CN115440580A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶片的加工方法，能够抑制贴合晶片的围绕着器件区域的外周剩余区域的部分脱离时带来的不良影响。晶片的加工方法包含如下的步骤：将外周缘进行了倒角的第一晶片的具有器件区域和外周剩余区域的一个面贴合于第二晶片的一个面而形成贴合晶片；将激光束沿着第一晶片的外周缘进行照射而形成环状的改质区域，将第一晶片断开成外周环状部和中央区域；对第一晶片的另一个面粘贴扩展带；通过对扩展带进行扩展，以改质区域为起点而将第一晶片分割成外周环状部和中央区域，并使外周环状部从贴合晶片脱离；以及将第一晶片从另一个面侧进行磨削而薄化至完工厚度。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法。
背景技术
在半导体器件的制造工艺中，进行TSV(Through-Silicon Via，硅通孔)那样的三维层叠芯片的工艺、或将形成有像素的集成电路的两张晶片贴合的BSI(Back SideIllumination，背照)型CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器的工艺等将两张晶片贴合的加工。
这样的贴合晶片通常为了应对器件芯片的低背化，进行磨削而薄化，但由于外周缘进行了倒角而形成为R形状，会因磨削而使外周缘成为锐角(所谓的刀刃)，容易产生边缘的缺损。当该边缘的缺损伸展时，有可能导致器件的破损，因此提出了如下的技术(参照专利文献1)：在晶片的磨削前，进行将外周部的一部分去除的处理(边缘修剪)。另外，提出了如下的技术：沿着器件区域的外周缘照射激光束而形成改质层，防止在磨削中产生的边缘的缺损伸展到器件(参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2000-173961号公报
专利文献2：日本特开2006-108532号公报
但是，在专利文献1所记载的方法中，存在如下的课题：有时由于切削时产生的切削屑，器件被污染，即使进行清洗也无法完全去除。另外，在专利文献2所记载的方法中，存在如下不同的课题：在磨削中外周剩余区域部分呈环状或圆弧状脱离，由此使磨削磨具损伤而给加工结果带来不良影响或堆积在磨削装置内而需要频繁的清扫。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法，能够抑制贴合晶片的围绕着器件区域的外周剩余区域的部分脱离时带来的不良影响。
根据本发明，提供晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：贴合晶片形成步骤，将第一晶片的一个面贴合于第二晶片的一个面而形成贴合晶片，其中，该第一晶片在该一个面上具有形成有器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，并且该第一晶片的外周缘进行了倒角；断开步骤，将对于该第一晶片具有透过性的波长的激光束沿着距该第一晶片的外周缘为规定的距离的内侧位置进行照射而形成环状的改质区域，将该第一晶片断开成与该外周剩余区域对应的外周环状部和与该器件区域对应的中央区域；扩展带粘贴步骤，在该断开步骤的实施前或实施后，对该第一晶片的另一个面粘贴具有扩展性的扩展带；外周环状部脱离步骤，在该贴合晶片形成步骤、该断开步骤和该扩展带粘贴步骤的实施后，对该扩展带进行扩展，由此以该环状的改质区域为起点而将该第一晶片分割成该外周环状部和该中央区域，并使该外周环状部从该贴合晶片脱离；以及磨削步骤，在该外周环状部脱离步骤的实施后，将贴合晶片的该第一晶片从另一个面侧进行磨削而薄化至完工厚度。
优选该断开步骤包含如下的预备断开步骤：在断开成该外周环状部和该中央区域之后，向该外周环状部照射该激光束而在放射方向上形成改质区域，将该外周环状部断开成多个圆弧状部。
优选该外周环状部脱离步骤包含如下的冷却扩展步骤：将该扩展带一边冷却一边扩展。
