CN105684131A - 半导体加工用粘合带 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体加工用粘合带，其在使用支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。本发明的半导体加工用粘合带为于基材树脂薄膜的至少一个面上形成有辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的凝胶百分数为65％以上且100％以下，且所述粘合剂层的紫外线照射前的探针粘性试验(probe？tack？test)的峰值为100～600kPa。

Description

半导体加工用粘合带
技术领域
本发明关于制造半导体装置的工序中的半导体晶片切割所用的半导体加工用粘合带。更详细地，关于使用了支撑构件的半导体元件制造中所用的半导体加工用粘合带。
现有技术
对于已形成布线图案的半导体晶片的背面进行薄型加工时，为了进行半导体晶片的图案面的保护与半导体晶片本身的固定，一般为将保护片贴附于图案面之后，对背面施以研磨、磨削等薄型加工。作为此种保护片，一般使用将丙烯酸系粘合剂等涂布于由塑料膜所成的基材上者。然而，近年来随着IC卡或移动电话的薄型化、小型化，亦要求半导体芯片的厚度为50μm以下的等级，过去的使用保护带的工序中，仅以保护带已无法支撑半导体晶片，因磨削后的半导体晶片的翘曲或收纳于晶片匣时的挠曲等，使半导体晶片的处理变得困难，而难以使处理或运送自动化。
对于该问题，已提案有通过粘接剂将玻璃基板、陶瓷基板或硅晶片基板等贴合于半导体晶片，对半导体晶片赋予支撑性的方法(参考例如专利文献1)。藉由使用玻璃基板、陶瓷基板或硅晶片基板等支撑构件代替此种保护片，可大幅提高半导体晶片的处理性，且使运送自动化成为可能。
使用支撑构件处理半导体晶片时，在半导体晶片的背面磨削后，需要自半导体晶片剥离支撑构件的工序。支撑构件的剥离一般通过下列方法进行：(1)以化学药品使支撑构件与半导体晶片间的粘接剂溶解或分解，(2)对支撑构件与半导体晶片间的粘接剂照射激光进行光分解等。然而，(1)的方法中，存在使化学药品扩散于粘接剂中需要长时间处理的问题，且(2)的方法中，存在激光的扫描需要长时间处理的问题。并且，任一种方法均有需要准备特殊基板作为支撑构件的问题。
因此，已提案有于支撑构件剥离时，形成剥离起点(切っ掛け)后，进行物理性、机械性剥离的方法(参照例如专利文献2、3)。该方法不需要过去的利用化学药品溶解或分解粘接剂、或以激光扫描进行光分解所需的长时间处理，而可于短时间进行处理。自半导体晶片剥离支撑构件后，接着以化学药品清洗支撑构件剥离时于半导体晶片上产生的粘接剂的残渣。
背面经磨削的半导体晶片随后被移到切割工序，切断成各个芯片，但如上述，半导体芯片的厚度为50μm以下时，半导体晶片单独会因磨削后的半导体晶片的翘曲、或收纳于晶片匣时的挠曲等，使半导体晶片的处理变得非常困难，故通例为在半导体晶片刚进行背面磨削后于剥离支撑构件之前，将切割带贴合于半导体晶片的磨削面，以环框予以支撑固定。因此，对剥离支撑构件时于半导体晶片上产生的粘接剂残渣以化学药品进行的清洗，为在半导体晶片贴合于切割带的状态下进行，从而对切割带要求高的耐溶剂性。
作为具有高的耐溶剂性的切割带，已提案有于粘合剂层中含有能量射线固化型丙烯酸类树脂组合物，且使凝胶百分数为70％以上(参照例如专利文献4)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2006-135272号公报
[专利文献2]日本特表2011-510518号公报
[专利文献3]美国专利申请公开第2011/0272092号说明书
[专利文献4]日本特开2009-224621号公报
发明内容
[发明欲解决的课题]
然而，专利文献4所记载的半导体加工用粘合带并未具备如所述的专利文献2、3所示的于支撑构件的物理性、机械性剥离时必要的牢固的粘接性，而于自半导体晶片剥离支撑构件时，会有半导体晶片自半导体加工用粘合带剥离的问题。
因此，本发明的目的为提供一种半导体加工用粘合带，其在使用支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。
[用于解决课题的手段]
本发明人等为了达成上述目的而重复深入研究的结果在于，发现一种于基材树脂膜上具有粘合剂层而成的半导体加工用粘合带，且藉由将其凝胶百分数设为特定值，且将其探针粘性(probetack)设为特定值，由此，在包括支撑构件的物理性、机械性剥离工序的半导体元件的制造工序中，即使在清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且能够具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。本发明为基于该见解而完成者。
即，本发明的半导体加工用粘合带为于基材树脂薄膜的至少一个面上形成有辐射线固化性粘合剂层的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的凝胶百分数为65％以上且100％以下，且所述粘合剂层的紫外线照射前的探针粘性试验(probetacktest)的峰值为200～600kPa。
上述半导体加工用粘合带中，优选所述粘合剂层至少含有于分子内具有辐射线固化性碳-碳双键的丙烯酸类聚合物、光聚合引发剂与聚环氧丙烷而成，且所述聚环氧丙烷相对于所述粘合剂层的总固体成分优选含0.1质量％以上且2.0质量％以下。
并且，上述半导体加工用粘合带中，优选所述聚环氧丙烷的数均分子量大于3000且为10000以下。
此外，上述半导体加工用粘合带中，优选自基材树脂膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透射率为88％以上且小于100％。
另外，上述半导体加工用粘合带中，优选基材树脂膜的与粘合剂层相反侧的表面粗糙度Ra为0.1μm以上且0.3μm以下。表面粗糙度Ra更优选为0.12μm以上且0.19μm以下。
[发明效果]
依据本发明，在使用了支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。
具体实施方式
以下，针对本发明的实施方式加以详细说明。
本发明的实施方式的半导体加工用粘合带为在基材树脂膜的至少一侧形成有至少1层的粘合剂层者。
