CN103370770A - 半导体器件加工用粘合胶带 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种粘合胶带，其在半导体器件的加工中，能够在不需要新的设备改良、不需要导入消耗品的情况下防止半导体器件上的切削屑的附着，从而进行划片。本发明涉及一种粘合胶带，其是在对整体密封的封装体进行划片并单片化、分割成各个封装体时，为了固定整体密封的封装体而使用的粘合胶带（1），其中，在基材薄膜（3）上具有紫外线固化型粘合剂层（5），在紫外线照射前，粘合剂层（5）表面对纯水的接触角为115°以下、且对二碘甲烷的接触角为65°以下。

Description

半导体器件加工用粘合胶带
技术领域
本发明涉及一种半导体器件加工用粘合胶带。进一步而言，涉及当将在金属框架上形成固化树脂层并整体密封而成的半导体器件一个一个地单片化、分割时，为了支撑、固定半导体器件而使用的固定用的粘合胶带。
背景技术
在半导体器件的制造中，将形成有电路图案的半导体晶片贴合到粘合胶带上，在固定的状态下划片（dicing）成芯片状，在洗涤、干燥后，经由拾取工序，得到半导体芯片，半导体芯片在贴装（mount）工序、键合（bonding）工序等之后，通过利用固化树脂的密封被封装化。
以往，在利用固化树脂进行密封时，采用将各个半导体芯片分别密封的方法。但是，近年来盛行以下方式：对将键合在一块基板上的多个半导体芯片用固化树脂整体密封而成的封装体进一步进行划片并单片化，从而得到各个半导体器件。
另一方面，伴随着手机、便携型计算机、其它的小型电子设备的普及，对它们中搭载的半导体装置的小型化、薄型化的要求提高，作为与BGA（Ball GridArray，球栅阵列）或CSP（Chip Size Pakage，芯片尺寸封装）封装并列地、采用了引线框架的小型封装，SON（Small Outline Non-lead，小外型无引线封装）或QFN（Quad Flat Non-leaded，四方扁平无引线封装）封装正得到实用。
在这样的QFN封装体等的组装中，也采用如下利用整体密封的组装方式：以密封模具的1个模腔，将引线框架等上搭载、排列的多个半导体芯片整体进行密封，然后，将整体密封部与引线框架一起用划片用的刀片进行切断分离而单片化。
在该组装方式中，通常经由（1）将介由采用了紫外线固化型的粘合剂的划片胶带而整体密封的封装体固定于环形框架上、（2）刀片划片、（3）紫外线照射、（4）拾取工序而得到单片化的封装体，但由于在划片工序时铜等金属制的引线框架被刀片切断，所以作为切削屑产生的金属粉的除去成为课题。
在划片时，对切削处供给水而进行刀片的冷却或切削屑的除去等，但即使使用水来进行切削屑的除去，也难以除掉全部的切削屑，无法除去的切削屑附着在半导体器件或划片胶带的粘合剂表面上。附着在半导体器件上的切削屑存在使半导体器件性能降低、或在测试工序中污染测试器的管脚的问题。此外，附着在划片胶带上的切削屑存在粘合剂因紫外线固化而轻微剥离化时作为粉尘飞扬而污染半导体器件或装置的问题。
针对该问题，专利文献1中，通过使用添加具有特定结构的聚合物的切削水用添加剂，来谋求防止划片时的切削屑的附着。
然而，在专利文献1记载的方法中，需要相应的装置改造，此外，以往当仅使用纯水时，需要作为消耗品的切削水用添加剂，所以存在制造成本上升的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-13301号公报
发明内容
发明所要解决的问题
因此，本发明所要解决的课题在于，提供一种半导体器件加工用粘合胶带，其在不需要新的设备改良、不需要导入消耗品的情况下，在对整体密封的封装体进行划片时，能够防止切削屑的附着。
用于解决问题的方法
本发明者们为了达成上述目的，反复进行了深入研究，结果发现，通过使用下述粘合胶带，能够防止半导体器件上的切削屑的附着，所述粘合胶带的粘合剂层在紫外线照射前对纯水及二碘甲烷的接触角为特定范围的值。本发明是基于该见解而完成的。
即本发明为：
（1）一种半导体器件加工用粘合胶带，其特征在于，其是在基材薄膜的至少一个面上层叠紫外线固化型粘合剂层而成的半导体器件加工用粘合胶带；其中，在紫外线照射前，上述粘合剂层表面对纯水的接触角为115°以下、且对二碘甲烷的接触角为65°以下；
（2）根据（1）所述的半导体器件加工用粘合胶带，其特征在于，在紫外线照射前，上述粘合剂层的探头粘着性试验的峰值为300～400kPa；
