JP7336548B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体加工用シートに関し、好ましくは、複数の半導体チップの間隔を拡げるために使用される半導体加工用シートに関するものである。

近年、電子機器の小型化、軽量化、および高機能化が進んでいる。電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化、および高密度化が求められている。半導体チップは、そのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、チップスケールパッケージ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）と称されることもある。ＣＳＰの一つとして、ウエハレベルパッケージ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ；ＷＬＰ）が挙げられる。ＷＬＰにおいては、ダイシングにより個片化する前に、ウエハに外部電極などを形成し、最終的にはウエハをダイシングして、個片化する。ＷＬＰとしては、ファンイン（Ｆａｎ－Ｉｎ）型とファンアウト（Ｆａｎ－Ｏｕｔ）型が挙げられる。ファンアウト型のＷＬＰ（以下、「ＦＯ－ＷＬＰ」と略記する場合がある。）においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止部材で覆って半導体チップ封止体を形成し、再配線層や外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止部材の表面領域においても形成する。

例えば、特許文献１には、半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップについて、その回路形成面を残し、モールド部材を用いて周りを囲んで拡張ウエハを形成し、半導体チップ外の領域に再配線パターンを延在させて形成する半導体パッケージの製造方法が記載されている。特許文献１に記載の製造方法において、個片化された複数の半導体チップをモールド部材で囲う前に、エキスパンド用のウエハマウントテープに貼り替え、ウエハマウントテープを展延して複数の半導体チップの間の距離を拡大させている。

国際公開第２０１０／０５８６４６号

上記のようなＦＯ－ＷＬＰの製造方法では、半導体チップ外の領域に上述した再配線パターン等を形成するために、半導体チップ同士を十分に離間させる必要がある。

本発明は、上記のような実状に鑑みてなされたものであり、半導体チップ同士を十分に離間させる必要がある用途に好適な、大きく延伸することが可能な半導体加工用シートを提供することを目的とする。

第１に本発明は、少なくとも基材を備える半導体加工用シートであって、２３℃において前記基材のＣＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの１００％応力に対する、２３℃において前記基材のＭＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの１００％応力の比が、０．８以上、１．２以下であり、前記１００％応力は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの引張力の測定値を、半導体加工用シートの長さ方向に直交する面で切断したときの断面積で除算することで得られる値であることを特徴とする半導体加工用シートを提供する（発明１）。

上記発明（発明１）によれば、１００％応力の比が上記範囲であることで、大きく延伸することが可能となる。そのため、例えば、ＦＯ－ＷＬＰの製造といった、半導体チップ同士を十分に離間させる必要がある用途に好適に使用することができる。

第２に本発明は、少なくとも基材を備える半導体加工用シートであって、２３℃において前記基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの引張弾性率が、それぞれ１０ＭＰａ以上、３５０ＭＰａ以下であり、２３℃において前記基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの１００％応力が、それぞれ３ＭＰa以上、２０ＭＰa以下であり、前記１００％応力は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの引張力の測定値を、半導体加工用シートの長さ方向に直交する面で切断したときの断面積で除算することで得られる値であり、２３℃において前記基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの破断伸度が、それぞれ１００％以上であることを特徴とする半導体加工用シートを提供する（発明２）。

上記発明（発明２）によれば、引張弾性率および破断伸度が上記範囲であることで、大きく延伸することが可能となる。そのため、例えば、ＦＯ－ＷＬＰの製造といった、半導体チップ同士を十分に離間させる必要がある用途に好適に使用することができる。

上記発明（発明１，２）においては、前記基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層をさらに備えることが好ましい（発明３）。

上記発明（発明１～３）において、前記基材は、熱可塑性エラストマーを含有することが好ましい（発明４）。

上記発明（発明４）において、前記熱可塑性エラストマーは、ウレタン系エラストマーであることが好ましい（発明５）。

上記発明（発明１～５）においては、前記半導体加工用シートの片面に積層された複数の半導体チップにおける隣り合う半導体チップの相互の間隔を、２００μｍ以上、６０００μｍ以下まで拡げるために使用されることが好ましい（発明６）。

上記発明（発明１～６）においては、互いに直交するＸ軸およびＹ軸における＋Ｘ軸方向、－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向および－Ｙ軸方向の４方向に張力を付与して半導体加工用シートを引き延ばすことにより、前記半導体加工用シートの片面に積層された複数の半導体チップの間隔を拡げるために使用されることが好ましい（発明７）。

上記発明（発明１～７）においては、粘着シートの片面に、個片化された複数の半導体チップを設ける工程と、前記粘着シートを引き延ばして、前記複数の前記半導体チップ同士の間隔を拡げる工程とを備える半導体装置の製造方法において、前記粘着シートとして使用されることが好ましい（発明８）。

上記発明（発明１～８）においては、ファンアウト型の半導体ウエハレベルパッケージを製造するために使用されることが好ましい（発明９）。

第３に本発明は、ダイシングシート上において半導体ウエハを分割することで複数の半導体チップを得る工程と、前記ダイシングシートから前記半導体加工用シート（発明１～９）に前記複数の半導体チップを転写する工程と、前記半導体加工用シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する（発明１０）。

第３に本発明は、ダイシングシート上において半導体ウエハを分割することで複数の半導体チップを得る工程と、前記ダイシングシートから第一の半導体加工用シートに前記複数の半導体チップを転写する工程と、前記第一の半導体加工用シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、前記第一の半導体加工用シートから第二の半導体加工用シートに前記複数の半導体チップを転写する工程と、前記第二の半導体加工用シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔をさらに拡げる工程とを備え、前記第一の半導体加工用シートおよび前記第二の半導体加工用シートが、それぞれ前記半導体加工用シート（発明１～９）であることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する（発明１１）。

本発明に係る半導体加工用シートは、大きく延伸することができ、半導体チップ同士を十分に離間させることができる。

本発明の一実施形態に係る半導体加工用シートの使用方法の第１態様を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体加工用シートの使用方法の第１態様を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体加工用シートの使用方法の第１態様を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体加工用シートの使用方法の第２態様を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体加工用シートの使用方法の第２態様を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体加工用シートの使用方法の第２態様を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体加工用シートの使用方法の第２態様を説明する断面図である。 実施例で使用した２軸延伸エキスパンド装置を説明する平面図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。
本実施形態に係る半導体加工用シートは、少なくとも基材を備えて構成される。

本実施形態に係る半導体加工用シートの復元率は、７０％以上、１００％以下であることが好ましい。
本明細書において、復元率とは、次のように算出されるものをいう。まず、半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出し、試験片を得る。当該切り出しは、半導体加工用シートにおける基材のＭＤ方向と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。次に、試験片の長さ方向の両端を、つかみ具間が１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかむ。このときのつかみ具間の長さを、初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）とする。次に、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度でつかみ具間を長さ方向に引張り、つかみ具間が２００ｍｍとなった状態で１分間保持する。２００ｍｍまで拡張した後のつかみ具間の長さから初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）（すなわち１００ｍｍ）を引いた長さを、拡張長さＬ１（ｍｍ）（＝１００ｍｍ）とする。１分間の保持の後、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度でつかみ具間の長さを戻し、つかみ具間が１００ｍｍ（すなわちＬ０（ｍｍ））となった状態で１分間保持する。その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度でつかみ具間を長さ方向に引張り、引張力の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを示した時点でのつかみ具間の長さを記録する。当該長さから初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）を引いた値を、Ｌ２（ｍｍ）する。以上のようにして得られたＬ１およびＬ２の値を下記式（Ｉ）にあてはめることで、復元率（％）が得られる。
復元率（％）＝｛１－(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００ ・・・ （Ｉ）
なお、この引張試験において、試験片の厚さは特別に制限されず、試験の対象とする半導体加工用シートの厚さと同じであってよい。また、具体的な測定方法は、後述する試験例に示す通りである。

また、本実施形態に係る半導体加工用シートでは、２３℃において基材のＣＤ方向に測定される半導体加工用シートの１００％応力に対する、２３℃において基材のＭＤ方向に測定される半導体加工用シートの１００％応力の比が、０．８以上、１．２以下であることが好ましい。ここで、ＭＤ方向とは、基材の製造時における流れ方向をいい、ＣＤ方向とは、ＭＤ方向に対して垂直な方向をいう。

本明細書において、１００％応力とは、次のように算出されるものをいう。半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間が１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの引張力の強さ（引張力の測定値）として表される１００％強度を、半導体加工シートの断面積で除算することで、１００％応力（ＭＰａ）が得られる。当該切り出しは、半導体加工用シートの製造時における流れ方向（ＭＤ方向）またはＭＤ方向に直交する方向（ＣＤ方向）と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。なお、この引張試験において、試験片の厚さは特別に制限されず、試験の対象とする半導体加工用シートの厚さと同じであってよい。また、具体的な測定方法は、後述する試験例に示す通りである。

また、本実施形態に係る半導体加工用シートでは、２３℃において基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に測定される半導体加工用シートの引張弾性率が、それぞれ１０ＭＰａ以上、３５０ＭＰａ以下であり、２３℃において基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に測定される半導体加工用シートの１００％応力が、それぞれ３ＭＰa以上、２０ＭＰa以下であり、且つ、２３℃において基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に測定される半導体加工用シートの破断伸度が、それぞれ１００％以上であることが好ましい。

本実施形態に係る半導体加工用シートは、上述した物性を有することにより、破断が生じることなく延伸し易くなる結果、大きく延伸することが可能となる。

特に、上記復元率が上記範囲である場合、半導体加工用シートは大きく延伸された後においても復元し易いことを意味する。一般に、降伏点を有するシートを降伏点以上に延伸すると、シートは塑性変形を起こし、塑性変形を起こした部分、即ち極端に延伸された部分が偏在した状態となる。そのような状態のシートをさらに延伸すると、上記の極端に延伸された部分から破断が生じたり、破断が生じなくても、エキスパンドが不均一になる。また、ひずみをｘ軸、伸びをｙ軸にそれぞれプロットした応力－ひずみ線図において、傾きｄｘ／ｄｙが、正の値から０又は負の値に変化する応力値をとらず、明確な降伏点を示さないシートであっても、引張量が大きくなるにつれてシートは塑性変形を起こし、同様に破断が生じたり、エキスパンドが不均一になる。一方、塑性変形ではなく弾性変形が生じる場合には、応力を取り除くことでシートが元の形状に復元し易い。そこで、十分大きい引張量である１００％伸長後にどの程度復元するかを表す指標である復元率が、上記範囲であることにより、半導体加工用シートを大きく延伸する際に、フィルムの塑性変形が最小限に抑えられ、破断が生じ難く、且つ均一なエキスパンドが可能となる。

