WO2012176351A1 - ウェハ加工用テープ - Google Patents
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Definitions
- a silicon wafer is cut (diced) into chips, a semiconductor element (chip) is picked up, and the picked-up chip is die-bonded (mounted) to a lead frame or a package substrate. ) Is performed.
- dicing die bond sheets in which a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer are formed in this order on a supporting base material are known as wafer processing tapes used in the semiconductor device manufacturing process (for example, patents). Reference 1).
- the time for the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer to contact each other is inevitably between production and use.
- the adhesive layer is a film in which an adhesive is formed in advance.
- the acrylic copolymer may have a functional group in order to improve adhesiveness.
- a functional group for example, an amino group, a urethane group, an imide group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a glycidyl group etc. are mentioned, Especially, a glycidyl group is preferable.
- the glycidyl group is highly reactive with the epoxy, which is a thermosetting resin, and hardly reacts with the pressure-sensitive adhesive layer as compared with a hydroxyl group or the like, so that the surface free energy hardly changes.
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Abstract
支持基材と粘着剤層と単層の接着剤層とがこの順に積層されたウェハ加工用テープで、前記接着剤層は半導体素子を配線付き外部接続用配線部材または別の半導体素子に圧着するために用いられる接着剤層であって、前記接着剤層の粘着剤層から剥離した面と粘着剤層に接しない面の表面自由エネルギー差が１０ｍＪ／ｍ２以下であるウェハ加工用テープ。
Description
本発明は、ウェハ加工用テープに関する。
半導体装置の製造工程では、シリコンウェハをチップ単位に切断（ダイシング）する工程、切断された半導体素子（チップ）をピックアップする工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等にダイボンディング（マウント）する工程が実施される。上記半導体装置の製造工程に使用されるウェハ加工用テープとして、近年、支持基材上に、粘着剤層と接着剤層とがこの順に形成されたダイシングダイボンドシートが知られている（例えば、特許文献１参照）。
このように、基材上に、粘着剤層と接着剤層とをこの順に形成したウェハ加工用テープでは、製造から使用までの間で、粘着剤層と接着剤層とが接触する時間が必然的に長くなるため、使用前に両層がなじんでしまい、個片化した接着剤層付き半導体素子をピックアップする工程で、粘着剤層と接着剤層をうまく剥離できないという問題点があった。
そこで、このような問題を解決するウェハ加工用テープとして、粘着剤層と接着剤層の間に剥離層を設けることによって、個片化した接着剤層付き半導体素子を容易に粘着剤層から剥離することができるようにしたものが知られている（例えば、特許文献２参照）。
また、硬化前の接着剤層の表面自由エネルギーを制御してやることで、粘着剤層からの剥離を有利にするだけでなく、被着体への接着性にも優れるウェハ加工用テープが知られている（特許文献３参照）。
このように、基材上に、粘着剤層と接着剤層とをこの順に形成したウェハ加工用テープでは、製造から使用までの間で、粘着剤層と接着剤層とが接触する時間が必然的に長くなるため、使用前に両層がなじんでしまい、個片化した接着剤層付き半導体素子をピックアップする工程で、粘着剤層と接着剤層をうまく剥離できないという問題点があった。
そこで、このような問題を解決するウェハ加工用テープとして、粘着剤層と接着剤層の間に剥離層を設けることによって、個片化した接着剤層付き半導体素子を容易に粘着剤層から剥離することができるようにしたものが知られている（例えば、特許文献２参照）。
また、硬化前の接着剤層の表面自由エネルギーを制御してやることで、粘着剤層からの剥離を有利にするだけでなく、被着体への接着性にも優れるウェハ加工用テープが知られている（特許文献３参照）。
この種のウェハ加工用テープは以下のような工程に使用される。
（１）支持基材と粘着剤層と接着剤層とをこの順に積層しウェハ加工用テープを形成する工程、
（２）ウェハ加工用テープの接着剤層をシリコンウェハ裏面に貼り合わせる工程、
（３）ウェハ加工用テープの支持基材上に形成された粘着剤層にウェハリングを貼り付ける工程、
（４）前記シリコンウェハを半導体素子（チップ）に切断するダイシング工程、
（５）接着剤層付きの半導体素子を粘着剤層から剥離し取り出すピックアップ工程、及び
（６）半導体素子をリードフレームのような配線付き外部接続用配線部材や他の半導体素子に接着するダイボンディング工程
このため、ダイボンディング工程にて被着体と接する接着剤層の面は粘着剤層に一度貼り合わされた後に剥離させた面となり、表面自由エネルギーが変化しているため、接着剤層単独で見たときの表面自由エネルギーを制御しても、十分な接着性が発揮されないことがあるという問題があった。
よって本発明は、粘着剤層に一度貼り合わされた後に剥離させた面であっても、十分な接着性を持つ接着剤層を有するウェハ加工用テープを提供することを課題とする。
（１）支持基材と粘着剤層と接着剤層とをこの順に積層しウェハ加工用テープを形成する工程、
（２）ウェハ加工用テープの接着剤層をシリコンウェハ裏面に貼り合わせる工程、
（３）ウェハ加工用テープの支持基材上に形成された粘着剤層にウェハリングを貼り付ける工程、
（４）前記シリコンウェハを半導体素子（チップ）に切断するダイシング工程、
（５）接着剤層付きの半導体素子を粘着剤層から剥離し取り出すピックアップ工程、及び
（６）半導体素子をリードフレームのような配線付き外部接続用配線部材や他の半導体素子に接着するダイボンディング工程
このため、ダイボンディング工程にて被着体と接する接着剤層の面は粘着剤層に一度貼り合わされた後に剥離させた面となり、表面自由エネルギーが変化しているため、接着剤層単独で見たときの表面自由エネルギーを制御しても、十分な接着性が発揮されないことがあるという問題があった。
よって本発明は、粘着剤層に一度貼り合わされた後に剥離させた面であっても、十分な接着性を持つ接着剤層を有するウェハ加工用テープを提供することを課題とする。
