KR101518533B1 - 반도체 장치 제조용 필름 롤 - Google Patents

반도체 장치 제조용 필름 롤 Download PDF

Info

Publication number
KR101518533B1
KR101518533B1 KR1020117012608A KR20117012608A KR101518533B1 KR 101518533 B1 KR101518533 B1 KR 101518533B1 KR 1020117012608 A KR1020117012608 A KR 1020117012608A KR 20117012608 A KR20117012608 A KR 20117012608A KR 101518533 B1 KR101518533 B1 KR 101518533B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
adhesive layer
resin
semiconductor device
film roll
Prior art date
Application number
KR1020117012608A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110097798A (ko
Inventor
사다히또 미스미
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20110097798A publication Critical patent/KR20110097798A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101518533B1 publication Critical patent/KR101518533B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D85/00—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials
    • B65D85/67—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for web or tape-like material
    • B65D85/671—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for web or tape-like material wound in flat spiral form
    • B65D85/672—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for web or tape-like material wound in flat spiral form on cores
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/314—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive layer and/or the carrier being conductive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2461/00—Presence of condensation polymers of aldehydes or ketones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2743—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
    • H01L2224/27436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29311—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29318—Zinc [Zn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29324—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29364—Palladium [Pd] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29371—Chromium [Cr] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29393—Base material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/293 - H01L2224/29391, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

