体フィルムを提供する。

　このような目的は、下記（１）～（２１）に記載の本発明により達成される。
（１）樹脂で構成される基材と、前記基材上に形成される粘着剤層とを有するダイシングフィルムであって、前記基材の２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上であるダイシングフィルム。
（２）前記基材の８０℃における破断伸度が７５０％以下である上記（１）に記載のダイシングフィルム。
（３）前記基材の２３℃における破断伸度が５０％以上である上記（１）または（２）に記載のダイシングフィルム。
（４）前記基材の厚みが、５０～２５０μｍである上記（１）ないし（３）いずれかに記載のダイシングフィルム。
（５）前記粘着剤層が、ゴム系、シリコーン系、アクリル系粘着剤のいずれか１つ以上を含む上記（１）ないし（４）いずれかに記載のダイシングフィルム。

（６）基材と、前記基材の一方の面側に形成された粘着剤層とを有する半導体ウエハ用ダイシングフィルムであって、前記基材における前記粘着剤層側の面と、前記粘着剤層における前記基材とは反対側の面との距離（Ｌ）が２０μｍ以上、７５μｍ以下である半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
（７）前記基材の厚さは、５０μｍ以上、３００μｍ以下である上記（６）に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
（８）前記基材は、基材全体に対して、３重量％以上、３０重量％以下の帯電防止剤を含む上記（６）または（７）に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
（９）前記半導体ウエハ用ダイシングフィルムは、前記基材と粘着剤層との間に中間層を有する上記（６）ないし（８）いずれかに記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
（１０）前記中間層は、８０℃における破断伸度が７５０％以下である上記（９）に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
（１１）前記中間層は、実質的に帯電防止剤を含まない上記（９）または（１０）に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
（１２）前記中間層の厚さは、１０μｍ以上、７０μｍ以下である上記（９）ないし（１１）いずれかに記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。

（１３）基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシング用基体フィルムであって、前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、を含有し、前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超える、ダイシング用基体フィルム。
（１４）前記ポリスチレン系樹脂は、汎用ポリスチレン及び耐衝撃性ポリスチレンからなる群から選択される少なくとも１つである、上記（１３）に記載のダイシング用基体フィルム。
（１５）前記ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体は、スチレン－エチレン－ブタジエン－スチレン共重合体である、上記（１３）又は（１４）に記載のダイシング用基体フィルム。
（１６）前記ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体中のビニル芳香族炭化水素の含有量は、１０重量％以上５０重量％以下である、上記（１３）から（１５）のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
（１７）前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超えて８５重量％以下であり、前記表面層における前記ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の含有量は、１５重量％以上５０重量％以下、又は１５重量％以上５０重量％未満である、上記（１３）から（１６）のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
（１８）前記表面層は、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である、上記（１３）から（１７）のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
（１９）前記基材層と前記表面層との間に、さらに中間層を含む、上記（１３）から（１８）のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
（２０）上記（１３）から（１９）のいずれかに記載のダイシング用基体フィルムの表面層側の主面上に、粘着剤層が設けられた、ダイシングフィルム。
（２１）上記（２０）に記載のダイシングフィルムと半導体部材とを貼付する工程と、前記半導体部材をダイシングして個片化するダイシング工程と、前記ダイシングフィルムをエキスパンドし、隣り合う前記個片化された半導体部材の間を拡張するエキスパンド工程と、前記個片化された半導体部材をピックアップするピックアップ工程と、を含む、半導体チップの製造方法。

　本発明によれば、半導体製造時のダイシング工程において帯電防止性を有し切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、またエキスパンド性及び復元性に優れたダイシングフィルム、半導体ウエハ用ダイシングフィルム、ダイシング用基体フィルムを提供することができる。

本発明に係る第一の実施形態のダイシングフィルムを示す概略断面図である。本発明に係る第二の実施形態の半導体ウエハ用ダイシングフィルムを示す概略断面図である。本発明に係る第二の実施形態の半導体ウエハ用ダイシングフィルムを示す概略断面図である。本発明に係る第二の実施形態の半導体ウエハ用ダイシングフィルムを示す概略断面図である。本発明に係る第三の実施形態のダイシング用基体を示す概略断面図である。

　以下、本発明の好ましい例を説明するが、本発明はこれら例に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。
　本発明において、「半導体ウエハ等」には、半導体ウエハ、半導体基板、及び半導体素子が含まれる。
　また、本発明において、「半導体ウエハ用ダイシングフィルム」には、半導体ウエハ用ダイシングフィルム、半導体基板用ダイシングフィルム、及び半導体素子用ダイシングフィルムが含まれる。
　（第一の実施形態）
本発明のダイシングフィルムの第一の実施形態を、図１を参照しながら詳細に説明する。

　本発明に係るダイシングフィルム３は、図１に例示するように基材１と粘着剤層２とを有する。

以下、ダイシングフィルム３の各部の構成について順次説明する。

（基材１）
基材１は、半導体ウエハ等の搬送時に安定させるため、並びにダイシング時に粘着剤層の下層まで切り込みを入れるため、またダイシング後のチップ間隔を広げるために用いられる。
ここで、基材１の２００℃における溶融張力は８０ｍＮ以上、３００ｍＮ以下である。
ダイシング工程において、半導体ウエハ等を切削する際、ダイシングブレードとダイシングフィルムとの間には摩擦熱が発生することがある。そのため、ダイシングブレードとの接触部は、高温に晒され、基材が溶融状態となり、柔らかく伸びやすく、基材由来の切り屑がダイシングブレードの回転に引っ張られ伸長することがダイシング工程で基材ヒゲが発生する一因である。
この点、本発明の基材１は、２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上、３００ｍＮ以下であることにより、高温状態において柔らかく伸びやすい状態にはなりにくいために、ダイシング工程における基材ヒゲの発生を抑制することができる。
基材１の２００℃における溶融張力は８０ｍＮ以上、３００ｍＮ以下であれば特に限定されないが、１００ｍＮ以上、２６０ｍＮ以下であることが好ましく、１２０ｍＮ以上、２２０ｍＮ以下であることがより好ましい。

また、基材１は、８０℃における破断伸度が４０％以上、７５０％以下であることが好ましく、６０％以上、６００％以下であることがより好ましく、８０％以上、４００％以下であることがより好ましい。
基材１の８０℃における破断伸度が上限値以下であることにより、ダイシング時に発生する摩擦熱が溶融温度以下の場合においても、基材ヒゲ発生を抑制することができる。

また、基材１は、２３℃における破断伸度が５０％以上、１２００％以下であることが好ましい。
ダイシングフィルムは、基材に十分な靭性がないと、エキスパンド時に基材が破断するといった問題が発生する場合があるところ、エキスパンド工程が行われる常温付近の２３℃における基材１の破断伸度が５０％以上であることにより、エキスパンド時に基材１が破断し難いものとなる。
基材１の２３℃における破断伸度は、５０％以上、１２００％以下であれば特に限定されないが、１００％以上、１１００％以下であることが好ましく、２００％以上、１０００％以下であることがより好ましい。

また、ダイシングブレードとの摩擦熱が、８０℃を超える場合を考慮すれば、基材１は、８０℃を超える温度においても、低い破断伸度を有することが好ましく、例えば１００℃における破断伸度が、６００％以下であることが好ましく、４００％以下であることがより好ましい。
これにより、ダイシング工程おける基材ヒゲの発生をさらに抑制することができる。