（3）根据（1）所述的半导体器件加工用粘合胶带，其特征在于，在紫外线照射前，上述粘合剂层表面对纯水的接触角为82～114°、且对二碘甲烷的接触角为44～64°；并且，在紫外线照射前，上述粘合剂层的探头粘着性试验的峰值为294～578kPa；
（4）根据（4）所述的半导体器件加工用粘合胶带，其特征在于，在紫外线照射前，上述粘合剂层的探头粘着性试验的峰值为342～394kPa；
（5）根据（1）所述的半导体器件加工用粘合胶带，其特征在于，上述基材薄膜为二层以上的多层结构，与上述粘合剂层相接的第1基材薄膜层的熔点比与第2基材薄膜层的熔点低，所述第2基材薄膜层与上述第1基材薄膜层的与上述粘合层一侧相反的面相接；
（6）根据（5）所述的半导体器件加工用粘合胶带，其特征在于，上述基材薄膜为由低密度聚乙烯/聚丙烯无规共聚物/低密度聚乙烯构成的三层结构。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种半导体器件加工用粘合胶带，其在不需要新的设备改良、不需要导入消耗品的情况下，将整体密封的QFN等各个进行分割时的划片中，能够防止半导体器件上的切削屑的附着。
附图说明
图1是说明本发明的实施方式的半导体器件加工用粘合胶带的概略截面图。
图2是说明（a）～（e）整体密封封装体的单片化的概略截面图。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。
图1是表示本发明的半导体器件加工用粘合胶带的一个例子的截面图。
本发明的粘合胶带1由基材薄膜3、和设置在其一个面上的紫外线固化型粘合剂层即粘合剂层5构成。粘合胶带1是在将整体密封的半导体器件进行单片化时，贴合到密封树脂层，用于划片时的半导体器件的支撑固定。
粘合剂层5在紫外线照射前，粘合剂层5表面对纯水的接触角为115°以下、且对二碘甲烷的接触角为65°以下。本发明中，粘合剂层5表面对纯水（或二碘甲烷）的接触角是指粘合剂层5表面与纯水（或二碘甲烷）刚接触后的接触角。该接触角是在温度23℃、湿度50%下测定的值。测定可以使用市售的接触角测定装置来进行。
粘合剂层5在紫外线照射前，粘合剂层5表面对纯水的接触角为115°以下，优选为80～110°，更优选为82～114°，进一步优选为95～105°。通过使粘合剂层5表面在紫外线照射前对纯水的接触角达到为115°以下，以提高粘合剂层5的亲水性，从而使得在划片时因被搅和到划片刀片上而形成的切削屑即金属与粘合剂的混合物即金属粉与切削水及洗涤水的亲和性提高，变得容易被水冲洗掉。在划片时能够防止金属粉附着在半导体器件表面上，在洗涤时容易除去附着在半导体器件表面的金属粉。
粘合剂层5表面在紫外线照射前对二碘甲烷的接触角为65°以下，优选为30～60°，更优选为44～64°，进一步优选为45～55°。通过使粘合剂层5在紫外线照射前对二碘甲烷的接触角达到为65°以下，从而使得粘合剂层5的金属密合性降低，能够抑制在划片时因被搅和到划片刀片上而形成的切削屑即金属与粘合剂的混合物的发生。此外，能够防止通过划片工序而粉碎的金属附着在半导体器件表面附着的粘合剂上。
粘合剂层5在紫外线照射前的探头粘着性的峰值优选为294～578kPa，更优选为300～400kPa，进一步更优选为342～394kPa。通过将紫外线照射前的探头粘着性的峰值设定为300～400kPa，能够在划片中抑制半导体器件飞散，并且，能够抑制没有贴合半导体器件的粘合胶带1的粘合剂露出部上的切削屑的附着。当探头粘着性的峰值过低时，有可能无法保持在划片工序中被单片化的半导体器件而引起芯片飞起。此外，当探头粘着性的峰值过高时，有可能没有贴合半导体器件的粘合胶带1的粘合剂露出部上的切削屑的附着增加。
粘合剂层5只要具有对于在划片中抑制半导体器件的飞散而言充分的粘合性即可，粘合剂层5在紫外线照射前的粘合力优选为0.05～1.0N/mm。当粘合力为0.05N/mm以下时，有可能无法保持在划片工序中被单片化的半导体器件而引起芯片飞起。另一方面，当粘合力为1.0N/mm以上时，有可能在剥离时发生粘合剂的残胶。
粘合剂层5的厚度为8～32μm，更优选为15～25μm。若粘合剂层5的厚度过薄，则无法得到对于半导体器件的保持而言充分的粘合力。此外，若粘合剂层5的厚度过厚，则产生半导体器件的切断面的品质恶化、半导体器件侧面上的残胶等问题。