また、１００％応力の比が上記範囲である場合、ならびに、引張弾性率、１００％応力および破断伸度が上記である場合、半導体加工用シートを、基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に延伸する際に（以下、このような延伸を「２軸延伸」という場合がある。）、破断が生じ難く、大きく延伸することが可能となる。

上記のような半導体加工用シートでは、具体的には、半導体チップの相互の間隔が２００μｍ以上といった距離になるまで離間させることが可能となる。このような半導体加工用シートは、ＦＯ－ＷＬＰの製造方法等の半導体チップ同士の間隔を十分に拡げることが求められる半導体装置の製造方法に好適に使用することができる。

１．半導体加工用シートの物性等
本実施形態に係る半導体加工用シートでは、復元率が、７０％以上であることが好ましく、特に８０％以上であることが好ましく、さらには８５％以上であることが好ましい。また、当該復元率は、１００％以下であることが好ましい。復元率が上記範囲であることで、前述した通り、半導体加工用シートを大きく延伸することが可能となる。

本実施形態に係る半導体加工用シートでは、２３℃において基材のＣＤ方向に測定される半導体加工用シートの１００％応力に対する、２３℃において基材のＭＤ方向に測定される半導体加工用シートの１００％応力の比が、０．８以上であることが好ましく、特に０．８３以上であることが好ましく、さらには０．８５以上であることが好ましい。また、当該比は、１．２以下であることが好ましく、特に１．１７以下であることが好ましく、さらには１．１５以下であることが好ましい。１００％応力の比が上記範囲であることで、半導体加工用シートを２軸延伸する場合のように、特定の方向のみに応力がかかり易い場合であっても、半導体加工用シートの破断が発生することが抑制される。その結果、半導体加工用シートをより大きく延伸することが可能となる。

本実施形態に係る半導体加工用シートでは、２３℃において基材のＣＤ方向に測定される半導体加工用シートの破断伸度が、１００％以上であることが好ましく、特に１５０％以上であることが好ましく、さらには２００％以上であることが好ましい。また、当該破断伸度は、１２００％以下であることが好ましく、特に１０００％以下であることが好ましい。当該破断伸度が上記範囲であることで、半導体加工用シートを、基材のＣＤ方向に大きく延伸することが可能となる。なお、ＣＤ方向の破断伸度の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。

本実施形態に係る半導体加工用シートでは、２３℃において基材のＭＤ方向に測定される半導体加工用シートの破断伸度が、１００％以上であることが好ましく、特に１５０％以上であることが好ましく、さらには２００％以上であることが好ましい。また、当該破断伸度は、１２００％以下であることが好ましく、特に１０００％以下であることが好ましい。当該破断伸度が上記範囲であることで、半導体加工用シートを、基材のＭＤ方向に大きく延伸することが可能となる。なお、ＭＤ方向の破断伸度の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。

本実施形態に係る半導体加工用シートでは、２３℃において基材のＣＤ方向に測定される半導体加工用シートの引張弾性率が、１０ＭＰａ以上であることが好ましく、特に２０ＭＰａ以上であることが好ましく、さらには２５ＭＰａ以上であることが好ましい。また、当該引張弾性率は、３５０ＭＰａ以下であることが好ましく、特に３００ＭＰａ以下であることが好ましく、さらには２５０ＭＰａ以下であることが好ましい。上記引張弾性率が１０ＭＰａ以上であることで、半導体加工用シート上に半導体チップ等を積層した場合に、その半導体チップ等を良好に支持することが可能となる。また、上記引張弾性率が３５０ＭＰａ以下であることで、半導体加工用シートが適度な柔軟性を有するものとなり、半導体加工用シートをより大きく延伸し易くなる。なお、上記引張弾性率の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。

本実施形態に係る半導体加工用シートでは、２３℃において基材のＭＤ方向に測定される半導体加工用シートの引張弾性率が、１０ＭＰａ以上であることが好ましく、特に２０ＭＰａ以上であることが好ましく、さらには２５ＭＰａ以上であることが好ましい。また、当該引張弾性率は、３５０ＭＰａ以下であることが好ましく、特に３００ＭＰａ以下であることが好ましく、さらには２５０ＭＰａ以下であることが好ましい。上記引張弾性率が１０ＭＰａ以上であることで、半導体加工用シート上に半導体チップ等を積層した場合に、その半導体チップ等を良好に支持することが可能となる。また、上記引張弾性率が３５０ＭＰａ以下であることで、半導体加工用シートが適度な柔軟性を有するものとなり、半導体加工用シートをより大きく延伸し易くなる。なお、上記引張弾性率の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。

本実施形態に係る半導体加工用シートでは、２３℃において基材のＣＤ方向に測定される半導体加工用シートの１００％応力が、３ＭＰａ以上であることが好ましく、特に５ＭＰａ以上であることが好ましく、さらには６ＭＰａ以上であることが好ましい。当該１００％応力が３ＭＰａ以上であることで、半導体加工用シートを大きく延伸することで基材の厚みが低減しても、離間した状態のチップを支持するのに必要な力を保持することが可能となる。また、当該１００％応力は、２０ＭＰａ以下であることが好ましく、特に１８ＭＰａ以下であることが好ましく、さらには１６ＭＰａ以下であることが好ましい。当該破断伸度が２０ＭＰａ以下であることで、エキスパンド装置に過度な負荷をかけることなく半導体加工用シートを大きく延伸することが可能であり、長期間にわたって連続で装置を使用しても装置の故障を防ぐことが期待できる。なお、ＣＤ方向の１００％応力の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。

本実施形態に係る半導体加工用シートでは、２３℃において基材のＭＤ方向に測定される半導体加工用シートの１００％応力が、３ＭＰａ以上であることが好ましく、特に５ＭＰａ以上であることが好ましく、さらには６ＭＰａ以上であることが好ましい。当該１００％応力が３ＭＰａ以上であることで、半導体加工用シートを大きく延伸することで基材の厚みが低減しても、離間した状態のチップを支持するのに必要な力を保持することが可能となり、半導体加工用シートを、基材のＣＤ方向に大きく延伸することが可能となる。また、当該１００％応力は、２０ＭＰａ以下であることが好ましく、特に１８ＭＰａ以下であることが好ましく、さらには１６ＭＰａ以下であることが好ましい。当該破断伸度が２０ＭＰａ以下であることで、エキスパンド装置に過度な負荷をかけることなく半導体加工用シートを大きく延伸することが可能であり、長期間にわたって連続で装置を使用しても装置の故障を防ぐことが期待できる。なお、ＭＤ方向の１００％応力の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。

本実施形態に係る半導体加工用シートは、少なくとも一方の面が粘着性を有することが好ましい。これにより、当該面に半導体チップ等を貼付して固定することが可能となる。なお、本明細書では、半導体加工用シートにおける、粘着性を有し、半導体チップ等が貼付される面を「粘着面」という場合がある。本実施形態に係る半導体加工用シートの粘着力は、３００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、特に８００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、さらには１０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。また、当該粘着力は、３００００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、特に１５０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、さらには１００００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。当該粘着力が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることで粘着面に半導体チップ等を良好に貼付して固定することができる。また、当該粘着力が３００００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることで、本実施形態に係る半導体加工用シートからその他の粘着シートへの半導体チップ等の貼りかえ、本実施形態に係る半導体加工用シートから、半導体チップ等を吸着保持可能な保持部材への半導体チップ等の転写、本実施形態に係る半導体加工用シートからの半導体チップのピックアップ等を良好に行うことが可能となる。なお、本明細書における粘着力は、シリコン製のミラーウエハを被着体とし、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じた１８０°引き剥がし法により測定した粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）とする。また、本実施形態に係る半導体加工用シートが基材のみからなる場合には、粘着力は、当該基材の一方の面について測定されたものとし、本実施形態に係る半導体加工用シートが基材と後述する粘着剤層とからなる場合には、粘着力は、当該粘着剤層における基材とは反対の面について測定されたものとする。

本実施形態に係る半導体加工用シートは、耐熱性を有することが好ましい。本実施形態に係る半導体加工用シートを使用してウエハレベルパッケージを製造する場合、本実施形態に係る半導体加工用シート上において、半導体チップを封止部材により封止することがある。一般に、封止部材としては熱硬化性の材料が使用され、封止の際には、当該材料が加熱される。半導体加工用シートが耐熱性を有することで、当該加熱による半導体加工用シートの変形を抑制することが可能となる。

本実施形態に係る半導体加工用シートの厚さは、３０μｍ以上であることが好ましく、特に５０μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、３００μｍ以下であることが好ましく、特に２５０μｍ以下であることが好ましい。

２．基材
本実施形態に係る半導体加工用シートの基材は、半導体加工用シートが前述の物性を達成できるものであれば、その構成材料は特に限定されず、通常は樹脂系の材料を主材料とするフィルムから構成される。特に、前述した物性を達成し易いという観点から、基材の材料としては、熱可塑性エラストマーまたはゴム系材料を使用することが好ましく、これらの中でも、前述した物性をより達成し易いという観点から、熱可塑性エラストマーを使用することが特に好ましい。また、前述した物性を達成し易いという観点から、基材の構成材料としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂を使用することが好ましく、特に、このような樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、９０℃以下であることが好ましく、特に８０℃以下であることが好ましく、さらには７０℃以下であることが好ましい。

熱可塑性エラストマーとしては、ウレタン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、アクリル系エラストマー、アミド系エラストマー等が挙げられる。これらの中でも、前述した物性をより達成し易いという観点から、ウレタン系エラストマーを使用することが好ましい。

ウレタン系エラストマーとは、一般に、長鎖ポリオール、鎖延長剤およびジイソシアネートを反応させて得られるものであり、長鎖ポリオールから誘導される構成単位を有するソフトセグメントと、鎖延長剤とジイソシアネートとの反応から得られるポリウレタン構造を有するハードセグメントとからなる。

ウレタン系エラストマーを、そのソフトセグメント成分として用いる長鎖ポリオールの種類によって分類すると、ポリエステル系ポリウレタンエラストマー、ポリエーテル系ポリウレタンエラストマー、ポリカーボネート系ポリウレタンエラストマーなどに分けられる。本実施形態に係る半導体加工用シートでは、これらのうち、前述した物性を達成し易いという観点から、ポリエーテル系ポリウレタンエラストマーを使用することが好ましい。

上記長鎖ポリオールの例としては、ラクトン系ポリエステルポリオール、アジペート系ポリエステルポリオールなどのポリエステルポリオール；ポリプロピレン（エチレン）ポリオール、ポリテトラメチレンエーテルグリコールなどのポリエーテルポリオール；ポリカーボネートポリオールなどが挙げられる。これらのうち、前述した物性を達成し易いという観点から、アジペート系ポリエステルポリオールを使用することが好ましい。

