JP2020113614A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
ウェーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020113614A JP2020113614A JP2019002487A JP2019002487A JP2020113614A JP 2020113614 A JP2020113614 A JP 2020113614A JP 2019002487 A JP2019002487 A JP 2019002487A JP 2019002487 A JP2019002487 A JP 2019002487A JP 2020113614 A JP2020113614 A JP 2020113614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- metal film
- street
- back surface
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 195
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 195
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 74
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 35
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 30
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
【課題】裏面に金属膜が形成されたウェーハをプラズマエッチングで分割する場合に、ストリート位置を検出してストリートに対応した位置の金属膜を除去し、ウェーハをプラズマエッチングして分割できるようにする。【解決手段】表面ＷａにストリートＳを有し裏面Ｗｂに金属膜Ｗ２が形成されたウェーハＷの裏面Ｗｂ外周の金属膜Ｗ２を除去し金属膜除去領域Ｗ２ｄを形成するステップと、金属膜除去領域Ｗ２ｄ形成後、ウェーハ表面Ｗａ側をテーブル１０で保持しウェーハ裏面Ｗｂを露出させるステップと、保持ステップ実施後、金属膜除去領域Ｗ２ｄでウェーハ裏面Ｗｂ側からウェーハＷを透過しウェーハ表面Ｗａ側を撮像し表面ＷａのストリートＳの位置を検出するステップと、検出したストリートＳに沿って金属膜Ｗ２を除去するステップと、金属膜除去ステップ実施後、ウェーハＷをプラズマエッチングでストリートＳに沿ってエッチングするステップと、を備えたウェーハ加工方法。【選択図】図５
Description
本発明は、表面に複数のストリートを有し、裏面に金属膜が形成されたウェーハの加工方法に関する。
表面にストリート（分割予定ライン）として設定される幅を縮小してウェーハ毎のチップの数を増やすため、及び加工時間を短縮するために、プラズマエッチングを利用して被加工物であるウェーハを分割する所謂プラズマダイシング（例えば、特許文献１参照）が従来から用いられている。
しかし、裏面に電極となる金属膜が成膜されたウェーハが分割対象である場合、ウェーハを効率よくプラズマダイシングできるエッチングガスでは、金属膜がエッチングされない、または非常にエッチングされにくく、プラズマダイシングによるウェーハの分割が困難であるという問題がある。
そこで、特許文献２に記載されているように、例えばストリートに対応した裏面の金属膜を切削ブレードで切削して除去してから、ウェーハにプラズマエッチングを施してウェーハを分割する技術が提案されている。
しかし、ウェーハの裏面側から金属膜を除去する際に、ストリートの位置が適切に検出できないという問題がある。
よって、裏面に金属膜が形成されたウェーハをプラズマエッチングで分割する場合には、ストリートの正確な位置を検出してストリートに対応した位置の金属膜を除去し、裏面に金属膜が形成されたウェーハをプラズマエッチングして分割できるようにするという課題がある。
よって、裏面に金属膜が形成されたウェーハをプラズマエッチングで分割する場合には、ストリートの正確な位置を検出してストリートに対応した位置の金属膜を除去し、裏面に金属膜が形成されたウェーハをプラズマエッチングして分割できるようにするという課題がある。
上記課題を解決する本発明は、表面に複数のストリートを有し、裏面に金属膜が形成されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの該裏面の外周の該金属膜を除去して金属膜除去領域を形成する金属膜除去領域形成ステップと、該金属膜除去領域形成ステップを実施した後、ウェーハの表面側を保持テーブルで保持してウェーハの該裏面を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該金属膜除去領域でウェーハの該裏面側からウェーハを透過してウェーハの該表面側を撮像して該表面の該ストリートの位置を検出するストリート位置検出ステップと、該ストリート位置検出ステップを実施した後、該ストリートに沿って該金属膜を除去する金属膜除去ステップと、該金属膜除去ステップを実施した後、ウェーハをプラズマエッチングで該ストリートに沿ってエッチングするプラズマエッチングステップと、を備えたウェーハの加工方法である。
前記金属膜除去領域形成ステップは、ウェーハの前記裏面から切削ブレードで前記金属膜を切削することで該金属膜を除去すると好ましい。
前記プラズマエッチングステップでは、ウェーハの前記表面に前記ストリートに沿った開口を有したマスクを配設するとともに該マスクを介して該表面からプラズマエッチングを施すと好ましい。
前記金属膜除去領域形成ステップを実施する前または実施した後にウェーハの前記裏面にマスク層を配設するマスク層配設ステップを備え、前記金属膜除去ステップでは該マスク層とともに前記金属膜を前記ストリートに沿って除去することでマスクを形成し、前記プラズマエッチングステップでは、ウェーハの該裏面から該マスクを介してプラズマエッチングを施すと好ましい。
本発明に係るウェーハの加工方法は、ストリートに対応した位置の金属膜を除去する前に、ウェーハの外周縁に沿って金属膜を除去した金属膜除去領域を形成する。そして、ストリートに対応した位置の金属膜を除去する際には、ウェーハを透過する波長の撮像光に感度がある撮像ユニットを利用して金属膜除去領域を介してウェーハの表面側を撮像し、ストリートの位置を検出できる。よって、検出したストリートに対応した位置の裏面側の金属膜を除去でき、裏面に金属膜が形成されたウェーハをプラズマエッチングで分割できる。
金属膜除去領域形成ステップは、ウェーハの裏面から切削ブレードで金属膜を切削することで容易に金属膜を除去することが可能となる。
プラズマエッチングステップでは、ウェーハの表面にストリートに沿った開口を有したマスクを配設するとともにマスクを介して表面からプラズマエッチングを施すことで、デバイスがエッチングで損傷しないようにしつつ、ウェーハをチップに分割することが可能となる。
金属膜除去領域形成ステップを実施する前または実施した後にウェーハの裏面にマスク層を配設するマスク層配設ステップを備え、金属膜除去ステップではマスク層とともに金属膜をストリートに沿って除去することでマスクを形成し、プラズマエッチングステップでは、ウェーハの裏面からマスクを介してプラズマエッチングを施すことで、デバイスがエッチングで損傷しないようにしつつ、ウェーハをチップに分割することが可能となる。また、プラズマエッチング時に起こり得る金属膜の銅等によるプラズマエッチング装置のチャンバ内の金属汚染は、金属膜上に形成されたマスクによって金属膜がエッチングされないため防ぐことができる。
（実施形態１）
以下に、本発明に係る加工方法（以下、実施形態１の加工方法とする）を実施して図１に示すウェーハＷをデバイスＤを備えるチップへと分割する場合の、実施形態１の加工方法の各ステップについて説明していく。
図１に示すウェーハＷは、例えば、シリコンからなる基板Ｗ１を備える円形の半導体ウェーハであり、基板Ｗ１の表面、即ち、ウェーハＷの表面Ｗａには、デバイス領域Ｗａ１と、デバイス領域Ｗａ１を囲繞する外周余剰領域Ｗａ２とが設けられている。デバイス領域Ｗａ１及び外周余剰領域Ｗａ２には複数のストリートＳがそれぞれ直交差するように設定されている。そして、デバイス領域Ｗａ１のストリートＳによって区画された格子状の領域には、デバイスＤがそれぞれ形成されている。一方、一般的にウェーハＷは外周縁までストリートＳによる区分けとパターニングとがされているので、外周余剰領域Ｗａ２には、デバイスＤが作り込まれていない（分割後にデバイスチップとならない）二点鎖線で示すパターンＰが形成されている。なお、図１においては、外周余剰領域Ｗａ２全周に形成された複数のパターンＰの一部のみを図示している。
以下に、本発明に係る加工方法（以下、実施形態１の加工方法とする）を実施して図１に示すウェーハＷをデバイスＤを備えるチップへと分割する場合の、実施形態１の加工方法の各ステップについて説明していく。