本发明的实施方式的半导体加工用粘合带中，粘合剂层的凝胶百分数为65％以上，优选70％以上，更优选80％以上。凝胶百分数为相对于化学药品的凝胶百分数，所述化学药品用于将在半导体晶片的背面磨削时将支撑构件贴合于半导体晶片所使用的粘接剂溶解或分解，优选为相对于甲基异丁基酮的凝胶百分数。凝胶百分数过小时，粘合剂层的耐化学药品性低，在有使半导体加工用粘合带暴露于甲基异丁基酮及其衍生物等化学药品的可能性的半导体元件的制造工序中，因上述化学药品而溶解的粘合剂会污染半导体芯片。
另外，本发明中所谓的凝胶百分数是指粘合剂层中除了被交联成分外的经交联的粘合剂成分的比率。凝胶百分数的计算使用以下说明的方法。另外，本发明中，凝胶百分数为刚形成粘合剂层后以隔离片等保护粘合剂层表面的状态对能量射线照射前的粘合剂层进行测定。
(凝胶百分数的计算)
自经切割成50mm×50mm大小的半导体加工用粘合带去除隔离片，秤量其质量A。接着再将该经秤量的半导体加工用粘合带的样品在浸渍于例如甲基异丁基酮(MIBK)100g中的状态下放置48小时后，于50℃的恒温层中干燥，秤量其质量B。接着，使用100g的乙酸乙酯擦拭去除样品的粘合剂层后，秤量样品的质量C，以下述式(1)算出凝胶百分数。
凝胶百分数(％)＝(B-C)/(A-C)(1)
此外，粘合剂层的辐射线照射前的探针粘性试验的峰值为200～600kPa。探针粘性试验的峰值过小时，粘合剂层对被粘物的密合性不足，样品构件的剥离变得困难。探针粘性试验的峰值过大时，容易发生糊料残留或碎屑。探针粘性的测定使用以下说明的方法。
(探针粘性的测定)
探针粘性的测定为使用例如Rhesca股份有限公司的Tacking试验机TAC-II进行。测定模式使用将探针压入至所设定的加压值，以保持加压值至经过设定的时间为止的方式持续控制的恒定负载(ConstantLoad)。剥离隔离片后，以粘合带的粘合剂层朝上，自上侧使直径3.0mm的SUS304制的探针进行接触。探针与测定试样接触时的速度为30mm/min，接触载荷为0.98N，接触时间为1秒。随后，将探针以600mm/min的剥离速度向上方剥离，测定剥离所需的力。探针温度为23℃，板温度设为23℃。
以下，针对本实施方式的半导体加工用粘合带的各构成要素加以详细说明。
(基材树脂膜)
作为基材树脂膜，于使用UV作为使粘合剂层固化的辐射线时，基材树脂膜必须为光透射性。并且，于需要隔着半导体加工用粘合带入射激光时，同样需要为光透射性。为了使激光隔着半导体加工用粘合带进行入射，半导体加工用粘合带的平行光线透射率必须为88％以上且小于100％，但由于因粘合剂涂布能够减少扩散光，故基材树脂膜单独并不须考虑扩散光，基材树脂膜的平行光线透射率未必一定为88％以上且小于100％。
另一方面，使用电子束作为辐射线、且无需藉由使激光隔着半导体加工用粘合带入射而于半导体晶片上形成改性区域时，基材树脂膜未必一定为光透射性。
构成基材树脂膜的材料优选如聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物及聚丁烯的聚烯烃，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物的乙烯共聚物，聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑料、软质聚氯乙烯、半硬质聚氯乙烯、聚酯、聚氨基甲酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺天然橡胶及合成橡胶等高分子材料。且可为混合选自这些的组的2种以上而成者或经多层化而成者，可依据与粘合剂层的粘接性任意选择。基材树脂膜更优选使用乙烯-丙烯酸共聚物的离聚物而成的膜。
基材树脂膜的厚度并无特别限制，优选10～500μm，更优选40～400μm，特别优选70～250μm。
基材树脂膜的与粘合剂层所接触的面为相反侧的面的表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra)并无特别限制，但在激光必须隔着半导体加工用粘合带入射时优选0.1～0.3μm，更优选0.12～0.19μm。激光必须隔着半导体加工用粘合带入射时，基材树脂膜的与粘合剂层所接触的面为相反侧的面的表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra)大于0.3μm时，在称为隐形激光晶片切割(stealthdicing)的方法(在将切割带贴合于半导体晶片背面的状态下，对于对切割带具有透射性的激光将聚光点对准于半导体晶片内部透过切割带，自半导体晶片背面入射，沿着半导体晶片的预定切断线，于半导体晶片内部藉由多光子吸收而形成改性区域，以该改性区域作为起点，沿着预定切断线切割半导体晶片，藉此切断半导体晶片的方法)中，所入射的激光在基材树脂膜的与粘合剂层所接触的面为相反侧的面的表面扩散，而无法在半导体晶片的内部有效地由多光子吸收形成改性区域。另一方面，基材树脂膜的与粘合剂层所接触的面为相反侧的面的表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra)小于0.1μm时，基材树脂膜的与粘合剂层所接触的面为相反侧的面的滑动性变低，藉由扩张工序使经分割的芯片间隔扩张时，难以使芯片间隔均匀地扩张。基材树脂膜的与粘合剂层所接触的面为相反侧的面的表面粗糙度，在T模嘴法、压延法时可藉由调节膜挤出时的冷却辊的表面粗糙度进行控制，于溶液流延法时可藉由调节滚筒或运送带的表面粗糙度进行控制。此外，亦可藉由将各种树脂涂布于具有任意表面粗糙度的膜上加以控制。
为了提高密合性，可于基材树脂膜的与粘合剂层接触的面施以电晕处理，亦可施以底涂等处理。
(粘合剂层)
粘合剂层通过使用以分子内具有不饱和双键的丙烯酸系化合物作为主成分、且含有光聚合引发剂、固化剂等作为副成分的丙烯酸系粘合剂的能量射线固化型丙烯酸类树脂组合物而形成。
上述分子内具有不饱和双键的丙烯酸系化合物列举为例如将光聚合性碳-碳双键导入于选自下列的1种或多种的聚合物、或多种聚合物的混合物(以下称为「(化合物1)」)而成者：丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸甲氧基乙酯、丙烯酸乙氧基乙酯或与这些相同的甲基丙烯酸酯，或具有官能团的丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸羟烷基酯类、甲基丙烯酸羟烷基酯类、二醇单丙烯酸酯类、二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、N-烷基氨基乙基丙烯酸酯类、N-烷基氨基乙基甲基丙烯酸酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈、乙烯醇。