构成粘合剂层5的粘合剂为紫外线固化型粘合剂，只要粘合剂层5表面在紫外线照射前对纯水的接触角为115°以下、且对二碘甲烷的接触角为65°以下，则没有特别限制，可以从以往公知的粘合剂中适当选择使用。例如，除了在采用了天然橡胶或合成橡胶等的橡胶系粘合剂、采用了聚（甲基）丙烯酸烷基酯或（甲基）丙烯酸烷基酯与其它单体的共聚物等的丙烯酸系粘合剂、在其它聚氨酯系粘合剂或聚酯系粘合剂或聚碳酸酯系粘合剂等通常的粘合剂中配合有紫外线固化性的单体成分或低聚物成分等紫外线固化树脂的紫外线固化型粘合剂以外，作为基础聚合物，可例示出采用在聚合物侧链或主链中或在主链末端具有碳-碳双键的碳-碳双键导入型丙烯酸系聚合物的紫外线固化型粘合剂。作为基础聚合物，当使用在聚合物侧链或主链中或在主链末端具有碳-碳双键的碳-碳双键导入型丙烯酸系聚合物时，不一定需要配合紫外线固化性的单体成分或低聚物成分等紫外线固化树脂。
作为构成粘合剂层5的粘合剂，优选使用了聚（甲基）丙烯酸酯或（甲基）丙烯酸酯与其它单体的共聚物等（以后，总称记为丙烯酸聚合物）的丙烯酸系粘合剂。
作为上述丙烯酸聚合物的构成成分，作为（甲基）丙烯酸酯，例如可列举出（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸异丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸异丁酯、（甲基）丙烯酸仲丁酯、（甲基）丙烯酸叔丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸异辛酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸异壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸异癸酯、（甲基）丙烯酸十一烷基酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基）丙烯酸十三烷基酯、（甲基）丙烯酸十四烷基酯、（甲基）丙烯酸十五烷基酯、（甲基）丙烯酸十六烷基酯、（甲基）丙烯酸十七烷基酯、（甲基）丙烯酸十八烷基酯等（甲基）丙烯酸烷基酯；（甲基）丙烯酸环己酯等（甲基）丙烯酸环烷基酯；（甲基）丙烯酸苯酯等（甲基）丙烯酸芳基酯等。（甲基）丙烯酸酯可以单独使用或将2种以上组合使用。
作为制造上述丙烯酸聚合物的方法，没有特别限制，但为了利用交联剂提高重均分子量、或利用缩合反应或加成反应导入紫外线固化性碳-碳双键，优选具有羟基或羧基、缩水甘油基等官能团。
紫外线固化性碳-碳双键向丙烯酸聚合物中的导入可以如下进行。首先，使用丙烯酸聚合物的构成成分、和具有官能团的单体进行共聚，制备具有官能团的丙烯酸聚合物。然后，使具有可与具有官能团的丙烯酸聚合物中的官能团反应的官能团和碳-碳双键的化合物与具有官能团的丙烯酸聚合物在维持碳-碳双键的紫外线固化性（紫外线聚合性）的状态下进行缩合反应或加成反应。
具有官能团的丙烯酸聚合物可以通过使能与构成成分的（甲基）丙烯酸酯共聚且具有羟基、羧基、缩水甘油基等官能团的单体（共聚性单体）共聚而得到。作为能与（甲基）丙烯酸酯共聚且具有羟基的单体，可列举出（甲基）丙烯酸2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羟基丙酯、（甲基）丙烯酸4-羟基丁酯、（甲基）丙烯酸6-羟基己酯、单（甲基）丙烯酸聚乙二醇酯、单（甲基）丙烯酸聚丙二醇酯、单（甲基）丙烯酸甘油酯等。作为能与（甲基）丙烯酸酯共聚且具有羧基的单体，可列举出（甲基）丙烯酸（丙烯酸、甲基丙烯酸）、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸、异巴豆酸等。作为能与（甲基）丙烯酸酯共聚且具有缩水甘油基的单体，可列举出（甲基）丙烯酸缩水甘油酯等。
作为具有可与官能团反应的官能团和碳-碳双键的化合物，当成为缩合反应或加成反应的对象的官能团为羟基时，可列举出（甲基）丙烯酸2-异氰酸根合乙酯、异氰酸1,1-（双丙烯酰氧基甲基）乙酯等。当成为缩合反应或加成反应的对象的官能团为羧基时，可列举出甲基丙烯酸缩水甘油酯或烯丙基缩水甘油基醚等。当成为缩合反应或加成反应的对象的官能团为缩水甘油基时，可列举出（甲基）丙烯酸等不饱和羧酸等。
从防止半导体器件等被加工物污染等观点出发，丙烯酸聚合物优选低分子量物的含量少的聚合物。从该观点出发，作为丙烯酸聚合物的重均分子量，优选为10万以上，进一步优选为20万～200万。若丙烯酸聚合物的重均分子量过小，则对半导体器件等被加工物的防污染性降低，若丙烯酸聚合物的重均分子量过大，则用于形成粘合剂层5的粘合剂组合物的粘度变得极高，粘合胶带1的制造变得困难。
此外，从体现粘合性的观点出发，丙烯酸聚合物的玻璃化转变温度优选为-70℃～0℃，更优选为-65℃～-20℃。若玻璃化转变温度过低，则聚合物的粘度变低，难以形成稳定的涂膜，若玻璃化转变温度过高，则粘合剂变硬、对被粘物的润湿性恶化。
