JP6283531B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 57
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 129
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 107
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 79
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
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Description
(2)レーザー加工溝を形成する際に機能層の除去が不十分であると切削ブレードのズレや倒れが発生してデバイスの機能層に剥離が生じる。
(3)切削ブレードの幅を超える範囲でレーザー加工溝を形成するために、分割予定ラインの幅を広くする必要があり、ウエーハに形成されるデバイスの数が減少する。
(4)機能層の表面にはSiO2、SiN等を含むパシベーション膜が形成されているため、レーザー光線を照射するとパシベーション膜を透過して機能層の内部に達する。この結果、機能層の内部に達したレーザー光線のエネルギーが逃げ場を失い、回路が形成され密度が低いデバイス側に加工が広がる所謂アンダーカット現象が発生する。
実施形態に係るウエーハの加工方法を、図1から図9に基づいて説明する。図1は、実施形態に係るウエーハの加工方法の保護部材貼着工程の概要を示す斜視図、図2は、実施形態に係るウエーハの加工方法の外周余剰領域基板露出工程の概要を示す斜視図、図3は、実施形態に係るウエーハの加工方法の外周余剰領域基板露出工程の概要を示す断面図、図4は、実施形態に係るウエーハの加工方法の外周余剰領域基板露出工程後のウエーハを示す平面図、図5は、実施形態に係るウエーハの加工方法のアライメント工程の概要を示す断面図、図6は、実施形態に係るウエーハの加工方法の切削溝形成工程の概要を示す他の断面図、図7は、実施形態に係るウエーハの加工方法のウエーハ支持工程の概要を示す図、図8は、実施形態に係るウエーハの加工方法の機能層切断工程の概要を示す斜視図、図9は、実施形態に係るウエーハの加工方法が施されたウエーハの要部の断面図である。
実施形態の変形例1に係るウエーハの加工方法を、図10に基づいて説明する。図10は、実施形態の変形例1に係るウエーハの加工方法の外周余剰領域基板露出工程後のウエーハを示す平面図である。なお、図10において、実施形態と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
実施形態の変形例2に係るウエーハの加工方法を、図11に基づいて説明する。図11は、実施形態の変形例2に係るウエーハの加工方法の外周余剰領域基板露出工程後のウエーハを示す平面図である。なお、図11において、実施形態と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
実施形態の変形例3に係るウエーハの加工方法を、図12に基づいて説明する。図12は、実施形態の変形例3に係るウエーハの加工方法の外周余剰領域基板露出工程後のウエーハを示す平面図である。なお、図12において、実施形態と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
12 切削ブレード
13 赤外線カメラ
B 基板
Ba 表面
Bb 裏面
CR 切削溝
CR−1 切削溝
D デバイス
DR デバイス領域
G 保護部材
GR 外周余剰領域
GR−1,GR−2 外周縁
FL 機能層
F 環状のフレーム
J 樹脂皮膜
L レーザー光線
N ノッチ(異形状部)
S 分割予定ライン
T ダイシングテープ
W ウエーハ
Claims (4)
- 複数の分割予定ラインによって区画され複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞して形成された外周余剰領域とから表面が構成され且つ基板の裏面に樹脂皮膜が被覆されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの該保護部材側をチャックテーブルに保持し、基板の裏面の外周余剰領域の該樹脂皮膜を切削ブレードで切削して除去し基板を露出させる外周余剰領域基板露出工程と、
該外周余剰領域基板露出工程を実施した後に、該露出した基板上に赤外線カメラを位置づけて該基板を透過して該表面側の分割予定ラインを検出しアライメントを行うアライメント工程と、
該アライメント工程を実施した後に、該アライメント結果に基づき切削ブレードで分割予定ラインに沿って該裏面側から切削を行い複数のデバイスに分割する分割工程と、
を備えるウエーハの加工方法。 - 前記外周余剰領域基板露出工程においては、該保護部材側を回転するチャックテーブルに保持し、切削ブレードを該外周余剰領域に該当する領域に位置付けて基板に達するまで切り込ませた状態で該チャックテーブルを回転させて該外周余剰領域の該樹脂皮膜を円形に除去して該基板を露出させること、を特徴とする請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 前記外周余剰領域基板露出工程においては、
該保護部材側をチャックテーブルに保持し、
ウエーハの結晶方位を示す異形状部を基準に該外周余剰領域の対向する2つの外周縁と、該2つの外周縁が対向する方向と直交する方向に対向する他の2つの外周縁との合計4つの外周縁のうちの少なくとも3つの外周縁に、該切削ブレードにより直線状で基板に達する切削溝を形成して、該樹脂皮膜を除去して該基板を露出させること、を特徴とする請求項1記載のウエーハの加工方法。 - 基板の表面のデバイス領域は機能層が積層して形成されており、
前記アライメント工程を実施した後に、アライメント結果に基づき基板の裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードを位置付けて機能層に至らない一部を残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハを構成する基板の裏面にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するとともに、該保護部材を剥離するウエーハ支持工程と、
該ウエーハ支持工程が実施されたウエーハを構成する機能層に形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、機能層をアブレーション加工して切断する機能層切断工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つ記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014034220A JP6283531B2 (ja) | 2014-02-25 | 2014-02-25 | ウエーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014034220A JP6283531B2 (ja) | 2014-02-25 | 2014-02-25 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015159241A JP2015159241A (ja) | 2015-09-03 |
JP6283531B2 true JP6283531B2 (ja) | 2018-02-21 |
Family
ID=54183027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014034220A Active JP6283531B2 (ja) | 2014-02-25 | 2014-02-25 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6283531B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105215556A (zh) * | 2015-09-25 | 2016-01-06 | 江苏秦拓微电子设备科技有限公司 | 对晶圆表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜的新工艺 |
JP6738687B2 (ja) * | 2016-08-25 | 2020-08-12 | 株式会社ディスコ | パッケージウエーハの加工方法 |
JP6716403B2 (ja) * | 2016-09-09 | 2020-07-01 | 株式会社ディスコ | 積層ウェーハの加工方法 |
JP6764327B2 (ja) * | 2016-12-01 | 2020-09-30 | 株式会社ディスコ | ワークの加工方法 |
JP2020113614A (ja) * | 2019-01-10 | 2020-07-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021044480A (ja) | 2019-09-13 | 2021-03-18 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004327466A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Yac Co Ltd | ウェーハ上面外周研磨装置 |
JP4749849B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-08-17 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
JP5122378B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2013-01-16 | 株式会社ディスコ | 板状物の分割方法 |
JP5948034B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2016-07-06 | 株式会社ディスコ | アライメント方法 |
-
2014
- 2014-02-25 JP JP2014034220A patent/JP6283531B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015159241A (ja) | 2015-09-03 |
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A621 | Written request for application examination |
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