JP2008252081A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】容易にチップクラックやバリを低減できる半導体装置の製造方法、前記製造方法に用いるダイボンディングフィルム、ならびに前記ダイボンディングフィルムを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切断する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ダイボンディングフィルムを厚み方向に完全には切断せず、前記ダイボンディングフィルムの厚みの一部を残す、半導体装置の製造方法。
【選択図】図２
【解決手段】ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切断する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ダイボンディングフィルムを厚み方向に完全には切断せず、前記ダイボンディングフィルムの厚みの一部を残す、半導体装置の製造方法。
【選択図】図２
Description
本発明は、半導体装置の製造方法、前記半導体装置の製造方法に用いられるダイボンディングフィルム、および前記ダイボンディングフィルムを用いた半導体装置に関する。
従来、半導体チップと半導体チップ搭載用支持部材の接合には、接着剤層として銀ペーストが主に使用されていた。近年の半導体チップの小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになってきた。さらに、携帯機器等の小型化、高密度化の要求に伴って、内部に複数の半導体チップを積層した半導体装置が開発、量産されている。このような状況において、前記銀ペーストでは、はみ出しや半導体チップの傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、および接着剤層のボイド発生などにより前記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、近年、フィルム状のダイボンディング材（以下ダイボンディングフィルムと記載）が使用されるようになってきた。
ダイボンディングフィルムは下記のいずれかの方法により用いられる。（１）ダイボンディングフィルムを任意のサイズに切り出して配線付基板または半導体チップに貼り付け、半導体チップを配線付基板または半導体チップに熱圧着する。（２）ダイボンディングフィルムを半導体ウェハ全体に貼り付けた後に回転刃にて個片化し、ダイボンディングフィルム付きの半導体チップを得て、それを配線付基板または半導体チップに熱圧着する。特に、近年は半導体装置作製工程の簡略化を目的とし、上記（２）の工程が主に用いられている。
ダイボンディングフィルムを半導体ウェハ全体に貼付け、回転刃で切断する工程において、従来は回転刃にて半導体ウェハおよびダイボンディングフィルムを完全に切断する工程が一般的となっている。しかし、半導体ウェハが薄くなるにしたがって、切断時に発生する半導体チップ側面の割れ（チップクラック）とバリを低減することが困難となっている。さらに、それと共に、チップクラックやバリが原因で、個片化した半導体チップをダイシングテープから割れなく剥がす（ピックアップする）ことが困難となっている。
本発明は、上記した従来技術の問題を鑑み、容易にチップクラックやバリを低減できる半導体装置の製造方法、前記製造方法に用いるダイボンディングフィルム、および、前記ダイボンディングフィルムを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
本発明は、ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切断する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ダイボンディングフィルムを厚み方向に完全には切断せず、前記ダイボンディングフィルムの厚みの一部を残すことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、前記半導体装置の製造方法に用いるダイボンディングフィルムに関する。
さらに、本発明は、前記ダイボンディングフィルムを用いてなる半導体装置に関する。
また、本発明は、前記半導体装置の製造方法に用いるダイボンディングフィルムに関する。
さらに、本発明は、前記ダイボンディングフィルムを用いてなる半導体装置に関する。
本発明により、容易にチップクラックやバリを低減し、良好なピックアップ性を得ることができる半導体装置の製造方法、前記製造方法に用いるダイボンディングフィルム、および前記ダイボンディングフィルムを用いた半導体装置を提供することが可能となった。
