JPS58153352A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS58153352A JPS58153352A JP57035799A JP3579982A JPS58153352A JP S58153352 A JPS58153352 A JP S58153352A JP 57035799 A JP57035799 A JP 57035799A JP 3579982 A JP3579982 A JP 3579982A JP S58153352 A JPS58153352 A JP S58153352A
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- wafer
- chip
- chips
- bonding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発−の技留分脅〕
このｌ１ｌｌは半導体素子の製造方法ｋかかり、特（多
数の半導体素子が形成されたウェハを展性のシートに貼
着して分割し、個々の半導体素子を取出す技＠Ｃおける
シートへの貼着手段の改良に関する。
数の半導体素子が形成されたウェハを展性のシートに貼
着して分割し、個々の半導体素子を取出す技＠Ｃおける
シートへの貼着手段の改良に関する。
〔１鳴の技留鉤背景〕
半導体素子の組立製造工程に対する自動化を進めるにあ
たって、特にダイボンディングのための半導体素子（以
降チップと略称する）の供給に大きな問題がある。すな
わち、チップがウエノ１から分割されたのちダイボンド
用ツールに能率よくピックアップされるために、第１図
に示すように粘着性のプラスチックシート（１１にウニ
／Ｘ（２）を貼着し。
たって、特にダイボンディングのための半導体素子（以
降チップと略称する）の供給に大きな問題がある。すな
わち、チップがウエノ１から分割されたのちダイボンド
用ツールに能率よくピックアップされるために、第１図
に示すように粘着性のプラスチックシート（１１にウニ
／Ｘ（２）を貼着し。
この状態でウェハを分割したのちシートを展張して第２
図に示すようにチップ（２ｍ）、（２ｂ）・・・間の間
隔を拡げると同時にシートとの接着力を低下させて行く
に伴なって、チップは粘着している面の周辺から剥離さ
゛せ接着力を低下させるようにしていた。この第２図に
示すところは理想的に展開されたチップの配列を示す。
図に示すようにチップ（２ｍ）、（２ｂ）・・・間の間
隔を拡げると同時にシートとの接着力を低下させて行く
に伴なって、チップは粘着している面の周辺から剥離さ
゛せ接着力を低下させるようにしていた。この第２図に
示すところは理想的に展開されたチップの配列を示す。
叙上の技術はさらに従前性な、われでいた方式の割断し
たチップを専用トレイに整列させておきこれから取り出
すのに比べれば、ウエノ１に形成されたチップの配列が
崩されないことと１手間がかからないなどの利点はある
が工程の自動化に適する精度が得られないという問題点
があった。すなわち上述のダイボンディングにおける位
置決めの精度は次屹施されるワイヤーボンディングの工
ＩＩＦ：。
たチップを専用トレイに整列させておきこれから取り出
すのに比べれば、ウエノ１に形成されたチップの配列が
崩されないことと１手間がかからないなどの利点はある
が工程の自動化に適する精度が得られないという問題点
があった。すなわち上述のダイボンディングにおける位
置決めの精度は次屹施されるワイヤーボンディングの工
ＩＩＦ：。
重大な１閤があるので、そのばらつきを最小限に止める
ＴｏｌＮがあるためである。また、シートとチップとの
接着力が不均一のため、シートを展張したと会館３１！
ｌｉｃ示すようにチップ毎（接着の中心（図中く砿−に
で示す）がまちまちに偏倚してシート上のチップに蛇行
を生ずるという問題点もある。
ＴｏｌＮがあるためである。また、シートとチップとの
接着力が不均一のため、シートを展張したと会館３１！
ｌｉｃ示すようにチップ毎（接着の中心（図中く砿−に
で示す）がまちまちに偏倚してシート上のチップに蛇行
を生ずるという問題点もある。
この１嘴は叙上の従来の問題点を改良するためにウェハ
を貼着するシートに改良を施すものである。
を貼着するシートに改良を施すものである。
多数のチップがｊＩ＃威されたウェハを合成樹脂のシー
トに貼り割断したのちシートを展張して互いに離間され
たチップを順次シートから散り出すチップの製造ＩＣ自
いて、加熱状態でウェハを押圧接着さ豐るシートを用意
し、このシートに予めその可塑性を失なわせる程度の加
熱を施したのちウェハを抑圧接着させたのち割断するこ
とを特徴とする。
トに貼り割断したのちシートを展張して互いに離間され
たチップを順次シートから散り出すチップの製造ＩＣ自
いて、加熱状態でウェハを押圧接着さ豐るシートを用意
し、このシートに予めその可塑性を失なわせる程度の加
熱を施したのちウェハを抑圧接着させたのち割断するこ
とを特徴とする。
この発明を１実施例につき図面を参照して以下に詳細に
説明する。
説明する。
多数のチップが形成されたウェハを合成樹脂のシートに
貼り割断したのちシートを展張して互いに離間させ、こ
れから順次チップを取り出す方法はチップの整列が崩さ
れない利点と１手間がかからない利点などがあるが、工
程の自動化に対し適合できる精度でない。すなわち、グ
イボンディングにおける位置決めの精度は、この工程の
次に施されるワイヤーボンディング工程に重大な影響を
及ぼすので±５０Ｊｍ以内のばらつきにとどめる必要が
あり、これにはシートとチップとの接着力の均一性が必
須となる。引伸し後のチップとチップとの間隔および接
着力がばらつくとピックアップ能率が悪くなり、生産性
１歩留り低下を来す、そこで、この発明は接着力のばら
つきを小にするため、シートには接着剤層を有しないで
、ウェハを接着させるとＩＩＩ飼えば１３０℃に加熱し
てシートを軟化させ、この状態のシートにウェハを押し
っけ接着させる轡殊フィルム（ツカサ商会製品、 ＴＲ
−７−６またはテｌ−７−４０）を用い、このシートを
長時間加熱しその回層剤が分解し柔軟なシートに変わる
Ｓ度に、飼えば８０℃にて１０〜２０時間の加熱を施し
たのちウェハを貼着ける。このようにすることによって
、ウェハがシートにめり込んで好適する接着性を得るこ
とを見出した。上記加熱は短い時間ては接着性が低く、
長時間にわたるほど高い接着性が得られるので、加熱時
間を調整して所望の接着性を得ることができる。シート
とチップの接着性はその１辺の長さがα３６〜（１６謹
のチップで（Ｌｔ”ａ８ｇｒ、 ０．６１ ＝ １．３
ＷＭｆ） チア フチ０．５−１．！ｉｇｒがよい、
上述のシートを用い、これにウェハを圧接させたのち、
ブレードダイサでダイシン〆を諭す、このダイシングに
はシートを切断しないため（、ウェハ厚の一部２例えば
１０〜５０ｓｔｙｓを残して論こされる。ついで、前記