此处，为了提高粘合剂层的凝胶百分数，而如专利文献4所提案般，使用选定高分子量者作为丙烯酸类树脂组合物，且利用交联剂使这些交联的一般方法时，藉此有半导体加工用胶带的粘接性降低的倾向，结果会损害支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。
此处，作为(化合物1)中共聚的具有官能团的丙烯酸系化合物并无特别限制，但藉由与后述的交联剂反应形成所得的交联构造时，为了兼顾含有丙烯酸系化合物与固化剂的丙烯酸系粘合剂的分子量增大(即交联点数增大)与粘合剂的柔软性(粘性力)，优选具有官能团的丙烯酸系化合物具有较大分子量，其分子量优选100以上，更优选115以上。例如，使用丙烯酸羟烷基酯类作为具有官能团的丙烯酸系化合物时，相较于丙烯酸2-羟基乙酯(分子量116)，更优选丙烯酸2-羟基丙酯(分子量130)、丙烯酸4-羟基丁酯(分子量144)、1,4-环己烷二甲醇单丙烯酸酯(分子量198)。此外，使用羟基烷基丙烯酰胺类作为具有官能团的丙烯酸系化合物时，相较于N-(羟基甲基)丙烯酰胺(分子量101)，更优选N-(2-羟基乙基)丙烯酰胺(分子量115)、N-(2-羟基丙基)丙烯酰胺(分子量129)。藉由使用分子量较大的单体作为具有官能团的丙烯酸系化合物，从而使交联点的分子运动变容易，可藉粘合剂层而具有柔软性。
将光聚合性碳-碳双键导入(化合物1)的方法列举为于(化合物1)的侧链上具有官能团，且使具有可与其加成反应的官能团和光聚合性碳-碳双键的化合物加成于(化合物1)的方法。至于具有可与(化合物1)进行加成反应的官能团和光聚合性碳-碳双键的化合物，于成为加成反应对象的侧链为羧基或酸酐时，列举为(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等，于成为加成反应对象的侧链为环氧基时，列举为(甲基)丙烯酸等，于成为加成反应对象的侧链为羟基时，列举为(甲基)丙烯酸2-异氰酸根合烷基酯等。
分子内具有不饱和双键的丙烯酸系化合物，就耐化学药品性的观点而言，优选重均分子量100000以上且2000000以下，更优选重均分子量300000以上且1500000以下。重均分子量100000以下时树脂的耐化学药品性低，故粘合剂层会因卸下支撑构件时使用的清洗液而溶解，而有污染半导体基板的情况。另一方面，重均分子量1000000以上的高分子量体由于粘度变得非常高，故难以成为适合作为粘合剂利用的状态。
本发明中可用的光聚合引发剂并无特别限制，可使用过去已知的任意者。列举为例如二苯甲酮、4,4’-二甲基氨基二苯甲酮、4,4’-二乙基氨基二苯甲酮、4,4’-二氯二苯甲酮等二苯甲酮类，苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮类，2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等蒽醌类，2-氯噻吨酮、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、二苯基乙二酮、2,4,5-三芳基咪唑二聚物(三苯基咪唑(lophine)二聚物)、吖啶系化合物等，这些可单独使用或组合2种以上使用。
光聚合引发剂的添加量，相对于导入有光聚合性碳-碳双键的丙烯酸系化合物100质量份，优选0.1～15质量份，更优选0.5～12质量份。
固化剂为选自多异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂、及环氧树脂的化合物，可单独使用或组合2种以上使用。藉由可为与丙烯酸系化合物反应的结果的交联构造，由此使含有丙烯酸系化合物与固化剂的丙烯酸系粘合剂的分子量增加，可在粘合剂涂布后提高耐溶剂性。
多异氰酸酯类并无特别限制，可列举出例如4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基醚二异氰酸酯、4,4’-[2,2-双(4-苯氧基苯基)丙烷]二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、4,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、2,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、赖氨酸三异氰酸酯等，具体可使用市售品CoronateL(日本Polyurethane工业股份有限公司制)等。
此外，三聚氰胺-甲醛树脂具体可使用市售品的NikalacMX-45(三和化学股份有限公司制)、Melan(日立化成股份有限公司制)等。
本发明中特别优选使用多异氰酸酯类。
交联剂的种类并无特别限制，如所述，于可藉由与(化合物1)的官能团反应而形成所得的交联构造时，为了兼具含有丙烯酸系化合物与固化剂的丙烯酸系粘合剂的分子量增大(即交联点数增大)与该粘合剂的柔软性(粘性力)，优选每1官能团的分子量大者，交联剂的每1官能团的分子量优选150以上，更优选200以上。例如，使用多异氰酸酯类作为交联剂时，每1异氰酸酯基的分子量大者优选。相较于乙缩脲型、异氰脲酸酯型，优选脲基甲酸酯(allophonate)型、加成型。若含有丙烯酸系化合物与固化剂的丙烯酸系粘合剂具有相同的交联点数，即若含有丙烯酸系化合物与固化剂的丙烯酸系粘合剂形成交联构造后的分子量大致相等，则含有丙烯酸系化合物与固化剂的丙烯酸系粘合剂的耐溶剂性相等，此时，使用每1异氰酸酯基的分子量大者时，由于交联点的分子运动变得更容易，故含有丙烯酸系化合物与固化剂的丙烯酸系粘合剂变得更柔软，可增大粘性力。
固化剂的添加量并无特别限制，但相对于分子内具有不饱和双键的丙烯酸系化合物100质量份，优选0.1～15质量份，更优选1～10质量份。其量小于0.1质量份时，有凝聚力提升效果不充分的倾向，超过15质量份时由于粘合剂的配合及涂布作业中固化反应急速进行而形成交联构造，故有损害作业性之虞。
此外，分子内具有不饱和双键的丙烯酸系化合物及可与所述丙烯酸系化合物反应的交联剂于粘合剂层的总固体成分中所占的比例优选为85质量％以上。
此外，在半导体晶片的背面刚磨削后于剥离支撑构件之前，应当将半导体加工用粘合带贴合于半导体晶片的磨削面，但专利文献4所示的半导体加工用粘合带贴合于背面刚磨削后的形成氧化膜前的晶片面时，会有随后的剥离变困难的问题。因此，为了于背面刚磨削后形成氧化膜之前贴合于晶片面时随后的剥离亦容易，优选添加聚环氧丙烷。