本発明の半導体装置の製造方法は、ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切断する工程を有し、前記ダイボンディングフィルムを厚み方向に完全には切断せず、前記ダイボンディングフィルムの厚みの一部を残すことを特徴とする。積層品は、ダイボンディングフィルムと半導体ウェハとを含むが、さらに任意のフィルムなどを含んでいてもよい。積層品の具体例については後述するが、積層品の一例である半導体ウェハ、ダイボンディングフィルム、およびダイシングテープをこの順に含む積層品を例に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
本発明の半導体装置の製造方法では、例えば、後述する方法で半導体ウェハと、ダイボンディングフィルムと、ダイシングテープとを貼り合わせた後に、切断装置（ダイサー）の回転刃で切断し所望の大きさの半導体チップを得る。本発明では、この工程を、ダイボンディングフィルムを厚み方向に完全には切断せずに完了する。ダイボンディングフィルムの完全に切断されずに残った部分（未切断部）は、通常、次工程として行われるダイボンディング工程において切断することができる。具体的には、ダイボンダーにおけるピックアップ時にダイシングテープを拡張（以下、エキスパンドという場合もある。）すること、または、ピックアップ時に突き上げ針などの治具で、半導体チップを押し上げること、あるいは、これらを組み合わせることにより、切り込んだ部分を起点としてダイボンディングフィルムを完全に分割することができる。これにより個片化したダイボンディングフィルム付き半導体チップが得られる。個片化したダイボンディングフィルム付き半導体チップは容易にピックアップすることが可能である。
本発明は、ダイボンディングフィルムが半導体ウェハ裏面側に配置されている方式だけではなく、半導体ウェハの回路面とダイボンディングフィルムとを貼付ける方式においても適用可能である。その場合は、回路面が下向きの半導体ウェハを切断することになるが、ＩＲカメラを実装したダイサーを用いることで、半導体ウェハの裏面から、切断すべき位置を認識することが可能になる。
本発明では、ダイボンディングフィルムを厚み方向に完全に切断する工法をフルカット、ダイボンディングフィルムを厚み方向に完全に切断せず、一部を残す工法をハーフカットという。ダイボンディングフィルムをハーフカットする際の切込み深さは、好ましくはダイボンディングフィルム厚みの１／１０〜９／１０、より好ましくは１／５〜４／５、さらに好ましくは１／３〜２／３である。
ダイボンディングフィルムを切断するとき、ダイボンディングフィルムの切込みを浅くすることで切断時に発生するバリを少なくできる。切込みが浅い場合、エキスパンド時にダイボンディングフィルムを分割するためにエキスパンド量を大きくすることや、ピックアップ時の突き上げ高さを高くすることが好ましい。切込みが浅すぎる場合には、これらの方法によってもダイボンディングフィルムの未切断部を分割することが困難となる傾向がある。
一方、ダイボンディングフィルムの切込みを深くすることでエキスパンド量が少なくても、また、ピックアップ時の突き上げ高さが低くてもダイボンディングフィルムを分割できる。ただし、切断時に発生するバリが増加する傾向があるため、半導体装置製造の歩留まりが低下するおそれがある。
ダイボンディングフィルムの厚さは、目的とする半導体装置に応じて適宜設定することができ、特に限定されるものではないが、好ましくは１〜１００μｍ、より好ましくは５〜７０μｍ、さらに好ましくは１０〜４０μｍである。
本発明において、切断する際に使用するダイサーや回転刃（ブレード）としては、一般に上市されているものを使用することができる。例えば、ダイサーとしては、株式会社ディスコ製フルオートマチックダイシングソー６０００シリーズやセミオートマチックダイシングソー３０００シリーズなどを、ブレードとしては株式会社ディスコ製ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ０５シリーズやＮＢＣ−ＺＨシリーズなどを使用できる。
本発明において、ダイサーでハーフカットしたダイボンディングフィルムは、一般に上市されているピックアップダイボンダーを使用することで分割可能である。例えば、ピックアップダイボンダーとしては、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０やＤＢ−７００、新川社製ダイボンダーＳＰＡ−３００、ＳＰＡ−４００などを使用できる。
ハーフカットしたダイボンディングフィルムは、ダイシングテープをエキスパンドすることで分割可能である。エキスパンドはウェハリングの上面または下面側から、ウェハリング内にエキスパンド用のリングを挿入すること（エキスパンド用リングでダイシングテープを引き伸ばすこと）でなされ、ダイシングテープのエキスパンド量はウェハリングとエキスパンドリングの高さの違いで表すことができる。本発明では、ウェハリングとエキスパンドリングの高さの違いをエキスパンド量、エキスパンドリングの挿入速度をエキスパンド速度とする。
エキスパンド量は１〜３０ｍｍが好ましく、より好ましくは２〜２０ｍｍであり、さらに好ましくは３〜１０ｍｍである。３０ｍｍを超えてエキスパンドするとダイシングテープが極端に伸び、場合によっては裂けてしまう場合がある。また、１ｍｍ未満ではエキスパンド時にダイボンディングフィルムに加わる応力が小さく、ダイボンディングフィルム全面のハーフカット部を分割できない場合がある。