ブレードダイシング時に撒水した水の残留分で第４図に
示すダイシング溝（３）中に耐着している水滴（４）・
・・も完全に除去する必要がある。ダイシング溝中に残
留した水滴が存在すると、次のクラッキングによって水
がシートとの接合面に入り込み、接着力を低下させる。
貼り割断したのちシートを展張して互いに離間させ、こ
れから順次チップを取り出す方法はチップの整列が崩さ
れない利点と１手間がかからない利点などがあるが、工
程の自動化に対し適合できる精度でない。すなわち、グ
イボンディングにおける位置決めの精度は、この工程の
次に施されるワイヤーボンディング工程に重大な影響を
及ぼすので±５０Ｊｍ以内のばらつきにとどめる必要が
あり、これにはシートとチップとの接着力の均一性が必
須となる。引伸し後のチップとチップとの間隔および接
着力がばらつくとピックアップ能率が悪くなり、生産性
１歩留り低下を来す、そこで、この発明は接着力のばら
つきを小にするため、シートには接着剤層を有しないで
、ウェハを接着させるとＩＩＩ飼えば１３０℃に加熱し
てシートを軟化させ、この状態のシートにウェハを押し
っけ接着させる轡殊フィルム（ツカサ商会製品、 ＴＲ
−７−６またはテｌ−７−４０）を用い、このシートを
長時間加熱しその回層剤が分解し柔軟なシートに変わる
Ｓ度に、飼えば８０℃にて１０〜２０時間の加熱を施し
たのちウェハを貼着ける。このようにすることによって
、ウェハがシートにめり込んで好適する接着性を得るこ
とを見出した。上記加熱は短い時間ては接着性が低く、
長時間にわたるほど高い接着性が得られるので、加熱時
間を調整して所望の接着性を得ることができる。シート
とチップの接着性はその１辺の長さがα３６〜（１６謹
のチップで（Ｌｔ”ａ８ｇｒ、 ０．６１ ＝ １．３
ＷＭｆ） チア フチ０．５−１．！ｉｇｒがよい、
上述のシートを用い、これにウェハを圧接させたのち、
ブレードダイサでダイシン〆を諭す、このダイシングに
はシートを切断しないため（、ウェハ厚の一部２例えば
１０〜５０ｓｔｙｓを残して論こされる。ついで、前記
ブレードダイシング時に撒水した水の残留分で第４図に
示すダイシング溝（３）中に耐着している水滴（４）・
・・も完全に除去する必要がある。ダイシング溝中に残
留した水滴が存在すると、次のクラッキングによって水
がシートとの接合面に入り込み、接着力を低下させる。
そして、チップとチップの間隔が水の無い部分よりも広
くなりチップ間隔の不整列を生ずる。この対策としてブ
レードダイシング後、まず高圧エヤを１０〜１５秒間以
上（２，５インチクミノ１でｘＯ秒Ｕ上、３インチウェ
ハで１５秒以上）ブローし、ついでウェハ表面を熱乾燥
、例えば赤外線ランプ（１００Ｖ２５０Ｗ）で３０３の
距離から３０秒間照射によって完全達成をはかる。
くなりチップ間隔の不整列を生ずる。この対策としてブ
レードダイシング後、まず高圧エヤを１０〜１５秒間以
上（２，５インチクミノ１でｘＯ秒Ｕ上、３インチウェ
ハで１５秒以上）ブローし、ついでウェハ表面を熱乾燥
、例えば赤外線ランプ（１００Ｖ２５０Ｗ）で３０３の
距離から３０秒間照射によって完全達成をはかる。
この発明によると、シートとウェハとの接着の均一性が
向上し、シート引伸し後のチップ配列も精度よく得られ
るようになった。特にチップサイズが辺の長さ０．６
Ｗ以下である小型のものはチップ単価面積当りの接着力
が小さいため接着状態がばらつきやすくオートダイボン
ディングのビックアップに一点があったがこれを解決し
た。全般的にオートダイボンディングにおけるピックア
ップ能率が向上し、製品歩留り、生産性、製品の信頼性
等が顕著に向上した。
向上し、シート引伸し後のチップ配列も精度よく得られ
るようになった。特にチップサイズが辺の長さ０．６
Ｗ以下である小型のものはチップ単価面積当りの接着力
が小さいため接着状態がばらつきやすくオートダイボン
ディングのビックアップに一点があったがこれを解決し
た。全般的にオートダイボンディングにおけるピックア
ップ能率が向上し、製品歩留り、生産性、製品の信頼性
等が顕著に向上した。
第１［１はシートに貼着されたウェハを示す正面図、第
２８１は好ましく展張されたシート上のウェハの正画図
、嬉３図は展張されたシート上のウェハの正画図、１ｌ
Ｅ４１ｉはシート上のウェハの一部を示す断面図である
。 １ シート ２ ウェハ ２暑、２ｂ・−・ チップ ３ （ウェハの）ダイシング溝代理人
弁理士 井 上 −男 第 Ｉ 図 第 ２ 図 一一＋ 第 ３ ＠ 口：
２８１は好ましく展張されたシート上のウェハの正画図
、嬉３図は展張されたシート上のウェハの正画図、１ｌ
Ｅ４１ｉはシート上のウェハの一部を示す断面図である
。 １ シート ２ ウェハ ２暑、２ｂ・−・ チップ ３ （ウェハの）ダイシング溝代理人
弁理士 井 上 −男 第 Ｉ 図 第 ２ 図 一一＋ 第 ３ ＠ 口：
Claims (1)
- 多数の半導体素子が形成されたウェハを合成樹脂のシー
ト（難り■斬したのちシートを展張して互いに離間され
た半導体素子を順次シートから取り出す半導体素子の製
造方法において、加熱状態でウェハを抑圧接着させるシ
ートを用意し、シートに予めその回層性を失なわせるＳ
［の加熱を施したのちウェハを抑圧接着させたのち割断
することを時機とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57035799A JPS58153352A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57035799A JPS58153352A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153352A true JPS58153352A (ja) | 1983-09-12 |
Family
ID=12451957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57035799A Pending JPS58153352A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58153352A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019192717A (ja) * | 2018-04-20 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2019192718A (ja) * | 2018-04-20 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2019201057A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201055A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201056A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019212807A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2020009891A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020009889A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020009890A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020017658A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2020024970A (ja) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020024971A (ja) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020024969A (ja) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020064986A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020064991A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020064988A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020064989A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020064987A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020064990A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020077700A (ja) * | 2018-11-06 | 2020-05-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020113778A (ja) * | 2017-05-18 | 2020-07-27 | 株式会社ディスコ | ウェハ処理方法 |
| JP2020174100A (ja) * | 2019-04-10 | 2020-10-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP57035799A patent/JPS58153352A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11784138B2 (en) | 2017-05-18 | 2023-10-10 | Disco Corporation | Wafer processing with a protective film and peripheral adhesive |
| JP2020113778A (ja) * | 2017-05-18 | 2020-07-27 | 株式会社ディスコ | ウェハ処理方法 |
| US11637074B2 (en) | 2017-05-18 | 2023-04-25 | Disco Corporation | Method of processing wafer |
| JP2019192718A (ja) * | 2018-04-20 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2019192717A (ja) * | 2018-04-20 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2019201057A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201055A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201056A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019212807A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2020009891A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020009890A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020009889A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020017658A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2020024969A (ja) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020024971A (ja) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020024970A (ja) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020064991A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020064988A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020064989A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020064987A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020064990A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020064986A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020077700A (ja) * | 2018-11-06 | 2020-05-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
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