上述丙烯酸聚合物可以单独使用，只要相容性容许，也可以将2种以上的丙烯酸聚合物混合使用。
对配合到通常的粘合剂中以用于粘合剂层5的紫外线固化型树脂没有特别限定，作为例子，可列举出如氨基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯、环氧基（甲基）丙烯酸酯、聚酯（甲基）丙烯酸酯、聚醚（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸低聚物及衣康酸低聚物那样具有羟基或羧基等官能团的低聚物。
此外，可以在本发明中使用的粘合剂中配合光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可列举出异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苯偶酰二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。通过将它们中的至少1种添加到粘合剂中，可以高效地进行粘合剂层5的固化反应，由此能够适度降低半导体器件的固定粘合力。
光聚合引发剂的添加量相对于上述紫外线固化型树脂100质量份设定为0.5～10质量份较佳。作为基础聚合物，当使用在聚合物侧链或主链中或在主链末端具有碳-碳双键的碳-碳双键导入型丙烯酸系聚合物时，相对于碳-碳双键导入型丙烯酸系聚合物100质量份设定为0.5～10质量份较佳。
进而本发明中使用的粘合剂中可以根据需要配合粘合赋予剂、粘合调节剂、表面活性剂等、或其它的改性剂等。此外，也可以适当添加无机化合物填料。
粘合剂层5的粘合性可以通过控制粘合材料的交联密度来进行适当控制。粘合材料的交联密度的控制例如可以通过介由多官能异氰酸酯系化合物或环氧基系化合物、密胺系化合物或金属盐系化合物、金属螯合物系化合物或氨基树脂系化合物或过氧化物等适宜的交联剂来进行交联处理的方式、将具有2个以上碳-碳双键的化合物混合并利用能量线的照射等来进行交联处理的方式等适宜的方式来进行。
粘合剂层5在紫外线照射前，粘合剂层5表面对纯水及二碘甲烷的接触角除了可以通过调节丙烯酸聚合物的共聚单体比率来调节外，还可以通过配合作为添加剂的亚烷基二醇或聚亚烷基二醇、有机硅树脂等来调节。
基材薄膜3除了由于要在粘合剂层5中使用紫外线固化型粘合剂所以需要为透光性以外，可以从以往公知的基材薄膜中适当选择使用。具体而言，可列举出如聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、及聚丁烯那样的聚烯烃，如乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物及乙烯-（甲基）丙烯酸酯共聚物那样的乙烯共聚物，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑料，软质聚氯乙烯、半硬质聚氯乙烯、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、聚酰亚胺天然橡胶以及合成橡胶等高分子材料。此外，也可以是选自它们的组中的2种以上混合而成的薄膜或多层化的薄膜，可以根据与粘合剂层5的粘接性任意地选择。
基材薄膜3优选为二层以上的多层结构。在多层结构的情况下，与粘合剂层5相接的基材薄膜层（第1层）的熔点优选比与基材薄膜层（第1层）的与粘合剂层5一侧相反的面相接的基材薄膜层（第2层）的熔点低，例如作为第1层/第2层的组合，有聚乙烯/聚丙烯或乙烯醋酸乙烯酯共聚物/聚乙烯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物/聚丙烯等。特别优选由低密度聚乙烯/聚丙烯无规共聚物/低密度聚乙烯的三层结构构成的基材薄膜。通过将基材薄膜制成具有上述那样的熔点的2层以上的多层结构，由于因切削时的热而柔软化的基材薄膜（第1层）和作为切削屑的金属与粘合剂的混合物粘固在即使在切削时也维持比较高的粘性的基材薄膜（第2层）上而变得不易排出到外部，所以能够抑制金属粉的发生。
此外，当基材薄膜3为三层以上、且与基材薄膜（第2层）的与基材薄膜（第1层）相反的面相接的基材薄膜（第3层）与基材薄膜（第2层）相比熔点较低时，划片刀片的切口贯穿基材薄膜（第1层），且不到达基材薄膜（第3层）很重要。
