JP2022191941A - デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】デバイス層のみからなるデバイスを製造する新規なプロセスを実現することができるデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】デバイスの製造方法は、デバイスが形成されたデバイス層を基材上に備えたデバイスウェーハを準備するウェーハ準備ステップ１００１と、デバイス層の表面に表面側保護部材を配設する表面側保護部材配設ステップ１００３と、基材を除去してデバイス層の裏面を露出させる基材除去ステップ１００４と、デバイス層を個々のデバイスに分割する分割溝を形成するデバイス層分割ステップ１００２と、デバイス層の裏面に裏面側保護部材を配設する裏面側保護部材配設ステップ１００５と、裏面側保護部材配設ステップ１００５を実施した後、表面側保護部材を除去する表面側保護部材除去ステップ１００６とを備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、デバイスの製造方法に関する。

電子機器の薄型化に伴い、デバイスも１００μｍ以下に薄化することが求められ、例えば、デバイスウェーハのデバイスに対応した領域のみを薄化して外周部は厚いまま残存させることでハンドリング時の破損を防止する技術が広く採用されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０２１－５６２１号公報

ところで、デバイスウェーハにはシリコン等の基材上にＳｉＯ_２からなるＢＯＸ層（Buried Oxide Layer）と呼ばれる絶縁層が形成され、その上にデバイスを構成する再配線層を含むデバイス層を形成する所謂ＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェーハがある。

近年、このＳＯＩデバイスウェーハのシリコン等の基材を完全に除去してデバイス層のみからなるデバイスとすることでデバイスの更なる薄化を実現したいという要望がある。

本発明の目的は、デバイス層のみからなるデバイスを製造する新規なプロセスを実現することができるデバイスの製造方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のデバイスの製造方法は、デバイスの製造方法であって、交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にデバイスが形成されたデバイス層を基材上に備えたデバイスウェーハを準備するウェーハ準備ステップと、該デバイス層の表面に表面側保護部材を配設する表面側保護部材配設ステップと、該表面側保護部材配設ステップを実施した後、研削、研磨、エッチングの少なくともいずれかで該基材を除去して該デバイス層の裏面を露出させる基材除去ステップと、該基材除去ステップを実施した後、または該表面側保護部材配設ステップを実施する前に、該分割予定ラインに沿って少なくとも該デバイス層を個々のデバイスに分割する分割溝を形成するデバイス層分割ステップと、を備えたことを特徴とする。

前記デバイスの製造方法において、表面に該表面側保護部材が配設されるとともに個々のデバイスに分割され該基材が除去された該デバイス層の裏面に裏面側保護部材を配設する裏面側保護部材配設ステップと、該裏面側保護部材配設ステップを実施した後、該表面側保護部材を除去する表面側保護部材除去ステップと、を備えても良い。

前記デバイスの製造方法において、該裏面側保護部材配設ステップを実施した後、該表面側保護部材除去ステップを実施する前又は後に、該裏面側保護部材を該分割予定ラインに沿って分割して個片化された裏面側保護部材上にデバイスが配設された状態とする裏面側保護部材分割ステップと、該裏面側保護部材分割ステップを実施する前または後で該表面側保護部材除去ステップを実施する前に、該裏面側保護部材の裏面側にテープを貼着するテープ貼着ステップと、該表面側保護部材除去ステップを実施した後、該テープから個片化された該裏面側保護部材とともに該デバイスをピックアップするデバイスピックアップステップと、を備えても良い。

本発明は、デバイス層のみからなるデバイスを製造する新規なプロセスを実現することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係るデバイスの製造方法の加工対象のデバイスウェーハの斜視図である。 図２は、図１に示されたデバイスウェーハの断面図である。 図３は、実施形態１に係るデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。 図４は、図３に示されたデバイスの製造方法のデバイス層分割ステップを模式的に示す斜視図である。 図５は、図３に示されたデバイスの製造方法のデバイス層分割ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。 図６は、図３に示されたデバイスの製造方法の表面側保護部材配設ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。 図７は、図３に示されたデバイスの製造方法の基材除去ステップにおいてデバイスウェーハの基材を研削する状態を模式的に示す斜視図である。 図８は、図３に示されたデバイスの製造方法の基材除去ステップにおいて研削後のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。 図９は、図３に示されたデバイスの製造方法の基材除去ステップにおいて基材が除去された後のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。 図１０は、図３に示されたデバイスの製造方法の裏面側保護部材配設ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。 図１１は、図３に示されたデバイスの製造方法の表面側保護部材除去ステップを模式的に示す断面図である。 図１２は、図３に示されたデバイスの製造方法のデバイスピックアップステップを模式的に示す断面図である。 図１３は、実施形態１の変形例に係るデバイスの製造方法の裏面側保護部材配設ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。 図１４は、実施形態１の変形例に係るデバイスの製造方法の表面側保護部材除去ステップを模式的に示す断面図である。 図１５は、実施形態１の変形例に係るデバイスの製造方法のデバイスピックアップステップを模式的に示す断面図である。 図１６は、実施形態２に係るデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。 図１７は、図１６に示さされたデバイスの製造方法の裏面側保護部材配設ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。 図１８は、図１６に示されたデバイスの製造方法の裏面側保護部材分割起点形成ステップを模式的に示す断面図である。 図１９は、図１６に示されたデバイスの製造方法の裏面側保護部材分割起点形成ステップで形成されるシールドトンネルを模式的に示す平面図である。 図２０は、図１６に示されたデバイスの製造方法のテープ貼着ステップを模式的に示す断面図である。 図２１は、図１６に示されたデバイスの製造方法の表面側保護部材除去ステップを模式的に示す断面図である。 図２２は、図１６に示されたデバイスの製造方法の裏面側保護部材分割ステップを模式的に示す断面図である。 図２３は、図１６に示されたデバイスの製造方法のデバイスピックアップステップを模式的に示す断面図である。 図２４は、実施形態２の変形例に係るデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。 図２５は、実施形態３に係るデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。 図２６は、図２５に示されたデバイスの製造方法の表面側保護部材配設ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。 図２７は、図２５に示されたデバイスの製造方法の基材除去ステップにおいてデバイスウェーハの基材を研削する状態を模式的に示す斜視図である。 図２８は、図２５に示されたデバイスの製造方法の基材除去ステップにおいて研削後のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。 図２９は、図２５に示されたデバイスの製造方法の基材除去ステップにおいて基材が除去された後のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。 図３０は、図２５に示されたデバイスの製造方法のデバイス層分割ステップ後のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。 図３１は、図２５に示されたデバイスの製造方法のデバイスピックアップステップの要部を模式的に示す断面図である。 図３２は、実施形態４に係るデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。 図３３は、実施形態４に係るデバイスの製造方法の裏面側保護部材配設ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。 図３４は、実施形態４に係るデバイスの製造方法の表面側保護部材除去ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。 図３５は、実施形態４に係るデバイスの製造方法のデバイス層分割ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るデバイスの製造方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るデバイスの製造方法の加工対象のデバイスウェーハの斜視図である。図２は、図１に示されたデバイスウェーハの断面図である。図３は、実施形態１に係るデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。