본 발명에 관한 반도체 장치 제조용 필름 롤은, 반도체 장치 제조용 필름이 원기둥 형상의 권취 코어에 롤 형상으로 권취된 반도체 장치 제조용 필름 롤이며, 상기 권취 코어의 직경이 7.5cm 내지 15.5cm의 범위 내인 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 장치 제조용 필름 롤{FILM ROLL FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 다이싱·다이본드 필름 등의 반도체 장치 제조용 필름이 롤 형상으로 권취된 반도체 장치 제조용 필름 롤에 관한 것이다.
회로 패턴을 형성한 반도체 웨이퍼는, 필요에 따라 이면 연마에 의해 두께를 조정한 후, 반도체 칩으로 다이싱된다(다이싱 공정). 계속해서, 상기 반도체 칩을 접착제로 리드 프레임 등의 피착체에 고착(다이 어태치 공정)한 후, 본딩 공정으로 이행된다. 상기 다이 어태치 공정에 있어서는, 접착제를 리드 프레임이나 반도체 칩에 도포하여 행했다. 그러나, 이 방법에서는 접착제층의 균일화가 곤란하고, 또한 접착제의 도포에 특수 장치나 장시간을 필요로 한다. 이로 인해, 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 접착 유지함과 함께, 마운트 공정에 필요한 칩 고착용의 접착제층까지 부여하는 다이싱·다이본드 필름이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에 기재된 다이싱·다이본드 필름은, 지지 기재 상에 점착제층 및 접착제층이 순차 적층되어, 당해 접착제층을 박리 가능하게 형성하여 이루어지는 것이다. 즉, 접착제층에 의한 유지 하에 반도체 웨이퍼를 다이싱한 뒤, 지지 기재를 연신하여 반도체 칩을 접착제층과 함께 박리하고, 이것을 개별적으로 회수하여 그 접착제층을 개재하여 리드 프레임 등의 피착체에 고착시키도록 한 것이다.
이러한 종류의 다이싱·다이본드 필름의 접착제층에는, 다이싱 불가능이나 치수 불량 등이 발생하지 않도록 반도체 웨이퍼에 대한 양호한 유지력과, 다이싱 후의 반도체 칩을 접착제층과 일체로 지지 기재로부터 박리할 수 있는 양호한 박리성이 요망된다. 그러나, 이 양 특성의 밸런스를 맞추는 것은 용이하지 않다.
한편, 반도체 장치의 박형화·소형화에 수반하여, 반도체 칩의 두께가 종래의 200㎛부터 100㎛ 이하까지 박층화되어 있다. 100㎛ 이하의 반도체 칩을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 경우는, 칩 보호의 관점에서 열가소성 수지 및 열경화성 수지를 병용한 접착제층의 사용이 증가하고 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 2 및 특허문헌 3 참조).
이러한 접착제층을 구비한 다이싱·다이본드 필름은, 그 사용 전에 있어서는 권취 코어에 권취된 롤의 상태로 보관되어 있다. 다이싱·다이본드 필름의 권취는, 권취해야 할 다이싱·다이본드 필름의 권취 시작부의 단부 테두리를 권취 코어에 접착하고, 그 권취 코어를 권취하는 방향으로 회전시킴으로써 행해지고 있다. 이때, 권취 장력이 약하면 접착 시트가 비틀리거나 하여 주름이 발생함과 함께, 권취 단부면이 흐트러진다. 따라서, 다이싱·다이본드 필름을 권취 단부면이 정렬되도록 권취하기 위하여, 소정 이상의 장력을 가하면서 권취가 이루어지고 있다.
그러나, 권취 단부면이 정렬되는 강한 장력으로 권취해 가면 롤의 중심 방향으로 응력이 집중되는 결과, 예를 들어 그 단부 테두리부와 그 위에 감겨지는 다이싱·다이본드 필름에 권취 자국이 발생한다. 이러한 다이싱·다이본드 필름에 대하여, 두께가 100㎛ 이하인 반도체 웨이퍼를 마운트하면, 당해 반도체 웨이퍼에는 필름의 권취 자국에 기인한 단차가 발생한다는 문제가 있다. 또한, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩으로 하고, 이 반도체 칩을, 접착제층을 개재하여 피착체에 다이 어태치하면, 권취 자국이 있는 접착제층에서는 반도체 칩이나 피착체에 대하여 충분한 밀착을 할 수 없어, 이 때문에 충분한 접착력을 발휘할 수 없게 된다. 그 결과, 반도체 칩이 피착체로부터 탈락된다는 문제가 있다.
일본 특허 공개 소60-57642호 공보 일본 특허 공개 제2002-261233호 공보 일본 특허 공개 제2000-104040호 공보
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위하여 이루어진 것이며, 그 목적은 롤 형상으로 권취된 다이싱·다이본드 필름 등의 반도체 장치 제조용 필름에, 권취 자국이 발생하는 것을 저감하고, 밀착성 및 접착성이 우수한 반도체 장치 제조용 필름 롤을 제공하는 데 있다.
본원 발명자는, 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 반도체 장치 제조용 필름 롤에 대하여 검토했다. 그 결과, 반도체 장치 제조용 필름을 권취하는 권취 코어의 직경을 소정의 크기로 제어함으로써, 당해 필름에 권취 자국을 발생시키지 않고 롤 형상으로 권취하는 것이 가능하게 되는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명에 관한 반도체 장치 제조용 필름 롤은, 상기한 과제를 해결하기 위해, 반도체 장치 제조용 필름이 원기둥 형상의 권취 코어에 롤 형상으로 권취된 반도체 장치 제조용 필름 롤이며, 상기 권취 코어의 직경이 7.5cm 내지 15.5cm의 범위 내인 것을 특징으로 한다.
권취 코어에의 반도체 장치 제조용 필름(이하, 「필름」이라고 하는 경우가 있음)의 권취는, 당해 필름이 비틀리어 주름이 발생하거나, 권취 단부면이 흐트러지는 것을 방지하기 위해, 소정 이상의 장력을 필름에 가하면서 행한다. 이러한 상태에서 권취 코어에 권취가 행해진 필름에는 중심을 향함에 따라 응력이 집중된다. 본 발명은, 권취 코어의 직경을 7.5cm 이상으로 설정하고, 권취하는 필름에 대한 접촉 면적을 크게 함으로써 단위 면적당에 가해지는 압력을 저감함으로써, 응력 집중의 완화를 도모하는 것이다. 그 결과, 권취 코어에 장기간 권취된 상태에서 필름 롤이 보관되어도, 예를 들어 필름의 단부 테두리부 상에 감겨진 필름에 권취 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 권취 코어의 직경을 15.5cm 이하로 하는 것은, 반도체 장치 제조용 필름 롤의 직경이 지나치게 커져, 취급성이 저하하는 것을 방지하기 위해서이다.
상기한 구성에 있어서, 상기 반도체 장치 제조용 필름은, 기재 상에 점착제층, 접착제층 및 세퍼레이터가 순차 적층된 구조를 갖는 것을 사용할 수 있다. 본 발명이면, 상기와 같은 적층 구조를 갖는 다이싱·다이본드 필름에 있어서도, 그 점착제층이나 접착제층 등에 권취 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 예를 들어 당해 필름에 마운트되는 두께가 매우 얇은 반도체 웨이퍼에 대하여, 상기 권취 자국에 기인한 단차가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 접착제층의 두께 방향에 있어서의 쇼어 A 경도가 10 내지 60이며, 그 두께가 1 내지 500㎛인 것이 바람직하다. 접착제층의 쇼어 A 경도 및 두께를 상기 수치 범위 내로 함으로써, 두께 방향에 있어서의 권취 자국에 기인한 단차의 발생을 한층 방지하는 것이 가능하게 된다.
상기 구성에 있어서, 상기 반도체 장치 제조용 필름은, 20 내지 100N/m의 범위 내의 권취 장력이 가해진 상태에서 권취 코어에 권취되는 것이 바람직하다. 상기 수치 범위 내의 권취 장력으로 권취 코어에 필름을 권취함으로써, 시트가 비틀리어 주름이 발생하는 것을 방지함과 함께, 권취 단부면이 흐트러지지 않고 권취가 가능하게 된다.
상기 구성에 있어서, 반도체 장치 제조용 필름 롤의 직경은 8 내지 30cm의 범위 내인 것이 바람직하다. 필름 롤의 직경을 8cm 이상으로 함으로써, 중심을 향함에 따라 집중되는 응력을 한층 완화할 수 있다. 그 한편, 상기 직경을 30cm 이하로 함으로써 필름의 권취량이 지나치게 많아져, 과도한 압력이 가해지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 접착제층은 열가소성 수지 및 무기 충전제를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 접착제층은 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 열가소성 수지는 아크릴 수지인 것이 바람직하다.
상기 열경화성 수지는 에폭시 수지 또는 페놀 수지 중 적어도 어느 한쪽인 것이 바람직하다. 아크릴 수지는 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으므로, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다.
본 발명은, 상기에 설명한 수단에 의해, 이하에 설명하는 효과를 발휘한다.
즉, 본 발명에 따르면, 반도체 장치 제조용 필름을 권취하는 권취 코어의 직경을 7.5cm 이상으로 설정함으로써, 권취 코어의 필름에 대한 접촉 면적을 크게 한다. 이에 의해, 단위 면적당에 가해지는 압력을 저감하여, 응력 집중의 완화가 도모되므로, 장기간의 보관 후에도 필름에 권취 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 예를 들어 본 발명의 필름에 반도체 웨이퍼를 마운트해도, 당해 반도체 웨이퍼에는 필름의 권취 자국에 기인한 단차가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등에 대한 필름의 밀착성도 우수하여, 양호한 접착성을 발휘시킬 수 있다.
[도 1] 본 발명의 실시의 일 형태에 관한 반도체 장치 제조용 필름 롤을 도시하는 사시도이다.
[도 2] 상기 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조용 필름(다이싱·다이본드 필름)의 적층 구조를 도시하는 단면 모식도이다.