聚环氧丙烷并无特别限制，可自过去的聚环氧丙烷中适当选择。聚环氧丙烷的数均分子量优选大于3000且为10000以下，更优选4000～10000。聚环氧丙烷的数均分子量过大时，聚环氧丙烷与所述丙烯酸类聚合物(X)的亲和性差，产生被粘物的污染。聚环氧丙烷的数均分子量过小时，粘合剂层的耐水性变不充分，会因切削水使粘合剂层膨润，产生切割线的蜿蜒。
基于对被粘物污染的观点而言，优选数均分子量大于3000且为10000以下，更优选4000～10000的聚氧亚乙基-甘油醚。藉由使用数均分子量在该范围的聚氧亚乙基-甘油醚，使聚环氧丙烷分子内的羟基数自2增加至3，故因与多异氰酸酯等交联剂的反应，使聚环氧丙烷纳入交联构造中的概率增加，使聚环氧丙烷转移到被粘物界面，可降低被粘物表面的污染。
数均分子量大于3000且为10000以下的聚环氧丙烷可列举出UniolD-4000(数均分子量4000)((商品名)，日油股份有限公司制)、PreminolS4007(数均分子量5000)((商品名)，旭硝子股份有限公司制)、PreminolS4011(数均分子量10000)((商品名)，旭硝子股份有限公司制)等。数均分子量大于3000且为10000以下的聚氧亚乙基-甘油醚可列举出UniolTG-4000(数均分子量4000)((商品名)，日油股份有限公司制)、PreminolS3006(数均分子量5000)((商品名)，旭硝子股份有限公司制)、PreminolS3011(数均分子量10000)((商品名)，旭硝子股份有限公司制)等，但并不限于这些。
数均分子量大于3000且为10000以下的聚环氧丙烷的配合量相对于分子内具有辐射线固化性碳-碳双键的丙烯酸类聚合物(X)和/或丙烯酸类聚合物(Y)100质量份可由0.1～3.0质量份、优选由0.5～2.0质量份的范围适当选择。聚环氧丙烷的配合量过少时，于未全面形成自然氧化膜的状态的不稳定晶片磨削面上贴合切割用粘合带或片时，无法自大口径的半导体晶片有效地拾取薄型的半导体芯片。聚环氧丙烷的配合量过多时，辐射线固化前的粘合性不充分，切割时芯片的端部会剥离，使切削粉尘附着于芯片背面。
用于形成粘合剂层的粘合剂组合物中，亦可视需要含例如增粘剂、抗老化剂、填充剂、着色剂、阻燃剂、抗静电剂、软化剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂、增塑剂、表面活性剂等公知添加剂等。
另外，形成本发明所用的粘合剂层的丙烯酸系树脂组合物中亦可视需要配合紫外线固化性单体、紫外线固化性低聚物、增粘剂、粘合调整剂、表面活性剂等，或其他的改性剂等，但这些材料的添加由于有使粘合剂的凝胶百分数下降、损害耐化学药品性的情况，故相对于分子内具有不饱和双键的丙烯酸系化合物100质量份优选设为20质量份以下，更优选设为10质量份以下，进一步优选设为5质量份以下。
粘合剂层的厚度优选5μm以上且70μm以下，更优选8μm以上且50μm以下，进一步优选10μm以上且30μm以下。粘合剂层过薄时无法追随电极的凹凸，而发生切割加工时切削水或切削屑侵入的问题，相反地过厚时切割加工时切屑变大，而使半导体元件的质量降低。
本发明中，作为使粘合剂层固化的能量射线优选辐射线，至于辐射线列举为紫外线(UV)等光线、电子束等。
本发明中，粘合剂层优选含有下述(a)～(c)的化合物的全部，
(a)包含下述的化合物(a1)～(a3)、具有不饱和双键、且重均分子量满足100000以上且2000000以下的丙烯酸系化合物，
(a1)自丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸甲氧基乙酯、丙烯酸乙氧基乙酯或与这些同样的甲基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸羟烷基酯类、甲基丙烯酸羟烷基酯类、二醇单丙烯酸酯类、二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、甲基丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈、乙烯醇中选出的1种或多种的聚合物、或者数种聚合物的混合物，
(a2)作为具有与所述化合物(a1)共聚的官能团的丙烯酸系化合物，为分子量满足100以上的丙烯酸羟烷基酯类或羟基烷基丙烯酰胺类，
(a3)作为具有可与所述化合物(a1)进行加成反应的官能团和光聚合性碳-碳双键的化合物，当成为加成反应对象的侧链为羧基或酸酐时，为(甲基)丙烯酸缩水甘油酯，当成为加成反应对象的侧链为环氧基时，为(甲基)丙烯酸，当成为加成反应对象的侧链为羟基时，为(甲基)丙烯酸2-异氰酸根合烷基酯，
(b)光聚合引发剂，
(c)相对于所述化合物(a)100质量份为0.1～15质量份的多异氰酸酯类。
于基材树脂膜上形成粘合剂层的方法并无特别限制，例如可藉通常使用的涂布方法将上述丙烯酸类树脂组合物涂布于基材树脂膜上，并干燥而形成，以及可使涂布于隔离片上的粘合剂层与基材树脂膜贴合，藉此转印于基材树脂膜上而制作。
此外，亦可视需要在供给于实用前的期间，于粘合剂层侧贴附作为用于保护粘合剂层的一般隔离片使用的合成树脂膜。合成树脂膜的构成材料列举为聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二酯等合成树脂膜或纸等。为了提高自粘合剂层3的剥离性，合成树脂膜表面亦可视需要施以硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。合成树脂膜的厚度通常为10～100μm，优选25～50μm左右。
另外，针对本发明实施方式的半导体加工用粘合带，于必须隔着半导体加工用粘合带入射激光时，例如在提供于所述称为隐形激光晶片切割的方法时，自基材树脂膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透射率为88％以上且小于100％，对防止激光到达半导体晶片之前衰减或扩散、于半导体晶片内部适当地形成改性层的观点而言优选。当然，于激光不需要隔着半导体加工用粘合带而入射时，波长1064nm的光线的平行光线透射率并无特别限制。
接着，针对支撑构件加以说明。
(支撑构件)
支撑构件由选自由硅、蓝宝石、水晶、金属(例如，铝、铜、钢)、各种玻璃及陶瓷所成的组的材料构成。该支撑构件的贴附粘接剂的面上亦可含经堆积的其他材料。例如，亦可于硅晶片上蒸镀氮化硅，藉此可改变接合特性。
(支撑构件的贴附)
于贴附所述支撑构件时，在半导体晶片的电路形成面上涂布后述粘接剂的粘接剂液后，以烘箱或加热板使经涂布的粘接剂干燥。此外，为了获得粘接剂(粘接剂层)的必要厚度，亦可重复数次的粘接剂液涂布与预干燥。
