WO2020158770A1 - エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

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WO2020158770A1
WO2020158770A1 PCT/JP2020/003075 JP2020003075W WO2020158770A1 WO 2020158770 A1 WO2020158770 A1 WO 2020158770A1 JP 2020003075 W JP2020003075 W JP 2020003075W WO 2020158770 A1 WO2020158770 A1 WO 2020158770A1
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base material
adhesive sheet
pressure
sensitive adhesive
adhesive layer
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PCT/JP2020/003075
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啓示 布施
洋一 稲男
忠知 山田
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リンテック株式会社
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    • C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation

Definitions

  • the present invention relates to an expanding method and a semiconductor device manufacturing method.
  • a semiconductor chip may be mounted in a package close to its size. Such a package is sometimes referred to as a chip scale package (CSP).
  • CSP chip scale package
  • WLP wafer level package
  • external electrodes and the like are formed on a wafer before being diced into individual pieces, and finally the wafer is diced into individual pieces.
  • the WLP includes a fan-in type and a fan-out type.
  • the semiconductor chip is covered with a sealing member so as to be a region larger than the chip size to form a semiconductor chip sealing body. Then, the redistribution layer and the external electrodes are formed not only on the circuit surface of the semiconductor chip but also on the surface region of the sealing member.
  • Patent Document 1 with respect to a plurality of semiconductor chips diced from a semiconductor wafer, an extended wafer is formed by surrounding the periphery with a mold member while leaving a circuit forming surface, and forming an extended wafer in a region outside the semiconductor chip.
  • a method for manufacturing a semiconductor package is described in which a rewiring pattern is extended and formed.
  • the wafer mounting tape for expansion is attached to the plurality of semiconductor chips to expand the wafer mounting tape for expansion. The distance between them is increasing.
  • the 2nd base material layer, the 1st base material layer, and the 1st adhesive layer are provided in this order, and the fracture
  • Sheets are listed.
  • the method of manufacturing a semiconductor device described in Patent Document 2 includes a step of attaching a semiconductor wafer to the first adhesive layer of this adhesive sheet, and a step of dicing the semiconductor wafer into individual pieces to form a plurality of semiconductor chips. And stretching the adhesive sheet to widen the gap between the semiconductor chips.
  • An object of the present invention is to provide an expanding method in which a tape structure and a process are simplified as compared with a conventional one, and a manufacturing method of a semiconductor device including the expanding method.
  • a first adhesive layer and a first base material are provided on the second wafer surface of a wafer having a first wafer surface and a second wafer surface opposite to the first wafer surface.
  • a first adhesive sheet having a thickness of 50 ⁇ m is attached, the tensile elongation of the first base material is 300% or more, and the notch is made from the side of the first wafer to cut the wafer.
  • An expanding method is provided, which is divided into a plurality of chips, and further, the first pressure-sensitive adhesive layer of the first pressure-sensitive adhesive sheet is cut, the first pressure-sensitive adhesive sheet is stretched, and the interval between the plurality of chips is expanded. ..
  • the cut is formed with a depth from the first wafer surface side to the first base material.
  • the thickness of the first base material is T1
  • the depth T2 of the cut made in the first base material is 0.2 ⁇ T1 or less. preferable.
  • the first base material contains a thermoplastic elastomer.
  • the first base material contains a urethane elastomer.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer contains an energy ray-curable resin.
  • the first pressure-sensitive adhesive sheet is stretched to widen the intervals between the plurality of chips, and then the first pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with energy rays, whereby the first pressure-sensitive adhesive is applied. It is preferred to cure the layer.
  • the first adhesive sheet is an expanding sheet.
  • the wafer is preferably a semiconductor wafer.
  • the first wafer surface has a circuit.
  • a method for manufacturing a semiconductor device including the expanding method according to the above-described aspect of the present invention.
  • the present invention it is possible to provide an expanding method in which the tape structure and the process are simplified as compared with the conventional method. According to another aspect of the present invention, a method for manufacturing a semiconductor device including the expanding method can be provided.
  • FIG. 1 (FIG. 1A and FIG. 1B), FIG. 2, FIG. 3 (FIG. 3A and FIG. 3B), and FIG. 4 (FIG. 4A and FIG. 4B) describe a method for manufacturing a semiconductor device including an expanding method according to the present embodiment.
  • FIG. 1 (FIG. 1A and FIG. 1B), FIG. 2, FIG. 3 (FIG. 3A and FIG. 3B), and FIG. 4 (FIG. 4A and FIG. 4B) describe a method for manufacturing a semiconductor device including an expanding method according to the present embodiment.
  • FIG. 1 (FIG. 1A and FIG. 1B), FIG. 2, FIG. 3 (FIG. 3A and FIG. 3B), and FIG. 4 (FIG. 4A and FIG. 4B) describe a method for manufacturing a semiconductor device including an expanding method according to the present embodiment.
  • FIG. 4 (FIG. 4A and FIG. 4B) describe a method for manufacturing a semiconductor device including an expanding method according to the present embodiment.
  • the expanding method according to the present embodiment includes the following steps (P1) to (P3).
  • P1 A step of attaching the first adhesive sheet to the second wafer surface of the wafer having the first wafer surface and the second wafer surface.
  • the first adhesive sheet has a first adhesive layer and a first base material.
  • P2 A step of making a cut from the first wafer surface side, cutting the wafer and the first adhesive layer, and dividing into a plurality of chips.
  • the first wafer surface becomes the chip circuit surface
  • the second wafer surface becomes the chip back surface. Make a cut up to the first adhesive layer. If the cut has a predetermined depth, it may reach the first base material.
  • P3 A step of stretching the first pressure-sensitive adhesive sheet to widen the intervals between the plurality of chips.
  • FIG. 1A is a diagram for explaining the step (P1).
  • FIG. 1A shows a wafer W to which the first adhesive sheet 10 is attached.
  • the semiconductor wafer W has a circuit surface W1 as a first wafer surface and a back surface W3 as a second wafer surface.
  • a circuit W2 is formed on the circuit surface W1.
  • the semiconductor wafer W may be, for example, a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium/arsenic.
  • a method for forming the circuit W2 on the circuit surface W1 of the semiconductor wafer W a commonly used method can be used, and examples thereof include an etching method and a lift-off method.
  • the semiconductor wafer W is held on the first adhesive sheet 10.
  • a mode in which the process is advanced with the circuit surface W1 exposed will be described as an example, but as an example of another mode, for example, a protective member such as a protective sheet or a protective film may be provided on the circuit surface W1.
  • An example is a mode in which the process is carried out while being attached.
  • the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 has a first pressure-sensitive adhesive layer 12 and a first base material 11.
  • the 1st base material 11 which concerns on this embodiment is 300% or more, when the notch of a predetermined depth is made and the tensile elongation is measured.
  • the tensile elongation of the first base material 11 having the depth of cut of 50 ⁇ m is 300% or more. If the tensile elongation is 300% or more, the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be expanded as it is without being replaced with another pressure-sensitive adhesive sheet even if the first base material 11 has a notch having a depth of 50 ⁇ m in the dicing step. The distance between the semiconductor chips CP can be expanded without breaking the first adhesive sheet. It is preferable that the tensile elongation of the first base material 11 having a notch having a depth of 50 ⁇ m is 3000% or less.
  • the first base material 11 has the tensile elongation as described above, the first adhesive sheet does not break even when expanded. ..
  • the depth of the cut is preferably 85% or less, more preferably 70% or less, and further preferably 60% or less with respect to the thickness of the first base material 11.
  • the base material is cut into a size of 15 mm ⁇ 140 mm to obtain a test piece.
  • the tensile elongation at 23° C. is measured according to JIS K6732:2006. Specifically, the above test piece was set to a chuck distance of 100 mm with a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corporation, product name "Autograph AG-IS 500N"), and then subjected to a tensile test at a speed of 200 mm/min. Perform and measure the elongation (%).
  • the 1st base material 11 has the 1st base material surface 11a and the 1st base material back surface 11b on the opposite side to the 1st base material surface 11a (refer FIG. 2).
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on the first substrate surface 11a. Other details regarding the first adhesive sheet 10 will be described later.
  • the semiconductor wafer W prepared in the step (P1) is preferably a wafer obtained by undergoing a back grinding step.
  • the surface of the semiconductor wafer W opposite to the circuit surface W1 is ground until the wafer has a predetermined thickness.
  • the back surface W3 is preferably a surface formed by grinding the back surface of the semiconductor wafer W. A surface exposed after grinding the semiconductor wafer W is referred to as a back surface W3.
  • the method of grinding the semiconductor wafer W is not particularly limited, and examples thereof include known methods using a grinder or the like.
  • a back grind sheet an adhesive sheet called a back grind sheet to the circuit surface W1 in order to protect the circuit W2.
  • the circuit surface W1 side of the semiconductor wafer W that is, the back grinding sheet side is fixed by a chuck table or the like, and the back surface side where no circuit is formed is ground by a grinder.
  • the thickness of the semiconductor wafer W before grinding is not particularly limited and is usually 500 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less.
  • the thickness of the semiconductor wafer W after grinding is not particularly limited and is usually 20 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • the semiconductor wafer W prepared in the step (P1) is preferably a wafer obtained through the back grinding step and the sticking step of sticking the first adhesive sheet 10 to the back surface W3.
  • This attaching step may be referred to as a first adhesive sheet attaching step.
  • the semiconductor wafer W is divided into a plurality of semiconductor chips CP by dicing, and in the step (P3), the intervals between the plurality of semiconductor chips CP are expanded by expanding. ..
  • the first adhesive sheet 10 is attached to the back surface W3 in order to hold the semiconductor wafer W when dicing the semiconductor wafer W and to hold the semiconductor chip CP when expanding the adhesive sheet. To do.
  • FIG. 1B is a diagram for explaining the step (P2).
  • the process (P2) may be called a dicing process.
  • FIG. 1B shows a plurality of semiconductor chips CP held by the first adhesive sheet 10.
  • a cutting means such as a dicing saw is used for dicing.
  • the semiconductor wafer W with the first adhesive sheet 10 adhered to the back surface W3 is diced into individual pieces to form a plurality of semiconductor chips CP.
  • the circuit surface W1 as the first wafer surface corresponds to the circuit surface of the chip.
  • the back surface W3 as the second wafer surface corresponds to the chip back surface.
  • a cut is made from the circuit surface W1 side to cut the semiconductor wafer W, and further cut the first adhesive layer 12.
  • the cutting depth during dicing is not particularly limited as long as the semiconductor wafer W and the first adhesive layer 12 can be separated into individual pieces.
  • a mode in which the first base material 11 is cut as shown in FIG. 1B will be described as an example.
  • the present invention is not limited to such an aspect.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a part of the semiconductor wafer W and the first pressure-sensitive adhesive layer 12 cut in the dicing process in an enlarged manner.
  • a cut having a predetermined depth is made in the first base material 11.
  • the depth of cuts T2 from the first base material surface 11a side of the first base material 11 is set.
  • the thickness of the first base material 11 is T1.
  • the unit of T1 and T2 is ⁇ m (micrometer). T2 ⁇ 0.2 ⁇ T1 (Equation 1)
  • the laminated structure in which the individual first adhesive layer 12 is interposed between the plurality of semiconductor chips CP and the first base material 11 on the back surface W3 side of the semiconductor chip CP by the dicing process. can get.
  • FIG. 3A is a diagram for explaining the step (P3).
  • the step (P3) may be referred to as an expanding step.
  • FIG. 3A shows a state in which the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 is expanded after the dicing process to expand the intervals between the plurality of semiconductor chips CP.
  • the first adhesive sheet 10 is preferably an expanded sheet.
  • the first adhesive sheet 10 used in the dicing process is used as it is.
  • the first base material 11 has a cut of a predetermined depth, but the first base material 11 has a tensile elongation of 50 ⁇ m in depth. Since it is 300% or more, the first base material 11 does not break even if the expanding step is performed.
  • the method of stretching the first adhesive sheet 10 in the expanding step is not particularly limited.
  • a method of stretching the first adhesive sheet 10 for example, a method of pressing the annular or circular expander to stretch the first adhesive sheet 10 and a method of gripping the outer peripheral portion of the first adhesive sheet 10 using a gripping member or the like are used.
  • the spacing D1 between the plurality of semiconductor chips CP depends on the size of the semiconductor chips CP and is not particularly limited.
  • the distance D1 between the adjacent semiconductor chips CP is preferably 200 ⁇ m or more.
  • the upper limit of the interval between the semiconductor chips CP is not particularly limited.
  • the upper limit of the distance between the semiconductor chips CP may be 6000 ⁇ m, for example.
  • a step of irradiating the first pressure sensitive adhesive layer 12 with an energy ray to cure the first pressure sensitive adhesive layer 12 may be performed. preferable. This process may be called an "energy beam irradiation process.”
  • the energy ray with which the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is irradiated is appropriately selected according to the type of the energy ray-curable resin contained in the first pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • the first adhesive sheet 10 is irradiated with ultraviolet rays in the energy ray irradiation step.
  • the shape retention of the stretched first pressure-sensitive adhesive sheet 10 is improved.
  • the alignment of the plurality of semiconductor chips CP attached to the first adhesive layer 12 is easily maintained.
  • the timing of performing the energy ray irradiation step is preferably after the expanding step and before the peeling step of the first adhesive sheet described below. From the viewpoint of easily maintaining the alignment of the plurality of semiconductor chips CP, it is preferable that the energy beam irradiation step is performed after the expanding step and before the first transfer step.
  • FIG. 3B is a diagram illustrating a step of transferring the plurality of semiconductor chips CP attached to the first adhesive sheet 10 to the second adhesive sheet 20 (sometimes referred to as a “first transfer step”). It is shown.
  • the second adhesive sheet 20 is not particularly limited as long as it can hold a plurality of semiconductor chips CP.
