JP7267990B2 - エキスパンド方法、半導体装置の製造方法、及び粘着シート - Google Patents
エキスパンド方法、半導体装置の製造方法、及び粘着シート Download PDFInfo
- Publication number
- JP7267990B2 JP7267990B2 JP2020505034A JP2020505034A JP7267990B2 JP 7267990 B2 JP7267990 B2 JP 7267990B2 JP 2020505034 A JP2020505034 A JP 2020505034A JP 2020505034 A JP2020505034 A JP 2020505034A JP 7267990 B2 JP7267990 B2 JP 7267990B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive layer
- adhesive sheet
- pressure
- sensitive adhesive
- adherends
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims description 262
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims description 261
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 221
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 141
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 44
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 185
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 175
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 124
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 59
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 34
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 90
- 230000008569 process Effects 0.000 description 56
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 36
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 31
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 30
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 30
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 24
- -1 polypropylene (ethylene) Polymers 0.000 description 24
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 16
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 9
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 9
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 9
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 8
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 8
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 8
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 7
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 6
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 5
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 4
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 4
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 4
- 229920003225 polyurethane elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004970 Chain extender Substances 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N C[CH]O Chemical group C[CH]O GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002633 Kraton (polymer) Polymers 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L adipate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCCCC([O-])=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920006285 olefinic elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 2
