TWI720179B - 粘接膜一體型膠帶和半導體晶片的製造方法 - Google Patents

粘接膜一體型膠帶和半導體晶片的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI720179B
TWI720179B TW106112002A TW106112002A TWI720179B TW I720179 B TWI720179 B TW I720179B TW 106112002 A TW106112002 A TW 106112002A TW 106112002 A TW106112002 A TW 106112002A TW I720179 B TWI720179 B TW I720179B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive film
adhesive
tape
film
meth
Prior art date
Application number
TW106112002A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201807129A (zh
Inventor
齊藤岳史
柴山雄紀
田中智章
Original Assignee
日商電化股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商電化股份有限公司 filed Critical 日商電化股份有限公司
Publication of TW201807129A publication Critical patent/TW201807129A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI720179B publication Critical patent/TWI720179B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J175/00—Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J175/04—Polyurethanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

目的在於提供一種粘接膜一體型膠帶以及使用它的半導體晶片的製造方法，該粘接膜一體型膠帶對於具有凸點的晶圓的跟隨性良好，兼具粘接膜與膠帶的密合性和剝離性。由基材膜和粘結劑層構成的膠帶的上述粘結劑層粘貼有粘接膜而形成粘接膜一體型膠帶，在粘接膜一體型膠帶中，通過使粘結劑層含有特定的成分，可以提供對具有凸點的晶圓的跟隨性良好、兼具粘接膜與膠帶的密合性和剝離性的粘接膜一體型膠帶。

Description

粘接膜一體型膠帶和半導體晶片的製造方法
本發明涉及粘接膜一體型膠帶和半導體晶片的製造方法。
作為電子部件的製造方法，已知有在晶圓、絕緣物基板上形成多個電路圖案而成為電子部件集合體之後，把電子部件集合體加工成為晶片，拾取晶片，在晶片的底面上塗敷粘接劑，用粘接劑把晶片固定到引線框等，用樹脂等密封晶片而成為電子部件的方法。
作為加工電子部件集合體來製造晶片的方法，已知有把電子部件集合體的電路圖案粘貼到膠帶上，研磨減薄電路圖案的背面(背面研磨)的步驟，在剝離膠帶後，在電路圖案面粘貼膠帶，進而固定到引線框，然後切斷分離(切片)成一個一個的晶片，並用粘接劑把晶片層疊固定的方法。另外，已經提出有使用把粘接膜與膠帶層疊起來得到的粘接膜一體型膠帶的方法(參照專利文獻1~4等)。
通過在電子部件的製造中使用粘接膜一體型膠帶，可以省略背面研磨和切片後的粘接劑的塗敷步驟。使粘接膜與膠帶成為一體型的粘接膜一體 型膠帶與使用粘接劑的方法相比，在粘接劑部分的厚度控制和粘接劑的擠出抑制方面優異。粘接膜一體型膠帶被用於晶片尺寸封裝、堆疊封裝以及系統級封裝、TSV(矽片直通孔)等的電子部件的製造。但是，在被用於TSV的製造時，存在粘接膜一體型膠帶對晶圓的電路圖案面的凸點的跟隨性不夠、密合性不好的問題。另外，如果粘接膜與膠帶的粘結力降低，則與粘接膜的粘接性變差，有時會在操作中發生剝離，如果粘結力大則有時會剝離不好。
【先行技術文獻】
專利文獻
專利文獻1：日本特開2004-186429號公報
專利文獻2：日本特開2006-049509號公報
專利文獻3：日本特開平02-248064號公報
專利文獻4：日本特開平05-211234號公報
