TWI431090B - Wafer processing tape - Google Patents

Description

晶圓加工用膠帶

本發明係關於一種在將半導體晶圓切斷成半導體元件(晶片)的切割工程、及將所被切斷的晶片與引線架及其他晶片接著的晶粒黏合(die bonding)工程等兩個工程所被使用的晶圓加工用膠帶。

在半導體裝置的製造工程中，實施將半導體晶圓切斷(dicing)成晶片單位的工程、拾取所被切斷的半導體元件(晶片)的工程、進一步將所被拾取的晶片接著於引線架及封裝基板等的晶粒黏合(安裝)工程。

作為用於上述半導體裝置的製造工程的晶圓加工用膠帶，近年來已知有在基材薄膜上，依次形成有黏著劑層與接著劑層的切割晶粒黏合片(例如參照專利文獻1)。

用於如上所示之切割晶粒黏合片的接著劑層含有大量環氧樹脂等低分子量物質，與一般用於切割帶的黏著劑層相比較時，具有較軟而切削性變差的傾向。因此，存在如下問題點，亦即，在切割時，大量產生半導體晶圓的鬚狀切削屑及接著劑層的切割殘留(毛邊)、容易在切割後的拾取工程中產生拾取不良、容易產生IC等半導體裝置在組裝工程中的晶片接著不良、或產生IC等的不良品。

因此，以用於解決如上所示之問題的晶片加工用膠帶而言，已知一種半導體加工用膠帶，其在基材薄膜上依次層積有中間樹脂層、黏著劑層、接著劑層的半導體加工用膠帶，其特徵在於：中間樹脂層在80℃的貯藏彈性係數比黏著劑層在80℃的貯藏彈性係數大(例如參照專利文獻2)。

(專利文獻1)日本特開2005-303275號公報

(專利文獻2)日本特開2006-49509號公報

但是，在上述專利文獻2中記載的晶片加工用膠帶中，由於黏著劑層及接著劑層的厚度、黏著劑層及接著劑層的彈性模數，在切割時容易發生接著劑層和黏著劑層的熔融，因此存在如下問題，亦即，在接著劑層、黏著劑層等產生切割殘留(毛邊)，由於該切割殘留的影響，在拾取時產生鄰接晶片(經單片化之附接著劑層的半導體晶片)一被同拾起的錯誤(雙晶片錯誤)。

因此，本發明的目的在於提供一種可以抑制產生在拾取(pick up)工程中鄰接晶片被一同拾起的雙晶片錯誤的晶圓加工用膠帶。

本發明人等發現，在使用具有：由基材薄膜和設置在該基材薄膜上的黏著劑層所構成的黏著薄膜、以及設置在黏著劑層上的接著劑層的晶圓加工用膠帶來製造半導體裝置時，在接著劑層受到被切割刀壓入的力時，若接著劑層不易變形(彈性變形)，即可抑制在拾取工程中鄰接晶片一同拾起的雙晶片錯誤的發生。其理由被認為是：若接著劑層不易變形，則接著劑層從半導體晶片溢出減少，不會產生溢出的接著劑層再熔接的之故。本發明係根據上述見解而完成者。

本發明之晶圓加工用膠帶係具有：由基材薄膜和設置在該基材薄膜上的黏著劑層所構成的黏著薄膜、以及設置在前述黏著劑層上的接著劑層，其特徵在於：將前述接著劑層的厚度設為t(ad)[μm]、前述接著劑層的80℃的貯藏彈性係數設為G’(80ad)[MPa]、前述接著劑層的80℃的tanδ設為tanδ(80ad)、前述黏著薄膜的厚度設為t(film)[μm]、前述黏著薄膜的80℃的tanδ設為tanδ(80film)時，以式(1)表示的值A為0.043以上，

式(1)