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920006124 polyolefin elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)CO GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LESMLVDJJCWZAJ-UHFFFAOYSA-N 2-(diphenylphosphorylmethyl)-1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LESMLVDJJCWZAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- BQBSIHIZDSHADD-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-4,5-dihydro-1,3-oxazole Chemical compound C=CC1=NCCO1 BQBSIHIZDSHADD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- VHFGGWSXGDWGOY-UHFFFAOYSA-N 2-isocyanatoethyl 2-methylprop-2-enoate 5-isocyanato-2-methylpent-2-enoic acid Chemical compound N(=C=O)CCC=C(C(=O)O)C.C(C(=C)C)(=O)OCCN=C=O VHFGGWSXGDWGOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEHFRMABGJJCPF-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)N=C=O JEHFRMABGJJCPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHKJNWKLSOOMTQ-UHFFFAOYSA-N 2-prop-1-enyl-4,5-dihydro-1,3-oxazole Chemical compound CC=CC1=NCCO1 NHKJNWKLSOOMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl Chemical group [CH2]CCO QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNPOQXWAMXPTA-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-2-enamide Chemical compound CC(C)=CC(N)=O WHNPOQXWAMXPTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Chemical class 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Natural products CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CO)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- HXBPYFMVGFDZFT-UHFFFAOYSA-N allyl isocyanate Chemical compound C=CCN=C=O HXBPYFMVGFDZFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001541 aziridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004069 aziridinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- CSNNWDJQKGMZPO-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-hydroxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 CSNNWDJQKGMZPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCNCICQTOSFGRB-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-hydroxy-1-(2-methylphenyl)-2-phenylethanone Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1.CC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 SCNCICQTOSFGRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical class C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 1
- 229950004394 ditiocarb Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- BXOUVIIITJXIKB-UHFFFAOYSA-N ethene;styrene Chemical group C=C.C=CC1=CC=CC=C1 BXOUVIIITJXIKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFJVXXWOPWLRNU-UHFFFAOYSA-N ethenyl formate Chemical compound C=COC=O GFJVXXWOPWLRNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 229920005555 halobutyl Polymers 0.000 description 1
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000002918 oxazolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002742 polystyrene-block-poly(ethylene/propylene) -block-polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229920001935 styrene-ethylene-butadiene-styrene Polymers 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
本実施形態に係る粘着シートは、基材と、第一のエネルギー線硬化性樹脂を含有する第一の粘着剤層と、第二のエネルギー線硬化性樹脂を含有する第二の粘着剤層と、を有する。
図1には、本実施形態の一態様に係る粘着シート10の断面概略図が示されている。粘着シート10は、基材11と、第一の粘着剤層12と、第二の粘着剤層13と、を有する。粘着シート10の形状は、例えば、テープ状(長尺の形態)、及びラベル状(枚葉の形態)等、あらゆる形状をとり得る。本実施形態に係る粘着シートを、他の粘着シートと区別するために、第一の粘着シートと称する場合がある。
基材11は、第一の基材面11Aと、第一の基材面11Aとは反対側の第二の基材面11Bとを有する。本実施形態に係る粘着シート10においては、第一の基材面11Aに第一の粘着剤層12が設けられ、第二の基材面11Bに第二の粘着剤層13が設けられている。
熱可塑性エラストマーとしては、大きく延伸させ易いという観点から、ウレタン系エラストマーを使用することが好ましい。
オレフィン含有率が過度に低い場合には、オレフィンに由来する構造単位を含むエラストマーとしての性質が現れにくくなり、基材11は、柔軟性及びゴム弾性を示し難くなる。