実施形態１に係るデバイスの製造方法は、図１に示されたデバイスウェーハ１の加工方法である。実施形態１に係るデバイスの製造方法の加工対象のデバイスウェーハ１は、図１及び図２に示すように、デバイス層２をシリコンで構成された基材３上に備えた円板状の半導体ウェーハ等のデバイスウェーハである。デバイスウェーハ１は、デバイス層２と基材３とを備える。

デバイス層２は、図１に示すように、交差する複数の分割予定ライン４で区画された領域にデバイス５が形成されている。デバイス５は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、パワーデバイス、又はＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）である。

デバイス層２は、図２に示すように、基材３の表面３１上に形成された絶縁層６と、絶縁層６上に形成されたシリコン層７と、シリコン層７上に形成された再配線層８とを含む。絶縁層６は、ＳｉＯ_２からなるＢＯＸ層（Buried Oxide Layer）と呼ばれるものである。シリコン層７は、シリコンにより構成されている。再配線層８は、デバイス５を構成するものである。

このように、実施形態１では、デバイスウェーハ１は、基材３の表面３１上にデバイス層２を形成する所謂ＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェーハである。実施形態１では、デバイスウェーハ１は、基材３が除去され、分割予定ライン４に沿って個々のデバイス５に分割される。実施形態１では、個々に分割されるデバイス５は、デバイス層２のみで構成され、厚みが１０μｍ程度である。

実施形態１に係るデバイスの製造方法は、デバイスウェーハ１の基材３を除去し、分割予定ライン４に沿って分割して、個々のデバイス５を製造する方法である。デバイスの製造方法は、図３に示すように、ウェーハ準備ステップ１００１と、デバイス層分割ステップ１００２と、表面側保護部材配設ステップ１００３と、基材除去ステップ１００４と、裏面側保護部材配設ステップ１００５と、表面側保護部材除去ステップ１００６と、デバイスピックアップステップ１００７とを備える。

（ウェーハ準備ステップ）
ウェーハ準備ステップ１００１は、前述した構成のデバイスウェーハを準備するステップである。ウェーハ準備ステップ１００１では、前述した構成のデバイスウェーハ１を準備する。

（デバイス層分割ステップ）
図４は、図３に示されたデバイスの製造方法のデバイス層分割ステップを模式的に示す斜視図である。図５は、図３に示されたデバイスの製造方法のデバイス層分割ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。実施形態１において、デバイス層分割ステップ１００２は、表面側保護部材配設ステップ１００３を実施する前に、分割予定ライン４に沿って少なくともデバイス層２を個々のデバイス５に分割する分割溝９を形成するステップである。

実施形態１において、デバイス層分割ステップ１００２では、周知のマウンタが、図４に示すように、デバイスウェーハ１の基材３の表面３１の裏側の裏面３２にデバイスウェーハ１よりも大径な円板状のテープ１１を貼着するとともに、テープ１１の外周縁に内径がデバイスウェーハ１の外径よりも大きな環状のフレーム１２を貼着して、デバイスウェーハ１を環状のフレーム１２の内側の開口内に支持する。

実施形態１において、デバイス層分割ステップ１００２では、レーザ加工装置４０が、チャックテーブル４１の保持面４２にテープ１１を介してデバイスウェーハ１の基材３の裏面３２側を吸引保持する。実施形態１において、デバイス層分割ステップ１００２では、レーザ加工装置４０が、レーザビーム４３の集光点４４をデバイス層２に設定し、チャックテーブル４１をレーザビーム照射ユニット４５に対して分割予定ライン４に沿って相対的に移動させながらレーザビーム照射ユニット４５からデバイスウェーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザビーム４３をデバイスウェーハ１の分割予定ライン４に照射して、デバイスウェーハ１にアブレーション加工を施す。

実施形態１において、デバイス層分割ステップ１００２では、レーザ加工装置４０が、デバイスウェーハ１の分割予定ライン４にアブレーション加工を施して、デバイス層２を個々のデバイス５毎に分割する分割溝９を形成する。実施形態１において、デバイス層分割ステップ１００２では、レーザ加工装置４０は、図５に示すように、デバイスウェーハ１の全ての分割予定ライン４に分割溝９を形成する。

なお、実施形態１において、デバイス層分割ステップ１００２では、レーザ加工装置４０が、デバイスウェーハ１の分割予定ライン４にアブレーション加工を施して分割溝９を形成したが、本発明では、デバイス層分割ステップ１００２において、切削装置が、デバイスウェーハ１のデバイス層２の分割予定ライン４に切削ブレードを切り込ませて分割溝９を形成しても良い。また、本発明では、デバイス層分割ステップ１００２において、デバイスウェーハ１のデバイス層２の分割予定ライン４にウェットエッチングやドライエッチング等のエッチングを施して分割溝９を形成しても良い。

（表面側保護部材配設ステップ）
図６は、図３に示されたデバイスの製造方法の表面側保護部材配設ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。表面側保護部材配設ステップ１００３は、デバイス層２の表面２１に表面側保護部材１３を配設するステップである。