以式(1)表示的值A係表示包含黏著薄膜和接著劑層的晶圓加工用膠帶整體的接著劑層的變形(彈性變形)的難易度的參數。

由於以式(1)表示的值A為0.043以上，因此，接著劑層很難因被切割刀壓入的力而變形(彈性變形)，接著劑層從半導體晶片的溢出減少。藉此，接著劑層不進行再熔接。因此，可以抑制在拾取工程中鄰接晶片一同拾起的雙晶片錯誤的產生。

根據本發明，可以實現可抑制在拾取工程中鄰接晶片一同拾起的雙晶片錯誤的產生。

以下根據圖示，對本發明的實施形態進行說明。

第1圖係表示一實施形態的晶圓加工用膠帶10的剖面圖。該晶圓加工用膠帶10係具有：由基材薄膜12a和形成於其上的黏著劑層12b所構成的黏著薄膜12、以及層積於該黏著薄膜12上的接著劑層13。如上所示，在晶圓加工用膠帶10，按順序形成有基材薄膜12a、黏著劑層12b、和接著劑層13。

其中，黏著劑層12b可由一層黏著劑層所構成，亦可由層積有兩層以上的黏著劑層者所構成。其中，在第1圖中係顯示為了保護接著劑層13，而在晶圓加工用膠帶10設置剝離襯墊11的情形。

黏著薄膜12及接著劑層13亦可配合使用工程或裝置而預先切斷(預切割)成規定形狀。本發明的晶圓加工用膠帶係包含：按半導體晶圓每一片份予以切斷的形態、和將形成有複數個其的長條片材捲繞在輥上的形態。

本實施形態的晶圓加工用膠帶10的特徵在於具有以下的構成。

(1)具有由基材薄膜12a和設置在基材薄膜12a上的黏著劑層12b所構成的黏著薄膜12、及設置在黏著劑層12b上的接著劑層13。

(2)將接著劑層13的厚度設為t(ad)[μm]、接著劑層13的80℃的貯藏彈性係數設為G’(80ad)[MPa]、接著劑層13的80℃的tanδ設為tanδ(80ad)、黏著薄膜12的厚度設為t(film)[μm]、黏著薄膜12的80℃的tanδ設為tanδ(80film)時，以式(1)表示的值A為0.043以上，

式(1)

上述式(1)中的G’(80ad)以外的部分係表示接著劑層13的應力吸收能力對晶圓加工用膠帶10整體的應力吸收能力的比。該比例乘以接著劑層13的80℃的貯藏彈性係數G’(80ad)的倒數而得的值A係表示接著劑層13的變形(彈性變形)的難易度的參數。亦即，該值A愈大，接著劑層的變形量(彈性變形量)愈小。

在上述式(1)中，接著劑層13的損耗角正切tanδ(80ad)和黏著薄膜12的80℃的損耗角正切tanδ(80film)係表示應力吸收性能，其值愈大，應力吸收性愈高。其是每單位面積的能力，該值與厚度相乘，為其整體的應力吸收性能。

例如，如第6圖所示，在具有由基材薄膜和設置在該基材薄膜上的黏著劑層所構成的黏著薄膜12、以及設置在該黏著劑層上的接著劑層13的晶圓加工用膠帶10中，將接著劑層13的厚度t(ad)設為0.5mm，將G’(80ad)設為10，將tanδ(80ad)設為0.9，將黏著薄膜12的厚度t(film)設為2mm，將tanδ(80film)設為0.5。

在該情況下，接著劑層13的應力吸收能力a為0.5×0.9=0.45，黏著薄膜12的應力吸收能力b為2.0×0.5=1.0，接著劑層13所吸收的力c為100×0.45/(0.45+1.0)=31，而且，接著劑層13所變形的量d為10×0.5÷31=0.16。

在此，0.45/(0.45+1.0)係表示接著劑層13的應力吸收能力對晶圓加工用膠帶10整體的應力吸收能力的比例，其比例愈大，接著劑層吸收的力c愈大，接著劑層13的變形(彈性變形)的量d愈小。

如上所示，若接著劑層13不易因被切割刀21(第3圖)壓入的力而變形，則接著劑層13從半導體晶片2的溢出減少。藉此，可抑制溢出的接著劑層的再熔接，因此可降低在拾取工程中鄰接芯片一同拾起的雙芯片錯誤。