基材薄膜3的厚度优选为100μm～200μm，特别优选为130μm～170μm。基材薄膜的（第1层）优选为5μm～50μm，特别优选为10～30μm。当基材薄膜3的（第1层）比50μm厚时，作为切削屑的金属与粘合剂的混合物的产生量多，没有完全粘固在基材薄膜（第2层）上而向外部排出，有可能无法抑制金属粉的产生。另一方面，当基材薄膜的（第1层）低于5μm时，由于基材薄膜的（第1层）与（第2层）之间的粘性差而导致机制难以成立，仍然有可能无法抑制金属粉的产生。此外，当基材薄膜3为三层以上时，从（第2层）与（第3层）的界面至基材薄膜的与粘合剂层5一侧相反的面为止的厚度优选为5μm～50μm，特别优选为10～30μm。当基材薄膜3为三层以上时，从（第2层）与（第3层）的界面至基材薄膜3的与粘合剂层5一侧相反的面为止的厚度为50μm以上时，在划片刀片的切口贯穿基材薄膜（第1层）且不到达基材薄膜（第3层）的情况下，切口浅，有可能给半导体芯片的形状带来异常。
粘合胶带1除了通过将粘合剂层5直接涂布到基材薄膜3上来形成以外，可以通过将涂布到隔膜6上的粘合剂层5与基材薄膜贴合并转印到基材薄膜3上来制作。
对粘合胶带1的使用方法的一个例子进行说明。
如图2所示那样，将粘合胶带1的粘合剂层5贴附到整体密封封装体11上，使基材薄膜3朝下通过环形框架9固定于划片装置上（图2（a））。接着，利用划片刀片13沿规定的线，对整体密封封装体11进行全切割（full cut）（图2（b））并单片化（图2（c））。接着从基材薄膜3一侧进行紫外线照射17，使粘合剂层5固化而使粘合力降低（图2（d））。然后利用拾取卡盘19进行拾取，得到经单片化的封装体15（图2（e））。
以上，参照所附附图，对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明并不限定于所述例子。若是本领域技术人员，显然在本申请中公开的技术思想的范围内，能够想到各种变更例或修正例，对于它们当然也应了解其属于本发明的技术范围。
实施例
接着，基于实施例对本发明更详细地进行说明。以下通过实施例对本发明进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
以下示出实施例及比较例中使用的粘合剂组合物。
粘合剂组合物（A）
相对于在丙烯酸2-乙基己酯（70重量%）、甲基丙烯酸甲酯（10重量%）、丙烯酸2-羟基乙酯（20重量%）的共聚物（玻璃化转变温度：-50℃）中添加2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、以及作为催化剂的二月桂酸二丁基锡进行反应而得到的、在侧链末端具有碳-碳双键的丙烯酸聚合物100质量份，添加作为光聚合引发剂的商品名“IRGACURE651”（Ciba Specialty Chemicals Inc.制）：2.5质量份、和多异氰酸酯系化合物（商品名“Coronate L”日本聚氨酯工业公司制）：0.2质量份，得到紫外线固化型丙烯酸系粘合剂组合物（A）。
粘合剂组合物（B）
相对于丙烯酸正丁酯（60重量%）、丙烯酸2-羟基乙酯（40重量%）的共聚物（玻璃化转变温度：-40℃）100质量份，添加作为紫外线固化树脂的通过使季戊四醇三丙烯酸酯及异佛尔酮二异氰酸酯反应而得到的紫外线固化性低聚物：50质量份、作为光聚合引发剂的商品名“IRGACURE651”（Ciba SpecialtyChemicals Inc.制）：2.5质量份、和多异氰酸酯系化合物（商品名“Coronate L”日本聚氨酯工业公司制）：0.2质量份，得到紫外线固化型丙烯酸系粘合剂组合物（B）。
粘合剂组合物（C）
除了添加4.0质量份分子量为1000的聚丙二醇以外，与粘合剂组合物（B）同样地操作，得到紫外线固化型丙烯酸系粘合剂组合物（C）。
粘合剂组合物（D）
除了将多异氰酸酯系化合物（商品名“Coronate L”日本聚氨酯工业公司制）的添加量设定为1.0质量份以外，与粘合剂组合物（A）同样地操作，得到紫外线固化型丙烯酸系粘合剂组合物（D）。
粘合剂组合物（E）
相对于丙烯酸2-乙基己酯（47重量%）、甲基丙烯酸甲酯（33重量%）、丙烯酸2-羟基乙酯（20重量份）的共聚物（玻璃化转变温度：-20℃）100质量份，添加作为紫外线固化树脂的通过使丙烯酸2-羟基乙酯及异佛尔酮二异氰酸酯反应而得到的紫外线固化性低聚物50质量份、作为光聚合引发剂的商品名“IRGACURE651”（Ciba Specialty Chemicals Inc.制）2.5质量份、和多异氰酸酯系化合物（商品名“Coronate L”日本聚氨酯工业公司制）0.2质量份，得到紫外线固化型丙烯酸系粘合剂组合物（E）。
粘合剂组合物（F）