図１に示すウェーハＷは、例えば、シリコンからなる基板Ｗ１を備える円形の半導体ウェーハであり、基板Ｗ１の表面、即ち、ウェーハＷの表面Ｗａには、デバイス領域Ｗａ１と、デバイス領域Ｗａ１を囲繞する外周余剰領域Ｗａ２とが設けられている。デバイス領域Ｗａ１及び外周余剰領域Ｗａ２には複数のストリートＳがそれぞれ直交差するように設定されている。そして、デバイス領域Ｗａ１のストリートＳによって区画された格子状の領域には、デバイスＤがそれぞれ形成されている。一方、一般的にウェーハＷは外周縁までストリートＳによる区分けとパターニングとがされているので、外周余剰領域Ｗａ２には、デバイスＤが作り込まれていない（分割後にデバイスチップとならない）二点鎖線で示すパターンＰが形成されている。なお、図１においては、外周余剰領域Ｗａ２全周に形成された複数のパターンＰの一部のみを図示している。
図１において−Ｚ方向側に向いている基板Ｗ１の裏面全面には、スパッタリング又はＣＶＤによる蒸着等で形成され銅、チタン、ニッケル、金のうち１つ以上の金属により構成された多層の金属膜Ｗ２が配設されている。金属膜Ｗ２の厚みは、例えば２μｍ〜３０μｍ程度となっている。金属膜Ｗ２の露出面は、ウェーハＷの裏面Ｗｂとなる。なお、ウェーハＷの構成は本実施形態の例に限定されるものではない。例えば、基板Ｗ１はシリコン以外にガリウムヒ素、サファイア、窒化ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよい。
また、ウェーハＷは、例えば外周余剰領域Ｗａ２を備えず、外周側に分割後に製品チップとならない三角チップが形成されるようなウェーハであってもよい。
また、ウェーハＷは、例えば外周余剰領域Ｗａ２を備えず、外周側に分割後に製品チップとならない三角チップが形成されるようなウェーハであってもよい。
（１）金属膜除去領域形成ステップ
ウェーハＷには、まず、図２に示すように表面Ｗａに表面保護テープＴ１が貼着される。表面保護テープＴ１は、ウェーハＷと略同径の円形のテープである。
次いで、ウェーハＷは、例えば、図２に示す切削装置１に搬送される。図２に示す切削装置１は、例えば、ウェーハＷを吸引保持する保持テーブル１０と、保持テーブル１０に保持されたウェーハＷに対して回転する切削ブレード１１３で切削加工を施す切削手段１１と、を少なくとも備えている。
ウェーハＷには、まず、図２に示すように表面Ｗａに表面保護テープＴ１が貼着される。表面保護テープＴ１は、ウェーハＷと略同径の円形のテープである。
次いで、ウェーハＷは、例えば、図２に示す切削装置１に搬送される。図２に示す切削装置１は、例えば、ウェーハＷを吸引保持する保持テーブル１０と、保持テーブル１０に保持されたウェーハＷに対して回転する切削ブレード１１３で切削加工を施す切削手段１１と、を少なくとも備えている。
保持テーブル１０は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる保持面１０ａ上でウェーハＷを吸引保持する。保持テーブル１０は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であるとともに、図示しない切削送り手段によってＸ軸方向に往復移動可能となっている。
切削手段１１は、軸方向がＹ軸方向であるスピンドル１１０と、スピンドル１１０を回転させる図示しないモータと、スピンドル１１０の先端に装着された切削ブレード１１３とを備えており、モータがスピンドル１１０を回転駆動することに伴い切削ブレード１１３が回転する。
切削ブレード１１３は、例えば、ウェーハＷをチップに分割するダイシングの際に用いる通常の切削ブレードよりも刃厚の厚い切削ブレードである。切削ブレード１１３は、例えば番手＃４０００より平均粒径が小さい砥粒が含まれるものであると好ましい。なぜならば、小さい砥粒が含まれる切削ブレード１１３で金属膜Ｗ２を切削して金属膜除去領域を形成することで、切削溝の溝底が撮像手段で撮像可能な程度に平坦になり、金属膜除去領域でウェーハＷの裏面Ｗｂ側からウェーハＷを透過してウェーハＷの表面Ｗａ側のストリートＳ（外周余剰領域Ｗａ２のストリートＳ）を正確に撮像できるようになるためである。
切削装置１は、例えばウェーハＷの外周縁の座標位置及びウェーハＷの中心の座標位置を認識できるアライメント手段１４を備えている。アライメント手段１４は、ウェーハＷに可視光を照射する可視光照射手段１４０、及びウェーハＷからの反射光を捕らえる光学系及び光学系で結像された被写体像を出力する撮像素子等で構成されたカメラ１４１、並びにウェーハＷに赤外線を照射する図示しない赤外線照射手段１４２、及びウェーハＷから反射した赤外線を捕らえる光学系及び光学系で結像された被写体像を出力する赤外線撮像素子等で構成された赤外線カメラ１４３を備えている。なお、図２に示すように、可視光照射手段１４０及びカメラ１４１と、赤外線照射手段１４２及び赤外線カメラ１４３とが別々の筐体に取り付けられているのではなく、可視光照射手段１４０及びカメラ１４１と、赤外線照射手段１４２及び赤外線カメラ１４３とが１つ筐体に取り付けられている構成となっていてもよい。
本実施形態１における金属膜除去領域形成ステップでは、ウェーハＷの裏面Ｗｂから切削ブレード１１３で金属膜Ｗ２を切削することで金属膜Ｗ２を例えば環状に除去する。具体的には図２に示すように、表面Ｗａに貼着された表面保護テープＴ１を下側に向けて保持テーブル１０の保持面１０ａ上にウェーハＷが載置され、保持テーブル１０によりウェーハＷが吸引保持される。保持テーブル１０の回転中心とウェーハＷの中心とは略合致する。
次いで、保持テーブル１０が図２に示すアライメント手段１４の下方まで移動して、エッジアライメントが実施される。即ち、保持テーブル１０が回転しつつ可視光照射手段１４０から可視光がウェーハＷの外周縁に照射され、保持テーブル１０に保持されたウェーハＷの外周縁がカメラ１４１で複数箇所撮像される。そして、撮像画像から例えば外周縁の離間した３点の座標が検出され、該３点の座標に基づく幾何学的演算処理により、保持テーブル１０上のウェーハＷの正確な中心座標が求められる。
そして、ウェーハＷの該中心座標の情報及び予め認識されているウェーハＷのサイズ情報を基にして、保持テーブル１０と切削手段１１とが水平方向に相対的に移動されて、外周余剰領域Ｗａ２内で、且つウェーハＷの外周縁から所定距離内側の所定位置が切削ブレード１１３の直下に位置するように、保持テーブル１０の位置付けが行われる。なお、エッジアライメントを行わずに、外周余剰領域Ｗａ２内で、且つウェーハＷの外周縁から所定距離内側の位置に切削ブレード１１３が位置付けられてもよい。
図示しないモータがスピンドル１１０を回転駆動することに伴って、切削ブレード１１３が例えば−Ｙ方向側から見て時計回り方向に高速回転する。さらに、切削手段１１が−Ｚ方向に向かって切り込み送りされ、切削ブレード１１３の最下端が金属膜Ｗ２を完全に切断しかつ基板Ｗ１に切り込まない又は僅かに切り込む高さ位置に切削手段１１の高さ位置が定められる。
切削ブレード１１３を所定の高さ位置まで切り込み送りした後、保持テーブル１０を＋Ｚ方向側から見て反時計方向に３６０度回転させることで、ウェーハＷの裏面Ｗｂの外周の金属膜Ｗ２を除去して図３に示す環状の金属膜除去領域Ｗ２ｄを形成する。金属膜除去領域Ｗ２ｄの幅は、チップサイズやパターン精度により適宜定められるが、例えばチップサイズが０．３ｍｍ角の場合はウェーハＷの外周縁から０．５ｍｍ以上であると好ましい。
金属膜除去領域Ｗ２ｄの形成は、例えば、切削ブレード１１３をウェーハＷの外周縁に沿って切り込ませつつ、保持テーブル１０を所定の回転速度でＺ軸方向の軸心周りに３６０度回転させる毎に、ウェーハＷの径方向内側に向かって切削ブレード１１３をＹ軸方向に所定間隔ずらしつつ行ってもよい。また、金属膜除去領域Ｗ２ｄをウェーハＷの裏面Ｗｂの外周側全周にわたって環状に形成しなくてもよく、例えばＸ軸方向及びＹ軸方向において、所定長さの弧状の金属膜除去領域がウェーハＷの中心を挟んで対称に形成されてもよい。
また、金属膜除去領域Ｗ２ｄの形成は、例えば、レーザビーム照射による金属膜Ｗ２のグルービングで行われてもよい。
また、金属膜除去領域Ｗ２ｄの形成は、例えば、レーザビーム照射による金属膜Ｗ２のグルービングで行われてもよい。
金属膜除去領域形成ステップにおいて、本実施形態１のようにウェーハＷの裏面Ｗｂから切削ブレード１１３で金属膜Ｗ２を切削することで、容易に金属膜Ｗ２を除去することが可能となる。
（２）保持ステップ
金属膜除去領域形成ステップを実施した後、ウェーハＷは、図４に示すように、表面Ｗａ側が保持テーブル１０で保持され裏面Ｗｂが露出した状態が維持される。
金属膜除去領域形成ステップを実施した後、ウェーハＷは、図４に示すように、表面Ｗａ側が保持テーブル１０で保持され裏面Ｗｂが露出した状態が維持される。
（３）ストリート位置検出ステップ
保持ステップが実施された後、金属膜除去領域Ｗ２ｄでウェーハＷの裏面Ｗｂ側からウェーハＷを透過してウェーハＷの表面Ｗａ側が撮像されて表面ＷａのストリートＳの位置が検出される。まず、金属膜除去領域Ｗ２ｄが図５に示すアライメント手段１４の赤外線カメラ１４３の下方に位置するように、保持テーブル１０が移動する。そして、赤外線照射手段１４２が、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側から赤外線をウェーハＷの金属膜除去領域Ｗ２ｄに照射してウェーハＷを透過させて、赤外線カメラ１４３によって表面Ｗａの外周余剰領域Ｗａ２のストリートＳ及びパターンＰ（図１参照）を撮像する。赤外線カメラ１４３によって撮像されたストリートＳ等の写った画像により、アライメント手段１４がパターンマッチング等の画像処理を実行し、ストリートＳの位置が検出される。即ち、例えば、図１に示すあるパターンＰ中の特徴的な形状を有する回路パターンの一部を、あらかじめアライメントマークとして設定し切削装置１の図示しない制御手段で記憶しておく。そして、予めアライメントマークからストリートＳまでの距離も切削装置１の制御手段で記憶しておくことで、アライメントマークのパターンマッチングによりストリートＳの位置が検出できる。金属膜除去領域Ｗ２ｄは、金属膜Ｗ２が無い為、赤外線が金属膜Ｗ２に反射されたり吸収されたりして、ストリートＳの撮像が失敗してしまうといった事態は生じない。