其中，上述式(1)表示的值A小於0.043時，接著劑層13容易因被切割刀21壓入的力而變形(彈性變形)，接著劑層13從半導體晶片的溢出變多。由此，溢出的接著劑層再熔接，產生在拾取工程中鄰接晶片一同拾起的雙晶片錯誤。

以下，針對本實施形態的晶圓加工用膠帶10的各構成要素進行詳細說明。

(接著劑層)

接著劑層13在貼合半導體晶圓1等並予以切割後，在拾取半導體晶片2時，從黏著薄膜12剝離而附著在半導體晶片2上，作為將半導體晶片2固定在基板或引線架時的接著劑加以使用。因此，接著劑層13在拾取工程中，具有可以在附著於經單片化的半導體晶片2的狀態下從黏著薄膜12剝離的剝離性，此外具有充分的接著可靠性，俾以在晶粒黏合工程中，將半導體晶片2接著固定於基板或引線架。

接著劑層13為將接著劑預先進行膜化而得者，可以使用例如用於接著劑的周知的聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚胺酯樹脂、環氧樹脂、聚丙烯醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂等或其混合物。

從硬化後的耐熱性良好方面來看，尤其以使用環氧樹脂為佳。環氧樹脂若為硬化而呈現接著作用者即可。作為環氧樹脂，以高Tg(玻璃轉化溫度)化為目的，可添加多官能環氧樹脂，以多官能環氧樹脂而言，例示有：苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等。環氧樹脂的硬化劑係可以使用通常作為環氧樹脂硬化劑加以使用者，可列舉：胺類、聚醯胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼、及1分子中具有2個以上酚性羥基的化合物即雙酚A、雙酚F、雙酚S等。尤其由於吸濕時的耐電蝕性優異，因此以使用屬於酚醛樹脂的苯酚酚醛清漆樹脂及雙酚酚醛清漆樹脂等為佳。另外，從可以縮短用於硬化的熱處理的時間方面來看，較佳為與硬化劑一起使用硬化促進劑。以硬化促進劑而言，可以使用2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑偏苯三酸酯等各種咪唑類等的鹽基。

另外，為了強化對半導體晶片2或引線架20的接著力，以將矽烷耦合劑或鈦耦合劑作為添加劑而添加於上述材料或其混合物中為宜。另外，亦可以耐熱性的提高或流動性的調節為目的而添加填料。以如上所示之填料而言，有二氧化矽、氧化鋁、銻氧化物等。該等填料若為最大粒子徑比接著劑層13的厚度小，即可以任意比例來摻合不同粒子徑的填料。

為了提高tanδ(80ad)、降低G’(80ad)，可加多環氧樹脂及酚醛樹脂等低分子量成分，減少丙烯酸樹脂等高分子量成分。此外，在摻合填料時，可減少填料摻合量，為了降低tanδ，可以與上述相反地進行。

接著劑層13的厚度沒有特別限制，通常以5～100μm左右為佳。此外，接著劑層13係可層積在黏著薄膜12的黏著劑層12b的全面上，亦可將預先切斷(預切割)成與所貼合的半導體晶圓1相對應的形狀的接著劑層層積在黏著劑層12b的一部分上。在將切斷成與半導體晶圓1相對應的形狀的接著劑層13作層積時，如第2圖所示，在貼合半導體晶圓1的部分係有接著劑層13，在貼合切割用的環狀框架20的部分並沒有接著劑層13，而僅存在有黏著薄膜12的黏著劑層12b。一般而言，接著劑層13難以與被接體剝離，因此，藉由使用經預切割的接著劑層13，可得到如下效果：可使環狀框架20貼合於黏著薄膜12，且在使用後的片材剝離時不易在環狀框架產生殘漿。

(黏著薄膜)

黏著薄膜12具有充分的黏著力，俾以在切割半導體晶圓1時，半導體晶圓1不會剝離，並且具有低黏著力，俾以在切割後，在拾取半導體晶片2時，可輕易地從接著劑層13剝離。在本實施形態中，如第1圖所示，黏著薄膜12係使用在基材薄膜12a設有黏著劑層12b的黏著薄膜。

以黏著薄膜12的基材薄膜12a而言，只要是以往週知的基材薄膜，就可以沒有特別限制地使用，如後所述，在本實施形態中，以黏著劑層12b而言，使用能量硬化性的材料中的放射線硬化性的材料，因此使用具有放射線透射性者。

例如，作為基材薄膜12a的材料，可以列舉：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等α-烯烴的均聚物或共聚物或者該等化合物的混合物；聚胺酯、苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物或戊烯類共聚物、聚醯胺-多元醇共聚物等熱塑性彈性體及該等化合物的混合物。此外，基材薄膜12a可為選自該等群組的2種以上的材料混合而成者，亦可為將該等進行單層或複層化而得者。基材薄膜12a的厚度沒有特別限定，可以適當設定，以50～200μm為佳。

tanδ(80film)係用於基材薄膜12a的樹脂的構造而引起的。更詳而言之，分子量愈高且纏繞點間分子量愈小，則tanδfilm愈高。

在本實施形態中，藉由對黏著薄膜12照射紫外線等放射線，使黏著劑層12b硬化，可輕易從接著劑層13剝離黏著劑層12b，因此，較佳為在黏著劑層12b的樹脂中適當摻合黏著劑所使用的週知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、環氧樹脂、加成反應型有機聚矽氧烷系樹脂、矽丙烯酸酯樹脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚異戊二烯或苯乙烯‧丁二烯共聚物或其加氫物等各種彈性體等或在其混合物中適當摻合放射線聚合性化合物而調製黏著劑。此外，亦可添加各種界面活性劑或表面平滑劑。黏著劑層的厚度沒有特別限定，可以適當設定，以5～30μm為佳。

該放射線聚合性化合物係使用例如可藉由光照射而三次元網狀化的分子內具有至少2個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物、或取代基中具有光聚合性碳-碳雙鍵基的聚合物或低聚物。具體而言，可以使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或低聚酯丙烯酸酯等、矽丙烯酸酯等、丙烯酸或各種丙烯酸酯類的共聚物等。

此外，除如上所述的丙烯酸酯類化合物之外，還可以使用胺基甲酸酯丙烯酸酯類低聚物。胺基甲酸酯丙烯酸酯類低聚物係使具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸2-羥丙酯、甲基丙烯酸2-羥丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)與末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物反應而得，該末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物係使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物、與多元異氰酸酯化合物(例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而得。其中，在黏著劑層12b亦可混合選自上述樹脂的2種以上而成者。

其中，對於黏著劑層12b的樹脂，除對黏著薄膜12照射放射線而使黏著劑層12b硬化的放射線聚合性化合物之外，亦可適當摻合丙烯酸類黏著劑、光聚合引發劑、硬化劑等而調製黏著劑層12b。

使用光聚合引發劑時，可使用例如苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、二苯甲酮、米希勒酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、苄基二甲基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。該等光聚合引發劑的摻合量係以相對丙烯酸類共聚物100質量份為0.01～5質量份為佳。

(晶圓加工用膠帶的使用方法)

在半導體裝置的製造工程中，晶圓加工用膠帶10如下使用。在第2圖中，表示在晶圓加工用膠帶10貼合有半導體晶圓1與環狀框架20的情形。首先，如第2圖所示，將黏著薄膜12的黏著劑層12b黏貼在環狀框架20，使半導體晶圓1與接著劑層13相貼合。該等的黏貼順序沒有限制，可在使半導體晶圓1與接著劑層13相貼合後，將黏著薄膜12的黏著劑層12b黏貼在環狀框架20。此外，亦可同時進行黏著薄膜12在環狀框架20的黏貼、與半導體晶圓1在接著劑層13的貼合。

