JP7334063B2 - モールドチップの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 87
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 79
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 47
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 47
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 43
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 27
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 41
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 30
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 30
- 102100029860 Suppressor of tumorigenicity 20 protein Human genes 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
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- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
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- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
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- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
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- H01L23/3185—Partial encapsulation or coating the coating covering also the sidewalls of the semiconductor body
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- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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Description
本発明の実施形態1に係るモールドチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るモールドチップの製造方法により製造されるモールドチップの一例を示す斜視図である。図2は、図1に示されたモールドチップに製造されるウェーハの一例を示す斜視図である。図3は、図2中のIII-III線に沿う断面図である。
図5は、図4に示されたモールドチップの製造方法の準備ステップのエッジトリミングステップを模式的に示す側面図である。図6は、図4に示されたモールドチップの製造方法の準備ステップの溝形成ステップを模式的に示す側面図である。図7は、図4に示されたモールドチップの製造方法の準備ステップの保護部材貼着ステップ後のウェーハを模式的に示す断面図である。図8は、図4に示されたモールドチップの製造方法の準備ステップの研削ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。
エッジトリミングステップST11は、ウェーハ10の外周縁に沿ってウェーハ10の表面5側の円弧状の部分13を除去するステップである。実施形態1では、エッジトリミングステップST11では、切削装置20が、チャックテーブル21の保持面22にウェーハ10の裏面7側を吸引保持する。
溝形成ステップST12は、ウェーハ10に仕上げ厚さ15を超える深さの溝16を表面5の分割予定ライン11に沿って形成するステップである。溝形成ステップST12では、切削装置30が、チャックテーブル31の保持面32にウェーハ10の裏面7側を吸引保持し、図示しない撮像ユニットでウェーハ10の表面5を撮像して、切削ユニット33の切削ブレード35とウェーハ10の分割予定ライン11との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
保護部材貼着ステップST13は、溝16が形成されたウェーハ10の表面5にウェーハ保護部材である保護部材100を貼着するステップである。実施形態1では、保護部材100は、ウェーハ10の外径よりも大径な円板状でかつ耐熱性と可撓性を有する保護テープが用いられる。なお、耐熱性とは、モールドステップST2において、モールド樹脂3でデバイスチップ2の裏面7及び側面8を被覆する際の温度まで加熱されても、物性などが変化しないことを示している。
研削ステップST14は、ウェーハ10の裏面7を研削して、裏面7側に溝16を表出させるとともに、ウェーハ10をデバイスチップ2に分割するステップである。実施形態1において、研削ステップST14では、研削装置40が、チャックテーブル41の保持面42に保護部材100を介してウェーハ10の表面5側を吸引保持し、クランプ部43で環状フレーム101をクランプする。研削ステップST14では、研削装置40が、図8に示すように、チャックテーブル41を軸心回りに回転させつつ研削水ノズル44からウェーハ10の裏面7に研削水45を供給しながら軸心回りに回転した研削ユニット46の研削砥石47をウェーハ10の裏面7に押圧する。
図9は、図4に示されたモールドチップの製造方法のモールドステップを模式的に示す断面図である。モールドステップST2は、準備ステップST1実施後、デバイスチップ2の裏面7側とデバイスチップ2間の隙間17に溶けたモールド樹脂3を供給し、デバイスチップ2の裏面7及び側面8をモールド樹脂3で被覆してモールドウェーハ18を形成するステップである。なお、モールドウェーハ18は、研削ステップST14後の仕上げ厚さ15まで薄化されたウェーハ10よりも厚く、ウェーハ10よりも外径が大きな円板状に形成される。
図10は、図4に示されたモールドチップの製造方法のモールド分割ステップを模式的に示す断面図である。モールド分割ステップST3は、モールドステップST2実施後、モールドウェーハ18の表面5側を撮影した画像に基づいて、モールド樹脂3が充填された隙間17の中央に沿ってモールドウェーハ18をモールドチップ1に分割するステップである。
本発明の実施形態2に係るモールドチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図11は、実施形態2に係るモールドチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。図12は、図11に示されたモールドチップの製造方法の準備ステップの薄化ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。図13は、図11に示されたモールドチップの製造方法の準備ステップの分割ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。なお、図11、図12及び図13は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