此外，于半导体晶片的电路形成面上涂布粘接剂的粘接剂液时，在进行粘接剂的粘接剂液涂布之前，如日本特表2009-528688号公报所示般，藉由将等离子体聚合物分离层堆积在半导体晶片的电路面上，而在支撑构件的剥离时，会有在半导体晶片的电路形成面与等离子体聚合物分离层之间剥离的情况。
并且，以旋转涂布器将粘接剂液涂布于半导体晶片的电路形成面上时，有时出现于周缘部高了一层的珠(bead)部的情况。该情况下，优选在该粘接剂液预干燥前，以溶剂去除珠部。
(粘接剂)
至于粘接剂，在本发明中可使用市售者。列举为例如由BrewerScience公司(密苏里州劳拉市)销售的WaferBONDTM材料(滑动接合工艺用的WaferBONDTMHT10.10、化学接合工艺用的WaferBONDTMCR200)、或作为WACKER公司制的材料的ELASTOSILLR3070等。
另外，优选对半导体材料、玻璃或金属显示高的粘接力的树脂或聚合物类，特别优选(壹)为高固体成分、且如反应性环氧类及丙烯酸类的UV固化树脂，(贰)如2液性环氧或硅粘接剂的同族热固化树脂，(参)使热塑性丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、卤代乙烯(不包含氟系)树脂或乙烯酯的聚合物类或共聚物类，以聚酰胺类、聚酰亚胺类、聚砜类、聚醚砜类或聚氨基甲酸酯类作成溶融状态或溶液涂膜进行涂布，涂布后经烧结使之干燥，使支撑构件与半导体晶片更为致密，以及(肆)环状烯烃类、聚烯烃橡胶类(例如聚异丁烯)或(伍)以烃作为基底的增粘树脂类。
作为粘接剂，由于研磨时使用水故优选非水溶性高分子化合物，且期望软化点高。作为此种高分子化合物列举为使线性酚醛树脂、环氧树脂、酰胺树脂、硅树脂、丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯树脂、聚苯乙烯、聚乙烯醚、聚乙酸乙烯酯及其改性物或它们的混合物溶解于溶剂中而成者。其中丙烯酸系树脂材料具有200℃以上的耐热性，产生的气体较少，不易出现龟裂故优选。另外，线性酚醛树脂亦无浮渣，关于耐热性、产生气体量及龟裂的产生，虽比丙烯酸系树脂差，但软化点高，关于粘接后的剥离，线性酚醛树脂也易于进行溶剂剥离而优选。除此之外，为了防止成膜时的龟裂，亦可混合增塑剂。
并且，作为溶剂宜为可使上述树脂溶解、且可均匀成膜于晶片上者，可列举出酮类(例如，丙酮、甲基乙基酮、环己酮、甲基异丁基酮、甲基异戊基酮、2-庚酮等)、多元醇类或其衍生物(例如乙二醇、丙二醇、二乙二醇、乙二醇单乙酸酯、丙二醇单乙酸酯、二乙二醇单乙酸酯或这些的单甲基醚、单乙基醚、单丙基醚、单丁基醚或单苯基醚等)、环式醚类(例如，二噁烷)、酯类(例如，乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等)或芳香族烃类(例如，苯、甲苯、二甲苯等)。这些中，尤其以上述的酮类或其衍生物优选。
这些可单独使用，亦可混合2种以上使用。另外，为了提高膜厚的均匀性亦可于其中添加活性剂。
(粘接剂残渣的清洗液)
自半导体晶片剥离粘接剂与支撑构件后，用于去除残留在半导体晶片1上的粘接剂的残渣的清洗液，除上述粘接剂所使用的有机溶剂以外，亦可使用单元醇类(例如，甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等)、内酯类(例如，γ-丁内酯等)、内酰胺类(例如，γ-丁内酰胺等)、醚类(例如，乙醚或苯甲醚等)、醛类(例如，二甲基甲醛、二甲基乙醛等))。这些中，尤其以所述的酮类或其衍生物优选。
这些可单独使用，亦可混合2种以上使用。另外，为了有效进行粘接剂残渣的清洗，亦可于这些中添加活性剂。
接着，基于实施例更详细说明本发明。以下藉实施例说明本发明，但本发明并不受限于这些实施例。
(实施例1)
使作为具有光聚合性碳-碳双键及官能团的化合物的异氰酸2-甲基丙烯酰氧基乙酯的NCO基与丙烯酸2-乙基己酯(70mol％)、甲基丙烯酸(1mol％)、丙烯酸2-羟基丙酯(29mol％)的共聚物的丙烯酸2-羟基丙酯侧链末端的OH基进行加成反应，获得具有光聚合性碳-碳双键的丙烯酸系化合物(A1：分子量700000)。对该化合物(A1)100质量份添加1质量份的作为多异氰酸酯的三羟甲基丙烷改性六亚甲基二异氰酸酯、5.0质量分的作为光聚合引发剂的BASF公司制Irgacure184，制备作为辐射线固化性粘合剂的树脂组合物。以使干燥后的粘合层厚度成为10μm的方式将该树脂组合物涂布于预先施以脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯隔离片的脱模处理面上，在80℃干燥10分钟后，与于表面预先施以电晕处理的低密度聚乙烯的电晕处理面贴合，将粘合剂转印于基材树脂膜上，藉此制作半导体加工用粘合带。
(实施例2)
使作为具有光聚合性碳-碳双键及官能团的化合物的异氰酸2-甲基丙烯酰氧基乙酯的NCO基与丙烯酸乙酯(70mol％)、甲基丙烯酸(1mol％)、丙烯酸4-羟基丁酯(29mol％)的共聚物的丙烯酸4-羟基丁酯侧链末端的OH基进行加成反应，获得具有光聚合性碳-碳双键的丙烯酸系化合物(A2：分子量180000)。对该化合物(A2)100质量份添加1质量份的作为多异氰酸酯的三羟甲基丙烷改性六亚甲基二异氰酸酯、5质量份的作为光聚合引发剂的BASF公司制Irgacure184，制备作为辐射线固化性粘合剂的树脂组合物。以使干燥后的粘合层厚度成为10μm的方式将该树脂组合物涂布于预先施以脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯隔离片的脱模处理面上，在80℃干燥10分钟后，与预先于表面施以电晕处理且其相反侧的面的表面粗糙度成为0.3的方式制备的乙烯-丙烯酸共聚物的离聚物膜(基材树脂膜)的电晕处理面贴合，将粘合剂转印于基材树脂膜，制作半导体加工用粘合带。
(实施例3)
除了配合3质量份的作为多异氰酸酯的三羟甲基丙烷改性六亚甲基二异氰酸酯以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(实施例4)
除了配合0.1质量份的作为多异氰酸酯的三羟甲基丙烷改性六亚甲基二异氰酸酯以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(实施例5)
除了于实施例1的辐射线固化性粘合剂中进而配合20.0质量份的作为紫外线固化性树脂的季戊四醇四丙烯酸酯以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(实施例6)