而且，實施半導體晶圓1的切割工程(第3圖)，接著，實施對黏著薄膜12照射能量線、例如紫外線的工程。具體而言，為了利用切割刀21來切割半導體晶圓1與接著劑層13，藉由吸附台22從黏著薄膜12面側吸附支撐晶圓加工用膠帶10。而且，利用切割刀21將半導體晶圓1與接著劑層13切斷成2單元半導體晶片並進行單片化，之後，從黏著薄膜12的下面側照射能量線。藉由該能量線照射，使黏著劑層12b硬化，使其黏著力降低。其中，可取代能量線的照射，利用加熱等外部刺激而使黏著薄膜12的黏著劑層12b的黏著力降低。黏著劑層12b由兩層以上的黏著劑層層積而構成時，亦可藉由能量線照射使各黏著劑層內的一層或所有層硬化，使各黏著劑層內的一層或所有層的黏著力降低。

之後，如第4圖所示，實施將保持有經切割的半導體晶片2及接著劑層13的黏著薄膜12朝環狀框架20的圓周方向拉伸的擴展工程。具體而言，相對保持有經切割的複數個半導體晶片2及接著劑層13的狀態的黏著薄膜12，使中空圓柱形狀的頂出構件30從黏著薄膜12的下面側上升，使黏著薄膜12朝環狀框架20的圓周方向拉伸。藉由擴展工程，加寬半導體晶片2彼此的間隔，提高藉由CCD攝影機等所得之半導體晶片2的識別性，同時，可以防止在拾取時由於鄰接的半導體晶圓2彼此相接觸而產生的半導體晶片彼此的再接著。

實施擴展工程後，如第5圖所示，在將黏著薄膜12作擴展的狀態下，實施拾取半導體晶片2的拾取工程。具體而言，從黏著薄膜12的下面側利用銷31將半導體晶片2頂出，同時，從黏著薄膜12的上面側利用吸附夾具32吸附半導體晶片2，由此，將經單片化的半導體晶片2連同接著劑層13一起拾取。

而且，在實施拾取工程後，實施晶粒黏合工程。具體而言，利用在拾取工程中連同半導體晶片2一起被拾取的接著劑層13，將半導體晶片2接著在引線架或封裝基板等。

接著，針對本發明之實施例進行說明，但本發明並不限定於該等實施例。

將具有表1所示的接著劑層(1)、(2)的接著薄膜及黏著薄膜(1)～(4)分別切割成直徑370mm、320mm的圓形，且將黏著薄膜(1)～(4)之任一者的黏著劑層、和具有接著劑層(1)、(2)之任一者的接著薄膜的接著劑層相貼合。最後，將接著薄膜的PET膜從接著劑層剝離，得到表1所示的實施例1～5及比較例1～3的各晶圓加工用膠帶。

(接著劑層的製作) ＜接著劑層(1)＞

將作為環氧樹脂的YDCN-703(東都化成(股)製商品名，甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、環氧當量210g/eq、分子量1200、軟化點80℃)55重量份、作為酚醛樹脂的Milex XLC-LL(三井化學(股)製商品名、羥基當量175g/eq、吸水率1.8%、350℃時的加熱重量減少率4%)45重量份、作為矽烷耦合劑的Z-6044(東麗‧道康寧(股)製商品名、3-環氧丙氧基丙基甲基甲氧基矽烷)0.3重量份、作為二氧化矽填料的S0-C2(Admatechs(股)製商品名、比重2.2g/cm³ 、莫氏硬度7、平均粒子徑0.5μm、比表面積6.0m² /g)30重量份、作為硬化促進劑的Curezol 2PZ(四國化成(股)製商品名、2-苯基咪唑)0.4重量份、作為丙烯酸樹脂的SG-P3(Nagase chemteX(股)製商品名、重量平均分子量85萬、玻璃轉化溫度10℃)275重量份在有機溶劑中進行攪拌，得到接著劑層組成物。將該接著劑層組成物塗敷在經脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，進行乾燥而製作出具有膜厚20μm的接著劑層(1)的接著薄膜。該接著劑層(1)的動態黏彈性測定所得之硬化前80℃的損耗角正切tanδ(80ad)為0.232，接著劑層(1)的80℃的貯藏彈性係數G’(80ad)為0.343MPa。該等的測定方法如後所述。

