KR101974257B1 - 접착 필름 및 접착 필름을 이용한 반도체 패키지 - Google Patents

접착 필름 및 접착 필름을 이용한 반도체 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR101974257B1
KR101974257B1 KR1020167033470A KR20167033470A KR101974257B1 KR 101974257 B1 KR101974257 B1 KR 101974257B1 KR 1020167033470 A KR1020167033470 A KR 1020167033470A KR 20167033470 A KR20167033470 A KR 20167033470A KR 101974257 B1 KR101974257 B1 KR 101974257B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive film
film
adhesive
dicing tape
adhesive layer
Prior art date
Application number
KR1020167033470A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170002514A (ko
Inventor
노리유키 키리카에
마사미 아오야마
Original Assignee
후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 filed Critical 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20170002514A publication Critical patent/KR20170002514A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101974257B1 publication Critical patent/KR101974257B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/06—Printing inks based on fatty oils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D179/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
    • C09D179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09D179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/085—Unsaturated polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/255—Polyesters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/3224—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

픽업 불량의 문제를 해결할 수 있고 반도체 패키지의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 접착 필름을 제공한다. 구체적으로는, (A) 비스말레이미드 수지, (B) 라디칼 개시제 및 (C) (메타)아크릴기를 갖는 커플링제를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착 필름. 또한, 이러한 접착 필름을 다이싱 테이프에 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름. 더욱이 이러한 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름을 이용하여 이루어지는 반도체 패키지.

Description

접착 필름 및 접착 필름을 이용한 반도체 패키지{ADHESIVE FILM AND SEMICONDUCTOR PACKAGE USING ADHESIVE FILM}
본 발명은, 비스말레이미드 수지와 메타크릴기 및/또는 아크릴기를 갖는 커플링제를 조합하여 이용하는 것에 의해, 반도체 패키지의 고생산성을 실현하는 것을 특징으로 하는 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지에 관한 것이다.
접착성 수지 조성물은 반도체 패키지 등의 마이크로일렉트로닉스 디바이스의 제조 및 어셈블리 중에서 여러 가지 목적으로 사용된다. 더욱 현저한 용도로는, 리드 프레임 혹은 다른 기체(基體)에 대한 집적 회로 칩과 같은 전자 소자의 본딩 및 회로 패키지의 본딩 또는 프린트 배선판에의 어셈블리를 들 수 있다. 이들 접착 공정에서 접착성 수지 조성물은 피착체와의 경계에 기포(보이드)가 들어가지 않게 유동하여 피착체 사이를 충전하고, 또한, 접착 공정 후의 밀봉이나 리플로우, 실장 공정 등에서의 가열에 의해 보이드가 생기지 않게 하는 것이 요구된다. 보이드가 생긴 디바이스는 상기 경계에서 박리가 생겨버려, 신뢰성이 충분하다고 말할 수 없는 상황이 되어 버린다. 또한, 접착이 충분하지 않으면, 와이어 본딩 불량이 생기거나 밀봉 시에 밀봉 수지가 상기 경계로 진입하거나 한다.
더욱이, 최근에는 반도체 칩의 다단 실장이나 다른 반도체를 적층하거나 접속하거나 하는 3차원 실장이 활발하고, 그에 따라 반도체 제품에 열이 장시간에 걸쳐 가해지는 경향에 있어, 열 이력에 대한 고내성 고신뢰성 접착성 수지 조성물이 요구되고 있다. 이러한 과제에 대하여, 예컨대, 특허문헌 1에는, 글리시딜기 함유 아크릴 공중합체와 고분자량 에폭시 수지에 의한 반도체용 접착 필름이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 특개 2010-028087호 공보 특허문헌 2: 특개 2011-228642호 공보
주제(主劑)로서의 에폭시 수지 및 경화제, 충전제, 시트화제로 이루어지는 접착 필름은 시트화제로서 고분자량 비가교성 폴리머를 배합해야 하기 때문에, 충전제의 함유율을 높일 수 없고, 반도체 패키지의 신뢰성을 확보하기 위해 필요한 경화물 특성(내열성, 흡수성, 열전도성, 도전성 등)을 발현하기 위해서는 재료 설계 시에 큰 제약이 있었다.
한편, 주제로서 비스말레이미드 수지, 라디칼 개시제 및 충전제로 이루어지는 접착 필름은 비스말레이미드 수지가 갖는 높은 내열성과 낮은 흡수성에 더하여 비스말레이미드 수지가 올리고머인 것에 관계없이 시트 형성성을 갖기 때문에 시트화제가 불필요해져, 접착 필름의 수지 성분의 점도를 큰 폭으로 낮출 수 있으므로, 충전제의 함유율을 현저히 높일 수 있는 이점이 있다.
비스말레이미드 수지는 높은 소수성을 갖지만, 그 결과로, 다른 열 경화성 수지와의 상용성이 부족하고, 접착 필름의 수지 성분의 점도 조정이 곤란하였다. 이 때문에, 접착 필름의 표면 택크(점착성)를 억제할 수 없어, 반도체 패키지의 제조 공정에서, 접착 필름을 가진 실리콘 칩을 다이싱 테이프로부터 픽업할 때, 다이싱 테이프로부터 접착 필름을 가진 실리콘 칩을 픽업하지 못하여, 반도체 패키지의 생산 수율이 현저하게 저하하는 문제가 생기고 있었다.
본원 발명은 이러한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 픽업 불량의 문제를 해결할 수 있고, 반도체 패키지의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 접착 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은
(A) 비스말레이미드 수지, (B) 라디칼 개시제 및 (C) (메타)아크릴기를 갖는 커플링제를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착 필름에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 (A) 비스말레이미드 수지의 함유량이 1 ~ 50 질량%이며, 상기 (B) 라디칼 개시제의 함유량이 0.1 ~ 5 질량%이며, 상기 (C) 메타크릴기 및/또는 아크릴기를 갖는 커플링제의 함유량이 0.1 ~ 5 질량%인 것을 특징으로 하는 접착 필름에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 상기 접착 필름을 다이싱 테이프에 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름에 관한 것이다.
더욱이, 본 발명은 상기 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름을 이용하여 이루어지는 반도체 패키지에 관한 것이다.