保持ステップが実施された後、金属膜除去領域Ｗ２ｄでウェーハＷの裏面Ｗｂ側からウェーハＷを透過してウェーハＷの表面Ｗａ側が撮像されて表面ＷａのストリートＳの位置が検出される。まず、金属膜除去領域Ｗ２ｄが図５に示すアライメント手段１４の赤外線カメラ１４３の下方に位置するように、保持テーブル１０が移動する。そして、赤外線照射手段１４２が、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側から赤外線をウェーハＷの金属膜除去領域Ｗ２ｄに照射してウェーハＷを透過させて、赤外線カメラ１４３によって表面Ｗａの外周余剰領域Ｗａ２のストリートＳ及びパターンＰ（図１参照）を撮像する。赤外線カメラ１４３によって撮像されたストリートＳ等の写った画像により、アライメント手段１４がパターンマッチング等の画像処理を実行し、ストリートＳの位置が検出される。即ち、例えば、図１に示すあるパターンＰ中の特徴的な形状を有する回路パターンの一部を、あらかじめアライメントマークとして設定し切削装置１の図示しない制御手段で記憶しておく。そして、予めアライメントマークからストリートＳまでの距離も切削装置１の制御手段で記憶しておくことで、アライメントマークのパターンマッチングによりストリートＳの位置が検出できる。金属膜除去領域Ｗ２ｄは、金属膜Ｗ２が無い為、赤外線が金属膜Ｗ２に反射されたり吸収されたりして、ストリートＳの撮像が失敗してしまうといった事態は生じない。
（４）金属膜除去ステップ
ストリート位置検出ステップを実施した後、ストリートＳに沿って図６に示す金属膜Ｗ２を除去する。
図６に示す切削装置１の切削手段１１の切削ブレード１１７は、ウェーハＷをチップに分割するダイシングを行う際に用いる通常の切削ブレードであり、例えば図２に示す切削ブレード１１３よりも薄いブレードである。
ストリート位置検出ステップを実施した後、ストリートＳに沿って図６に示す金属膜Ｗ２を除去する。
図６に示す切削装置１の切削手段１１の切削ブレード１１７は、ウェーハＷをチップに分割するダイシングを行う際に用いる通常の切削ブレードであり、例えば図２に示す切削ブレード１１３よりも薄いブレードである。
ストリート位置検出ステップにおいて検出された各ストリートＳの位置情報に基づいて、切削手段１１が割り出し送り方向であるＹ軸方向に移動され、切削すべきストリートＳと切削ブレード１１７とのＹ軸方向における位置合わせが行われる。
上記位置合わせ後、ウェーハＷを保持する保持テーブル１０が所定の切削送り速度で図６に示すように−Ｘ方向に送り出される。図示しないモータがスピンドル１１０を回転駆動することに伴って、切削ブレード１１７が例えば−Ｙ方向側（紙面手前側）から見て時計回り方向に高速回転する。さらに、切削手段１１が−Ｚ方向に向かって切り込み送りされ、切削ブレード１１７の最下端が金属膜Ｗ２を完全に切断しかつ基板Ｗ１に切り込まない又は僅かに切り込む高さ位置に切削手段１１が位置付けられる。そして、高速回転する切削ブレード１１７がウェーハＷに切り込み、ストリートＳに沿ってストリートＳに対応する金属膜Ｗ２を切削除去していく。したがって、ウェーハＷの裏面Ｗｂには、ストリートＳに沿った切削溝が形成されていく。また、切削ブレード１１７とウェーハＷとの接触部位及びその周囲に対して切削水が噴射され、接触部位（加工点）を冷却・洗浄する。
切削ブレード１１７が、ストリートＳを切削し終えるＸ軸方向の所定の位置までウェーハＷが−Ｘ方向に進行すると、ウェーハＷの切削送りが一度停止し、切削ブレード１１７がウェーハＷから離間し、次いで、保持テーブル１０が＋Ｘ方向へ送り出されて元の位置に戻される。隣り合うストリートＳの間隔ずつ切削ブレード１１７をＹ軸方向に割り出し送りしながら順次同様の切削を行い、同方向の全てのストリートＳに対応する金属膜Ｗ２を除去していく。さらに、保持テーブル１０を９０度回転させてから同様の切削を行うと、全てのストリートＳに沿って金属膜Ｗ２が縦横に除去される。
なお、例えば、レーザビーム照射によるストリートＳに沿った金属膜Ｗ２のグルービングにより、ストリートＳに沿って金属膜Ｗ２を除去してもよい。
なお、例えば、レーザビーム照射によるストリートＳに沿った金属膜Ｗ２のグルービングにより、ストリートＳに沿って金属膜Ｗ２を除去してもよい。
（５−１）プラズマエッチングステップにおける保護膜層の形成
金属膜除去ステップを実施した後、ウェーハＷをプラズマエッチングでストリートＳに沿ってエッチングする。本実施形態においては、プラズマエッチングを行うにあたって、まず、ウェーハＷの表面ＷａにストリートＳに沿った開口を有したマスクを配設する。
金属膜除去ステップを実施した後、ウェーハＷをプラズマエッチングでストリートＳに沿ってエッチングする。本実施形態においては、プラズマエッチングを行うにあたって、まず、ウェーハＷの表面ＷａにストリートＳに沿った開口を有したマスクを配設する。
例えば、ウェーハＷは、図７に示すように、ウェーハＷよりも大径の粘着シートＴ２に裏面Ｗｂが貼着されて環状フレームＦによるハンドリングが可能な状態になる。即ち、ウェーハＷの表面Ｗａには、図６に示す表面保護テープＴ１が貼着されているため、表面保護テープＴ１から粘着シートＴ２に対するウェーハＷの転写・貼着が図示しないテープマウンタ等において行われる。同時に、粘着シートＴ２の糊層の外周部を環状フレームＦにも貼着することで、ウェーハＷは、粘着シートＴ２を介して環状フレームＦに支持される。
例えば、環状フレームＦ及び粘着シートＴ２は、後のプラズマエッチングで使用されるエッチングガス（例えば、ＳＦ６ガスやＣ４Ｆ８ガス）に対する耐性を備えていると好ましい。即ち、例えば、環状フレームＦはＳＵＳで形成されており、粘着シートＴ２はポリオレフィン等で形成されていると好ましい。
環状フレームＦによるハンドリングが可能となったウェーハＷは、例えば、図８に示すスピンコータ４に搬送される。スピンコータ４は、例えば、ウェーハＷを保持する保持テーブル４０と、保持テーブル４０を回転させる回転手段４２と、上端側に円形の開口を備え保持テーブル４０を収容する有底円筒状のケーシング４４とを備えている。
保持テーブル４０は、例えば円形状であり、ポーラス部材等からなり図示しない吸引源に連通する保持面４０ａを備えている。保持テーブル４０の周囲には、環状フレームＦを固定する固定クランプ４０１が周方向に均等に配設されている。保持テーブル４０は、ウェーハＷが載置される際には上昇して搬入・搬出高さに位置付けられ、また、吸引保持したウェーハＷに液状の保護膜剤が塗布される際には、ケーシング４４内における塗布高さまで下降する。保持テーブル４０は、下方に配設された回転手段４２によりＺ軸方向の軸心周りに回転可能である。
ケーシング４４は、保持テーブル４０を囲繞する外側壁４４０と、外側壁４４０の下部に連接し中央に回転手段４２の回転軸が挿通される開口を有する底板４４１と、底板４４１の開口内周縁から立設する内側壁４４２とを備える。保持テーブル４０の下面とケーシング４４の内側壁４４２の上端面との間には、回転手段４２の回転軸に挿嵌され回転軸と底板４４１の開口との隙間への異物の入り込みを防ぐカバー４４４が配設されている。
ケーシング４４内には、保持面４０ａで吸引保持されたウェーハＷに保護膜剤を滴下するノズル４５が配設されている。ノズル４５は、底板４４１から立設しており、側面視略Ｌ字状の外形を備え、Ｚ軸方向の軸心周りに旋回可能である。ノズル４５の先端部分に形成された供給口４５０は、保持テーブル４０の保持面４０ａに向かって開口している。
ノズル４５は、保護膜剤を蓄えた保護膜剤供給源４７に配管４７ａ及び図示しないロータリージョイントを介して連通している。保護膜剤供給源４７に蓄えられた保護膜剤は、例えば、水溶性樹脂（ポリビニルピロリドン又はポリビニルアルコール等）からなる水溶性の保護膜剤である。なお、ノズル４５には保護膜剤供給源４７の代わりに非水溶性樹脂供給源が連通していてもよく、非水溶性樹脂供給源には例えばレジスト液が蓄えられていてもよい。
ウェーハＷが、粘着シートＴ２側を下にして保持テーブル４０により吸引保持され、また、各固定クランプ４０１により環状フレームＦが固定される。次いで、ウェーハＷを保持した保持テーブル４０がケーシング４４内の塗布高さ位置まで下降する。また、ノズル４５が旋回し、供給口４５０がウェーハＷの中央上方に位置付けられる。
次いで、保護膜剤供給源４７が保護膜剤をノズル４５に供給し、ウェーハＷの表面Ｗａに保護膜剤が滴下される。保持テーブル４０が回転することで、滴下された保護膜剤が表面Ｗａの中心側から外周側に流れ全面にいきわたり、略一様な厚さの保護膜層Ｊが形成される。その後、回転を継続して保護膜層Ｊを回転乾燥させる、又は、保持テーブル４０上方に位置付けたヒータやキセノンフラッシュランプにより加熱乾燥させる。
（５−２）プラズマエッチングステップにおけるマスクの形成