相对于在丙烯酸2-乙基己酯（90重量%）、丙烯酸2-羟基乙酯（10重量%）的共聚物（玻璃化转变温度：-65℃）中添加2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、作为催化剂的二月桂酸二丁基锡进行反应而得到的在侧链末端具有碳-碳双键的丙烯酸聚合物100质量份，添加作为光聚合引发剂的商品名“IRGACURE651”（Ciba Specialty Chemicals Inc.制）2.5质量份、和多异氰酸酯系化合物（商品名“Coronate L”日本聚氨酯工业公司制）0.2质量份，得到紫外线固化型丙烯酸系粘合剂组合物（F）。
粘合剂组合物（G）
除了添加4.0质量份分子量为1000的聚丙二醇以外，与粘合剂组合物（F）同样地操作，得到紫外线固化型丙烯酸系粘合剂组合物（G）。
粘合剂组合物（H）
除了添加0.5质量份作为有机硅化合物的聚醚改性硅油（商品名“SF8427”（Dow Corning Toray Co.,Ltd.制））以外，与粘合剂组合物（A）同样地操作，得到紫外线固化型丙烯酸系粘合剂组合物（H）。
粘合剂组合物（I）
除了将多异氰酸酯系化合物（商品名“Coronate L”日本聚氨酯工业公司制）的添加量设定为1.0质量份以外，与粘合剂组合物（F）同样地操作，得到紫外线固化型丙烯酸系粘合剂组合物（I）。
以下示出实施例及比较例中使用的基材薄膜。
基材薄膜（Ⅰ）
通过使用挤出机将聚丙烯无规共聚物（熔点为143℃）进行挤出加工，对单面实施电晕放电处理，制成厚度为150μm的基材薄膜（Ⅰ）。
基材薄膜（Ⅱ）
通过使用挤出机将乙烯醋酸乙烯酯共聚物（熔点为90℃）进行挤出加工，对单面实施电晕放电处理，制成厚度为150μm的基材薄膜（Ⅱ）。
基材薄膜（Ⅲ）
通过使用挤出机将乙烯醋酸乙烯酯共聚物（EVA）（熔点为90℃）及低密度聚乙烯（LDPE）（熔点为111℃）进行共挤出加工，对EVA表面侧实施电晕放电处理，制成2层结构的基材薄膜（Ⅲ）。各层的厚度设定为：EVA的厚度为50μm、LDPE的厚度为100μm。
基材薄膜（Ⅳ）
通过使用低密度聚乙烯（LDPE）（熔点为111℃）及聚丙烯无规共聚物（PP）（熔点为143℃）、使用挤出机进行共挤出加工，对单面的LDPE表面侧实施电晕放电处理，制成由LDPE/PP/LDPE的3层结构构成的基材薄膜（Ⅳ）。各层的厚度设定为LDPE/PP/LDPE=30μm/90μm/30μm。
[实施例1]
在预先实施过脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯隔膜的脱模处理面上涂敷粘合剂组合物（A），使得干燥后的粘合层的厚度达到20μm，在80℃下干燥10分钟后，将其与基材薄膜（Ⅰ）的电晕处理面贴合并使粘合剂转印到基材薄膜上，由此制作粘合胶带。
[实施例2]
在预先实施过脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯隔膜的脱模处理面上涂敷粘合剂组合物（A），使得干燥后的粘合层的厚度达到20μm，在80℃下干燥10分钟后，将其与基材薄膜（Ⅱ）的电晕处理面贴合并使粘合剂转印到基材薄膜上，由此制作粘合胶带。
[实施例3]
在预先实施过脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯隔膜的脱模处理面上涂敷粘合剂组合物（B），使得干燥后的粘合层的厚度达到20μm，在80℃下干燥10分钟后，将其与基材薄膜（Ⅰ）的电晕处理面贴合并使粘合剂转印到基材薄膜上，由此制作粘合胶带。
[实施例4]
在预先实施过脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯隔膜的脱模处理面上涂敷粘合剂组合物（C），使得干燥后的粘合层的厚度达到20μm，在80℃下干燥10分钟后，将其与基材薄膜（Ⅰ）的电晕处理面贴合并使粘合剂转印到基材薄膜上，由此制作粘合胶带。
[实施例5]
在预先实施过脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯隔膜的脱模处理面上涂敷粘合剂组合物（D），使得干燥后的粘合层的厚度达到20μm，在80℃下干燥10分钟后，将其与基材薄膜（Ⅰ）的电晕处理面贴合并使粘合剂转印到基材薄膜上，由此制作粘合胶带。
[实施例6]
在预先实施过脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯隔膜的脱模处理面上涂敷粘合剂组合物（B），使得干燥后的粘合层的厚度达到5μm，在80℃下干燥10分钟后，将其与基材薄膜（Ⅰ）的电晕处理面贴合并使粘合剂转印到基材薄膜上，由此制作粘合胶带。