基材１に含まれる樹脂としては、本発明の効果を損なわないものであれば、特に限定されないが、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の２種以上の混合物、エラストマーとの混合物等が挙げられる。

基材１の厚さは、特に限定されないが、５０～２５０μｍであることが好ましく、７０～２００μｍであることがより好ましく、８０～１５０μｍであることがより一層好ましい。
　基材１の厚さが前記下限値以上であることにより、エキスパンド時に基材１がより破断しにくいものとなり、基材１の厚さが前記上限値以下であることにより、コスト面で優れる場合がある。

また基材１は、本発明の効果を損なわない範囲で、目的に合わせて、各種樹脂や添加剤等を添加することができる。例えば、帯電防止性を付与するために、ポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤やカーボンブラック等が添加可能な材料として挙げられる。帯電防止効果を付与する場合においては、オレフィン系樹脂との相溶性という観点からは、ポリエーテル/ポリオレフィン共重合体を用いたイオン伝導型帯電防止剤が好ましい。

尚、溶融張力を上昇させる目的で、高溶融張力ポリオレフィンエラストマ―や、ポリテトラフルオロエチレン(ＰＴＦＥ)系などの改質剤等を添加することができる。例えば、ポリテトラフルオロエチレン系改質剤の場合、ポリテトラフルオロエチレンが有する高結晶性および低分子間力の特徴により、オレフィン系樹脂等へ添加することで、ポリテトラフルオロエチレンが繊維状に分散し、疑似３次元ネットワークを形成することにより、基材１の溶融張力の向上に寄与することができる。

（粘着剤層２）
図１に例示するように本発明に係るダイシングフィルム３の基材１上に粘着剤層２が形成されている。粘着剤層２は、ダイシングフィルム３に被着体を保持する役割を有する。
粘着剤層２に用いられる樹脂組成物としては、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤、紫外線硬化性ウレタンアクリレート樹脂、イソシアネート系架橋剤等があげられる。これらの中でも半導体部材マウント、端材飛び及びチッピングを抑制するためには、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤のいずれか１つ以上を含むことが好ましい。
また、上記アクリル系粘着剤は、極性基を有することがより好ましく、極性基を有するアクリル系粘着剤としては、カルボキシル基含有のアクリル酸ブチル等が挙げられる。
粘着剤層２が極性基を有するアクリル系粘着剤を含むことにより、半導体部材のマウント時の気泡噛み込みや端材飛び、チッピングの抑制が特に好適なものとなる。

　粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、ダイシングフィルムの半導体ウエハ等切断用では５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
また、パッケージ等の特殊部材切断用としては１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。前記範囲下限値以上とすることにより被着体の保持力に優れ、前記範囲上限値以下とすることによりダイシング時の加工性およびコスト面で優れる場合がある。

＜ダイシングフィルムの製造方法の一例＞
　本発明に係るダイシングフィルム３の粘着剤層２は基材１、または基材１を含む樹脂フィルムに対して粘着剤層２として用いられる樹脂を適宜溶剤に溶解または分散させて塗工液とし、ロールコーティングやグラビアコーティングなどの公知のコーティング法により塗布し、乾燥することにより形成される。

本発明に係るダイシングフィルム３には、本発明の効果を損なわない範囲で目的に応じて他の樹脂層を設けることができる。

　次に、本発明の第二の実施形態について説明するが、第一の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

本発明の半導体ウエハ用ダイシングフィルムの一例を、図２～４を参照しながら詳細に説明する。

本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルム１１０は、図２に例示するように基材１１と、その一方の面側に形成された粘着剤層１２とを有する。
基材１１は、ウエハの搬送時に安定させるため、並びにダイシング後のチップ間隔を広げるために用いられ、粘着剤層１２は、半導体ウエハ用ダイシングフィルム１１０に被着体を保持する役割を有する。

ここで、上述のように、ダイシング工程における切り屑や、基材ヒゲは、ダイシングブレードが基材と接触、または基材を切削することにより、基材から発生する。
この点、本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルム１１０は、基材１１における粘着剤層１２側の面と、粘着剤層１２における基材とは反対側の面との距離（Ｌ）が２０μｍ以上、７５μｍ以下である。
前記距離（Ｌ）が、２０μｍ以上であることにより、ダイシング工程において、ダイシングブレードが、半導体ウエハ用ダイシングフィルム１１０の表面に対して、垂直方向へ切り込んだ際、ダイシングブレードと基材１１が接しないか、または接しても切り込む距離が短いために、上述のような切り屑や、基材ヒゲの発生を著しく抑制することができる。
さらに、前記距離（Ｌ）が７５μｍ以下であることにより、エキスパンドした時の破断を抑制することができる。そのため、ダイシング後のピックアップ工程でチップ間を確保することができ、チップのピックアップが可能になる。

前記距離（Ｌ）は、２０μｍ以上、７５μｍ以下であれば良いが、２５μｍ以上、６０μｍ以下であることが好ましく、２５μｍ以上、５０μｍ以下であることがより好ましい。前記距離（Ｌ）が前記範囲内にあることにより、前記の効果をより顕著なものとすることができる。

(基材１１)
基材１１を構成する樹脂としては、放射線（可視光線、近赤外線、紫外線、Ｘ線、電子線など）を透過するものであれば特に限定されず、例えば、第一の実施形態と同様のものや、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリスチレンとゴムの混合物が用いられる。なかでも、エキスパンド性と基材ヒゲ抑制という観点で、アイオノマー、低密度ポリエチレンやポリスチレンとゴムやエラストマーの混合物が好ましい。

また、基材１１の厚さは、特に限定されないが、５０μｍ以上、３００μｍ以下であることが好ましく、６０μｍ以上、２５０μｍ以下であることがより好ましく、８０μｍ以上、２２０μｍ以下であることがより一層好ましい。
　基材１１の厚さが前記下限値以上であることにより、エキスパンド時に基材１１がより破断しにくいものとなり、基材１１の厚さが前記上限値以下であることにより、ダイシング時の基材ヒゲの発生をより抑制することができる。

さらに、基材１１は、本発明の効果を損なわない範囲で、目的に合わせて、第一の実施形態と同様の各種樹脂や添加剤等を添加することができる。

基材１１が帯電防止剤を含む場合、帯電防止剤の含有量は、基材１１全体に対して、３重量％以上、３０重量％以下であることが好ましく、より好ましくは５重量％以上、２５重量％以下であり、１０重量％以上、２０重量％以下であることより一層好ましい。
基材１１に含まれる帯電防止剤が前記範囲内であることにより、テープから離型フィルムを剥離する際やチップをピックアップする際の帯電を抑制することが出来る。

(粘着剤層１２)
また、粘着剤層１２に用いられる樹脂組成物としては、第一の実施形態と同様のものがあげられる。
粘着剤層１２が極性基を有するアクリル系粘着剤を含むことにより、半導体部材のマウント、端材飛び及びチッピングの抑制が特に好適なものとなる。

　粘着剤層１２の厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上３５μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。

(中間層１３)
さらに、本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルムは、図３に示すように、基材１１と粘着剤層１２との間に中間層１３を有していることが好ましい。これにより、粘着剤層１２の厚さを前記範囲内としつつ、且つ前記距離（Ｌ）を前記範囲内に設定することが容易となる。