上記課題は以下の手段により解決された。
（１）支持基材と粘着剤層と単層の接着剤層とがこの順に積層されたウェハ加工用テープで、前記接着剤層は半導体素子を配線付き外部接続用配線部材または別の半導体素子に圧着するために用いられる接着剤層であって、前記接着剤層の粘着剤層から剥離した面と粘着剤層に接しない面の表面自由エネルギー差が１０ｍＪ／ｍ２以下であることを特徴とするウェハ加工用テープ。
（２）前記接着剤層の粘着剤層に接しない面の表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ２以上かつ５０ｍＪ／ｍ２以下であることを特徴とする（１）に記載のウェハ加工用テープ。
（３）前記接着剤層が、アクリロニトリルを含む懸濁重合による高分子化合物を含有することを特徴とする（１）または（２）に記載のウェハ加工用テープ。
なお、本発明において接着剤とは半導体装置製造のダイボンディング工程において半導体素子（チップ）と配線部材または別の半導体素子を固定するために使用される樹脂組成物をいい、粘着剤とは支持基材上に設けられ、半導体装置製造のダイシング工程において、シリコンウェハ裏面に接着剤層を介して貼り合わされ、その粘着力により接着剤付きシリコンウェハをリングフレームに仮固定するために使用される樹脂組成物をいう。
（１）支持基材と粘着剤層と単層の接着剤層とがこの順に積層されたウェハ加工用テープで、前記接着剤層は半導体素子を配線付き外部接続用配線部材または別の半導体素子に圧着するために用いられる接着剤層であって、前記接着剤層の粘着剤層から剥離した面と粘着剤層に接しない面の表面自由エネルギー差が１０ｍＪ／ｍ２以下であることを特徴とするウェハ加工用テープ。
（２）前記接着剤層の粘着剤層に接しない面の表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ２以上かつ５０ｍＪ／ｍ２以下であることを特徴とする（１）に記載のウェハ加工用テープ。
（３）前記接着剤層が、アクリロニトリルを含む懸濁重合による高分子化合物を含有することを特徴とする（１）または（２）に記載のウェハ加工用テープ。
なお、本発明において接着剤とは半導体装置製造のダイボンディング工程において半導体素子（チップ）と配線部材または別の半導体素子を固定するために使用される樹脂組成物をいい、粘着剤とは支持基材上に設けられ、半導体装置製造のダイシング工程において、シリコンウェハ裏面に接着剤層を介して貼り合わされ、その粘着力により接着剤付きシリコンウェハをリングフレームに仮固定するために使用される樹脂組成物をいう。
本発明によれば、粘着剤層に一度貼り合わされた後に剥離させた面であっても、十分な接着性を持つ接着剤層を有するウェハ加工用テープが提供される。
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
本発明のウェハ加工用テープは、支持基材と粘着剤層と単層の接着剤層とがこの順に積層されている。図１に本発明のウェハ加工用テープを模式的に断面図で示した。ウェハ加工用テープ１０は粘着フィルム１２と接着剤層１３からなる。粘着フィルム１２は支持基材１２ａ上に粘着剤層１２ｂが積層されたものである。接着剤層１３上には離型ＰＥＴフィルム１１が重ねられているが、使用時にはこれをはがして、シリコンウェハを接着剤層１３に接着させて用いる。
（表面自由エネルギー）
本発明において表面自由エネルギーは、水及びジヨードメタンの接触角を測定（液滴容量：水２μＬ、ジヨードメタン３μＬ、読み取り時間：滴下３０秒後）し、以下の式から算出される値とする。
（表面自由エネルギー）
本発明において表面自由エネルギーは、水及びジヨードメタンの接触角を測定（液滴容量：水２μＬ、ジヨードメタン３μＬ、読み取り時間：滴下３０秒後）し、以下の式から算出される値とする。
表面自由エネルギー差を制御することで、粘着剤層に一度貼り合わされた後に剥離させた面であっても、十分な接着性を持つ接着剤層を有するウェハ加工用テープとすることができる理由は明らかではないが、以下のように推定される。
表面自由エネルギー差を制御することで、どちらかの面の接着性だけが非常に低くなることを抑制し、接着剤の破壊モードを凝集破壊に保つことができる。接着剤の破壊モードが凝集破壊の場合、接着剤そのものが壊れなければ半導体素子の固定が壊れることはなく、リフロー工程において熱応力が発生したとしても耐性がある。しかし、制御が不十分でどちらかの面の接着性だけが非常に低くなると、接着剤の破壊モードが界面破壊となり、接着剤の強度が十分であっても、熱応力により剥離が進行し信頼性（リフロー時耐クラック性）が低下する。
表面自由エネルギー差を制御することで、どちらかの面の接着性だけが非常に低くなることを抑制し、接着剤の破壊モードを凝集破壊に保つことができる。接着剤の破壊モードが凝集破壊の場合、接着剤そのものが壊れなければ半導体素子の固定が壊れることはなく、リフロー工程において熱応力が発生したとしても耐性がある。しかし、制御が不十分でどちらかの面の接着性だけが非常に低くなると、接着剤の破壊モードが界面破壊となり、接着剤の強度が十分であっても、熱応力により剥離が進行し信頼性（リフロー時耐クラック性）が低下する。
本発明のウェハ加工用テープでは、接着剤層の粘着剤層から剥離した面と粘着剤層に接しない面の表面自由エネルギー差が１０ｍＪ／ｍ２以下、好ましくは０．１～５．０ｍＪ／ｍ２である。表面自由エネルギー差が１０ｍＪ／ｍ２を超える場合には、粘着剤層から接着剤層、もしくは接着剤層から粘着剤層への成分の移行が発生する可能性がある。前者の場合はリフロー工程において低分子成分が揮発してしまう。後者の場合は接着面が荒れてボンディング工程にて凹凸を埋め込めないことによりボイドが発生して、信頼性（リフロー時耐クラック性）が低下する。
接着剤層の粘着剤層に接しない面の表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ２以上かつ５０ｍＪ／ｍ２以下が好ましく、接着剤層の粘着剤層から剥離した面の表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ２以上かつ６０ｍＪ／ｍ２以下であることが好ましい。接着剤層の粘着剤層に接しない面の表面自由エネルギーは３０ｍＪ／ｍ２以上かつ４０ｍＪ／ｍ２以下がより好ましく、接着剤層の粘着剤層から剥離した面の表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ２以上かつ５０ｍＪ／ｍ２以下がより好ましい。表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ２未満であると、濡れ性が十分ではないためボイドが入りやすく、信頼性（リフロー時耐クラック性）が低下することがある。
（接着剤層）
接着剤層は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができるが、接着剤層の接着性と信頼性の観点から、アクリル系共重合体、エポキシ樹脂を含み、アクリル系共重合体のＴｇが０℃以上４０℃以下、質量平均分子量が１０万以上１００万以下であることが好ましい。より好ましい質量平均分子量は６０万以上９０万以下である。
なお、質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により標準ポリスチレンによる検量線を用いて測定したものとする。
（ＧＰＣ法による測定条件）
使用機器：高速液体クロマトグラフィーLC-20AD［株式会社島津製作所製、商品名］
カラム ：Shodex Column GPC KF-805［株式会社島津製作所製、商品名］
溶離液 ：クロロホルム
測定温度：４５℃
流量 ：３．０ｍｌ／ｍｉｎ
RI検出器：RID-10A
接着剤層は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができるが、接着剤層の接着性と信頼性の観点から、アクリル系共重合体、エポキシ樹脂を含み、アクリル系共重合体のＴｇが０℃以上４０℃以下、質量平均分子量が１０万以上１００万以下であることが好ましい。より好ましい質量平均分子量は６０万以上９０万以下である。