除了于实施例1的辐射线固化性粘合剂中进而配合0.1质量份的作为聚环氧丙烷的旭硝子股份有限公司制的PreminolS3011(数均分子量10000)以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(实施例7)
除了于实施例1的辐射线固化性粘合剂中进而配合1.0质量份的作为聚环氧丙烷的旭硝子股份有限公司制的PreminolS3006(数均分子量5000)以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(实施例8)
除了于实施例1的辐射线固化性粘合剂中进而配合2.0质量份的作为聚环氧丙烷的日油股份有限公司制的UniolTG-4000(数均分子量4000)以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(实施例9)
除了于实施例1的辐射线固化性粘合剂中进而配合2.5质量份的作为聚环氧丙烷的旭硝子股份有限公司制的PreminolS3006(数均分子量5000)以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(实施例10)
除了使用表面预先施以电晕处理且使其相反侧的面的表面粗糙度成为0.19μm的方式制备的低密度聚乙烯作为基材树脂膜以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(实施例11)
除了使用表面预先施以电晕处理且其相反侧的面的表面粗糙度成为0.12μm的方式制备的乙烯-丙烯酸共聚物的离聚物膜作为基材树脂膜以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(实施例12)
除了使用表面预先施以电晕处理且其相反侧的面的表面粗糙度成为0.1μm的方式制备的乙烯-甲基丙烯酸共聚物作为基材树脂膜以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(实施例13)
除了使用表面预先施以电晕处理且其相反侧的面的表面粗糙度成为0.08μm的方式制备的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作为基材树脂膜以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(比较例1)
除了于实施例1的辐射线固化性粘合剂中进而配合30.0质量份的作为紫外线固化性树脂的季戊四醇四丙烯酸酯以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(比较例2)
使作为具有光聚合性碳-碳双键及官能团的化合物的异氰酸2-甲基丙烯酰氧基乙酯的NCO基与丙烯酸2-乙基己酯(75mol％)、甲基丙烯酸(1mol％)、丙烯酸2-羟基乙酯(24mol％)的共聚物的丙烯酸2-羟基乙酯侧链末端的OH基进行加成反应，获得具有光聚合性碳-碳双键的丙烯酸系化合物(A1：分子量800000)。对该化合物(A1)100质量份添加1质量份的作为多异氰酸酯的日本Polyurethane工业股份有限公司制CoronateL、5.0质量份的作为光聚合引发剂的BASF公司制Irgacure184，制备作为辐射线固化性粘合剂的树脂组合物。以使干燥后的粘合层厚度成为10μm的方式将该树脂组合物涂布于预先施以脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯隔离片的脱模处理面上，在80℃干燥10分钟后，与表面预先施以电晕处理且其相反侧的面的表面粗糙度成为0.41的方式制备的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜(基材树脂膜)的电晕处理面贴合，将粘合剂转印于基材树脂膜上，制作半导体加工用粘合带。
(比较例3)
除了配合5质量份的作为多异氰酸酯的三羟甲基丙烷改性六亚甲基二异氰酸酯以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
(比较例4)
除了配合0.05质量份的作为多异氰酸酯的日本Polyurethane工业股份有限公司制三羟甲基丙烷改性六亚甲基二异氰酸酯以外，与实施例1相同，制作半导体加工用粘合带。
针对实施例1～13及比较例1～4的各样品的凝胶百分数、探针粘性、耐溶剂性、支撑构件的剥离性、拾取性、粘合剂对半导体芯片背面的残渣附着(糊剂残留)、切削粉尘的侵入，如下述般进行评价试验。所得结果汇总示于下述表1及2。
〈凝胶百分数〉
自切割成50mm×50mm大小的半导体加工用粘合带去除隔离片，秤量其质量A。接着以将该经秤量的半导体加工用切割带的样品浸渍于100g的甲基异丁基酮(MIBK)中的状态放置48小时后，在50℃的恒温层干燥，且秤量其质量B。进而使用100g的乙酸乙酯擦拭去除样品的粘合剂层后，秤量样品的质量C，以下述式(1)算出凝胶百分数。
凝胶百分数(％)＝(B-C)/(A-C)(1)
＜探针粘性＞
使用Rhesca股份有限公司的Tacking试验机TAC-II进行。测定模式使用：以探针压入至设定的加压值、保持加压值直至经过设定的时间为止的方式持续控制的“恒定负载(ConstantLoad)”。剥离隔离片后，将半导体加工用粘合带的粘合剂层朝上，自上侧使直径3.0mm的SUS304制的探针进行接触。探针与测定试样接触时的速度为30mm/min，接触载荷为0.98N，接触时间为1秒。随后，以600mm/min的剥离速度向上方剥离探针，测定剥离所需的力，读取其峰值。探针温度为23℃，板温度设为23℃。
〈表面粗糙度Ra〉
将实施例、比较例所得的半导体加工用粘合带的涂布有粘合剂的面侧贴合于平滑的镜面晶片并固定，使用表面粗糙度测定器(MitsuToyo股份有限公司制，商品名：SURFTESTSJ-301)于基材树脂膜的挤出方向(MD方向)的任意5个部位测定未涂布粘合剂面侧的算术平均粗糙度Ra，求得平均值。
〈平行光线透射率〉
使用透射率测定器(岛津制作所股份有限公司制，商品名：UV3101PC&MPC-3100)自实施例、比较例所得的半导体加工用粘合带的未涂布粘合剂面侧测定任意5个部位的波长1064nm下的平行光线透射率，求得平均值。该装置为具有积分球方式的受光部的可测定总光线透射率的装置，藉由使样品的固定位置自积分球入射窗剥离70mm，测定平行光线透射率。
〈耐溶剂性〉