エキスパンド速度は１〜５００ｍｍ／ｓが好ましく、より好ましくは３〜３００ｍｍ／ｓであり、さらに好ましくは５〜１５０ｍｍ／ｓである。
エキスパンドする際の積層品の温度は、−１０〜３０℃が好ましく、より好ましくは０〜３０℃である。しかし、室温以下に設定するには専用のエキスパンダーが必要となるが、通常上市されているピックアップダイボンダーに冷却機構を追加することは困難である。
また、本発明において用いられるダイボンディングフィルム物性として、ダイボンディングフィルムが５％未満の引張破断伸度を有し、該引張破断伸度が最大荷重時の伸度の１１０％未満であることが好ましい。引張破断伸度は、より好ましくは４％未満、さらに好ましくは３．５％未満である。引張破断伸度の最大荷重時の伸度に対する比率は、より好ましくは１０８％未満、さらに好ましくは１０５％未満である。
ダイボンディングフィルムの最大応力、最大荷重伸度、及び引張破断伸度は、Ｂステージ状態のダイボンディングフィルムから切り出された短冊状の試験片（幅５ｍｍ、長さ５０ｍｍ）を用いて引張試験を行い、得られた応力−ひずみ曲線から、下記計算式に基づいて求めることができる。引張試験は、例えば、引張試験機（ＳＩＭＡＤＺＵ製１００Ｎオートグラフ、ＡＧＳ−１００ＮＨ）を用い、２５℃の雰囲気中で、試験開始時のチャック間距離３０ｍｍ、引張速度５ｍｍ／ｍｉｎ．の条件で行うことが可能である。
最大応力（Ｐａ）＝最大荷重（Ｎ）／試料の断面積（ｍ２）
最大荷重伸度（％）＝［（最大荷重におけるチャック間長さ（ｍｍ）−３０）／３０］×１００
引張破断伸度（％）＝［（破断時のチャック間長さ（ｍｍ）−３０）／３０］×１００
最大応力（Ｐａ）＝最大荷重（Ｎ）／試料の断面積（ｍ２）
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引張破断伸度（％）＝［（破断時のチャック間長さ（ｍｍ）−３０）／３０］×１００
ただし、上記の物性を示さないダイボンディングフィルムであっても、エキスパンド条件やピックアップ条件を適宜設定することにより、本発明の半導体装置の製造方法に用いることが可能である。
さらに、図を用い、本発明の一実施態様を説明する。図１は、半導体ウェハ１、ダイボンディングフィルム２、およびダイシングテープ３からなる積層品を示す断面図である。図２は、半導体ウェハ１、ダイボンディングフィルム２、およびダイシングテープ３からなる積層品をダイシングブレード４で切断する際、ダイボンディングフィルム２をハーフカットしている状態を示す断面図である。図３は、エキスパンドおよび／または突上げでダイボンディングフィルム２を分割し、個片化したダイボンディングフィルム付き半導体チップがピックアップされている状態を示す断面図である。図４は、ダイボンディングフィルムを用いた半導体装置を示す断面図である。半導体チップが配線付基板５に搭載され、ボンディングワイヤ６により配線付基板と電気的に接続され、封止樹脂７により封止されている。半導体チップを電気的に接続する工程や、封止する工程などは、従来公知の方法により行うことができる。
次に本発明のダイボンディングフィルムについて説明する。本発明の半導体装置の製造方法に用いるダイボンディングフィルムは、半導体チップと半導体チップを搭載する基板（例えば、配線付基板や半導体チップ）とを接着するための接着剤層または粘接着剤層を備えている。ダイボンディングフィルムとしては、熱硬化性樹脂および／または熱可塑性樹脂を含有した接着剤層と、基材層とをこの順に備えた「基材層付きダイボンディングフィルム」、熱硬化性樹脂および／または熱可塑性樹脂を含有した接着剤層と、粘着剤層、基材層とをこの順に備えた「粘着剤層および基材層付きダイボンディングフィルム」、熱硬化性樹脂および／または熱可塑性樹脂を含有した粘接着剤層と、基材層とをこの順に備えた「基材層付きダイボンディングフィルム」などを用いることができる。
熱硬化性樹脂および／または熱可塑性樹脂を含有した接着剤層と基材層とをこの順に備えた「基材層付きダイボンディングフィルム」を用いる場合は、以下に示すいずれかの方法により使用することができる。例えば、（１）接着剤層と基材層とをこの順に備えた「基材層付きダイボンディングフィルム」の接着剤層（ダイボンディングフィルム）と半導体ウェハとを貼り合わせる。次いで、接着剤層（ダイボンディングフィルム）から基材層をはく離し、粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイシングテープの粘着剤層と貼り合わせる。（２）接着剤層と基材層とをこの順に備えた「基材層付きダイボンディングフィルム」の接着剤層（ダイボンディングフィルム）と、粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイシングテープの粘着剤層とを貼り合わせる。次いで、接着剤層（ダイボンディングフィルム）から基材層をはく離し、接着剤層（ダイボンディングフィルム）と半導体ウェハとを貼り合わせる。なお、ダイシングテープとしては、特に限定されず、従来公知のダイシングテープを用いることが可能である。
また、熱硬化性樹脂および／または熱可塑性樹脂を含有した接着剤層と、粘着剤層、基材層とをこの順に備えた「粘着剤層および基材層付きダイボンディングフィルム」を用いる場合は、接着剤層（ダイボンディングフィルム）と半導体ウェハとを貼り合わせることにより使用することができる。
さらに、熱硬化性樹脂および／または熱可塑性樹脂を含有した粘接着剤層と基材層とをこの順に備えた「基材層付きダイボンディングフィルム」を用いる場合は、粘接着剤層（ダイボンディングフィルム）と半導体ウェハとを貼り合わせることにより使用することができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、薄い半導体ウェハにも適した方法であり、半導体ウェハの厚さは特に限定されないが、例えば１０〜１００μｍである。
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明は、これらに制限されるものではない。
（実施例１）
温度計、撹拌機および塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコに、ジアミンとして１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（０．０６ｍｏｌ）、４，９−ジオキサドデカン−１，１２−ジアミン（０．０４ｍｏｌ）、溶剤としてＮ−メチル−２−ピロリドン１５０ｇを加え、６０℃にて撹拌、溶解した。ジアミンの溶解後、１，１０−（デカメチレン）ビストリメリテート二無水物（０．０２ｍｏｌ）と４，４’−オキシジフタル酸二無水物（０．０８ｍｏｌ）を少量ずつ添加した。６０℃で３時間反応させたのち、Ｎ２ガスを吹き込みながら１７０℃で３時間加熱し、水を溶剤の一部と共沸除去した。反応液をポリイミド樹脂の溶液として得た。
（実施例１）
温度計、撹拌機および塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコに、ジアミンとして１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（０．０６ｍｏｌ）、４，９−ジオキサドデカン−１，１２−ジアミン（０．０４ｍｏｌ）、溶剤としてＮ−メチル−２−ピロリドン１５０ｇを加え、６０℃にて撹拌、溶解した。ジアミンの溶解後、１，１０−（デカメチレン）ビストリメリテート二無水物（０．０２ｍｏｌ）と４，４’−オキシジフタル酸二無水物（０．０８ｍｏｌ）を少量ずつ添加した。６０℃で３時間反応させたのち、Ｎ２ガスを吹き込みながら１７０℃で３時間加熱し、水を溶剤の一部と共沸除去した。反応液をポリイミド樹脂の溶液として得た。
ポリイミド樹脂の溶液１００重量部（但しＮ−メチル−２−ピロリドン溶液中の固形分として（固形分が１００重量部））に対し、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成製）４重量部、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（本州化学製）２重量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（東京化成製）０．５重量部、窒化硼素フィラー（水島合金鉄製）を固形分の全重量に対し１２重量％、アエロジルフィラーＲ９７２（日本アエロジル製）を固形分の全重量に対し３重量％となるように加え、良く混錬してワニスとした。
調合したワニスを厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布し、８０℃で３０分間、つづいて１２０℃で３０分間加熱し、厚さ２５μｍのダイボンディングフィルムを作製した。Ｂステージ状態のダイボンディングフィルムについて、上述の計算式、測定方法に従い最大応力、最大荷重伸度、引張破断伸度、及び引張破断伸度／最大荷重伸度を求めた。結果を以下に示す。
最大応力：４２．７ＭＰａ
最大荷重伸度：２．９％
引張破断伸度：３．０％
引張破断伸度／最大荷重伸度：１０４％
最大応力：４２．７ＭＰａ
最大荷重伸度：２．９％
引張破断伸度：３．０％
引張破断伸度／最大荷重伸度：１０４％
ダイシングテープには電気化学工業社製Ｔ−８０ＭＷ（８０μｍ）を用いた。直径２１０ｍｍに切り抜いたダイボンディングフィルムを、株式会社ＪＣＭ社製ＤＭ−３００−Ｈを用いてＴ−８０ＭＷ上に室温（２５℃）で貼り合わせ、ダイボンディングフィルムとダイシングテープを積層した。さらに５０μｍ厚の半導体ウェハ（シリコンウェハ）を熱板温度８０℃の条件でラミネートし、ダイシングサンプル（積層品）を作製した。株式会社ディスコ社製フルオートダイサーＤＦＤ−６３６１を用いて、前記ダイシングサンプルを切断した。切断はブレード１枚で加工を完了するシングルカット方式で行い、ブレードに株式会社ディスコ社製ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ１０４Ｆ−ＳＥ ２７ＨＤＢＢを用い、ブレード回転数４５，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓの条件にて行った。切断時のブレードハイト（ステージからブレード下端までの高さ）はダイボンディングフィルムを１０μｍ残す設定（９０μｍ）とした。半導体ウェハを切断する際のブレードの送りピッチを１０ｍｍとした。