なお、質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により標準ポリスチレンによる検量線を用いて測定したものとする。
（ＧＰＣ法による測定条件）
使用機器：高速液体クロマトグラフィーLC-20AD［株式会社島津製作所製、商品名］
カラム ：Shodex Column GPC KF-805［株式会社島津製作所製、商品名］
溶離液 ：クロロホルム
測定温度：４５℃
流量 ：３．０ｍｌ／ｍｉｎ
RI検出器：RID-10A
アクリル系共重合体の重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合、懸濁重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。耐熱性が優れるため懸濁重合が好ましく、このようなアクリル系共重合体としては、例えば、パラクロンＷ－１９７Ｃ（根上工業株式会社製、商品名）が挙げられる。
アクリル系共重合体はアクリロニトリルを含むことが好ましい。アクリル系共重合体に対し、好ましくは１０～５０質量％、より好ましくは２０～４０質量％がアクリロニトリルである。アクリロニトリルが１０質量％以上あることで、接着剤層のＴｇを上げ、接着性を向上させることができるが、５０質量％以上あると、接着剤層の流動性が悪くなり、接着性が低下する場合がある。アクリロニトリルを含む懸濁重合によるアクリル系共重合体であることが特に好ましい。
アクリル系共重合体はアクリロニトリルを含むことが好ましい。アクリル系共重合体に対し、好ましくは１０～５０質量％、より好ましくは２０～４０質量％がアクリロニトリルである。アクリロニトリルが１０質量％以上あることで、接着剤層のＴｇを上げ、接着性を向上させることができるが、５０質量％以上あると、接着剤層の流動性が悪くなり、接着性が低下する場合がある。アクリロニトリルを含む懸濁重合によるアクリル系共重合体であることが特に好ましい。
アクリル系共重合体は接着性を向上させるため、官能基を有していてもよい。官能基としては、特に限定されるものではないが、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、グリシジル基等が挙げられ、なかでも、グリシジル基が好ましい。グリシジル基は、熱硬化樹脂であるエポキシとの反応性がよく、水酸基などと比較すると粘着剤層とは反応しにくいため、表面自由エネルギーの変化が起こりにくい。
接着剤層は無機フィラーを含有してもよいが、添加量が多いと流動性が低下し、接着性が下がるため４０質量％未満が好ましく、より好ましくは２０質量％未満、更に好ましくは１５質量％未満である。また、粒径が大きいと接着面の表面に凹凸が生じ、接着性が低下するため、平均粒径１μｍ未満が好ましく、より好ましくは０．５μｍ未満、更に好ましくは０．１μｍ未満である。無機フィラーの粒径の下限に特に制限はないが、０．００３μｍ以上であるのが実際的である。
表面自由エネルギーを制御するために、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤やフッ素系グラフト共重合体を添加剤として加えてもよい。これらの添加剤は、メルカプト基やグリシジル基を含有するものが好ましい。
接着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常３～１００μｍが好ましく、５～２０μｍがより好ましい。
表面自由エネルギーを制御するために、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤やフッ素系グラフト共重合体を添加剤として加えてもよい。これらの添加剤は、メルカプト基やグリシジル基を含有するものが好ましい。
接着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常３～１００μｍが好ましく、５～２０μｍがより好ましい。
（支持基材）
支持基材の材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリブテン－１、ポリ－４－メチルペンテン－１、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα－オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン－エチレン－ブテン共重合体もしくはペンテン系共重合体、ポリアミド－ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、これらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。支持基材の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０～２００μｍが好ましい。
支持基材の材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリブテン－１、ポリ－４－メチルペンテン－１、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα－オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン－エチレン－ブテン共重合体もしくはペンテン系共重合体、ポリアミド－ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、これらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。支持基材の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０～２００μｍが好ましい。
（粘着剤層）
粘着剤層には放射線硬化型と放射線照射により粘着力が変化しない非放射線硬化型がある。前者は粘着力の制御が容易であり、後者は放射線照射を許さないデバイスに使用可能であることから、用途に応じて適宜選択される。放射線硬化型を選択する場合には光重合性炭素－炭素二重結合を持つ放射線重合性化合物や光重合開始剤を適宜配合して調製することが好ましい。
粘着剤層が放射線硬化型の場合、硬化させたあとの粘着剤層と接着剤層の剥離力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であるものを用いることが好ましい。より好ましくは０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上０．１Ｎ／２５ｍｍ以下である。剥離力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ未満だと、ダイシング装置からからピックアップ装置への搬送時に接着剤層付きの半導体素子が粘着剤層から脱離する可能性があり、０．５Ｎ／２５ｍｍを超えると、接着剤層が粘着剤層の影響を受けやすくなり、面が荒れたり、表面成分の移行が発生したりして、表面自由エネルギーが変化しやすい。
粘着剤層が非放射線硬化型の場合、粘着剤層と接着剤層の剥離力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であるものを用いることが好ましい。より好ましくは０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上０．３Ｎ／２５ｍｍ以下である。剥離力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ未満だとダイシング時にチップ飛びが発生したり、ダイシング装置からからピックアップ装置への搬送時に接着剤層付きの半導体素子が粘着剤層から脱離する可能性があり、０．５Ｎ／２５ｍｍを超えると、接着剤層が粘着剤層の影響を受けやすくなり、面が荒れたり、表面成分の移行が発生したりして、表面自由エネルギーが変化しやすい。
粘着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常５～５０μｍが好ましく、７～２０μｍがより好ましい。
粘着剤層には放射線硬化型と放射線照射により粘着力が変化しない非放射線硬化型がある。前者は粘着力の制御が容易であり、後者は放射線照射を許さないデバイスに使用可能であることから、用途に応じて適宜選択される。放射線硬化型を選択する場合には光重合性炭素－炭素二重結合を持つ放射線重合性化合物や光重合開始剤を適宜配合して調製することが好ましい。
粘着剤層が放射線硬化型の場合、硬化させたあとの粘着剤層と接着剤層の剥離力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であるものを用いることが好ましい。より好ましくは０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上０．１Ｎ／２５ｍｍ以下である。剥離力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ未満だと、ダイシング装置からからピックアップ装置への搬送時に接着剤層付きの半導体素子が粘着剤層から脱離する可能性があり、０．５Ｎ／２５ｍｍを超えると、接着剤層が粘着剤層の影響を受けやすくなり、面が荒れたり、表面成分の移行が発生したりして、表面自由エネルギーが変化しやすい。
粘着剤層が非放射線硬化型の場合、粘着剤層と接着剤層の剥離力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であるものを用いることが好ましい。より好ましくは０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上０．３Ｎ／２５ｍｍ以下である。剥離力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ未満だとダイシング時にチップ飛びが発生したり、ダイシング装置からからピックアップ装置への搬送時に接着剤層付きの半導体素子が粘着剤層から脱離する可能性があり、０．５Ｎ／２５ｍｍを超えると、接着剤層が粘着剤層の影響を受けやすくなり、面が荒れたり、表面成分の移行が発生したりして、表面自由エネルギーが変化しやすい。
粘着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常５～５０μｍが好ましく、７～２０μｍがより好ましい。
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜アクリルポリマーの製造＞
まず、各実施例および各比較例に係るウェハ加工用テープの接着剤層に含まれるアクリルポリマーの製造法について説明する。
（アクリルポリマー（１））
撹拌機を備えたガラス製の四口丸底フラスコに水３００質量部を入れ、分散安定剤としてポリビニルアルコール０．７質量部を溶解し、撹拌翼により３００ｒｐｍで撹拌しつつ、アクリル酸エチル６０質量部、アクリル酸ブチル５質量部、メタクリル酸グリシジル１５質量部、アクリロニトリル２０質量部からなる単量体混合物と重合開始剤としてＮ，Ｎ’－アゾビスイソブチロニトリル１質量部を一括投入し、懸濁液を作成した。
これを、撹拌継続下に反応系内を６８℃まで昇温させ、４時間一定に保って反応させた。その後、室温（約２５℃）まで冷却した。次いで、反応物を固液分離し、水で充分に洗浄した後、乾燥機を用いて７０℃で１２時間乾燥し、続いて２－ブタノンを加え固形分が１５％になるよう調整して、アクリルポリマー（１）を得た。配合比から計算されるＴｇは３℃である。この重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ： ＧＰＣ）による質量平均分子量は９５万、分散度は３．５であった。
まず、各実施例および各比較例に係るウェハ加工用テープの接着剤層に含まれるアクリルポリマーの製造法について説明する。
（アクリルポリマー（１））
撹拌機を備えたガラス製の四口丸底フラスコに水３００質量部を入れ、分散安定剤としてポリビニルアルコール０．７質量部を溶解し、撹拌翼により３００ｒｐｍで撹拌しつつ、アクリル酸エチル６０質量部、アクリル酸ブチル５質量部、メタクリル酸グリシジル１５質量部、アクリロニトリル２０質量部からなる単量体混合物と重合開始剤としてＮ，Ｎ’－アゾビスイソブチロニトリル１質量部を一括投入し、懸濁液を作成した。
これを、撹拌継続下に反応系内を６８℃まで昇温させ、４時間一定に保って反応させた。その後、室温（約２５℃）まで冷却した。次いで、反応物を固液分離し、水で充分に洗浄した後、乾燥機を用いて７０℃で１２時間乾燥し、続いて２－ブタノンを加え固形分が１５％になるよう調整して、アクリルポリマー（１）を得た。配合比から計算されるＴｇは３℃である。この重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ： ＧＰＣ）による質量平均分子量は９５万、分散度は３．５であった。
（アクリルポリマー（２））
アクリル酸エチル６０質量部、アクリル酸ブチル５質量部、メタクリル酸グリシジル６質量部、アクリロニトリル２９質量部とした以外は、アクリルポリマー（１）と同様の製造法によりアクリルポリマー（２）を作製した。配合比から計算されるＴｇは７℃である。この重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる質量平均分子量は６０万、分散度は３．４であった。
（アクリルポリマー（３））
アクリル酸エチル３４質量部、アクリル酸ブチル１５質量部、メタクリル酸グリシジル２質量部、アクリロニトリル４９質量部とした以外は、アクリルポリマー（１）と同様の製造法によりアクリルポリマー（３）を作製した。配合比から計算されるＴｇは２１℃である。この重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる質量平均分子量は１２万、分散度は２．３であった。
アクリル酸エチル６０質量部、アクリル酸ブチル５質量部、メタクリル酸グリシジル６質量部、アクリロニトリル２９質量部とした以外は、アクリルポリマー（１）と同様の製造法によりアクリルポリマー（２）を作製した。配合比から計算されるＴｇは７℃である。この重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる質量平均分子量は６０万、分散度は３．４であった。
（アクリルポリマー（３））
アクリル酸エチル３４質量部、アクリル酸ブチル１５質量部、メタクリル酸グリシジル２質量部、アクリロニトリル４９質量部とした以外は、アクリルポリマー（１）と同様の製造法によりアクリルポリマー（３）を作製した。配合比から計算されるＴｇは２１℃である。この重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる質量平均分子量は１２万、分散度は２．３であった。
（アクリルポリマー（４））
アクリル酸エチル４３質量部、アクリル酸ブチル１５質量部、メタクリル酸グリシジル５質量部、アクリロニトリル３７質量部とした以外は、アクリルポリマー（１）と同様の製造法によりアクリルポリマー（４）を作製した。配合比から計算されるＴｇは１２℃である。この重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる質量平均分子量は７０万、分散度は３．６であった。
（アクリルポリマー（５））
アクリル酸エチル６５質量部、アクリル酸ブチル２３質量部、メタクリル酸グリシジル２質量部、アクリロニトリル１０質量部とした以外は、アクリルポリマー（１）と同様の製造法によりアクリルポリマー（５）を作製した。配合比から計算されるＴｇは－２２℃である。この重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる質量平均分子量は４０万、分散度は３．８であった。
アクリル酸エチル４３質量部、アクリル酸ブチル１５質量部、メタクリル酸グリシジル５質量部、アクリロニトリル３７質量部とした以外は、アクリルポリマー（１）と同様の製造法によりアクリルポリマー（４）を作製した。配合比から計算されるＴｇは１２℃である。この重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる質量平均分子量は７０万、分散度は３．６であった。
（アクリルポリマー（５））
アクリル酸エチル６５質量部、アクリル酸ブチル２３質量部、メタクリル酸グリシジル２質量部、アクリロニトリル１０質量部とした以外は、アクリルポリマー（１）と同様の製造法によりアクリルポリマー（５）を作製した。配合比から計算されるＴｇは－２２℃である。この重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる質量平均分子量は４０万、分散度は３．８であった。
（アクリルポリマー（６））
混合機及び冷却器を備え付けた反応器にアクリル酸エチル６０質量部、アクリル酸ブチル５質量部、メタクリル酸グリシジル１６質量部、アクリロニトリル１９質量部を入れ、８５℃に加熱し、ここに２－ブタノン２質量部、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート０．０５質量部を添加した後８時間保温し、冷却後メタノールを加えポリマーを沈殿させ上澄み液を取り除き、ポリマー中に残ったメタノールを乾燥させ、続いて２－ブタノンを加え固形分が１５％になるよう調整して、アクリルポリマー（６）を作製した。配合比から計算されるＴｇは３℃である。この重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる質量平均分子量は５０万、分散度は１１．５であった。
混合機及び冷却器を備え付けた反応器にアクリル酸エチル６０質量部、アクリル酸ブチル５質量部、メタクリル酸グリシジル１６質量部、アクリロニトリル１９質量部を入れ、８５℃に加熱し、ここに２－ブタノン２質量部、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート０．０５質量部を添加した後８時間保温し、冷却後メタノールを加えポリマーを沈殿させ上澄み液を取り除き、ポリマー中に残ったメタノールを乾燥させ、続いて２－ブタノンを加え固形分が１５％になるよう調整して、アクリルポリマー（６）を作製した。配合比から計算されるＴｇは３℃である。この重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる質量平均分子量は５０万、分散度は１１．５であった。
なお、各アクリルポリマー（１）～（６）の質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により標準ポリスチレンによる検量線を用いて測定した。
＜接着剤層の製造＞
（接着剤層（１））
上記アクリルポリマー（１）１００質量部に対して、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１２００、軟化点７０℃）２５質量部、キシリレンノボラック樹脂（水酸基当量１０４、軟化点８０℃）６０質量部、充填材として平均粒径０．０４５μｍのシリカフィラー２０質量部を加えて熱硬化性の接着剤組成物を得た。この接着剤組成物を、離型フィルムをなすＰＥＴフィルムに塗布し、１２０℃で１０分間加熱乾燥して、乾燥後の厚さ２０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、ＰＥＴフィルム／接着剤層（１）／ＰＥＴフィルムの積層体を得た。
なお、ＰＥＴフィルムはシリコーン離型処理されたＰＥＴフィルム（帝人：ヒューピレックスＳ－３１４（商品名）、厚み２５μｍ）を用いた。
（接着剤層（２）～（６））
上記アクリルポリマー（１）に代えてアクリルポリマー（２）～（６）のいずれかを用いた以外は接着剤層（１）と同様の方法で、接着剤層（２）～（６）をそれぞれ得た。
（接着剤層（１））
上記アクリルポリマー（１）１００質量部に対して、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１２００、軟化点７０℃）２５質量部、キシリレンノボラック樹脂（水酸基当量１０４、軟化点８０℃）６０質量部、充填材として平均粒径０．０４５μｍのシリカフィラー２０質量部を加えて熱硬化性の接着剤組成物を得た。この接着剤組成物を、離型フィルムをなすＰＥＴフィルムに塗布し、１２０℃で１０分間加熱乾燥して、乾燥後の厚さ２０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、ＰＥＴフィルム／接着剤層（１）／ＰＥＴフィルムの積層体を得た。
なお、ＰＥＴフィルムはシリコーン離型処理されたＰＥＴフィルム（帝人：ヒューピレックスＳ－３１４（商品名）、厚み２５μｍ）を用いた。
（接着剤層（２）～（６））
上記アクリルポリマー（１）に代えてアクリルポリマー（２）～（６）のいずれかを用いた以外は接着剤層（１）と同様の方法で、接着剤層（２）～（６）をそれぞれ得た。
＜粘着フィルムの製造＞
（粘着剤層組成物（１））
アクリル酸２－エチルヘキシル７７質量部、２－ヒドロキシプロピルアクリレート２３質量部を重合させ、質量平均分子量８０万のアクリル共重合体に硬化剤としてポリイソシアネート３質量部を加えて混合し、粘着剤層組成物（１）とした。
（粘着剤層組成物（２））
ブチルアクリレート６５質量部、２－ヒドロキシエチルアクリレート２５質量部、アクリル酸１０質量部をラジカル重合させ、２－イソシアネートエチルメタクリレートを滴下反応させて合成した質量平均分子量８０万のアクリル共重合体に硬化剤としてポリイソシアネート３質量部、光重合開始剤として１－ヒドロキシ－シクロヘキシル－フェニル－ケトン１質量部を加えて混合し、粘着剤層組成物（２）とした。
（粘着剤層組成物（１））
アクリル酸２－エチルヘキシル７７質量部、２－ヒドロキシプロピルアクリレート２３質量部を重合させ、質量平均分子量８０万のアクリル共重合体に硬化剤としてポリイソシアネート３質量部を加えて混合し、粘着剤層組成物（１）とした。
（粘着剤層組成物（２））
ブチルアクリレート６５質量部、２－ヒドロキシエチルアクリレート２５質量部、アクリル酸１０質量部をラジカル重合させ、２－イソシアネートエチルメタクリレートを滴下反応させて合成した質量平均分子量８０万のアクリル共重合体に硬化剤としてポリイソシアネート３質量部、光重合開始剤として１－ヒドロキシ－シクロヘキシル－フェニル－ケトン１質量部を加えて混合し、粘着剤層組成物（２）とした。
（粘着フィルム（１），（２））
作製した粘着剤層組成物のいずれかを乾燥膜厚が１０μｍとなるように離型フィルムをなすＰＥＴフィルムに塗布し、１２０℃で３分間乾燥した。このＰＥＴフィルムに塗工した粘着剤層組成物を、支持基材である厚さ１００μｍのポリプロピレン－エラストマー（ＰＰ：ＨＳＢＲ＝８０：２０のエラストマー）樹脂フィルム上に転写させることで粘着フィルム（１）、（２）をそれぞれ作製した。
なお、ポリプロピレン（ＰＰ）は、日本ポリケム株式会社製のノバテックＦＧ４（商品名）を用い、水添スチレンブタジエン（ＨＳＢＲ）はＪＳＲ株式会社製のダイナロン１３２０Ｐ（商品名）を用いた。また、ＰＥＴフィルムはシリコーン離型処理されたＰＥＴフィルム（帝人：ヒューピレックスＳ－３１４（商品名）、厚み２５μｍ）を用いた。
作製した粘着剤層組成物のいずれかを乾燥膜厚が１０μｍとなるように離型フィルムをなすＰＥＴフィルムに塗布し、１２０℃で３分間乾燥した。このＰＥＴフィルムに塗工した粘着剤層組成物を、支持基材である厚さ１００μｍのポリプロピレン－エラストマー（ＰＰ：ＨＳＢＲ＝８０：２０のエラストマー）樹脂フィルム上に転写させることで粘着フィルム（１）、（２）をそれぞれ作製した。
なお、ポリプロピレン（ＰＰ）は、日本ポリケム株式会社製のノバテックＦＧ４（商品名）を用い、水添スチレンブタジエン（ＨＳＢＲ）はＪＳＲ株式会社製のダイナロン１３２０Ｐ（商品名）を用いた。また、ＰＥＴフィルムはシリコーン離型処理されたＰＥＴフィルム（帝人：ヒューピレックスＳ－３１４（商品名）、厚み２５μｍ）を用いた。
＜実施例１＞
以上のようにして得られた接着剤層（１）と粘着フィルム（１）とを、接着剤層のＰＥＴフィルムを片側のみ剥がし、粘着剤層と接するように貼合し、支持基材、粘着剤層、接着剤層、離型フィルムがこの順で積層された図１に示すような離型フィルム付きのウェハ加工用テープを得た。このウェハ加工用テープを実施例１のサンプルとした。
＜実施例２＞
得られた上記接着剤層（２）と粘着フィルム（１）とを用いて、実施例１と同様の方法で実施例２のウェハ加工用テープを作製した。
＜実施例３＞
得られた上記接着剤層（３）と粘着フィルム（１）とを用いて、実施例１と同様の方法で実施例３のウェハ加工用テープを作製した。
＜実施例４＞
得られた上記接着剤層（４）と粘着フィルム（１）とを用いて、実施例１と同様の方法で実施例４のウェハ加工用テープを作製した。
＜実施例５＞
得られた上記接着剤層（１）と粘着フィルム（２）とを用いて、実施例１と同様の方法で実施例５のウェハ加工用テープを作製した。
＜比較例１＞
得られた上記接着剤層（５）と粘着フィルム（１）とを用いて、実施例１と同様の方法で比較例１のウェハ加工用テープを作製した。
＜比較例２＞
得られた上記接着剤層（６）と粘着フィルム（１）とを用いて、実施例１と同様の方法で比較例２のウェハ加工用テープを作製した。
以上のようにして得られた接着剤層（１）と粘着フィルム（１）とを、接着剤層のＰＥＴフィルムを片側のみ剥がし、粘着剤層と接するように貼合し、支持基材、粘着剤層、接着剤層、離型フィルムがこの順で積層された図１に示すような離型フィルム付きのウェハ加工用テープを得た。このウェハ加工用テープを実施例１のサンプルとした。
＜実施例２＞
得られた上記接着剤層（２）と粘着フィルム（１）とを用いて、実施例１と同様の方法で実施例２のウェハ加工用テープを作製した。
＜実施例３＞
得られた上記接着剤層（３）と粘着フィルム（１）とを用いて、実施例１と同様の方法で実施例３のウェハ加工用テープを作製した。
＜実施例４＞
得られた上記接着剤層（４）と粘着フィルム（１）とを用いて、実施例１と同様の方法で実施例４のウェハ加工用テープを作製した。
＜実施例５＞
得られた上記接着剤層（１）と粘着フィルム（２）とを用いて、実施例１と同様の方法で実施例５のウェハ加工用テープを作製した。
＜比較例１＞
得られた上記接着剤層（５）と粘着フィルム（１）とを用いて、実施例１と同様の方法で比較例１のウェハ加工用テープを作製した。
＜比較例２＞
得られた上記接着剤層（６）と粘着フィルム（１）とを用いて、実施例１と同様の方法で比較例２のウェハ加工用テープを作製した。
実施例１～５及び比較例１、２のウェハ加工用テープについて以下の測定、評価を行った。結果を表１に示した。
（表面自由エネルギー）
上記実施例、比較例の各サンプルの接着剤層において、粘着剤層に接しない面をＡ面とし、粘着剤層から剥がした面をＢ面とした。このとき、実施例５は、接着剤層を剥がす前に粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１００ｍｍ）により２００ｍＪ／ｃｍ２照射した。これらＡ面及びＢ面に対する水及びジヨードメタンの接触角を測定（液滴容量：水２μＬ、ジヨードメタン３μＬ、読み取り時間：滴下後３０秒）し、測定により得られた水及びジヨードメタンの接触角から、幾何平均法を使って、上述した算出式により表面自由エネルギーを算出した。
（表面自由エネルギー）
上記実施例、比較例の各サンプルの接着剤層において、粘着剤層に接しない面をＡ面とし、粘着剤層から剥がした面をＢ面とした。このとき、実施例５は、接着剤層を剥がす前に粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１００ｍｍ）により２００ｍＪ／ｃｍ２照射した。これらＡ面及びＢ面に対する水及びジヨードメタンの接触角を測定（液滴容量：水２μＬ、ジヨードメタン３μＬ、読み取り時間：滴下後３０秒）し、測定により得られた水及びジヨードメタンの接触角から、幾何平均法を使って、上述した算出式により表面自由エネルギーを算出した。
（剥離力）
実施例、比較例の各サンプルの接着剤層の離型フィルムを剥がし、離型フィルムを剥がした接着剤層の表面に形状保持テープ（積水化学工業社製、商品名：フォルテ）を２ｋｇのローラによって貼り合わせて、２５ｍｍ幅の短冊状に切り取り、支持基材と粘着剤層と接着剤層と形状保持テープとがこの順に積層された試験片を作製した。作製した試験片を（株）東洋精機製作所製のストログラフ（ＶＥ１０）により「支持基材及び粘着剤層」と、「接着剤層及び形状保持テープ」の積層体とに分けて掴み、線速３００ｍｍ／ｍｉｎにて粘着剤層と接着剤層との間の剥離力を測定した。このとき、実施例５は、接着剤層を剥がす前に粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１００ｍｍ）により２００ｍＪ／ｃｍ２照射した。なお、剥離力の単位は［Ｎ／２５ｍｍ］である。また、「支持基材及び粘着剤層」と、「接着剤層及び形状保持テープ」の積層体とに分けて、「支持基材及び粘着剤層」から「接着剤層及び形状保持テープ」を剥離させるのは、接着剤層だけを掴んで剥離すると接着剤層が伸びるためである。
実施例、比較例の各サンプルの接着剤層の離型フィルムを剥がし、離型フィルムを剥がした接着剤層の表面に形状保持テープ（積水化学工業社製、商品名：フォルテ）を２ｋｇのローラによって貼り合わせて、２５ｍｍ幅の短冊状に切り取り、支持基材と粘着剤層と接着剤層と形状保持テープとがこの順に積層された試験片を作製した。作製した試験片を（株）東洋精機製作所製のストログラフ（ＶＥ１０）により「支持基材及び粘着剤層」と、「接着剤層及び形状保持テープ」の積層体とに分けて掴み、線速３００ｍｍ／ｍｉｎにて粘着剤層と接着剤層との間の剥離力を測定した。このとき、実施例５は、接着剤層を剥がす前に粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１００ｍｍ）により２００ｍＪ／ｃｍ２照射した。なお、剥離力の単位は［Ｎ／２５ｍｍ］である。また、「支持基材及び粘着剤層」と、「接着剤層及び形状保持テープ」の積層体とに分けて、「支持基材及び粘着剤層」から「接着剤層及び形状保持テープ」を剥離させるのは、接着剤層だけを掴んで剥離すると接着剤層が伸びるためである。
（ピックアップ性）
上記実施例及び比較例の各サンプルのウェハ加工用テープを、厚み５０μｍのシリコンウェハに７０℃で１０秒間加熱貼合した後、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップにダイシングした。その後、実施例５は、粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０ｃｍ）により２００ｍＪ／ｃｍ２照射した。シリコンウェハ中央部のチップ５０個についてダイボンダー装置（ＮＥＣマシナリー製、商品名：ＣＰＳ－１００ＦＭ）によるピックアップ試験を行い、ピックアップチップ個数でのピックアップ成功率を求めた。その際、ピックアップされた素子において、粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率を算出した。その算出結果を表１に示す。表１中、◎、○、△、×の基準（ピックアップ性の基準）は下記のとおりである。
「◎」…突き上げピンによる突き上げ高さ０．７ｍｍ、０．５ｍｍ、０．３ｍｍにおけるピックアップ成功率が１００％である。
「○」…突き上げ高さ０．７ｍｍ、０．５ｍｍにおけるピックアップ成功率が１００％で、且つ、突き上げ高さ０．３ｍｍにおけるピックアップ成功率が１００％未満である。
「△」…突き上げ高さ０．７ｍｍにおけるピックアップ成功率が１００％で、且つ、突き上げ高さ０．５ｍｍ、０．３ｍｍにおけるピックアップ成功率が１００％未満である。
「×」…突き上げ高さ０．７ｍｍ、０．５ｍｍ、０．３ｍｍにおけるピックアップ成功率が１００％未満である。
上記実施例及び比較例の各サンプルのウェハ加工用テープを、厚み５０μｍのシリコンウェハに７０℃で１０秒間加熱貼合した後、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップにダイシングした。その後、実施例５は、粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０ｃｍ）により２００ｍＪ／ｃｍ２照射した。シリコンウェハ中央部のチップ５０個についてダイボンダー装置（ＮＥＣマシナリー製、商品名：ＣＰＳ－１００ＦＭ）によるピックアップ試験を行い、ピックアップチップ個数でのピックアップ成功率を求めた。その際、ピックアップされた素子において、粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率を算出した。その算出結果を表１に示す。表１中、◎、○、△、×の基準（ピックアップ性の基準）は下記のとおりである。
「◎」…突き上げピンによる突き上げ高さ０．７ｍｍ、０．５ｍｍ、０．３ｍｍにおけるピックアップ成功率が１００％である。
「○」…突き上げ高さ０．７ｍｍ、０．５ｍｍにおけるピックアップ成功率が１００％で、且つ、突き上げ高さ０．３ｍｍにおけるピックアップ成功率が１００％未満である。
「△」…突き上げ高さ０．７ｍｍにおけるピックアップ成功率が１００％で、且つ、突き上げ高さ０．５ｍｍ、０．３ｍｍにおけるピックアップ成功率が１００％未満である。
「×」…突き上げ高さ０．７ｍｍ、０．５ｍｍ、０．３ｍｍにおけるピックアップ成功率が１００％未満である。
（信頼性（リフロー時クラック発生率））
厚み２００μｍのシリコンウェハの裏面に各実施例および各比較例に係るウェハ加工用テープの接着剤層を貼り付け、７．５ｍｍ×７．５ｍｍにダイシングした後、銀メッキ処理されたリードフレーム上に、温度１６０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間１秒の条件でマウントした。更に、封止材（ＫＥ－１０００ＳＶ、京セラケミカル（株）製、商品名）でモールドし、各実施例および各比較例のサンプルを２０個作製した。
各実施例および各比較例の封止後のサンプルを８５℃／６０％ＲＨの恒温恒湿層で１９６時間処理した後、サンプル表面の最高温度が２６０℃で２０秒になるよう設定したＩＲ（赤外線）リフロー炉にサンプルを通し、室温放置により冷却する処理を３回繰り返した。各実施例および各比較例において、上記のような処理を行った２０個のサンプルに対してクラックの有無を観察し、２０個のサンプル中のクラックが発生したサンプルの割合を算出し、リフロー時クラック発生率を信頼性として表１に示した。
なお、クラックの有無を観察する際には、超音波探査装置（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈ：ＳＡＴ）を使用して透過法にて各サンプルを観察し、剥離が見られたものは全てクラックとした。
厚み２００μｍのシリコンウェハの裏面に各実施例および各比較例に係るウェハ加工用テープの接着剤層を貼り付け、７．５ｍｍ×７．５ｍｍにダイシングした後、銀メッキ処理されたリードフレーム上に、温度１６０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間１秒の条件でマウントした。更に、封止材（ＫＥ－１０００ＳＶ、京セラケミカル（株）製、商品名）でモールドし、各実施例および各比較例のサンプルを２０個作製した。
各実施例および各比較例の封止後のサンプルを８５℃／６０％ＲＨの恒温恒湿層で１９６時間処理した後、サンプル表面の最高温度が２６０℃で２０秒になるよう設定したＩＲ（赤外線）リフロー炉にサンプルを通し、室温放置により冷却する処理を３回繰り返した。各実施例および各比較例において、上記のような処理を行った２０個のサンプルに対してクラックの有無を観察し、２０個のサンプル中のクラックが発生したサンプルの割合を算出し、リフロー時クラック発生率を信頼性として表１に示した。
なお、クラックの有無を観察する際には、超音波探査装置（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈ：ＳＡＴ）を使用して透過法にて各サンプルを観察し、剥離が見られたものは全てクラックとした。
Ｂ面：粘着剤から剥離した面
比較例１、２ではピックアップ性に問題があり、比較例２では信頼性も劣った。
これに対し、実施例１～５は剥離力、ピックアップ性、信頼性のいずれも十分であった。本発明のウェハ加工用テープは接着剤層が、粘着剤層に一度貼り合わせた面であっても十分な接着力を有することがわかる。
これに対し、実施例１～５は剥離力、ピックアップ性、信頼性のいずれも十分であった。本発明のウェハ加工用テープは接着剤層が、粘着剤層に一度貼り合わせた面であっても十分な接着力を有することがわかる。
本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。
本願は、２０１１年６月２４日に日本国で特許出願された特願２０１１－１４１２６６に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
１０ ウェハ加工用テープ
１１ 離型ＰＥＴフィルム
１２ 粘着フィルム
１２ａ 支持基材
１２ｂ 粘着剤層
１３ 接着剤層
１１ 離型ＰＥＴフィルム
１２ 粘着フィルム
１２ａ 支持基材
１２ｂ 粘着剤層
１３ 接着剤層
Claims (3)
- 支持基材と粘着剤層と単層の接着剤層とがこの順に積層されたウェハ加工用テープで、前記接着剤層は半導体素子を配線付き外部接続用配線部材または別の半導体素子に圧着するために用いられる接着剤層であって、前記接着剤層の粘着剤層から剥離した面と粘着剤層に接しない面の表面自由エネルギー差が１０ｍＪ／ｍ２以下であることを特徴とするウェハ加工用テープ。
- 前記接着剤層の粘着剤層に接しない面の表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ２以上かつ５０ｍＪ／ｍ２以下であることを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工用テープ。
- 前記接着剤層が、アクリロニトリルを含む懸濁重合による高分子化合物を含有することを特徴とする請求項１または２に記載のウェハ加工用テープ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011800059387A CN103026467B (zh) | 2011-06-24 | 2011-12-08 | 晶片加工用带 |
| KR1020127006085A KR101334449B1 (ko) | 2011-06-24 | 2011-12-08 | 웨이퍼 가공용 테이프 |
| SG2013007414A SG187651A1 (en) | 2011-06-24 | 2011-12-08 | Wafer-processing tape |
| MYPI2013700274A MY184180A (en) | 2011-06-24 | 2011-12-08 | Wafer-processing tape |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011-141266 | 2011-06-24 | ||
| JP2011141266A JP4865926B1 (ja) | 2011-06-24 | 2011-06-24 | ウェハ加工用テープ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2012176351A1 true WO2012176351A1 (ja) | 2012-12-27 |
Family
ID=45781858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2011/078471 WO2012176351A1 (ja) | 2011-06-24 | 2011-12-08 | ウェハ加工用テープ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4865926B1 (ja) |
| KR (1) | KR101334449B1 (ja) |
| CN (1) | CN103026467B (ja) |
| MY (1) | MY184180A (ja) |
| SG (1) | SG187651A1 (ja) |
| TW (1) | TWI387997B (ja) |
| WO (1) | WO2012176351A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130134878A (ko) * | 2012-05-31 | 2013-12-10 | 제일모직주식회사 | 유기발광장치 및 유기발광장치용 점착 필름 |
| JP2014154704A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Hitachi Chemical Co Ltd | ダイシング・ダイボンディング一体型テープ |
| JP5799180B1 (ja) * | 2013-11-19 | 2015-10-21 | 積水化学工業株式会社 | 半導体接合用接着フィルム |
| JP5607847B1 (ja) * | 2013-11-29 | 2014-10-15 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用粘着テープ |
| JP6334197B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2018-05-30 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート、保護膜付きチップ、及び保護膜付きチップの製造方法 |
| JP6265954B2 (ja) * | 2015-09-16 | 2018-01-24 | 古河電気工業株式会社 | 半導体裏面用フィルム |
| CN108352365B (zh) * | 2015-11-04 | 2021-08-10 | 琳得科株式会社 | 保护膜形成用片 |
| JP7280661B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2023-05-24 | 日東電工株式会社 | ダイシングダイボンドフィルム |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005342720A (ja) * | 2005-08-24 | 2005-12-15 | Nitto Denko Corp | クリーニング機能付き搬送部材とこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法 |
| JP2007314636A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Nitto Denko Corp | 粘着シート |
| JP2008244463A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-10-09 | Nitto Denko Corp | 熱硬化型ダイボンドフィルム |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008088411A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-04-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート |
-
2011
- 2011-06-24 JP JP2011141266A patent/JP4865926B1/ja active Active
- 2011-12-08 KR KR1020127006085A patent/KR101334449B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-08 MY MYPI2013700274A patent/MY184180A/en unknown
- 2011-12-08 SG SG2013007414A patent/SG187651A1/en unknown
- 2011-12-08 CN CN2011800059387A patent/CN103026467B/zh active Active
- 2011-12-08 WO PCT/JP2011/078471 patent/WO2012176351A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-01-20 TW TW101102810A patent/TWI387997B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005342720A (ja) * | 2005-08-24 | 2005-12-15 | Nitto Denko Corp | クリーニング機能付き搬送部材とこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法 |
| JP2007314636A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Nitto Denko Corp | 粘着シート |
| JP2008244463A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-10-09 | Nitto Denko Corp | 熱硬化型ダイボンドフィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013008882A (ja) | 2013-01-10 |
| MY184180A (en) | 2021-03-24 |
| SG187651A1 (en) | 2013-03-28 |
| JP4865926B1 (ja) | 2012-02-01 |
| KR20130014046A (ko) | 2013-02-06 |
| TWI387997B (zh) | 2013-03-01 |
| TW201243902A (en) | 2012-11-01 |
| CN103026467B (zh) | 2013-12-11 |
| CN103026467A (zh) | 2013-04-03 |
| KR101334449B1 (ko) | 2013-11-29 |
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| Date | Code | Title | Description |
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|
| ENP | Entry into the national phase |
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|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
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|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11868335 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
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