  • the second pressure-sensitive adhesive sheet 20 has a second base material 21 and a second pressure-sensitive adhesive layer 22.
  • the second adhesive sheet 20 When it is desired to seal a plurality of semiconductor chips CP on the second adhesive sheet 20, it is preferable to use an adhesive sheet for the sealing step as the second adhesive sheet 20, and use an adhesive sheet having heat resistance. More preferable.
  • the second base material 21 and the second pressure-sensitive adhesive layer 22 each have heat resistance capable of withstanding the temperature imposed in the sealing step. It is preferably made of a material.
  • the second adhesive sheet 20 is attached to the circuit surface W1 of the plurality of semiconductor chips CP, and then the first adhesive sheet 10 is transferred from the back surface W3. Peeling is preferable.
  • FIG. 4A is a diagram illustrating a step of peeling the first adhesive sheet 10 from the back surface W3, and this step may be referred to as a first adhesive sheet peeling step. Even after the peeling step of the first adhesive sheet, it is preferable that the spacing D1 between the plurality of semiconductor chips CP expanded in the expanding step is maintained.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 of the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 contains an energy ray-curable resin from the viewpoint of suppressing adhesive residue on the back surface W3.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 contains an energy ray-curable resin
  • the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 is irradiated with energy rays to cure the energy ray-curable resin.
  • the energy ray curable resin is cured, the cohesive force of the adhesive component in the first adhesive layer 12 increases, and the adhesive force between the first adhesive layer 12 and the back surface W3 of the semiconductor chip CP is reduced or disappears. be able to.
  • the energy ray curable resin is preferably an ultraviolet curable resin. It is preferable that the first base material 11 be transparent to energy rays.
  • the second adhesive sheet 20 may be attached to the ring frame together with the plurality of semiconductor chips CP.
  • the ring frame is placed on the second adhesive layer 22 of the second adhesive sheet 20, and the ring frame is lightly pressed and fixed. Then, the second adhesive layer 22 exposed inside the ring shape of the ring frame is pressed against the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP to fix the plurality of semiconductor chips CP to the second adhesive sheet 20.
  • FIG. 4B is a diagram illustrating a step of sealing a plurality of semiconductor chips CP using the sealing member 300 (hereinafter, sometimes referred to as “sealing step”).
  • the sealing step is performed after the plurality of semiconductor chips CP have been transferred to the second adhesive sheet 20.
  • the sealing body 3 is formed by covering the plurality of semiconductor chips CP with the sealing member 300 while the circuit surface W1 is protected by the second adhesive sheet 20.
  • the sealing member 300 is also filled between the plurality of semiconductor chips CP. Since the circuit surface W1 and the circuit W2 are covered with the second adhesive sheet 20, it is possible to prevent the circuit surface W1 from being covered with the sealing member 300.
  • the sealing body 3 in which the plurality of semiconductor chips CP separated by a predetermined distance are embedded in the sealing member 300 is obtained.
  • the plurality of semiconductor chips CP be covered with the sealing member 300 in a state in which the interval D1 after performing the expanding process is maintained.
  • the second adhesive sheet 20 is peeled off.
  • the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP and the surface 3A of the sealing body 3 that was in contact with the second adhesive sheet 20 are exposed.
  • the transfer process and the expanding process are repeated any number of times to set the distance between the semiconductor chips CP to a desired distance, and to set the orientation of the circuit surface when sealing the semiconductor chips CP to the desired orientation. can do.
  • the circuit of the semiconductor chip CP and the external terminal electrode are electrically connected by the rewiring layer forming step and the external terminal electrode connecting step.
  • the sealing body 3 to which the external terminal electrodes are connected is separated into individual semiconductor chips CP.
  • the method for dividing the sealing body 3 into individual pieces is not particularly limited. By separating the sealing body 3 into individual pieces, a semiconductor package for each semiconductor chip CP is manufactured.
  • the semiconductor package having the fan-out external electrodes connected to the outside of the semiconductor chip CP is manufactured as a fan-out type wafer level package (FO-WLP).
  • the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 has a first base material 11 and a first pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on the first base material 11.
  • the constituent material of the first base material 11 is not particularly limited as long as it can properly function in a desired process such as an expanding process (for example, processes (P1) to (P3)).
  • the first base material 11 has a first base material surface 11a and a first base material back surface 11b.
  • the first base material back surface 11b is a surface opposite to the first base material front surface 11a.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is preferably provided on one surface of the first base material front surface 11a and the first base material rear surface 11b, and the other surface is provided with the pressure-sensitive adhesive layer. Preferably not.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is provided on the first base material surface 11a.
  • the material of the first base material 11 is preferably a thermoplastic elastomer or a rubber-based material, and more preferably a thermoplastic elastomer, from the viewpoint of being easily stretched greatly.
  • the material of the first base material 11 it is preferable to use a resin having a relatively low glass transition temperature (Tg) from the viewpoint of being easily stretched largely.
  • the glass transition temperature (Tg) of such a resin is preferably 90° C. or lower, more preferably 80° C. or lower, and further preferably 70° C. or lower.
  • thermoplastic elastomers examples include urethane elastomers, olefin elastomers, vinyl chloride elastomers, polyester elastomers, styrene elastomers, acrylic elastomers, and amide elastomers.
  • the thermoplastic elastomers may be used alone or in combination of two or more.
  • As the thermoplastic elastomer it is preferable to use a urethane elastomer from the viewpoint of being easily stretched largely.
  • Urethane elastomers are generally obtained by reacting a long-chain polyol, a chain extender, and a diisocyanate.
  • the urethane elastomer is composed of a soft segment having a constitutional unit derived from a long-chain polyol and a hard segment having a polyurethane structure obtained by the reaction of a chain extender and diisocyanate.
  • Urethane-based elastomers can be classified into polyester-based polyurethane elastomers, polyether-based polyurethane elastomers, and polycarbonate-based polyurethane elastomers by classifying them according to the type of long-chain polyol.
  • the urethane elastomer may be used alone or in combination of two or more.
  • the urethane-based elastomer is preferably a polyether-based polyurethane elastomer from the viewpoint of being easily stretched greatly.
  • long-chain polyols examples include lactone-based polyester polyols, polyester polyols such as adipate-based polyester polyols; polypropylene (ethylene) polyols and polyether polyols such as polytetramethylene ether glycol; polycarbonate polyols and the like.
  • the long-chain polyol is preferably an adipate-based polyester polyol from the viewpoint of being easily stretched greatly.
  • diisocyanates examples include 2,4-toluene diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, and hexamethylene diisocyanate.
  • the diisocyanate is preferably hexamethylene diisocyanate from the viewpoint of being easily stretched largely.
  • the chain extender includes low molecular weight polyhydric alcohols (eg, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, etc.), aromatic diamines, and the like. Of these, it is preferable to use 1,6-hexanediol from the viewpoint of being easily stretched greatly.
  • low molecular weight polyhydric alcohols eg, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, etc.
  • aromatic diamines eg. 1,6-hexanediol from the viewpoint of being easily stretched greatly.
  • olefin elastomer examples include ethylene/ ⁇ -olefin copolymer, propylene/ ⁇ -olefin copolymer, butene/ ⁇ -olefin copolymer, ethylene/propylene/ ⁇ -olefin copolymer, ethylene/butene/ ⁇ - Selected from the group consisting of olefin copolymers, propylene/butene- ⁇ olefin copolymers, ethylene/propylene/butene- ⁇ /olefin copolymers, styrene/isoprene copolymers, and styrene/ethylene/butylene copolymers.
  • An elastomer containing at least one resin may be mentioned.
  • the olefin elastomers may be used alone or in combination of two or more.
  • the density of the olefin elastomer is not particularly limited.
  • the density of the olefin elastomers 0.860 g / cm 3 or more is preferably less than 0.905g / cm 3, 0.862g / cm 3 or more, more is less than 0.900 g / cm 3 It is preferably 0.864 g/cm 3 or more and less than 0.895 g/cm 3 .
  • the density of the olefin-based elastomer satisfies the above range, the base material is excellent in unevenness followability and the like when a semiconductor device such as a semiconductor wafer as an adherend is attached to an adhesive sheet.
  • the olefin elastomer has a mass ratio (also referred to as “olefin content” in the present specification) of the monomer composed of the olefin compound in all the monomers used to form the elastomer of 50 mass %. As described above, it is preferably 100% by mass or less. If the olefin content is excessively low, the property as an elastomer containing a structural unit derived from olefin becomes difficult to appear, and the base material becomes difficult to exhibit flexibility and rubber elasticity. From the viewpoint of stably obtaining flexibility and rubber elasticity, the olefin content is preferably 50% by mass or more, and more preferably 60% by mass or more.
  • Styrene-based elastomers include styrene-conjugated diene copolymers and styrene-olefin copolymers.
  • Specific examples of the styrene-conjugated diene copolymer include styrene-butadiene copolymer, styrene-butadiene-styrene copolymer (SBS), styrene-butadiene-butylene-styrene copolymer, styrene-isoprene copolymer, Unhydrogenated styrene-conjugated diene copolymer such as styrene-isoprene-styrene copolymer (SIS), styrene-ethylene-isoprene-styrene copolymer, styrene-ethylene/propylene-styrene copolymer (S
  • styrene-based elastomer toughprene (manufactured by Asahi Kasei Corporation), Kraton (manufactured by Kraton Polymer Japan Co., Ltd.), Sumitomo TPE-SB (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), Epofriend (manufactured by Daicel Corporation ), Lavalon (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), Septon (manufactured by Kuraray Co., Ltd.), and Tuftec (manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.).
  • the styrene elastomer may be a hydrogenated product or an unhydrogenated product.
  • rubber materials include natural rubber, synthetic isoprene rubber (IR), butadiene rubber (BR), styrene-butadiene rubber (SBR), chloroprene rubber (CR), acrylonitrile-butadiene copolymer rubber (NBR), butyl rubber ( IIR), halogenated butyl rubber, acrylic rubber, urethane rubber, and polysulfide rubber.
  • IR synthetic isoprene rubber
  • BR butadiene rubber
  • SBR styrene-butadiene rubber
  • CR chloroprene rubber
  • NBR acrylonitrile-butadiene copolymer rubber
  • IIR butyl rubber
  • halogenated butyl rubber acrylic rubber, urethane rubber, and polysulfide rubber.
  • the rubber-based material may be used alone or in combination of two or more.
  • the first base material 11 may be a laminated film in which a plurality of films made of the above-mentioned materials (for example, thermoplastic elastomer or rubber-based material) are laminated.
  • the first base material 11 may be a laminated film in which a film made of the above-mentioned material (for example, a thermoplastic elastomer or a rubber-based material) and another film are laminated.
  • the first base material 11 may include an additive in the film containing the above resin-based material as a main material.
  • the additives include pigments, dyes, flame retardants, plasticizers, antistatic agents, lubricants, and fillers.
  • pigments include titanium dioxide and carbon black.
  • the filler include organic materials such as melamine resin, inorganic materials such as fumed silica, and metal materials such as nickel particles.
  • the content of the additive that may be contained in the film is not particularly limited, but it is preferable to keep it within the range in which the first base material 11 can exhibit a desired function.
  • the first base material 11 is treated on one or both sides of the first base material 11 to improve adhesion with the first pressure-sensitive adhesive layer 12 laminated on the surface of the first base material 11. Good.
  • the first base material 11 has permeability to energy rays.
  • the first base material 11 preferably has transparency to ultraviolet rays.
  • the first base material 11 preferably has electron beam transparency.
  • the thickness of the first base material 11 is not limited as long as the first adhesive sheet 10 can properly function in a desired process.
  • the thickness of the first base material 11 is preferably 60 ⁇ m or more, and more preferably 80 ⁇ m or more. Further, the thickness of the first base material 11 is preferably 250 ⁇ m or less, and more preferably 200 ⁇ m or less.
  • the thickness standard of the first base material 11 when the thickness is measured at a plurality of locations at intervals of 2 cm in the in-plane direction of the first base material surface 11a or the first base material back surface 11b of the first base material 11.
  • the deviation is preferably 2 ⁇ m or less, more preferably 1.5 ⁇ m or less, and further preferably 1 ⁇ m or less.
  • the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 has a highly accurate thickness, and the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be stretched uniformly.
  • the tensile elastic moduli of the first base material 11 in the MD direction and the CD direction are 10 MPa or more and 350 MPa or less, respectively, and at 23° C., the 100% stress of the first base material 11 in the MD direction and the CD direction is respectively. It is preferably 3 MPa or more and 20 MPa or less.
  • the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be greatly stretched.
  • the 100% stress of the first base material 11 is a value obtained as follows. A test piece having a size of 150 mm (length direction) ⁇ 15 mm (width direction) is cut out from the first base material 11.
  • the 100% stress of the first base material 11 is a value obtained by dividing the read tensile force measurement value by the cross-sectional area of the base material.
  • the cross-sectional area of the first base material 11 is calculated by the width direction length of 15 mm ⁇ the thickness of the first base material 11 (test piece).
  • the cutting is performed so that the flow direction (MD direction) or the direction orthogonal to the MD direction (CD direction) at the time of manufacturing the base material and the length direction of the test piece match.
  • the thickness of the test piece is not particularly limited and may be the same as the thickness of the base material to be tested.
  • the breaking elongation in the MD direction and the CD direction of the first base material 11 is preferably 100% or more.
  • the breaking elongations in the MD direction and the CD direction of the first base material 11 are 100% or more, the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be greatly stretched without breaking.
  • the tensile elastic modulus (MPa) of the substrate and the breaking elongation (%) of the substrate can be measured as follows.
  • the substrate is cut into 15 mm ⁇ 140 mm to obtain a test piece.
  • the elongation at break and the tensile elastic modulus at 23° C. are measured according to JIS K7161:2014 and JIS K7127:1999.
  • the above test piece was set to a chuck distance of 100 mm with a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corporation, product name "Autograph AG-IS 500N") and then pulled at a speed of 200 mm/min.
