1361211 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有與半導體晶圓貼合之接著劑層.的接 著薄膜、以及具有：由基材薄膜與設在該基材薄膜上的黏 著劑層所構成的黏著薄膜、及設在黏著劑層上的接著劑層 的晶圓加工用膠帶。 【先前技術】 在對半導體晶圓進行加工而製造半導體裝置時，近年 來，在半導體晶圓背面上熱壓接接著薄膜的接著劑層，得 到附接著劑層的半導體晶圓，將該附接著劑層的半導體晶 圓黏貼在切割片上，藉由切割，將半導體元件切斷 (dicing)成晶片單元。 但是，隨著半導體元件（晶片）的更進一步薄型化，在 切斷成單片的半導體元件時，藉由切割刀的旋轉振動，相 鄰的晶片彼此相接觸，存在有產生晶片破裂或晶片缺損等 切割時的屑片（chipping)的問題。 以解決如上所示之問題的接著薄膜而言，已揭示一種 半導體用接著薄膜，其特徵在於：玻璃轉化溫度爲90 °C以 下，在100〜200 °C下加熱處理5〜120分鐘時，玻璃轉化 溫度爲l〇〇°C以上（參照專利文獻1)。 另外’爲了減少切割時的屑片，已知有一種晶圓加工 用膠帶，其將半導體元件的厚度設爲W(pm)、接著劑層的 厚度設爲Α(μιη)、接著劑層硬化後的25。(：時的貯藏彈性係 -5- 1361211 數設爲E(GPa)時，以WxE/A= Q所表示的Q的値爲0.5〜 80(例如參照專利文獻2)。 (先前技術文獻） (專利文獻） (專利文獻1)日本特開2003-213224號公報 (專利文獻2)日本特開2005-026547號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 在上述專利文獻1所記載的接著薄膜中，藉由將聚醯 亞胺樹脂用作主要成分來實現關於玻璃轉化溫度的上述條 件’但是存在有難以通用化成丙烯酸樹脂等，且聚醯亞胺 樹脂比丙烯酸樹脂等更爲昂貴的問題β 另外，在上述專利文獻2中，顯示藉由選擇晶片、接 著劑層的厚度與硬化後的貯藏彈性係數，可以減少屑片， 但是切割工程係在接著劑層硬化前進行，即使選擇接著劑 層的厚度和硬化後的貯藏彈性係數，亦在實質上並無法減 少切割時的屑片。在此’亦考慮藉由降低接著劑層硬化前 的貯藏彈性係數來減少屑片，但存在有若僅降低貯藏彈性 係數’則會變得無法貼合晶圓的問題。 因此，本發明的目的在於提供可將用於接著劑層的樹 脂通用化成丙烯酸樹脂等，可一面確保晶圓的貼合性，一 面減少切割時的晶片破裂或晶片缺損等屑片的接著薄膜及 晶圓加工用膠帶。 -6 - 1361211 (解決課題之手段） 本發明第1態樣的接著薄膜係具有與半導體晶圓貼合 的接著劑層，其特徵在於：將前述接著劑層的密度設爲 P(g/cm3)、前述接著劑層硬化前的最小貯藏彈性係數設爲 Gmin(MPa)時，pxGmin爲0.2以上，使前述接著劑層在 6〇°C與前述半導體晶圓貼合時的前述接著劑層的剝離力爲 5OmN/cm 以上。 爲了減少屑片（chipping)，接著劑層硬化前的最小貯 藏彈性係數Gmin必須設定得較低，但若過低時，會變得 無法貼合晶圓。相對於此，爲了減少屑片，需要提高接著 劑層的密度P，但若過高時，會變得無法貼合晶圓。根據 該構成，由於pxGmin爲0.2以上，因此藉由組合p與 Gmin的2個要素並使其相互補足，可一面確保對晶圓的 貼合性，一面減少屑片。另外，由於使接著劑層在60°C與 半導體晶圓貼合時的接著劑層的剝離力爲50mN/cm以上 ，因此，在切割時，可以減少晶片因切割刀的旋轉振動而 飛濺的情況。另外，可以使用丙烯酸樹脂等廉價的樹脂作 爲接著劑層的主成分，且可將用於接著劑層的樹脂通用化 成丙烯酸樹脂等。因此，可以實現低成本的接著薄膜。 本發明其他態樣的接著薄膜的特徵在於，前述接著劑 層含有：分子量爲50萬以上且分散度小於4的熱塑性樹 脂（A)、熱硬化性樹脂（B)及熱活性硬化劑（C)。 根據該構成，由於接著劑層所含的熱塑性樹脂（A)的 1361211 分子量爲50萬以上，且分散度小於4，因此，可使耐回流 性提局。 本發明第2態樣的晶圓加工用膠帶係具有··由基材薄 膜和設置在該基材薄膜上的黏著劑層所構成的黏著薄膜、 以及設置在前述黏著劑層上的接著劑層，其特徵在於： 將前述接著劑層的密度設爲p(g/cm3)、前述接著劑層 硬化前的最小貯藏彈性係數設爲Gmin(MPa)時，pxGmin 爲0.2以上，使前述接著劑層在60°C與前述半導體晶圓貼 合時的前述接著劑層的剝離力爲50mN/cm以上。 