中間層１３を構成する樹脂としては、特に限定されないが、例えば、低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリスチレンとゴムが挙げられる。なかでも、エキスパンド性と基材ヒゲ抑制という観点で、低密度ポリエチレンやポリスチレンとゴムやエラストマーの混合物が好ましい。

尚、中間層１３は、単層構造であっても、多層構造であっても良い。

また、中間層１３全体の８０℃における破断伸度は、４０％以上、７５０％以下であることが好ましい。ここで、半導体ウエハ用ダイシングフィルムは、ダイシング工程において、ダイシングブレードとの摩擦熱により、ダイシングブレードとの接触部は、８０℃以上の高温に晒される。このような高温状態においては、ダイシングブレードとの接触部の樹脂層が柔らかく伸びやすい状態となり、切り屑がダイシングブレードの回転に引っ張られ伸長することがダイシング工程で基材ヒゲが発生する一因である。
この点、本発明の半導体ウエハ用ダイシングフィルム１１０においては、中間層１３全体の８０℃における破断伸度が４０％以上、７５０％以下であれば、高温状態において柔らかく伸びやすい状態にはなりにくいために、ダイシング工程における基材ヒゲの発生を抑制することができる。
尚、中間層１３全体の８０℃における破断伸度は、４０％以上、７５０％以下であれば特に限定されないが、６０％以上、６００％以下であることが好ましく、８０％以上、４００％以下であることがより好ましい。これにより、前記効果をより顕著に発揮することができる。

ここで、中間層１３は、中間層１３全体として、実質的に帯電防止剤を含まないことが好ましい。前記「中間層１３が実質的に帯電防止剤を含まない」とは、中間層１３全体に対して、帯電防止剤の含有量が３重量％以下のものをいう。つまり、中間層１３には、微量の帯電防止剤が含まれていてもよい。前記帯電防止剤の含有量は１重量％以下であることが好ましく、０．５重量％以下であることがより好ましい。これにより、ダイシング時に基材ヒゲの発生を抑制することが出来る。

また、中間層１３全体の厚さは、特に限定されないが、例えば１０μｍ以上、７０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、６０μｍ以下であることがより好ましく、２５μｍ以上、５０μｍ以下であることがより一層好ましい。これにより、粘着剤層１２の厚さを前記範囲内としつつ、且つ基材１１における粘着剤層１２側の面と、粘着剤層１２における基材とは反対側の面との距離（Ｌ）を前記範囲内に設定することがより一層容易となる。

尚、前記帯電防止剤とは、帯電防止性を有するものであれば、特に限定されないが、例えばポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤やカーボンブラック等が挙げられる。

また、基材１１、粘着剤層１２、中間層１３は、単層構造であっても、多層構造であっても良い。
例えば基材１１が多層構造である場合には、図４に示すように、第１基材１１１と第２基材１１２を有していても良い。

また、半導体ウエハ用ダイシングフィルム１１０全体の厚さは、特に限定されないが、例えば６０μｍ以上、２８０μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以上、２３０μｍ以下であることがより好ましく、８０μｍ以上、２２０μｍ以下であることがより一層好ましい。半導体ウエハ用ダイシングフィルム１１０全体の厚さが前記範囲内にあることにより、ウエハを取扱時に保持し、またエキスパンドを行うことができる。

尚、半導体ウエハ用ダイシングフィルム１１０には、本発明の効果を損なわない範囲で目的に応じて他の樹脂層を設けることができる。

＜半導体ウエハ用ダイシングフィルムの製造方法の一例＞
　本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルム１１０の粘着剤層１２は基材１１、または基材１１を含む樹脂フィルムに対して粘着剤層１２として用いられる樹脂を適宜溶剤に溶解または分散させて塗工液とし、ロールコーティングやグラビアコーティングなどの公知のコーティング法により塗布し、乾燥することにより形成される。

　次に、本発明の第三の実施形態について説明する。
　本開示は、ダイシング工程では、半導体部材とともにダイシングフィルムの一部も切断されるため、このダイシングフィルムの一部が摩擦熱により溶融状態となり、切削屑の発生につながる、という知見に基づく。さらに、本開示は、基材層上に、ポリスチレン系樹脂とビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物とを含有する表面層を設け、ダイシングブレードを表面層のみに切り込ませることにより、切削屑を著しく低減できる、という知見に基く。

　すなわち、本開示は、一態様において、基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシング用基体フィルムであって、前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、を含有し、前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超える、ダイシング用基体フィルムに関する。

　本開示のダイシング用基体フィルムによれば、一又は複数の実施形態において、エキスパンド性及び復元性に優れ、かつ、ダイシング時の切削屑の発生の抑制効果の高いダイシング用基体フィルムを提供できる。

　以下、本開示のダイシング用基体フィルムについて詳細に説明する。

　図５は、本開示のダイシング用基体フィルムの構成の一例を示す概略断面図である。図５に示すように、本開示のダイシング用基体フィルム１０１０は、基材層１０１１と、基材層１０１１の一主面上に配置された表面層１０１２とを備えている。このダイシング用基体フィルム１０１０の表面層１０１２上にさらに粘着剤層１０１３を設けることで、ダイシングフィルム１０２０が得られる。

　以下、本開示のダイシング用基体フィルムを構成する各層について詳細に説明する。

　＜表面層＞
　本開示のダイシング用基体フィルムを構成する表面層は、一又は複数の実施形態において、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である。表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物とを含有する。

　［ポリスチレン系樹脂］
　ポリスチレン系樹脂としては、特に限定されないが、一又は複数の実施形態において、汎用ポリスチレン樹脂、耐衝撃性ポリスチレン樹脂、又はこれらの混合物等が挙げられる。本開示における「汎用ポリスチレン」とは、通常、スチレンホモポリマーである。また、「耐衝撃性ポリスチレン」とは、通常、汎用ポリスチレンにブタジエン等のゴム成分を加えたものをいい、一又は複数の実施形態において、ポリスチレンのマトリックス中に微細なゴム状粒子がブレンド又はグラフト重合された構造をとっている。

　表面層におけるポリスチレン系樹脂の含有量としては、一又は複数の実施形態において、耐ブロッキング性の向上と、切削屑の発生を抑制できる観点から、５０重量％以上を超え、好ましくは６０重量％以上である。また、フィルムのエキスパンド性及び復元性を向上できる観点から、好ましくは８５重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。

　［ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体］
　本開示において、ビニル芳香族炭化水素とは、少なくとも１つのビニル基を有する芳香族炭化水素のことをいう。ビニル芳香族炭化水素としては、一又は複数の実施形態において、スチレン、α－メチルスチレン、ｐ－メチルスチレン、ジビニルベンゼン、１，１－ジフェニルエチレン、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ｐ－アミノエチルスチレン、Ｎ，Ｎ－ジエチル－ｐ－アミノエチルスチレン等が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上を混合して使用できる。これらの中でも、スチレンが好ましい。

　共役ジエン炭化水素とは、一対の共役二重結合を有するジオレフィンのことをいう。共役ジエン炭化水素としては、一又は複数の実施形態において、１，３－ブタジエン、２－メチル－１，３－ブタジエン（イソプレン）、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、１，３－ペンタジエン、２－メチル－１，３－ペンタジエン、１，３－ヘキサジエン等が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上を混合して使用できる。これらの中でも、１，３－ブタジエンが好ましい。

　ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体は、共役ジエン炭化水素中の二重結合の存在により引き起こされる酸化劣化等を抑制して、フィルムの強度を高める観点から、水素添加物とすることが好ましい。

　ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体は、共役ジエン炭化水素に由来の二重結合を、公知の方法により水素添加（例えば、ニッケル触媒等による水素添加）して飽和にしておくことが好ましい。これにより、前述の効果に加えてさらに、耐熱性、耐薬品性、耐久性等に優れたより安定な樹脂にすることができる。

　ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物の水添率は、一又は複数の実施形態において、共重合体中の共役ジエン炭化水素に由来する二重結合の８５％以上、９０％以上、又は９５％以上である。水添率は、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて測定できる。

　ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体におけるビニル芳香族炭化水素単位の含有量は、ポリスチレン系樹脂との相溶性を向上でき、フィルムのエキスパンド性を向上できる観点から、一又は複数の実施形態において、１０～５０重量％が好ましく、１５～４５重量％がより好ましい。また、共役ジエン炭化水素単位の含有量は、フィルムのエキスパンド性、及び、耐ブロッキング性を向上できる観点から、一又は複数の実施形態において、水添前の含有量で、５０～９０重量％、又は５５～８５重量％である。

　ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、一又は複数の実施形態において、１万～６０万、又は５万～３０万である。重量平均分子量は、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用いて測定できる。

　表面層を形成する樹脂成分におけるビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の含有量は、一又は複数の実施形態において、フィルムのエキスパンド性及び復元性を向上できる観点から、好ましくは１５重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。また、耐ブロッキング性を向上でき、切削屑の発生を抑制できる観点から、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは５０重量％未満、さらに好ましくは４０重量％以下である。

　ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体は、スチレン系単量体とジエン系単量体とのランダム共重合体の形態であってもよい。又は、スチレン系単量体とジエン系単量体とのブロック共重合体の形態であってもよい。又は、ランダム共重合体とブロック共重合体の両方を含む形態であってもよい。スチレン系単量体単位の含有量は、紫外分光光度計又は核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて測定でき、ジエン系単量体単位の含有量は、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて測定できる。

　ランダム共重合体及びその水素添加物は、一又は複数の実施形態において、特開２００４－５９７４１号公報に記載の方法等によって製造できる。

　ブロック共重合体としては、一又は複数の実施形態において、共重合体の一端又は両末端にビニル芳香族炭化水素由来のブロックセグメントを有し、さらに共役ジエン炭化水素由来のブロックセグメントを有するもの、あるいはこれらをブレンドしたもの等が挙げられる。具体例としては、スチレン－エチレン－ブタジエン－スチレン共重合体（以下、ＳＥＢＳともいう。）が挙げられる。ＳＥＢＳ中のスチレン構成単位の含有量（以下、Ｓｔ含有量という。）は、ポリスチレン系樹脂との相溶性を向上でき、フィルムの製膜性を向上させる観点から、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは１５重量％以上であり、フィルムのエキスパンド性を向上できる観点から、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４５重量％以下である。

　表面層は、一又は複数の実施形態において、発明の趣旨を損ねない範囲で、帯電防止剤、フィラー等を含有していてもよい。

　表面層の厚みは、切削屑低減の点から、ダイシングブレードによる表面層への切り込みの深さ（以下、切込み量ともいう。）よりも厚いことが好ましい。表面層の厚みは、一又は複数の実施形態において、５～６０μｍ、又は２０～４０μｍである。また、表面層の厚みは、一又は複数の実施形態において、ダイシング用基体フィルムの厚みに対し、５～６０％、又は２０～４０％である。

　＜基材層＞
　本開示のダイシング用基体フィルムを構成する基材層としては、一又は複数の実施形態において、従来使用され、又は今後開発され得るエキスパンド層を用いることができ、樹脂材料から構成されることが好ましい。樹脂材料としては、一又は複数の実施形態において、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂；エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂；スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物；等が挙げられる。これらの中でも、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、又はポリエチレンとエラストマーとの混合物が好ましい。このような樹脂材料を用いることにより、優れたエキスパンド性が得られる。

　基材層は、一又は複数の実施形態において、フィルムの物性を損ねない範囲で、帯電防止剤、フィラー等を含有していてもよい。

　基材層の厚みは、一又は複数の実施形態において、エキスパンド工程においてフィルムを引き延ばしたときにフィルムが破れない程度の強度を確保できる観点から、４０～９５μｍ、又は６０～８０μｍである。また、基材層の厚みは、一又は複数の実施形態において、ダイシング用基体フィルムの厚みに対し、４０～９５％、又は６０～８０％である。

　本開示のダイシング用基体フィルムは、生産歩留まりを向上できる観点から、一又は複数の実施形態において、基材層と表面層との間にさらに中間層を有していてもよい。

　＜中間層＞
　中間層は、一又は複数の実施形態において、ダイシングブレードによって切り込まれない層である。

　中間層を形成する樹脂成分としては、一又は複数の実施形態において、フィルムのエキスパンド性を低下させずに、基材層と表面層との接着性を向上できる観点から、ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物を含有することが好ましい。ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物としては、前述の表面層と同じものを用いることができ、ここではその詳細な説明を省略する。

　また、中間層を形成する樹脂成分としては、一又は複数の実施形態において、上記ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物以外に、ポリスチレン系樹脂や基材層を構成する樹脂成分等の他の樹脂成分をさらに含有してもよい。ポリスチレン系樹脂としては、前述の表面層と同じものを用いることができ、基材層を構成する樹脂成分については前述したとおりであるため、ここではその詳細な説明を省略する。

　中間層が、ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、その他の樹脂成分とを含有する場合、フィルムのエキスパンド性の低下を抑制しつつ、基材層と表面層との接着性を向上できる観点から、ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の含有割合は、５０重量％以上、又は６０重量％以上であり、１００重量％以下、又は９０重量％以下である。

　中間層の厚みは、一又は複数の実施形態において、５～６０μｍ、又は２０～４０μｍである。

　本開示のダイシング用基体フィルムの全体の厚みとしては、一又は複数の実施形態において、５０～２００μｍ、又は８０～１５０μｍである。ダイシング基体フィルムの全体の厚みを５０μｍ以上とすることで、ウエハをダイシングする際に衝撃から保護できる。ダイシング用基体フィルムが中間層を有する場合には、一又は複数の実施形態において、表面層の厚みは変更せずに、基材層の厚みを薄くすることで、フィルム全体の厚みが上記数値の範囲内となるよう設定する。

　本開示のダイシング用基体フィルムの製造方法としては、Ｔダイス又は環状ダイスを使用した押出法やカレンダー法等の公知の方法が挙げられるが、基体フィルムの厚み精度の点から、Ｔダイスを使用した押出法が好ましい。

　以下、Ｔダイスを使用した押出法について説明する。

　まず、表面層及び基材層を構成する樹脂成分をそれぞれドライブレンド又は溶融混練し、各層形成用樹脂を得る。各層形成用樹脂をスクリュー式押出機に供給し、１８０～２４０℃に調整された多層Ｔダイからフィルム状に押出し、これを１０～５０℃に調整された冷却ロールに通しながら冷却して巻き取る。あるいは、各層形成用樹脂を一旦ペレットとして取得した後、上記のように押出成形してもよい。形成される各層の厚みは、押出機のスクリュー回転数を調整することで、調整できる。