柔軟性及びゴム弾性を安定的に得る観点から、オレフィン含有率は50質量%以上であることが好ましく、60質量%以上であることがより好ましい。
添加剤としては、例えば、顔料、染料、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、及びフィラー等が挙げられる。顔料としては、例えば、二酸化チタン、及びカーボンブラック等が挙げられる。また、フィラーとしては、メラミン樹脂のような有機系材料、ヒュームドシリカのような無機系材料、及びニッケル粒子のような金属系材料が例示される。こうした添加剤の含有量は特に限定されないが、基材11が所望の機能を発揮し得る範囲に留めることが好ましい。
引張弾性率及び100%応力が上記範囲であることで、粘着シート10を大きく延伸することが可能となる。
基材11の100%応力は、次のようにして得られる値である。150mm(長さ方向)×15mm(幅方向)の大きさの試験片を、基材11から切り出す。切り出した試験片の長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが100mmとなるようにつかみ具でつかむ。つかみ具で試験片をつかんだ後、速度200mm/minで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが200mmとなったときの引張力の測定値を読み取る。基材11の100%応力は、読み取った引張力の測定値を、基材11の断面積で除算することで得られる値である。基材11の断面積は、幅方向長さ15mm×基材11(試験片)の厚みで算出される。当該切り出しは、基材11の製造時における流れ方向(MD方向)またはMD方向に直交する方向(CD方向)と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。なお、この引張試験において、試験片の厚さは特別に制限されず、試験の対象とする基材の厚さと同じであってよい。
基材11のMD方向及びCD方向の破断伸度が、それぞれ100%以上であることで、破断が生じることなく、粘着シート10を大きく延伸することが可能となる。
本実施形態に係る粘着シート10において、第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13は、エネルギー線硬化性粘着剤を含有する。
第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13の厚さは、それぞれ独立に、例えば、10μm以上であることが好ましく、20μm以上であることがより好ましい。また、第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13の厚さは、それぞれ独立に、150μm以下であることが好ましく、100μm以下であることがより好ましい。
第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13は、それぞれ独立に、エネルギー線硬化性樹脂(a1)を含有することが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂(a1)は、分子内に、エネルギー線硬化性の二重結合を有する。
エネルギー線硬化性樹脂を含有する粘着剤層は、エネルギー線照射により硬化する。そのため、粘着シート10を伸張後、基材11の両面に設けられた第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13を硬化させることで、粘着シート10の拡張状態は、保持され易くなる。
また、エネルギー線硬化性樹脂を含有する粘着剤層は、エネルギー線照射により硬化して粘着力が低下する。被着体と粘着シートとを分離したい場合、エネルギー線を粘着剤層に照射することにより、容易に分離できる。
エネルギー線硬化性樹脂(a1)の例としては、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物(単官能のモノマー、多官能のモノマー、単官能のオリゴマー、及び多官能のオリゴマー)が挙げられる。エネルギー線硬化性樹脂(a1)は、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4-ブチレングリコールジアクリレート、及び1,6-ヘキサンジオールジアクリレート等のアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、及びイソボルニルアクリレート等の環状脂肪族骨格含有アクリレート、並びにポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、及びイタコン酸オリゴマー等のアクリレート系化合物が用いられる。エネルギー線硬化性樹脂(a1)は、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いられる。
第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13は、それぞれ独立に、(メタ)アクリル系共重合体(b1)をさらに含んでいることが好ましい。(メタ)アクリル系共重合体は、前述したエネルギー線硬化性樹脂(a1)とは異なる。
第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13は、それぞれ独立に、(メタ)アクリル系共重合体(b1)100質量部に対し、エネルギー線硬化性樹脂(a1)を80質量部以下の割合で含有することが好ましく、70質量部以下の割合で含有することがより好ましく、60質量部以下の割合で含有することがさらに好ましい。
また、(メタ)アクリル系共重合体(b1)の重量平均分子量(Mw)は、150万以下であることが好ましく、100万以下であることがより好ましい。
なお、本明細書における重量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC法)により測定した標準ポリスチレン換算の値である。
また、アクリル系共重合体(b21)は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、35質量%以下の割合で含有することが好ましく、30質量%以下の割合で含有することがより好ましく、25質量%以下の割合で含有することがさらに好ましい。
また、アクリル系共重合体(b21)は、(メタ)アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、99質量%以下の割合で含有することが好ましく、95質量%以下の割合で含有することがより好ましく、90質量%以下の割合で含有することがさらに好ましい。
アクリル系共重合体(b21)は、上述のモノマーの他にも、ジメチルアクリルアミド、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、及びスチレン等からなる群から選択される少なくともいずれかの構成単位を含有していてもよい。
また、不飽和基含有化合物(b22)は、アクリル系共重合体(b21)の官能基含有モノマーモル数に対して、95モル%以下の割合で用いられることが好ましく、93モル%以下の割合で用いられることがより好ましく、90モル%以下の割合で用いられることがさらに好ましい。
また、エネルギー線硬化性重合体(b2)の重量平均分子量(Mw)は、150万以下であることが好ましく、100万以下であることがより好ましい。
第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13は、それぞれ独立に、光重合開始剤(C)を含有することが好ましい。第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13が光重合開始剤(C)を含有することにより、重合硬化時間及び光線照射量を少なくすることができる。
また、光重合開始剤(C)は、粘着剤層にエネルギー線硬化性樹脂(a1)、及び(メタ)アクリル系共重合体(b1)を配合する場合には、エネルギー線硬化性樹脂(a1)、及び(メタ)アクリル系共重合体(b1)の合計量100質量部に対して10質量部以下の量で用いられることが好ましく、6質量部以下の量で用いられることがより好ましい。
架橋剤(E)としては、(メタ)アクリル系共重合体(b1)等が有する官能基との反応性を有する多官能性化合物を用いることができる。このような多官能性化合物の例としては、イソシアネート化合物、エポキシ化合物、アミン化合物、メラミン化合物、アジリジン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド化合物、オキサゾリン化合物、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、金属塩、アンモニウム塩、及び反応性フェノール樹脂等を挙げることができる。
また、架橋剤(E)の配合量は、(メタ)アクリル系共重合体(b1)100質量部に対して、8質量部以下であることが好ましく、5質量部以下であることがより好ましく、3.5質量部以下であることがさらに好ましい。
前記復元率は、粘着シート10を150mm(長さ方向)×15mm(幅方向)に切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが100mmとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが200mmとなるまで200mm/minの速度で引張り、つかみ具間の長さが200mmに拡張された状態で1分間保持し、その後、つかみ具間の長さが100mmとなるまで200mm/minの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが100mmに戻された状態で1分間保持し、その後、60mm/minの速度で長さ方向に引張り、引張力の測定値が0.1N/15mmを示した時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ100mmを引いた長さをL2(mm)とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ200mmから初期のつかみ具間の長さ100mmを引いた長さをL1(mm)としたとき、下記数式(数2)で算出される。
復元率(%)={1-(L2÷L1)}×100 ・・・ (数2)
本実施形態に係る粘着シート10は、第一の粘着剤層12又は第二の粘着剤層13に被着体(例えば、半導体チップ等)を貼付するまでの間、第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13を保護する目的で、第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13に剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートの構成は任意である。剥離シートの例としては、剥離剤等により剥離処理したプラスチックフィルムが例示される。
プラスチックフィルムの具体例としては、ポリエステルフィルム、及びポリオレフィンフィルムが挙げられる。ポリエステルフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、又はポリエチレンナフタレート等のフィルムが挙げられる。ポリオレフィンフィルムとしては、例えば、ポリプロピレン、又はポリエチレン等のフィルムが挙げられる。
剥離剤としては、シリコーン系、フッ素系、及び長鎖アルキル系等を用いることができる。これら剥離剤の中で、安価で安定した性能が得られるシリコーン系が好ましい。
剥離シートの厚さは、特に限定されない。剥離シートの厚さは、通常、20μm以上、250μm以下である。
本実施形態に係る粘着シート10は、従来の粘着シートと同様に製造できる。
粘着シート10の製造方法は、第一の粘着剤層12を基材11の第一の基材面11Aに積層し、第二の粘着剤層13を第二の基材面11Bに積層できれば、特に詳細には限定されない。
粘着シート10の製造方法の第一の例としては、次のような方法が挙げられる。まず、第一の粘着剤層12を構成する粘着性組成物、及び所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液(第一の塗工液と称する場合がある。)、並びに第二の粘着剤層13を構成する粘着性組成物、及び所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液(第二の塗工液と称する場合がある。)を調製する。次に、第一の塗工液を、基材11の第一の基材面11Aの面上に、塗布手段により塗布して塗膜を形成する。塗布手段としては、例えば、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、及びナイフコーター等が挙げられる。次に、当該塗膜を乾燥させることにより、第一の粘着剤層12を形成できる。塗工液は、塗布を行うことが可能であれば、その性状は特に限定されない。塗工液は、粘着剤層を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、粘着剤層を形成するための成分を分散質として含有する場合もある。第二の粘着剤層13は、基材11の第二の基材面11Bの面上に第二の塗工液を塗布して、第一の粘着剤層12と同様にして形成できる。第一の例の変形例として、第二の粘着剤層13を先に形成し、その後、第一の粘着剤層12を形成してもよい。
本実施形態に係る粘着シート10は、様々な被着体に貼着できるため、本実施形態に係る粘着シート10を適用できる被着体は、特に限定されない。例えば、被着体としては、半導体チップ、及び半導体ウエハであることが好ましい。
具体的には、粘着シート10を用いたエキスパンド方法であって、第一の粘着剤層12または第二の粘着剤層13に複数の被着体を貼着する貼着工程と、粘着シート10を伸張させて、前記複数の被着体の間隔を拡げるエキスパンド工程と、第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13にエネルギー線を照射して、第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13を硬化させるエネルギー線照射工程と、を有するエキスパンド方法が挙げられる。
さらに、本実施形態に係る粘着シート10は、基材11の片面に貼着された複数の半導体チップの間隔を拡げるために使用することができる。
上述の粘着シート10を用いるエキスパンド方法は、半導体加工プロセスにも適用できる。具体的には、被着体が半導体チップ又は半導体ウエハである場合、半導体装置の製造方法における一工程として、粘着シート10を用いるエキスパンド方法を含むことができる。
その結果、半導体チップの間隔を正確に調整することができる。
エキスパンド装置100は、保持手段101のそれぞれに対応する、図示されていない複数の張力付与手段を有する。張力付与手段を駆動させることで、保持手段101をそれぞれ独立に移動させることができる。粘着シート10における+X軸方向側の一辺を把持する5つの保持手段101については、例えば、+X軸方向に第一の延伸速度で所定時間移動させることができる。それと同時に、これらの5つの保持手段101のうち、保持手段101A、及び保持手段101Bを、保持手段101Cから遠ざける方向(すなわち、+Y軸方向または-Y軸方向)に移動させることもできる。このとき、保持手段101Aは第一の延伸速度よりも遅い速度(例えば、第一の延伸速度の2/3の速度)で移動させ、保持手段101Bは第一の延伸速度よりも遅い速度(例えば、第一の延伸速度の1/3の速度)で移動させることができる。なお、保持手段101Cは、+Y軸方向、及び-Y軸方向へは移動させなくてもよい。粘着シート10における、+X軸方向以外の3方向側に位置する保持手段101についても、+X軸方向と同様に、各方向への移動と、保持手段101A、及び保持手段101Bを保持手段101Cから遠ざける方向への移動とを行うことができる。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、本実施形態に係る粘着シート10を用いたエキスパンド方法を含んでいることが好ましい。
以下、本実施形態に係る粘着シート10を使用したFO-WLPの製造方法の第一態様を説明する。
半導体ウエハWは、回路面W1を有し、回路面W1には、回路W2が形成されている。ダイシング用粘着シートAは、半導体ウエハWの回路面W1とは反対側の裏面W3に貼着されている。ダイシング用粘着シートAは、基材A1と、粘着剤層A2とを有する。粘着剤層A2は、基材A1に積層されている。
図3Bには、半導体ウエハWのダイシング後、形成された複数の半導体チップCPがダイシング用粘着シートAに保持された状態が示されている。
ダイシング用粘着シートAに保持された半導体ウエハWは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップCPが形成される(ダイシング工程という場合がある。)。半導体チップCPは、回路面W1と、回路面W1とは反対側の裏面W3と、を有する。回路面W1には、回路W2が形成されている。
ダイシングには、ダイシングソーなどの切断手段が用いられる。
ダイシングは、切断手段を用いる代わりに、半導体ウエハWに対してレーザ光を照射して行ってもよい。例えば、レーザ光の照射により、半導体ウエハWを完全に分断し、複数の半導体チップに個片化してもよい。
あるいは、レーザ光の照射により半導体ウエハWの内部に改質層を形成した後、後述するエキスパンド工程において、粘着シートを引き延ばすことで、半導体ウエハを改質層の位置で破断して、半導体チップCPに個片化してもよい。このようにして半導体チップに個片化する方法をステルスダイシングという場合がある。ステルスダイシングの場合、レーザ光の照射は、例えば、赤外域のレーザ光を、半導体ウエハWの内部に設定された焦点に集束されるように照射する。また、これらの方法においては、レーザ光の照射は、半導体ウエハWのいずれの側から行ってもよい。
ダイシング後、複数の半導体チップCPは、エキスパンドシートに一括転写されることが好ましい。
ダイシング用粘着シートAに含まれる膨張性微粒子を膨張させることにより粘着剤層A2の粘着表面に凹凸を形成し、これにより粘着剤層A2の粘着表面と半導体チップCPとの接触面積を減少させ、粘着力を大幅に低下させることができる。その結果、ダイシング用粘着シートAと半導体チップCPとを分離する際には、半導体チップCPへの糊残り等もなく、半導体チップCPの清浄性を保ったまま、ダイシング用粘着シートAから半導体チップCPを容易に一括で分離することができる。
図3Cには、ダイシング工程の後に、複数の半導体チップCPを、本実施形態に係る粘着シート10に転写する工程を説明する図が示されている。この工程を「転写工程」という場合があり、また、他の転写工程と区別するために「第一の転写工程」という場合もある。
第一の転写工程は、複数の半導体チップCPのダイシング用粘着シートAと接する面(裏面W3)とは反対側の面(回路面W1)に、粘着シート10の第一の粘着剤層12または第二の粘着剤層13を貼着する工程を含む。この工程を「貼着工程」という場合があり、また、他の貼着工程と区別するために「第一の貼着工程」という場合もある。
第一態様においては、第一の粘着剤層12を複数の半導体チップCPの回路面W1に貼着する。粘着シート10は、回路面W1を第一の粘着剤層12で覆うように貼着されることが好ましい。
第一の転写工程は、さらに、前記貼着工程の後に、ダイシング用粘着シートAと複数の半導体チップCPとを分離する工程を含む。この工程を、「分離工程」という場合があり、また、他の分離工程と区別するために「第一の分離工程」という場合もある。
粘着シート10を貼着した後、ダイシング用粘着シートAを複数の半導体チップCPから分離すると、複数の半導体チップCPの裏面W3が露出する。
第一態様においては、粘着シート10の第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13がエネルギー線硬化性粘着剤を含有するため、ダイシング用粘着シートAが含有する膨張性微粒子は、熱膨張性微粒子であることが好ましい。
図4Bには、複数の半導体チップCPを保持する粘着シート10を引き延ばす工程を説明する図が示されている。この工程を、「エキスパンド工程」という場合があり、別のエキスパンド工程と区別するため、「第一のエキスパンド工程」と称する場合もある。
エキスパンド工程の後、粘着シート10にエネルギー線を照射して、第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13を硬化させる工程を実施する。この工程を「エネルギー線照射工程」という場合がある。
第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13が紫外線硬化性である場合、エネルギー線照射工程においては、粘着シート10に紫外線を照射する。エキスパンド工程の後に第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13を硬化させることで、延伸後の粘着シート10の形状保持性が向上する。その結果、第一の粘着剤層12及び第二の粘着剤層13に貼着された複数の半導体チップCPの整列性が維持され易い。
図5Aには、エキスパンド工程及びエネルギー線照射工程の後に、複数の半導体チップCPを第二の粘着シート20に転写する工程を説明する図が示されている。この工程を、「転写工程」という場合があり、また、他の転写工程と区別するために「第二の転写工程」という場合もある。
第二の転写工程は、第一の転写工程と同様、第二の粘着シート20を複数の半導体チップCPに貼着する工程(第二の貼着工程)と、粘着シート10を分離する分離工程(第二の分離工程)と、を含む。
第二の貼着工程においては、複数の半導体チップCPの裏面W3に第二の粘着シート20の第三の粘着剤層22を貼着する。
エキスパンド工程及びエネルギー線照射工程の後、複数の半導体チップCPは、その回路面W1を第一の粘着剤層12に向けて貼着されている。そのため、回路面W1とは反対側の裏面W3に、第二の粘着シート20の第三の粘着剤層22を貼着する。エキスパンド工程後の複数の半導体チップCPの間隔を維持した状態で、半導体チップCPの裏面W3に第二の粘着シート20を貼着することが好ましい。
第二の粘着シート20に含まれる膨張性微粒子を膨張させることにより第三の粘着剤層22の粘着表面に凹凸を形成し、これにより第三の粘着剤層22の粘着表面と半導体チップCPとの接触面積を減少させ、粘着力を大幅に低下させることができる。その結果、第二の粘着シート20と半導体チップCPとを分離する際には、半導体チップCPへの糊残り等もなく、半導体チップCPの清浄性を保ったまま、第二の粘着シート20から半導体チップCPを容易に一括で分離することができる。
第二の転写工程は、第二の粘着シート20を複数の半導体チップCPに貼着後、粘着シート10を分離する工程である。
図5Bには、粘着シート10を分離した後の複数の半導体チップCP及び第二の粘着シート20が示されている。
粘着シート10を分離すると複数の半導体チップCPの回路面W1が露出する。エキスパンド工程の後に、第一の粘着剤層12を硬化させたので、第一の粘着剤層12の粘着力が低下し、粘着シート10を半導体チップCPから剥離し易くなる。
粘着シート10を剥離した後も、エキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップCP間の距離D1が維持されていることが好ましい。
図5Cには、第二の粘着シート20に貼着されていた複数の半導体チップCPを、第三の粘着シート30に転写する工程を説明する図が示されている。この工程を「転写工程」という場合があり、また、他の転写工程と区別するために「第三の転写工程」という場合もある。
第三の転写工程は、第二の転写工程と同様、第三の粘着シート30を複数の半導体チップCPに貼着する工程(第三の貼着工程)と、第二の粘着シート20を分離する工程(第三の分離工程)と、を含む。
第二の粘着シート20から第三の粘着シート30に転写された複数の半導体チップCPは、距離D1が維持されていることが好ましい。
第三の貼着工程においては、複数の半導体チップCPの回路面W1に第三の粘着シート30の第四の粘着剤層32を貼着する。
エキスパンド工程後の複数の半導体チップCPの間隔を維持した状態で、半導体チップCPの回路面W1に第三の粘着シート30を貼着することが好ましい。
第三の粘着シート30に含まれる膨張性微粒子を膨張させることにより第四の粘着剤層32の粘着表面に凹凸を形成し、これにより第四の粘着剤層32の粘着表面と半導体チップCPとの接触面積を減少させ、粘着力を大幅に低下させることができる。その結果、第三の粘着シート30と後述する封止工程で形成する封止体とを分離する際には、半導体チップCPへの糊残り等もなく、半導体チップCPの清浄性を保ったまま、第三の粘着シート30から半導体チップCPを分離することができる。
第三の貼着工程後の第三の分離工程においては、第二の粘着シート20を複数の半導体チップCPから分離する。第二の粘着シート20の第二の基材21及び第三の粘着剤層22の少なくともいずれかが膨張性微粒子を含む場合、膨張性微粒子を膨張させることで第三の粘着剤層22の表面に凹凸が形成され、第二の粘着シート20を半導体チップCPから剥離し易くなる。
また、第二の粘着シート20の粘着力を低下させるメカニズムと、第三の粘着シート30の粘着力を低下させるメカニズムとが、異なることが好ましい。例えば、第二の粘着シート20は、その粘着力が熱によって低下し、第三の粘着シート30は、その粘着力が紫外線によって低下するように、基材及び粘着剤層を選択することも好ましい。
第三の粘着シート30として耐熱性を有する粘着シートを用いる場合は、第三の基材31及び第四の粘着剤層32は、それぞれ、封止工程で課される温度に耐え得る耐熱性を有する材料で形成されていることが好ましい。第三の粘着シート30の別の態様としては、第三の基材、第三の粘着剤層、及び第四の粘着剤層を備えた粘着シートが挙げられる。この粘着シートは、第三の粘着剤層と第四の粘着剤層との間に第三の基材を含み、第三の基材の両面に粘着剤層を有する。
図5Dには、封止部材60を用いて複数の半導体チップCPを封止する工程を説明する図が示されている。この工程を「封止工程」という場合がある。
封止工程において、回路面W1が第三の粘着シート30に保護された状態で、複数の半導体チップCPを封止部材60によって覆うことにより封止体3が形成される。複数の半導体チップCPの間にも封止部材60が充填されている。ここで、第三の粘着シート30により回路面W1及び回路W2が覆われているので、封止部材60で回路面W1が覆われることを防止できる。
第三の粘着シート30を分離すると、半導体チップCPの回路面W1及び封止体3の第三の粘着シート30と接触していた面3Aが露出する。
封止体3から第三の粘着シート30を剥離した後、この封止体3に対して、半導体チップCPと電気的に接続する再配線層を形成する再配線層形成工程と、再配線層と外部端子電極とを電気的に接続する接続工程とが順に行われる。再配線層形成工程及び外部端子電極との接続工程によって、半導体チップCPの回路と外部端子電極とが電気的に接続される。
外部端子電極が接続された封止体3を半導体チップCP単位で個片化する。封止体3を個片化させる方法は、特に限定されない。封止体3を個片化することで、半導体チップCP単位の半導体パッケージが製造される。半導体チップCPの領域外にファンアウトさせた外部電極を接続させた半導体パッケージは、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ(FO-WLP)として製造される。
本実施形態では、個片化された半導体パッケージを、プリント配線基板等に実装する工程を含むことも好ましい。
本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様などを含む。
コート層14の材質としては、例えば、エネルギー線硬化性樹脂と、無機充填剤とを含有する組成物であることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂としては、例えば、前述のエネルギー線硬化性樹脂(a1)を用いることができる。無機充填剤としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、及び窒化ホウ素等の粉末、これら粉末のいずれかを球形化したビーズ、単結晶繊維、並びにガラス繊維等が挙げられる。
コート層14の厚さは、0.5μm以上、5μm以下であることが好ましい。
第二のエキスパンド工程では、複数の半導体チップCP間の間隔をさらに拡げる。第二のエキスパンド工程において第二の粘着シート20を引き延ばす方法は、特に限定されない。例えば、第二のエキスパンド工程も、第一のエキスパンド工程と同様に実施できる。
なお、第二のエキスパンド工程後の半導体チップCP間の間隔をD2とする。距離D2としては、半導体チップCPのサイズに依存するため、特に制限されないが、距離D2は、距離D1よりも大きい。距離D2としては、例えば、それぞれ独立に、200μm以上、6000μm以下とすることが好ましい。
Claims (14)
- 第一のエネルギー線硬化性樹脂を含有する第一の粘着剤層と、
第二のエネルギー線硬化性樹脂を含有する第二の粘着剤層と、
前記第一の粘着剤層と前記第二の粘着剤層との間の基材と、を有し、
前記第一の粘着剤層が前記基材の第一の基材面に積層され、前記第二の粘着剤層が前記基材の第二の基材面に積層された粘着シートの前記第一の粘着剤層または前記第二の粘着剤層に複数の被着体を貼着する貼着工程と、
前記複数の被着体を保持する前記粘着シートを伸張させて、前記複数の被着体の間隔を拡げるエキスパンド工程と、
前記エキスパンド工程の後、前記第一の粘着剤層及び前記第二の粘着剤層にエネルギー線を照射して、前記第一の粘着剤層及び前記第二の粘着剤層を硬化させるエネルギー線照射工程と、を有する、
エキスパンド方法。 - 請求項1に記載のエキスパンド方法において、
前記第一のエネルギー線硬化性樹脂と、前記第二のエネルギー線硬化性樹脂とが同じである、
エキスパンド方法。 - 請求項1又は請求項2に記載のエキスパンド方法において、
前記第一の粘着剤層の組成と、前記第二の粘着剤層の組成とが同じである、
エキスパンド方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、
前記第一の粘着剤層の厚さと、前記第二の粘着剤層との厚さとが同じである、
エキスパンド方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、
前記貼着工程において、前記第一の粘着剤層に前記複数の被着体を貼着し、
前記エネルギー線照射工程において、前記第二の粘着剤層側からエネルギー線を照射して、前記第一の粘着剤層及び前記第二の粘着剤層を硬化させる、
エキスパンド方法。 - 請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、
前記被着体は、半導体チップである、
エキスパンド方法。 - 請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法であって、
ダイシング用粘着シートに貼着された被加工物をダイシングし、個片化した複数の被着体を得る工程と、を含み、
前記貼着工程においては、前記複数の被着体の前記ダイシング用粘着シートと接する面とは反対側の面に、前記粘着シートの前記第一の粘着剤層または前記第二の粘着剤層を貼着し、
前記貼着工程の後に、前記ダイシング用粘着シートと前記複数の被着体とを分離する工程を実施する、
半導体装置の製造方法。 - 請求項7に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ダイシング用粘着シートと前記複数の被着体とを分離した後に、前記エキスパンド工程を実施する、
半導体装置の製造方法。 - 請求項7又は請求項8に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ダイシング用粘着シートは、膨張性微粒子を含み、
前記ダイシング用粘着シートと前記複数の被着体とを分離する工程の際に、前記膨張性微粒子を膨張させて前記粘着シートに貼着した前記複数の被着体と前記ダイシング用粘着シートとを分離する、
半導体装置の製造方法。 - 請求項7から請求項9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記エキスパンド工程の後に、前記複数の被着体を、第二の基材及び第三の粘着剤層を有する第二の粘着シートに転写する第二の転写工程と、
前記第二の粘着シートに貼着された前記複数の被着体を、第三の基材及び第四の粘着剤層を有する第三の粘着シートに転写する第三の転写工程と、を含み、
前記第三の粘着シートは、膨張性微粒子を含み、
前記第二の転写工程においては、前記複数の被着体の前記第一の粘着剤層または前記第二の粘着剤層と接する面とは反対側の面に前記第二の粘着シートの前記第三の粘着剤層を貼着し、前記複数の被着体から、前記粘着シートを分離し、
前記第三の転写工程においては、前記複数の被着体の前記第三の粘着剤層と接する面とは反対側の面に前記第三の粘着シートの前記第四の粘着剤層を貼着し、前記複数の被着体から、前記第二の粘着シートを分離する、
半導体装置の製造方法。 - 粘着シートであって、
第一のエネルギー線硬化性樹脂を含有する第一の粘着剤層と、
第二のエネルギー線硬化性樹脂を含有する第二の粘着剤層と、
前記第一の粘着剤層と前記第二の粘着剤層との間の基材と、を有し、
前記第一の粘着剤層が前記基材の第一の基材面に積層され、前記第二の粘着剤層が前記基材の第二の基材面に積層された前記粘着シートの前記第一の粘着剤層または前記第二の粘着剤層に複数の被着体を貼着する貼着工程と、前記複数の被着体を保持する前記粘着シートを伸張させて、前記複数の被着体の間隔を拡げるエキスパンド工程と、前記エキスパンド工程の後、前記第一の粘着剤層及び前記第二の粘着剤層にエネルギー線を照射して、前記第一の粘着剤層及び前記第二の粘着剤層を硬化させるエネルギー線照射工程と、を有するエキスパンド方法に使用される、
粘着シート。 - 請求項11に記載の粘着シートにおいて、
前記第一のエネルギー線硬化性樹脂と、前記第二のエネルギー線硬化性樹脂とが同じである、
粘着シート。 - 請求項11又は請求項12に記載の粘着シートにおいて、
前記第一の粘着剤層の組成と、前記第二の粘着剤層の組成とが同じである、
粘着シート。 - 請求項11から請求項13のいずれか一項に記載の粘着シートにおいて、
前記第一の粘着剤層の厚さと、前記第二の粘着剤層との厚さとが同じである、
粘着シート。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018040797 | 2018-03-07 | ||
JP2018040797 | 2018-03-07 | ||
PCT/JP2019/008510 WO2019172217A1 (ja) | 2018-03-07 | 2019-03-05 | エキスパンド方法、半導体装置の製造方法、及び粘着シート |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019172217A1 JPWO2019172217A1 (ja) | 2021-02-18 |
JP7267990B2 true JP7267990B2 (ja) | 2023-05-02 |
Family
ID=67847182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020505034A Active JP7267990B2 (ja) | 2018-03-07 | 2019-03-05 | エキスパンド方法、半導体装置の製造方法、及び粘着シート |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7267990B2 (ja) |
KR (1) | KR20200127171A (ja) |
CN (1) | CN111886673A (ja) |
TW (1) | TWI814785B (ja) |
WO (1) | WO2019172217A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202119521A (zh) * | 2019-11-12 | 2021-05-16 | 力成科技股份有限公司 | 晶圓擴片裝置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002083785A (ja) | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Nec Kansai Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2003064329A (ja) | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Nitto Denko Corp | エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、これを用いた切断片の製造方法、及びその切断片 |
JP2007146104A (ja) | 2005-10-25 | 2007-06-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 耐熱性表面保護テープおよび半導体ウェハの加工方法 |
JP2016127116A (ja) | 2014-12-26 | 2016-07-11 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006203079A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Sharp Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2010058646A1 (ja) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
JP5518502B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2014-06-11 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
JP2010132916A (ja) * | 2010-01-29 | 2010-06-17 | Nitto Denko Corp | 再剥離型粘着剤及び再剥離型粘着シート |
CN105143380B (zh) * | 2013-03-28 | 2019-05-17 | 古河电气工业株式会社 | 粘合带及晶片加工用胶带 |
KR102528047B1 (ko) * | 2015-05-25 | 2023-05-02 | 린텍 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20180125977A (ko) * | 2016-03-30 | 2018-11-26 | 린텍 가부시키가이샤 | 필름상 접착제, 반도체 가공용 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 |
-
2019
- 2019-03-05 KR KR1020207024307A patent/KR20200127171A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-03-05 CN CN201980017581.0A patent/CN111886673A/zh active Pending
- 2019-03-05 WO PCT/JP2019/008510 patent/WO2019172217A1/ja active Application Filing
- 2019-03-05 JP JP2020505034A patent/JP7267990B2/ja active Active
- 2019-03-07 TW TW108107526A patent/TWI814785B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002083785A (ja) | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Nec Kansai Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2003064329A (ja) | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Nitto Denko Corp | エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、これを用いた切断片の製造方法、及びその切断片 |
JP2007146104A (ja) | 2005-10-25 | 2007-06-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 耐熱性表面保護テープおよび半導体ウェハの加工方法 |
JP2016127116A (ja) | 2014-12-26 | 2016-07-11 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019172217A1 (ja) | 2021-02-18 |
TW201939632A (zh) | 2019-10-01 |
TWI814785B (zh) | 2023-09-11 |
WO2019172217A1 (ja) | 2019-09-12 |
KR20200127171A (ko) | 2020-11-10 |
CN111886673A (zh) | 2020-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7336548B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7256788B2 (ja) | 粘着シート | |
JP2024103614A (ja) | 粘着シートの製造方法 | |
JP7256787B2 (ja) | 粘着シート | |
JP7267990B2 (ja) | エキスパンド方法、半導体装置の製造方法、及び粘着シート | |
JP7256786B2 (ja) | 粘着シート | |
JP7519917B2 (ja) | エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP7438990B2 (ja) | エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法 | |
WO2020158770A1 (ja) | エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230328 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230420 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7267990 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |