CN103026467A - 晶片加工用带 - Google Patents

Abstract

本发明涉及晶片加工用带，其为依序层积有支持基材、粘合剂层与单层的接合剂层的晶片加工用带，其中，所述接合剂层为用于将半导体元件与带配线的外部连接用配线部件或其他半导体元件压接的接合剂层，所述接合剂层的从粘合剂层剥离开的面和不与粘合剂层接触的面的表面自由能之差为10mJ/m²以下。

Description

晶片加工用带

技术领域

本发明涉及晶片加工用带。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，实施将硅晶片截断(切割)成芯片单元的工序、拾取经截断的半导体元件(芯片)的工序、进而将拾取的芯片与引线框架和封装基板等进行芯片焊接(装配)的工序。作为上述半导体装置的制造工序中所使用的晶片加工用带，近年来已知有在支持基材上依序形成有粘合剂层(temporary-adhesive layer)和接合剂层(adhesive layer)的切割芯片接合片(例如参见专利文献1)。

对于如此在基材上依序形成有粘合剂层和接合剂层的晶片加工用带来说，在从制造到使用之间，粘合剂层与接合剂层的接触时间必然会很长，因此在使用前两层会发生融合，在对单片化的带有接合剂层的半导体元件进行拾取的工序中，存在粘合剂层无法与接合剂层顺利剥离这样的问题。

因此，作为用于解决这样的问题的晶片加工用带，已知通过在粘合剂层与接合剂层之间设置剥离层可容易地将单片化的带有接合剂层的半导体元件从粘合剂层剥离(例如参见专利文献2)。

还已知下述的晶片加工用带：其通过控制固化前的接合剂层的表面自由能，不仅有利于从粘合剂层剥离、而且对被贴合体的粘接性也优异(参见专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭60-57642号公报

专利文献2：日本特开2005-277383号公报

专利文献3：日本特开2008-244463号公报

发明内容

发明所要解决的课题

这种晶片加工用带用于如下所示工序中。

(1)依序层积支持基材、粘合剂层以及接合剂层来形成晶片加工用带的工序；

(2)将晶片加工用带的接合剂层贴合在硅晶片背面的工序；

(3)在形成于晶片加工用带的支持基材上的粘合剂层上贴付晶片环的工序；

(4)将上述硅晶片截断成半导体元件(芯片)的切割工序；

(5)将带有接合剂层的半导体元件从粘合剂层剥离并取出的拾取工序；以及

(6)将半导体元件与引线框架这样的带有配线的外部连接用配线部件或其他半导体元件粘接(permanent adhesion)的芯片焊接工序。

因此，通过芯片焊接工序与被贴合体接触的接合剂层的面为与粘合剂层暂且贴合后进行剥离的面，其表面自由能发生变化，因而存在即使对单独观察接合剂层时的表面自由能进行控制，也发挥不出充分的粘接性这样的问题。

因此，本发明的课题在于提供一种晶片加工用带，其所具有的接合剂层即使为暂且贴合至粘合剂层后进行剥离的面，也具有充分的粘接性。

用于解决课题的手段

上述课题通过以下手段来解决。

(1)一种晶片加工用带，其为依序层积有支持基材、粘合剂层与单层的接合剂层的晶片加工用带，其特征在于，所述接合剂层为用于将半导体元件与带配线的外部连接用配线部件或其他半导体元件压接的接合剂层，所述接合剂层的从粘合剂层剥离开的面和不与粘合剂层接触的面的表面自由能之差为10mJ/m²以下。

(2)如(1)所述的晶片加工用带，其特征在于，所述接合剂层的不与粘合剂层接触的面的表面自由能为30mJ/m²以上且为50mJ/m²以下。

(3)如(1)或(2)所述的晶片加工用带，其特征在于，所述接合剂层含有基于悬浮聚合而生成的高分子化合物，所述悬浮聚合中含有丙烯腈。

需要说明的是，本发明所谓的接合剂指的是，在半导体装置制造的芯片焊接工序中为了对半导体元件(芯片)与配线部件或其他半导体元件进行固定而使用的树脂组合物；所谓粘合剂指的是设于支持基材上的树脂组合物，其在半导体装置制造的切割工序中，隔着接合剂层与硅晶片背面贴合，用于利用其粘合力将带有接合剂的硅晶片暂时固定在环形框架上。

发明的效果

根据本发明，可提供具有下述接合剂层的晶片加工用带：该接合剂层即使为暂且贴合至粘合剂层后进行剥离的面，也具有充分的粘接性。

适当参照附图，由下述的记载进一步明确本发明的上述和其他的特征和优点。

附图说明

图1是示意性示出本发明的晶片加工用带的截面图。

具体实施方式

本发明的晶片加工用带依序层积有支持基材、粘合剂层以及单层的接合剂层。图1中以截面图示意性示出了本发明的晶片加工用带。晶片加工用带10由粘合膜12和接合剂层13构成。粘合膜12为粘合剂层12b层积在支持基材12a上而成的膜。在接合剂层13上叠置防粘PET膜11，在使用时将其剥下，使硅晶片与接合剂层13粘接进行使用。

(表面自由能)

本发明中的表面自由能为如下计算出的数值：测定水和二碘甲烷的接触角(液滴容量：水2μL、二碘甲烷3μL，读取时间：滴加30秒后)，通过下式进行计算，将计算出的值作为表面自由能。

${\mathrm{\γ}}_s={\mathrm{\γ}}_s^p+{\mathrm{\γ}}_s^d$

$72.8(1+\cos {\mathrm{\θ}}^H)=2{\left(21.8{\mathrm{\γ}}_s^d\right)}^{\frac{1}{2}}+2{\left(51.0{\mathrm{\γ}}_s^p\right)}^{\frac{1}{2}}$

$50.8(1+\cos {\mathrm{\θ}}^I)=2{\left(48.5{\mathrm{\γ}}_s^d\right)}^{\frac{1}{2}}+2{\left(2.3{\mathrm{\γ}}_s^p\right)}^{\frac{1}{2}}$

γ_s：表面自由能

γ_s ^p：表面自由能的极性成分

γ_s ^d：表面自由能的分散成分

θ^H：水相对于固体表面的接触角

θ^I：二碘化甲烷相对于固体表面的接触角

通过对表面自由能之差进行控制，可以制造出具有下述接合剂层的晶片加工用带：该接合剂层即使为暂且贴合至粘合剂层后进行剥离的面，也具有充分的粘接性；关于其理由尚不明确，但推测如下。

通过控制表面自由能之差，能够抑制仅任一面的粘接性变得非常低的情况，将接合剂的破坏模式保持为凝集破坏。接合剂的破坏模式为凝集破坏的情况下，只要接合剂本身未被破坏，则半导体元件的固定也不会被破坏，即使在回焊工序中产生热应力，也具有耐性。但是，若控制不充分、仅任一面的粘接性变得非常低，则接合剂的破坏模式为界面破坏，即使接合剂的强度充分，也会由于热应力而发生剥离，可靠性(回焊时抗裂性)降低。

本发明的晶片加工用带中，接合剂层的从粘合剂层剥离开的面和不与粘合剂层接触的面的表面自由能之差为10mJ/m²以下、优选为0.1mJ/m²～5.0mJ/m²。表面自由能之差大于10mJ/m²的情况下，可能会出现成分从粘合剂层转移到接合剂层、或从接合剂层转移到粘合剂层的情况。前者的情况下，在回焊工序中低分子成分会挥发。后者的情况下，粘接面会粗糙，在焊接工序中由于凹凸未被填埋而产生空隙(void)，可靠性(回焊时抗裂性)降低。

接合剂层的不与粘合剂层接触的面的表面自由能优选为30mJ/m²以上且为50mJ/m²以下，接合剂层的从粘合剂层剥离开的面的表面自由能优选为30mJ/m²以上且为60mJ/m²以下。接合剂层的不与粘合剂层接触的面的表面自由能更优选为30mJ/m²以上且为40mJ/m²以下，接合剂层的从粘合剂层剥离开的面的表面自由能更优选为30mJ/m²以上且为50mJ/m²以下。表面自由能若小于30mJ/m²，则由于润湿性不充分而易于带有空隙，可靠性(回焊时抗裂性)会降低。

(接合剂层)

接合剂层是对接合剂预先膜化而成的层，例如可以使用在接合剂中使用的公知的聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、丙烯酸类树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺树脂、三聚氰胺树脂等或其混合物，但从接合剂层的粘接性和可靠性的方面出发，优选含有丙烯酸系共聚物、环氧树脂；丙烯酸系共聚物的Tg为0℃以上40℃以下；质均分子量为10万以上100万以下。更优选质均分子量为60万以上90万以下。

需要说明的是，质均分子量是利用凝胶渗透色谱(GPC)法使用基于标准聚苯乙烯的校正曲线进行测定而得到的值。

(利用GPC法进行测定的条件)

使用机器：高效液相色谱仪LC-20AD[株式会社岛津制作所制造，商品名]

柱：Shodex Column GPC KF-805[株式会社岛津制作所制造，商品名]

洗脱液：氯仿

测定温度：45℃

流量：3.0ml/min

RI检测器：RID-10A

对丙烯酸系共聚物的聚合方法并无特别限制，可以举出例如珠状聚合、溶液聚合、悬浮聚合等，通过这些方法得到共聚物。悬浮聚合由于耐热性优异而优选，作为这样的丙烯酸系共聚物，可以举出例如PARACRON W-197C(根上工业株式会社制造，商品名)。

丙烯酸系共聚物优选含有丙烯腈。相对于丙烯酸系共聚物，优选10质量%～50质量%、更优选20质量%～40质量%为丙烯腈。通过使丙烯腈为10质量%以上，可以提高接合剂层的Tg、提高粘接性；若为50质量%以上，则接合剂层的流动性变差、粘接性可能会降低。特别优选为由含有丙烯腈的悬浮聚合所生成的丙烯酸系共聚物。

为了提高粘接性，丙烯酸系共聚物可以具有官能团。对官能团没有特别限定，可以举出例如氨基、氨基甲酸酯基、酰亚胺基、羟基、羧基、缩水甘油基等，其中优选缩水甘油基。缩水甘油基与作为热固化树脂的环氧树脂的反应性良好，与羟基等相比，不易与粘合剂层发生反应，因而不易引起表面自由能的变化。

接合剂层可含有无机填料，但若添加量多，则流动性降低、粘接性下降，因而优选小于40质量%、更优选小于20质量%、进一步优选小于15质量%。此外，若粒径大，则在粘接面的表面会产生凹凸、粘接性降低，因而平均粒径优选小于1μm、更优选小于0.5μm、进一步优选小于0.1μm。对无机填料粒径的下限没有特别限制，但实际上为0.003μm以上。

为了控制表面自由能，也可添加硅烷偶合剂或钛偶合剂或者氟类接枝共聚物作为添加剂。这些添加剂优选含有巯基或缩水甘油基。

对接合剂层的厚度没有特别限制，但通常优选为3μm～100μm、更优选为5μm～20μm。

(支持基材)

作为支持基材的材料，可以举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚-1-丁烯、聚-4-甲基1-戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或它们的混合物；聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体；以及它们的混合物。并且，可以是将选自这些的组中的2种以上的材料进行混合的混合物，也可以是对它们进行单层或多层化而成的层状物。对支持基材的厚度并无特别限定，可以进行适宜设定，但优选为50μm～200μm。

(粘合剂层)

粘合剂层分为放射线固化型和粘合力不会由于放射线照射而发生变化的非放射线固化型。前者容易进行粘合力的控制，后者可以用于不容许放射线照射的器件中，因而可根据用途进行适宜选择。在选择放射线固化型的情况下，优选适当配合具有光聚合性碳-碳双键的放射线聚合性化合物或光聚合引发剂来进行制备。

粘合剂层为放射线固化型的情况下，优选使用固化后的粘合剂层与接合剂层的剥离力为0.01N/25mm以上0.5N/25mm以下的粘合剂层。该剥离力更优选为0.01N/25mm以上0.1N/25mm。剥离力若小于0.01N/25mm，则从切割装置向拾取装置进行传送时，带有接合剂层的半导体元件可能会从粘合剂层脱离；若大于0.5N/25mm，则接合剂层容易受到粘合剂层的影响，会出现面粗糙、或表面成分出现转移，表面自由能容易发生变化。

粘合剂层为非放射线固化型的情况下，优选使用粘合剂层与接合剂层的剥离力为0.01N/25mm以上0.5N/25mm以下的粘合剂层。该剥离力更优选为0.01N/25mm以上0.3N/25mm以下。若剥离力小于0.01N/25mm，则在切割时可能会发生芯片飞出，或者在从切割装置向拾取装置进行传送时带有接合剂层的半导体元件可能从粘合剂层脱离；若大于0.5N/25mm，则接合剂层容易受到粘合剂层的影响，会出现面粗糙、或表面成分出现转移，表面自由能容易发生变化。

对粘合剂层的厚度没有特别限制，通常优选为5μm～50μm、更优选为7μm～20μm。

实施例

下面基于实施例进一步详细说明本发明，但本发明并不限于这些示例。

<丙烯酸聚合物的制造>

首先，对各实施例及各比较例的晶片加工用带的接合剂层所含有的丙烯酸聚合物的制造法进行说明。

(丙烯酸聚合物(1))