その後、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０を用いて、ハーフカット後の半導体ウェハを、エキスパンド量３ｍｍ、エキスパンド速度２０ｍｍ／ｓ、ダイシングサンプル温度２５℃の条件でエキスパンドし、チップサイズ約１０×１０ｍｍの半導体チップを得た。
（実施例２）
エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６０、東都化成株式会社製商品名ＹＤＦ−８１７０Ｃ）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、東都化成株式会社製商品名ＹＤＣＮ−７０３）１０重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフェンＬＦ２８８２）２７重量部、エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（ゲル パーミエーション クロマトグラフィーによる重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３重量％、Ｔｇ−７℃、ナガセケムテックス株式会社製商品名ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲ）２８重量部、硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．１重量部、シリカフィラー（アドマテックス株式会社製アドマファインＳＯ−Ｃ２（比重：２．２ｇ／ｃｍ３））９５重量部、シランカップリング剤として日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１８９ ０．２５重量部および日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１１６０ ０．５重量部を含む組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、真空脱気して接着剤ワニスを得た。
エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６０、東都化成株式会社製商品名ＹＤＦ−８１７０Ｃ）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、東都化成株式会社製商品名ＹＤＣＮ−７０３）１０重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフェンＬＦ２８８２）２７重量部、エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（ゲル パーミエーション クロマトグラフィーによる重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３重量％、Ｔｇ−７℃、ナガセケムテックス株式会社製商品名ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲ）２８重量部、硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．１重量部、シリカフィラー（アドマテックス株式会社製アドマファインＳＯ−Ｃ２（比重：２．２ｇ／ｃｍ３））９５重量部、シランカップリング剤として日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１８９ ０．２５重量部および日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１１６０ ０．５重量部を含む組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、真空脱気して接着剤ワニスを得た。
この接着剤ワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、９０℃で１０分間、次いで１２０℃で５分間加熱し乾燥させて、膜厚が２５μｍの塗膜とし、Ｂステージ状態のダイボンディングフィルムを作製した。
ダイシングテープには古河電気工業株式会社製ＵＣ３０１０Ｍ（１１０μｍ）を用い、実施例１と同様の条件でダイボンディングフィルムとダイシングテープを積層した。さらに５０μｍ厚の半導体ウェハを熱板温度６０℃の条件でラミネートし、ダイシングサンプル（積層品）を作製した。切断時のブレードハイトはダイボンディングフィルムを１０μｍ残す設定（１２０μｍ）とした以外は実施例１と同様の設定とした。また、ダイシング後にダイシングテープ基材側からダイサー内蔵の紫外線照射装置を用いて９ｍＷ／ｃｍ２の条件で６０秒処理し、ダイシングサンプルに積算光量５４０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射を行った。