表面Ｗａに保護膜層Ｊが形成されたウェーハＷは、例えば、図９に示すレーザ加工装置２に搬送される。レーザ加工装置２は、ウェーハＷを吸引保持するチャックテーブル２０と、ウェーハＷの保護膜層Ｊに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段２２とを少なくとも備えている。
表面Ｗａに保護膜層Ｊが形成されたウェーハＷは、例えば、図９に示すレーザ加工装置２に搬送される。レーザ加工装置２は、ウェーハＷを吸引保持するチャックテーブル２０と、ウェーハＷの保護膜層Ｊに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段２２とを少なくとも備えている。
ウェーハＷを保持するチャックテーブル２０は、ポーラス部材等で構成されウェーハＷを吸引保持する円形の平坦な保持面２０ａを備えている。チャックテーブル２０は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であると共に、図示しない移動手段によってＸ軸方向及びＹ軸方向に往復移動可能となっている。チャックテーブル２０の周囲には、環状フレームＦを固定する固定クランプ２４が周方向に均等に配設されている。
レーザビーム照射手段２２は、ＹＡＧレーザやＹＶＯ４レーザ等のレーザビーム発振器２２９から発振されたレーザビームを、レーザヘッド２２２内部の集光レンズ２２２ａに入光させることで、チャックテーブル２０で保持されたウェーハＷに正確に集光して照射できる。なお、レーザヘッド２２２によって集光されるレーザビームの集光点位置は、図示しない集光点位置調整手段によってＺ軸方向に調整可能である。
まず、ウェーハＷが、粘着シートＴ２を下にしてチャックテーブル２０の保持面２０ａ上で吸引保持され、また、環状フレームＦが固定クランプ２４で挟持固定される。そして、レーザビームをウェーハＷに照射するための基準となるストリートＳの位置が図示しないアライメント手段によるパターンマッチング等の画像処理を経て検出される。ストリートＳの位置が検出されるのに伴って、チャックテーブル２０がＹ軸方向に移動し、ストリートＳとレーザヘッド２２２との位置合わせがなされる。次いで、集光レンズ２２２ａにより集光されるレーザビームの集光点位置が保護膜層Ｊの高さ位置に合わせられる。
レーザビーム発振器２２９が保護膜層Ｊに吸収性を有する波長のレーザビームを発振し、レーザビームを保護膜層Ｊに集光し照射する。また、ウェーハＷが往方向である−Ｘ方向に所定の加工送り速度で送られ、レーザビームがストリートＳに沿って保護膜層Ｊに照射されていくことで、ストリートＳに沿って保護膜層Ｊがアブレーション加工され除去される。
ストリートＳに沿ってレーザビームを照射し終える所定位置までウェーハＷが−Ｘ方向に進行すると、レーザビームの照射を停止するとともチャックテーブル２０がＹ軸方向に移動され、加工されたストリートＳの隣のストリートＳとレーザヘッド２２２とのＹ軸方向での位置合わせが行われる。ウェーハＷが復方向である＋Ｘ方向へ加工送りされ、レーザビーム照射により保護膜層ＪがストリートＳに沿って除去される。順次同様のレーザビーム照射をＸ軸方向に延びる全ストリートＳに沿って行った後、チャックテーブル２０を９０度回転させてから同様のレーザビーム照射を行うと、ウェーハＷの表面ＷａのストリートＳに対応する領域以外の領域に図１０に示すマスクＪ１が形成された状態になる。
ストリートＳに沿った開口を有したマスクＪ１の形成は本実施形態に限定されるものではない。一般的には、図１に示すウェーハＷのデバイスＤを形成する際に、デバイスＤが形成された表面Ｗａ側の全域には、汚染や不純物等の進入からデバイスＤを保護するパシベーション膜（二酸化ケイ素膜等）がプラズマＣＶＤ法等で積層されるが、デバイスＤの最表層となるパシベーション膜をストリートＳに対応した領域を抜いておくように予め形成して、デバイスＤを個々に保護する該パシベーション膜をプラズマエッチング用のマスクにしてもよい。
また、保護膜層Ｊをレジスト膜にしている場合、即ち、例えば、ウェーハＷの表面Ｗａ全面にポジ型レジスト膜を薄膜形成している場合には、ウェーハＷのストリートＳに対応する格子状のスリットが形成された板状のフォトマスクをウェーハＷの表面Ｗａに被せ、ウェーハＷの表面Ｗａ中のストリートＳのみがフォトマスクのスリットから露出した状態とし、ウェーハＷの表面Ｗａ側に紫外光を照射する。次いで、露光後のウェーハＷを現像することで、ストリートＳ上からレジスト膜が除去されることによって、ウェーハＷの表面ＷａのストリートＳに対応する領域以外の領域にマスクが形成された状態にしてもよい。
または、ウェーハＷの表面ＷａにウェーハＷと略同径の円形のレジストシートを貼着し、ストリートＳに沿って切削ブレードでレジストシートを切削することで、ウェーハＷの表面ＷａのストリートＳに対応する領域以外の領域にマスクが形成された状態にしてもよい。
または、ウェーハＷの表面ＷａにウェーハＷと略同径の円形のレジストシートを貼着し、ストリートＳに沿って切削ブレードでレジストシートを切削することで、ウェーハＷの表面ＷａのストリートＳに対応する領域以外の領域にマスクが形成された状態にしてもよい。
（５−３）プラズマエッチングステップにおけるエッチング
マスクＪ１が形成されたウェーハＷは、図１０に示すプラズマエッチング装置９に搬送される。プラズマエッチング装置９は、ウェーハＷを保持する保持手段９０と、ガスを噴出するガス噴出ヘッド９１と、保持手段９０及びガス噴出ヘッド９１を内部に収容したチャンバ９２とを備えている。なお、プラズマエッチング装置は、本実施形態のような容量結合型プラズマ方式（ＣＣＰ）のプラズマエッチング装置９でなく、例えば、誘電コイルにプラズマ発生用の高周波電力を印加し、誘電コイルに形成された磁場との相互作用によりエッチングガスをプラズマ化する誘導結合型プラズマ方式（ＩＣＰ）のエッチング装置であってもよい。または、所定波長のマイクロ波の組み合わせで電子がサイクロトロン共振することを利用してプラズマを発生させる電子サイクロトロン共振プラズマ方式（ＥＣＲ）のエッチング装置であってもよい。
マスクＪ１が形成されたウェーハＷは、図１０に示すプラズマエッチング装置９に搬送される。プラズマエッチング装置９は、ウェーハＷを保持する保持手段９０と、ガスを噴出するガス噴出ヘッド９１と、保持手段９０及びガス噴出ヘッド９１を内部に収容したチャンバ９２とを備えている。なお、プラズマエッチング装置は、本実施形態のような容量結合型プラズマ方式（ＣＣＰ）のプラズマエッチング装置９でなく、例えば、誘電コイルにプラズマ発生用の高周波電力を印加し、誘電コイルに形成された磁場との相互作用によりエッチングガスをプラズマ化する誘導結合型プラズマ方式（ＩＣＰ）のエッチング装置であってもよい。または、所定波長のマイクロ波の組み合わせで電子がサイクロトロン共振することを利用してプラズマを発生させる電子サイクロトロン共振プラズマ方式（ＥＣＲ）のエッチング装置であってもよい。
例えば、保持手段９０は、静電チャックであり、セラミック等の誘電体で形成されており、支持部材９００により下方から支持されている。保持手段９０の内部には、電圧印加により電荷を発生する円板状の電極９０１が保持手段９０の保持面９０ａと平行に配設されており、電極９０１は整合器９４ａ及びバイアス高周波電源９５ａに接続されている。
例えば、保持手段９０の内部には、図示しない通水路が形成されており、該通水路を循環する冷却水により保持手段９０が内部から所定温度に冷却される。また、保持面９０ａと保持面９０ａで保持されたウェーハＷとの間には、冷却水によるウェーハＷの吸熱効率を向上させるために、Ｈｅガス等の熱伝達ガスが所定の圧力で流れるようになっている。
なお、例えば、保持手段９０は、図例の単極型の静電チャックに限定されるものではなく、双極型の静電チャックであってもよい。
例えば、保持手段９０の内部には、図示しない通水路が形成されており、該通水路を循環する冷却水により保持手段９０が内部から所定温度に冷却される。また、保持面９０ａと保持面９０ａで保持されたウェーハＷとの間には、冷却水によるウェーハＷの吸熱効率を向上させるために、Ｈｅガス等の熱伝達ガスが所定の圧力で流れるようになっている。
なお、例えば、保持手段９０は、図例の単極型の静電チャックに限定されるものではなく、双極型の静電チャックであってもよい。
チャンバ９２の上部に軸受け９１９を介して昇降自在に配設されたガス噴出ヘッド９１の内部には、ガス拡散空間９１０が設けられており、ガス拡散空間９１０上部にはガス導入口９１１が連通し、ガス拡散空間９１０下部にはガス吐出口９１２が複数連通している。各ガス吐出口９１２の下端は保持手段９０の保持面９０ａに向かって開口している。ガス導入口９１１に接続されたガス供給部９３には、例えばＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８等のフッ素系ガスが蓄えられている。
ガス噴出ヘッド９１には、整合器９４を介して高周波電源９５が接続されている。高周波電源９５から整合器９４を介しガス噴出ヘッド９１に高周波電力を供給することで、ガス吐出口９１２から吐出されたエッチングガスをプラズマ化できる。
プラズマエッチング装置９は、図示しない制御部によりガスの吐出量や時間、高周波電力等の条件が制御される。
プラズマエッチング装置９は、図示しない制御部によりガスの吐出量や時間、高周波電力等の条件が制御される。