実施形態１において、表面側保護部材配設ステップ１００３では、デバイスウェーハ１のデバイス層２の表面２１に第１の外的刺激が付与されることにより接着力が低下する第１の仮接着剤１４が塗布され、図６に示すように、第１の仮接着剤１４に表面側保護部材１３が貼着されて、デバイス層２の表面２１に表面側保護部材１３が配設されるとともに、テープ１１が裏面３２から剥離される。なお、実施形態１において、第１の外的刺激が付与されることは、紫外線が照射されることである。

実施形態１では、表面側保護部材１３は、硬質な材質で構成され、デバイスウェーハ１と同径の円板状に形成されている。実施形態１では、表面側保護部材１３は、基材除去ステップ１００４においてウェットエッチング又はドライエッチングが行われるので、これらのエッチングに対して耐性を有する材質により構成されるのが望ましく、ガラスにより構成されている。

また、本発明では、表面側保護部材１３は、デバイス層２の表面２１に液状樹脂（ディスコ社製、ResiFlat（登録商標））が塗布され、液状樹脂が硬化して形成されても良い。また、本発明では、表面側保護部材１３は、基材と糊層とからなる表面保護テープでも良く、金属、セラミクス、シリコン等の硬質な材料で構成された円板状のプレートを第１の仮接着剤１４を介してデバイス層２の表面２１に配設してもよい。

（基材除去ステップ）
図７は、図３に示されたデバイスの製造方法の基材除去ステップにおいてデバイスウェーハの基材を研削する状態を模式的に示す斜視図である。図８は、図３に示されたデバイスの製造方法の基材除去ステップにおいて研削後のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。図９は、図３に示されたデバイスの製造方法の基材除去ステップにおいて基材が除去された後のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。

基材除去ステップ１００４は、表面側保護部材配設ステップ１００３を実施した後、研削、研磨、エッチングの少なくともいずれかで基材３を除去してデバイス層２の裏面２２を露出させるステップである。実施形態１において、基材除去ステップ１００４では、研削装置５０が、表面側保護部材１３を介してデバイスウェーハ１のデバイス層２の表面２１側をチャックテーブル５１の保持面５２に吸引保持する。

基材除去ステップ１００４では、図７に示すように、研削装置５０が、スピンドル５３により研削ホイール５４を軸心回りに回転しかつチャックテーブル５１を軸心回りに回転させ、図示しない研削液ノズルから研削液を供給しつつ、研削ホイール５４の研削砥石５５をデバイスウェーハ１の基材３の裏面３２に当接させて研削ホイール５４をチャックテーブル５１に所定の送り速度で近づけて、研削砥石５５でデバイスウェーハ１の裏面３２側を研削する。

実施形態１において、基材除去ステップ１００４では、研削装置５０が、図８に示すように、基材３が若干残る状態までデバイスウェーハ１の基材３の裏面３２を研削する。実施形態１において、基材除去ステップ１００４では、デバイスウェーハ１の基材３の裏面３２にウェットエッチング又はドライエッチング等のエッチングを実施して、図９に示すように、デバイスウェーハ１の基材３を完全に除去して、デバイスウェーハ１を個々のデバイス５に分割して、デバイスウェーハ１を個々のデバイス５に個片化する。

なお、実施形態１において、基材除去ステップ１００４では、デバイスウェーハ１の基材３を完全に除去したが、本発明では、これに限らず、基材３を僅かに残しても良い。また、実施形態１では、基材除去ステップ１００４では、デバイスウェーハ１に研削とエッチングとを順に実施したが、本発明では、これに限らず、研磨等を実施しても良い。要するに、本発明で、基材除去ステップ１００４において、デバイスウェーハ１に研削、研磨、エッチングの少なくともいずれかを実施して、基材３を除去すれば良い。

（裏面側保護部材配設ステップ）
図１０は、図３に示されたデバイスの製造方法の裏面側保護部材配設ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。裏面側保護部材配設ステップ１００５は、表面２１に表面側保護部材１３が配設されるとともに個々のデバイス５に分割され基材３が除去されたデバイスウェーハ１のデバイス層２の裏面２２に裏面側保護部材１５を配設するステップである。

実施形態１において、裏面側保護部材配設ステップ１００５では、周知のマウンタ等が、図１０に示すように、デバイスウェーハ１よりも大径な円板状の裏面側保護部材１５のテープ１６の基材層上の第２の外的刺激が付与されることにより接着力が低下する糊層をデバイスウェーハ１のデバイス層２の裏面２２に貼着し、テープ１６の糊層の外周縁に内径がデバイスウェーハ１の外径よりも大きな環状のフレーム１７を貼着して、デバイスウェーハ１を環状のフレーム１７の内側の開口内に支持する。実施形態１では、テープ１６とフレーム１７が、裏面側保護部材１５を構成する。こうして、実施形態１において、裏面側保護部材配設ステップ１００５では、デバイスウェーハ１のデバイス層２の裏面２２に裏面側保護部材１５を配設する。なお、実施形態１において、第２の外的刺激が付与されることは、加熱されることである。また、本発明は、裏面側保護部材配設ステップ１００５では、裏面側保護部材１５として、ハードプレートを仮接着剤を介して貼着しても良い。

（表面側保護部材除去ステップ）
図１１は、図３に示されたデバイスの製造方法の表面側保護部材除去ステップを模式的に示す断面図である。表面側保護部材除去ステップ１００６は、裏面側保護部材配設ステップ１００５を実施した後、表面側保護部材１３を除去するステップである。

実施形態１において、表面側保護部材除去ステップ１００６では、第１の仮接着剤１４に第１の外的刺激を付与して、第１の仮接着剤１４の接着力を低下させる。実施形態１において、表面側保護部材除去ステップ１００６では、表面側保護部材１３越しに第１の仮接着剤１４に紫外線を照射して、第１の仮接着剤１４の接着力を低下させる。実施形態１において、表面側保護部材除去ステップ１００６では、第１の仮接着剤１４の接着力を低下させた後、図１１に示すように、表面側保護部材１３を第１の仮接着剤１４とともにデバイスウェーハ１のデバイス層２の表面２１から剥離して、第１の仮接着剤１４とともに表面側保護部材１３を除去する。