优选该外周环状部脱离步骤还包含如下的加热收缩步骤：在该冷却扩展步骤的实施后，对将该扩展带扩展而形成的该扩展带的松弛部分进行加热而使该松弛部分收缩。
本申请发明能够抑制贴合晶片的围绕着器件区域的外周剩余区域的部分脱离时带来的不良影响。
附图说明
图1是示出实施方式的晶片的加工方法的流程的流程图。
图2是示出图1所示的贴合晶片形成步骤的一个状态的立体图。
图3是示出图1所示的贴合晶片形成步骤的图2之后的一个状态的立体图。
图4是示意性示出图1所示的断开步骤的一个状态的剖视图。
图5是示意性示出图1所示的断开步骤后的晶片的俯视图。
图6是示意性示出图1所示的断开步骤中的预备断开步骤的一个状态的剖视图。
图7是示意性示出预备断开步骤后的晶片的俯视图。
图8是示意性示出图1所示的扩展带粘贴步骤的一个状态的剖视图。
图9是示意性示出图1所示的外周环状部脱离步骤的一个状态的剖视图。
图10是示意性示出图1所示的外周环状部脱离步骤中的冷却扩展步骤的一个状态的剖视图。
图11是示意性示出图1所示的外周环状部脱离步骤中的加热收缩步骤的一个状态的剖视图。
图12是示意性示出图1所示的磨削步骤的一个状态的剖视图。
标号说明
10：晶片；10-1：第一晶片；10-2：第二晶片；11：基板；12：外周缘；13：正面；14：背面；15：器件区域；16：外周剩余区域；17：分割预定线；18：器件；20：粘接层；21、24：改质区域；22：中央区域；23：外周环状部；25：圆弧状部；30：激光束；40：扩展带。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
根据附图，对本发明的实施方式的晶片10(参照图2等)的加工方法进行说明。实施方式的晶片10的加工方法是将一对晶片10的一个面侧相互贴合并将一方的晶片10(第一晶片10-1)薄化至规定的完工厚度的方法。
另外，在以下的说明中，在区别一对晶片10中的晶片10彼此时，将一方的晶片10记为第一晶片10-1，将另一方的晶片10记为第二晶片10-2，在不进行区别的情况下，简记为晶片10。在实施方式中，对不进行薄化的另一方的第二晶片10-2是与第一晶片10-1同样的TSV晶片的情况进行说明，但在本发明中，也可以是无图案的单纯的基板晶片。
图1是示出实施方式的晶片10的加工方法的流程的流程图。如图1所示，实施方式的晶片10的加工方法具有：贴合晶片形成步骤1、断开步骤2、扩展带粘贴步骤3、外周环状部脱离步骤4以及磨削步骤5。
(贴合晶片形成步骤1)
图2是示出图1所示的贴合晶片形成步骤1的一个状态的立体图。图3是示出图1所示的贴合晶片形成步骤1的图2之后的一个状态的立体图。贴合晶片形成步骤1是将第一晶片10-1的一个面贴合于第二晶片10-2的一个面而形成贴合晶片的步骤。
首先，对作为加工对象的晶片10(第一晶片10-1和第二晶片10-2)的结构进行说明。晶片10是以硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、砷化镓(GaAs)或碳化硅(SiC)等作为基板11的圆板状的半导体晶片、光器件晶片等晶片。晶片10的外周缘12进行了倒角。在实施方式中，晶片10的外周缘12按照厚度方向的中央最向外周侧突出的方式形成为从基板11的正面13到背面14的剖面圆弧状。在实施方式中，晶片10的直径为300mm、厚度为700μm。
晶片10在基板11的正面13侧具有器件区域15和围绕器件区域15的外周剩余区域16。器件区域15具有：呈格子状设定于基板11的正面13的多条分割预定线17；以及形成于由分割预定线17划分的各区域内的器件18。外周剩余区域16是在整个圆周上围绕器件区域15且未形成器件18的区域。
在实施方式中，器件18构成3D NAND闪存，具有电极焊盘和与电极焊盘连接的贯通电极。在将基板11薄化而从晶片10一个一个地分割器件18时，贯通电极贯通至基板11的背面14侧。即，实施方式的晶片10是各个分割后的器件18具有贯通电极的所谓的TSV晶片。另外，本发明的晶片10不限于实施方式那样的具有贯通电极的TSV晶片，也可以是无贯通电极的器件晶片。