根據該構成，藉由組合P與Gmin的2個要素並使其 相互補足，可一面確保對晶圓的貼合性，一面減少屑片。 此外，由於使接著劑層在6(TC與半導體晶圓貼合時的接著 劑層的剝離力爲50mN/cm以上，因此，在切割時，可以 減少晶片因切割刀的旋轉振動而飛濺的情況。此外，可以 使用丙烯酸樹脂等廉價的樹脂作爲接著劑層的主成分，可 將用於接著劑層的樹脂通用化成丙烯酸樹脂等。因此，可 以實現低成本的晶圓加工用膠帶。 (發明之效果） 根據本發明，可以實現可將用於接著劑層的樹脂通用 化成丙烯酸樹脂等，可一面確保晶圓的貼合性，一面減少 切割時的晶片破裂或晶片缺損等屑片的接著薄膜及晶圓加 工用膠帶。 1361211 【實施方式】 以下對本發明的實施形態的接著薄膜及晶圓加 帶，根據圖示進行說明。 (—實施形態的晶圓加工用膠帶） 對本發明的一實施形態的晶圓加工用膠帶’根 圖〜第5圖進行說明。第1圖係顯不一實施形態的 工用膠帶10的剖面圖。 該晶圓加工用膠帶10具有：由基材薄膜12a 於其上的黏著劑層12b所構成的黏著薄膜12、及層 黏著薄膜12上的接著劑層13° 晶圓加工用膠帶1 0係在將半導體晶圓切斷成 元件（晶片）的切割工程、及將所切斷的晶片接著在 或其他晶片的晶粒黏合（die bonding)工程等兩個工 用。 其中，黏著劑層l2b可由一層黏著劑層所構成 由層積有兩層以上的黏著劑層者所構成。其中，在: 中係顯示爲了保護接著劑層13，而在晶圓加工用| 上設置剝離襯墊11的情形。 黏著薄膜12及接著劑層13亦可配合使用工程 而預先切斷成規定形狀（預切割）。本發明的晶圓加 帶係包含：按半導體晶圓每一片份予以切斷的形態 形成有複數個其的長條片材捲繞在輥上的形態。 以下針對本實施形態的晶圓加工用膠帶1 0的 工用膠 據第1 晶圓加 和形成 積在該 半導體 引線架 程中使 ，亦可 第1圖 !帶10 或裝置 工用膠 、和將 各構成 -9 - 1361211 要素詳加說明。 (接著劑層） 接著劑層1 3係在貼合半導體晶圓1等而被切割後， 在拾取半導體晶片2時，從黏著薄膜12剝離而附著在半 導體晶片2上，作爲將半導體晶片2固定在基板或引線架 上時的接著劑加以使用。因此，接著劑層13係在拾取工 程中，具有可在附著於經單片化的半導體晶片2的狀態下 直接從黏著薄膜12剝離的剝離性，此外在晶粒黏合工程 中’具有將半導體晶片2接著固定於基板或引線架的充分 的接著可靠性。 接著劑層1 3爲將接著劑預先進行膜化而得者，可以 使用例如用於接著劑的周知的丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂 、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚 酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧樹脂、聚颯樹脂、聚醚颯 樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、聚 胺酯樹脂、環氧樹脂、聚丙烯醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂等 或其混合物。 丙烯酸樹脂係例如藉由利用自由基聚合法等，將由具 有環氧基的（甲基）丙烯酸酯單體、丙烯腈及其他共聚性單 體所構成的單體溶液進行溶液聚合所得。此外，在聚合時 ，作爲聚合引發劑，可使用過氧化苯甲醯、過氧化二異丙 苯、二丁基過氧化物、叔丁基過氧化苯甲酸酯等有機過氧 化物、偶氮二異丁腈、偶氮二戊腈等偶氮二<azo bis)類化 -10- 1361211 合物。 作爲具有環氧基的（甲基）丙烯酸酯單體’係使用甲基 丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸縮水甘油酯等具有共聚性雙鍵 的化合物。 作爲其他共聚性單體，有：（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基 )丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸 (甲基）丙烯酸2-乙基己酯' 丙烯酸環己酯等（甲基）丙烯 基酯；（甲基）丙烯酸2-羥基 酯等（甲基）丙烯酸羥基烷基 甲基）丙烯酸N -甲基胺基甲 胺基乙酯等（甲基）丙烯酸胺 酸、苯乙烯、乙烯基甲苯、 ，氯乙烧、偏氯乙稀 '醋酸 基衍生物：馬來酸、富馬酸 單甲酯、單乙酯等單酯、或 另外，爲了強化對半導 力’以將较烷耦合劑或鈦耦 樹脂材料或其混合物中爲宜 或流動性的調節爲目的而添 言’有二氧化矽'氧化鋁、 大粒子徑比接著劑層1 3的 合不同粒子徑的塡料。 