[도 3] 상기 실시 형태에 관한 다른 반도체 장치 제조용 필름(다이싱·다이본드 필름)의 적층 구조를 도시하는 단면 모식도이다.
[도 4] 본 발명의 실시의 일 형태에 관한 다이싱·다이본드 필름 상에 반도체 웨이퍼를 마운트하는 모습을 나타내는 설명도이다.
[도 5] 상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 모습을 나타내는 사시도이다.
[도 6] 도 6의 (a)는 반도체 웨이퍼에 부착된 상기 다이싱·다이본드 필름의 신장의 모습을 도시하는 설명도이며, 도 6의 (b)는 반도체 칩 및 다이싱 링이 다이싱·다이본드 필름에 접착 고정되어 있는 모습을 도시하는 평면도이다.
[도 7] 상기 다이싱·다이본드 필름에 있어서의 접착제층을 개재하여 반도체 칩을 실장한 예를 도시하는 단면 모식도이다.
본 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조용 필름 롤(이하, 「필름 롤」이라고 함)에 대하여, 반도체 장치 제조용 필름으로서 다이싱·다이본드 필름을 예로서 이하에 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조용 필름 롤의 개략을 도시하는 사시도이다. 도 2는, 반도체 장치 제조용 필름으로서의 다이싱·다이본드 필름의 적층 구조를 도시하는 단면 모식도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 필름 롤(1)은, 원기둥 형상의 권취 코어(2)에 다이싱·다이본드 필름(3)이 롤 형상으로 권취된 것이다. 다이싱·다이본드 필름(3)의 권취는, 권취해야 할 다이싱·다이본드 필름(3)의 권취 시작부의 단부 테두리를 권취 코어(2)에 접착하고, 그 권취 코어(2)를 권취 방향으로 회전시킴으로써 행해지고 있다. 이 권취 시, 다이싱·다이본드 필름(3)에는 20 내지 100N/m, 바람직하게는 25 내지 90N/m, 보다 바람직하게는 30 내지 80N/m의 범위 내의 권취 장력이 가해지고 있다. 권취 장력을 20N/m 이상으로 함으로써, 다이싱·다이본드 필름(3)에 비틀림에 기인한 주름이나, 권취 단부면의 흐트러짐의 발생을 방지할 수 있다. 그 한편, 권취 장력을 100N/m 이하로 함으로써, 다이싱·다이본드 필름(3)에 과도한 장력이 가해져 신장하는 것을 방지할 수 있다.
상기 권취 코어(2)의 직경(r)은, 7.5 내지 15.5cm의 범위 내가 바람직하고, 7.5 내지 12.5cm의 범위 내가 보다 바람직하다. 직경(r)을 7.5cm 이상으로 함으로써 권취 코어(2)의 다이싱·다이본드 필름(3)에 대한 접촉 면적을 증대시켜, 단위 면적당에 가해지는 압력을 저감할 수 있다. 그 결과, 다이싱·다이본드 필름(3)에 가해지는 응력 집중의 완화가 도모된다. 그 한편, 직경(r)을 15.5cm 이하로 함으로써 필름 롤의 직경이 지나치게 커져, 취급성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 권취 코어(2)는 다이싱·다이본드 필름(3)을 롤 형상으로 권취하는 형상인 것이 필요하며, 구체적으로는, 예를 들어 원기둥 형상의 것 등이 바람직하다. 다각 기둥 형상의 권취 코어이면, 권취 코어의 코너부에 있어서 응력 집중이 발생하여, 다이싱·다이본드 필름에 권취 자국이 발생하므로 바람직하지 않다. 권취 코어(2)의 구성 재료는 특별히 한정되지 않고 예를 들어 금속제나 플라스틱제 등의 것을 사용할 수 있다.
또한, 필름 롤(1)의 직경(R)은 8 내지 30cm의 범위 내가 바람직하고, 8 내지 25cm의 범위 내가 보다 바람직하다. 직경(R)을 8cm 이상으로 함으로써, 중심을 향함에 따라 커지는 응력 집중을 한층 완화할 수 있다. 그 한편, 직경(R)을 30cm 이하로 함으로써, 다이싱·다이본드 필름(3)의 권취량이 지나치게 많아져, 이에 의해 과도한 압력이 가해지는 것을 방지할 수 있다.
상기 다이싱·다이본드 필름(3)은 기재(11) 상에 점착제층(12), 접착제층(13) 및 세퍼레이터가 순차 적층된 구조를 갖는다. 상기 접착제층(13)은 반도체 웨이퍼의 부착 영역에만 적층되어 있다. 또한, 권취 코어(2)에 대한 다이싱·다이본드 필름(3)의 권취는, 기재(11)면과 세퍼레이터면이 대향하여 접한 상태에서 이루어지고 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 다이싱·다이본드 필름으로서는, 도 3에 도시한 바와 같이 접착제층(13')이 점착제층(12) 상의 전체면에 적층된 구조의 다이싱·다이본드 필름(3')을 사용해도 좋다.
상기 기재(11)는 자외선 투과성을 갖고, 또한 다이싱·다이본드 필름(3, 3')의 강도 모체로 되는 것이다. 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.
또한 기재(11)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 중합체를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은, 비연신으로 사용해도 좋고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 좋다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 그 기재(11)를 열수축시킴으로써 점착제층(12)과 접착제층(13, 13')의 접착 면적을 저하시켜, 반도체 칩의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.
기재(11)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들어, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.
상기 기재(11)는, 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 수종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다. 또한, 기재(11)에는, 대전 방지능을 부여하기 위해, 상기한 기재(11) 상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등으로 이루어지는 두께가 30 내지 500Å 정도인 도전성 물질의 증착층을 형성할 수 있다. 기재(11)는 단층 혹은 2종 이상의 복층이어도 좋다.
기재(11)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 설정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.
상기 점착제층(12)은 자외선 경화형 점착제를 포함하여 구성되어 있다. 자외선 경화형 점착제는, 자외선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있고, 도 2에 도시하는 점착제층(12)의 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분(12a)만을 자외선 조사함으로써 다른 부분(12b)과의 점착력의 차를 설정할 수 있다.
또한, 도 3에 도시하는 다이싱·다이본드 필름(3')에 있어서도, 반도체 웨이퍼의 부착 부분(13a')에 대응하는 부분(12a)에 자외선 조사를 함으로써, 당해 부분(12a)을 경화시켜, 점착력을 저하시킬 수 있다. 경화되어, 점착력이 저하된 상기 부분(12a)에 접착제층(13)이 부착되기 때문에, 점착제층(12)의 상기 부분(12a)과 접착제층(13)의 계면은 픽업 시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다. 한편, 자외선을 조사하지 않은 부분은 충분한 점착력을 갖고 있으며, 상기 부분(12b)을 형성한다.
전술한 바와 같이, 도 2에 도시하는 다이싱·다이본드 필름(3)의 점착제층(12)에 있어서는, 상기 부분(12b)이 다이싱 링을 고정할 수 있다. 다이싱 링은, 예를 들어 스테인리스제 등의 금속으로 이루어지는 것이나 수지제의 것을 사용할 수 있다. 또한, 도 3에 도시하는 다이싱·다이본드 필름(3')의 점착제층(12)에 있어서는, 미경화의 자외선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(12b)은 접착제층(13')과 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다. 이와 같이 자외선 경화형 점착제는, 반도체 칩을 기판 등의 피착체에 고착하기 위한 접착제층(13')을 접착·박리의 밸런스가 맞게 지지할 수 있다.
상기 자외선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 자외선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 자외선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 자외선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.
상기 감압성 점착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 피해야 하는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.
상기 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산 시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산 에스테르란 아크릴산 에스테르 및/또는 메타크릴산 에스테르를 말하고, 본 발명의 (메트)란 모두 마찬가지의 의미이다.
상기 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로서, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산 알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하여도 좋다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체 성분은, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체의 사용량은, 전체 단량체 성분의 40중량％ 이하가 바람직하다.