（デバイスピックアップステップ）
図１２は、図３に示されたデバイスの製造方法のデバイスピックアップステップを模式的に示す断面図である。デバイスピックアップステップ１００７は、表面側保護部材除去ステップ１００６を実施した後、裏面側保護部材１５から個片化されたデバイス５をピックアップするステップである。

実施形態１において、デバイスピックアップステップ１００７では、裏面側保護部材１５のテープ１６の糊層に第２の外的刺激を付与（加熱）して、糊層の接着力を低下させる。実施形態１において、デバイスピックアップステップ１００７では、裏面側保護部材１５のテープ１６の糊層の接着力を低下させた後、図１２に示すように、ピッカー６０がデバイス５を吸引保持するなどして、テープ１６からデバイス５を一つずつピックアップする。

以上、説明した実施形態１に係るデバイスの製造方法は、デバイス層分割ステップ１００２において分割予定ライン４に沿ってデバイス層２を個々のデバイス５に分割する分割溝９を形成し、表面側保護部材配設ステップ１００３においてデバイス層２の表面２１に表面側保護部材１３を配設し、基材除去ステップ１００４において表面側保護部材配設ステップ１００３を実施した後、基材３を除去してデバイス層２の裏面２２を露出させる。

このために、デバイスの製造方法は、基材除去ステップ１００４において、デバイスウェーハ１を基材３を除去しながらも、デバイスウェーハ１をデバイス層２のみからなる個々のデバイス５に分割することができる。その結果、デバイスの製造方法は、デバイス層２のみからなるデバイス５を製造する新規なプロセスを実現することができるという効果を奏する。

〔変形例〕
本発明の実施形態１の変形例に係るデバイスの製造方法を図面に基づいて説明する。図１３は、実施形態１の変形例に係るデバイスの製造方法の裏面側保護部材配設ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。図１４は、実施形態１の変形例に係るデバイスの製造方法の表面側保護部材除去ステップを模式的に示す断面図である。図１５は、実施形態１の変形例に係るデバイスの製造方法のデバイスピックアップステップを模式的に示す断面図である。なお、図１３、図１４及び図１５は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態１の変形例に係るデバイスの製造方法は、裏面側保護部材配設ステップ１００５においてデバイス層２の裏面２２に配設する裏面側保護部材１５－１が、実施形態１と異なること以外、実施形態１と同じである。

実施形態１の変形例において、裏面側保護部材配設ステップ１００５では、デバイスウェーハ１のデバイス層２の裏面２２に第２の外的刺激が付与されることにより接着力が低下する第２の仮接着剤１６－１が塗布され、図１３に示すように、第２の仮接着剤１６－１に裏面側保護部材１５－１が貼着されて、デバイス層２の裏面２２に裏面側保護部材１５－１が配設される。変形例では、裏面側保護部材１５－１は、硬質な材質で構成され、デバイスウェーハ１と同径の円板状に形成されている。変形例は、裏面側保護部材１５－１は、表面側保護部材１３と同様に、ガラスにより構成されている。なお、本発明は、裏面側保護部材１５－１として、ＰＥＴ樹脂に糊層を宥したテープでも良く、シート状の樹脂（ＬＣテープ）でも良い。

実施形態１の変形例において、表面側保護部材除去ステップ１００６では、実施形態１と同様に、第１の仮接着剤１４に第１の外的刺激を付与して、第１の仮接着剤１４の接着力を低下させ、図１４に示すように、表面側保護部材１３を第１の仮接着剤１４とともにデバイスウェーハ１のデバイス層２の表面２１から剥離して、第１の仮接着剤１４とともに表面側保護部材１３を除去する。

実施形態１の変形例において、デバイスピックアップステップ１００７では、第２の仮接着剤１６－１に第２の外的刺激を付与（加熱）して、第２の仮接着剤１６－１の接着力を低下させ、図１５に示すように、ピッカー６０がデバイス５を吸引保持するなどして、裏面側保護部材１５－１及び第２の仮接着剤１６－１からデバイス５を一つずつピックアップする。

実施形態１の変形例に係るデバイスの製造方法は、デバイス層分割ステップ１００２において分割予定ライン４に分割溝９を形成し、表面側保護部材配設ステップ１００３においてデバイス層２の表面２１に表面側保護部材１３を配設し、基材除去ステップ１００４において基材３を除去するので、デバイスウェーハ１を基材３を除去しながらも、デバイスウェーハ１をデバイス層２のみからなる個々のデバイス５に分割することができる。

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るデバイスの製造方法を図面に基づいて説明する。図１６は、実施形態２に係るデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。図１７は、図１６に示さされたデバイスの製造方法の裏面側保護部材配設ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。図１８は、図１６に示されたデバイスの製造方法の裏面側保護部材分割起点形成ステップを模式的に示す断面図である。図１９は、図１６に示されたデバイスの製造方法の裏面側保護部材分割起点形成ステップで形成されるシールドトンネルを模式的に示す平面図である。図２０は、図１６に示されたデバイスの製造方法のテープ貼着ステップを模式的に示す断面図である。図２１は、図１６に示されたデバイスの製造方法の表面側保護部材除去ステップを模式的に示す断面図である。図２２は、図１６に示されたデバイスの製造方法の裏面側保護部材分割ステップを模式的に示す断面図である。図２３は、図１６に示されたデバイスの製造方法のデバイスピックアップステップを模式的に示す断面図である。なお、図１６、図１７、図１８、図１９、図２０、図２１、図２２及び図２３は、実施形態１及び実施形態１の変形例と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係るデバイスの製造方法は、図１６に示すように、ウェーハ準備ステップ１００１と、デバイス層分割ステップ１００２と、表面側保護部材配設ステップ１００３と、基材除去ステップ１００４と、裏面側保護部材配設ステップ１００５と、裏面側保護部材分割起点形成ステップ１０１０と、テープ貼着ステップ１０１１と、表面側保護部材除去ステップ１００６と、裏面側保護部材分割ステップ１０１２と、デバイスピックアップステップ１００７－２とを備える。実施形態２に係るデバイスの製造方法は、ウェーハ準備ステップ１００１と、デバイス層分割ステップ１００２と、表面側保護部材配設ステップ１００３と、基材除去ステップ１００４とが、実施形態１と同じである。