接著劑層1 3係當將容 ^ 丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、 (甲基）丙烯酸月桂酯、（甲基） 酸烷基酯或（甲基）丙烯酸環烷 乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙 酯；（甲基）丙烯酸胺基甲酯、（ 酯、（甲基）丙烯酸N，N-二乙基 基烷基酯；甲基丙烯酸、丙烯 α-甲基苯乙烯等苯乙烯類單體 乙烯酯、醋酸異丙烯酯等乙烯 等不飽和二元酸、其酸酐、其 其二甲酯、二乙酯等二酯。 體晶片2或引線架20的接著 合劑作爲添加劑而添加於上述 。另外，亦可以耐熱性的提高 加填料》以如上所示之塡料而 鍊氧化物等》該等塡料若爲最 厚度小’即可以任意比例來摻 i度Ιχ疋爲P(g/Cm3)、接著劑 -11 - 1361211 層13硬化前的最小貯藏彈性係數設定爲Gmin(MPa)時 ，p xGmin爲0_2以上。在此，所謂最小貯藏彈性係數， 係在頻率1Hz的條件下、在升溫速度1〇 °c/分鐘的條件下 從室溫升溫至200°C時的貯藏彈性係數的極小値。 爲了減少屑片’需要使接著劑層1 3硬化前的最小貯 藏彈性係數Gmin較低，但當其過低時，無法貼合半導體 晶圓。相對於此’爲了減少切割時的屑片.，需要使接著劑 層13的密度P較高，但當其過高時，會變得無法貼合半 導體晶圓。因此，藉由組合最小貯藏彈性係數Gmin與密 度P的2個要素並使其相互補足，可以一面確保接著劑層 1 3對半導體晶圓的貼合性，一面減少切割時的屑片。 若px Gmin未達0.2時，不能確保接著劑層13對半導 體晶圓的貼合性，在切割時，藉由切割刀的旋轉振動，相 鄰的晶圓之間會相接觸，而會產生晶片破裂或晶片缺損等 切割時的屑片。 < pxGmin的調整方法> (P的調整方法） 接著劑層13的密度p係可藉由調整塡料量（例如二氧 化矽塡料量）來作增減。塡料量愈多，密度愈高，若減少 塡料量，密度即降低。 (Gmin的調整方法） 接著劑層1 3硬化前的最小貯藏彈性係數Gmin係可藉 -12- 1361211 由使塡料量或低分子量的成分（環氧樹脂、酚醛樹脂）或丙 烯酸聚合物的分子量作增減來調整。藉由減少塡料量或藉 由使低分子量的成分增加、或者藉由使丙烯酸聚合物的分 子量降低，最小貯藏彈性係數Gm in會變低。爲了提高最 小貯藏彈性係數Gmin ’即相反進行。藉由如上調製接著 劑層13的密度p與Gmin，可將pxGmin設定爲0.2以上 〇 此外，在晶圓加工用膠帶10方面，若使接著劑層13 在60°C與半導體晶圓1(參照第2圖）貼合時的接著劑層13 的剝離力未達50mN/cm時，在切割時，晶片因振動（切割 刀的旋轉振動）而飛濺，因此以剝離力爲50mN/cm以上爲 佳。 <剝離力的調整方法> 剝離力係可藉由使丙烯酸聚合物的玻璃轉化溫度T g 或最小貯藏彈性係數Gmin作增減來調整。藉由降低丙烯 酸聚合物的Tg或藉由降低Gmin，剝離力會增加。 其中，由於貼合剝離力爲50mN/cm以上的Gmin爲 lOMPa以下，因此該lOMPa乘以不損及作爲接著劑層u 之功能的最大密度所積算而得的値即成爲pxGmin的上限 。例如，以接著劑層1 3的密度較大的情形而言，列舉摻 合50wt%之銀塡料的情形，此時，密度p爲5.0左右，因 此 p X Gmin 爲 5 0。 另外，在晶圓加工用膠帶1〇中，爲了使耐回流性提 -13- 1361211 高，以接著劑層13的基質聚合物（在本實施形態中爲丙烯 酸聚合物）的分子量（重量平均分子量）爲50萬以上，分散 度（分散係數）未達4爲佳。若丙烯酸聚合物的分子量未達 50萬、分散度超過4時，回流時裂紋產生率升高，耐回流 性惡化。但是，丙烯酸的分子量增加時，Gmin會上升， 因此爲了降低Gmin，若降低熱硬化性樹脂（環氧樹脂、酚 醛樹脂）的分子量即可。例如，在此使用分子量爲50萬的 丙烯酸橡膠作爲熱塑性樹脂時，使用分子量未達5 000且 爲2官能以上的環氧樹脂作爲熱硬化性樹脂、使用分子量 未達5000的具有酚羥基的酚醛樹脂作爲熱活性硬化劑即 可。