在贴合晶片形成步骤1中，将第一晶片10-1的具有器件区域15和外周剩余区域16的一个面贴合于第二晶片10-2的一个面。即，在实施方式的贴合晶片形成步骤1中，将第一晶片10-1的正面13贴合于第二晶片10-2的正面13。
在贴合晶片形成步骤1中，对第一晶片10-1的正面13和第二晶片10-2的正面13中的一方层叠粘接层20。在实施方式中，在第二晶片10-2的正面13上层叠粘接层20。另外，在实施方式中，粘接层20是在基材层的正面和背面上层叠粘接材料层而得的双面胶带，但在本发明中不限于双面胶带，例如可以是氧化膜，也可以是通过涂布包含树脂等的粘接剂而形成的层。
在贴合晶片形成步骤1中，首先如图2所示，使第一晶片10-1的正面13和第二晶片10-2的正面13隔开间隔而对置。接着，如图3所示，将第一晶片10-1的正面13和第二晶片10-2的正面13借助粘接层20而贴合。由此，形成贴合晶片。
(断开步骤2)
图4是示意性示出图1所示的断开步骤2的一个状态的剖视图。图5是示意性示出图1所示的断开步骤2后的晶片10的俯视图。断开步骤2是将第一晶片10-1断开成与器件区域15对应的中央区域22和与外周剩余区域16对应的外周环状部23的步骤。
在断开步骤2中，向距第一晶片10-1的外周缘12为规定的距离的内侧位置照射激光束30而形成作为分离起点的改质区域21。所谓距第一晶片10-1的外周缘12为规定的距离的内侧位置表示的是将第一晶片10-1的中央区域22和外周环状部23断开的位置即器件区域15的外周缘。激光束30是对于第一晶片10-1具有透过性的波长的激光束，例如是红外线(Infrared rays；IR)。
改质区域21是指密度、折射率、机械强度或其他物理特性成为与周围的特性不同的状态的区域。改质区域21例如是熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域和这些区域混在的区域等。改质区域21的机械强度等低于第一晶片10-1的其他部分。
在断开步骤2中，通过基于激光加工装置35的隐形切割，在第一晶片10-1中形成改质区域21。激光加工装置35包含：卡盘工作台36；激光束照射单元37，其朝向卡盘工作台36的保持面所保持的晶片10照射激光束30；以及移动单元，其使卡盘工作台36和激光束照射单元37相对地移动。
在断开步骤2中，首先在将第二晶片10-2的背面14侧吸引保持于卡盘工作台36的保持面之后，通过移动单元使卡盘工作台36移动至加工位置。接着，在从第一晶片10-1的背面14侧使激光束照射单元37朝向器件区域15的外周缘在铅垂方向上对置之后，将激光束30的聚光点31设定于第一晶片10-1的内部。
在断开步骤2中，接着，一边使卡盘工作台36绕与铅垂方向平行的轴心旋转一边从激光束照射单元37将激光束30照射至第一晶片10-1。即，沿着第一晶片10-1的器件区域15的外周缘照射激光束30，形成沿着外周缘的呈环状连续的改质区域21。
此时，在断开步骤2中，通过变更激光束30的聚光点31的高度而多次照射激光束30或照射具有在第一晶片10-1的厚度方向上分离的多个聚光点的激光束，在第一晶片10-1的厚度方向上形成多个改质区域21。裂纹从改质区域21伸展，改质区域21与裂纹连结，从而将第一晶片10-1断开成与器件区域15对应的中央区域22和与外周剩余区域16对应的外周环状部23。
另外，在实施方式中，断开步骤2中的激光加工装置35的加工条件如下设定：激光束30的波长为IR、频率为90kHz、厚度方向的通行数为6次通行、平均输出为6W。
(预备断开步骤)
在实施方式的断开步骤2中，还实施以下所示的预备断开步骤。图6是示意性示出图1所示的断开步骤2中的预备断开步骤的一个状态的剖视图。图7是示意性示出预备断开步骤后的晶片10的俯视图。预备断开步骤是在断开成中央区域22和外周环状部23之后将外周环状部23断开成多个圆弧状部25的步骤。
在预备断开步骤中，在第一晶片10-1的外周环状部23中的周向的规定的位置，向外周环状部23的内周缘与外周缘之间照射激光束30，在放射方向上形成作为分离起点的改质区域24。
在预备断开步骤中，首先将激光束照射单元37从第一晶片10-1的背面14侧朝向器件区域15的外周缘的规定位置在铅垂方向上对置，然后将激光束30的聚光点31设定于第一晶片10-1的内部。
在预备断开步骤中，接着，一边通过移动单元使卡盘工作台36和激光束照射单元37相对地移动一边从激光束照射单元37向第一晶片10-1照射激光束30。此时，按照激光束30的聚光点31朝向第一晶片10-1的径向外侧移动的方式使卡盘工作台36移动。即，在放射方向上对与外周剩余区域16对应的外周环状部23照射激光束30，由此在放射方向上形成连续的改质区域24。
此时，在预备断开步骤中，通过变更激光束30的聚光点31的高度而多次照射激光束30或照射具有在第一晶片10-1的厚度方向上分开的多个聚光点的激光束，在第一晶片10-1的厚度方向上形成多个改质区域24。裂纹从改质区域24伸展，改质区域24与裂纹连结，从而将第一晶片10-1的与外周剩余区域16对应的外周环状部23断开成多个圆弧状部25。
另外，在图7所示的实施方式的预备断开步骤中，将外周环状部23分割成8个圆弧状部25，但在本发明中例如可以进一步分割成两倍即16个圆弧状部25，可以根据第一晶片10-1的直径或外周环状部23的宽度的尺寸而适当地设定分割数量。另外，在实施方式中，一边按照聚光点31从第一晶片10-1的径向内侧向径向外侧移动的方式使卡盘工作台36移动一边照射激光束30，但在本发明中可以一边按照聚光点31从第一晶片10-1的径向外侧向径向内侧移动的方式使卡盘工作台36移动一边照射激光束30。在该情况下，在聚光点31到达环状的改质区域21的时刻停止激光束30的照射。在实施方式中，预备断开步骤中的激光加工装置35的加工条件设定成与改质区域21的形成时相同的条件。
(扩展带粘贴步骤3)
图8是示意性示出图1所示的扩展带粘贴步骤3的一个状态的剖视图。扩展带粘贴步骤3是对第一晶片10-1的与粘贴有第二晶片10-2的一个面相反的一侧的另一个面粘贴具有扩展性的扩展带40的步骤。
即，在实施方式的扩展带粘贴步骤3中，对第一晶片10-1的背面14粘贴扩展带40。扩展带粘贴步骤3在断开步骤2的实施前或实施后实施。当扩展带粘贴步骤3在断开步骤2的实施前实施的情况下，在断开步骤2中，隔着扩展带40而将激光束30照射至第一晶片10-1。
扩展带40例如具有：由合成树脂形成的基材层；以及层叠于基材层的粘接层。在扩展带粘贴步骤3中，例如通过贴装机45在第一晶片10-1的背面14上粘贴扩展带40。贴装机45包含保持台46以及在与保持台46的保持面平行的方向上转动的辊47。
在扩展带粘贴步骤3中，首先将内径比第二晶片10-2的外径大的环状的框架41的一个面和第二晶片10-2的背面14侧保持于保持台46的保持面上。此时，贴装机45将第二晶片10-2在框架41的开口的内侧保持于与框架41同轴的位置。
在扩展带粘贴步骤3中，接着将扩展带40粘贴于框架41和第一晶片10-1的背面14侧，并且利用沿着第一晶片10-1的背面14移动的辊47将扩展带40按压至框架41和第一晶片10-1的背面14侧而紧贴、粘贴。
(外周环状部脱离步骤4)
图9是示意性示出图1所示的外周环状部脱离步骤4的一个状态的剖视图。外周环状部脱离步骤4是以环状的改质区域21为起点而将第一晶片10-1分割成外周环状部23和中央区域22并使外周环状部23从贴合晶片脱离的步骤。
外周环状部脱离步骤4在贴合晶片形成步骤1、断开步骤2和扩展带粘贴步骤3的实施后实施。在外周环状部脱离步骤4中，扩展装置50在放射方向上对扩展带40赋予外力，将扩展带40在面方向上扩展，由此将第一晶片10-1分割成外周环状部23和中央区域22。扩展装置50包含：卡盘工作台51、夹持部件52、升降单元53、上推部件54、滚轮部件55以及加热单元56。另外，扩展装置50设置于能够密封且能够将内部冷却的腔室57内。
在外周环状部脱离步骤4中，首先隔着扩展带40而将第一晶片10-1的背面14侧载置于卡盘工作台51的保持面上，并利用夹持部件52固定框架41的外周部。此时，滚轮部件55抵接于框架41的内周缘与第一晶片10-1的外周缘12之间的扩展带40。在外周环状部脱离步骤4中，依次实施冷却扩展步骤和加热收缩步骤。