　上記冷却ロールに通しながら冷却してフィルムを巻き取る工程では、エキスパンド時にフィルムが破れない程度の強度を確保し、エキスパンド後の復元性を向上できる観点から、実質的に無延伸で巻き取りを行うことが好ましい。実質的に無延伸とは、積極的な延伸を行わないことをいい、無延伸、あるいは、ダイシング時のウエハの反りに影響を与えない程度の僅少の延伸を含む。通常、フィルムの巻き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであればよい。

　本開示のダイシング用基体フィルムは、一又は複数の実施形態において、図５に示すように、表面層１０１２上に粘着剤層１０１３を設けることで、本開示のダイシングフィルム１０２０を構成できる。

　＜粘着剤層＞
　粘着剤層としては、半導体部材を貼り付け、かつ、ダイシング後に個片化された半導体部材を好適に剥がすことができるものであれば特に限定されないが、アクリル系粘着剤、紫外線硬化性ウレタンアクリレート樹脂、イソシアネート系架橋剤等を含む樹脂組成物から構成されるものが好ましい。これにより、ダイシング前には半導体部材を十分に保持でき、かつ、個片化された半導体部材をピックアップする前に紫外線照射を行うことで粘着剤の保持力（粘着力）を低下させて、好適にピックアップすることができる。

　粘着剤層の厚みは、一又は複数の実施形態において、半導体部材との密着性を向上できる観点から、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上である。また、ダイシング時の加工性を向上できる観点から、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下である。

　本開示のダイシングフィルムの製造方法は、一又は複数の実施形態において、粘着剤層を形成する樹脂組成物を適宜溶剤に溶解又は分散させた塗工液を、ダイシング用基体フィルムの表面層上に、ロールコーティングやグラビアコーティング等の公知のコーティング方法によって塗布し乾燥することにより、粘着剤層を形成する方法等が挙げられる。

　本開示のダイシングフィルムは、一又は複数の実施形態において、粘着剤層上にさらに保護層を備えていても良い。

　＜保護層＞
　保護層としては、ダイシングフィルムの使用時まで粘着剤層を保護し、ダイシングフィルムの使用時に好適に除去できるものであれば特に限定されない。保護層としては、ダイシングフィルムの使用時における作業性を向上できる観点から、一又は複数の実施形態において、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂等で構成されているフィルムが好ましい。

　保護層は、一又は複数の実施形態において、粘着剤層に接する面が離型処理されていてもよい。この場合、ダイシングフィルムの使用時に保護層をより好適に除去できる。離型処理する方法としては、一又は複数の実施形態において、シリコン樹脂、アルキッド樹脂等の離型樹脂を塗布する方法が挙げられる。

　本開示の半導体チップの製造方法は、一又は複数の実施形態において、本開示のダイシングフィルムと半導体部材とを貼付する貼付工程と、前記半導体部材をダイシングして個片化するダイシング工程と、前記ダイシングフィルムをエキスパンドし、隣り合う前記個片化された半導体部材の間を拡張するエキスパンド工程と、前記個片化された半導体部材をピックアップするピックアップ工程と、を含む方法が挙げられる。

　貼付工程では、一又は複数の実施形態において、市販のマウンター等を使用して、ダイシングフィルムの粘着剤層と半導体部材とを貼り付ける。ダイシングフィルムが保護層を有する場合には、保護層を除去しながら、ダイシングフィルムと半導体部材を貼り付けることができる。

　ダイシング工程では、一又は複数の実施形態において、市販のダイサー等を使用して、半導体部材をダイシングして個片化する。

　エキスパンド工程では、一又は複数の実施形態において、市販のエキスパンダー装置等を使用して、隣り合う個片化された半導体部材の間を拡張する。これにより、後段のピックアップ工程を好適に実行可能となる。

　ピックアップ工程では、一又は複数の実施形態において、市販のチップボンダー等を使用して、個片化された半導体部材をピックアップすることで、半導体チップが得られる。

　本開示の半導体チップの製造方法は、一又は複数の実施形態において、エキスパンド工程の後、個片化された半導体部材をダイシングフィルムを介して、市販の対物顕微鏡等を用いて目視検査する検査工程を含んでいてもよい。これにより、個片化された半導体部材に不良部分があるかどうかを検知できるため、生産性を向上できる。

　本開示の半導体チップの製造方法は、一又は複数の実施形態において、粘着剤層が紫外線硬化性ウレタンアクリレート樹脂等を含む場合、ピックアップ工程の前に紫外線照射工程を含んでいてもよい。これにより、ピックアップ工程の前に紫外線を照射して、粘着剤層の保持力を低下させて、好適にピックアップすることができる。

第一の実施形態を実施例により更に詳細に説明するが、これは単なる例示であり、本発明はこれにより限定されるものではない。

（実施例１）
＜基材の作成＞
　基材１を構成する材料として低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９１９ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．２）９９重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備し、タンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度２００℃に調整した２軸混練機で溶融混練、造粒し、樹脂混合物のペレットを得た。
得られたペレットを、ダイス温度２００℃に調整した押出し機でシート状に押し出し、厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。

＜粘着剤層の作成＞
　粘着剤層のベースポリマーとして、アクリル酸２－エチルヘキシルを３０重量部と、酢酸ビニル７０重量部と、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル３重量部とを共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量：３０万）４２重量％を用いた。

　粘着剤層の硬化成分として、重量平均分子量が５０００、重合性官能基数が４であるウレタンアクリレートを４７重量％、粘着剤層の光重合開始剤として、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・ジャパン株式会社製）を３重量％準備した。粘着剤層のイソシアネート系架橋剤として、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業株式会社製）を８重量％準備した。

　上記の粘着剤層のベースポリマー、硬化成分、光重合開始剤、架橋剤、さらにその合計の２倍量の酢酸エチルを常温で１５分間撹拌し、混合溶液を作製した。この混合溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１０μｍになるようにして基材にバーコート塗工した後、８０℃で５分間乾燥させて、所望のダイシングフィルムを得た。

（実施例２）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム３を得た。基材として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９２３ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ３．７）９０重量部、スチレン－イソプレン－スチレン・ブロック共重合体（ＳＩＳ，スチレン含有量１２％、ＭＦＲ０．５）１０重量部を準備した。

（実施例３）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム３を得た。基材として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９２３ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ３．７）９９重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備した。

（実施例４）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム３を得た。基材として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９２２ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ２．０）９９重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備した。

（実施例５）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム３を得た。基材として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９２２ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ２．０）９８重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）２重量部を準備した。

（実施例６）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム３を得た。基材として、ポリプロピレン（ＰＰ、密度９１０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ２．４）６０重量部、スチレン－イソプレン－スチレン・ブロック共重合体（ＳＩＳ、スチレン含有量１２％、ＭＦＲ０．５）４０重量部を準備した。

（実施例７）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム３を得た。基材として、ポリプロピレン（ＰＰ、密度９１０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ２．４）５９重量部、スチレン－イソプレン－スチレン・ブロック共重合体（ＳＩＳ、スチレン含有量１２％、ＭＦＲ０．５）４０重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備した。

（比較例１）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム３を得た。基材として、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ、密度９５４ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．４、商品名「サンテックＢ１６１」、旭化成ケミカルズ株式会社製）を準備し、ダイス温度２００℃に調整した押出し機にてシート状に押し出し、厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。

（比較例２）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム３を得た。基材として、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ、密度９１９ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ２．０、商品名「ウルトゼックス２０２２Ｌ」、株式会社プライムポリマー製）を準備し、ダイス温度２００℃に調整した押出し機にてシート状に押し出し、厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。