또한, 상기 아크릴계 중합체는 가교시키기 위해, 다관능성 단량체 등도 필요에 따라 공중합용 단량체 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다관능성 단량체로서, 예를 들어 헥산디올 디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 단량체도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 단량체의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 단량체 성분의 30중량％ 이하가 바람직하다.
상기 아크릴계 중합체는, 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합에 사용함으로써 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어떠한 방식으로도 행할 수 있다. 청정한 피착체에의 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.
또한, 상기 점착제에는, 베이스 중합체인 아크릴계 중합체 등의 수 평균 분자량을 높이기 위하여, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 가교해야 할 베이스 중합체와의 밸런스에 따라, 나아가 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 5중량부 정도 이하, 또한 0.1 내지 5중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라 상기 성분 이외에, 종래 공지의 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 좋다.
배합하는 상기 자외선 경화성의 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 자외선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러가지 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위의 것이 적당하다. 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.
또한, 자외선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 자외선 경화형 점착제 이외에, 베이스 중합체로서, 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 자외선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 자외선 경화형 점착제는, 저분자량 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 많이는 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 내를 이동하지 않고, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체는, 탄소-탄소 이중 결합을 가지며, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.
상기 아크릴계 중합체에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않으며, 여러 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 중합체 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계상 용이하다. 예를 들어, 미리 아크릴계 중합체에 관능기를 갖는 단량체를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 자외선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
이들 관능기의 조합예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이성 면에서, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 중합체를 생성하도록 하는 조합이면, 관능기는 아크릴계 중합체와 상기 화합물의 어느 측에 있어도 상관없지만, 상기한 바람직한 조합에서는, 아크릴계 중합체가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 바람직하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일 이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질 이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 중합체로서는, 상기 예시된 히드록시기 함유 단량체나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜 모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.
상기 내재형의 자외선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체(특히 아크릴계 중합체)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 자외선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 중합체 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.
상기 자외선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 0.05 내지 20중량부 정도이다.
또한 자외선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐 화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.
상기 점착제층(12)에 상기 부분(12a)을 형성하는 방법으로서는, 기재(11)에 자외선 경화형의 점착제층(12)을 형성한 후, 상기 부분(12a)에 부분적으로 자외선을 조사하여 경화시키는 방법을 들 수 있다. 부분적인 자외선 조사는, 반도체 웨이퍼 부착 부분(13a) 이외의 부분(13b) 등에 대응하는 패턴을 형성한 포토마스크를 통하여 행할 수 있다. 또한, 스폿적으로 자외선을 조사하여 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 자외선 경화형의 점착제층(12)의 형성은, 세퍼레이터 상에 형성한 것을 기재(11) 상에 전사함으로써 행할 수 있다. 부분적인 자외선 경화는 세퍼레이터 상에 형성한 자외선 경화형의 점착제층(12)에 행할 수도 있다.
다이싱·다이본드 필름(3)의 점착제층(12)에 있어서는, 상기 부분(12a)의 점착력＜그 밖의 부분(12b)의 점착력으로 되도록 점착제층(12)의 일부를 자외선 조사해도 좋다. 즉, 기재(11)의 적어도 한쪽면의, 반도체 웨이퍼 부착 부분(13a)에 대응하는 부분 이외의 부분 전부 또는 일부가 차광된 것을 사용하여, 여기에 자외선 경화형의 점착제층(12)을 형성한 후에 자외선 조사하여, 반도체 웨이퍼 부착 부분(13a)에 대응하는 부분을 경화시켜, 점착력을 저하시킨 상기 부분(12a)을 형성할 수 있다. 차광 재료로서는, 지지 필름 상에서 포토마스크로 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 제작할 수 있다. 이에 의해, 효율적으로 본 발명의 다이싱·다이본드 필름(3)을 제조 가능하다.
또한, 자외선 조사 시에, 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는 자외선 경화형의 점착제층(12)의 표면으로부터 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 그 방법으로서는, 예를 들어 점착제층(12)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 자외선의 조사를 행하는 방법 등을 들 수 있다.
점착제층(12)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 이지러짐 방지나 접착제층(13)의 고정 유지의 양립성 등의 관점에서 1 내지 50㎛ 정도가 바람직하고, 2 내지 30㎛가 보다 바람직하고, 5 내지 25㎛가 특히 바람직하다.
상기 접착제층(13, 13')은 접착 기능을 갖는 층이며, 그 구성 재료로서는, 열가소성 수지와 열경화성 수지를 병용해도 좋고, 열가소성 수지를 단독으로 사용해도 좋다.
상기 접착제층(13, 13')의 두께 방향에 있어서의 쇼어 A 경도는 10 내지 60인 것이 바람직하고, 15 내지 55인 것이 보다 바람직하고, 20 내지 50인 것이 특히 바람직하다. 또한, 쇼어 A 경도는, JIS K 6253에 기초하여 두께 10mm, 시험편의 단부로부터의 거리 15mm의 조건 하에서 타입 A 듀로미터를 사용하여 측정한 값이다.
상기 열가소성 수지로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으며, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.
상기 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 혹은 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르 중 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것이 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 혹은 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 혹은 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 혹은 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 혹은 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.