将实施例、比较例所得的半导体晶片加工用粘合带贴合于8英寸半导体晶片上，固定于环框后，边自半导体晶片侧吹送作为有机溶剂的甲基异丁基酮(MIBK)，边以20rpm旋转施以旋转清洗。清洗、干燥结束后观察半导体加工用切割带的未贴附半导体晶片的区域的粘合剂层，未见到粘合剂溶解或膨润者记为○，判定为合格，见到粘合剂溶解或膨润者记为×判定为不合格。
〈支撑构件剥离性〉
使用美国专利申请公开第2011/0272092号说明书中揭示的方法，于厚度约700μm的6英寸硅晶片上依序层叠等离子体聚合物分离层、硅酮橡胶粘接剂层、作为支撑构件的厚度2.5mm的玻璃板，获得构造体1。将实施例、比较例所得的半导体加工用粘合带贴合于如上述获得的构造体1的晶片背面(未层叠等离子体聚合物分离层等的面)上，固定于环框后，供给于SussMicrotec公司制的De-BonderDB12T，藉此评价支撑构件的剥离性。支撑构件的等离子体聚合物分离层与晶片表面间剥离者记为○，判定为合格，支撑构件的等离子体聚合物分离层与晶片表面间未剥离，晶片背面与半导体加工用粘合带之间剥离者记为×，判定为不合格。
〈拾取性〉
依据以下顺序，进行拾取性的评价。
(1)以下述条件将8英寸半导体晶片磨削至厚度50μm。
(研磨条件)
研磨机：DISCO股份有限公司制的「DFG-840」
单轴：#600研磨石(转速：4800rpm，下降速度：P1：3.0μm/sec，P2：2.0μm/sec)
2轴：#2000研磨石(转速：5500rpm，下降速度：P1：0.8μm/sec，P2：0.6μm/sec)
以2轴磨削硅晶片背面30μm后，以使硅晶片最终厚度成为50μm的方式磨削。
(2)(1)的磨削结束后，在5分钟内(以下称为条件(ii))或放置24小时后(以下称为条件(i))，将各例的切割带贴合于所述(1)所得的半导体晶片的磨削面，并且固定于环框。
(3)使用切割装置(DISCO公司制的DAD340)，以下述条件，沿着经设定的分割预定线将(2)中固定于环框的半导体晶片全切割成15×10mm的方形。
(切割条件)
切割器：DISCO股份有限公司制的「DFD-340」
切割刀：DISCO股份有限公司制的「27HECC」
切割刀转速：40000rpm
切割速度：100mm/sec
切割深度：25μm
切割模式：下降切割
切割尺寸：10.0×10.0mm
(4)贴合半导体加工用粘合带经过7天后，自半导体加工用粘合带的基材树脂膜侧照射100mJ/mm2的紫外线，使粘合剂层固化，使用芯片拾取装置(dicepicker)(CanonMachinery公司制的CAP-300II)拾取经单片化的半导体芯片。以下述拾取条件拾取任意50个半导体芯片，计数成功拾取的半导体芯片数，上述条件(i)、(ii)中全部50个半导体芯片均成功拾取时记为◎，于条件(i)全部50个半导体芯片成功拾取，但于条件(ii)发生误拾取者记为○，于条件(i)发生误拾取者记为×，◎及○判定为合格，×判定为不合格。
(拾取条件)
芯片粘合机：CanonMachinery股份有限公司制的「CAP-300II」
针数：4根
针间隔：7.8×7.8mm
针尖端曲率：0.25mm
针顶起量：0.4mm
〈糊料残留〉
显微镜观察根据拾取性评价获得的半导体芯片的背面，完全没有糊料残留者记为○，判定为合格，发生糊料残留者记为×，判定为不合格。
〈切削粉尘侵入〉
以显微镜观察根据拾取性的评价所得的半导体芯片的背面，切削粉尘完全未侵入者记为○，发生一部分切削粉尘侵入但实用上没有问题的等级记为Δ，判定为合格，切削粉尘侵入严重且实际使用上有发生问题之虞者记为×，判定为不合格。
〈芯片分割率〉
将实施例、比较例所得的半导体加工用粘合带贴合于100μm厚的8英寸半导体晶片上，固定于环框后，以下述所示的隐形激光晶片切割条件，隔着半导体加工用粘合带照射激光，于半导体晶片内部形成改性区域后，使用扩张装置(DISCO股份有限公司制，DDS2300)，以300mm/秒、10mm拉下的条件，扩张半导体加工用粘合带，将晶片分割成芯片单位。随后，以目视计算完全被单片化的芯片数，全数的98％以上经分割者记为○，90％以上且小于98％经分割者为实用上可容许并记为Δ，且判定为合格，小于90％经分割者记为×，判定为不合格。
〈隐形激光晶片切割条件〉
.装置：Nd-YAG激光
.波长：1064nm
.重复频率：100kHz
.脉冲宽：30ns
.切割速度：100mm/秒
.切割芯片尺寸：5mm×5mm
<芯片间隔比>
使用光学显微镜观察所述芯片分割率的评价所用的半导体晶片，且自分割成功的芯片中随机抽出20颗芯片，量测这些芯片的上下左右分别邻接的芯片间的芯片间隔。这些芯片间隔中，与上下邻接的芯片的芯片间隔的平均值、及与左右邻接的芯片的芯片间隔的平均值的比(与上下邻接的芯片的芯片间隔的平均值/与左右邻接的芯片的芯片间隔的平均值)为0.8以上且1.25以下者记为极良好的◎，0.6以上～小于0.8％及大于1.25且1.67以下者记为比较良好的○，0.4以上～小于0.6％及大于1.67且2.5以下者记为实用上可容许的△，且判定为合格，其以外者，以及芯片分割率的评价时为不合格者记为×，判定为不合格。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 实施例6 实施例7 实施例8 实施例9
凝胶百分数(％) 90 84 95 84 65 89 88 87 87
粘性力(Kpa) 374 263 203 598 433 380 385 392 398
表面粗糙度(μm) 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
平行光线透射率(％) 88 89 89 88 89 89 88 89 88
耐溶剂性 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
支撑构件剥离 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
拾取性 ○ ○ ○ ○ ○ ◎ ◎ ◎ ◎
糊料残留 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
粉尘侵入 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ △
芯片分割率 △ △ △ △ △ △ △ △ △
芯片间隔比 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
[表2]
实施例10 实施例11 实施例12 实施例13 比较例1 比较例2 比较例3 比较例4