上記ジイソシアネートの例としては、２，４－トルエンジイソシアネート、２，６－トルエンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートなどが挙げられる。これらのうち、前述した物性を達成し易いという観点から、ヘキサメチレンジイソシアネートを使用することが好ましい。

上記鎖延長剤としては、１，４－ブタンジオール、１，６－ヘキサンジオールなどの低分子多価アルコール、芳香族ジアミンなどが挙げられる。これらのうち、前述した物性を達成し易いという観点から、１，６－ヘキサンジオールを使用することが好ましい。

オレフィン系エラストマーとしては、エチレン・α－オレフィン共重合体、プロピレン・α－オレフィン共重合体、ブテン・α－オレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・α－オレフィン共重合体、エチレン・ブテン・α－オレフィン共重合体、プロピレン・ブテン－αオレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・ブテン－α・オレフィン共重合体、スチレン・イソプレン共重合体およびスチレン・エチレン・ブチレン共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むものが挙げられる。

オレフィン系エラストマーの密度は、特に限定されないが、半導体ウエハを半導体加工用シートに貼付する時の凹凸追従性に優れる基材をより安定的に得るなどの観点から、０．８６０ｇ／ｃｍ^３以上０．９０５ｇ／ｃｍ^３未満であることが好ましく、０．８６２ｇ／ｃｍ^３以上０．９００ｇ／ｃｍ^３未満であることがより好ましく、０．８６４ｇ／ｃｍ^３以上０．８９５ｇ／ｃｍ^３未満であることが特に好ましい。

オレフィン系エラストマーは、このエラストマーを形成するために用いた全単量体のうち、オレフィン系化合物からなる単量体の質量比率（本明細書において「オレフィン含有率」ともいう。）が５０～１００質量％であることが好ましい。オレフィン含有率が過度に低い場合には、オレフィンに由来する構造単位を含むエラストマーとしての性質が現れにくくなり、柔軟性やゴム弾性を示しにくくなる。かかる効果を安定的に得る観点から、オレフィン含有率は５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましい。

スチレン系エラストマーとしては、スチレン－共役ジエン共重合体およびスチレン－オレフィン共重合体などが挙げられる。スチレン－共役ジエン共重合体の具体例としては、スチレン－ブタジエン共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体（ＳＢＳ）、スチレン－ブタジエン－ブチレン－スチレン共重合体、スチレン－イソプレン共重合体、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体（ＳＩＳ）、スチレン－エチレン－イソプレン－スチレン共重合体等の未水添スチレン－共役ジエン共重合体；スチレン－エチレン／プロピレン－スチレン共重合体（ＳＥＰＳ、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体の水添加物）、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレン共重合体（ＳＥＢＳ、スチレン－ブタジエン共重合体の水素添加物）等の水添スチレン－共役ジエン共重合体などを挙げることができる。また、工業的には、タフプレン（旭化成社製）、クレイトン（クレイトンポリマージャパン社製）、住友ＴＰＥ－ＳＢ（住友化学社製）、エポフレンド（ダイセル化学工業社製）、ラバロン（三菱化学社製）、セプトン（クラレ社製）、タフテック（旭化成社製）などの商品名が挙げられる。スチレン系エラストマーは、水素添加物でも未水添物であってもよい。

ゴム系材料としては、例えば、天然ゴム、合成イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、スチレン－ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、アクリロニトリル－ブタジエン共重合ゴム（ＮＢＲ）、ブチルゴム（ＩＩＲ）、ハロゲン化ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、多硫化ゴム等が挙げられ、これらの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。

基材として、上記のような材料からなるフィルムが複数層積層されたものを使用することもできる。また、上記のような材料からなるフィルムと、その他のフィルムとが積層されたものを使用することもできる。

フィルムを複数層積層する場合、前述した物性を達成する上で寄与率の高いフィルムを、比較的厚い厚さで中央に配置し、そのフィルムを、上記寄与率の低い、比較的薄い厚さの別のフィルムで挟む構成にすることができる。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂の使用は、前述した物性を達成する上で好ましいものの、そのような樹脂は粘着性が高いため、そのような樹脂を半導体加工用シートの表面に設ける場合、半導体加工用シートの製造時または使用時における取り扱いが困難になる可能性がある。そこで、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂フィルムを、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的高い樹脂フィルムで挟んだり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂フィルムに対してガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的高い樹脂フィルムを積層したりすることにより、前述した物性の達成と、取り扱い性とを両立することができる。

本実施形態に係る半導体加工用シートが基材のみから構成される場合、当該基材は粘着性を有することが好ましい。当該粘着性が常態で発揮されるものである場合、基材として、自己粘着性を有するものを使用することが好ましい。

また、本実施形態に係る半導体加工用シートが基材のみから構成され、且つ当該基材が複数のフィルムを積層してなるものである場合、積層される複数のフィルムのうち、最外層に位置するフィルムのみまたはそれらの一方のみが粘着性を有するものであってもよい。例えば、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂フィルムの一方の面に対して、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的高い樹脂フィルムを積層することで、その一方の面のみにおいて粘着性を発揮させることができる。なお、本明細書における半導体加工用シートの最外層には、剥離シート等、使用時に除去されるものを含まないものとする。

本実施形態における基材では、上記の樹脂系材料を主材料とするフィルム内に、顔料、染料、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、フィラー等の各種添加剤が含まれていてもよい。顔料としては、例えば、二酸化チタン、カーボンブラック等が挙げられる。また、フィラーとしては、メラミン樹脂のような有機系材料、ヒュームドシリカのような無機系材料およびニッケル粒子のような金属系材料が例示される。こうした添加剤の含有量は特に限定されないが、基材が所望の機能を発揮し得る範囲に留めることが好ましい。

半導体加工用シートが後述する粘着剤層を有する場合、基材は、その表面に積層される粘着剤層との密着性を向上させる目的で、所望により片面または両面に、酸化法や凹凸化法などによる表面処理、あるいはプライマー層を形成するプライマー処理を施すことができる。上記酸化法としては、例えばコロナ放電処理、プラズマ放電処理、クロム酸化処理（湿式）、火炎処理、熱風処理、オゾン、紫外線照射処理などが挙げられ、また、凹凸化法としては、例えばサンドブラスト法、溶射処理法などが挙げられる。

また、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤を含有する場合、基材は、エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。特に、エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材は紫外線に対して透過性を有することが好ましく、エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材は電子線の透過性を有することが好ましい。

本実施形態に係る半導体加工用シートにおいて、基材の製造方法は特に制限されず、例えば、キャスト成型法（溶融流延法）、Ｔダイ法やインフレーション法のような溶融押出法、カレンダー法など、いずれの方法を用いてもよい。なかでも、厚さのバラツキを抑制することが容易であるという観点から、キャスト成型法により基材を製造することが好ましい。この場合、基材の材料となる液状の配合物（硬化前の樹脂、樹脂の溶液等）を、工程シート上に薄膜状にキャストした後に、塗膜を硬化させてフィルム化することで基材を製造できることが好ましい。

基材の厚さは、半導体加工用シートが所望の工程において適切に機能できる限り、限定されない。基材の厚さは、２０μｍ以上であることが好ましく、特に４０μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、２５０μｍ以下であることが好ましく、特に２００μｍ以下であることが好ましい。

また、２ｃｍ間隔で厚みを測定した際の、基材の厚さの標準偏差は、２μｍ以下であることが好ましく、特に１．５μｍ以下であることが好ましく、さらには１μｍ以下であることが好ましい。当該標準偏差が２μｍ以下であることで、半導体加工用シートが精度の高い厚さを有するものとなり、半導体加工用シートを均一に延伸することが可能となる。

３．粘着剤層
本実施形態に係る半導体加工用シートは、基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層をさらに備えることが好ましい。これにより、半導体加工用シートは、当該粘着剤層側の面において所望の粘着性を発揮し易くなり、当該面に半導体チップ等を良好に貼付することが可能となる。

粘着剤層は、半導体加工用シートにおいて前述した物性が達成できるものであれば、特に限定されない。当該粘着剤層は、非エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよいし、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよい。非エネルギー線硬化性粘着剤としては、所望の粘着力および再剥離性を有するものが好ましく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等を使用することができる。これらの中でも、半導体加工用シートを延伸した際に半導体チップ等の脱落を効果的に抑制することのできるアクリル系粘着剤が好ましい。

一方、エネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線照射により硬化して粘着力が低下するため、半導体チップと半導体加工用シートとを分離させたいときに、エネルギー線照射することにより、容易に分離させることができる。

粘着剤層を構成するエネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とするものであってもよいし、非エネルギー線硬化性ポリマー（エネルギー線硬化性を有しないポリマー）と少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とするものであってもよい。また、エネルギー線硬化性を有するポリマーと非エネルギー線硬化性ポリマーとの混合物であってもよいし、エネルギー線硬化性を有するポリマーと少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物であってもよいし、それら３種の混合物であってもよい。

最初に、エネルギー線硬化性粘着剤が、エネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とする場合について、以下説明する。

エネルギー線硬化性を有するポリマーは、側鎖にエネルギー線硬化性を有する官能基（エネルギー線硬化性基）が導入された（メタ）アクリル酸エステル（共）重合体（Ａ）（以下「エネルギー線硬化型重合体（Ａ）」という場合がある。）であることが好ましい。このエネルギー線硬化型重合体（Ａ）は、官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ａ１）と、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ａ２）とを反応させて得られるものであることが好ましい。なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの両方を意味する。他の類似用語も同様である。

アクリル系共重合体（ａ１）は、官能基含有モノマーから導かれる構成単位と、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位とを含むことが好ましい。

アクリル系共重合体（ａ１）の構成単位としての官能基含有モノマーは、重合性の二重結合と、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基とを分子内に有するモノマーであることが好ましい。

ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。

カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーとしては、例えば、アミノエチル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アクリル系共重合体（ａ１）を構成する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１～２０であるアルキル（メタ）アクリレートの他、例えば、分子内に脂環式構造を有するモノマー（脂環式構造含有モノマー）が好ましく用いられる。

アルキル（メタ）アクリレートとしては、特にアルキル基の炭素数が１～１８であるアルキル（メタ）アクリレート、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート等が好ましく用いられる。これらは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

脂環式構造含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチル等が好ましく用いられる。これらは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アクリル系共重合体（ａ１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、好ましくは１質量％以上、特に好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上の割合で含有する。また、アクリル系共重合体（ａ１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、好ましくは３５質量％以下、特に好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２５質量％以下の割合で含有する。

さらに、アクリル系共重合体（ａ１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上の割合で含有する。また、アクリル系共重合体（ａ１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、好ましくは９９質量％以下、特に好ましくは９５質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下の割合で含有する。

アクリル系共重合体（ａ１）は、上記のような官能基含有モノマーと、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とを常法で共重合することにより得られるが、これらモノマーの他にもジメチルアクリルアミド、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、スチレン等が共重合されてもよい。

上記官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ａ１）を、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ａ２）と反応させることにより、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）が得られる。

不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基は、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基含有モノマー単位の官能基の種類に応じて、適宜選択することができる。例えば、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基がヒドロキシ基、アミノ基または置換アミノ基の場合、不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基としてはイソシアネート基またはエポキシ基が好ましく、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基がエポキシ基の場合、不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基としてはアミノ基、カルボキシ基またはアジリジニル基が好ましい。

また上記不飽和基含有化合物（ａ２）には、エネルギー線重合性の炭素－炭素二重結合が、１分子中に少なくとも１個、好ましくは１～６個、さらに好ましくは１～４個含まれている。このような不飽和基含有化合物（ａ２）の具体例としては、例えば、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸、２－（１－アジリジニル）エチル（メタ）アクリレート、２－ビニル－２－オキサゾリン、２－イソプロペニル－２－オキサゾリン等が挙げられる。

上記不飽和基含有化合物（ａ２）は、上記アクリル系共重合体（ａ１）の官能基含有モノマーモル数に対して、好ましくは５０モル％以上、特に好ましくは６０モル％以上、さらに好ましくは７０モル％以上の割合で用いられる。また、上記不飽和基含有化合物（ａ２）は、上記アクリル系共重合体（ａ１）の官能基含有モノマーモル数に対して、好ましくは９５モル％以下、特に好ましくは９３モル％以下、さらに好ましくは９０モル％以下の割合で用いられる。

アクリル系共重合体（ａ１）と不飽和基含有化合物（ａ２）との反応においては、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基と不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基との組合せに応じて、反応の温度、圧力、溶媒、時間、触媒の有無、触媒の種類を適宜選択することができる。これにより、アクリル系共重合体（ａ１）中に存在する官能基と、不飽和基含有化合物（ａ２）中の官能基とが反応し、不飽和基がアクリル系共重合体（ａ１）中の側鎖に導入され、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）が得られる。

このようにして得られるエネルギー線硬化型重合体（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であるのが好ましく、特に１５万以上であるのが好ましく、さらには２０万以上であるのが好ましい。また、当該重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であるのが好ましく、特に１００万以下であるのが好ましい。なお、本明細書における重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定した標準ポリスチレン換算の値である。

エネルギー線硬化性粘着剤が、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）といったエネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とする場合であっても、エネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）をさらに含有してもよい。

エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）としては、例えば、多価アルコールと（メタ）アクリル酸とのエステル等を使用することができる。

かかるエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）としては、例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等の単官能性アクリル酸エステル類、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート等の多官能性アクリル酸エステル類、ポリエステルオリゴ（メタ）アクリレート、ポリウレタンオリゴ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

エネルギー線硬化型重合体（Ａ）に対し、エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）を配合する場合、エネルギー線硬化性粘着剤中におけるエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）の含有量は、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）１００質量部に対して、０質量部超であることが好ましく、特に６０質量部以上であることが好ましい。また、当該含有量は、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）１００質量部に対して、２５０質量部以下であることが好ましく、特に２００質量部以下であることが好ましい。

ここで、エネルギー線硬化性粘着剤を硬化させるためのエネルギー線として紫外線を用いる場合には、光重合開始剤（Ｃ）を添加することが好ましく、この光重合開始剤（Ｃ）の使用により、重合硬化時間および光線照射量を少なくすることができる。

光重合開始剤（Ｃ）としては、具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４－ジエチルチオキサンソン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、β－クロールアンスラキノン、（２，４，６－トリメチルベンジルジフェニル）フォスフィンオキサイド、２－ベンゾチアゾール－Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバメート、オリゴ｛２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－プロペニル）フェニル］プロパノン｝、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

光重合開始剤（Ｃ）は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）（エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）を配合する場合には、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）およびエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）の合計量１００質量部）１００質量部に対して０．１質量部以上、特に０．５質量部以上の量で用いられることが好ましい。また、光重合開始剤（Ｃ）は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）（エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）を配合する場合には、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）およびエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）の合計量１００質量部）１００質量部に対して１０質量部以下、特に６質量部以下の量で用いられることが好ましい。

エネルギー線硬化性粘着剤においては、上記成分以外にも、適宜他の成分を配合してもよい。他の成分としては、例えば、非エネルギー線硬化性ポリマー成分またはオリゴマー成分（Ｄ）、架橋剤（Ｅ）等が挙げられる。

非エネルギー線硬化性ポリマー成分またはオリゴマー成分（Ｄ）としては、例えば、ポリアクリル酸エステル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられ、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０００～２５０万のポリマーまたはオリゴマーが好ましい。当該成分（Ｄ）をエネルギー線硬化性粘着剤に配合することにより、硬化前における粘着性および剥離性、硬化後の強度、他の層との接着性、保存安定性などを改善し得る。当該成分（Ｄ）の配合量は特に限定されず、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）１００質量部に対して０質量部超、５０質量部以下の範囲で適宜決定される。

架橋剤（Ｅ）としては、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）等が有する官能基との反応性を有する多官能性化合物を用いることができる。このような多官能性化合物の例としては、イソシアネート化合物、エポキシ化合物、アミン化合物、メラミン化合物、アジリジン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド化合物、オキサゾリン化合物、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、金属塩、アンモニウム塩、反応性フェノール樹脂等を挙げることができる。

架橋剤（Ｅ）の配合量は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）１００質量部に対して、０．０１質量部以上であることが好ましく、特に０．０３質量部以上であることが好ましく、さらには０．０４質量部以上であることが好ましい。また、架橋剤（Ｅ）の配合量は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）１００質量部に対して、８質量部以下であることが好ましく、特に５質量部以下であることが好ましく、さらには３．５質量部以下であることが好ましい。

次に、エネルギー線硬化性粘着剤が、非エネルギー線硬化性ポリマー成分と少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とする場合について、以下説明する。

非エネルギー線硬化性ポリマー成分としては、例えば、前述したアクリル系共重合体（ａ１）と同様の成分が使用できる。

少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとしては、前述の成分（Ｂ）と同じものが選択できる。非エネルギー線硬化性ポリマー成分と少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの配合比は、非エネルギー線硬化性ポリマー成分１００質量部に対して、少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマー１質量部以上であるのが好ましく、特に６０質量部以上であるのが好ましい。また、当該配合比は、非エネルギー線硬化性ポリマー成分１００質量部に対して、少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマー２００質量部以下であるのが好ましく、特に１６０質量部以下であるのが好ましい。

この場合においても、上記と同様に、光重合開始剤（Ｃ）や架橋剤（Ｅ）を適宜配合することができる。

粘着剤層の厚さは、特に限定されず、例えば、３μｍ以上であることが好ましく、特に５μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、５０μｍ以下であることが好ましく、特に４０μｍ以下であることが好ましい。

４．剥離シート
本実施形態に係る半導体加工用シートは、その粘着面を半導体チップといった被着体に貼付するまでの間、粘着面を保護する目的で、当該面に剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートの構成は任意であり、プラスチックフィルムを剥離剤等により剥離処理したものが例示される。プラスチックフィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、およびポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィンフィルムが挙げられる。剥離剤としては、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系等を用いることができ、これらの中で、安価で安定した性能が得られるシリコーン系が好ましい。剥離シートの厚さについては特に制限はないが、通常２０～２５０μｍ程度である。

５．半導体加工用シートの製造方法
本実施形態に係る半導体加工用シートは、従来の半導体加工用シートと同様に製造することができる。特に、基材と粘着剤層とからなる半導体加工用シートの製造方法としては、前述の粘着性組成物から形成される粘着剤層を基材の一の面に積層できれば、詳細な方法は特に限定されない。一例を挙げれば、粘着剤層を構成する粘着性組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製し、基材の一の面上に、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、ナイフコーター等によりその塗工液を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより、粘着剤層を形成することができる。塗工液は、塗布を行うことが可能であればその性状は特に限定されず、粘着剤層を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、分散質として含有する場合もある。

また、半導体加工用シートの製造方法の別の一例としては、前述の剥離シートの剥離面上に塗工液を塗布して塗膜を形成し、これを乾燥させて粘着剤層と剥離シートとからなる積層体を形成し、この積層体の粘着剤層における剥離シート側の面と反対側の面を基材に貼付して、半導体加工用シートと剥離シートとの積層体を得てもよい。この積層体における剥離シートは工程材料として剥離してもよいし、半導体チップ、半導体ウエハ等の被着体に貼付するまでの間、粘着剤層を保護していてもよい。

塗工液が架橋剤を含有する場合には、上記の乾燥の条件（温度、時間など）を変えることにより、または加熱処理を別途設けることにより、塗膜内の非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）またはエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）と架橋剤との架橋反応を進行させ、粘着剤層内に所望の存在密度で架橋構造を形成させればよい。この架橋反応を十分に進行させるために、上記の方法などによって基材に粘着剤層を積層させた後、得られた半導体加工用シートを、例えば２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行ってもよい。

６．半導体加工用シートの使用方法
本実施形態に係る半導体加工用シートは、例えば、半導体加工用シートの片面に積層された複数の半導体チップの間隔を拡げるために使用することができる。

特に、半導体加工用シートの片面に積層された複数の半導体チップにおける隣り合う半導体チップの相互の間隔を、２００μｍ以上拡げるために使用することが好ましい。なお、当該間隔の上限は特に制限されないものの、例えば６０００μｍであってもよい。

また、本実施形態に係る半導体加工用シートは、少なくとも２軸延伸によって、半導体加工用シートの片面に積層された複数の半導体チップの間隔を拡げる場合にも使用することができる。この場合、半導体加工用シートは、例えば、互いに直交するＸ軸およびＹ軸における＋Ｘ軸方向、－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向および－Ｙ軸方向の４方向に張力を付与して引き延ばされ、より具体的には、基材におけるＭＤ方向およびＣＤ方向にそれぞれ引き延ばされる。

上記のような２軸延伸は、例えば、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に張力を付与する離間装置を使用して行うことができる。ここで、Ｘ軸およびＹ軸は直交するものとし、Ｘ軸に平行な方向のうちの１つを＋Ｘ軸方向、当該＋Ｘ軸方向に反対の方向を－Ｘ軸方向、Ｙ軸に平行な方向のうちの１つを＋Ｙ軸方向、当該＋Ｙ軸方向に反対の方向を－Ｙ軸方向とする。

上記離間装置は、半導体加工用シートに対して、＋Ｘ軸方向、－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向および－Ｙ軸方向の４方向に張力を付与し、この４方向のそれぞれについて、複数の保持手段と、それらに対応する複数の張力付与手段とを備えることが好ましい。各方向における、保持手段および張力付与手段の数は、半導体加工用シートの大きさにもよるものの、例えば、３個以上、１０個以下程度であってもよい。

ここで、例えば＋Ｘ軸方向に張力を付与するために備えられた、複数の保持手段と複数の張力付与手段とを含む群において、それぞれの保持手段は、半導体加工用シートを保持する保持部材を備え、それぞれの張力付与手段は、当該張力付与手段に対応した保持部材を＋Ｘ軸方向に移動させて半導体加工用シートに張力を付与することが好ましい。そして、複数の張力付与手段は、それぞれ独立に、保持手段を＋Ｘ軸方向に移動させるように設けられていることが好ましい。また、－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向および－Ｙ軸方向にそれぞれ張力を付与するために備えられた、複数の保持手段と複数の張力付与手段とを含む３つの群においても、同様の構成を有することが好ましい。これにより、上記離間装置は、各方向に直交する方向の領域ごとに、半導体加工用シートに対して異なる大きさの張力を付与することができる。

一般に、４つの保持部材を用いて半導体加工用シートを、＋Ｘ軸方向、－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向および－Ｙ軸方向の４方向からそれぞれ保持し、当該４方向に延伸する場合、半導体加工用シートにはこれら４方向に加え、これらの合成方向（例えば、＋Ｘ軸方向と＋Ｙ軸方向との合成方向、＋Ｙ軸方向と－Ｘ軸方向との合成方向、－Ｘ軸方向と－Ｙ軸方向との合成方向および－Ｙ軸方向と＋Ｘ軸方向との合成方向）にも張力が付与される。その結果、半導体加工用シートの内側における半導体チップの間隔と外側における半導体チップとの間隔に違いが生じることがある。

しかしながら、上述した離間装置では、＋Ｘ軸方向、－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向および－Ｙ軸方向のそれぞれの方向において、複数の張力付与手段がそれぞれ独立に半導体加工用シートに張力を付与することができるため、上述したような半導体加工用シートの内側と外側との間隔の違いが解消されるように、半導体加工用シートを延伸することができる。その結果、半導体チップの間隔を正確に調整することができる。

上記離間装置は、半導体チップの相互間隔を測定する測定手段をさらに備えることが好ましい。ここにおいて、上記張力付与手段は、測定手段の測定結果を基に、複数の保持部材を個別に移動可能に設けられていることが好ましい。これにより、上記測定手段による半導体チップの間隔の測定結果に基づいて、当該間隔をさらに調整することが可能となる結果、半導体チップの間隔をより正確に調整することが可能となる。

なお、上記離間装置において、保持手段としては、メカチャック、チャックシリンダ等のチャック手段や、減圧ポンプ、真空エジェクタ等の減圧手段であってもよく、または、接着剤、磁力等で半導体加工用シートを支持する構成であってもよい。また、チャック手段における保持部材としては、例えば、半導体加工用シートを下から支持する下支持部材と、下支持部材に支持された駆動機器と、駆動機器の出力軸に支持され、駆動機器が駆動することで半導体加工用シートを上から押さえつけることが可能な上支持部材とを備えた構成を有するものを使用することができる。当該駆動機器としては、例えば、回動モータ、直動モータ、リニアモータ、単軸ロボット、多関節ロボット等の電動機器、エアシリンダ、油圧シリンダ、ロッドレスシリンダおよびロータリシリンダ等のアクチュエータ等が挙げられる。

また、上記離間装置において、張力付与手段は、駆動機器を備え、当該駆動機器により保持部材を移動させるものであってよい。当該駆動機器としては、上述したものを使用することができる。例えば、張力付与手段は、駆動機器としての直動モータと、直動モータと保持部材との間に介在する出力軸とを備え、駆動した直動モータが出力軸を介して保持部材を移動させる構成であってよい。

本実施形態に係る半導体加工用シートを用いて半導体チップの間隔を拡げる場合、半導体チップ同士が接触した状態、または半導体チップの間隔が殆ど拡げられていない状態からその間隔を拡げてもよく、あるいは、半導体チップ同士の間隔が既に所定の間隔まで拡げられた状態から、さらにその間隔を拡げてもよい。

半導体チップ同士が接触した状態、または半導体チップの間隔が殆ど拡げられていない状態からその間隔を拡げる場合としては、例えば、ダイシングシート上において半導体ウエハを分割することで複数の半導体チップを得た後、当該ダイシングシートから本実施形態に係る半導体加工用シートに複数の半導体チップを転写し、続いて、当該半導体チップの間隔を拡げることができる。あるいは、本実施形態に係る半導体加工用シート上において半導体ウエハを分割して複数の半導体チップを得た後、当該半導体チップの間隔を拡げることもできる。

半導体チップ同士の間隔が既に所定の間隔まで拡げられた状態から、さらにその間隔を拡げる場合としては、その他の半導体加工用シート、好ましくは本実施形態に係る半導体加工用シートを用いて半導体チップ同士の間隔を所定の間隔まで拡げた後、当該シートから本実施形態に係る半導体加工用シートに半導体チップを転写し、続いて、本実施形態に係る半導体加工用シートを延伸することで、半導体チップの間隔をさらに拡げることができる。なお、このような半導体チップの転写と半導体加工用シートの延伸は、半導体チップの間隔が所望の距離となるまで複数回繰り返してもよい。

さらに、本実施形態に係る半導体加工用シートは、半導体チップの間隔を比較的大きく離間させることが求められる用途への使用が好ましく、このような用途の例としては、ファンアウト型の半導体ウエハレベルパッケージ（ＦＯ－ＷＬＰ）の製造方法が好ましく挙げられる。このようなＦＯ－ＷＬＰの製造方法の例として、以下に説明する第１態様および第２態様が挙げられる。

（１）第１態様
以下、本実施形態に係る半導体加工用シートを使用したＦＯ－ＷＬＰの製造方法の第１態様を説明する。なお、この第１態様において、本実施形態に係る半導体加工用シートは、後述する第二の粘着シート２０として使用される。

図１（Ａ）には、第一の粘着シート１０に貼着された半導体ウエハＷが示されている。半導体ウエハＷは、回路面Ｗ１を有し、回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。第一の粘着シート１０は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１とは反対側の裏面Ｗ３に貼着されている。第一の粘着シート１０は、第一の基材フィルム１１と、第一の粘着剤層１２とを有する。第一の粘着剤層１２は、第一の基材フィルム１１に積層されている。

［ダイシング工程］
図１（Ｂ）には、第一の粘着シート１０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。

第一の粘着シート１０に保持された半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。ダイシングには、ダイシングソーなどの切断手段が用いられる。ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷの厚みと、第一の粘着剤層１２との合計、並びにダイシングソーの磨耗分を加味した深さに設定する。ダイシングによって、第一の粘着剤層１２も半導体チップＣＰと同じサイズに切断される。さらに、ダイシングによって第一の基材フィルム１１にも切込みが形成される場合がある。

なお、ダイシングは、上述したダイシングソーなどの切断手段を用いる代わりに、半導体ウエハＷに対してレーザ光を照射して行ってもよい。例えば、レーザ光の照射により、半導体ウエハＷを完全に分断し、複数の半導体チップＣＰに個片化してもよい。あるいは、レーザ光の照射により半導体ウエハＷ内部に改質層を形成した後、後述する第一のエキスパンド工程において、第一の粘着シート１０を引き延ばすことで、半導体ウエハＷを改質層の位置で破断して、半導体チップＣＰに個片化してもよい（ステルスダイシング）。ステルスダイシングの場合、レーザ光の照射は、例えば、赤外域のレーザ光を、半導体ウエハＷの内部に設定された焦点に集束されるように照射する。また、これらの方法においては、レーザ光の照射は、半導体ウエハＷのいずれの側から行ってもよい。

［第一のエキスパンド工程］
図１（Ｃ）には、複数の半導体チップＣＰを保持する第一の粘着シート１０を引き延ばす工程（以下「第一のエキスパンド工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。

ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化した後、第一の粘着シート１０を引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。また、ステルスダイシングを行う場合には、第一の粘着シート１０を引き延ばすことで、半導体ウエハＷを改質層の位置で破断し、複数の半導体チップＣＰに個片化するとともに、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。第一のエキスパンド工程において第一の粘着シート１０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第一の粘着シート１０を引き延ばす方法としては、例えば、環状または円状のエキスパンダを押し当てて第一の粘着シート１０を引き延ばす方法や、把持部材などを用いて第二の粘着シートの外周部を掴んで引き延ばす方法などが挙げられる。

第一の粘着シート１０は、上述したダイシング工程に適すとともに、第一のエキスパンド工程にも適した引張弾性率を有することが好ましい。この観点から、第一の粘着シート１０は、後述する第二の粘着シート２０よりも引張弾性率が大きいことが好ましい。これにより、第一の粘着シート１０は、ダイシング時における性能を損なうことなく、所定のエキスパンド性を発揮することができ、第二の粘着シート２０は、さらに優れたエキスパンド性を発揮することができる。

なお、図１（Ｃ）に示されているように、半導体チップＣＰ間の距離をＤ１とする。距離Ｄ１としては、例えば、１５μｍ以上１１０μｍ以下とすることが好ましい。

［転写工程］
図２（Ａ）には、第一のエキスパンド工程の後に、複数の半導体チップＣＰを第二の粘着シート２０に転写する工程（以下「転写工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。第一の粘着シート１０を引き延ばして複数の半導体チップＣＰ間の距離Ｄ１を拡げた後、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に第二の粘着シート２０を貼着する。ここで、当該第二の粘着シート２０として、本実施形態に係る半導体加工用シートが使用される。

第二の粘着シート２０は、第二の基材フィルム２１と、第二の粘着剤層２２とを有する。第二の粘着シート２０は、回路面Ｗ１を第二の粘着剤層２２で覆うように貼着されることが好ましい。

第二の粘着剤層２２の粘着力は、第一の粘着剤層１２の粘着力よりも大きいことが好ましい。第二の粘着剤層２２の粘着力の方が大きければ、複数の半導体チップＣＰを第二の粘着シート２０に転写した後に第一の粘着シート１０を剥離し易くなる。

第二の粘着シート２０は、複数の半導体チップＣＰとともに、第二のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第二の粘着シート２０の第二の粘着剤層２２の上に、第二のリングフレームを載置し、これを軽く押圧し、固定する。その後、第二のリングフレームの環形状の内側にて露出する第二の粘着剤層２２を半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に押し当てて、第二の粘着シート２０に複数の半導体チップＣＰを固定する。

第二の粘着シート２０を貼着した後、第一の粘着シート１０を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３が露出する。第一の粘着シート１０を剥離した後も、第一のエキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップＣＰ間の距離Ｄ１が維持されていることが好ましい。

［第二のエキスパンド工程］
図２（Ｂ）には、複数の半導体チップＣＰを保持する第二の粘着シート２０を引き延ばす工程（以下「第二のエキスパンド工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。

第二のエキスパンド工程では、複数の半導体チップＣＰ間の間隔をさらに拡げる。第二のエキスパンド工程において第二の粘着シート２０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第二の粘着シート２０を引き延ばす方法としては、例えば、環状または円状のエキスパンダを押し当てて第二の粘着シート２０を引き延ばす方法や、把持部材などを用いて第二の粘着シートの外周部を掴んで引き延ばす方法などが挙げられる。後者の方法としては、例えば、前述した離間装置等を使用して２軸延伸する方法が挙げられる。これらの中でも、半導体チップＣＰ間の間隔をより大きく拡げることが可能となるという観点から、２軸延伸する方法が好ましい。

なお、図２（Ｂ）に示されているように、第二のエキスパンド工程後の半導体チップＣＰ間の間隔をＤ２とする。距離Ｄ２は、距離Ｄ１よりも大きい。距離Ｄ２としては、例えば、２００μｍ以上、６０００μｍ以下とすることが好ましい。

［封止工程］
図２（Ｃ）には、封止部材６０を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する工程（以下「封止工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。

封止工程は、第二のエキスパンド工程の後に実施される。回路面Ｗ１を残して複数の半導体チップＣＰを封止部材６０によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材６０が充填されている。ここで、第二の粘着シート２０により回路面Ｗ１および回路Ｗ２が覆われているので、封止部材６０で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。

封止工程により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップＣＰが封止部材６０に埋め込まれた封止体３が得られる。封止工程においては、複数の半導体チップＣＰは、距離Ｄ２が維持された状態で、封止部材６０により覆われることが好ましい。

封止工程の後、第二の粘着シート２０が剥離されると、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１および封止体３の第二の粘着シート２０と接触していた面３Ａが露出する。

［再配線層形成工程、および外部端子電極との接続工程］
図３（Ａ）には、第二の粘着シート２０を剥離した後の封止体３の断面図が示されている。この封止体３に対して、再配線層を形成する再配線層形成工程と、形成された再配線層に対して外部端子電極を接続する工程とが順に行われる。なお、図３（Ａ）には、図２（Ｃ）中に示される回路Ｗ２をより詳細に示したものとして、内部端子電極Ｗ４が示されている。

再配線層形成工程および外部端子電極との接続工程によって、図３（Ｂ）に示されるように、内部端子電極Ｗ４に接続された再配線層５と、再配線層５に接続された外部端子電極６とが形成される。具体的には、次のように形成される。まず、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１および封止体３の面３Ａに第一の絶縁層４Ａを形成する。続いて、再配線層５を、内部端子電極Ｗ４と電気的に接続するように形成する。さらに、再配線層５を覆う第二の絶縁層４Ｂを形成する。このとき、再配線層５は、外部電極パッド５Ａを残して第二の絶縁層４Ｂにより覆われる。最後に、外部電極パッド５Ａに、はんだボール等の外部端子電極６を載置し、はんだ接合などにより、外部端子電極６と外部電極パッド５Ａとを電気的に接続する。

［第二のダイシング工程］
図３（Ｃ）には、外部端子電極６が接続された封止体３を個片化させる工程（以下「第二のダイシング工程」という場合がある。）を説明する断面図が示されている。この第二のダイシング工程では、封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する。封止体３を個片化させる方法は、特に限定されない。例えば、前述の半導体ウエハＷをダイシングした方法と同様の方法を採用して、封止体３を個片化することができる。封止体３を個片化させる工程は、封止体３をダイシングシート等の粘着シートに貼着させて実施してもよい。

封止体３を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージ１が製造される。上述のように半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド５Ａに外部端子電極６を接続させた半導体パッケージ１は、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ－ＷＬＰ）として製造される。

［変形例］
上述した第１態様に係るＦＯ－ＷＬＰの製造方法は、一部の工程を変更したり、一部の工程を省略してもよい。

（２）第２態様
以下、本実施形態に係る半導体加工用シートを使用したＦＯ－ＷＬＰの製造方法の第２態様を説明する。なお、この第２態様においても、本実施形態に係る半導体加工用シートは、後述する第二の粘着シート２０として使用される。

図４（Ａ）には、第三の粘着シートとしての保護シート３０に貼着された半導体ウエハＷが示されている。半導体ウエハＷは、第一の面としての回路面Ｗ１を有し、回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。保護シート３０は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に貼着されている。保護シート３０は、回路面Ｗ１および回路Ｗ２を保護する。

保護シート３０は、第三の基材フィルム３１と、第三の粘着剤層３２とを有する。第三の粘着剤層３２は、第三の基材フィルム３１に積層されている。

［溝形成工程］
図４（Ｂ）には、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１側から所定深さの溝を形成する工程（以下「溝形成工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。

溝形成工程において、保護シート３０側からダイシング装置のダイシングブレードなどを用いて半導体ウエハＷに切込みを入れる。その際、保護シート３０を完全に切断し、かつ、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１から、半導体ウエハＷの厚さよりも浅い深さの切込みを入れて、溝Ｗ５を形成する。溝Ｗ５は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に形成された複数の回路Ｗ２を区画するように形成される。溝Ｗ５の深さは、目的とする半導体チップの厚みよりもやや深い程度であれば、特に限定はされない。溝Ｗ５の形成時には、半導体ウエハＷからの切削屑が発生する。第２態様に係る製造方法では、回路面Ｗ１が保護シート３０により保護された状態で、溝Ｗ５の形成を行っているため、切削屑による回路面Ｗ１や回路Ｗ２の汚染や破損を防止できる。

［研削工程］
図４（Ｃ）には、溝Ｗ５を形成した後、半導体ウエハＷの第二の面としての裏面Ｗ６を研削する工程（以下「研削工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。

第２態様に係る製造方法では、研削する前に、保護シート３０側に、第一の粘着シート１０を貼着する。第一の粘着シート１０を貼着した後、グラインダー５０を用いて、裏面Ｗ６側から半導体ウエハＷを研削する。研削により、半導体ウエハＷの厚みが薄くなり、最終的に複数の半導体チップＣＰへ分割される。溝Ｗ５の底部が除去されるまで裏面Ｗ６側から研削を行い、半導体ウエハＷを回路Ｗ２ごとに個片化する。その後、必要に応じてさらに裏面研削を行い、所定厚さの半導体チップＣＰを得ることができる。第２態様に係る製造方法では、第三の面としての裏面Ｗ３が露出するまで研削する。

図４（Ｄ）には、分割された複数の半導体チップＣＰが保護シート３０および第一の粘着シート１０に保持された状態が示されている。なお、本明細書においては、上述したように、先に溝Ｗ５を設けておき、その後裏面の研削を行うことで、半導体ウエハＷを半導体チップＣＰに分割する方法を、「先ダイシング法」という場合がある。

［貼付工程（第二の粘着シート）］
図５（Ａ）には、研削工程の後、第二の粘着シート２０を、複数の半導体チップＣＰに貼付する工程（以下「貼付工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。

第二の粘着シート２０は、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に貼着される。第二の粘着シート２０は、第二の基材フィルム２１と、第二の粘着剤層２２とを有する。ここで、当該第二の粘着シート２０として、本実施形態に係る半導体加工用シートが使用される。

第二の粘着剤層２２の半導体ウエハＷに対する粘着力は、第三の粘着剤層３２の半導体ウエハＷに対する粘着力よりも大きいことが好ましい。第二の粘着剤層２２の粘着力の方が大きければ、第一の粘着シート１０および保護シート３０を剥離し易くなる。

第二の粘着シート２０は、複数の半導体チップＣＰとともに、リングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第二の粘着シート２０の第二の粘着剤層２２の上に、リングフレームを載置し、これを軽く押圧し、固定する。その後、リングフレームの環形状の内側にて露出する第二の粘着剤層２２を半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に押し当てて、第二の粘着シート２０に複数の半導体チップＣＰを固定する。

［剥離工程（第一の粘着シート）］
図５（Ｂ）には、第二の粘着シート２０を貼付した後に、第一の粘着シート１０および保護シート３０を剥離する工程（以下「剥離工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。

剥離工程おいて、第一の粘着シート１０を剥離する際に、切断された保護シート３０を同伴して剥離する。保護シート３０を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１が露出する。ここで、図５（Ｂ）に示されているように、先ダイシング法によって分割された半導体チップＣＰ間の距離をＤ１とする。距離Ｄ１としては、例えば、１５μｍ以上、１１０μｍ以下とすることが好ましい。

［エキスパンド工程］
図５（Ｃ）には、複数の半導体チップＣＰを保持する第二の粘着シート２０を引き延ばす工程（以下「エキスパンド工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。

エキスパンド工程では、複数の半導体チップＣＰ間の間隔をさらに拡げる。エキスパンド工程において第二の粘着シート２０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第二の粘着シート２０を引き延ばす方法としては、例えば、環状または円状のエキスパンダを押し当てて第二の粘着シート２０を引き延ばす方法や、把持部材などを用いて第二の粘着シートの外周部を掴んで引き延ばす方法などが挙げられる。後者の方法としては、例えば、前述した離間装置等を使用して２軸延伸する方法が挙げられる。これらの中でも、半導体チップＣＰ間の間隔をより大きく拡げることが可能となるという観点から、２軸延伸する方法が好ましい。

第２態様に係る製造方法では、図５（Ｃ）に示されているように、エキスパンド工程後の半導体チップＣＰ間の距離をＤ２とする。距離Ｄ２は、距離Ｄ１よりも大きい。距離Ｄ２としては、例えば、２００μｍ以上、６０００μｍ以下とすることが好ましい。

［封止工程］
図６には、封止部材６０を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する工程（以下「封止工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。

図６（Ａ）には、エキスパンド工程の後に、第四の粘着シートとしての表面保護シート４０を複数の半導体チップＣＰに貼付する工程を説明する図が示されている。

第二の粘着シート２０を引き延ばして複数の半導体チップＣＰ間の間隔を距離Ｄ２まで拡げた後、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に表面保護シート４０を貼着する。表面保護シート４０は、第四の基材フィルム４１と、第四の粘着剤層４２とを有する。表面保護シート４０は、回路面Ｗ１を第四の粘着剤層４２で覆うように貼着されることが好ましい。

表面保護シート４０を貼着した後、第二の粘着シート２０を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３が露出する。第二の粘着シート２０を剥離した後も、エキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップＣＰ間の距離Ｄ２が維持されていることが好ましい。第二の粘着剤層２２にエネルギー線重合性化合物が配合されている場合には、第二の粘着剤層２２に第二の基材フィルム２１側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物を硬化させてから第二の粘着シート２０を剥離することが好ましい。

図６（Ｂ）には、表面保護シート４０によって保持された複数の半導体チップＣＰを封止する工程を説明する図が示されている。

回路面Ｗ１を残して複数の半導体チップＣＰを、封止部材６０によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材６０が充填されている。ここにおいて、表面保護シート４０により回路面Ｗ１および回路Ｗ２が覆われているので、封止部材６０で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。

封止工程により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップＣＰが封止部材に埋め込まれた封止体３が得られる。封止工程においては、複数の半導体チップＣＰは、距離Ｄ２が維持された状態で、封止部材６０により覆われることが好ましい。

封止工程の後、表面保護シート４０が剥離されると、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１および封止体３の表面保護シート４０と接触していた面３Ｓが露出する（図３（Ａ）参照）。

［再配線層形成工程、外部端子電極との接続工程および第二のダイシング工程］
封止工程に続いて、再配線層形成工程、外部端子電極との接続工程および第二のダイシング工程が行われる。これらの工程は、第１態様に係る製造方法と同様に行うことができる（図３（Ｂ）および図３（Ｃ）参照）。これらの工程を経ることで、ＦＯ－ＷＬＰが得られる。

［変形例］
上述した第２態様に係るＦＯ－ＷＬＰの製造方法は、一部の工程を変更したり、一部の工程を省略してもよい。そのような変形例を以下に説明する。

第２態様に係る製造方法の第１の変形例として、第二の粘着シート２０の貼付工程に続いて、第一の粘着シート１０だけを剥離する工程を行ってもよい。すなわち、前述した第２態様では、第一の粘着シート１０を剥離する際に、切断された保護シート３０を同伴して剥離したのに対し、本変形例では、保護シート３０を半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に残したまま第一の粘着シート１０を剥離する。第一の粘着シート１０の剥離により、図７（Ａ）に示すように、切断された保護シート３０が貼付された複数の半導体チップＣＰが、第二の粘着シート２０上に積層された状態となる。

続いて、図７（Ｂ）に示すように、前述したエキスパンド工程を行う。すなわち、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に切断された保護シート３０が貼付された状態で、第二の粘着シート２０を引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間を距離Ｄ２まで拡げる。

エキスパンド工程の後、図７（Ｃ）に示すように、複数の半導体チップＣＰを封止する工程を行う。前述した第２態様では、図６（Ｂ）に示すように、表面保護シート４０上にて半導体チップＣＰを封止したのに対し、本変形例では、図７（Ｃ）に示すように、第二の粘着シート２０上において、封止部材６０を用いて半導体チップＣＰを封止する。ここで、回路面Ｗ１には保護シート３０が貼着されているので、表面保護シート４０を貼着しなくてもよく、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に第二の粘着シートが貼着されたたまま封止できる。回路面Ｗ１を残して複数の半導体チップＣＰを封止部材６０によって覆うことにより封止体３が形成される。封止体３の面３Ｓと半導体チップＣＰの回路面Ｗ１とが同一面であることが好ましい。

封止工程の後、保護シート３０および第二の粘着シート２０を剥離する。その後、前述した再配線層形成工程、外部端子電極との接続工程および第二のダイシング工程を行うことで、ＦＯ－ＷＬＰが得られる。

本実施形態に係る半導体加工用シートは、大きく延伸することができるため、以上説明したような、半導体チップの間隔を大きく拡げる必要がある用途に好適に使用することができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

例えば、半導体加工用シートが基材と粘着剤層とを備える構成である場合、基材と粘着剤層との間には、他の層が介在していてもよい。

以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。

〔実施例１〕
（１）粘着性組成物の調製
ブチルアクリレート／２－ヒドロキシエチルアクリレート＝８５／１５（質量比）を反応させて得られたアクリル系共重合体と、その２－ヒドロキシエチルアクリレートに対して８０モル％のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）とを反応させて、エネルギー線硬化型重合体を得た。このエネルギー線硬化型重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、６０万であった。

得られたエネルギー線硬化型重合体１００質量部と、光重合開始剤としての１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製，製品名「イルガキュア１８４」）３質量部と、架橋剤としてのトリレンジイソシアネート系架橋剤（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）０．４５質量部とを溶媒中で混合し、粘着性組成物を得た。

（２）半導体加工用シートの作製
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの片面にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１１」）の剥離面に対して、上記粘着性組成物を塗布し、加熱により乾燥させることで、剥離フィルム上に、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、この粘着剤層の露出面に、基材としてのポリエステル系ポリウレタンエラストマーシート（シーダム社製，製品名「ハイグレスＤＵＳ２０２」，厚さ５０μｍ）の片面を貼り合せることで、粘着剤層に剥離フィルムが貼付された状態で半導体加工用シートを得た。

〔比較例１〕
ポリ塩化ビニル樹脂（ＰＶＣ，平均重合度：１０５０）１００質量部と、アジピン酸系ポリエステル可塑剤４２質量部と、少量の安定剤とを混練し、カレンダー装置を用いてフィルム状に成形することで得られた、厚さ８０μｍの塩化ビニルフィルムを基材として使用する以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。

〔比較例２〕
厚さ８０μｍのポリプロピレンフィルム（ＰＰ，ダイヤプラスフィルム社製，製品名「ＬＴ０１－０６０５１」）を基材として使用する以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。

〔試験例１〕（引張試験）
実施例および比較例において製造した半導体加工用シートを１５ｍｍ×１４０ｍｍに裁断し、剥離シートを剥離することで試験片とした。当該試験片について、ＪＩＳ Ｋ７１６１：２０１４およびＪＩＳ Ｋ７１２７：１９９９に準拠して、２３℃における破断伸度および引張弾性率を測定した。具体的には、上記試験片を、引張試験機（島津製作所製，製品名「オートグラフＡＧ－ＩＳ ５００Ｎ」）にて、チャック間距離１００ｍｍに設定した後、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張試験を行い、破断伸度（％）および引張弾性率（ＭＰａ）を測定した。なお、測定は、基材の製造時の流れ方向（ＭＤ）およびこれに直角の方向（ＣＤ）の双方で行った。結果を表１に示す。

〔試験例２〕（１００％応力および復元率の測定）
実施例または比較例で得た半導体加工用シートを、１５０ｍｍ×１５ｍｍに切断し、剥離シートを剥離することで試験片を得た。なお、半導体加工用シートの製造時における流れ方向（ＭＤ方向）が、試験片の長さ方向となるように切断した。その後、試験片の長さ方向の両端を、引張試験機（島図製作所社製，製品名「オートグラフＡＧ－ＩＳ ５０Ｎ」）のつかみ具で固定した。このとき、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるように、つかみ具で試験片を把持した。この長さを、初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）とした。そして、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に１００ｍｍ引張り、つかみ具間の長さを２００ｍｍとした。この長さから初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）（すなわち１００ｍｍ）を引いた長さを拡張長さＬ１（ｍｍ）とした。この時の試験力を測定し、引張試験における１００％強度（Ｎ）を求め、ＭＤ方向の１００％強度（Ｎ）とした。そして、ＭＤ方向の１００％強度（Ｎ）を、半導体加工シートの断面積で除算することで、ＭＤ方向の１００％応力（ＭＰａ）を求めた。さらに、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなった状態で１分間保持した後、つかみ具間の長さがＬ０（ｍｍ）となるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度でつかみ具を戻し、つかみ具間の長さがＬ０（ｍｍ）の状態で１分間保持した。その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張力が０．１Ｎ／１５ｍｍを示した時点でのつかみ具間の長さを記録した。この長さから初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）を引いた値を、Ｌ２（ｍｍ）とした。

上記Ｌ１およびＬ２の値を下記式（Ｉ）にあてはめ、復元率（％）を算出した。その結果を表１に示す。
復元率（％）＝｛１－(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００ ・・・ （Ｉ）

また、実施例または比較例で得た半導体加工用シートを、その製造時における流れ方向に対して直交する方向（ＣＤ方向）が試験片の長さ方向となるように、１５０ｍｍ×１５ｍｍに切断し、剥離シートを剥離することで得た試験片についても、上記と同様に１００％強度（Ｎ）および１００％応力（ＭＰａ）の測定を行い、それぞれＣＤ方向の１００％強度（Ｎ）およびＣＤ方向の１００％応力（ＭＰａ）とした。それらの結果を表１に示す。さらに、ＣＤ方向の１００％応力（ＭＰａ）に対する、ＭＤ方向の１００％応力（ＭＰａ）の比を算出した。その結果も表１に示す。

〔試験例３〕（エキスパンド試験）
ダイシングテープ（リンテック社製，製品名「ＡＤＷＩＬＬ Ｄ－６７５」）の剥離シートを剥離し、露出した粘着面を、リングフレームおよび６インチシリコンミラーウエハ（直径：１５０ｍｍ，厚さ：３５０μｍ，研削面＃２０００）の研削面に貼付した。次いで、ダイサー（ディスコ社製，製品名「ＤＦＤ－６５１」）を使用して、以下の条件にてシリコンミラーウエハをフルカットでダイシングした。これにより、ダイシングテープ上に、個片化された複数のシリコンチップを得た。その後、ダイシングテープに対して、ＵＶ照射装置（リンテック社製，製品名「ＲＡＤ－２０００ｍ／１２」）を用いて、ＵＶ照射（照度：１２０ｍＷ／ｃｍ^２，光量：７０ｍＪ／ｃｍ^２）を行った。
・ダイシングブレード：ディスコ社製，製品名「ＮＢＣ－ＺＨ２０５Ｏ ２７ＨＥＣＣ」
・回転数：３０，０００ｒｐｍ
・ハイト：０．０６ｍｍ
・カット速度：６０ｍｍ／ｓｅｃ
・チップサイズ：３ｍｍ×３ｍｍ

続いて、実施例または比較例で得た半導体加工用シートを、２１０ｍｍ×２１０ｍｍの四角形のサイズに裁断した。このとき、裁断後のシートの各辺が、半導体加工用シートにおける基材のＭＤ方向と平行または垂直となるように裁断した。次に、剥離シートを剥離し、露出した粘着面に、上記ダイシングで得られたシリコンチップすべてを転写した。このとき、シリコンチップの一群が、半導体加工用シートの中央部に位置するように転写した。また、シリコンウエハを個片化したときのダイシングラインが、半導体加工用シートの各辺と平行または垂直となるように転写した。

次に、シリコンチップが転写された半導体加工用シートを、２軸延伸可能なエキスパンド装置（離間装置）に設置した。図８には、当該エキスパンド装置１００を説明する平面図が示される。図８中、Ｘ軸およびＹ軸は、互いに直交する関係にあり、当該Ｘ軸の正の方向を＋Ｘ軸方向、当該Ｘ軸の負の方向を－Ｘ軸方向、当該Ｙ軸の正の方向を＋Ｙ軸方向、当該Ｙ軸の負の方向を－Ｙ軸方向とする。半導体加工用シート２００は、各辺がＸ軸またはＹ軸と平行となるように、エキスパンド装置１００に設置した。その結果、半導体加工用シート２００における基材のＭＤ方向は、Ｘ軸またはＹ軸と平行となる。なお、図８中、シリコンチップは省略されている。

図８に示されるように、エキスパンド装置１００は、＋Ｘ軸方向、－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向および－Ｙ軸方向のそれぞれに５つの保持手段１０１（計２０個の保持手段１０１）を備える。各方向における５つの保持手段１００のうち、両端に位置するものを保持手段１０１Ａとし、中央に位置するものを保持手段１０１Ｃとし、保持手段１０１Ａと保持手段１０１Ｃとの間に位置するものを保持手段１０１Ｂとする。半導体加工用シート２００の各辺を、これらの保持手段１０１によって把持させた。

ここで、図８に示されるように、半導体加工用シート２００の一辺は２１０ｍｍである。また、各辺における保持手段１０１同士の間隔は４０ｍｍである。また、半導体加工用シート２００の一辺における端部（シートの頂点）と、当該辺に存在し、当該端部に最も近い保持手段１０１Ａとの間隔は２５ｍｍである。

続いて、保持手段１０１のそれぞれに対応する、図示されていない複数の張力付与手段を駆動させて、保持手段１０１をそれぞれ独立に移動させた。このとき、半導体加工用シート２００における＋Ｘ軸方向側の一辺を把持する５つの保持手段１０１については、＋Ｘ軸方向に延伸速度：２．５ｍｍ／ｓｅｃで４０秒間移動させた。それと同時に、これらの５つの保持手段１０１のうち、保持手段１０１Ａおよび保持手段１０１Ｂを、保持手段１０１Ｃから遠ざける方向（すなわち、＋Ｙ軸方向または－Ｙ軸方向）に移動させた。このとき、保持手段１０１Ａは延伸速度：２．５ｍｍ／ｓｅｃの２／３の速度で移動させ、保持手段１０１Ｂは延伸速度：２．５ｍｍ／ｓｅｃの１／３の速度で移動させた。なお、保持手段１０１Ｃは、＋Ｙ軸方向および－Ｙ軸方向へは移動させなかった。半導体加工用シート２００における、＋Ｘ軸方向以外の３方向側に位置する保持手段１０１についても、＋Ｘ軸方向と同様に、各方向への移動と、保持手段１０１Ａおよび保持手段１０１Ｂを保持手段１０１Ｃから遠ざける方向への移動とを行った。

以上のように各保持手段１０１を移動させた結果、半導体加工用シート２００は、＋Ｘ軸方向および－Ｘ軸方向にそれぞれ１００ｍｍずつ延伸されるとともに、＋Ｙ軸方向および－Ｙ軸方向にそれぞれ１００ｍｍずつ延伸された。すなわち、半導体加工用シート２００は、各辺が２００ｍｍずつ延伸された。その結果、延伸後の半導体加工用シート２００の各辺の長さは、４１０ｍｍとなった。

上記のように延伸された状態の半導体加工用シート２００について、以下の基準に基づいて、破断の有無を評価した。結果を表１に示す。
○：破断が生じることなく、良好に延伸された。
×：破断が生じた。

また、破断の有無の評価が「○」であった半導体加工用シート２００については、半導体加工用シート２００を延伸された状態において、複数のシリコンチップから構成される略円形の形状における外径（ダイシングおよび延伸を行う前のシリコンウエハの外径に対応する長さ）を、ウエハ外径対応長さ（ｍｍ）として測定した。結果を表１に示す。

さらに、測定したウエハ外径対応長さ（ｍｍ）を以下の計算式（ＩＩ）にあてはめ、チップ間隔（ｍｍ）を算出した。結果を表１に示す。
チップ間隔（ｍｍ）＝｛ウエハ外径対応長さ（ｍｍ）－１５０ｍｍ（シリコンウエハ直径）｝÷４９（ダイシングライン数） ・・・ （ＩＩ）

なお、上記式（ＩＩ）において、ダイシングライン数が４９であることは、直径１５０ｍｍのシリコンウエハを３ｍｍ×３ｍｍのチップサイズにダイシングする場合、シリコンウエハは一方向および当該方向に直交する方向にそれぞれ３ｍｍ間隔でダイシングされ、各方向に最大で５０等分されるが、そのときのダイシングライン数がそれぞれの方向において４９個であることに基づく。

表１から明らかなように、実施例の半導体加工用シートは、破断することなく大きく延伸することができた。

本発明に係る半導体加工用シートは、例えばＦＯ－ＷＬＰの製造に好適に用いられる。

Ｗ…半導体ウエハ
Ｗ１…回路面
Ｗ２…回路
Ｗ３…裏面
Ｗ４…内部端子電極
Ｗ５…溝
Ｗ６…裏面
ＣＰ…半導体チップ
１…半導体パッケージ
３…封止体
４Ａ…第一の絶縁層
４Ｂ…第二の絶縁層
５…再配線層
５Ａ…外部電極パッド
６…外部端子電極
１０…第一の粘着シート
１１…第一の基材フィルム
１２…第一の粘着剤層
２０…第二の粘着シート
２１…第二の基材フィルム
２２…第二の粘着剤層
３０…保護シート
４０…表面保護シート
４１…第四の基材フィルム
４２…第四の粘着剤層
５０…グラインダー
６０…封止部材
１００…エキスパンド装置
１０１，１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ…保持手段
２００…半導体加工用シート

Claims (5)

1. 半導体加工用シートの片面に、個片化された複数の半導体チップを貼付する工程と、
   前記半導体加工用シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップにおける隣り合う半導体チップの相互の間隔を、２００μｍ以上、６０００μｍ以下まで拡げる工程と
   を備える半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体加工用シートが、少なくとも基材を備え、
   前記半導体加工用シートの復元率が、９１％以上、１００％以下であり、
   ２３℃において前記基材のＣＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの１００％応力に対する、２３℃において前記基材のＭＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの１００％応力の比が、０．９７以上、１．０３以下であり、
   ２３℃において前記基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの引張弾性率が、ＭＤ方向について１０ＭＰａ以上、３９ＭＰａ以下であるとともに、ＣＤ方向について１０ＭＰａ以上、３８ＭＰａ以下であり、
   ２３℃において前記基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの１００％応力が、ＭＤ方向について３ＭＰａ以上、７．６ＭＰａ以下であるとともに、ＣＤ方向について３ＭＰａ以上、７．４ＭＰａ以下であり、
   ２３℃において前記基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの破断伸度が、それぞれ６００％超であり、
   前記復元率は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し、その後、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し、その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張力の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを示した時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき、次式（Ｉ）
   復元率（％）＝｛１－(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００ ・・・ （Ｉ）
   から算出される値であり、
   前記１００％応力は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの引張力の測定値を、半導体加工用シートの長さ方向に直交する面で切断したときの断面積で除算することで得られる値であり、
   前記基材は、ウレタン系エラストマーからなる
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. ダイシングシート上において半導体ウエハを分割することで複数の半導体チップを得る工程と、
   前記ダイシングシートから第一の半導体加工用シートに前記複数の半導体チップを転写する工程と、
   前記第一の半導体加工用シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、
   前記第一の半導体加工用シートから第二の半導体加工用シートに前記複数の半導体チップを転写する工程と、
   前記第二の半導体加工用シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔をさらに拡げる工程と
   を備える半導体装置の製造方法であって、
   前記第一の半導体加工用シートおよび前記第二の半導体加工用シートの各々が、少なくとも基材を備え、
   前記第一の半導体加工用シートおよび前記第二の半導体加工用シートの各々の復元率が、９１％以上、１００％以下であり、
   前記第一の半導体加工用シートおよび前記第二の半導体加工用シートの各々について、２３℃において前記基材のＣＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの１００％応力に対する、２３℃において前記基材のＭＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの１００％応力の比が、０．９７以上、１．０３以下であり、
   前記第一の半導体加工用シートおよび前記第二の半導体加工用シートの各々について、２３℃において前記基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの引張弾性率が、ＭＤ方向について１０ＭＰａ以上、３９ＭＰａ以下であるとともに、ＣＤ方向について１０ＭＰａ以上、３８ＭＰａ以下であり、
   前記第一の半導体加工用シートおよび前記第二の半導体加工用シートの各々について、２３℃において前記基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの１００％応力が、ＭＤ方向について３ＭＰａ以上、７．６ＭＰａ以下であるとともに、ＣＤ方向について３ＭＰａ以上、７．４ＭＰａ以下であり、
   前記第一の半導体加工用シートおよび前記第二の半導体加工用シートの各々について、２３℃において前記基材のＭＤ方向およびＣＤ方向に測定される前記半導体加工用シートの破断伸度が、それぞれ６００％超であり、
   前記復元率は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し、その後、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し、その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張力の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを示した時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき、次式（Ｉ）
   復元率（％）＝｛１－(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００ ・・・ （Ｉ）
   から算出される値であり、
   前記１００％応力は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの引張力の測定値を、半導体加工用シートの長さ方向に直交する面で切断したときの断面積で除算することで得られる値であり、
   前記基材は、ウレタン系エラストマーからなる
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 前記半導体加工用シートは、前記基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記半導体加工用シートの前記引き延ばしは、互いに直交するＸ軸およびＹ軸における＋Ｘ軸方向、－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向および－Ｙ軸方向の４方向に張力を付与して行うことを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
5. ファンアウト型の半導体ウエハレベルパッケージの製造方法であることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。

Images