実施形態２に係るデバイスの製造方法の裏面側保護部材配設ステップ１００５は、実施形態１の変形例と同様に、デバイスウェーハ１のデバイス層２の裏面２２に第２の外的刺激が付与されることにより接着力が低下する第２の仮接着剤１６－１が塗布され、図１７に示すように、第２の仮接着剤１６－１に裏面側保護部材１５－１が貼着されて、デバイス層２の裏面２２に裏面側保護部材１５－１が配設される。実施形態２では、実施形態１の変形例と同様に、裏面側保護部材１５－１は、硬質な材質で構成され、デバイスウェーハ１と同径の円板状に形成されている。実施形態２では、実施形態１の変形例と同様に、裏面側保護部材１５－１は、ガラスにより構成されているが、シリコンにより構成されても良い。また、本発明では、裏面側保護部材１５－１は、シート状の樹脂（ＬＣテープともいう）でも良い。

実施形態２に係るデバイスの製造方法の裏面側保護部材分割起点形成ステップ１０１０は、裏面側保護部材１５－１に、デバイスウェーハ１の分割予定ライン４に沿って個々のデバイス５毎に分割するための分割起点を形成するステップである。実施形態２において、裏面側保護部材分割起点形成ステップ１０１０では、レーザ加工装置７０が、吸引路７６に設けられた開閉弁７７を開き、吸引源７８によりチャックテーブル７１の保持面７２を吸引して、チャックテーブル７１の保持面７２に表面側保護部材１３を介して、デバイスウェーハ１のデバイス層２の表面２１側を吸引保持する。

実施形態２において、裏面側保護部材分割起点形成ステップ１０１０では、レーザ加工装置７０が、レーザビーム７３の集光点７４を裏面側保護部材１５－１の内部に設定し、図１８に示すように、チャックテーブル７１をレーザビーム照射ユニット７５に対して分割予定ライン４即ち分割溝９に沿って相対的に移動させながらレーザビーム照射ユニット７５から裏面側保護部材１５－１に対して透過性を有する波長のパルス状のレーザビーム７３を裏面側保護部材１５－１に照射する。

実施形態２において、裏面側保護部材分割起点形成ステップ１０１０では、レーザ加工装置７０は、裏面側保護部材１５－１の内部に図１９に示す細孔２４と細孔２４を囲繞する変質領域２５とを有する分割起点であるシールドトンネル２３を複数形成する。細孔２４及び変質領域２５は、裏面側保護部材１５－１の厚み方向に沿って形成され、細孔２４が裏面側保護部材１５－１を厚み方向に貫通しているとともに、変質領域２５が、裏面側保護部材１５－１の厚み方向に沿って細孔２４の周囲に形成される。シールドトンネル２３は、分割予定ライン４即ち分割溝９に沿って所定の間隔をあけて複数形成される。

実施形態２において、裏面側保護部材分割起点形成ステップ１０１０では、レーザ加工装置７０が、デバイスウェーハ１の全ての分割予定ライン４即ち分割溝９に沿って、裏面側保護部材１５－１に分割起点であるシールドトンネル２３を形成する。なお、実施形態２において、裏面側保護部材分割起点形成ステップ１０１０では、レーザ加工装置７０が、デバイスウェーハ１の全ての分割予定ライン４即ち分割溝９に沿って裏面側保護部材１５－１に分割起点であるシールドトンネル２３を形成したが、本発明では、裏面側保護部材１５－１の内部にデバイスウェーハ１の全ての分割予定ライン４即ち分割溝９に沿って改質層を形成しても良い。

なお、改質層とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。改質層は、裏面側保護部材１５－１の他の箇所よりも機械的な強度が低い。

実施形態２において、テープ貼着ステップ１０１１は、裏面側保護部材分割ステップ１０１２を実施する前で表面側保護部材除去ステップ１００６を実施する前に、裏面側保護部材１５－１のデバイス層２に貼着された面の裏側の裏面１５－２にテープ１８を貼着するステップである。実施形態２において、テープ貼着ステップ１０１１では、周知のマウンタが、図２０に示すように、裏面側保護部材１５－１の裏面１５－２にデバイスウェーハ１よりも大径な円板状のテープ１８を貼着するとともに、テープ１８の外周縁に内径がデバイスウェーハ１の外径よりも大きな環状のフレーム１９を貼着して、デバイスウェーハ１及び保護部材１３，１５－１を環状のフレーム１９の内側の開口内に支持する。

実施形態２において、表面側保護部材除去ステップ１００６では、実施形態１等と同様に、第１の仮接着剤１４に第１の外的刺激を付与して、第１の仮接着剤１４の接着力を低下させ、図２１に示すように、表面側保護部材１３を第１の仮接着剤１４とともにデバイスウェーハ１のデバイス層２の表面２１から剥離して、第１の仮接着剤１４とともに表面側保護部材１３を除去する。

裏面側保護部材分割ステップ１０１２は、裏面側保護部材配設ステップ１００５を実施した後、表面側保護部材除去ステップ１００６を実施した後に、裏面側保護部材１５－１を分割予定ライン４に沿って分割して個片化された裏面側保護部材１５－１上にデバイス５が配設された状態とするステップである。実施形態２において、裏面側保護部材分割ステップ１０１２では、周知の拡張装置が、テープ１８を周方向に拡張して、図２２に示すように、裏面側保護部材１５－１をシールドトンネル２３を起点に分割予定ライン４に沿って分割する。

実施形態２において、裏面側保護部材分割ステップ１０１２では、周知の拡張装置が、裏面側保護部材１５－１を分割予定ライン４に沿って分割し、個片化された裏面側保護部材１５上－１に第２の仮接着剤１６－１によりデバイス５が配設された状態となる。なお、本発明では、周知のブレーキングにより裏面側保護部材１５－１を分割予定ライン４に沿ってシールドトンネル２３を起点に分割しても良い。