薄化ステップST15は、ウェーハ10の裏面7を研削して、ウェーハ10を仕上げ厚さ15に薄化するステップである。実施形態1において、薄化ステップST15では、エッジトリミングステップST11後のウェーハ10の表面5側に保護部材100を貼着するとともに、保護部材100の外縁部に環状フレーム101を貼着する。薄化ステップST15では、研削装置70が、チャックテーブル71の保持面72に保護部材100を介してエッジトリミングステップST11後のウェーハ10の表面5側を吸引保持し、クランプ部73で環状フレーム101をクランプする。薄化ステップST15では、研削装置70が、図12に示すように、チャックテーブル71を軸心回りに回転させつつ研削水ノズル74からウェーハ10の裏面7に研削水75を供給しながら軸心回りに回転した研削ユニット76の研削砥石77をウェーハ10の裏面7に押圧する。
分割ステップST16は、薄化されたウェーハ10を分割予定ライン11に沿って分割するステップである。分割ステップST16では、切削装置80が、チャックテーブル81の保持面82にウェーハ10の表面5側を保護部材100を介して吸引保持し、クランプ部84で環状フレーム101をクランプする。分割ステップST16では、切削装置80が、赤外線カメラ86でウェーハ10を裏面7側から撮像して、分割予定ライン11を検出し、切削ユニット83の切削ブレード85とウェーハ10の分割予定ライン11との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
本発明の実施形態1及び実施形態2の変形例1に係るモールドチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図14は、実施形態1及び実施形態2の変形例1に係るモールドチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。図15は、図14に示されたモールドチップの製造方法のエキスパンドステップの個々に分割された複数のデバイスチップを拡張装置に保持した状態を模式的に示す断面図である。図16は、図15に示された保護部材を拡張した状態を模式的に示す断面図である。図17は、図16に示された保護部材のデバイスチップと環状フレームとの間を収縮させた状態を模式的に示す断面図である。なお、図15、図16及び図17は、実施形態1及び実施形態2と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態1及び実施形態2の変形例2に係るモールドチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図18は、実施形態1及び実施形態2の変形例2に係るモールドチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。図19は、図18に示されたモールドチップの製造方法の保護部材剥離ステップ後のモールドウェーハ等を模式的に示す断面図である。図20は、図18に示されたに示されたモールドチップの製造方法のモールド分割ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。なお、図18、図19及び図20は、実施形態1、実施形態2及び変形例1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態1及び実施形態2の変形例3に係るモールドチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図21は、実施形態1の変形例3に係るモールドチップの製造方法の研削ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。図22は、実施形態1の変形例3に係るモールドチップの製造方法のモールドステップを模式的に示す断面図である。図23は、実施形態2の変形例3に係るモールドチップの製造方法の薄化ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。
2 デバイスチップ
3 モールド樹脂
5 表面
6 デバイス
7 裏面
8 側面
10 ウェーハ
11 分割予定ライン
12 外周側面
13 円弧状の部分
14 チップ群
15 仕上げ厚さ
16 溝
17 隙間
18 モールドウェーハ
53 金型(型)
100 保護部材
110 粘着テープ
ST1,ST1-2 準備ステップ
ST2 モールドステップ
ST3 モールド分割ステップ
ST11 エッジトリミングステップ
ST12 溝形成ステップ
ST13 保護部材貼着ステップ
ST14 研削ステップ
ST15 薄化ステップ
ST16 分割ステップ
ST20 エキスパンドステップ
ST21 保護部材剥離ステップ
Claims (5)
- モールドチップの製造方法であって、
表面にデバイス面を備える複数のデバイスチップが整列した状態で、耐熱性の保護部材がデバイス面に貼着されたチップ群を形成する準備ステップと、
該準備ステップ実施後、デバイスチップの裏面側とデバイスチップの隙間にモールド樹脂を供給し、デバイスチップの裏面及び側面をモールド樹脂で被覆してモールドウェーハを形成するモールドステップと、
該モールドステップ実施後、チャックテーブルの透光性を有する透光板上に保護部材の複数のデバイスチップの表面側に貼着された中央部が載置され、該透光板を囲繞する枠体上に該保護部材の外縁部が載置され、該枠体に設けられた吸引口を通して、該保護部材の外縁部を吸引保持し、該透光板の下方に配置された撮像ユニットで該透光板を通して該モールドウェーハの表面側を撮影した画像に基づいて、モールド樹脂が充填された該隙間の中央に沿ってモールドウェーハをモールドチップに分割するモールド分割ステップと、を備え、
該準備ステップにおいて該デバイス面に該保護部材が貼着されてから該モールド分割ステップにおいて該モールドウェーハを該モールドチップに分割するまでの間、該デバイス面に該保護部材を貼着し続けるモールドチップの製造方法。 - 該準備ステップは、分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハに、仕上げ厚さを超える深さの溝を表面の該分割予定ラインに沿って形成する溝形成ステップと、
該溝が形成されたウェーハの表面に該保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
ウェーハの裏面を研削して該溝を表出させるとともにウェーハをデバイスチップに分割する研削ステップと、を備える請求項1に記載のモールドチップの製造方法。 - 該準備ステップでは、分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの裏面を研削して仕上げ厚さに薄化する薄化ステップと、
薄化されたウェーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備える請求項1に記載のモールドチップの製造方法。 - 該準備ステップ実施後で該モールドステップ実施前に、該保護部材を面方向に拡張し、デバイスチップ同士の距離を拡張する請求項1乃至請求項3のうちいずれか一項に記載のモールドチップの製造方法。
- ウェーハは、外周側面が円弧状に形成され、該準備ステップでは、ウェーハの外周縁に沿ってウェーハ表面側の該円弧状の部分を除去するエッジトリミングステップを備え、
該モールドステップでは、ウェーハ裏面に供給されたモールド樹脂がウェーハ裏面に向かって型で押圧される請求項1乃至請求項3のうちいずれか一項に記載のモールドチップの製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019098076A JP7334063B2 (ja) | 2019-05-24 | 2019-05-24 | モールドチップの製造方法 |
