TW202239586A - 工件加工用片 - Google Patents
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Abstract
議題:本發明提供一種具有優良延展性的工件加工用片。其解決方式:為一種具備:基材11及黏著劑層12的工件加工用片1,基材11具備:表面層111及背面層113及中間層112,將基材11裁斷為短邊15mm的短條狀而成的試驗片的破斷延展度,針對在MD以及CD方向,分別為600%以上,相對於進行將基材11在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的25%伸長時的拉伸應力,進行將基材11在MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的25%伸長時的拉伸應力的比(R
25%)為1.3以下,相對於進行將基材11在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的50%伸長時的拉伸應力,進行將基材11在其MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的50%伸長時的拉伸應力的比(R
50%)為1.3以下的工件加工用片。
Description
本發明是關於一種使用在半導體晶圓等的工件的加工的工件加工用片。
矽、砷化鎵等的半導體晶圓、各種封裝類,以大直徑的狀態製造,將晶片經切斷(切割,dicing)、經剝離(撿晶,picking)後,移往作為接續步驟的安裝步驟。此時,半導體晶圓等的工件,以積層在具備基材以及黏著劑層的黏著片(以下,有時為「工件加工用片」)上的狀態,進行背面研磨(back grinding)、切割、洗淨、乾燥、延展(expanding)、撿晶、安裝(mounting)等的加工。
上述撿晶的步驟,為了易於晶片的撿晶,有時會從與工件加工用片中的有晶片積層的面相反的面,將晶片各別頂起而進行。特別是,為了抑制在撿晶時的晶片彼此的碰撞,並且易於撿晶,通常,會使工件加工用片延伸(延展),讓晶片彼此遠離而進行。因此,以工件加工用片而言,要求可良好的延展,具有優良的柔軟性。
專利文獻1中,以提供具有優良延展性的工件加工用片為目的,揭示一種包含基材層與表面層的切割用基材膜,該表面層含有特定的聚苯乙烯系樹脂,及特定的乙烯基芳香族烴-共軛二烯烴共聚物或其氫化物的基材膜。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本特許6146616號公報
[發明所欲解決的問題]
然而,近年,隨著半導體裝置的微小化,於工件加工用片上所處理的晶片變得日益微小。因此,以工件加工用片而言,為了即使相對於如此微小的晶片,仍可良好的撿晶,要求比以往的工件加工用片更佳的延展性。
本發明為鑒於此情況而完成者,其目的為提供一種具有優良延展性的工件加工用片。
[用以解決問題的手段]
為了達成上述目的,首先,本發明提供一種工件加工用片,為具備:基材及積層在上述基材中的單面側的黏著劑層的工件加工用片,其特徵在於上述基材具備:位在相對靠近上述黏著劑層處的表面層,位在相對遠離上述黏著劑層處的背面層,以及位於上述表面層與上述背面層之間的中間層,針對將上述基材裁斷成短邊為15mm的短條狀而成的試驗片,在23℃環境下,以夾具間距離100mm,拉伸速度200mm/min,進行拉伸試驗時所測定的破斷延展度,關於在MD方向拉伸時以及在CD方向拉伸時的兩者,為600%以上,相對於進行將上述基材在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的25%伸長時的拉伸應力,進行將上述基材在MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的25%伸長時的拉伸應力的比(R
25%),為1.3以下,相對於進行將上述基材在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的50%伸長時的拉伸應力,進行將上述基材在MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的50%伸長時的拉伸應力的比(R
50%),為1.3以下(發明1)。
上述發明(發明1)相關的工件加工用片,基材為具備上述3層者,並且藉由滿足上述破斷延展度以及拉伸應力的比的條件,成為具有優良延展性者。
在上述發明(發明1)中,以上述表面層、上述中間層以及上述背面層各別含有聚烯烴系樹脂以及熱可塑性彈性體,並且上述表面層以及上述背面層各別含有抗靜電劑為佳(發明2)。
在上述發明(發明2)中,以上述中間層不含有上述抗靜電劑,或是,上述中間層以相較於上述表面層以及上述背面層各別更少的含量(單位:質量%)含有上述抗靜電劑為佳(發明3)。
在上述發明(發明1)中,上述表面層、上述中間層以及上述背面層各別含有聚乙烯,上述中間層中所含有的聚乙烯,以與上述表面層以及上述背面層中所含有的各別的聚乙烯,依JIS K7210-1為基準所測定的熔融流動率(melt flow rate,MFR)為相異為佳(發明4)。
在上述發明(發明1~4)中,以切割片為佳(發明5)。
[發明功效]
本發明相關的工件加工用片具有優良的延展性。
[用以實施發明的形態]
以下,針對本發明的實施形態加以說明。
圖1表示一實施形態相關的工件加工用片的剖面圖。如圖1所示的工件加工用片1具備:基材11,積層在基材11中單面側的黏著劑層12。
上述基材11,如圖1所示,具備:位在相對靠近黏著劑層12處的表面層111,位在相對遠離黏著劑層12處的背面層113,以及位在表面層111與背面層113之間的中間層112。
本實施形態相關的工件加工用片1,針對將基材11裁斷成短邊為15mm的短條狀的試驗片,在23℃環境下,以夾具間距離100mm,拉伸速度200mm/min,進行拉伸試驗時所測定的破斷延展度,關於在MD方向拉伸以及在CD方向拉伸的兩者,為600%以上。
此外,本實施形態相關的工件加工用片1,相對進行將基材11在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的25%伸長時的拉伸應力,進行將基材11在MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的25%伸長時的拉伸應力的比(R
25%),為1.3以下。
再者,本實施形態相關的工件加工用片1,相對於進行將基材11在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的50%伸長時的拉伸應力,進行將上述基材在MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的50%伸長時的拉伸應力的比(R
50%),為1.3以下。
一般而言,工件加工用片為在該片上進行晶圓的切割,接著,藉由紫外線照射,進行黏著劑層的硬化,進一步,在工件加工用片受到延展的狀態進行晶片的撿晶。通常,在上述切割時,也會切進基材。因此,以往的工件加工用片當在進行延展時,成為非常容易破斷者。
然而,本實施形態相關的工件加工用片1,藉由基材11為滿足上述物性者,即使進行如上述之切割後,在延展步驟仍難以發生破斷。特別是,當拉伸應力的比(R
25%)以及拉伸應力的比(R