（比較例３）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム３を得た。基材として、ポリプロピレン（ＰＰ、密度９１９ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ２．５）９９重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備した。

＜溶融張力の測定＞
溶融張力とは、加熱・溶融した樹脂を引っ張った際に発生する張力をいう。
溶融張力は上記で準備した混練後のペレットをサンプルとして、炉体径９．５５ｍｍ、キャピラリー長１０ｍｍ、キャピラリー径１ｍｍの毛管粘度計（商品名「キャピログラフ１Ｃ」、東洋精機製作所製）を用いて測定した。溶融張力は、炉内温度を２００℃、ピストンスピードを１０ｍｍ／ｍｉｎ、引取速度を５ｍ／ｍｉｎに設定し、引き取りに必要な荷重（ｍＮ）を溶融張力とした。

＜破断伸度（２３℃）の測定＞
　破断伸度とは、フィルムが引っ張られたときに耐えられる最大の力を加えたときに伸びた長さをいう。
　２３℃における破断伸度は、２３℃環境下において、ＪＩＳＫ６７３４に準拠し、テンシロン万能試験機を用いて、ＭＤ方向、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎにて測定した。

＜破断伸度（８０℃）の測定＞
　８０℃における破断伸度は、８０℃環境下において、６ｍｍ幅、５０ｍｍ長さの短冊状サンプルを準備し、テンシロン万能試験機を用いて、ＭＤ方向、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎにて測定した。

＜基材ヒゲ評価＞
作製したダイシングフィルムに、４インチサイズのシリコンウエハ（厚み２００μｍ）を貼り付け、ダイシングソー（商品名「ＤＡＤ３３５０」、株式会社ディスコ製）を用いて下記条件でダイシングを行った後、シリコンウエハ表面の観察を行い、カットラインから出てくる長さ１００μｍ以上の基材ヒゲの数をカウントした。
判定基準
◎　：　０～５本
○　：　６－１０本
×　：　１１本以上

＜ダイシング条件＞
ブレード　　　　　「ＮＢＣ－ＺＨ２０５０　２７ＨＥＤＤ」、株式会社ディスコ製
ブレード回転数　　５５，０００ｒｐｍ
カット速度　　　　５０ｍｍ／ｓｅｃ
切込量　　　　　　ダイシングフィルム表面から３０μｍ
カットサイズ　　　３ｍｍ×３ｍｍ
ブレードクーラー　２Ｌ／ｍｉｎ

　表１に示すように、実施例１から７のダイシングフィルムは、比較例１～３のダイシングフィルムに比べて、基材ヒゲの発生の抑制効果が高いことが分かった。
　例えば、基材の２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上である実施例３は、基材の２００℃における溶融張力が８０ｍＮ未満である比較例１～３に比べて、基材ヒゲの発生を大幅に低減できていたことから、基材ヒゲの発生の抑制には基材の２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上であることが重要であることが分かった。また、基材の８０℃における破断伸度が７５０％以下である実施例２及び５は、基材の８０℃における破断伸度が７５０％超である比較例１～３に比べて、基材ヒゲの発生を大幅に低減できていたことから、基材ヒゲの発生の抑制には基材の８０℃における破断伸度が７５０％以下であることが重要であることが分かった。

　次に、第二の実施態様を実施例により更に詳細に説明するが、これは単なる例示であり、本発明はこれにより限定されるものではない。
（実施例８）
　＜ダイシングテープの作製＞
基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、Φ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５　ユニメルトピンスクリュー　スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。

　粘着剤層のベースポリマーとして、アクリル酸２－エチルヘキシルを３０重量部と、酢酸ビニル７０重量部と、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル３重量部とを共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量は３０００００）を４２重量％用いた。

粘着剤層の硬化成分として、重量平均分子量が５０００、重合性官能基が４であるウレタンアクリレートを４７重量％準備した。粘着剤層の光重合開始剤として、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン（商品名「イルガキュア６５１」）を３重量％準備した。粘着剤層のイソシアネート系架橋剤として、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」）を８重量％準備した。

上記の粘着剤層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが６０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。
（実施例９）
　下記以外については実施例８と同様にして、ダイシングテープを得た。
中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部、基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、中間層、基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５　ユニメルトピンスクリュー　スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が５０μｍで基材が５０μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着剤層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。

（実施例１０）
下記以外については実施例８と同様にして、ダイシングテープを得た。
中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部、基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、中間層、基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５　ユニメルトピンスクリュー　スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が２５μｍで基材が７５μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着剤層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。

（実施例１１）
下記以外については実施例８と同様にして、ダイシングテープを得た。
中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部、基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、中間層、基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５　ユニメルトピンスクリュー　スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が３５μｍで基材が６５μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着剤層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。

（実施例１２）
下記以外については実施例８と同様にして、ダイシングテープを得た。
中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部、第１基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部をドライブレンドし、第２基材を構成する材料として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部を準備し、中間層、第１基材、第２基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５　ユニメルトピンスクリュー　スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が３０μｍ、第１基材が４０μｍ、第２基材が３０μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着剤層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。

（実施例１３）
下記以外については実施例８と同様にして、ダイシングテープを得た。
中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部、第１基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部をドライブレンドし、第２基材を構成する材料として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部を準備し、中間層、第１基材、第２基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５　ユニメルトピンスクリュー　スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が５０μｍ、第１基材が２０μｍ、第２基材が３０μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着剤層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。

（実施例１４）
下記以外については実施例８と同様にして、ダイシングテープを得た。中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部とし、基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、中間層、基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５　ユニメルトピンスクリュー　スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が１０μｍで基材が９０μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着剤層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。
(比較例４）
下記以外については実施例８と同様にして、ダイシングテープを得た。上記の粘着剤層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。

（比較例５）
下記以外については実施例８と同様にして、ダイシングテープを得た。中間層として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部とした。
また基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）15重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、中間層、基材ともΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５　ユニメルトピンスクリュー　スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、中間層が９５μｍで基材が５μｍの合計厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。上記の粘着剤層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１０μｍになるようにして基材に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。

＜評価試験＞
（１）ダイシング後の基材屑評価
　作製したダイシングテープに、バックグラインド加工（ディスコ社製ＤＡＧ８１０）したウエハ（厚み０．１ｍｍ）を貼り付け、下記条件でダイシングを行った後、チップを取り除いてテープ表面の観察を行い、カットラインから出てくる長さ１００μ以上の基材屑の数をカウントした。
◎　：　０～５本
○　：　６－１０本
×　：　１１本以上

＜ダイシング条件＞
ダイサー　　　　　「ＤＡＤ―３３５０」、ＤＩＳＣＯ製
ブレード　　　　　「ＺＨ２０５０　２７ＨＥＤＤ」、ＤＩＳＣＯ製
ブレード回転数　　３００００ｒｐｍ、６００００ｒｐｍ
カット速度　　　　５０ｍｍ／ｓｅｃ
切込量　　　　　　粘着シート表面から３０μｍ
カットサイズ　　　１０ｍｍ×１０ｍｍ
ブレードクーラー　２Ｌ／ｍｉｎ
＜１％減衰時間の測定＞
　得られたダイシングテープについて、ＭＩＬ－Ｂ－８１７０５Ｃに準拠して、１％減衰時間の測定を行った。具体的には、静電気減衰時間測定器（electro-tech system社製、品名：STATIC DECAY METER MODEL406C）を用いて、ダイシングテープに５０００Ｖの電圧を印加し、ダイシングテープ１００の電圧が５０００Ｖから５０Ｖまで減衰するのにかかる時間の測定を行った。この測定を、ダイシングテープ粘着側からについて行い、以下のように判定した。
◎　：０．１ｓｅｃ未満
○　：０．１－０．５ｓｅｃ未満
　　△　：０．５－１０ｓｅｃ未満
　　×　：１０ｓｅｃ以上