本發明正是鑒於上述情況提出的，目的在於提供與具有凸點的晶圓的跟隨性良好、兼顧粘接膜與膠帶的密合性和剝離性的粘接膜一體型膠帶以及使用它的半導體晶片的製造方法。
為了解決上述的問題，本發明採用以下的方案。
(1)在通過在由基材膜和粘結劑層構成的膠帶的上述粘結劑層粘貼粘接膜而形成的粘接膜一體型膠帶中，上述粘結劑層含有100質量份的(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)和1質量份以上且10質量份以下的多官能異氰酸酯硬化劑(B)，上述(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)含有70質量%以上且98質量%以下的甲基丙烯酸正丁酯，重均分子量為120萬以上且220萬以下。
(2)如(1)所述的粘接膜一體型膠帶，其中：上述基材膜的厚度為60μm以上且120μm以下，上述粘結劑層的厚度為15μm以上且40μm以下，粘結劑層的厚度為基材膜的厚度的0.2以上且0.5以下。
(3)一種半導體晶片的製造方法，其中包括：把如(1)或(2)所述的粘接膜一體型膠帶粘貼到矽晶圓上的步驟，從粘接膜剝離粘接膜一體型膠帶的膠帶的步驟，在矽晶圓的與粘貼了粘接膜的面相反的面上粘貼切片用膠帶的步驟，把帶粘接膜的矽晶圓切片而形成半導體晶片的切片步驟，以及把帶粘接膜的半導體晶片剝離的拾取步驟。
本發明的粘接膜一體型膠帶與具有凸點的晶圓的跟隨性良好，兼顧粘接膜與膠帶的密合性和剝離性。另外，可以提供使用它的半導體晶片的製造方法。
以下，詳細地說明本發明。在本說明書中，單體單位指源自單體的結構單位。在本說明書中，(甲基)丙烯醯基是丙烯醯基和甲基丙烯醯基的統稱。(甲基)丙烯酸等的含有(甲基)的化合物等也同樣地是名稱中有「甲基」的化合物和沒有「甲基」的化合物的統稱。
以下，用實施方式更詳細地說明本發明。
《粘接膜一體型膠帶》
根據本發明的粘接膜一體型膠帶具有膠帶和粘接膜。以下，說明粘接膜一體型膠帶的各部件。
[膠帶]
膠帶具有基材膜和粘結劑層。
膠帶通過在基材膜上塗敷粘結劑層等而形成，用例如凹版塗敷機、逗號刮塗機、棒刮塗機、刮刀塗敷機或輥塗敷機等塗覆機把粘結劑直接塗敷到基材膜上的方法，以及在剝離膜上塗敷粘結劑，乾燥後粘貼到基材膜上的方法。也可以用凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、柔性版印刷、膠版印刷或絲網印刷等把粘結劑印刷到基材膜上。
優選地，粘結劑層的厚度為基材膜的厚度的0.2以上且0.5以下，更優選為0.3以上且0.45以下。不到0.2時，在把粘接膜一體型膠帶粘貼到晶圓上時操作性差，有時會混入氣泡；大於0.5時，膠帶的潤濕性高，有時難以從粘接膜剝離。
<粘結劑層>
本發明的粘結劑層，含有100質量份的(甲基)的丙烯酸酯共聚物(A)和1質量份以上且10質量份以下的多官能異氰酸酯硬化劑(B)，上述(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)含有70質量%以上且98質量%以下的甲基丙烯酸正丁酯，重均分子量為120萬以上且220萬以下。
((甲基)丙烯酸酯共聚物(A))
作為(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)，有由(甲基)丙烯酸甲酯等的作為丙烯酸單體的單體聚合而成的聚合物、由多種單體聚合而成的共聚物、由這些單體與可共聚的不飽和單體(例如，醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈)共聚而成的共聚物。
作為該丙烯酸單體，可以舉出例如，甲基丙烯酸正丁酯、2-丁基(甲基)丙烯酸酯、t-丁基(甲基)丙烯酸酯、戊基(甲基)丙烯酸酯、辛基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、壬基(甲基)丙烯酸酯、癸基(甲基)丙烯酸酯、十二烷基(甲基)丙烯酸酯、甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、異丙 基(甲基)丙烯酸酯、十三烷基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯、2-甲氧基乙基等的(甲基)丙烯酸單體。
丙烯酸單體，從與粘接膜的密合性和剝離性的角度出發，含有70質量%以上且98質量%以下的甲基丙烯酸正丁酯，80質量%以上且96質量%以下是更優選的。不到70質量%時，在與粘接膜粘貼時有時會混入氣泡；如果超過98質量%，則膠帶的粘結力高，有時難以從粘接膜剝離。