50%)分為於上述範圍,換言之,藉由在MD方向拉伸時與在CD方向拉伸時的拉伸應力的差變得比較小,對於基材11一部分的應力的集中受到抑制,變得難以破斷。因此,本實施形態相關的工件加工用片1具有優良的延展性。
此外,藉由本實施形態中的基材11為至少具備:表面層111,中間層112以及背面層113的3層者,在確保優良延展性的同時,也成為易於賦予工件加工用片1其他期望的性能者。例如,如下述,藉由使表面層111、背面層113中含有抗靜電劑,可賦予優良的抗靜電性。此外,藉由將表面層111以及背面層113,設計成彈性率比較高,在基材11的製膜時,可抑制對金屬輥的貼附,賦予高製膜性。
1.工件加工用片的構成
(1)基材
本實施形態中的基材11,如上述,具備:表面層111,中間層112以及背面層113。關於此等層的組成,只要基材11成為滿足上述物性者,則無特別限定。
作為構成基材11各層的材料,只要能夠形成此等的層則無特別限定,例如,以使用樹脂為佳。特別是,從實現更良好的延展性,易於抑制切削片的發生的觀點而言,以使用聚烯烴系樹脂,以及熱可塑性彈性體的至少一種當作主要材料為佳。且,表面層111及背面層113,可以是相異的組成,也可以是全部相同的組成。
(1-1)聚烯烴系樹脂
上述聚烯烴系樹脂的具體例,並無特別限定。且,在本說明書中,所謂聚烯烴系樹脂,是指以烯烴當作單體的聚合物或是共聚物,或是烯烴與烯烴以外的分子當作單體的共聚物,聚合後的樹脂中以烯烴單元為基礎的部分的質量比率為1.0質量%以上的樹脂。
構成上述聚烯烴系樹脂的高分子可以是直鏈狀,也可以具有側鏈。此外,該高分子也可以具有芳香環、脂肪族環。
作為構成聚烯烴系樹脂的烯烴單體,可列舉,碳數2~8的烯烴單體、碳數3~18的α-烯烴單體、具有環狀構造的烯烴單體等。作為碳數2~8的烯烴單體,可列舉,乙烯、丙烯、2-丁烯、辛烯等。作為碳數3~18的α-烯烴單體,可列舉,丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十八烯等。作為具有環狀構造的烯烴單體,可列舉,降莰烯、環戊二烯、環己二烯、二環戊二烯以及四環十二烯還有該等的衍生物等。
聚烯烴系樹脂可單獨1種或混合2種以上使用。
上述聚烯烴系樹脂的具體例當中,以使用含有乙烯作為主要聚合單元的聚乙烯以及以含有丙烯作為主要聚合單元的聚丙烯的至少一者為佳。
作為上述聚丙烯,例如,以使用均聚聚丙烯(homo polypropylene)、隨機聚丙烯(random polypropylene)以及嵌段聚丙烯(block polypropylene)為佳。此等可單獨1種或混合2種以上使用。特別是,以使用混合均聚聚丙烯與隨機聚丙烯為佳。
作為上述均聚聚丙烯、隨機聚丙烯以及嵌段聚丙烯,分別可以使用有在販售的市售品。作為均聚聚丙烯的市售品的例子,可列舉,皆為Prime Polymer Co., Ltd.製的商品名「Prime Polypro E111G」、商品名「Prime Polypro E-100GV」、商品名「Prime Polypro E-100GPL」、商品名「Prime Polypro E-200GP」等。作為隨機聚丙烯的市售品的例子,可列舉,皆為Prime Polymer Co., Ltd.製的商品名「Prime Polypro B221WA」、商品名「Prime Polypro B241」、商品名「Prime Polypro E222」、商品名「Prime Polypro E-333GV」等。作為嵌段聚丙烯的市售品的例子,可列舉,皆為Prime Polymer Co., Ltd.製的商品名「Prime Polypro E701G」、商品名「Prime Polypro E702G」、商品名「Prime Polypro E702MG」等。
作為上述聚乙烯,可以是高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯以及直鏈狀低密度聚乙烯的任一種,也可以是此等2種以上的混合物。
特別是,作為上述聚乙烯,以使用低密度聚乙烯為佳,作為其市售品的例子,可列舉,Mitsubishi Chemical Corporation製的商品名「Novatec LL」、Prime Polymer Co., Ltd.製的NEO-ZEX系列、ULTZEX系列等。
此外,上述聚乙烯的熔融流動率(MFR),以1g/10min以上為佳,特別是以2g/10min以上為佳,進一步以3g/10min以上為佳。此外,上述熔融流動率,以10g/10min以下為佳,特別是以9g/10min以下為佳,進一步以8g/10min以下為佳。藉由熔融流動率於此等範圍,本實施形態相關的工件加工用片1變得易於獲得更良好的延展性。且,上述熔融流動率,依JIS K7210:2014為基準,在溫度190℃以及載重2.16kg所測定而得者。
構成基材11的層的任一者含有聚烯烴系樹脂時,該層中的聚烯烴系樹脂的含量,以10質量%以上為佳,特別是以15質量%以上為佳,進一步以20質量%以上為佳。此外,上述含量以100質量%以下為佳,特別是以95質量%以下為佳,進一步以90質量%以下為佳。藉由聚烯烴系樹脂的含量於上述範圍,本實施形態相關的工件加工用片1變得易於獲得更良好的延展性。
且,表面層111、中間層112以及背面層113都含有聚乙烯時,中間層112中所含有的聚乙烯,與表面層111以及背面層113中所含有的各別的聚乙烯,依JIS K7210-1為基準所測定的熔融流動率,以相異為佳。特別是,以中間層112中所含有的聚乙烯的熔融流動率,相較於表面層111以及背面層113中所含有的各別聚乙烯的熔融流動率更大為佳。如此一來,本實施形態相關的工件加工用片1變得易於獲得更良好的延展性。
(1-2)熱可塑性彈性體
作為上述熱可塑性彈性體,可以是上述聚烯烴系樹脂以外者,只要可形成基材11,則無特別限定。作為熱可塑性彈性體的例子,可列舉,例如,烯烴系彈性體、橡膠彈性體、胺基甲酸乙酯系彈性體、苯乙烯系彈性體、丙烯酸系彈性體、氯乙烯系彈性體等。此等可單獨使用,亦可組合2種以上使用。
上述彈性體當中,從易於獲得良好的延展性的觀點而言,以烯烴系彈性體為佳。特別是,以表面層111以及背面層113的至少一者,含有烯烴系彈性體為佳。且,本說明書中,所謂「烯烴系彈性體」,是指含有來自烯烴或其衍生物(烯烴系化合物)的構造單元的共聚物,在包含常溫在內的溫度範圍具有橡膠狀的彈性,並且具有熱可塑性的材料。
作為烯烴系彈性體的例子,可列舉,包含至少1種選自由乙烯・丙烯共聚物、乙烯・α-烯烴共聚物、丙烯・α-烯烴共聚物、丁烯・α-烯烴共聚物、乙烯・丙烯・α-烯烴共聚物、乙烯・丁烯・α-烯烴共聚物、丙烯・丁烯・α-烯烴共聚物以及乙烯・丙烯・丁烯・α-烯烴共聚物所成群組的樹脂者。此等當中,以乙烯・丙烯共聚物為佳。
構成基材11的層的任一者含有烯烴系彈性體時,該層中的烯烴系彈性體的含量,以1質量%以上為佳,特別是以10質量%以上為佳,進一步以15質量%以上為佳。此外,上述含量以90質量%以下為佳,特別是以80質量%以下為佳,進一步以70質量%以下為佳。藉由烯烴系彈性體的含量於上述範圍,本實施形態相關的工件加工用片1變得易於獲得更良好的延展性。
此外,從易於獲得良好的延展性的觀點而言,以使用苯乙烯系彈性體為佳。特別是,以中間層112含有苯乙烯系彈性體為佳。且,在本說明書中,所謂「苯乙烯系彈性體」,是指含有來自苯乙烯或其衍生物(苯乙烯系化合物)的構造單元的共聚物,同時在包括常溫的溫度範圍具有橡膠狀的彈性,且具有熱可塑性的材料。
作為苯乙烯系彈性體,可列舉,苯乙烯-共軛二烯共聚物以及苯乙烯-烯烴共聚物等,當中以苯乙烯-共軛二烯共聚物為佳。作為苯乙烯-共軛二烯共聚物的具體例,可列舉,苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物等的未氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物;苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯共聚物(SEPS:苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物的氫化物)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS:苯乙烯-丁二烯共聚物的氫化物)等的氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物等。苯乙烯系熱可塑性彈性體,雖然可以是氫化物(加氫物)也可以是未氫化物,但以氫化物為佳。上述當中,從易於獲得良好的延展性的觀點而言,以氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物為佳,特別是以苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS)為佳。
苯乙烯系彈性體中的來自苯乙烯或苯乙烯系化合物的構造單元的含量(苯乙烯比率),以1質量%以上為佳,特別是以5質量%以上為佳,進一步以10質量%以上為佳。此外,上述構造單元的含量,從易於達成優良的製膜性的觀點而言,以80質量%以下為佳,特別是以70質量%以下為佳,進一步以60質量%以下為佳。如此一來,變得易於達成優良的延展性。
構成基材11的層的任一者含有苯乙烯系彈性體時,該層中的苯乙烯系彈性體的含量,以1質量%以上為佳,特別是以10質量%以上為佳,進一步以15質量%以上為佳。此外,上述含量以90質量%以下為佳,特別是以80質量%以下為佳,進一步以70質量%以下為佳。藉由苯乙烯系彈性體的含量於上述範圍,本實施形態相關的工件加工用片1變得易於獲得更良好的延展性。
(1-3)抗靜電劑
構成基材11的各層,以更含有抗靜電劑為佳。特別是以表面層111以及背面層113各別含有抗靜電劑為佳。如此一來,本實施形態相關的工件加工用片1變得易於具有優良的抗靜電性,可良好地抑制從工件加工用片1將剝離片、工件進行分離時的剝離靜電。
且,雖然中間層112亦可含有抗靜電劑,但從易於控制切割時的切削片的發生的觀點而言,以中間層112不含有抗靜電劑,或是,中間層112以相較於表面層111以及背面層113各別更少的含量(單位:質量%)含有抗靜電劑為佳。藉此,由於不含有抗靜電劑,或其含量較少的中間層112存在於表面層111與背面層113之間,當切割時,切割刃到達中間層112時,可良好地抑制來自中間層112的切削片的發生。
本實施形態中的抗靜電劑並無特別限定,可使用已知者。作為抗靜電劑的例子,雖然可列舉,低分子型抗靜電劑、高分子型抗靜電劑等,但從易於控制切削片的發生,又,從來自表面層111、背面層113的滲出(bleed out)難以發生的觀點而言,以高分子型抗靜電劑為佳。
作為高分子型抗靜電劑,可列舉,聚醚酯醯胺、聚醚聚烯烴嵌段共聚物等、具有聚醚單元的共聚物,於此等共聚物中也可以包含鹼金屬鹽、鹼土類金屬鹽等的金屬鹽、離子液體等。
表面層111中的抗靜電劑的含量,以3質量%以上為佳,特別是以5質量%以上為佳,進一步以10質量%以上為佳。藉由抗靜電劑的含量為3質量%以上,變得易於發揮良好的抗靜電性。此外,表面層111中的抗靜電劑的含量,以40質量%以下為佳,特別是以35質量%以下為佳,進一步以30質量%以下為佳。藉由抗靜電劑的含量為40質量%以下,變得易於控制切削片的發生。
背面層113中的抗靜電劑的含量,以10質量%以上為佳,特別是以20質量%以上為佳,進一步以30質量%以上為佳。藉由抗靜電劑的含量為10質量%以上,變得易於發揮良好的抗靜電性。此外,背面層113中的抗靜電劑的含量,以50質量%以下為佳,特別是以45質量%以下為佳,進一步以40質量%以下為佳。藉由抗靜電劑的含量為50質量%以下,變得易於控制切削片的發生。
且,如上述,以中間層112不含有抗靜電劑,或中間層112以相較於表面層111以及背面層113各別更少的含量(單位:質量%)含有抗靜電劑為佳。中間層112含有抗靜電劑時,中間層112中的抗靜電劑的含量,以10質量%以下為佳,特別是以5質量%以下為佳,進一步以3質量%以下為佳。藉由中間層112中的抗靜電劑的含量為5質量%以下,變得易於控制切削片的發生。且,作為上述含量的下限値,例如,可以是0.01質量%以上。
(1-4)酸改質樹脂
構成基材11的各層,以也含有酸改質樹脂為佳。特別是以表面層111含有酸改質樹脂為佳。在本說明書中,所謂「酸改質樹脂」,是指在來自酸成分的構造加成於高分子鏈者。來自酸成分的構造,可以成為酸酐的形態,也可以是具有羧基者。藉由表面層111含有如上述的酸改質樹脂,基材11與黏著劑層12間的密著性提升,可抑制在撿晶時有黏著劑殘留在晶片側。
作為酸改質樹脂的主鏈,較佳可列舉,例如,乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的乙烯-丙烯酸系共聚物。根據相關樹脂,表面層111與黏著劑層12間的密著性變得易於提升。且,在本說明書中,(甲基)丙烯酸是指丙烯酸及甲基丙烯酸兩者。其他類似用語亦相同。
作為上述(甲基)丙烯酸酯,以烷基的碳數為1~4的(甲基)丙烯酸烷基酯為佳。較佳可列舉,例如,(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯等。當中,以(甲基)丙烯酸乙酯為更佳,特別是以丙烯酸乙酯為佳。
表面層111含有酸改質樹脂時,表面層111中的酸改質樹脂的含量,以5質量%以上為佳,特別是以10質量%以上為佳。如此一來,表面層111與黏著劑層12間的密著性更加提升。此外,該含量以30質量%以下為佳,特別是以25質量%以下為佳,進一步以20質量%以下為佳。如此一來,變得易於滿足上述物性。
(1-5)其他成分
構成基材11的層,亦可含有上述成分以外的其他成分。特別是,該樹脂組合物中,亦可含有一般工件加工用片的基材中可使用的成分。
作為此類成分的例子,可列舉,阻燃劑、塑化劑、潤滑劑、抗氧化劑、著色劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、離子捕捉劑等的各種添加劑。作為此等添加劑的含量,雖然無特別限定,但以在基材能發揮期望的機能的範圍為佳。
(1-6)基材的表面處理
在基材11中的積層有黏著劑層12的面上,為了提高與該黏著劑層12的密著性,可實施底塗處理、電暈處理、電漿處理、粗糙化處理(鈍面處理)等的表面處理。作為粗糙化處理,可列舉,例如,壓紋加工法、噴砂加工法等。此等當中,以實施電暈處理為佳。
(1-7)基材的製法
本實施形態中的基材11的製造方法並無特別限定,可使用例如,T模法、圓模法等的熔融擠出法;壓延法;乾式法、濕式法等的溶液法等。此等當中,從效率良好地製造基材的觀點而言,以採用熔融擠出法為佳,特別是以採用T模法為佳。
此外,藉由熔融擠出法製造基材11時,將構成各層的成分各別混練,由所得的混練物直接,或製造成暫時的錠粒時,使用習知的擠出機,同時擠出複數層進行製膜。
(1-8)基材的物性
本實施形態中的基材11,如上述,針對將基材11裁斷成短邊為15mm的短條狀而成的試驗片,在23℃環境下,以夾具間距離100mm,拉伸速度200mm/min進行拉伸試驗時所測定的破斷延展度,關於在MD方向拉伸時以及在CD方向拉伸時的兩者,為600%以上。
在此,從易於達成更優良的延展性的觀點而言,上述破斷延展度,關於在MD方向拉伸以及在CD方向拉伸的兩者,特別是以650%以上為佳,進一步以700%以上為佳。且,關於上述破斷延展度的上限値並無特別限定,例如,關於在MD方向拉伸以及在CD方向拉伸的兩者,可以是1000%以下,特別是可以是800%以下。
此外,從易於達成更優良的延展性的觀點而言,將上述試驗片在MD方向拉伸時的破斷延展度,以650%以上為佳,進一步以700%以上為佳,特別是以800%以上為佳。且,關於該破斷延展度的上限値並無特別限定,例如,可以是1000%以下,特別也可以是800%以下。
再者,從易於達成更優良的延展性的觀點而言,將上述試驗片在CD方向拉伸時的破斷延展度,以650%以上為佳,進一步以700%以上為佳,特別是以800%以上為佳。且,關於該破斷延展度的上限値並無特別限定,例如,可以是1000%以下,特別也可以是800%以下。
且,以上的破斷延展度的測定方法的詳細情形如下述試驗例中所記載。
此外,本實施形態中的基材11,如上述,相對於進行將基材11在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的25%伸長時的拉伸應力,進行將基材11在MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的25%伸長時的拉伸應力的比(R
25%),為1.3以下。
在此,從易於達成更優良的延展性的觀點而言,上述拉伸應力的比(R
25%),以1.25以下為佳,特別是以1.2以下為佳。且,關於上述拉伸應力的比(R
25%)的下限値並無特別限定,例如,可以是0.8以上,特別也可以是0.9以上。
此外,本實施形態中的基材11,如上述,相對於進行將基材11在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的50%伸長時的拉伸應力,進行將基材11在MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的50%伸長時的拉伸應力的比(R
50%),為1.3以下。
在此,從易於達成更優良的延展性的觀點而言,上述拉伸應力的比(R
50%),以1.25以下為佳,特別是以1.2以下為佳。且,關於上述拉伸應力的比(R
50%)的下限値並無特別限定,例如,可以是0.8以上,特別也可以是0.9以上。
此外,從易於達成進一步更優良的延展性的觀點而言,相對於進行將基材11在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的10%伸長時的拉伸應力,進行將基材11在MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的10%伸長時的拉伸應力的比(R
10%),以1.5以下為佳,特別是以1.4以下為佳,進一步以1.3以下為佳。且,關於上述拉伸應力的比(R
10%)的下限値並無特別限定,例如,可以是0.8以上,特別也可以是0.9以上。
此外,進行將基材11在其MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的10%伸長時的拉伸應力,以6.5MPa以上為佳,特別是以8MPa以上為佳,進一步以10MPa以上為佳。此外,上述拉伸應力以20MPa以下為佳,特別是以15MPa以下為佳,進一步以13MPa以下為佳。藉由上述拉伸應力於此等範圍,變得易於滿足上述拉伸應力的比(R
10%)。
此外,進行將基材11在其MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的25%伸長時的拉伸應力,以7MPa以上為佳,特別是以9MPa以上為佳,進一步以10MPa以上為佳。此外,上述拉伸應力以20MPa以下為佳,特別是以15MPa以下為佳,進一步以13MPa以下為佳。藉由上述拉伸應力於此等範圍,變得易於滿足上述拉伸應力的比(R
25%)。
此外,進行將基材11在其MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的50%伸長時的拉伸應力,以8MPa以上為佳,特別是以9MPa以上為佳,進一步以10MPa以上為佳。此外,上述拉伸應力以20MPa以下為佳,特別是以15MPa以下為佳,進一步以13MPa以下為佳。藉由上述拉伸應力於此等範圍,變得易於滿足上述拉伸應力的比(R
50%)。
此外,進行將基材11在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的10%伸長時的拉伸應力,以6.5MPa以上為佳,特別是以7MPa以上為佳,進一步以10MPa以上為佳。此外,上述拉伸應力以20MPa以下為佳,特別是以15MPa以下為佳,進一步以13MPa以下為佳。藉由上述拉伸應力於此等範圍,變得易於滿足上述拉伸應力的比(R
10%)。
此外,進行將基材11在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的25%伸長時的拉伸應力,以7MPa以上為佳,特別是以8MPa以上為佳,進一步以10MPa以上為佳。此外,上述拉伸應力以20MPa以下為佳,特別是以15MPa以下為佳,進一步以13MPa以下為佳。藉由上述拉伸應力於此等範圍,變得易於滿足上述拉伸應力的比(R
25%)。
此外,進行將基材11在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的50%伸長時的拉伸應力,以7.5MPa以上為佳,特別是以7MPa以上為佳,進一步以10MPa以上為佳。此外,上述拉伸應力以20MPa以下為佳,特別是以15MPa以下為佳,進一步以13MPa以下為佳。藉由上述拉伸應力於此等範圍,變得易於滿足上述拉伸應力的比(R
50%)。
且,以上的拉伸應力的測定方法的詳細情況如下述試驗例中所記載。
(1-9)基材的各層的厚度
本實施形態中的表面層111的厚度,以1μm以上為佳,特別是以2μm以上為佳,進一步以4μm以上為佳。此外,表面層111的厚度以10μm以下為佳,特別是以8μm以下為佳,進一步以4μm以下為佳。藉由表面層111的厚度於上述範圍,工件加工用片1變得易於達成優良的延展性,並且易於賦予工件加工用片1期望的性能。
本實施形態中的中間層112的厚度,以40μm以上為佳,特別是以50μm以上為佳,進一步以60μm以上為佳。此外,中間層112的厚度以100μm以下為佳,特別是以90μm以下為佳,進一步以80μm以下為佳。藉由中間層112的厚度於上述範圍,工件加工用片1變得易於達成優良的延展性,並且易於賦予工件加工用片1期望的性能。
本實施形態中的背面層113的厚度,以2μm以上為佳,特別是以4μm以上為佳,進一步以8μm以上為佳。此外,背面層113的厚度以40μm以下為佳,特別是以30μm以下為佳,進一步以25μm以下為佳。藉由背面層112的厚度於上述範圍,工件加工用片1變得易於達成優良的延展性,並且易於賦予工件加工用片1期望的性能。
(2)黏著劑層
作為構成本實施形態中的黏著劑層12的黏著劑,只要能夠發揮對於被附著物充分的黏著力(特別是,用於進行工件的加工變得充分般的對工件黏著力),並無特別限制。作為構成黏著劑層12的黏著劑的例子,可列舉,丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、矽酮系黏著劑、氨酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等。此等當中,從易於發揮期望的黏著力的觀點而言,以使用丙烯酸系黏著劑為佳。
構成本實施形態中的黏著劑層12的黏著劑,雖然可以是不具有活性能量線硬化性的黏著劑,但是以具有活性能量線硬化性的黏著劑(以下,有時稱為「活性能量線硬化性黏著劑」)為佳。藉由黏著劑層12為由活性能量線硬化性黏著劑所構成者,藉著活性能量線的照射使黏著劑層12硬化,可易於降低工件加工用片1的對被附著物的黏著力。特別是,藉著活性能量線的照射,可容易的將加工後的工件由該工件加工用片1進行分離。
作為構成黏著劑層12的活性能量線硬化性黏著劑,可以是以具有活性能量線硬化性的聚合物當作主成分者,也可以是以活性能量線非硬化性聚合物(不具有活性能量線硬化性的聚合物)與具有至少1個以上的活性能量線硬化性基的單體及/或寡聚物的混合物當作主成分者。此外,活性能量線硬化性黏著劑也可以是具有活性能量線硬化性的聚合物,與具有至少1個以上的活性能量線硬化性基的單體及/或寡聚物的混合物。
上述具有活性能量線硬化性的聚合物,以在側鏈被導入具有活性能量線硬化性的官能基(活性能量線硬化性基)的(甲基)丙烯酸酯聚合物(以下,有時稱為「活性能量線硬化性聚合物」)為佳。此活性能量線硬化性聚合物,以使具有含有官能基的單體單元的丙烯酸系聚合物,與具有鍵結在其官能基的官能基的含不飽和基化合物反應而得者為佳。且,在本說明書中,(甲基)丙烯酸是指丙烯酸酸以及甲基丙烯酸兩者的意思。其他的類似用語亦相同。再者,「聚合物」為亦包括「共聚物」的概念者。
上述具有含有官能基的單體單元的丙烯酸系聚合物也可以是使含官能基的單體,連同其他單體聚合而成者。作為此類含官能基的單體以及其他單體,還有上述含不飽和基化合物,可使用習知者,例如,可使用國際公開第2018/084021號中所揭示者。
上述活性能量線硬化性聚合物的重量平均分子量,以1萬以上為佳,特別是以15萬以上為佳,進一步以20萬以上為佳。此外,該重量平均分子量以150萬以下為佳,特別是以100萬以下為佳。且,本說明書中的重量平均分子量(Mw),為藉由凝膠滲透層析法(GPC法)所測定的換算標準聚苯乙烯的値。
作為上述活性能量線非硬化性聚合物成分,例如,可使用含不飽和基化合物經反應之前的上述丙烯酸系聚合物。
作為上述活性能量線非硬化性聚合物成分的丙烯酸系聚合物的重量平均分子量,以1萬以上為佳,特別是以15萬以上為佳,進一步以20萬以上為佳。此外,該重量平均分子量以150萬以下為佳,特別是以100萬以下為佳。
此外,作為上述具有至少1個以上的活性能量線硬化性基的單體及/或寡聚物,例如,可使用多元醇與(甲基)丙烯酸的酯等。
且,使用紫外線作為用以使活性能量線硬化性黏著劑硬化的活性能量線的時,對於該黏著劑,以添加光聚合起始劑為佳。此外,該黏著劑中,亦可添加活性能量線非硬化性聚合物成分或寡聚物成分、交聯劑等。
本實施形態中的黏著劑層12的厚度,以1μm以上為佳,特別是以3μm以上為佳,進一步以5μm以上為佳。此外,黏著劑層12的厚度以70μm以下為佳,特別是以30μm以下為佳,進一步以15μm以下為佳。藉由黏著劑層12的厚度於上述範圍,本實施形態相關的工件加工用片1變得易於發揮期望的黏著性。
(3)剝離片
本實施形態相關的工件加工用片1,亦可在將黏著劑層12中與基材11相反側的面(以下,有時稱為「黏著面」)貼附至工件為止的期間,以保護該面為目的,在該面積層剝離片。
上述剝離片的構成為任意,舉例將塑膠膜藉由剝離劑等進行剝離處理者。作為該塑膠膜的具體例,可列舉,聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯膜,以及聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴膜。作為上述剝離劑,可使用矽酮系、氟系、長鏈烷基系等,此等當中,以便宜且可獲得穩定性能的矽酮系為佳。
關於上述剝離片的厚度並無特別限制,例如,可以是16μm以上,250μm以下。
(4)其他
本實施形態相關的工件加工用片1,亦可在黏著劑層12中與基材11相反側的面積層接著劑層。此時,本實施形態相關的工件加工用片1,可作為切割・晶粒黏合片使用。該片為在接著劑層中與黏著劑層12相反側的面上貼附工件,藉由切割該工件連同接著劑層,可獲得經個片化的積層有接著劑層的晶片。該晶片藉由這種經個片化的接著劑層,變得容易對搭載有該晶片搭載的對象進行固定。作為上述構成接著劑層的材料,以使用含有熱可塑性樹脂及低分子量的熱硬化性接著成分者、含有B階段(半硬化狀)的熱硬化型接著成分者等為佳。
此外,本實施形態相關的工件加工用片1,亦可在黏著劑層12中的黏著面積層保護膜形成層。此時,本實施形態相關的工件加工用片1,可作為保護膜形成兼切割用片使用。此類的片為藉由在保護膜形成層中與黏著劑層12相反側的面上貼附工件,切割該工件連同保護膜形成層,可獲得經個片化的基層有保護膜形成層的晶片。作為該工件,以使用在單面上形成有迴路者為佳,此時,通常,在與形成有該迴路的面相反側的面上積層保護膜形成層。經個片化的保護膜形成層,藉由在特定的時機使其硬化,可形成具有充分耐久性的保護膜於晶片上。保護膜形成層以由未硬化的硬化性接著劑所形成為佳。
2.工件加工用片的製造方法
本實施形態相關的工件加工用片1的製造方法並無特別限定。例如,以在剝離片上形成黏著劑層12後,藉由在該黏著劑層12中與剝離片相反側的面積層基材11的單面,而獲得工件加工用片1為佳。
上述黏著劑層12的形成,可藉由已知的方法進行。例如,調製含有用以形成黏著劑層12的黏著性組合物,以及依照需要進一步含有溶媒或分散媒的塗佈液。然後,在具有剝離片的剝離性的面(以下,有時稱為「剝離面」)塗佈上述塗佈液。接著,藉由使所得的塗膜乾燥,可形成黏著劑層12。
上述塗佈液的塗佈可藉由已知的方法進行,例如,可藉由桿塗佈法、刀式塗佈法、輥塗佈法、翼片塗佈法、模具塗佈法、凹版塗佈法等進行。且,塗佈液只要是可進行塗佈的話,其特性並無特別限定,所含有的用以形成黏著劑層12的成分有時會作為溶質,有時會作為分散質。此外,剝離片亦可作為製程材料進行剝離,亦可在貼附至被附著物為止的期間,保護黏著劑層12。
用以形成黏著劑層12的黏著性組合物含有上述交聯劑時,藉由變更上述乾燥的條件(溫度、時間等),或藉由額外設置加熱處理,使塗膜內的聚合物成分與交聯劑進行交聯反應,於黏著劑層12內以期望的存在密度形成交聯構造為佳。再者,為了使上述交聯反應充分地進行,於黏著劑層12與基材11貼合後,例如,亦可在23℃,相對溼度50%的環境中靜置數日期間,進行所謂的熟成。
3.工件加工用片的使用方法
本實施形態相關的工件加工用片1,可使用在用於半導體晶圓等的工件的加工。換言之,本實施形態相關的工件加工用片1的黏著面貼附在工件,可在工件加工用片1上進行工件的加工。對應該加工,本實施形態相關的工件加工用片1可作為背面研磨片、切割片、延展片、撿晶片等使用。在此,作為工件的例子,可列舉,半導體晶圓、半導體封裝等的半導體構件、玻璃板等的玻璃構件。
本實施形態相關的工件加工用片1,如上述,顯示優良的延展性。因此,本實施形態相關的工件加工用片1,即使在上述工件加工用片當中,特別適合作為切割片、延展片或撿晶片使用。
且,本實施形態相關的工件加工用片1具備上述接著劑層時,該工件加工用片1可作為切割・晶粒黏合片使用。再者,本實施形態相關的工件加工用片1具備上述保護膜形成層時,該工件加工用片1可作為保護膜形成兼切割用片使用。
此外,本實施形態相關的工件加工用片1中的黏著劑層12為由上述活性能量線硬化性黏著劑所構成時,在使用的時刻,以如下所述的活性能量線的照射為佳。換言之,在工件加工用片1上完成工件的加工,將加工後的工件從工件加工用片1分離時,在該分離之前以對黏著劑層12照射活性能量線為佳。藉此,黏著劑層12硬化,對加工後的工件的黏著片的黏著力良好地降低,加工後的工件的分離變得容易。
以上說明的實施形態,為用於本發明的理解所記載者,並非用以限定本發明。因此,上述實施形態中所揭示的各要素,其主旨為包括本發明所屬技術範圍中全部的設計變更、均等物。
例如,本實施形態相關的工件加工用片1中的基材11與黏著劑層12之間,或基材11中與黏著劑層12相反側的面上,亦可積層其他的層。此外,表面層111中與中間層112相反側的面,表面層111與中間層112之間,中間層112與背面層113之間,以及背面層113中與中間層112相反側的面,亦可分別積層其他的層。
[實施例]
以下,雖然藉由實施例等進一步具體說明本發明,但本發明的範圍並不限定於此等實施例等。
[實施例1]
(1)基材的製作
將隨機聚丙烯樹脂(Japan Polypropylene Corporation製,商品名「Novatec FX3B」)45質量份,烯烴系熱可塑性彈性體(Japan Polypropylene Corporation製,商品名「WELNEX RFX4V」)16質量份,酸改質樹脂(SK functional polymer公司製,商品名「BONDINE LX4110」,丙烯酸乙酯含量:5質量%,酸成分量:3質量%)15質量份,以及抗靜電劑(三洋化成公司製,商品名「PELECTRON PVH」)25質量份,使其各別乾燥後,藉由於雙軸混鍊機進行混鍊,獲得表面層用的錠粒。
此外,隨機聚丙烯樹脂(Japan Polypropylene Corporation製,商品名「Novatec FX3B」)28質量份,烯烴系熱可塑性彈性體(Japan Polypropylene Corporation製,商品名「WELNEX RFX4V」)39質量份,以及苯乙烯系熱可塑性彈性體(旭化成公司製,商品名「TUFTEC H1041」,苯乙烯・乙烯/丁烯・苯乙烯共聚物,苯乙烯比率:30wt%)33質量,使其各別乾燥後,藉由於雙軸混鍊機進行混鍊,獲得中間層用錠粒。
進一步,將烯烴系熱可塑性彈性體(Japan Polypropylene Corporation製,商品名「WELNEX RFX4V」)70質量份,以及抗靜電劑(三洋化成公司製,商品名「PELECTRON PVH」)30質量份,使其各別乾燥後,藉由於雙軸混鍊機進行混鍊,獲得背面層用的錠粒。
使用如上述所獲得的3種錠粒,藉由小型T模擠出機(東洋精機製作所公司製,商品名「LABO PLASTOMILL」)進行共擠出成形(coextrusion molding),獲得依序積層厚度4μm的表面層,厚度64μm的中間層,厚度12μm的背面層而成的3層構造的基材。
(2)黏著性組合物的調製
將丙烯酸正丁酯62質量份,甲基丙烯酸甲酯10質量份,丙烯酸2-羥乙酯28質量份,藉由溶液聚合法使其聚合,獲得(甲基)丙烯酸酯聚合物。接著,添加相當於相對構成上述(甲基)丙烯酸酯聚合物的丙烯酸2-羥乙酯80莫耳%的量的2-異氰酸甲基丙烯醯氧乙基酯(methacryloyloxyethyl isocyanate,MOI)的同時,將作為含錫觸媒的二月桂酸二丁基錫(dibutyltin dilaurate,DBTDL),相對於上述(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份,以0.13質量份的量添加。之後,藉由在50℃使其反應24小時,獲得在側鏈導入有活性能量線硬化性基的(甲基)丙烯酸酯聚合物。該活性能量線硬化型聚合物的重量平均分子量,藉由下述方法進行測定後,為50萬。
將上述所得的於側鏈導入有活性能量線硬化性基的(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份(換算固形份,以下相同),作為光聚合起始劑的2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苯甲基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮(BASF公司製,商品名「Omnirad 127」)2質量份,作為交聯劑的三羥甲基丙烷改質甲苯二異氰酸酯(東曹股份有限公司製,商品名「Coronate L」)1質量份於溶媒中進行混合,獲得黏著性組合物的塗佈液。
(3)黏著劑層的形成
對於在厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜的單面上由矽酮系的剝離劑層形成而成的剝離片(LINTEC Corporation製,商品名「SP-PET381031」)的剝離面,塗佈上述步驟(2)所得的黏著性組合物的塗佈液,藉由加熱使其乾燥,獲得於剝離片上,形成厚度5μm的黏著劑層而成的積層體。
(4)黏著片的製作
藉由在上述步驟(1)所得的基材中的表面層側的面上實施電暈處理後,將該電暈處理面與上述步驟(3)所得的積層體中的黏著劑層側的面貼合,獲得工件加工用片。
在此,上述重量平均分子量(Mw)為使用凝膠滲透層析儀(GPC),在以下的條件所測定(GPC測定)的換算標準聚苯乙烯的重量平均分子量。
<測定條件>
・測定裝置:東曹股份有限公司製,HLC-8320
・GPC管柱(依以下的順序通過):東曹股份有限公司製
TSK gel super H-H
TSK gel super HM-H
TSK gel super H2000
・測定溶媒:四氫呋喃
・測定溫度:40℃
[實施例2]
將作為表面層以及背面層用的樹脂的低密度聚乙烯(宇部興產公司製,商品名「F244N」,熔融流動率:2g/10min)以及作為中間層用的樹脂的低密度聚乙烯(宇部興產公司製,商品名「F522A」,低密度聚乙烯,熔融流動率:5g/10min),藉由小型T模擠出機(東洋精機製作所公司製,商品名「LABO PLASTOMILL」)進行共擠出成形,獲得依序積層厚度21μm的表面層,厚度28μm的中間層,厚度21μm的背面層而成的3層構造的基材。除了使用該基材以外,其餘與實施例1同樣地獲得工件加工用片。
[實施例3]
將隨機聚丙烯樹脂(Japan Polypropylene Corporation製,商品名「Novatec FX3B」)28質量份,烯烴系熱可塑性彈性體(Japan Polypropylene Corporation製,商品名「WELNEX RFX4V」)45質量份,以及抗靜電劑(三洋化成公司製,商品名「PELECTRON PVH」)30質量份,使其各別乾燥後,藉由於雙軸混鍊機進行混鍊,獲得表面層用的錠粒。
此外,將隨機聚丙烯樹脂(Japan Polypropylene Corporation製,商品名「Novatec FX3B」)38質量份,以及烯烴系熱可塑性彈性體(Japan Polypropylene Corporation製,商品名「WELNEX RFX4V」)62質量份,使其各別乾燥後,藉由於雙軸混鍊機進行混鍊,獲得中間層用錠粒。
進一步,將烯烴系熱可塑性彈性體(Japan Polypropylene Corporation製,商品名「WELNEX RFX4V」)65質量份,以及抗靜電劑(三洋化成公司製,商品名「PELECTRON PVH」)35質量份,使其各別乾燥後,藉由於雙軸混鍊機進行混鍊,獲得背面層用的錠粒。
使用如上述所得的3種錠粒,藉由小型T模擠出機(東洋精機製作所公司製,商品名「LABO PLASTOMILL」)進行共擠出成形,獲得依序積層厚度4μm的表面層,厚度68μm的中間層,厚度8μm的背面層而成的3層構造的基材。除了使用該基材以外,其餘與實施例1同樣地獲得工件加工用片。
[比較例1]
將乙烯・甲基丙烯酸共聚物(EMAA)(Dow-Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製,商品名「NUCREL N0903HC」),藉由小型T模擠出機(東洋精機製作所公司製,商品名「LABO PLASTOMILL」)擠出成形,獲得厚度80μm的EMAA膜。除了將該EMAA膜作為基材使用以外,其餘與實施例1同樣地獲得工件加工用片。
[比較例2]
對於與比較例1同樣地製作的EMAA膜的單面,以下述條件進行電子射線照射。除了使用此電子射線照射後的EMAA膜作為基材,同時對該基材中的進行電子射線照射的面,積層黏著劑層以外,其餘與實施例1同樣地獲得工件加工用片。
電子射線照射的照射條件
照射量:110kGy
照射次數:1次
累積照射量:110kGy
[試驗例1](破斷延展度的測定)
將在實施例以及比較例所製作的基材裁斷成15mm×150mm的試驗片。此時, 150mm的邊與基材的MD方向(基材製造時的流向)呈平行,且,15mm的邊以與基材的CD方向(與上述MD方向垂直的方向)呈平行的方式進行裁斷 (以下,該試驗片有時稱為「MD方向試驗片」)。然後,針對該MD方向試驗片,以JIS K7127:1999為準測,測定破斷延展度。
具體而言,將MD方向試驗片以拉伸測試機(島津製作所製,商品名「Autograph AG-X plus 100N」),設定為夾具間距離100mm後,在23℃環境下,以200mm/min的速度,於基材的長邊方向(MD方向)拉伸試驗片進行拉伸試驗,測定破斷延展度(%)。其結果,作為MD方向相關的破斷延展度表示於表2中。
此外,藉由除了將MD方向與CD方向交換以外,其餘與上述同樣裁斷基材,獲得試驗片(以下,該試驗片有時稱為「CD方向試驗片」)。然後,亦針對該CD方向試驗片,與上述同樣地測定破斷延展度(%)。其結果,作為CD方向相關的破斷延展度表示於表2中。
[試驗例2](拉伸應力以及其比的測定)
針對與試驗例1同樣地製作的MD方向試驗片,以JIS K7127:1999為基準,使用拉伸測試機(島津製作所製,商品名「Autograph AG-X plus 100N」),夾具間距離成為100mm,在23℃環境下,以200mm/min的速度,進行將MD方向試驗片於長邊方向(MD方向)拉伸的拉伸試驗,測定拉伸延展度(%)從0%上升至150%為止時的拉伸應力(MPa)的變動。然後,紀錄拉伸延展度(%)在10%,25%以及50%的伸長時的拉伸應力(MPa)。此等的拉伸應力作為MD方向相關的拉伸應力表示於表2中。
進一步,針對與試驗例1同樣地製作的CD方向試驗片,與上述同樣地,進行在長辺方向(CD方向)拉伸的拉伸試驗,測定拉伸延展度(%)從0%上升至150%為止時的拉伸應力(MPa)的變動。然後,紀錄拉伸延展度(%)在10%,25%以及50%的伸長時的拉伸應力(MPa)。此等的拉伸應力作為CD方向相關的拉伸應力表示於表2中。
然後,計算出相對於10%伸長時在CD方向相關的拉伸應力,10%伸長時在MD方向相關的拉伸應力的比(R
10%)。同樣地,計算出關於25%伸長時的拉伸應力的比(R
25%)以及關於50%伸長時的拉伸應力的比(R
50%)。此等結果亦表示於表2中。
[試驗例3](延展性的評價)
使用研磨機(Disco Corporation製,商品名「DFG8540」),研磨6英吋矽晶圓的單面,至厚度成為350μm為止。對於該研磨面,使用貼合機,貼附從實施例以及比較例所製造的工件加工用片將剝離片剝離後所露出的黏著劑層的露出面。
自貼附起20分鐘後,使用切割裝置(Disco Corporation製,商品名「DFD6362」),藉由在以下的切割條件進行切割,將矽晶圓進行個片化成為晶片。
切割條件
晶片尺寸:5mm×5mm
切割高度
Z1:0.135mm
Z2:0.060mm
刀刃:以下的Z1以及Z2,皆Disco Corporation製
Z1:商品名「ZH05-SD3000-50DD」
Z2:商品名「NBC-SD3000-50BB」
刀刃轉速
Z1:30000rpm
Z2:45000rpm
切削速度:20mm/sec
切削水量:1.0L/min
切削水溫度:20℃
隨後,使用紫外線照射裝置(LINTEC Corporation製,商品名「RAD-2000」),對於工件加工用片的黏著劑層,透過基材,在氮氣環境氣體下照射紫外線(光量160mJ/cm
2),使黏著劑層硬化。
隨後,藉由將切割所獲得的晶片以及貼附在環形框架的工件加工用片,設置在延展裝置(Hugle Electronics Inc.製,商品名「HS-1840」),將環形框架以1mm/sec的速率,進行拉扯至工件加工用片破斷為止。然後,紀錄破斷時的拉扯量(mm)。且,關於即使到達裝置的拉扯界限(80mm)仍未破斷者,紀錄為「>80mm」。進一步,根據以下的基準,評價延展性。破斷時的拉扯量以及評價結果表示於表2中。
〇:破斷時的拉扯量為20mm以上。
×:破斷時的拉扯量未達20mm。
[表1]
實施例1 | 實施例2 | 實施例3 | 比較例1 | 比較例2 | ||||
各層的厚度(表面層/中間層/背面層)(μm) | 4/64/12 | 21/28/21 | 4/68/8 | 單層 80μm | 單層 80μm | |||
組成(質量份) | 表面層 | 聚丙烯 | NOVATEC FX3B(Japan Polypropylene Corporation製) | 45 | - | 28 | NUCREL N0903HC (DOW-MITSUI POLYCHEMICALS CO.,LTD.製) (EMAA單層) | NUCREL N0903HC (DOW-MITSUI POLYCHEMICALS CO.,LTD.製) (EMAA單層EB1次) |
烯烴系 熱可塑性彈性體 | WELNEX RFX4V(Japan Polypropylene Corporation製) | 16 | - | 42 | ||||
酸改質樹脂 | BONDINE LX4110(SK functional polymer公司製) | 15 | - | - | ||||
抗靜電劑 | PELECTRON PVH(三洋化成公司製) | 25 | - | 30 | ||||
聚乙烯 | F244N(宇部興產公司製) | - | 100 | - | ||||
中間層 | 聚丙烯 | NOVATEC FX3B(Japan Polypropylene Corporation製) | 28 | - | 38 | |||
烯烴系 熱可塑性彈性體 | WELNEX RFX4V(Japan Polypropylene Corporation製) | 39 | - | 62 | ||||
苯乙烯 熱可塑性彈性體 | TUFTEC H1041(旭化成公司製) | 33 | - | - | ||||
聚乙烯 | F522A(宇部興產公司製) | - | 100 | - | ||||
背面層 | 烯烴系 熱可塑性彈性體 | WELNEX RFX4V(Japan Polypropylene Corporation製) | 70 | - | 65 | |||
抗靜電劑 | PELECTRON PVH(三洋化成公司製) | 30 | - | 35 | ||||
聚乙烯 | F244N(宇部興產公司製) | - | 100 | - |
[表2]
破斷延展度(%) | 拉伸應力(MPa) | 拉伸應力的比 | 延展性 | ||||||||||
MD方向 | CD方向 | 破斷時的拉扯量(mm) | 評價 | ||||||||||
MD方向 | CD方向 | 10%伸長 時 | 25%伸長 時 | 50%伸長 時 | 10%伸長 時 | 25%伸長 時 | 50%伸長 時 | R 10% | R 25% | R 50% | |||
實施例1 | 703 | 670 | 9.3 | 9.9 | 8.9 | 7.4 | 8.3 | 7.8 | 1.26 | 1.19 | 1.14 | >80 | ○ |
實施例2 | 667 | 705 | 7.2 | 7.9 | 8.8 | 7.0 | 7.4 | 7.9 | 1.03 | 1.07 | 1.11 | 25 | ○ |
實施例3 | 702 | 673 | 12.8 | 13.2 | 11.1 | 11.7 | 12.2 | 10.7 | 1.09 | 1.08 | 1.04 | >80 | ○ |
比較例1 | 432 | 590 | 9.4 | 12.1 | 14.9 | 8.2 | 9.1 | 9.2 | 1.15 | 1.33 | 1.62 | 15 | × |
比較例2 | 395 | 578 | 9.9 | 13.1 | 16.5 | 8.6 | 9.7 | 9.6 | 1.15 | 1.35 | 1.72 | 13 | × |
由表2可清楚得知,於實施例所製造的工件加工用片,顯示優良的延展性。
[產業利用性]
本發明的工件加工用片能夠適用於半導體晶圓等的工件的加工。
1:工件加工用片
11:基材
111:表面層
112:中間層
113:背面層
12:黏著劑層
[圖1]為本發明一實施形態相關的工件加工用片的剖面圖。
1:工件加工用片
11:基材
111:表面層
112:中間層
113:背面層
12:黏著劑層
Claims (5)
- 一種工件加工用片,為具備:基材以及積層在上述基材中的單面側的黏著劑層的工件加工用片, 上述基材具備:位在相對靠近上述黏著劑層處的表面層,位在相對遠離上述黏著劑層處的背面層,以及位在上述表面層與上述背面層之間的中間層, 針對將上述基材裁斷成短邊為15mm的短條狀而成的試驗片,在23℃環境下,以夾具間距離100mm,拉伸速度200mm/min,進行拉伸試驗時所測定的破斷延展度,關於在MD方向拉伸時以及在CD方向拉伸時的兩者,為600%以上, 相對於進行將上述基材在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的25%伸長時的拉伸應力,進行將上述基材在MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的25%伸長時的拉伸應力的比(R 25%),為1.3以下, 相對於進行將上述基材在其CD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的50%伸長時的拉伸應力,進行將上述基材在MD方向拉伸的拉伸試驗時所測定的50%伸長時的拉伸應力的比(R 50%),為1.3以下。
- 如請求項1之工件加工用片,其中,上述表面層、上述中間層以及上述背面層各別含有聚烯烴系樹脂以及熱可塑性彈性體, 並且上述表面層以及上述背面層各別含有抗靜電劑。
- 如請求項2之工件加工用片,其中,上述中間層不含有上述抗靜電劑,或是, 上述中間層以相較於上述表面層以及上述背面層各別更少的含量(單位:質量%)含有上述抗靜電劑。
- 如請求項1之工件加工用片,其中,上述表面層、上述中間層以及上述背面層各別含有聚乙烯, 上述中間層中所含有的聚乙烯,與上述表面層以及上述背面層中所含有的各別的聚乙烯,依JIS K7210-1為基準所測定的熔融流動率(MFR)為相異。
- 如請求項1之工件加工用片,其為切割片。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-060043 | 2021-03-31 | ||
JP2021060043 | 2021-03-31 | ||
JP2022-006073 | 2022-01-19 | ||
JP2022006073A JP2022158902A (ja) | 2021-03-31 | 2022-01-19 | ワーク加工用シート |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202239586A true TW202239586A (zh) | 2022-10-16 |
Family
ID=83405128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111102733A TW202239586A (zh) | 2021-03-31 | 2022-01-22 | 工件加工用片 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20220136091A (zh) |
CN (1) | CN115141569A (zh) |
TW (1) | TW202239586A (zh) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6146616B2 (ja) | 2013-10-31 | 2017-06-14 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシング用基体フィルム、ダイシングフィルム、及び半導体チップの製造方法 |
-
2022
- 2022-01-22 TW TW111102733A patent/TW202239586A/zh unknown
- 2022-02-08 KR KR1020220016144A patent/KR20220136091A/ko unknown
- 2022-02-09 CN CN202210122678.1A patent/CN115141569A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115141569A (zh) | 2022-10-04 |
KR20220136091A (ko) | 2022-10-07 |
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