본원 발명에 의해 픽업 불량의 문제를 해결할 수 있고, 반도체 패키지의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 접착 필름 및 이 접착 필름을 이용한 신뢰성 높은 반도체 패키지를 제조하는 것에 성공하였다.
도 1은 본원 발명의 접착제를 이용하여 이루어지는 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름.
도 2는 도 1과는 다른 형태의 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름의 단면 모식도.
도 3은 접착제층을 갖는 반도체 칩.
도 4는 배선 기판에 실장된 접착제층을 갖는 반도체 칩.
도 5는 본딩 와이어를 개재하여 배선 기판에 실장된 접착제층을 갖는 반도체 칩.
도 6은 반도체 칩을 어긋나게 적층한 접착제층을 갖는 반도체 칩.
도 7은 도 6의 접착제층을 두껍게 하고, 본딩 와이어를 매립하면서 적층한 접착제층을 갖는 반도체 칩.
도 8은 밀봉 수지에 의해 배선 기판과 접착제층을 갖는 반도체 칩을 밀봉한 반도체 패키지.
도 9는 박리 강도 측정 장치.
((A) 비스말레이미드 수지)
본 명세서에서, 「비스말레이미드」 또는 「BMI」란, 2개의 말레이미드 부분이 연결되어 있는 폴리이미드 화합물을 의미한다. 즉, 아래와 같이 일반식 (1)로 나타내는 일반 구조를 갖는 폴리이미드 화합물이다.
일반식 (1)
[화학식 1]
Figure 112016116983885-pct00001
상기 식에서, Q는 치환 또는 비치환의 지방족, 방향족, 헤테로 방향족, 실록산 부위 또는 이들의 조합이다.
더욱이, Q는 탄소수 5 ~ 8의 지환식 탄화수소가 적어도 4개인 탄소수 4 ~ 12의 알킬기로 치환된 구조를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 구조는 긴 암의 알킬 장쇄를 갖기 때문에, 응력 완화 효과가 우수하다. 또한, 지환족 및 지방족으로 형성되어 있기 때문에, 내습성이 우수하다.
그 중에서도, 예컨대, 하기 일반식 (2)로 나타내는 시클로헥산 베이스의 코어와 코어에 부착된 4개의 긴 암을 포함한 구조(이하 명세서 중 「C36」이라 함)가 바람직하다.
일반식 (2)
[화학식 2]
Figure 112016116983885-pct00002
본 발명에 관한 비스말레이미드 수지로는 하기 일반식 (3)과 같은 것을 들 수 있다.
일반식 (3)
[화학식 3]
Figure 112016116983885-pct00003
[화학식 4]
Figure 112016116983885-pct00004
[화학식 5]
Figure 112016116983885-pct00005
[화학식 6]
Figure 112016116983885-pct00006
[화학식 7]
Figure 112016116983885-pct00007
[화학식 8]
Figure 112016116983885-pct00008
그 외의 구조로는, 예컨대, US2010/0113643, US2013/0299747에 기재된 말레이미드 수지로 본원 규정의 구조를 갖는 수지를 들 수 있다. 다만, 상기에 한정되는 것은 아니다.
(A) 비스말레이미드 수지의 함유량으로는 접착 필름 중의 1 ~ 50 질량%의 범위인 것이 바람직하다.
((B) 라디칼 중합 개시제)
라디칼 개시제로는, 열에 의해 라디칼 중합을 개시시키는 것이 가능한 화합물이면 좋고, 특별히 제한되지 않으며, 종래 이용되는 것을 적절히 이용할 수 있다. 예컨대, 1,2-디메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2,6-루티딘, 트리에틸아민, m-히드록시안식향산, 2,4-디히드록시안식향산, p-히드록시페닐아세트산, 4-히드록시페닐프로피온산, 과산화디큐밀이나 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥신 등의 과산화물, 2,3-디메틸-2,3-디페닐부탄, 3,4-디메틸-3,4-디페닐헥산 등을 들 수 있다.
본 발명을 실시할 때 사용하기 위해 기획된 바람직한 라디칼 개시제는 1시간 반감기 온도가 140℃ 이상, 바람직하게는 170℃ 이상이며, 더 바람직하게는 200℃ 이상이다. 또한, 라디칼 개시제의 1시간 반감기 온도는 250℃ 이하가 바람직하다.
(B) 라디칼 중합 개시제의 함유량으로는, 0.1 ~ 5 질량%의 범위인 것이 바람직하다. 라디칼 개시제의 함유량이 0.1 질량% 이상이면 중합 반응이 충분히 진행하고, 5 질량% 이하이면 미반응의 잔류 성분에 의한 픽업 성공률 등의 특성 저하를 충분히 억제할 수 있다.
((C) 커플링제)
본 발명에 있어서, 커플링제는 접착 필름과 피착체의 접합을 용이하게 한다. 원리적으로는, 열 경화성 수지로서 배합하는 (A) 비스말레이미드 수지 및 (B) 라디칼 개시제에 대하여, (C) 커플링제가 화확적으로 반응하고, 접착 필름의 실리콘 웨이퍼에 대한 저온에서의 점착성이 현저하게 손상되지 않는 범위에서 완만하게 가교 하는 것에 의해, 다이싱 테이프와의 박리 강도(필 강도)가 저하함으로써 접착 필름을 가진 실리콘 칩을 용이하게 픽업할 수 있게 된다.
또한, 그 효과는 메타크릴기 및/또는 아크릴기(이하, 「(메타)아크릴기」라고 함)을 갖는 커플링제에 의해서만 발현하는 것이지만, 접착 필름의 실리콘 웨이퍼에 대한 저온에서의 점착성이 현저하게 손상되지 않는 범위에서 완만하게 가교 하는 것이 바람직하기 때문에, (메타)아크릴기를 갖는 커플링제가 바람직하다.