凝胶百分数(％) 91 90 91 90 61 79 85 76
粘性力(Kpa) 376 373 374 372 452 198 105 630
表面粗糙度(μm) 0.19 0.12 0.1 0.08 0.3 0.41 0.3 0.3
平行光线透射率(％) 93 98 99 99 88 75 89 88
耐溶剂性 ○ ○ ○ ○ × ○ ○ ○
支撑构件剥离 ○ ○ ○ ○ ○ × × ○
拾取性 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
糊料残留 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ×
粉尘侵入 ○ ○ ○ ○ ○ ○ △ ○
芯片分割率 ○ ○ ○ ○ △ × △ △
芯片间隔比 ◎ ◎ ○ △ ○ × ○ ○
如表1、2所示，粘合剂层的凝胶百分数为65％以上，且粘合剂层在紫外线照射前的探针粘性试验的峰值为200～600kPa的实施例1～13的半导体加工用粘合带在全部评价项目中均判定为合格，在包含玻璃支撑工序的半导体元件的制造中，可实用上没问题地使用。尤其，粘合剂层至少使用分子内具有辐射线固化性碳-碳双键的丙烯酸类聚合物、光聚合引发剂及聚环氧丙烷而成，所述聚环氧丙烷相对于辐射线固化性粘合剂层的总固体成分为0.1质量％以上且2.0质量％以下的实施例6～8的拾取性更为优异，且亦未发生切割粉尘侵入，为特别优异者。所述聚环氧丙烷相对于辐射线固化性粘合剂层的总固体成分超过2.0质量％的实施例9，其拾取性虽比实施例1～5优异，但一部分发生切割粉尘侵入，不过为实用上没有问题的等级。并且，自半导体加工用粘合带中的基材树脂膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透射率为88％以上且小于100％的实施例1～13任一者的芯片分割率均为实用上没有问题的等级，可适合地用于隔着半导体加工用粘合带照射激光，于半导体晶片内部形成改性区域后，使用扩张装置将晶片分割成芯片单元的隐形激光晶片切割。尤其，针对平行光线透射率为93～99％的实施例10～13均获得芯片分割率优异的结果。并且，基材树脂膜的与粘合剂层相反侧的表面粗糙度Ra为0.1μm以上且0.3μm以下的实施例1～12在芯片间隔比方面为优异的结果。
另一方面，粘合剂层的凝胶百分数小于65％的比较例1在耐溶剂性试验中见到粘合剂溶解或膨润，粘性力小于200kPa的比较例2、3的支撑构件剥离失败，粘性力大于600kPa的比较例3在芯片背面发生糊料残留，显示均不适用于包含玻璃支撑工序的半导体元件的制造。此外，自半导体加工用粘合带的基材树脂膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透射率小于88％的比较例2的芯片分割率不足。

Claims (6)

1.一种半导体加工用粘合带，其在对半导体晶片贴合赋予支撑性的支撑构件且研磨所述半导体晶片的背面后，在所述支撑构件的剥离前贴合于所述半导体晶片的研磨面，且在机械性剥离所述支撑构件之后被用于所述半导体晶片的切割，所述半导体加工用粘合带的特征在于，
于基材树脂薄膜的至少一个面形成辐射线固化性的粘合剂层，
所述粘合剂层含有下述(a)～(c)的化合物的全部，
(a)包含下述的化合物(a1)～(a3)、具有不饱和双键、且重均分子量满足100000以上且2000000以下的丙烯酸系化合物，
(a1)自丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸甲氧基乙酯、丙烯酸乙氧基乙酯或与这些同样的甲基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸羟烷基酯类、甲基丙烯酸羟烷基酯类、二醇单丙烯酸酯类、二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、甲基丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈、乙烯醇中选出的1种或多种的聚合物、或者数种聚合物的混合物，
(a2)作为具有与所述化合物(a1)共聚的官能团的丙烯酸系化合物，为分子量满足100以上的丙烯酸羟烷基酯类或羟基烷基丙烯酰胺类，
(a3)作为具有可与所述化合物(a1)进行加成反应的官能团和光聚合性碳-碳双键的化合物，当成为加成反应对象的侧链为羧基或酸酐时，为(甲基)丙烯酸缩水甘油酯，当成为加成反应对象的侧链为环氧基时，为(甲基)丙烯酸，当成为加成反应对象的侧链为羟基时，为(甲基)丙烯酸2-异氰酸根合烷基酯，
(b)光聚合引发剂，
(c)相对于所述化合物(a)100质量份为0.1～15质量份的多异氰酸酯类，
所述粘合剂层的紫外线照射前的相对于甲基异丁基酮的凝胶百分数为65％以上且100％以下，所述甲基异丁基酮为清洗贴合所述支撑构件所使用的粘接剂残渣的清洗液，
并且，所述粘合剂层的化合物(a)～(c)以使所述粘合剂层的紫外线照射前的在23℃下的探针粘性试验的峰值达到200～600kPa的方式进行调整，所述探针粘性试验为：使直径3.0mm的SUS304制的探针以30mm/min的速度、0.98N的接触载荷接触1秒钟后，测定以600mm/min的剥离速度朝上方剥离所述探针所需的力的试验。
2.如权利要求1所述的半导体加工用粘合带，其特征在于，
所述粘合剂层进一步含有聚环氧丙烷而成，
所述聚环氧丙烷相对于所述粘合剂层的总固体成分含有0.1质量％以上且2.0质量％以下。
3.如权利要求2所述的半导体加工用粘合带，其特征在于，
所述聚环氧丙烷的数均分子量大于3000且为10000以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体加工用粘合带，其特征在于，
自基材树脂膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透射率为88％以上且小于100％。
5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体加工用粘合带，其特征在于，
基材树脂膜的与粘合剂层相反侧的表面粗糙度Ra为0.1μm以上且0.3μm以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体加工用粘合带，其特征在于，
基材树脂膜的与粘合剂层相反侧的表面粗糙度Ra为0.12μm以上且0.19μm以下。
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