另外，丙烯酸單體優選具有在至少一部分上含有官能基的單體。作為該含有官能基的單體，可以舉出具有羥基、羧基、環氧基、醯胺基、氨基、羥甲基、磺酸基、氨基磺酸基或(亞)磷酸酯基等的官能基組中的一種以上官能基的單體。而且，在它們中，優選為具有羥基的乙烯化合物。另外，在此所說的乙烯化合物指包含後述的丙烯酸酯的乙烯化合物。
作為具有羥基的含有官能基的單體，有例如2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、以及2-羥丁基(甲基)丙烯酸酯。
作為具有羧基的單體，可以舉出例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、無水馬來酸、衣康酸、富馬酸、丙烯醯胺基N-乙醇酸、以及肉桂酸等。
作為具有環氧基的單體，可以舉出例如烯丙基環氧丙基醚、以及(甲基)丙烯酸環氧丙基醚等。
作為具有醯胺基的單體，可以舉出例如(甲基)丙烯醯胺等。
作為具有氨基的單體，可以舉出例如N，N-二甲基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯等。
作為具有羥甲基的單體，可以舉出例如N-羥甲基丙烯醯胺等。
在丙烯酸聚合物中，也可以使用上述以外的乙烯單體，可以舉出例如乙烯、苯乙烯、乙烯基甲苯、醋酸丙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、新癸酸乙烯酯、乙烯基乙醚、乙烯基丙醚、(甲基)丙烯腈、以及乙烯乙烯基異丁醚等的乙烯化合物等。
(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)的重均分子量為120萬以上且220萬以下，優選為150萬以上且200萬以下。不到120萬時，由於來自粘接膜的成分遷移，粘結力變得太強，有時膠帶和粘接膜不能剝離，如果超過220萬，則粘結力低，粘接膜有時會剝離。
(多官能異氰酸酯硬化劑(B))
多官能異氰酸酯硬化劑(B)，除了具有2個以上異氰酸酯基這一點以外，不做特別限定，可以舉出例如芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環族聚異氰酸酯、以及它們的加合物等。
對於芳香族聚異氰酸酯不做特別限定，可以舉出例如1，3-亞苯基二異氰酸酯、4，4’-聯苯二異氰酸酯、1，4-亞苯基二異氰酸酯、4，4’-聯苯甲烷二異氰酸酯、2，4-甲次苯基二異氰酸酯、2，6-甲次苯基二異氰酸酯、4，4’-甲苯胺二異氰酸酯、2，4，6-三異氰酸酯甲苯、1，3，5-三異氰酸酯苯、鄰聯茴香胺二異氰酸酯、4，4’-聯苯醚二異氰酸酯、以及4，4’，4”-三苯基甲烷三異氰酸酯等。
對於脂肪族聚異氰酸酯不做特別限定，可以舉出例如三亞甲基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、五亞甲基二異氰酸酯、1，2-丙烯二異氰酸酯、2，3-丁烯二異氰酸酯、1，3-丁烯二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯、以及2，4，4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯等。
對於脂環族聚異氰酸酯不做特別限定，可以舉出例如3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯、1,3-環戊烷二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,6-環己烷二異氰酸酯、4,4’-亞甲基雙(環己基異氰酸酯)、以及1,4-雙(異氰酸酯甲基)環己烷等。
也可以是使聚異氰酸酯中容易得到的1,3-亞苯基二異氰酸酯、2,4-甲次苯基二異氰酸酯、2,6-甲次苯基二異氰酸酯以及六亞甲基二異氰酸酯與三羥甲基丙烷等的多羥基化合物反應得到的加合物。
多官能異氰酸酯硬化劑(B)的混合比，優選為相對於100質量份的(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)為1~10質量份。如果多官能異氰酸酯硬化劑(B)少，則粘結力太強，有時膠帶和粘接膜不能剝離。如果多官能異氰酸酯硬化劑(B)過剩，則粘結力低，粘接膜有時會剝離。