  • a test is conducted to measure the elongation at break (%) and the tensile elastic modulus (MPa).
  • the measurement is performed in both the flow direction (MD) at the time of manufacturing the base material and the direction (CD) perpendicular thereto.
  • the constituent material of the first adhesive layer 12 is not particularly limited as long as it can properly function in a desired process such as an expanding process.
  • Examples of the adhesive contained in the first adhesive layer 12 include rubber-based adhesives, acrylic-based adhesives, silicone-based adhesives, polyester-based adhesives, and urethane-based adhesives.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably contains an energy ray curable resin (ax1).
  • the energy ray-curable resin (ax1) has an energy ray-curable double bond in the molecule.
  • the pressure-sensitive adhesive layer containing the energy ray-curable resin is cured by irradiation with energy rays and its adhesive strength is reduced. When it is desired to separate the adherend and the pressure-sensitive adhesive sheet, they can be easily separated by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with energy rays.
  • the energy ray curable resin (ax1) is preferably a (meth)acrylic resin.
  • the energy ray curable resin (ax1) is preferably an ultraviolet curable resin, and more preferably an ultraviolet curable (meth)acrylic resin.
  • the energy ray curable resin (ax1) is a resin that is polymerized and cured when it is irradiated with energy rays.
  • energy rays include ultraviolet rays and electron rays.
  • Examples of the energy ray curable resin (ax1) include low molecular weight compounds having an energy ray polymerizable group (monofunctional monomers, polyfunctional monomers, monofunctional oligomers, and polyfunctional oligomers).
  • the energy ray-curable resin (ax1) is specifically trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4- Butylene glycol diacrylate, acrylates such as 1,6-hexanediol diacrylate, cycloaliphatic skeleton-containing acrylates such as dicyclopentadiene dimethoxydiacrylate, and isobornyl acrylate, and polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane Acrylate compounds such as acrylate oligomer, epoxy modified acrylate, polyether acrylate, and itaconic acid oligomer are used.
  • the energy ray curable resin (a1) may be used alone or in combination of two or more.
  • the molecular weight of the energy ray curable resin (ax1) is usually 100 or more and 30,000 or less, preferably 300 or more and 10,000 or less.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably further contains a (meth)acrylic copolymer (b1).
  • the (meth)acrylic copolymer is different from the energy ray curable resin (ax1) described above.
  • the (meth)acrylic copolymer (b1) preferably has an energy ray-curable carbon-carbon double bond. That is, in the present embodiment, the first pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably contains the energy ray curable resin (ax1) and the energy ray curable (meth)acrylic copolymer (b1).
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably contains the energy ray-curable resin (ax1) in an amount of 10 parts by mass or more based on 100 parts by mass of the (meth)acrylic copolymer (b1), and 20 parts by mass.
  • the content is more preferably in the above proportion, and further preferably in the proportion of 25 parts by mass or more.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably contains the energy ray-curable resin (ax1) in an amount of 80 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the (meth)acrylic copolymer (b1), and 70 parts by mass.
  • the content is more preferably the following ratio, and further preferably 60 parts by mass or less.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the (meth)acrylic copolymer (b1) is preferably 10,000 or more, more preferably 150,000 or more, and further preferably 200,000 or more.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the (meth)acrylic copolymer (b1) is preferably 1,500,000 or less, more preferably 1,000,000 or less.
  • the weight average molecular weight (Mw) in this specification is the value of standard polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography method (GPC method).
  • the (meth)acrylic copolymer (b1) is a (meth)acrylic acid ester polymer (b2) (hereinafter referred to as “energy” in which a functional group having energy ray curability (energy ray curable group) is introduced into a side chain. It may be referred to as a "curable polymer (b2)").
  • the energy ray-curable polymer (b2) is obtained by reacting an acrylic copolymer (b21) having a functional group-containing monomer unit with an unsaturated group-containing compound (b22) having a functional group bonded to the functional group. It is preferably a copolymer obtained as described above.
  • (meth)acrylic acid ester means both acrylic acid ester and methacrylic acid ester. The same applies to other similar terms.
  • the acrylic copolymer (b21) preferably contains a structural unit derived from a functional group-containing monomer and a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester monomer or a derivative of a (meth)acrylic acid ester monomer. ..
  • the functional group-containing monomer as a constituent unit of the acrylic copolymer (b21) is preferably a monomer having a polymerizable double bond and a functional group in the molecule.
  • the functional group is preferably at least one functional group selected from the group consisting of a hydroxy group, a carboxy group, an amino group, a substituted amino group, an epoxy group and the like.
  • hydroxy group-containing monomer examples include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl ( Examples thereof include (meth)acrylate and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate.
  • the hydroxy group-containing monomer may be used alone or in combination of two or more.
  • carboxy group-containing monomer examples include ethylenically unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, itaconic acid, and citraconic acid.
  • carboxy group-containing monomer is used alone or in combination of two or more.
  • amino group-containing monomer or the substituted amino group-containing monomer examples include aminoethyl (meth)acrylate and n-butylaminoethyl (meth)acrylate.
  • the amino group-containing monomer or the substituted amino group-containing monomer may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the (meth)acrylic acid ester monomer that constitutes the acrylic copolymer (b21) include alkyl (meth)acrylates having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, as well as, for example, an alicyclic structure in the molecule.
  • a monomer having a (alicyclic structure-containing monomer) is preferably used.
  • alkyl (meth)acrylate an alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 1 to 18 carbon atoms is preferable.
  • the alkyl(meth)acrylate is more preferably, for example, methyl(meth)acrylate, ethyl(meth)acrylate, propyl(meth)acrylate, n-butyl(meth)acrylate, 2-ethylhexyl(meth)acrylate, or the like.
  • Alkyl (meth)acrylate is used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • Examples of the alicyclic structure-containing monomer include cyclohexyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, adamantyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, and dicyclopentenyl (meth)acrylate. , And dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate are preferably used.
  • the alicyclic structure-containing monomer may be used alone or in combination of two or more.
  • the acrylic copolymer (b21) preferably contains the structural unit derived from the functional group-containing monomer in a proportion of 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more. It is more preferable that the content is at least mass %.
  • the acrylic copolymer (b21) preferably contains the structural unit derived from the functional group-containing monomer in a proportion of 35% by mass or less, more preferably 30% by mass or less. It is more preferable that the content is 25 mass% or less.
  • the acrylic copolymer (b21) preferably contains a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester monomer or a derivative thereof in a proportion of 50% by mass or more, and a proportion of 60% by mass or more. Is more preferable, and it is further preferable that the content is 70% by mass or more.
  • the acrylic copolymer (b21) preferably contains a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester monomer or a derivative thereof in a proportion of 99% by mass or less, and a proportion of 95% by mass or less. Is more preferable, and it is further preferable that the content is 90% by mass or less.
  • the acrylic copolymer (b21) is obtained by copolymerizing the functional group-containing monomer as described above and the (meth)acrylic acid ester monomer or a derivative thereof by a conventional method.
  • the acrylic copolymer (b21) may contain at least one structural unit selected from the group consisting of dimethylacrylamide, vinyl formate, vinyl acetate, and styrene, in addition to the above-mentioned monomers. ..
  • the energy ray-curable polymer (b2) is obtained by reacting the acrylic copolymer (b21) having the functional group-containing monomer unit with the unsaturated group-containing compound (b22) having a functional group bonded to the functional group. ) Is obtained.
  • the functional group of the unsaturated group-containing compound (b22) can be appropriately selected according to the type of functional group of the functional group-containing monomer unit of the acrylic copolymer (b21).
  • the functional group of the acrylic copolymer (b21) is a hydroxy group, an amino group or a substituted amino group
  • the functional group of the unsaturated group-containing compound (b22) is preferably an isocyanate group or an epoxy group
  • an acrylic group When the functional group contained in the copolymer (b21) is an epoxy group, the functional group contained in the unsaturated group-containing compound (b22) is preferably an amino group, a carboxy group or an aziridinyl group.
  • the unsaturated group-containing compound (b22) contains at least one energy ray-polymerizable carbon-carbon double bond in one molecule, preferably one or more and 6 or less, and preferably one or more and 4 or less. It is more preferable to include the following.
  • Examples of the unsaturated group-containing compound (b22) include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (2-isocyanatoethyl methacrylate), meta-isopropenyl- ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, 1,1 -(Bisacryloyloxymethyl)ethyl isocyanate; an acryloyl monoisocyanate compound obtained by reacting a diisocyanate compound or polyisocyanate compound with hydroxyethyl (meth)acrylate; a diisocyanate compound or polyisocyanate compound, a polyol compound, and hydroxyethyl ( Acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction with (meth)acrylate; glycidyl (meth)acrylate; (meth)acrylic acid, 2-(1-aziridinyl)ethyl (meth)acrylate,
  • the unsaturated group-containing compound (b22) is preferably used in a proportion (addition rate) of 50 mol% or more, and 60 mol% relative to the number of moles of the functional group-containing monomer of the acrylic copolymer (b21). It is more preferably used in the above ratio, and further preferably used in a ratio of 70 mol% or more. Further, the unsaturated group-containing compound (b22) is preferably used in a proportion of 95 mol% or less, and in a proportion of 93 mol% or less, with respect to the number of moles of the functional group-containing monomer of the acrylic copolymer (b21). It is more preferably used, and further preferably used in a proportion of 90 mol% or less.
  • the functional group of the acrylic copolymer (b21) and the functional group of the unsaturated group-containing compound (b22) can be appropriately selected.
  • the functional group of the acrylic copolymer (b21) reacts with the functional group of the unsaturated group-containing compound (b22), and the unsaturated group becomes a side chain of the acrylic copolymer (b21). This is introduced to obtain the energy ray-curable polymer (b2).
  • the weight average molecular weight (Mw) of the energy ray-curable polymer (b2) is preferably 10,000 or more, more preferably 150,000 or more, and further preferably 200,000 or more.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the energy ray-curable polymer (b2) is preferably 1,500,000 or less, more preferably 1,000,000 or less.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 contains a UV-curable compound (for example, a UV-curable resin)
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably contains a photopolymerization initiator (C).
  • the photopolymerization initiator (C) the polymerization curing time and the light irradiation amount can be reduced.
  • the photopolymerization initiator (C) include a benzoin compound, an acetophenone compound, an acylphosphinoxide compound, a titanocene compound, a thioxanthone compound and a peroxide compound.
  • examples of the photopolymerization initiator (C) include photosensitizers such as amine and quinone. More specific photopolymerization initiators (C) include, for example, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin.
  • Ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl phenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyrol nitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone and bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide Can be mentioned.
  • the photopolymerization initiator (C) one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • the compounding amount of the photopolymerization initiator (C) is preferably 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, and 0.03 parts by mass or more and 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. Is more preferable, and it is further preferable that the amount is 0.05 parts by mass or more and 5 parts by mass or less.
  • the photopolymerization initiator (C) is an energy ray-curable resin (ax1) when the energy ray-curable resin (ax1) and the (meth)acrylic copolymer (b1) are mixed in the pressure-sensitive adhesive layer. Further, it is preferably used in an amount of 0.1 parts by mass or more, more preferably 0.5 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the total amount of the (meth)acrylic copolymer (b1). preferable. Further, the photopolymerization initiator (C) is used as the energy ray-curable resin (ax1) when the energy ray-curable resin (ax1) and the (meth)acrylic copolymer (b1) are mixed in the pressure-sensitive adhesive layer. ) And (meth)acrylic copolymer (b1) are used in an amount of 10 parts by mass or less, more preferably 6 parts by mass or less, based on 100 parts by mass in total.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer 12 may appropriately contain other components in addition to the above components.
  • examples of other components include a cross-linking agent (E) and the like.
  • ⁇ Crosslinking agent (E) As the cross-linking agent (E), a polyfunctional compound having reactivity with a functional group of the (meth)acrylic copolymer (b1) or the like can be used.
  • the polyfunctional compound in the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 include isocyanate compounds, epoxy compounds, amine compounds, melamine compounds, aziridine compounds, hydrazine compounds, aldehyde compounds, oxazoline compounds, metal alkoxide compounds, metal chelate compounds, metal salts. , Ammonium salts, reactive phenolic resins and the like.
  • the amount of the cross-linking agent (E) compounded is preferably 0.01 parts by mass or more, and more preferably 0.03 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the (meth)acrylic copolymer (b1). More preferably, it is more preferably 0.04 parts by mass or more.
  • the amount of the cross-linking agent (E) compounded is preferably 8 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or less, relative to 100 parts by mass of the (meth)acrylic copolymer (b1). More preferably, it is 3.5 parts by mass or less.
  • the thickness of the first adhesive layer 12 is not particularly limited.
  • the thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is preferably, for example, 10 ⁇ m or more, and more preferably 20 ⁇ m or more. Further, the thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is preferably 150 ⁇ m or less, more preferably 100 ⁇ m or less.
  • the restoration rate of the first adhesive sheet 10 is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 85% or more.
  • the restoration rate of the first adhesive sheet 10 is preferably 100% or less.
  • the recovery rate is obtained by grabbing both ends in the length direction with a gripper so that the length between the grippers is 100 mm in a test piece obtained by cutting out an adhesive sheet into 150 mm (length direction) ⁇ 15 mm (width direction), Then, pull at a speed of 200 mm/min until the length between the grips reaches 200 mm, hold for 1 minute with the length between the grips expanded to 200 mm, and then the length between the grips is 100 mm.
  • the restoration rate is within the above range, it means that the pressure-sensitive adhesive sheet is easily restored even after being greatly stretched.
  • the sheet undergoes plastic deformation, and the plastically deformed portion, that is, the extremely stretched portion is unevenly distributed.
  • the expand becomes non-uniform even if the above-mentioned extremely stretched portion breaks or does not break.
  • the slope dx/dy does not take a stress value that changes from a positive value to 0 or a negative value, and a clear yield point.
  • the sheet is plastically deformed as the tensile amount increases, and similarly, the sheet is fractured or the expansion becomes uneven.
  • the restoration rate which is an index showing how much the sheet is restored after 100% elongation, which is a sufficiently large tensile amount, is within the above range, the plastic deformation of the film is minimized when the adhesive sheet is largely stretched. It is suppressed, breakage hardly occurs, and uniform expansion becomes possible.
  • a release sheet may be attached to the surface of the first adhesive sheet 10.
  • the release sheet is specifically attached to the surface of the first adhesive layer 12 of the first adhesive sheet 10.
  • the release sheet protects the first pressure-sensitive adhesive layer 12 during transportation and storage by being attached to the surface of the first pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • the release sheet is releasably attached to the first adhesive sheet 10, and is peeled off and removed from the first adhesive sheet 10 before the first adhesive sheet 10 is used.
  • a release sheet having at least one surface subjected to a release treatment is used.
  • a release sheet including a release sheet base material and a release agent layer formed by applying a release agent on the surface of the base material can be mentioned.
  • a resin film is preferable as the base material for the release sheet.
  • the resin forming the resin film as the release sheet substrate include polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin and polyethylene naphthalate resin, and polyolefin resins such as polypropylene resin and polyethylene resin.
  • the release agent include rubber-based elastomers such as silicone-based resins, olefin-based resins, isoprene-based resins, and butadiene-based resins, long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, and fluorine-based resins.
  • the thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the method for producing the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 and other pressure-sensitive adhesive sheets described in the present specification is not particularly limited and can be produced by a known method.
  • the pressure-sensitive adhesive layer provided on the release sheet can be attached to one surface of the base material to produce a pressure-sensitive adhesive sheet having the release sheet attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the buffer layer provided on the release sheet and the base material are attached to each other, and the release sheet is removed to obtain a laminate of the buffer layer and the base material.
  • the pressure-sensitive adhesive layer provided on the release sheet is attached to the base material side of the laminate to manufacture a pressure-sensitive adhesive sheet in which the release sheet is attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the adhesive layer is formed on the buffer layer.
  • the release sheet attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer may be appropriately peeled and removed before the use of the pressure-sensitive adhesive sheet.
  • a pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer and, if desired, a coating liquid further containing a solvent or a dispersion medium are prepared.
  • the coating liquid is applied to one surface of the base material by a coating means to form a coating film.
  • the coating means include a die coater, a curtain coater, a spray coater, a slit coater, and a knife coater.
  • the pressure-sensitive adhesive layer can be formed by drying the coating film.
  • the properties of the coating liquid are not particularly limited as long as the coating liquid can be applied.
  • the coating liquid may contain a component for forming the pressure-sensitive adhesive layer as a solute, or may contain a component for forming the pressure-sensitive adhesive layer as a dispersoid.
  • the pressure-sensitive adhesive composition may be directly applied on one surface of the substrate or on the buffer layer to form the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the following method can be given as another more specific example of the method for manufacturing an adhesive sheet.
  • a coating liquid is applied on the release surface of the release sheet to form a coating film.
  • the coating film is dried to form a laminate including the pressure-sensitive adhesive layer and the release sheet.
  • a substrate may be attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of this laminate, which is opposite to the surface on the release sheet side, to obtain a laminate of the pressure-sensitive adhesive sheet and the release sheet.
  • the release sheet in this laminate may be released as a process material, and may protect the adhesive layer until an adherend (for example, a semiconductor chip, a semiconductor wafer, etc.) is attached to the adhesive layer. Good.
  • the coating liquid contains a cross-linking agent
  • the conditions for drying the coating film for example, temperature, time, etc.
  • the cross-linking reaction between the (meth)acrylic copolymer and the cross-linking agent may proceed to form a cross-linking structure in the pressure-sensitive adhesive layer with a desired existing density.
  • the obtained pressure-sensitive adhesive sheet is allowed to stand in an environment of, for example, 23° C. and a relative humidity of 50% for several days. You may perform curing such as placing.
  • the thickness of the first adhesive sheet 10 is preferably 60 ⁇ m or more, more preferably 70 ⁇ m or more, and further preferably 80 ⁇ m or more.
  • the thickness of the first adhesive sheet 10 is preferably 400 ⁇ m or less, more preferably 300 ⁇ m or less.
  • the expanding method according to the present embodiment by using the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 having the first base material 11 and the first pressure-sensitive adhesive layer 12, the dicing step and the expanding step are performed using one pressure-sensitive adhesive sheet (first pressure-sensitive adhesive sheet). It can be carried out on sheet 10). That is, according to the expanding method according to the present embodiment, it is not necessary to reattach the pressure-sensitive adhesive sheet for each step as in the conventional process, and the process can be simplified.
  • the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 since the tensile elongation of the first base material 11 in which a cut having a depth of 50 ⁇ m is made is 300% or more, the cut of the predetermined depth is made in the first base material 11 in the dicing process. Even if the first adhesive sheet 10 is expanded in the expanding step as it is, the gap between the plurality of semiconductor chips CP can be expanded without breaking the first adhesive sheet 10. Therefore, as compared with the conventional pressure-sensitive adhesive sheet (pressure-sensitive adhesive sheet in which a pressure-sensitive adhesive layer and two base material layers are laminated), the first pressure-sensitive adhesive sheet 10 has a simple tape structure and can also simplify the process. Furthermore, according to the present embodiment, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device including the expanding method according to the present embodiment.
  • a circuit or the like on a semiconductor wafer or a semiconductor chip is not limited to the illustrated arrangement or shape.
  • the connection structure with the external terminal electrodes in the semiconductor package is not limited to the aspect described in the above embodiment.
  • the mode of manufacturing the FO-WLP type semiconductor package has been described as an example, but the present invention is also applicable to the mode of manufacturing other semiconductor packages such as the fan-in type WLP.
  • the dicing in the dicing process may be performed by irradiating the semiconductor wafer with laser light instead of using the above cutting means.
  • the semiconductor wafer may be completely divided into a plurality of semiconductor chips by irradiation with laser light.
  • laser light irradiation may be performed from either side of the semiconductor wafer.
  • the addition rate was 90 mol% of 2-isocyanatoethyl methacrylate with respect to 100 mol% of 2HEA of the acrylic copolymer.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the obtained resin (acrylic A) was 600,000, and Mw/Mn was 4.5.
  • the weight average molecular weight Mw and the number average molecular weight Mn in terms of standard polystyrene were measured by gel permeation chromatography (GPC) method, and the molecular weight distribution (Mw/Mn) was determined from the respective measured values.
  • a system crosslinking agent (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., product name "Coronate L") was added. 50 parts by mass of the UV resin A and 0.2 part by mass of the crosslinking agent were added to 100 parts by mass of the solid content in the adhesive main agent. After the addition, the mixture was stirred for 30 minutes to prepare pressure-sensitive adhesive composition A1.
  • the prepared solution of the pressure-sensitive adhesive composition A1 was applied to a polyethylene terephthalate (PET)-based release film (manufactured by Lintec Co., Ltd., product name “SP-PET381031”, thickness 38 ⁇ m) and dried to give an adhesive having a thickness of 40 ⁇ m.
  • the agent layer was formed on the release film.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be referred to as a first pressure-sensitive adhesive layer in correspondence with the description in the above-described embodiment.
  • this base material may be referred to as the first base material in correspondence with the description in the above embodiment.
  • a notch having a depth of 50 ⁇ m was made in the first base material and the tensile elongation of the first base material was measured, it was 300% or more. According to the above-described method of measuring tensile elongation, the tensile elongation of the first base material after making the notch was measured.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet SA1 obtained in Example 1 was cut into 210 mm ⁇ 210 mm to obtain a test sheet. At this time, each side of the sheet after cutting was cut so as to be parallel or perpendicular to the MD direction of the first base material in the pressure-sensitive adhesive sheet. The release film of the test sheet was peeled off, and a 6-inch silicon wafer was attached to the exposed central portion of the first pressure-sensitive adhesive layer. Next, the 6-inch silicon wafer was diced to obtain a total of 25 chips each having a size of 3 mm ⁇ 3 mm. A total of 25 chips obtained by dicing were arranged in 5 rows in the X-axis direction and 5 rows in the Y-axis direction. During the dicing of the silicon wafer, the test sheet was also cut into a depth of 50 ⁇ m.
  • FIG. 5 shows a plan view for explaining the expanding device 100.
  • the X axis and the Y axis are orthogonal to each other, and the positive direction of the X axis is the +X axis direction, the negative direction of the X axis is the ⁇ X axis direction, and the positive direction of the Y axis. Is the +Y axis direction, and the negative direction of the Y axis is the ⁇ Y axis direction.
  • the test sheet 200 was installed in the expanding device 100 so that each side was parallel to the X axis or the Y axis. As a result, the MD direction of the base material in the test sheet 200 is parallel to the X axis or the Y axis.
  • the chip is omitted in FIG.
  • the expanding device 100 includes five holding means 101 (20 holding means 101 in total) in each of the +X axis direction, the ⁇ X axis direction, the +Y axis direction, and the ⁇ Y axis direction.
  • the holding means 101A is located at both ends
  • the holding means 101C is located in the center
  • the holding means 101B is located between the holding means 101A and the holding means 101C.
  • Each side of the test sheet 200 was held by these holding means 101.
  • one side of the test sheet 200 is 210 mm.
  • the distance between the holding means 101 on each side is 40 mm.
  • the distance between the end portion (vertex of the sheet) on one side of the test sheet 200 and the holding means 101A existing on the side and closest to the end portion is 25 mm.
  • a plurality of tension applying means (not shown) corresponding to each of the holding means 101 were driven to move the holding means 101 independently.
  • the four sides of the test sheet were gripped and fixed with a jig, and the test sheet was expanded in the X-axis direction and the Y-axis direction at a speed of 5 mm/s and an expansion amount of 200 mm.
  • the expanded state of the test sheet 200 was held by the ring frame. While maintaining the expanded state, the distance between the chips was measured with a digital microscope, and the average value of the distances between the chips was taken as the chip interval. If the chip interval was 1800 ⁇ m or more, it was judged as pass “A”, and if the chip interval was less than 1800 ⁇ m, it was judged as fail “B”.
  • FIG. 6 shows a schematic diagram of a specific measuring method.
  • One row in which five chips were arranged in the X-axis direction was selected, and the distance Dy between the top end of the chip and the bottom end of the chip in the row was measured with a digital microscope.
  • the deviation rate in the Y-axis direction was calculated based on the following mathematical formula (Equation 3).
  • Sy is a chip size in the Y-axis direction and is 3 mm in this embodiment.
  • Deviation rate in the Y-axis direction [%] [(Dy ⁇ Sy)/2]/Sy ⁇ 100...
  • the gap between the plurality of semiconductor chips CP could be expanded without breaking the adhesive sheet. Further, the evaluation result of the chip interval after expanding the pressure-sensitive adhesive sheet was a pass “A” judgment, and the evaluation result of the chip alignment was a pass “A” judgment.

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Abstract

第１ウエハ面と第２ウエハ面とを有するウエハの第２ウエハ面に、第１粘着剤層（１２）と第１基材（１１）とを有する第１粘着シート（１０）が貼着され、深さ５０μｍの切込みを入れた第１基材（１１）の引張伸度が３００％以上であり、第１ウエハ面側から切込みを入れて、ウエハを複数のチップ（ＣＰ）に個片化し、さらに第１粘着シート（１０）の第１粘着剤層（１２）を切断し、第１粘着シート（１０）を伸張させて、複数のチップの間隔（ＣＰ）を拡げる、エキスパンド方法。

Description

エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法
　本発明は、エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法に関する。
　近年、電子機器の小型化、軽量化、及び高機能化が進んでいる。電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化、及び高密度化が求められている。半導体チップは、そのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、チップスケールパッケージ（Ｃｈｉｐ　Ｓｃａｌｅ　Ｐａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）と称されることもある。ＣＳＰの一つとして、ウエハレベルパッケージ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ；ＷＬＰ）が挙げられる。ＷＬＰにおいては、ダイシングにより個片化する前に、ウエハに外部電極等を形成し、最終的にはウエハをダイシングして、個片化する。ＷＬＰとしては、ファンイン（Ｆａｎ－Ｉｎ）型とファンアウト（Ｆａｎ－Ｏｕｔ）型が挙げられる。ファンアウト型のＷＬＰ（以下、「ＦＯ－ＷＬＰ」と略記する場合がある。）においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止部材で覆って半導体チップ封止体を形成し、再配線層や外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止部材の表面領域においても形成する。
　例えば、特許文献１には、半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップについて、その回路形成面を残し、モールド部材を用いて周りを囲んで拡張ウエハを形成し、半導体チップ外の領域に再配線パターンを延在させて形成する半導体パッケージの製造方法が記載されている。特許文献１に記載の製造方法において、個片化された複数の半導体チップをモールド部材で囲う前に、エキスパンド用のウエハマウントテープに貼り替え、ウエハマウントテープを展延して複数の半導体チップの間の距離を拡大させている。
　また、特許文献２には、第二基材層と、第一基材層と、第一粘着剤層と、をこの順に備え、第二基材層の破断伸度が４００％以上である粘着シートが記載されている。特許文献２に記載の半導体装置の製造方法は、この粘着シートの第一粘着剤層に半導体ウエハを貼着する工程と、半導体ウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、粘着シートを引き延ばして、半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える。
国際公開第２０１０／０５８６４６号 特開２０１７－０７６７４８号公報
　特許文献１に記載の製造方法では、半導体ウエハを個片化する際に用いるテープと、半導体チップの間の距離を拡大させるためにテープをエキスパンドする際に用いるテープとが異なるため、テープを貼り換える必要がある。
　特許文献２に記載の半導体装置の製造方法では、半導体ウエハを個片化する際に用いる粘着シートと、半導体チップの間の距離を拡大させる際に用いる粘着シートとが同じである。しかしながら、特許文献２で用いる粘着シートは、第二基材層と、第一基材層と、第一粘着剤層と、を積層させたシート構成であるため、より簡略なテープ構成でダイシング及びエキスパンド可能な方法に対する要望がある。また、特許文献２に記載のプロセスでは、ダイシングの際のダイシングブレードが第二基材層に到達しないように、ダイシングブレードの切込み深さを慎重に制御する必要がある。そのため、より簡略化したエキスパンド方法に対する要望もある。
　本発明の目的は、従来に比べてテープ構成及びプロセスを簡略化したエキスパンド方法を提供すること、並びに当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供することである。
　本発明の一態様によれば、第１ウエハ面と前記第１ウエハ面の反対側の第２ウエハ面とを有するウエハの前記第２ウエハ面に、第１粘着剤層と第１基材とを有する第１粘着シートが貼着され、深さ５０μｍの切込みを入れた前記第１基材の引張伸度が３００％以上であり、前記第１ウエハ面側から切込みを入れて、前記ウエハを複数のチップに個片化し、さらに前記第１粘着シートの前記第１粘着剤層を切断し、前記第１粘着シートを伸張させて、前記複数のチップの間隔を拡げる、エキスパンド方法が提供される。
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記切込みは、前記第１ウエハ面側から前記第１基材に到達するまでの深さで形成することが好ましい。
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１基材の厚さがＴ１であり、前記第１基材に入れられた前記切込みの深さＴ２が０．２×Ｔ１以下であることが好ましい。
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１基材は、熱可塑性エラストマーを含有することが好ましい。
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１基材は、ウレタン系エラストマーを含有することが好ましい。
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１粘着剤層は、エネルギー線硬化性樹脂を含有することが好ましい。
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１粘着シートを伸張させて、前記複数のチップの間隔を拡げた後、前記第１粘着剤層にエネルギー線を照射して前記第１粘着剤層を硬化させることが好ましい。
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１粘着シートは、エキスパンドシートであることが好ましい。
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記ウエハは、半導体ウエハであることが好ましい。
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１ウエハ面は、回路を有することが好ましい。
　本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法が提供される。
　本発明の一態様によれば、従来に比べてテープ構成及びプロセスを簡略化したエキスパンド方法を提供できる。本発明の別の一態様によれば、当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。 第１実施形態に係る製造方法を説明する一部拡大断面図である。 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。 実施例で使用した２軸延伸エキスパンド装置を説明する平面図である。 チップ整列性の測定方法を説明するための概略図である。
〔第１実施形態〕
　以下、本実施形態に係るエキスパンド方法及び当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法について説明する。
　図１（図１Ａ及び図１Ｂ）、図２、図３（図３Ａ及び図３Ｂ）及び図４（図４Ａ及び図４Ｂ）は、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を説明する断面概略図である。
　本実施形態に係るエキスパンド方法は、次の工程（Ｐ１）～（Ｐ３）の工程を備える。（Ｐ１）第１ウエハ面及び第２ウエハ面を有するウエハの第２ウエハ面に第１粘着シートを貼付する工程。第１粘着シートは、第１粘着剤層と第１基材とを有する。
（Ｐ２）第１ウエハ面側から切込みを入れて、ウエハ及び第１粘着剤層を切断し、複数のチップに個片化する工程。第１ウエハ面がチップの回路面になり、第２ウエハ面がチップ裏面となる。切込みを第１粘着剤層まで入れる。所定の深さの切込みであれば、第１基材まで到達してもよい。
（Ｐ３）第１粘着シートを伸張させて、複数のチップの間隔を拡げる工程。
　図１Ａは、工程（Ｐ１）を説明するための図である。図１Ａには、第１粘着シート１０が貼着されたウエハＷが記載されている。
　半導体ウエハＷは、第１ウエハ面としての回路面Ｗ１と、第２ウエハ面としての裏面Ｗ３と、を有する。回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。
　半導体ウエハＷは、例えば、シリコンウエハであってもよいし、ガリウム・砒素等の化合物半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に回路Ｗ２を形成する方法としては、汎用されている方法が挙げられ、例えば、エッチング法及びリフトオフ法等が挙げられる。
　半導体ウエハＷは、第１粘着シート１０の上に保持されている。本実施形態では、回路面Ｗ１が露出した状態でプロセスを進める態様を例に挙げて説明するが、その他の態様の例としては、例えば、回路面Ｗ１に保護シート又は保護膜等の保護部材が貼着された状態でプロセスを進める態様が挙げられる。
　第１粘着シート１０は、第１粘着剤層１２と第１基材１１とを有する。
　本実施形態に係る第１基材１１は、所定深さの切込みを入れて引張伸度を測定したときに、３００％以上である。具体的には、深さ５０μｍの切込みを入れた第１基材１１の引張伸度が３００％以上であることが好ましい。当該引張伸度が３００％以上であれば、ダイシング工程で第１基材１１に深さ５０μｍの切込みが入っても、別の粘着シートに貼り換えることなくそのまま第１粘着シート１０をエキスパンドして、第１粘着シートが破断することなく半導体チップＣＰ同士の間隔を拡張できる。深さ５０μｍの切込みを入れた第１基材１１の引張伸度は、３０００％以下であることが好ましい。
　例えば、厚さ６０μｍの第１基材に対して、深さ５０μｍの切込みが形成されている場合、すなわち、第１基材１１の厚さ６０μｍに対して、約８３％（５０μｍ／６０μｍ≒０．８３）の深さの切込みが形成されている場合であっても、第１基材１１が上述のような引張伸度を有していれば、エキスパンドしても第１粘着シートは破断しない。切込みの深さは、第１基材１１の厚さに対して、８５％以下であることが好ましく、７０％以下であることがより好ましく、６０％以下であることがさらに好ましい。
（引張伸度の測定方法）
　基材を１５ｍｍ×１４０ｍｍのサイズに裁断して試験片を得る。この試験片について、ＪＩＳ　Ｋ６７３２:２００６に準拠して、２３℃における引張伸度を測定する。具体的には、上記試験片を、引張試験機（島津製作所製，製品名「オートグラフＡＧ－ＩＳ　５００Ｎ」）にて、チャック間距離１００ｍｍに設定した後、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張試験を行い、伸度（％）を測定する。
　第１基材１１は、第１基材表面１１ａと、第１基材表面１１ａとは反対側の第１基材裏面１１ｂとを有する（図２参照）。第１粘着剤層１２は、第１基材表面１１ａに積層されている。
　第１粘着シート１０に関するその他の詳細は、後述する。
［バックグラインド工程］
　工程（Ｐ１）で準備する半導体ウエハＷは、バックグラインド工程を経ることにより得られたウエハであることが好ましい。
　バックグラインド工程においては、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１とは反対側の面を、ウエハが所定の厚さになるまで、研削する。裏面Ｗ３は、半導体ウエハＷを裏面研削して形成した面であることが好ましい。半導体ウエハＷを研削した後に露出する面を裏面Ｗ３とする。
　半導体ウエハＷを研削する方法としては、特に限定されず、例えば、グラインダー等を用いた公知の方法が挙げられる。半導体ウエハＷを研削する際には、回路Ｗ２を保護するために、バックグラインドシートと呼ばれる粘着シートを回路面Ｗ１に貼着することが好ましい。ウエハの裏面研削は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１側、すなわちバックグラインドシート側をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。
　研削前の半導体ウエハＷの厚さは、特に限定されず、通常、５００μｍ以上、１０００μｍ以下である。
　研削後の半導体ウエハＷの厚さは、特に限定されず、通常、２０μｍ以上、５００μｍ以下である。
［第１粘着シートの貼着工程］
　工程（Ｐ１）で準備する半導体ウエハＷは、バックグラインド工程を経て、さらに、裏面Ｗ３に第１粘着シート１０を貼着する貼着工程を経て得られたウエハであることが好ましい。この貼着工程を第１粘着シートの貼着工程と称する場合がある。
　後述するように、工程（Ｐ２）において、半導体ウエハＷは、ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化され、工程（Ｐ３）において、エキスパンドにより、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔が拡張される。本実施形態では、半導体ウエハＷをダイシングする際に半導体ウエハＷを保持するために、及び粘着シートをエキスパンドする際に半導体チップＣＰを保持するために、裏面Ｗ３に第１粘着シート１０を貼着する。
［ダイシング工程］
　図１Ｂは、工程（Ｐ２）を説明するための図である。工程（Ｐ２）をダイシング工程と称する場合がある。図１Ｂには、第１粘着シート１０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。ダイシングには、ダイシングソー等の切断手段が用いられる。
　裏面Ｗ３に第１粘着シート１０が貼着された状態の半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。第１ウエハ面としての回路面Ｗ１は、チップの回路面に相当する。第２ウエハ面としての裏面Ｗ３がチップ裏面に相当する。
　本実施形態では、回路面Ｗ１側から切込みを入れて、半導体ウエハＷを切断し、さらに第１粘着剤層１２を切断する。ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷ及び第１粘着剤層１２を個片化できる深さであれば特に限定されない。本実施形態では、半導体ウエハＷ及び第１粘着剤層１２をより確実に切断するという観点から、図１Ｂに示すように第１基材１１まで切込みを入れた態様を例に挙げて説明する。なお、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、別の実施形態においては、ダイシングによって、切込みが第１基材１１にまで到達しないようにしつつ、かつ、第１粘着剤層１２を切断することも好ましい。
　図２には、ダイシング工程で半導体ウエハＷ及び第１粘着剤層１２を切断した箇所について一部拡大して示す断面概略図が示されている。
　本実施形態では、所定の深さの切込みを第１基材１１に入れている。図２に示されているように、ダイシング工程において入れた切込みの深さのうち、第１基材１１の第１基材表面１１ａ側からの切込みの深さＴ２とする。第１基材１１の厚さをＴ１とする。この場合、厚さＴ１と切込み深さＴ２とは、以下の（数１）の関係を満たすことが好ましい。Ｔ１及びＴ２の単位は、μｍ（マイクロメートル）である。
　　　Ｔ２≦０．２×Ｔ１・・・（数１）
　本実施形態では、ダイシング工程によって、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３側において、複数の半導体チップＣＰと第１基材１１との間に個片化された第１粘着剤層１２が介在した積層構造が得られる。
［エキスパンド工程］
　図３Ａは、工程（Ｐ３）を説明するための図である。工程（Ｐ３）をエキスパンド工程と称する場合がある。図３Ａには、ダイシング工程の後に、第１粘着シート１０を伸張させて、複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げた状態が示されている。
　複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げる際には、エキスパンドシートと呼ばれる粘着シートにより複数の半導体チップＣＰを保持した状態で、エキスパンドシートを伸張することが好ましい。本実施形態においては、第１粘着シート１０がエキスパンドシートであることが好ましい。
　本実施形態に係るエキスパンド工程では、ダイシング工程で用いた第１粘着シート１０をそのまま用いる。本実施形態のダイシング工程では、第１基材１１に所定深さの切込みが入っているが、第１基材は、深さ５０μｍの切込みを入れた当該第１基材１１の引張伸度が３００％以上であるため、エキスパンド工程を実施しても第１基材１１が破断しない。
　エキスパンド工程において第１粘着シート１０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第１粘着シート１０を引き延ばす方法としては、例えば、環状もしくは円状のエキスパンダを押し当てて第１粘着シート１０を引き延ばす方法、及び把持部材等を用いて第１粘着シート１０の外周部を掴んで引き延ばす方法等が挙げられる。本実施形態では、複数の半導体チップＣＰの間隔Ｄ１は、半導体チップＣＰのサイズに依存するため、特に制限されない。特に、粘着シートの片面に貼着された複数の半導体チップＣＰにおける、隣り合う半導体チップＣＰの相互の間隔Ｄ１は、２００μｍ以上であることが好ましい。なお、当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、特に制限されない。当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、例えば、６０００μｍであってもよい。
［エネルギー線照射工程］
　第１粘着シート１０を伸張させて、複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げた後、第１粘着剤層１２にエネルギー線を照射して第１粘着剤層１２を硬化させる工程を実施することが好ましい。この工程を、「エネルギー線照射工程」という場合がある。
　第１粘着剤層１２が含有するエネルギー線硬化性樹脂の種類に応じて、第１粘着剤層１２に照射するエネルギー線を適宜選択する。第１粘着剤層１２が紫外線硬化性樹脂を含有し、紫外線硬化性を有する場合、エネルギー線照射工程においては、第１粘着シート１０に紫外線を照射する。エキスパンド工程の後に第１粘着剤層１２を硬化させることで、延伸後の第１粘着シート１０の形状保持性が向上する。その結果、第１粘着剤層１２に貼着された複数の半導体チップＣＰの整列性が維持され易い。
　エネルギー線照射工程を実施するタイミングは、エキスパンド工程の後であって、後述する第１粘着シートの剥離工程の前であることが好ましい。複数の半導体チップＣＰの整列性を維持し易いという観点から、エネルギー線照射工程は、エキスパンド工程の後であって、第１転写工程の前に実施するのが好ましい。
［第１転写工程］
　本実施形態においては、エキスパンド工程の後、第１粘着シート１０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、別の粘着シート（例えば、第２粘着シート）に転写する工程（以下「第１転写工程」という場合がある。）を実施してもよい。
