JP2021027236A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Images
Abstract
Description
波長 :1030nm
平均出力 :3W
繰り返し周波数:50kHz
パルス幅 :10ps
集光スポット径:φ10μm
送り速度 :500mm/秒
1a 表面
1b 裏面
3 分割予定ライン
3a シールドトンネル
3b 細孔
3c 非晶質領域
5 デバイス
7,7a,7f フレーム
7b,7g 開口部
7c 上面
7d ピン
7e 磁石
7h 下面
7i 貫通孔
9 ポリエステル系シート
11 フレームユニット
2 チャックテーブル
2a 保持面
2b,34a 吸引源
2c,34b 切り替え部
4 赤外線ランプ
4a 赤外線
6 ヒートガン
6a 熱風
8 ヒートローラー
10 レーザー加工装置
12 レーザー加工ユニット
12a 加工ヘッド
12b 集光点
14 レーザービーム
16 ピックアップ装置
18 ドラム
20 フレーム保持ユニット
22 フレーム支持台
24 クランプ
26 ロッド
28 エアシリンダ
30 ベース
32 突き上げ機構
34 コレット
Claims (6)
- 複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの裏面または該表面にポリエステル系シートを配設するポリエステル系シート配設工程と、
該ポリエステル系シートを加熱し、熱圧着により該ウェーハと、該ポリエステル系シートと、を一体化させる一体化工程と、
該一体化工程の前または後に、該ウェーハを収容できる大きさの開口部を有し複数の磁石を備える第1のフレームと、該ウェーハを収容できる大きさの開口部を有する第2のフレームと、で構成されるフレームを使用して、該磁石により生じる磁力により該第1のフレームと、該第2のフレームと、の間に該ポリエステル系シートの外周部を挟持して該ポリエステル系シートを該フレームで支持するフレーム支持工程と、
該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウェーハの内部に位置付け、該レーザービームを該分割予定ラインに沿って該ウェーハに照射して該ウェーハに連続的にシールドトンネルを形成し、該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
該ポリエステル系シートから個々の該デバイスチップをピックアップするピックアップ工程と、
を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。 - 該一体化工程において、赤外線の照射によって該熱圧着を実施することを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該ピックアップ工程では、該ポリエステル系シートを拡張して各デバイスチップ間の間隔を広げ、該ポリエステル系シート側から該デバイスチップを突き上げることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートのいずれかであることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該一体化工程において、該ポリエステル系シートが該ポリエチレンテレフタレートシートである場合に加熱温度は250℃〜270℃であり、該ポリエステル系シートが該ポリエチレンナフタレートシートである場合に加熱温度は160℃〜180℃であることを特徴とする請求項4記載のウェーハの加工方法。
- 該ウェーハは、Si、GaN、GaAs、ガラスのいずれかで構成されることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
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2019
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