상기 열경화성 수지로서는, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는, 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다. 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.
상기 에폭시 수지는, 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루올렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 혹은 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.
또한, 상기 페놀 수지는, 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량으로 되도록 배합하는 것이 바람직하다. 보다 바람직한 것은 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지를 포함하는 접착제층(13, 13')이 특히 바람직하다. 이들 수지는, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으므로, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다. 이 경우의 배합비는, 아크릴 수지 성분 100중량부에 대하여, 에폭시 수지와 페놀 수지의 혼합량이 10 내지 200중량부이다.
본 실시 형태에 관한 접착제층(13, 13')은, 미리 어느 정도 가교를 시켜 두기 위해, 제작 시에 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시켜도 좋다. 이에 의해, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시켜, 내열성의 개선을 도모한다.
상기 가교제로서는, 종래 공지된 것을 채용할 수 있다. 특히, 톨릴렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄 디이소시아네이트, p-페닐렌 디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌 디이소시아네이트, 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물 등의 폴리이소시아네이트 화합물이 보다 바람직하다. 가교제의 첨가량으로서는, 상기한 중합체 100중량부에 대하여, 통상 0.05 내지 7중량부로 하는 것이 바람직하다. 가교제의 양이 7중량부보다 많으면, 접착력이 저하되므로 바람직하지 않다. 그 한편, 0.05중량부보다 적으면 응집력이 부족하므로 바람직하지 않다. 또한, 이와 같은 폴리이소시아네이트 화합물과 함께, 필요에 따라 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 모두 포함시키도록 해도 좋다.
또한, 접착제층(13, 13')에는, 그 용도에 따라 무기 충전제를 적절히 배합할 수 있다. 무기 충전제의 배합은, 도전성의 부여나 열전도성의 향상, 탄성률의 조절 등을 가능하게 한다. 상기 무기 충전제로서는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소 등의 세라믹류, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등의 금속, 또는 합금류, 기타 카본 등으로 이루어지는 다양한 무기 분말을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 실리카, 특히 용융 실리카가 적절하게 사용된다. 또한, 무기 충전제의 평균 입경은 0.1 내지 80㎛의 범위 내인 것이 바람직하다.
상기 무기 충전제의 배합량은, 유기 수지 성분 100중량부에 대하여 0 내지 80중량부로 설정하는 것이 바람직하고, 0 내지 70중량부로 설정하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 접착제층(13, 13')에는, 필요에 따라 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필 메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화 비스무트 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
접착제층(13)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 5 내지 100㎛ 정도, 바람직하게는 5 내지 50㎛ 정도이다.
다이싱·다이본드 필름(3, 3')에는, 대전 방지능을 갖게 할 수 있다. 이에 의해, 그 접착 시 및 박리 시 등에 있어서의 정전기의 발생이나 그것에 의한 워크(반도체 웨이퍼 등)의 대전으로 회로가 파괴되는 것 등을 방지할 수 있다. 대전 방지능의 부여는, 기재(11), 점착제층(12) 내지 접착제층(13)에 대전 방지제나 도전성 물질을 첨가하는 방법, 기재(11)에의 전하 이동 착체나 금속막 등으로 이루어지는 도전층의 부설 등, 적당한 방식으로 행할 수 있다. 이들 방식으로서는, 반도체 웨이퍼를 변질시킬 우려가 있는 불순물 이온이 발생하기 어려운 방식이 바람직하다. 도전성의 부여, 열전도성의 향상 등을 목적으로 하여 배합되는 도전성 물질(도전 필러)로서는, 은, 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 도전성 합금 등의 구 형상, 바늘 형상, 플레이크 형상의 금속분, 알루미나 등의 금속 산화물, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등을 들 수 있다. 단, 상기 접착제층(13, 13')은, 비도전성인 것이, 전기적으로 누설되지 않도록 할 수 있는 점에서 바람직하다.
상기 다이싱·다이본드 필름(3, 3')의 접착제층(13, 13')은, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다. 세퍼레이터는, 실용에 사용할 때까지 접착제층(13, 13')을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또한, 세퍼레이터는, 추가로 점착제층(12)에 접착제층(13, 13')을 전사할 때의 지지 기재로서 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이싱·다이본드 필름의 접착제층(13, 13') 상에 워크를 부착할 때에 벗겨진다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코트된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.
이어서, 본 실시 형태에 관한 필름 롤(1)을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 우선, 상기 필름 롤(1)로부터 다이싱·다이본드 필름(3)을 절단하여 취출한 후, 세퍼레이터를 박리한다.
계속해서, 도 4에 도시한 바와 같이 다이싱·다이본드 필름(3)에 있어서의 접착제층(13) 상에 반도체 웨이퍼(21)를 압착하고, 이것을 접착 유지시켜 고정한다(마운트 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다.
계속해서, 도 5에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(21)의 다이싱을 행한다. 다이싱은 반도체 웨이퍼(21)를 소정의 크기로 절단하여 개편화하여, 반도체 칩(22)을 제작하는 공정이다. 다이싱은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(21)의 회로면측으로부터 통상의 방법에 따라 행해진다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(21)는, 다이싱·다이본드 필름(3)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 이지러짐이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼(21)의 파손도 억제할 수 있다. 또한, 다이싱은, 예를 들어 다이싱 블레이드(28)가 점착제층(12)에 도달할 정도까지 절입을 행해도 된다.
이어서, 도 6에 도시한 바와 같이, 다이싱·다이본드 필름(3)의 신장을 행한다(도 6의 (a) 및 도 6의 (b) 참조). 상기 도면의 (a)는, 반도체 웨이퍼(21)에 부착된 다이싱·다이본드 필름(3)의 신장의 모습을 도시하는 설명도이며, 상기 도면 (b)는 복수의 반도체 칩(22) 및 다이싱 링(25)이 접착제층(13)에 접착 고정되어 있는 모습을 도시하는 평면도이다. 접착제층(13)에는, 반도체 웨이퍼(21)를 다이싱함으로써 형성된 복수의 반도체 칩(22)이 접착 고정되어 있다. 또한, 각 반도체 칩(22)의 형성 영역의 외측에는 복수의 반도체 칩(22)이 접착 고정되어 있는 영역으로부터 소정의 영역을 통하여 다이싱 링(25)이, 점착제층(12)에 접착 고정되어 있다. 신장은 종래 공지의 신장 장치를 사용하여 행한다. 신장 장치는, 다이싱 링(25)을 통하여 다이싱·다이본드 필름(3)을 하방으로 밀어 내리는 것이 가능한 도넛 형상의 외측 링(26)과, 상기 외측 링(26)보다 직경이 작고, 다이싱·다이본드 필름(3)을 지지하는 내측 링(27)을 갖고 있다.
신장은 다음과 같이 하여 행해진다. 우선, 외측 링(26)은 다이싱·다이본드 필름(3)이 개재 삽입 가능할 정도로, 내측 링(27)의 상방에 충분한 거리를 두고 위치시킨다. 이어서, 외측 링(26)과 내측 링(27) 사이에, 반도체 칩(22) 및 다이싱 링(25)이 접착 고정된 다이싱·다이본드 필름(3)을 개재 삽입시킨다. 이때, 반도체 칩(22)이 접착 고정되어 있는 영역이, 내측 링(27)의 중앙부에 위치하도록 세트한다. 그 후, 외측 링(26)이, 내측 링(27)을 따라 하방으로 이동하고, 동시에 다이싱 링(25)을 밀어 내린다. 다이싱 링(25)이 밀어 내려짐으로써, 다이싱·다이본드 필름(3)은 다이싱 링과 내측 링의 고도차에 의해, 잡아 늘여져 신장이 행하여진다. 신장의 목적은, 픽업 시에 반도체 칩(22)끼리 접촉하여 파손되는 것을 방지하는 것에 있다.
계속해서, 다이싱·다이본드 필름(3)에 접착 고정된 반도체 칩(22)을 박리하기 위해, 반도체 칩(22)의 픽업을 행한다. 픽업 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩(22)을 다이싱·다이본드 필름(3)측으로부터 니들에 의해 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩(22)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.
픽업한 반도체 칩(22)은, 접착제층(31)을 개재하여 피착체(23)에 접착 고정한다(다이 어태치). 피착체(23)는 히트 블록 상에 적재되어 있다. 본 실시 형태에 관한 접착제층(13)은 권취 자국에 기인한 단차의 발생이 억제된 것이므로, 당해 다이 어태치는 피착체(23)에 대하여 충분한 밀착성을 확보하여 행할 수 있다. 그 결과, 반도체 칩(22)을 피착체(23) 상에 양호하게 접착할 수 있다. 다이 어태치의 조건으로서는 특별히 한정되지 않고, 적절히 필요에 따라 설정할 수 있다. 피착체(23)로서는, 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도로 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 피착체(23)는, 예를 들어 용이하게 변형되는 변형형 피착체이어도 좋고, 변형되는 것이 곤란한 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)이어도 좋다.
상기 기판으로서는, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임으로서는, Cu 리드 프레임, 42 알로이(Alloy) 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리 에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등으로 이루어지는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니라, 반도체 칩을 마운트하고, 반도체 칩과 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.
접착제층(13)이 열경화형인 경우에는 가열 경화에 의해, 반도체 칩(22)을 피착체(23)에 접착 고정하여, 내열 강도를 향상시킨다. 또한, 접착제층(31)을 개재시켜 반도체 칩(22)이 기판 등에 접착 고정된 것은, 리플로우 공정에 이용할 수 있다. 그 후, 기판의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(22) 상의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(29)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩을 행하고, 또한 반도체 칩을 밀봉 수지(30)로 밀봉하고, 당해 밀봉 수지(30)를 후경화한다. 이에 의해, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치가 제작된다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 관한 필름 롤로부터 취출된 다이싱·다이본드 필름에 있어서는, 접착제층(13)에 대하여 권취 자국에 기인한 단차가 발생하는 것을 억제하므로, 반도체 칩(22)을 피착체(23)로부터 탈락시키지 않고 양호하게 접착시킬 수 있다. 그 결과, 본 실시 형태에 관한 다이싱·다이본드 필름을 반도체 장치의 제조에 적용함으로써, 반도체 장치의 제조 수율의 저감이 가능하게 된다.
실시예
이하에, 본 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 그들에만 한정하는 취지의 것이 아니며, 단순한 설명예에 지나지 않는다.
(실시예 1)
아크릴산 에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산 에스테르계 중합체(네가미 고교(주)제, 파라클론 W-197CM) 100중량부에 대하여, 다관능 이소시아네이트계 가교제 3중량부, 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진(주)제, 에피코트 1004) 23중량부, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-LL) 6중량부, 구 형상 실리카(애드마텍스(주)제, S0-25R) 60중량부를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 20중량％의 접착제 조성물의 용액을 제조했다.
이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 50㎛)으로 이루어지는 이형 처리 필름(코어 재료) 상에 도포하고, 120℃에서 3분간 건조시켰다. 이에 의해, 이형 처리 필름 상에 두께 25㎛의 접착제층을 형성했다.
이어서, 두께가 100㎛인 폴리올레핀 필름으로 이루어지는 기재 상에, 아크릴계 점착제 조성물의 용액을 도포, 건조하여, 두께가 7㎛인 점착제층을 형성하여 다이싱 필름을 제작했다(닛토덴코(주)제, MD-107G).
또한, 상기 아크릴계 점착제의 용액은, 다음과 같이 하여 제조했다. 즉, 우선 아크릴산부틸과 아크릴산에틸과 2-히드록시아크릴레이트와 아크릴산을 중량비 60/40/4/1의 비율로 공중합시켜, 중량 평균 분자량이 800,000인 아크릴계 중합체를 얻었다. 이어서, 이 아크릴계 중합체 100중량부에, 가교제로서 다관능 에폭시계 가교제를 0.5중량부, 광중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타아크릴레이트를 90중량부, 광중합 개시제로서 α-히드록시시클로헥실페닐케톤을 5중량부 배합하고, 이들을 유기 용제로서의 톨루엔에 균일하게 용해시켰다. 이에 의해, 상기 아크릴계 점착제의 용액을 작성했다.
계속해서, 이형 처리 필름 상의 접착제층을 직경이 330mm인 원 형상으로 잘라내고, 이 원 형상의 접착제층을 상기 다이싱 필름의 점착제층 상에 접합했다. 접합 조건은, 라미네이트 온도 40℃, 선압 3.0kgf/cm로 했다. 이에 의해, 본 실시예에 관한 다이싱·다이본드 필름을 제작했다.
또한, 상기 다이싱·다이본드 필름 300매를 직경이 3인치(7.62cm)인 권취 코어로 권취했다. 이때의 다이싱·다이본드 필름에 가한 권취 장력은 25N/m으로 했다. 또한, 권취 후의 필름 롤의 직경은 18.0cm이었다.
(실시예 2)
본 실시예 2에 있어서는, 직경이 3인치(7.62cm)인 권취 코어 대신에, 직경이 6인치(15.24cm)인 권취 코어를 사용한 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 실시예에 관한 필름 롤을 제작했다.
(실시예 3)
본 실시예 3에 있어서는, 50매의 다이싱·다이본드 필름을 직경이 3인치(7.62cm)인 권취 코어에 권취하고, 권취 후의 필름 롤의 직경을 11.3cm로 한 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 실시예에 관한 필름 롤을 제작했다.
(실시예 4)
본 실시예 4에 있어서는, 400매의 다이싱·다이본드 필름을 직경이 3인치(7.62cm)인 권취 코어에 권취하고, 권취 후의 필름 롤의 직경을 19.0cm로 한 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 실시예에 관한 필름 롤을 제작했다.
(비교예 1)
본 비교예 1에 있어서는, 직경이 3인치(7.62cm)인 권취 코어 대신에, 직경이 2인치(5.08cm)인 권취 코어를 사용한 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 비교예에 관한 필름 롤을 제작했다.
(비교예 2)
본 비교예 2에 있어서는, 450매의 다이싱·다이본드 필름을 직경이 3인치(7.62cm)인 권취 코어에 권취하고, 권취 후의 필름 롤의 직경을 20.0cm로 한 것이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 비교예에 관한 필름 롤을 제작했다.
(권취 자국의 확인)
상기 각 실시예 및 비교예에 의해 제작한 필름 롤을, 각각 제작 후 1개월간 보관을 했다. 보관 조건은 온도 25℃, 상대 습도 50% Rh로 했다. 보관 후, 권취 코어로부터 가장 가까운 다이싱·다이본드 필름을 5매 취출했다. 이 다이싱·다이본드 필름에 대하여, 그 접착제층 상에 미러 웨이퍼(두께 760㎛)를 마운트했다. 마운트 조건은, 하기와 같다.
[접합 조건]
부착 장치: 닛토 세미쯔 기까이제, MA-3000III
부착 속도: 10mm/sec
부착 압력: 0.15MPa
부착 시의 스테이지 온도: 60℃
마운트 후, 다이싱·다이본드 필름의 권취 자국에 기인하는 단차가, 미러 웨이퍼에 발생하고 있는지의 여부를 확인했다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
(쇼어 A 경도의 측정)
쇼어 A 경도의 측정은, JIS K 6253에 기초하여, 두께 10mm, 시험편 단부로부터의 거리 15mm의 조건 하에서 타입 A 듀로미터를 사용하여 행했다.
(결과)
하기 표 1로부터 명백해진 바와 같이, 실시예 1 내지 4의 다이싱·다이본드 필름을 사용하여 마운트한 미러 웨이퍼에 있어서는, 당해 필름의 권취 자국에 기인한 단차가 전혀 보이지 않아 양호한 외관인 것이 확인되었다. 그 한편, 비교예 1 및 2의 다이싱·다이본드 필름에 있어서는, 미러 웨이퍼에 단차가 발생하고 있는 것이 확인되었다.
Figure 112011041362800-pct00001
1: 반도체 장치 제조용 필름 롤
2: 권취 코어
3: 다이싱·다이본드 필름(반도체 장치 제조용 필름)
11: 기재
12: 점착제층
13: 접착제층
21: 반도체 웨이퍼
22: 반도체 칩
23: 피착체
25: 다이싱 링
26: 외측 링
27: 내측 링
28: 다이싱 블레이드
30: 밀봉 수지
29: 본딩 와이어
31: 접착제층

Claims (10)

  1. 반도체 장치 제조용 필름이 원기둥 형상의 권취 코어에 롤 형상으로 권취된 반도체 장치 제조용 필름 롤이며,
    상기 권취 코어의 직경이 7.5cm 내지 15.5cm의 범위 내이고,
    상기 필름 롤은 기재 상에 점착제층, 접착제층 및 세퍼레이터가 순차 적층된 구조를 갖고,
    상기 접착제층의 두께 방향에 있어서의 쇼어 A 경도가 10 내지 60이며, 그의 두께가 1 내지 500㎛인 반도체 장치 제조용 필름 롤.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치 제조용 필름은, 20 내지 100N/m의 범위 내의 권취 장력이 가해진 상태에서 권취 코어에 권취되는 반도체 장치 제조용 필름 롤.
  3. 제1항에 있어서, 직경이 8 내지 30cm의 범위 내인 반도체 장치 제조용 필름 롤.
  4. 제1항에 있어서, 상기 접착제층은 열가소성 수지 및 무기 충전제를 포함하는 반도체 장치 제조용 필름 롤.
  5. 제1항에 있어서, 상기 접착제층은 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 포함하는 반도체 장치 제조용 필름 롤.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 열가소성 수지는 아크릴 수지인 반도체 장치 제조용 필름 롤.
  7. 제5항에 있어서, 상기 열경화성 수지는 에폭시 수지 또는 페놀 수지 중 적어도 어느 한쪽인 반도체 장치 제조용 필름 롤.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
KR1020117012608A 2008-12-01 2009-11-24 반도체 장치 제조용 필름 롤 KR101518533B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008306604A JP5322609B2 (ja) 2008-12-01 2008-12-01 半導体装置製造用フィルムロール
JPJP-P-2008-306604 2008-12-01
PCT/JP2009/006311 WO2010064376A1 (ja) 2008-12-01 2009-11-24 半導体装置製造用フィルムロール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110097798A KR20110097798A (ko) 2011-08-31
KR101518533B1 true KR101518533B1 (ko) 2015-05-07

Family

ID=42233035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117012608A KR101518533B1 (ko) 2008-12-01 2009-11-24 반도체 장치 제조용 필름 롤

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120104134A1 (ko)
JP (1) JP5322609B2 (ko)
KR (1) KR101518533B1 (ko)
CN (2) CN103725215A (ko)
TW (1) TWI415774B (ko)
WO (1) WO2010064376A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220059273A (ko) 2020-11-02 2022-05-10 오대근 필름 권취용 코어유닛

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2783917A1 (en) * 2011-08-01 2013-02-01 Nitto Denko Corporation Roll body of band-like patch
WO2013035749A1 (ja) * 2011-09-09 2013-03-14 古河電気工業株式会社 ダイシングダイボンディングフィルムの梱包構造および梱包方法
TWI558649B (zh) * 2012-05-25 2016-11-21 Hitachi Chemical Co Ltd 卷芯以及卷筒
JPWO2016103704A1 (ja) * 2014-12-26 2017-10-05 三井化学東セロ株式会社 樹脂シートロール体の梱包体
JP6312270B2 (ja) * 2016-03-25 2018-04-18 株式会社写真化学 デバイスチップを用いた電子デバイスの製造方法およびその製造装置
JP7138448B2 (ja) * 2018-02-22 2022-09-16 リンテック株式会社 粘着シート巻回体
WO2019176596A1 (ja) 2018-03-13 2019-09-19 日立化成株式会社 半導体封止成形用仮保護フィルム、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体、及び半導体装置を製造する方法
JP2020147706A (ja) * 2019-03-15 2020-09-17 日東電工株式会社 基材付き焼結接合用シートの巻回体
CN110676207B (zh) * 2019-09-27 2021-11-16 云谷（固安）科技有限公司 分离装置以及分离方法
JP7475923B2 (ja) 2020-03-27 2024-04-30 リンテック株式会社 半導体装置製造用シート及び半導体装置製造用シートの製造方法。
AR118939A1 (es) * 2020-05-15 2021-11-10 Marisa Rosana Lattanzi Máquina combinada para elaborar separadores laminares de productos que se contienen en cajas y cajones
JP7097939B2 (ja) * 2020-11-20 2022-07-08 日東電工株式会社 フィルムロールの製造方法
JP7466487B2 (ja) 2021-03-29 2024-04-12 ソマール株式会社 粘着シート

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004067271A (ja) 2002-08-02 2004-03-04 Toray Ind Inc ロール状積層フィルムの製造方法
JP2005239889A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nitto Denko Corp ロール状ウエハ加工用粘着シート
JP2006321223A (ja) 2005-04-20 2006-11-30 Toyobo Co Ltd 接着シート、金属積層シートおよびプリント配線板
JP2008252081A (ja) 2007-03-05 2008-10-16 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6869830B2 (en) * 2001-12-03 2005-03-22 Disco Corporation Method of processing a semiconductor wafer
US7000864B2 (en) * 2002-06-10 2006-02-21 The Procter & Gamble Company Consumer product winding control and adjustment
EP1605002A4 (en) * 2003-03-14 2009-10-21 Jsr Corp HYDROGENIC DIENE COPOLYMER, POLYMER COMPOSITION AND MOLDED OBJECT
MY142246A (en) * 2003-06-10 2010-11-15 Hitachi Chemical Co Ltd Adhesive film and process for preparing the same as well as adhesive sheet and semiconductor device
MY138566A (en) * 2004-03-15 2009-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Dicing/die bonding sheet
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2007070533A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 粘着剤、それを用いた粘着シート、及び粘着シートを用いた電子部品製造方法。
EP2058903A1 (en) * 2006-08-29 2009-05-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Anisotropic conductive tape and method of manufacturing it, connected structure and method of connecting circuit member by use of the tape
US20100019365A1 (en) * 2006-09-12 2010-01-28 Nitto Denko Corporation Dicing/die bonding film
TW200832532A (en) * 2007-01-23 2008-08-01 Advanced Semiconductor Eng Method for cutting a wafer and method for manufacturing semiconductor package by using multiple tape
KR101102186B1 (ko) * 2007-01-31 2012-01-02 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 엘리먼트
MY147133A (en) * 2007-04-26 2012-10-31 Hitachi Chemical Co Ltd Process for production of multilayer film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004067271A (ja) 2002-08-02 2004-03-04 Toray Ind Inc ロール状積層フィルムの製造方法
JP2005239889A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nitto Denko Corp ロール状ウエハ加工用粘着シート
JP2006321223A (ja) 2005-04-20 2006-11-30 Toyobo Co Ltd 接着シート、金属積層シートおよびプリント配線板
JP2008252081A (ja) 2007-03-05 2008-10-16 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220059273A (ko) 2020-11-02 2022-05-10 오대근 필름 권취용 코어유닛

Also Published As

Publication number Publication date
CN102227482B (zh) 2015-05-06
CN103725215A (zh) 2014-04-16
JP5322609B2 (ja) 2013-10-23
KR20110097798A (ko) 2011-08-31
WO2010064376A1 (ja) 2010-06-10
TWI415774B (zh) 2013-11-21
TW201028348A (en) 2010-08-01
CN102227482A (zh) 2011-10-26
JP2010126716A (ja) 2010-06-10
US20120104134A1 (en) 2012-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101518533B1 (ko) 반도체 장치 제조용 필름 롤
JP4430085B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
KR101417205B1 (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름
JP4717051B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
KR101420902B1 (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름
KR101749762B1 (ko) 칩 보유 지지용 테이프, 칩 형상 워크의 보유 지지 방법, 칩 보유 지지용 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법, 및 칩 보유 지지용 테이프의 제조 방법
KR101370771B1 (ko) 다이싱·다이본드 필름
JP4801127B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
US20120070960A1 (en) Dicing die bond film, method of manufacturing dicing die bond film, and method of manufacturing semiconductor device
JP2010062542A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2010062540A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5580730B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
JP2012142368A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
JP2008108828A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4790073B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4718640B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5436524B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180418

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190418

Year of fee payment: 5