(冷却扩展步骤)
图10是示意性示出图1所示的外周环状部脱离步骤4中的冷却扩展步骤的一个状态的剖视图。冷却扩展步骤是一边将扩展带40冷却一边进行扩展的步骤。
在冷却扩展步骤中，将扩展带40冷却而使扩展带40硬化。在实施方式的冷却扩展步骤中，对收纳扩展装置50的腔室57内整体始终进行冷却。扩展带40与保持于框架41的贴合晶片(第一晶片10-1、第二晶片10-2)一起被搬入至冷却的腔室57内，在开始扩展之前被充分冷却。腔室57内的冷却温度例如为0℃左右。另外，在本发明的冷却扩展步骤中，也可以通过将卡盘工作台51冷却而将扩展带40冷却。
在冷却扩展步骤中，一边在冷却的腔室57内将扩展带40冷却一边通过升降单元53使卡盘工作台51和上推部件54一体地上升。扩展带40的外周部隔着框架41而被夹持部件52固定，因此框架41的内周缘与第一晶片10-1的中央区域22的外周缘之间的部分在面方向上扩展。此时，设置于上推部件54的上端的滚轮部件55缓和与扩展带40的摩擦，因此扩展带40整体在面方向上扩展。
在冷却扩展步骤中，扩展带40的扩展的结果是，呈放射状对扩展带40作用拉伸力。当对扩展带40作用放射状的拉伸力时，如图10所示，以形成于第一晶片10-1的中央区域22与外周环状部23之间的改质区域21和呈放射状形成于外周环状部23的改质区域24作为分离起点，从中央区域22分割出外周环状部23的各个圆弧状部25。此时，扩展带40通过冷却而硬化，因此有效地传递中央区域22与外周环状部23的各个圆弧状部25的分割所需的外力。
(加热收缩步骤)
图11是示意性示出图1所示的外周环状部脱离步骤4中的加热收缩步骤的一个状态的剖视图。加热收缩步骤在冷却扩展步骤的实施后实施。加热收缩步骤是对将扩展带40扩展而形成的扩展带40的松弛部分进行加热而使该松弛部分收缩的步骤。
在冷却扩展步骤之后，在扩展带40在面方向上扩展的状态下，关于框架41的内周缘与第一晶片10-1的中央区域22的外周缘之间的部分的扩展带40，其剖面从框架41的下表面朝向滚轮部件55的上表面呈直线状。在该状态下，在加热收缩步骤中，首先利用卡盘工作台51隔着扩展带40而吸引第一晶片10-1的背面14侧。由此，维持中央区域22与外周环状部23的各个圆弧状部25之间的宽度扩展的状态。
在加热收缩步骤中，接着使卡盘工作台51和上推部件54一体地下降。此时，扩展带40的外周部隔着框架41而被夹持部件52固定且扩展带40的中心部被卡盘工作台51吸引。因此，框架41的内周缘与第一晶片10-1的中央区域22的外周缘之间接近，由此作用于扩展带40的放射状的拉伸力降低，在框架41的内周缘与第一晶片10-1的中央区域22的外周缘之间的部分的扩展带40产生松弛。
因此，在实施方式的加热收缩步骤中，使卡盘工作台51和上推部件54一体地下降，并且通过加热单元56对扩展带40的松弛部分进行加热而使该松弛部分收缩。加热单元56的加热温度例如为600℃左右。
加热单元56的热源部例如一边使扩展带40沿着框架41的内周缘与第一晶片10-1的外周缘12之间的部分的周向移动一边进行加热。由此，扩展带40中，框架41的内周缘与第一晶片10-1的外周缘12之间的部分收缩。另外，在实施方式中，对加热单元56设置于腔室57内的情况进行了说明，但也可以在冷却扩展步骤之后搬送至具有加热单元的其他加工单元而实施加热收缩步骤。
在实施了冷却扩展步骤和加热收缩步骤之后，在使用紫外线照射装置将贴合晶片从扩展带40剥离时，优选使用治具等以便按照不对外周环状部23照射紫外线(ultra-violet；UV)的方式限制照射区域。由此，仅将第一晶片10-1的与中央区域22对应的背面14从扩展带40剥离，使外周环状部23残留于扩展带40。
(磨削步骤5)
图12是示意性示出图1所示的磨削步骤5的一个状态的剖视图。磨削步骤5是将第一晶片10-1从另一个面进行磨削而薄化至规定的完工厚度的步骤。磨削步骤5在外周环状部脱离步骤4的实施后实施。在实施方式的磨削步骤5中，从第一晶片10-1的背面14进行磨削。