KR1020200044931A KR20200135161A (ko) | 2019-05-24 | 2020-04-14 | 몰드 칩의 제조 방법 |
CN202010418048.XA CN111987004A (zh) | 2019-05-24 | 2020-05-18 | 模制芯片的制造方法 |
SG10202004669XA SG10202004669XA (en) | 2019-05-24 | 2020-05-19 | Method of manufacturing molded chip |
TW109116657A TWI848115B (zh) | 2019-05-24 | 2020-05-20 | 封膜晶片的製造方法 |
US16/878,734 US11205580B2 (en) | 2019-05-24 | 2020-05-20 | Method of manufacturing molded chip |
DE102020206406.7A DE102020206406A1 (de) | 2019-05-24 | 2020-05-22 | Verfahren zum herstellen eines formchips |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019098076A JP7334063B2 (ja) | 2019-05-24 | 2019-05-24 | モールドチップの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020194826A JP2020194826A (ja) | 2020-12-03 |
JP7334063B2 true JP7334063B2 (ja) | 2023-08-28 |
Family
ID=73052616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019098076A Active JP7334063B2 (ja) | 2019-05-24 | 2019-05-24 | モールドチップの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11205580B2 (ja) |
JP (1) | JP7334063B2 (ja) |
KR (1) | KR20200135161A (ja) |
CN (1) | CN111987004A (ja) |
DE (1) | DE102020206406A1 (ja) |
SG (1) | SG10202004669XA (ja) |
TW (1) | TWI848115B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230274651A1 (en) * | 2020-07-17 | 2023-08-31 | Seekops Inc. | Uas work practice |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017188610A (ja) | 2016-04-08 | 2017-10-12 | 株式会社ディスコ | パッケージウェーハの製造方法及びデバイスチップの製造方法 |
WO2018003312A1 (ja) | 2016-06-30 | 2018-01-04 | リンテック株式会社 | 半導体加工用シート |
JP2018032777A (ja) | 2016-08-25 | 2018-03-01 | 株式会社ディスコ | パッケージデバイスチップの製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101094450B1 (ko) * | 2009-06-05 | 2011-12-15 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 플라즈마를 이용한 다이싱 방법 |
JP5718005B2 (ja) | 2010-09-14 | 2015-05-13 | 日東電工株式会社 | 半導体装置製造用耐熱性粘着テープ及びそのテープを用いた半導体装置の製造方法。 |
JP6557081B2 (ja) | 2015-07-13 | 2019-08-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
US9679785B2 (en) * | 2015-07-27 | 2017-06-13 | Semtech Corporation | Semiconductor device and method of encapsulating semiconductor die |
JP6738687B2 (ja) * | 2016-08-25 | 2020-08-12 | 株式会社ディスコ | パッケージウエーハの加工方法 |
-
2019
- 2019-05-24 JP JP2019098076A patent/JP7334063B2/ja active Active
-
2020
- 2020-04-14 KR KR1020200044931A patent/KR20200135161A/ko active Search and Examination
- 2020-05-18 CN CN202010418048.XA patent/CN111987004A/zh active Pending
- 2020-05-19 SG SG10202004669XA patent/SG10202004669XA/en unknown
- 2020-05-20 TW TW109116657A patent/TWI848115B/zh active
- 2020-05-20 US US16/878,734 patent/US11205580B2/en active Active
- 2020-05-22 DE DE102020206406.7A patent/DE102020206406A1/de active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017188610A (ja) | 2016-04-08 | 2017-10-12 | 株式会社ディスコ | パッケージウェーハの製造方法及びデバイスチップの製造方法 |
WO2018003312A1 (ja) | 2016-06-30 | 2018-01-04 | リンテック株式会社 | 半導体加工用シート |
JP2018032777A (ja) | 2016-08-25 | 2018-03-01 | 株式会社ディスコ | パッケージデバイスチップの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11205580B2 (en) | 2021-12-21 |
TW202044368A (zh) | 2020-12-01 |
TWI848115B (zh) | 2024-07-11 |
KR20200135161A (ko) | 2020-12-02 |
JP2020194826A (ja) | 2020-12-03 |
CN111987004A (zh) | 2020-11-24 |
SG10202004669XA (en) | 2020-12-30 |
US20200373172A1 (en) | 2020-11-26 |
DE102020206406A1 (de) | 2020-11-26 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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