作為調整粘接膜與膠帶之間的粘結力的其它方法，可以舉出向粘結劑添加增粘樹脂的方法。對於增粘樹脂不做特別限定，可以舉出例如松香樹脂、松香酯樹脂、萜烯樹脂、萜烯-酚樹脂、酚樹脂、二甲苯樹脂、苯並呋喃樹脂、苯並呋喃-茚樹脂、苯乙烯樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、脂肪族芳香族共聚石油樹脂、脂環族烴樹脂以及它們的改性品、衍生品、以及氫添加品等。
對於增粘樹脂的混合量不做特別限定，相對於100質量份的(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)，為200質量份以下，優選為30質量份以下。
粘結劑層的厚度優選為15μm以上且40μm以下，更優選為20μm以上且35μm以下。不到15μm時，在把粘接膜一體型膠帶粘貼到晶圓上時有時會混入氣泡，比40μm還厚時，膠帶的濕度(粘結力)高，有時會難以從粘接膜剝離。
<基材膜>
基材膜可以使用各種合成樹脂製的薄片。對於基材膜的素材不做特別限定，可以舉出聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯酸共聚物以及離聚物樹脂等。基材膜也可以使用這些樹脂的混合物和多層膜等。
基材膜的素材優選使用離聚物樹脂。在離聚物樹脂中，用Na+、K+、Zn2+等的金屬離子把具有乙烯單位、(甲基)丙烯酸甲酯單位以及(甲基)丙烯酸烷基酯單位的共聚物交聯得到的離聚物樹脂在與粘接膜粘貼時具有抑制氣泡的傾向，而且在把粘接膜一體型膠帶粘貼到半導體晶圓上時有密合性良好的傾向，所以優選使用。
對於基材膜的成型方法不做特別限定，可以舉出例如壓延機、T型模具擠壓、薄膜吹塑、以及澆注等。基材膜的厚度優選為60μm以上且120μm以下，更優選為70μm以上且120μm以下。不到60μm時，把粘接膜一體型膠帶粘貼到晶圓上時操作性差，比120μm還厚時把粘接膜一體型膠帶粘貼到晶圓上時，有時氣泡會混入。
在基材膜上，為了防止粘接膜剝離時的帶電，也可以在基材膜的單面或兩面上塗敷帶電防止劑，實施帶電防止處理。
[粘接膜]
對於粘接膜不做特別限定，可以是例如丙烯酸系、環氧系、聚醯亞胺系、矽系、酚系、橡膠系的單體或它們的混合物，也可以含有熱聚起始劑、光起始劑等的添加劑，可以使用例如市售的東麗(Toray)公司製造的以可應對晶圓級的NCF(聚醯亞胺系)、迪睿合(Dexerials)株式會社製造的3D-IC安裝用膜型底部填充劑(環氧系)、以及日立化成公司製造的DF-335-7等。
《電子部件的製造方法》
本實施方式的使用了粘接膜一體型膠帶的電子部件的製造方法不做特別限定，可以舉出例如下述的步驟。
(1)在與具有半球狀凸點的面相反的那個面為平面的矽晶圓中，以具有凸點的面為上把該矽晶圓設置在加熱到70℃的工作臺上，在具有凸點的面上粘貼粘接膜一體型膠帶。
(2)從粘接膜剝離粘接膜一體型膠帶的膠帶。
(3)在矽晶圓的與粘貼粘接膜的面相反的面上粘貼切片用膠帶。
(4)把帶有粘接膜的矽晶圓切片而成為半導體晶片。
(5)把帶有粘接膜的半導體晶片從切片用膠帶剝離並拾取起來。
【實施例】
用下述的方法製作、評價了根據實施例1的粘接膜一體型膠帶。
《粘接膜一體型膠帶》
在23℃下，在膠帶的粘結劑層側層疊粘接膜，得到了粘接膜一體型膠帶。膠帶等如下所述。
[膠帶]
在PET隔離膜上以乾燥後的厚度為30μm的方式塗敷粘結劑溶液使其乾燥，然後通過將其層疊到基材膜(以乙烯-丙烯酸甲酯共聚物的Zn鹽為主體、MFR值為1.5g/10分（JISK7210，210℃)、熔點為96℃(三井杜邦聚合化學株式會社製，Himilan1650)、80μm)上，製作了膠帶。
粘結劑溶液為：在100質量份的(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)(A-1：95質量%的丙烯酸正丁酯、5質量%的2-羥乙基丙烯酸酯的共聚物，重均分子量165萬(綜研化學公司製，SKDyne2147))中，含有5質量份的多官能異氰酸酯硬化劑(B)(2,4-甲次苯基二異氰酸酯的三羥甲基丙烷加合物(東麗公司製，CoronateL-45E))。
用凝膠滲透色譜法(GPC)測定了(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)的重均分子量。
裝置：GPC-8020SEC系統(東麗公司製)
柱：TSKGuardHZ-L+HZM-N6.0×150mm×3
流量：0.5m;/min
檢測器：RI-8020
濃度：0.2wt/Vol%
注入量：20μL
柱溫度：40℃
系統溫度：40℃
溶劑：THF
檢量線：用標準聚苯乙烯(PL公司製)製作
重均分子量(Mw)：聚苯乙烯換算值
[粘接膜]
粘接膜使用了日立化成公司製的DF-335-7(厚度25μm)。
[粘接膜一體型膠帶的評價方法]
<密合剝離性>
通過把上述得到的粘接膜一體型膠帶粘貼到預先加熱到70℃的矽晶圓上，在溫度23℃±2。℃、濕度50±5%的氣體環境下用2kg的輥子往復壓接一次，通過用Tensilon萬能材料試驗機(A&D株式會社，型號：RTG-1210)在180。剝離、牽引速度300mm/分的條件下，測定壓接1天后的、(1)膠帶和粘接膜的界面的氣泡數(密合性)和(2)膠帶和粘接膜的界面的粘結力，評價了密合剝離性。
◎(優)：膠帶和粘接膜的界面上直徑100μm以上的氣泡為0個/100cm2，粘結力為0.2N/20mm以上且不到1.0N/20mm
○(良)：膠帶和粘接膜的界面上直徑100μm以上的氣泡為1~4個/100cm2，粘結力為0.2N/20mm以上且不到1.0N/20mm
×(不可)：膠帶和粘接膜的界面上直徑100μm以上的氣泡為4個以下/100cm2，粘結力為不到0.2N/20mm或超過1.0N/20mm；或者膠帶和粘接膜的界面上直徑100μm以上的氣泡為5個以上/100cm2
<晶圓跟隨性>
在與具有半球狀凸點的面相反的那個面為平面的矽晶圓中，以具有凸點的面為上把該矽晶圓設置在加熱到70℃的工作臺上，在具有凸點的面上 用圓柱壓力為0.4MPa的輥子粘貼粘接膜一體型膠帶時，按照粘接膜一體型膠帶粘接到沒有凸點的部分上的比例評價了晶圓跟隨性。即，通過把具有凸點的面的從晶圓的面積減去凸點面積(圓)得到的面積(沒有凸點的部分)作為100%，計算粘接膜一體型膠帶與沒有凸點的部分接觸的比例，進行了評價。另外，凸點是直徑20μm、高10μm的半球狀，以100μm間隔均勻排列。
◎(優)：粘接的面積為95%以上時
○(良)：粘接的面積為70%以上且不到95%時
×(不可)：粘接的面積為不到70%時
<實施例2~15、比較例1~8>
把實施例2~15、比較例1~8的粘結劑層的設計、基材膜和粘結劑層的厚度、以及評價結果匯總于表1~3中。(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)等如下所述。
((甲基)丙烯酸酯共聚物(A))
組成如表1所示，型號等如下所述。
Figure 106112002-A0202-12-0014-1
A-1：綜研化學公司製，SKDyne2147
A-4：綜研化學公司製，SKDyne2137
A-5：日本瑞翁(Zeon)公司製，AR-53L
A-7：綜研化學公司製，SKDyne1451
A-2、3、6、8~11是本公司的聚合物
(多官能異氰酸酯硬化劑(B))
2,4-甲次苯基二異氰酸酯的三羥甲基丙烷加合物(東麗公司製，CoronateL-45E)。
(基材膜)
以乙烯-丙烯酸甲酯共聚物的Zn鹽為主體、MFR值1.5g/10分(JISK7210，210℃)、熔點96℃(三井杜邦聚合化學株式會社製，Himilan1650）。
【表2】
Figure 106112002-A0202-12-0016-2
Figure 106112002-A0202-12-0017-3
從表2和3的結果可知，本發明的膠帶抑制了粘接膜的跟隨性低，抑制了膠帶和粘接膜的密合性低，從粘接膜剝離的剝離性也良好。另外，因為下述的理由，比較例是不好的。
<比較例1、2>
考慮是因為(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)的丙烯酸正丁酯的含有率太低，所以在與粘接膜粘貼時發生了氣泡混入。
<比較例3>
考慮是因為(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)的丙烯酸正丁酯的含有率太高，所以粘結力過強，發生了從粘接膜剝離的剝離性不好。
<比較例4>
考慮是因為(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)的重均分子量太小，所以粘結力過強，發生了從粘接膜剝離的剝離性不好。
<比較例5>
考慮是因為(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)的重均分子量太大，所以粘結力低，在操作中發生了從粘接膜剝離。
<比較例6>
考慮是因為多官能異氰酸酯硬化劑(B)的含有量太少，所以粘結力過強，發生了從粘接膜剝離的剝離性不好。
<比較例7>
考慮是因為多官能異氰酸酯硬化劑(B)的含有量太多，所以粘結劑層變硬，粘結力低，所以在操作中發生了從粘接膜一部分剝離，而且在粘貼到晶圓上時，發生了對凸點的跟隨性不好。
<比較例8>
考慮是因為(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)的丙烯酸正丁酯的含有率太低，所以在與粘接膜粘貼時發生了氣泡混入。
產業上的可應用性
像以上那樣，上述的粘接膜一體型膠帶，對具有凸點的晶圓的跟隨性良好，而且兼顧粘接膜與膠帶的密合性和剝離性。因此，適合用於層疊固定晶片的電子部件的製造方法。

Claims (3)

  1. 一種粘接膜一體型膠帶，通過在由基材膜和粘結劑層構成的膠帶的上述粘結劑層粘貼粘接膜而形成，其中：粘結劑層含有100質量份的(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)和1質量份以上且10質量份以下的多官能異氰酸酯硬化劑(B)，上述(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)含有70質量%以上且98質量%以下的(甲基)丙烯酸正丁酯，重均分子量為120萬以上且220萬以下。
  2. 根據請求項1所述的粘接膜一體型膠帶，其中：上述基材膜的厚度為60μm以上且120μm以下，粘結劑層的厚度為15μm以上且40μm以下，粘結劑層的厚度為基材膜的厚度的0.2以上且0.5以下。
  3. 一種半導體晶片的製造方法，其包括：把根據請求項1或2所述的粘接膜一體型膠帶粘貼到矽晶圓的步驟，從粘接膜剝離粘接膜一體型膠帶的膠帶的步驟，在矽晶圓的與粘貼粘接膜的面相反的面上粘貼切片用膠帶的步驟，把帶粘接膜的矽晶圓切片而形成半導體晶片的切片步驟，以及剝離帶粘接膜的半導體晶片的拾取步驟。
TW106112002A 2016-04-21 2017-04-11 粘接膜一體型膠帶和半導體晶片的製造方法 TWI720179B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016084965 2016-04-21
JP2016-084965 2016-04-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201807129A TW201807129A (zh) 2018-03-01
TWI720179B true TWI720179B (zh) 2021-03-01

Family

ID=60116012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106112002A TWI720179B (zh) 2016-04-21 2017-04-11 粘接膜一體型膠帶和半導體晶片的製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6917362B2 (zh)
TW (1) TWI720179B (zh)
WO (1) WO2017183310A1 (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201529796A (zh) * 2013-12-24 2015-08-01 Nitto Denko Corp 切晶黏晶膜、半導體裝置之製造方法及半導體裝置
TW201532807A (zh) * 2013-09-30 2015-09-01 Lintec Corp 樹脂膜形成用複合片

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003142505A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Lintec Corp ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
KR101143109B1 (ko) * 2010-08-05 2012-05-08 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 점착 필름 및 반도체 웨이퍼 가공용 테이프
JP5742501B2 (ja) * 2011-06-17 2015-07-01 日立化成株式会社 接着剤層付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2013187376A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体装置用接着フィルム、半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置
JP6312422B2 (ja) * 2013-12-24 2018-04-18 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201532807A (zh) * 2013-09-30 2015-09-01 Lintec Corp 樹脂膜形成用複合片
TW201529796A (zh) * 2013-12-24 2015-08-01 Nitto Denko Corp 切晶黏晶膜、半導體裝置之製造方法及半導體裝置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2017183310A1 (ja) 2019-02-21
TW201807129A (zh) 2018-03-01
WO2017183310A1 (ja) 2017-10-26
JP6917362B2 (ja) 2021-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101523561B (zh) 半导体用膜、半导体用膜的制造方法及半导体装置
CN107892882B (zh) 切割带一体型粘接片
JP5519971B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
US20100129987A1 (en) Dicing die-bonding film and process for producing semiconductor device
JP2010129700A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
US20100129988A1 (en) Dicing die-bonding film and process for producing semiconductor device
JP2010129701A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
TW201215655A (en) Dicing-diebonding film, method for producing dicing-diebonding film, and method for producing semiconductor device
TWI715586B (zh) 切割晶片接合薄膜、半導體裝置的製造方法及半導體裝置
TWI452107B (zh) 切割晶粒黏合膜、半導體晶圓及半導體裝置
TWI500732B (zh) Insulating tape for semiconductor wafer surface protection
WO2015060105A1 (ja) 半導体装置の製造方法、シート状樹脂組成物及びダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物
TWI387997B (zh) Wafer processing tape
WO2010131575A1 (ja) 接着剤組成物、回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法
TW202100691A (zh) 電子裝置的製造方法
TWI626292B (zh) 非導電性粘結膜用組合物及包含其的非導電性粘結膜
WO2011077835A1 (ja) 粘着シート及び電子部品の製造方法
KR20160041966A (ko) 반도체 패키지의 제조 방법
TWI829883B (zh) 黏著性膜的製造方法及電子裝置的製造方法
TWI669371B (zh) 半導體晶圓表面保護用黏著膜、及使用黏著膜的半導體晶圓的保護方法以及半導體裝置的製造方法
JP6415383B2 (ja) 半導体素子の裏面を保護するための裏面保護フィルム、一体型フィルム、フィルム、半導体装置の製造方法および保護チップの製造方法
JP6078581B2 (ja) 一体型フィルム、フィルム、半導体装置の製造方法および保護チップの製造方法
TWI720179B (zh) 粘接膜一體型膠帶和半導體晶片的製造方法
TWI718236B (zh) 粘合片
TW201620049A (zh) 半導體裝置之製造方法及密封用片材