구체적으로는, 본 발명의 그 외의 성분과 호환되는 것을 사용할 수 있다. 또한, 라디칼 경화 반응에 관여하는 것을 사용하여도 좋다. 예컨대, 머캅토실란계, 아크릴계,γ-머캅토프로필트리메톡시실란,γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란,γ-아미노프로필트리메톡시실란 및 비닐트리메톡시실란을 들 수 있다. 실리케이트에스테르, 금속 아크릴레이트염(예컨대, 알루미늄(메타)아크릴레이트), 티타네이트(예컨대, 티타늄(메타)아크릴옥시에틸아세트아세테이트트리이소프로폭사이드), 또는 공중합 가능한 기와 키레이팅 리간드를 포함하는 화합물(예컨대, 포스핀, 메르캅탄, 아세트아세테이트 및 그 외 동종의 것)을 들 수 있다.
몇몇 실시형태에서는, 커플링제는 공중합 가능한 작용기(예컨대, 비닐기, 아크릴레이트기, 메타아크릴레이트기 및 동종의 것)와 실리케이트에스테르 작용기의 양자를 갖는다. 커플링제의 실리케이트에스테르 부분은 피착체나 후술하는 필러가 금속일 때, 그 표면에 존재하는 금속 수산화물과 축합할 수 있다. 한편, 공중합 가능한 작용기는 본 발명의 접착 필름의 다른 반응 가능한 성분과 공중합할 수 있다.
(메타)아크릴기를 갖는 커플링제는 0.1 질량% ~ 5 질량%의 범위에서 첨가할 수 있고, 0.1 ~ 1 질량% 첨가하는 것이 더 바람직하다. (메타)아크릴기를 갖는 커플링제의 함유량이 0.1 질량% 이상이면, 가교 반응이 충분히 진행하고, 5 질량% 이하이면 미반응의 잔류 성분에 의한 픽업 성공률 등의 특성 변화를 충분히 억제할 수 있다.
(고분자 성분)
본 발명에 있어서, 필름 형상으로 형성하기 쉽게 하기 위해 고분자 성분을 포함하여도 좋다.
또한, 고분자 성분은 응력 완화성에 더욱 기여할 수도 있다. 고분자 성분은 취급이 용이하고, 경화성 수지와의 적합성을 갖는 것이면 좋다. 바람직한 고분자 성분의 예로는, 소수성이며 톨루엔에 가용인 열가소성 수지를 들 수 있다. 경화성 수지와의 적합성을 갖는 경우, 열가소성 수지와 경화성 수지의 양쪽 모두는 같은 용매에 가용인 경우가 생각되고, 이러한 용매로는, 예컨대, 방향족 용매를 들 수 있다. 유용한 용매의 예로는 톨루엔 및 크실렌을 들 수 있다.
소수성이고, 톨루엔에 가용인 열가소성 수지로는, 예컨대, 스티렌과 부타디엔 블록 공중합체, 스티렌 이소프렌 블록 공중합체, 스티렌 부타디엔 이소프렌의 혼합물의 블록 공중합체이다. 본 발명에 유용한 스티렌과 부타디엔의 블록 공중합체는 디블록 공중합체여도 좋고, 서로 공유결합한 스티렌 폴리머의 세그먼트와 부타디엔 폴리머의 세그먼트를 갖는다. 본 발명에 유용한 스티렌과 부타디엔의 블록 공중합체는 트리블록 공중합체여도 좋고, 2개의 스티렌 폴리머 세그먼트와 1개의 부타디엔 폴리머 세그먼트를 갖고, 스티렌 폴리머의 각 세그먼트는 부타디엔 폴리머의 세그먼트와 공유결합하고 있다.
본 발명에 유용한 추가의 스티렌과 부타디엔의 블록 공중합체는 부타디엔 세그먼트에 수소가 첨가되어 있는 스티렌과 부타디엔의 블록 공중합체여도 좋다. 또한, 스티렌 폴리머의 세그먼트와 부타디엔 폴리머의 세그먼트와 메타크릴레이트 에스테르 폴리머의 세그먼트를 갖는 트리블록 공중합체라도 좋다. 스티렌 블록 공중합체 이외에는, 폴리아미드산, 폴리아미드산에스테르, 폴리아미드산아미드 등의 폴리이미드 전구체, 폴리 THF, 카르복시 말단 부타디엔아크릴로니트릴 고무, 폴리프로필렌글리콜도 바람직하다. 더욱이 페녹시, 아크릴 고무, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르, 폴리설폰, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리실록산, 폴리아세트산비닐/폴리비닐에스테르, 폴리올레핀, 폴리시아노아크릴레이트 등의 고분자 성분으로, 경화성 수지와의 적합성을 갖는 것이면, 적절히 사용할 수 있다. 또한, 반응성의 2중 결합을 구비하는 폴리머 세그먼트가 포함되는 열가소성 수지는 래디컬로 활성화된 경화 프로세스 동안에 경화성 수지와 반응할 수 있다.
고분자 성분의 질량 평균 분자량이 10,000 이상이면 필름 형성의 용이성이 우수하다. 또한, 질량 평균 분자량이 1,000,000 이하이면, 내습성 및 필름을 피착체에 접합할 때의 유동성이 우수하고, 200,000 이하가 더 바람직하고, 100,000 이하가 더더욱 바람직하다. 질량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정할 수 있다(표준 폴리스티렌에 의한 환산). 특정의 실시형태에서는, 고분자 성분의 배합 비율은 필름 중의 수지 성분의 전체 질량에 근거하여 5 질량% 이상이면 필름 형성의 용이성이 우수하다. 또한, 50 질량% 이하이면, 내습성 및 필름을 피착체에 접합할 때의 유동성이 우수하고, 40 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 30 질량% 이하가 더더욱 바람직하다.
((A) 이외의 임의의 경화성 성분)
본 발명에 있어서, 비스말레이미드 수지 이외의 경화성 성분을 함유해도 좋다. 경화성 성분으로는 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 분자 내에 아미드 결합을 갖는 (메타)아크릴레이트 화합물, 산변성(酸變姓) (메타)아크릴레이트, 비스페놀 A계 (메타)아크릴레이트, 다가(多價) 알코올에 α,β-불포화 카복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물, 글리시딜기 함유 화합물에 α,β-불포화 카복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물, 분자 내에 우레탄 결합을 갖는 (메타)아크릴레이트 화합물 등의 우레탄 모노머 또는 우레탄 올리고머를 들 수 있고, 이들 외에도, 노닐페녹시폴리옥시에틸렌아크릴레이트, γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시알킬-β'-(메타)아크릴로일옥시알킬-o-프탈레이트 등의 프탈산계 화합물, (메타)아크릴산알킬에스테르, EO 변성 노닐페닐(메타)아크릴레이트 등을 예시할 수 있다.