チャンバ９２の底には排気口９６が形成されており、この排気口９６には排気装置９７が接続されており、チャンバ９２内部を減圧し真空雰囲気とすることができる。また、チャンバ９２の側部には、搬入出口９２０と、この搬入出口９２０を開閉するゲートバルブ９２１とが設けられている。
チャンバ９２内部には、プラズマエッチング中の環状フレームＦの加熱防止用のフレーム加熱防止ガード９８が配設されている。フレーム加熱防止ガード９８は、例えば、エッチングガスに対する耐性を備えるＳＵＳ等を環状の平板状に形成したものであり、チャンバ９２の内側壁に径方向内側に延出するように配設されている。
ウェーハＷをプラズマエッチングでストリートＳに沿ってエッチングするにあたり、例えば、ＳＦ６ガスによるプラズマエッチングとＣ４Ｆ８ガスによる溝側壁等に対する保護膜堆積（デポジション）とを交互に繰り返すボッシュ法を採用する。なお、ＳＦ６ガス単体によるプラズマエッチングでウェーハＷを分割してもよい。
まず、搬入出口９２０からウェーハＷをチャンバ９２内に搬入し、マスクＪ１側を上側に向けてウェーハＷを保持手段９０の保持面９０ａ上に載置する。そして、ゲートバルブ９２１を閉じ、排気装置９７によりチャンバ９２内を真空雰囲気となるように減圧する。ウェーハＷを支持する環状フレームＦの上方は、フレーム加熱防止ガード９８で覆われる。
ガス噴出ヘッド９１を所定高さ位置まで下降させ、ガス供給部９３からＳＦ６ガスをチャンバ９２内に供給させる。また、高周波電源９５からガス噴出ヘッド９１に高周波電力を印加して、ガス噴出ヘッド９１と保持手段９０との間に高周波電界を生じさせ、ＳＦ６ガスをプラズマ化させる。これに並行して、電極９０１にバイアス高周波電源９５ａから電圧を印加して、保持手段９０の保持面９０ａとウェーハＷとの間に誘電分極現象を発生させ、電荷の分極により生じる静電吸着力でウェーハＷを保持面９０ａ上で吸着保持する。
プラズマ化したＳＦ６ガスは、ウェーハＷの表面ＷａのマスクＪ１が形成されている領域はほとんどエッチングせず、ウェーハＷのストリートＳに対応する領域を等方性エッチングしていく。プラズマ化したＳＦ６ガスによる環状フレームＦに対する熱影響は、フレーム加熱防止ガード９８によって抑えられる。
次に、ガス供給部９３からＣ４Ｆ８ガスをガス拡散空間９１０に供給し、ガス吐出口９１２から下方に噴出させる。高周波電源９５からガス噴出ヘッド９１に高周波電力を印加し、さらに、電極９０１にバイアス高周波電源９５ａから高周波電力を印加して、Ｃ４Ｆ８ガスをプラズマ化させ、プラズマ化したＳＦ６ガスによる等方性エッチングで形成されたエッチング溝の側壁と底とに保護膜（フルオロカーボン膜）を堆積させる。
再び、ＳＦ６ガスをチャンバ９２内に供給しプラズマ化させ、エッチング溝の底の保護膜のみを除去する異方性エッチングを行い、次いで、エッチング溝の底に露出したウェーハＷの等方性エッチングを再び行う。上記等方性エッチングと保護膜堆積と異方性エッチングとを１サイクルとし、例えば数十サイクル実施して、ウェーハＷの垂直な深掘りを高速かつ所望のアスペクト比で実現し、ストリートＳに沿った格子状のエッチング溝をウェーハＷに形成していく。
再び、ＳＦ６ガスをチャンバ９２内に供給しプラズマ化させ、エッチング溝の底の保護膜のみを除去する異方性エッチングを行い、次いで、エッチング溝の底に露出したウェーハＷの等方性エッチングを再び行う。上記等方性エッチングと保護膜堆積と異方性エッチングとを１サイクルとし、例えば数十サイクル実施して、ウェーハＷの垂直な深掘りを高速かつ所望のアスペクト比で実現し、ストリートＳに沿った格子状のエッチング溝をウェーハＷに形成していく。
ウェーハＷの裏面Ｗｂ側の金属膜Ｗ２はストリートＳに沿って既に除去されているので、ウェーハＷはストリートＳに沿って基板Ｗ１が切断されて図１１に示す複数のチップＣに分割される。その後、チャンバ９２内へのエッチングガス等の導入及びガス噴出ヘッド９１への高周波電力の供給を停止し、また、チャンバ９２内のエッチングガスを排気口９６から排気装置９７に排気し、チャンバ９２内部にエッチングガスが存在しない状態とする。
なお、マスクＪ１が水溶性樹脂からなるものでない場合（例えば、レジスト膜である場合）には、例えば、プラズマエッチング装置９によるアッシングによりマスクＪ１をチップＣから除去してもよい。
本実施形態におけるプラズマエッチングステップでは、ウェーハＷの表面ＷａにストリートＳに沿った開口を有したマスクＪ１を配設するとともにマスクＪ１を介して表面Ｗａからプラズマエッチングを施すことで、デバイスＤがエッチングで損傷しないようにしつつ、ウェーハＷをチップＣに分割することが可能となる。
チップＣに分割されたウェーハＷは、例えば、図１１に示すようにスピンコータ４に搬送される。（５−１）プラズマエッチングステップにおける保護膜層Ｊの形成において使用したスピンコータ４は、ウェーハＷの表面Ｗａ上からマスクＪ１を洗浄除去する役割を果たすことが可能である。なお、ウェーハＷは、スピンコータ４とは別の洗浄装置によってマスクＪ１が洗浄除去されるものとしてもよい。
例えば、図１１に示すように、ケーシング４４内には、洗浄水を噴射する洗浄水ノズル４６が配設されている。側面視略Ｌ字状の洗浄水ノズル４６は、ケーシング４４の底板４４１から立設しており、先端部分に形成された噴射口４６０は下方に向いている。洗浄水ノズル４６は、Ｚ軸方向の軸心周りに旋回可能となっており、洗浄水（例えば、純水）を蓄えた洗浄水供給源４８に配管４８ａ及びロータリージョイントを介して連通している。
まず、マスクＪ１が上方に向かって露出した状態でウェーハＷが保持テーブル４０で吸引保持された状態になる。また、各固定クランプ４０１によって環状フレームＦが固定される。ウェーハＷを吸引保持する保持テーブル４０がケーシング４４内における噴射高さ位置まで降下した後、洗浄水ノズル４６が旋回移動し噴射口４６０がウェーハＷの中央領域上方に位置付けられ、噴射口４６０からウェーハＷの中央部に向かって洗浄水が噴射される。また、保持テーブル４０がＺ軸方向の軸心周りに回転する。
水溶性樹脂からなるマスクＪ１が洗浄水により溶解し、遠心力によって洗浄水と共にウェーハＷの表面Ｗａ上を外側に向かって流れていき、マスクＪ１がウェーハＷの表面Ｗａ上から除去され各チップＣのデバイスＤが露出した状態になる。
以上説明してきたように、本発明に係るウェーハＷの加工方法は、ストリートＳに対応した位置の金属膜Ｗ２を除去する前に、ウェーハＷの外周縁に沿って金属膜Ｗ２を除去した金属膜除去領域Ｗ２ｄを形成する。そして、ストリートＳに対応した位置の金属膜Ｗ２を除去する際には、ウェーハＷを透過する波長の撮像光（例えば赤外線）に感度がある赤外線カメラ１４３を利用して金属膜除去領域Ｗ２ｄを介してウェーハＷの表面Ｗａ側を撮像し、ストリートＳの位置を検出できる。そして、検出したストリートＳに対応した位置の裏面Ｗｂ側の金属膜Ｗ２を切削等によって除去でき、裏面Ｗｂに金属膜Ｗ２が形成されたウェーハＷをプラズマエッチングでチップＣに分割できる。
（実施形態２）
以下に、本発明に係る加工方法（以下、実施形態２の加工方法とする）を実施して図１に示すウェーハＷをデバイスＤを備えるチップへと分割する場合の、実施形態２の加工方法の各ステップについて説明していく。
以下に、本発明に係る加工方法（以下、実施形態２の加工方法とする）を実施して図１に示すウェーハＷをデバイスＤを備えるチップへと分割する場合の、実施形態２の加工方法の各ステップについて説明していく。
（１）マスク層配設ステップ
本実施形態２において、ウェーハＷには、図１２に示すように表面Ｗａに表面保護テープＴ１が貼着される。表面保護テープＴ１は、ウェーハＷと略同径の円形のテープである。
次いで、金属膜除去領域形成ステップを実施する前に、ウェーハＷは、例えば、図１３に示すように裏面Ｗｂ全面にマスク層Ｔ３が配設される。マスク層Ｔ３の形成は、例えば、図示しないテープマウンタによってレジストシートが裏面Ｗｂに貼着されることでなされる。なお、例えば、図８に示すスピンコータ４を用いてウェーハＷの裏面Ｗｂに液状樹脂等の保護膜剤を塗布してマスク層Ｔ３を形成してもよい。
本実施形態２において、ウェーハＷには、図１２に示すように表面Ｗａに表面保護テープＴ１が貼着される。表面保護テープＴ１は、ウェーハＷと略同径の円形のテープである。
次いで、金属膜除去領域形成ステップを実施する前に、ウェーハＷは、例えば、図１３に示すように裏面Ｗｂ全面にマスク層Ｔ３が配設される。マスク層Ｔ３の形成は、例えば、図示しないテープマウンタによってレジストシートが裏面Ｗｂに貼着されることでなされる。なお、例えば、図８に示すスピンコータ４を用いてウェーハＷの裏面Ｗｂに液状樹脂等の保護膜剤を塗布してマスク層Ｔ３を形成してもよい。
（２）金属膜除去領域形成ステップ
次いで、ウェーハＷは、例えば、図１４に示す切削装置１に搬送される。切削装置１において、実施形態１の場合と略同様に可視光照射手段１４０及びカメラ１４１を用いたアライメント手段１４によるエッジアライメント、並びに切削ブレード１１３による金属膜Ｗ２の切削を行い、ウェーハＷの裏面Ｗｂの外周の金属膜Ｗ２を除去して図１５に示す環状の金属膜除去領域Ｗ２ｄを形成する。なお、本実施形態２においては、マスク層Ｔ３も金属膜Ｗ２と共に切削により除去する。
次いで、ウェーハＷは、例えば、図１４に示す切削装置１に搬送される。切削装置１において、実施形態１の場合と略同様に可視光照射手段１４０及びカメラ１４１を用いたアライメント手段１４によるエッジアライメント、並びに切削ブレード１１３による金属膜Ｗ２の切削を行い、ウェーハＷの裏面Ｗｂの外周の金属膜Ｗ２を除去して図１５に示す環状の金属膜除去領域Ｗ２ｄを形成する。なお、本実施形態２においては、マスク層Ｔ３も金属膜Ｗ２と共に切削により除去する。
（３）保持ステップ〜（４）ストリート位置検出ステップ
ウェーハＷは、図１５に示すように、表面Ｗａ側が保持テーブル１０で保持されマスク層Ｔ３が露出した状態が維持される。そして、実施形態１の場合と略同様に、アライメント手段１４の赤外線照射手段１４２が、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側から赤外線をウェーハＷの金属膜除去領域Ｗ２ｄに照射してウェーハＷを透過させて、赤外線カメラ１４３が表面Ｗａの外周余剰領域Ｗａ２のストリートＳの写った撮像画像を形成する。その後、アライメント手段１４がパターンマッチング等の画像処理を実行し、ストリートＳの位置が検出される。
ウェーハＷは、図１５に示すように、表面Ｗａ側が保持テーブル１０で保持されマスク層Ｔ３が露出した状態が維持される。そして、実施形態１の場合と略同様に、アライメント手段１４の赤外線照射手段１４２が、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側から赤外線をウェーハＷの金属膜除去領域Ｗ２ｄに照射してウェーハＷを透過させて、赤外線カメラ１４３が表面Ｗａの外周余剰領域Ｗａ２のストリートＳの写った撮像画像を形成する。その後、アライメント手段１４がパターンマッチング等の画像処理を実行し、ストリートＳの位置が検出される。
（５）金属膜除去ステップ
本実施形態２における金属膜除去ステップでは、マスク層Ｔ３とともに金属膜Ｗ２をストリートＳに沿って除去することでマスクを形成する。ストリート位置検出ステップにおいて検出された各ストリートＳの位置情報に基づき、図１６に示すように、切削すべきストリートＳと切削ブレード１１７とのＹ軸方向（割り出し送り方向）における位置合わせが行われる。
本実施形態２における金属膜除去ステップでは、マスク層Ｔ３とともに金属膜Ｗ２をストリートＳに沿って除去することでマスクを形成する。ストリート位置検出ステップにおいて検出された各ストリートＳの位置情報に基づき、図１６に示すように、切削すべきストリートＳと切削ブレード１１７とのＹ軸方向（割り出し送り方向）における位置合わせが行われる。
ウェーハＷを保持する保持テーブル１０が所定の切削送り速度で図１６に示すように−Ｘ方向に送り出される。また、切削ブレード１１７が例えば−Ｙ方向側（紙面手前側）から見て時計回り方向に高速回転する。さらに、切削ブレード１１７の最下端が金属膜Ｗ２を完全に切断しかつ基板Ｗ１に切り込まない又は僅かに切り込む高さ位置まで切削手段１１が下降する。高速回転する切削ブレード１１７がウェーハＷに切り込み、ストリートＳに沿ってストリートＳに対応する金属膜Ｗ２をマスク層Ｔ３と共に切削除去していく。
隣り合うストリートＳの間隔ずつ切削ブレード１１７をＹ軸方向に割り出し送りしながら同様の切削を行い、同方向の全てのストリートＳに対応する金属膜Ｗ２を除去していく。さらに、保持テーブル１０を９０度回転させてから同様の切削を行うと、全てのストリートＳに沿って金属膜Ｗ２が縦横に除去される。また、図１７に示すように、ウェーハＷの表面ＷａのストリートＳに対応する領域以外の裏面Ｗｂの領域に、マスクＪ２が形成された状態になる。なお、レーザビーム照射によるストリートＳに沿ったマスク層Ｔ３及び金属膜Ｗ２のグルービングによる除去で、マスクＪ２を形成してもよい。
（６）プラズマエッチングステップ
金属膜除去ステップを実施した後、ウェーハＷをプラズマエッチングでストリートＳに沿ってエッチングする。本実施形態２においては、ウェーハＷの裏面ＷｂからマスクＪ２を介してプラズマエッチングを施す。
マスクＪ２が形成されたウェーハＷは、図１７に示すプラズマエッチング装置９に搬送され、裏面Ｗｂ側のマスクＪ２側を上側に向けてウェーハＷを保持手段９０の保持面９０ａ上に載置する。そして、ゲートバルブ９２１を閉じ、排気装置９７によりチャンバ９２内を真空雰囲気となるように減圧する。
金属膜除去ステップを実施した後、ウェーハＷをプラズマエッチングでストリートＳに沿ってエッチングする。本実施形態２においては、ウェーハＷの裏面ＷｂからマスクＪ２を介してプラズマエッチングを施す。
マスクＪ２が形成されたウェーハＷは、図１７に示すプラズマエッチング装置９に搬送され、裏面Ｗｂ側のマスクＪ２側を上側に向けてウェーハＷを保持手段９０の保持面９０ａ上に載置する。そして、ゲートバルブ９２１を閉じ、排気装置９７によりチャンバ９２内を真空雰囲気となるように減圧する。
プラズマエッチングは、例えば実施形態１と同様にボッシュ法を採用する。そして、プラズマ化したエッチングガスにより、ストリートＳに沿った格子状のエッチング溝をウェーハＷに形成していく。ウェーハＷの裏面Ｗｂ側の金属膜Ｗ２はストリートＳに沿って除去されているので、ウェーハＷはストリートＳに沿って基板Ｗ１が切断されて複数のチップに分割される。その後、チャンバ９２内へのエッチングガス等の導入等を停止し、チャンバ９２内部にエッチングガスが存在しない状態とする。
その後、例えば、プラズマエッチング装置９によるアッシング（灰化）によりマスクＪ２をチップから除去する。なお、マスクＪ２の除去は、例えば、ウェーハＷをプラズマエッチング装置９から搬出した後、所定薬剤を用いたウェット処理で行ってもよい。
上記のように本発明に係るウェーハＷの加工方法は、ストリートＳに対応した位置の金属膜Ｗ２を除去する前に、ウェーハＷの外周縁に沿って金属膜Ｗ２を除去した金属膜除去領域Ｗ２ｄを形成する。そして、ストリートＳに対応した位置の金属膜Ｗ２を除去する際には、ウェーハＷを透過する波長の撮像光（例えば赤外線）に感度がある赤外線カメラ１４３を利用して金属膜除去領域Ｗ２ｄを介してウェーハＷの表面Ｗａ側を撮像し、ストリートＳの位置を検出できる。そして、検出したストリートＳに対応した位置の裏面Ｗｂ側の金属膜Ｗ２を切削等によって除去でき、裏面Ｗｂに金属膜Ｗ２が形成されたウェーハＷをプラズマエッチングでチップに分割できる。
また、本実施形態２においては、金属膜除去領域形成ステップを実施する前にウェーハＷの裏面Ｗｂにマスク層Ｔ３を配設するマスク層配設ステップを備え、金属膜除去ステップではマスク層Ｔ３とともに金属膜Ｗ２をストリートＳに沿って除去することでマスクＪ２を形成し、プラズマエッチングステップでは、ウェーハＷの裏面ＷｂからマスクＪ２を介してプラズマエッチングを施すことで、デバイスＤがエッチングで損傷しないようにしつつ、ウェーハＷをチップに分割することが可能となる。また、プラズマエッチング時に起こり得る金属膜Ｗ２の銅等によるプラズマエッチング装置９のチャンバ９２内の金属汚染は、金属膜Ｗ２上に形成されたマスクＪ２によって金属膜Ｗ２がエッチングされないため防ぐことができる。
なお、金属膜Ｗ２を構成する金属が金属汚染を発生させる種でない場合には、マスクＪ２を金属膜Ｗ２上に形成せずに、金属膜Ｗ２自体をプラズマエッチング用のマスクとしてもよい。
なお、金属膜Ｗ２を構成する金属が金属汚染を発生させる種でない場合には、マスクＪ２を金属膜Ｗ２上に形成せずに、金属膜Ｗ２自体をプラズマエッチング用のマスクとしてもよい。
（実施形態３）
以下に、本発明に係る加工方法（以下、実施形態３の加工方法とする）を実施して図１に示すウェーハＷをデバイスＤを備えるチップへと分割する場合の、実施形態３の加工方法の各ステップについて説明していく。
以下に、本発明に係る加工方法（以下、実施形態３の加工方法とする）を実施して図１に示すウェーハＷをデバイスＤを備えるチップへと分割する場合の、実施形態３の加工方法の各ステップについて説明していく。
（１）金属膜除去領域形成ステップ
本実施形態３における金属膜除去領域形成ステップは、実施形態１の場合と同様に行われる。即ち、ウェーハＷには、まず、図１８に示すように表面Ｗａに表面保護テープＴ１が貼着される。
本実施形態３における金属膜除去領域形成ステップは、実施形態１の場合と同様に行われる。即ち、ウェーハＷには、まず、図１８に示すように表面Ｗａに表面保護テープＴ１が貼着される。
次いで、ウェーハＷは、例えば、図１９に示す切削装置１に搬送される。切削装置１において、実施形態１の場合と同様に、可視光照射手段１４０及びカメラ１４１を用いたアライメント手段１４によるエッジアライメント、並びに切削ブレード１１３を備える切削手段１１によるウェーハＷの裏面Ｗｂの外周の金属膜Ｗ２の除去が実行され、図２０に示す環状の金属膜除去領域Ｗ２ｄがウェーハＷに形成される。
（２）マスク層配設ステップ
金属膜除去領域形成ステップを実施した後に、ウェーハＷは、例えば、図２０に示すように裏面Ｗｂ全面にマスク層Ｔ４が配設される。マスク層Ｔ４の形成は、例えば、図２０に示すスピンコータ４を用いてウェーハＷの裏面Ｗｂに水溶性樹脂等からなる保護膜剤を塗布してマスク層Ｔ４を形成する。
金属膜除去領域形成ステップを実施した後に、ウェーハＷは、例えば、図２０に示すように裏面Ｗｂ全面にマスク層Ｔ４が配設される。マスク層Ｔ４の形成は、例えば、図２０に示すスピンコータ４を用いてウェーハＷの裏面Ｗｂに水溶性樹脂等からなる保護膜剤を塗布してマスク層Ｔ４を形成する。
（３）保持ステップ〜（４）ストリート位置検出ステップ
マスク層Ｔ４が形成されたウェーハＷは、例えば、図２１に示す切削装置１に搬送される。そして、表面Ｗａ側が保持テーブル１０で保持され裏面Ｗｂ側のマスク層Ｔ４が露出した状態になる。そして、実施形態２の場合と略同様に、アライメント手段１４の赤外線照射手段１４２が、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側から赤外線をウェーハＷの金属膜除去領域Ｗ２ｄに照射してウェーハＷを透過させて、赤外線カメラ１４３が表面Ｗａの外周余剰領域Ｗａ２のストリートＳの写った撮像画像を形成する。その後、アライメント手段１４がパターンマッチング等の画像処理を実行し、ストリートＳの位置が検出される。
ここで、金属膜除去領域Ｗ２ｄ上にマスク層Ｔ４が形成されていても、赤外線は水溶性樹脂等からなるマスク層Ｔ４を透過し、さらに、金属膜除去領域Ｗ２ｄは、金属膜Ｗ２が無い為、赤外線が金属膜Ｗ２に反射されたり吸収されたりすることなく、ストリートＳの撮像を適切に行うことができる。
マスク層Ｔ４が形成されたウェーハＷは、例えば、図２１に示す切削装置１に搬送される。そして、表面Ｗａ側が保持テーブル１０で保持され裏面Ｗｂ側のマスク層Ｔ４が露出した状態になる。そして、実施形態２の場合と略同様に、アライメント手段１４の赤外線照射手段１４２が、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側から赤外線をウェーハＷの金属膜除去領域Ｗ２ｄに照射してウェーハＷを透過させて、赤外線カメラ１４３が表面Ｗａの外周余剰領域Ｗａ２のストリートＳの写った撮像画像を形成する。その後、アライメント手段１４がパターンマッチング等の画像処理を実行し、ストリートＳの位置が検出される。
ここで、金属膜除去領域Ｗ２ｄ上にマスク層Ｔ４が形成されていても、赤外線は水溶性樹脂等からなるマスク層Ｔ４を透過し、さらに、金属膜除去領域Ｗ２ｄは、金属膜Ｗ２が無い為、赤外線が金属膜Ｗ２に反射されたり吸収されたりすることなく、ストリートＳの撮像を適切に行うことができる。
（５）金属膜除去ステップ
本実施形態３における金属膜除去ステップでは、マスク層Ｔ４とともに金属膜Ｗ２をストリートＳに沿って除去することでマスクを形成する。ストリート位置検出ステップにおいて検出された各ストリートＳの位置情報に基づき、実施形態２の場合と略同様に、高速回転する切削ブレード１１７がウェーハＷに切り込み、ストリートＳに沿ってストリートＳに対応する金属膜Ｗ２をマスク層Ｔ４と共に切削除去していく。その結果、図２２に示すように、ウェーハＷの表面ＷａのストリートＳに対応する領域以外の裏面Ｗｂの領域にマスクＪ３が形成された状態になる。なお、レーザビーム照射によるストリートＳに沿ったマスク層Ｔ４と金属膜Ｗ２とのグルービング除去により、上記マスクを形成してもよい。
本実施形態３における金属膜除去ステップでは、マスク層Ｔ４とともに金属膜Ｗ２をストリートＳに沿って除去することでマスクを形成する。ストリート位置検出ステップにおいて検出された各ストリートＳの位置情報に基づき、実施形態２の場合と略同様に、高速回転する切削ブレード１１７がウェーハＷに切り込み、ストリートＳに沿ってストリートＳに対応する金属膜Ｗ２をマスク層Ｔ４と共に切削除去していく。その結果、図２２に示すように、ウェーハＷの表面ＷａのストリートＳに対応する領域以外の裏面Ｗｂの領域にマスクＪ３が形成された状態になる。なお、レーザビーム照射によるストリートＳに沿ったマスク層Ｔ４と金属膜Ｗ２とのグルービング除去により、上記マスクを形成してもよい。
（６）プラズマエッチングステップ
金属膜除去ステップを実施後、ウェーハＷをプラズマエッチングでストリートＳに沿ってエッチングする。本実施形態３においては、ウェーハＷの裏面ＷｂからマスクＪ３を介してプラズマエッチングを施す。
マスクＪ３が形成されたウェーハＷは、図２２に示すプラズマエッチング装置９に搬送され、マスクＪ３側を上側に向けてウェーハＷを保持手段９０の保持面９０ａ上に載置される。そして、ゲートバルブ９２１を閉じ、排気装置９７によりチャンバ９２内を真空雰囲気となるように減圧する。
金属膜除去ステップを実施後、ウェーハＷをプラズマエッチングでストリートＳに沿ってエッチングする。本実施形態３においては、ウェーハＷの裏面ＷｂからマスクＪ３を介してプラズマエッチングを施す。
マスクＪ３が形成されたウェーハＷは、図２２に示すプラズマエッチング装置９に搬送され、マスクＪ３側を上側に向けてウェーハＷを保持手段９０の保持面９０ａ上に載置される。そして、ゲートバルブ９２１を閉じ、排気装置９７によりチャンバ９２内を真空雰囲気となるように減圧する。
プラズマエッチングは、例えば実施形態１と同様にボッシュ法を採用する。そして、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側の金属膜Ｗ２はストリートＳに沿って除去されているので、プラズマ化したエッチングガスにより、ウェーハＷはストリートＳに沿って基板Ｗ１が切断されて複数のチップに分割される。その後、チャンバ９２内へのエッチングガス等の導入等を停止し、また、チャンバ９２内部にエッチングガスが存在しない状態とする。
その後、例えば、プラズマエッチング装置９によるアッシング（灰化）又は図１１にスピンコータ４による洗浄によって、ウェーハＷからマスクＪ３を除去する。
上記のように本発明に係るウェーハＷの加工方法は、ストリートＳに対応した位置の金属膜Ｗ２を除去する前に、ウェーハＷの外周縁に沿って金属膜Ｗ２を除去した金属膜除去領域Ｗ２ｄを形成する。そして、ストリートＳに対応した位置の金属膜Ｗ２を除去する際には、ウェーハＷを透過する波長の撮像光（例えば赤外線）に感度がある赤外線カメラ１４３を利用して金属膜除去領域Ｗ２ｄを介してウェーハＷの表面Ｗａ側を撮像し、ストリートＳの位置を検出できる。そして、検出したストリートＳに対応した位置の裏面Ｗｂ側の金属膜Ｗ２を切削等によって除去でき、裏面Ｗｂに金属膜Ｗ２が形成されたウェーハＷをプラズマエッチングでチップに分割できる。
また、本実施形態３においては、金属膜除去領域形成ステップを実施した後にウェーハＷの裏面Ｗｂにマスク層Ｔ４を配設するマスク層配設ステップを備え、金属膜除去ステップではマスク層Ｔ４とともに金属膜Ｗ２をストリートＳに沿って除去することでマスクＪ３を形成し、プラズマエッチングステップでは、ウェーハＷの裏面ＷｂからマスクＪ３を介してプラズマエッチングを施すことで、デバイスＤがエッチングで損傷しないようにしつつ、ウェーハＷをチップに分割することが可能となる。また、プラズマエッチング時に起こり得る金属膜Ｗ２の銅等によるプラズマエッチング装置９のチャンバ９２内の金属汚染は、金属膜Ｗ２上に形成されたマスクＪ３によって金属膜Ｗ２がエッチングされないため防ぐことができる。
なお、金属膜Ｗ２を構成する金属が金属汚染を発生させる種類のものでない場合には、マスクＪ３を金属膜Ｗ２上に形成せずに、金属膜Ｗ２自体をプラズマエッチング用のマスクとしてもよい。
なお、金属膜Ｗ２を構成する金属が金属汚染を発生させる種類のものでない場合には、マスクＪ３を金属膜Ｗ２上に形成せずに、金属膜Ｗ２自体をプラズマエッチング用のマスクとしてもよい。
本発明に係るウェーハの加工方法は本実施形態１〜３に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。また、添付図面に図示されている各装置の構成についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。
Ｗ：ウェーハ Ｗ１：基板 Ｗａ：ウェーハの表面 Ｗａ１：デバイス領域 Ｗａ２：外周余剰領域 Ｓ：ストリート Ｄ：デバイス Ｗ２：金属膜 Ｗｂ：ウェーハの裏面 Ｔ１：表面保護テープ
１：切削装置 １０：保持テーブル １１：切削手段 １１０：スピンドル １１３：切削ブレード １４：アライメント手段 １４０：可視光照射手段 １４１：カメラ １４２：赤外線照射手段 １４３：赤外線カメラ １１７：切削ブレード
Ｆ：環状フレーム Ｔ２：粘着シート
４：スピンコータ ４０：保持テーブル ４２：回転手段 ４４：ケーシング
４５：ノズル ４７：保護膜剤供給源 ４６：洗浄ノズル ４８：洗浄水供給源
Ｊ：保護膜層
２：レーザ加工装置 ２０：チャックテーブル ２２：レーザビーム照射手段
Ｊ１：マスク
９：プラズマエッチング装置
９０：静電チャック ９０ａ：静電チャックの保持面 ９００：支持部材 ９０１：電極
９１：ガス噴出ヘッド ９１０：ガス拡散空間 ９１１：ガス導入口
９１２：ガス吐出口
９２：チャンバ ９２０：搬入出口 ９２１：ゲートバルブ
９３：ガス供給部 ９４，９４ａ：整合器 ９５，９５ａ：高周波電源，バイアス高周波電源 ９６：排気口 ９７：排気装置
Ｔ３：マスク層 Ｊ２：マスク Ｔ４：マスク層 Ｊ３：マスク
１：切削装置 １０：保持テーブル １１：切削手段 １１０：スピンドル １１３：切削ブレード １４：アライメント手段 １４０：可視光照射手段 １４１：カメラ １４２：赤外線照射手段 １４３：赤外線カメラ １１７：切削ブレード
Ｆ：環状フレーム Ｔ２：粘着シート
４：スピンコータ ４０：保持テーブル ４２：回転手段 ４４：ケーシング
４５：ノズル ４７：保護膜剤供給源 ４６：洗浄ノズル ４８：洗浄水供給源
Ｊ：保護膜層
２：レーザ加工装置 ２０：チャックテーブル ２２：レーザビーム照射手段
Ｊ１：マスク
９：プラズマエッチング装置
９０：静電チャック ９０ａ：静電チャックの保持面 ９００：支持部材 ９０１：電極
９１：ガス噴出ヘッド ９１０：ガス拡散空間 ９１１：ガス導入口
９１２：ガス吐出口
９２：チャンバ ９２０：搬入出口 ９２１：ゲートバルブ
９３：ガス供給部 ９４，９４ａ：整合器 ９５，９５ａ：高周波電源，バイアス高周波電源 ９６：排気口 ９７：排気装置
Ｔ３：マスク層 Ｊ２：マスク Ｔ４：マスク層 Ｊ３：マスク
Claims (4)
- 表面に複数のストリートを有し、裏面に金属膜が形成されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハの該裏面の外周の該金属膜を除去して金属膜除去領域を形成する金属膜除去領域形成ステップと、
該金属膜除去領域形成ステップを実施した後、ウェーハの表面側を保持テーブルで保持してウェーハの該裏面を露出させる保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、該金属膜除去領域でウェーハの該裏面側からウェーハを透過してウェーハの該表面側を撮像して該表面の該ストリートの位置を検出するストリート位置検出ステップと、
該ストリート位置検出ステップを実施した後、該ストリートに沿って該金属膜を除去する金属膜除去ステップと、
該金属膜除去ステップを実施した後、ウェーハをプラズマエッチングで該ストリートに沿ってエッチングするプラズマエッチングステップと、を備えたウェーハの加工方法。 - 前記金属膜除去領域形成ステップは、ウェーハの前記裏面から切削ブレードで前記金属膜を切削することで該金属膜を除去する、請求項１に記載のウェーハの加工方法。
- 前記プラズマエッチングステップでは、ウェーハの前記表面に前記ストリートに沿った開口を有したマスクを配設するとともに該マスクを介して該表面からプラズマエッチングを施す、請求項１または２に記載のウェーハの加工方法。
- 前記金属膜除去領域形成ステップを実施する前または実施した後にウェーハの前記裏面にマスク層を配設するマスク層配設ステップを備え、
前記金属膜除去ステップでは該マスク層とともに前記金属膜を前記ストリートに沿って除去することでマスクを形成し、
前記プラズマエッチングステップでは、ウェーハの該裏面から該マスクを介してプラズマエッチングを施す、請求項１または２に記載のウェーハの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019002487A JP2020113614A (ja) | 2019-01-10 | 2019-01-10 | ウェーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019002487A JP2020113614A (ja) | 2019-01-10 | 2019-01-10 | ウェーハの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020113614A true JP2020113614A (ja) | 2020-07-27 |
Family
ID=71667195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019002487A Pending JP2020113614A (ja) | 2019-01-10 | 2019-01-10 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2020113614A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015159241A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| US20170092540A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-03-30 | Nxp B.V. | Plasma dicing with blade saw patterned underside mask |
| JP2018041935A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
| JP2018041765A (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2018041896A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 積層ウェーハの加工方法 |
| JP2018190857A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
2019
- 2019-01-10 JP JP2019002487A patent/JP2020113614A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015159241A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| US20170092540A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-03-30 | Nxp B.V. | Plasma dicing with blade saw patterned underside mask |
| JP2018041765A (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2018041935A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
| JP2018041896A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 積層ウェーハの加工方法 |
| JP2018190857A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9379015B2 (en) | Wafer processing method | |
| CN106847747B (zh) | 晶片的分割方法 | |
| JP7128054B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| CN108231676B (zh) | 晶片的加工方法 | |
| US10083867B2 (en) | Method of processing a wafer | |
| JP2017107921A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP6764322B2 (ja) | デバイスウェーハの加工方法 | |
| KR20150043975A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| JP2007201178A (ja) | レーザー加工装置 | |
| JP2008130818A (ja) | レーザー加工装置 | |
| JP2008006379A (ja) | 保護被膜の被覆方法 | |
| JP2018190858A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP4666583B2 (ja) | 保護被膜の被覆方法 | |
| JP5065722B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
| JP2011176035A (ja) | ウエーハの洗浄方法 | |
| JP2018190857A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP7401183B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2020113614A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP7104559B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| KR20200034597A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| JP6199582B2 (ja) | 保護膜形成装置 | |
| JP2019096812A (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| JP7104558B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| JP7128064B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| JP2019149450A (ja) | ウェーハの加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211111 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221110 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221115 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230502 |