向具备搅拌机的玻璃制四口圆底烧瓶中加入水300质量份，溶解聚乙烯醇0.7质量份作为分散稳定剂，在利用搅拌桨于300rpm进行搅拌的同时，一次性投入由丙烯酸乙酯60质量份、丙烯酸丁酯5质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯15质量份、丙烯腈20质量份构成的单体混合物、以及作为聚合引发剂的N,N’-偶氮二异丁腈1质量份，制成悬浮液。

在继续搅拌下将反应体系内升温至68℃，恒定保持4小时使其进行反应。其后冷却至室温(约25℃)。接下来，对反应物进行固液分离、利用水进行充分清洗后，使用干燥机在70℃干燥12小时，接下来加入2-丁酮将固体成分调整为15%，得到丙烯酸聚合物(1)。由配合比计算出的Tg为3℃。该聚合物由凝胶渗透色谱法(GelPermeation Chromatography：GPC)测得的质均分子量为95万、分散度为3.5。

(丙烯酸聚合物(2))

除使丙烯酸乙酯为60质量份、丙烯酸丁酯为5质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯为6质量份、丙烯腈为29质量份以外，利用与丙烯酸聚合物(1)同样的制造法来制作丙烯酸聚合物(2)。由配合比计算出的Tg为7℃。该聚合物由凝胶渗透色谱法测得的质均分子量为60万、分散度为3.4。

(丙烯酸聚合物(3))

除使丙烯酸乙酯为34质量份、丙烯酸丁酯为15质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯为2质量份、丙烯腈为49质量份以外，利用与丙烯酸聚合物(1)同样的制造法来制作丙烯酸聚合物(3)。由配合比计算出的Tg为21℃。该聚合物由凝胶渗透色谱法测得的质均分子量为12万、分散度为2.3。

(丙烯酸聚合物(4))

除使丙烯酸乙酯为43质量份、丙烯酸丁酯为15质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯为5质量份、丙烯腈为37质量份以外，利用与丙烯酸聚合物(1)同样的制造法来制作丙烯酸聚合物(4)。由配合比计算出的Tg为12℃。该聚合物由凝胶渗透色谱法测得的质均分子量为70万、分散度为3.6。

(丙烯酸聚合物(5))

除使丙烯酸乙酯为65质量份、丙烯酸丁酯为23质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯为2质量份、丙烯腈为10质量份以外，利用与丙烯酸聚合物(1)同样的制造法来制作丙烯酸聚合物(5)。由配合比计算出的Tg为-22℃。该聚合物由凝胶渗透色谱法测得的质均分子量为40万、分散度为3.8。

(丙烯酸聚合物(6))

向具备混合机和冷却器的反应器中加入丙烯酸乙酯60质量份、丙烯酸丁酯5质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯16质量份、丙烯腈19质量份，于85℃进行加热，向其中添加2-丁酮2质量份、过氧化苯甲酸叔丁酯0.05质量份后，保温8小时，冷却后加入甲醇使聚合物沉淀，去除上清液，对聚合物中残留的甲醇进行干燥，接下来加入2-丁酮将固体成分调整为15%，制作丙烯酸聚合物(6)。由配合比计算出的Tg为3℃。该聚合物由凝胶渗透色谱法测得的质均分子量为50万、分散度为11.5。

需要说明的是，各丙烯酸聚合物(1)～(6)的质均分子量是利用凝胶渗透色谱(GPC)法使用基于标准聚苯乙烯的校正曲线进行测定的。

<接合剂层的制造>

(接合剂层(1))

相对于上述丙烯酸聚合物(1)100质量份，加入甲酚-线型酚醛环氧树脂(环氧当量197、分子量1200、软化点70℃)25质量份、亚二甲苯基酚醛清漆树脂(羟基当量104、软化点80℃)60质量份、作为填充材料的平均粒径为0.045μm的二氧化硅填料20质量份，得到热固化性接合剂组合物。将该接合剂组合物涂布至形成防粘膜的PET膜上，在120℃进行10分钟加热干燥，形成干燥后的厚度为20μm的B阶状态的涂膜，得到PET膜/接合剂层(1)/PET膜的层积体。

需要说明的是，PET膜使用经硅酮防粘处理的PET膜(帝人：Purex S-314(商品名)，厚度25μm)。

(接合剂层(2)～(6))

除了不使用上述丙烯酸聚合物(1)而使用丙烯酸聚合物(2)～(6)的任意一个以外，利用与接合剂层(1)相同的方法，分别得到接合剂层(2)～(6)。

<粘合膜的制造>

(粘合剂层组合物(1))

使丙烯酸2-乙基己酯77质量份、丙烯酸-2-羟丙酯23质量份进行聚合，在质均分子量为80万的丙烯酸共聚物中加入作为固化剂的多异氰酸酯3质量份进行混合，制成粘合剂层组合物(1)。

(粘合剂层组合物(2))

使丙烯酸丁酯65质量份、丙烯酸-2-羟乙酯25质量份、丙烯酸10质量份进行自由基聚合，滴加2-异氰酸酯甲基丙烯酸乙酯进行反应，在所合成的质均分子量为80万的丙烯酸共聚物中加入作为固化剂的多异氰酸酯3质量份、作为光聚合引发剂的1-羟基-环己基-苯基-酮1质量份，进行混合，制成粘合剂层组合物(2)。

(粘合膜(1)、(2))

将所制作的任一粘合剂层组合物按照干燥膜厚为10μm的方式涂布至成为防粘膜的PET膜上，在120℃进行3分钟干燥。将涂布于该PET膜的粘合剂层组合物转印至作为支持基材的厚度为100μm的聚丙烯-氢化苯乙烯丁二烯橡胶弹性体(PP：HSBR=80：20的弹性体)树脂膜上，从而分别制作粘合膜(1)、(2)。

需要说明的是，聚丙烯(PP)使用Japan Polychem株式会社制造的NOVATECFG4(商品名)，氢化苯乙烯丁二烯橡胶(HSBR)使用JSR株式会社制造的Dynaron1320P(商品名)。并且，PET膜使用经硅酮防粘处理的PET膜(帝人：Purex S-314(商品名)，厚度25μm)。

<实施例1>

将如上得到的接合剂层(1)与粘合膜(1)按照仅单侧剥离接合剂层的PET膜、与粘合剂层接触的方式进行贴合，依序层积支持基材、粘合剂层、接合剂层、防粘膜，得到图1所示的带有防粘膜的晶片加工用带。将该晶片加工用带作为实施例1的样品。

<实施例2>

使用所得到的上述接合剂层(2)与粘合膜(1)，利用与实施例1相同的方法制作实施例2的晶片加工用带。

<实施例3>

使用所得到的上述接合剂层(3)与粘合膜(1)，利用与实施例1相同的方法制作实施例3的晶片加工用带。

<实施例4>

使用所得到的上述接合剂层(4)与粘合膜(1)，利用与实施例1相同的方法制作实施例4的晶片加工用带。

<实施例5>

使用所得到的上述接合剂层(1)与粘合膜(2)，利用与实施例1相同的方法制作实施例5的晶片加工用带。

<比较例1>

使用所得到的上述接合剂层(5)与粘合膜(1)，利用与实施例1相同的方法制作比较例1的晶片加工用带。

<比较例2>

使用所得到的上述接合剂层(6)与粘合膜(1)，利用与实施例1相同的方法制作比较例2的晶片加工用带。

对于实施例1～5和比较例1、2的晶片加工用带进行下述的测定、评价。结果列于表1。

(表面自由能)

在上述实施例、比较例的各样品的接合剂层中，将不与粘合剂层接触的面作为A面、将从粘合剂层剥离开的面作为B面。此时，在实施例5中，在剥离接合剂层之前对于粘合剂层利用空气冷却式高压水银灯(80W/cm、照射距离100mm)照射200mJ/cm²的紫外线。测定水和二碘甲烷相对于该A面和B面的接触角(液滴容量：水2μL、二碘甲烷3μL、读取时间：滴加后30秒)，采用几何平均法由测定得出的水和二碘甲烷的接触角通过上述计算式计算出表面自由能。

(剥离力)

将实施例、比较例各样品的接合剂层的防粘膜剥离，利用2kg的辊将形状保持带(积水化学工业社制造、商品名：FORTE)贴合至剥离了防粘膜的接合剂层的表面，切割成25mm宽度的长条状，依序层积支持基材、粘合剂层、接合剂层、以及形状保持带，制作试验片。对于所制作的试验片，利用(株)东洋精机制作所制造的STROGRAPH(VE10)将“支持基材和粘合剂层”以及“接合剂层和形状保持带”的层积体分开抓取，以线速300mm/min测定粘合剂层与接合剂层之间的剥离力。此时，在实施例5中，在剥离接合剂层之前对于粘合剂层利用空气冷却式高压水银灯(80W/cm、照射距离100mm)照射200mJ/cm²的紫外线。需要说明的是，剥离力的单位为[N/25mm]。并且，将“支持基材和粘合剂层”、以及“接合剂层和形状保持带”的层积体分开并从“支持基材和粘合剂层”剥离“接合剂层和形状保持带”的原因在于，若仅抓取接合剂层进行剥离，则接合剂层会伸长。

(拾取性)

将上述实施例和比较例的各样品的晶片加工用带在70℃进行10秒加热，贴合至厚度50μm的硅晶片后，切割成10mm×10mm的芯片。其后，在实施例5中，对于粘合剂层利用空气冷却式高压水银灯(80W/cm、照射距离10cm)进行200mJ/cm²的紫外线照射。对于硅晶片中央部的50个芯片，利用芯片焊接装置(NEC Machinery制造，商品名：CPS-100FM)进行拾取试验，基于拾取芯片个数求出拾取成功率。此时，在所拾取的元件中，将保持有从粘合剂层上剥离开的接合剂层的元件作为拾取成功的元件，计算出拾取成功率。将其计算出结果列于表1。表1中，◎、○、△、×的基准(拾取性的基准)如下所述。

“◎”…基于顶出销(突き上げピン)的顶出高度为0.7mm、0.5mm、0.3mm时的拾取成功率为100%。

“○”…顶出高度为0.7mm、0.5mm时的拾取成功率为100%、且顶出高度为0.3mm时拾取成功率小于100%。

“△”…顶出高度为0.7mm时的拾取成功率为100%、且顶出高度为0.5mm、0.3mm时的拾取成功率小于100%。

“×”…顶出高度为0.7mm、0.5mm、0.3mm时的拾取成功率小于100%。

(可靠性(回焊时裂纹发生率))

将各实施例以及各比较例的晶片加工用带的接合剂层贴付至厚度为200μm的硅晶片的背面，切割成7.5mm×7.5mm后，在温度160℃、压力0.1MPa、时间1秒的条件下装配到经镀银处理的引线框架上。进一步地，利用密封材(KE-1000SV，KyoceraChemical株式会社制造，商品名)进行成型，制作20个各实施例以及各比较例的样品。

将各实施例以及各比较例的密封后的样品在85℃/60%RH的恒温恒湿槽中进行196小时处理后，使样品通过设定为样品表面的最高温度为260℃、20秒的方式的IR(红外线)回焊炉，室温放置进行冷却，将该处理反复进行3次。在各实施例以及各比较例中，对于进行了上述处理的20个样品，观察有无裂纹，计算出20个样品中产生裂纹的样品比例，将回焊时裂纹发生率作为可靠性示于表1。

需要说明的是，在观察有无裂纹时，使用超声波探査装置(Scanning AcousticTomograph：SAT)通过投射法对各样品进行观察，将观察到剥离的样品全部视为有裂纹。

【表1】

A面：不与粘合剂接触的面

B面：从粘合剂层剥离开的面

比较例1、2在拾取性方面存在问题，比较例2的可靠性也差。

与此相对，在实施例1～5中，剥离力、拾取性、可靠性均充分。可知，对于本发明的晶片加工用带的接合剂层来说，即使是与粘合剂层贴合过一次的面，也具有充分的粘接力。

尽管对本发明连同其实施方式进行了说明，但只要本发明并未特别指定，则对本发明进行说明的任何细节也并非用于限定本发明，认为应该在不违反所附权利要求所示的发明精神和范围下做出大范围的解释。

本申请主张基于2011年6月24日在日本提交的日本特愿2011-141266的优先权，在本文中以其为参考，插入其内容作为本说明书记载的一部分。

符号说明

10晶片加工用带

11防粘PET膜

12粘合膜

12a支持基材

12b粘合剂层

13接合剂层

Claims (3)

1.一种晶片加工用带，其为依序层积有支持基材、粘合剂层与单层的接合剂层的晶片加工用带，其特征在于，

所述接合剂层为用于将半导体元件与带配线的外部连接用配线部件或其他半导体元件压接的接合剂层，所述接合剂层的从粘合剂层剥离开的面和不与粘合剂层接触的面的表面自由能之差为10mJ/m²以下。

2.如权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，所述接合剂层的不与粘合剂层接触的面的表面自由能为30mJ/m²以上且为50mJ/m²以下。

3.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，所述接合剂层含有基于悬浮聚合而生成的高分子化合物，所述悬浮聚合中含有丙烯腈。

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