＜接著劑層(2)＞

除膜厚為40μm以外，與接著劑層(1)同樣製作。該接著劑層(2)的動態彈黏性測定的硬化前80℃的損耗角正切tanδ(80ad)為0.232，接著劑層(2)的80℃的貯藏彈性係數G’(80ad)為0.343MPa。

(黏著薄膜的製作) ＜黏著薄膜(1)＞

使丙烯酸丁酯65重量份、丙烯酸2-羥基乙酯25重量份、丙烯酸10重量份進行自由基聚合，在滴加2-異氰酸酯甲基丙烯酸乙酯進行反應而合成的重量平均分子量80萬的丙烯酸共聚物中添加作為硬化劑的聚異氰酸酯3重量份、作為光聚合引發劑的1-羥基-環己基-苯基-酮1重量份並混合，做成黏著劑層組成物。

將製得的黏著劑層組成物以乾燥膜厚為10μm的方式塗敷在塗敷用膜(經矽酮脫模處理的PET膜(帝人：Purex S-314、厚度25μm))後，在120℃下乾燥3分鐘。其後，將塗敷在該塗敷用膜上的黏著劑層組成物轉印在作為基材薄膜12a之厚度80μm的乙烯-甲基丙烯酸-(丙烯酸-2-甲基丙酯)三元共聚物-Zn++-離聚物樹脂(三井-杜邦聚合化學公司(Mitsui-Dupont Polychemicals Co.)製、HIMILAN AM-7316)膜上，藉此製作出黏著薄膜(1)。該黏著薄膜(1)的動態黏彈性測定的80℃的損耗角正切tanδ(80film)為0.098。

＜黏著薄膜(2)＞

除了將樹脂薄膜厚(黏著薄膜的厚度)形成為100μm以外，與黏著薄膜(1)同樣製作。該黏著薄膜(2)的動態彈黏性測定的80℃的損耗角正切tanδ(80film)為0.098。

＜黏著薄膜(3)＞

除了使基材薄膜12a所使用的樹脂為PP：HSBR=80：20的彈性體(聚丙烯(PP)係使用日本Polychem股份有限公司製的Novatec FG4，加氫苯乙烯丁二烯(HSBR)係使用JSR股份有限公司製的DYNARON 1320P)、樹脂薄膜厚為70μm以外，與黏著薄膜(1)同樣製作。該黏著薄膜(3)的動態黏彈性測定的80℃的損耗角正切tanδ(80film)為0.068。

＜黏著薄膜(4)＞

除了將樹脂薄膜厚形成為100μm以外，與黏著薄膜(3)同樣製作。該黏著薄膜(4)的動態彈黏性測定的80℃的損耗角正切tanδ(80film)為0.068。

(接著劑層(1)、(2)的損耗角正切和貯藏彈性係數)

準備兩個在分離膜(PET)上塗敷有20μm接著劑層(1)者，利用接著劑層(1)使彼此貼合，並剝離分離膜後，進一步重複藉由接著劑層(1)使彼此貼合在分離膜上塗敷有20μm接著劑層(1)者的工程，層積至其為1mm的厚度，衝壓成8mmΦ，形成為接著劑層(1)的樣品。

使用動態黏彈性測定裝置ARES(REOLOGICA公司製)，對硬化前的接著劑層(1)的樣品，測定出在樣品厚度1mm、板直徑8mmΦ、頻率1Hz的剪斷條件下，在升溫速度10℃/分鐘的條件下從室溫升溫至200℃時的80℃的損耗角正切tanδ(80ad)和貯藏彈性係數G’(80ad)。

接著劑層(2)的損耗角正切tanδ(80ad)和貯藏彈性係數G’(80ad)亦與接著劑層(1)同樣測定。

(黏著薄膜(1)～(4)的損耗角正切)

使用動態黏彈性測定裝置RSAIII(TA Instrument公司製)，在樣品寬度5mm、吸盤間距20mm、頻率10Hz的拉伸條件下，測定出以升溫速度10℃/分鐘的條件從-10℃升溫到150℃時的80℃的損耗角正切。

在表1中顯示對上述各實施例1～5及各比較例1～3進行的特性評估。

(切割晶粒黏合片的製作和特性評估)

在厚度100μm的矽晶圓(半導體晶圓1)的背面黏貼實施例1～5及比較例1～3的各晶圓加工用膠帶的接著劑層(參照第2圖)，切割成7.5mm×7.5mm後，用金屬鹵化燈照射200mJ/cm² 的紫外線。其後，對於各樣品，使用拾取裝置(Canon Machinery公司製，CAP-300II)對100個晶片試行拾取，對其中拾取成功晶片數進行計數。此時，同時拾取複數個晶片的情形，視為拾取失敗。

從表1可知，實施例1～4中，同時拾取複數個晶片的拾取不良率為「0」，鄰接晶片一同拾起的雙晶片錯誤減少。

實施例5中，拾取不良率為“1”，鄰接晶片一同拾起的雙晶片錯誤減少。

相對於此，比較例1～3中，拾取不良率分別高至“13”、“22”、“34”，產生鄰接的晶片一同拾起的雙晶片錯誤。

根據本實施形態的晶圓加工用膠帶10，由於以上述式(1)表示的值A為0.043以上，因此，接著劑層13受到被切割刀21壓入的力時，接著劑層13不易變形(彈性變形)，接著劑層13從半導體晶片2的溢出減少。由此，接著劑層13不進行再熔接。因此，可以抑制在拾取工程中鄰接晶片一同拾起的雙晶片錯誤的產生。

1．．．半導體晶圓

2．．．半導體晶片(半導體元件)

10．．．晶圓加工用膠帶

11．．．剝離襯墊

12．．．黏著薄膜

12a．．．基材薄膜

12b．．．黏著劑層

13．．．接著劑層

20．．．引線架

21．．．切割刀

22．．．吸附台

30．．．頂出構件

31．．．銷

32．．．吸附夾具

第1圖係表示本發明的一實施形態的晶圓加工用膠帶的剖面圖。

第2圖係在晶圓加工用膠帶上貼合有半導體晶圓的圖。

第3圖係用於說明切割工程的圖。

第4圖係用於說明擴展工程的圖。

第5圖係用於說明拾取工程的圖。

第6圖係用於說明一實施形態的晶圓加工用膠帶的接著劑層及黏著薄膜的應力吸收能力的模式圖。

1．．．半導體晶圓

2．．．半導體晶片(半導體元件)

10．．．晶圓加工用膠帶

12．．．黏著薄膜

12a．．．基材薄膜

12b．．．黏著劑層

13．．．接著劑層

20．．．引線架

21．．．切割刀

22．．．吸附台

Claims (1)

1. 一種晶圓加工用膠帶，係具有：由基材薄膜和設置在該基材薄膜上的黏著劑層所構成的黏著薄膜、以及設置在前述黏著劑層上的接著劑層，其特徵在於：前述基材薄膜係50~200μm之選自聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等α-烯烴的均聚物或共聚物或者該等化合物的混合物；聚胺酯、苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物或戊烯類共聚物、聚醯胺-多元醇共聚物等熱塑性彈性體及該等化合物的混合物的基材薄膜，前述黏著劑層係厚度5~30μm之放射線硬化性黏著劑層，前述接著劑層係厚度5~100μm之加熱硬化型接著劑層，將前述接著劑層的厚度設為t(ad)〔μm〕、前述接著劑層在80℃的貯藏彈性係數設為G’(80ad)〔MPa〕、前述接著劑層在80℃的損耗角正切tanδ設為tanδ(80ad)、前述黏著薄膜的厚度設為t(film)〔μm〕、前述黏著薄膜在80℃的tanδ設為tanδ(80film)時，以式(1)表示的值A為0.043以上，