在磨削步骤5中，通过磨削装置60对卡盘工作台61的保持面所保持的第一晶片10-1的背面14进行磨削。磨削装置60具有：卡盘工作台61、作为旋转轴部件的主轴62、安装于主轴62的下端的磨削磨轮63以及安装于磨削磨轮63的下表面的磨削磨具64。磨削磨轮63按照与卡盘工作台61的轴心平行的旋转轴线旋转。
在磨削步骤5中，首先在卡盘工作台61的保持面上吸引保持第二晶片10-2的背面14侧。接着，在使卡盘工作台61绕轴心旋转的状态下，使磨削磨轮63绕轴心旋转。将磨削水提供至加工点，并且使磨削磨轮63的磨削磨具64以规定的进给速度靠近卡盘工作台61，由此利用磨削磨具64对第一晶片10-1的背面14进行磨削，薄化至规定的完工厚度。
如以上所说明的那样，各实施方式的晶片10的加工方法中，在形成贴合晶片之后且在磨削薄化之前，沿着器件区域15的外周缘，利用激光束30形成作为分离起点的改质区域21、24，对粘贴于形成有改质区域21、24的晶片10(第一晶片10-1)的扩展带40进行扩展，由此去除与外周剩余区域16对应的外周环状部23。
因此，外周环状部23不会在磨削时脱离，因此不必担心脱离的外周环状部23使磨削磨具64损伤而给加工结果带来不良影响。另外，外周剩余区域16部分不会在磨削中脱离而堆积在加工室内，因此能够大幅降低清扫频率。外周环状部23的各个圆弧状部25在附着于扩展带40的状态下从中央区域22脱离，因此不会预料外地脱离，能够抑制外周环状部23脱离时的不良影响。
另外，本发明并不限于上述实施方式。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。例如在冷却扩展步骤中，在实施方式中使卡盘工作台51上升而使扩展带40扩展，但也可以使夹持部件52下降，总之只要使卡盘工作台51相对于夹持部件52相对地上升、使夹持部件52相对于卡盘工作台51相对地下降即可。另外，可以在使上推部件54与扩展带40的上表面侧抵接的状态下，使卡盘工作台51相对于夹持部件52相对地下降、使夹持部件52相对于卡盘工作台51相对地上升而使扩展带40扩展。

Claims (4)

1.一种晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
贴合晶片形成步骤，将第一晶片的一个面贴合于第二晶片的一个面而形成贴合晶片，其中，该第一晶片在该一个面上具有形成有器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，并且该第一晶片的外周缘进行了倒角；
断开步骤，将对于该第一晶片具有透过性的波长的激光束沿着距该第一晶片的外周缘为规定的距离的内侧位置进行照射而形成环状的改质区域，将该第一晶片断开成与该外周剩余区域对应的外周环状部和与该器件区域对应的中央区域；
扩展带粘贴步骤，在该断开步骤的实施前或实施后，对该第一晶片的另一个面粘贴具有扩展性的扩展带；
外周环状部脱离步骤，在该贴合晶片形成步骤、该断开步骤和该扩展带粘贴步骤的实施后，对该扩展带进行扩展，由此以该环状的改质区域为起点而将该第一晶片分割成该外周环状部和该中央区域，并使该外周环状部从该贴合晶片脱离；以及
磨削步骤，在该外周环状部脱离步骤的实施后，将贴合晶片的该第一晶片从另一个面侧进行磨削而薄化至完工厚度。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该断开步骤包含如下的预备断开步骤：在断开成该外周环状部和该中央区域之后，向该外周环状部照射该激光束而在放射方向上形成改质区域，将该外周环状部断开成多个圆弧状部。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
该外周环状部脱离步骤包含如下的冷却扩展步骤：将该扩展带一边冷却一边扩展。
4.根据权利要求3所述的晶片的加工方法，其中，
该外周环状部脱离步骤还包含如下的加热收缩步骤：在该冷却扩展步骤的实施后，对将该扩展带扩展而形成的该扩展带的松弛部分进行加热而使该松弛部分收缩。
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