＜中間層の破断伸度＞
（１）引っ張り試験
　８０℃環境下での引っ張り伸度
　中間層をΦ５０ｍｍ押出機（L／Ｄ＝２５　ユニメルトピンスクリュー　スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、厚み１００μｍのシートを得た。６ｍｍ幅、５０ｍｍ長さの短冊を準備し、ＭＤ方向に２００ｍｍ／ｍｉｎで引張って破断するまで引っ張って、破断伸度を求めた。

　表２に示すように、実施例８～１４のダイシングテープは、比較例１５～２１のダイシングテープに比べて帯電防止効果が高く、半導体製造時のダイシング工程において基材ヒゲの発生が少ないことが分かった。
　例えば、距離（Ｌ）が２０μｍ以上である実施例１４は、距離（Ｌ）が２０μｍ未満である比較例４に比べて、基材ヒゲの発生を大幅に低減できていたことから、基材ヒゲの発生の抑制には距離（Ｌ）が２０μｍ以上であることが重要であることが分かった。また、距離（Ｌ）が７５μｍ以下である実施例８、９及び１３は、距離（Ｌ）が７５μｍ超である比較例５に比べて、静電気の減衰時間を大幅に短くすることができていたことから、帯電防止効果を高くするためには距離（Ｌ）が７５μｍ以下であることが重要であることが分かった。

　次に第三の実施態様を実施例により更に詳細に説明するが、これは単なる例示であり、本開示はこれにより限定されるものではない。

　＜原料＞
　実施例及び比較例のダイシング用基体フィルムの作製に使用した原料は以下の通りである。
・スチレン－ブタジエン共重合体（ＨＩＰＳ）：「Ｈ９１５２」（商品名、ＰＳジャパン株式会社製）
・スチレン－エチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体の水素添加物（ＳＥＢＳ、Ｓｔ含量：１８重量％）：「タフテックＨ１０６２」（商品名、旭化成ケミカルズ株式会社製）
・ポリプロピレン（ＰＰ）：「ＦＳ２０１１ＤＧ－２」（商品名、住友化学株式会社製）・ポリスチレン（ＰＳ）：「ＨＦ７７」（商品名、ＰＳジャパン株式会社製）

（実施例１５）
　ＨＩＰＳ：５５重量％とＳＥＢＳ：４５重量％とをタンブラーにてドライブレンドし、表面層形成用樹脂を得た。また、ＰＰ：６０重量％とＳＥＢＳ：４０重量％とをドライブレンドし、基材層形成用樹脂を得た。得られた各層形成用樹脂を、２００℃に調整されたそれぞれの押出機に供給し、表面層／基材層の順序になるように、２００℃の２層ダイスから押出し、３０℃に設定された冷却ロールにて冷却固化して、実質的に無延伸の状態で巻き取り、２層構造のダイシング用基体フィルムを得た。実施例１５において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（実施例１６）
　表面層を形成する樹脂成分について、ＨＩＰＳの含有量を６０重量％とし、ＳＥＢＳの含有量を４０重量％に変更した以外は、実施例１５と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。実施例１６において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（実施例１７）
　表面層を形成する樹脂成分について、ＨＩＰＳの含有量を７０重量％とし、ＳＥＢＳの含有量を３０重量％に変更した以外は、実施例１５と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。実施例１７において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（実施例１８）
　表面層を形成する樹脂成分について、ＨＩＰＳの含有量を８０重量％とし、ＳＥＢＳの含有量を２０重量％に変更した以外は、実施例１５と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。実施例１８において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（実施例１９）
　表面層を形成する樹脂成分について、ＨＩＰＳの含有量を８５重量％とし、ＳＥＢＳの含有量を１５重量％に変更した以外は、実施例１５と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。実施例１９において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（実施例２０）
　表面層を形成する樹脂成分であるＨＩＰＳの代わりに、ＰＳを同量（６０重量％）用いたこと以外、実施例１６と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。実施例２０において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（実施例２１）
　表面層を形成する樹脂成分であるＨＩＰＳの代わりに、ＰＳを同量（８０重量％）用いたこと以外、実施例１８と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。実施例２１において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（比較例６）
　表面層を形成する樹脂成分について、ＨＩＰＳの含有量を４０重量％とし、ＳＥＢＳの含有量を６０重量％に変更した以外は、実施例１５と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。比較例６において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（比較例７）
　表面層を形成する樹脂成分について、ＨＩＰＳのみ（含有量：１００重量％）に変更した以外は、実施例１５と同様にして、２層構造のダイシング用基体フィルムを作製した。比較例７において、表面層の厚みは４０μｍ、基材層の厚みは６０μｍ、ダイシング用基体フィルム全体の厚みは１００μｍであった。

（比較例８）
　ＨＩＰＳ：８０重量％とＳＥＢＳ：２０重量％とをタンブラーにてドライブレンドし、樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物を、２００℃に調整された押出機に供給し、２００℃に調整された単層ダイスから押出し、３０℃の冷却ロールにて冷却固化して、実質的に無延伸の状態で巻き取り、単層構造のダイシング用基体フィルムを得た。

　以上のようにして作製した実施例１５～２１及び比較例６～８の各ダイシング用基体フィルムの表面層上に粘着剤層を設け、ダイシングフィルムを得た。具体的には、まず、２－エチルヘキシルアクリレート：３０重量％、酢酸ビニル：７０重量％及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート：１重量％をトルエン溶媒中にて混合し、重量平均分子量１５０，０００のベース樹脂を得た。このベース樹脂：１００重量部と、架橋剤としてトリレンジイソシアネートの多価アルコール付加体（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）：１０重量部とを酢酸エチルに溶解した後、乾燥後の厚さが１０μｍになるようにダイシング用基体フィルムの表面層上にバーコード塗工した後、８０℃で５分間乾燥してダイシングフィルムを得た。

　得られたダイシングフィルムについて、下記のとおり、切削屑特性、エキスパンド性、及び復元性の評価を行い、その結果を表３に示した。また、表３には、実施例１５～２１及び比較例６～８のダイシングフィルムを構成する粘着剤層の厚み、表面層を形成する樹脂成分の含有量、表面層の厚み、基材層を形成する樹脂成分の含有量、基材層の厚み、及び、ダイシング用基体フィルム全体の厚みについても併せて示した。

　（切削屑特性）
　切削屑特性は、次のようにして評価した。まず、ダイシングフィルムに、シリコンウエハ（厚み：０．２ｍｍ）を貼り付け、下記条件でダイシングを実施し、カットラインの観察を行い、カットラインから出てくる長さ１００μｍ以上の切削屑の数をカウントし、切削屑特性を評価し、評価結果を表３に示した。ここでは、切削屑の数が０～５本の場合は、切削屑特性に優れていると評価し、表３では「Ａ」と表記した。切削屑の数が６～１０本の場合は、切削屑特性が良好であると評価し、表３では「Ｂ」と表記した。切削屑の数が１１本以上の場合は、切削屑特性が良好でないと評価し、表３では「Ｃ」と表記した。

　［ダイシング条件］
　ダイシング装置：「ＤＡＤ―３３５０」（商品名、ＤＩＳＣＯ社製）
　ダイシングブレード：「ＺＨ２０５Ｏ　２７ＨＥＤＤ」（商品名、ＤＩＳＣＯ社製）
　ブレード回転数：４５０００ｒｐｍ
　カット速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
　切込み：ダイシングフィルム表面から４０μｍ（表面層に対する切込み量は３０μｍ）
　カットサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ
　ブレードクーラー：２Ｌ／ｍｉｎ

　（エキスパンド性及び復元性）
　エキスパンド性及び復元性については、次のようにして評価した。まず、上記切削屑特性の評価と同様して、ダイシングフィルムにシリコンウエハを貼り付け、ダイシングを実施し、ダイシングによって個片化されたウエハが貼り付けられた状態のダイシングフィルムをウエハエキスパンダー装置（商品名「ＨＳ１０１０」、ヒューグル社製）に設置し、引落し量６ｍｍにてエキスパンドを行った。

　エキスパンド性に関しては、エキスパンドの開始から１０分経過後にダイシングフィルムが破断したかどうかを評価し、評価結果を表３に示した。ここでは、フィルムが破断しなかった場合、エキスパンド性は良好であると評価し、表３では「Ａ」と表記した。フィルムが破断した場合、エキスパンド性は良好ではないと評価し、表３では、「Ｂ」と表記した。

　復元性に関しては、エキスパンドの開始から１０分経過後にエキスパンドをやめて、その後１０分間放置した後のフィルムのたるみ量を測定し、測定値に基づいて評価し、評価結果を表３に示した。ここでは、フィルムのたるみ量が５ｍｍ以下の場合、復元性に優れていると評価し、表３では「Ａ」と表記した。フィルムのたるみ量が５ｍｍを超え９ｍｍ未満の場合、復元性は良好であると評価し、表３では「Ｂ」と表記した。フィルムのたるみ量が９ｍｍ以上の場合、復元性は良好ではないと評価し、表３では「Ｃ」と表記した。

　表３に示すように、実施例１５～２１のダイシングフィルムは、比較例６～８のダイシングフィルムに比べて、切削屑の発生の抑制効果が高く、また、エキスパンド性及び復元性に優れていることが分かった。
　例えば、表面層におけるＨＩＰＳ含有量が５０重量％を超える実施例１５は、表面層中のＨＩＰＳ含有量が５０重量％以下の比較例６に比べて、切削屑の発生を大幅に低減できていたことから、切削屑の発生の抑制にはＨＩＰＳの含有量が５０重量％を超えることが重要であることが分かった。また、ＳＥＢＳを含有しない比較例７は、復元性が良好ではなかったことから、十分な復元性を得るためには、ＳＥＢＳが重要であることが分かった。単層構造の比較例８は、エキスパンドしたときに破断してしまったことから、十分なエキスパンド性を得るためには、ダイシング用基体フィルムを二層構造とすることが重要であることが分かった。

　本発明のダイシングフィルムはエキスパンド性及び復元性に優れ、かつ、半導体製造時のダイシング工程において帯電防止効果を有しながら、ダイシング時の基材ヒゲ及び切削屑の発生が少なく、ダイシングフィルムとして好適な強度と良好な外観を有するため半導体装置製造のダイシング工程において半導体部材固定用のフィルムとして好適に用いることができる。

　１　　基材
　２　　粘着剤層
　３　　ダイシングフィルム
　１１　　基材
　１２　　粘着剤層
　１３　　中間層
　１１０　　半導体ウエハ用ダイシングフィルム
　１１１　　第１基材
　１１２　　第２基材
　１０１０　ダイシング用基体フィルム
　１０１１　基材層
　１０１２　表面層
　１０１３　粘着剤層
　１０２０　ダイシングフィルム

Claims

　樹脂で構成される基材と、前記基材上に形成される粘着剤層とを有するダイシングフィルムであって、
前記基材の２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上であるダイシングフィルム。
　前記基材の８０℃における破断伸度が７５０％以下である請求項１に記載のダイシングフィルム。
　前記基材の２３℃における破断伸度が５０％以上である請求項１または２に記載のダイシングフィルム。
　前記基材の厚みが、５０～２５０μｍである請求項１ないし３いずれか１項に記載のダイシングフィルム。
　前記粘着剤層が、ゴム系、シリコーン系、アクリル系粘着剤のいずれか１つ以上を含む請求項１ないし４いずれか１項に記載のダイシングフィルム。
　基材と、前記基材の一方の面側に形成された粘着剤層とを有する半導体ウエハ用ダイシングフィルムであって、
前記基材における前記粘着剤層側の面と、前記粘着剤層における前記基材とは反対側の面との距離（Ｌ）が２０μｍ以上、７５μｍ以下である半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
　前記基材の厚さは、５０μｍ以上、３００μｍ以下である請求項６に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
　前記基材は、基材全体に対して、３重量％以上、３０重量％以下の帯電防止剤を含む請求項６または７に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
　前記半導体ウエハ用ダイシングフィルムは、前記基材と粘着剤層との間に中間層を有する請求項６ないし８いずれか１項に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
　前記中間層は、８０℃における破断伸度が７５０％以下である請求項９に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
　前記中間層は、実質的に帯電防止剤を含まない請求項９または１０に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
　前記中間層の厚さは、１０μｍ以上、７０μｍ以下である請求項９ないし１１いずれか１項に記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
　基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシング用基体フィルムであって、
　前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、を含有し、
　前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超える、ダイシング用基体フィルム。
　前記ポリスチレン系樹脂は、汎用ポリスチレン及び耐衝撃性ポリスチレンからなる群から選択される少なくとも１つである、請求項１３に記載のダイシング用基体フィルム。
　前記ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体は、スチレン－エチレン－ブタジエン－スチレン共重合体である、請求項１３又は１４に記載のダイシング用基体フィルム。
　前記ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体中のビニル芳香族炭化水素の含有量は、１０重量％以上５０重量％以下である、請求項１３から１５のいずれか１項に記載のダイシング用基体フィルム。
　前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超えて８５重量％以下であり、
　前記表面層における前記ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の含有量は、１５重量％以上５０重量％以下である、請求項１３から１６のいずれか１項に記載のダイシング用基体フィルム。
　前記表面層は、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である、請求項１３から１７のいずれか1項に記載のダイシング用基体フィルム。
　前記基材層と前記表面層との間に、さらに中間層を含む、請求項１３から１８のいずれか１項に記載のダイシング用基体フィルム。
　請求項１３から１９のいずれかに１項に記載のダイシング用基体フィルムの表面層側の主面上に、粘着剤層が設けられた、ダイシングフィルム。
　請求項２０に記載のダイシングフィルムと半導体部材とを貼付する貼付工程と、
　前記半導体部材をダイシングして個片化するダイシング工程と、
　前記ダイシングフィルムをエキスパンドし、隣り合う前記個片化された半導体部材の間を拡張するエキスパンド工程と、
　前記個片化された半導体部材をピックアップするピックアップ工程と、を含む、半導体チップの製造方法。