その後、実施例１と同様の条件でハーフカット後の半導体ウェハをエキスパンドし、チップサイズ約１０×１０ｍｍの半導体チップを得た。
（比較例１）
実施例１と同一のフィルムを使用し、ダイシング時のブレードハイトはダイボンディングフィルムを完全に切断する高さ（６０μｍ）とした。ブレードハイト以外はすべて実施例１と同一の条件で試験を行った。
実施例１と同一のフィルムを使用し、ダイシング時のブレードハイトはダイボンディングフィルムを完全に切断する高さ（６０μｍ）とした。ブレードハイト以外はすべて実施例１と同一の条件で試験を行った。
（比較例２）
実施例２と同一のフィルムを使用し、ダイシング時のブレードハイトはダイボンディングフィルムを完全に切断する高さ（９０μｍ）とした。ブレードハイト以外はすべて実施例２と同一の条件で試験を行った。
実施例２と同一のフィルムを使用し、ダイシング時のブレードハイトはダイボンディングフィルムを完全に切断する高さ（９０μｍ）とした。ブレードハイト以外はすべて実施例２と同一の条件で試験を行った。
上記方法で作製したチップの側面を顕微鏡で観察し、チップクラック、およびバリの有無を評価した。なお、チップクラックの評価においては、任意の１０チップを観察し、高さ１５μｍ以上のクラックが発生していた個数が４個以下の場合を「良好」、４個を超える場合を「不良」とした。また、バリの評価においては、任意の１０チップを観察し、長さ５００μｍ以上のバリが発生していた個数が４個以下の場合を「良好」、４個を超える場合を「不良」とした。」
図５（ａ）及び（ｂ）に、それぞれ実施例１及び比較例１で得られた半導体チップの側面の写真、図６（ａ）及び（ｂ）に、それぞれ実施例２及び比較例２で得られた半導体チップの側面の写真を示す。半導体チップの側面の写真において、下部が接着剤層である。
図５（ａ）及び（ｂ）に、それぞれ実施例１及び比較例１で得られた半導体チップの側面の写真、図６（ａ）及び（ｂ）に、それぞれ実施例２及び比較例２で得られた半導体チップの側面の写真を示す。半導体チップの側面の写真において、下部が接着剤層である。
また、上記方法で作製したチップのピックアップ性について、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０を使用して評価した。使用したピックアップ用コレットにはマイクロメカニクス社製ＲＵＢＢＥＲ ＴＩＰ １３−０８７Ｅ−３３（サイズ：１０×１０ｍｍ）、突上げピンにマイクロメカニクス社製ＥＪＥＣＴＯＲ ＮＥＥＤＬＥ ＳＥＮ２−８３−０５（直径：０．７ｍｍ、先端形状：直径３５０μｍの半円）を用いた。突上げピンの配置はピン中心間隔４．２ｍｍで９本配置した。ピックアップ時のピンの突上げ速度：１０ｍｍ／ｓ、突上げ高さ：１０００μｍの条件でピックアップ性を評価した。連続１００チップをピックアップし、チップ割れ、ピックアップミス等が発生しない場合をピックアップ性「良好」、１チップでもチップ割れ、ピックアップミス等が発生した場合をピックアップ性「不良」とした。
比較例１はチップ側面に付着するバリが多いため、比較例２はチップクラックが多いため、それぞれ好ましくない。また、フルカットした比較例１、２ともにピックアップ時にチップ割れ、ピックアップミス等が発生するため、好ましくない。実施例１および２では、半導体ウェハとダイボンディングフィルムの積層品を回転刃で切断する工程において、ダイボンディングフィルムを完全に切断せずハーフカットすることでチップクラックやバリを容易に低減できるとともに、良好なピックアップ性を得ることができた。本発明の製造方法により、フルカットを行う場合と比較して、薄いウェハにおいてチップクラックやバリを抑え、良好なピックアップ性を確保できた。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハとダイボンディングフィルムの積層品を回転刃で切断する際に生じるチップクラックやバリを低減でき、良好なピックアップ性を得ることができる優れた方法である。
１ 半導体ウェハ
２ ダイボンディングフィルム
３ ダイシングテープ
４ ダイシングブレード
５ 配線付基板
６ ボンディングワイヤ
７ 封止樹脂
２ ダイボンディングフィルム
３ ダイシングテープ
４ ダイシングブレード
５ 配線付基板
６ ボンディングワイヤ
７ 封止樹脂
Claims (3)
- ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切断する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ダイボンディングフィルムを厚み方向に完全には切断せず、前記ダイボンディングフィルムの厚みの一部を残すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項１に記載の半導体装置の製造方法に用いるダイボンディングフィルム。
- 請求項２に記載のダイボンディングフィルムを用いてなる半導体装置。
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