JP6539336B2 - 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法に関するものである。

半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップを支持するシートから、半導体チップを個々にピックアップする工程を含む。

例えば、裏面研削が完了した半導体ウェハはシートに貼付され、当該シート上においてダイシングが行われる。ダイシングによって、半導体ウェハは複数の半導体チップに個片化される。その後、複数の半導体チップが、当該シートから個々にピックアップされる。

また、別の方法として、上記ダイシングの後、上記シート上に支持された複数の半導体チップは、別のシートに転写され、複数の半導体チップが当該別のシートから個々にピックアップされる。

上記のようなシートからの半導体チップのピックアップは、ダイエジェクタ等を用いて行われる。この装置は、当該シートにおいて半導体チップが貼付された面と反対側の面から半導体チップを個々に突き上げて、その他の半導体チップから引き離す。このように１つの半導体チップが突き上げられることで、コレットによるピックアップを行い易くなる。また、このとき、必要に応じて当該シートを面方向に広げて半導体チップ間に隙間を作ることで、突き上げおよびピックアップをより容易にすることができる。

突き上げの方式として、１つまたは複数のニードルを用いる方式がある。この方式では、ニードルの先端が当該シートに対して点で接し、点で半導体チップを突き上げる。しかしながら、近年、半導体チップの薄膜化が進み、また、半導体材料として硬質でより割れ易い材料の使用が進んでいるため、半導体チップはより脆くなっている。このような半導体チップを取り扱う場合、ニードルを用いた突き上げでは、半導体チップが破壊される懸念が高まっていた。

そこで、点で突き上げる方式に代えて、ブロック状の治具を用いて、面で突き上げる方式が提案されている。例えば、特許文献１には、図３に示されるように、シート１６に対して平面で接する突き上げロッド２１を備えた突き上げのための装置が開示されている。また、特許文献２から４には、複数の部分から構成された、突き上げのためのブロックを有する装置が開示されている。これらの装置では、複数の部分が、シートに対して垂直方向に独立に移動可能であり、ピックアップの際には半導体チップの破壊を防ぐよう制御される。特に、特許文献２には、シートに対して垂直方向に独立に移動可能な複数のプレートからなるブロックを有する装置が開示されている。

特開平１１−３１７３４号公報 特許第５４８８９６６号公報 特許第４５７４２５１号公報 特開２０００−３５３７１０号公報

しかしながら、特許文献１から４に開示されるような、面で突き上げる方式の装置において、従来のシートをピックアップに使用すると、意図した高さまで突き上げを行うことができず、また、突き上げを繰り返すうちに半導体チップを適切に固定できなくなり、結果として、良好なピックアップができないという問題がある。

本発明は、上記のような実状に鑑みてなされたものであり、半導体チップを良好にピックアップすることができる半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、第１に本発明は、１００％強度が、３〜１４Ｎ／１５ｍｍであり、復元率が、７５〜１００％であることを特徴とする半導体加工用シートを提供する（発明１）。ここで、前記１００％強度は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの力の強さである。また、前記復元率は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し、その後、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し、その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張測定の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを超えた時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき、次式（Ｉ）
復元率（％）＝｛１−(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００ ・・・ （Ｉ）
から算出される値である。なお、上記切り出しは、半導体加工用シートの製造時における流れ方向（ＭＤ方向）と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。

なお、本明細書では、複数の半導体チップを支持するシートであって、当該シートから半導体チップがピックアップされるシート（他の機能を備えたものも含む）を、半導体加工用シートと称する。

従来の半導体加工用シートをピックアップに使用することで生じる問題の原因としては、以下のことが考えられる。面で突き上げる方式の装置では、点で突き上げる方式の装置と比べて、シートにかかる負荷が大きくなる傾向にある。例えば、ニードルを用いて突き上げる場合、シートは、ニードルの先端の位置と、突き上げられる半導体チップに隣接する半導体チップの端部の位置との間で伸長できる。一方、ブロックを用いて突き上げる場合、シートは、ブロックの端部の位置と、その位置に最も近い、上記隣接する半導体チップの端部の位置との間で主に伸長することとなり、より狭い領域で伸長する必要がある。そのため、面で突き上げる方式の装置に、従来のシートを使用すると、シートが伸長する余裕が不十分となり、適切な高さまで突き上げを行うことができない。さらに、１度の突き上げでシートが弛んでしまうため、周囲の半導体チップの固定が不十分となったり、半導体チップの固定位置がずれたりする。その結果、半導体チップの整列性が失われ、次の半導体チップの適切な突き上げを行うことができず、良好なピックアップを行うことができなくなる。

これに対し、上記発明（発明１）に係る半導体加工用シートによれば、引張試験における１００％強度が３〜１４Ｎ／１５ｍｍであるため、シートは十分に伸長することができ、突き上げが適切に行われ、半導体チップのピックアップが可能となる。また、復元性試験における復元率が７５〜１００％であるため、突き上げの動作後もシートは弛むことなく適切に復元し、隣接する半導体チップを適切に固定し、また、半導体チップの位置のずれが生じることもなく、次の突き上げを適切に行うことができる。結果として、半導体チップを良好にピックアップすることができる。特に、ブロックを使用した面で突き上げる装置のように、シートにかかる負荷が大きい場合でも、突き上げに十分に対応できるため、良好にピックアップすることができる。

上記発明（発明１）においては、基材と、前記基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層とを備えることが好ましい（発明２）。

上記発明（発明２）において、前記基材は、熱可塑性エラストマーを含有することが好ましい（発明３）。

上記発明（発明２，３）において、前記粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を含有してもよく、その場合、前記１００％強度および前記復元率は、前記半導体加工用シートにエネルギー線を照射した後の測定に基づく値であることが好ましい（発明４）。

第２に本発明は、個片化された複数の半導体チップが一方の面に貼付された前記半導体加工用シート（発明１〜４）を用意する工程、前記半導体チップの１つを、前記半導体加工用シートの他方の面側から前記一方の面側に向けて突き上げる工程、および突き上げられた前記半導体チップをピックアップする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する（発明５）。

上記発明（発明５）においては、前記半導体チップの１つの突き上げを、前記半導体加工用シートと接する面に平面を含む突き上げブロックを用いて行うことが好ましい（発明６）。

上記発明（発明６）において、前記突き上げブロックは、前記半導体加工用シートに対して垂直に独立して移動可能な複数のプレートからなることが好ましい（発明７）。

上記発明（発明５〜７）において、前記半導体加工用シートにおいて、突き上げられる半導体チップに隣接する半導体チップが貼付された領域は、前記半導体チップの１つを突き上げる際に実質的に動かないことが好ましい（発明８）。

本発明に係る半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法によれば、半導体チップを良好にピックアップすることができる。

本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を示す説明図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。
〔半導体加工用シート〕
本実施形態に係る半導体加工用シートでは、引張試験における１００％強度が、３〜１４Ｎ／１５ｍｍであり、３〜１２Ｎ／１５ｍｍであることが好ましく、特に３〜１０Ｎ／１５ｍｍであることが好ましい。

ここで、引張試験における１００％強度とは、半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間が１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの力の強さとして表される。当該切り出しは、半導体加工用シートの製造時における流れ方向（ＭＤ方向）と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。なお、この引張試験において、試験片の厚さは特別に制限されず、試験の対象とする半導体加工用シートの厚さと同じであってよい。