[实施例7]
在预先实施过脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯隔膜的脱模处理面上涂敷粘合剂组合物（E），使得干燥后的粘合层的厚度达到20μm，在80℃下干燥10分钟后，将其与基材薄膜（Ⅰ）的电晕处理面贴合并使粘合剂转印到基材薄膜上，由此制作粘合胶带。
[实施例8]
在预先实施过脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯隔膜的脱模处理面上涂敷粘合剂组合物（E），使得干燥后的粘合层的厚度达到20μm，在80℃下干燥10分钟后，将其与基材薄膜（Ⅲ）的电晕处理面贴合并使粘合剂转印到基材薄膜上，由此制作粘合胶带。
[实施例9]
在预先实施过脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯隔膜的脱模处理面上涂敷粘合剂组合物（E），使得干燥后的粘合层的厚度达到20μm，在80℃下干燥10分钟后，将其与基材薄膜（Ⅳ）的电晕处理面贴合并使粘合剂转印到基材薄膜上，由此制作粘合胶带。
[比较例1]
除了将粘合剂组合物（A）变更为粘合剂组合物（F）以外，与实施例1同样地操作，制作干燥后的厚度为20μm的粘合胶带。
[比较例2]
除了将粘合剂组合物（A）变更为粘合剂组合物（G）以外，与实施例1同样地操作，制作干燥后的厚度为20μm的粘合胶带。
[比较例3]
除了将粘合剂组合物（A）变更为粘合剂组合物（H）以外，与实施例1同样地操作，制作干燥后的厚度为20μm的粘合胶带。
[比较例4]
除了将粘合剂组合物（A）变更为粘合剂组合物（I）以外，与实施例1同样地操作，制作干燥后的厚度为20μm的粘合胶带。
[比较例5]
除了将粘合剂组合物（E）变更为粘合剂组合物（F）以外，与实施例8同样地操作，制作干燥后的厚度为20μm的粘合胶带。
[比较例6]
除了将粘合剂组合物（E）变更为粘合剂组合物（F）以外，与实施例9同样地操作，制作干燥后的厚度为20μm的粘合胶带。
（评价）
对于实施例1～9及比较例1～6中得到的各粘合胶带，按照下面的要领，进行粘合剂层表面对纯水、二碘甲烷的接触角的测定、探头粘着性的测定及作为划片胶带使用时的性能评价。
将结果示于表1及表2中。
<粘合剂层表面的接触角的测定>
将基材薄膜的没有设置粘合剂层一侧的面用双面胶带固定在表面平坦的玻璃板上。将隔膜剥离后，滴加纯水或二碘甲烷，使用协和化学株式会社制FACE接触角计CA-S150型测定接触角θ。测定温度为23℃，测定湿度为50%。
<探头粘着性的测定>
使用株式会社Rhesca的粘性试验机TAC-II来进行。测定模式采用按照将探头压入至设定的加压值为止、并保持加压值至经过设定的时间为止的方式持续控制的Constant Load。将隔膜剥离后，使粘合胶带的粘合剂层朝上，从上侧接触直径为3.0mm的SUS304制的探头。使探头接触测定试样时的速度为30mm/min，接触载荷为100gf，接触时间为1秒。然后，将探头以600mm/min的剥离速度向上方剥离，测定剥离所需的力。探头温度为23℃，板温度设定为23℃。
<划片评价>
将隔膜剥离后，将粘合胶带介由粘合剂层贴合到60×60mm的QFN基板封装体的固化树脂面上，并且固定到环形框架上。接着，将QFN基板封装体用划片装置（DISCO Corporation制DAD340）沿所设定的分割预定线全切割成3×3mm见方，得到总计324个半导体器件（单片化的封装体）。划片的条件如下所述。
刀片送入速度：50mm/sec
刀片转速：40000rpm
向粘合胶带的切入量：100μm
在划片结束后，对于芯片保持性及划片胶带露出部上的铜粉附着，通过下述的方法进行评价。
接着，从粘合胶带的基板薄膜侧，使用高压汞灯照射200mJ/cm2的紫外线使粘合剂层固化后，拾取经单片化的半导体器件。
对于所得到的各半导体器件，按照下述的要领评价铜粉附着量。
将结果示于表1中。
<芯片保持性>
在划片结束后，观察半导体器件与粘合胶带的粘合剂之间的密合情况，计数出哪怕部分发生剥离的半导体器件的数目。将未发生剥离的半导体器件判定为良好的结果。
<粘合剂露出部上的铜粉附着>
在划片结束后，计数出与QFN基板封装体邻接的粘合胶带的粘合剂露出部5cm×5cm的区域上附着的铜粉的数目。将10个以下判定为良好的结果。
<半导体器件表面上的铜粉附着量>