1개의 실시형태에서는, 이소시아누레이트 환(環)을 갖는 화합물을 이용할 수 있다. 다른 실시형태에서는, 테트라하이드로퓨란 구조를 갖는 화합물을 이용할 수 있다. 이들은 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 특정의 실시형태에서는, 경화성 수지 이외의 경화성 성분의 배합 비율은 필름 중의 수지 성분의 전체 질량에 근거하여 2 질량% 이상이면 필름을 피착체에 접합 할 때의 유동성이나 경화성을 향상시키는 점에서 우수하다. 또한, 필름의 응력 완화성의 관점에서 50 질량% 이하가 바람직하다.
(필러)
본 발명에 있어서, 필러를 함유하여도 좋다. 필러를 넣는 것에 의해, 필러에 따른 기능을 접착 필름에 부여할 수 있다. 한편, 필러를 넣지 않은 경우는 필름의 응력 완화성과 유동성이 높은 점에서 우수하다. 필러는 유기 필러, 무기 필러 또는 금속 필러가 있다. 유기 필러는 필름에 인성을 부여할 수 있는 점에서 바람직하고, 예컨대, 아크릴, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 포리에스테르이미드, 나일론, 실리콘 등의 필러를 들 수 있다. 무기 필러 또는 금속 필러는 취급성 향상, 열전도성 향상, 도전성 부여, 용융 점도의 조정 및 틱소트로피성 부여 등을 향상시킬 수 있다. 금속 필러로는, 특별히 제한은 없고, 예컨대, 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 인듐, 주석 등 및 그들의 합금 등을 사용할 수 있다. 무기 필러로는, 특별히 제한은 없고, 예컨대, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 알루미나, 질화알루미늄, 붕산알루미늄위스커, 질화붕소, 결정성 실리카, 비정성(非晶性) 실리카 등을 들 수 있고, 필러의 형상에 대해서도 특별히 제한은 없다. 이러한 필러는 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
용해 점도 조정이나 내열성 부여의 목적으로, 알루미나, 실리카, 수산화알루미늄 등이 바람직하고, 범용성에서 실리카가 더 바람직하다. 접착 필름을 얇게 할 수 있고, 또한 높은 비율로 필러를 함유할 수 있다고 하는 점에서 실리카는 구 형상 실리카인 것이 바람직하다.
(플럭스)
필러가 도전성을 갖는 경우에는, 접착 필름이 플럭스를 함유하고 있는 것이 바람직하다. 플럭스는 도전성의 필러의 표면 산화막을 제거하는데 도움이 된다. 플럭스로는 경화성 수지나 그 외의 경화성 수지의 경화 반응을 저해하지 않는 화합물이면 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 예컨대, 다가 알코올, 카복실산, 무기산, 알칸올아민류, 페놀류, 로진, 염화물 화합물 및 그 염, 할로겐화 화합물 및 그 염 등을 들 수 있다. 플럭스는 1종만을 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.
특정의 실시형태에서, 플럭스는 카복실산과 제3급 아민의 염 또는 혼합물을 포함하여 구성되고, 잠재성을 가질 수 있다. 다른 실시형태에서는, 플럭스가 접착 필름의 열처리 종료 시에 불활성으로 될 수 있고, 그 경우 플럭스의 작용기와 경화성 수지가 반응하여 결합되는 것에 의해 불활성화된다.
(그 외 임의 성분)
다른 실시형태에 있어서, 예컨대, 가소제, 기름, 안정화제, 산화 방지제, 부식 방지제, 인히비터, 킬레이트제, 안료, 염료, 고분자 첨가물, 소포제, 방부제, 증점제, 레올로지 조정제, 보습제, 점착성 부여제, 분산제 및 물 등의 1종 이상의 첨가제를 더더욱 포함해도 좋다.
(접착 필름의 제조 방법)
본 발명의 접착 필름은 (A) 비스말레이미드 수지, (B) 라디칼 개시제, (C) 메타크릴기 및/또는 아크릴기를 갖는 커플링제를, 용매(예컨대, 크실렌, 사이클로펜타논 등)에 용해·균일 분산시키는 것에 의해 얻은 접착제 조성물 바니스를, 커버 필름 형상의 소정 두께로 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 해당 도포막을 소정 조건 하에서 건조시키는 것에 의해 제조할 수 있다. 도포 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로는, 예컨대, 건조 온도 70 ~ 160℃, 건조 시간 1 ~ 5분간의 범위 내에서 행해진다. 커버 필름으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등이 사용 가능하다.
접착 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 ~ 300㎛이며, 피착체끼리의 층간을 접착하는 경우에는 5 ~ 60㎛가 바람직하고, 응력 완화성이 요구되는 경우에는 60 ~ 200㎛가 바람직하다.
또한, 상기 접착 필름은 다이싱 테이프 상에 적층하는 형태로 조합하는 것에의해, 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름으로서 바람직하게 이용할 수 있다. 다이싱 테이프란, 주로 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 집적 회로나 패키지 등을, 다이싱 블레이드에 의해 웨이퍼를 절삭하여 잘라내는 개편화(個片化) 공정에 이용되는 테이프이다.
접착 필름이 라디칼 경화성이므로, 웨이퍼 접착 부분에 미리 방사선 조사한 방사선화형의 점착제층, 또는 감압형의 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와 조합할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 관한 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름의 단면 모식도이다.
도 1에는, 다이싱 테이프(11) 상에 접착 필름(105)이 적층된 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름(10)의 구조를 나타내고 있다. 다이싱 테이프(11)는 기재(101) 상에 점착제층(103)을 적층하여 구성되어 있고, 접착 필름(105)은 그 점착제층(103) 상에 마련되어 있다. 도 2에 나타내는 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름(3)과 같이, 워크 접착 부분에만 접착층(2)을 형성한 구성이어도 좋다.
상기 기재(1)는 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름(10)의 강도 모체로 되는 것이고, 자외선 투과성을 갖는 것, 확장했을 때에 확장성을 갖는 것이 바람직하다. 예컨대, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르(랜덤, 상호) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프타레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리페닐설파이드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 상기 수지의 가교체, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.
