TW202200684A - 基材膜及工件加工用片 - Google Patents

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Abstract

一種基材薄膜，前述基材薄膜係由含有聚酯樹脂之材料所形成，將在23℃的環境下及以拉伸速度406mm／min對於前述基材薄膜所進行之拉伸試驗的測定結果進行作圖，將拉伸伸度（單位：％）設為橫軸，將拉伸應力（單位：MPa）設為縱軸，關於所得之曲線，在前述曲線中不存在成為極大的點，或者，在前述曲線中至少各存在一個成為極大的點及一個成為極小的點且在前述成為極大的點之中前述拉伸伸度的值成為最小的點之前述拉伸應力的值與在前述成為極小的點之中前述拉伸伸度的值成為最小的點之前述拉伸應力的值之差的絕對值為2.0MPa以下。此基材膜具有能良好擴展（expand）之優異的柔軟性，若根據此基材膜，可獲得能良好擴展之工件加工用片。

Description

基材膜及工件加工用片
本發明係關於基材膜及工件加工用片，所述基材膜可適合使用作為用於加工半導體晶圓等工件所使用之該工件加工用片的基材膜。
矽、砷化鎵等半導體晶圓、各種封裝類，係以大直徑的狀態被製造，在被剪切（切割）成晶片、被剝離（取晶）後，被移至下一個步驟亦即黏裝（mount）步驟。此時，半導體晶圓等工件係在被貼附至具備基材及黏著劑層之黏著片（以下，有稱為「工件加工用片」之情形）的狀態下，進行背磨、切割、清洗、乾燥、擴片、取晶、黏裝（mounting）等加工。
在上述取晶的步驟中，為了容易進行半導體晶片的取晶，有進行從工件加工用片中之與積層半導體晶片的面為相反的面將半導體晶片一個個地向上頂起之情形。尤其，為了抑制取晶時的半導體晶片彼此的衝突且同時容易進行取晶，通常，使工件加工用片進行延伸（擴展（expand）），使半導體晶片彼此分開。因此，工件加工用片被要求具有能良好擴展之優異的柔軟性。
專利文獻1及2中，公開一種關於基於以實現良好的擴展為目的所開發之工件加工用片的發明。尤其，在引用文獻1中，公開一種切割薄膜，其係具有基材層與黏著層之切割薄膜，該基材層以指定的條件包含指定的無規聚丙烯與指定的烯烴系彈性體。又，在引用文獻2中，公開一種黏著膠帶，其係依序積層黏著劑層、黏著劑被塗布層、熱塑性彈性體層及樹脂層而成之黏著膠帶，上述熱塑性彈性體層係由指定的樹脂組合物所形成。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特許第5494132號公報 [專利文獻2]日本特開平11－199840號公報
[發明概要] [發明所欲解決的課題]
於是，本發明人等探討將使用指定的聚酯樹脂作為主要材料所構成之基材膜使用作為工件加工用片的基材膜。本發明人等確認在此種工件加工用片中，有以抑制在切割時發生切削片之效果為首的各種優異效果。再者，本發明人等得知，藉由使上述基材膜的擴展性提升，而可更為提高該基材膜的有用性。
本發明係有鑑於此種實際狀況而完成者，目的在於提供具有能良好擴展之優異的柔軟性之基材膜、及能良好擴展之工件加工用片。 [用於解決課題的手段]
為了達成上述目的，第1，本發明提供一種基材薄膜，其特徵在於，前述基材薄膜係由含有聚酯樹脂之材料所形成，將在23℃的環境下及以拉伸速度406mm／min對於前述基材薄膜所進行之拉伸試驗的測定結果進行作圖，將拉伸伸度（單位：％）設為橫軸，將拉伸應力（單位：MPa）設為縱軸，關於所得之曲線，在前述曲線中不存在成為極大的點，或者，在前述曲線中至少各存在一個成為極大的點及成為極小的點且在前述成為極大的點之中前述拉伸伸度的值成為最小的點之前述拉伸應力的值與在前述成為極小的點之中前述拉伸伸度的值成為最小的點之前述拉伸應力的值之差的絕對值為2.0MPa以下（發明1）。
上述發明（發明1）之基材膜，藉由係由含有聚酯樹脂之材料所形成，且基於上述的拉伸試驗所得之曲線滿足上述的條件，而成為具有優異的柔軟性者，在使用該基材膜的工件加工用片中，可進行良好的擴展。
在上述發明（發明1）中，在23℃的環境下及以拉伸速度406mm／min對於前述基材薄膜進行拉伸試驗之情形所測定的拉伸彈性率，較佳為50MPa以上且800MPa以下（發明2）。
在上述發明（發明1、2）中，在23℃的環境下及以拉伸速度200mm／min對於前述基材薄膜進行拉伸試驗之情形所測定的拉伸彈性率，較佳為50MPa以上且800MPa以下（發明3）。
在上述發明（發明1～3）中，在23℃的環境下及以拉伸速度406mm／min對於前述基材薄膜進行拉伸試驗之情形所測定的斷裂伸度，較佳為150％以上且800％以下（發明4）。
在上述發明（發明1～4）中，在23℃的環境下及以拉伸速度200mm／min對於前述基材薄膜進行拉伸試驗之情形所測定的斷裂伸度，較佳為150％以上且800％以下（發明5）。
在上述發明（發明1～5）中，前述聚酯樹脂在前述材料中的含量較佳為55質量％以上且96質量％以下（發明6）。
在上述發明（發明1～6）中，前述聚酯樹脂較佳為具有脂環結構（發明7）。
在上述發明（發明7）中，前述聚酯樹脂較佳為包含具有前述脂環結構的二羧酸作為構成該聚酯樹脂之單體單元（發明8）。
在上述發明（發明7、8）中，述聚酯樹脂較佳為包含具有前述脂環結構的二醇作為構成該聚酯樹脂之單體單元（發明9）。
在上述發明（發明7～9）中，前述脂環結構較佳為構成環的碳數為6以上且14以下（發明10）。
在上述發明（發明1～10）中，前述聚酯樹脂較佳為包含將不飽和脂肪酸進行二聚合而成的二聚物酸作為構成該聚酯樹脂之單體單元，前述不飽和脂肪酸的碳數較佳為10以上且30以下（發明11）。
在上述發明（發明1～11）中，前述基材薄膜的厚度較佳為20μm以上且600μm以下（發明12）。
在上述發明（發明1～12）中，較佳為被使用作為構成工件加工用片的基材薄膜（發明13）
第2，本發明提供一種工件加工用片，其特徵在於，具備上述發明（發明1～13）之基材膜、與積層於前述基材膜的單面側之黏著劑層（發明14）。 [發明效果]
本發明之基材膜具有能良好擴展之優異的柔軟性。又，本發明之工件加工用片可良好擴展。
以下，針對本發明的實施形態進行說明。 [基材膜] 本實施形態之基材薄膜係由含有聚酯樹脂之材料所形成。再者，在本實施形態之基材薄膜中，將在23℃的環境下及以拉伸速度406mm／min對於前述基材薄膜所進行之拉伸試驗的測定結果進行作圖，將拉伸伸度（單位：％）設為橫軸，將拉伸應力（單位：MPa）設為縱軸，關於所得之曲線，滿足以下2個條件之任一者。 （條件1）在曲線中，不存在成為極大的點（以下，有稱為「極大點」之情形）。 （條件2）在曲線中，至少各存在一個成為極大的點及一個成為極小的點，並且，在前述成為極大的點之中前述拉伸伸度的值成為最小的點之前述拉伸應力的值與在前述成為極小的點之中前述拉伸伸度的值成為最小的點之前述拉伸應力的值之差的絕對值為2.0MPa以下。
關於上述的條件1及2，使用圖1而更具體地進行說明。在圖1中，表示在將拉伸伸度（單位：％）設為橫軸且將拉伸應力（單位：MPa）設為縱軸的座標平面中，存在曲線C1 及曲線C2 之狀態。首先，曲線C1 為滿足上述的條件1之情形的例子。在曲線C1 中，若使拉伸伸度從0％開始增大，則伴隨於此拉伸應力亦增大（但是，隨著值接近指定的拉伸應力，會變得難以增大）。因此，在曲線C1 中，不存在拉伸應力從增大轉為減少的點，亦即極大點。
另一方面，曲線C2 為滿足條件2之情形的例子。在曲線C2 中，在使拉伸伸度從0％開始增大之情形中，首先，直到點A的位置為止，拉伸應力會增大。然後，以該點A為邊界，拉伸應力轉為減少。亦即，曲線C2 具有點A作為極大點。過了點A，若再使拉伸伸度增大，則接下來以點B為邊界，拉伸應力從減少轉為增大，之後，持續增大。亦即，曲線C2 具有點B作為極小點。於此，點A與點B之拉伸應力的值之差的絕對值（圖1中，為以「Δ」所示之值）為2.0MPa以下，藉此，曲線C2 成為滿足條件2者。
此外，在圖1的曲線C2 中，雖成為存在一個極大點及一個極小點者，但即使在存在多個極大點、極小點之情形，有時也滿足條件2。所述情形，從多個存在的極大點及極小點之中，選擇拉伸伸度的值成為最小的極大點與拉伸伸度的值成為最小的極小點，依據其等之差的絕對值是否成為2.0MPa以下，而判斷是否滿足條件2。
本實施形態之基材薄膜藉由係由含有聚酯樹脂之材料所形成，且滿足上述的條件1或條件2之任一者，而成為具有非常優異的柔軟性者。因此，在將本實施形態之基材薄膜使用作為半導體加工用片的基材薄膜之情形中，該半導體加工用片變得能進行良好擴展。伴隨於此，在後續的取晶步驟中，變得容易進行從晶片的背面的向上頂起，亦變得能良好的取晶。
相對於此，在不滿足上述條件1及條件2之任一者之情形，例如，在雖存在極大點但前述的絕對值之差（Δ）大於2.0MPa之情形中，基材薄膜的柔軟性變得不充分，使用該基材薄膜而成之半導體加工用片的擴展亦變得不充分。因此，由獲得更高的柔軟性之觀點而言，前述的絕對值之差（Δ）較佳為1.8MPa以下，更佳為1.6MPa以下，特佳為1.5MPa以下，再佳為1.3MPa以下，最佳為1.0MPa以下。另一方面，針對前述的絕對值之差（Δ）的下限值並未被特別限定，例如可大於0。
此外，一般而言，若將基材薄膜的拉伸伸度從0％開始增大，則即使為在初期便達到極大點之情形，拉伸應力最終也會增加直到基材薄膜斷裂為止。因此，通常不會產生雖存在極大點但不存在極小點之曲線（亦即，以極大點為邊界，拉伸應力開始將降低之曲線）。又，是否滿足上述的條件1及條件2之測定方法的詳細內容係如同後述的試驗例所記載。
本實施形態之基材膜可使用於各種用途，但因能獲得上述的效果，故特別適合使用作為為了加工半導體晶圓等工件而使用之工件加工用片的基材，尤其，適合使用作為為了切割工件而使用之切割片的基材。
又，藉由本實施形態之基材膜係由含有聚酯樹脂之材料所形成，在使用該基材膜所構成之工件加工用片被使用於利用旋轉的丸刃切割工件之情形中，亦可良好地抑制切削屑的發生。對於本實施形態之基材膜係不進行照射電子射線或γ射線等放射線地發揮此種切削屑抑制效果。因此，根據本實施形態之基材膜，相較於藉由包含放射線照射的步驟之方法所製造之以往的基材膜，可壓低製造成本地製造工件加工用片。
再者，將上述聚酯樹脂作為材料之本實施形態之基材膜，因亦成為具有良好的透明性者，故成為亦容易進行透過具備該基材膜之工件加工用片觀察及檢查工件者。
1.基材膜的材料 如同上述，本實施形態之基材膜係由含有聚酯樹脂之材料所形成。
（1）聚酯樹脂 上述聚酯樹脂的具體的構成，未被特別限定，但較佳為容易滿足前述的條件1及2藉此基材薄膜成為容易具有更良好的柔軟性者。由此觀點而言，該聚酯樹脂較佳為具有脂環結構者。
由基材膜變得容易具有更良好的柔軟性之觀點而言，上述聚酯樹脂所具有之脂環結構，較佳為構成環之碳數為6以上。又，該碳數較佳為14以下，特佳為10以下。尤其，上述碳數較佳為6。又，該脂環結構可為由1個環所形成之單環式，亦可為由2個環所形成之二環式，亦可為由3個以上的環所形成者。
又，由基材膜變得容易具有更良好的柔軟性之觀點而言，上述聚酯樹脂較佳為包含具有脂環結構之二羧酸作為構成該聚酯樹脂之單體單元。又，由同樣的觀點而言，上述聚酯樹脂較佳為包含具有脂環結構之二醇作為構成該聚酯樹脂之單體單元。在聚酯樹脂中可僅包含此種二羧酸及二醇之任一者，但由變得容易具有更良好的柔軟性之觀點而言，較佳為聚酯樹脂包含此種二羧酸及二醇兩者。
上述的二羧酸的結構只要為同時具有脂環結構與2個羧基者，則未被特別限定。例如，二羧酸可為在脂環結構結合2個羧基而成之結構，亦可為在此種脂環結構與羧基之間進一步插入烷基等而成之結構。作為此種二羧酸的較佳例，可列舉1,2－環己烷二羧酸、1,3－環己烷二羧酸、1,4－環己烷二羧酸、1,4－十氫萘二羧酸、1,5－十氫萘二羧酸、2,6－十氫萘二羧酸、2,7－十氫萘二羧酸等，此等之中，較佳為使用1,4－環己烷二羧酸。此等二羧酸亦可為烷基酯等衍生物。作為此種烷基酯衍生物，例如，可為碳數為1以上且10以下的烷基酯。作為更具體的例子，可列舉二甲基酯、二乙基酯等，特佳為二甲基酯。
本實施形態中之聚酯樹脂包含具有脂環結構之二羧酸作為構成其之單體單元之情形，相對於構成該聚酯樹脂之全部單體單元，該二羧酸單體的比例較佳為20莫耳％以上，更佳為25莫耳％以上，特佳為30莫耳％以上，再佳為35莫耳％以上。又，該比例較佳為60莫耳％以下，更佳為55莫耳％以下，特佳為50莫耳％以下，再佳為45莫耳％以下。藉由為此等範圍，本實施形態之基材膜成為性具有更優異的柔軟性者。
又，本實施形態中之聚酯樹脂包含具有脂環結構之二羧酸作為構成其之單體單元之情形，相對於具有構成該聚酯樹脂的環結構之二羧酸全體，具有脂環結構之二羧酸的比例較佳為60％以上，更佳為70％以上，特佳為80％以上，再佳為90％以上。藉由上述比例為60％以上，本實施形態之基材膜成為容易具有更優異的柔軟性者。此外，該比例的上限值並未被特別限定，例如，可為100％以下。此外，在上述具有環結構之二羧酸中，除了具有脂環結構之二羧酸以外，還包含具有芳香環結構之二羧酸等。
上述的二醇的結構只要為同時具有脂環結構與2個羥基者，則未被特別限定。例如，二醇可為在脂環結構結合2個羥基而成之結構，亦可為在此種脂環結構與羥基之間進一步插入烷基等而成之結構。作為此種二醇的較佳例，可列舉1,2－環己二醇（尤其1,2－環己烷二甲醇）、1,3－環己二醇（尤其1,3－環己烷二甲醇）、1,4－環己二醇（尤其1,4－環己烷二甲醇）、2,2－雙－（4－羥基環己基）－丙烷等，此等之中，較佳為使用1,4－環己烷二甲醇。
本實施形態中之聚酯樹脂包含具有脂環結構之二醇作為構成其之單體單元之情形，相對於構成該聚酯樹脂之全部單體單元，該二醇單體的比例較佳為35莫耳％以上，特佳為40莫耳％以上，再佳為45莫耳％以上。又，該比例較佳為65莫耳％以下，特佳為60莫耳％以下，再佳為55莫耳％以下。藉由為此等範圍，本實施形態之基材膜成為容易具有更優異的柔軟性者。
本實施形態中之聚酯樹脂，由基材膜變得容易具有更優異的柔軟性之觀點而言，作為構成該聚酯樹脂之單體單元，亦較佳為包含將不飽和脂肪酸進行二聚合而成之二聚物酸。於此，該不飽和脂肪酸的碳數較佳為10以上，特佳為15以上。又，上述碳數較佳為30以下，特佳為25以下。作為此種二聚物酸的例子，可列舉將油酸、亞麻油酸等碳數18的不飽和脂肪酸進行二聚合而得之碳數36的二羧酸；將芥子酸等碳數22的不飽和脂肪酸進行二聚合而得之碳數44的二羧酸等。此外，在獲得上述二聚物酸之際，有亦少量產生將上述的不飽和脂肪酸進行三聚合而成之三聚物酸之情形。本實施形態中之聚酯樹脂亦可同時包含上述二聚物酸與此種三聚物酸。
本實施形態中之聚酯樹脂包含上述二聚物酸作為構成其之單體單元之情形，相對於構成該聚酯樹脂之全部二羧酸單元，該二聚物酸的比例較佳為2莫耳％以上，特佳為5莫耳％以上，再佳為10莫耳％以上。又，該比例較佳為25莫耳％以下，特佳為23莫耳％以下，再佳為20莫耳％以下。藉由為此等範圍，聚酯樹脂變得容易具有所期望的柔軟性，其結果，本實施形態之基材膜成為容易具有更優異的柔軟性者。
本實施形態中之聚酯樹脂，亦可含有上述的二羧酸、二醇及二聚物酸以外的單體作為構成其之單體單元。作為此種單體的例子，可列舉丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸等脂肪族二羧酸；鄰苯二甲酸、對苯二甲酸、間苯二甲酸、2,6－萘二羧酸、1,4－萘二羧酸、4,4’－二苯基二羧酸等芳香族二羧酸等。又，亦可含有具有脂環結構的二醇以外之二醇成分。例如，可含有乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇、辛二醇、癸二醇；雙酚A、雙酚S等環氧乙烷加成物；三羥甲丙烷等。
但是，在本實施形態中之聚酯樹脂中，由容易實現更優異的柔軟性之觀點而言，較佳為比起具有芳香環結構的單體，包含更多的具有脂環結構的單體（前述之具有脂環結構的二羧酸、具有脂肪結構的二醇）。尤其，構成本實施形態中之聚酯樹脂的單體單元之中，具有芳香環結構的單體單元相對於具有脂環結構的單體單元之莫耳比，較佳為小於1，更佳為0.5以下，更佳為0.2以下，更佳為0.1以下，更佳為0.05以下，更佳為0.03以下，更佳為0.01以下，特佳為0.005以下，再佳為0.001以下，最佳為0。
又，本實施形態中之聚酯樹脂藉由示差掃描熱量法而以升溫速度20℃／min所測定的熔解熱量，較佳為2J／g以上，更佳為5J／g以上，特佳為10J／g以上，再佳為15J／g以上。藉由上述熔解熱量為2J／g以上，基材膜的結晶性會適度地提升，基材膜成為具有更良好的處置性、加工性者。又，該熔解熱量較佳為150J／g以下，更佳為100J／g以下，特佳為70J／g以下，再佳為50J／g以下，最佳為30J／g以下。藉由熔解熱量為150J／g以下，本實施形態之基材膜成為容易具有更優異的柔軟性者。此外，上述的熔解熱量的測定方法的詳細內容係如同後述的實施例的欄所記載。
本實施形態中之聚酯樹脂的製造方法，未被特別限定，可使用公知的觸媒，使前述的單體成分進行聚合，藉此獲得聚酯樹脂。
構成本實施形態之基材膜的材料中之聚酯樹脂的含量較佳為55質量％以上，特佳為60質量％以上，再佳為65質量％以上。又，上述含量較佳為96質量％以下，特佳為94質量％以下，再佳為92質量％以下。藉由材料中的聚酯樹脂的含量為上述範圍，使用該材料所構成之基材膜成為容易具有更良好柔軟性者。
（2）彈性體 用於製作本實施形態之基材薄膜的材料，除了上述的聚酯樹脂，亦較佳為更含有彈性體。藉由該材料含有彈性體，而變得容易滿足前述的條件1及2，藉此基材薄膜變得容易具有更良好的柔軟性。
作為本實施形態中之彈性體，未被特別限定，可為熱硬化性彈性體，亦可為熱塑性彈性體，但由本實施形態之基材膜容易具有更優異的柔軟性之觀點而言，較佳為熱塑性彈性體。
上述熱塑性彈性體的例子亦未被特別限定，例如，可使用苯乙烯系彈性體、丙烯酸系彈性體、胺基甲酸乙酯系彈性體、烯烴系彈性體、聚酯系彈性體、聚矽氧系彈性體等。此等可單獨使用，亦可組合二種以上而使用。在上述的彈性體之中，由容易具有更優異的柔軟性之觀點而言，較佳為使用苯乙烯系彈性體、丙烯酸系彈性體、胺基甲酸乙酯系彈性體及烯烴系彈性體的至少1種，特佳為使用苯乙烯系彈性體、丙烯酸系彈性體及胺基甲酸乙酯系彈性體的至少1種，再佳為使用苯乙烯系彈性體。又，由變得容易將基材膜的物性調整成所期望的範圍之觀點而言，較佳為使用胺基甲酸乙酯系彈性體。
在本說明書中，所謂「苯乙烯系彈性體」，意指為包含源自苯乙烯或其衍生物（苯乙烯系化合物）的結構單元之共聚物，且為在包含常溫的溫度區域中具有橡膠狀的彈性且具有熱塑性之材料。
作為苯乙烯系彈性體，可列舉苯乙烯－共軛二烯共聚物及苯乙烯－烯烴共聚物等。作為苯乙烯－共軛二烯共聚物的具體例，可列舉苯乙烯－丁二烯共聚物、苯乙烯－丁二烯－苯乙烯共聚物（SBS）、苯乙烯－丁二烯－丁烯－苯乙烯共聚物、苯乙烯－異戊二烯共聚物、苯乙烯－異戊二烯－苯乙烯共聚物（SIS）、苯乙烯－乙烯－異戊二烯－苯乙烯共聚物等未氫化的苯乙烯－共軛二烯共聚物；苯乙烯－乙烯／丙烯－苯乙烯共聚物（SEPS）、苯乙烯－乙烯／丁烯－苯乙烯共聚物（SEBS）等氫化苯乙烯－共軛二烯共聚物等。此等可單獨使用，亦可組合二種以上而使用。在上述的苯乙烯系彈性體之中，由容易達成更良好的柔軟性之觀點而言，較佳為苯乙烯－共軛二烯共聚物，其中，較佳為氫化苯乙烯－共軛二烯共聚物，再佳為使用苯乙烯－乙烯／丁烯－苯乙烯共聚物。
使用苯乙烯－乙烯／丁烯－苯乙烯共聚物之情形，該共聚物中之苯乙烯含量較佳為3質量％以上，特佳為5質量％以上，再佳為10質量％。又，該苯乙烯含量較佳為60質量％以下，特佳為50質量％以下，再佳為40質量％以下。藉由使用苯乙烯含量為上述範圍之苯乙烯－乙烯／丁烯－苯乙烯共聚物，本實施形態之基材膜成為容易具有更優異的柔軟性者。
在本說明書中，所謂「丙烯酸系彈性體」，意指為包含源自丙烯酸或其衍生物（丙烯酸系化合物）的結構單元之共聚物，且為在包含常溫的溫度區域中具有橡膠狀的彈性且具有熱塑性之材料。
作為丙烯酸系彈性體的例子，可列舉（甲基）丙烯酸系二嵌段共聚物、（甲基）丙烯酸系三嵌段共聚物。該共聚物具有以下結構：在由聚丙烯酸丁酯（PBA）、聚丙烯酸－2－乙基己酯（2EHA）所形成之相對地軟質的段（軟段）的一端或兩端，連結有由聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）所形成之比較硬質且能擬似交聯的段（硬段）之結構。其中，由薄膜的強度之觀點而言，較佳為（甲基）丙烯酸系三嵌段共聚物。
作為上述（甲基）丙烯酸系三嵌段共聚物的例子，可列舉聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）－聚丙烯酸丁酯（PBA）－聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）－聚丙烯酸－2－乙基己酯－聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）等。
作為丙烯酸系彈性體，在使用如上述般之具有PMMA的段之（甲基）丙烯酸系三嵌段共聚物之情形，甲基丙烯酸甲基酯單體相對於構成該共聚物之全部單體的比例（MMA比例），較佳為10重量％以上，特佳為20重量％以上，再佳為30重量％以上。又，該MMA比例較佳為80％以下，特佳為70重量％以下，再佳為60重量％以下。藉由使用MMA比例為上述範圍之（甲基）丙烯酸系三嵌段共聚物，本實施形態之基材膜成為容易具有更優異的柔軟性者。
在本說明書中，所謂「胺基甲酸乙酯系彈性體」，意指為包含源自胺基甲酸乙酯化合物或其衍生物（胺基甲酸乙酯系化合物）的結構單元之共聚物，且為在包含常溫的溫度區域中具有橡膠狀的彈性且具有熱塑性之材料。
尤其，所謂胺基甲酸乙酯系彈性體，一般係指使長鏈多元醇、鏈延長劑及聚異氰酸酯進行反應而得者，且係由具有由長鏈多元醇所衍生之構成單元的軟段、與具有由鏈延長劑與聚異氰酸酯的反應所得之聚胺基甲酸乙酯結構的硬段所形成。
若將胺基甲酸乙酯系彈性體依據使用作為其軟段成分之長鏈多元醇的種類而進行分類，則被分成聚酯系聚胺基甲酸乙酯彈性體、聚醚系聚胺基甲酸乙酯彈性體、聚碳酸酯系聚胺基甲酸乙酯彈性體等。
作為上述長鏈多元醇的例子，可列舉內酯系聚酯多元醇、己二酸酯系聚酯多元醇等聚酯多元醇；聚丙烯（乙烯）多元醇、聚四亞甲醚二醇等聚醚多元醇；聚碳酸酯多元醇等。
作為上述聚異氰酸酯的例子，可列舉2,4－甲苯二異氰酸酯、2,6－甲苯二異氰酸酯、4,4’－二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等。
作為上述鏈延長劑，可列舉1,4－丁二醇、1,6－己二醇等低分子多元醇、芳香族二胺等。
在本說明書中，所謂「烯烴系彈性體」，意指為包含源自烯烴或其衍生物（烯烴系化合物）的結構單元之共聚物，且為在包含常溫的溫度區域中具有橡膠狀的彈性且具有熱塑性的材料。
作為烯烴系彈性體，可列舉包含選自由乙烯－α－烯烴共聚物、丙烯－α－烯烴共聚物、丁烯－α－烯烴共聚物、乙烯－丙烯－α－烯烴共聚物、乙烯－丁烯－α－烯烴共聚物、丙烯－丁烯－α－烯烴共聚物及乙烯－丙烯－丁烯－α－烯烴共聚物所組成之群組的至少1種樹脂者。
構成本實施形態之基材膜之材料中的彈性體的含量，較佳為4質量％以上，特佳為6質量％以上，再佳為8質量％以上。藉由材料中的彈性體的含量為4質量％以上，使用該材料所構成之基材膜成為容易具有更良好柔軟性者。又，上述含量較佳為45質量％以下，特佳為40質量％以下，再佳為35質量％以下。藉由材料中的彈性體的含量為45質量％以下，變得容易使用該材料將基材膜進行製膜且成為容易達成更優異的切削片抑制效果者。
（3）其他成分 用於製造本實施形態之基材膜之材料，亦可含有上述的聚酯樹脂及彈性體以外的其他成分。尤其，在該材料中，亦可含有能使用於一般工件加工用片的基材膜之成分。
作為此種成分的例子，可列舉阻燃劑、塑化劑、潤滑劑、抗氧化劑、著色劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、離子捕捉劑等各種添加劑。作為此等添加劑的含量，雖未被特別限定，但較佳為基材膜發揮所期望的功能之範圍。
（4）基材膜的構成 作為本實施形態之基材膜的層構成，只要具備由含有前述的聚酯樹脂之材料所形成的層（以下，有稱為「樹脂層A」之情形），則可為單層，亦可為複數層。由可減少製造成本之觀點而言，本實施形態中之基材膜較佳為單層（僅樹脂層A）。另一方面，在為複數層之情形，可積層複數樹脂層A，或者，可積層樹脂層A與除此以外的層。
又，在基材膜中之積層黏著劑層的面，為了提高與該黏著劑層的附著性，可施以底漆處理、電暈處理、電漿處理等表面處理。
2.基材膜的物性等 本實施形態中之基材膜在23℃的環境下及以拉伸速度200mm／min進行拉伸試驗之情形所測定的拉伸彈性率，較佳為800MPa以下，特佳為600MPa以下，再佳為500MPa以下。藉由上述拉伸彈性率為800MPa以下，變得容易滿足前述的條件1及2，藉此本實施形態之基材膜成為容易具有良好柔軟性者。又，上述拉伸彈性率較佳為50MPa以上，更佳為100MPa以上，特佳為150MPa以上，再佳為200MPa以上，再佳為250MPa以上，最佳為300MPa以上。又，藉由上述拉伸彈性率為100MPa以上，本實施形態之基材膜成為容易具有適度強度者，具備該基材膜之工件加工用片成為具有良好操作處理性者且變得容易良好地進行所期望的工件加工。
本實施形態中之基材膜在23℃的環境下及以拉伸速度406mm／min進行拉伸試驗之情形所測定的拉伸彈性率，較佳為800MPa以下，特佳為600MPa以下，再佳為500MPa以下。藉由上述拉伸彈性率為800MPa以下，變得容易滿足前述的條件1及2，藉此本實施形態之基材膜成為容易具有良好柔軟性者。又，上述拉伸彈性率較佳為50MPa以上，更佳為100MPa以上，特佳為150MPa以上，再佳為200MPa以上，再佳為250MPa以上，最佳為300MPa以上。又，藉由上述拉伸彈性率為50MPa以上，本實施形態之基材膜成為容易具有適度強度者，具備該基材膜之工件加工用片成為具有良好操作處理性者且變得容易良好地進行所期望的工件加工。此外，在本說明書中，所謂拉伸速度406mm／min，係表示將在通常地擴展條件下之工件加工用片的應力速度換算成拉伸速度的值者。
本實施形態中之基材膜在23℃的環境下及以拉伸速度200mm／min進行拉伸試驗之情形所測定的斷裂點應力，較佳為60MPa以下，特佳為50MPa以下，再佳為40MPa以下。藉由上述斷裂點應力為60MPa以下，本實施形態之基材膜成為具有更良好加工性者。又，上述斷裂點應力較佳為5MPa以上，更佳為10MPa以上，特佳為15MPa以上，再佳為20MPa以上，最佳為25MPa以上。藉由上述斷裂點應力為15MPa以上，本實施形態之基材膜成為容易具有適度強度者，具備該基材膜之工件加工用片成為具有良好操作處理性者且變得容易良好地進行所期望的工件加工。再者，藉由上述斷裂點應力為15MPa以上，本實施形態之基材膜成為具有良好擴展性者。
本實施形態中之基材膜在23℃的環境下及以拉伸速度406mm／min進行拉伸試驗之情形所測定的斷裂點應力，較佳為60MPa以下，特佳為50MPa以下，再佳為40MPa以下。藉由上述斷裂點應力為60MPa以下，本實施形態之基材膜成為具有更良好的加工性者。又，上述斷裂點應力較佳為5MPa以上，特佳為10MPa以上，再佳為15MPa以上，較佳為20MPa以上，較佳為25MPa以上。藉由上述斷裂點應力為5MPa以上，本實施形態之基材膜成為容易具有適度強度者，具備該基材膜之工件加工用片成為具有良好操作處理性者且變得容易良好地進行所期望的工件加工。再者，藉由上述斷裂點應力為5MPa以上，本實施形態之基材膜成為具有良好擴展性者。
本實施形態中之基材膜在23℃的環境下及以拉伸速度200mm／min進行拉伸試驗之情形所測定的斷裂伸度，較佳為150％以上，更佳為200％以上，特佳為250％以上，再佳為300％以上，最佳為350％以上。藉由上述斷裂伸度為200％以上，本實施形態中之基材膜成為容易具有所期望的伸長性者，具備該基材膜之工件加工用片成為容易實現優異的擴展性、取晶性者。又，上述斷裂伸度較佳為800％以下，更佳為700％以下，特佳為600％以下，再佳為500％以下。藉由上述斷裂伸度為800％以下，成為基材膜的加工性更優異者，且成為容易製造所期望的工件加工用片者。
本實施形態中之基材膜在23℃的環境下及以拉伸速度406mm／min進行拉伸試驗之情形所測定的斷裂伸度，較佳為150％以上，特佳為200％以上，再佳為250％以上，較佳為300％以上，較佳為350％以上。藉由上述斷裂伸度為150％以上，本實施形態中之基材膜成為容易具有所期望的伸長性者，具備該基材膜之工件加工用片成為容易實現優異的擴展性、取晶性者。又，上述斷裂伸度較佳為800％以下，特佳為700％以下，再佳為600％以下，較佳為500％以下。藉由上述斷裂伸度為800％以下，成為基材膜的加工性更優異者，且成為容易製造所期望的工件加工用片者。
此外，以上的拉伸彈性率、斷裂點應力及斷裂伸度的測定方法的詳細內容係如同後述之試驗例所記載。
本實施形態之基材膜的厚度較佳為20μm以上，特佳為40μm以上，再佳為60μm以上。又，基材膜的厚度較佳為600μm以下，特佳為300μm以下，再佳為200μm以下。藉由基材膜的厚度為20μm以上，具備基材膜之工件加工用片成為容易具有適度強度者，並成為容易良好地支持固定於工件加工用片上之工件者。其結果，變得能有效地抑制在切割之際的碎屑的發生等。又，藉由基材膜的厚度為600μm以下，成為容易達成上述的斷裂伸度者。再者，藉由基材膜的厚度為600μm以下，基材膜成為具有更良好的加工性者。
3.基材膜的製造方法 本實施形態之基材膜的製造方法，只要使用含有前述的聚酯樹脂之材料則未被特別限定，例如，可使用T型模（T-DIE）法、圓型模法等熔融擠壓法；壓延機法；乾式法、濕式法等溶液法等。此等之中，由效率佳地製造基材之觀點而言，較佳為採用熔融擠壓法或壓延機法。
在藉由熔融擠壓法而製造由單層所形成的基材膜之情形，只要將基材膜的材料（含有前述的聚酯樹脂及彈性體之材料）進行混練，從所得之混練物直接或先暫時製造顆粒（pellet）後，使用公知的擠壓機進行製膜即可。
又，藉由熔融擠壓法而製造由複數層所形成的基材膜之情形，只要分別混練構成各層的成分，從所得之混練物直接或先暫時製造顆粒後，使用公知的擠壓機，同時擠壓複數層而進行製膜即可。
[工件加工用片] 本實施形態之工件加工用片具備前述的基材膜、與積層於該基材膜的單面側之黏著劑層。
1.工件加工用片的構成 以下，針對構成本實施形態之工件加工用片的部件之中除了前述的基材膜以外的構成進行說明。
（1）黏著劑層 作為構成上述黏著劑層的黏著劑，只要可對於被附著體發揮充分的黏著力（尤其，如足夠充分用於進行工件的加工般之對於工件的黏著力）則未被特別限定。作為構成黏著劑層的黏著劑的例子，可列舉丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸乙酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯基醚系黏著劑等。此等之中，由容易發揮所期望的黏著力之觀點而言，較佳為使用丙烯酸系黏著劑。
本實施形態中之構成黏著劑層的黏著劑，雖可為不具有活性能量線硬化性的黏著劑，但較佳為具有活性能量線硬化性的黏著劑（以下，有稱為「活性能量線硬化性黏著劑」之情形）。藉由黏著劑層係由活性能量線硬化性黏著劑所構成，可藉由照射活性能量線而使黏著劑層硬化，容易使工件加工用片對於被附著體的黏著力降低。尤其，藉由照射活性能量線，變得能容易地從該黏著片分離加工後的工件。
作為構成黏著劑層之活性能量線硬化性黏著劑，可為將具有活性能量線硬化性的聚合物作為主成分者，亦可為將活性能量線非硬化性聚合物（不具有活性能量線硬化性的聚合物）與具有至少1個以上的活性能量線硬化性基的單體及／或寡聚物之混合物作為主成分者。
具有活性能量線硬化性之聚合物，較佳為在側鏈導入具有活性能量線硬化性的官能基（活性能量線硬化性基）之（甲基）丙烯酸酯聚合物（以下有稱為「活性能量線硬化性聚合物」之情形）。此活性能量線硬化性聚合物較佳為使具有含有官能基的單體單元之丙烯酸系共聚物、及具有與所述官能基結合的官能基之含有不飽和基的化合物進行反應而得者。此外，在本說明書中，所謂（甲基）丙烯酸，意指丙烯酸及甲基丙烯酸這兩者。其他類似用語亦同樣。再者，「聚合物」中亦包含「共聚物」的概念。
上述活性能量線硬化性聚合物的重量平均分子量較佳為1萬以上，特佳為15萬以上，再佳為20萬以上。又，該重量平均分子量較佳為250萬以下，特佳為200萬以下，再佳為150萬以下。此外，本說明書中之重量平均分子量（Mw）係藉由凝膠滲透層析法法（GPC法）所測定之標準聚苯乙烯換算的值。
另一方面，在活性能量線硬化性黏著劑將活性能量線非硬化性聚合物成分與具有至少1個以上的活性能量線硬化性基的單體及／或寡聚物之混合物作為主成分之情形，作為該活性能量線非硬化性聚合物成分，例如，可使用使含有不飽和基的化合物進行反應前之上述丙烯酸系共聚物。又，作為活性能量線硬化性的單體及／或寡聚物，例如，可使用多元醇與（甲基）丙烯酸之酯等。
作為上述活性能量線非硬化性聚合物成分之丙烯酸系聚合物的重量平均分子量較佳為1萬以上，特佳為15萬以上，再佳為20萬以上。又，該重量平均分子量較佳為250萬以下，特佳為200萬以上，再佳為150萬以下。
此外，在使用紫外線作為用於使活性能量線硬化性黏著劑硬化的活性能量線之情形中，較佳為對於該黏著劑添加光聚合起始劑。又，在該黏著劑中，亦可添加活性能量線非硬化性聚合物成分或寡聚物成分、交聯劑等。
本實施形態中之黏著劑層的厚度較佳為1μm以上，特佳為2μm以上，再佳為3μm以上。又，黏著劑層的厚度較佳為50μm以下，特佳為40μm以下，再佳為30μm以下。藉由黏著劑層的厚度為1μm以上，而本實施形態之工件加工用片成為容易發揮所期望的黏著性者。又，藉由黏著劑層的厚度為50μm以下，成為在從硬化後的黏著劑層分離被附著體之際容易分離者。
（2）剝離片 在本實施形態之工件加工用片中，在將黏著劑層中之與基材膜為相反側的面（以下，有稱為「黏著面」之情形）貼附於被附著體前，以保護該面為目的，可在該面積層剝離片。
上述剝離片的構成為任意，例示將塑膠薄膜藉由剝離劑等而進行剝離處理者。作為該塑膠薄膜的具體例，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯（polybutylene terephthalate）、聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate）等聚酯薄膜；及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴薄膜。作為上述剝離劑，可使用聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系等，此等之中，較佳為便宜且能獲得穩定性能之聚矽氧系。
針對上述剝離片的厚度並無特別限制，例如可為20μm以上且250μm以下。
（3）其他 在本實施形態之工件加工用片中，可在黏著劑層中之與基材膜為相反側的面積層接著劑層。此情形，本實施形態之工件加工用片可使用作為切割-晶粒接著片。在該片中，在接著劑層中之與黏著劑層為相反側的面貼附工件，同時切割該工件與接著劑層，藉此可獲得經個片化之已積層接著劑層的晶片。該晶片藉由此經個片化之接著劑層，而變得能容易對於搭載該晶片的對象進行固定。作為構成上述的接著劑層之材料，較佳為使用含有熱塑性樹脂與低分子量的熱硬化性接著成分者、含有B－階段（半硬化狀）的熱硬化型接著成分者等。
又，在本實施形態之工件加工用片中，可在黏著劑層中之黏著面積層保護膜形成層。此情形，本實施形態之工件加工用片可使用作為保護膜形成兼切割用片。在此種片中，在保護膜形成層中之與黏著劑層為相反側的面貼附工件，同時切割該工件與保護膜形成層，藉此可獲得經個片化之已積層被保護膜形成層的晶片。作為該工件，較佳為使用在單面形成電路者，此情形，通常在與形成該電路的面為相反側的面積層保護膜形成層。經個片化之保護膜形成層，藉由以指定的時間點硬化，而可將具有充分耐久性的保護膜形成於晶片。保護膜形成層較佳為由未硬化的硬化性接著劑所形成。
2.工件加工用片的製造方法 本實施形態之工件加工用片的製造方法未被特別限定。例如，較佳為在剝離片上形成黏著劑層後，在該黏著劑層中之與剝離片為相反側的面積層基材膜的單面，藉此獲得工件加工用片。
上述的黏著劑層的形成可藉由公知的方法而進行。例如，製備含有用於形成黏著劑層的黏著性組合物、及依據期望進一步含有溶媒或分散媒之塗布液。然後，在剝離片之具有剝離性的面（以下，有稱為「剝離面」之情形）塗布上述塗布液。接著，藉由使所得之塗膜進行乾燥，可形成黏著劑層。
上述的塗布液的塗布可藉由公知的方法而進行，例如，可藉由棒塗布法、刮刀塗布法、輥塗布法、刮刀塗布法、模具塗布法、凹版塗布法等而進行。此外，塗布液只要能進行塗布則其特性未被特別限定，有含有用於形成黏著劑層的成分作為溶質之情形，也有含有用於形成黏著劑層的成分作為分散質之情形。又，剝離片可作為步驟材料而剝離，也可在貼附至被附著體之前保護黏著劑層。
在用於形成黏著劑層的黏著性組合物含有前述的交聯劑之情形中，較佳為藉由改變上述的乾燥的條件（溫度、時間等）、或藉由另外設置加熱處理，而使塗膜內的聚合物成分與交聯劑之交聯反應進行，在黏著劑層內以所期望的存在密度形成交聯結構。再者，為了使上述的交聯反應充分地進行，亦可在貼合黏著劑層與基材後，進行例如在23℃、相對濕度50％的環境中靜置數日之熟化。
3.工件加工用片的使用方法 本實施形態之工件加工用片可使用於半導體晶圓等工件的加工。此情形，在將本實施形態之工件加工用片的黏著面貼附於工件後，可在工件加工用片上進行工件的加工。因應該加工，本實施形態之工件加工用片可使用作為背磨片、切割片、擴展片、取晶片等工件加工用片。於此，作為工件的例子，可列舉半導體晶圓、半導體封裝等半導體部件、玻璃板等玻璃部件。
本實施形態之工件加工用片，如同前述，藉由基材膜具有良好的柔軟性，而變得能良好擴展。因此，本實施形態之工件加工用片尤其適合使用作為切割片、擴展片或取晶片。
此外，在本實施形態之工件加工用片具備前述的接著劑層之情形中，該工件加工用片可使用作為切割-晶粒接著片。再者，在本實施形態之工件加工用片具備前述的保護膜形成層之情形中，該工件加工用片可使用作為保護膜形成兼切割用片。
又，在本實施形態之工件加工用片中的黏著劑層係由前述的活性能量線硬化性黏著劑所構成之情形中，亦較佳為在使用之際照射如下述般的活性能量線。亦即，在工件加工用片上結束工件的加工，在從工件加工用片分離加工後的工件之情形中，較佳為在該分離之前對於黏著劑層照射活性能量線。藉此，黏著劑層會硬化，工件加工用片對於加工後的工件之黏著力會良好地降低，加工後的工件的分離變得容易。
以上所說明的實施形態係為了容易理解本發明所記載，並非為了限定本發明所記載。因此，上述實施形態所公開的各要素的主旨亦包含屬於本發明的技術範圍之全部設計變更及均等物。 [實施例]
以下，藉由實施例等而進一步具體地說明本發明，但本發明的範圍不受限於此等實施例等。
[實施例1] （1）基材膜的製作 在已裝備攪拌機、餾出管及減壓裝置的反應器內，裝填1,4－環己烷二羧酸二甲基酯（trans體比例98％）12.90kg、1,4－環己烷二甲醇11.47kg、乙二醇0.3kg、及包含10％乙酸Mn四水合物之乙二醇溶液0.11kg，在氮氣流下加熱至200℃為止後，耗費1小時升溫至230℃為止。接著直接保持2小時而進行酯交換反應後，將源自芥子酸的二聚物酸（碳數44，Croda公司製，產品名「PRIPOL1004」）10.30kg、包含10％磷酸三甲酯（trimethylphosphate）之乙二醇溶液0.11kg投入系統內，接著在230℃進行1小時酯化反應。接下來，作為聚縮合觸媒，添加二氧化鍺300ppm並攪拌後，以1小時減壓至133Pa以下為止，在此期間將內溫從230℃升高至270℃，在133Pa以下的高真空下攪拌直至成為指定的黏度為止而進行聚縮合反應。將所得之聚合物以成為股狀的方式擠壓至水中並進行剪切，而成為顆粒狀。
使如此所得之聚酯樹脂的顆粒以85℃乾燥4小時以上。之後，利用雙軸混鍊機，混鍊乾燥後的該顆粒70質量份、與作為苯乙烯系彈性體之苯乙烯－乙烯／丁烯－苯乙烯共聚物（SEBS）（苯乙烯：乙烯／丁烯比＝20：80，熔體流動速率（MFR）＝13.0g／10min（遵循ISO1133，以230℃、荷重2.16kg進行測定））30質量份。將藉此所得之顆粒投入已設置T型模之單軸擠壓機的給料斗。然後，在汽缸（cylinder）溫度220℃、模具溫度220℃的條件下，從T型模擠壓為已熔融混鍊的狀態的上述顆粒，利用冷卻輥使其冷卻，藉此獲得厚度80μm之片狀的基材膜。
此外，上述聚酯樹脂，作為構成該樹脂之單體，包含約50莫耳％之1,4－環己烷二甲醇、約40.5莫耳％之1,4－環己烷二羧酸二甲基酯、及9.5莫耳％之源自芥子酸的二聚物酸。又，相對於構成上述聚酯樹脂之全部二羧酸單元，上述二聚物酸的比例為19.1莫耳％。再者，藉由後述的方法，測定上述聚酯樹脂的熔解熱量，結果為20J／g。
（2）黏著性組合物的製備 使丙烯酸n－丁酯95質量份與丙烯酸5質量份藉由溶液聚合法進行聚合，獲得（甲基）丙烯酸酯聚合物。藉由後述的方法，測定此丙烯酸系聚合物的重量平均分子量（Mw），結果為50萬。
混合如同上述所得之（甲基）丙烯酸酯聚合物100質量份（固體成分換算，以下相同）、胺基甲酸乙酯丙烯酸酯寡聚物（Mw：8,000）120質量份、異氰酸酯系交聯劑（Tosoh股份有限公司製，產品名「CORONATE L」）5質量份、以及光聚合起始劑（IGM　Resins　B.V.公司製，產品名「Omnirad184」）4質量份，獲得能量線硬化型的黏著性組合物。
（3）黏著劑層的形成 將由上述步驟（2）所得之黏著性組合物，塗布於厚度38μm之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的單面已藉由聚矽氧系剝離劑進行剝離處理之剝離片（LINTEC股份有限公司製，產品名「SP－PET381031」）的剝離處理面，使所得之塗膜以100℃乾燥1分鐘。藉此，獲得在剝離片之剝離面上形成厚度10μm的黏著劑層而成之積層體。
（4）工件加工用片的製作 藉由使由上述步驟（1）所得之基材膜的單面、與由上述步驟（3）所得之積層體中的黏著劑層側的面進行貼合，而獲得工件加工用片。
於此，前述的聚酯樹脂的熔解熱量係遵循JIS　K　7121：2012，使用示差掃描熱析儀（DSC，TA Instruments公司製，產品名「DSC　Q2000」）而測定。
具體而言，首先，以升溫速度20℃／min從常溫加熱至250℃為止，在250℃保持10分鐘，以降溫速度20℃／min使其降低至－60℃為止，在－60℃保持10分鐘。之後，再次以升溫速度20℃／min加熱至250℃為止，獲得DSC曲線，並測定熔點。
又，前述的重量平均分子量（Mw）係使用凝膠滲透層析法（GPC）並利用以下的條件所測定（GPC測定）之標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量。 ＜測定條件＞ ．測定裝置：Tosoh股份有限公司製，HLC－8320 ．GPC管柱（依以下的順序通過）：Tosoh股份有限公司製 TSK gel superH－H TSK gel superHM－H TSK gel superH2000 ．測定溶媒：四氫呋喃 ．測定溫度：40℃
[實施例2] 在製作基材膜的步驟中，除了乾燥後的聚酯樹脂的顆粒與SEBS之質量份數的比變更成80：20以外，與實施例1同樣地進行而製作基材膜，使用該基材膜，與實施例1同樣地進行而獲得工件加工用片。
[實施例3] 在製作基材膜的步驟中，除了將乾燥後的聚酯樹脂的顆粒與SEBS之質量份數的比變更成90：10以外，與實施例1同樣地進行而製作基材膜，使用該基材膜，與實施例1同樣地進行而獲得工件加工用片。
[實施例4] 與實施例1的步驟（1）同樣地進行，獲得乾燥完畢的聚酯樹脂的顆粒。利用雙軸混鍊機，混鍊該顆粒80質量份、與作為丙烯酸系彈性體之聚甲基丙烯酸（PMMA）－聚丙烯酸丁酯（PBA）－聚甲基丙烯酸（PMMA）三嵌段共聚物（顆粒狀，MMA比例＝50重量％，熔體流動速率（MFR）＝31.0g／10min（遵循ISO1133，以230℃、荷重2.16kg進行測定））20質量份。將藉此所得之顆粒投入已設置T型模之單軸擠壓機的給料斗。然後，在汽缸溫度220℃、模具溫度220℃的條件下，從T型模擠壓為已熔融混鍊的狀態的上述顆粒，利用冷卻輥使其冷卻，藉此獲得厚度80μm之片狀的基材膜。除了使用該基材膜以外，與實施例1同樣地進行而獲得工件加工用片。
[實施例5] 與實施例1的步驟（1）同樣地進行，獲得乾燥完畢的聚酯樹脂的顆粒。利用雙軸混鍊機，混鍊該顆粒80質量份、與作為胺基甲酸乙酯系彈性體之熱塑性聚胺基甲酸乙酯彈性體（BASF JAPAN公司製，產品名「Elastollan　ET164D」）20質量份。將藉此所得之顆粒投入已設置T型模之單軸擠壓機的給料斗。然後，在汽缸溫度220℃、模具溫度220℃的條件下，從T型模擠壓為已熔融混鍊的狀態的上述顆粒，利用冷卻輥使其冷卻，藉此獲得厚度80μm之片狀的基材膜。除了使用該基材膜以外，與實施例1同樣地進行而獲得工件加工用片。
[比較例1] 在製作基材膜的步驟中，除了不使用SEBS地製作基材膜（將乾燥後的聚酯樹脂的顆粒單獨投入已設置T型模之單軸擠壓機的給料斗而製作基材膜）以外，與實施例1同樣地進行而製作基材膜，使用該基材膜，與實施例1同樣地進行而獲得工件加工用片。
[比較例2] 除了將使用具有由以下的通式（1）所表示之結構的二醇改質聚酯樹脂所製造之厚度80μm的樹脂片使用作為基材以外，與實施例1同樣地進行而獲得工件加工用片。此外，藉由前述的方法測定上述二醇改質聚酯樹脂的熔解熱量，結果為0J／g。 [化1]
Figure 02_image001
[比較例3] 除了將使用具有由以下的通式（2）所表示之結構的非晶性聚酯樹脂所製造之厚度80μm的樹脂片使用作為基材以外，與實施例1同樣地進行而獲得工件加工用片。此外，藉由前述的方法測定上述非晶性聚酯樹脂的熔解熱量，結果為0J／g。 [化2]
Figure 02_image003
[試驗例1]（基材膜的拉伸物性的測定） 將由實施例及比較例所製作之基材膜裁斷成15mm×150mm的試驗片。此時，以150mm的邊成為與基材膜的MD方向（製造基材膜時的流程方向）平行，且15mm的邊成為與基材膜的TD方向（與上述MD方向垂直的方向）平行之方式進行裁斷。然後，針對該試驗片，遵循JIS　K7127：1999，測定拉伸彈性率、斷裂伸度及斷裂點應力。
具體而言，將上述試驗片，利用拉伸試驗機（島津製作所製，產品名「自動放射攝影術AG－Xplus　100N」），設定成夾頭間距離100mm後，在23℃的環境下，以200mm／min的速度，進行在基材膜的MD方向拉伸試驗片之拉伸試驗，測定拉伸彈性率（MPa）、斷裂伸度（％）及斷裂點應力（MPa）。將其等作為拉伸速度200mm／min之結果並顯示於表1。
又，除了將拉伸的速度變更成406mm／min以外，與上述同樣地進行拉伸試驗，測定拉伸彈性率（MPa）、斷裂伸度（％）及斷裂點應力（MPa）。將其等作為拉伸速度406mm／min之結果並顯示於表1。此外，在比較例2及3中，成為下述極大點與極少點的拉伸應力彼此之差的絕對值大幅高於2.0的結果。藉此，判斷針對比較例2及3詳細地探討在拉伸速度406mm／min之情形中之拉伸彈性率、斷裂伸度及斷裂點應力的意義不大，因此未進行此等的測定。
再者，除了置換TD方向與MD方向以外，與上述同樣地進行，由基材薄膜獲得試驗片（亦即，獲得具有與MD方向平行的長度15mm的邊以及與TD方向平行的長度150mm的邊之試驗片）。針對該試驗片，以拉伸速度406mm／min，進行在基材薄膜的TD方向拉伸試驗片之拉伸試驗，測定使拉伸伸度（％）從0％上升至640％為止（在到達640％之前基材薄膜已判斷之情形中，為至斷裂時為止）時的拉伸應力（MPa）的變動。然後，將測定結果進行作圖成將拉伸伸度（單位：％）設為橫軸且將拉伸應力（單位：MPa）設為縱軸之座標平面，並製作曲線。針對該曲線，確認是否存在拉伸應力成為極大的極大點，將其結果揭示於表1。再者，在存在該極大點之情形中，再者，亦確認到存在拉伸應力成為極小的極小點之前提之下，特定極大點（在多個存在之情形中，為拉伸伸度的值成為最小的極大點）與極小點（在多個存在之情形中，為拉伸伸度的值成為最小的極小點）的拉伸應力彼此之差的絕對值（MPa）。亦將其結果揭示於表1。
[試驗例2]（擴展性的評價） 從由實施例及比較例所製造之工件加工用片將剝離片剝離，將露出的黏著劑層的露出面貼附於厚度40μm的矽晶圓的單面後，使切割用環狀框附著於工件加工用片之上述露出面的周緣部（不與矽晶圓重疊的位置）。接著，使用切割鋸（DISCO股份有限公司製，產品名「DFD6362」），利用以下的條件，進行該矽晶圓的切割。 ．工件（被附著體）：矽晶圓 ．工件尺寸：直徑6吋，厚度40μm ．切割刀片：DISCO股份有限公司製，產品名「27HECC」，金剛石刀片 ．刀片旋轉數：50,000rpm ．切割速度：100mm／sec ．切口深度：由基材膜表面至20μm的深度為止的切口 ．切割尺寸：8mm×8mm
之後，將已貼附藉由切割所得之晶片及環狀框的工件加工用片設置於擴展裝置（JCM公司製，產品名「ME－300B」），以2mm／sec的速度，將環狀框進行洩降（draw-down）直至洩降量成為40mm為止。
然後，記錄產生斷裂時的洩降量（mm）。將其結果作為極限洩降量而顯示於表1。此外，針對即使洩降量到達40mm亦未產生斷裂者，顯示為「40以上」。
[表1]
　 基材 拉伸物性 拉伸伸度－ 拉伸應力 曲線 擴展性
組成 拉伸速度 200mm／min 拉伸速度 406mm／min 極限洩降量 （mm）
種類 含量 （質量%） 種類 含量 （質量%） 拉伸 彈性率 （MPa） 斷裂 點應力 （MPa） 斷裂 伸度 （％） 拉伸 彈性率 （MPa） 斷裂 點應力 （MPa） 斷裂 伸度 （％） 極大值 的有無 極大值與 極小值之差 （MPa）
實施例1 聚酯樹脂 70 苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯共聚物 30 230 26 485 255 12 270 無 0 40以上
實施例2 聚酯樹脂 80 苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯共聚物 20 360 30 454 328 29 462 有 0.5 31.4
實施例3 聚酯樹脂 90 苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯共聚物 10 330 31 470 310 30 447 有 1.2 21.2
實施例4 聚酯樹脂 80 PMMA－PBA－PMMA三嵌段共聚物 20 492 32 409 457 35 443 有 1.4 24.8
實施例5 聚酯樹脂 80 熱塑性聚胺基甲酸乙酯彈性體 20 210 31 321 182 29 308 有 0.7 26.4
比較例1 聚酯樹脂 100 - - 400 32 390 511 31 392 有 2.6 9.6
比較例2 二醇改質聚酯樹脂 100 - - 1570 59 380 - - - 有 25.3 2.1
比較例3 非晶性 聚酯樹脂 100 - - 1465 69 280 - - - 有 24.3 2.8
如由表1可知，由實施例所製造之工件加工用片顯示優異的擴展性。 [產業可利用性]
本發明的基材膜可較佳地使用作為構成加工半導體晶圓等工件所使用之工件加工用片的基材膜。
無。
圖1係用於說明本實施形態之基材薄膜的物性之曲線。

Claims (14)

  1. 一種基材薄膜，其中前述基材薄膜係由含有聚酯樹脂之材料所形成， 將在23℃的環境下及以拉伸速度406mm／min對於前述基材薄膜所進行之拉伸試驗的測定結果進行作圖，將拉伸伸度（單位：％）設為橫軸，將拉伸應力（單位：MPa）設為縱軸，關於所得之曲線， 在前述曲線中不存在成為極大的點，或者， 在前述曲線中至少各存在一個成為極大的點及成為極小的點，且在前述成為極大的點之中前述拉伸伸度的值成為最小的點之前述拉伸應力的值與在前述成為極小的點之中前述拉伸伸度的值成為最小的點之前述拉伸應力的值之差的絕對值為2.0MPa以下。
  2. 如請求項1所述之基材薄膜，其中，在23℃的環境下及以拉伸速度406mm／min對於前述基材薄膜進行拉伸試驗之情形所測定的拉伸彈性率為50MPa以上且800MPa以下。
  3. 如請求項1所述之基材薄膜，其中，在23℃的環境下及以拉伸速度200mm／min對於前述基材薄膜進行拉伸試驗之情形所測定的拉伸彈性率為50MPa以上且800MPa以下。
  4. 如請求項1所述之基材薄膜，其中，在23℃的環境下及以拉伸速度406mm／min對於前述基材薄膜進行拉伸試驗之情形所測定的斷裂伸度為150％以上且800％以下。
  5. 如請求項1所述之基材薄膜，其中，在23℃的環境下及以拉伸速度200mm／min對於前述基材薄膜進行拉伸試驗之情形所測定的斷裂伸度為150％以上且800％以下。
  6. 如請求項1所述之基材薄膜，其中，前述聚酯樹脂在前述材料中的含量為55質量％以上且96質量％以下。
  7. 如請求項1所述之基材薄膜，其中，前述聚酯樹脂具有脂環結構。
  8. 如請求項7所述之基材薄膜，其中，前述聚酯樹脂包含具有前述脂環結構的二羧酸作為構成該聚酯樹脂之單體單元。
  9. 如請求項7所述之基材薄膜，其中，前述聚酯樹脂包含具有前述脂環結構的二醇作為構成該聚酯樹脂之單體單元。
  10. 如請求項7所述之基材薄膜，其中，前述脂環結構之構成環的碳數為6以上且14以下。
  11. 如請求項1所述之基材薄膜，其中，前述聚酯樹脂包含將不飽和脂肪酸進行二聚合而成的二聚物酸作為構成該聚酯樹脂之單體單元， 前述不飽和脂肪酸的碳數為10以上且30以下。
  12. 如請求項1所述之基材薄膜，其中，前述基材薄膜的厚度為20μm以上且600μm以下。
  13. 如請求項1所述之基材薄膜，其被使用作為構成工件加工用片的基材薄膜。
  14. 一種工件加工用片，其具備如請求項1至13中任一項所述之基材膜、與積層於前述基材膜的單面側之黏著劑層。
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