对于所得到的半导体器件的总数，用显微镜观察铜框架侧的面，计数出附着有铜粉的半导体器件的总数。将20个以下判定为良好的结果。
[表1]
Figure BDA00003660178800151
[表2]
比较例1 比较例2 比较例3 比较例4 比较例5 比较例6
粘合剂组合物 F G H I F F
基材薄膜 Ⅰ Ⅰ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅳ
接触角（纯水） 121° 113° 117° 122° 123° 124°
接触角（二碘甲烷） 69° 68° 62° 67° 68° 70°
探头粘着性（kPa） 488 422 398 337 493 482
芯片保持性 0 0 0 0 0 0
粘合剂层上的附着铜粉数 16 14 10 6 9 8
铜粉附着器件数 38 33 31 27 24 22
<结果的评价>
实施例1～9中，半导体器件表面上的铜粉附着量均少，为良好。
实施例6～9中，探头粘着性的峰值为300～400kPa，划片胶带的粘合剂露出部上的铜粉附着变得特别少。
实施例5为以下结果：探头粘着性的峰值为300kPa以下，虽然在划片时，在部分的半导体器件与划片胶带粘合剂之间发生部分的剥离，但半导体器件表面上的铜粉附着量、划片胶带的粘合剂露出部上的铜粉附着量少。
实施例8、9中使用属于多层结构且粘合剂层侧的基材薄膜层的熔点比与该粘合剂层侧的基材薄膜层相接的基材薄膜层的熔点低的薄膜作为基材薄膜，结果为半导体器件表面上的铜粉附着更少。在使用了由低密度聚乙烯/聚丙烯无规共聚物/低密度聚乙烯构成的三层结构的基材薄膜的实施例9中，半导体器件表面上的铜粉附着量极少。
另一方面，比较例1由于粘合剂层对纯水的接触角、对二碘甲烷的接触角均不在本申请发明的范围内，所以结果为半导体器件表面上的铜粉附着量多。
比较例2虽然粘合剂层对纯水的接触角为115℃以下，但对二碘甲烷的接触角不为65℃以下，在本申请发明的范围外，结果为半导体器件表面上的铜粉附着量多。
比较例3虽然粘合剂层对二碘甲烷的接触角为65℃以下，但对纯水的接触角不为115℃以下，在本申请发明的范围外，结果为半导体器件表面上的铜粉附着量多。
比较例4中，粘合剂层对纯水的接触角、对二碘甲烷的接触角均不在本申请发明的范围内，结果为半导体器件表面上的铜粉附着量多。与比较例1相比，粘着性的峰值低，铜粉附着量稍微变低，但并非良好的结果。
比较例5中，粘合剂层对纯水的接触角、对二碘甲烷的接触角均不在本申请发明的范围内，结果为半导体器件表面上的铜粉附着量多。基材薄膜为特征性的2层结构，与比较例1相比，铜粉附着量稍微变低，但并非良好的结果。
比较例6中，粘合剂层对纯水的接触角、对二碘甲烷的接触角均不在本申请发明的范围内，结果为半导体器件表面上的铜粉附着量多。基材薄膜为特征性的3层结构，与比较例1相比，铜粉附着量稍微变低，但并非良好的结果。
符号说明
1    粘合胶带
3    基材薄膜
5    粘合剂层
6    隔膜
9    环形框架
11   整体密封封装体
13   划片刀片
15   经单片化的封装体
17   紫外线照射
19   拾取卡盘

Claims (6)

1.一种半导体器件加工用粘合胶带，其特征在于，其是在基材薄膜的至少一个面上层叠紫外线固化型粘合剂层而成的半导体器件加工用粘合胶带；
其中，在紫外线照射前，所述粘合剂层表面对纯水的接触角为115°以下、且对二碘甲烷的接触角为65°以下。
2.根据权利要求1所述的半导体器件加工用粘合胶带，其特征在于，在紫外线照射前，所述粘合剂层的探头粘着性试验的峰值为300～400kPa。
3.根据权利要求1所述的半导体器件加工用粘合胶带，其特征在于，在紫外线照射前，所述粘合剂层表面对纯水的接触角为82～114°、且对二碘甲烷的接触角为44～64°；
并且，在紫外线照射前，所述粘合剂层的探头粘着性试验的峰值为294～578kPa。
4.根据权利要求1所述的半导体器件加工用粘合胶带，其特征在于，在紫外线照射前，所述粘合剂层的探头粘着性试验的峰值为342～394kPa。
5.根据权利要求1所述的半导体器件加工用粘合胶带，其特征在于，所述基材薄膜为二层以上的多层结构，且与所述粘合剂层相接的第1基材薄膜层的熔点比第2基材薄膜层的熔点低，所述第2基材薄膜层与所述第1基材薄膜层的与所述粘合层一侧相反的面相接。
6.根据权利要求5所述的半导体器件加工用粘合胶带，其特征在于，所述基材薄膜为由低密度聚乙烯/聚丙烯无规共聚物/低密度聚乙烯构成的三层结构。
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