　図３Ｂには、第１粘着シート１０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、第２粘着シート２０に転写する工程（「第１転写工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。
　第２粘着シート２０は、複数の半導体チップＣＰを保持できれば特に限定されない。第２粘着シート２０は、第２基材２１と、第２粘着剤層２２とを有する。第２粘着シート２０上の複数の半導体チップＣＰを封止したい場合には、第２粘着シート２０として、封止工程用の粘着シートを用いることが好ましく、耐熱性を有する粘着シートを用いることがより好ましい。また、第２粘着シート２０として耐熱性を有する粘着シートを用いる場合は、第２基材２１及び第２粘着剤層２２は、それぞれ、封止工程で課される温度に耐え得る耐熱性を有する材料で形成されていることが好ましい。
　本実施形態において転写工程を実施する場合は、例えば、エキスパンド工程の後、複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に第２粘着シート２０を貼着し、その後、第１粘着シート１０を裏面Ｗ３から剥離することが好ましい。
［第１粘着シートの剥離工程］
　図４Ａは、第１粘着シート１０を裏面Ｗ３から剥離する工程を説明する図であり、この工程を第１粘着シートの剥離工程と称する場合がある。
　第１粘着シートの剥離工程の後も、エキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１が維持されていることが好ましい。
　第１粘着シート１０を裏面Ｗ３から剥離する際に、裏面Ｗ３への糊残りを抑制するという一つの観点から、第１粘着シート１０の第１粘着剤層１２は、エネルギー線硬化性樹脂を含有することが好ましい。第１粘着剤層１２がエネルギー線硬化性樹脂を含有している場合には、第１粘着シート１０にエネルギー線を照射し、エネルギー線硬化性樹脂を硬化させる。エネルギー線硬化性樹脂を硬化させると、第１粘着剤層１２中の粘着成分の凝集力が高まり、第１粘着剤層１２と半導体チップＣＰの裏面Ｗ３との間の粘着力を低下又は消失させることができる。エネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。したがって、エネルギー線硬化性樹脂は、紫外線硬化型の樹脂であることが好ましい。第１基材１１は、エネルギー線の透過性を有することが好ましい。
　第２粘着シート２０は、複数の半導体チップＣＰとともに、リングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第２粘着シート２０の第２粘着剤層２２の上に、リングフレームを載置し、これを軽く押圧し、固定する。その後、リングフレームの環形状の内側にて露出する第２粘着剤層２２を半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に押し当てて、複数の半導体チップＣＰを第２粘着シート２０に固定する。
［封止工程］
　図４Ｂには、封止部材３００を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する工程（以下「封止工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。
　本実施形態において、封止工程は、複数の半導体チップＣＰが第２粘着シート２０に転写された後に実施される。
　封止工程において、回路面Ｗ１が第２粘着シート２０に保護された状態で、複数の半導体チップＣＰを封止部材３００によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３００が充填されている。第２粘着シート２０により回路面Ｗ１及び回路Ｗ２が覆われているので、封止部材３００で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。
　封止工程により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップＣＰが封止部材３００に埋め込まれた封止体３が得られる。封止工程においては、複数の半導体チップＣＰは、エキスパンド工程を実施後の間隔Ｄ１が維持された状態で、封止部材３００により覆われることが好ましい。
　封止工程の後、第２粘着シート２０を剥離する。第２粘着シート２０を剥離すると、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１及び封止体３の第２粘着シート２０と接触していた面３Ａが露出する。
　前述のエキスパンド工程の後、転写工程及びエキスパンド工程を任意の回数繰り返すことで、半導体チップＣＰ間の距離を所望の距離とし、半導体チップＣＰを封止する際の回路面の向きを所望の向きとすることができる。
［その他の工程］
　封止体３から粘着シートを剥離した後、この封止体３に対して、半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線層を形成する再配線層形成工程と、再配線層と外部端子電極とを電気的に接続する接続工程とが順に行われる。再配線層形成工程及び外部端子電極との接続工程によって、半導体チップＣＰの回路と外部端子電極とが電気的に接続される。
　外部端子電極が接続された封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する。封止体３を個片化させる方法は、特に限定されない。封止体３を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージが製造される。半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極を接続させた半導体パッケージは、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ－ＷＬＰ）として製造される。
（第１粘着シート）
　第１粘着シート１０は、第１基材１１と、第１粘着剤層１２とを有する。第１粘着剤層１２は、第１基材１１に積層されている。
・第１基材
　第１基材１１は、エキスパンド工程等の所望の工程（例えば、工程（Ｐ１）～（Ｐ３））において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
　第１基材１１は、第１基材表面１１ａ及び第１基材裏面１１ｂを有する。第１基材裏面１１ｂは、第１基材表面１１ａとは反対側の面である。
　第１粘着シート１０において、第１基材表面１１ａ及び第１基材裏面１１ｂの一方の面に第１粘着剤層１２が設けられていることが好ましく、他方の面には粘着剤層が設けられていないことが好ましい。本実施形態では、第１基材表面１１ａに第１粘着剤層１２が設けられている。
　第１基材１１の材料は、大きく延伸させ易いという観点から、熱可塑性エラストマー、またはゴム系材料であることが好ましく、熱可塑性エラストマーであることがより好ましい。
　また、第１基材１１の材料としては、大きく延伸させ易いという観点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂を使用することが好ましい。このような樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、９０℃以下であることが好ましく、８０℃以下であることがより好ましく、７０℃以下であることがさらに好ましい。
　熱可塑性エラストマーとしては、ウレタン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びアミド系エラストマー等が挙げられる。熱可塑性エラストマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。熱可塑性エラストマーとしては、大きく延伸させ易いという観点から、ウレタン系エラストマーを使用することが好ましい。
　ウレタン系エラストマーは、一般に、長鎖ポリオール、鎖延長剤、及びジイソシアネートを反応させて得られる。ウレタン系エラストマーは、長鎖ポリオールから誘導される構成単位を有するソフトセグメントと、鎖延長剤とジイソシアネートとの反応から得られるポリウレタン構造を有するハードセグメントとからなる。
　ウレタン系エラストマーを、長鎖ポリオールの種類によって分類すると、ポリエステル系ポリウレタンエラストマー、ポリエーテル系ポリウレタンエラストマー、及びポリカーボネート系ポリウレタンエラストマー等に分けられる。ウレタン系エラストマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。本実施形態では、ウレタン系エラストマーは、大きく延伸させ易いという観点から、ポリエーテル系ポリウレタンエラストマーであることが好ましい。
　長鎖ポリオールの例としては、ラクトン系ポリエステルポリオール、及びアジペート系ポリエステルポリオール等のポリエステルポリオール；ポリプロピレン（エチレン）ポリオール、及びポリテトラメチレンエーテルグリコール等のポリエーテルポリオール；ポリカーボネートポリオール等が挙げられる。本実施形態では、長鎖ポリオールは、大きく延伸させ易いという観点から、アジペート系ポリエステルポリオールであることが好ましい。
　ジイソシアネートの例としては、２，４－トルエンジイソシアネート、２，６－トルエンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、及びヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられる。本実施形態では、ジイソシアネートは、大きく延伸させ易いという観点から、ヘキサメチレンジイソシアネートであることが好ましい。
　鎖延長剤としては、低分子多価アルコール（例えば、１，４－ブタンジオール、及び１，６－ヘキサンジオール等）、及び芳香族ジアミン等が挙げられる。これらのうち、大きく延伸させ易いという観点から、１，６－ヘキサンジオールを使用することが好ましい。
　オレフィン系エラストマーとしては、エチレン・α－オレフィン共重合体、プロピレン・α－オレフィン共重合体、ブテン・α－オレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・α－オレフィン共重合体、エチレン・ブテン・α－オレフィン共重合体、プロピレン・ブテン－αオレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・ブテン－α・オレフィン共重合体、スチレン・イソプレン共重合体、及びスチレン・エチレン・ブチレン共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むエラストマーが挙げられる。オレフィン系エラストマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
　オレフィン系エラストマーの密度は、特に限定されない。例えば、オレフィン系エラストマーの密度は、０．８６０ｇ／ｃｍ３以上、０．９０５ｇ／ｃｍ３未満であることが好ましく、０．８６２ｇ／ｃｍ３以上、０．９００ｇ／ｃｍ３未満であることがより好ましく、０．８６４ｇ／ｃｍ３以上、０．８９５ｇ／ｃｍ３未満であることが特に好ましい。オレフィン系エラストマーの密度が上記範囲を満たすことで、基材は、被着体としての半導体ウエハ等の半導体装置を粘着シートに貼付する時の凹凸追従性等に優れる。
　オレフィン系エラストマーは、このエラストマーを形成するために用いた全単量体のうち、オレフィン系化合物からなる単量体の質量比率（本明細書において「オレフィン含有率」ともいう。）が５０質量％以上、１００質量％以下であることが好ましい。
　オレフィン含有率が過度に低い場合には、オレフィンに由来する構造単位を含むエラストマーとしての性質が現れにくくなり、基材は、柔軟性及びゴム弾性を示し難くなる。
　柔軟性及びゴム弾性を安定的に得る観点から、オレフィン含有率は５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましい。
　スチレン系エラストマーとしては、スチレン－共役ジエン共重合体、及びスチレン－オレフィン共重合体等が挙げられる。スチレン－共役ジエン共重合体の具体例としては、スチレン－ブタジエン共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体（ＳＢＳ）、スチレン－ブタジエン－ブチレン－スチレン共重合体、スチレン－イソプレン共重合体、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体（ＳＩＳ）、スチレン－エチレン－イソプレン－スチレン共重合体等の未水添スチレン－共役ジエン共重合体、スチレン－エチレン／プロピレン－スチレン共重合体（ＳＥＰＳ、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体の水添加物）、及びスチレン－エチレン－ブチレン－スチレン共重合体（ＳＥＢＳ、スチレン－ブタジエン共重合体の水素添加物）等の水添スチレン－共役ジエン共重合体等を挙げることができる。また、工業的には、スチレン系エラストマーとしては、タフプレン（旭化成株式会社製）、クレイトン（クレイトンポリマージャパン株式会社製）、住友ＴＰＥ－ＳＢ（住友化学株式会社製）、エポフレンド（株式会社ダイセル製）、ラバロン（三菱ケミカル株式会社製）、セプトン（株式会社クラレ製）、及びタフテック（旭化成株式会社製）等の商品名が挙げられる。スチレン系エラストマーは、水素添加物でも未水添物であってもよい。
　ゴム系材料としては、例えば、天然ゴム、合成イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、スチレン－ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、アクリロニトリル－ブタジエン共重合ゴム（ＮＢＲ）、ブチルゴム（ＩＩＲ）、ハロゲン化ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、及び多硫化ゴム等が挙げられる。ゴム系材料は、これらの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
　第１基材１１は、上記のような材料（例えば、熱可塑性エラストマー、またはゴム系材料）からなるフィルムが、複数、積層された積層フィルムでもよい。また、第１基材１１は、上記のような材料（例えば、熱可塑性エラストマー、またはゴム系材料）からなるフィルムと、その他のフィルムとが積層された積層フィルムでもよい。
　第１基材１１は、上記の樹脂系材料を主材料とするフィルム内に、添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、顔料、染料、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、及びフィラー等が挙げられる。顔料としては、例えば、二酸化チタン、及びカーボンブラック等が挙げられる。また、フィラーとしては、メラミン樹脂のような有機系材料、ヒュームドシリカのような無機系材料、及びニッケル粒子のような金属系材料が例示される。フィルム内に含有させてもよい添加剤の含有量は、特に限定されないが、第１基材１１が所望の機能を発揮し得る範囲に留めることが好ましい。
　第１基材１１は、第１基材１１の片面または両面に、第１基材１１の表面に積層される第１粘着剤層１２との密着性を向上させるための処理が施されていてもよい。
　第１粘着剤層１２がエネルギー線硬化性粘着剤を含有する場合、第１基材１１は、エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。エネルギー線として紫外線を用いる場合には、第１基材１１は、紫外線に対して透過性を有することが好ましい。エネルギー線として電子線を用いる場合には、第１基材１１は、電子線の透過性を有することが好ましい。
　第１基材１１の厚さは、第１粘着シート１０が所望の工程において適切に機能できる限り、限定されない。第１基材１１の厚さは、６０μｍ以上であることが好ましく、８０μｍ以上であることがより好ましい。また、第１基材１１の厚さは、２５０μｍ以下であることが好ましく、２００μｍ以下であることがより好ましい。
　また、第１基材１１の第１基材表面１１ａまたは第１基材裏面１１ｂの面内方向において２ｃｍ間隔で複数箇所の厚さを測定した際の、第１基材１１の厚さの標準偏差は、２μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以下であることがさらに好ましい。当該標準偏差が２μｍ以下であることで、第１粘着シート１０は、精度の高い厚さを有しており、第１粘着シート１０を均一に延伸することが可能となる。
　２３℃において第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の引張弾性率が、それぞれ１０ＭＰａ以上、３５０ＭＰａ以下であり、２３℃において第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の１００％応力が、それぞれ３ＭＰa以上、２０ＭＰa以下であることが好ましい。
　引張弾性率及び１００％応力が上記範囲であることで、第１粘着シート１０を大きく延伸することが可能となる。
　第１基材１１の１００％応力は、次のようにして得られる値である。１５０ｍｍ（長さ方向）×１５ｍｍ（幅方向）の大きさの試験片を第１基材１１から切り出す。切り出した試験片の長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかむ。つかみ具で試験片をつかんだ後、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの引張力の測定値を読み取る。第１基材１１の１００％応力は、読み取った引張力の測定値を、基材の断面積で除算することで得られる値である。第１基材１１の断面積は、幅方向長さ１５ｍｍ×第１基材１１（試験片）の厚みで算出される。当該切り出しは、基材の製造時における流れ方向（ＭＤ方向）またはＭＤ方向に直交する方向（ＣＤ方向）と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。なお、この引張試験において、試験片の厚さは特別に制限されず、試験の対象とする基材の厚さと同じであってよい。
　２３℃において第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の破断伸度が、それぞれ１００％以上であることが好ましい。
　第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の破断伸度が、それぞれ１００％以上であることで、破断が生じることなく、第１粘着シート１０を大きく延伸することが可能となる。
　基材の引張弾性率（ＭＰａ）及び基材の破断伸度（％）は、次のようにして測定できる。基材を１５ｍｍ×１４０ｍｍに裁断して試験片を得る。当該試験片について、ＪＩＳ　Ｋ７１６１：２０１４およびＪＩＳ　Ｋ７１２７：１９９９に準拠して、２３℃における破断伸度および引張弾性率を測定する。具体的には、上記試験片を、引張試験機（株式会社島津製作所製，製品名「オートグラフＡＧ－ＩＳ　５００Ｎ」）にて、チャック間距離１００ｍｍに設定した後、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張試験を行い、破断伸度（％）および引張弾性率（ＭＰａ）を測定する。なお、測定は、基材の製造時の流れ方向（ＭＤ）およびこれに直角の方向（ＣＤ）の双方で行う。
・第１粘着剤層
　第１粘着剤層１２は、エキスパンド工程等の所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。第１粘着剤層１２に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤及びウレタン系粘着剤が挙げられる。
・エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）
　第１粘着剤層１２は、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を含有することが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、分子内に、エネルギー線硬化性の二重結合を有する。
　エネルギー線硬化性樹脂を含有する粘着剤層は、エネルギー線照射により硬化して粘着力が低下する。被着体と粘着シートとを分離したい場合、エネルギー線を粘着剤層に照射することにより、容易に分離できる。
　エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、（メタ）アクリル系樹脂であることが好ましい。
　エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、紫外線硬化性樹脂であることが好ましく、紫外線硬化性の（メタ）アクリル系樹脂であることがより好ましい。
　エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、エネルギー線の照射を受けると重合硬化する樹脂である。エネルギー線としては、例えば、紫外線、及び電子線等が挙げられる。
　エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）の例としては、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物（単官能のモノマー、多官能のモノマー、単官能のオリゴマー、及び多官能のオリゴマー）が挙げられる。エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、及び１，６－ヘキサンジオールジアクリレート等のアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、及びイソボルニルアクリレート等の環状脂肪族骨格含有アクリレート、並びにポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、及びイタコン酸オリゴマー等のアクリレート系化合物が用いられる。エネルギー線硬化性樹脂（ａ１）は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
　エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）の分子量は、通常、１００以上、３００００以下であり、３００以上、１００００以下程度であることが好ましい。
・（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）
　第１粘着剤層１２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）をさらに含んでいることが好ましい。（メタ）アクリル系共重合体は、前述したエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）とは異なる。
　（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）は、エネルギー線硬化性の炭素－炭素二重結合を有することが好ましい。すなわち、本実施形態において、第１粘着剤層１２は、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）と、エネルギー線硬化性の（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）とを含有することが好ましい。
　第１粘着剤層１２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対し、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を１０質量部以上の割合で含有することが好ましく、２０質量部以上の割合で含有することがより好ましく、２５質量部以上の割合で含有することがさらに好ましい。
　第１粘着剤層１２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対し、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を８０質量部以下の割合で含有することが好ましく、７０質量部以下の割合で含有することがより好ましく、６０質量部以下の割合で含有することがさらに好ましい。
　（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であることが好ましく、１５万以上であることがより好ましく、２０万以上であることがさらに好ましい。
　また、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であることが好ましく、１００万以下であることがより好ましい。
　なお、本明細書における重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定した標準ポリスチレン換算の値である。
　（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）は、側鎖にエネルギー線硬化性を有する官能基（エネルギー線硬化性基）が導入された（メタ）アクリル酸エステル重合体（ｂ２）（以下「エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）」という場合がある。）であることが好ましい。
・エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）
　エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）は、官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ｂ２１）と、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ｂ２２）とを反応させて得られる共重合体であることが好ましい。
　本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの両方を意味する。他の類似用語も同様である。
　アクリル系共重合体（ｂ２１）は、官能基含有モノマーから導かれる構成単位と、（メタ）アクリル酸エステルモノマー、または（メタ）アクリル酸エステルモノマーの誘導体から導かれる構成単位とを含むことが好ましい。
　アクリル系共重合体（ｂ２１）の構成単位としての官能基含有モノマーは、重合性の二重結合と、官能基と、を分子内に有するモノマーであることが好ましい。官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基等からなる群から選択される少なくともいずれかの官能基であることが好ましい。
　ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、及び４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。ヒドロキシ基含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
　カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、及びシトラコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸が挙げられる。カルボキシ基含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
　アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーとしては、例えば、アミノエチル（メタ）アクリレート、及びｎ－ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
　アクリル系共重合体（ｂ２１）を構成する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１以上２０以下であるアルキル（メタ）アクリレートの他、例えば、分子内に脂環式構造を有するモノマー（脂環式構造含有モノマー）が好ましく用いられる。
　アルキル（メタ）アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が１以上１８以下であるアルキル（メタ）アクリレートが好ましい。アルキル（メタ）アクリレートは、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、及び２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート等がより好ましい。アルキル（メタ）アクリレートは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
　脂環式構造含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、及び（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチル等が好ましく用いられる。脂環式構造含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
　アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、１質量％以上の割合で含有することが好ましく、５質量％以上の割合で含有することがより好ましく、１０質量％以上の割合で含有することがさらに好ましい。
　また、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、３５質量％以下の割合で含有することが好ましく、３０質量％以下の割合で含有することがより好ましく、２５質量％以下の割合で含有することがさらに好ましい。
　さらに、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、５０質量％以上の割合で含有することが好ましく、６０質量％以上の割合で含有することがより好ましく、７０質量％以上の割合で含有することがさらに好ましい。
　また、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、９９質量％以下の割合で含有することが好ましく、９５質量％以下の割合で含有することがより好ましく、９０質量％以下の割合で含有することがさらに好ましい。
　アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記のような官能基含有モノマーと、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とを常法で共重合することにより得られる。
　アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上述のモノマーの他にも、ジメチルアクリルアミド、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、及びスチレン等からなる群から選択される少なくともいずれかの構成単位を含有していてもよい。
　上記官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ｂ２１）を、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ｂ２２）と反応させることにより、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）が得られる。
　不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基は、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基含有モノマー単位の官能基の種類に応じて、適宜選択することができる。例えば、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基がヒドロキシ基、アミノ基又は置換アミノ基の場合、不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基としてはイソシアネート基又はエポキシ基が好ましく、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基がエポキシ基の場合、不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基としてはアミノ基、カルボキシ基またはアジリジニル基が好ましい。
　不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、エネルギー線重合性の炭素－炭素二重結合を、１分子中に少なくとも１個含み、１個以上、６個以下含むことが好ましく、１個以上、４個以下含むことがより好ましい。
　不飽和基含有化合物（ｂ２２）としては、例えば、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（２－イソシアナトエチルメタクリレート）、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸、２－（１－アジリジニル）エチル（メタ）アクリレート、２－ビニル－２－オキサゾリン、２－イソプロペニル－２－オキサゾリン等が挙げられる。
　不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、アクリル系共重合体（ｂ２１）の官能基含有モノマーのモル数に対して、５０モル％以上の割合（付加率）で用いられることが好ましく、６０モル％以上の割合で用いられることがより好ましく、７０モル％以上の割合で用いられることが更に好ましい。
　また、不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、アクリル系共重合体（ｂ２１）の官能基含有モノマーモル数に対して、９５モル％以下の割合で用いられることが好ましく、９３モル％以下の割合で用いられることがより好ましく、９０モル％以下の割合で用いられることがさらに好ましい。
　アクリル系共重合体（ｂ２１）と不飽和基含有化合物（ｂ２２）との反応においては、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基と不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基との組合せに応じて、反応の温度、圧力、溶媒、時間、触媒の有無、及び触媒の種類を適宜選択することができる。これにより、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基と、不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基とが反応し、不飽和基がアクリル系共重合体（ｂ２１）の側鎖に導入され、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）が得られる。
　エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であることが好ましく、１５万以上であることがより好ましく、２０万以上であることがさらに好ましい。
　また、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であることが好ましく、１００万以下であることがより好ましい。
・光重合開始剤（Ｃ）
　第１粘着剤層１２が紫外線硬化性の化合物（例えば、紫外線硬化性樹脂）を含有する場合、第１粘着剤層１２は、光重合開始剤（Ｃ）を含有することが好ましい。
　第１粘着剤層１２が光重合開始剤（Ｃ）を含有することにより、重合硬化時間及び光線照射量を少なくすることができる。
　光重合開始剤（Ｃ）の具体例は、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物及びパーオキサイド化合物が挙げられる。さらには、光重合開始剤（Ｃ）としては、例えば、アミン又はキノン等の光増感剤等が挙げられる。
　より具体的な光重合開始剤（Ｃ）としては、例えば、１－ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン及びビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドが挙げられる。光重合開始剤（Ｃ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　光重合開始剤（Ｃ）の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、０．０１質量部以上、１０質量部以下であることが好ましく、０．０３質量部以上、５質量部以下であることがより好ましく、０．０５質量部以上、５質量部以下であることがさらに好ましい。
　光重合開始剤（Ｃ）は、粘着剤層にエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）を配合する場合には、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の合計量１００質量部に対して０．１質量部以上の量で用いられることが好ましく、０．５質量部以上の量で用いられることがより好ましい。
　また、光重合開始剤（Ｃ）は、粘着剤層にエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）を配合する場合には、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の合計量１００質量部に対して１０質量部以下の量で用いられることが好ましく、６質量部以下の量で用いられることがより好ましい。
　第１粘着剤層１２は、上記成分以外にも、適宜他の成分を配合してもよい。他の成分としては、例えば、架橋剤（Ｅ）等が挙げられる。
・架橋剤（Ｅ）
　架橋剤（Ｅ）としては、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）等が有する官能基との反応性を有する多官能性化合物を用いることができる。第１粘着シート１０における多官能性化合物の例としては、イソシアナート化合物、エポキシ化合物、アミン化合物、メラミン化合物、アジリジン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド化合物、オキサゾリン化合物、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、金属塩、アンモニウム塩及び反応性フェノール樹脂等を挙げることができる。
　架橋剤（Ｅ）の配合量は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対して、０．０１質量部以上であることが好ましく、０．０３質量部以上であることがより好ましく、０．０４質量部以上であることがさらに好ましい。
　また、架橋剤（Ｅ）の配合量は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対して、８質量部以下であることが好ましく、５質量部以下であることがより好ましく、３．５質量部以下であることがさらに好ましい。
　第１粘着剤層１２の厚さは、特に限定されない。第１粘着剤層１２の厚さは、例えば、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。また、第１粘着剤層１２の厚さは、１５０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましい。
　第１粘着シート１０の復元率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。第１粘着シート１０の復元率は、１００％以下であることが好ましい。復元率が上記範囲であることで、粘着シートを大きく延伸することができる。
　復元率は、粘着シートを１５０ｍｍ（長さ方向）×１５ｍｍ（幅方向）に切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し、その後、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し、その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張力の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを示した時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき、下記数式（数２）で算出される。
　　復元率（％）＝｛１－（Ｌ２÷Ｌ１）｝×１００　・・・　（数２）
　復元率が上記範囲である場合、粘着シートは大きく延伸された後においても復元し易いことを意味する。一般に、降伏点を有するシートを降伏点以上に延伸すると、シートは塑性変形を起こし、塑性変形を起こした部分、即ち極端に延伸された部分が偏在した状態となる。そのような状態のシートをさらに延伸すると、上記の極端に延伸された部分から破断が生じたり、破断が生じなくても、エキスパンドが不均一になる。また、ひずみをｘ軸、伸びをｙ軸にそれぞれプロットした応力－ひずみ線図において、傾きｄｘ／ｄｙが、正の値から０または負の値に変化する応力値をとらず、明確な降伏点を示さないシートであっても、引張量が大きくなるにつれてシートは塑性変形を起こし、同様に破断が生じたり、エキスパンドが不均一になる。一方、塑性変形ではなく弾性変形が生じる場合には、応力を取り除くことでシートが元の形状に復元し易い。そこで、十分大きい引張量である１００％伸長後にどの程度復元するかを表す指標である復元率が、上記範囲であることにより、粘着シートを大きく延伸する際に、フィルムの塑性変形が最小限に抑えられ、破断が生じ難く、且つ均一なエキスパンドが可能となる。
・剥離シート
　第１粘着シート１０の表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、第１粘着シート１０の第１粘着剤層１２の表面に貼付される。剥離シートは、第１粘着剤層１２の表面に貼付されることで輸送時及び保管時に第１粘着剤層１２を保護する。剥離シートは、剥離可能に第１粘着シート１０に貼付されており、第１粘着シート１０が使用される前には、第１粘着シート１０から剥離されて取り除かれる。
　剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられる。具体的には、例えば、剥離シート用基材と、この基材の表面上に剥離剤を塗布して形成した剥離剤層とを備える剥離シートが挙げられる。
　剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましい。剥離シート用基材としての樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂及びポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、並びにポリプロピレン樹脂及びポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。
　剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂及びフッ素系樹脂が挙げられる。
　剥離シートの厚さは、特に制限はないが、１０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、１５０μｍ以下であることがより好ましい。
・粘着シートの製造方法
　第１粘着シート１０及びその他の本明細書に記載の粘着シートの製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造できる。
　例えば、剥離シート上に設けた粘着剤層を、基材の片面に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着シートを製造できる。また、剥離シート上に設けた緩衝層と、基材とを貼り合わせ、剥離シートを除去することで、緩衝層と基材との積層体が得られる。そして、剥離シート上に設けた粘着剤層を、積層体の基材側に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着シートを製造できる。なお、緩衝層を基材の両面に設けた場合には、粘着剤層は緩衝層の上に形成される。粘着剤層の表面に貼付される剥離シートは、粘着シートの使用前に適宜剥離して除去すればよい。
　粘着シートの製造方法のより具体的な一例としては、次のような方法が挙げられる。まず、粘着剤層を構成する粘着性組成物、及び所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製する。次に、塗工液を、基材の一の面上に、塗布手段により塗布して塗膜を形成する。塗布手段としては、例えば、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、及びナイフコーター等が挙げられる。次に、当該塗膜を乾燥させることにより、粘着剤層を形成できる。塗工液は、塗布を行うことが可能であれば、その性状は特に限定されない。塗工液は、粘着剤層を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、粘着剤層を形成するための成分を分散質として含有する場合もある。同様に、基材の片面または緩衝層の上に、粘着剤組成物を直接塗布して、粘着剤層を形成してもよい。
　また、粘着シートの製造方法のより具体的な別の一例としては、次のような方法が挙げられる。まず、前述の剥離シートの剥離面上に塗工液を塗布して塗膜を形成する。次に、塗膜を乾燥させて粘着剤層と剥離シートとからなる積層体を形成する。次に、この積層体の粘着剤層における剥離シート側の面と反対側の面に、基材を貼付して、粘着シートと剥離シートとの積層体を得てもよい。この積層体における剥離シートは、工程材料として剥離してもよいし、粘着剤層に被着体（例えば、半導体チップ、及び半導体ウエハ等）が貼付されるまで、粘着剤層を保護していてもよい。
　塗工液が架橋剤を含有する場合には、塗膜の乾燥の条件（例えば、温度、及び時間等）を変えることにより、または加熱処理を、別途、行うことにより、例えば、塗膜内の（メタ）アクリル系共重合体と架橋剤との架橋反応を進行させ、粘着剤層内に所望の存在密度で架橋構造を形成させればよい。この架橋反応を十分に進行させるために、上述の方法等によって基材に粘着剤層を積層させた後、得られた粘着シートを、例えば、２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行ってもよい。
　第１粘着シート１０の厚さは、６０μｍ以上であることが好ましく、７０μｍ以上であることがより好ましく、８０μｍ以上であることがさらに好ましい。第１粘着シート１０の厚さは、４００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。
［本実施形態に係る効果］
　本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、第１基材１１及び第１粘着剤層１２を有する第１粘着シート１０を用いることで、ダイシング工程及びエキスパンド工程を、１つの粘着シート（第１粘着シート１０）で実施することができる。すなわち、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、従来のプロセスのように粘着シートを工程毎に貼り換えることが不要になり、プロセスを簡略化できる。
　また、第１粘着シート１０によれば、深さ５０μｍの切込みを入れた第１基材１１の引張伸度が３００％以上であるため、ダイシング工程において第１基材１１に所定深さの切込みが入り、そのままエキスパンド工程で第１粘着シート１０を伸張させても、当該第１粘着シート１０を破断させることなく、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を拡張できる。そのため、従来の粘着シート（粘着剤層と２つの基材層とが積層された粘着シート）に比べて、第１粘着シート１０は、テープ構成が簡略でありながら、プロセスも簡略化できる。
　さらには、本実施形態によれば、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
［実施形態の変形］
　本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様等を含む。
　例えば、半導体ウエハや半導体チップにおける回路等は、図示した配列や形状等に限定されない。半導体パッケージにおける外部端子電極との接続構造等も、前述の実施形態で説明した態様に限定されない。前述の実施形態では、ＦＯ－ＷＬＰタイプの半導体パッケージを製造する態様を例に挙げて説明したが、本発明は、ファンイン型のＷＬＰ等のその他の半導体パッケージを製造する態様にも適用できる。
　上述したＦＯ－ＷＬＰの製造方法は、一部の工程を変更したり、一部の工程を省略したりしてもよい。
　ダイシング工程におけるダイシングは、上述の切断手段を用いる代わりに、半導体ウエハに対してレーザ光を照射して行ってもよい。例えば、レーザ光の照射により、半導体ウエハを完全に分断し、複数の半導体チップに個片化してもよい。これらの方法においては、レーザ光の照射は、半導体ウエハのいずれの側から行ってもよい。
　以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明はこれら実施例に何ら限定されない。
（粘着シートの作製）
［実施例１］
　ブチルアクリレート（ＢＡ）６２質量部、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）１０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２８質量部を共重合してアクリル系共重合体を得た。このアクリル系共重合体に対して、２－イソシアナートエチルメタクリレート（昭和電工株式会社製、製品名「カレンズＭＯＩ」（登録商標））を付加した樹脂（アクリルＡ）の溶液（粘着剤主剤、固形分３５．０質量％）を調製した。付加率は、アクリル系共重合体の２ＨＥＡ１００モル％に対して、２－イソシアナートエチルメタクリレートを９０モル％とした。
　得られた樹脂（アクリルＡ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、６０万、Ｍｗ／Ｍｎは４．５であった。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗ、及び数平均分子量Ｍｎを測定し、それぞれの測定値から分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。
　この粘着剤主剤に、ＵＶ樹脂Ａ（１０官能ウレタンアクリレート、三菱ケミカル株式会社製、製品名「ＵＶ－５８０６」、Ｍｗ＝１７４０、光重合開始剤を含む。）、及び架橋剤としてのトリレンジイソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン工業株式会社製、製品名「コロネートＬ」）を添加した。粘着剤主剤中の固形分１００質量部に対して、ＵＶ樹脂Ａを５０質量部添加し、架橋剤を０．２質量部添加した。添加後、３０分間攪拌して、粘着剤組成物Ａ１を調製した。
　次いで、調製した粘着剤組成物Ａ１の溶液をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系剥離フィルム（リンテック株式会社製、製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）に塗布して乾燥させ、厚さ４０μｍの粘着剤層を剥離フィルム上に形成した。この粘着剤層について、本実施例では、前記実施形態中での説明と対応させて、第１粘着剤層と称する場合がある。
　当該第１粘着剤層に、基材としてのポリエステル系ポリウレタンエラストマーシート（シーダム株式会社製，製品名「ハイグレスＤＵＳ２０２」，厚さ１００μｍ）を貼り合わせた後、幅方向における端部の不要部分を裁断除去して粘着シートＳＡ１を作製した。この基材については、本実施例では、前記実施形態中での説明と対応させて、第１基材と称する場合がある。第１基材に深さ５０μｍの切込みを入れて、当該第１基材の引張伸度を測定したところ、３００％以上であった。前述の引張伸度の測定方法にしたがって、切込みを入れた後の第１基材の引張伸度を測定した。
（チップ間隔の測定方法）
　実施例１で得られた粘着シートＳＡ１を２１０ｍｍ×２１０ｍｍに切断し試験用シートを得た。このとき、裁断後のシートの各辺が、粘着シートにおける第１基材のＭＤ方向と平行または垂直となるように裁断した。
　試験用シートの剥離フィルムを剥離し、露出した第１粘着剤層の中心部に、６インチシリコンウエハを貼着した。次に、６インチシリコンウエハをダイシングして、３ｍｍ×３ｍｍのサイズのチップを計２５個得た。ダイシングによって得た計２５個のチップは、Ｘ軸方向に５列、及びＹ軸方向に５列で並んでいた。なお、シリコンウエハのダイシング時には、試験用シートにも深さ５０μｍの切込みが入った。
　次に、チップが貼付された試験用シートを、２軸延伸可能なエキスパンド装置（離間装置）に設置した。図５には、当該エキスパンド装置１００を説明する平面図が示される。図５中、Ｘ軸及びＹ軸は、互いに直交する関係にあり、当該Ｘ軸の正の方向を＋Ｘ軸方向、当該Ｘ軸の負の方向を－Ｘ軸方向、当該Ｙ軸の正の方向を＋Ｙ軸方向、当該Ｙ軸の負の方向を－Ｙ軸方向とする。試験用シート２００は、各辺がＸ軸またはＹ軸と平行となるように、エキスパンド装置１００に設置した。その結果、試験用シート２００における基材のＭＤ方向は、Ｘ軸またはＹ軸と平行となる。なお、図５中、チップは省略されている。
　図５に示されるように、エキスパンド装置１００は、＋Ｘ軸方向、－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向及び－Ｙ軸方向のそれぞれに５つの保持手段１０１（計２０個の保持手段１０１）を備える。各方向における５つの保持手段１０１のうち、保持手段１０１Ａは、両端に位置し、保持手段１０１Ｃは、中央に位置し、保持手段１０１Ｂは、保持手段１０１Ａと保持手段１０１Ｃとの間に位置する。試験用シート２００の各辺を、これらの保持手段１０１によって把持させた。
　ここで、図５に示されるように、試験用シート２００の一辺は２１０ｍｍである。また、各辺における保持手段１０１同士の間隔は４０ｍｍである。また、試験用シート２００の一辺における端部（シートの頂点）と、当該辺に存在し、当該端部に最も近い保持手段１０１Ａとの間隔は２５ｍｍである。
　続いて、保持手段１０１のそれぞれに対応する、図示されていない複数の張力付与手段を駆動させて、保持手段１０１をそれぞれ独立に移動させた。試験用シートの四辺をつかみ治具で固定し、Ｘ軸方向、及びＹ軸方向にそれぞれ５ｍｍ／ｓの速度で、２００ｍｍの拡張量で試験用シートをエキスパンドした。その後、リングフレームにより試験用シート２００の拡張状態を保持した。
　拡張状態を保持した状態で、各チップ間の距離をデジタル顕微鏡で測定し、各チップ間の距離の平均値をチップ間隔とした。
　チップ間隔が１８００μｍ以上であれば合格「Ａ」と判定し、チップ間隔が１８００μｍ未満であれば不合格「Ｂ」と判定した。
（チップ整列性の測定方法）
　上記チップ間隔を測定したワークのＸ軸及びＹ軸方向の隣り合うチップの中心線からのズレ率を測定した。
　図６に具体的な測定方法の概略図を示す。
　Ｘ軸方向に５個のチップが並んだ一つの列を選び、当該列の中で、チップの最上端と、チップの最下端との距離Ｄｙをデジタル顕微鏡で測定した。Ｙ軸方向のズレ率は、下記数式（数３）に基づいて算出した。Ｓｙは、Ｙ軸方向のチップサイズであり、本実施例では、３ｍｍとした。
　Ｙ軸方向のズレ率［％］＝[（Ｄｙ－Ｓｙ）／２]／Ｓｙ×１００…（数３）
　Ｘ軸方向に５個のチップが並んだその他の４列についても、同様にしてＹ軸方向のズレ率を算出した。
　Ｙ軸方向に５個のチップが並んだ一つの列を選び、当該列の中で、チップの最左端と、チップの最右端との距離Ｄｘをデジタル顕微鏡で測定した。Ｘ軸方向のズレ率は、下記数式（数４）に基づいて算出した。Ｓｘは、Ｘ軸方向のチップサイズであり、本実施例では、３ｍｍとした。
　Ｘ軸方向のズレ率［％］＝[（Ｄｘ－Ｓｘ）／２]／Ｓｘ×１００…（数４）
　Ｙ軸方向に５個のチップが並んだその他の４列についても、同様にしてＸ軸方向のズレ率を算出した。
　数式（数３）及び（数４）において、２で除するのは、拡張後におけるチップの所定位置からずれた最大距離を絶対値にて表現するためである。
　Ｘ軸方向及びＹ軸方向のすべての列（計１０列）において、ズレ率が±１０％未満の場合を合格「Ａ」と判定し、１つ以上の列において±１０％以上であれば不合格「Ｂ」と判定した。
　実施例１に係る粘着シートを用いてエキスパンドしたところ、粘着シートを破断させることなく、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を拡張できた。さらに、粘着シートをエキスパンドした後のチップ間隔の評価結果が合格「Ａ」判定であり、チップ整列性の評価結果が合格「Ａ」判定であった。
　１０…第１粘着シート、１１…第１基材、１２…第１粘着剤層、ＣＰ…半導体チップ、Ｗ…半導体ウエハ（ウエハ）、Ｗ１…回路面（第１ウエハ面）、Ｗ２…回路、Ｗ３…裏面（第２ウエハ面）。

Claims (11)

  1. 　第１ウエハ面と前記第１ウエハ面の反対側の第２ウエハ面とを有するウエハの前記第２ウエハ面に、第１粘着剤層と第１基材とを有する第１粘着シートが貼着され、深さ５０μｍの切込みを入れた前記第１基材の引張伸度が３００％以上であり、
    　前記第１ウエハ面側から切込みを入れて、前記ウエハを複数のチップに個片化し、さらに前記第１粘着シートの前記第１粘着剤層を切断し、
    　前記第１粘着シートを伸張させて、前記複数のチップの間隔を拡げる、
    　エキスパンド方法。
  2. 　請求項１に記載のエキスパンド方法において、
    　前記切込みは、前記第１ウエハ面側から前記第１基材に到達するまでの深さで形成する、
    　エキスパンド方法。
  3. 　請求項２に記載のエキスパンド方法において、
    　前記第１基材の厚さがＴ１であり、
    　前記第１基材に入れられた前記切込みの深さＴ２が０．２×Ｔ１以下である、
    　エキスパンド方法。
  4. 　請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、
    　前記第１基材は、熱可塑性エラストマーを含有する、
    　エキスパンド方法。
  5. 　請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、
    　前記第１基材は、ウレタン系エラストマーを含有する、
    　エキスパンド方法。
  6. 　請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、
    　前記第１粘着剤層は、エネルギー線硬化性樹脂を含有する、
    　エキスパンド方法。
  7. 　請求項６に記載のエキスパンド方法において、
    　前記第１粘着シートを伸張させて、前記複数のチップの間隔を拡げた後、前記第１粘着剤層にエネルギー線を照射して前記第１粘着剤層を硬化させる、
    　エキスパンド方法。
  8. 　請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、
    　前記第１粘着シートは、エキスパンドシートである、
    　エキスパンド方法。
  9. 　請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、
    　前記ウエハは、半導体ウエハである、
    　エキスパンド方法。
  10. 　請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、
    　前記第１ウエハ面は、回路を有する、
    　エキスパンド方法。
  11. 　請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法。
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