JP7134562B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Description
1a 表面
1b 裏面
3 分割予定ライン
3a 切削痕
5 デバイス
7,7a,7f フレーム
7b,7g 開口部
7c 上面
7d ピン
7e 磁石
7h 下面
7i 貫通孔
9 ポリエステル系シート
11 フレームユニット
2 チャックテーブル
2a 保持面
2b,38a 吸引源
2c,38b 切り替え部
4 赤外線ランプ
4a 赤外線
6 ヒートガン
6a 熱風
8 ヒートローラー
10 切削装置
12 切削ユニット
14 スピンドルハウジング
16 切削ブレード
18 切削水供給ノズル
20 ピックアップ装置
22 ドラム
24 フレーム保持ユニット
26 フレーム支持台
28 クランプ
30 ロッド
32 エアシリンダ
34 ベース
36 突き上げ機構
38 コレット
Claims (6)
- 複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの裏面に糊層を備えないポリエステル系シートを配設するポリエステル系シート配設工程と、
該ポリエステル系シートを加熱し、熱圧着により該ウェーハと、該ポリエステル系シートと、を一体化させる一体化工程と、
該一体化工程の前または後に、ウェーハを収容できる大きさの開口部を有し複数の磁石を備える第1のフレームと、ウェーハを収容できる大きさの開口部を有する第2のフレームと、で構成されるフレームを使用して、該磁石により生じる磁力により該第1のフレームと、該第2のフレームと、の間にポリエステル系シートの外周部を挟持してポリエステル系シートを該フレームで支持するフレーム支持工程と、
切削ブレードを回転可能に備えた切削装置を用いて該ウェーハを分割予定ラインに沿って切削して該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
該ポリエステル系シートから個々のデバイスチップをピックアップするピックアップ工程と、
を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。 - 該一体化工程において、赤外線の照射によって該熱圧着を実施することを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該ピックアップ工程において、該ポリエステル系シートを拡張して各デバイスチップ間の間隔を広げ、該ポリエステル系シート側から該デバイスチップを突き上げることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートのいずれかであることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該一体化工程において、該ポリエステル系シートが該ポリエチレンテレフタレートシートである場合に加熱温度は250℃~270℃であり、該ポリエステル系シートが該ポリエチレンナフタレートシートである場合に加熱温度は160℃~180℃であることを特徴とする請求項4記載のウェーハの加工方法。
- 該ウェーハは、Si、GaN、GaAs、ガラスのいずれかで構成されることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
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WO2018003312A1 (ja) | 2016-06-30 | 2018-01-04 | リンテック株式会社 | 半導体加工用シート |
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JP3280876B2 (ja) * | 1996-01-22 | 2002-05-13 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ウェハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
-
2018
- 2018-05-14 JP JP2018093338A patent/JP7134562B2/ja active Active
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