另外，使用分子量爲1〇〇萬的丙烯酸橡膠作爲熱塑性 樹脂時，若使用分子量未達3 000且爲2官能以上的環氧 樹脂作爲熱硬化性樹脂、使用分子量未達3 000的具有酚 羥基的酚醛樹脂作爲熱活性硬化劑即可》 接著劑層1 3的厚度沒有特別限制，通常以5〜1 00 μ m 左右爲佳。此外，接著劑層13係可層積在黏著薄膜12的 黏著劑層12b的全面上，亦可將預先切斷（預切割）成與所 貼合的半導體晶圓1相對應的形狀的接著劑層層積在黏著 劑層12b的一部分上。在將切斷成與半導體晶圓1相對應 的形狀的接著劑層13作層積時’如第2圖所示，在貼合 半導體晶圓1的部分係有接著劑層1 3，在貼合切割用的環 狀框架20的部分並沒有接著劑層13，而僅存在有黏著薄 膜12的黏著劑層12b。一般而言，接著劑層13難以與被 接體剝離，因此，藉由使用經預切割的接著劑層13’可得 -14- 1361211 到如下效果：可使環狀框架20貼合於黏著薄膜12’且在 使用後的片材剝離時不易在環狀框架產生殘漿。 (黏著薄膜） 黏著薄膜12具有充分的黏著力，俾以在切割半導體 晶圓1時，半導體晶圓1不會剝離，並且具有低黏著力， 俾以在切割後，在拾取半導體晶片2時，可輕易地從接著 劑層1 3剝離。在本實施形態中，如第1圖所示，黏著薄 膜12係使用在基材薄膜12a設有黏著劑層12b的黏著薄 膜。 以黏著薄膜12的基材薄膜12a而言，只要是以往週 知的基材薄膜’就可以沒有特別限制地使用，如後所述， 在本實施形態中’以黏著劑層1 2 b而言，使用能量硬化性 的材料中的放射線硬化性的材料，因此使用具有放射線透 射性者。 例如’作爲基材薄膜12 a的材料，可以列舉：聚乙烯 、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯_丨、聚_4_甲基戊烯_ 1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯·丙烯酸乙酯共聚物、乙 烯·丙烯酸甲酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、離聚物等α_ 烯烴的均聚物或共聚物或者該等化合物的混合物；聚胺酯 、本乙烯-乙烯-丁烯共聚物或戊烯類共聚物、聚醯胺多元 醇共聚物等熱塑性彈性體及該等化合物的混合物。此外， 基材薄膜12a可爲選自該等群組的2種以上的材料混合而 成者，亦可爲將該等進行單層或複層化而得者。基材薄膜 -15- 1361211 12a的厚度沒有特別限定，可以適當設定，以50〜 爲佳β 在本實施形態中，藉由對黏著薄膜1 2照射紫 放射線，使黏著劑層12b硬化，可輕易從接著劑層 離黏著劑層12b，因此，較佳爲在黏著劑層12b的 適當摻合黏著劑所使用的週知的氯化聚丙烯樹脂、 樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、環氧樹脂、加成反 機聚矽氧烷系樹脂、矽丙烯酸酯樹脂、乙烯·醋酸 共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲 物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚異戊二烯或苯乙烯· 共聚物或其加氫物等各種彈性體等或在其混合物中 合放射線聚合性化合物而調製黏著劑。此外，亦可 種界面活性劑或表面平滑劑。黏著劑層的厚度沒有 定，可以適當設定，以5〜30μιη爲佳。 該放射線聚合性化合物係使用例如可藉由光照 次元網狀化的分子內具有至少2個以上光聚合性i 鍵的低分子量化合物、或取代基中具有光聚合性石 鍵基的聚合物或低聚物。具體而言，可以使用三羥 烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四 酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六 酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸 乙二醇二丙烯酸酯或低聚酯丙烯酸酯等、矽丙烯酸 丙烯酸或各種丙烯酸酯類的共聚物等。 此外，除如上所述的丙烯酸酯類化合物之外， '2 0 〇 μ m 外線等 13剝 樹脂中 丙烯酸 應型有 乙烯酯 酯共聚 丁二烯 適當慘 添加各 特別限 射而三 炭-碳雙 矣-碳雙 甲基丙 丙烯酸 丙烯酸 酯、聚 酯等、 還可以 -16- 1361211 使用胺基甲酸酯丙烯酸酯類低聚物。胺基甲酸酯丙烯酸酯 類低聚物係使具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯（例如 丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸2-羥丙 酯、甲基丙烯酸2·羥丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇 甲基丙烯酸酯等）與末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物反應 而得’該末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物係使聚酯型或聚 醚型等多元醇化合物、與多元異氰酸酯化合物（例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二 異氰酸酯、1，4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4_二 異氰酸酯等）反應而得。其中，在黏著劑層12b亦可混合 選自上述樹脂的2種以上而成者。 其中’對於黏著劑層12b的樹脂，除對黏著薄膜12 照射放射線而使黏著劑層1 2 b硬化的放射線聚合性化合物 之外’亦可適當摻合丙烯酸類黏著劑、光聚合引發劑、硬 化劑等而調製黏著劑層12b。 使用光聚合引發劑時，可使用例如苯偶姻異丙醚、苯 偶姻異丁醚、二苯甲酮、米希勒酮、氯噻噸酮、十二烷基 噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、苄基二甲基縮酮 ' (X-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。該等光 聚合引發劑的摻合量係以相對丙烯酸類共聚物〗00質量份 爲0.01〜5質量份爲佳。 (晶圓加工用膠帶的使用方法） 在半導體裝置的製造工程中’晶圓加工用膠帶1〇如 -17- 1361211 下使用。在第2圖中，表不在晶圓加工用膠帶10貼合有 半導體晶圓1與環狀框架20的情形。 首先，如第2圖所示，將黏著薄膜12的黏著劑層12b 黏貼在環狀框架20，使半導體晶圓1與接著劑層13相貼 合。該等的黏貼順序沒有限制，可在使半導體晶圓1與接 著劑層1 3相貼合後，將黏著薄膜1 2的黏著劑層1 2b黏貼 在環狀框架20。此外，亦可同時進行黏著薄膜12在環狀 框架20的黏貼、與半導體晶圓1在接著劑層1 3的貼合。 而且，實施半導體晶圓1的切割工程（第3圖），接著 ’實施對黏著薄膜1 2照射能量線、例如紫外線的工程。 具體而言，爲了利用切割刀21來切割半導體晶圓1與接 著劑層1 3，藉由吸附台22從黏著薄膜1 2面側吸附支撐晶 圓加工用膠帶10。而且，利用切割刀21將半導體晶圓1 與接著劑層13切斷成2單元半導體晶片並進行單片化， 之後，從黏著薄膜1 2的下面側照射能量線。藉由該能量 線照射，使黏著劑層12b硬化，使其黏著力降低。其中， 可取代能量線的照射，利用加熱等外部刺激而使黏著薄膜 12的黏著劑層12b的黏著力降低。黏著劑層12b由兩層以 上的黏著劑層層積而構成時，亦可藉由能量線照射使各黏 著劑層內的一層或所有層硬化，使各黏著劑層內的一層或 所有層的黏著力降低。 之後，如第4圖所示，實施將保持有經切割的半導體 晶片2及接著劑層13的黏著薄膜12朝環狀框架20的圓 周方向拉伸的擴展工程。具體而言，相對保持有經切割的 -18- 1361211 複數個半導體晶片2及接著劑層13的狀態的黏著薄膜12 ’使中空圓柱形狀的頂出構件30從黏著薄膜12的下面側 上升’使黏著薄膜12朝環狀框架20的圓周方向拉伸。 實施擴展工程後，如第5圖所示，在將黏著薄膜12 作擴展的狀態下’實施拾取半導體晶片2的拾取工程。具 體而言’從黏著薄膜1 2的下面側利用銷3 1將半導體晶片 2頂出’同時，從黏著薄膜12的上面側利用吸附夾具32 吸附半導體晶片2，由此，將經單片化的半導體晶片2連 同接著劑層13 —起拾取。 而且，在實施拾取工程後，實施晶粒黏合工程。具體 而言，利用在拾取工程中連同半導體晶片2 —起被拾取的 接著劑層13,將半導體晶片2接著在引線架或封裝基板等 〇 接著，針對本發明之實施例進行說明，但本發明並不 限定於該等實施例。 在下述的表1及表2係表示各實施例及各比較例的晶 圓加工用膠帶1 〇及接著劑層1 3的組成、各晶圓加工用膠 帶的特性評估、及各實施例及各比較例之具有接著劑層1 3 的接著薄膜的特性評估。 -19- 1361211 〔表1〕 接著劑層的組成 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 丙烯酸聚合物(1) 100 100 100 丙烯酸聚合物(2) 100 丙烯酸聚合物(3) 100 環氧樹脂 22 130 23 22 22 酚醛樹脂 17 100 18 17 17 矽烷耦合劑 0.15 13 0.15 0.15 二氧化矽塡料 15 1300 15 15 硬化促進劑 0.4 2.6 0.4 0.4 0.4 密度〔g/cm3〕 1.1 1.8 1.0 1.1 1.1 Gmin〔 Mpa〕 0.35 0.15 0.30 0.3 0.3 pxGmin 0.385 0.270 0.300 0.33 0.33 60°C貼合剝離力〔mN/cm〕 70 100 60 80 60 屑片性能 〇 〇 〇 〇 〇 回流時裂紋產生率〔％〕 0 0 0 50 60 -20- 1361211 〔表2〕 接著劑層的組成 比較例1 比較例2 丙烯酸聚合物(1) 100 100 丙烯酸聚合物(2) 丙烯酸聚合物(3) 環氧樹脂 250 11 酚醛樹脂 200 9 矽烷耦合劑 3 0.14 二氧化矽塡料 300 14 硬化促進劑 4.5 0.2 密度[g/cm3) 1.6 1.1 Gmin〔 Mpa〕 0.03 0.5 pxGmin 0.048 0.55 60°C貼合剝離力〔tnN/cm〕 100 20 屑片性能 X 由於切割時多處發生晶粒飛濺 ，因此無法進行評估 回流時裂紋產生率〔％〕 0 30 <丙烯酸聚合物的製造方法> 首先，針對各實施例及各比較例的晶圓加工用膠帶的 接著劑層13所含的丙烯酸聚合物（表1及表2所示的丙烯 酸聚合物（1)〜（3))的製造方法進行說明。 (丙烯酸聚合物（1)) 在安裝有混合機及冷卻器的反應器中放入甲基丙烯酸 縮水甘油醋5重量份、丙嫌腈25重量份、丙嫌酸丁醋25 重量份、丙烯酸乙酯45重量份，加熱到85 °C，在其中添 加2-丁酮2重量份、叔丁基過氧化苯甲酸酯0.05重量份 -21 - 1361211 後，保溫8小時，冷卻後，添加甲醇，使聚合物沉澱，除 掉上清液，使殘留在聚合物中的甲醇乾燥，接著，添加2-丁酮，以固形份爲15%的方式作調整，得到丙烯酸聚合物（1)。 該聚合物藉由凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography: GPC)所得的重量平均分子量爲85萬，分散度爲3.5。 (丙烯酸聚合物（2)) 除將保溫時間設定爲4小時之外，利用與丙烯酸聚合 物（1)同樣的製造方法製作出丙烯酸聚合物（2)。該聚合物 藉由凝膠滲透層析法所得的重量平均分子量爲35萬，分 散度爲2.3。 (丙烯酸聚合物（3 )) 除將叔丁基過氧化苯甲酸酯的添加量設定爲0.2質量 份之外，利用與丙烯酸聚合物（1)同樣的製造方法製作出丙 烯酸聚合物（3)。該聚合物藉由凝膠滲透層析法所得的重量 平均分子量爲80萬，分散度爲6.6。 <重量平均分子量的測定方法> 各丙烯酸聚合物（1)〜（3)的重量平均分子量係藉由凝 膠滲透層析法（GPC)，使用藉由標準聚苯乙烯所得的檢量 線進行測定。 (利用GPC法的測定條件） -22- 1361211 使用機器：日立635型HP LC〔（股）日立製作所製〕 管柱：Gel pack R-440、R450、R400M〔日立化成工 業（股）製商品名] 洗提液：四氫呋喃 測定溫度：4 0 °C 流量：2.0 m 1 / m i η 檢測器：示差折射計 •(實施例1) 相對所得上述丙烯酸聚合物（1 )，以表丨所示的摻合比 例添加表1所示的各材料，得到接著劑料組合物的清漆。 將所得清漆塗佈在厚度50μηι的聚對苯二甲酸乙二醇酯 ' (PET)膜上’在12〇°C下加熱乾燥1〇分鐘，形成膜厚50μιη 的B階段狀態的塗膜，製作出具有接著劑層的實施例1的 接著薄膜。 (實施例2) 相對所得丙稀酸聚合物（丨），以表1所示的摻合比例添 加表1所示的各材料，利用與實施例1同樣的方法製作出 具有接著劑層的實施例2的接著薄膜。 (實施例3) 丰目對所得丙燦酸聚合物（i )，以表1所示的摻合比例添 加表1所示的各材料，利用與實施例1同樣的方法製作出 -23- 1361211 具有接著劑層的實施例3的接著薄膜。 (實施例4) 相對所得的上述丙烯酸聚合物（2),以表1所示的慘合 比例添加表I所示的各材料，利用與實施例1同樣的方法 製作出具有接著劑層的實施例4的接著薄膜。 (實施例5) 相對所得的上述丙烯酸聚合物（3)，以表1所示的摻合 比例添加表1所示的各材料，利用與實施例1同樣的方法 製作出具有接著劑層的實施例5的接著薄膜。 (比較例1) 相對所得的上述丙烯酸聚合物（1)，以表2所示的摻合 比例添加表2所示的各材料，利用與實施例丨同樣的方法 製作出具有接者劑層的比較例1的接著薄膜。 (比較例2) 相對所得丙烯酸聚合物（丨），以表2所示的摻合比例添 加表2所示的各材料，利用與實施例1同樣的方法製作出 具有接者劑層的比較例2的接著薄膜。 其中，表1及表2中的各材料如下前述。 (環氧樹脂） •24- 1361211 YDCN-703(東都化成（股）製商品名，甲酚酚醛清漆型 環氧樹脂、環氧當量210g/eq、分子量1200、軟化點80°C ) (酚醛樹脂）
Milex XLC-LL(三井化學（股）製商品名、羥基當量 1 7 5 g/eq、吸水率1 . 8 %、3 5 0 °C時的加熱重量減少率4 %) (矽烷耦合劑） Z-6044(東麗·道康寧（股）製商品名、3-環氧丙氧基丙 基甲基甲氧基矽烷） (二氧化砂塡料） S0-C2(Admatechs(股）製商品名、比重2.2g/cm3、莫氏 硬度7、平均粒子徑0.5μπι、比表面積6.0m2/g) (硬化促進劑）
Curezol 2PZ(四國化成（股）製商品名、2_苯基咪唑） 針對如上操作得到的各實施例及各比較例的接著薄膜 ，測定出接著劑層的密度p、硬化前的最小貯藏彈性係數 G m i η、及6 0 °C的貼合剝離力。 (密度P) 表1及表2所示的各實施例及各比較例的接著劑層的 密度p根據Π S K 7 1 1 2進行測定。 -25- 1361211 (最小貯藏彈性係數Gmin) 準備2張得到的實施例1的接著薄膜，利用接著劑使 彼此貼合，剝離聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)膜後，進一 步重複利用實施例1的接著薄膜的接著劑層使彼此貼合的 工程，層積接著劑層至其爲1mm的厚度，衝壓成8mm(D ，形成爲實施例1的接著劑層的樣品。實施例2、實施例 3、比較例1〜4的各接著劑層的樣品也與實施例1的樣品 同樣地製作。 使用動態黏彈性測定裝置ARES(REOLOGICA公司製） ，對硬化前的各接著劑層的樣品，取得在樣品厚度1 mm、 板直徑8mm(D、頻率1Hz的條件下、在升溫速度10°C /分 鐘的條件下從室溫升溫至200°C時的貯藏彈性係數的極小 値，將其設定爲Gmin。各實施例及各比較例的Gmin如表 1及表2所示。 (60°C貼合剝離力） 在60°C、O.IMPa、300mm/分鐘的條件下，將調整爲 1cm寬度的長條狀的各實施例及各比較例的接著薄膜層疊 在矽晶圓的背面後，測定出在室溫下、以50mm/分鐘、90 度剝離（peel)條件下剝離時的剝離強度。各實施例及各比 較例的6 0 °C貼合剝離力如表1及表2所示。 進而，將如下所示的黏著薄膜及上述接著薄膜分別切 割成直徑3 70mm ' 3 2 0mm的圓形，使黏著薄膜的黏著劑層 -26- 1361211 和接著薄膜的接著劑層貼合。最後，將接著薄膜的PET膜 從接著劑層剝離，得到各實施例及各比較例的晶圓加工用 膠帶’進行耐回流性（回流時裂紋產生率）、屑片性能的評 估。 (黏著薄膜的製作） 使丙烯酸丁酯65重量份、丙烯酸2-羥基乙酯25重量 份' 丙烯酸10重量份進行自由基聚合，在滴加2 -異氰酸 酯甲基丙烯酸乙酯進行反應而合成的重量平均分子量80 萬的丙烯酸共聚物中添加作爲硬化劑的聚異氰酸酯3重量 份、作爲光聚合引發劑的1-羥基-環己基-苯基-酮1重量 份並混合，做成黏著劑層組成物。 將製得的黏著劑層組成物以乾燥膜厚爲ΙΟμιη的方式 塗敷在膜（基材薄膜12a以外的塗敷用膜），在120°C下乾 燥3分鐘。其後，將塗敷在該膜上的黏著劑層組成物作爲 基材薄膜12a，使其轉印在厚度ΙΟΟμπι的聚丙烯-彈性體 (PP: HSBR = 80: 20的彈性體）樹脂薄膜上，藉此製作出黏 著薄膜。 其中，聚丙燒（PP)係使用日本Polychem股份有限公 司製的 Novatec FG4，加氫苯乙烯丁二烯（HSBR)係使用 JSR股份有限公司製的DYNARON 1320P。另外，塗敷用 膜係使用經矽酮脫模處理的PET膜（帝人：Purex S-314、 厚度 25μιη)。 -27- 1361211 (回流時的裂紋產生率） 在厚度200μιη的矽晶圓的背面黏貼各實施例及各比較 例的晶圓加工用膠帶的接著劑層，切割成7.5mm X 7.5mm 後，在160 °C、0.1 MPa、1秒的條件下安裝在經鍍銀處理 的引線架上。進而，用密封材料（Kyocera Chemical股份有 限公司製）進行塑型，製作出各實施例及各比較例的樣品 〇 將各實施例及各比較例的密封後的樣品在85°C /60%RH 的恒溫恒濕層處理1 96小時後，使樣品通過以樣品表面的 最高溫度爲260°C且進行20秒的方式進行設定的IR(紅外 線）回流爐中，觀察重複3次藉由室溫放置來進行冷卻的 處理的樣品中有無裂紋。 其中，在觀察有無裂紋時，使用超音波掃描裝置 (Scanning Acoustic Tomograph: SAT)觀察各樣品，被發 現剝離者全部設定爲裂紋。 (屑片性能） 在厚度2 00 μπι的矽晶圓的背面黏貼晶圓加工用膠帶的 接著劑層，切割成7.5 mm x7.5 mm後，用光學顯微鏡觀察 模具的剖面’評估晶片有無缺損。將晶片缺損多處發生的 情況設定爲X ’將幾乎沒有觀察到晶片缺損的情況設定爲 〇。 由表1得知，在實施例1〜5中，由於pxGmin爲0.2 以上’因此，幾乎沒有觀察到晶片缺損，屑片性能提高， -28- 1361211 切割時的晶片破裂或晶片缺損等屑片（切割時的屑片）充分 地減少。此外，由表1得知，由於接著劑層的6(TC貼合剝 離力高達50mN/cm以上，因此，可以減少在切割時晶片 因振動（切割時的旋轉振動）而飛濺的情況。 進而，在實施例1〜3中，由於使用重量平均分子量 爲85萬、分散度爲3.5的丙烯酸聚合物（1)，因此，回流 裂紋的產生率爲0%。 另一方面，在比較例1中，由於接著劑層的密度P高 ，但Gmin低，因此，屑片性能降低。 在比較例2中，pxGmin爲0.3以上，但60°C貼合剝 離力低，因此，在切割時發生多處晶片飛濺。 藉由本實施形態的晶圓加工用膠帶1 〇，產生以下的作 用效果。 (1) 由於將接著劑層13的密度設定爲p(g/cm3)、接著 劑層13硬化前的最小貯藏彈性係數設定爲Gmin(MPa)時 ，pxGmin爲0.2以上，因此，藉由組合密度ρ與Gmin的 2個要素並使其相互補足，可以一面確保接著劑層13對半 導體晶圓的貼合性，一面減少切割時的屑片。 (2) 由於使接著劑層13在60 °C貼合在半導體晶圓1時 的接著劑層13的剝離力爲50mN/cm以上’因此’在切割 時，可以減少晶片因切割刀的旋轉振動而飛濺的情況。 (3) 由於接著劑層13所含的丙烯酸聚合物（1)的重量平 均分子量高達85萬，且分散度爲2.3(小於4)，因此’可 以使耐回流性提高。 -29- 1361211 (4)可以使用丙烯酸樹脂等廉價的樹脂作爲接著劑層 13的主成分，可以將用於接著劑層13的樹脂通用化成丙 烯酸樹脂等。因此，可以實現低成本的晶圓加工用膠帶10 〇 本發明不限於上述實施形態的晶圓加工用膠帶1 0，亦 可應用於接著薄膜，前述接著薄膜具有與半導體晶圓1(第 2圖）貼合的接著劑層13，且利用切割而單片化成與半導 體晶片（半導體元件）2同樣大小，將接著劑層1 3的密度設 定爲p(g/cm3g/cc)、接著劑層硬化前的最小貯藏彈性係數 設定爲Gmin(MPa)時，pxGmin爲0.2以上》 亦即，本發明亦可應用於接著薄膜，前述接著薄膜由 聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)膜等脫模薄膜（例如第1圖所 示的剝離襯墊11)、和形成於該脫模薄膜上的接著劑層13 所構成，並且，如上述實施例1〜5的接著薄膜般， p X Gmin 爲 0.2 以上。 本發明的接著薄膜亦可配合使用工程或裝置而預先切 割成規定形狀（預切割）。此外，本發明的接著薄膜係包含 按半導體晶圓每一片份予以切斷的形態、和將形成有複數 個其的長條片材捲繞在輥上的形態。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明之實施形態的晶圓加工用膠帶的 剖面圖。 第2圖係在晶圓加工用膠帶上貼合有半導體晶圓的圖 -30-