기재(101)의 표면은 밀착성, 보관 유지성 등을 높이기 위해, 통상의 표면 처리, 예컨대, 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예컨대, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.
기재(101)는 동종 또는 이종의 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있고 필요에 따라 여러 종류를 혼합한 것을 이용할 수도 있다. 또한, 이종의 층을 적층한 것을 이용할 수도 있다.
기재(101)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로는 50 ~ 200㎛ 정도이다.
점착제층(103)의 형성에 이용하는 점착제로는 특별히 제한되지 않고, 예컨대, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 접착제를 이용할 수 있다.
점착제층(103)의 형성에 이용하는 점착제로는 방사선 경화형 점착제를 이용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는 자외선 등의 방사선 조사에 의해 가교도를 증대시켜 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다.
방사선 경화형 점착제는 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 작용기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별한 제한없이 사용할 수 있다. 예컨대, 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 예로 들 수 있다.
배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로는, 예컨대, 우레탄 올리고머, 우레탄(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 방사선 경화성의 올리고머 성분으로는 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러 가지의 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100 ~ 30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은 상기 점착제층의 종류에 따라 적절히 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여, 예컨대, 5 ~ 500 질량부, 바람직하게는 40 ~ 150 질량부 정도이다.
또한, 방사선 경화형 점착제로는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화형 점착제 외에, 베이스 폴리머로서 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 것을 이용한 내재형 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형 방사선 경화형 점착제는 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 많게는 포함하지 않으므로, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 내를 이동하거나 접착 필름(105)으로 이동하지 않기 때문에 바람직하다.
또한, 방사선 경화형 점착제로는, 예컨대, 특개 소60-196956호 공보에 개시되고 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과 카르보닐 화합물, 유기 유황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.
점착제층(103)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1 ~ 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 ~ 30㎛, 더욱이는 5 ~ 25㎛가 바람직하다.
도 1은 이러한 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름을 이용한 반도체 장치의 구성 및 제조 방법을 간결하게 예시하는 것이다.
구체적으로는, 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름(10)에 있어서의 접착 필름(105)의 반도체 웨이퍼 접착 부분 상에, 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이것을 접착시켜 고정한다(접착 공정). 본 공정은 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다.
＜반도체 패키지의 제조 방법＞
도면을 참조하면서 본 발명에 있어서의 반도체 패키지 제조 방법의 바람직한 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명 및 도면 중 동일 또는 상당하는 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복하는 설명은 생략한다. 도 3 내지 도 9는 본 발명의 반도체 패키지 제조 방법의 각 공정의 바람직한 일 실시형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
본 발명의 반도체 패키지 제조 방법에서는, 우선, 제 1 공정으로서, 도 2에 나타내는 바와 같이, 표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 웨이퍼(1)의 이면에, 상기 본 발명의 접착 필름을 열 압착하여 접착제층(2)를 마련하고, 그 다음에, 웨이퍼(1)와 다이싱 테이프(3) 사이에 접착제층(2)을 개재하여 마련한다. 이때, 접착제층(2)과 다이싱 테이프(3)가 일체화된 제품을 한 번에 열 압착하여도 좋다. 웨이퍼(1)로는, 표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 웨이퍼를 적절히 이용할 수 있고, 예컨대, 실리콘 웨이퍼, SiC 웨이퍼, GaS 웨이퍼를 들 수 있다. 접착제층(2)으로는, 상기 본 발명의 접착 필름을 1층의 단독으로 이용해도 2층 이상을 적층하여 이용해도 좋다. 이러한 접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 마련하는 방법으로는, 상기 접착 필름을 웨이퍼(1)의 이면에 적층시킬 수 있는 방법을 적절히 채용할 수 있고, 웨이퍼(1)의 이면에 상기 접착 필름을 접합시킨 후, 2층 이상을 적층하는 경우에는 소망의 두께로 될 때까지 순차로 접착 필름을 적층시키는 방법이나, 접착 필름을 미리 목적의 두께로 적층한 후에 웨이퍼(1)의 이면에 접합시키는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 이러한 접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 마련할 때에 이용하는 장치로는 특별히 제한되지 않고, 예컨대, 롤 라미네이터, 매뉴얼 라미네이터와 같은 공지의 장치를 적절히 이용할 수 있다.
다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에서는, 제 2 공정으로서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(4)과 접착제층(2)을 동시에 다이싱하는 것에 의해 반도체 칩(4)과 접착제층(2)을 구비하는 접착제층을 갖는 반도체 칩(5)를 얻는다. 다이싱 테이프(3)로는 특별히 제한되지 않고, 적절하게 공지의 다이싱 테이프를 이용할 수 있다. 더욱이, 다이싱에 이용하는 장치도 특별히 제한되지 않고, 적절하게 공지의 다이싱 장치를 이용할 수 있다.
또한, 웨이퍼(1)를 세세하게 자른 것을 칩(4)으로 구분하여 부르는 것으로 한다.
다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에서는, 제 3 공정으로서, 도 4에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(3)로부터 접착제층(2)을 픽업하고, 접착제층을 갖는 반도체 칩(5)과 배선 기판(6)을 접착제층(2)을 사이에 두고 열 압착시켜 배선 기판(6)에 접착제층을 갖는 반도체 칩(5)을 실장한다. 배선 기판(6)으로는, 표면에 반도체 회로가 형성된 기판을 적절히 이용할 수 있고, 예컨대, 프린트 회로 기판(PCB), 각종 리드 프레임 및 기판 표면에 저항 소자나 콘덴서 등의 전자 부품이 탑재된 기판을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 성분(A) 및 성분(B)에 대하여, 성분(C)가 화학적으로 반응하고, 접착제층(2)의 웨이퍼(1)에 대한 점착성이 현저히 손상되지 않는 범위에서 완만하게 가교하는 것에 의해, 접착제층(2)과 다이싱 테이프(3) 사이의 박리 강도가 저하하는 것에 의해, DAF 잔류(픽업 후, 웨이퍼(1)로부터 박리된 접착층(2)이 다이싱 테이프(3) 상에 잔류하는 현상)가 발생하지 않아, 접착제층을 갖는 반도체 칩(4)을 용이하게 픽업할 수 있게 된다.