１００％強度が１４Ｎ／１５ｍｍを超えると、半導体加工用シートを突き上げるために必要な力が強くなりすぎ、ピックアップを行うのに必要な高さまで突き上げを行うことができなくなる。また、３Ｎ／１５ｍｍ未満であると、半導体加工用シートが軟らかくなりすぎ、半導体チップを十分に担持することができず、半導体チップの重さによって弛みが生じたり、半導体チップ同士が接触したりする懸念が生じる。一方、１００％強度が３〜１４Ｎ／１５ｍｍであれば、半導体加工用シートは、突き上げに対して抵抗することなく、十分に伸長することができ、また、半導体チップを適切に担持し、意図した突き上げの動作を適切に行うことが可能となる。結果として、半導体チップを良好にピックアップすることができる。特に、ブロックを使用した面で突き上げる装置のように、シートにかかる負荷が大きい場合でも、突き上げに十分に対応できるため、良好に半導体チップをピックアップすることができる。

なお、１００％強度とは、端的には通常時の長さから１００％伸長させて、長さが倍になったときの力の強さを表す。ここで、通常時とは、半導体加工用シートに外的な力がかかっていない状態を意味する。本実施形態に係る半導体加工用シートは、１００％を超えて伸長させた場合であっても、その長さにしたときの力が上述した１００％強度の範囲に収まることが好ましい。

本実施形態に係る半導体加工用シートでは、復元性試験における復元率が、７５〜１００％であり、特に復元率の下限値が８０％以上であることが好ましく、さらには８５％以上であることが好ましい。

ここで、復元性試験における復元率は、次のように算出される。まず、半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出し、試験片を得る。当該切り出しは、半導体加工用シートの製造時における流れ方向（ＭＤ方向）と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。次に、試験片の長さ方向の両端を、つかみ具間が１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかむ。このときのつかみ具間の長さを、初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）とする。次に、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度でつかみ具間を長さ方向に引張り、つかみ具間が２００ｍｍとなった状態で１分間保持する。２００ｍｍまで拡張した後のつかみ具間の長さから初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）（すなわち１００ｍｍ）を引いた長さを、拡張長さＬ１（ｍｍ）とする。１分間の保持の後、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度でつかみ具間の長さを戻し、つかみ具間が１００ｍｍ（すなわちＬ０（ｍｍ））となった状態で１分間保持する。その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度でつかみ具間を長さ方向に引張り、引張測定の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを超えた時点でのつかみ具間の長さを記録する。当該長さから初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）を引いた値を、Ｌ２（ｍｍ）する。以上のようにして得られたＬ１およびＬ２の値を下記式（Ｉ）にあてはめることで、復元率（％）が得られる。
復元率（％）＝｛１−(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００ ・・・ （Ｉ）
なお、この引張試験において、試験片の厚さは特別に制限されず、試験の対象とする半導体加工用シートの厚さと同じであってよい。

復元率が７５％未満であると、ピックアップ後に半導体加工用シートは伸びたままとなる。この状態で、次の半導体チップに対して更なるピックアップを行うと、半導体加工用シートの弛みが大きくなる。これにより、ピックアップする半導体チップの位置がずれ、適切な突き上げおよびピックアップができなくなるだけでなく、ピックアップする半導体チップの周囲の他の半導体チップを固定することも困難になる。また、復元率が１００％を超えることは殆ど生じないと考えられるものの、１００％を超える場合、ピックアップした半導体チップが貼付されていた半導体加工用シートの領域が元の状態よりも縮み、次にピックアップする半導体チップの位置がずれたり、隣接する半導体チップ同士が接触したりすると考えられる。これに対し、復元率が７５〜１００％であることで、突き上げの動作後もシートは弛むことなく適切に復元し、隣接する半導体チップを適切に固定することができ、その後の突き上げを意図した通りに適切に行うことが可能となる。結果として、半導体チップを良好にピックアップすることができる。特に、ブロックを使用した面で突き上げる装置のように、シートにかかる負荷が大きい場合でも、突き上げに十分に対応できるため、良好にピックアップすることができる。

本実施形態に係る半導体加工用シートは、少なくとも一方の面が粘着性を有することが好ましい。この粘着性は、半導体加工用シートが常態で有するものであってもよいし、加熱等のトリガーによって発現するものであってもよい。本実施形態に係る半導体加工用シートは、少なくとも一方の面が粘着性を有することで、この粘着性を有する面に半導体ウェハや半導体チップを良好に貼付して固定することができる。

本実施形態に係る半導体加工用シートの粘着性を有する面における粘着力は、ピックアップに適した粘着力に設定することが好ましい。例えば、上記粘着力は、突き上げによるずれを防ぐのに十分な粘着力であって、且つ、突き上げた半導体チップを取り上げるのに適した粘着力とすることが好ましい。さらに、上記粘着力は、半導体加工用シートのその他の用途に応じて適宜設定してもよい。例えば、半導体加工用シートをダイシングにも使用する場合、ダイシングの際に、半導体加工用シートと半導体チップとの間への水の浸入、半導体チップの飛散、半導体チップのチッピング等を防ぐことが可能な粘着力とすることが好ましい。また、半導体加工用シートを半導体チップの搬送にも使用する場合、半導体加工用シートからの半導体チップのずれや脱落等を防ぐことが可能な粘着力とすることが好ましい。さらに、後述するように半導体加工用シートをダイボンディングに使用する場合には、半導体加工用シートの接着剤が半導体チップの裏面に付着したままピックアップが完了するように、粘着力を設定することが好ましい。また、後述するように半導体加工用シートが保護膜形成フィルムを備える場合には、当該保護膜形成フィルムに由来する保護膜が半導体チップの裏面に付着したままピックアップが完了するように、粘着力を設定することが好ましい。

本実施形態に係る半導体加工用シートは、基材のみで構成されてもよい。この場合、当該基材は粘着性を有することが好ましい。当該粘着性が常態で発揮されるものである場合、基材として、自己粘着性を有するものを使用することができる。

本実施形態に係る半導体加工用シートは、基材と、基材の一方の面に積層された粘着剤層とを備えた構成とすることが好ましい。この場合、粘着剤層を半導体加工用シートの最外層として設けることにより、上記粘着性が発揮される。なお、本明細書における半導体加工用シートの最外層には、剥離シート等、使用時に除去されるものを含まないものとする。以下、基材のみで構成される半導体加工用シート、および基材と粘着剤層とを備えた半導体加工用シートを主として説明する。

１．基材
基材は、半導体加工用シートとして上記１００％強度および復元性を達成できるものであれば、その構成材料は特に限定されず、通常は樹脂系の材料を主材料とするフィルムから構成される。上記１００％強度および復元性を達成し易いという観点から、基材の材料としては、熱可塑性エラストマーまたはゴム系材料を使用することが好ましい。また、同じ観点から、基材の構成材料としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂を使用することが好ましく、特に、このような樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、８０℃以下であることが好ましく、特に７０℃以下であることが好ましく、さらには６０℃以下であることが好ましい。半導体加工用シートが基材のみで構成される場合には、基材の材料としては、粘着性を有する材料を使用することが好ましい。

熱可塑性エラストマーとしては、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、アクリル系エラストマー、アミド系エラストマー等が挙げられる。

オレフィン系エラストマーとしては、エチレン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・α−オレフィン共重合体、ブテン・α−オレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・α−オレフィン共重合体、エチレン・ブテン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・ブテン−αオレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・ブテン−α・オレフィン共重合体、スチレン・イソプレン共重合体およびスチレン・エチレン・ブチレン共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むものが挙げられる。

オレフィン系エラストマーの密度は、特に限定されないが、ダイシング時の凹凸追従性に優れる基材をより安定的に得るなどの観点から、０．８６０ｇ／ｃｍ^３以上０．９０５ｇ／ｃｍ^３未満であることが好ましく、０．８６２ｇ／ｃｍ^３以上０．９００ｇ／ｃｍ^３未満であることがより好ましく、０．８６４ｇ／ｃｍ^３以上０．８９５ｇ／ｃｍ^３未満であることが特に好ましい。

オレフィン系エラストマーは、このエラストマーを形成するために用いた全単量体のうち、オレフィン系化合物からなる単量体の質量比率（本明細書において「オレフィン含有率」ともいう。）が６０〜１００質量％であることが好ましい。オレフィン含有率が過度に低い場合には、オレフィンに由来する構造単位を含むエラストマーとしての性質が現れにくくなり、柔軟性やゴム弾性を示しにくくなる。かかる効果を安定的に得る観点から、オレフィン含有率は６０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。

スチレン系エラストマーとしては、スチレン−共役ジエン共重合体およびスチレン−オレフィン共重合体などが挙げられる。スチレン−共役ジエン共重合体の具体例としては、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体、スチレン−イソプレン−スチレン共重合体（ＳＩＳ）、スチレン−エチレン−イソプレン−スチレン共重合体等の未水添スチレン−共役ジエン共重合体；スチレン−エチレン／プロピレン−スチレン共重合体（ＳＥＰＳ、スチレン−イソプレン−スチレン共重合体の水添加物）、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体（ＳＥＢＳ、スチレン−ブタジエン共重合体の水素添加物）等の水添スチレン−共役ジエン共重合体などを挙げることができる。また、工業的には、タフプレン（旭化成社製）、クレイトン（クレイトンポリマージャパン社製）、住友ＴＰＥ−ＳＢ（住友化学社製）、エポフレンド（ダイセル化学工業社製）、ラバロン（三菱化学社製）、セプトン（クラレ社製）、タフテック（旭化成社製）などの商品名が挙げられる。スチレン系エラストマーは、水素添加物でも未水添物であってもよい。

ゴム系材料としては、例えば、天然ゴム、合成イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、アクリロニトリル−ブタジエン共重合ゴム（ＮＢＲ）、ブチルゴム（ＩＩＲ）、ハロゲン化ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、多硫化ゴム等が挙げられ、これらの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。

基材として、上記のような材料からなるフィルムが複数層積層されたものを使用することもできる。また、上記のような材料からなるフィルムと、その他のフィルムとが積層されたものを使用することもできる。

フィルムを複数層積層する場合、上述の１００％強度および復元性を達成する上で寄与率の高いフィルムを、比較的厚い厚さで中央に配置し、そのフィルムを、上記寄与率の低い、比較的薄い厚さの別のフィルムで挟む構成にすることができる。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂の使用は、１００％強度および復元性を達成する上で好ましいものの、そのような樹脂は粘着性が高いため、そのような樹脂を半導体加工用シートの表面に設ける場合、半導体加工用シートの製造時または使用時における取り扱いが困難になる可能性がある。そこで、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂フィルムを、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的高い樹脂フィルムで挟んだり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂フィルムに対してガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的高い樹脂フィルムを積層したりすることにより、上記１００％強度および復元性の達成と、取り扱い性とを両立することができる。また、半導体加工用シートが基材のみから構成される場合には、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂フィルムの一方の面に対して、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的高い樹脂フィルムを積層することで、一方の面のみにおいて粘着性を発揮させることができる。

本実施形態における基材では、上記の樹脂系材料を主材料とするフィルム内に、顔料、染料、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、フィラー等の各種添加剤が含まれていてもよい。顔料としては、例えば、二酸化チタン、カーボンブラック等が挙げられる。また、フィラーとしては、メラミン樹脂のような有機系材料、ヒュームドシリカのような無機系材料およびニッケル粒子のような金属系材料が例示される。こうした添加剤の含有量は特に限定されないが、基材が所望の機能を発揮し得る範囲に留めることが好ましい。

半導体加工用シートが粘着剤層を有する場合、基材は、その表面に積層される粘着剤層との密着性を向上させる目的で、所望により片面または両面に、酸化法や凹凸化法などによる表面処理、あるいはプライマー層を形成するプライマー処理を施すことができる。上記酸化法としては、例えばコロナ放電処理、プラズマ放電処理、クロム酸化処理（湿式）、火炎処理、熱風処理、オゾン、紫外線照射処理などが挙げられ、また、凹凸化法としては、例えばサンドブラスト法、溶射処理法などが挙げられる。

また、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤を含有する場合、基材は、エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。特に、エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材は紫外線に対して透過性を有することが好ましく、エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材は電子線の透過性を有することが好ましい。

基材の厚さは、半導体加工用シートが所望の工程において適切に機能できる限り、限定されない。基材の厚さは、好ましくは２０〜４５０μｍ、より好ましくは３０〜３５０μｍ、特に好ましくは４０〜２５０μｍの範囲である。

２．粘着剤層
粘着剤層の材料としては、従来の半導体加工用シートで使用される粘着剤を使用できる。

粘着剤は、基材を構成する材料と比較して一般的に軟質であり、さらに、粘着剤層の厚さは基材の厚さと比較して通常薄く設定されることから、上記１００％強度および復元性に及ぼす影響が小さい。そのため、ピックアップを行うのに適したものを適宜選択することができ、所望によりさらにダイシングまたはエキスパンドにも適したものを適宜選択することができる。

粘着剤層は、非エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよく、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよい。非エネルギー線硬化性粘着剤としては、所望の粘着力および再剥離性を有するものが好ましく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等を使用することができる。これらの中でも、半導体チップの脱落を効果的に抑制することのできるアクリル系粘着剤が好ましい。一方、エネルギー線硬化性粘着剤を使用する場合、半導体加工用シートに対してエネルギー線を照射することで、半導体加工用シートの半導体チップに対する粘着力が低下し、半導体チップのピックアップをより容易に行うことができる。

（１）非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）
非エネルギー線硬化性のアクリル系粘着剤（以下「非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）」という場合がある。）としては、従来公知のアクリル系の重合体を用いることができる。アクリル系重合体は、１種類のアクリル系モノマーから形成された単独重合体であってもよいし、複数種類のアクリル系モノマーから形成された共重合体であってもよいし、１種類または複数種類のアクリル系モノマーとアクリル系モノマー以外のモノマーとから形成された共重合体であってもよい。アクリル系モノマーとなる化合物の具体的な種類は特に限定されず、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、その誘導体（アクリロニトリル、イタコン酸など）が具体例として挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルについてさらに具体例を示せば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート等の鎖状骨格を有する（メタ）アクリレート；シクロへキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、イミドアクリレート等の環状骨格を有する（メタ）アクリレート；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレート；グリシジル（メタ）アクリレート、Ｎ−メチルアミノエチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシ基以外の反応性官能基を有する（メタ）アクリレートが挙げられる。また、アクリル系モノマー以外のモノマーとして、エチレン、ノルボルネン等のオレフィン、酢酸ビニル、スチレンなどが例示される。なお、アクリル系モノマーがアルキル（メタ）アクリレートである場合には、そのアルキル基の炭素数は１〜１８の範囲であることが好ましい。

粘着剤層が架橋剤を使用して形成される場合には、非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）は、架橋剤と反応する反応性官能基を有することが好ましい。反応性官能基の種類は特に限定されず、架橋剤の種類などに基づいて適宜決定すればよい。

例えば、架橋剤がポリイソシアネート化合物である場合には、非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）が有する反応性官能基として、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基などが例示され、中でもイソシアネート基との反応性の高いヒドロキシ基が好ましい。また、架橋剤がエポキシ系化合物である場合には、非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）が有する反応性官能基として、カルボキシ基、アミノ基、アミド基などが例示され、中でもエポキシ基との反応性の高いカルボキシ基が好ましい。また、半導体ウェハや半導体チップの回路の腐食を防止する観点から、反応性官能基はヒドロキシ基であることが好ましい。

非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）に反応性官能基を導入する方法は特に限定されず、一例として、反応性官能基を有するモノマーを用いてアクリル系重合体を形成し、反応性官能基を有するモノマーに基づく構成単位を重合体の骨格に含有させる方法が挙げられる。例えば、非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）にヒドロキシ基を導入する場合は、２−ヒドロキシエチルアクリレートなどのヒドロキシ基を有するモノマーを用いてアクリル系重合体を形成すればよい。

非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）が反応性官能基を有する場合には、架橋の程度を良好な範囲にする観点から、アクリル系重合体全体の質量に占める反応性官能基を有するモノマー由来の構造部分の質量の割合が、１〜２０質量％程度であることが好ましく、２〜１０質量％であることがより好ましい。

非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、塗工時の造膜性の観点から１万〜２００万であることが好ましく、１０万〜１５０万であることがより好ましい。なお、本明細書における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した標準ポリスチレン換算の値である。

（２）エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）
エネルギー線硬化性粘着剤（以下「エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）」という場合がある。）の主な材料は、エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）であってよく、または、エネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）とエネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）を除くエネルギー線硬化性化合物（Ａ３）との組み合わせであってよい。また、エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）は、エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）と組み合わせて使用してもよい。なお、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を含む場合、上記１００％強度および復元率は、半導体加工用シートにエネルギー線を照射した後の測定に基づく値とする。

（２−１）エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）
本実施形態におけるエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）が、エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）を含有する場合、かかる重合体（Ａ１）は、粘着剤層にそのまま含有されていてもよく、また少なくともその一部が架橋剤と架橋反応を行って架橋物として含有されていてもよい。

エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）としては、たとえば、官能基を含有する官能基含有モノマーを構成成分とする官能基含有アクリル系重合体（Ａ１−１）と、当該官能基と反応する置換基およびエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を有するエネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１−２）とを反応させて得られるアクリル系重合体が挙げられる。

官能基含有アクリル系重合体（Ａ１−１）は、官能基を含有するアクリル系モノマーと、官能基を含有しないアクリル系モノマーと、所望によりアクリル系モノマー以外のモノマーとを共重合したものであることが好ましい。すなわち、上記官能基含有モノマーは、官能基を含有するアクリル系モノマーであることが好ましい。

官能基を含有するアクリル系モノマーの官能基（官能基含有モノマーの官能基）としては、上記エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１−２）が有する置換基と反応可能なものが選択される。かかる官能基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等が挙げられ、中でも半導体ウェハや半導体チップの回路の腐食を防止する観点からヒドロキシ基が好ましい。半導体ウェハや半導体チップの回路の腐食を防止するために、官能基含有モノマーは、カルボキシ基を実質的に含有しないことが好ましい。なお、本実施形態におけるエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）が、架橋剤を含有する場合には、官能基含有アクリル系重合体（Ａ１−１）は、架橋剤と反応する官能基を有する官能基含有モノマーを構成成分として含有することが好ましく、当該官能基含有モノマーは、上記硬化性基含有化合物が有する置換基と反応可能な官能基を有する官能基含有モノマーが兼ねてもよい。

ヒドロキシ基を含有するアクリル系モノマー（ヒドロキシ基含有モノマー）としては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルなどが挙げられる。これらの中でも、エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１−２）との反応性の点から２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

官能基を含有しないアクリル系モノマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを含むことが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ｎ−デシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ミリスチル（メタ）アクリレート、パルミチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーの中でも、アルキル基の炭素数が１〜１８であるものが好ましく、特に炭素数が１〜４であるものが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

官能基を含有しないアクリル系モノマーは、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー以外にも、例えば、メトキシメチル（メタ）アクリレート、メトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシメチル（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート等のアルコキシアルキル基含有（メタ）アクリル酸エステル、フェニル（メタ）アクリレート等の芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、アクリルアミド、メタクリルアミド等の非架橋性のアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート等の非架橋性の３級アミノ基を有する（メタ）アクリル酸エステルなどを含んでもよい。

アクリル系モノマー以外のモノマーとしては、例えば、エチレン、ノルボルネン等のオレフィン、酢酸ビニル、スチレン等が挙げられる。

官能基含有アクリル系重合体（Ａ１−１）における、官能基含有アクリル系重合体（Ａ１−１）全体の質量に占める官能基含有モノマー由来の構造部分の質量の割合は、０．１〜５０質量％であることが好ましく、特に１〜４０質量％であることが好ましく、さらには３〜３０質量％であることが好ましい。これにより、エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１−２）による硬化性基の導入量（および架橋剤との反応量）を所望の量に調整して、得られる粘着剤層の硬化の程度（架橋の程度）を好ましい範囲に制御することができる。

官能基含有アクリル系重合体（Ａ１−１）は、上記各モノマーを常法によって共重合することにより得られる。官能基含有アクリル系重合体（Ａ１−１）の重合態様は、ランダム共重合体であってもよいし、ブロック共重合体であってもよい。

エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１−２）は、官能基含有アクリル系重合体（Ａ１−１）が有する官能基と反応する置換基およびエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を有するものである。官能基含有アクリル系重合体（Ａ１−１）が有する官能基と反応する置換基としては、例えば、イソシアネート基、エポキシ基、カルボキシ基等が挙げられ、中でもヒドロキシ基との反応性の高いイソシアネート基が好ましい。

エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１−２）は、エネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を、エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１−２）の１分子毎に１〜５個含むことが好ましい。

このようなエネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１−２）としては、例えば、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１−（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物などが挙げられる。これらの中でも、特に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが好ましい。エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１−２）は、１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。

エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を含有する粘着剤層を備える半導体加工用シートでは、エネルギー線を照射して、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を硬化させると、半導体加工用シートの１００％強度が高くなり、復元率が低下する傾向にある。そのため、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）におけるエネルギー線硬化性を低く抑えることで、上記１００％強度および復元率を達成することができる。例えば、エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）として、例えば紫外線硬化性の炭素−炭素二重結合を有する側鎖を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体を使用する場合、その紫外線重合性炭素−炭素二重結合の当量は、この共重合において０．２〜０．９ｍｅｑ／ｇであることが好ましく、特に０．３〜０．７ｍｅｑ／ｇであることが好ましい。

エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０万〜２００万であることが好ましく、３０万〜１５０万であることがより好ましい。

（２−２）エネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）
本実施形態におけるエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）がエネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）を含有する場合、当該重合体（Ａ２）は、粘着剤層にそのまま含有されていてもよく、また少なくともその一部が架橋剤と架橋反応を行って架橋物として含有されていてもよい。エネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）としては、フェノキシ樹脂、アクリル系重合体、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ゴム系樹脂、アクリルウレタン樹脂等が挙げられる。エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）に含有されるアクリル系重合体としては、上述した非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）と同様のものを使用することができる。

（２−３）エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）
エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）は、エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）を除くエネルギー線硬化性化合物（Ａ３）を含有するものであってもよく、この場合、上述したエネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）を合わせて含有することが好ましい。また、エネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）に代えて、またはこれと共にエネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）を含有していてもよい。エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）は、エネルギー線硬化性基を有し、エネルギー線の照射を受けると重合する化合物である。

エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）が有するエネルギー線硬化性基は、例えばエネルギー線硬化性の炭素−炭素二重結合を含む基であり、具体的には、（メタ）アクリロイル基、ビニル基などを例示することができる。

エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）の例としては、上記のエネルギー線硬化性基を有していれば特に限定されないが、汎用性の観点から低分子量化合物（単官能、多官能のモノマーおよびオリゴマー）であることが好ましい。低分子量のエネルギー線硬化性化合物（Ａ３）の具体例としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、イソボルニルアクリレートなどの環状脂肪族骨格含有アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。

また、エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）の例として、エネルギー線硬化性基を有するエポキシ樹脂、エネルギー線硬化性基を有するフェノール樹脂等も挙げられる。このような樹脂は、たとえば、特開２０１３−１９４１０２号公報に記載されているものを用いることができる。

エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）は、通常は分子量が１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。

エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を含有する粘着剤層を備える半導体加工用シートでは、エネルギー線を照射し、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を硬化させると、半導体加工用シートの１００％強度は高くなり、復元率は低下する傾向にある。したがって、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）におけるエネルギー線硬化性を低く抑えることで、上記１００％強度および復元率を達成することができる。例えば、エネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）としての（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）との組み合わせを使用する場合、（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００重量部に対して、エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）を１０〜１５０重量部で使用することが好ましく、特に２０〜１００重量部で使用することが好ましい。

（３）架橋剤
本実施形態における粘着剤層は、上述した非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）またはエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）と反応し得る架橋剤を使用して形成してもよい。この場合、例えば、上記の粘着剤および架橋剤を含む粘着剤組成物を調製し、粘着剤層の形成に用いることができる。架橋剤を用いて形成された粘着剤層は、上述した非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）またはエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）と架橋剤との架橋反応により得られた架橋物を含有する。

架橋剤の種類としては、例えば、エポキシ系化合物、ポリイソシアネート系化合物、金属キレート系化合物、アジリジン系化合物等のポリイミン化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、ジアルデヒド類、メチロールポリマー、金属アルコキシド、金属塩等が挙げられる。これらの中でも、架橋反応を制御し易いことなどの理由により、エポキシ系化合物またはポリイソシアネート化合物であることが好ましい。

エポキシ系化合物としては、例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシリレンジアミン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルアミン等が挙げられる。

ポリイソシアネート化合物は、１分子当たりイソシアネート基を２個以上有する化合物である。具体的には、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族ポリイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加ジフェニルメタンジイソシアネート等の脂環式ポリイソシアネートなど、及びそれらのビウレット体、イソシアヌレート体、さらにはエチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン、ヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物であるアダクト体などが挙げられる。

架橋剤を用いて粘着剤層を形成する場合、上述した非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）またはエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜５０質量部、特に好ましくは０．１〜１０質量部の架橋剤を使用して、粘着剤層を形成することが好ましい。

本実施形態における粘着剤層を、架橋剤を用いて形成する場合、その架橋剤の種類などに応じて、適切な架橋促進剤を使用することが好ましい。例えば、架橋剤がポリイソシアネート化合物である場合には、有機スズ化合物などの有機金属化合物系の架橋促進剤を使用することが好ましい。

（４）その他の成分
本実施形態における粘着剤層を形成するための粘着剤組成物は、上記の成分に加えて、染料や顔料等の着色材料、難燃剤、フィラー、可塑剤、帯電防止剤などの各種添加剤を含有してもよい。また、粘着剤層が、紫外線といった光によって硬化するエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を含有する場合には、粘着剤組成物は、光重合開始剤を含有することが好ましい。

光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが例示される。エネルギー線として紫外線を用いる場合には、光重合開始剤を配合することにより照射時間、照射量を少なくすることができる。

（５）エネルギー線の照射
前述したエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を硬化させるためのエネルギー線としては、電離放射線、すなわち、Ｘ線、紫外線、電子線などが挙げられる。これらのうちでも、比較的照射設備の導入の容易な紫外線が好ましい。

電離放射線として紫外線を用いる場合には、取り扱いの容易さから波長２００〜３８０ｎｍ程度の紫外線を含む近紫外線を用いればよい。光量としては、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）が有するエネルギー線硬化性基の種類や粘着剤層の厚さに応じて適宜選択すればよく、通常５０〜５００ｍＪ／ｃｍ^２程度であり、１００〜４５０ｍＪ／ｃｍ^２が好ましく、２００〜４００ｍＪ／ｃｍ^２がより好ましい。また、紫外線照度は、通常５０〜５００ｍＷ／ｃｍ^２程度であり、１００〜４５０ｍＷ／ｃｍ^２が好ましく、２００〜４００ｍＷ／ｃｍ^２がより好ましい。紫外線源としては特に制限はなく、例えば高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ＵＶ−ＬＥＤなどが用いられる。

電離放射線として電子線を用いる場合には、その加速電圧については、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）が有するエネルギー線硬化性基の種類や粘着剤層の厚さに応じて適宜選定すればよく、通常加速電圧１０〜１０００ｋＶ程度であることが好ましい。また、照射線量は、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）が適切に硬化する範囲に設定すればよく、通常１０〜１０００ｋｒａｄの範囲で選定される。電子線源としては、特に制限はなく、例えばコックロフトワルトン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、あるいは直線型、ダイナミトロン型、高周波型などの各種電子線加速器を用いることができる。

（６）厚さ
本実施形態における粘着剤層の厚さは２〜５０μｍであることが好ましく、特に５〜３０μｍであることが好ましく、さらには８〜２０μｍであることが好ましい。

３．剥離シート
本実施形態に係る半導体加工用シートは、被着体に粘着剤層を貼付するまでの間、粘着剤層を保護する目的で、粘着性を有する面に剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートの構成は任意であり、プラスチックフィルムを剥離剤等により剥離処理したものが例示される。プラスチックフィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、およびポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィンフィルムが挙げられる。剥離剤としては、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系等を用いることができ、これらの中で、安価で安定した性能が得られるシリコーン系が好ましい。剥離シートの厚さについては特に制限はないが、通常２０〜２５０μｍ程度である。

４．半導体加工用シートの他の例
以上、基材のみで構成される半導体加工用シート、および基材と粘着剤層とを備えた半導体加工用シートについて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

例えば、他の実施形態として、半導体加工用シートは、基材と粘着剤層との間に接着剤層（基材と粘着剤層との間の密着性を向上させるためのプライマー層等）を備えたものであってもよい。また、半導体加工用シートは、基材と粘着剤層との間に中間層を備えたものであってもよい。中間層としては、例えば、半導体加工用シートに対して、所望の弾性や半導体チップの突起に対する追従性を付与する機能を有するものが挙げられる。かかる中間層は、例えば、ウレタンアクリレート等を含有する材料から構成される。

また他の実施形態として、半導体加工用シートは、最外層に位置する接着剤層を備えたものであってもよい。例えば、半導体加工用シートは、基材と接着剤層とから構成されてよく、あるいは、基材と粘着剤層と接着剤層とがこの順に積層された構成であってよい。当該接着剤層は、加熱等のトリガーによって粘着性を発現することが好ましい。

前述した接着剤層は、例えば、ダイボンディングにおける接着剤やアンダーフィル剤として使用することができる。

また他の実施形態として、半導体加工用シートは、最外層に位置する保護膜形成フィルムを備えたものであってもよい。例えば、半導体加工用シートは、基材と保護膜形成フィルムとから構成されてよく、あるいは、基材と粘着剤層と保護膜形成フィルムとがこの順に積層された構成であってよい。保護膜形成フィルムは、特に、フェイスダウン方式と呼ばれる実装法により半導体装置を製造する場合に、半導体チップの裏面を保護するための保護膜として使用することができる。

５．半導体加工用シートの製造方法
本実施形態に係る半導体加工用シートは、従来の半導体加工用シートと同様に製造することができる。特に、基材と粘着剤層とからなる半導体加工用シートの製造方法としては、前述の粘着剤組成物から形成される粘着剤層を基材の一の面に積層できれば、詳細な方法は特に限定されない。一例を挙げれば、粘着剤層を構成する粘着剤組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製し、基材の一の面上に、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、ナイフコーター等によりその塗工液を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより、粘着剤層を形成することができる。塗工液は、塗布を行うことが可能であればその性状は特に限定されず、粘着剤層を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、分散質として含有する場合もある。

また、半導体加工用シートの製造方法の別の一例としては、前述の剥離シートの剥離面上に塗工液を塗布して塗膜を形成し、これを乾燥させて粘着剤層と剥離シートとからなる積層体を形成し、この積層体の粘着剤層における剥離シート側の面と反対側の面を基材に貼付して、半導体加工用シートと剥離シートとの積層体を得てもよい。この積層体における剥離シートは工程材料として剥離してもよいし、半導体チップ、半導体ウェハ等の被着体に貼付するまでの間、粘着剤層を保護していてもよい。

塗工液が架橋剤を含有する場合には、上記の乾燥の条件（温度、時間など）を変えることにより、または加熱処理を別途設けることにより、塗膜内の非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）またはエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）と架橋剤との架橋反応を進行させ、粘着剤層内に所望の存在密度で架橋構造を形成させればよい。この架橋反応を十分に進行させるために、上記の方法などによって基材に粘着剤層を積層させた後、得られた半導体加工用シート１を、例えば２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行ってもよい。

６．半導体加工用シートの使用方法
本実施形態に係る半導体加工用シートは、半導体チップをピックアップする際に、当該半導体チップを支持するシートとして使用することができる。

例えば、本実施形態に係る半導体加工用シートは、ダイシングシートとして使用することができる。この場合、裏面研削後の半導体ウェハを半導体加工用シートに貼付し、半導体加工用シート上でダイシングすることによって、当該半導体ウェハを半導体チップに個片化することができる。その後、複数の半導体チップを、半導体加工用シートから個々にピックアップすることができる。このとき、半導体加工用シートが保護膜形成フィルムをさらに備えているものであれば、半導体ウェハとともに保護膜形成フィルムも同時に切断し、個片化された半導体チップをピックアップすることで、裏面に保護膜を有する半導体チップを得ることができる。

また、本実施形態に係る半導体加工用シートは、ダイシングには使用せず、ダイシング後の半導体チップをピックアップするためだけに使用することもできる。この場合、複数の半導体チップを、ダイシングシートから、半導体加工用シートに移動させた後、当該半導体加工用シートから半導体チップをピックアップすることができる。なお、ダイシングシートから半導体加工用シートへの移動は、転写により行ってもよく、あるいはピックアップにより行ってもよい。

さらに、本実施形態に係る半導体加工用シートは、ダイシング・ダイボンディングシートとして使用することもできる。この場合、半導体加工用シートは、前述した接着剤層を備えることが好ましい。当該半導体加工用シートによれば、ダイシングの際、半導体ウェハとともに接着剤層も同時に切断し、個片化された半導体チップをピックアップすることで、接着剤が付着した半導体チップを得ることができる。

また、本実施形態に係る半導体加工用シートは、バックグラインドシートといった、半導体ウェハ等の表面保護シートとして使用することができる。具体的には、半導体ウェハ等の保護が必要な面に対して、半導体加工用シートの粘着剤層における基材と反対側の面を貼付する。これにより、半導体ウェハ等を取り扱う際において、半導体加工用シートを貼付した面の破損を防ぐことができる。特に、半導体加工用シートをバックグラインドシートとして使用する場合には、半導体ウェハの回路が形成された面に対し、半導体加工用シートの粘着剤層における基材と反対側の面を貼付する。これにより、半導体ウェハの裏面を研削する際に、半導体加工用シートによって回路を保護することができる。

〔半導体装置の製造方法〕
図１を参照しつつ、本実施形態に係る半導体加工用シートを用いて、半導体装置を製造する方法を以下に説明する。特に、半導体チップをピックアップする工程について説明する。

まず、図１（ａ）に示すように、個片化された複数の半導体チップ２が一方の面に貼付された半導体加工用シート１を用意する。これは、例えば、ダイシングシート上で半導体ウェハをダイシングした後、得られた複数の半導体チップ２を半導体加工用シート１に転写することで行われる。この転写の際、半導体加工用シート１の粘着性を有する面に対して、半導体チップ２が貼付される。このような転写の代わりに、半導体加工用シート１の粘着性を有する面に半導体ウェハを貼付し、半導体加工用シート１上でダイシングを行うことで、半導体加工用シート１上に複数の半導体チップ２を得てもよい。半導体加工用シート１が、エネルギー線硬化性粘着剤を含有する粘着剤層を有し、この粘着剤層によって半導体加工用シート１の粘着性が発揮されている場合には、半導体加工用シート１上に複数の半導体チップ２を得た後に、エネルギー線を照射してもよい。これにより、この粘着剤は硬化して粘着性が低下し、後のピックアップの工程において半導体チップ２を半導体加工用シート１から剥離し易くなる。なお、図１（ａ）には、次の工程で行われる突き上げのための突き上げブロック３が、半導体加工用シート１の、半導体チップ２とは反対側の面に配置されている。

次に、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ２の１つを、半導体加工用シート１の半導体チップ２が貼付されている面とは反対の面側から突き上げる。突き上げによって、半導体加工用シート１における、半導体チップ２’が貼付されている領域が持ち上げられ、これに伴い、半導体チップ２’も同様に持ち上げられる。突き上げブロック３は、半導体加工用シート１と接する面に平面を含み、その面によって半導体加工用シート１を押し上げる。突き上げブロック３の半導体加工用シート１と接する面の大きさは、突き上げを好適に行うことができる限り限定されず、点に近い小さな面で突き上げることによる半導体チップ２’の破壊を回避し、且つ、突き上げの対象となる半導体チップ２’に隣接する半導体チップ２への影響を最小限にするという観点から適宜設定できる。特に、半導体チップ２’の破壊を回避する観点から、突き上げブロック３の半導体加工用シート１と接する面の面積は、半導体チップ２’の半導体加工用シート１と接する面の面積と同じであるか、その面積に近いことが好ましい。但し、突き上げブロック３の面積が半導体チップ２’の面積を超えてしまうと、突き上げの際に隣接する半導体チップ２にも影響してしまい、隣接する半導体チップ２の位置がずれたり、半導体チップ２’のみを突き上げることができなくなったりする。そのため、突き上げブロック３の半導体加工用シート１と接する面の面積は、半導体チップ２’の面積を超えないことが好ましい。本実施形態に係る半導体加工用シート１では、上記１００％強度が３〜１４Ｎ／１５ｍｍであるため、突き上げブロック３の動作に対応して十分に伸長することができ、適切な突き上げを行うことが可能となる。特に、面で突き上げを行う突き上げブロック３を使用する場合、伸長可能な領域が、突き上げブロック３の端部の位置と、その位置に最も近い、半導体チップ２’に隣接する半導体チップ２の端部の位置との間に限られる。このように伸長可能な領域が狭い場合であっても、本実施形態に係る半導体加工用シート１は十分に伸張することができ、適切な突き上げを行うことができる。結果として、半導体チップ２’を良好にピックアップすることができる。

次に、図１（ｃ）に示すように、突き上げられた半導体チップ２’を、コレット４を用いて半導体加工用シート１からピックアップする。コレット４としては、従来のピックアップ工程において使用されるものであってよく、例えば、吸引することにより半導体チップ２’を持ち上げるものであってよい。

なお、突き上げられる半導体チップ２’に隣接する半導体チップ２は、図１（ｂ）および図１（ｃ）のような突き上げの間、実質的に動かないことが好ましい。言い換えれば、突き上げられる半導体チップ２’に隣接する半導体チップ２が貼付された、半導体加工用シート１の領域は、半導体チップ２’を突き上げる際に実質的に動かないことが好ましい。これは、例えば、上記隣接する半導体チップ２が位置する、半導体加工用シート１の領域を、突き上げブロック３の周囲と同じ方向から支える台（図示せず）に固定することで実現してもよい。固定は、例えば、吸着テーブルを使用して、半導体加工用シート１を吸引することで行うことができる。突き上げブロック３が半導体チップ２’を突き上げる際に、隣接する半導体チップ２が実質的に動かないことにより、突き上げる半導体チップ２’の位置がずれることが防止され、良好なピックアップを行うことができる。本実施形態にかかる半導体加工用シートは、上述した１００％強度および復元率を有するため、突き上げる際に隣接する半導体チップ２を実質的に動かさないことが可能となる。

半導体チップ２’をピックアップした後、図１（ｄ）に示すように、突き上げブロック３を元の高さまで下げる。本実施形態に係る半導体加工用シート１では、上記復元率が７５〜１００％であるため、突き上げブロック３は元の高さまで下がった後も、半導体加工用シート１に弛みが生じることなく、元の通りに復元できる。このため、ピックアップされた半導体チップ２’の周囲に存在していた半導体チップ２は適切に固定され、位置がずれることがなく、その後の突き上げについても良好に行うことができる。

以上が１つの半導体チップ２をピックアップする一連の流れであり、図１（ａ）から図１（ｄ）の工程を繰り返すことで、半導体加工用シート１から複数の半導体チップ２をピックアップし、次の工程に向けて搬送することができる。上記の通り、本実施形態に係る半導体加工用シート１によれば、半導体チップ２を良好にピックアップすることができる。

なお、図１では、突き上げブロック３を用いて突き上げを行う例を説明したが、突き上げブロック３の代わりにその他のものを使用してもよい。例えば、突き上げブロック３の代わりにニードルを用いてもよい。ニードルは、半導体加工用シート１に対してほぼ点で接し、その点によって半導体加工用シート１を押し上げる。ニードルを使用する場合、１つの半導体チップ２’に対して１つのニードルを用いて突き上げてもよく、または１つの半導体チップ２’に対して複数のニードルを用いて突き上げてもよい。

あるいは、図２に示すように、複数のプレート５からなる突き上げブロックを使用してもよい。プレート５は、半導体加工用シート１に対して垂直に独立して移動可能となっている。プレート５の動きを個々に制御することで、それらが集合した突き上げブロックとしては、様々な形で突き上げを行うことができる。例えば、図２（ａ）では、全てのプレート５が同時に半導体加工用シート１に向けて上昇しており、結果として図１（ｂ）と同様に半導体チップ２’を突き上げている。一方、図２（ｂ）では、プレート５の上昇量が、中央のプレート５から端のプレート５に向けて減少しており、突き上げブロック全体としては山型に半導体チップ２’を突き上げている。図２（ｂ）のように山型に突き上げる場合、半導体加工用シート１は、中央のプレート５の位置から隣接する半導体チップ２の位置までの領域で伸長することができ、図２（ａ）の場合と比較して、より広い領域で伸長できる。したがって、半導体加工用シート１への負荷を小さくするという観点では、図２（ａ）の場合よりも、図２（ｂ）の場合のように、伸長可能な領域がより広くなるように突き上げることが好ましい。しかしながら、本実施形態に係る半導体加工用シート１によれば、図２（ａ）のように、伸長可能な領域が非常に限られている場合であっても、突き上げに対応した十分な伸長が可能であり、突き上げ後も適切に復元することができ、結果として半導体チップ２を良好にピックアップすることができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

例えば、半導体加工用シートが基材と粘着剤層とを備える構成である場合、基材と粘着剤層との間には、他の層が介在していてもよい。

以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。

〔実施例１〕
（１）基材の作製
低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ；住友化学社製，スミカセンＬ７０５）、エチレン−ブテン共重合体（ＥＢ；三井化学社製，タフマーＡ−４０７０Ｓ）および低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ；住友化学社製，スミカセンＬ７０５）を小型Ｔダイ押出機（東洋精機製作所社製，ラボプラストミル）によって共押出成形することで、８μｍのＬＤＰＥの層、６４μｍのＥＢの層および８μｍのＬＤＰＥの層の３層が順に積層されたフィルムを作製し、これを基材として用いた。

（２）粘着剤層のための塗工液の調製
５９．５質量部（固形分換算値；以下同様に表記）の２−エチルヘキシルアクリレートと、３０質量部の酢酸ビニルと、０．５質量部のアクリル酸と、１０質量部の２−ヒドロキシエチルアクリレートとを共重合して、重量平均分子量が４０万のアクリル系粘着剤を調製した。このアクリル系粘着剤１００質量部と、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）系架橋剤（日本ポリウレタン工業社製，コロネートＬ）６質量部とを溶媒中で混合し、粘着剤層のための粘着剤組成物の塗工液を得た。

（３）半導体加工用シートの作製
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの片面にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる剥離フィルム（リンテック社製，ＳＰ−ＰＥＴ３８１１）の剥離面に対して、上記塗工液を塗布し、乾燥させることで、剥離フィルム上に、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、この粘着剤層の露出面に上記基材を貼り合せることで、粘着剤層に剥離フィルムが貼付された状態で半導体加工用シートを得た。

〔実施例２〕
アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス社製，テイサンレジンＳＧ−Ｐ３，固形分１５質量％）を、ＰＥＴフィルムの片面にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる剥離フィルム（リンテック社製，ＳＰ−ＰＥＴ３８１１）の剥離面に塗布し、乾燥させることで、剥離フィルム上に、厚さ３０μｍのアクリル系フィルム層が積層された積層体を得た。なお、アクリル系フィルム層は軟質のため、剥離フィルムは支持層としての役割も果たしている。この積層体を用いて、上記アクリル系フィルム層を４層積層することで、厚さ１２０μｍのアクリル酸エステル共重合体フィルムを得た。これを基材として用いる以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。

〔実施例３〕
５９．３質量部の２−エチルヘキシルアクリレートと、３０質量部の酢酸ビニルと、０．７質量部のアクリル酸と、１０質量部の２−ヒドロキシエチルアクリレートとを共重合して、重量平均分子量が４０万のアクリル系粘着剤を調製した。このアクリル系粘着剤１００質量部と、エネルギー線硬化性化合物として、多官能ウレタンアクリレートオリゴマー（大日精化工業社製，セイカビームＰＵ−５）１００質量部と、ＴＤＩ系架橋剤（日本ポリウレタン工業社製，コロネートＬ）３質量部とを溶媒中で混合し、粘着剤層のための粘着剤組成物の塗工液を得た。この塗工液を用いたこと以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。

〔比較例１〕
ポリ塩化ビニル樹脂（ＰＶＣ；平均重合度１０５０）１００質量部、ポリエステル系可塑剤５２質量部、および少量の安定剤を混練し、カレンダー装置を用いてフィルム状に成形することで、厚さ８０μｍの塩化ビニルフィルムを得た。これを基材として用いる以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。

〔比較例２〕
基材を、厚さ８０μｍのポリプロピレンフィルム（ＰＰ；ダイヤプラスフィルム社製，ＬＴ０１−０６０５１）に変更する以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。

〔比較例３〕
低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ；住友化学社製，スミカセンＬ７０５）を、小型Ｔダイ押出機によって押出成形し、厚さ８０μｍのフィルムを得た。これを基材として用いる以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。

〔比較例４〕
エチレン−メタクリル酸共重合体（ＥＭＡＡ；三井・デュポンポリケミカル社製，Ｎ０９０３ＨＣ）を、小型Ｔダイ押出機によって押出成形し、厚さ８０μｍのフィルムを得た。これを基材として用いる以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。

〔試験例１〕（１００％強度および復元率の測定）
実施例または比較例で得た半導体加工用シートを、１５０ｍｍ×１５ｍｍに切断し、試験片を得た。なお、半導体加工用シートの製造時における流れ方向（ＭＤ方向）が、試験片の長さ方向となるように切断した。その後、試験片の長さ方向の両端を、引張試験機（島図製作所社製，オートグラフ）のつかみ具で固定した。このとき、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるように、つかみ具で試験片を把持した。この長さを、初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）とした。そして、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に１００ｍｍ引張り、つかみ具間の長さを２００ｍｍとした。この長さから初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）（すなわち１００ｍｍ）を引いた長さを拡張長さＬ１（ｍｍ）とした。この時の試験力を測定し、引張試験における１００％強度（Ｎ／１５ｍｍ）とした。つかみ具間の長さが２００ｍｍとなった状態で１分間保持した後、つかみ具間の長さがＬ０（ｍｍ）となるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度でつかみ具を戻し、つかみ具間の長さがＬ０（ｍｍ）の状態で１分間保持した。その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、試験力が０．１Ｎ／１５ｍｍを超えた時点でのつかみ具間の長さを記録した。この長さから初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）を引いた値を、Ｌ２（ｍｍ）とした。

上記Ｌ１およびＬ２の値を下記式（Ｉ）にあてはめ、復元率（％）を算出した。
復元率（％）＝｛１−(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００ ・・・ （Ｉ）

以上のように測定した１００％強度および復元率を表１に示す。

〔試験例２〕（ピックアップ動作の評価）
ダイシングシート（リンテック社製，ＡＤＷＩＬＬ Ｄ−４８５Ｈ）に対して、半導体ウェハ（直径８インチ，厚さ３５０μｍ）およびリングフレームを貼付した。このダイシングシート上で、ダイサー（ディスコ社製，ＤＦＤ６５１）を用いて、半導体ウェハのダイシングを行い、４ｍｍ×４ｍｍの個片化された複数の半導体チップを得た。その後、ダイシングシートに対して、半導体チップが貼付されていない側から紫外線を照射した。さらに、半導体チップの、ダイシングシートと反対側の面に対して、実施例または比較例で得られた半導体加工用シートを貼付した。その後、半導体チップからダイシングシートを剥離することで、半導体チップの整列性を保持したまま、半導体チップを半導体加工用シートに転写した。

この半導体チップが貼付された半導体加工用シートについて、ダイボンディング装置（Ｂｅｓｉ社製，Ｅｓｅｃ２１００ｓＤ ｐｌｕｓ）を用いて半導体チップを順次ピックアップした。このダイボンディング装置において、ダイエジェクタ（突き上げブロック）としては「Ｕｌｔｒａ Ｔｈｉｎ Ｄｉｅ Ｍｕｌｔｉｄｉｓｃ」を使用し、突き上げ高さは１ｍｍとした。

ピックアップの動作を観察し、所定の高さまで突き上げが行われたかという観点、およびピックアップを繰り返した場合に基材が適切に固定されているかという観点から、ピックアップ動作を評価した。前者の観点については、所定の高さまで突き上げが行われ、ピックアップ動作が成功した場合に「良好」とし、所定の高さまで突き上げができず、ピックアップ動作が成功しなかった場合に「不良」とした。後者の観点については、ピックアップを繰り返しても基材が適切に固定され、ピックアップ動作が成功した場合に「良好」とし、ピックアップを繰り返すと、基材が変形し、次第に基材の固定が困難となり、ピックアップ動作が成功しなかった場合に「不良」とした。これらの評価の結果を表１に示す。

表１から明らかなように、実施例の半導体加工用シートは、１００％強度が十分に小さく且つ復元率が十分に高い。そして、実施例の半導体加工用シートは、ピックアップ動作について、優れた結果を示した。

本発明に係る半導体加工用シートは、半導体加工用シートと接する面に平面を含む突き上げブロックを用いたピックアップに好適に用いられる。

１…半導体加工用シート
２，２’…半導体チップ
３…突き上げブロック
４…コレット
５…プレート

Claims (8)

1. １００％強度が、３〜１４Ｎ／１５ｍｍであり、
   復元率が、７５〜１００％である
   半導体加工用シートであって、
   前記１００％強度は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの力の強さであり、
   前記復元率は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し、その後、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し、その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張測定の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを超えた時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき、次式（Ｉ）
   復元率（％）＝｛１−(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００ ・・・ （Ｉ）
   から算出される値である
   ことを特徴とする半導体加工用シート。
2. 基材と、前記基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体加工用シート。
3. 前記基材は、熱可塑性エラストマーを含有することを特徴とする請求項２に記載の半導体加工用シート。
4. 前記粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を含有し、前記１００％強度および前記復元率は、前記半導体加工用シートにエネルギー線を照射した後の測定に基づく値であることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体加工用シート。
5. 個片化された複数の半導体チップが一方の面に貼付された請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体加工用シートを用意する工程、
   前記半導体チップの１つを、前記半導体加工用シートの他方の面側から前記一方の面側に向けて突き上げる工程、および
   突き上げられた前記半導体チップをピックアップする工程
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 前記半導体チップの１つの突き上げを、前記半導体加工用シートと接する面に平面を含む突き上げブロックを用いて行うことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記突き上げブロックは、前記半導体加工用シートに対して垂直に独立して移動可能な複数のプレートからなることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記半導体加工用シートにおいて、突き上げられる半導体チップに隣接する半導体チップが貼付された領域は、前記半導体チップの１つを突き上げる際に実質的に動かないことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。

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