実施形態２において、デバイスピックアップステップ１００７－２は、表面側保護部材除去ステップ１００６を実施した後、テープ１８から個片化された裏面側保護部材１５－１とともにデバイス５をピックアップするステップである。実施形態２において、デバイスピックアップステップ１００７－２では、図２３に示すように、ピッカー６０がデバイス５を吸引保持するなどして、テープ１８からデバイス５を個片化された裏面側保護部材１５－１とともに一つずつピックアップする。

なお、本発明において、デバイスピックアップステップ１００７－２では、裏面側保護部材分割ステップ１０１２を実施した後、一度転写してデバイス５の表面側にテープを貼着し裏面側保護部材１５－１の裏面１５－２側に貼着したテープ１８を除去した状態で、ピッカー６０が裏面側保護部材１５－１を吸引保持してピックアップしてもよい。

実施形態２に係るデバイスの製造方法は、デバイス層分割ステップ１００２において分割予定ライン４に分割溝９を形成し、表面側保護部材配設ステップ１００３においてデバイス層２の表面２１に表面側保護部材１３を配設し、基材除去ステップ１００４において基材３を除去するので、デバイスウェーハ１を基材３を除去しながらも、デバイスウェーハ１をデバイス層２のみからなる個々のデバイス５に分割することができる。

また、実施形態２に係るデバイスの製造方法は、裏面側保護部材分割ステップ１０１２において、裏面側保護部材１５－１を分割予定ライン４即ち分割溝９に沿って分割して個片化し、デバイスピックアップステップ１００７－２においてデバイス５を個片化された裏面側保護部材１５－１とともにピックアップするので、後の工程でもデバイス５の取り扱いが容易になる。

〔変形例〕
本発明の実施形態２の変形例に係るデバイスの製造方法を図面に基づいて説明する。図２４は、実施形態２の変形例に係るデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。なお、図２４は、実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２の変形例に係るデバイスの製造方法は、図２４に示すように、裏面側保護部材分割起点形成ステップ１０１０を備えずに、ウェーハ準備ステップ１００１と、デバイス層分割ステップ１００２と、表面側保護部材配設ステップ１００３と、基材除去ステップ１００４と、裏面側保護部材配設ステップ１００５と、裏面側保護部材分割ステップ１０１２と、テープ貼着ステップ１０１１と、表面側保護部材除去ステップ１００６と、デバイスピックアップステップ１００７－２とを備え、これらを順に実施する。

実施形態２の変形例に係るデバイスの製造方法の裏面側保護部材分割ステップ１０１２は、裏面側保護部材配設ステップ１００５を実施した後、表面側保護部材除去ステップ１００６を実施する前に、裏面側保護部材１５－１を分割予定ライン４に沿って分割して個片化された裏面側保護部材１５－１上にデバイス５が配設された状態とするステップである。

実施形態２の変形例に係るデバイスの製造方法の裏面側保護部材分割ステップ１０１２では、レーザ加工装置が裏面側保護部材１５－１に対して吸収性を有する波長のレーザビームを裏面側保護部材１５－１に照射してアブレーション加工を施したり、切削装置が裏面側保護部材１５－１に切削ブレードを切り込ませて、実施形態２と同様に、裏面側保護部材１５－１を分割予定ライン４即ち分割溝９に沿って分割する。

実施形態２の変形例に係るデバイスの製造方法のテープ貼着ステップ１０１１は、裏面側保護部材分割ステップ１０１２を実施した後で表面側保護部材除去ステップ１００６を実施する前に、裏面側保護部材１５－１の裏面１５－２側にテープ１８を貼着するステップである。

実施形態２の変形例に係るデバイスの製造方法は、デバイス層分割ステップ１００２において分割予定ライン４に分割溝９を形成し、表面側保護部材配設ステップ１００３においてデバイス層２の表面２１に表面側保護部材１３を配設し、基材除去ステップ１００４において基材３を除去するので、デバイスウェーハ１を基材３を除去しながらも、デバイスウェーハ１をデバイス層２のみからなる個々のデバイス５に分割することができる。

また、実施形態２の変形例に係るデバイスの製造方法は、裏面側保護部材分割ステップ１０１２において、裏面側保護部材１５－１を分割予定ライン４即ち分割溝９に沿って分割して個片化し、デバイスピックアップステップ１００７－２においてデバイス５を個片化された裏面側保護部材１５－１とともにピックアップするので、後の工程でもデバイス５の取り扱いが容易になる。

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るデバイスの製造方法を図面に基づいて説明する。図２５は、実施形態３に係るデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。図２６は、図２５に示されたデバイスの製造方法の表面側保護部材配設ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。図２７は、図２５に示されたデバイスの製造方法の基材除去ステップにおいてデバイスウェーハの基材を研削する状態を模式的に示す斜視図である。図２８は、図２５に示されたデバイスの製造方法の基材除去ステップにおいて研削後のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。図２９は、図２５に示されたデバイスの製造方法の基材除去ステップにおいて基材が除去された後のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。図３０は、図２５に示されたデバイスの製造方法のデバイス層分割ステップ後のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。図３１は、図２５に示されたデバイスの製造方法のデバイスピックアップステップの要部を模式的に示す断面図である。なお、図２５、図２６、図２７、図２８、図２９、図３０及び図３１において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。

実施形態３に係るデバイスの製造方法は、図２５に示すように、ウェーハ準備ステップ１００１と、表面側保護部材配設ステップ１００３と、基材除去ステップ１００４と、デバイス層分割ステップ１００２と、デバイスピックアップステップ１００７とを備え、ウェーハ準備ステップ１００１と、表面側保護部材配設ステップ１００３と、基材除去ステップ１００４と、デバイス層分割ステップ１００２と、デバイスピックアップステップ１００７を順に実施する。

実施形態３に係るデバイスの製造方法のウェーハ準備ステップ１００１では、実施形態１と同様に、前述した構成のデバイスウェーハ１を準備する。

実施形態３に係るデバイスの製造方法の表面側保護部材配設ステップ１００３では、実施形態１と同様に、デバイスウェーハ１のデバイス層２の表面２１に第１の外的刺激が付与されることにより接着力が低下する第１の仮接着剤１４が塗布され、図２６に示すように、第１の仮接着剤１４に表面側保護部材１３が貼着されて、デバイス層２の表面２１に表面側保護部材１３が配設される。

実施形態３に係るデバイスの製造方法の基材除去ステップ１００４では、図２７に示すように、研削装置５０が、実施形態１と同様に、研削砥石５５でデバイスウェーハ１の基材３の裏面３２側を研削し、図２８に示すように、基材３が若干残る状態までデバイスウェーハ１の基材３の裏面３２を研削する。

実施形態３に係るデバイスの製造方法の基材除去ステップ１００４では、実施形態１と同様に、デバイスウェーハ１の基材３の裏面３２にウェットエッチング又はドライエッチング等のエッチングを実施して、図２９に示すように、デバイスウェーハ１の基材３を完全に除去し、デバイス層２の裏面２２を露出させる。

実施形態３に係るデバイスの製造方法のデバイス層分割ステップ１００２は、基材除去ステップ１００４を実施した後に、分割予定ライン４に沿って少なくともデバイス層２を個々のデバイス５に分割する分割溝９を形成するステップである。実施形態３に係るデバイスの製造方法のデバイス層分割ステップ１００２では、レーザ加工装置４０が、チャックテーブル４１の保持面４２に表面側保護部材１３を吸引保持して、実施形態１と同様に、デバイスウェーハ１にアブレーション加工を施して、図３０に示すように、デバイス層２を個々のデバイス５毎に分割する分割溝９を形成する。

なお、実施形態３において、デバイス層分割ステップ１００２では、レーザ加工装置４０が、デバイスウェーハ１の分割予定ライン４にアブレーション加工を施して分割溝９を形成したが、本発明では、デバイス層分割ステップ１００２において、切削装置が、デバイスウェーハ１のデバイス層２の分割予定ライン４に切削ブレードを切り込ませて分割溝９を形成しても良い。また、本発明では、デバイス層分割ステップ１００２において、デバイスウェーハ１のデバイス層２の分割予定ライン４にウェットエッチングやドライエッチング等のエッチングを施して分割溝９を形成しても良い。

実施形態３に係るデバイスの製造方法のデバイスピックアップステップ１００７は、表面側保護部材１３から個片化されたデバイス５をピックアップするステップである。実施形態３に係るデバイスの製造方法のデバイスピックアップステップ１００７では、第１の仮接着剤１４に第１の外的刺激を付与して、第１の仮接着剤１４の接着力を低下させる。実施形態３に係るデバイスの製造方法のデバイスピックアップステップ１００７では、第１の仮接着剤１４の接着力を低下させた後、図３１に示すように、ピッカー６０がデバイス５を吸引保持するなどして、表面側保護部材１３からデバイス５を一つずつピックアップする。

実施形態３に係るデバイスの製造方法は、表面側保護部材配設ステップ１００３においてデバイス層２の表面２１に表面側保護部材１３を配設し、基材除去ステップ１００４において基材３を除去し、デバイス層分割ステップ１００２において分割予定ライン４に分割溝９を形成するので、デバイスウェーハ１を基材３を除去しながらも、デバイスウェーハ１をデバイス層２のみからなる個々のデバイス５に分割することができる。

なお、本発明は、実施形態３において、表面側保護部材１３にテープを貼着し、表面側保護部材１３もデバイス５毎に分割して、デバイス５を分割された表面側保護部材１３とともにテープからピックアップして、表面側保護部材１３をデバイス５のハンドリングに用いても良い。

〔実施形態４〕
本発明の実施形態４に係るデバイスの製造方法を図面に基づいて説明する。図３２は、実施形態４に係るデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。図３３は、実施形態４に係るデバイスの製造方法の裏面側保護部材配設ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。図３４は、実施形態４に係るデバイスの製造方法の表面側保護部材除去ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。図３５は、実施形態４に係るデバイスの製造方法のデバイス層分割ステップ後のデバイスウェーハを模式的に示す断面図である。なお、図３２、図３３、図３４及び図３５は、実施形態１、実施形態１の変形例及び実施形態３と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態４に係るデバイスの製造方法は、図２５に示すように、ウェーハ準備ステップ１００１と、表面側保護部材配設ステップ１００３と、基材除去ステップ１００４と、裏面側保護部材配設ステップ１００５と、表面側保護部材除去ステップ１００６と、デバイス層分割ステップ１００２と、デバイスピックアップステップ１００７とを備え、ウェーハ準備ステップ１００１と、表面側保護部材配設ステップ１００３と、基材除去ステップ１００４と、裏面側保護部材配設ステップ１００５と、表面側保護部材除去ステップ１００６と、デバイス層分割ステップ１００２と、デバイスピックアップステップ１００７を順に実施する。

実施形態４に係るデバイスの製造方法のウェーハ準備ステップ１００１では、実施形態１と同様に、前述した構成のデバイスウェーハ１を準備する。

実施形態４に係るデバイスの製造方法の表面側保護部材配設ステップ１００３では、実施形態３と同様に、デバイスウェーハ１のデバイス層２の表面２１に表面側保護部材１３を配設し、実施形態４に係るデバイスの製造方法の基材除去ステップ１００４では、実施形態３と同様に、デバイスウェーハ１の基材３を除去し、デバイス層２の裏面２２を露出させる。

実施形態４に係るデバイスの製造方法の裏面側保護部材配設ステップ１００５では、実施形態１の変形例等と同様に、デバイスウェーハ１のデバイス層２の裏面２２に第２の外的刺激が付与されることにより接着力が低下する第２の仮接着剤１６－１が塗布され、図３３に示すように、第２の仮接着剤１６－１に裏面側保護部材１５－１が貼着されて、デバイス層２の裏面２２に裏面側保護部材１５－１が配設される。実施形態５では、実施形態１の変形例と同様に、裏面側保護部材１５－１は、硬質な材質で構成され、デバイスウェーハ１と同径の円板状に形成されている。変形例は、裏面側保護部材１５－１は、表面側保護部材１３と同様に、ガラスにより構成されている。

実施形態４に係るデバイスの製造方法の表面側保護部材除去ステップ１００６では、実施形態２等と同様に、第１の仮接着剤１４に第１の外的刺激を付与して、第１の仮接着剤１４の接着力を低下させ、図３４に示すように、表面側保護部材１３をデバイスウェーハ１のデバイス層２の表面２１から剥離して、表面側保護部材１３を除去する。

実施形態４に係るデバイスの製造方法のデバイス層分割ステップ１００２は、実施形態３と同様に、基材除去ステップ１００４を実施した後に、分割予定ライン４に沿って少なくともデバイス層２を個々のデバイス５に分割する分割溝９を形成するステップである。実施形態４に係るデバイスの製造方法のデバイス層分割ステップ１００２では、実施形態３と同様に、図３５に示すように、デバイス層２を個々のデバイス５毎に分割する分割溝９を形成する。

なお、実施形態４において、デバイス層分割ステップ１００２では、レーザ加工装置４０が、デバイスウェーハ１の分割予定ライン４にアブレーション加工を施して分割溝９を形成したが、本発明では、デバイス層分割ステップ１００２において、切削装置が、デバイスウェーハ１のデバイス層２の分割予定ライン４に切削ブレードを切り込ませて分割溝９を形成しても良い。また、本発明では、デバイス層分割ステップ１００２において、デバイスウェーハ１のデバイス層２の分割予定ライン４にウェットエッチングやドライエッチング等のエッチングを施して分割溝９を形成しても良い。

実施形態４に係るデバイスの製造方法のデバイスピックアップステップ１００７では、第２の仮接着剤１６－１に第２の外的刺激を付与して、第２の仮接着剤１６－１の接着力を低下させ、ピッカー６０がデバイス５を吸引保持するなどして、裏面側保護部材１５－１からデバイス５を一つずつピックアップする。なお、実施形態４に係るデバイスの製造方法では、実施形態２と同様に、テープ貼着ステップ１０１１を実施して裏面側保護部材１５－１の裏面１５－２にテープ１８を貼着し、裏面側保護部材分割ステップ１０１２を実施して、裏面側保護部材１５－１を分割予定ライン４に沿って分割して、デバイスピックアップステップ１００７において、テープ１８からデバイス５を個片化された裏面側保護部材１５－１とともにピックアップしても良い。

実施形態４に係るデバイスの製造方法は、表面側保護部材配設ステップ１００３においてデバイス層２の表面２１に表面側保護部材１３を配設し、基材除去ステップ１００４において基材３を除去し、デバイス層分割ステップ１００２において分割予定ライン４に分割溝９を形成するので、デバイスウェーハ１を基材３を除去しながらも、デバイスウェーハ１をデバイス層２のみからなる個々のデバイス５に分割することができる。

なお、本発明は、実施形態４に係るデバイスの製造方法において、実施形態２と同様に、裏面側保護部材１５－１にテープ１８を貼着し、裏面側保護部材１５－１をデバイス５毎に分割して、デバイス５を分割された裏面側保護部材１５－１とともにテープからピックアップして、裏面側保護部材１５－１をデバイス５のハンドリングに用いても良い。

なお、本発明は、上記実施形態等に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。なお、前述した実施形態等では、第１の外的刺激が紫外線が照射されることであり、第２の外的刺激が加熱されることであるが、第１の外的刺激と第２の外的刺激とが互いに波長の異なる紫外線が照射される事でも良く、互いに異なる温度に加熱されることでも良い。

１ デバイスウェーハ
２ デバイス層
３ 基材
４ 分割予定ライン
５ デバイス
９ 分割溝
１３ 表面側保護部材
１５，１５－１ 裏面側保護部材
１５－２ 裏面
１８ テープ
２１ 表面
２２ 裏面
１００１ ウェーハ準備ステップ
１００２ デバイス層分割ステップ
１００３ 表面側保護部材配設ステップ
１００４ 基材除去ステップ
１００５ 裏面側保護部材配設ステップ
１００６ 表面側保護部材除去ステップ
１００７－２ デバイスピックアップステップ
１０１１ テープ貼着ステップ
１０１２ 裏面側保護部材分割ステップ

Claims (3)

1. デバイスの製造方法であって、
   交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にデバイスが形成されたデバイス層を基材上に備えたデバイスウェーハを準備するウェーハ準備ステップと、
   該デバイス層の表面に表面側保護部材を配設する表面側保護部材配設ステップと、
   該表面側保護部材配設ステップを実施した後、研削、研磨、エッチングの少なくともいずれかで該基材を除去して該デバイス層の裏面を露出させる基材除去ステップと、
   該基材除去ステップを実施した後、または該表面側保護部材配設ステップを実施する前に、該分割予定ラインに沿って少なくとも該デバイス層を個々のデバイスに分割する分割溝を形成するデバイス層分割ステップと、
   を備えたデバイスの製造方法。
2. 表面に該表面側保護部材が配設されるとともに個々のデバイスに分割され該基材が除去された該デバイス層の裏面に裏面側保護部材を配設する裏面側保護部材配設ステップと、
   該裏面側保護部材配設ステップを実施した後、該表面側保護部材を除去する表面側保護部材除去ステップと、
   を備えた請求項１に記載のデバイスの製造方法。
3. 該裏面側保護部材配設ステップを実施した後、該表面側保護部材除去ステップを実施する前又は後に、該裏面側保護部材を該分割予定ラインに沿って分割して個片化された裏面側保護部材上にデバイスが配設された状態とする裏面側保護部材分割ステップと、
   該裏面側保護部材分割ステップを実施する前または後で該表面側保護部材除去ステップを実施する前に、該裏面側保護部材の裏面側にテープを貼着するテープ貼着ステップと、
   該表面側保護部材除去ステップを実施した後、該テープから個片化された該裏面側保護部材とともに該デバイスをピックアップするデバイスピックアップステップと、を備えた、請求項２に記載のデバイスの製造方法。

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