이러한 배선 기판(6)에 접착제층을 갖는 반도체 칩(5)를 실장하는 방법으로는 특별히 제한되지 않고, 접착제층(2)을 이용하여 접착제층을 갖는 반도체 칩(5)을 배선 기판(6) 또는 배선 기판(6)의 표면 상에 탑재된 전자 부품에 접착시킬 수 있는 종래의 방법을 적절히 채용할 수 있다. 이러한 실장 방법으로는, 상부로부터의 가열 기능을 갖는 플립 칩 본더를 이용한 실장 기술을 이용하는 방법, 하부로부터의 가열 기능만을 갖는 다이 본더를 이용하는 방법, 라미네이터를 이용하는 방법 등의 종래 공지의 가열, 가압 방법을 들 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 필름 형상 접착제로 이루어지는 접착제층(2)을 개재하여 접착제층을 갖는 반도체 칩(5)을 배선 기판(6) 상에 실장하는 것에 의해, 전자 부품에 의해 생기는 배선 기판(6) 상의 요철에 상기 필름 형상 접착제를 추종시킬 수 있기 때문에, 웨이퍼(1)와 배선 기판(6)을 밀착시켜 고정하는 것이 가능해진다.
다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에서는, 제 4 공정으로서, 상기 접착 필름을 열 경화한다. 상기 열 경화의 온도로는, 상기 접착 필름의 열 경화 개시 온도 이상이면 특별히 제한이 없고, 사용하는 수지의 종류에 따라 다른 것이므로, 특정할 수 있는 것은 아니지만, 예컨대, 100 ~ 180℃인 것이 바람직하고, 보다 고온에서 경화하는 편이 단시간에 경화 가능하다고 하는 관점에서, 140 ~ 180℃인 것이 더욱 바람직하다. 온도가 열 경화 개시 온도 미만이면, 열 경화가 충분히 진행되지 않아, 접착제층(2)의 강도가 저하하는 경향이 있고, 한편으로, 상기 상한을 초과하면, 경화 과정 중에 필름 형상 접착제 중의 첨가제 등이 휘발하여 발포하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 상기 경화 처리의 시간으로는, 예컨대, 10 ~ 120분 사이인 것이 바람직하다.
다음에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 배선 기판(6)과 접착제층을 갖는 반도체 칩(5)을 본딩 와이어(7)를 통해 접속하는 것이 바람직하다. 이러한 접속 방법으로는 특별히 제한되지 않고, 종래 공지의 방법, 예컨대, 와이어 본딩 방식, TAB(Tape Automated Bonding) 방식 등을 적절히 채용할 수 있다.
또한, 탑재된 반도체 칩(4) 표면에, 다른 반도체 칩(4)을 열 압착, 열 경화하고, 재차 와이어 본딩 방식에 의해 배선 기판과 접속하는 것에 의해, 복수 개 적층할 수도 있다. 예컨대, 도 6에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩을 어긋나게 하여 적층하는 방법, 혹은 도 7에 나타내는 바와 같이, 2층째의 접착제층(2)을 두껍게 하는 것에 의해, 본딩 와이어(7)를 매립하면서 적층하는 방법 등이 있다.
본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에서는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 밀봉 수지(8)에 의해 배선 기판(6)과 접착제층을 갖는 반도체 칩(5)을 밀봉하는 것이 바람직하고, 이와 같이 하여 반도체 패키지(9)를 얻을 수 있다. 밀봉 수지(8)로는 특별히 제한되지 않고, 반도체 패키지의 제조에 이용할 수 있는 적절한 공지의 밀봉 수지를 이용할 수 있다. 또한, 밀봉 수지(8)에 의한 밀봉 방법도 특별히 제한되지 않고, 적절한 공지의 방법을 채용하는 것이 가능하다.
(실시예)
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 해당 실시예에 전혀 한정되는 것은 아니다.
[실시예, 비교예]
표 2에 나타내는 각 성분에 대하여, 적당량의 용매를 배합한 바니스를 50㎛ 두께의 PET 필름으로 이루어지는 커버 테이프에 도포하고, 건조하여 두께 50㎛의 필름 형상 접착제 조성물을 형성한 후, 다이싱 테이프와 접합시켜 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름을 제조하였다.
또, 각 성능의 평가 방법은 이하와 같다.
(다이싱 테이프와 접착 필름 간의 박리 강도 측정)
각 샘플에 있어서의 다이싱 테이프와 접착 필름 간의 박리 강도를 JIS-Z0237에 근거하여 측정했다. 표준 상태(온도 23℃, 상대 습도 50%)에서, 도 9에 나타내는 슬라이드판(201)에 고정용 양면 테이프(103)를 통해 접착 필름(105)을 접합하고, 다이싱 테이프(11)의 선단부를 상부 척(203)으로 고정한 후, 박리 각도 90˚, 박리 속도 50㎜/min로 박리하고, 다이싱 테이프와 접착 필름 간의 박리 강도를 구하였다.
(픽업 성공률과 웨이퍼 라미네이트 가능 최저 온도)
7.5×7.5㎜로 다이싱된 접착 필름을 가진 실리콘 칩을, 다이 본딩 장치(히타치 하이테크사제, 상품명 DB-800)를 이용하여, 푸시업 핀 수: 5개, 푸시업 높이: 300㎛, 푸시업 후 홀딩 시간: 300msec에서 100회 픽업을 실시하여, 픽업 성공률을 산출했다. 또한, 웨이퍼 라미네이트 가능 최저 온도는, 우선, 메뉴얼 웨이퍼 마운터(테크노비전사제, 상품명 FM-114)를 이용하여, 미리 소정 온도로 가열된 미러 웨이퍼(8인치×730㎛ 두께)의 표면에, 20×100㎜로 잘라낸 접착 필름을, 롤러 압력 0.3MPa, 롤러 속도 10㎜/sec로 적층하였다. 냉각 후, 실온에서 접착 필름 표면의 커버 필름을 박리하고, 기포가 들어가지 않도록 주의하면서 접착 필름과 동일 크기의 점착 테이프(테라오카제작소사제, 상품명 스프라이징 테이프 No.642)를 접합하고, 점착 테이프를 박리시켰을 때, 접착 필름이 미러 웨이퍼의 표면으로부터 박리되지 않게 되는 온도를 웨이퍼 라미네이트 가능 최저 온도로서 구하였다. 또한, 온도는 적층 시의 미러 웨이퍼 표면의 실측 온도이며, 이것을 10℃마다 변경하여, 접착 필름이 미러 웨이퍼의 표면으로부터 박리되지 않게 되는 최저 온도를 구하였다. 그러한 결과를 표 1의 기준으로 판정하였다.
[표 1]
Figure 112016116983885-pct00009
또한, 사용한 각 성분 및 다이싱 테이프의 상세는 이하와 같다.
(1) 절연성 입자:
구 형상 실리카(덴카사제 상품명 FB-3 SDX 평균 입경 3㎛)
(2) 도전성 입자:
구 형상 구리 분말(Ormet사제 상품명 F2020 평균 입경 3㎛)과 구 형상 땜납 분말(미츠이금속광업사제 상품명 ST-3 평균 입경 3㎛)의 혼합물
(3) 비스말레이미드 수지:
하기 화학식 9를 만족하는 구조(n = 1 ~ 20), 겔 형상.
[화학식 9]
Figure 112016116983885-pct00010
(4) 라디칼 개시제
디메틸디페닐부탄(일본유지제 상품명 Nofmer BC-90 10시간 반감 온도 210℃)
(5) 커플링제:
메타크릴옥시실란(신에츠실리콘사제 상품명 KBM-503 화학명 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란)
아크릴옥시실란(신에츠실리콘사제 상품명 KBM-5103 화학명 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란)
에폭시실란(신에츠실리콘사제 상품명 KBM-403 화학명 3-그리시드옥시프로필트리메톡시실란)
아미노실란(신에츠실리콘사제 상품명 KBM-573 화학명 n-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란)
(6) 다이싱 테이프:
이하의 방법에 따라 제조된 다이싱 테이프.
＜점착 필름의 제조 방법＞
(점착제층 조성물)
아크릴산2-에틸헥실 77질량부, 2-히드록시프로필아크릴레이트 23질량부를 중합시키고, 중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체에 경화제로서 폴리이소시아네이트 3 중량부를 첨가 혼합하여, 점착제층 조성물로 하였다.
(다이싱 테이프)
제작한 점착제층 조성물을 건조 막 두께가 10㎛로 되도록 이형 필름을 이루는 PET 필름으로 도포하고, 120℃로 3분간 건조하였다. 이 PET 필름에 도공한 점착제층 조성물을, 지지 기재인 두께 100㎛의 폴리프로필렌-엘라스토머(PP:HSBR=80:20의 엘라스토머) 수지 필름 형상으로 전사시키는 것에 의해 DC 테이프를 제작하였다.
또, 폴리프로필렌(PP)은 일본폴리켐주식회사제의 노바텍 FG4(상품명)를 이용하여, 수소 첨가 스티렌부타디엔(HSBR)은 JSR 주식회사제의 다이나론 1320P(상품명)를 이용하였다. 또한, PET 필름은 실리콘 이형 처리된 PET 필름(테이진: 뷰렉스 S-314(상품명), 두께 25㎛)를 이용하였다.
[표 2]
Figure 112016116983885-pct00011
실시예 1 내지 4에서, 높은 픽업 성공률을 나타내었다. 특히, 실시예 2는 아크릴옥시실란계 커플링제의 적량 첨가에 의해 화학적인 반응이 적절히 진행된 것으로, 실리콘 웨이퍼에의 저온 접합성을 현저히 손상시키지 않는 우수한 픽업성을 나타내었다.
또한, 접착 필름의 기능 발현을 위해 충전제 함유율을 큰 폭으로 높인 실시예 5에서도, 아크릴옥시실란계 커플링제를 적절히 첨가하는 것에 의해, 실시예 2와 마찬가지의 현저한 효과가 확인되었다.
101 … 기재
103 … 점착제층
105 … 접착 필름(열 경화형 접착 필름)
1 … 반도체 웨이퍼
2 … 접착제층
3 … 다이싱 테이프
4 … 반도체 칩
5 … 접착제층을 갖는 반도체 칩
6 … 배선 기판
7 … 본딩 와이어
8 … 밀봉 수지
9 … 반도체 패키지
10 … 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름
11 … 다이싱 테이프
201 … 슬라이드판
203……상부 척

Claims (4)

  1. 접착 필름으로서,
    (A) 비스말레이미드 수지, (B) 라디칼 개시제, (C) (메타)아크릴기를 갖는 커플링제 및 (D) 충전제를 포함하고,
    접착 필름 중 상기 (A) 비스말레이미드 수지의 함유량이 1 ~ 49.8 질량%이고, 상기 (B) 라디칼 개시제의 함유량이 0.1 ~ 5 질량%이며, 상기 (C) 메타크릴기 및/또는 아크릴기를 갖는 커플링제의 함유량이 0.1 ~ 5 질량%이며, 상기 (D) 충전제의 함유량이 50~94 질량%인 것을 특징으로 하는 접착 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (B) 라디칼 개시제는 1시간 반감기 온도가 200~250℃인 것을 특징으로 하는 접착 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 기재된 접착 필름을, 다이싱 테이프에 적층하여 이루어진 것을 특징으로 하는, 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름.
  4. 제3항에 기재된 다이싱 테이프를 갖는 접착 필름을 이용하여 이루어진 반도체 패키지.
KR1020167033470A 2014-08-29 2015-08-10 접착 필름 및 접착 필름을 이용한 반도체 패키지 KR101974257B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-176257 2014-08-29
JP2014176257 2014-08-29
PCT/JP2015/072714 WO2016031553A1 (ja) 2014-08-29 2015-08-10 接着フィルム及び接着フィルムを用いた半導体パッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170002514A KR20170002514A (ko) 2017-01-06
KR101974257B1 true KR101974257B1 (ko) 2019-04-30

Family

ID=55399450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167033470A KR101974257B1 (ko) 2014-08-29 2015-08-10 접착 필름 및 접착 필름을 이용한 반도체 패키지

Country Status (10)

Country Link
US (1) US10115707B2 (ko)
EP (1) EP3187557B1 (ko)
JP (1) JP6395730B2 (ko)
KR (1) KR101974257B1 (ko)
CN (1) CN106471077B (ko)
MY (1) MY179367A (ko)
PH (1) PH12017500374A1 (ko)
PT (1) PT3187557T (ko)
SG (1) SG11201608083QA (ko)
WO (1) WO2016031553A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6518902B2 (ja) * 2016-05-31 2019-05-29 積水ポリマテック株式会社 熱伝導性部材、熱伝導性組成物および熱伝導性組成物の製造方法
CN110582841B (zh) * 2017-05-16 2023-08-22 迪睿合株式会社 底部填充材料、底部填充薄膜及使用其的半导体装置的制备方法
US10563014B2 (en) * 2017-09-11 2020-02-18 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Dielectric film forming composition
JP7201342B2 (ja) * 2018-06-06 2023-01-10 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2019220550A (ja) 2018-06-19 2019-12-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
WO2020035906A1 (ja) * 2018-08-14 2020-02-20 日立化成株式会社 接着剤組成物及び半導体装置の製造方法
CN109776797B (zh) * 2018-08-16 2021-08-13 上海紫剑化工科技有限公司 一种聚酰亚胺、硅负极极片及其制备方法和应用
CN110021548B (zh) * 2019-04-03 2020-09-11 江苏纳沛斯半导体有限公司 一种减少芯片切割边缘崩边的工艺

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009111276A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Namics Corp ダイボンディング用熱硬化性フィルム及びこれを用いた半導体装置の製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0616524B2 (ja) 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPH11209713A (ja) * 1998-01-20 1999-08-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JP5328006B2 (ja) * 2003-05-05 2013-10-30 デジグナー モレキュールズ インコーポレイテッド イミド−リンクしたマレインイミドおよびポリマレインイミド化合物
US7160946B2 (en) * 2004-04-01 2007-01-09 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Method to improve high temperature cohesive strength with adhesive having multi-phase system
US7691475B2 (en) * 2006-07-21 2010-04-06 3M Innovative Properties Company Anisotropic conductive adhesives
JP4967761B2 (ja) * 2007-03-30 2012-07-04 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物および樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
US8431655B2 (en) 2007-04-09 2013-04-30 Designer Molecules, Inc. Curatives for epoxy compositions
US20100113643A1 (en) 2007-04-09 2010-05-06 Designer Molecules, Inc. Curatives for epoxy adhesive compositions
JP2010539293A (ja) * 2007-09-13 2010-12-16 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 低温結合電子接着剤
WO2009067113A1 (en) * 2007-11-20 2009-05-28 Henkel Ag & Co. Kgaa Low-voiding die attach film, semiconductor package, and processes for making and using same
US20110018127A1 (en) * 2008-03-31 2011-01-27 Byoungchul Lee Multilayer UV-Curable Adhesive Film
US7851930B1 (en) * 2008-06-04 2010-12-14 Henkel Corporation Conductive adhesive compositions containing an alloy filler material for better dispense and thermal properties
JP5303326B2 (ja) 2008-06-18 2013-10-02 積水化学工業株式会社 接着フィルム、ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体装置の製造方法
JP2010059387A (ja) * 2008-08-04 2010-03-18 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP2011001473A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 Hitachi Chem Co Ltd 電子部品用絶縁材料
JP2011228642A (ja) 2010-03-31 2011-11-10 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
WO2012160916A1 (ja) * 2011-05-20 2012-11-29 日立化成工業株式会社 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP6065604B2 (ja) * 2013-01-22 2017-01-25 日立金属株式会社 接着剤ワニス、接着フィルム、及び配線フィルム

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009111276A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Namics Corp ダイボンディング用熱硬化性フィルム及びこれを用いた半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
PH12017500374B1 (en) 2017-07-17
WO2016031553A1 (ja) 2016-03-03
MY179367A (en) 2020-11-05
CN106471077B (zh) 2020-02-28
EP3187557A1 (en) 2017-07-05
EP3187557B1 (en) 2023-09-13
JP6395730B2 (ja) 2018-09-26
PH12017500374A1 (en) 2017-07-17
JPWO2016031553A1 (ja) 2017-04-27
SG11201608083QA (en) 2016-11-29
EP3187557A4 (en) 2018-04-18
KR20170002514A (ko) 2017-01-06
US10115707B2 (en) 2018-10-30
PT3187557T (pt) 2023-12-19
US20170152408A1 (en) 2017-06-01
CN106471077A (zh) 2017-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101974257B1 (ko) 접착 필름 및 접착 필름을 이용한 반도체 패키지
KR102143744B1 (ko) 수지막 형성용 복합 시트
KR101807807B1 (ko) 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름
KR101492629B1 (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
KR101961996B1 (ko) 접착 필름
JP5089560B2 (ja) 半導体チップ積層体および半導体チップ積層用接着剤組成物
JP5364991B2 (ja) 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シート及び半導体装置
US20080124839A1 (en) Adhesive Composition, Adhesive Sheet and Production Process for Semiconductor Device
WO2010137443A1 (ja) 回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法
TWI669363B (zh) Reagent composition, adhesive sheet, and method of manufacturing semiconductor device
JP6348981B2 (ja) 半導体接着用樹脂組成物、接着フィルム、ダイシングダイボンディングフィルムおよび半導体装置
KR102069314B1 (ko) 반도체 접착용 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
WO2017047183A1 (ja) 半導体裏面用フィルム
WO2012176351A1 (ja) ウェハ加工用テープ
KR101936593B1 (ko) 컨트롤러 다이 매립형 fod 접착필름 및 이를 포함하는 반도체 패키지
US7851335B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and production method of semiconductor device
JP5754072B2 (ja) 粘接着剤組成物、回路部材接続用粘接着剤シート及び半導体装置の製造方法
JP2009173796A (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5414256B2 (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP6638380B2 (ja) 先供給型アンダーフィル材及びその硬化物、並びに電子部品装置及びその製造方法
JP6631238B2 (ja) 先供給型アンダーフィル材、先供給型アンダーフィル材の硬化物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP2013067726A (ja) 電子材料用接着剤組成物
JP7321460B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN113169141A (zh) 半导体用膜状黏合剂、半导体装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant